JP6490459B2 - ウェハ固定テープ、半導体ウェハの処理方法および半導体チップ - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウェハをチップに個片化する処理方法に関し、より具体的にはプラズマダイシングを用いた半導体ウェハの処理方法、プラズマダイシングに用いるウェハ固定テープ、およびその処理方法によって得られる半導体チップに関する。

近年、モバイル機器の発展から、半導体デバイスに対して更なる薄型化が望まれている。このため、半導体チップを厚さ５０〜１００μｍあるいはそれ以下まで薄くする必要が生じている。一般的に、裏面研削の際は半導体ウェハの回路等を施したパターン面に表面保護テープを貼合して、パターン面の保護およびウェハの固定を行い、裏面研削が行われる。その後、ダイシング、ピックアップ、ダイボンド、樹脂封止等の各種の工程を経て、半導体装置が製造される。

半導体ウェハをダイシングし、チップ化する際には、半導体ウェハの裏面（研削面）にダイシングテープを貼合し、ダイシングテープ上にウェハを保持しつつウェハの個片化（ダイシング）を行っている。したがって、ウェハのダイシング時には、十分な接着力でウェハを固定する一方でダイシング終了後には個片化したチップをダイシングテープからピックアップする必要がある。

半導体ウェハのダイシング時に、チッピングと呼ばれるチップの欠け・ヒビが生じ、その大きさは１００μｍに達することがある。薄膜化が進んでいる半導体デバイスにおいては、数十μｍのチッピングであっても、パターン面にチッピングが達することがあり、これが歩留まりの低下に繋がる。

このチッピングは、ダイシング時にウェハ切断用の回転刃によってチップが振動してしまい、チップと回転刃、あるいはチップ同士との接触が生じることに起因する。チッピングの問題を解決するために、特許文献１においては、より強固にチップを保持するための粘着剤構成物が開示されているが、十分なチッピング抑制に至っていない。

近年では回転刃を用いてダイシングする方法に代わり、種々の方法が用いられてきている。なかでもプラズマダイシングは、チップに対する振動を抑えるだけでなく、エッチングレートが非常に高いなどの理由からチップの分断に最適なプロセスの１つとされてきた。プラズマダイシングについては例えば特許文献２に記載されている。

特開２０１１−２３３７１８号公報 特開２００７−０１９３８５号公報

ピックアップ工程は、ダイシングテープを伸張した状態で行う。即ち、ダイシングテープの下部からピックアップする半導体チップをピンで突き上げ、上部からコレット等で真空吸着してピックアップしている。このピンでの突き上げの際、ダイシングテープを引き伸ばし、チップ間隔を広げるため、ダイシングテープは引き伸ばされるエキスパンド性を備える必要がある。一方、プラズマダイシング工程は高熱下におかれるため耐熱性を備える必要がある。従来のダイシングテープにおいてはこの両立が困難であり、エキスパンド性の良好なテープであればプラズマダイシング時の熱で溶融し易く、耐熱性の良好なテープであればエキスパンド不能になり易かった。そのため、エキスパンド性と耐熱性の両立したダイシングテープの開発が求められている。

本発明はこうした課題に鑑みてなされたもので、プラズマダイシングを用いた半導体ウェハの処理において、プラズマダイシングを行う場合の耐熱性に優れ、ピックアップを行う場合のエキスパンド性に優れたウェハ固定テープを提供することを目的とする。
また本発明は、このウェハ固定テープを用いて行う半導体ウェハの処理方法であって、チッピングの発生が抑制され、ピックアップ性に優れた半導体ウェハの処理方法を提供すること、およびこの半導体ウェハの処理方法により製造された半導体チップを提供することを目的とする。

本発明の上記課題は以下の手段によって実現することができる。
［１］基材フィルムに粘着剤層を有してなるウェハ固定テープであって、
前記基材フィルムが、３元共重合体を金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂を含み、前記粘着剤層とは反対側の基材フィルム表面の算術平均粗さＲａが０．１〜３．０μｍであり、熱伝導率が０．２Ｗ／ｍ・Ｋ〜５．０Ｗ／ｍ・Ｋであり、かつ、半導体ウェハに貼合してプラズマダイシング工程を実行し得るプラズマダイシングテープであることを特徴とするウェハ固定テープ。
［２］前記粘着剤層のシリコンに対する１００℃、１０分加熱後の粘着力変化が０．３Ｎ／２５ｍｍ以下であることを特徴とする［１］に記載のウェハ固定テープ。
［３］半導体ウェハの処理方法であって、
（ａ）パターン面には［１］または［２］に記載のウェハ固定テープを貼合し、裏面にはレジストが積層した半導体ウェハの裏面側からＳＦ_６プラズマにより半導体ウェハを分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程、および、
（ｄ）Ｏ_２プラズマにより前記レジストを除去するアッシング工程
を含むことを特徴とする半導体ウェハの処理方法。
［４］ウェハ固定テープ側から紫外線を照射して前記粘着剤層を架橋させる工程を含むことを特徴とする［３］に記載の半導体ウェハの処理方法。
［５］半導体ウェハの処理方法であって、
（ａ）パターン面にはレジストが積層し、裏面には［１］または［２］に記載のウェハ固定テープを貼合した半導体ウェハのパターン面側からＳＦ_６プラズマにより半導体ウェハを分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程、および、
（ｄ）Ｏ_２プラズマにより前記レジストを除去するアッシング工程
を含むことを特徴とする半導体ウェハの処理方法。
［６］個片化した半導体チップを前記ウェハ固定テープからピックアップ用テープに転写する工程をさらに含むことを特徴とする［５］に記載の半導体ウェハの処理方法。
［７］半導体ウェハのパターン面に表面保護テープを貼合した状態で半導体ウェハの裏面を研削する工程を含むことを特徴とする［３］〜［６］のいずれか１項に記載の半導体ウェハの処理方法。
［８］前記ウェハ固定テープをリングフレームにて支持固定する工程と、ウェハ固定テープからチップをピックアップする工程とを含むことを特徴とする［３］〜［７］のいずれか１項に記載の半導体ウェハの処理方法。
［９］前記［３］〜［８］のいずれか１項に記載の半導体ウェハの処理方法によって製造されてなることを特徴とする半導体チップ。

