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JP6548849B1 - Optical module - Google Patents

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JP6548849B1 JP2019502105A JP2019502105A JP6548849B1 JP 6548849 B1 JP6548849 B1 JP 6548849B1 JP 2019502105 A JP2019502105 A JP 2019502105A JP 2019502105 A JP2019502105 A JP 2019502105A JP 6548849 B1 JP6548849 B1 JP 6548849B1
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Abstract

半導体レーザ(5)を内部に収納する表面実装型のパッケージ(1)と、パッケージ(1)の下部を、下方に向けて凸状をなす凸構造とすることにより形成され、回路基板(2)の金属パターン(2a)に接触する最下面(1a)と、パッケージ(1)における最下面(1a)以外の下面(1b)に設けられ、半導体レーザ(5)に対する信号の入力及び出力を可能とする電極パッド(8)とを備える。The circuit board (2) is formed by forming a surface mount type package (1) for accommodating the semiconductor laser (5) therein, and a projecting structure in which a lower part of the package (1) is convex downward. Provided on the lowermost surface (1a) in contact with the metal pattern (2a) and the lower surface (1b) other than the lowermost surface (1a) in the package (1), it is possible to input and output signals to the semiconductor laser (5). Electrode pads (8) to be provided.

Description

この発明は、光学部品を収納したパッケージを備える光モジュールに関する。   The present invention relates to an optical module provided with a package containing optical components.

近年、光通信技術の分野においては、通信トラフィックの増大に伴って、光通信ネットワークの高速化及び大容量化の需要が高まっている。また、局舎及びデータセンタは、光通信ネットワークを構築する光伝送装置を保有しており、この光伝送装置には、光信号と電気信号とを相互に変換するための光トランシーバが搭載されている。   In recent years, in the field of optical communication technology, with the increase of communication traffic, the demand for high speed and large capacity optical communication networks is increasing. In addition, the central office and the data center possess an optical transmission device for constructing an optical communication network, and the optical transmission device is equipped with an optical transceiver for converting an optical signal and an electric signal to each other. There is.

光通信ネットワークの高速化及び大容量化を図るためには、光伝送装置に搭載される光トランシーバの数量を増やすことが考えられる。しかしながら、光トランシーバの大きさ及び消費電力は、光トランシーバを搭載するための搭載スペース、及び、光伝送装置の空調能力によって制限されており、現状の光伝送装置では、光トランシーバの数量を単純に増やすことはできない。このため、光トランシーバの小型化及び低消費電力化は、急務となっている。   In order to increase the speed and capacity of the optical communication network, it is conceivable to increase the number of optical transceivers mounted in the optical transmission apparatus. However, the size and power consumption of the optical transceiver are limited by the mounting space for mounting the optical transceiver and the air conditioning capacity of the optical transmission apparatus, and in the current optical transmission apparatus, the number of optical transceivers is simply simplified. It can not be increased. For this reason, downsizing and low power consumption of the optical transceiver are urgently needed.

光トランシーバの小型化及び低消費電力化を実現するためには、当該光トランシーバの内部に実装される光モジュールの小型化及び低消費電力化を図る必要がある。この光モジュールは、発光素子、変調素子、及び、受光素子のうち、少なくとも1つの素子を有しており、その素子を、光学部品及び温調器等と共に、1つのパッケージ内に収納した構造となっている。また、光モジュールに適用されるパッケージとしては、バタフライ型パッケージが代表的なものとなっている。   In order to realize miniaturization and low power consumption of the optical transceiver, it is necessary to miniaturize and reduce the power consumption of the optical module mounted inside the optical transceiver. The optical module includes at least one element of a light emitting element, a modulation element, and a light receiving element, and the element is housed in one package together with an optical component and a temperature controller. It has become. Further, as a package applied to the optical module, a butterfly type package is representative.

バタフライ型パッケージを備えた光モジュールを、光トランシーバの内部に実装する場合には、光トランシーバは、バタフライ型パッケージを実装するための実装スペースに加えて、パッケージ外部から内部に向けて電気供給を行うリードピンを、回路基板に接続するためのスペースが必要となる。これにより、バタフライ型パッケージを採用した場合には、光モジュールの小型化は、阻害されてしまうことになる。   When an optical module provided with a butterfly type package is mounted inside an optical transceiver, the optical transceiver supplies electricity from the outside of the package to the inside in addition to the mounting space for mounting the butterfly type package Space is required to connect the lead pins to the circuit board. As a result, when a butterfly type package is adopted, miniaturization of the optical module is hindered.

このような問題を解決するため、表面実装型パッケージを備えた光モジュールが、種々提供されている。表面実装型パッケージを備えた光モジュールを、光トランシーバの内部に実装する場合には、パッケージ外部から内部に向けて電気供給を行うリードピンを、回路基板の接続するためのスペースは不要となる。よって、光モジュールは、表面実装型パッケージを採用することにより、小型化を図ることができる。   In order to solve such a problem, various optical modules provided with surface mount type packages are provided. When the optical module having the surface mount type package is mounted inside the optical transceiver, the space for connecting the circuit board to the lead pins for supplying electricity from the outside of the package to the inside becomes unnecessary. Therefore, the optical module can be miniaturized by adopting the surface mount type package.

そこで、従来、表面実装型パッケージを備えた半導体モジュールが提供されている。このような、従来の半導体モジュールとしては、例えば、特許文献1に開示されている。   Therefore, conventionally, a semiconductor module provided with a surface mount package has been provided. Such a conventional semiconductor module is disclosed, for example, in Patent Document 1.

特開2002−353388号公報JP 2002-353388 A

上記従来の半導体モジュールは、電子部品及び熱伝導部材等を組み立てた組立体を、表面実装型のパッケージ上に搭載し、そのパッケージを基板表面に接触させた構成となっている。これにより、上記従来の半導体モジュールは、実装密度を向上させて、小型化を図ると共に、発熱体となる電子部品で発生した熱を、熱伝導部材及びパッケージを介して排出し、実装部品の低消費電力化を図るようにしている。   The conventional semiconductor module is configured such that an assembly obtained by assembling electronic components, a heat conducting member, and the like is mounted on a surface mount type package, and the package is brought into contact with the substrate surface. As a result, the above-described conventional semiconductor module improves the mounting density and achieves miniaturization, and also discharges the heat generated in the electronic component to be the heat generating member through the heat conducting member and the package, thereby reducing the mounting component size. It is intended to reduce power consumption.

