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JP6540964B2 - Probing device and probe contact method - Google Patents

Probing device and probe contact method Download PDF

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JP6540964B2
JP6540964B2 JP2016057030A JP2016057030A JP6540964B2 JP 6540964 B2 JP6540964 B2 JP 6540964B2 JP 2016057030 A JP2016057030 A JP 2016057030A JP 2016057030 A JP2016057030 A JP 2016057030A JP 6540964 B2 JP6540964 B2 JP 6540964B2
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Description

本発明は、ウエハチャックに保持されるウエハ上の電極パッドとプローブカードに設けられたプローブとを接触させるプロービング装置及びプローブコンタクト方法に関する。   The present invention relates to a probing apparatus and a probe contact method for bringing an electrode pad on a wafer held by a wafer chuck into contact with a probe provided on a probe card.

従来、ウエハチャックに設けられたシール部材がプローブカードに接触してウエハチャック、プローブカード、及びシール部材により囲まれた内部空間(密閉空間)が形成されるまで、昇降機構によってウエハチャックを上昇させ、その後、減圧手段(真空ポンプ)によって当該内部空間を減圧することで、ウエハチャックをプローブカードに向けて引き寄せ、当該ウエハチャックに保持されたウエハ(半導体ウェハ)上の電極パッドとプローブカードに設けられたプローブとを接触させるプロービング装置及びプローブコンタクト方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。   Conventionally, the elevating mechanism lifts the wafer chuck until the seal member provided on the wafer chuck contacts the probe card to form an internal space (closed space) surrounded by the wafer chuck, the probe card, and the seal member. Then, the wafer chuck is drawn toward the probe card by depressurizing the internal space by the depressurizing means (vacuum pump), and provided on the electrode pads and the probe card on the wafer (semiconductor wafer) held by the wafer chuck. There is known a probing apparatus and a probe contact method for bringing the probe into contact with the probe (see, for example, Patent Document 1).

また、従来、ウエハ上の電極パッドとプローブとを接触させる際、電気的な接触信頼性の観点から、ウエハ上の電極パッドに形成される絶縁体である酸化膜を除去して新しい金属面同士を接触させることが求められている(例えば、特許文献2参照)。   Also, conventionally, when contacting the electrode pad on the wafer with the probe, from the viewpoint of electrical contact reliability, the oxide film, which is the insulator formed on the electrode pad on the wafer, is removed to make new metal surfaces It is required to bring in contact with each other (see, for example, Patent Document 2).

また、半導体製造工程は、多数の工程を有し、品質保証及び歩留まりの向上のために、各種の製造工程で各種の検査が行われる。例えば、半導体ウエハ上に半導体装置の複数のチップが形成された段階で、各チップの半導体装置の電極パッドをテストヘッドに接続し、テストヘッドから電源及びテスト信号を供給し、半導体装置の出力する信号をテストヘッドで測定して、正常に動作するかを電気的に検査するウエハレベル検査が行われている。   In addition, the semiconductor manufacturing process has a large number of processes, and various inspections are performed in various manufacturing processes in order to improve quality assurance and yield. For example, when a plurality of chips of the semiconductor device are formed on the semiconductor wafer, the electrode pads of the semiconductor device of each chip are connected to the test head, the power and the test signal are supplied from the test head, and the semiconductor device outputs Wafer level inspections are performed in which signals are measured by a test head to electrically inspect whether they operate properly.

ウエハレベル検査の後、ウエハはフレームに貼り付けられ、ダイサで個別のチップに切断される。切断された各チップは、正常に動作することが確認されたチップのみが次の組み立て工程でパッケージ化され、動作不良のチップは組み立て工程から除かれる。更に、パッケージ化された最終製品は、出荷検査が行われる。   After wafer level inspection, the wafer is attached to the frame and diced into individual chips with a dicer. For each chip that has been cut, only chips that have been confirmed to operate properly are packaged in the next assembly process, and malfunctioning chips are removed from the assembly process. In addition, the packaged final product is subjected to shipping inspection.

ウエハレベル検査は、ウエハ上の各チップの電極パッドにプローブを接触させるプローバを使用して行われる。プローブはテストヘッドの端子に電気的に接続され、テストヘッドからプローブを介して各チップに電源及びテスト信号が供給されると共に各チップからの出力信号をテストヘッドで検出して正常に動作するかを測定する。   Wafer level inspection is performed using a prober that brings probes into contact with the electrode pads of each chip on the wafer. Is the probe electrically connected to the terminal of the test head, and the test head supplies power and test signals to each chip through the probe, and does the test head detect the output signal from each chip and operate normally? Measure

半導体製造工程においては、製造コストの低減のために、ウエハの大型化や一層の微細化(集積化)が進められており、1枚のウエハ上に形成されるチップの個数が非常に大きくなっている。それに伴って、プローバでの1枚のウエハの検査に要する時間も長くなっており、スループットの向上が求められている。そこで、スループットの向上を図るため、多数のプローブを設けて複数個のチップを同時に検査できるようにするマルチプロービングが行われている。近年、同時に検査するチップ数は益々増加し、ウエハ上のすべてのチップを同時に検査する試みも行われている。そのため、電極パッドとプローブを接触させる位置合わせの許容誤差が小さくなっており、プローバにおける移動の位置精度を高めることが求められている。   In the semiconductor manufacturing process, in order to reduce the manufacturing cost, the enlargement of the wafer and the further miniaturization (integration) are being promoted, and the number of chips formed on one wafer becomes very large. ing. Along with this, the time required for inspection of one wafer with a prober is also long, and improvement in throughput is required. Therefore, in order to improve the throughput, multi-probing is performed in which a large number of probes are provided so that a plurality of chips can be inspected simultaneously. In recent years, the number of chips to be simultaneously inspected has been increasing and attempts have been made to simultaneously inspect all the chips on a wafer. Therefore, the tolerance of the alignment which contacts an electrode pad and a probe is small, and it is calculated | required that a position accuracy of the movement in a prober is raised.

一方、スループットを増加するもっとも簡単な方法として、プローバの台数を増加させることが考えられるが、プローバの台数を増加させると、製造ラインにおけるプローバの設置面積も増加するという問題を生じる。また、プローバの台数を増加させると、その分装置コストも増加することになる。そのため、設置面積の増加や装置コストの増加を抑えてスループットを増加させることが求められている。   On the other hand, although it is conceivable to increase the number of probers as the simplest way to increase the throughput, when the number of probers is increased, there arises a problem that the installation area of the prober in the manufacturing line also increases. In addition, if the number of probers is increased, the cost of the apparatus will be increased accordingly. Therefore, it is required to suppress the increase of the installation area and the increase of the device cost to increase the throughput.

このような背景のもと、例えば特許文献1には、テストヘッドが電気的に接続されたプローブカードを有する複数の測定部を有する試験装置が提案されている。この試験装置では、ウエハとプローブカードとの相対的な位置合わせを行うアライメント装置が各測定部間を相互に移動できるように構成されている。   Under such background, for example, Patent Document 1 proposes a test apparatus having a plurality of measurement units having a probe card to which a test head is electrically connected. In this test apparatus, an alignment apparatus that performs relative alignment between the wafer and the probe card is configured to be able to move between the measurement units.

特開2010−186998号公報JP, 2010-186998, A 特開2003−287552号公報JP 2003-287552 A

しかしながら、特許文献1に記載のプロービング装置及びプローブコンタクト方法においては、ウエハ上の電極パッドとプローブとは、昇降機構によるウエハチャックの上昇動作によっては接触せず、その後の減圧手段によるウエハチャックの引き寄せ動作によって初めて接触すること、そして、減圧手段によるウエハチャックの引き寄せ速度が昇降機構によるウエハチャックの上昇速度と比べて遅いことから、減圧手段によるウエハチャックの引き寄せ動作によってウエハ上の電極パッドとプローブとが接触しても、ウエハ上の電極パッドに形成される絶縁体である酸化膜を除去することができず、ウエハ上の電極パッドとプローブとの電気的な接触信頼性を高めることが難しいという問題がある。   However, in the probing device and the probe contact method described in Patent Document 1, the electrode pad on the wafer and the probe do not contact due to the raising operation of the wafer chuck by the elevation mechanism, and the wafer chuck is pulled by the pressure reducing means thereafter. Since the contact by the operation for the first time and the pulling speed of the wafer chuck by the pressure reducing means are slower than the rising speed of the wafer chuck by the raising and lowering mechanism, the pulling operation of the wafer chuck by the pressure reducing means Can not remove the oxide film which is an insulator formed on the electrode pad on the wafer, and it is difficult to improve the reliability of the electrical contact between the electrode pad on the wafer and the probe. There's a problem.

また、特許文献1に記載された試験装置では、各測定部でアライメント装置を共有することによって省スペース化やコストダウンを図ることができるものの、次のような問題がある。   Moreover, in the test apparatus described in Patent Document 1, space saving and cost reduction can be achieved by sharing the alignment device among the measurement units, but there are the following problems.

すなわち、アライメント装置の移動距離が長くなると、アライメント装置を各測定部に移動させるための移動機構やその移動機構が取り付けられる支持部材(フレーム)は、アライメント装置の自重や熱膨張又は熱収縮による影響によって歪みが発生しやすくなるので、各測定部に移動したアライメント装置の位置精度が低下する要因となる。このため、撮像手段を用いてウエハ上の電極パッドやプローブの位置を検出するのに時間を要し、結果的にアライメント動作に時間がかかり、スループットが遅くなるという問題がある。   That is, when the movement distance of the alignment device becomes long, the movement mechanism for moving the alignment device to each measurement unit and the support member (frame) to which the movement mechanism is attached are affected by the weight of the alignment device and thermal expansion or contraction. As a result, distortion is likely to occur, which causes a decrease in the positional accuracy of the alignment device moved to each measurement unit. For this reason, it takes time to detect the positions of the electrode pads and the probes on the wafer using the imaging means, and as a result, the alignment operation takes a long time, and there is a problem that the throughput is delayed.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、ウエハ上の電極パッドとプローブとの電気的な接触信頼性を高めることができるプロービング装置及びプローブコンタクト方法を提供することを第1の目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and it is a first object of the present invention to provide a probing apparatus and a probe contact method capable of enhancing the reliability of electrical contact between an electrode pad and a probe on a wafer. To aim.

また、各測定部で共有されるアライメント装置の移動位置の精度を保ちつつ、設置面積の増加や装置コストの増加を抑えてスループットを向上させることができるプロービング装置及びプローブコンタクト方法を提供することを第2の目的とする。   Further, it is possible to provide a probing device and a probe contact method capable of improving the throughput while suppressing the increase in the installation area and the device cost while maintaining the accuracy of the movement position of the alignment device shared by each measurement unit. The second purpose.

上記第1の目的を達成するために、本発明のプロービング装置は、ウエハを支持したウエハチャックをプローブを有するプローブカードに近づける方向に移動させることにより、前記プローブを前記ウエハに接触させて電気特性を測定するプロービング装置において、前記ウエハチャックと前記プローブカードとの間で密閉空間を形成させるシール機構と、前記ウエハチャックを着脱自在に固定するウエハチャック固定部を有し、前記ウエハ上の電極パッドに形成された酸化膜を除去するために前記ウエハチャックを所定速度で前記電極パッドと前記プローブとが接触する位置まで上昇させることで、前記ウエハに前記プローブを接触させる、機械的なウエハチャック昇降手段と、前記ウエハチャック昇降手段により前記酸化膜が除去された後、前記ウエハチャック固定部による前記ウエハチャックの固定が解除された状態において前記密閉空間を減圧することで、前記ウエハに前記プローブを所定の圧力で接触させる接触圧力付与手段と、を有することを特徴とする。   In order to achieve the first object described above, the probing apparatus of the present invention brings the wafer into contact with the wafer by moving the wafer chuck supporting the wafer in a direction approaching the probe card having the probe, and thereby the electrical characteristics A probe mechanism having a seal mechanism for forming a sealed space between the wafer chuck and the probe card, and a wafer chuck fixing portion for detachably fixing the wafer chuck, and an electrode pad on the wafer In order to remove the oxide film formed on the wafer chuck, the wafer chuck is raised at a predetermined speed to a position where the electrode pad and the probe come in contact with each other, thereby bringing the probe into contact with the wafer. The oxide film is removed by the means and the wafer chuck lifting means Contact pressure applying means for bringing the probe into contact with the wafer at a predetermined pressure by reducing the pressure of the sealed space in a state where the wafer chuck fixing portion releases the fixing of the wafer chuck. I assume.

本発明のプロービング装置の一態様は、前記ウエハチャック昇降手段は、前記ウエハに前記プローブが複数回接触するように前記ウエハチャックを昇降させ、前記接触圧力付与手段は、前記ウエハに前記プローブが最後に接触した後、前記ウエハに前記プローブが所定の圧力で接触するように前記密閉空間を減圧する。   In one aspect of the probing apparatus of the present invention, the wafer chuck lifting and lowering means lifts and lowers the wafer chuck such that the probe contacts the wafer a plurality of times, and the contact pressure applying means lasts the probe on the wafer The vacuum chamber is depressurized so that the probe contacts the wafer at a predetermined pressure.

本発明のプロービング装置の一態様は、前記プローブカードを支持するプローブカード支持部材をさらに備え、前記ウエハチャック又は前記プローブカード支持部材は、前記密閉空間と外部環境とを連通する連通孔を開閉するシャッタ手段を備える。   One aspect of the probing apparatus according to the present invention further includes a probe card support member for supporting the probe card, and the wafer chuck or the probe card support member opens and closes a communication hole communicating the sealed space with the external environment. The shutter means is provided.

本発明のプロービング装置の一態様は、前記シャッタ手段は、前記ウエハチャック昇降手段によって前記ウエハと前記プローブとが接触される間、前記連通孔を開状態とする。   In one aspect of the probing apparatus of the present invention, the shutter means opens the communication hole while the wafer and the probe are in contact with each other by the wafer chuck lifting means.

本発明のプロービング装置の一態様は、前記シャッタ手段は、前記接触圧力付与手段によって前記密閉空間が減圧される間、前記連通孔を閉状態とする。   In one aspect of the probing device of the present invention, the shutter means closes the communication hole while the sealed space is depressurized by the contact pressure applying means.

本発明のプロービング装置の一態様は、前記ウエハチャック昇降手段による、前記プローブカードに対する前記ウエハチャックの上昇速度をV1とし、前記接触圧力付与手段による、前記プローブカードに対する前記ウエハチャックの上昇速度をV2としたとき、V1>V2である。   In one aspect of the probing apparatus according to the present invention, the rising speed of the wafer chuck with respect to the probe card by the wafer chuck lifting means is V1, and the rising speed of the wafer chuck with respect to the probe card by the contact pressure applying means is V2. And V1> V2.

本発明のプロービング装置の一態様は、前記ウエハチャック昇降手段による、前記ウエハチャックに保持されるウエハの前記プローブに対する接触圧をPr1とし、前記接触圧力付与手段による、前記ウエハチャックに保持されるウエハの前記プローブに対する接触圧をPr2としたとき、Pr1<Pr2である。   In one aspect of the probing apparatus according to the present invention, the contact pressure of the wafer held by the wafer chuck against the probe by the wafer chuck lifting means is Pr1, and the wafer held by the wafer chuck by the contact pressure applying means It is Pr1 <Pr2 when the contact pressure with respect to the said probe of is set to Pr2.

上記第2の目的を達成するため、本発明のプロービング装置は、前記プローブカードを有する複数の測定部と、ベース上に設けられ、前記ウエハチャックに保持されたウエハと前記プローブカードとの相対的な位置合わせを行うアライメント装置と、前記アライメント装置を各測定部間で相互に移動させる移動装置と、前記測定部毎に設けられ、各測定部に移動した前記アライメント装置の前記ベースを位置決めして固定する位置決め固定装置と、を備える。   In order to achieve the above second object, the probing device of the present invention comprises a plurality of measurement units having the probe card, and a relative position between a wafer held on the wafer chuck and the probe card provided on the base. Alignment apparatus for performing various alignments, a moving apparatus for mutually moving the alignment apparatus among the measurement units, and a positioning apparatus provided for each of the measurement units and positioning the base of the alignment apparatus moved to each measurement unit And a positioning and fixing device for fixing.

上記第1の目的を達成するため、本発明のプローブコンタクト方法は、ウエハを支持したウエハチャックをプローブを有するプローブカードに近づける方向に移動させることにより、前記プローブを前記ウエハに接触させて電気特性を測定するプロービング装置におけるプローブコンタクト方法において、前記ウエハチャックと前記プローブカードとの間で密閉空間を形成させるシール工程と、前記ウエハチャックを着脱自在に固定し、前記ウエハ上の電極パッドに形成された酸化膜を除去するために前記ウエハチャックを所定速度で前記電極パッドと前記プローブとが接触する位置まで上昇させることで、前記ウエハに前記プローブを接触させる、機械的なウエハチャック昇降工程と、前記ウエハチャック昇降工程により前記酸化膜が除去された後、前記ウエハチャック固定部による前記ウエハチャックの固定が解除された状態において前記密閉空間を減圧することで、前記ウエハに前記プローブを所定の圧力で接触させる接触圧力付与工程と、を有することを特徴とする。   In order to achieve the first object described above, according to the probe contact method of the present invention, the probe is brought into contact with the wafer by moving the wafer chuck supporting the wafer in a direction approaching the probe card having the probe. And a sealing step of forming an enclosed space between the wafer chuck and the probe card, and the wafer chuck is detachably fixed to the electrode pad on the wafer. Mechanically moving the wafer chuck up and down by bringing the probe into contact with the wafer by raising the wafer chuck at a predetermined speed to a position where the electrode pad and the probe are in contact in order to remove an oxidized film; The oxide film is removed by the wafer chuck lifting process And pressure applying the contact pressure to the wafer at a predetermined pressure by depressurizing the sealed space in a state where the wafer chuck fixing portion releases the fixed state of the wafer chuck. It is characterized by

本発明のプローブコンタクト方法の一態様は、前記ウエハチャック昇降工程は、前記ウエハに前記プローブが複数回接触するように前記ウエハチャックを昇降させ、前記接触圧力付与工程は、前記ウエハに前記プローブが最後に接触した後、前記ウエハに前記プローブが所定の圧力で接触するように前記密閉空間を減圧する。   In one aspect of the probe contact method of the present invention, in the wafer chuck raising and lowering step, the wafer chuck is raised and lowered such that the probe contacts the wafer a plurality of times, and in the contact pressure applying step, the probe is attached to the wafer After the last contact, the enclosed space is depressurized so that the probe contacts the wafer at a predetermined pressure.