本発明によれば、プラズマダイシング時の耐熱性と、良好なピックアップ性を有し、チッピングの発生を低減することでき、歩留まりを良くすることができる。

本発明の第１実施態様における半導体ウェハへの表面保護テープ貼合までの工程を説明する概略断面図であり、分図１（ａ）は半導体ウェハを示し、分図１（ｂ）は表面保護テープを貼合する様子を示し、分図１（ｃ）は表面保護テープを貼合した半導体ウェハを示す。 本発明の第１実施態様における半導体ウェハの薄膜化とマスク形成までの工程を説明する概略断面図であり、分図２（ａ）は半導体ウェハの薄膜化処理を示し、分図２（ｂ）は表面保護テープを剥離する様子を示し、分図２（ｃ）はパターン面にマスクを形成した状態を示し、分図２（ｄ）はウェハ固定テープの層構成を示す。 本発明の第１実施態様におけるチップ個片化までの工程を説明する概略断面図であり、分図３（ａ）はウェハ保護テープを貼合した状態を示し、分図３（ｂ）はプラズマダイシングを行う様子を示し、分図３（ｃ）はチップに個片化された状態を示す。 本発明の第１実施態様におけるチップをピックアップするまでの工程を説明する概略断面図であり、分図４（ａ）はプラズマアッシングを行う様子を示し、分図４（ｂ）はマスクとなったレジストが除去された状態を示し、分図４（ｃ）はチップをピックアップする様子を示す。 本発明の第１実施態様の変形例における半導体ウェハへの表面保護テープ貼合までの工程を説明する概略断面図であり、分図５（ａ）は半導体ウェハを示し、分図５（ｂ）はパターン面にレジストによりマスクした状態を示し、分図５（ｃ）は表面保護テープを貼合する様子を示す。 本発明の第１実施態様の変形例における半導体ウェハの薄膜化と表面保護テープ剥離までの工程を説明する概略断面図であり、分図６（ａ）はマスクしたパターン面に表面保護テープを貼合した様子を示し、分図６（ｂ）は半導体ウェハの薄膜化処理を示し、分図６（ｃ）は表面保護テープを剥離する様子を示す。 本発明の第１実施態様の別の変形例におけるピックアップまでの状態を説明する概略断面図であり、分図７（ａ）はウェハ固定テープ上での個片化した半導体チップを示し、分図７（ｂ）は各チップをピックアップ用テープに転写する工程を示し、分図７（ｃ）はピックアップ用テープからチップをピックアップする様子を示す。 本発明の第１実施態様のさらに別の変形例における紫外線照射前後の工程を説明する概略断面図であり、分図８（ａ）はパターン面がレジストで被覆された状態を示し、分図８（ｂ）は半導体ウェハ固定テープ側から紫外線が照射される様子を示し、分図８（ｃ）はプラズマダイシングを行う様子を示す。 本発明の第２実施態様におけるウェハ固定テープを貼合するまでの工程を説明する概略断面図であり、分図９（ａ）はパターン面を表面保護テープで被覆し研削した裏面にはレジストによるマスクを形成した状態を示し、分図９（ｂ）は表面保護テープを剥離する様子を示し、分図９（ｃ）はパターン面にウェハ固定テープを貼合する様子を示す。 本発明の第２実施態様におけるプラズマアッシングまでの工程を説明する概略断面図であり、分図１０（ａ）はウェハ裏面からプラズマダイシングを行う様子を示し、分図１０（ｂ）はチップに個片化した状態を示し、分図１０（ｃ）はプラズマアッシングを行う様子を示す。 本発明の第２実施態様におけるピックアップまでの工程を説明する概略断面図であり、分図１１（ａ）はマスクとなったレジストが除去された状態を示し、分図１１（ｂ）はチップをピックアップする様子を示す。 本発明の第２実施態様の変形例における紫外線照射前後の工程を説明する概略断面図であり、分図１２（ａ）はパターン面がウェハ固定テープで被覆された状態を示し、分図１２（ｂ）はウェハ固定テープ側から紫外線が照射される様子を示し、分図１２（ｃ）はプラズマダイシングを行う様子を示す。

以下に、本発明のウェハ固定テープと本発明の半導体ウェハの処理方法の好ましい実施態様を、図面を参照して説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
なお、以下に示す工程に用いられる装置及び材料は、特に断りのない限り、以前より半導体ウェハ加工に用いられている装置等を使用することができ、その使用条件は常法により適切な条件を設定することができる。また、各実施形態で共通する材質、構造、方法、効果などについては重複記載を省略する。

＜＜ウェハ固定テープ＞＞
本発明のウェハ固定テープ５は、半導体ウェハのデバイス面または裏面にフォトリソ工程でマスクし、プラズマダイシングとプラズマアッシングして、半導体ウェハを加工する処理において、使用するのに適したウェハ固定テープである。
本発明のウェハ固定テープ５は、基材フィルム５ａ上に粘着剤層５ｂを有し、かつ基材フィルム５ａが、３元共重合体を金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂を含み、前記粘着剤層とは反対側の基材フィルム表面の算術平均粗さＲａが０．１〜３．０μｍである。

＜基材フィルム＞

アイオノマー樹脂を構成する３元共重合体は、エチレンおよび（メタ）アクリル酸に加えてα，β−不飽和カルボン酸エステルや（メタ）アクリル酸エステル等の他の共重合成分を含み、重合体構成単位の（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸２−メチルプロピル、（メタ）アクリル酸２−エチルプロピル、（メタ）アクリル酸２−メチルブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルブチル、（メタ）アクリル酸２−メチルヘキシル、（メタ）アクリル酸３−メチルヘキシル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸１，２−ジメチルブチル等が挙げられる。

上記の金属イオンとしては、例えばＮａイオン、ＫイオンもしくはＬｉイオン等のアルカリ金属イオン、Ｃａイオン、Ｍｇイオン、Ｚｎイオン等の２価金属イオン、例えばＡｌイオンもしくはＮｄイオン等の３価金属イオン、およびそれらの混合物が挙げられるが、Ｎａイオン、ＺｎイオンまたはＬｉイオン等が耐久性等から好適に用いられる。

３元共重合体系アイオノマー樹脂の具体例を商品名で例示すると、三井デュポンポリケミカル（株）から市販されているハイミラン１８５６（Ｎａ）、ハイミラン１８５５（Ｚｎ）、ハイミランＡＭ７３１６（Ｚｎ）等、デュポン社から市販されているサーリンＡＤ８２６５（Ｎａ）、サーリンＡＤ８２６９（Ｎａ）等が挙げられる。なお、前記アイオノマー樹脂の商品名の後の括弧内に記載したＮａ、Ｚｎ、Ｋ、Ｌｉ、Ｍｇなどはこれらの中和金属イオンの金属種を示している。

本発明では、基材フィルム５ａに含有する樹脂として、３元共重合体を金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂以外の樹脂を含有しても構わない。
このような樹脂としては、ポリプロピレン／エラストマーやポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等の樹脂などが挙げられる。

本発明では、基材フィルム中のアイオノマー樹脂の含有量は、５〜１００質量％が好ましく、１０〜７０質量％がより好ましい。

基材フィルム５ａの静電チャックテーブルとの接触面の表面の算術平均粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１−２００１）は、本発明では０．１〜３．０μｍである。０．１μｍよりも平滑にフィルムを製造することは困難であり、３．０μｍよりも粗いと基材フィルム５ａの熱が静電チャックテーブルに伝わり難くなり、基材フィルム５ａの昇温を抑えることが困難になる。

