JP6613276B2 - 半導体装置の製造方法、プログラム、記録媒体および基板処理装置 - Google Patents

Description

本開示は、半導体装置の製造方法に関する。

大規模集積回路（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ：以下ＬＳＩ）、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙなどに代表される半導体装置の高集積化に伴って、回路パターンや製造過程で形成される構造物の微細化が進められている。半導体装置の製造工程の一工程を行う基板処理装置では、定期的にメンテナンスが行われ、基板処理装置の性能維持が行われている。例えば、特許文献１、２に記載されている。

特開２００６−３０３４１４号公報 特開平９−８５０７６号公報

基板処理装置の排気特性の変化によって、基板毎の処理結果が不均一となるおそれがある。

そこで、本開示では、基板毎の処理均一性を向上可能な技術を提供する。

一態様によれば、
処理室に不活性ガスを供給する工程と、
前記処理室内の雰囲気を排気部から排気する工程と、
前記処理室内または前記排気部のいずれかの圧力と前記不活性ガスの流量との関係についての基準データとなる第１データを取得する第１データ取得工程と、
基板を収容した状態の前記処理室内に処理ガスを供給して前記基板を処理する工程と、
前記排気部に設けられた排気調整部のバルブ開度を調整する排気特性調整工程と、を備えており、
前記排気特性調整工程は、
前記排気調整部のバルブ開度を所定値に設定した状態で、前記不活性ガスの流量を変化させつつ、前記処理室内または前記排気部のいずれかの圧力を測定して、当該圧力と前記不活性ガス流量との関係についての実測データである第２データを取得する第２データ取得工程と、
前記第２データを前記第１データと対比させてそれぞれの間の差異データを求め、前記差異データが所定範囲内にあるか否かを判定する工程と、
前記差異データが前記所定範囲内にない場合に、前記排気調整部のバルブ開度を変更する工程と、
を有する技術が提供される。

本開示に係る技術によれば、基板毎の処理均一性を向上させることができる。

一実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。 一実施形態に係るコントローラの概略構成図である。 一実施形態に係る基板処理システムの概略構成図である。 他の実施形態に係るクラスタ型基板処理装置の概略構成図である。 一実施形態に係る基板処理工程のシーケンス例を示すフロー図である。 一実施形態に係る基板処理工程における成膜処理のシーケンス例を示すチャート図である。 一実施形態に係る基板処理装置における排気特性の例を示す説明図である。 一実施形態に係る排気特性調整工程のシーケンス例を示すフロー図である。 一実施形態に係る第１データおよび第２データの具体例を示す説明図である。 一実施形態に係る判定工程の処理例を示す説明図である。 一実施形態に係る判定工程の他の処理例を示す説明図である。

以下に本開示の実施の形態について説明する。

＜一実施形態＞
以下に本開示の一実施形態を図面に即して説明する。

（１）基板処理装置の構成
先ず、本開示の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成について説明する。
ここで説明する基板処理装置は、例えば、半導体装置の製造工程の一工程である成膜処理を行う際に用いられるものである。

（処理容器）
図１に示すように、基板処理装置１００は、処理容器２０２を備えている。処理容器２０２は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）やステンレス（ＳＵＳ）等の金属材料または石英により、横断面が円形であり扁平な密閉容器として構成されている。また、処理容器２０２は、上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂとを備えており、これらの間に仕切部２０４が設けられている。仕切部２０４よりも上方の上部容器２０２ａに囲まれた空間は、成膜処理の処理対象となるシリコンウエハ等の基板（単にウエハともいう）２００を処理する処理空間（処理室ともいう）２０１として機能する。一方、仕切部２０４よりも下方の空間の下部容器２０２ｂに囲まれた空間は、ウエハ２００を移載するための搬送空間（移載室ともいう）２０３として機能する。移載室２０３として機能するために、下部容器２０２ｂの側面には、ゲートバルブ１４９０に隣接した基板搬入出口１４８０が設けられており、その基板搬入出口１４８０を介してウエハ２００が図示しない搬送室との間を移動するようになっている。下部容器２０２ｂの底部には、リフトピン２０７が複数設けられている。さらに、下部容器２０２ｂは、接地されている。

（基板支持部）
処理室２０１内には、ウエハ２００を支持する基板支持部（サセプタ）２１０が設けられている。サセプタ２１０は、ウエハ２００を載置する載置面２１１を有した基板載置台２１２を備える。基板載置台２１２は、少なくとも、載置面２１１上のウエハ２００の温度を調整する加熱部としてのヒータ２１３ａ，２１３ｂを内蔵している。また、基板載置台２１２には、リフトピン２０７が貫通する貫通孔２１４が、リフトピン２０７と対応する位置にそれぞれ設けられている。

基板載置台２１２に内蔵された加熱部としてのヒータ２１３ａ，２１３ｂは、電力の供給による温度調整（加熱または冷却）によって、載置面２１１上のウエハ２００を所定温度に維持するように構成されている。このようなヒータ２１３ａ，２１３ｂは、例えば載置面２１１の内周側と外周側といったように、載置面２１１の面内を複数領域に分割した場合の各領域のそれぞれに別個に設けられている。そして、各ヒータ２１３ａ，２１３ｂには、それぞれへの供給電力を調整する温度調整部２１３ｃ，２１３ｄが個別に接続されている。各温度調整部２１３ｃ，２１３ｄは、後述するコントローラ２６０からの指示に従い、それぞれが独立して制御される。これにより、ヒータ２１３ａ，２１３ｂは、載置面２１１上のウエハ２００に対して、各領域別に独自の温度調整を行うゾーン制御が可能となるように構成されている。

基板載置台２１２は、シャフト２１７によって支持される。シャフト２１７は、処理容器２０２の底部を貫通しており、さらには処理容器２０２の外部で昇降機構２１８に接続されている。そして、昇降機構２１８を作動させることで、基板載置台２１２を昇降させることが可能に構成されている。シャフト２１７下端部の周囲はベローズ２１９により覆われており、処理室２０１内は気密に保持されている。

基板載置台２１２は、ウエハ２００の搬送時には、基板載置面２１１が基板搬入出口１４８０の位置（ウエハ搬送位置）となるように下降し、ウエハ２００の処理時には、ウエハ２００が処理室２０１内の処理位置（ウエハ処理位置）まで上昇する。具体的には、基板載置台２１２をウエハ搬送位置まで下降させた時には、リフトピン２０７の上端部が基板載置面２１１の上面から突出して、リフトピン２０７がウエハ２００を下方から支持するようになっている。また、基板載置台２１２をウエハ処理位置まで上昇させたときには、リフトピン２０７は基板載置面２１１の上面から埋没して、基板載置面２１１がウエハ２００を下方から支持するようになっている。なお、リフトピン２０７は、ウエハ２００と直接触れるため、例えば、石英やアルミナ等の材質で形成することが望ましい。

（ガス導入口）
処理室２０１の上部には、処理室２０１内に各種ガスを供給するためのガス導入口２４１が設けられている。ガス導入口２４１に接続されるガス供給ユニットの構成については後述する。

ガス導入口２４１に連通する処理室２０１内には、ガス導入口２４１から供給されるガスを分散させて処理室２０１内に均等に拡散させるために、分散板２３４ｂを有したシャワーヘッド（バッファ室）２３４が配されていることが望ましい。

分散板２３４ｂの支持部材２３１ｂには、整合器２５１と高周波電源２５２が接続され、電磁波（高周波電力やマイクロ波）が供給可能に構成される。これにより、分散板２３４ｂを通じて、処理室２０１内に供給されるガスを励起してプラズマ化し得るようになっている。つまり、分散板２３４ｂ、支持部材２３１ｂ、整合器２５１および高周波電源２５２は、後述する第１処理ガスおよび第２処理ガスをプラズマ化するものであり、プラズマ化したガスを供給する第１ガス供給部（詳細は後述）の一部および第２ガス供給部（詳細は後述）の一部として機能する。

（ガス供給部）
ガス導入口２４１には、共通ガス供給管２４２が接続されている。共通ガス供給管２４２には、第１ガス供給管２４３ａ、第２ガス供給管２４４ａ、第３ガス供給管２４５ａが接続されている。第１ガス供給管２４３ａを含む第１ガス供給部２４３からは第１処理ガス（詳細は後述）が主に供給され、第２ガス供給管２４４ａを含む第２ガス供給部２４４からは第２処理ガス（詳細は後述）が主に供給される。第３ガス供給管２４５ａを含む第３ガス供給部２４５からは、主にパージガスが供給される。

（第１ガス供給部）
第１ガス供給管２４３ａには、上流方向から順に、第１ガス供給源２４３ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４３ｃ、および、開閉弁であるバルブ２４３ｄが設けられている。そして、第１ガス供給源２４３ｂから、第１元素を含有するガス（第１処理ガス）が、ＭＦＣ２４３ｃ、バルブ２４３ｄ、第１ガス供給管２４３ａ、共通ガス供給管２４２を介して、処理室２０１に供給される。

第１処理ガスは、例えば、シリコン（Ｓｉ）元素を含むガスである。具体的には、ジクロロシラン（ＳｉＨ_２Ｃｌ_２，ｄｉｃｈｌｏｒｏｓｉｌａｎｅ：ＤＣＳ）ガスやテトラエトキシシラン（Ｓｉ（ＯＣ_２Ｈ_５）_４，Ｔｅｔｒａｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ：ＴＥＯＳ）ガス等が用いられる。以下の説明では、ＴＥＯＳガスを用いた例について説明する。

第１ガス供給管２４３ａのバルブ２４３ｄよりも下流側には、第１不活性ガス供給管２４６ａの下流端が接続されている。第１不活性ガス供給管２４６ａには、上流方向から順に、不活性ガス供給源２４６ｂ、ＭＦＣ２４６ｃ、および、バルブ２４６ｄが設けられている。そして、不活性ガス供給源２４６ｂから、不活性ガスが、ＭＦＣ２４６ｃおよびバルブ２４６ｄを介して、第１ガス供給管２４３ａに供給される。
不活性ガスは、例えば、窒素（Ｎ_２）ガスである。なお、不活性ガスとして、Ｎ_２ガスのほか、例えばアルゴン（Ａｒ）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、キセノン（Ｘｅ）ガス等の希ガスを用いることができる。