しかしながら、上記従来の半導体モジュールは、電子部品が搭載された表面実装型パッケージからの排熱を目的としたものであって、光学部品が搭載された表面実装型パッケージからの排熱を目的としたものではない。   However, the conventional semiconductor module aims at exhausting heat from the surface mount type package on which the electronic component is mounted, and aims at exhausting heat from the surface mount type package on which the optical component is mounted. It is not a thing.

この点について詳細に説明すると、上記従来の半導体モジュールは、表面実装型パッケージ上に搭載された電子部品と、その半導体モジュールの筐体との間に、熱伝導部材を配置している。この結果、熱伝導部材の膨張による圧力は、電子部品及び表面実装型パッケージに作用することになり、当該電子部品及び表面実装型パッケージは、位置ずれを起こすおそれがある。   Explaining this point in detail, in the conventional semiconductor module, the heat conducting member is disposed between the electronic component mounted on the surface mount type package and the housing of the semiconductor module. As a result, the pressure due to the expansion of the heat conducting member acts on the electronic component and the surface mount package, and the electronic component and the surface mount package may be displaced.

これに対して、光モジュールにおける光学部品の位置決め精度は、光モジュールにおける光の入出力に影響を与えるものであり、性能上、非常に重要な要素である。これにより、光学部品が搭載された表面実装型パッケージを備える光モジュールの構成に、上記従来の半導体モジュールの構成を適用した場合には、光学部品及び表面実装型パッケージは、位置ずれを起こしてしまい、それらの位置ずれは、光モジュールにおける光の入出力を低下させるおそれがある。   On the other hand, the positioning accuracy of the optical component in the optical module affects the light input / output in the optical module and is a very important element in terms of performance. As a result, when the above-described conventional semiconductor module configuration is applied to the configuration of the optical module including the surface-mounted package on which the optical component is mounted, the optical component and the surface-mounted package may be misaligned. These misalignments may reduce light input / output in the optical module.

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、小型化を図りつつ、排熱を効率的に行うことにより、消費電力を抑制することができる光モジュールを提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and to provide an optical module capable of suppressing power consumption by efficiently performing exhaust heat while achieving downsizing. To aim.

この発明に係る光モジュールは、発熱素子を内部に収納する表面実装型のパッケージと、パッケージの下部を、下方に向けて凸状をなす凸構造とすることにより形成される最下面と、パッケージにおける最下面以外の下面に設けられ、発熱素子に対する信号の入力及び出力を可能とする電極パッドと、最下面と熱伝導体との間に、最下面及び熱伝導体に接触するように配置され、非導電性を有するインターポーザとを備えることを特徴とするものである。 An optical module according to the present invention comprises a surface mount type package for housing a heat generating element inside, a lowermost surface formed by forming a convex structure in which a lower portion of the package is directed downward, and a package Provided on the lower surface other than the lowermost surface, between the lowermost surface and the thermal conductor, in contact with the lowermost surface and the thermal conductor, between the lowermost surface and the thermal conductor, which are capable of inputting and outputting signals to the heating element; And a non-conductive interposer.

この発明によれば、小型化を図りつつ、排熱を効率的に行うことにより、消費電力を抑制することができる。   According to the present invention, power consumption can be suppressed by efficiently performing exhaust heat while achieving downsizing.

この発明の実施の形態1に係る光モジュールの構成を示した斜視図である。It is the perspective view which showed the structure of the optical module concerning Embodiment 1 of this invention. 実施の形態1に係る光モジュールに対する比較例とした光モジュールの構成を示した斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing a configuration of an optical module as a comparative example to the optical module according to the first embodiment. 半導体レーザを使用する環境温度とTECの消費電力との関係を示した図である。図3Aは実施の形態1に係る光モジュールに対応した関係図である。図3Bは比較例に係る光モジュールに対応した関係図である。It is the figure which showed the relationship between the environmental temperature which uses a semiconductor laser, and the power consumption of TEC. FIG. 3A is a relationship diagram corresponding to the optical module according to the first embodiment. FIG. 3B is a relationship diagram corresponding to the optical module according to the comparative example. この発明の実施の形態2に係る光モジュールの構成を示した斜視図である。It is the perspective view which showed the structure of the optical module concerning Embodiment 2 of this invention. この発明の実施の形態3に係る光モジュールの構成を示した斜視図である。It is the perspective view which showed the structure of the optical module concerning Embodiment 3 of this invention. この発明の実施の形態4に係る光モジュールの構成を示した図である。図6Aは光モジュールの構成を示した斜視図である。図6Bは光モジュールの側面図である。It is the figure which showed the structure of the optical module concerning Embodiment 4 of this invention. FIG. 6A is a perspective view showing the configuration of the optical module. FIG. 6B is a side view of the optical module.

以下、この発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

実施の形態1.
図1は、実施の形態1に係る光モジュールの構成を示した斜視図である。
Embodiment 1
FIG. 1 is a perspective view showing the configuration of the optical module according to the first embodiment.

図1に示すように、実施の形態1に係る光モジュールは、表面実装型のパッケージ1、TEC(Thermo-electric Cooler)3、サブマウント基板4、半導体レーザ5、インターポーザ6、コンタクトピン7、電極パッド8、及び、ワイヤ9を備えている。この光モジュールは、回路基板2の表面に接触している。そして、回路基板2、TEC3、及び、サブマウント基板4は、発熱素子となる半導体レーザ5で発生した熱が流入すると、その熱を伝導する熱伝導体を構成するものである。   As shown in FIG. 1, the optical module according to the first embodiment includes a surface mount type package 1, a TEC (Thermo-electric Cooler) 3, a submount substrate 4, a semiconductor laser 5, an interposer 6, a contact pin 7, an electrode The pad 8 and the wire 9 are provided. The optical module is in contact with the surface of the circuit board 2. The circuit substrate 2, the TEC 3 and the submount substrate 4 constitute a heat conductor that conducts the heat generated by the semiconductor laser 5 serving as a heat generating element.

なお、図1に示したX軸、Y軸、及び、Z軸は、直交三軸の座標系を構成するものである。X軸は、光モジュールの幅方向を示す軸である。Y軸は、光モジュールの上下方向を示す軸である。Z軸は、光モジュールの縦方向を示す軸である。   The X axis, the Y axis, and the Z axis shown in FIG. 1 constitute a coordinate system of orthogonal three axes. The X axis is an axis that indicates the width direction of the optical module. The Y axis is an axis that indicates the vertical direction of the optical module. The Z axis is an axis indicating the longitudinal direction of the optical module.