基材フィルム５ａの表面粗さ算術平均粗さＲａは、例えば、フィルム成型時の成型用ロールの凹凸によりエンボス加工することや、二次加工としてサンドブラスト処理あるいは薬剤を用いたケミカルマット処理を行うことで目的とする範囲にすることができる。

また、基材フィルム５ａの１００℃、１０分加熱後の熱収縮率は、４％未満が好ましく、３％以下がより好ましく、２％以下がさらに好ましく、１％以下が特に好ましい。熱収縮率が４％以上であると、プラズマダイシング後に個片化したチップ７どうしがぶつかり合ってチップ７を傷める可能性が高い。３％以下であれば熱履歴による悪影響はほとんど無いと考えられる。

基材フィルム５ａの熱収縮率は、例えば、押出し成型時のフィルム引張応力を低減することや、フィルム製膜後の冷却温度をコントロールして徐冷することで目的とする範囲にすることができる。

基材フィルム５ａの厚さは、強・伸度特性、放射線透過性の観点から２０〜２００μｍが好ましく、８０〜１５０μｍがより好ましい。

＜粘着剤層＞
粘着剤層５ｂは、プラズマダイシングやプラズマアッシングに対する耐性としての耐熱性と、チップ７をピックアップする際の剥離性を有する必要がある。そのため、粘着剤層にはこうした性質を有する非硬化性の粘着剤や、好ましくは放射線、より好ましくは紫外線硬化により粘着剤が三次元網状化を呈し、粘着力が低下すると共に剥離した後の表面に粘着剤などの残留物が生じ難い、紫外線硬化型や電子線のような電離性放射線硬化型等の放射線重合型の粘着剤を用いることができる。
なお、放射線とは紫外線のような光線や電子線のような電離性放射線を含む概念である。

こうした粘着剤としては、アクリル系粘着剤や、このアクリル系粘着剤と放射線重合性化合物とを主成分としてなる粘着剤とすることができる。
アクリル系粘着剤は、（メタ）アクリル系共重合体及び硬化剤を成分とするものである。（メタ）アクリル系共重合体は、例えば（メタ）アクリル酸エステルを重合体構成単位とする重合体、及び（メタ）アクリル酸エステル系共重合体の（メタ）アクリル系重合体、或いは官能性単量体との共重合体、及びこれらの重合体の混合物等が挙げられる。これらの重合体の分子量としては質量平均分子量が５０万〜１００万程度の高分子量のものが一般的に適用される。

硬化剤は、（メタ）アクリル系共重合体が有する官能基と反応させて粘着力及び凝集力を調整するために用いられるものである。例えば、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）トルエン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミンなどの分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネートなどの分子中に２個以上のイソシアネート基を有するイソシアネート系化合物、テトラメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロール−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−アジリジニルプロピオネート、トリメチロールプロパン−トリ−β−（２−メチルアジリジン）プロピオネートなどの分子中に２個以上のアジリジニル基を有するアジリジン系化合物等が挙げられる。硬化剤の添加量は、所望の粘着力に応じて調整すればよく、（メタ）アクリル系共重合体１００質量部に対して０．１〜５．０質量部が適当である。

また、放射線で硬化する粘着剤は、放射線硬化型粘着剤と称され、放射線で硬化しない粘着剤は感圧型粘着剤と称される。
放射線硬化型粘着剤は、前記のアクリル系粘着剤と放射線重合性化合物とを主成分としてなるのが一般的である。放射線重合性化合物とは、例えば紫外線の照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分量化合物が広く用いられ、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等が広く適用可能である。

また、上記の様なアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いることも出来る。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナートなど）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど）を反応させて得られる。

放射線硬化型粘着剤中のアクリル系粘着剤と放射線重合性化合物との配合比としては、アクリル系粘着剤１００質量部に対して放射線重合性化合物を５０〜２００質量部、好ましくは５０〜１５０質量部の範囲で配合されるのが望ましい。この配合比の範囲である場合、放射線照射後に粘着剤層の粘着力は大きく低下する。
更には、放射線硬化型粘着剤は、上記の様にアクリル系粘着剤に放射線重合性化合物を配合する替わりに、アクリル系粘着剤自体を放射線重合性アクリル酸エステル共重合体とすることも可能である。

放射線重合性アクリル酸エステル共重合体は、共重合体の分子中に、放射線、特に紫外線照射で重合反応することが可能な反応性の基を有する共重合体である。このような反応性の基としては、エチレン性不飽和基、すなわち、炭素−炭素二重結合を有する基が好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、スチリル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、（メタ）アクリルロイルアミノ基などが挙げられる。
このような反応性の基は、例えば、共重合ポリマーの側鎖に、ヒドロキシ基を有する共重合体に、ヒドロキシ基と反応する基、例えば、イソシアネート基などを有し、かつ紫外線照射で重合反応することが可能な上記の反応性の基を有する化合物〔（代表的には、２−（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート〕を反応させることによって得ることができる。

以下に、エチレン性不飽和基を有する重合体をさらに説明する。
エチレン性不飽和基を有する重合体はどのようなものでも構わないが、（メタ）アクリル共重合体が好ましい。重合体中に含有する二重結合の量の指標であるヨウ素価は０．５〜２０であるものが好ましい。このヨウ素価はより好ましくは０．８〜１０である。

エチレン性不飽和基を有する重合体はどのようにして製造されたものでもよいが、側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル重合体に、エチレン性不飽和基と重合体中の官能基（α）と反応する官能基（β）を有する化合物を反応させ、（メタ）アクリル重合体の側鎖にエチレン性不飽和基を導入する方法が好ましい。

エチレン性不飽和基としては、どのような基でも構わないが、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、（メタ）アクリロイルアミノ基、アリル基、１−プロペニル基、ビニル基（スチレンもしくは置換スチレンを含む）が好ましく、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基がより好ましい。官能基（α）と反応する官能基（β）としては、カルボキシル基、ヒドロキシ基、アミノ基、メルカプト基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基等が挙げられる。

ここで、官能基（α）と官能基（β）のうちの一方の官能基が、カルボキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、メルカプト基、または環状酸無水基である場合には、他方の官能基は、エポキシ基、イソシアネート基が挙げられ、一方の官能基が環状酸無水基の場合、他方の官能基はカルボキシル基、ヒドロキシ基、アミノ基、メルカプト基が挙げられる。なお、一方の官能基が、エポキシ基である場合は、他方の官能基はエポキシ基であってもよい。