主に、第１ガス供給管２４３ａ、ＭＦＣ２４３ｃおよびバルブ２４３ｄにより、処理ガス供給部の一つである第１ガス供給部（Ｓｉ含有ガス供給部ともいう）２４３が構成される。なお、第１ガス供給源２４３ｂを、第１ガス供給部２４３に含めて考えてもよい。
また、主に、第１不活性ガス供給管２４６ａ、ＭＦＣ２４６ｃおよびバルブ２４６ｄにより、第１不活性ガス供給部が構成される。なお、不活性ガス供給源２４６ｂ、第１ガス供給管２４３ａを、第１不活性ガス供給部に含めて考えてもよい。さらには、第１不活性ガス供給部を、第１ガス供給部２４３に含めて考えてもよい。

（第２ガス供給部）
第２ガス供給管２４４ａには、上流方向から順に、第２ガス供給源２４４ｂ、ＭＦＣ２４４ｃ、および、バルブ２４４ｄが設けられている。そして、第２ガス供給源２４４ｂから、第２元素を含有するガス（第２処理ガス）が、ＭＦＣ２４４ｃ、バルブ２４４ｄ、第２ガス供給管２４４ａ、共通ガス供給管２４２を介して、処理室２０１に供給される。

第２処理ガスは、第１処理ガスが含有する第１元素（例えばＳｉ）とは異なる第２元素（例えば酸素）を含有するもので、例えば、酸素（Ｏ）含有ガスである。具体的には、酸素（Ｏ_２）ガス、オゾン（Ｏ_３）ガス、水（Ｈ_２Ｏ）ガス、過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）ガス等が用いられる。以下の説明では、Ｏ_２ガスを用いた例について説明する。

第２ガス供給管２４４ａのバルブ２４４ｄよりも下流側には、第２不活性ガス供給管２４７ａの下流端が接続されている。第２不活性ガス供給管２４７ａには、上流方向から順に、不活性ガス供給源２４７ｂ、ＭＦＣ２４７ｃ、および、バルブ２４７ｄが設けられている。そして、不活性ガス供給源２４７ｂから、不活性ガスが、ＭＦＣ２４７ｃおよびバルブ２４７ｄを介して、第２ガス供給管２４４ａに供給される。
不活性ガスについては、第１不活性ガス供給部の場合と同様である。

主に、第２ガス供給管２４４ａ、ＭＦＣ２４４ｃおよびバルブ２４４ｄにより、処理ガス供給部の他の一つである第２ガス供給部（酸素含有ガス供給部ともいう）２４４が構成される。なお、第２ガス供給源２４４ｂを、第２ガス供給部２４４に含めて考えてもよい。
また、主に、第２不活性ガス供給管２４７ａ、ＭＦＣ２４７ｃおよびバルブ２４７ｄにより、第２不活性ガス供給部が構成される。なお、不活性ガス供給源２４７ｂ、第２ガス供給管２４４ａを、第２不活性ガス供給部に含めて考えてもよい。さらには、第２不活性ガス供給部を、第２ガス供給部２４４に含めて考えてもよい。

（第３ガス供給部）
第３ガス供給管２４５ａには、上流方向から順に、第３ガス供給源２４５ｂ、ＭＦＣ２４５ｃ、および、バルブ２４５ｄが設けられている。そして、第３ガス供給源２４５ｂから、パージガスとしての不活性ガスが、ＭＦＣ２４５ｃ、バルブ２４５ｄ、第３ガス供給管２４５ａ、共通ガス供給管２４２を介して、処理室２０１に供給される。

ここで、不活性ガスは、例えば、Ｎ_２ガスである。なお、不活性ガスとして、Ｎ_２ガスのほか、例えばＡｒガス、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ｘｅガス等の希ガスを用いることができる。

主に、第３ガス供給管２４５ａ、ＭＦＣ２４５ｃおよびバルブ２４５ｄにより、不活性ガス供給部である第３ガス供給部（パージガス供給部ともいう）２４５が構成される。なお、第３ガス供給源２４５ｂを、第３ガス供給部２４５に含めて考えてもよい。

好ましくは、上述の各ガス供給部に設けられた、流量制御部（ＭＦＣ）としては、ニードルバルブやオリフィスなどの、ガスフローの応答性が高い構成がよい。例えば、ガスのパルス幅がミリ秒オーダーになった場合は、ＭＦＣでは応答できないことがあるが、ニードルバルブやオリフィスの場合は、高速なＯＮ／ＯＦＦバルブと組み合わせることで、ミリ秒以下のガスパルスに対応することが可能となる。

（排気部）
処理室２０１（上部容器２０２ａ）の内壁上面には、処理室２０１内の雰囲気を排気するための排気口２２１が設けられている。排気口２２１には、第１排気管としての排気管２２４が接続されている。排気管２２４には、処理室２０１内を所定の圧力に制御するＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）等の圧力調整器２２７と、真空ポンプ２２３とが、直列に接続されている。

圧力調整器２２７は、後述する基板処理工程を行う際に、同じく後述するコントローラ２６０による制御に従いつつ、処理室２０１内の圧力を調整するように構成されている。さらに詳しくは、圧力調整器２２７は、後述する基板処理の手順や条件等が記載されたプロセスレシピに応じて、当該圧力調整器２２７が有する弁（バルブ）の開度を可変させることで、処理室２０１内の圧力を調整するように構成されている。

ところで、処理室２０１内の雰囲気を排気する際における排気特性は、基板処理工程においてウエハ２００上に形成される膜の特性に影響を与える。ここでいう排気特性とは、詳細を後述するように、上述の第３ガス（不活性ガス）の供給流量と処理室２０１内（処理室２０１に連通する排気管２２４内を含む）の圧力との関係を示す特性のことである。このような排気特性は、例えば、最初の基板処理工程を行う前、複数回の基板処理工程を行った後、基板処理が行われていないアイドリング状態の後等の状況次第で変化することがあり、所望の膜特性が得られるリファレンス特性（リファレンスデータ）から外れてしまうと、基板処理工程において所望の膜特性が得られなくなるおそれが生じてしまう。
なお、排気特性については、圧力調整器２２７のバルブ開度を制御して調整することも考えられる。ただし、基板処理工程の際に用いるプロセスレシピは、複数の基板処理装置１００において共通して使用できる統一されたものである。そのため、プロセスレシピに応じてバルブ開度が制御される圧力調整器２２７では、各基板処理装置１００の状況に応じて個別に行うべき圧力調整に対応することは困難である。

そこで、本開示において、排気管２２４には、圧力調整器２２７とは別に、その圧力調整器２２７の前段または後段に、排気調整部としての排気調整バルブ２２８が設けられている。排気調整バルブ２２８は、基板処理工程ではなく後述する排気特性調整工程にて、その排気特性調整工程で使用する排気特性修正レシピに応じて、当該排気調整バルブ２２８が有する弁（バルブ）の開度を可変させることで、処理室２０１内の雰囲気を排気する際の排気特性を調整するように構成されている。つまり、この排気調整バルブ２２８をコントローラ２６０によって制御することで、排気特性の調整が可能となる。
なお、排気特性の変化の要因が、例えば、排気管２２４の詰まりであるか、真空ポンプ２２３の性能劣化であるか、等といった判定の容易性を向上させるためには、排気調整バルブ２２８を真空ポンプ２２３の直上に設けることが好ましい。換言すると、排気調整バルブ２２８は、圧力調整器２２７よりも真空ポンプ２２３の側に設けられていることが好ましい。

また、排気管２２４には、例えば、圧力調整器２２７の前段（すなわち、処理室２０１に近い側）に、その排気管２２４内の圧力を測定する圧力測定部としての圧力センサ２２９が設けられている。なお、ここでは、圧力センサ２２９が排気管２２４内の圧力を測定する場合を例に挙げているが、圧力センサ２２９は、処理室２０１内の圧力を測定するものであってもよい。つまり、圧力センサ２２９は、処理室２０１内または排気部を構成する排気管２２４内のいずれかの圧力を測定するものであればよい。

主に、排気口２２１、排気管２２４、圧力調整器２２７、排気調整バルブ２２８により、排気部（排気ライン）が構成される。なお、真空ポンプ２２３、圧力センサ２２９を、排気部に含めて考えてもよい。

（制御部）
基板処理装置１００は、その基板処理装置１００を構成する各部の動作を制御するために、制御部（制御手段）としてのコントローラ２６０を有している。

図２に示すように、コントローラ２６０は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）２６０ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）２６０ｂ、記憶装置２６０ｃ、Ｉ／Ｏポート２６０ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ２６０ｂ、記憶装置２６０ｃ、Ｉ／Ｏポート２６０ｄは、内部バス２６０ｅを介して、ＣＰＵ２６０ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ２６０には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置２６１や、外部記憶装置２６２が接続可能に構成されている。なお、本開示での接続とは、各部が物理的なケーブル（信号線）で繋がっているという意味も含むが、各部の信号（電子データ）が直接または間接的に送信／受信可能になっているという意味も含む。

記憶装置２６０ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置２６０ｃ内には、基板処理装置１００の動作を制御する制御プログラム、後述する基板処理の手順や条件等が記載されたプロセスレシピ、同じく後述する排気特性調整の手順や条件等が記載された排気特性修正レシピ、様々な処理の過程で生じる演算データや処理データ等が、読み出し可能に格納されている。なお、プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ２６０に実行させ、所定の結果を得ることができるように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。また、排気特性修正レシピは、後述する排気特性調整工程における各手順をコントローラ２６０に実行させ、所定の結果を得ることができるように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、これらのプロセスレシピ、排気特性修正レシピ、制御プログラム等を総称して、単にプログラムまたは単にレシピともいう。本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、レシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。また、ＲＡＭ２６０ｂは、ＣＰＵ２６０ａによって読み出されたプログラム、演算データ、処理データ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。

Ｉ／Ｏポート２６０ｄは、ゲートバルブ１４９０、昇降機構２１８、圧力調整器２２７、排気調整バルブ２２８、真空ポンプ２２３、圧力センサ２２９、ＭＦＣ２４３ｃ，２４４ｃ，２４５ｃ，２４６ｃ，２４７ｃ、バルブ２４３ｄ，２４４ｄ，２４５ｄ，２４６ｄ，２４７ｄ、温度調整部２１３ｃ，２１３ｄ、整合器２５１、高周波電源２５２、等に接続されている。

