JP6584099B2 - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は表示装置およびその製造方法に関する。本発明が開示する一実施形態は、表示装置の画素構造およびその製造方法に関する。

有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと呼ぶ。）表示装置は、各画素に発光素子が設けられ、個別に発光を制御することで画像を表示する。発光素子は、一方を下部電極、他方を上部電極として区別される一対の電極間に有機ＥＬ材料を含む層（以下、「発光層」ともいう）を挟んだ構造を有している。有機ＥＬ表示装置は、一方の電極が画素ごとに個別画素電極（単に、画素電極ともいう）として設けられ、他方の電極は複数の画素に跨がって共通の電位が印加される共通画素電極（共通電極ともいう）として設けられている。有機ＥＬ表示装置は、この共通画素電極の電位に対し、個別画素電極の電位を画素ごとに印加することで、画素の発光を制御している。

有機ＥＬ表示装置において、発光輝度を向上させるには画素の面積を大きくすることが考えられる。しかし一つの画素の面積は、画面サイズと画素数とでおのずと規定されてしまう。これに対し、画素の実効的な面積を増大させるために、画素電極の下面に設けられる絶縁膜の表面を凹凸化した有機ＥＬ表示装置が開示されている（特許文献１参照）。

特開２００３−２５７６６２号公報

従来は、画素電極の下面に設けられる絶縁膜の表面部に凹凸部を設けることで、実効的な発光面積を増大させるという試みがなされてきた。しかし、このような従来技術では、結局素子の表面部にしか凹凸を設けることができなかった。この構造では、横方向に射出する光があるために混色の問題が残り、また、取出効率も十分に高いとは言えなかった。さらに、発光領域中の金属が外光反射をするため、表示性能の低下の問題もあった。

有機ＥＬ表示装置のような自発光型の表示装置に求められる課題として、横方向へ出射される発光が無効成分になっており光の取出効率の向上を妨げていること、および、白色有機ＥＬ素子にカラーフィルタを用いる方式では、横方向へ出射される発光が光学的混色の一因となっていること、がある。

ここでいう光学的混色とは、屈折率が比較的大きな透明発光層中でほぼ等方的に発光した光の一部は発光層の界面で全反射してしまい発光層から外部に出ることができず、発光素子を出射した光の一部が発光層を伝播して横方向に伝わることで、他の画素のカラーフィルタを透過し、結果として意図しない発色を発生させる現象をいう。

例えば有機ＥＬ表示装置においては、屈折率が比較的大きな透明発光層中でほぼ等方的に発光した光の一部は発光層の界面で全反射してしまい発光層から外部に出ることができないことが、光の取出し効率の向上を妨げる要因となっている。

本発明はこのような問題に鑑み、表示装置の光取出効率の向上を図ることを目的の一つとする。また、本発明は、表示装置の光学的混色の低減を図ることを目的の一つとする。また、本発明は、外光反射の低減を図ることを目的の一つとする。また、本発明は、長寿命の素子の作成を目的の一つとする。

本発明の一実施形態に係る表示装置は、基板と、基板上に形成されたトランジスタと、基板および前記トランジスタ上に形成された第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上に形成された個別画素電極と、個別画素電極上に形成された発光層と、発光層上に形成された共通画素電極と、第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜を貫通し、前記トランジスタのソース又はドレインと個別画素電極とを接続するコンタクトホールと、を有し、第２の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜に達する１以上の凹部を有し、個別画素電極は、第２の絶縁膜の上面及び凹部に沿って設けられている。

本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す斜視図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す平面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す平面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を示す断面図である。

以下、本発明の実施の形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

本明細書において、ある部材又は領域が、他の部材又は領域の「上に（又は下に）」あるとする場合、特段の限定がない限り、これは他の部材又は領域の直上（又は直下）にある場合のみでなく、他の部材又は領域の上方（又は下方）にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方（又は下方）において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。

本実施形態に係る表示装置１００の構成を、図１を参照して説明する。表示装置１００は、基板１０２に表示領域１０６が設けられている。表示領域１０６は複数の画素１０８が配列することによって構成されている。表示領域１０６の上面には封止材としての第２基板１０４が設けられている。第２基板１０４は表示領域１０６を囲む第３の封止領域１１０によって、基板１０２に固定されている。基板１０２に形成された表示領域１０６は、封止材である第２基板１０４とシール材１１０によって大気に晒されないように封止されている。このような封止構造により画素１０８に設けられる発光素子の劣化を抑制している。