側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル重合体は、官能基（α）を有する、（メタ）アクリル酸エステル、アクリル酸または（メタ）アクリルアミドを重合させることで得られる。官能基（α）としては、カルボキシ基、ヒドロキシ基、アミノ基、メルカプト基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基等が挙げられ、カルボキシル基、ヒドロキシ基が好ましく、ヒドロキシ基が特に好ましい。

このようなモノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基および放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したもの等を挙げられる。これらの中でも、アクリル酸、メタクリル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートが好ましく、アクリル酸、メタクリル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類がより好ましく、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類がさらに好ましい。

エチレン性不飽和基を有する重合体、特に、エチレン性不飽和基を有する共重合体は、上記のモノマーとともに、（メタ）アクリル酸エステル等の他のモノマーとの共重合体が好ましい。（メタ）アクリル酸エステルとしては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、ｎ−プロピルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ｎ−ペンチルアクリレート、ｎ−ヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレートヘキシルアクリレート、およびこれらに対応するメタクリレートが挙げられる。（メタ）アクリル酸エステルは１種でも２種以上でも構わないが、アルコール部の炭素数が５以下のものと炭素数が６〜１２のものを併用することが好ましい。エチレン性不飽和基を有する共重合体は、（メタ）アクリル酸エステルに加えて、（メタ）アクリル酸をさらに共重合したものが好ましい。

エチレン性不飽和基を有する重合体、特に、エチレン性不飽和基を有する共重合体の重合反応は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合のいずれであってもよい。側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル樹脂に、エチレン性不飽和基と前記樹脂中の官能基（α）と反応する官能基（β）を有する化合物を反応させる場合、一方を過剰にして、反応させ、未反応の官能基を残すことにより、所望の粘着物性および弾性率に調整することができる。

重合開始剤としては、α，α’−アゾビスイソブチルニトリル等のアゾビス系、ベンゾイルペルオキシド等の有機過酸化物系等のラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の樹脂を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。

エチレン性不飽和基を有する重合体の質量平均分子量は、２０万〜１５０万程度が好ましく、７０万〜１２０万がより好ましい。低分子量成分を少なくすることで、半導体ウェハ表面汚染を抑制することができ、例えば分子量１０万以下の分子が全体の１０％以下とすることなどが好ましい。分子量が１５０万を越えると、合成時および塗工時にゲル化する可能性がある。

エチレン性不飽和基と官能基（α）と反応する官能基（β）を有する化合物を説明する。エチレン性不飽和基は先に説明した基が好ましく、好ましい範囲も同じである。官能基（α）と反応する官能基（β）は先に説明した基が挙げられる。官能基（β）としては、イソシアネート基が得に好ましい。

エチレン性不飽和基と官能基（α）と反応する官能基（β）を有する化合物としては、官能基（α）を有するモノマーの化合物、アルコール部にイソシアネート基を有する（メタ）アクリレートが挙げられ、アルコール部にイソシアネート基を有する（メタ）アクリレートが好ましい。アルコール部にイソシアネート基を有する（メタ）アクリレートとしては、アルコール部の末端にイソシアネート基を有するものが好ましく、アルコール部のイソシアネート基以外の炭素数は２〜８が好ましく、アルコール部は直鎖アルキルのものが好ましい。アルコール部にイソシアネート基を有する（メタ）アクリレートとしては、例えば、２−イソシアナトエチルアクリレート、２−イソシアナトエチルメタクリレートが好ましく挙げられる。

紫外線等の放射線により粘着剤層を重合させる場合には、光重合性開始剤、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ベンジルメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を併用することが出来る。これらのうち少なくとも１種類を粘着剤層に添加することにより、効率よく重合反応を進行させることが出来る。

なお、紫外線等の放射線により粘着剤層を重合させる場合にも、粘着剤層中に前述の硬化剤を加えることが好ましい。また、上記の光重合性開始剤と併用して光増感剤を併用することも好ましい。

２−エチルヘキシルアクリレートとｎ−ブチルアクリレートとの共重合体から成るアクリル系粘着剤に対して、紫外線硬化性の炭素−炭素二重結合を有する（メタ）アクリレート化合物を含有し、光開始剤および光増感剤を配合してなる粘着剤は好ましい態様の一つである。

粘着剤層には、その他従来公知の粘着付与剤、軟化剤、可塑剤、酸化防止剤等を含有してもよい。

粘着剤層５ｂの厚さは、５〜１００μｍが好ましく、５〜３０μｍがより好ましく、１０〜２０μｍが最も好ましい。なお、５μｍよりも薄いとパターン面２に形成された素子等の保護が不十分となるおそれがある。

＜その他の層＞
ウェハ固定テープ５としては、ピックアップ後のダイボンディング工程への移行を容易にするために、粘着剤層５ｂと基材フィルム５ａとの間にダイボンディング用接着剤が積層したダイボンディングテープを用いることもできる。

＜ウェハ固定テープの特性＞
（熱伝導率）
ウェハ固定テープ５の熱伝導率は、０．２Ｗ／ｍ・Ｋ以上５．０Ｗ／ｍ・Ｋ以下であり、１．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上５．０Ｗ／ｍ・Ｋ以下が好ましく、２．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上５．０Ｗ／ｍ・Ｋ以下が特に好ましい。熱伝導率が０．２Ｗ／ｍ・Ｋ未満であると、基材フィルム５ａの熱が静電チャックテーブルに伝わらず基材フィルム５ａの昇温を抑えられなくなる。熱伝導率が高いほど静電チャックテーブルに熱を伝えやすくなるが、現実的には５．０Ｗ／ｍ・Ｋ以下である。

（シリコンに対する加熱後粘着力変化）
半導体ウェハ１またはチップ７に対する１００℃で１０分間加熱後のウェハ固定テープ５の粘着剤層５ｂの粘着力変化は０．３Ｎ／２５ｍｍ以下が好ましく、０．１５Ｎ／２５ｍｍ以下がより好ましい。
１００℃で１０分間加熱後の粘着力変化が０．３Ｎ／２５ｍｍを超えるとピックアップ性能に悪影響を及ぼすおそれが高い。０．３Ｎ／２５ｍｍ以下であれば、ピックアップ性能に悪影響を及ぼすおそれが低く、０．１５Ｎ／２５ｍｍ以下であれば、熱履歴による影響はないと考えられる。

ここで、粘着力変化は、１００℃で１０分間加熱する前の粘着力から、加熱後の粘着力を差し引き、その差の絶対値である。

（静電吸着力）
ウェハ固定テープ５の静電チャックテーブルに対する静電吸着力は２００Ｐａ以上が好ましく、３００Ｐａ以上がより好ましく、３００Ｐａ以上１５００Ｐａ以下がさらに好ましく、７００〜１０００Ｐａが特に好ましい。静電吸着力が２００Ｐａ未満であると、ウェハ固定テープ５が静電チャックテーブルに対してほとんど密着しない。
２００Ｐａを超え３００Ｐａ未満であるとウェハ固定テープ５の静電チャックテーブルとの密着性が乏しく、基材フィルム５ａの熱を十分に静電チャックテーブルに伝えられなくなる場合があるため、３００Ｐａ以上がより好ましいが、７００Ｐａ以上であればウェハ固定テープ５と静電チャックテーブルとの密着性がとても高く熱伝達を起こしやすい。