演算部としてのＣＰＵ２６０ａは、記憶装置２６０ｃからの制御プログラムを読み出して実行するとともに、入出力装置２６１からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置２６０ｃからレシピを読み出すように構成されている。また、送受信部２８５から入力された設定値と、記憶装置２６０ｃに記憶されたレシピや制御データとを比較・演算して、演算データを算出可能に構成されている。また、演算データから対応する処理データ（レシピ）の決定処理等を実行可能に構成されている。そして、ＣＰＵ２６０ａは、読み出されたレシピの内容に沿うように、ゲートバルブ１４９０の開閉動作、昇降機構２１８の昇降動作、温度調整部２１３ｃ，２１３ｄの電力供給、整合器２５１の電力の整合動作、高周波電源２５２のオンオフ制御、ＭＦＣ２４３ｃ，２４４ｃ，２４５ｃ，２４６ｃ，２４７ｃの動作制御、バルブ２４３ｄ，２４４ｄ，２４５ｄ，２４６ｄ，２４７ｄ，３０８のガスのオンオフ制御、圧力調整器２２７のバルブ開度調整、排気調整バルブ２２８のバルブ開度調整、真空ポンプのオンオフ制御、等を制御するように構成されている。

なお、コントローラ２６０は、専用のコンピュータとして構成されている場合に限らず、汎用のコンピュータとして構成されていてもよい。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）２６２を用意し、かかる外部記憶装置２６２を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすること等により、本実施形態に係るコントローラ２６０を構成することができる。ただし、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置２６２を介して供給する場合に限らない。例えば、ネットワーク２６３（インターネットや専用回線）等の通信手段を用い、外部記憶装置２６２を介さずにプログラムを供給するようにしてもよい。なお、記憶装置２６０ｃや外部記憶装置２６２は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において、記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置２６０ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置２６２単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合がある。

（２）基板処理システムの構成
次に、上述した構成の基板処理装置１００を含む基板処理システムの概略構成について説明する。

（システム全体の構成）
図３に示すように、基板処理システム１０００は、複数台の基板処理装置１００（１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ）と、第２制御部２７４と、それぞれを接続するネットワーク２６８と、で構成される。なお、基板処理システム１０００に、上位装置５００を含めるように構成してもよい。ここで、第２制御部２７４は、例えば、複数台の基板処理装置１００を管理する群管理コントローラである。また、上位装置５００は、例えば、ホストコンピュータである。

このような基板処理システム１０００において、各基板処理装置１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄは、いずれも、様々なデータを取得する制御部としてのコントローラ２６０（２６０ａ，２６０ｂ，２６０ｃ，２６０ｄ）と、様々なデータを表示する表示部としての入出力装置２７０（２７０ａ，２７０ｂ，２７０ｃ，２７０ｄ）と、様々なデータを第２制御部２７４との間で送受信する送受信部２８５（２８５ａ，２８５ｂ，２８５ｃ，２８５ｄ）と、を有する。
一方、第２制御部２７４は、第１演算部２７５、第１記憶部２７６、第１送受信部２７７を有する。第１送受信部２７７は、基板処理装置１００と第２制御部２７４との間で、データを送信／受信する。第１記憶部２７６は、データや、第１演算部２７５で演算されたデータ、上位装置５００から送信されるデータ、ユーザーが入力した任意データ、これらのデータのデータベース、等が記録される。第１演算部２７５は、上述のデータのうち、少なくとも１つ以上のデータに基づいて演算処理を行うように構成される。

なお、基板処理システムは、複数台の基板処理装置１００を有して構成された基板処理システム１０００に限定されることはなく、例えば、後述するクラスタ型基板処理装置２０００（２０００ａ，２０００ｂ，２０００ｃ，２０００ｄ）を複数台有する基板処理システム３０００であってもよい。

（クラスタ型基板処理装置の構成）
ここで、基板処理システム３０００を構成するクラスタ型基板処理装置２０００について説明する。クラスタ型基板処理装置２０００は、上述した基板処理装置１００を複数台有して構成されたものである。

図４に示すように、クラスタ型基板処理装置２０００は、ウエハ２００を処理するもので、ＩＯステージ２１００、大気搬送室２２００、ロードロック（Ｌ／Ｌ）２３００、真空搬送室２４００、および、複数台の基板処理装置１００（１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ）を備えて構成されている。なお、図中において、前後左右は、Ｘ１方向が右、Ｘ２方向が左、Ｙ１方向が前、Ｙ２方向が後とする。

クラスタ型基板処理装置２０００の手前には、ＩＯステージ（ロードポート）２１００が設置されている。ＩＯステージ２１００上には、複数のポッド２００１が搭載されている。ポッド２００１は、ウエハ２００を搬送するキャリアとして用いられ、その内部に未処理のウエハ２００または処理済のウエハ２００がそれぞれ水平姿勢で複数枚格納されるように構成されている。

ＩＯステージ２１００は、大気搬送室２２００に隣接している。大気搬送室２２００内には、ウエハ２００を移載する第１搬送ロボットとしての大気搬送ロボット２２２０が設置されている。大気搬送室２２００には、ＩＯステージ２１００とは異なる側に、ロードロック室２３００が連結されている。

ロードロック室２３００は、その内部の圧力が大気搬送室２２００の圧力と後述する真空搬送室２４００の圧力に合わせて変動するようになっており、そのために負圧に耐え得る構造に構成されている。ロードロック室２３００には、大気搬送室２２００とは異なる側に、真空搬送室（トランスファモジュール：ＴＭ）２４００が連結されている。

ＴＭ２４００は、負圧下でウエハ２００が搬送される搬送空間となる搬送室として機能する。ＴＭ２４００を構成する筐体２４１０は、平面視が五角形に形成され、五角形の各辺のうち、ロードロック室２３００が連結される辺を除く各辺に、ウエハ２００を処理する基板処理装置１００が複数台（例えば４台）連結されている。ＴＭ２４００の略中央部には、負圧下でウエハ２００を移載（搬送）する第２搬送ロボットとしての真空搬送ロボット２７００が設置されている。なお、ここでは、真空搬送室２４００を五角形の例を示すが、四角形や六角形等の多角形であってもよい。

ＴＭ２４００内に設置される真空搬送ロボット２７００は、独立して動作が可能な二つのアーム２８００，２９００を有する。真空搬送ロボット２７００は、上述のコントローラ２６０により制御される。

ＴＭ２４００と各基板処理装置１００との間には、ゲートバルブ（ＧＶ）１４９０が設けられている。具体的には、基板処理装置１００ａとＴＭ２４００との間にはゲートバルブ１４９０ａが、基板処理装置１００ｂとの間にはＧＶ１４９０ｂが設けられる。基板処理装置１００ｃとの間にはＧＶ１４９０ｃが、基板処理装置１００ｄとの間にはＧＶ１４９０ｄが設けられる。各ＧＶ１４９０の開放により、ＴＭ２４００内の真空搬送ロボット２７００は、各基板処理装置１００に設けられた基板搬入出口１４８０を介したウエハ２００の出し入れを行うことが可能となる。

（３）基板処理工程
次に、上述した構成の基板処理装置１００で実行する基板処理工程について説明する。ここでは、基板処理工程として、半導体装置の製造工程の一工程である成膜処理を行う場合を例に挙げる。なお、以下の説明において、各部の動作はコントローラ２６０により制御される。

（基板搬入工程：Ｓ２０１）
成膜処理に際しては、図５に示すように、先ず、ウエハ２００を処理室２０１に搬入させる。具体的には、基板支持部２１０を昇降部２１８によって下降させ、リフトピン２０７が貫通孔２１４から基板支持部２１０の上面側に突出させた状態にする。また、処理室２０１および移載室２０３を所定の圧力に調圧した後、ゲートバルブ１４９０を開放し、ゲートバルブ１４９０の開口からリフトピン２０７上にウエハ２００を載置させる。ウエハ２００をリフトピン２０７上に載置させた後、ゲートバルブ１４９０を閉じ、昇降部２１８によって基板支持部２１０を所定の位置まで上昇させることによって、ウエハ２００を基板載置面２１２上に載置させるとともに、そのウエハ２００を処理室２０１内の処理位置（ウエハ処理位置）に位置させる。

（減圧・昇温工程：Ｓ２０２）
続いて、処理室２０１内が所定の圧力（真空度）となるように、排気管２２４を介して処理室２０１内を排気する。この際、圧力センサ２２９が計測した圧力値（圧力データ）に基づき、圧力調整器２２７の弁の開度をフィードバック制御する。また、温度センサ（不図示）が検出した温度値に基づき、処理室２０１内が所定の温度となるようにヒータ２１３ａ，２１３ｂへの通電量をフィードバック制御する。具体的には、基板支持部２１０をヒータ２１３ａ，２１３ｂにより予め加熱しておき、ウエハ２００または基板支持部２１０の温度変化が無くなってから一定時間置く。この間、処理室２０１内に残留している水分あるいは部材からの脱ガス等がある場合は、真空排気やＮ_２ガスの供給によるパージによって除去してもよい。これで成膜プロセス前の準備が完了することになる。なお、処理室２０１内を所定の圧力に排気する際に、一度、到達可能な真空度まで真空排気してもよい。

このときのヒータ２１３ａ，２１３ｂの温度は、１００〜６００℃、好ましくは１００〜５００℃、より好ましくは２５０〜４５０℃の範囲内の一定の温度となるように設定する。また、ヒータ２１３ａ，２１３ｂの温度は、基板処理中のウエハ２００の温度が一定となるように調整（維持）されている。

（成膜工程：Ｓ３０１）
そして、処理室２０１内の雰囲気が安定したら、次いで、成膜工程（Ｓ３０１）に移る。ここでは、成膜工程として、ウエハ２００の面上にシリコン酸化（ＳｉＯ）膜を成膜する例について説明する。

成膜工程（Ｓ３０１）では、図５および図６に示すように、第１ガス供給工程（Ｓ２０３）、第１パージ工程（Ｓ２０４）、第２ガス供給工程（Ｓ２０５）および第２パージ工程（Ｓ２０６）の各ステップを順に行う。