パッケージ1は、TEC3、サブマウント基板4、及び、半導体レーザ5を収納するものであって、回路基板2の表面に接触している。このパッケージ1の材質は、例えば、セラミック及びガラス等である。   The package 1 accommodates the TEC 3, the submount substrate 4, and the semiconductor laser 5 and is in contact with the surface of the circuit substrate 2. The material of the package 1 is, for example, ceramic and glass.

また、パッケージ1は、全体として、上面が開口した箱型状をなしており、更に、パッケージ1の下部は、下方に向けて凸状をなす凸構造になっている。即ち、パッケージ1は、凸状下面及び凹状底面を有している。具体的には、パッケージ1は、最下面1a、下面1b、最底面1c、及び、底面1dを有している。   In addition, the package 1 has a box-like shape whose upper surface is open as a whole, and the lower part of the package 1 has a convex structure which is convex downward. That is, the package 1 has a convex lower surface and a concave bottom surface. Specifically, the package 1 has a lowermost surface 1a, a lower surface 1b, an outermost surface 1c, and a bottom surface 1d.

最下面1aは、パッケージ1の下面の中で、最も下方に位置する凸面となっている。また、下面1bは、最下面1aの両側部において、最下面1a及び最底面1cよりも上方に配置されている。   The lowermost surface 1 a is a convex surface located lowermost in the lower surface of the package 1. Further, the lower surface 1b is disposed above the lowermost surface 1a and the lowermost surface 1c on both sides of the lowermost surface 1a.

これに対応して、最底面1cは、パッケージ1の底面の中で、最も下方に位置する凹面となっており、最下面1aと上下方向において対向している。底面1dは、最底面1cの両側部において、最底面1cよりも上方に配置されており、下面1bと上下方向において対向している。   Corresponding to this, the bottom surface 1c is a concave surface located at the lowermost position in the bottom surface of the package 1, and is opposed to the bottom surface 1a in the vertical direction. The bottom surface 1d is disposed above the bottom surface 1c on both sides of the bottom surface 1c, and is opposed to the bottom surface 1b in the vertical direction.

回路基板2は、金属パターン2a及び複数の電極パッド2bを有している。金属パターン2aは、回路基板2の表面に配置されている。電極パッド2bは、基板側電極パッドを構成するものであって、金属パターン2aの両側部に配置されている。即ち、パッケージ1の最下面1aは、金属パターン2aに接触している。   The circuit board 2 has a metal pattern 2a and a plurality of electrode pads 2b. The metal pattern 2 a is disposed on the surface of the circuit board 2. The electrode pads 2b constitute a substrate side electrode pad, and are disposed on both sides of the metal pattern 2a. That is, the lowermost surface 1a of the package 1 is in contact with the metal pattern 2a.

TEC3は、発熱素子となる半導体レーザ5で発生した熱を冷却するものである。このTEC3は、パッケージ1の最底面1cに接触している。また、サブマウント基板4は、TEC3の上面に接触している。このサブマウント基板4の材質は、例えば、セラミック及びガラス等である。更に、半導体レーザ5は、サブマウント基板4の上面に接触している。   The TEC 3 cools the heat generated by the semiconductor laser 5 which is a heat generating element. The TEC 3 is in contact with the bottom surface 1 c of the package 1. Further, the submount substrate 4 is in contact with the top surface of the TEC 3. The material of the submount substrate 4 is, for example, ceramic, glass or the like. Further, the semiconductor laser 5 is in contact with the upper surface of the submount substrate 4.

インターポーザ6は、後述するコンタクトピン7の設置間隔を、回路基板2における電極パッド2bの設定間隔に対応させるためのものである。また、インターポーザ6は、上下方向において、パッケージ1の下面1bと回路基板2の電極パッド2bとの間に配置されている。このようなインターポーザ6は、非導電性を有する材料から形成されている。   The interposer 6 is for making the installation interval of the contact pins 7 described later correspond to the setting interval of the electrode pads 2 b on the circuit board 2. The interposer 6 is disposed between the lower surface 1 b of the package 1 and the electrode pad 2 b of the circuit board 2 in the vertical direction. Such an interposer 6 is formed of a non-conductive material.

コンタクトピン7は、電極パッド2bの設置間隔に対応した間隔で、インターポーザ6を上下方向に貫通して、当該インターポーザ6に支持されている。このコンタクトピン7は、ばね状に形成されたばね部材であって、導電性を有する材料から形成されている。コンタクトピン7の材質は、例えば、ベリリウム銅等の金属である。   The contact pins 7 pass through the interposer 6 in the vertical direction at an interval corresponding to the installation interval of the electrode pads 2 b and are supported by the interposer 6. The contact pin 7 is a spring member formed in a spring shape, and is formed of a conductive material. The material of the contact pin 7 is, for example, a metal such as beryllium copper.

電極パッド8は、パッケージ1に設けられており、下面1bと底面1dとを上下方向において貫通するように配置されている。このとき、パッケージ1における下面1b及び底面1dを含む側壁は、積層セラミックで形成されているため、電極パッド8の設置は、容易に行われる。ワイヤ9は、例えば、金で形成されており、半導体レーザ5と電極パッド8との間を、ワイヤボンディングで電気的に接続している。   The electrode pad 8 is provided on the package 1 and disposed so as to penetrate the lower surface 1 b and the bottom surface 1 d in the vertical direction. At this time, since the side wall including the lower surface 1b and the bottom surface 1d in the package 1 is formed of a laminated ceramic, the installation of the electrode pad 8 is easily performed. The wire 9 is made of, for example, gold, and electrically connects the semiconductor laser 5 and the electrode pad 8 by wire bonding.

そして、インターポーザ6に貫通支持されたコンタクトピン7は、回路基板2の電極パッド2bと電極パッド8における下面1b側の端面との間において、圧縮状態で挟まれている。更に、コンタクトピン7の自然長は、回路基板2の電極パッド2bと電極パッド8における下面1b側の端面との間の距離よりも長くなっている。これにより、コンタクトピン7は、回路基板2の電極パッド2b、及び、電極パッド8における下面1b側の端面を、ばね力によって押圧し、それらの間を電気的に接続している。   The contact pins 7 supported in a penetrating manner by the interposer 6 are sandwiched in a compressed state between the electrode pads 2 b of the circuit board 2 and the end surface of the electrode pad 8 on the lower surface 1 b side. Furthermore, the natural length of the contact pin 7 is longer than the distance between the electrode pad 2 b of the circuit board 2 and the end face of the electrode pad 8 on the lower surface 1 b side. Thereby, the contact pin 7 presses the end surface of the electrode pad 2b of the circuit board 2 and the end surface of the electrode pad 8 on the lower surface 1b side by a spring force, and electrically connects them.