（アウトガス発生総量）
さらにウェハ固定テープ５の１００℃でのアウトガス発生総量は、０．３質量％以下が好ましく、０．１５質量％がより好ましく、０．１０質量％がさらに好ましく、０．０５質量％以下が特に好ましい。
アウトガス発生量が０．１５質量％を超えるとチップ７のパターン面２に悪影響を及ぼすおそれがある。

（粘着剤層のプラズマ耐性）
本発明では、プラズマダイシングされることから、プラズマに対する耐性が要求される。
プラズマのエッチング速度が遅いほど、ウェハ固定テープ５の粘着剤層５ｂはプラズマとの接触時間が長くなり、侵されて分解、変質などのダメージを受け、チップ７を保持し得なくなる。このため、粘着剤層５ｂがダメージを受けないエッチング速度を調べることで、プラズマに対する耐性が評価できる。

本発明では、ウェハ固定テープ５の粘着剤層５ｂのＳＦ_６プラズマおよびＯ_２プラズマに対するエッチング速度は２．０μｍ／分以下が好ましく、１．０μｍ／分以下がより好ましく、０．５μｍ／分以下がさらに好ましく、０．１μｍ／分未満が特に好ましい。ＳＦ_６プラズマやＯ_２プラズマに対するエッチング速度が２．０μｍ／分を超えるとウェハ固定テープ５も侵されてチップを保持し得なくなる。０．１μｍ／分未満であればプラズマによる影響はないと考えられるが、０．１μｍ／分以上でも各処理工程で不都合が生じるおそれがほとんどなく、少なくとも０．１μｍ／分以上２．０μｍ／分以下が望ましい範囲である。

ここで、ＳＦ_６ガスを用いた半導体ウェハのＳｉのエッチングプロセスはＢＯＳＣＨプロセスとも呼ばれ、露出したＳｉと、ＳＦ_６をプラズマ化して生成したＦ原子とを反応させ、四フッ化ケイ素（ＳｉＦ_４）として除去するものであり、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）とも呼ばれる。一方、Ｏ_２プラズマによる除去は、半導体製造プロセス中ではプラズマクリーナーとしても用いられる方法でアッシング（灰化）とも呼ばれ、対有機物除去の手法の一つである。半導体デバイス表面に残った有機物残渣をクリーニングするために行われる。

＜＜本発明の半導体ウェハの処理方法＞＞
以下に、図面を参照して、本発明の半導体ウェハの処理方法の好ましい実施態様を説明する。
本発明では、半導体ウェハの処理方法として、以下の好ましい実施形態に分類される。
ただし、本発明では、以下に説明する実施形態に限定されるものではない。

＜第１実施形態［図１〜図４］＞
本発明の好ましい第１の実施形態である半導体ウェハの個片化方法を図１〜図４を参照して説明する。
半導体ウェハ１は、その表面Ｓに半導体素子の回路などが形成されたパターン面２を有している（図１(ａ)参照）。このパターン面２には、表面保護テープ３を貼合し（図１(ｂ)参照）、パターン面２が表面保護テープ３で被覆された半導体ウェハ１を得る（図１(ｃ)参照）。

次に、半導体ウェハ１の裏面Ｂをウェハ研削装置Ｍ１で研削し、半導体ウェハ１の厚みを薄くする（図２(ａ)参照）。その後、パターン面２から表面保護テープ３を剥離する（図２(ｂ)参照）。表出したパターン面２には、一般的な手法に従いレジスト４を積層してマスクを形成する（図２(ｃ)参照）。一方、ウェハ裏面に貼合するウェハ固定テープ５を準備する。このウェハ固定テープ５は基材フィルム５ａに粘着剤層５ｂが積層したものである（図２(ｄ)参照）。

半導体ウェハ１の研削した裏面Ｂにはウェハ固定テープ５を貼合して、リングフレームＦに支持固定する（図３(ａ)参照）。そして、表面Ｓ側からＳＦ_６ガスのプラズマＰ１による処理を行い、半導体ウェハ１をエッチングし（図３(ｂ)参照）、個々の半導体チップ(以下単に「チップ」ともいう）７に分割して個片化する（図３(ｃ)参照）。

次いでＯ_２ガスのプラズマＰ２によってアッシングを行って（図４(ａ)参照）、表面Ｓに残ったレジスト４を取り除き表面にパターン面２が表出し個片化したチップ７を得る（図４(ｂ)参照）。そしてそのチップ７をピンＭ２により突き上げコレットＭ３により吸着してピックアップする（図４(ｃ)参照）。

なお、ＳＦ_６プラズマおよびＯ_２プラズマによるエッチング速度は２．０μｍ／分以下が好ましく、１．０μｍ／分以下がより好ましく、０．５μｍ／分以下がさらに好ましい。エッチング速度の下限は、０．１μｍ／分以上が好ましい。

次に上記方法で用いた材料について説明する。
半導体ウェハ１は、片面に半導体素子の回路などが形成されたパターン面２を有するシリコンウェハなどであり、パターン面２は、半導体素子の回路などが形成された面である。

表面保護テープ３は、パターン面２に形成された半導体素子を保護する機能を有する。即ち、後工程のウェハ薄膜化工程ではパターン面２で半導体ウェハ１を支持してウェハの裏面が研削されるために、この研削時の負荷に耐える必要がある。そのため、表面保護テープ３はパターン面２に形成される素子を被覆するだけの厚みがあって、その押圧抵抗は低く、また研削時のダストや研削水などの浸入が起こらないように素子を密着できるだけの密着性が高いものである。この表面保護テープ３には以前より公知の表面保護テープを用いることができる。

レジスト４には、フォトリソ工程で用いられてきたレジストなど、これまで公知の一般的なものを適用することができる。また、パターン面２への塗布工程もスピンコート等を利用することができ、フォトリソ工程等でマスクを形成する。

プラズダイシングおよびプラズマアッシングを行うにはプラズマエッチング装置を用いることができる。プラズマエッチング装置は、半導体ウェハ１に対してドライエッチングを行い得る装置であって、真空チャンバ内に密閉処理空間をつくり、高周波側電極側の静電チャックテーブルに半導体ウェハ１が載置され、その高周波側電極に対向して設けられたガス供給電極側からプラズマ発生用ガスが供給されるものである。高周波側電極に高周波電圧が印加されればガス供給電極と高周波側電極との間にプラズマが発生するため、このプラズマを利用する。