基板１０２は、一端部に端子領域１１４が設けられている。端子領域１１４は第２基板１０４の外側に配置されている。端子領域１１４は、複数の接続端子１１６によって構成されている。接続端子１１６は、映像信号を出力する機器や電源などと表示パネルを接続する配線基板との接点を形成する。接続端子１１６におけるこの接点は、外部に露出している。基板１０２には端子領域１１４から入力された映像信号を表示領域１０６に出力するドライバ回路１１２が設けられていてもよい。

図２乃至図４を参照し、本実施形態に係る表示装置１００の構成について説明する。図２は、本実施形態に係る表示装置１００の構成を示す平面図である。

図２に示すように、基板１０２上に表示画面を形成する表示領域１０６には複数の画素１０８が行列状に配列されている。周辺部には、他の要素として表示領域１０６に信号を入力する垂直走査回路、水平回路等が付加されていてもよい。

図３は画素の平面図である。選択トランジスタ１１７は、走査線駆動回路から信号が与えられる走査線１１５によってスイッチングが制御され、所定のタイミングでデータ線１１１から映像信号を読み取り、駆動トランジスタ１１８のゲートに映像信号に応じた電圧を与える。

選択トランジスタ１１７によって与えられる、駆動トランジスタ１１８のゲート電圧は、容量部１０９によって保持される。駆動トランジスタ１１８はドレインが電源線１１３と接続され、ソース側が画素電極１２４と接続されている。有機エレクトロルミネセンス素子は、駆動トランジスタ１１８のゲート電位によって制御される電流（ドレイン電流）によって発光期間ないし発光強度が制御される。

なお、図３には、本実施形態における凹部１３３も図示されているが、詳細は後述する。

図４は、本実施形態に係る表示装置１００の表示領域１０６について、表示装置１００のＡ−Ｂ線に沿った断面構造である。

図４に示すように、表示領域１０６の複数の画素１０８の各々は、トランジスタ１１８及び発光素子１２０を有する。発光素子１２０は、例えば有機発光素子の場合、個別画素電極１２４（単に、画素電極ともいう）と、これに対向して配置される共通画素電極（上部電極、共通電極）１２６とで有機ＥＬ材料を含む発光層１２８を挟んだ構造を有している。個別画素電極１２４は画素ごとに独立しており、それぞれトランジスタ１１８と接続される。

個別画素電極１２４は、発光層１２８で発生した光を共通画素電極１２６側に反射させるため、反射率の高い金属膜で形成されていることが好ましい。あるいは、個別画素電極１２４を金属膜１２３（たとえばＡｇ膜）と透明導電膜（下部電極）１２５との積層構造とし、光反射面が含まれる構造としてもよい。以下に示す実施例及び図面では、個別画素電極１２４は、金属膜１２３と、透明導電膜１２５から構成されている例を示すが、これに限定されるものではない。

隣接する２つの画素１０８の間には、バンク１３０が設けられている。バンク１３０は、その端部が個別画素電極１２４の周縁部を覆うように設けられている。

バンク１３０は、個別画素電極１２４の端部で発光層１２８が十分に被覆されず、共通画素電極１２６と短絡するのを防ぎ、隣接する画素１０８間を絶縁するものであるので、絶縁材料で形成されることが好ましい。例えば、バンク１３０を形成するには、ポリイミドやアクリル等の有機材料、若しくは酸化ケイ素等の無機材料を用いることが好ましい。

発光層１２８は複数の画素１０８に共通して設けられ、個別画素電極１２４及び画素１０８間のバンク１３０を覆うように設けられる。

発光層１２８が、例えば発光層を含む場合、低分子系又は高分子系の有機材料を用いて形成される。低分子系の有機材料を用いる場合、発光層１２８は発光性の有機材料を含む発光層１２８に加え、当該発光層１２８を挟むように正孔注入層や電子注入層、更に正孔輸送層や電子輸送層等を含んで構成される。本実施形態においては、発光層１２８は、白色発光を呈するものを用い、カラーフィルタ１２２によってカラー表示を実現している。