従って、回路基板2の電極パッド2bから入力された電気信号は、コンタクトピン7、電極パッド8、及び、ワイヤ9を順に通過して、半導体レーザ5に送信される。   Therefore, the electric signal inputted from the electrode pad 2 b of the circuit board 2 passes through the contact pin 7, the electrode pad 8 and the wire 9 in order and is transmitted to the semiconductor laser 5.

また、半導体レーザ5で発生した熱は、サブマウント基板4、TEC3、最底面1c、及び、最下面1aを順に伝達し、最終的に、回路基板2の金属パターン2aに到達することで、光モジュールの外部に排出されたことになる。   Further, the heat generated by the semiconductor laser 5 is transmitted through the submount substrate 4, the TEC 3, the bottom surface 1 c and the bottom surface 1 a in order, and finally reaches the metal pattern 2 a of the circuit substrate 2 to obtain light. It is discharged to the outside of the module.

次に、実施の形態1に係る光モジュールと、比較例に係る光モジュールとを、図2及び図3を用いて対比する。図2は、比較例に係る光モジュールの構成を示した斜視図である。図3Aは、実施の形態1に係る光モジュールに対応した関係図であり、図3Bは、比較例に係る光モジュールに対応した関係図である。   Next, the optical module according to the first embodiment and the optical module according to the comparative example will be compared using FIGS. 2 and 3. FIG. 2 is a perspective view showing the configuration of an optical module according to a comparative example. FIG. 3A is a relationship diagram corresponding to the optical module according to Embodiment 1, and FIG. 3B is a relationship diagram corresponding to the optical module according to the comparative example.

図2に示すように、比較例に係るモジュールは、実施の形態1に係る光モジュールのパッケージ1、インターポーザ6、及び、電極パッド8に替えて、パッケージ1A、インターポーザ6A、及び、電極パッド8Aを備えている。   As shown in FIG. 2, in the module according to the comparative example, the package 1A, the interposer 6A, and the electrode pad 8A are replaced with the package 1, the interposer 6, and the electrode pad 8 of the optical module according to the first embodiment. Have.

パッケージ1Aの下部は、上記凸構造にはなっていない。即ち、パッケージ1Aは、最底面1c、底面1d、及び、下面1eを有するものの、最下面1aを有してはいない。パッケージ1Aの下面1eは、底面1dのみと上下方向において対向するパッケージ1の下面1bとは異なり、最底面1c及び底面1dと上下方向において対向する面となっている。   The lower portion of the package 1A does not have the above convex structure. That is, the package 1A has the bottom surface 1c, the bottom surface 1d, and the bottom surface 1e, but does not have the bottom surface 1a. The lower surface 1e of the package 1A is a surface opposite to the bottom surface 1c and the bottom surface 1d in the top-bottom direction, unlike the bottom surface 1b of the package 1 facing the bottom surface 1d only in the top-bottom direction.

インターポーザ6Aは、パッケージ1Aの下面1eと回路基板2の表面との間に配置されており、そのインターポーザ6Aに貫通支持されたコンタクトピン7は、下面1eと金属パターン2aとの間において、圧縮状態で挟まれている。即ち、パッケージ1Aの下面1eは、回路基板2の金属パターン2aに直接接触していない。また、電極パッド8Aは、底面1dと下面1eとを上下方向において貫通するように配置されている。   The interposer 6A is disposed between the lower surface 1e of the package 1A and the surface of the circuit board 2, and the contact pins 7 supported through the interposer 6A are compressed between the lower surface 1e and the metal pattern 2a. In between. That is, the lower surface 1 e of the package 1 A is not in direct contact with the metal pattern 2 a of the circuit board 2. The electrode pad 8A is disposed to penetrate the bottom surface 1d and the lower surface 1e in the vertical direction.

従って、半導体レーザ5で発生した熱は、サブマウント基板4、TEC3、最底面1c、下面1e、及び、コンタクトピン7を順に伝達し、最終的に、回路基板2の金属パターン2aに到達することで、光モジュールの外部に排出されたことになる。   Therefore, the heat generated by the semiconductor laser 5 is transmitted to the submount substrate 4, TEC 3, the bottom surface 1 c, the lower surface 1 e and the contact pins 7 in order, and finally reaches the metal pattern 2 a of the circuit substrate 2. And it was discharged to the outside of the optical module.

この結果、図3Aに示すように、実施の形態1に係る光モジュールは、半導体レーザ5を使用する環境温度が75℃に達しても、TEC3の消費電力が2W以内に収まっている。これに対して、図3Bに示すように、比較例に係る光モジュールは、半導体レーザ5を25℃で駆動する場合に、TEC3が熱暴走を起こしてしまい、機能しなくなる。   As a result, as shown in FIG. 3A, in the optical module according to the first embodiment, the power consumption of the TEC 3 is within 2 W even if the environmental temperature at which the semiconductor laser 5 is used reaches 75.degree. On the other hand, as shown in FIG. 3B, in the optical module according to the comparative example, when the semiconductor laser 5 is driven at 25 ° C., the TEC 3 causes a thermal runaway and does not function.

即ち、比較例に係る光モジュールは、パッケージ1Aの下部が凸構造になっていないため、インターポーザ6Aをパッケージ1Aの下面1eと回路基板2の金属パターン2aとの間に配置しなくてはならず、パッケージ1Aの下面1eを、回路基板2の金属パターン2aに直接接触させることができない。これにより、比較例に係る光モジュールは、実施の形態1に係る光モジュールに比べて、排熱性能が低下する。よって、比較例に係るパッケージ1Aに収納されたTEC3の消費電力は、増大する。   That is, in the optical module according to the comparative example, since the lower portion of the package 1A is not convex, the interposer 6A must be disposed between the lower surface 1e of the package 1A and the metal pattern 2a of the circuit board 2. The lower surface 1e of the package 1A can not be in direct contact with the metal pattern 2a of the circuit board 2. As a result, in the optical module according to the comparative example, the exhaust heat performance is reduced compared to the optical module according to the first embodiment. Therefore, the power consumption of TEC3 accommodated in package 1A concerning a comparative example increases.