プラズマダイシングプロセスにおいて、上記プラズマエッチング装置内で半導体ウェハ１は静電吸着方式と呼ばれる固定方式で静電チャックテーブル上に固定される。プラズマ処理装置内はプラズマ発生による高熱にさらされるため、半導体ウェハ１に貼り付けるウェハ固定テープ５等の材料は耐熱性が必要である。そうした一方で、ウェハ固定テープ５が接地する静電チャックテーブルは、その内部に冷媒を通して冷却しており、ウェハ固定テープ５の昇温を抑えている。そのため、ウェハ固定テープ５は、静電チャックテーブルへの吸着性が高いほど、耐熱性が低くてもプラズマダイシングプロセスに適応できることが判明した。一方で、吸着性が低い場合はプラズマ雰囲気の高温にさらされるため溶融の危険性が高まる。特に静電吸着方式では、静電チャックテーブルに対する吸着性にはウェハ固定テープ５の表面粗さが影響することも判明した。

こうしたウェハ固定テープ５は、基材フィルム５ａに粘着剤層５ｂが設けられた構成からなり、このうち基材フィルム５ａは、３元共重合体を金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂を含んだものである。
特に、本発明では、ウェハ固定テープ５は、前述の本発明のウェハ固定テープ５を使用することが好ましい。

上記半導体ウェハの処理方法によれば、所定のウェハ固定テープ５を用いたことからプラズマダイシングやプラズマアッシング工程に耐え、チッピング等を生じることなくこれらの工程を無理なく実行することができるとともに、その後のピックアップ工程においても歩留まり良くピックアップ工程を実行することができる。
また、レジスト４をＯ_２プラズマで除去できるため、プラズマダイシングを行う装置と同じ装置でマスク部分の除去ができる。加えてパターン面２側（表面Ｓ側）からプラズマダイシングを行うため、ピッキング作業前にチップの上下を反転させる必要がない。これらの理由から良質なチップを大量に製造することができ、プロセスコストを大幅に抑えることができる。

第１実施形態は、以下のように部分的に変更した変形例も好ましい。

〔変形例１−１［図５、図６］〕
先の第１実施形態では半導体ウェハ１を研削して薄膜化してからレジスト４を形成したが、本実施形態ではレジスト４によるマスクを形成してから半導体ウェハ１を研削して薄膜化する点で異なる。その他の工程は第１実施形態と同じである。
即ち、図面を用いて説明すると、半導体素子の回路などが形成されたパターン面２を有する半導体ウェハ１（図５(ａ)参照）の表面Ｓに、一般的な手法に従いレジスト４を積層してマスクを形成する（図５(ｂ)参照）。このマスクが形成されたパターン面２にはさらに表面保護テープ３を貼合し（図５(ｃ)参照）、パターン面２とレジスト４が表面保護テープ３で被覆された半導体ウェハ１を得る（図６(ａ)参照）。次に、半導体ウェハ１の裏面Ｂをウェハ研削装置Ｍ１で研削し（図６(ｂ)参照）、半導体ウェハ１の厚みを薄くした後、パターン面２から表面保護テープ３を剥離する（図６(ｃ)参照）。そして、その後の工程は第１実施形態と同様に、表面Ｓ側からＳＦ_６ガスのプラズマＰ１による処理工程に移行する。

本実施形態では、ウェハを薄膜化する前にレジスト４を形成するため、半導体ウェハ１の取り扱いがし易く、レジスト４の形成が容易である。

〔変形例１−２［図７］〕
本実施形態では、個片化したチップ７をピックアップする前にピックアップ用テープ６に転写する工程を実施する点で上記実施形態とは異なる。
即ち、図面を用いて説明すると、ウェハ固定テープ５の上でダイシングされた各チップ７（図７(ａ)参照）は、ピックアップ用テープ６に転写する（図７(ｂ)参照）。そして、ピックアップ用テープ６からピンＭ２で突き上げ、コレットＭ３でピックアップする（図７(ｃ)参照）。その他の工程は第１実施形態または変形例１−２と同じである。
本実施形態では、ピックアップ用テープ６に転写する工程を実施することから、コレットＭ３ではチップ７の裏面Ｂ側を吸着することになる。そのため、パターン面２がコレットＭ３と接触することを回避して、パターン面２を保護することができる。

〔変形例１−３［図８］〕
本実施形態では、第１実施形態におけるチップ７のピックアップ工程の前に紫外線を照射してウェハ固定テープ５の粘着剤層５ｂを架橋させる工程を含む点で第１実施形態、変形例１−１および変形例１−２と異なる。その他の工程は第１実施形態、変形例１−１および変形例１−２と同じである。
例えば、パターン面２にレジスト４を設けた（図８(ａ)参照）後、裏面Ｂ側からウェハ固定テープ５に向けて紫外線ＵＶを照射する（図８(ｂ)参照）。そして、ウェハ固定テープ５の粘着剤層５ｂを硬化させた後、プラズマダイシング工程に移行する（図８(ｃ)参照）。

本実施形態で用いるウェハ固定テープ５は、第１実施形態で示したウェハ固定テープ５の中でも紫外線等の放射線で硬化可能な材質を粘着剤層５ｂに用いたものである。
粘着剤層５ｂを紫外線等で硬化させることにより、チップ７のピックアップを容易にし、また、プラズマダイシング時のプラズマ耐性を向上させることができる。

＜第２実施形態［図９〜図１１］＞
第１実施形態およびその変形例では、パターン面２を設けた表面Ｓ側にレジスト４を設けて表面Ｓ側からダイシングを行ったが、本実施形態では、半導体ウェハ１の裏面Ｂ側にレジスト４を設けて裏面Ｂ側からダイシングを行う点で異なる。
即ち、図面に基づいて説明すると、半導体ウェハ１の表面Ｓ側には表面保護テープ３を貼合し、半導体ウェハ１の裏面Ｂ側を研削してウェハを薄膜化した後、この研削したウェハの裏面Ｓ側に一般的な方法でレジスト４を形成する（図９(ａ)参照）。そして、表面Ｓ側から表面保護テープ３を剥離し（図９(ｂ)参照）、その剥離した面にウェハ固定テープ５を貼合する（図９(ｃ)参照）。

次いで、リングフレームＦに固定した後、裏面Ｂ側からＳＦ_６ガスのプラズマＰ１による処理を行い、半導体ウェハ１をエッチングし（図１０(ａ)参照）、個々のチップ７に分割して個片化する（図１０(ｂ)参照）。その後、Ｏ_２ガスのプラズマＰ２によってアッシングを行って（図１０(ｃ)参照）、裏面Ｂに残ったレジスト４を取り除き、個片化したチップ７を得る（図１１(ａ)参照）。そしてそのチップ７をピンＭ２により突き上げコレットＭ３により吸着してピックアップし（図１１(ｂ)参照）、その後のダイボンディング工程等へ移行する。