共通画素電極１２６は、発光層１２８で発光した光を透過させるため、透光性を有しかつ導電性を有するＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等の透明導電膜で形成されていることが好ましい。または、共通画素電極１２６として、出射光が透過できる程度の膜厚で金属層を形成しても良い。

トランジスタ１１８上には、トランジスタ１１８を覆うように第１の絶縁膜１３２が形成されている。第１の絶縁膜１３２は平坦化膜、或いは層間絶縁膜と呼ばれることもある。第１の絶縁膜１３２は、例えば感光性アクリル等の有機材料で形成される。第１の絶縁膜１３２上には第２の絶縁膜１３１が形成されている。第２の絶縁膜１３１には、複数の凹部１３３が形成されている。凹部１３３は、一定の曲率を有していてもよい。第２の絶縁膜の材料としては有機材料を使用することができる。特にポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、シロキサン樹脂が好適である。

第２の絶縁膜１３１の上には、反射膜１２３が形成され、反射膜１２３も凹部を有している。

第２の絶縁膜１３１には、第２の絶縁膜１３１を貫通し、トランジスタ１１８と反射膜１２３とのコンタクトホールが設けられている。本実施形態において、トランジスタ１１８の形態に限定はない。トランジスタ１１８は、半導体膜にチャネルが形成される薄膜トランジスタであってもよい。

凹部１３３について、図面では、第２の絶縁膜１３１を貫通する凹部としている。たとえば、第２の絶縁膜１３１の厚みが、１μｍ以上１０μｍ以下という程度であれば、この第２の絶縁膜１３１を貫通する凹凸の深さも、１μｍ以上１０μｍ以下と程度の大きさということになる。もっとも、必ずしも第２の絶縁膜１３１を貫通する必要まではない。

さらに、１つの画素に対して、３つの凹凸を形成しているが、これに限られるものではなく、凹凸は１又は複数個形成してもよい。

共通画素電極１２６上には保護膜１３６が形成されている。保護膜１３６としては、窒化ケイ素（ＳｉｘＮｙ）、酸化窒化ケイ素（ＳｉｘＮｙＯｚ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）等の無機材料を用いることが好ましい。

保護膜１３６上には、更に他の保護膜を設けてもよい（図示省略）。換言すれば、保護膜１３６を複数の膜からなる構造にしてもよい。上述の他の保護膜は、水分の浸入を遮断できる絶縁膜が好ましい。絶縁膜として無機絶縁膜又は有機絶縁膜を用いることができる。

例えば上述の他の保護膜は、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化系ケイ素（ＳｉｘＮｙ）、酸化窒化ケイ素（ＳｉｘＯｙＮｚ）、窒化酸化ケイ素（ＳｉｘＮｙＯｚ）、酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）、窒化アルミニウム（ＡｌｘＮｙ）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌｘＯｙＮｚ）、窒化酸化アルミニウム（ＡｌｘＮｙＯｚ）等の無機絶縁膜を使用することができる（ｘ、ｙは任意）。また、これらの膜を積層した構造を使用してもよい。成膜方法としてはプラズマＣＶＤ法やスパッタリング法を用いることができる。

また、上述の他の保護膜は、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、シロキサン樹脂等の有機絶縁膜を使用することができる。また、これらの材料を積層した構造を使用してもよい。成膜方法としては蒸着法や蒸着重合法を用いることができる。

上述の他の保護膜、或いは複数の膜からなる保護膜１３６は、上記の無機絶縁膜及び有機絶縁膜を組み合わせて積層した構造を使用してもよい。

なお、基板１０２には、シール材によって基板１０２との間隔を保持された透明な第２の基板を被せる構造となる（図示省略）。第２の基板と、シール材及び保護膜１３６によって囲まれた空間には、透明な充填材を充填する（図示省略）。

本実施形態は、トランジスタと発光素子との間に、第１の絶縁膜１３２と、第２の絶縁膜１３１を設けることで、第２の絶縁膜を貫通するような大きな凹凸１３３を作ることが可能となっている。