（第１ガス供給工程：Ｓ２０３）
第１ガス供給工程（Ｓ２０３）では、第１ガス供給部２４３から処理室２０１内に第１処理ガスとしてのＴＥＯＳガスを供給する。具体的には、バルブ２４３ｄを開け、ＭＦＣ２４３ｃで流量調整しつつ、第１ガス供給源２４３ｂからＴＥＯＳガスを供給する。流量調整されたＴＥＯＳガスは、バッファ室２３４を通り、分散板２３４ｂから、減圧状態の処理室２０１内に到達する。このとき、排気部による処理室２０１内の排気を継続し、処理室２０１内の圧力を所定の圧力範囲（第１圧力）となるように制御する。これにより、ＴＥＯＳガスは、所定の圧力（第１圧力：例えば１０Ｐａ以上１０００Ｐａ以下）で処理室２０１内に供給される。ＴＥＯＳガスが供給されることにより、処理室２０１内では、ウエハ２００上に、シリコン含有層が形成される。ここで、シリコン含有層とは、シリコン（Ｓｉ）またはシリコンと炭素（Ｃ）を含む層である。

（第１パージ工程：Ｓ２０４）
第１ガス供給工程（Ｓ２０３）でウエハ２００上にシリコン含有層を形成した後は、バルブ２４３ｄを閉じて、ＴＥＯＳガスの供給を停止する。そして、処理室２０１中に残留するＴＥＯＳガスや、バッファ室２３４中に残留するＴＥＯＳガスを、排気部から排気し、これにより第１パージ工程（Ｓ２０４）を行う。

第１パージ工程（Ｓ２０４）では、単に残留ガスを排気（真空引き）して処理室２０１内等から排出すること以外に、第３ガス供給部２４５より不活性ガスを供給して、残留ガスを押し出すことによる排出処理を行うようにしてもよい。この場合、バルブ２４５ｄを開け、ＭＦＣ２４５ｃで不活性ガスの流量調整を行う。また、真空引きと不活性ガスの供給を組み合わせて行ってもよい。また、真空引きと不活性ガスの供給を交互に行うようにしてもよい。そして、所定の時間が経過したら、その後、バルブ２４５ｄを閉じて、不活性ガスの供給を停止する。なお、バルブ２４５ｄを開けたまま不活性ガスの供給を継続してもよい。

このときのヒータ２１３ａ，２１３ｂの温度は、ウエハ２００へのＴＥＯＳガス供給時と同様の温度となるように設定する。不活性ガス供給系である第３ガス供給部２４５から供給するパージガスとしてのＮ_２ガスの供給流量は、例えば１００〜２００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。パージガスとしては、Ｎ_２ガスの他、Ａｒガス、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ｘｅガス等の希ガスを用いても良い。

（第２ガス供給工程：Ｓ２０５）
第１パージ工程（Ｓ２０４）の後は、第２ガス供給工程（Ｓ２０５）を行う。第２ガス供給工程（Ｓ２０５）では、第２ガス供給部２４４から処理室２０１内に第２処理ガスとしての酸素（Ｏ_２）ガスを供給する。具体的には、バルブ２４４ｄを開け、ＭＦＣ２４４ｃで流量調整しつつ、第２ガス供給源２４４ｂからＯ_２ガスを、バッファ室２３４および分散板２３４ｂを経て、処理室２０１内に供給する。このとき、Ｏ_２ガスの流量が所定の流量となるように、ＭＦＣ２４４ｃを調整する。なお、Ｏ_２ガスの供給流量は、例えば、１００ｓｃｃｍ以上１００００ｓｃｃｍ以下である。

ここで、高周波電源２５２から整合器２５１を介して高周波電力等の供給を行う。これにより、分散板２３４ｂを通過するＯ_２ガスがプラズマ化され、処理室２０１内にＯ_２ガスのプラズマ（Ｏ_２ガスの活性種）が生成される。そして、活性化されたＯ_２ガスがウエハ２００上のシリコン含有層に供給されると、そのシリコン含有層が改質され、シリコン元素と酸素元素を含有するシリコン酸化層が形成される。

このとき、処理室２０１からの排気を行う際の排気特性がリファレンス特性（リファレンスデータ）から外れていると、ここで生成される活性種の量や濃度等が変化してしまい、所望の処理を施すことができなくなるおそれがある。つまり、排気特性については、リファレンス特性から大きく外れていない状態を維持しておくべきである。

また、ウエハ２００上におけるシリコン酸化層は、例えば、処理室２０１内の圧力、Ｏ_２ガスの流量、ウエハ２００の温度、高周波電源部２５２の電力等に応じて、所定の厚さ、所定の分布、シリコン含有層に対する所定の酸素成分等の侵入深さで形成される。このうち、処理室２０１内の圧力とＯ_２ガスの流量は、特にシリコン酸化層の形成に大きな影響を与える。その一方で、処理室２０１内の圧力とＯ_２ガスの流量は、処理室２０１からの排気を行う際の排気特性の影響を受け得る。このことからも、排気特性については、リファレンス特性から大きく外れていない状態を維持しておくべきである。

したがって、処理室２０１からの排気を行う際の排気特性については、詳細を後述するように、所定のタイミングで排気特性調整工程を行うことで、リファレンス特性から外れないように調整されるようになっている。

以上のような第２ガス供給工程（Ｓ２０５）の開始から所定の時間が経過し、ウエハ２００上にシリコン酸化層が形成されると、バルブ２４４ｄを閉じて、Ｏ_２ガスの供給を停止する。

なお、図６では、第２処理ガスであるＯ_２ガスの供給と同時に高周波電力の供給を開始しているが、Ｏ_２ガスの供給開始前から高周波電力を供給されるようにしてもよい。また、第１ガス供給工程（Ｓ２０３）から後述する判定工程が終了するまで高周波電力の供給を継続して、Ｏ_２ガスの供給の有無によってプラズマを生成するように制御してもよい。

（第２パージ工程：Ｓ２０６）
第２ガス供給工程（Ｓ２０５）でウエハ２００上にシリコン酸化層を形成した後は、第１パージ工程（Ｓ２０４）と同様の動作によって、第２パージ工程（Ｓ２０６）を行う。具体的には、処理室２０１中に残留するＯ_２ガスや副生成物、バッファ室２３４中に残留するＯ_２ガスを、排気部から排気することによって、第２パージ工程（Ｓ２０６）が行う。このとき、第３ガス供給部２４５より不活性ガスを供給することによって、バッファ室２３４および処理室２０１をパージしてもよい。

（判定工程）
第２パージ工程（Ｓ２０６）の終了後、コントローラ２６０は、成膜工程（Ｓ３０１）を構成する上述の各ステップ（Ｓ２０３〜Ｓ２０６）について、所定のサイクル数ｎが実行されたか否かを判定する。上述した各ステップ（Ｓ２０３〜Ｓ２０６）を１サイクルとして、このサイクルを少なくとも１回以上行うことにより、ウエハ２００上に所定膜厚のシリコン酸化膜（ＳｉＯ膜）を成膜することができる。なお、上述のサイクルは、複数回繰返すことが好ましい。

判定の結果、上述のサイクルが所定回数ｎに満たなければ、各ステップ（Ｓ２０３〜Ｓ２０６）を繰り返し行う。一方、所定回数ｎ実施されたときは、成膜工程（Ｓ３０１）を終了する。これにより、ウエハ２００上には、所定膜厚のＳｉＯ膜が形成される。

（搬送圧力調整工程：Ｓ２０７）
成膜工程（Ｓ３０１）の終了後は、搬送圧力調整工程（Ｓ２０７）を行う。搬送圧力調整工程（Ｓ２０７）では、処理室２０１や移載室２０３が所定の圧力（真空度）となるように、処理室２０１内および移載室２０３内を排気する。なお、この搬送圧力調整工程（Ｓ２０７）の間や前や後で、ウエハ２００の温度が所定の温度まで冷却するように、リフタピン２０７で保持するように構成してもよい。

（基板搬出工程：Ｓ２０８）
搬送圧力調整工程（Ｓ２０７）で処理室２０１内と移載室２０３内が所定圧力になった後は、ゲートバルブ１４９０を開き、基板搬入出口１４８０を介して、真空搬送室２４００にウエハ２００を搬出する。

以上に説明した一連の各工程を経ることで、ウエハ２００に対する基板処理工程が行われる。

（４）排気特性調整工程
次に、上述した構成の基板処理装置１００で実行する排気特性調整工程について説明する。

上述したように、基板処理装置１００で実行する基板処理工程においては、処理室２０１からの排気を行う際の排気特性が、ウエハ２００上に形成される膜の特性に影響を与える。
ここでいう排気特性は、処理室２０１内の雰囲気を排気する際の基板処理装置１００における特性の一つであり、具体的には、図７に示すように、処理室２０１内への第３ガス（不活性ガス）の供給流量と処理室２０１内（処理室２０１に連通する排気管２２４内を含む）の圧力との関係を示す特性である。
このような排気特性は、例えば、排気部（排気ライン）を構成する排気管２２４の詰まり具合や、真空ポンプ２２３の稼働状況（性能劣化の有無）等の影響によって変化することがある。また、例えば、最初の基板処理工程を行う前、複数回の基板処理工程を行った後、基板処理が行われていないアイドリング状態の後等といった基板処理装置１００の稼働状況次第で変化することもある。
その一方で、排気特性については、基板処理工程において所望の膜特性を得るための基準となるリファレンス特性（リファレンスデータ）が存在する。
したがって、基板処理工程においてウエハ２００上に所望の膜特性の成膜を行うためには、排気特性がリファレンス特性から外れていない状態を維持するように、当該排気特性の調整を行うべきである。

このことから、本開示においては、圧力調整器２２７とは別に設けられた排気調整バルブ２２８を利用しつつ、所定のタイミングで排気特性調整工程を行うことで、排気特性がリファレンス特性から外れないように調整する。