本発明のプローブコンタクト方法の一態様は、前記プロービング装置は、前記プローブカードを支持するプローブカード支持部材をさらに備え、前記ウエハチャック又は前記プローブカード支持部材は、前記密閉空間と外部環境とを連通する連通孔を開閉するシャッタ手段を備える。   In one aspect of the probe contact method of the present invention, the probing apparatus further includes a probe card support member for supporting the probe card, and the wafer chuck or the probe card support member communicates the sealed space with an external environment. Shutter means for opening and closing the communication hole.

本発明のプローブコンタクト方法の一態様は、前記ウエハチャック昇降工程によって前記ウエハと前記プローブとが接触される間、前記シャッタ手段が前記連通孔を開状態とする連通孔開工程をさらに備える。   One aspect of the probe contact method of the present invention further includes a communicating hole opening step in which the shutter means opens the communicating hole while the wafer and the probe are brought into contact by the wafer chuck lifting and lowering step.

本発明のプローブコンタクト方法の一態様は、前記接触圧力付与工程によって前記密閉空間が減圧される間、前記シャッタ手段が前記連通孔を閉状態とする連通孔閉工程をさらに備える。   One aspect of the probe contact method of the present invention further includes a communicating hole closing step in which the shutter means closes the communicating hole while the sealed space is depressurized by the contact pressure applying step.

本発明のプローブコンタクト方法の一態様は、前記ウエハチャック昇降工程における、前記プローブカードに対する前記ウエハチャックの上昇速度をV1とし、前記接触圧力付与工程における、前記プローブカードに対する前記ウエハチャックの上昇速度をV2としたとき、V1>V2である。   In one aspect of the probe contact method of the present invention, the rising speed of the wafer chuck with respect to the probe card in the wafer chuck lifting process is V1, and the rising speed of the wafer chuck with respect to the probe card in the contact pressure application process is When V2 is satisfied, V1> V2.

本発明のプローブコンタクト方法の一態様は、前記ウエハチャック昇降工程における、前記ウエハチャックに保持されるウエハの前記プローブに対する接触圧をPr1とし、前記接触圧力付与工程における、前記ウエハチャックに保持されるウエハの前記プローブに対する接触圧をPr2としたとき、Pr1<Pr2である。   In one aspect of the probe contact method of the present invention, the contact pressure of the wafer held by the wafer chuck against the probe in the wafer chuck lifting step is Pr1, and the contact pressure application step is held by the wafer chuck If the contact pressure of the wafer against the probe is Pr2, then Pr1 <Pr2.

上記第2の目的を達成するため、本発明のプローブコンタクト方法は、前記プロービング装置は、前記プローブカードを有する複数の測定部と、ベース上に設けられ、前記ウエハチャックに保持されたウエハと前記プローブカードとの相対的な位置合わせを行うアライメント装置と、前記アライメント装置を各測定部間で相互に移動させる移動装置と、前記測定部毎に設けられ、各測定部に移動した前記アライメント装置の前記ベースを位置決めして固定する位置決め固定装置と、を備え、前記アライメント装置を各測定部間で相互に移動させる移動工程と、各測定部に移動した前記アライメント装置の前記ベースを位置決めして固定する位置決め固定工程と、前記アライメント装置の前記ベースが位置決めして固定された状態で、前記アライメント装置により前記ウエハチャックに保持されたウエハと前記プローブカードとの相対的な位置合わせを行うアライメント工程と、をさらに含み、前記ウエハチャック昇降工程は、前記アライメント工程が行われた後、行われる。   In order to achieve the above second object, in the probe contact method of the present invention, the probing device is provided with a plurality of measurement units having the probe card, a wafer provided on a base and held by the wafer chuck An alignment apparatus for performing relative alignment with a probe card, a moving apparatus for mutually moving the alignment apparatus between measurement units, and an alignment apparatus provided for each measurement unit and moved to each measurement unit. A positioning and fixing device for positioning and fixing the base, and moving the alignment device relative to each other between the measuring units, and positioning and fixing the base of the alignment device moved to each measuring unit Positioning and fixing step, and in a state in which the base of the alignment device is positioned and fixed, Further including an alignment step of performing relative alignment between the wafer held on the wafer chuck and the probe card by a memory device, wherein the wafer chuck lifting and lowering step is performed after the alignment step is performed .

上記第2の目的を達成するために、本発明のプローバ(プロービング装置)は、テストヘッドに電気的に接続されるプローブカードを有する複数の測定部と、複数のチップが形成されたウエハを保持するウエハチャックと、ウエハチャックに保持されたウエハとプローブカードとの相対的な位置合わせを行うアライメント装置と、アライメント装置を各測定部間で相互に移動させる移動装置と、測定部毎に設けられ、各測定部に移動したアライメント装置を位置決めして固定する位置決め固定装置と、を備える。   In order to achieve the second object, the prober (probing apparatus) of the present invention holds a plurality of measurement units having a probe card electrically connected to a test head, and a wafer on which a plurality of chips are formed. A wafer chuck, an alignment device for performing relative alignment between the wafer held by the wafer chuck and the probe card, a moving device for mutually moving the alignment device between the measurement units, and And a positioning and fixing device that positions and fixes the moved alignment device to each measurement unit.

本発明のプローバの一態様は、位置決め固定装置は、アライメント装置の少なくとも3箇所を位置決めして着脱自在に把持固定するクランプ機構を備える。   In one aspect of the prober of the present invention, the positioning and fixing device includes a clamp mechanism that positions and releasably holds and fixes at least three positions of the alignment device.

本発明のプローバの一態様は、位置決め固定装置は、アライメント装置の少なくとも3箇所を位置決めする位置決め手段を備える。   In one aspect of the prober of the present invention, the positioning and fixing device includes positioning means for positioning at least three positions of the alignment device.

本発明のプローバの一態様は、位置決め固定装置は、位置決め手段とは別に構成され、アライメント装置の少なくとも1箇所を着脱自在に保持する保持手段を備える。   In one aspect of the prober of the present invention, the positioning and fixing device is configured separately from the positioning means, and includes holding means for detachably holding at least one place of the alignment device.

本発明のプローバの一態様は、位置決め固定装置は、アライメント装置の水平方向を調節可能な高さ調整手段を備える。   In one aspect of the prober of the present invention, the positioning and fixing device includes height adjustment means capable of adjusting the horizontal direction of the alignment device.

本発明のプローバの一態様は、アライメント装置は、ウエハを撮像する第1の撮像手段と、プローブカードを撮像する第2の撮像手段と、を備える。   In one aspect of the prober of the present invention, the alignment apparatus includes a first imaging unit that images a wafer, and a second imaging unit that images a probe card.

本発明のプローバの一態様は、移動装置は、ベルト駆動機構によってアライメント装置を移動させる。   In one aspect of the prober of the present invention, the moving device moves the alignment device by means of a belt drive mechanism.

本発明のプローバの一態様は、複数の測定部は、第1の方向及び第1の方向に直交する第2の方向に沿って2次元的に配置される。また、第1の方向又は第2の方向は鉛直方向であってもよい。   In one aspect of the prober of the present invention, the plurality of measurement units are two-dimensionally arranged along a first direction and a second direction orthogonal to the first direction. Also, the first direction or the second direction may be vertical.

また、上記第2の目的を達成するために、本発明のプローブ検査方法は、テストヘッドに電気的に接続されるプローブカードを有する複数の測定部と、複数のチップが形成されたウエハを保持するウエハチャックと、ウエハチャックに保持されたウエハとプローブカードとの相対的な位置合わせを行うアライメント装置と、を備えるプローバにおけるプローブ検査方法であって、アライメント装置を各測定部間で相互に移動させる移動ステップと、各測定部に移動したアライメント装置を位置決めして固定する位置決め固定ステップと、アライメント装置が位置決めして固定された状態で、アライメント装置によりウエハチャックに保持されたウエハとプローブカードとの相対的な位置合わせを行うアライメントステップと、を備える。   Further, in order to achieve the above second object, the probe inspection method of the present invention holds a plurality of measurement units having a probe card electrically connected to a test head, and a wafer on which a plurality of chips are formed. A probe inspection method in a prober comprising: a wafer chuck, and an alignment device for performing relative alignment between a wafer held by the wafer chuck and a probe card, wherein the alignment device is moved relative to each other between measurement units Moving step, positioning and fixing step for positioning and fixing the alignment device moved to each measuring unit, and a wafer and probe card held on the wafer chuck by the alignment device in a state where the alignment device is positioned and fixed. And an alignment step to perform relative alignment of the

本発明によれば、ウエハ上の電極パッドとプローブとの電気的な接触信頼性を高めることができるプロービング装置及びプローブコンタクト方法を提供することができる。また、各測定部に移動したアライメント装置を位置決めして固定する位置決め固定装置を備えたので、アライメント装置の移動位置の精度を保ちつつ、設置面積の増加や装置コストの増加を抑えてスループットを向上させることができる。   According to the present invention, it is possible to provide a probing device and a probe contact method capable of enhancing the reliability of electrical contact between an electrode pad and a probe on a wafer. In addition, since the positioning and fixing device for positioning and fixing the moved alignment device to each measurement unit is provided, throughput is improved by suppressing an increase in installation area and an increase in device cost while maintaining the accuracy of the movement position of the alignment device. It can be done.

本発明の実施形態のウエハレベル検査を行うシステムの概略構成を示す図A diagram showing a schematic configuration of a wafer level inspection system according to an embodiment of the present invention プローブカード周辺の構成を示す図Diagram showing configuration around probe card アライメント装置の概略構成を示した上方斜視図Top perspective view showing a schematic configuration of the alignment apparatus アライメント装置の概略構成を示した下方斜視図Lower perspective view showing a schematic configuration of the alignment apparatus 移動装置の構成例を概略的に示した平面図A plan view schematically showing a configuration example of a moving device 移動装置の構成例を概略的に示した側面図Side view schematically showing a configuration example of the moving device 移動装置の他の構成例を概略的に示した平面図A plan view schematically showing another configuration example of the moving device アライメント装置を位置決め固定した状態を示した図Figure showing the alignment device fixed in position 複数の測定部からなる測定部群が鉛直方向に積み重ねられた構成を示した図A diagram showing a configuration in which measurement unit groups including a plurality of measurement units are stacked in the vertical direction プローバを使用したプローブコンタクト方法を含む検査動作の例Example of inspection operation including probe contact method using prober 変形例であるウエハチャック16Aを備えたプローバを使用したプローブコンタクト方法を含む検査動作の例Example of inspection operation including a probe contact method using a prober provided with a wafer chuck 16A, which is a modification example

以下、添付図面に従って本発明の好ましい実施の形態について説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the attached drawings.

まず、第1実施形態のウエハレベル検査を行うシステムについて説明する。   First, a system for performing wafer level inspection according to the first embodiment will be described.

図1は、本発明の第1実施形態のウエハレベル検査を行うシステムの概略構成を示す図である。ウエハレベル検査を行うシステムは、ウエハ上の各チップの電極パッドにプローブを接触させるプローバ10と、プローブに電気的に接続され、電気的検査のために各チップに電源及びテスト信号を供給すると共に各チップからの出力信号を検出して正常に動作するかを測定するテスタ20とで構成される。   FIG. 1 is a view showing a schematic configuration of a wafer level inspection system according to a first embodiment of the present invention. The system for performing wafer level inspection is electrically connected to the prober 10 for contacting the probe to the electrode pad of each chip on the wafer and to the probe, and supplies power and test signal to each chip for electrical inspection. It comprises the tester 20 which detects the output signal from each chip and measures whether it operates normally.

図1において、基部11、側板12、及びヘッドステージ13がプローバ10の筐体を構成する。側板12で支持される上板を設け、上板にヘッドステージ13を設ける場合もある。   In FIG. 1, the base 11, the side plate 12, and the head stage 13 constitute a housing of the prober 10. In some cases, an upper plate supported by the side plate 12 is provided, and the head stage 13 is provided on the upper plate.

プローバ10には、複数の測定部(第1〜第3の測定部)14A〜14Cが設けられる。各測定部14A〜14Cは、それぞれ、ウエハWを保持するウエハチャック16と、ウエハWの各チップの電極に対応した多数のプローブ28を有するプローブカード18と、を備え、各測定部14A〜14Cにおいてウエハチャック16に保持されたウエハW上の全チップの同時検査が行われる。なお、各測定部14A〜14Cの構成は共通しているので、以下では、これらを代表して符号14によって測定部を示すものとする。   The prober 10 is provided with a plurality of measurement units (first to third measurement units) 14A to 14C. Each of the measurement units 14A to 14C includes a wafer chuck 16 for holding the wafer W and a probe card 18 having a large number of probes 28 corresponding to the electrodes of each chip of the wafer W, and each of the measurement units 14A to 14C. At the same time, simultaneous inspection of all the chips on the wafer W held by the wafer chuck 16 is performed. In addition, since the structure of each measurement part 14A-14C is common, below, these shall be represented and the measurement part shall be shown with the code | symbol 14. FIG.

図2は、プローブカード周辺の構成を示す図である。   FIG. 2 is a diagram showing the configuration around the probe card.

ウエハチャック16は、真空吸着等によりウエハを吸着して固定する。ウエハチャック16は、後述するアライメント装置50に着脱自在に支持され、アライメント装置50によってX−Y−Z−θ方向に移動可能となっている。   The wafer chuck 16 sucks and fixes the wafer by vacuum suction or the like. The wafer chuck 16 is detachably supported by an alignment device 50 described later, and is movable in the X-Y-Z-θ direction by the alignment device 50.

ウエハチャック16には、シーリング機構が設けられる。シーリング機構は、ウエハチャック16の上面の外周近傍に設けられた弾性を有するリング状シール部材40を備える。また、ウエハチャック16の上面には、ウエハWとリング状シール部材40との間に吸引口42が設けられる。吸引口42は、ウエハチャック16の内部に形成された吸引路43を介して真空圧を制御する吸引制御部46に接続されている。吸引制御部46は、真空ポンプ44に接続されている。リング状シール部材40がプローブカード18に接触した状態で吸引制御部46を作動させると、プローブカード18とウエハチャック16の間に形成されるシールされた内部空間Sが減圧され、ウエハチャック16がプローブカード18に向かって引き寄せられる。これにより、プローブカード18とウエハチャック16の密着状態となり、各プローブ28が各チップの電極パッドに接触して検査を開始可能な状態となる。   The wafer chuck 16 is provided with a sealing mechanism. The sealing mechanism includes an elastic ring-shaped seal member 40 provided near the outer periphery of the upper surface of the wafer chuck 16. Further, on the upper surface of the wafer chuck 16, a suction port 42 is provided between the wafer W and the ring-shaped seal member 40. The suction port 42 is connected to a suction control unit 46 that controls vacuum pressure via a suction path 43 formed inside the wafer chuck 16. The suction control unit 46 is connected to the vacuum pump 44. When the suction control unit 46 is operated with the ring-shaped seal member 40 in contact with the probe card 18, the sealed internal space S formed between the probe card 18 and the wafer chuck 16 is decompressed, and the wafer chuck 16 is It is drawn toward the probe card 18. As a result, the probe card 18 and the wafer chuck 16 are brought into close contact with each other, and each probe 28 comes into contact with the electrode pad of each chip to enable inspection to be started.

ヘッドステージ13には、測定部14毎に装着孔(カード取付部)26が設けられ、各装着孔26にはそれぞれプローブカード18が交換可能に取り付けられる。プローブカード18のウエハW上の各チップと対向する部分には、全チップの電極に対応してスプリングピン式の弾性のある複数のプローブ28が形成されている。なお、ここでは、ヘッドステージ13に直接プローブカード18を取り付ける構成を示したが、ヘッドステージ13にカードホルダを設け、カードホルダにプローブカード18を取り付ける場合もある。   In the head stage 13, mounting holes (card mounting portions) 26 are provided for each of the measurement units 14, and probe cards 18 are detachably mounted in the mounting holes 26. In the portion of the probe card 18 facing the chips on the wafer W, a plurality of spring-pin elastic probes 28 are formed corresponding to the electrodes of all the chips. Here, although the structure which attaches the probe card 18 directly to the head stage 13 was shown, a card holder may be provided in the head stage 13 and the probe card 18 may be attached to a card holder.

テスタ20は、測定部14毎に設けられた複数のテストヘッド22(22A〜22C)を有する。各テストヘッド22は、ヘッドステージ13の上面に載置される。なお、各テストヘッド22は、不図示の支持機構により、ヘッドステージ13の上方に保持される場合もある。   The tester 20 has a plurality of test heads 22 (22A to 22C) provided for each of the measurement units 14. Each test head 22 is mounted on the top surface of the head stage 13. Each test head 22 may be held above the head stage 13 by a support mechanism (not shown).