本実施形態は、トランジスタと発光素子とを、コンタクト部を除き、第１の絶縁膜１３２で絶縁しつつ、画素内において第２の絶縁層１３１によって段差の大きな凹凸１３３を作っていることによって、個別画素電極１２４（反射膜１２３）を、凹凸１３３に沿って設けることができ、光散乱が増えて光取出効率が向上する。

また、コンタクトホール部と第２の絶縁膜１３１を同時に凸凹にするため、第２の絶縁膜の凸凹の高低差を、コンタクトホール部の深さと同様に大きくすることができ、光散乱が増えて光取出し効率が向上し、外光反射成分が減少することが可能になる。

さらに、凹部１３３で発光した光成分は横方向（本断面図の左右方向）へ出射されなくなるため、白色有機発光素子にカラーフィルタを組み合わせる方式においては、光学的混色を低減することが可能になる。

＜実施例１の製造方法＞
図５乃至図１１を参照し、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法について説明する。

図５は、第１の絶縁膜１３２の形成までを行った段階の断面図である。この段階においては、画素回路を形成するのに必要なトランジスタ１１８等の素子を形成する工程を含んでいる。

まず、基板１０２上に画素回路を形成する。このとき、必要に応じて走査線駆動回路や映像信号線駆動回路、入力端子部なども形成する。画素回路を構成するトランジスタやキャパシタなどの各素子は、半導体、絶縁体、金属による薄膜の積層とフォトリソグラフィ法によるパターニングを繰り返して作製される。

次いで、基板１０２上に、第１の絶縁膜１３２を形成する。第１の絶縁膜１３２をフォトリソグラフィ法などによりエッチングし、第１の絶縁膜を貫通するコンタクトホール１１９を形成する（図５）。

次に、第２の絶縁膜１３１を形成する（図６）。第２の絶縁膜は、コンタクトホールをいったん埋めてしまう図となっているが、これを埋めないような手法によってもよい。

第２の絶縁膜１３１をフォトリソグラフィ法などによりエッチングし、第２の絶縁膜１３１と第１の絶縁膜１３２とを貫通するコンタクトホール１１９と、第２の絶縁膜１３１を貫通する凹部１３３を同時に形成する（図７）。もしくは第２の絶縁膜１３１に感光性の材料を用いて、フォトリソグラフィ法により、第２の絶縁膜１３１を貫通する凹部１３３を同時に形成する（図７）。

第１の絶縁膜１３２と、第２の絶縁膜１３１はエッチングのされやすさが異なり、第１の絶縁膜１３２がエッチングされにくい材料を用いると、さらに好ましい。このように形成することで、凹部１３３の深さを制御しつつ、コンタクトホールを同時に形成することが可能となるためである。また、第２の絶縁膜１３１に感光性の材料を用いることによっても、凹部１３３の深さを制御しつつ、コンタクトホールを同時に形成することが可能となる。

第１の絶縁膜１３２および第２の絶縁膜１３１上に、コンタクトホール１１９と接するように反射膜１２３と透光性導電膜１２５からなる個別画素電極１２４を形成する。このとき、反射膜１２５も凹状の形状を有するよう形成する（図８）。

個別画素電極１２４はフォトリソグラフィ工程により形成される。個別画素電極１２４は、発光層１２８で発生した光を共通画素電極１２６側に反射させるため、反射率の高い金属膜で形成されていることが好ましい。或いは、本実施形態のように、個別画素電極１２４を金属膜１２５と透明導電膜１２３との積層構造とし、光反射面が含まれる構造としてもよい。

隣接する２つの画素１０８の間を区画し、その端部が個別画素電極１２４の周縁部を覆うようにバンク１３０を形成する（図９）。バンク１３０は絶縁材料で形成される。絶縁材料として有機材料又は無機材料を用いることができる。有機材料としては、ポリイミドやアクリル等で形成することが好ましく、無機材料としては、酸化シリコーン等を用いて形成することができる。

この上に発光層１２８を形成する（図１０）。本実施形態では、発光層１２８のみを形成する例を示しているが、有機ＥＬ素子の場合は電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層といった機能層を同じ蒸着用マスクを用いた蒸着法により形成してもよい。

発光層上に上部電極である共通画素電極１２６を形成する（図１１）。共通画素電極１２６は、発光層１２８で発光した光を透過させるため、透光性を有しかつ導電性を有するＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等の透明導電膜で形成されていることが好ましい。本実施形態では、共通画素電極１２６としてＩＴＯを用いる。共通画素電極１２６上に保護膜１３６を形成して、図４の完成図に至る。