本実施形態では、ウェハ固定テープ５がパターン面２を覆い、プラズマダイシング工程からパターン面２を保護している。そのため、パターン面２を十分に被覆する程度の柔らかさを有し、その一方でピックアップ時にはチップ７表面のパターン面２に糊残りなく、また簡単に剥がせる剥離性を有するものである。

第２実施形態は、以下のように部分的に変更した変形例も好ましい。

〔変形例２−１［図１２］〕
本実施形態では第２実施形態におけるＳＦ_６ガスのプラズマＰ１による処理の前に、ウェハ固定テープ５に紫外線等の放射線を照射して粘着剤層５ｂを硬化させる工程を含む点で第２実施形態と異なる。その他の工程は第２実施形態と同じである。
即ち、裏面Ｂ側にレジスト４を形成した半導体ウェハ１の表面Ｓ側にウェハ固定テープ５を貼合した（図１２(ａ)参照）後、ウェハ固定テープ５に紫外線を照射して（図１２(ｂ)参照）その粘着剤層５ｂを架橋する。それからＳＦ_６ガスのプラズマＰ１によるダイシング処理を行う（図１２(ｃ)参照）。
本実施形態では、ウェハ固定テープ５の粘着剤層５ｂは、紫外線照射によって粘着剤が三次元架橋して固化しているため、プラズマにダイシング時の耐熱性が高まる点で好ましい。

上記実施形態は本発明の一例であり、こうした形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨に反しない限度において、各プロセスにおける公知のプロセスの付加や削除、変更等を行い得るものである。

以下、実施例に基づき本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものでない。

実施例１
＜ウェハ固定テープの作製＞
以下のようにして、下記表１に示すウェハ固定テープを作製した。

［粘着剤層を構成する樹脂組成物］
粘着剤層を構成する樹脂組成物として、以下の樹脂組成物ＡおよびＢを用いた。

（粘着剤層を構成する樹脂組成物Ａ）
アクリル系ベースポリマー（２−エチルヘキシルアクリレート、メチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートからなる共重合体、質量平均分子量３０万、ガラス転移温度−３５℃）１００質量部に対して、ポリイソシアネート化合物（日本ポリウレタン社製、商品名コロネートＬ）４質量部、光重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物としてテトラメチロールメタンテトラアクリレート２０質量部および光重合開始剤として日本チバガイギー社製のイルガキュアー１８４（商品名）１質量部およびフタル酸ジオクチル０．１質量部加えて混合し、放射線硬化性の粘着剤樹脂組成物Ａ１を調製した。

（粘着剤層を構成する樹脂組成物Ｂ）
ブチルアクリレート（７９質量％）、メタクリル酸（１質量％）、２−ヒドロキシエチルアクリレート（２０質量％）からなるアクリル系共重合体１００質量部に、光重合性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物として、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、商品名カレンズＭＯＩ）０．２質量部を反応させて、主鎖の繰り返し単位に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基を有するアクリル系単量体部を有する残基を結合した重合体を得た。この重合体の質量平均分子量は６０万であった。ここで、質量平均分子量は、テトラヒドロフランに溶解して得た１％溶液を、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ウオータース社製、商品名１５０−Ｃ ＡＬＣ／ＧＰＣ）により測定した値をポリスチレン換算して算出したものである。上記重合体１００質量部に対して、ポリイソシアネート化合物（日本ポリウレタン社製、商品名コロネートＬ）４質量部、光重合開始剤として日本チバガイギー社製のイルガキュアー１８４（商品名）１質量部およびフタル酸ジオクチル０．０８質量部加えて混合し、放射線硬化性の粘着剤樹脂組成物Ｂを調製した。

基材フィルムを構成する樹脂に、エチレン−メタクリル酸−（アクリル酸２−メチル−プロピル）３元共重合体で金属イオンがＭｇ金属イオンであるアイオノマー樹脂（アイオノマ−α）〈商品名 ハイミラン、三井デュポンポリケミカル社製〉を、２軸混練機でフィルム押出成形し、基材フィルムを作製した。次に、２５μｍのＰＥＴセパレータ上に上記で調製した粘着剤樹脂組成物を、乾燥後の厚さが下記表１になるように塗工して、基材フィルムに貼り合わせることで粘着剤層を形成し、ウェハ固定テープ１〜４を製造した。

基材フィルムの表面の算術平均粗さＲａ、ウェハ固定テープの熱伝導率および粘着剤層のシリコンに対する１００℃、１０分加熱後の粘着力変化を、以下のようにして測定した。

（基材フィルムの算術平均粗さＲａ）
ミツトヨ社製の表面粗さ測定機ＳＶ３０００Ｓ４（触針式）を用いて測定した。

（ウェハ固定テープの熱伝導率）
ウェハ固定テープのＰＥＴセパレータを剥離し、２０枚積層した後に、測定サイズにカットし、アドバンス理工株式会社製の定常法熱伝導率測定装置ＧＨシリーズで、温度傾斜法（定常法）にて測定した。

（シリコンに対する粘着力変化）
２５ｍｍ幅にカットしたウェハ固定テープの試験片を２ｋｇの貼合ローラーを用いて被着体であるＳｉミラー表面に貼り付け、１時間の放置後、紫外線照射し、９０°剥離、剥離速度５０ｍｍ／分で測定し、加熱前の粘着力とした。同様に１時間放置後、１００℃のホットプレート上にウェハ固定テープの基材フィルム背面を接触させる形で１０分間加熱し、１５分間冷却した。その後紫外線照射し、９０°剥離、剥離速度５０ｍｍ／分で測定し、加熱後の粘着力とした。なお、測定装置は東洋精機製のストログラフ試験機を使用した。
加熱前の粘着力から、加熱後の粘着力を差し引き、その差の絶対値を粘着力変化として、下記表１に記載した。

これらの結果をまとめて、下記表１に示す。

また、比較のウェハ固定テープとして、以下のウェハ固定テープを使用した。
［ウェハ固定テープ５］
ウェハ固定テープ１の作製において、基材フィルムの表面の算術平均粗さＲａを、成型ロールの凹凸を変更することで、３．５μｍに変更したことのみ異なるウェハ固定テープ。
［ウェハ固定テープ６］
ウェハ固定テープ１の作製において、アイオノマー樹脂以外の下記の樹脂に変更したことのみ異なるウェハ固定テープ。
樹脂：ＰＰ（ポリプロピレン）/エラストマーのブレンド

ウェハ固定テープ５の基材フィルムの算術平均粗さＲａは３．５μｍであり、ウェハ固定テープの熱伝導率は０．３Ｗ／ｍ・Ｋであり、シリコンに対する粘着力変化は０．１Ｎ／２５ｍｍであった。
また、ウェハ固定テープ６の基材フィルムの算術平均粗さＲａは２．０μｍであり、ウェハ固定テープの熱伝導率は０．３Ｗ／ｍ・Ｋであり、シリコンに対する粘着力変化は０．０５Ｎ／２５ｍｍであった。