各テストヘッド22の端子は、コンタクトリング24の多数の接続ピンを介して、それぞれ対応するプローブカード18の端子に接続される。これにより、各テストヘッド22の端子は、プローブ28と電気的に接続された状態となる。   The terminals of each test head 22 are connected to the corresponding terminals of the probe card 18 via a large number of connection pins of the contact ring 24. As a result, the terminals of each test head 22 are electrically connected to the probes 28.

各測定部14には、ウエハチャック16の脱落を防止するためにサポート機構(チャック脱落防止機構)が設けられる。サポート機構は、ウエハチャック16を保持する複数の保持部30を備える。各保持部30は、ヘッドステージ13の装着孔26の周囲に所定の間隔毎に設けられる。本例では、装着孔26の周囲に90度間隔で4つの保持部30が設けられる(図1及び図2では2つの保持部30のみ図示)。   Each measurement unit 14 is provided with a support mechanism (chuck detachment prevention mechanism) in order to prevent the wafer chuck 16 from coming off. The support mechanism includes a plurality of holders 30 for holding the wafer chuck 16. Each holding portion 30 is provided at a predetermined interval around the mounting hole 26 of the head stage 13. In the present embodiment, four holders 30 are provided around the mounting hole 26 at intervals of 90 degrees (only two holders 30 are shown in FIGS. 1 and 2).

各保持部30は、装着孔26を中心として互いに近接/離反するように移動可能(拡径可能)に構成される。各保持部30の移動機構(不図示)は例えばボールネジやモータ等で構成される。各保持部30が近接した状態(図1及び図2において実線で示した状態)では、各保持部30の中心部に形成される通過孔32の内径が、ウエハチャック16の直径よりも小さくなるので、ウエハチャック16が各保持部30によって保持される。一方、各保持部30が互いに離反した状態(図1及び図2において破線で示した状態)では、通過孔32の内径が、ウエハチャック16の直径よりも大きくなるので、アライメント装置50がウエハチャック16を供給したり回収することができる。   Each holding portion 30 is configured to be movable (expandable) so as to approach / separate each other about the mounting hole 26. The moving mechanism (not shown) of each holding part 30 is comprised, for example with a ball screw, a motor, etc. When the holding portions 30 are close to each other (the state shown by the solid line in FIGS. 1 and 2), the inner diameter of the passage hole 32 formed at the center of each holding portion 30 becomes smaller than the diameter of the wafer chuck 16 Therefore, the wafer chuck 16 is held by each holding unit 30. On the other hand, since the inner diameter of the passage hole 32 is larger than the diameter of the wafer chuck 16 in the state where the holding portions 30 are separated from each other (the state shown by the broken line in FIG. 1 and FIG. 2) 16 can be supplied or recovered.

なお、サポート機構の構成については、上述の特許文献1に記載されるような各種の変形例を採用することが可能である。   In addition, about the structure of a support mechanism, it is possible to employ | adopt various modifications which are described in the above-mentioned patent document 1. FIG.

本実施形態のプローバ10は、ウエハチャック16を着脱自在に支持してウエハチャック16に保持されたウエハWのアライメント動作を行うアライメント装置50と、アライメント装置50を各測定部14が配列される方向(X軸方向)に沿って測定部14間を移動させる移動装置100と、を備える。   The prober 10 of the present embodiment supports the wafer chuck 16 detachably and performs alignment operation of the wafer W held by the wafer chuck 16, and a direction in which the measurement units 14 are arranged. And a moving device 100 for moving between the measurement units 14 along the (X-axis direction).

アライメント装置50は、ウエハチャック16をX−Y−Z−θ方向に移動させる移動・回転機構と、ウエハチャック16に保持されたウエハWの各チップの電極とプローブカード18の各プローブ28との相対的な位置関係を検出するアライメント機構と、を備え、ウエハチャック16を着脱自在に支持してウエハチャック16に保持されたウエハWのアライメント動作を行う。すなわち、ウエハチャック16に保持されたウエハWの各チップの電極とプローブカード18の各プローブ28との相対的な位置関係を検出し、その検出結果に基づいて、検査するチップの電極をプローブ28に接触させるようにウエハチャック16を移動させる。   The alignment apparatus 50 has a moving / rotating mechanism for moving the wafer chuck 16 in the X-Y-Z-.theta. Direction, an electrode of each chip of the wafer W held by the wafer chuck 16, and each probe 28 of the probe card 18. And an alignment mechanism for detecting a relative positional relationship, wherein the wafer chuck 16 is detachably supported, and an alignment operation of the wafer W held by the wafer chuck 16 is performed. That is, the relative positional relationship between the electrode of each chip of wafer W held by wafer chuck 16 and each probe 28 of probe card 18 is detected, and the electrode of the chip to be inspected is probed 28 based on the detection result. The wafer chuck 16 is moved so as to contact the

アライメント装置50は、真空吸着等によりウエハチャック16を吸着して固定するが、ウエハチャック16を固定できるものであれば、真空吸着以外の固定手段でもよく、例えば機械的手段等で固定するようにしてもよい。また、アライメント装置50には、ウエハチャック16との相対的な位置関係が常に一定となるように位置決め部材(不図示)が設けられている。   The alignment apparatus 50 sucks and fixes the wafer chuck 16 by vacuum suction or the like. However, as long as the wafer chuck 16 can be fixed, a fixing means other than vacuum suction may be used. For example, the wafer chuck 16 is fixed by mechanical means. May be Further, the alignment device 50 is provided with a positioning member (not shown) so that the relative positional relationship with the wafer chuck 16 is always constant.

図3及び図4は、アライメント装置50の概略構成を示した図である。具体的には、図3は、アライメント装置50の上方斜視図であり、図4は、アライメント装置50の下方斜視図である。なお、図3及び図4では、アライメント装置50の上面にウエハチャック16が支持された状態を示している。   3 and 4 are diagrams showing a schematic configuration of the alignment apparatus 50. As shown in FIG. Specifically, FIG. 3 is a top perspective view of the alignment device 50, and FIG. 4 is a bottom perspective view of the alignment device 50. As shown in FIG. 3 and 4 show a state in which the wafer chuck 16 is supported on the upper surface of the alignment apparatus 50.

図1及び図3に示すように、アライメント装置50は、ウエハチャック16を着脱自在に支持してウエハチャック16をZ軸方向に移動すると共にZ軸を回転中心として回転するZ軸移動・回転部52と、プローブ28の位置を検出するプローブ位置検出カメラ54と、プローブ位置検出カメラ54をZ軸方向に移動するカメラ移動機構56と、Z軸移動・回転部52及びカメラ移動機構56を支持してX軸方向に移動するX軸移動台58と、X軸移動台58を支持してY軸方向に移動するY軸移動台60と、Y軸移動台60を支持するベース62と、支柱64によって支持されたアライメントカメラ66と、を備える。ウエハチャック16をX−Y−Z−θ方向に移動させる移動・回転機構は、Z軸移動・回転部52と、X軸移動台58と、Y軸移動台60と、で構成される。また、アライメント機構は、プローブ位置検出カメラ54と、アライメントカメラ66と、カメラ移動機構56と、不図示の画像処理部と、で構成される。   As shown in FIGS. 1 and 3, the alignment apparatus 50 supports the wafer chuck 16 in a removable manner, moves the wafer chuck 16 in the Z axis direction, and rotates around the Z axis as a Z axis movement / rotation unit 52, a probe position detection camera 54 for detecting the position of the probe 28, a camera movement mechanism 56 for moving the probe position detection camera 54 in the Z axis direction, a Z axis movement / rotation unit 52 and the camera movement mechanism 56 X-axis moving table 58 moving in the X-axis direction, a Y-axis moving table 60 moving in the Y-axis direction by supporting the X-axis moving table 58, a base 62 supporting the Y-axis moving table 60, a support 64 And an alignment camera 66 supported by the The moving / rotating mechanism for moving the wafer chuck 16 in the X-Y-Z-.theta. Direction is composed of a Z-axis moving / rotating unit 52, an X-axis moving table 58, and a Y-axis moving table 60. Further, the alignment mechanism includes the probe position detection camera 54, the alignment camera 66, the camera moving mechanism 56, and an image processing unit (not shown).

ベース62の上には平行に2本のガイドレール68が設けられており、Y軸移動台60はこのガイドレール68の上を移動可能になっている。ベース62の上の2本のガイドレール68の間の部分には、駆動モータとこの駆動モータによって回転するボールネジ70が設けられている。ボールネジ70はY軸移動台60の底面に係合しており、ボールネジ70の回転により、Y軸移動台60がガイドレール68の上を摺動する。   Two guide rails 68 are provided in parallel on the base 62, and the Y-axis movable table 60 is movable on the guide rails 68. At a portion between the two guide rails 68 on the base 62, a drive motor and a ball screw 70 rotated by the drive motor are provided. The ball screw 70 is engaged with the bottom of the Y-axis moving table 60, and the Y-axis moving table 60 slides on the guide rail 68 by the rotation of the ball screw 70.

Y軸移動台60の上には、前述の2本のガイドレール68に直交する2本の平行なガイドレール72が設けられており、X軸移動台58はこのガイドレール72の上を移動可能になっている。Y軸移動台60の上の2本のガイドレール72の間の部分には、駆動モータとこの駆動モータによって回転するボールネジ74が設けられている。ボールネジ74はX軸移動台58の底面に係合しており、ボールネジ74の回転により、X軸移動台58がガイドレール72の上を摺動する。   On the Y-axis moving table 60, two parallel guide rails 72 orthogonal to the two guide rails 68 described above are provided, and the X-axis moving table 58 can move on the guide rails 72. It has become. A drive motor and a ball screw 74 rotated by the drive motor are provided in a portion between the two guide rails 72 on the Y-axis moving table 60. The ball screw 74 is engaged with the bottom surface of the X axis moving base 58, and the rotation of the ball screw 74 causes the X axis moving base 58 to slide on the guide rail 72.

なお、ボールネジの代わりにリニアモータを使用する場合もある。   In some cases, a linear motor may be used instead of the ball screw.

次に、移動装置100の構成について説明する。   Next, the configuration of the mobile device 100 will be described.

図1に示すように、移動装置100は、アライメント装置50を載置して搬送する搬送パレット102を有する。搬送パレット102は、X軸方向に沿って各測定部14間を移動可能に構成される。搬送パレット102を移動させるための移動機構(水平送り機構)としては、直線的な移動機構であればよく、例えば、ベルト駆動機構、リニアガイド機構、ボールネジ機構等により構成される。また、搬送パレット102には、アライメント装置50をZ軸方向に昇降させる昇降機構106が設けられる。昇降機構106は、周知のシリンダ機構等で構成される。これにより、アライメント装置50は、X軸方向に沿って各測定部14間を移動可能に構成されると共に、Z軸方向に昇降可能に構成される。なお、搬送パレット102の移動機構や昇降機構106は、不図示の制御手段による制御によって駆動される。   As shown in FIG. 1, the moving device 100 has a transport pallet 102 on which the alignment device 50 is placed and transported. The transport pallet 102 is configured to be movable between the measurement units 14 along the X-axis direction. The moving mechanism (horizontal feed mechanism) for moving the transport pallet 102 may be a linear moving mechanism, and is configured of, for example, a belt drive mechanism, a linear guide mechanism, a ball screw mechanism, or the like. Further, the transport pallet 102 is provided with a lifting mechanism 106 for lifting and lowering the alignment device 50 in the Z-axis direction. The lifting mechanism 106 is configured by a known cylinder mechanism or the like. Thus, the alignment apparatus 50 is configured to be movable between the measurement units 14 along the X-axis direction, and configured to be vertically movable in the Z-axis direction. The moving mechanism of the transport pallet 102 and the lifting mechanism 106 are driven by control by control means (not shown).

図5及び図6は、移動装置100の構成例を示した概略図である。具体的には、図5は、移動装置100の平面図であり、図6は、移動装置100の側面図である。   5 and 6 are schematic diagrams showing an example of the configuration of the mobile device 100. FIG. Specifically, FIG. 5 is a plan view of the moving device 100, and FIG. 6 is a side view of the moving device 100.

図5及び図6に示すように、基部11の上には平行に2本のガイドレール101が設けられており、搬送パレット102はこのガイドレール101の上を移動可能になっている。また、2本のガイドレール101の外側部分には、ガイドレール101に平行であって両端が基部11に固定されたタイミングベルト110が設けられている。   As shown in FIGS. 5 and 6, two guide rails 101 are provided in parallel on the base 11, and the transport pallet 102 is movable on the guide rails 101. In addition, timing belts 110 which are parallel to the guide rails 101 and whose both ends are fixed to the base 11 are provided on the outside portions of the two guide rails 101.

搬送パレット102には、駆動ユニット108が固定されている。駆動ユニット108は、駆動モータ112と、駆動モータ112の回転軸に連結された駆動プーリ114と、駆動プーリ114の周辺に配設された2個のアイドルプーリ116と、を有する。駆動プーリ114にはタイミングベルト110が巻き掛けられ、その両側に配置されるアイドルプーリ116によってタイミングベルト110の張力が調整されている。駆動モータ112を駆動させると、駆動プーリ114の回転により、搬送パレット102がガイドレール101の上を摺動する。これにより、搬送パレット102に支持されたアライメント装置50がX軸方向に沿って各測定部14間を移動する。   A drive unit 108 is fixed to the transport pallet 102. The drive unit 108 has a drive motor 112, a drive pulley 114 connected to the rotation shaft of the drive motor 112, and two idle pulleys 116 disposed around the drive pulley 114. The timing belt 110 is wound around the driving pulley 114, and the tension of the timing belt 110 is adjusted by idle pulleys 116 disposed on both sides thereof. When the drive motor 112 is driven, the transport pallet 102 slides on the guide rail 101 by the rotation of the drive pulley 114. Thus, the alignment device 50 supported by the transport pallet 102 moves between the measurement units 14 along the X-axis direction.

図7は、移動装置100の他の構成例を示した概略図である。図7に示した構成例は、ボールネジ機構を利用したものである。すなわち、基部11には、2本のガイドレール101の間に駆動モータ118及びボールネジ120で構成される駆動ユニットが設けられる。ボールネジ120は搬送パレット102の底面に係合しており、ボールネジ120の回転により、搬送パレット102がガイドレール101の上を摺動する。これにより、搬送パレット102に支持されたアライメント装置50はX軸方向に沿って各測定部14間を移動する。   FIG. 7 is a schematic view showing another configuration example of the mobile apparatus 100. As shown in FIG. The configuration example shown in FIG. 7 utilizes a ball screw mechanism. That is, the base 11 is provided with a drive unit constituted by the drive motor 118 and the ball screw 120 between the two guide rails 101. The ball screw 120 engages with the bottom surface of the transport pallet 102, and the rotation of the ball screw 120 causes the transport pallet 102 to slide on the guide rail 101. Thus, the alignment device 50 supported by the transport pallet 102 moves between the measuring units 14 along the X-axis direction.

本実施形態では、各測定部14に移動したアライメント装置50の3箇所を位置決めして着脱自在に把持固定するクランプ機構を有する位置決め固定装置が設けられる。具体的には、アライメント装置50には、ベース62の3箇所に複数の位置決めピン130(130A〜130C)が設けられる。一方、筐体の基部11には、各位置決めピン130をそれぞれクランプする複数のチャック部材(位置決め孔)134(134A〜134C)が設けられ、これらは測定部14毎にそれぞれ設けられる。クランプ機構は、位置決めピン130とチャック部材134で構成される。   In the present embodiment, a positioning and fixing device having a clamp mechanism that positions and detachably holds three positions of the alignment device 50 moved to each measurement unit 14 is provided. Specifically, the alignment device 50 is provided with a plurality of positioning pins 130 (130A to 130C) at three positions of the base 62. On the other hand, a plurality of chuck members (positioning holes) 134 (134A to 134C) for respectively clamping the positioning pins 130 are provided in the base 11 of the housing, and these are provided for each of the measurement units 14. The clamp mechanism is composed of the positioning pin 130 and the chuck member 134.

なお、クランプ機構としては、例えばボールロック方式やテーパスリーブ方式などの周知のクランプ機構が適用されるので、ここでは詳細な説明は省略する。   Note that, as a clamp mechanism, for example, a known clamp mechanism such as a ball lock system or a taper sleeve system is applied, so the detailed description will be omitted here.

各測定部14に移動したアライメント装置50を位置決め固定する場合には、昇降機構106によりアライメント装置50を下降させて、図8に示すように、各位置決めピン130をそれぞれ対応するチャック部材134に嵌入してクランプする。これにより、アライメント装置50は水平方向及び鉛直方向に位置決めされ、かつ、アライメント装置50の鉛直方向周りの回転が拘束された状態で、アライメント装置50が基部11に対して固定される。一方、アライメント装置50を他の測定部14に移動させる場合には、昇降機構106によりアライメント装置50を上昇させて、各チャック部材134からそれぞれ位置決めピン130が離脱させる。これにより、アライメント装置50の位置決め固定が解除され、移動装置100によってアライメント装置50は他の測定部14に移動可能な状態となる。   When positioning and fixing the alignment device 50 moved to each measurement unit 14, the alignment device 50 is lowered by the lifting mechanism 106, and as shown in FIG. 8, each positioning pin 130 is fitted into the corresponding chuck member 134. And clamp. Thus, the alignment device 50 is positioned in the horizontal direction and the vertical direction, and the alignment device 50 is fixed to the base 11 in a state in which the rotation around the vertical direction of the alignment device 50 is restricted. On the other hand, when moving the alignment device 50 to another measurement unit 14, the alignment device 50 is lifted by the lifting mechanism 106 to separate the positioning pins 130 from the respective chuck members 134. As a result, the positioning and fixing of the alignment device 50 is released, and the alignment device 50 can be moved to another measuring unit 14 by the moving device 100.