本実施形態は、トランジスタと発光素子との間に、第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜を設けることで、第２の絶縁膜を貫通するような大きな凹凸を作ることが可能となっている。

＜実施例２＞
図１２に示すように、個別画素電極１２４において、透光性導電膜１２５を平坦とするために、反射膜１２３と透光性導電膜１２５との間に、凹部充填膜１３４を形成してもよい。凹部充填膜１３４は、例えば有機絶縁膜で形成される。

第１の絶縁膜１３２、共通電極及び保護膜等については実施例１で述べたのと同じである。

＜実施例２の製造方法＞
図１３乃至図１７、および図１２を参照し、本実施形態に係る表示装置１００の製造方法について説明する。

図１３は、凹部を形成したのちに形成された反射膜１２３と凹部充填膜１３４の形成までを行った段階の断面図である。なお、凹部１３３の形成までは実施例１と同じである。

まず、基板１０２上に画素回路を形成する。このとき、必要に応じて走査線駆動回路や映像信号線駆動回路、入力端子部なども形成する。画素回路を構成するトランジスタやキャパシタなどの各素子は、半導体、絶縁体、金属による薄膜の積層とフォトリソグラフィ法によるパターニングを繰り返して作製される。

次いで、基板１０２上に、第１の絶縁膜１３２を形成する。第１の絶縁膜１３２をフォトリソグラフィ法などによりエッチングし、第１の絶縁膜１３２を貫通するコンタクトホール１１９を形成する。

次に、第２の絶縁膜１３１を形成する。第２の絶縁膜１３１は、コンタクトホールをいったん埋めてしまう図となっているが、これを埋めないような手法によってもよい。

第２の絶縁膜１３１をフォトリソグラフィ法などによりエッチングし、第２の絶縁膜１３１と第１の絶縁膜１３２とを貫通するコンタクトホール１１９と、第２の絶縁膜１３１を貫通する凹部１３３を同時に形成する。もしくは第２の絶縁膜１３１に感光性の材料を用いて、フォトリソグラフィ法により、第２の絶縁膜１３１を貫通する凹部１３３を同時に形成する。

第１の絶縁膜１３２と、第２の絶縁膜１３１はエッチングのされやすさが異なり、第１の絶縁膜１３２がエッチングされにくい材料を用いると、さらに好ましい。このように形成することで、凹部１３３の深さを制御しつつ、コンタクトホールを同時に形成することが可能となるためである。また、第２の絶縁膜１３１に感光性の材料を用いることによっても、凹部１３３の深さを制御しつつ、コンタクトホールを同時に形成することが可能となる。

第１の絶縁膜１３２および第２の絶縁膜１３１上に、コンタクトホール１１９と接するように反射膜１２３を形成する（図１３）。

反射膜上に、凹部充填膜１３４を充填する。このとき、エッチングによって凹部充填膜１３４を平坦化する工程を含んでもよい。

凹部充填膜１３４によって平坦化されたところに、透光性導電膜１２５を形成する（図１４）。

隣接する２つの画素１０８の間を区画し、その端部が個別画素電極１２４の周縁部を覆うようにバンク１３０を形成する（図１５）。バンク１３０は絶縁材料で形成される。絶縁材料として有機材料又は無機材料を用いることができる。有機材料としては、ポリイミドやアクリル等で形成することが好ましく、無機材料としては、酸化シリコーン等を用いて形成することができる。

この上に発光層１２８を形成する（図１６）。本実施形態では、発光層１２８のみを形成する例を示しているが、有機ＥＬ素子の場合は電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層といった機能層を同じ蒸着用マスクを用いた蒸着法により形成してもよい。

発光層上に上部電極である共通画素電極１２６を形成する（図１７）。共通画素電極１２６は、発光層１２８で発光した光を透過させるため、透光性を有しかつ導電性を有するＩＴＯ（酸化スズ添加酸化インジウム）やＩＺＯ（酸化インジウム・酸化亜鉛）等の透明導電膜で形成されていることが好ましい。本実施形態では、共通画素電極１２６としてＩＴＯを用いる。共通画素電極１２６上に保護膜１３６を形成して、図１２の完成図に至る。尚、実施例１と同様に、保護膜１３６を複数の膜からなる構造にしてもよい。