言い換えれば、実施の形態1に係る光モジュールは、パッケージ1の下部を凸構造とすることにより、その最下面1aを、回路基板2の金属パターン2aに直接接触させることができるので、排熱性能を向上させることができる。よって、パッケージ1に収納されたTEC3の消費電力は、減少する。   In other words, in the optical module according to the first embodiment, the lower surface 1a of the package 1 can be brought into direct contact with the metal pattern 2a of the circuit board 2 by forming the lower portion of the package 1 in a convex structure. Can be improved. Thus, the power consumption of the TEC 3 housed in the package 1 is reduced.

なお、図3A及び図3Bを用いた対比においては、パッケージ1,1Aの材質は、窒化アルミニウムとし、その熱伝導率は、170W/(m・k)になっている。また、コンタクトピン7の材質は、ベリリウム銅とし、その熱伝導率は、90W/(m・k)になっている。更に、パッケージ1における最下面1aと最底面1cとの間の厚みと、パッケージ1Aにおける下面1eと最底面1cとの間の厚みとは、同じ厚みになっている。そして、TEC3の大きさ及び冷却性能と、半導体レーザ5の駆動条件とは、パッケージ1,1Aにおいて、同一になっている。   In comparison with FIGS. 3A and 3B, the material of the packages 1 and 1A is aluminum nitride, and the thermal conductivity thereof is 170 W / (m · k). The material of the contact pin 7 is beryllium copper, and the thermal conductivity thereof is 90 W / (m · k). Furthermore, the thickness between the lowermost surface 1a and the bottom surface 1c of the package 1 and the thickness between the lower surface 1e and the bottom surface 1c of the package 1A are the same. The size and cooling performance of the TEC 3 and the driving conditions of the semiconductor laser 5 are the same in the packages 1 and 1A.

以上より、実施の形態1に係る光モジュールは、表面実装型のパッケージ1を用いることにより、実装密度を向上させることができる。また、実施の形態1に係る光モジュールは、パッケージ1の下部を凸構造にして、その最下面1aを回路基板2の金属パターン2aに直接接触させることにより、半導体レーザ5で発生した熱の排出性能を向上させることができる。これにより、実施の形態1に係る光モジュールは、小型化を図りつつ、排熱を効率的に行うことにより、消費電力を抑制することができる。   As described above, the optical module according to the first embodiment can improve the mounting density by using the surface mount type package 1. Further, in the optical module according to the first embodiment, the lower portion of the package 1 has a convex structure, and the lowermost surface 1a is brought into direct contact with the metal pattern 2a of the circuit board 2 to discharge the heat generated by the semiconductor laser 5. Performance can be improved. Thus, the optical module according to the first embodiment can reduce power consumption by efficiently performing exhaust heat while achieving downsizing.

また、実施の形態1に係る光モジュールは、コンタクトピン7をばね状とすることにより、電極パッド2b,8間の電気的接続を、コンタクトピン7の押圧力によって行うことができる。   Further, in the optical module according to the first embodiment, by making the contact pin 7 springy, the electrical connection between the electrode pads 2 b and 8 can be made by the pressing force of the contact pin 7.

更に、実施の形態1に係る光モジュールは、コンタクトピン7をインターポーザ6によって支持しているため、インターポーザ6をパッケージ1の下面1bと回路基板2の表面との間に挿入することにより、コンタクトピン7による電極パッド2b,8間の電気的接続を行うことができる。   Furthermore, in the optical module according to the first embodiment, since the contact pins 7 are supported by the interposer 6, the contact pins are inserted by inserting the interposer 6 between the lower surface 1b of the package 1 and the surface of the circuit board 2. An electrical connection between the electrode pads 2 b and 8 can be made.

実施の形態2.
図4は、実施の形態2に係る光モジュールの構成を示した斜視図である。
Second Embodiment
FIG. 4 is a perspective view showing the configuration of the optical module according to the second embodiment.

図4に示すように、実施の形態2に係る光モジュールは、実施の形態1に係る光モジュールのインターポーザ6及びコンタクトピン7に替えて、はんだバンプ10を備えている。   As shown in FIG. 4, the optical module according to the second embodiment includes a solder bump 10 instead of the interposer 6 and the contact pins 7 of the optical module according to the first embodiment.

はんだバンプ10は、電極パッド8における下面1b側の端面に塗布されて、リフロー工程において溶融されるものである。これにより、回路基板2の電極パッド2bと電極パッド8とは、電気的に接続されている。このとき、はんだバンプ10の高さ寸法は、パッケージ1の下面1bと回路基板2の電極パッド2bとの間の高さ寸法と一致している。   The solder bumps 10 are applied to the end face of the electrode pad 8 on the lower surface 1 b side and melted in the reflow process. Thereby, the electrode pad 2b of the circuit board 2 and the electrode pad 8 are electrically connected. At this time, the height dimension of the solder bump 10 matches the height dimension between the lower surface 1 b of the package 1 and the electrode pad 2 b of the circuit board 2.

従って、回路基板2の電極パッド2bから入力された電気信号は、はんだバンプ10、電極パッド8、及び、ワイヤ9を順に通過して、半導体レーザ5に送信される。   Therefore, the electric signal input from the electrode pad 2 b of the circuit board 2 passes through the solder bump 10, the electrode pad 8, and the wire 9 in order, and is transmitted to the semiconductor laser 5.

また、半導体レーザ5で発生した熱は、サブマウント基板4、TEC3、最底面1c、及び、最下面1aを順に伝達し、最終的に、回路基板2の金属パターン2aに到達することで、光モジュールの外部に排出されたことになる。   Further, the heat generated by the semiconductor laser 5 is transmitted through the submount substrate 4, the TEC 3, the bottom surface 1 c and the bottom surface 1 a in order, and finally reaches the metal pattern 2 a of the circuit substrate 2 to obtain light. It is discharged to the outside of the module.