＜半導体ウェハの加工＞
これらのウェハ固定テープを用いて次に示す工程の処理を行った。
まず、直径８インチのシリコンウェハのパターン面側にレジストを塗布しフォトリソでストリート部分を露光して開口した。そしてその上に市販の表面保護テープを貼合し、バックグラインダー（ＤＦＤ８５４０（株式会社ディスコ製））にてウェハ厚が５０μｍになるまで研削した。次いで、研削されたウェハ裏面側にウェハ固定テープを貼合し、リングフレームにて支持固定した。次いで表面保護テープを引き剥がした。

その後、プラズマ発生用ガスとしてＳＦ_６ガスを用い、０．５μｍ／分のエッチング速度で、レジストを塗布した面側からプラズマ照射して、プラズマダイシングを行い、ウェハを切断して個々のチップに分割した。次いでプラズマ発生用ガスとしてＯ_２ガスを用い、１．０μｍ／分のエッチング速度で、アッシングを行い、レジストを除去した。その後、ピックアップ工程にて、チップをピックアップした。

ウェハ固定テープ１〜４を用いて上記の処理を行った場合は、いずれもチッピングは発生せず、良好にピックアップすることができた。これに対して、比較のウェハ固定テープ５、６を用いて上記の処理を行った場合には、チッピングが発生し、しかもピックアップが十分でなかった。
これらの結果から、本発明のウェハ固定テープ１〜４は、ウェハ固定テープ５、６と比較し、耐熱性とエキスパンド性のいずれも優れていることがわかる。

実施例２
実施例１で作製したウェハ固定テープ１〜６を用いて次に示す工程の処理を行った。
まず、直径８インチのシリコンウェハのパターン面側に市販の表面保護テープを貼合し、バックグラインダー（ＤＦＤ８５４０（株式会社ディスコ製））にてウェハ厚が５０μｍになるまで研削した。次いで、研削されたウェハ裏面側にレジストを塗布しフォトリソでマスクを形成した。そして、表面保護テープを剥離した後、ウェハ固定テープをパターン面に貼合し、リングフレームにて支持固定した。固定後、ウェハ固定テープ側から紫外線照射し、ウェハ固定テープの粘着剤を架橋させた。

その後、プラズマ発生用ガスとしてＳＦ_６ガスを用い、０．５μｍ／分のエッチング速度で、レジストを塗布した面側からプラズマ照射して、プラズマダイシングを行い、ウェハを切断して個々のチップに分割した。次いでプラズマ発生用ガスとしてＯ_２ガスを用い、１．０μｍ／分のエッチング速度で、アッシングを行い、レジストを除去した。その後、ピックアップ工程にて、チップをピックアップした。

ウェハ固定テープ１〜４を用いて上記の処理を行った場合は、いずれもチッピングは発生せず、良好にピックアップすることができた。これに対して、比較のウェハ固定テープ５、６を用いて上記の処理を行った場合には、チッピングが発生し、しかもピックアップが十分でなかった。

実施例３
実施例１ではウェハ固定テープの上でダイシングされた各チップを、図７（ｂ）に示すように、ピックアップ用テープ６に転写した後、図７（ｃ）に示すように、ピックアップ用テープからピンで突き上げ、コレットでピックアップを行った以外は、実施例１と同様に行った。

ウェハ固定テープ１〜４を用いて上記の処理を行った場合は、いずれもチッピングは発生せず、良好にピックアップすることができた。これに対して、比較のウェハ固定テープ５、６を用いて上記の処理を行った場合には、チッピングが発生し、しかもピックアップが十分でなかった。

１ 半導体ウェハ
２ パターン面
３ 表面保護テープ
４ レジスト
５ ウェハ固定テープ
５ａ 基材フィルム
５ｂ 粘着剤層
６ ピックアップ用テープ
７ チップ
Ｓ 表面
Ｂ 裏面
Ｍ１ ウェハ研削装置
Ｍ２ ピン
Ｍ３ コレット
Ｆ リングフレーム
Ｌ ＣＯ_２レーザー
Ｐ１ ＳＦ_６ガスのプラズマ
Ｐ２ Ｏ_２ガスのプラズマ

Claims (9)

1. 基材フィルムに粘着剤層を有してなるウェハ固定テープであって、
   前記基材フィルムが、３元共重合体を金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂を含み、前記粘着剤層とは反対側の基材フィルム表面の算術平均粗さＲａが０．１〜３．０μｍであり、熱伝導率が０．２Ｗ／ｍ・Ｋ〜５．０Ｗ／ｍ・Ｋであり、かつ、半導体ウェハに貼合してプラズマダイシング工程を実行し得るプラズマダイシングテープであることを特徴とするウェハ固定テープ。
2. 前記粘着剤層のシリコンに対する１００℃、１０分加熱後の粘着力変化が０．３Ｎ／２５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のウェハ固定テープ。
3. 半導体ウェハの処理方法であって、
   （ａ）パターン面には請求項１または２に記載のウェハ固定テープを貼合し、裏面にはレジストが積層した半導体ウェハの裏面側からＳＦ_６プラズマにより半導体ウェハを分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程、および、
   （ｄ）Ｏ_２プラズマにより前記レジストを除去するアッシング工程
   を含むことを特徴とする半導体ウェハの処理方法。
4. ウェハ固定テープ側から紫外線を照射して前記粘着剤層を架橋させる工程を含むことを特徴とする請求項３に記載の半導体ウェハの処理方法。
5. 半導体ウェハの処理方法であって、
   （ａ）パターン面にはレジストが積層し、裏面には請求項１または２に記載のウェハ固定テープを貼合した半導体ウェハのパターン面側からＳＦ_６プラズマにより半導体ウェハを分断して半導体チップに個片化するプラズマダイシング工程、および、
   （ｄ）Ｏ_２プラズマにより前記レジストを除去するアッシング工程
   を含むことを特徴とする半導体ウェハの処理方法。
6. 個片化した半導体チップを前記ウェハ固定テープからピックアップ用テープに転写する工程をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体ウェハの処理方法。
7. 半導体ウェハのパターン面に表面保護テープを貼合した状態で半導体ウェハの裏面を研削する工程を含むことを特徴とする請求項３〜６のいずれか１項に記載の半導体ウェハの処理方法。
8. 前記ウェハ固定テープをリングフレームにて支持固定する工程と、ウェハ固定テープからチップをピックアップする工程とを含むことを特徴とする請求項３〜７のいずれか１項に記載の半導体ウェハの処理方法。
9. 請求項３〜８のいずれか１項に記載の半導体ウェハの処理方法によって製造されてなることを特徴とする半導体チップ。
   

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