本実施形態では、発光層１２８のみを形成する例を示しているが、有機ＥＬ素子の場合は電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層といった機能層を同じ蒸着用マスクを用いた蒸着法により形成してもよい。

本実施形態は、トランジスタと発光素子との間に、第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜を設けることで、第２の絶縁膜を貫通するような大きな凹凸を作ることが可能となっている。

本実施形態は、トランジスタと発光素子とを、コンタクト部を除き、第１の絶縁膜で絶縁しつつ、画素内において第２の絶縁層によって段差の大きな凹凸を作っていることによって、画素電極（反射膜）を、凹凸に沿って設けることができ、光散乱が増えて光取出効率が向上する。

また、コンタクトホール部と第２の絶縁膜を凸凹にするため、凸凹の高低差を大きくすることができ、光散乱が増えて光取出し効率が向上し、外光反射成分が減少することが可能になる。

さらに、凹部１３３で発光した光成分は横方向（本断面図の左右方向）へ出射されなくなるため、白色有機発光素子にカラーフィルタを組み合わせる方式においては、光学的混色を低減することが可能になる。

加えて、凸凹構造を有する反射膜に発光層を蒸着した場合には、凸凹端部及び傾斜部で耐圧性が低下してしまう可能性があるのに対して、本実施例では、発光層を平坦に形成できるため、耐圧性能の低下を防止できる効果を奏する。

そして、トランジスタとのコンタクトホールを形成する過程と、第２の絶縁膜の凹部形成の過程が同じ工程で行うことができるために、別途第２の絶縁膜の凸凹工程を増やさずに、光取出し効率が向上し、外光反射成分を減少させた有機発光素子を製造することが可能である。

＜変形例１＞
実施形態１および実施形態１の製造方法において、トランジスタ１１８と反射膜１２３とのコンタクト部まで、バンク膜１３０を開口するように形成してもよい。すなわち、コンタクトホール１１９の上でも、発光層１２８と個別画素電極１２４とが接することになり、コンタクトホール１１９の上も発光領域となるという構成である（図１８）。

本変形例では、トランジスタ１１８と反射膜１２３とのコンタクト部まで、バンク膜１３０を開口する構成によって、発光層の発光領域を増やすことができる。このことにより、特に高精細化の製品において有利になる。また、バンク開口率の拡大に伴って、電流密度を下げることができるため、有機発光素子の寿命を延ばすことが可能になる。

＜変形例２＞
実施形態２および実施形態２の製造方法において、トランジスタ１１８と反射膜１２３とのコンタクト部まで、バンク膜１３０を開口するように形成してもよい。すなわち、コンタクトホール１１９の上でも、発光層１２８と個別画素電極１２４とが接することになり、コンタクトホール１１９の上も発光領域となるという構成である（図１９）。

本変形例では、トランジスタ１１８と反射膜１２３とのコンタクト部まで、バンク膜１３０を開口する構成によって、発光層の発光領域を増やすことができる。このことにより、特に高精細化の製品において有利になる。また、バンク開口率の拡大に伴って、電流密度を下げることができるため、有機発光素子の寿命を延ばすことが可能になる。

以上、本発明の好ましい実施形態による表示装置１００について説明した。しかし、これらは単なる例示に過ぎず、本発明の技術的範囲はそれらには限定されない。実際、当業者であれば、特許請求の範囲において請求されている本発明の要旨を逸脱することなく、種々の変更が可能であろう。よって、それらの変更も当然に、本発明の技術的範囲に属すると解されるべきである。

１００・・・表示装置
１０２、１０４・・・基板
１０６・・・表示領域
１０８・・・画素
１０９・・・容量部
１１０・・・シール材
１１１・・・データ線
１１２・・・ドライバ回路
１１３・・・電源線
１１４・・・端子領域
１１５・・・走査線
１１６・・・接続端子
１１７・・・選択トランジスタ
１１８・・・トランジスタ（駆動トランジスタ）
１１９・・・コンタクトホール
１２０・・・発光素子
１２２・・・カラーフィルタ
１２３・・・反射膜
１２４・・・個別画素電極
１２５・・・陽極（透光性導電膜、上部電極）
１２６・・・共通画素電極（上部電極、陰極）
１２８・・・発光層
１３０・・・バンク
１３１・・・第２の絶縁膜
１３２・・・第１の絶縁膜
１３３・・・凹部
１３４・・・凹部充填膜
１３６、１３８・・・保護膜