排気特性調整工程を行う所定のタイミングとしては、例えば、基板処理装置１００の立ち上げ時、基板処理装置１００のメンテナンスの前または後、基板処理装置１００での合計の成膜時間（成膜工程の回数）が所定の時間（回数）を超えた時、所定のロット数のウエハ２００を処理した後、第１ガス供給部２４３のＭＦＣ２４３ｃの積算流量が所定流量を超えた後、等の少なくとも一つが挙げられる。好ましくは、基板処理装置１００での合計の成膜時間（成膜工程の回数）が所定の時間（回数）を超えたときに行う。このようなタイミングで行うことで、複数枚のウエハ２００を連続で処理している場合に、ウエハ２００毎の特性のばらつきを低減させることができる。

以下、排気特性調整工程の手順について具体的に説明する。なお、以下の説明において、各部の動作はコントローラ２６０により制御される。

（第１データ取得工程：Ｓ５０１）
排気特性調整工程に際しては、図８に示すように、先ず、排気特性についてのリファレンスデータ（基準データ）となる第１データの取得を行う。具体的には、コントローラ２６０の記憶装置２６０ｃに格納されている第１データをＲＡＭ２６０ｂに読み出す。
なお、第１データは、記憶装置２６０ｃから読み出す場合に限られることはなく、例えば、送受信部２８５を通じてホストコンピュータ等の上位装置５００から取得してもよいし、また基板処理システム１０００における他の基板処理装置１００から取得してもよい。ここで、他の基板処理装置１００とは、同様の基板処理工程（プロセスレシピ）が実行されている複数の基板処理装置１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄのうち、ウエハ２００に形成される膜特性が良いもの（すなわち、所望の膜特性が得られる装置）をいう。また、他の基板処理装置１００は、複数のクラスタ型基板処理装置２０００ａ，２０００ｂ，２０００ｃ，２０００ｄのいずれかのものであってもよい。
このようにして得られる第１データとしては、例えば、図７中に一点鎖線で示すようなものがある。

（第２データ取得工程：Ｓ５０２）
次いで、排気特性調整工程を行う基板処理装置１００において、排気特性についての実測データである第２データを取得する。具体的には、圧力調整器２２７のバルブ開度および排気調整バルブ２２８のバルブ開度をそれぞれ一定とするように所定値に設定した状態で、処理室２０１内に第３ガス供給部２４５より第３ガス（不活性ガス）を供給するとともに、その不活性ガスの流量を第１の流量（最小流量）から第２の流量（最大流量）まで変化させ、そのときの圧力値（圧力データ）を圧力センサ２２９で測定する。そして、圧力センサ２２９での測定結果に基づき、排気特性についての実測データである第２データを得る。
ここで、第１の流量は、例えば、第１ガス供給工程（Ｓ２０３）から第１パージ工程（Ｓ２０４）までで、第１ガスの供給を停止した後からパージガスが供給される前までの間に供給されている不活性ガス（キャリアガス）の流量と同じ流量である。また、第２ガス供給工程（Ｓ２０５）から第２パージ工程（Ｓ２０６）までで、第２ガスの供給を停止した後からパージガスが供給される前までの間に供給されている不活性ガス（キャリアガス）の流量と同じ流量であってもよい。
第２の流量は、例えば、第１パージ工程（Ｓ２０４）と第２パージ工程（Ｓ２０６）で供給される第３ガス（不活性ガス）の流量と同じ流量である。また、搬送圧力調整工程（Ｓ２０７）で処理室２０１内を所定の圧力に戻す際に供給される第３ガスの流量であってもよい。好ましくは、ウエハ２００に形成される膜の特性に影響を与えるパージ工程（特に、第１パージ工程）の流量が使用される。

このようにして得られる第２データとしては、例えば、図７中に実線で示すようなものがある。第２データ（実測データ）は、排気管２２４の詰まり等の影響により、その傾きが変化する。特に、流量の大きいところでの圧力の差異が顕著となるので、傾きが急になる傾向にある。ただし、第２データは、必ずしも第１データより傾きが急になるとは限らず、例えば、装置立ち上げ時に取得するものについては、図７中に破線で示すようになることもある。

（データ演算工程：Ｓ５０３）
第１データと第２データをそれぞれ取得したら、その後は、第２データを第１データと対比させて、その比較結果からそれぞれの間の差異を求めて差異データとする。具体的には、先ず、第１データおよび第２データのいずれも線形性を有していることから（図７参照）、第１データと第２データとのそれぞれについて、その傾き（すなわち、流量変化に対する圧力変化の割合）の値を示すデータ（傾きデータ）を演算により求める。なお、第１データについての傾きデータは、当該第１データを取得する際に演算させておいてもよい。そして、第１データと第２データとの傾きデータを求めたら、それぞれの傾きデータの間の差分値を算出し、その算出結果を差異データとする。

なお、差異データは、必ずしも傾きデータの差分値である必要はなく、他のものであってもよい。例えば、差異データは、第２の流量（最大流量）における第１データの圧力値と第２データの圧力値との間の差分値であってもよい。

（判定工程：Ｓ５０４）
第１データと第２データとの間の差異データを求めたら、その後は、その差異データが所定範囲内にあるか否かを判定する。具体的には、例えば、差異データが傾きデータの差分値であれば、その差異データとしての差分値が所定範囲内（例えば、±２．５［任意単位］以内）にあるか否かを判定する。また、例えば、差異データが最大流量における圧力値の差分値であれば、その差異データとしての差分値が所定範囲内（例えば、±１０［任意単位］以内）にあるか否かを判定する。

ここで、判定工程（Ｓ５０４）での処理について、具体例を挙げてさらに詳しく説明する。
例えば、図９に示すような第２データを取得した場合を考える。なお、図例は、第２データの取得を第２−１〜第２−４の４回行った場合を示しており、併せてリファレンスデータとなる第１データについても示している。
かかる第２データを取得した場合に、例えば、傾きデータの差分値を差異データとするのであれば、図１０に示すように、第２データについての傾き値（例えば、２８．３５，３３．５，３６．２５，３８．１［任意単位］）を求めた上で、これを第１データについての傾き値（例えば、３２．５［任意単位］）と対比し、それぞれの間の差異データが所定範囲内（例えば、±２．５［任意単位］以内）にあるか否かを判定する。
また、例えば、最大流量における圧力値の差分値を差異データとするのであれば、図１１に示すように、第２データについての圧力値（例えば、３５０，４１５，４５０，４７５［任意単位］）を求めた上で、これを第１データについての圧力値（例えば、４００［任意単位］）と対比し、それぞれの間の差異データが所定範囲内（例えば、±１０［任意単位］以内）にあるか否かを判定する。

この判定の結果、差異データが所定範囲内にない場合には（Ｓ５０４のＮ判定）、後述するバルブ開度変更工程（Ｓ５０８）を行うことになる。一方、差異データが所定範囲内にある場合には（Ｓ５０４のＹ判定）、その後に成膜工程（Ｓ３０１）を含む一連の基板処理工程（Ｓ２０１〜Ｓ２０８）を行い得る状態とする。

（アラーム工程：Ｓ５０４〜Ｓ５０７）
判定工程（Ｓ５０４）での判定の結果、差異データが所定範囲内にない場合には（Ｓ５０４のＮ判定）、その回数をカウントするカウンタのカウント数をインクリメントした上で（Ｓ５０５）、そのカウント数が予め設定された所定回数（例えば３回）内であるか否かを判定する（Ｓ５０６）。なお、カウント数は、後述するような各工程を繰り返すルーチンを抜け出したらリセットする。

そして、所定回数を超えていれば（Ｓ５０６のＮ判定）、排気部に異常が発生しているとして、基板処理装置１００において実行中の処理を中止するとともに、排気部のメンテナンスが必要な旨のメンテナンスデータを出力して、装置オペレータに対するアラーム報知を行う（Ｓ５０７）。これにより、後述するバルブ開度変更工程（Ｓ５０８）等が複数回繰り返し実行されることによる半導体装置の製造工程のスループット低下を抑制させることができる。なお、アラーム報知は、メンテナンスデータを入出力装置２６１に出力して、その入出力装置２６１にアラーム画面を表示させることで行ってもよいし、あるいは、メンテナンスデータを上位装置５００に対して出力することによって行ってもよい。

（バルブ開度変更工程：Ｓ５０８、Ｓ５０９）
差異データが所定範囲内にない場合に（Ｓ５０４のＮ判定）、そのカウント数が所定回数を超えていなければ（Ｓ５０６のＹ判定）、その後は、バルブ開度変更工程（Ｓ５０８）を行う。バルブ開度変更工程（Ｓ５０８）では、第２データが第１データに近づくように、排気調整バルブ２２８のバルブ開度を変更する。具体的には、第２データについての傾きデータが第１データについての傾きデータよりも大きい場合には、排気調整バルブ２２８のバルブ開度を大きくする。また、第２データについての傾きデータが第１データについての傾きデータよりも小さい場合には、排気調整バルブ２２８のバルブ開度を小さくする。このときのバルブ開度の変更量（調整量）は、差異データの大きさに応じたものであってもよいし、予め設定された定量的なものであってもよい。このように排気調整バルブ２２８のバルブ開度を調整することで、第２データが第１データに近づくようにする。

なお、排気調整バルブ２２８のバルブ開度を調整した後は、その調整後におけるバルブ開度のチェックを行うようにしてもよい（Ｓ５０９）。そして、バルブ開度のチェックの結果、例えば、調整後のバルブ開度が所定の開度（すなわち、許容し得る開度）を超えている場合には、排気部のメンテナンス時期が近づいている旨のメンテナンス時期データを出力して、これにより装置オペレータに対するアラーム報知を行うことが考えられる。このようにすれば、アラーム報知に応じてメンテナンスを行わせることが可能となり、ポンプ性能の低下や配管詰まり等の原因が生じた場合であっても、その原因をメンテナンスによって迅速かつ適切に排除し得るようになる。なお、アラーム報知は、上述したアラーム工程（Ｓ５０７）の場合と同様に行えばよい。

バルブ開度変更工程（Ｓ５０８）を実施し、また必要に応じてバルブ開度のチェック（Ｓ５０９）を行った後は、再度、第２データ取得工程（Ｓ５０２）から上述した一連の各工程を繰り返し行う（Ｓ５０２〜Ｓ５０９）。つまり、判定工程（Ｓ５０４）において差異データが所定範囲内に入るまで、上述した一連の各工程を繰り返す（Ｓ５０２〜Ｓ５０９）。これにより、基板処理装置１００の排気部に対しては、第２データが第１データに近づくようにバルブ開度が調整され、これにより、排気特性がリファレンス特性から外れないように、当該排気特性がフィードバック制御されることになる。