次に、本実施形態のプローバを使用した検査動作について説明する。   Next, an inspection operation using the prober of this embodiment will be described.

まず、これから検査を行う測定部14にアライメント装置50を移動させ、位置決め固定した後、Z軸移動・回転部52を上昇させて、アライメント装置50にウエハチャック16を保持させる。この状態で吸引制御部46による内部空間Sの減圧を解除し、サポート機構の各保持部30を相互に離反させた後、Z軸移動・回転部52によりウエハチャック16を下降させる。   First, the alignment device 50 is moved to the measurement unit 14 to be inspected from now on and positioned and fixed, and then the Z-axis movement / rotation unit 52 is raised to hold the wafer chuck 16 in the alignment device 50. In this state, the depressurization of the internal space S by the suction control unit 46 is released, the holding units 30 of the support mechanism are separated from each other, and then the wafer chuck 16 is lowered by the Z-axis movement / rotation unit 52.

次に、ウエハチャック16を支持するアライメント装置50を所定の受け渡し位置に移動させ、不図示のウエハ受け渡し機構(ローダ)によってウエハチャック16にウエハWがロードされ、真空吸着により固定される。   Next, the alignment apparatus 50 supporting the wafer chuck 16 is moved to a predetermined delivery position, and the wafer W is loaded on the wafer chuck 16 by a wafer delivery mechanism (not shown) (loader) and fixed by vacuum suction.

次に、アライメント動作を行う。具体的には、プローブ位置検出カメラ54がプローブ28の下に位置するように、X軸移動台58を移動させ、カメラ移動機構56でプローブ位置検出カメラ54をZ軸方向に移動して焦点を合わせ、プローブ位置検出カメラ54でプローブ28の先端位置を検出する。プローブ28の先端の水平面内の位置(X及びY座標)はカメラの座標により検出され、垂直方向の位置はカメラの焦点位置で検出される。なお、プローブカード18には、通常数百から数千本以上ものプローブ28が設けられており、すべてのプローブ28の先端位置を検出せずに、通常は特定のプローブの先端位置を検出する。   Next, an alignment operation is performed. Specifically, the X-axis movement table 58 is moved so that the probe position detection camera 54 is located under the probe 28, and the camera movement mechanism 56 moves the probe position detection camera 54 in the Z-axis direction to focus In addition, the tip position of the probe 28 is detected by the probe position detection camera 54. The position (X and Y coordinates) of the tip of the probe 28 in the horizontal plane is detected by the coordinates of the camera, and the vertical position is detected at the focal position of the camera. The probe card 18 is usually provided with several hundreds to several thousands or more probes 28. The tip position of a specific probe is usually detected without detecting the tip positions of all the probes 28.

次に、ウエハチャック16に検査するウエハWを保持した状態で、ウエハWがアライメントカメラ66の下に位置するように、X軸移動台58を移動させ、ウエハWの各チップの電極パッドの位置を検出する。1チップのすべての電極パッドの位置を検出する必要はなく、いくつかの電極パッドの位置を検出すればよい。また、ウエハW上のすべてのチップの電極パッドを検出する必要はなく、いくつかのチップの電極パッドの位置が検出される。   Next, while holding the wafer W to be inspected on the wafer chuck 16, the X-axis moving table 58 is moved so that the wafer W is positioned below the alignment camera 66, and the positions of the electrode pads of each chip of the wafer W To detect It is not necessary to detect the positions of all the electrode pads of one chip, but it is sufficient to detect the positions of several electrode pads. In addition, it is not necessary to detect the electrode pads of all the chips on the wafer W, and the positions of the electrode pads of several chips are detected.

次に、上記のようにして検出したプローブ28の配列及び電極パッドの配列に基づいて、プローブ28の配列方向と電極パッドの配列方向が一致するように、Z軸移動・回転部52によりウエハチャック16を回転した後、検査するチップの電極パッドがプローブ28の下に位置するようにウエハチャック16をX軸方向及びY軸方向に移動し、Z軸移動・回転部52によりウエハチャック16をZ軸方向に上昇させる。   Next, based on the arrangement of the probes 28 and the arrangement of the electrode pads detected as described above, the wafer chuck is moved by the Z-axis movement / rotation unit 52 so that the arrangement direction of the probes 28 matches the arrangement direction of the electrode pads. After rotating 16, the wafer chuck 16 is moved in the X-axis direction and Y-axis direction so that the electrode pad of the chip to be inspected is located under the probe 28, and the Z-axis movement / rotation unit 52 Z Raise axially.

この状態で、対応する電極パッドがプローブに接触する高さで、ウエハチャック16の上昇を停止する。このとき、リング状シール部材40がプローブカード18に接触し、プローブカード18とウエハチャック16の間にシールされた内部空間Sが形成される。そして、吸引制御部46を作動させて内部空間Sの圧力を低下させると、ウエハチャック16はプローブカード18に向かって引き寄せられ、プローブカード18とウエハチャック16は密着状態となり、プローブカード18の各プローブ28は均一な接触圧で対応する電極パッドに接触する。   In this state, the elevation of the wafer chuck 16 is stopped at the height at which the corresponding electrode pad contacts the probe. At this time, the ring-shaped seal member 40 contacts the probe card 18 and an internal space S sealed between the probe card 18 and the wafer chuck 16 is formed. Then, when the suction control unit 46 is operated to lower the pressure in the internal space S, the wafer chuck 16 is drawn toward the probe card 18 and the probe card 18 and the wafer chuck 16 are in close contact with each other. The probes 28 contact the corresponding electrode pads with uniform contact pressure.

一方、真空ポンプ44による内部空間Sの減圧によってプローブカード18とウエハチャック16が密着状態となったら、Z軸移動・回転部52をZ軸方向に下降させ、アライメント装置50からウエハチャック16を離脱させる。また、ウエハチャック16の脱落を防止するため、サポート機構の各保持部30を相互に近接した状態にする。   On the other hand, when the probe card 18 and the wafer chuck 16 come into close contact due to the pressure reduction of the internal space S by the vacuum pump 44, the Z axis movement / rotation unit 52 is lowered in the Z axis direction to separate the wafer chuck 16 from the alignment device 50. Let Also, in order to prevent the wafer chuck 16 from falling off, the holding portions 30 of the support mechanism are brought close to each other.

次に、テストヘッド22からウエハWの各チップに電源及びテスト信号を供給し、チップから出力される信号を検出して電気的な動作検査を行う。   Next, power and test signals are supplied from the test head 22 to the respective chips of the wafer W, and signals output from the chips are detected to conduct an electrical operation inspection.

以下、他の測定部14についても、同様の手順で、ウエハチャック16上にウエハWをロードし、各測定部14においてアライメント動作及びコンタクト動作が完了した後、ウエハWの各チップの同時検査が順次行われる。すなわち、テストヘッド22からウエハWの各チップに電源及びテスト信号を供給し、チップから出力される信号を検出して電気的な動作検査が行う。なお、ウエハチャック16はアライメント装置50に支持された状態で検査を行ってもよい。   Thereafter, the wafer W is loaded onto the wafer chuck 16 in the same procedure for the other measurement units 14 and after the alignment operation and the contact operation are completed in each measurement unit 14, simultaneous inspection of each chip of the wafer W is performed. It will be done sequentially. That is, power and test signals are supplied from the test head 22 to the respective chips of the wafer W, and signals output from the chips are detected to conduct an electrical operation inspection. The wafer chuck 16 may be inspected while being supported by the alignment device 50.

各測定部14において検査が完了したら、アライメント装置50を各測定部14に順次移動させて検査済ウエハWが保持されるウエハチャック16を回収する。   When the inspection in each measurement unit 14 is completed, the alignment apparatus 50 is sequentially moved to each measurement unit 14 to recover the wafer chuck 16 on which the inspected wafer W is held.

すなわち、各測定部14において検査が完了した場合には、アライメント装置50を検査が終了した測定部14に移動させ、位置決め固定した後、Z軸移動・回転部52をZ軸方向に上昇させ、ウエハチャック16がアライメント装置50に支持された後、吸引制御部46による内部空間Sの減圧を解除、具体的には内部空間Sに大気圧を導入する。これにより、プローブカード18とウエハチャック16の密着状態は解除される。そして、サポート機構の各保持部30を拡径状態にする。その後、Z軸移動・回転部52によりウエハチャック16をZ軸方向に下降させ、アライメント装置50の位置決め固定を解除した後、所定の受け渡し位置にアライメント装置50を移動させて、検査済ウエハWの固定を解除し、ウエハチャック16から検査済ウエハWをアンロードする。アンロードされた検査済ウエハWは、受け渡し機構により回収される。   That is, when the inspection in each measurement unit 14 is completed, the alignment device 50 is moved to the measurement unit 14 in which the inspection is completed, and after positioning and fixing, the Z-axis movement / rotation unit 52 is raised in the Z-axis direction, After the wafer chuck 16 is supported by the alignment apparatus 50, the pressure reduction of the internal space S by the suction control unit 46 is canceled, specifically, the atmospheric pressure is introduced into the internal space S. Thereby, the contact state between the probe card 18 and the wafer chuck 16 is released. And each holding part 30 of a support mechanism is made into a diameter-expanding state. Thereafter, the wafer chuck 16 is lowered in the Z-axis direction by the Z-axis movement / rotation unit 52 to release the positioning and fixing of the alignment device 50, and then the alignment device 50 is moved to a predetermined delivery position. The fixing is released and the inspected wafer W is unloaded from the wafer chuck 16. The unloaded inspected wafer W is collected by the delivery mechanism.

なお、本実施形態では、図1に示したように、各測定部14に対してそれぞれ1つずつウエハチャック16が割り当てられているが、これら複数のウエハチャック16は複数の測定部14間で受け渡されてもよい。   In the present embodiment, as shown in FIG. 1, one wafer chuck 16 is assigned to each measurement unit 14, but a plurality of these wafer chucks 16 are provided between the plurality of measurement units 14. It may be delivered.

このように本実施形態では、各測定部14で共有されるアライメント装置50を位置決め固定する位置決め固定装置を測定部14毎に備えたので、各測定部14に移動したアライメント装置50の位置再現性がきわめて高く、ウエハW上の電極パッドやプローブ28の位置を容易に検出することが可能となり、アライメント時間の短縮化を図ることができる。したがって、アライメント装置50の移動位置の精度を保ちつつ、設置面積の増加や装置コストの増加を抑えてスループットを向上させることができる。   As described above, in the present embodiment, since the positioning and fixing device for positioning and fixing the alignment device 50 shared by each measurement unit 14 is provided for each measurement unit 14, the position reproducibility of the alignment device 50 moved to each measurement unit 14 The position of the electrode pad and the probe 28 on the wafer W can be easily detected, and the alignment time can be shortened. Therefore, while maintaining the accuracy of the movement position of the alignment apparatus 50, it is possible to improve the throughput by suppressing the increase in the installation area and the increase in the apparatus cost.

また、本実施形態では、ウエハWを交換する毎にアライメント動作を最初から行う必要がなく、アライメント動作の一部を簡略化することも可能である。例えば、1枚目のウエハWの検査時には、ウエハWとプローブカード18との相対的な位置関係を検出してアライメントデータを記憶しておき、2枚目以降のウエハWの検査時には、1枚目のウエハWの検査時に取得したアライメントデータに基づき、ウエハWとプローブカード18との相対的な位置合わせを行うことができる。   Further, in the present embodiment, it is not necessary to perform the alignment operation from the beginning each time the wafer W is replaced, and part of the alignment operation can be simplified. For example, at the time of inspection of the first wafer W, the relative positional relationship between the wafer W and the probe card 18 is detected to store the alignment data, and at the time of inspection of the second and subsequent wafers W, Relative alignment between the wafer W and the probe card 18 can be performed based on alignment data acquired at the time of inspection of the wafer W of the eye.

また、本実施形態では、位置決め固定装置を備えたことによって、アライメント装置50の移動位置の精度を確保できるので、移動装置100として比較的高精度の移動が困難なベルト駆動機構等も好ましく用いることができる。   Further, in the present embodiment, since the accuracy of the movement position of the alignment device 50 can be secured by providing the positioning and fixing device, it is preferable to preferably use a belt drive mechanism or the like which is difficult to move with relatively high accuracy as the movement device 100. Can.

また、本実施形態では、位置決め固定装置は、アライメント装置50の3箇所を位置決めして着脱自在に把持固定するクランプ機構を有するので、アライメント装置50は、所謂3点支持構成により、水平方向及び鉛直方向に位置決めされ、かつ、アライメント装置50の鉛直方向周りの回転が拘束された状態で、アライメント装置50を基部11に対して固定することができる。これにより、各測定部14に移動したアライメント装置50を毎回同じ位置で精度良く位置決め固定することが可能となる。   Further, in the present embodiment, since the positioning and fixing device has a clamp mechanism that positions three positions of the alignment device 50 and detachably grips and fixes them, the alignment device 50 has horizontal and vertical directions by a so-called three-point support configuration. The alignment device 50 can be fixed to the base 11 in a state in which the alignment device 50 is positioned in the direction and the rotation around the vertical direction of the alignment device 50 is restricted. As a result, the alignment device 50 moved to each measurement unit 14 can be accurately positioned and fixed at the same position every time.

なお、本実施形態では、アライメント装置50の3箇所をクランプ機構によって位置決め固定する構成を示したが、アライメント装置50の水平方向及び鉛直方向並びに鉛直方向周りの回転方向を位置決めすることが可能であれば、アライメント装置50の3箇所に限らず4箇所以上をクランプ機構によって位置決め固定する構成としてもよい。   In the present embodiment, a configuration in which three positions of the alignment device 50 are positioned and fixed by the clamp mechanism is shown, but it is possible to position the rotational direction of the alignment device 50 in the horizontal direction, the vertical direction and the vertical direction. For example, not only three positions of the alignment device 50 but also four or more positions may be positioned and fixed by the clamp mechanism.

また、本実施形態では、クランプ機構によりアライメント装置50の3箇所で位置決めと固定がそれぞれ同一位置で行われるようになっているが、これらの位置は必ずしも同一位置である必要はなく、位置決め位置と固定位置が分離して構成されてもよい。   Further, in the present embodiment, positioning and fixing are performed at the same position at the three positions of the alignment device 50 by the clamp mechanism, but these positions do not necessarily have to be the same position. The fixed position may be configured separately.

例えば、アライメント装置50の3箇所を水平方向及び鉛直方向並びに鉛直方向周りの回転方向を位置決めした状態(すなわち、固定しない状態)で、これらの位置とは異なる1又は複数の箇所を周知の保持手段で保持して固定するようにしてもよい。保持手段としては、例えば、ねじりコイルバネ等の弾性部材の付勢力によってベース62の表裏面を上下方向から挟持する構成が好適である。   For example, in a state where three directions of the alignment device 50 are positioned in the horizontal direction, the vertical direction, and the rotation direction around the vertical direction (that is, not fixed), one or more places different from these positions are known holding means It may be held and fixed. As the holding means, for example, it is preferable that the front and back surfaces of the base 62 be held from above and below by the biasing force of an elastic member such as a torsion coil spring.

また、本実施形態では、クランプ機構には、アライメント装置50の水平方向を調節する高さ調節機構を有することが好ましい。高さ調節機構としては、例えば、押しネジ又は引きネジを利用した周知のネジ式高さ調節機構を用いることができる。これにより、例えばアライメント装置50が固定される基部11の面精度が変形によって悪くなっても、高さ調節機能によってアライメント装置50の平行調整を行うことができるので、アライメント精度の低下を防止することが可能となる。   Further, in the present embodiment, the clamp mechanism preferably includes a height adjustment mechanism that adjusts the horizontal direction of the alignment device 50. As a height adjustment mechanism, for example, a known screw height adjustment mechanism using a push screw or a draw screw can be used. Thus, for example, even if the surface accuracy of the base 11 to which the alignment device 50 is fixed is deteriorated due to deformation, parallel adjustment of the alignment device 50 can be performed by the height adjustment function, thereby preventing a decrease in alignment accuracy. Is possible.

また、本実施形態では、アライメント装置50には、アライメントカメラ66(第1の撮像手段)とプローブ位置検出カメラ54(第2の撮像手段)が搭載される。このため、測定部14毎に撮像手段が設けられる場合に比べて、測定部14毎の温度変化の違いによって生じる熱等の歪みによる影響を受けにくく、アライメントカメラ66とプローブ位置検出カメラ54との相対的な位置ずれが生じることがない。したがって、高精度かつ短時間でアライメント動作を行うことが可能となる。   Further, in the present embodiment, the alignment camera 50 (first imaging means) and the probe position detection camera 54 (second imaging means) are mounted on the alignment apparatus 50. Therefore, compared to the case where an imaging unit is provided for each measurement unit 14, it is less susceptible to distortion due to heat or the like caused by a difference in temperature change for each measurement unit 14, and alignment camera 66 and probe position detection camera 54 There is no relative displacement. Therefore, the alignment operation can be performed with high accuracy and in a short time.

また、本実施形態では、3つの測定部14がX軸方向に沿って配列される構成を示したが、測定部14の数や配置は特に限定されるものではなく、例えば、X軸方向及びY軸方向に複数の測定部14が2次元的に配置されてもよい。   Further, in the present embodiment, the configuration in which the three measurement units 14 are arranged along the X-axis direction is illustrated, but the number and arrangement of the measurement units 14 are not particularly limited. The plurality of measurement units 14 may be two-dimensionally arranged in the Y-axis direction.