なお、上述した実施の形態2に係る光モジュールは、電極パッド2b,8間の電気的接続に、はんだバンプ10を適用しているが、この電気的接続に限定されることはない。例えば、実施の形態2に係る光モジュールは、電極パッド2b,8の各々に実装された金バンプに対して超音波振動を与えて、当該金バンプ同士を金属結合させることにより、電極パッド2b,8間の電気的接続を行っても構わない。   In the optical module according to the second embodiment described above, the solder bumps 10 are applied to the electrical connection between the electrode pads 2 b and 8. However, the present invention is not limited to this electrical connection. For example, in the optical module according to the second embodiment, ultrasonic vibration is applied to the gold bumps mounted on each of the electrode pads 2 b and 8 to metal-bond the gold bumps to each other, thereby forming the electrode pad 2 b, Electrical connection between 8 may be made.

以上より、実施の形態2に係る光モジュールは、電極パッド2b,8間の電気的接続に、はんだバンプ10または金バンプを適用することができるので、インターポーザ6及びコンタクトピン7を用いる必要がなく、部品点数を削減することができる。   As described above, in the optical module according to the second embodiment, the solder bumps 10 or the gold bumps can be applied to the electrical connection between the electrode pads 2 b and 8, so there is no need to use the interposer 6 and the contact pins 7. The number of parts can be reduced.

実施の形態3.
図5は、実施の形態3に係る光モジュールの構成を示した斜視図である。
Third Embodiment
FIG. 5 is a perspective view showing the configuration of the optical module according to the third embodiment.

図5に示すように、実施の形態3に係る光モジュールは、実施の形態1に係る光モジュールのインターポーザ6に替えて、インターポーザ16を備えている。このインターポーザ16は、発熱素子となる半導体レーザ5で発生した熱が流入すると、その熱を伝導する熱伝導体を構成するものである。   As shown in FIG. 5, the optical module according to the third embodiment includes an interposer 16 in place of the interposer 6 of the optical module according to the first embodiment. The interposer 16 constitutes a heat conductor which conducts the heat generated when the heat generated by the semiconductor laser 5 serving as a heat generating element flows.

インターポーザ16は、パッケージ1の最下面1aと回路基板2の金属パターン2aとの間に配置されてる。このインターポーザ16の下部は、下方に向けて凸状をなす凸構造になっている。即ち、インターポーザ16は、上面16a、インターポーザ側最下面となる最下面16b、及び、インターポーザ側下面となる下面16cを有している。そして、パッケージ1の最下面1aは、上面16aに接触している。また、最下面16bは、回路基板2の金属パターン2aに接触している。   The interposer 16 is disposed between the lowermost surface 1 a of the package 1 and the metal pattern 2 a of the circuit board 2. The lower portion of the interposer 16 has a convex structure that is convex downward. That is, the interposer 16 has an upper surface 16a, a lowermost surface 16b that is the lowermost surface on the interposer side, and a lower surface 16c that is the lower surface on the interposer side. The lowermost surface 1a of the package 1 is in contact with the upper surface 16a. The lowermost surface 16 b is in contact with the metal pattern 2 a of the circuit board 2.

更に、インターポーザ16は、複数のサーマルビア16dを有している。このサーマルビア16dは、回路基板2側への熱抵抗を低減し、半導体レーザ5で発生した熱を、回路基板2に向けて効率的に排出する。また、サーマルビア16dは、銅等が充填されたものであって、インターポーザ16において、上面16aと最下面16bとを貫通するように設けられている。即ち、インターポーザ16内に設けられたサーマルビア16dは、パッケージ1の最下面1a及び回路基板2の金属パターン2aに接触している。   Furthermore, the interposer 16 has a plurality of thermal vias 16 d. The thermal vias 16 d reduce the thermal resistance toward the circuit board 2 and efficiently discharge the heat generated by the semiconductor laser 5 toward the circuit board 2. The thermal vias 16 d are filled with copper or the like, and the interposer 16 is provided to penetrate the upper surface 16 a and the lowermost surface 16 b. That is, the thermal vias 16 d provided in the interposer 16 are in contact with the lowermost surface 1 a of the package 1 and the metal pattern 2 a of the circuit board 2.

従って、回路基板2の電極パッド2bから入力された電気信号は、コンタクトピン7、電極パッド8、及び、ワイヤ9を順に通過して、半導体レーザ5に送信される。   Therefore, the electric signal inputted from the electrode pad 2 b of the circuit board 2 passes through the contact pin 7, the electrode pad 8 and the wire 9 in order and is transmitted to the semiconductor laser 5.

また、半導体レーザ5で発生した熱は、サブマウント基板4、TEC3、最底面1c、最下面1a、及び、サーマルビア16dを順に伝達し、最終的に、回路基板2の金属パターン2aに到達することで、光モジュールの外部に排出されたことになる。   Further, the heat generated by the semiconductor laser 5 is transmitted to the submount substrate 4, TEC 3, the bottom surface 1 c, the bottom surface 1 a and the thermal via 16 d in order, and finally reaches the metal pattern 2 a of the circuit substrate 2. Therefore, it is discharged to the outside of the optical module.

以上より、実施の形態3に係る光モジュールは、パッケージ1の最下面1aと回路基板2の金属パターン2aとの間に、インターポーザ16を配置しても、インターポーザ16の下部を凸構造とすると共に、当該インターポーザ16の内部にサーマルビア16dを備えている。これにより、実施の形態3に係る光モジュールは、小型化を図りつつ、排熱を効率的に行うことにより、消費電力を抑制することができる。   As described above, in the optical module according to the third embodiment, even when the interposer 16 is disposed between the lowermost surface 1a of the package 1 and the metal pattern 2a of the circuit board 2, the lower portion of the interposer 16 has a convex structure. The thermal via 16 d is provided inside the interposer 16. Thereby, the optical module according to the third embodiment can suppress power consumption by efficiently performing exhaust heat while achieving downsizing.

実施の形態4.
図6A及び図6Bは、実施の形態4に係る光モジュールの構成を示した図である。
Fourth Embodiment
6A and 6B are diagrams showing the configuration of the optical module according to the fourth embodiment.

図6A及び図6Bに示すように、実施の形態4に係る光モジュールは、実施の形態1に係る光モジュールに加えて、窓11、レンズ12、及び、光ファイバ13を備えている。レンズ12及び光ファイバ13は、光学部品である。   As shown in FIGS. 6A and 6B, the optical module according to the fourth embodiment includes a window 11, a lens 12, and an optical fiber 13 in addition to the optical module according to the first embodiment. The lens 12 and the optical fiber 13 are optical components.