（頻度チェック工程：Ｓ５１０）
判定工程（Ｓ５０４）での判定の結果、差異データが所定範囲内にある場合には（Ｓ５０４のＹ判定）、成膜工程（Ｓ３０１）を含む一連の基板処理工程（Ｓ２０１〜Ｓ２０８）を行い得る状態になるが、その基板処理工程に開始に先立って、排気調整バルブ２２８のバルブ開度変更による排気特性の調整頻度を記録しておくようにしてもよい（Ｓ５１０）。具体的には、例えば、成膜工程（Ｓ３０１）の実施回数に対するバルブ開度変更工程（Ｓ５０８）の実施回数を、当該バルブ開度変更工程（Ｓ５０８）の実施頻度（すなわち、排気特性の調整頻度）として記録しておくことが考えられる。このように、排気特性の調整頻度を記録しておけば、その調整頻度をチェックすることで、例えば、その調整頻度が所定頻度を超えた場合に、排気部のメンテナンス時期が近づいている旨のメンテナンス時期データを出力することができる。したがって、メンテナンス時期データの出力により、装置オペレータに対するアラーム報知を行うことで、そのアラーム報知に応じたメンテナンスを行わせることが可能となり、ポンプ性能の低下や配管詰まり等の原因が生じた場合であっても、その原因をメンテナンスによって迅速かつ適切に排除し得るようになる。なお、アラーム報知は、上述したアラーム工程（Ｓ５０７）の場合と同様に行えばよい。

（少なくとも１回以上の成膜工程：Ｓ５１１）
その後は、差異データが所定範囲内にあり、排気特性がリファレンス特性から外れていないので、必要に応じて、少なくとも１回以上の成膜工程（Ｓ３０１）を含む一連の基板処理工程（Ｓ２０１〜Ｓ２０８）を行う。

そして、成膜工程（Ｓ３０１）を含む一連の基板処理工程（Ｓ２０１〜Ｓ２０８）を所定回数行い、例えば基板処理装置１００での合計の成膜時間（成膜工程の回数）が所定の時間（回数）を超えたら、再度、排気特性調整工程を行う。つまり、再び行う排気特性調整工程は、ウエハ２００を処理する工程を所定回数行った後に実行される。具体的には、例えば、あるウエハ２００に対する成膜工程（Ｓ３０１）等が終わり、そのウエハ２００を基板処理装置１００から搬出した後、次に処理するウエハ２００を基板処理装置１００に搬入する前までに、排気特性調整工程を行う。

このとき、既にリファレンスデータとなる第１データを取得していることから、排気特性調整工程は、第２データ取得工程（Ｓ５０２）から開始すればよい。ただし、処理効率を向上させ、半導体装置の製造スループット低下を抑制させる観点からは、以下に説明するように、第３データを取得して行うことも考えられる。

（第３データ取得工程：Ｓ５１２）
第３データは、第２データと同様に、排気特性についての実測データであり、圧力調整器２２７および排気調整バルブ２２８のバルブ開度を所定値に設定した状態で、第３ガス供給部２４５からの第３ガス（不活性ガス）の供給流量を変化させつつ、圧力センサ２２９で圧力値（圧力データ）を測定することで得られるものである。ただし、第３データは、第２データとは異なり、予め設定された特定ポイントのみで取得したものである。

特定ポイントとして、好ましくは、例えば、プロセスレシピで使用する不活性ガスの最大流量（第２の流量）となる１つのポイントが挙げられる。その場合、最大流量に対応する圧力値（すなわち、１ポイントに対応する圧力値のみ）を第３データとして測定することになる。
また、特定ポイントとして、さらに好ましくは、例えば、プロセスレシピで使用する不活性ガスの最小流量（第１の流量）および最大流量（第２の流量）の２つのポイントが挙げられる。その場合、最小流量に対応する圧力値および最大流量に対応する圧力値（すなわち、２ポイントに対応するそれぞれの圧力値のみ）を第３データとして測定することになる。このように、２ポイントの圧力値を測定すれば、傾きデータを演算により算出することができ、詳細なプロセスチェックが可能となる。
なお、プロセスレシピで使用する最大流量に対応する圧力は、例えば、第１パージ工程（Ｓ２０４）または第２パージ工程（Ｓ２０６）での圧力である。また、プロセスレシピで使用する最小流量に対応する圧力は、例えば、第１ガス供給工程（Ｓ２０３）から第１パージ工程（Ｓ２０４）までで、第１ガスの供給を停止した後からパージガスが供給される前までの間に不活性ガス（キャリアガス）を供給しているときの圧力である。

このように、第２データの代替となる第３データを、１ポイントのみ、または、２ポイントのみの測定結果から得るようにすれば、そのデータ取得のための測定時間の短縮化が可能となり、半導体装置の製造スループット低下を抑制することができる。また、測定時間の短縮化を図る場合であっても、例えば、２ポイントについて測定を行うようにすれば、傾きデータを算出することができ、プロセスチェックの質が低下してしまうこともない。

（データ演算工程：Ｓ５１３）
第３データをそれぞれ取得したら、その後は、第３データを第１データと対比させて、その比較結果からそれぞれの間の差異を求めて差異データとする。このときの処理は、第２データに関するデータ演算工程（Ｓ５０３）の場合と同様に行えばよい。

（判定工程：Ｓ５１４）
そして、第１データと第３データとの間の差異データを求めたら、その差異データが所定範囲内にあるか否かを判定する。このときの処理についても、第２データに関する判定工程（Ｓ５０４）の場合と同様に行えばよい。

この判定の結果、差異データが所定範囲内にある場合には（Ｓ５１４のＹ判定）、上述した工程（Ｓ５１１）に戻り、その後に成膜工程（Ｓ３０１）を含む一連の基板処理工程（Ｓ２０１〜Ｓ２０８）を行い得る状態とする。

（バルブ開度変更工程：Ｓ５１５）
一方、差異データが所定範囲内にない場合には（Ｓ５１４のＮ判定）、バルブ開度変更工程（Ｓ５１５）を行う。このときの処理は、上述したバルブ開度変更工程（Ｓ５０８）の場合と同様に行えばよい。そして、バルブ開度変更工程（Ｓ５１５）を行った後は、再度、第３データ取得工程（Ｓ５１２）から上述した一連の各工程を繰り返し行う（Ｓ５１２〜Ｓ５１５）。つまり、判定工程（Ｓ５１４）において差異データが所定範囲内に入るまで、上述した一連の各工程を繰り返す（Ｓ５１２〜Ｓ５１５）。

なお、バルブ開度変更工程（Ｓ５１５）を行う際にも、上述したバルブ開度変更工程（Ｓ５０８）の場合と同様に、回数カウント（Ｓ５０５）、これに基づくアラーム報知（Ｓ５０７）、バルブ開度のチェック（Ｓ５０９）等を行うようにしてもよい。

（５）本実施形態の効果
本実施形態によれば、以下に示す一つまたは複数の効果を奏する。

（ａ）本実施形態では、基板処理工程でのウエハ２００に対する処理に影響を与える排気特性について、リファレンスデータ（基準データ）となる第１データと実測データである第２データとの間の差異データが所定範囲内にあるか否かを判定し、所定範囲内にない場合には排気調整バルブ２２８のバルブ開度を変更する。つまり、処理室２０１内の雰囲気を排気する際の排気特性が、所望の処理特性が得られるリファレンス特性（リファレンスデータ）から外れてしまわないように、当該排気特性を調整する。したがって、基板処理装置１００における排気特性の変化を抑制することができ、その結果として、ウエハ２００毎の処理の均一性を向上させることができる。

（ｂ）本実施形態では、プロセスレシピに応じてバルブ開度を可変させる圧力調整器２２７とは別に、排気特性修正レシピに応じてバルブ開度を可変させる排気調整部としての排気調整バルブ２２８を設け、その排気調整バルブ２２８を利用して排気特性の調整を行う。したがって、例えば、複数の基板処理装置１００が存在する場合であっても、各基板処理装置１００で統一された基板処理工程のためのプロセスレシピではなく、当該基板処理工程とは別に行う排気特性調整工程のための排気特性修正レシピに応じて、排気調整バルブ２２８のバルブの開度を可変させることになるので、各基板処理装置１００の状況に応じて個別に行うべき排気特性を調整することができる。

（ｃ）本実施形態では、排気特性調整工程を所定のタイミングで行う。所定のタイミングとして、好ましくは、基板処理装置１００での合計の成膜時間（成膜工程の回数）が所定の時間（回数）を超えたときに、排気特性調整工程を行う。このようなタイミングで行うことで、複数枚のウエハ２００を連続で処理している場合に、ウエハ２００毎の特性のばらつきを低減させることができる。

（ｄ）本実施形態では、排気特性調整工程において、第１データと第２データとの間の差異データが所定範囲内に入るまで、第２データ取得工程（Ｓ５０２）からの一連の各工程を繰り返し行う（Ｓ５０２〜Ｓ５０９）。したがって、排気特性がリファレンス特性から外れないように、当該排気特性がフィードバック制御されることになり、ウエハ２００毎の処理の均一性の向上を確実なものとすることができる。

（ｅ）本実施形態では、排気特性調整工程において、第２データ等の各種データを取得する。このように、各種データを取得していれば、当該各データを記憶装置２６０ｃに蓄積することで、予防保全に繋げることができる。具体的には、例えば、第２データについての傾きデータを蓄積することで、その傾きデータの変化から真空ポンプ２２３の性能低下の状況を推認し、その結果からポンプ交換時期を把握する、といったことが実現可能となる。また、例えば、排気調整バルブ２２８のバルブ開度の調整データを蓄積することで、その調整データ（バルブ開度）から排気管２２４の閉塞状況を推認し、その結果から配管クリーニング時期を把握する、といったことが実現可能となる。