また、複数の測定部14からなる測定部群がZ軸方向に積み重ねられた多段構成としてもよい。例えば、図9に示した構成例は、4つの測定部14からなる測定部群15(15A〜15C)がZ軸方向に3段積み重ねられた構成である。この構成では、アライメント装置50が測定部群15毎に設けられ、同一の測定部群15における各測定部14間でアライメント装置50が共有されるようになっている。なお、すべての測定部14でアライメント装置50が共有されるように構成されていてもよい。このような構成によれば、装置全体のフットプリントを小さくし、単位面積あたりの処理能力を上げることができ、コストダウンを図ることができる。   Furthermore, a multistage configuration may be adopted in which measurement unit groups including a plurality of measurement units 14 are stacked in the Z-axis direction. For example, the configuration example illustrated in FIG. 9 is a configuration in which measurement unit groups 15 (15A to 15C) including four measurement units 14 are stacked in three stages in the Z-axis direction. In this configuration, the alignment device 50 is provided for each of the measurement unit groups 15, and the alignment device 50 is shared between the measurement units 14 in the same measurement unit group 15. The alignment device 50 may be configured to be shared by all the measurement units 14. According to such a configuration, the footprint of the entire apparatus can be reduced, the processing capacity per unit area can be increased, and the cost can be reduced.

以上、本発明のプローバ及びプローブ検査方法について詳細に説明したが、本発明は、以上の例には限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変形を行ってもよいのはもちろんである。   As mentioned above, although the prober and the probe inspection method of the present invention have been described in detail, the present invention is not limited to the above examples, and various improvements and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. Of course.

次に、第2実施形態のウエハレベル検査を行うシステム(本発明のプロービング装置に相当)について、第1実施形態と一部重複するが、説明する。本実施形態のウエハレベル検査を行うシステムは、プローブコンタクト方法が相違する以外、基本的に第1実施形態と同様に構成されている。以下、第1実施形態と同様の構成については同じ符号を用いる。   Next, a system (corresponding to a probing apparatus of the present invention) for performing wafer level inspection of the second embodiment will be described although partially overlapping with the first embodiment. The system for performing the wafer level inspection of the present embodiment is basically configured in the same manner as the first embodiment except that the probe contact method is different. Hereinafter, the same reference numerals are used for the same configuration as that of the first embodiment.

図1は、本発明の第2実施形態のウエハレベル検査を行うシステムの概略構成を示す図である。ウエハレベル検査を行うシステムは、ウエハWを支持したウエハチャック16をプローブ28を有するプローブカード18に近づける方向に移動させることにより、プローブ28をウエハW上の電極パッドに接触させて電気特性を測定するプロービング装置であって、ウエハ上の各チップの電極パッド(以下、ウエハ上の電極パッドとも称する)にプローブを接触させるプローバ10と、プローブに電気的に接続され、電気的検査のために各チップに電源及びテスト信号を供給すると共に各チップからの出力信号を検出して正常に動作するかを測定するテスタ20とで構成される。   FIG. 1 is a view showing a schematic configuration of a wafer level inspection system according to a second embodiment of the present invention. The system for performing the wafer level inspection moves the wafer chuck 16 supporting the wafer W in a direction approaching the probe card 18 having the probes 28 to bring the probes 28 into contact with the electrode pads on the wafer W to measure the electrical characteristics. A prober for electrically connecting a probe to an electrode pad of each chip on the wafer (hereinafter also referred to as an electrode pad on the wafer), and the probe electrically connected to each other for electrical inspection The power supply and the test signal are supplied to the chip, and the output signal from each chip is detected to determine whether it operates properly or not.

図1において、基部11、側板12、及びヘッドステージ13がプローバ10の筐体を構成する。側板12で支持される上板を設け、上板にヘッドステージ13を設ける場合もある。   In FIG. 1, the base 11, the side plate 12, and the head stage 13 constitute a housing of the prober 10. In some cases, an upper plate supported by the side plate 12 is provided, and the head stage 13 is provided on the upper plate.

プローバ10には、複数の測定部(第1〜第3の測定部)14A〜14Cが設けられる。各測定部14A〜14Cは、それぞれ、ウエハWを保持するウエハチャック16と、ウエハWの各チップの電極に対応した多数のプローブ28を有するプローブカード18と、を備え、各測定部14A〜14Cにおいてウエハチャック16に保持されたウエハW上の全チップの同時検査が行われる。なお、各測定部14A〜14Cの構成は共通しているので、以下では、これらを代表して符号14によって測定部を示すものとする。   The prober 10 is provided with a plurality of measurement units (first to third measurement units) 14A to 14C. Each of the measurement units 14A to 14C includes a wafer chuck 16 for holding the wafer W and a probe card 18 having a large number of probes 28 corresponding to the electrodes of each chip of the wafer W, and each of the measurement units 14A to 14C. At the same time, simultaneous inspection of all the chips on the wafer W held by the wafer chuck 16 is performed. In addition, since the structure of each measurement part 14A-14C is common, below, these shall be represented and the measurement part shall be shown with the code | symbol 14. FIG.

図2は、プローブカード周辺の構成を示す図である。   FIG. 2 is a diagram showing the configuration around the probe card.

ウエハチャック16は、真空吸着等によりウエハを吸着して固定する。ウエハチャック16は、後述するアライメント装置50に着脱自在に支持され、アライメント装置50によってX−Y−Z−θ方向に移動可能となっている。   The wafer chuck 16 sucks and fixes the wafer by vacuum suction or the like. The wafer chuck 16 is detachably supported by an alignment device 50 described later, and is movable in the X-Y-Z-θ direction by the alignment device 50.

ウエハチャック16には、シーリング機構が設けられる。シーリング機構は、ウエハチャック16とプローブカード18との間で密閉空間Sを形成させるシール機構であって、ウエハチャック16の上面の外周近傍に設けられた弾性を有するリング状シール部材40を備える。また、ウエハチャック16の上面には、ウエハWとリング状シール部材40との間に吸引口42が設けられる。吸引口42は、ウエハチャック16の内部に形成された吸引路43を介して真空圧を制御する吸引制御部46に接続されている。吸引制御部46は、真空ポンプ44に接続されている。リング状シール部材40がプローブカード18に接触し、ウエハチャック16、プローブカード18、及びリング状シール部材40により囲まれたシールされた内部空間S(密閉空間)が形成された状態で吸引制御部46を作動させると、内部空間Sが減圧され、ウエハチャック16がプローブカード18に向かって引き寄せられる。これにより、プローブカード18とウエハチャック16の密着状態となり、各プローブ28が各チップの電極パッドに接触して検査を開始可能な状態となる。なお、内部空間Sは、図10(b)に示すように、リング状シール部材40がヘッドステージ13に接触し、ウエハチャック16、ヘッドステージ13、プローブカード18及びリング状シール部材40により囲まれたシールされた内部空間として形成してもよい。   The wafer chuck 16 is provided with a sealing mechanism. The sealing mechanism is a sealing mechanism that forms a sealed space S between the wafer chuck 16 and the probe card 18 and includes an elastic ring-shaped sealing member 40 provided in the vicinity of the outer periphery of the upper surface of the wafer chuck 16. Further, on the upper surface of the wafer chuck 16, a suction port 42 is provided between the wafer W and the ring-shaped seal member 40. The suction port 42 is connected to a suction control unit 46 that controls vacuum pressure via a suction path 43 formed inside the wafer chuck 16. The suction control unit 46 is connected to the vacuum pump 44. The suction control unit in a state where the ring-shaped seal member 40 contacts the probe card 18 and the sealed internal space S (closed space) surrounded by the wafer chuck 16, the probe card 18 and the ring-shaped seal member 40 is formed. When 46 is operated, the internal space S is depressurized and the wafer chuck 16 is drawn toward the probe card 18. As a result, the probe card 18 and the wafer chuck 16 are brought into close contact with each other, and each probe 28 comes into contact with the electrode pad of each chip to enable inspection to be started. As shown in FIG. 10B, the ring-shaped seal member 40 contacts the head stage 13 and the inner space S is surrounded by the wafer chuck 16, the head stage 13, the probe card 18, and the ring-shaped seal member 40. It may be formed as a sealed internal space.

ヘッドステージ13(本発明のプローブカード支持部材に相当)には、測定部14毎に装着孔(カード取付部)26が設けられ、各装着孔26にはそれぞれプローブカード18が交換可能に取り付けられる。プローブカード18のウエハW上の各チップと対向する部分には、全チップの電極に対応してスプリングピン式の弾性のある複数のプローブ28が形成されている。なお、ここでは、ヘッドステージ13に直接プローブカード18を取り付ける構成を示したが、ヘッドステージ13にカードホルダを設け、カードホルダにプローブカード18を取り付ける場合もある。   In the head stage 13 (corresponding to a probe card support member of the present invention), a mounting hole (card mounting portion) 26 is provided for each of the measurement units 14, and the probe card 18 is mounted replaceably in each mounting hole 26. . In the portion of the probe card 18 facing the chips on the wafer W, a plurality of spring-pin elastic probes 28 are formed corresponding to the electrodes of all the chips. Here, although the structure which attaches the probe card 18 directly to the head stage 13 was shown, a card holder may be provided in the head stage 13 and the probe card 18 may be attached to a card holder.

テスタ20は、測定部14毎に設けられた複数のテストヘッド22(22A〜22C)を有する。各テストヘッド22は、ヘッドステージ13の上面に載置される。なお、各テストヘッド22は、不図示の支持機構により、ヘッドステージ13の上方に保持される場合もある。   The tester 20 has a plurality of test heads 22 (22A to 22C) provided for each of the measurement units 14. Each test head 22 is mounted on the top surface of the head stage 13. Each test head 22 may be held above the head stage 13 by a support mechanism (not shown).

各テストヘッド22の端子は、コンタクトリング24の多数の接続ピンを介して、それぞれ対応するプローブカード18の端子に接続される。これにより、各テストヘッド22の端子は、プローブ28と電気的に接続された状態となる。   The terminals of each test head 22 are connected to the corresponding terminals of the probe card 18 via a large number of connection pins of the contact ring 24. As a result, the terminals of each test head 22 are electrically connected to the probes 28.

各測定部14には、ウエハチャック16の脱落を防止するためにサポート機構(チャック脱落防止機構)が設けられる。サポート機構は、ウエハチャック16を保持する複数の保持部30を備える。各保持部30は、ヘッドステージ13の装着孔26の周囲に所定の間隔毎に設けられる。本例では、装着孔26の周囲に90度間隔で4つの保持部30が設けられる(図1及び図2では2つの保持部30のみ図示)。   Each measurement unit 14 is provided with a support mechanism (chuck detachment prevention mechanism) in order to prevent the wafer chuck 16 from coming off. The support mechanism includes a plurality of holders 30 for holding the wafer chuck 16. Each holding portion 30 is provided at a predetermined interval around the mounting hole 26 of the head stage 13. In the present embodiment, four holders 30 are provided around the mounting hole 26 at intervals of 90 degrees (only two holders 30 are shown in FIGS. 1 and 2).

各保持部30は、装着孔26を中心として互いに近接/離反するように移動可能(拡径可能)に構成される。各保持部30の移動機構(不図示)は例えばボールネジやモータ等で構成される。各保持部30が近接した状態(図1及び図2において実線で示した状態)では、各保持部30の中心部に形成される通過孔32の内径が、ウエハチャック16の直径よりも小さくなるので、ウエハチャック16が各保持部30によって保持される。一方、各保持部30が互いに離反した状態(図1及び図2において破線で示した状態)では、通過孔32の内径が、ウエハチャック16の直径よりも大きくなるので、アライメント装置50がウエハチャック16を供給したり回収することができる。   Each holding portion 30 is configured to be movable (expandable) so as to approach / separate each other about the mounting hole 26. The moving mechanism (not shown) of each holding part 30 is comprised, for example with a ball screw, a motor, etc. When the holding portions 30 are close to each other (the state shown by the solid line in FIGS. 1 and 2), the inner diameter of the passage hole 32 formed at the center of each holding portion 30 becomes smaller than the diameter of the wafer chuck 16 Therefore, the wafer chuck 16 is held by each holding unit 30. On the other hand, since the inner diameter of the passage hole 32 is larger than the diameter of the wafer chuck 16 in the state where the holding portions 30 are separated from each other (the state shown by the broken line in FIG. 1 and FIG. 2) 16 can be supplied or recovered.

なお、サポート機構の構成については、上述の特許文献1に記載されるような各種の変形例を採用することが可能である。   In addition, about the structure of a support mechanism, it is possible to employ | adopt various modifications which are described in the above-mentioned patent document 1. FIG.

本実施形態のプローバ10は、ウエハチャック16を着脱自在に支持してウエハチャック16に保持されたウエハWのアライメント動作を行うアライメント装置50と、アライメント装置50を各測定部14が配列される方向(X軸方向)に沿って測定部14間を移動させる移動装置100と、を備える。   The prober 10 of the present embodiment supports the wafer chuck 16 detachably and performs alignment operation of the wafer W held by the wafer chuck 16, and a direction in which the measurement units 14 are arranged. And a moving device 100 for moving between the measurement units 14 along the (X-axis direction).

アライメント装置50は、ウエハチャック16をX−Y−Z−θ方向に移動させる移動・回転機構と、ウエハチャック16に保持されたウエハWの各チップの電極とプローブカード18の各プローブ28との相対的な位置関係を検出するアライメント機構と、を備え、ウエハチャック16を着脱自在に支持してウエハチャック16に保持されたウエハWのアライメント動作を行う。すなわち、ウエハチャック16に保持されたウエハWの各チップの電極とプローブカード18の各プローブ28との相対的な位置関係を検出し、その検出結果に基づいて、検査するチップの電極をプローブ28に接触させるようにウエハチャック16を移動させる。   The alignment apparatus 50 has a moving / rotating mechanism for moving the wafer chuck 16 in the X-Y-Z-.theta. Direction, an electrode of each chip of the wafer W held by the wafer chuck 16, and each probe 28 of the probe card 18. And an alignment mechanism for detecting a relative positional relationship, wherein the wafer chuck 16 is detachably supported, and an alignment operation of the wafer W held by the wafer chuck 16 is performed. That is, the relative positional relationship between the electrode of each chip of wafer W held by wafer chuck 16 and each probe 28 of probe card 18 is detected, and the electrode of the chip to be inspected is probed 28 based on the detection result. The wafer chuck 16 is moved so as to contact the

アライメント装置50(Z軸移動・回転部52)は、真空吸着等によりウエハチャック16を吸着して固定するが、ウエハチャック16を固定できるものであれば、真空吸着以外の固定手段でもよく、例えば機械的手段等で固定するようにしてもよい。また、アライメント装置50には、ウエハチャック16との相対的な位置関係が常に一定となるように位置決め部材(不図示)が設けられている。   The alignment apparatus 50 (Z-axis movement / rotation unit 52) sucks and fixes the wafer chuck 16 by vacuum suction or the like. However, as long as the wafer chuck 16 can be fixed, fixing means other than vacuum suction may be used. It may be fixed by mechanical means or the like. Further, the alignment device 50 is provided with a positioning member (not shown) so that the relative positional relationship with the wafer chuck 16 is always constant.

図3及び図4は、アライメント装置50の概略構成を示した図である。具体的には、図3は、アライメント装置50の上方斜視図であり、図4は、アライメント装置50の下方斜視図である。なお、図3及び図4では、アライメント装置50の上面にウエハチャック16が支持された状態を示している。   3 and 4 are diagrams showing a schematic configuration of the alignment apparatus 50. As shown in FIG. Specifically, FIG. 3 is a top perspective view of the alignment device 50, and FIG. 4 is a bottom perspective view of the alignment device 50. As shown in FIG. 3 and 4 show a state in which the wafer chuck 16 is supported on the upper surface of the alignment apparatus 50.

図1及び図3に示すように、アライメント装置50は、ウエハチャック16を着脱自在に支持してウエハチャック16をZ軸方向に移動すると共にZ軸を回転中心として回転するZ軸移動・回転部52と、プローブ28の位置を検出するプローブ位置検出カメラ54と、プローブ位置検出カメラ54をZ軸方向に移動するカメラ移動機構56と、Z軸移動・回転部52及びカメラ移動機構56を支持してX軸方向に移動するX軸移動台58と、X軸移動台58を支持してY軸方向に移動するY軸移動台60と、Y軸移動台60を支持するベース62と、支柱64によって支持されたアライメントカメラ66と、を備える。ウエハチャック16をX−Y−Z−θ方向に移動させる移動・回転機構は、Z軸移動・回転部52と、X軸移動台58と、Y軸移動台60と、で構成される。また、アライメント機構は、プローブ位置検出カメラ54と、アライメントカメラ66と、カメラ移動機構56と、不図示の画像処理部と、で構成される。   As shown in FIGS. 1 and 3, the alignment apparatus 50 supports the wafer chuck 16 in a removable manner, moves the wafer chuck 16 in the Z axis direction, and rotates around the Z axis as a Z axis movement / rotation unit 52, a probe position detection camera 54 for detecting the position of the probe 28, a camera movement mechanism 56 for moving the probe position detection camera 54 in the Z axis direction, a Z axis movement / rotation unit 52 and the camera movement mechanism 56 X-axis moving table 58 moving in the X-axis direction, a Y-axis moving table 60 moving in the Y-axis direction by supporting the X-axis moving table 58, a base 62 supporting the Y-axis moving table 60, a support 64 And an alignment camera 66 supported by the The moving / rotating mechanism for moving the wafer chuck 16 in the X-Y-Z-.theta. Direction is composed of a Z-axis moving / rotating unit 52, an X-axis moving table 58, and a Y-axis moving table 60. Further, the alignment mechanism includes the probe position detection camera 54, the alignment camera 66, the camera moving mechanism 56, and an image processing unit (not shown).