窓11は、パッケージ1の側壁において、半導体レーザ5のレーザ出射口と対向するように開口している。レンズ12は、半導体レーザ5から出射されたレーザ光を、透過させることにより、窓11に向けて出力するものである。光ファイバ13は、レンズ12によって出力されたレーザ光を結合させて、光モジュールの外部に送信するものである。   The window 11 is opened on the side wall of the package 1 so as to face the laser emission port of the semiconductor laser 5. The lens 12 transmits the laser beam emitted from the semiconductor laser 5 toward the window 11 by transmitting the laser beam. The optical fiber 13 combines the laser light output by the lens 12 and transmits the combined light to the outside of the optical module.

ここで、光学部品となるレンズ12及び光ファイバ13は、光モジュールにおける光の入出力低下を抑えるために、高精度に位置決めされた状態で、設置されなければならない。しかしながら、半導体レーザ5、レンズ12、及び、光ファイバ13の相対的な位置関係は、パッケージ1に作用する応力によって変化してしまうおそれがある。特に、パッケージ1は、その下部を凸構造にしているため、段差方向となるX軸方向において、歪みが生じ易くなっている。   Here, the lens 12 and the optical fiber 13 as optical components have to be installed in a state of being positioned with high accuracy in order to suppress the decrease in light input / output in the optical module. However, the relative positional relationship between the semiconductor laser 5, the lens 12, and the optical fiber 13 may change due to the stress acting on the package 1. In particular, since the lower part of the package 1 has a convex structure, distortion is easily generated in the X-axis direction which is the step direction.

そこで、半導体レーザ5、レンズ12、及び、光ファイバ13は、それらの軸心が、歪が生じ易いX軸方向に対して直交するZ軸方向と一致するように配置されている。即ち、半導体レーザ5、レンズ12、及び、光ファイバ13は、パッケージ1の凸状断面に対して直交する方向に沿って、光軸を有している。   Therefore, the semiconductor laser 5, the lens 12, and the optical fiber 13 are arranged such that their axial centers coincide with the Z-axis direction orthogonal to the X-axis direction in which distortion easily occurs. That is, the semiconductor laser 5, the lens 12, and the optical fiber 13 have an optical axis along a direction orthogonal to the convex cross section of the package 1.

以上より、実施の形態4に係る光モジュールは、パッケージ1の下部を凸構造にしても、当該凸構造によって発生する歪みに起因した光学損失を、低減することができる。   As described above, in the optical module according to the fourth embodiment, even if the lower portion of the package 1 has a convex structure, the optical loss caused by the distortion generated by the convex structure can be reduced.

但し、パッケージ1と、回路基板2、TEC3、サブマウント基板4、半導体レーザ5、インターポーザ6,16、コンタクトピン7、電極パッド8、ワイヤ9、及び、はんだバンプ10等との位置関係は、上述した実施の形態1−4におけるそれらの位置関係に限定されることはない。   However, the positional relationship between the package 1, the circuit board 2, the TEC 3, the submount substrate 4, the semiconductor laser 5, the interposers 6 and 16, the contact pins 7, the electrode pads 8, the wires 9 and the solder bumps 10 is as described above. It is not limited to those positional relationships in the embodiment 1-4.

パッケージ1、サブマウント基板4、コンタクトピン7、ワイヤ9、及び、金バンプ等の材質は、上述した実施の形態1−4における各材質に限定されることはない。例えば、サブマウント基板4の材質を金属にした場合には、当該サブマウント基板4は、半導体レーザ5で発生した熱を効率良く逃がすことできる。   The materials of the package 1, the submount substrate 4, the contact pins 7, the wires 9, the gold bumps and the like are not limited to the respective materials in the embodiment 1-4 described above. For example, when the material of the submount substrate 4 is metal, the submount substrate 4 can efficiently dissipate the heat generated by the semiconductor laser 5.

パッケージ1、回路基板2、TEC3、サブマウント基板4、半導体レーザ5、インターポーザ6,16、コンタクトピン7、電極パッド8、はんだバンプ10等の形状及び構成は、上述した実施の形態1−4における各形状及び各構成に限定されることはない。   The shapes and configurations of the package 1, the circuit board 2, the TEC 3, the submount substrate 4, the semiconductor laser 5, the interposers 6 and 16, the contact pins 7, the electrode pads 8 and the solder bumps 10 are the same as those in the embodiment 1-4 described above. It is not limited to each shape and each configuration.

例えば、パッケージ1は、最下面1aと最底面1cとによって形成される底板部内に、銅を充填したサーマルビアを設けた構成、または、最下面1aと最底面1cとによって形成される底板部に、他の部位よりも熱伝導性が良好な金属板を設けた構成としても構わない。これにより、パッケージ1は、半導体レーザ5で発生した熱を、最下面1aから効率良く逃がすことできる。   For example, the package 1 has a configuration in which a thermal via filled with copper is provided in a bottom plate portion formed by the lowermost surface 1a and the bottommost surface 1c, or a bottom plate portion formed by the lowermost surface 1a and the bottommost surface 1c. Alternatively, a metal plate having a thermal conductivity better than that of other portions may be provided. Thereby, the package 1 can efficiently dissipate the heat generated by the semiconductor laser 5 from the lowermost surface 1a.

また、実施の形態1−4に係る光モジュールは、発光素子となる半導体レーザ5を、受光素子等の各種素子に替えても、同じ効果を得ることができる。このように、受光素子を適用した場合には、光ファイバ13を介して入力された光信号は、上述した、電気信号の送信経路を逆方向に辿ることになる。   The optical module according to Embodiment 1-4 can obtain the same effect even if the semiconductor laser 5 to be a light emitting element is replaced with various elements such as a light receiving element. As described above, when the light receiving element is applied, the optical signal input through the optical fiber 13 traces the transmission path of the electric signal in the reverse direction described above.

更に、レンズ12は、パッケージ1の内側に設置されているが、窓11の外側に取り付けても構わない。レンズ12の数量及び種類は、適宜設定可能である。レンズ12は、コリメートレンズ及び集光レンズであっても構わない。   Furthermore, although the lens 12 is installed inside the package 1, it may be attached outside the window 11. The number and type of lenses 12 can be set as appropriate. The lens 12 may be a collimator lens or a condenser lens.

そして、実施の形態1−4に係る光モジュールは、パッケージ外部からパッケージ内部への電気信号入力用途として用いているが、パッケージ内部からパッケージ外部への電気信号出力用途として用いても構わない。   And although the optical module concerning Embodiment 1-4 is used as an electrical signal input application to the package inside from the package exterior, you may use it as an electrical signal output application to the package exterior from the package inside.