Claims (8)

1. 基板と、
   前記基板上のトランジスタと、
   前記基板および前記トランジスタ上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上の画素電極と、
   前記画素電極の端部を覆うバンクと、
   前記画素電極と前記バンク上の発光層と、
   前記発光層上の共通電極と、を有し、
   前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜を貫通し、前記トランジスタのソース又はドレインに達するコンタクトホールにおいて前記画素電極と前記トランジスタが接続され、
   前記コンタクトホールは前記バンクによって覆われ、
   前記第２の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜に達する１以上の第１の凹部を有し、
   前記画素電極は、前記第２の絶縁膜の上面及び前記第１の凹部を覆い、反射膜と前記反射膜上の透光性導電膜とを有し、
   前記反射膜は、前記第１の凹部に沿って設けられ、前記第１の凹部に沿って形成された第２の凹部を有し、
   前記反射膜上に、前記第２の凹部を充填する凹部充填膜が前記反射膜に接して設けられ、前記透光性導電膜は、前記第２の凹部と重畳する位置では、前記凹部充填膜と接する表示装置。
2. 前記コンタクトホールの上で、前記発光層と前記画素電極が接する請求項１に記載の表示装置。
3. 基板と、
   前記基板上に形成され、発光領域を有する第１の画素と、
   前記第１の画素に隣接する第２の画素と、
   前記第１の画素と前記第２の画素との境界に位置すると共に、前記発光領域を露出するバンクと、を有し、
   前記第１の画素は、前記基板上のトランジスタと、前記トランジスタと接する反射膜と、前記反射膜と接する下部電極と、前記下部電極上の発光層と、前記発光層上の上部電極とを有し、
   前記基板上には、前記トランジスタを覆う第１の絶縁膜が形成され、
   前記第１の絶縁膜上には、第２の絶縁膜が形成され、
   前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とには、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とを貫通するコンタクトホールが形成され、
   前記コンタクトホールは前記バンクによって覆われ、前記コンタクトホールを介して、前記トランジスタと前記反射膜とが接し、
   前記発光領域と重畳する位置の前記第２の絶縁膜には、前記第１の絶縁膜を露出する第１の凹部が形成され、
   前記反射膜は、前記第１の凹部に沿って、前記第２の絶縁膜に接し、
   前記反射膜は、前記第１の凹部に沿って形成された第２の凹部を有し、
   前記第２の凹部は、第３の絶縁膜で充填される表示装置。
4. 前記下部電極は、前記第２の凹部に沿って、前記反射膜に接する請求項３に記載の表示装置。
5. 前記下部電極は、前記第２の凹部と重畳する位置では、前記第３の絶縁膜と接する請求項３に記載の表示装置。
6. 前記第１の凹部は、複数形成される請求項４または５のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 基板上にトランジスタを形成し、
   前記トランジスタおよび前記基板上に第１の絶縁膜を形成し、
   前記第１の絶縁膜を貫通し前記トランジスタのソース又はドレインに達する第１の開口を形成した後に、前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
   前記第２の絶縁膜に、前記第１の絶縁膜に達する１以上の第１の凹部を形成するとともに、前記第１の開口と重畳する位置に前記トランジスタのソース又はドレインを露出する第２の開口を形成し、
   前記第２の絶縁膜の上面及び前記第１の凹部に沿って反射膜を形成し、
   前記第１の凹部によって前記反射膜に形成される第２の凹部に凹部充填膜を充填し、
   前記反射膜と前記凹部充填膜の上に、前記反射膜と前記凹部充填膜と接する透光性導電膜を形成し、
   前記透光性導電膜の端部と前記第２の開口を覆うバンクを形成することを含む、表示装置の製造方法。
8. 前記第１の凹部と前記第２の開口は同時に形成される、請求項７に記載の表示装置の製造方法。
   
   

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