ベース62の上には平行に2本のガイドレール68が設けられており、Y軸移動台60はこのガイドレール68の上を移動可能になっている。ベース62の上の2本のガイドレール68の間の部分には、駆動モータとこの駆動モータによって回転するボールネジ70が設けられている。ボールネジ70はY軸移動台60の底面に係合しており、ボールネジ70の回転により、Y軸移動台60がガイドレール68の上を摺動する。   Two guide rails 68 are provided in parallel on the base 62, and the Y-axis movable table 60 is movable on the guide rails 68. At a portion between the two guide rails 68 on the base 62, a drive motor and a ball screw 70 rotated by the drive motor are provided. The ball screw 70 is engaged with the bottom of the Y-axis moving table 60, and the Y-axis moving table 60 slides on the guide rail 68 by the rotation of the ball screw 70.

Y軸移動台60の上には、前述の2本のガイドレール68に直交する2本の平行なガイドレール72が設けられており、X軸移動台58はこのガイドレール72の上を移動可能になっている。Y軸移動台60の上の2本のガイドレール72の間の部分には、駆動モータとこの駆動モータによって回転するボールネジ74が設けられている。ボールネジ74はX軸移動台58の底面に係合しており、ボールネジ74の回転により、X軸移動台58がガイドレール72の上を摺動する。   On the Y-axis moving table 60, two parallel guide rails 72 orthogonal to the two guide rails 68 described above are provided, and the X-axis moving table 58 can move on the guide rails 72. It has become. A drive motor and a ball screw 74 rotated by the drive motor are provided in a portion between the two guide rails 72 on the Y-axis moving table 60. The ball screw 74 is engaged with the bottom surface of the X axis moving base 58, and the rotation of the ball screw 74 causes the X axis moving base 58 to slide on the guide rail 72.

なお、ボールネジの代わりにリニアモータを使用する場合もある。   In some cases, a linear motor may be used instead of the ball screw.

次に、移動装置100の構成について説明する。   Next, the configuration of the mobile device 100 will be described.

図1に示すように、移動装置100は、アライメント装置50を載置して搬送する搬送パレット102を有する。搬送パレット102は、X軸方向に沿って各測定部14間を移動可能に構成される。搬送パレット102を移動させるための移動機構(水平送り機構)としては、直線的な移動機構であればよく、例えば、ベルト駆動機構、リニアガイド機構、ボールネジ機構等により構成される。また、搬送パレット102には、アライメント装置50をZ軸方向に昇降させる昇降機構106が設けられる。昇降機構106は、周知のシリンダ機構等で構成される。これにより、アライメント装置50は、X軸方向に沿って各測定部14間を移動可能に構成されると共に、Z軸方向に昇降可能に構成される。なお、搬送パレット102の移動機構や昇降機構106は、不図示の制御手段による制御によって駆動される。   As shown in FIG. 1, the moving device 100 has a transport pallet 102 on which the alignment device 50 is placed and transported. The transport pallet 102 is configured to be movable between the measurement units 14 along the X-axis direction. The moving mechanism (horizontal feed mechanism) for moving the transport pallet 102 may be a linear moving mechanism, and is configured of, for example, a belt drive mechanism, a linear guide mechanism, a ball screw mechanism, or the like. Further, the transport pallet 102 is provided with a lifting mechanism 106 for lifting and lowering the alignment device 50 in the Z-axis direction. The lifting mechanism 106 is configured by a known cylinder mechanism or the like. Thus, the alignment apparatus 50 is configured to be movable between the measurement units 14 along the X-axis direction, and configured to be vertically movable in the Z-axis direction. The moving mechanism of the transport pallet 102 and the lifting mechanism 106 are driven by control by control means (not shown).

図5及び図6は、移動装置100の構成例を示した概略図である。具体的には、図5は、移動装置100の平面図であり、図6は、移動装置100の側面図である。   5 and 6 are schematic diagrams showing an example of the configuration of the mobile device 100. FIG. Specifically, FIG. 5 is a plan view of the moving device 100, and FIG. 6 is a side view of the moving device 100.

図5及び図6に示すように、基部11の上には平行に2本のガイドレール101が設けられており、搬送パレット102はこのガイドレール101の上を移動可能になっている。また、2本のガイドレール101の外側部分には、ガイドレール101に平行であって両端が基部11に固定されたタイミングベルト110が設けられている。   As shown in FIGS. 5 and 6, two guide rails 101 are provided in parallel on the base 11, and the transport pallet 102 is movable on the guide rails 101. In addition, timing belts 110 which are parallel to the guide rails 101 and whose both ends are fixed to the base 11 are provided on the outside portions of the two guide rails 101.

搬送パレット102には、駆動ユニット108が固定されている。駆動ユニット108は、駆動モータ112と、駆動モータ112の回転軸に連結された駆動プーリ114と、駆動プーリ114の周辺に配設された2個のアイドルプーリ116と、を有する。駆動プーリ114にはタイミングベルト110が巻き掛けられ、その両側に配置されるアイドルプーリ116によってタイミングベルト110の張力が調整されている。駆動モータ112を駆動させると、駆動プーリ114の回転により、搬送パレット102がガイドレール101の上を摺動する。これにより、搬送パレット102に支持されたアライメント装置50がX軸方向に沿って各測定部14間を移動する。   A drive unit 108 is fixed to the transport pallet 102. The drive unit 108 has a drive motor 112, a drive pulley 114 connected to the rotation shaft of the drive motor 112, and two idle pulleys 116 disposed around the drive pulley 114. The timing belt 110 is wound around the driving pulley 114, and the tension of the timing belt 110 is adjusted by idle pulleys 116 disposed on both sides thereof. When the drive motor 112 is driven, the transport pallet 102 slides on the guide rail 101 by the rotation of the drive pulley 114. Thus, the alignment device 50 supported by the transport pallet 102 moves between the measurement units 14 along the X-axis direction.

図7は、移動装置100の他の構成例を示した概略図である。図7に示した構成例は、ボールネジ機構を利用したものである。すなわち、基部11には、2本のガイドレール101の間に駆動モータ118及びボールネジ120で構成される駆動ユニットが設けられる。ボールネジ120は搬送パレット102の底面に係合しており、ボールネジ120の回転により、搬送パレット102がガイドレール101の上を摺動する。これにより、搬送パレット102に支持されたアライメント装置50はX軸方向に沿って各測定部14間を移動する。   FIG. 7 is a schematic view showing another configuration example of the mobile apparatus 100. As shown in FIG. The configuration example shown in FIG. 7 utilizes a ball screw mechanism. That is, the base 11 is provided with a drive unit constituted by the drive motor 118 and the ball screw 120 between the two guide rails 101. The ball screw 120 engages with the bottom surface of the transport pallet 102, and the rotation of the ball screw 120 causes the transport pallet 102 to slide on the guide rail 101. Thus, the alignment device 50 supported by the transport pallet 102 moves between the measuring units 14 along the X-axis direction.

本実施形態では、各測定部14に移動したアライメント装置50の3箇所を位置決めして着脱自在に把持固定するクランプ機構を有する位置決め固定装置が設けられる。具体的には、アライメント装置50には、ベース62の3箇所に複数の位置決めピン130(130A〜130C)が設けられる。一方、筐体の基部11には、各位置決めピン130をそれぞれクランプする複数のチャック部材(位置決め孔)134(134A〜134C)が設けられ、これらは測定部14毎にそれぞれ設けられる。クランプ機構は、位置決めピン130とチャック部材134で構成される。   In the present embodiment, a positioning and fixing device having a clamp mechanism that positions and detachably holds three positions of the alignment device 50 moved to each measurement unit 14 is provided. Specifically, the alignment device 50 is provided with a plurality of positioning pins 130 (130A to 130C) at three positions of the base 62. On the other hand, a plurality of chuck members (positioning holes) 134 (134A to 134C) for respectively clamping the positioning pins 130 are provided in the base 11 of the housing, and these are provided for each of the measurement units 14. The clamp mechanism is composed of the positioning pin 130 and the chuck member 134.

なお、クランプ機構としては、例えばボールロック方式やテーパスリーブ方式などの周知のクランプ機構が適用されるので、ここでは詳細な説明は省略する。   Note that, as a clamp mechanism, for example, a known clamp mechanism such as a ball lock system or a taper sleeve system is applied, so the detailed description will be omitted here.

各測定部14に移動したアライメント装置50を位置決め固定する場合には、昇降機構106によりアライメント装置50を下降させて、図8に示すように、各位置決めピン130をそれぞれ対応するチャック部材134に嵌入してクランプする。これにより、アライメント装置50は水平方向及び鉛直方向に位置決めされ、かつ、アライメント装置50の鉛直方向周りの回転が拘束された状態で、アライメント装置50が基部11に対して固定される。一方、アライメント装置50を他の測定部14に移動させる場合には、昇降機構106によりアライメント装置50を上昇させて、各チャック部材134からそれぞれ位置決めピン130が離脱させる。これにより、アライメント装置50の位置決め固定が解除され、移動装置100によってアライメント装置50は他の測定部14に移動可能な状態となる。   When positioning and fixing the alignment device 50 moved to each measurement unit 14, the alignment device 50 is lowered by the lifting mechanism 106, and as shown in FIG. 8, each positioning pin 130 is fitted into the corresponding chuck member 134. And clamp. Thus, the alignment device 50 is positioned in the horizontal direction and the vertical direction, and the alignment device 50 is fixed to the base 11 in a state in which the rotation around the vertical direction of the alignment device 50 is restricted. On the other hand, when moving the alignment device 50 to another measurement unit 14, the alignment device 50 is lifted by the lifting mechanism 106 to separate the positioning pins 130 from the respective chuck members 134. As a result, the positioning and fixing of the alignment device 50 is released, and the alignment device 50 can be moved to another measuring unit 14 by the moving device 100.

次に、本実施形態のプローバを使用したプローブコンタクト方法を含む検査動作について説明する。   Next, an inspection operation including the probe contact method using the prober of the present embodiment will be described.

図10は、本実施形態のプローバを使用したプローブコンタクト方法を含む検査動作の例である。   FIG. 10 shows an example of inspection operation including a probe contact method using the prober of the present embodiment.

まず、これから検査を行う測定部14にアライメント装置50を移動させ、クランプ機構を有する位置決め固定装置によって位置決め固定した後、Z軸移動・回転部52を上昇させて、アライメント装置50(Z軸移動・回転部52)にウエハチャック16を着脱自在に支持させる。ウエハチャック16は、アライメント装置50(Z軸移動・回転部52)によって、例えば、真空吸着により固定された状態で支持される。この状態で吸引制御部46による内部空間Sの減圧を解除し、サポート機構の各保持部30を相互に離反させた後、Z軸移動・回転部52によりウエハチャック16を下降させる。   First, the alignment device 50 is moved to the measurement unit 14 to be inspected from now on, and after positioning and fixing by the positioning and fixing device having a clamp mechanism, the Z axis movement / rotation unit 52 is raised to align the alignment device 50 (Z axis movement The wafer chuck 16 is detachably supported by the rotation unit 52). The wafer chuck 16 is supported by the alignment device 50 (Z-axis movement / rotation unit 52), for example, in a fixed state by vacuum suction. In this state, the depressurization of the internal space S by the suction control unit 46 is released, the holding units 30 of the support mechanism are separated from each other, and then the wafer chuck 16 is lowered by the Z-axis movement / rotation unit 52.

次に、ウエハチャック16を支持するアライメント装置50を所定の受け渡し位置に移動させ、不図示のウエハ受け渡し機構(ローダ)によってウエハチャック16にウエハWがロードされ、真空吸着により固定される。   Next, the alignment apparatus 50 supporting the wafer chuck 16 is moved to a predetermined delivery position, and the wafer W is loaded on the wafer chuck 16 by a wafer delivery mechanism (not shown) (loader) and fixed by vacuum suction.

次に、これから検査を行う測定部14に再びアライメント装置50を移動させ、クランプ機構を有する位置決め固定装置によって位置決め固定した後、アライメント動作を行う。具体的には、プローブ位置検出カメラ54がプローブ28の下に位置するように、X軸移動台58を移動させ、カメラ移動機構56でプローブ位置検出カメラ54をZ軸方向に移動して焦点を合わせ、プローブ位置検出カメラ54でプローブ28の先端位置を検出する。プローブ28の先端の水平面内の位置(X及びY座標)はカメラの座標により検出され、垂直方向の位置はカメラの焦点位置で検出される。なお、プローブカード18には、通常数百から数千本以上ものプローブ28が設けられており、すべてのプローブ28の先端位置を検出せずに、通常は特定のプローブの先端位置を検出する。   Next, the alignment device 50 is moved again to the measuring unit 14 to be inspected from now on, and after the positioning and fixing by the positioning and fixing device having the clamp mechanism, the alignment operation is performed. Specifically, the X-axis movement table 58 is moved so that the probe position detection camera 54 is located under the probe 28, and the camera movement mechanism 56 moves the probe position detection camera 54 in the Z-axis direction to focus In addition, the tip position of the probe 28 is detected by the probe position detection camera 54. The position (X and Y coordinates) of the tip of the probe 28 in the horizontal plane is detected by the coordinates of the camera, and the vertical position is detected at the focal position of the camera. The probe card 18 is usually provided with several hundreds to several thousands or more probes 28. The tip position of a specific probe is usually detected without detecting the tip positions of all the probes 28.

次に、ウエハチャック16に検査するウエハWを保持した状態で、ウエハWがアライメントカメラ66の下に位置するように、X軸移動台58を移動させ、ウエハWの各チップの電極パッドの位置を検出する。1チップのすべての電極パッドの位置を検出する必要はなく、いくつかの電極パッドの位置を検出すればよい。また、ウエハW上のすべてのチップの電極パッドを検出する必要はなく、いくつかのチップの電極パッドの位置が検出される。   Next, while holding the wafer W to be inspected on the wafer chuck 16, the X-axis moving table 58 is moved so that the wafer W is positioned below the alignment camera 66, and the positions of the electrode pads of each chip of the wafer W To detect It is not necessary to detect the positions of all the electrode pads of one chip, but it is sufficient to detect the positions of several electrode pads. In addition, it is not necessary to detect the electrode pads of all the chips on the wafer W, and the positions of the electrode pads of several chips are detected.

次に、上記のようにして検出したプローブ28の配列及び電極パッドの配列に基づいて、プローブ28の配列方向と電極パッドの配列方向が一致するように、Z軸移動・回転部52によりウエハチャック16を回転した後、検査するチップの電極パッドがプローブ28の下に位置するようにウエハチャック16をX軸方向及びY軸方向に移動し(図10(a)参照)、Z軸移動・回転部52でウエハチャック16を着脱自在に支持しながらZ軸方向に上昇させる。すなわち、ウエハチャック16とプローブカード18との距離が近づく方向にウエハチャック16を移動させる。   Next, based on the arrangement of the probes 28 and the arrangement of the electrode pads detected as described above, the wafer chuck is moved by the Z-axis movement / rotation unit 52 so that the arrangement direction of the probes 28 matches the arrangement direction of the electrode pads. After rotating 16, the wafer chuck 16 is moved in the X-axis direction and Y-axis direction so that the electrode pad of the chip to be inspected is located under the probe 28 (see FIG. 10A), Z-axis movement / rotation The part 52 lifts the wafer chuck 16 in the Z-axis direction while supporting the wafer chuck 16 detachably. That is, the wafer chuck 16 is moved in the direction in which the distance between the wafer chuck 16 and the probe card 18 approaches.

具体的には、図10(b)に示すように、ウエハチャック16に設けられたリング状シール部材40をヘッドステージ13(又はプローブカード18でもよい)に接触させてウエハチャック16、ヘッドステージ13、プローブカード18、及びリング状シール部材40により囲まれた密閉空間である内部空間S(又はウエハチャック16、プローブカード18、及びリング状シール部材40により囲まれた内部空間Sでもよい)を形成し、さらにウエハチャック16に保持されるウエハW上の電極パッドとプローブカード18に設けられたプローブ28とを接触させる(ファーストコンタクト)。   Specifically, as shown in FIG. 10B, the ring-shaped seal member 40 provided on the wafer chuck 16 is brought into contact with the head stage 13 (or the probe card 18) to make the wafer chuck 16 and the head stage 13 Forming an internal space S (or an internal space S surrounded by the wafer chuck 16, the probe card 18 and the ring seal member 40) which is a sealed space surrounded by the probe card 18 and the ring seal member 40 Further, the electrode pad on the wafer W held by the wafer chuck 16 is brought into contact with the probe 28 provided on the probe card 18 (first contact).

この接触は、Z軸移動・回転部52によってウエハチャック16を、予め定められた位置Po1までプローブカード18(プローブ28)に対する予め定められた速度V1(又は加速度)で上昇させることで行われる。   This contact is performed by raising the wafer chuck 16 by the Z-axis movement / rotation unit 52 to a predetermined position Po1 at a predetermined velocity V1 (or acceleration) with respect to the probe card 18 (probe 28).

Z軸移動・回転部52は、モータによって駆動されるため、任意の速度(又は加速度)で任意の位置(高さ)までウエハチャック16を移動させることができる。Z軸移動・回転部52が、ウエハチャック16を所定速度で所定位置まで上昇させることで、ウエハW上の電極パッドにプローブ28を接触させる、機械的なウエハチャック昇降手段に相当する。   The Z-axis movement / rotation unit 52 is driven by a motor, so that the wafer chuck 16 can be moved to any position (height) at any speed (or acceleration). The Z-axis movement / rotation unit 52 raises the wafer chuck 16 to a predetermined position at a predetermined speed, and corresponds to a mechanical wafer chuck elevating means for bringing the probe 28 into contact with the electrode pad on the wafer W.