（ｅ）本実施形態では、排気特性調整工程において、必要に応じて、排気部のメンテナンスが必要な旨のメンテナンスデータ、または、排気部のメンテナンス時期が近づいている旨のメンテナンス時期データ、の少なくとも一方を出力して、装置オペレータに対するアラーム報知を行う。このようにすれば、排気調整バルブ２２８のバルブ開度の調整が必要以上に繰り返されるのを回避して、半導体装置の製造工程のスループット低下を抑制させることができる。また、アラーム報知に応じてメンテナンスを行わせることが可能となり、ポンプ性能の低下や配管詰まり等の原因が生じた場合であっても、その原因をメンテナンスによって迅速かつ適切に排除し得るようになる。

（ｆ）本実施形態で説明したように、排気特性調整工程において、第２データの代替となる第３データを取得すれば、そのデータ取得のための測定時間の短縮化が可能となり、半導体装置の製造スループット低下を抑制することができる。

＜他の実施形態＞
以上に、本開示の一実施形態を具体的に説明したが、本開示が上述の実施形態に限定されることはなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更が可能である。

上述した実施形態では、基板処理工程で行う処理として、ウエハ面上にＳｉＯ膜を形成するＣＶＤ処理等の成膜処理を例に挙げたが、本開示がこれに限定されることはない。すなわち、本開示は、上述した実施形態で例に挙げた成膜処理の他に、上述した実施形態で例示した薄膜以外の成膜処理にも適用できる。また、基板処理の具体的内容は不問であり、成膜処理だけでなく、熱処理（アニール処理）、プラズマ処理、拡散処理、酸化処理、窒化処理、リソグラフィ処理等の他の基板処理を行う場合にも適用できる。

＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。

［付記１］
本発明の一態様によれば、
処理室に不活性ガスを供給する工程と、
前記処理室内の雰囲気を排気部から排気する工程と、
前記処理室内または前記排気部のいずれかの圧力と前記不活性ガスの流量との関係についての基準データとなる第１データを取得する第１データ取得工程と、
基板を収容した状態の前記処理室内に処理ガスを供給して前記基板を処理する工程と、
前記排気部に設けられた排気調整部のバルブ開度を調整する排気特性調整工程と、を備えており、
前記排気特性調整工程は、
前記排気調整部のバルブ開度を所定値に設定した状態で、前記不活性ガスの流量を変化させつつ、前記処理室内または前記排気部のいずれかの圧力を測定して、当該圧力と前記不活性ガス流量との関係についての実測データである第２データを取得する第２データ取得工程と、
前記第２データを前記第１データと対比させてそれぞれの間の差異データを求め、前記差異データが所定範囲内にあるか否かを判定する工程と、
前記差異データが前記所定範囲内にない場合に、前記排気調整部のバルブ開度を変更する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。

［付記２］
好ましくは、
前記差異データが前記所定範囲内に入るまで、前記第２データ取得工程、前記判定する工程および前記変更する工程を繰り返す
付記１に記載の半導体装置の製造方法が提供される。

［付記３］
好ましくは、
前記差異データが前記所定範囲内に入らなかった回数が所定回数を超えると、前記排気部のメンテナンスが必要な旨のメンテナンスデータを出力する工程
を有する付記２に記載の半導体装置の製造方法が提供される。

［付記４］
好ましくは、
前記差異データが前記所定範囲内に入るように前記排気調整部のバルブ開度を変更した頻度が所定頻度を超えると、前記排気部のメンテナンス時期が近づいている旨のメンテナンス時期データを出力する工程
を有する付記２または３に記載の半導体装置の製造方法が提供される。

［付記５］
好ましくは、
前記排気特性調整工程は、前記基板を処理する工程を所定回数行った後に行われる
付記１から４のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法が提供される。

［付記６］
本発明の他の一態様によれば、
処理室に不活性ガスを供給する手順と、
前記処理室内の雰囲気を排気部から排気する手順と、
前記処理室内または前記排気部のいずれかの圧力と前記不活性ガスの流量との関係についての基準データとなる第１データを取得する第１データ取得手順と、
基板を収容した状態の前記処理室内に処理ガスを供給して前記基板を処理する手順と、
前記排気部に設けられた排気調整部のバルブ開度を調整する排気特性調整手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるとともに、
前記排気特性調整手順では、
前記排気調整部のバルブ開度を所定値に設定した状態で、前記不活性ガスの流量を変化させつつ、前記処理室内または前記排気部のいずれかの圧力を測定して、当該圧力と前記不活性ガス流量との関係についての実測データである第２データを取得する第２データ取得手順と、
前記第２データを前記第１データと対比させてそれぞれの間の差異データを求め、前記差異データが所定範囲内にあるか否かを判定する手順と、
前記差異データが前記所定範囲内にない場合に、前記排気調整部のバルブ開度を変更する手順と、
を前記コンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラムが提供される。

［付記７］
本発明のさらに他の一態様によれば、
処理室に不活性ガスを供給する手順と、
前記処理室内の雰囲気を排気部から排気する手順と、
前記処理室内または前記排気部のいずれかの圧力と前記不活性ガスの流量との関係についての基準データとなる第１データを取得する第１データ取得手順と、
基板を収容した状態の前記処理室内に処理ガスを供給して前記基板を処理する手順と、
前記排気部に設けられた排気調整部のバルブ開度を調整する排気特性調整手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるとともに、
前記排気特性調整手順では、
前記排気調整部のバルブ開度を所定値に設定した状態で、前記不活性ガスの流量を変化させつつ、前記処理室内または前記排気部のいずれかの圧力を測定して、当該圧力と前記不活性ガス流量との関係についての実測データである第２データを取得する第２データ取得手順と、
前記第２データを前記第１データと対比させてそれぞれの間の差異データを求め、前記差異データが所定範囲内にあるか否かを判定する手順と、
前記差異データが前記所定範囲内にない場合に、前記排気調整部のバルブ開度を変更する手順と、
を前記コンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。

［付記８］
本発明のさらに他の一態様によれば、
基板を収容する処理室と、
前記処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、
前記処理室内の雰囲気を排気するとともに、当該排気の際のバルブ開度を可変させる排気調整部を有した排気部と、
前記処理室内または前記排気部のいずれかの圧力を測定する圧力測定部と、
前記処理室内または前記排気部のいずれかの圧力と前記不活性ガスの流量との関係についての基準データとなる第１データを取得する第１データ取得部と、
前記排気部が有する前記排気調整部のバルブ開度を調整する排気特性調整部と、を備えており、
前記排気特性調整部は、
前記排気調整部のバルブ開度を所定値に設定した状態で、前記不活性ガス供給部が供給する不活性ガスの流量を変化させつつ、前記圧力測定部により前記処理室内または前記排気部のいずれかの圧力を測定して、当該圧力と前記不活性ガス流量との関係についての実測データである第２データを取得する第２データ取得部と、
前記第２データを前記第１データと対比させてそれぞれの間の差異データを求め、前記差異データが所定範囲内にあるか否かを判定し、前記差異データが前記所定範囲内にない場合に前記排気調整部のバルブ開度を変更する調整制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。

１００，１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ…基板処理装置、２００…ウエハ（基板）、２０１…処理空間（処理室）、２２８…排気調整バルブ（排気調整部）、２２９…圧力センサ（圧力測定部）、２４５…第３ガス供給部（パージガス供給部）、２６０…コントローラ、２６１…入出力装置、２７４…第２制御部、５００…上位装置、１０００…基板処理システム、２０００，２０００ａ，２０００ｂ，２０００ｃ，２０００ｄ…クラスタ型基板処理装置

Claims (12)