なお、本願発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは、各実施の形態における任意の構成要素の変形、もしくは、各実施の形態における任意の構成要素の省略が可能である。   In the present invention, within the scope of the invention, free combination of each embodiment, or modification of any component in each embodiment or omission of any component in each embodiment is possible. It is possible.

この発明に係る光モジュールは、発熱素子を内部に収納する表面実装型のパッケージの下部を、下方に向けて凸状をなす凸構造とすることで、小型化を図りつつ、排熱を効率的に行うことにより、消費電力を抑制することができ、光学部品を収納したパッケージを実装するようにした光モジュールに適している。   In the optical module according to the present invention, the lower part of the surface mount type package for housing the heat generating element inside is a convex structure having a convex shape toward the lower side, thereby achieving downsizing while efficiently exhausting heat. Thus, the power consumption can be suppressed, and it is suitable for an optical module in which a package containing optical components is mounted.

1 パッケージ、1a 最下面、1b 下面、1c 最底面、1d 底面、2 回路基板、2a 金属パターン、2b 電極パッド、3 TEC、4 サブマウント基板、5 半導体レーザ、6 インターポーザ、7 コンタクトピン、8 電極パッド、9 ワイヤ、10 はんだバンプ、11 窓、12 レンズ、13 光ファイバ、16 インターポーザ、16a 上面、16b 最下面、16c 下面、16d サーマルビア。   Reference Signs List 1 package, 1a bottom surface, 1b bottom surface, 1c bottom surface, 1d bottom surface, 2 circuit boards, 2a metal pattern, 2b electrode pads, 3 TEC, 4 submount substrates, 5 semiconductor lasers, 6 interposers, 7 contact pins, 8 electrodes Pads, 9 wires, 10 solder bumps, 11 windows, 12 lenses, 13 optical fibers, 16 interposers, 16a top surface, 16b bottom surface, 16c bottom surface, 16d thermal vias.

Claims (9)

発熱素子を内部に収納する表面実装型のパッケージと、
前記パッケージの下部を、下方に向けて凸状をなす凸構造とすることにより形成される最下面と、
前記パッケージにおける前記最下面以外の下面に設けられ、前記発熱素子に対する信号の入力及び出力を可能とする電極パッドと、
前記最下面と熱伝導体との間に、前記最下面及び前記熱伝導体に接触するように配置され、非導電性を有するインターポーザとを備える
ことを特徴とする光モジュール。
A surface mount package that houses the heat generating element inside;
A lowermost surface formed by forming a convex structure in a downward direction toward the lower side of the lower portion of the package;
An electrode pad provided on the lower surface other than the lowermost surface of the package and capable of inputting and outputting a signal to the heating element
An optical module comprising a nonconductive interposer disposed between the lowermost surface and a heat conductor so as to be in contact with the lowermost surface and the heat conductor .
前記最下面と前記熱伝導体との間に配置される前記インターポーザの内部に設けられ、前記最下面から伝わった熱を、前記熱伝導体に排出するサーマルビアを備える
ことを特徴とする請求項1記載の光モジュール。
A thermal via is provided inside the interposer disposed between the lowermost surface and the heat conductor, and is provided with a thermal via for discharging heat transferred from the lowermost surface to the heat conductor. 1 light module.
前記熱伝導体を構成する回路基板に設けられる基板側電極パッドと、
前記電極パッド及び前記基板側電極パッドをばね力によって押圧し、導電性を有するばね部材とを備え、
前記ばね部材は、前記インターポーザに支持される
ことを特徴とする請求項2に記載の光モジュール。
A substrate-side electrode pad provided on a circuit substrate constituting the heat conductor;
And a spring member having conductivity and pressing the electrode pad and the substrate-side electrode pad by a spring force.
The optical module according to claim 2, wherein the spring member is supported by the interposer.
前記インターポーザは、
前記インターポーザの下部を、下方に向けて凸状をなす凸構造とすることにより形成され、前記熱伝導体に接触するインターポーザ側最下面と、
前記インターポーザにおける前記インターポーザ側最下面以外のインターポーザ側下面とを有し、
前記サーマルビアは、前記インターポーザの上面と前記インターポーザ側最下面との間を貫通するように設けられ、
前記ばね部材は、前記インターポーザの上面及び前記インターポーザ側下面を貫通して支持される
ことを特徴とする請求項3記載の光モジュール。
The interposer is
The lower side of the interposer is formed by forming a convex structure having a convex shape facing downward, and the interposer-side lowermost surface in contact with the heat conductor;
And an interposer-side lower surface other than the interposer-side lower surface in the interposer;
The thermal via is provided to penetrate between the upper surface of the interposer and the lower surface on the interposer side.
The optical module according to claim 3, wherein the spring member is supported through an upper surface of the interposer and a lower surface on the interposer side.
前記インターポーザは、
前記最下面と前記熱伝導体との間に配置されるとともに、前記下面と回路基板との間に配置される
ことを特徴とする請求項1から請求項4のうちのいずれか1項記載の光モジュール。
The interposer is
Wherein while being disposed between the lowermost surface with the heat conductor, any one of claims of claims 1 to 4, wherein the arrangement is the fact between the lower surface and the circuitry board Light module.
前記パッケージは、その内部に光学部品を収納する
ことを特徴とする請求項1から請求項5のうちのいずれか1項記載の光モジュール。
The optical module according to any one of claims 1 to 5, wherein the package accommodates an optical component therein.
前記光学部品は、
前記パッケージの凸状断面に対して直交する方向に沿って、光軸を有する
ことを特徴とする請求項6記載の光モジュール。
The optical component is
The optical module according to claim 6, further comprising an optical axis along a direction orthogonal to the convex cross section of the package.
前記最下面を貫通するように設けられるサーマルビアを備える
ことを特徴とする請求項1から請求項7のうちのいずれか1項記載の光モジュール。
The optical module according to any one of claims 1 to 7, further comprising a thermal via provided so as to penetrate the lowermost surface.
前記最下面は、前記下面の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する
ことを特徴とする請求項1から請求項8のうちのいずれか1項記載の光モジュール。
The optical module according to any one of claims 1 to 8, wherein the lowermost surface has a thermal conductivity higher than the thermal conductivity of the lower surface.
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