位置Po1は、ウエハW上の電極パッドとプローブ28とが接触圧Pr1で接触する位置である。速度V1(又は加速度)は、ウエハW上の電極パッドとプローブ28とが接触した場合に、プローブ28の先端が電極パッドに擦りつけられることによって、電極パッドに形成される絶縁体である酸化膜が削れて(破れて)電極パッドとプローブ28との電気的な接続が得られるように考慮された速度(又は加速度)である。速度V1は、例えば、20〜30[mm/sec]である。   The position Po1 is a position where the electrode pad on the wafer W and the probe 28 are in contact with each other at a contact pressure Pr1. The velocity V1 (or acceleration) is an oxide film which is an insulator formed on the electrode pad by rubbing the tip of the probe 28 against the electrode pad when the electrode pad on the wafer W contacts the probe 28. There is a velocity (or acceleration) considered so as to scrape (break) and obtain an electrical connection between the electrode pad and the probe 28. The velocity V1 is, for example, 20 to 30 [mm / sec].

以上のファーストコンタクトによって、ウエハW上の電極パッドとプローブ28との電気的な接触信頼性を高めることができる。   The above-described first contact can increase the reliability of electrical contact between the electrode pad on the wafer W and the probe 28.

次に、図10(c)に示すように、Z軸移動・回転部52でウエハチャック16を着脱自在に支持しながらZ軸方向に下降させた後、図10(d)に示すように、上記と同様に位置Po1(チャック受渡高さ)まで速度V1(又は加速度)で再び上昇させて、内部空間Sを形成し、さらにウエハチャック16に保持されるウエハW上の電極パッドとプローブカード18に設けられたプローブ28とを接触させる(セカンドコンタクト)。セカンドコンタクトにおける位置Po1及び速度V1(又は加速度)は、ファーストコンタクトにおける位置Po1及び速度V1(又は加速度)と同じであってもよいし、異なっていてもよい。   Next, as shown in FIG. 10 (c), after lowering the wafer chuck 16 in the Z-axis direction while supporting the wafer chuck 16 detachably by the Z-axis movement / rotation unit 52, as shown in FIG. 10 (d), Similarly to the above, the electrode pad on the wafer W held by the wafer chuck 16 and the probe card 18 are formed by raising again to the position Po1 (chuck delivery height) at the velocity V1 (or acceleration) to form the internal space S. (The second contact) with the probe 28 provided on the The position Po1 and the velocity V1 (or acceleration) in the second contact may be the same as or different from the position Po1 and the velocity V1 (or acceleration) in the first contact.

セカンドコンタクトにおける位置Po1は、ウエハチャック16が当該セカンドコンタクトにおける位置Po1に到達した場合、ウエハW上の電極パッドのプローブ28に対する接触圧が後述の目標接触圧Pr2より低い接触圧Pr1(例えば、目標接触圧Pr2の7割程度の接触圧Pr1)となるように考慮された位置である。   When the wafer chuck 16 reaches the position Po1 of the second contact, the contact pressure of the electrode pad on the wafer W with respect to the probe 28 is lower than a target contact pressure Pr2 described later (for example, the target It is the position considered so that it may become about 70% of contact pressure Pr2 of contact pressure Pr2.

以上のセカンドコンタクトによって、ファーストコンタクトの際に除去しきれなかった酸化膜の除去を期待できるため、ウエハW上の電極パッドとプローブ28との電気的な接触信頼性をさらに高めることができる。   The removal of the oxide film which could not be removed at the time of the first contact can be expected by the above second contact, so that the electrical contact reliability between the electrode pad on the wafer W and the probe 28 can be further enhanced.

以上のように複数回の接触工程(例えば、ファーストコンタクト及びセカンドコンタクト)が実施された後、ウエハチャック16とアライメント装置50(Z軸移動・回転部52)との固定(例えば、真空吸着による固定)が解除される。その後、吸引制御部46を作動させて駆動源である真空ポンプ44によって内部空間Sを減圧することで、ウエハチャック16とプローブカード18(プローブ28)との距離をさらに近づける減圧工程が実施される。   After the plurality of contact processes (for example, first contact and second contact) are performed as described above, the wafer chuck 16 and the alignment device 50 (Z-axis movement / rotation unit 52) are fixed (for example, fixed by vacuum suction) ) Is released. Thereafter, the suction control unit 46 is operated to reduce the pressure in the internal space S by the vacuum pump 44, which is a drive source, whereby the pressure reduction step is performed to make the distance between the wafer chuck 16 and the probe card 18 (probe 28) even closer. .

減圧工程は、複数回の接触工程(例えば、ファーストコンタクト及びセカンドコンタクト)のうち最終回の接触工程(例えば、セカンドコンタクト)が行われた後に実施され、それ以外の接触工程の後は実施されない。これにより、図10(e)に示すように、ウエハチャック16はプローブカード18(プローブ28)に対する速度V2でプローブカード18に向かって引き寄せられてアライメント装置50(Z軸移動・回転部52)から分離され(切り離され)、プローブカード18とウエハチャック16は密着状態となり、プローブカード18の各プローブ28は均一な接触圧で対応する電極パッドに接触する。速度V2は、駆動源が真空ポンプ44であるため速度V1より遅く(速度V2<速度V1)、例えば、0.25[mm/sec]である。   The depressurization step is performed after the final contact step (for example, the second contact) of the plurality of contact steps (for example, the first contact and the second contact) is performed, and is not performed after the other contact steps. Thereby, as shown in FIG. 10 (e), the wafer chuck 16 is pulled toward the probe card 18 at the velocity V2 with respect to the probe card 18 (probe 28) and is moved from the alignment device 50 (Z-axis movement / rotation unit 52). When separated (disconnected), the probe card 18 and the wafer chuck 16 come into close contact, and each probe 28 of the probe card 18 contacts the corresponding electrode pad with uniform contact pressure. The speed V2 is slower than the speed V1 (speed V2 <speed V1) since the drive source is the vacuum pump 44, and is, for example, 0.25 [mm / sec].

吸引制御部46(真空ポンプ44)は、ウエハW上の電極パッドのプローブ28に対する接触圧が目標接触圧Pr2となるまで内部空間Sを減圧する(目標接触圧Pr2>接触圧Pr1)。目標接触圧Pr2は、ウエハW上の電極パッドとプローブ28との電気的な接触の信頼性が高まるように考慮された接触圧である。吸引制御部46(真空ポンプ44)が密閉空間Sを減圧し、ウエハWにプローブ28を所定の圧力で接触させるための接触圧力付与手段に相当する。   The suction control unit 46 (vacuum pump 44) reduces the pressure in the internal space S until the contact pressure of the electrode pad on the wafer W against the probe 28 becomes the target contact pressure Pr2 (target contact pressure Pr2> contact pressure Pr1). The target contact pressure Pr2 is a contact pressure considered to increase the reliability of the electrical contact between the electrode pad on the wafer W and the probe 28. The suction control unit 46 (vacuum pump 44) decompresses the sealed space S, and corresponds to a contact pressure application unit for bringing the probe 28 into contact with the wafer W at a predetermined pressure.

一方、真空ポンプ44による内部空間Sの減圧によってプローブカード18とウエハチャック16が密着状態となったら、Z軸移動・回転部52をZ軸方向に下降させ、アライメント装置50からウエハチャック16を離脱させる。また、ウエハチャック16の脱落を防止するため、サポート機構の各保持部30を相互に近接した状態にする。   On the other hand, when the probe card 18 and the wafer chuck 16 come into close contact due to the pressure reduction of the internal space S by the vacuum pump 44, the Z axis movement / rotation unit 52 is lowered in the Z axis direction to separate the wafer chuck 16 from the alignment device 50. Let Also, in order to prevent the wafer chuck 16 from falling off, the holding portions 30 of the support mechanism are brought close to each other.

次に、テストヘッド22からウエハWの各チップに電源及びテスト信号を供給し、チップから出力される信号を検出して電気的な動作検査を行う。   Next, power and test signals are supplied from the test head 22 to the respective chips of the wafer W, and signals output from the chips are detected to conduct an electrical operation inspection.

以下、他の測定部14についても、同様の手順で、ウエハチャック16上にウエハWをロードし、各測定部14においてアライメント動作及びコンタクト動作が完了した後、ウエハWの各チップの同時検査が順次行われる。すなわち、テストヘッド22からウエハWの各チップに電源及びテスト信号を供給し、チップから出力される信号を検出して電気的な動作検査が行う。なお、ウエハチャック16はアライメント装置50に支持された状態で検査を行ってもよい。   Thereafter, the wafer W is loaded onto the wafer chuck 16 in the same procedure for the other measurement units 14 and after the alignment operation and the contact operation are completed in each measurement unit 14, simultaneous inspection of each chip of the wafer W is performed. It will be done sequentially. That is, power and test signals are supplied from the test head 22 to the respective chips of the wafer W, and signals output from the chips are detected to conduct an electrical operation inspection. The wafer chuck 16 may be inspected while being supported by the alignment device 50.

各測定部14において検査が完了したら、アライメント装置50を各測定部14に順次移動させて検査済ウエハWが保持されるウエハチャック16を回収する。   When the inspection in each measurement unit 14 is completed, the alignment apparatus 50 is sequentially moved to each measurement unit 14 to recover the wafer chuck 16 on which the inspected wafer W is held.

すなわち、各測定部14において検査が完了した場合には、アライメント装置50を検査が終了した測定部14に移動させ、位置決め固定した後、Z軸移動・回転部52をZ軸方向に上昇させ、ウエハチャック16がアライメント装置50に支持された後、吸引制御部46による内部空間Sの減圧を解除、具体的には内部空間Sに大気圧を導入する。これにより、プローブカード18とウエハチャック16の密着状態は解除される。そして、サポート機構の各保持部30を拡径状態にする。その後、Z軸移動・回転部52によりウエハチャック16をZ軸方向に下降させ、アライメント装置50の位置決め固定を解除した後、所定の受け渡し位置にアライメント装置50を移動させて、検査済ウエハWの固定を解除し、ウエハチャック16から検査済ウエハWをアンロードする。アンロードされた検査済ウエハWは、受け渡し機構により回収される。   That is, when the inspection in each measurement unit 14 is completed, the alignment device 50 is moved to the measurement unit 14 in which the inspection is completed, and after positioning and fixing, the Z-axis movement / rotation unit 52 is raised in the Z-axis direction, After the wafer chuck 16 is supported by the alignment apparatus 50, the pressure reduction of the internal space S by the suction control unit 46 is canceled, specifically, the atmospheric pressure is introduced into the internal space S. Thereby, the contact state between the probe card 18 and the wafer chuck 16 is released. And each holding part 30 of a support mechanism is made into a diameter-expanding state. Thereafter, the wafer chuck 16 is lowered in the Z-axis direction by the Z-axis movement / rotation unit 52 to release the positioning and fixing of the alignment device 50, and then the alignment device 50 is moved to a predetermined delivery position. The fixing is released and the inspected wafer W is unloaded from the wafer chuck 16. The unloaded inspected wafer W is collected by the delivery mechanism.

なお、本実施形態では、図1に示したように、各測定部14に対してそれぞれ1つずつウエハチャック16が割り当てられているが、これら複数のウエハチャック16は複数の測定部14間で受け渡されてもよい。   In the present embodiment, as shown in FIG. 1, one wafer chuck 16 is assigned to each measurement unit 14, but a plurality of these wafer chucks 16 are provided between the plurality of measurement units 14. It may be delivered.

以上説明したように、本実施形態によれば、Z軸移動・回転部52(機械的なウエハチャック昇降手段)が所定速度で所定位置まで移動することにより、プローブ28がウエハW表面の保護膜(酸化膜)を削り取るため、接触状態、導通状態が改善される。その際、Z軸移動・回転部52が機械的な昇降手段であることから、プローブ28とウエハWが平行姿勢を保ったままで所定位置まで所定速度で移動するため、精度よく接触できる。   As described above, according to the present embodiment, the probe 28 is a protective film on the surface of the wafer W by moving the Z-axis movement / rotation unit 52 (mechanical wafer chuck lifting means) to a predetermined position at a predetermined speed. Since the (oxide film) is scraped off, the contact state and the conduction state are improved. At this time, since the Z-axis moving / rotating unit 52 is a mechanical elevating means, the probe 28 and the wafer W move at a predetermined speed to a predetermined position while maintaining the parallel posture, so that the contact can be made with high accuracy.

また、本実施形態によれば、Z軸移動・回転部52(機械的なウエハチャック昇降手段)により、プローブ28をウエハWに対して所定速度を維持して接触させることができる。これに対して、密閉空間Sの減圧では所定速度でプローブ28を接触させることができないため、保護膜の削り取りを制御できない。   Further, according to the present embodiment, the probe 28 can be maintained in contact with the wafer W at a predetermined speed by the Z-axis moving and rotating unit 52 (mechanical wafer chuck lifting means). On the other hand, since the probe 28 can not be brought into contact at a predetermined speed in the pressure reduction of the enclosed space S, the removal of the protective film can not be controlled.

また、本実施形態によれば、Z軸移動・回転部52(機械的なウエハチャック昇降手段)により、所定位置まで移動できることから、多少オーバードライブをかけて、表面保護膜を大きく削ることもできる。これに対して、密閉空間Sの減圧では、オーバードライブをかけることができない。   Further, according to the present embodiment, since the Z-axis movement / rotation unit 52 (mechanical wafer chuck raising / lowering means) can move to a predetermined position, the surface protection film can be largely scraped by applying a slight overdrive. . On the other hand, in the decompression of the enclosed space S, overdrive can not be applied.

また、本実施形態によれば、密閉空間Sの減圧によって、所定圧力でウエハチャック16をプローブカード18に押し付ける。これにより、各プローブ28とウエハWとを一定の圧力で押し付けることができる。さらに、測定中においても、各プローブ28を一定圧力で押圧し導通状態を安定化させることができる。その際、Z軸移動・回転部52(機械的なウエハチャック昇降手段)による位置決めではなく、密閉空間Sの減圧、すなわち、パスカルの原理に基づいて自動的に均等に圧力が設定される。これにより、位置決めだけでは改善が難しいプローブ28の長短や互いの平行度誤差などによる多少の位置ずれがあっても、減圧することで所定の圧力で押圧し、所定圧でプローブ28をウエハWにコンタクトさせることが可能となる。   Further, according to the present embodiment, the wafer chuck 16 is pressed against the probe card 18 at a predetermined pressure by the pressure reduction of the enclosed space S. Thereby, each probe 28 and the wafer W can be pressed with a fixed pressure. Furthermore, even during measurement, each probe 28 can be pressed at a constant pressure to stabilize the conduction state. At that time, pressure is automatically set uniformly based on the pressure reduction of the enclosed space S, that is, based on the principle of Pascal, not positioning by the Z-axis movement / rotation unit 52 (mechanical wafer chuck lifting means). Thereby, even if there is a slight positional deviation due to the long and short of the probe 28 which is difficult to improve only by positioning or mutual parallelism error, etc., the pressure is reduced by depressurization and the probe 28 is pressed to the wafer W by a predetermined pressure. It is possible to make contact.

また、本実施形態によれば、第1実施形態の効果に加え、さらに、ウエハW上の電極パッドとプローブ28との電気的な接触信頼性を高めることができるプローブコンタクト方法及びプローバ10を提供することができる。   Further, according to the present embodiment, in addition to the effects of the first embodiment, the probe contact method and the prober 10 capable of enhancing the reliability of the electrical contact between the electrode pad on the wafer W and the probe 28 are provided. can do.

これは、駆動源がモータであるZ軸移動・回転部52によるウエハチャック16の上昇速度V1が、駆動源が真空ポンプ44であるウエハチャック16の引き寄せ速度V2よりも速く(V1>V2)、その速い速度V1でウエハW上の電極パッドがプローブカード18に設けられたプローブ28に接触し、プローブ28の先端が電極パッドに擦りつけられることによって、電極パッドに形成される絶縁体である酸化膜が削れて(破れて)電極パッドとプローブ28との電気的な接続が得られることによるものである。   This is because the rising speed V1 of the wafer chuck 16 by the Z-axis movement / rotation unit 52 whose drive source is a motor is faster than the drawing speed V2 of the wafer chuck 16 whose drive source is the vacuum pump 44 (V1> V2), The electrode pad on the wafer W contacts the probe 28 provided on the probe card 18 at the high speed V1 and the tip of the probe 28 is rubbed against the electrode pad, thereby forming an insulator, which is an insulator formed on the electrode pad. This is because the film is scraped (broken) and an electrical connection between the electrode pad and the probe 28 is obtained.

また、本実施形態によれば、ウエハW上の電極パッドとプローブ28との接触(速度V1での接触)が複数回(例えば、ファーストコンタクト及びセカンドコンタクト)実施されるため、ウエハW上の電極パッドとプローブ28との接触が1回の場合と比べ、ウエハW上の電極パッドとプローブ28との電気的な接触信頼性を高めることができる。   Further, according to the present embodiment, the contact (the contact at the velocity V1) between the electrode pad on the wafer W and the probe 28 is performed a plurality of times (for example, the first contact and the second contact). The reliability of the electrical contact between the electrode pad on the wafer W and the probe 28 can be enhanced as compared with the case where the contact between the pad and the probe 28 is one time.

また、本実施形態によれば、減圧工程においてウエハW上の電極パッドのプローブ28に対する接触圧を、容易に目標接触圧Pr2とすることができる。   Further, according to the present embodiment, the contact pressure of the electrode pad on the wafer W with respect to the probe 28 in the pressure reduction step can be easily made the target contact pressure Pr2.