1. 処理室に不活性ガスを供給する工程と、
   前記処理室内の雰囲気を排気部から排気する工程と、
   前記処理室内または前記排気部のいずれかの圧力と前記不活性ガスの流量との関係についての基準データとなる第１データを取得する第１データ取得工程と、
   基板を収容した状態の前記処理室内に処理ガスを供給して前記基板を処理する工程と、
   前記排気部に設けられた排気調整部のバルブ開度を調整する排気特性調整工程と、を備えており、
   前記排気特性調整工程は、
   前記排気調整部のバルブ開度を所定値に設定した状態で、前記不活性ガスの流量を変化させつつ、前記処理室内または前記排気部のいずれかの圧力を測定して、当該圧力と前記不活性ガス流量との関係についての実測データである第２データを取得する第２データ取得工程と、
   前記第２データを前記第１データと対比させてそれぞれの間の差異データを求め、前記差異データが所定範囲内にあるか否かを判定する工程と、
   前記差異データが前記所定範囲内にない場合に、前記排気調整部のバルブ開度を変更する工程と、を有し、
   前記差異データが前記所定範囲内に入るまで、前記第２データ取得工程、前記判定する工程および前記変更する工程を繰り返し、
   前記差異データが前記所定範囲内に入らなかった回数が所定回数を超えると、前記排気部のメンテナンスが必要な旨のメンテナンスデータを出力する工程、
   を有する半導体装置の製造方法。
2. 処理室に不活性ガスを供給する工程と、
   前記処理室内の雰囲気を排気部から排気する工程と、
   前記処理室内または前記排気部のいずれかの圧力と前記不活性ガスの流量との関係についての基準データとなる第１データを取得する第１データ取得工程と、
   基板を収容した状態の前記処理室内に処理ガスを供給して前記基板を処理する工程と、
   前記排気部に設けられた排気調整部のバルブ開度を調整する排気特性調整工程と、を備えており、
   前記排気特性調整工程は、
   前記排気調整部のバルブ開度を所定値に設定した状態で、前記不活性ガスの流量を変化させつつ、前記処理室内または前記排気部のいずれかの圧力を測定して、当該圧力と前記不活性ガス流量との関係についての実測データである第２データを取得する第２データ取得工程と、
   前記第２データを前記第１データと対比させてそれぞれの間の差異データを求め、前記差異データが所定範囲内にあるか否かを判定する工程と、
   前記差異データが前記所定範囲内にない場合に、前記排気調整部のバルブ開度を変更する工程と、を有し、
   前記差異データが前記所定範囲内に入るまで、前記第２データ取得工程、前記判定する工程および前記変更する工程を繰り返し、
   前記差異データが前記所定範囲内に入るように前記排気調整部のバルブ開度を変更した頻度が所定頻度を超えると、前記排気部のメンテナンス時期が近づいている旨のメンテナンス時期データを出力する工程、
   を有する半導体装置の製造方法。
3. 前記排気特性調整工程は、前記基板を処理する工程を所定回数行った後に行われる
   請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記判定する工程では、
   前記第２データに対応する勾配データと、前記第１データに対応する勾配データとを対比させて前記差異データが所定範囲内にあるか否かを判定し、
   前記排気調整部のバルブ開度を変更する工程では、
   前記第２データに対応する勾配データを前記第１データに対応する勾配データに近づけるよう前記バルブ開度を変更する
   請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
5. 処理室に不活性ガスを供給する手順と、
   前記処理室内の雰囲気を排気部から排気する手順と、
   前記処理室内または前記排気部のいずれかの圧力と前記不活性ガスの流量との関係についての基準データとなる第１データを取得する第１データ取得手順と、
   基板を収容した状態の前記処理室内に処理ガスを供給して前記基板を処理する手順と、
   前記排気部に設けられた排気調整部のバルブ開度を調整する排気特性調整手順と、
   をコンピュータによって基板処理装置に実行させるとともに、
   前記排気特性調整手順では、
   前記排気調整部のバルブ開度を所定値に設定した状態で、前記不活性ガスの流量を変化させつつ、前記処理室内または前記排気部のいずれかの圧力を測定して、当該圧力と前記不活性ガス流量との関係についての実測データである第２データを取得する第２データ取得手順と、
   前記第２データを前記第１データと対比させてそれぞれの間の差異データを求め、前記差異データが所定範囲内にあるか否かを判定する手順と、
   前記差異データが前記所定範囲内にない場合に、前記排気調整部のバルブ開度を変更する手順と、
   前記差異データが前記所定範囲内に入るまで、前記第２データ取得手順、前記判定する手順および前記変更する手順を繰り返させる手順と、
   前記差異データが前記所定範囲内に入らなかった回数が所定回数を超えると、前記排気部のメンテナンスが必要な旨のメンテナンスデータを出力させる手順と、
   を前記コンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。
6. 処理室に不活性ガスを供給する手順と、
   前記処理室内の雰囲気を排気部から排気する手順と、
   前記処理室内または前記排気部のいずれかの圧力と前記不活性ガスの流量との関係についての基準データとなる第１データを取得する第１データ取得手順と、
   基板を収容した状態の前記処理室内に処理ガスを供給して前記基板を処理する手順と、
   前記排気部に設けられた排気調整部のバルブ開度を調整する排気特性調整手順と、
   をコンピュータによって基板処理装置に実行させるとともに、
   前記排気特性調整手順では、
   前記排気調整部のバルブ開度を所定値に設定した状態で、前記不活性ガスの流量を変化させつつ、前記処理室内または前記排気部のいずれかの圧力を測定して、当該圧力と前記不活性ガス流量との関係についての実測データである第２データを取得する第２データ取得手順と、
   前記第２データを前記第１データと対比させてそれぞれの間の差異データを求め、前記差異データが所定範囲内にあるか否かを判定する手順と、
   前記差異データが前記所定範囲内にない場合に、前記排気調整部のバルブ開度を変更する手順と、
   前記差異データが前記所定範囲内に入るまで、前記第２データ取得手順、前記判定する手順および前記変更する手順を繰り返させる手順と、
   前記差異データが前記所定範囲内に入るように前記排気調整部のバルブ開度を変更した頻度が所定頻度を超えると、前記排気部のメンテナンス時期が近づいている旨のメンテナンス時期データを出力させる手順と、
   を前記コンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。
7. 前記排気特性調整手順は、前記基板を処理する手順を所定回数行った後に行われる
   請求項５または６に記載のプログラム。
8. 前記判定する手順では、
   前記第２データに対応する勾配データと、前記第１データに対応する勾配データとを対比させて前記差異データが所定範囲内にあるか否かを判定し、
   前記排気調整部のバルブ開度を変更する手順では、
   前記第２データに対応する勾配データを前記第１データに対応する勾配データに近づけるよう前記バルブ開度を変更する
   請求項５乃至７のいずれか一項に記載のプログラム。
9. 処理室に不活性ガスを供給する手順と、
   前記処理室内の雰囲気を排気部から排気する手順と、
   前記処理室内または前記排気部のいずれかの圧力と前記不活性ガスの流量との関係についての基準データとなる第１データを取得する第１データ取得手順と、
   基板を収容した状態の前記処理室内に処理ガスを供給して前記基板を処理する手順と、
   前記排気部に設けられた排気調整部のバルブ開度を調整する排気特性調整手順と、
   をコンピュータによって基板処理装置に実行させるとともに、
   前記排気特性調整手順では、
   前記排気調整部のバルブ開度を所定値に設定した状態で、前記不活性ガスの流量を変化させつつ、前記処理室内または前記排気部のいずれかの圧力を測定して、当該圧力と前記不活性ガス流量との関係についての実測データである第２データを取得する第２データ取得手順と、
   前記第２データを前記第１データと対比させてそれぞれの間の差異データを求め、前記差異データが所定範囲内にあるか否かを判定する手順と、
   前記差異データが前記所定範囲内にない場合に、前記排気調整部のバルブ開度を変更する手順と、
   前記差異データが前記所定範囲内に入るまで、前記第２データ取得手順、前記判定する手順および前記変更する手順を繰り返させる手順と、
   前記差異データが前記所定範囲内に入らなかった回数が所定回数を超えると、前記排気部のメンテナンスが必要な旨のメンテナンスデータを出力させる手順と、
   を前記コンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
10. 処理室に不活性ガスを供給する手順と、
    前記処理室内の雰囲気を排気部から排気する手順と、
    前記処理室内または前記排気部のいずれかの圧力と前記不活性ガスの流量との関係についての基準データとなる第１データを取得する第１データ取得手順と、
    基板を収容した状態の前記処理室内に処理ガスを供給して前記基板を処理する手順と、
    前記排気部に設けられた排気調整部のバルブ開度を調整する排気特性調整手順と、
    をコンピュータによって基板処理装置に実行させるとともに、
    前記排気特性調整手順では、
    前記排気調整部のバルブ開度を所定値に設定した状態で、前記不活性ガスの流量を変化させつつ、前記処理室内または前記排気部のいずれかの圧力を測定して、当該圧力と前記不活性ガス流量との関係についての実測データである第２データを取得する第２データ取得手順と、
    前記第２データを前記第１データと対比させてそれぞれの間の差異データを求め、前記差異データが所定範囲内にあるか否かを判定する手順と、
    前記差異データが前記所定範囲内にない場合に、前記排気調整部のバルブ開度を変更する手順と、
    前記差異データが前記所定範囲内に入るまで、前記第２データ取得手順、前記判定する手順および前記変更する手順を繰り返させる手順と、
    前記差異データが前記所定範囲内に入るように前記排気調整部のバルブ開度を変更した頻度が所定頻度を超えると、前記排気部のメンテナンス時期が近づいている旨のメンテナンス時期データを出力させる手順と、
    を前記コンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
11. 基板を収容する処理室と、
    前記処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
    前記処理室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、
    前記処理室内の雰囲気を排気するとともに、当該排気の際のバルブ開度を可変させる排気調整部を有した排気部と、
    前記処理室内または前記排気部のいずれかの圧力を測定する圧力測定部と、
    前記処理室内または前記排気部のいずれかの圧力と前記不活性ガスの流量との関係についての基準データとなる第１データを取得する第１データ取得部と、
    前記排気部が有する前記排気調整部のバルブ開度を調整する排気特性調整部と、を備えており、
    前記排気特性調整部は、
    前記排気調整部のバルブ開度を所定値に設定した状態で、前記不活性ガス供給部が供給する不活性ガスの流量を変化させつつ、前記圧力測定部により前記処理室内または前記排気部のいずれかの圧力を測定して、当該圧力と前記不活性ガス流量との関係についての実測データである第２データを取得する第２データ取得部と、
    前記第２データを前記第１データと対比させてそれぞれの間の差異データを求め、前記差異データが所定範囲内にあるか否かを判定し、前記差異データが前記所定範囲内にない場合に前記排気調整部のバルブ開度を変更する調整制御部と、
    を有し、
    前記排気特性調整部は、前記差異データが前記所定範囲内に入るまで、前記第２データの取得、前記判定および前記バルブ開度の変更を繰り返すように前記第２データ取得部と前記調整制御部とを制御するよう構成され、
    前記排気特性調整部は、前記差異データが前記所定範囲内に入らなかった回数が所定回数を超えると、前記排気部のメンテナンスが必要な旨のメンテナンスデータを出力するように構成される
    基板処理装置。
12. 基板を収容する処理室と、
    前記処理室に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
    前記処理室に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、
    前記処理室内の雰囲気を排気するとともに、当該排気の際のバルブ開度を可変させる排気調整部を有した排気部と、
    前記処理室内または前記排気部のいずれかの圧力を測定する圧力測定部と、
    前記処理室内または前記排気部のいずれかの圧力と前記不活性ガスの流量との関係についての基準データとなる第１データを取得する第１データ取得部と、
    前記排気部が有する前記排気調整部のバルブ開度を調整する排気特性調整部と、を備えており、
    前記排気特性調整部は、
    前記排気調整部のバルブ開度を所定値に設定した状態で、前記不活性ガス供給部が供給する不活性ガスの流量を変化させつつ、前記圧力測定部により前記処理室内または前記排気部のいずれかの圧力を測定して、当該圧力と前記不活性ガス流量との関係についての実測データである第２データを取得する第２データ取得部と、
    前記第２データを前記第１データと対比させてそれぞれの間の差異データを求め、前記差異データが所定範囲内にあるか否かを判定し、前記差異データが前記所定範囲内にない場合に前記排気調整部のバルブ開度を変更する調整制御部と、
    を有し、
    前記排気特性調整部は、前記差異データが前記所定範囲内に入るまで、前記第２データの取得、前記判定および前記バルブ開度の変更を繰り返すように前記第２データ取得部と前記調整制御部とを制御するよう構成され、
    前記排気特性調整部は、前記差異データが前記所定範囲内に入るように前記排気調整部のバルブ開度を変更した頻度が所定頻度を超えると、前記排気部のメンテナンス時期が近づいている旨のメンテナンス時期データを出力するよう構成される
    基板処理装置。