これは、最終回の接触工程(例えば、セカンドコンタクト)においてウエハW上の電極パッドのプローブ28に対する接触圧を目標接触圧Pr2より低い接触圧Pr1(例えば、目標接触圧Pr2の7割程度の接触圧Pr1)とした後、減圧工程においてウエハW上の電極パッドのプローブ28に対する接触圧が目標接触圧Pr2となるまで内部空間Sを減圧することによるものである。   This is because the contact pressure of the electrode pad on the wafer W against the probe 28 in the final contact step (for example, second contact) is lower than the target contact pressure Pr2 (for example, about 70% of the target contact pressure Pr2) After setting the pressure Pr1), the pressure in the internal space S is reduced until the contact pressure of the electrode pad on the wafer W against the probe 28 becomes the target contact pressure Pr2 in the pressure reduction step.

なお、最終回の接触工程(例えば、セカンドコンタクト)においてウエハW上の電極パッドのプローブ28に対する接触圧を目標接触圧Pr2とした後、減圧工程においてウエハW上の電極パッドのプローブ28に対する接触圧が最終回の接触工程での目標接触圧Pr2を維持するように内部空間Sを減圧することも考えられる。しかしながら、このように最終回の接触工程での目標接触圧Pr2を維持するように内部空間Sを減圧制御するのは難しい。   After the contact pressure of the electrode pad on the wafer W with respect to the probe 28 in the final contact step (for example, second contact) is made the target contact pressure Pr2, the contact pressure of the electrode pad on the wafer W with the probe 28 in the pressure reduction step It is also conceivable to reduce the pressure in the internal space S so that the target contact pressure Pr2 is maintained in the final contact step. However, it is difficult to depressurize the internal space S so as to maintain the target contact pressure Pr2 in the final contact step.

これに対して、前者のように、まず、最終回の接触工程において目標接触圧Pr2より低い接触圧Pr1とし、その後、減圧工程において目標接触圧Pr2となるまで内部空間Sを減圧制御することで、減圧工程においてウエハW上の電極パッドのプローブ28に対する接触圧を、容易に目標接触圧Pr2とすることができる。   On the other hand, as in the former, first, the contact pressure Pr1 lower than the target contact pressure Pr2 is set in the final contact step, and then the internal space S is depressurized to the target contact pressure Pr2 in the depressurization step. The contact pressure of the electrode pad on the wafer W against the probe 28 in the depressurization step can easily be made the target contact pressure Pr2.

次に、変形例について説明する。   Next, a modification is described.

図11は、変形例であるウエハチャック16Aを備えたプローバを使用したプローブコンタクト方法を含む検査動作の例である。   FIG. 11 is an example of inspection operation including a probe contact method using a prober provided with a wafer chuck 16A which is a modification example.

本変形例のウエハチャック16Aは、図10に示すウエハチャック16に対して、内部空間Sと外部環境とを連通し、シャッタ手段48によって開閉される連通孔16Aaを設けたものに相当する。連通孔16Aaは、ウエハチャック16A内部に設けられ、ウエハチャック16Aの上面のうちウエハWが載置されない外周付近の領域と側面とを貫通している。   The wafer chuck 16A of this modification is equivalent to the wafer chuck 16 shown in FIG. 10 in which the internal space S is communicated with the external environment, and a communication hole 16Aa opened and closed by the shutter means 48 is provided. The communication hole 16Aa is provided inside the wafer chuck 16A, and penetrates a region of the upper surface of the wafer chuck 16A near the outer periphery where the wafer W is not placed and the side surface.

内部空間Sは、図11(c)に示すように、シャッタ手段48によって連通孔16Aaが閉じられると密閉空間となり、一方、図11(a)に示すように、シャッタ手段48によって連通孔16Aaが開かれると非密閉空間となる。   As shown in FIG. 11C, the internal space S becomes a sealed space when the communication hole 16Aa is closed by the shutter means 48, while the communication hole 16Aa is closed by the shutter means 48 as shown in FIG. 11A. When opened, it becomes a non-hermetic space.

シャッタ手段48は、内部空間Sと外部環境とを連通する連通孔16Aaを開閉して内部空間Sを密閉空間又は非密閉空間とする手段で、例えば、シャッタ本体48a及びシャッタ本体48aを連通孔16Aaを開く位置(図11(a)参照)又は閉じる位置(図11(c)参照)に移動させるシャッタ制御手段(図示せず)によって構成される。シャッタ制御手段としては、シャッタ本体48aに連結されたモータ及び当該モータを制御するコントローラ等の公知のもの(いずれも図示せず)を用いることができる。なお、連通孔16Aa及びシャッタ手段48は、ウエハチャック16Aに限らず、ヘッドステージ13又はプローブカード18に設けられていてもよい。   The shutter means 48 is a means for opening and closing the communication hole 16Aa for communicating the internal space S with the external environment to make the internal space S a sealed space or a non-closed space, for example, the shutter main body 48a and the shutter main body 48a as the communication hole 16Aa The shutter control means (not shown) is moved to an open position (see FIG. 11A) or a closed position (see FIG. 11C). As the shutter control means, a known motor (not shown) such as a motor connected to the shutter main body 48a and a controller for controlling the motor can be used. The communication hole 16Aa and the shutter means 48 may be provided not only on the wafer chuck 16A but also on the head stage 13 or the probe card 18.

次に、本変形例のウエハチャック16Aを用いたプローバを使用したプローブコンタクト方法を含む検査動作について説明する。   Next, an inspection operation including a probe contact method using a prober using the wafer chuck 16A of the present modification will be described.

本変形例のウエハチャック16Aを用いたプローバ10を使用した検査動作は、基本的に上記第2実施形態と同様であるが、次の点が相違する。   The inspection operation using the prober 10 using the wafer chuck 16A of this modification is basically the same as that of the second embodiment, but the following points are different.

すなわち、ファーストコンタクト及びセカンドコンタクトが実施される各接触工程において、少なくともリング状シール部材40をヘッドステージ13(又はプローブカード18)に接触させてから(図11(a)参照)ウエハW上の電極パッドとプローブ28とを接触させる(図11(b)参照)までの間はシャッタ手段48によって連通孔16Aaを開くことで内部空間Sを非密閉状態とする点(連通孔16Aaが開状態となる点)が相違する。   That is, after each ring seal member 40 is brought into contact with the head stage 13 (or the probe card 18) in each contact step in which the first contact and the second contact are carried out (see FIG. 11A), electrodes on the wafer W Until the pad and the probe 28 are brought into contact (see FIG. 11B), the communication hole 16Aa is opened by the shutter means 48 so that the internal space S is not sealed (the communication hole 16Aa is opened). Point) is different.

例えば、ファーストコンタクト及びセカンドコンタクトが実施される各接触工程が完了して、ウエハチャック16Aとアライメント装置50(Z軸移動・回転部52)との固定(例えば、真空吸着による固定)が解除されるまで、連通孔16Aaが開かれて内部空間Sが非密閉状態とされる(連通孔16Aaが開状態とされる)。   For example, each contact process in which the first contact and the second contact are performed is completed, and the fixation (for example, fixation by vacuum suction) of the wafer chuck 16A and the alignment apparatus 50 (Z-axis movement / rotation unit 52) is released. The communication hole 16Aa is opened until the internal space S is not sealed (the communication hole 16Aa is opened).

そして、ウエハチャック16Aとアライメント装置50(Z軸移動・回転部52)との固定(例えば、真空吸着による固定)が解除されたタイミングで、図11(c)に示すように、連通孔16Aaが閉じられて内部空間Sが密閉状態とされ(連通孔16Aaが閉状態とされ)、減圧工程において当該内部空間Sが減圧される。それ以外は、上記第2実施形態と同様である。   Then, as shown in FIG. 11C, at the timing when the fixing (for example, fixing by vacuum suction) between the wafer chuck 16A and the alignment device 50 (Z-axis movement / rotation unit 52) is released, the communication hole 16Aa It is closed and the internal space S is sealed (the communication hole 16Aa is closed), and the internal space S is decompressed in the decompression step. Other than that is the same as that of the second embodiment.

上記第2実施形態では、ファーストコンタクト及びセカンドコンタクトが実施される各接触工程において内部空間Sが密閉状態とされるため、各コンタクトに際して当該密閉空間(内の空気)が圧縮されてこの圧縮による反力がウエハチャック16Aの上昇の際の負荷となって、ウエハW上の電極パッドのプローブ28に対する上昇速度が減速する可能性がある。そして、その結果、電極パッドに形成される絶縁体である酸化膜を充分に削る(破る)ことができない恐れがある。   In the second embodiment, since the internal space S is sealed in each contact process in which the first contact and the second contact are performed, the sealed space (air in the case) is compressed at each contact, and the pressure is released by the compression. The force acts as a load when the wafer chuck 16A ascends, and the rate of ascent of the electrode pad on the wafer W to the probe 28 may be reduced. As a result, there is a possibility that the oxide film, which is an insulator formed on the electrode pad, can not be sufficiently scraped (broken).

これに対して、本変形例によれば、ファーストコンタクト及びセカンドコンタクトが実施される各接触工程において内部空間Sが非密閉状態とされるため、各コンタクトの際に密閉空間(内の空気)が圧縮されてこの圧縮による反力がウエハチャック16の上昇の際の負荷となるのが防止され、かつ、ウエハW上の電極パッドのプローブ28に対する上昇速度が減速するのが防止される。その結果、電極パッドに形成される絶縁体である酸化膜を充分に削る(破る)ことを期待できる。   On the other hand, according to the present modification, since the internal space S is not sealed in each contact step in which the first contact and the second contact are performed, the sealed space (air within) at each contact is The compressed reaction force is prevented from acting as a load when the wafer chuck 16 is lifted, and the rate of rise of the electrode pad on the wafer W relative to the probe 28 is prevented from being reduced. As a result, it can be expected that the oxide film which is an insulator formed on the electrode pad is sufficiently scraped (broken).

また、上記第2実施形態では、接触工程を2回実施し、最終回の接触工程が実施された後、減圧工程を実施する例について説明したが、これに限らず、接触工程を1回のみ実施し、その後、減圧工程を実施してもよい。また、接触工程を3回以上実施し、最終回の接触工程が実施された後、減圧工程を実施してもよい。すなわち、ウエハW上の電極パッドにプローブ28が少なくとも1回接触するようにウエハチャック16が昇降され、ウエハWにプローブ28が最後に接触した後、ウエハWにプローブ28が所定の圧力で接触するように密閉空間Sが減圧されればよい。   In the second embodiment, although the example in which the contact process is performed twice and the pressure reduction process is performed after the final contact process is performed, the present invention is not limited thereto, and the contact process may be performed only once. It may be carried out and then a depressurization step may be carried out. Moreover, after a contact process is implemented 3 times or more and the last contact process is implemented, you may implement a pressure-reduction process. That is, the wafer chuck 16 is moved up and down so that the probe 28 contacts the electrode pad on the wafer W at least once, and after the probe 28 finally contacts the wafer W, the probe 28 contacts the wafer W at a predetermined pressure. It is sufficient if the enclosed space S is depressurized.

また、上記第2実施形態では、3つの測定部14がX軸方向に沿って配列される構成を示したが、測定部14の数や配置は特に限定されるものではなく、例えば、X軸方向及びY軸方向に複数の測定部14が2次元的に配置されてもよい。   In the second embodiment, the three measurement units 14 are arranged along the X-axis direction. However, the number and arrangement of the measurement units 14 are not particularly limited. For example, the X-axis A plurality of measurement units 14 may be two-dimensionally arranged in the direction and the Y-axis direction.

また、複数の測定部14からなる測定部群がZ軸方向に積み重ねられた多段構成としてもよい。例えば、図9に示した構成例は、4つの測定部14からなる測定部群15(15A〜15C)がZ軸方向に3段積み重ねられた構成である。この構成では、アライメント装置50が測定部群15毎に設けられ、同一の測定部群15における各測定部14間でアライメント装置50が共有されるようになっている。なお、すべての測定部14でアライメント装置50が共有されるように構成されていてもよい。このような構成によれば、装置全体のフットプリントを小さくし、単位面積あたりの処理能力を上げることができ、コストダウンを図ることができる。   Furthermore, a multistage configuration may be adopted in which measurement unit groups including a plurality of measurement units 14 are stacked in the Z-axis direction. For example, the configuration example illustrated in FIG. 9 is a configuration in which measurement unit groups 15 (15A to 15C) including four measurement units 14 are stacked in three stages in the Z-axis direction. In this configuration, the alignment device 50 is provided for each of the measurement unit groups 15, and the alignment device 50 is shared between the measurement units 14 in the same measurement unit group 15. The alignment device 50 may be configured to be shared by all the measurement units 14. According to such a configuration, the footprint of the entire apparatus can be reduced, the processing capacity per unit area can be increased, and the cost can be reduced.

以上、本発明のプローブコンタクト方法及びプローバについて詳細に説明したが、本発明は、以上の例には限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変形を行ってもよいのはもちろんである。   As mentioned above, although the probe contact method and prober of the present invention were explained in detail, the present invention is not limited to the above examples, and various improvements and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. Of course.

10…プローバ、11…基部、12…側板、13…ヘッドステージ、14…測定部、15…測定部群、16、16A…ウエハチャック、16Aa…連通孔、18…プローブカード、20…テスタ、22…テストヘッド、24…コンタクトリング、26…装着孔、28…プローブ、30…保持部、32…通過孔、40…リング状シール部材、42…吸引口、43…吸引路、44…真空ポンプ、46…吸引制御部、48…シャッタ手段、48a…シャッタ本体48a、50…アライメント装置、52…Z軸移動・回転部、54…プローブ位置検出カメラ、56…カメラ移動機構、58…X軸移動台、60…Y軸移動台、62…ベース、64…支柱、66…アライメントカメラ、68…ガイドレール、70…ボールネジ、72…ガイドレール、74…ボールネジ、100…移動装置、101…ガイドレール、102…搬送パレット、106…昇降機構、108…駆動ユニット、110…タイミングベルト、112…駆動モータ、114…駆動プーリ、116…アイドルプーリ、118…駆動モータ、120…ボールネジ、130…位置決めピン、134…チャック部材   Reference Signs List 10 prober 11 base 12 side plate 13 head stage 14 measuring unit 15 measuring unit group 16 16 A wafer chuck 16Aa communicating hole 18 probe card 20 tester 22 ... Test head, 24 ... Contact ring, 26 ... Mounting hole, 28 ... Probe, 30 ... Holding part, 32 ... Passage hole, 40 ... Ring-like seal member, 42 ... Suction port, 43 ... Suction path, 44 ... Vacuum pump, 46: suction control unit 48: shutter means 48a: shutter main body 48a 50: alignment device 52: Z axis movement / rotation unit 54: probe position detection camera 56: camera movement mechanism 58: X axis movement base , 60 ... Y-axis moving base, 62 ... base, 64 ... post, 66 ... alignment camera, 68 ... guide rail, 70 ... ball screw, 72 ... guide rail, 74 Ball screw, 100: moving device, 101: guide rail, 102: conveying pallet, 106: lifting mechanism, 108: driving unit, 110: timing belt, 112: driving motor, 114: driving pulley, 116: idle pulley, 118: driving Motor, 120: Ball screw, 130: Positioning pin, 134: Chuck member

Claims (2)

ウエハを支持したウエハチャックを移動させることにより、プローブカードのプローブを前記ウエハに接触させて電気特性を測定するプロービング装置において、
前記ウエハチャックと前記プローブカードとの間で密閉空間を形成させるシール機構と、
前記ウエハチャックを着脱自在に載置して真空固定し、前記ウエハチャックを前記ウエハと前記プローブとが接触する位置まで所定速度で上昇させる、モータ駆動のウエハチャック昇降手段と、を備え、
前記ウエハチャック昇降手段による前記プローブの前記ウエハへの接触後、前記ウエハチャックの真空固定を解除した後に、前記密閉空間を減圧、前記ウエハに前記プローブを所定圧力で接触させるプロービング装置。
In a probing apparatus, in which a probe of a probe card is brought into contact with the wafer by moving a wafer chuck supporting the wafer to measure an electrical property,
A sealing mechanism for forming a sealed space between the wafer chuck and the probe card;
A motor-driven wafer chuck lifting means for detachably mounting and vacuum fixing the wafer chuck and for raising the wafer chuck at a predetermined speed to a position where the wafer and the probe are in contact with each other;
A prober for reducing the pressure in the sealed space and bringing the probe into contact with the wafer at a predetermined pressure after releasing the vacuum fixation of the wafer chuck after contact of the probe with the wafer by the wafer chuck elevating means.
ウエハを支持したウエハチャックを移動させることにより、プローブカードのプローブを前記ウエハに接触させて電気特性を測定するプロービング装置におけるプローブコンタクト方法において、
モータ駆動のウエハチャック昇降手段に前記ウエハチャックを着脱自在に載置して真空固定し、前記ウエハチャック昇降手段により記ウエハチャックを前記ウエハと前記プローブとが接触する位置まで所定速度で上昇させる工程と、
前記ウエハチャック昇降手段による前記プローブの前記ウエハへの接触後、前記ウエハチャックの真空固定を解除した後に、前記ウエハチャックと前記プローブカードとの間にシール機構により形成された密閉空間を減圧、前記ウエハに前記プローブを所定圧力で接触させる工程と、
を備えるプローブコンタクト方法。
In a probe contact method in a probing apparatus, in which a probe of a probe card is brought into contact with a wafer by moving a wafer chuck supporting the wafer to measure an electrical property,
Wherein the wafer chuck lifting means of the motor drive by placing the wafer chuck detachably vacuum fixing is increased at a predetermined rate before Symbol wafer chuck to a position in contact with the probe and the wafer by the wafer chuck lifting means Process,
After contact with the wafer of the probe by the wafer chuck lifting means, after releasing the vacuum fixing of the wafer chuck, depressurizing the closed space formed by the sealing mechanism between the wafer chuck and the probe card, Bringing the probe into contact with the wafer at a predetermined pressure;
Probe contact method.
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