JP6468383B2 - 情報記録媒体 - Google Patents

Description

本技術は、無機材料を含む記録層を備える情報記録媒体に関する。

近年、大容量光ディスクとしてブルーレイディスク（ＢＤ：Blu-ray Disc（登録商標））が製品化されている。この大容量光ディスクは、記録再生用光波長を４０５ｎｍ程度、記録再生用光学系の集光レンズの開口数ＮＡを０．８５程度として、約２５ＧＢの記録容量を実現している。

この大容量光ディスクにおいては、追記可能な記録層材料が種々検討されている。追記可能な記録層材料としては、光ディスク1枚当たり１００ＧＢを超える情報記録容量を実現可能な無機記録材料が報告されている。特許文献１には、レーザー光を照射して情報信号を記録する際の主たる反応材料として、Ｐｄ酸化物を用いることが開示されている。

特開２０１１−６２９８１号公報

追記型の光ディスクは、他の光ディスクと比べて低価格であるという利点を有している。しかしながら、Ｐｄは非常に高価な材料であるため、光ディスクの材料コストを押し上げ、商品力を低下させる要因になっている。このためＰｄレスで安価な材料コストで実現できる記録層の開発が望まれている。また、Ｐｄの含有量を低減して、安価な材料コストで実現できる記録層の開発が望まれている。

したがって、本技術の目的は、Ｐｄを含有しなくとも、十分良好な記録特性を得ることができる情報記録媒体を提供することにある。
また、本技術の他の目的は、Ｐｄの含有量を低減して、十分良好な記録特性を得ることができる情報記録媒体を提供することにある。

上述の課題を解決するために、第１の技術は、
Ｍｎの酸化物およびＭｇの酸化物を主成分として含む記録層を備え、
Ｍｎの酸化物の一部または全部が、＋４価のＭｎとして存在する情報記録媒体である。

第２の技術は、
複数の記録層を備え、
複数の記録層のうちの少なくとも一層は、Ｍｎの酸化物およびＭｇの酸化物を主成分として含み、
Ｍｎの酸化物の一部または全部が、＋４価のＭｎとして存在する情報記録媒体である。

本技術では、１層または複数層の情報信号層は基板上に設けられ、情報信号層上にカバー層が設けられていることが好ましい。このカバー層の厚さは特に限定されるものではなく、カバー層には、基板、シート、コーティング層などが含まれる。高密度の情報記録媒体としては、高ＮＡの対物レンズを用いることから、カバー層としてシート、コーティング層などの薄い光透過層を採用し、この光透過層の側から光を照射することにより情報信号の記録および再生が行われる構成を有するものが好ましい。この場合、基板としては、不透明性を有するものを採用することも可能である。情報信号を記録または再生するための光の入射面は、情報記録媒体のフォーマットに応じてカバー層側および基板側の表面の少なくとも一方に適宜設定される。

本技術によれば、記録材料にＰｄの代替え材料としてＭｎを用いることにより、情報記録再生信号品質や長期保存信頼性を保ちつつ、材料コストを下げることが可能になり安価な情報記録媒体を提供できるようになる。

以上説明したように、本技術によれば、Ｐｄを含有しなくとも、十分良好な記録特性を得ることができる。もしくはＰｄの含有量を低減しても、十分良好な記録特性を得ることができる。

図１Ａは、本技術の第１の実施形態に係る光情報記録媒体の外観の一例を示す斜視図である。図１Ｂは、本技術の第１の実施形態に係る光情報記録媒体の構成の一例を示す概略断面図である。 図２Ａは、各情報信号層の第１の構成例を示す模式図である。図２Ｂは、各情報信号層の第２の構成例を示す模式図である。 図３Ａは、各情報信号層の第３の構成例を示す模式図である。図３Ｂは、各情報信号層の第４の構成例を示す模式図である。 図４は、本技術の第５の実施形態に係る光情報記録媒体の構成の一例を示す概略断面図である。 図５は、ディスクドライブ型評価装置の構成を示す概略図である。 図６Ａは、参考例１−１、比較例１−１の光ディスクの初期特性の評価結果を示すグラフである。図６Ｂは、参考例１−２、比較例１−２の光ディスクの初期特性の評価結果を示すグラフである。 図７Ａは、参考例１−１、比較例１−１の光ディスクの再生耐久性の評価結果を示すグラフである。図７Ｂは、参考例１−２、比較例１−２の光ディスクの再生耐久性の評価結果を示すグラフである。 図８Ａは、参考例１−１の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示すグラフである。図８Ｂは、比較例１−１の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示すグラフである。 図９Ａは、参考例１−２の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示すグラフである。図９Ｂは、比較例１−２の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示すグラフである。 図１０Ａは、Ｘ線光電子分光法による分析結果を示す図である。図１０Ｂは、２Ｐ_3/2結合エネルギーを示す図である。 図１１は、参考例２−１、２−２の光ディスクの初期特性の評価結果を示すグラフである。 図１２は、参考例３−１の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示すグラフである。 図１３は、参考例３−２の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示すグラフである。 図１４は、参考例３−３の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示すグラフである。 図１５は、参考例４−１〜４−３の光ディスクの初期特性の評価結果を示すグラフである。 図１６は、参考例５−１〜５−４の光ディスクの初期特性の評価結果を示すグラフである。 図１７Ａは、参考例６−１の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示すグラフである。図１７Ｂ、図１７Ｃはそれぞれ、参考例７−１、参考例７−２の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示すグラフである。 図１８Ａ〜図１８Ｃはそれぞれ、参考例７−３〜７−５の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示すグラフである。 図１９Ａ〜図１９Ｃはそれぞれ、参考例７−６〜７−８の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示すグラフである。 図２０Ａ〜図２０Ｃはそれぞれ、参考例７−９〜７−１１の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示すグラフである。 図２１Ａ〜図２１Ｃはそれぞれ、参考例８−１〜８−３の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示すグラフである。 図２２Ａ〜図２２Ｃはそれぞれ、参考例８−４〜８−６の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示すグラフである。 図２３は、参考例８−１〜８−６の光ディスクのパワーマージン幅Δ（Ｐｗ／Ｐｗｏ）の評価結果を示すグラフである。 図２４Ａ、図２４Ｂはそれぞれ、参考例９−１、９−２の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示すグラフである。 図２５Ａ〜図２５Ｃはそれぞれ、参考例９−３〜９−５の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示すグラフである。 図２６Ａ〜図２６Ｃはそれぞれ、参考例９−６〜９−８の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示すグラフである。 図２７Ａ、図２７Ｂはそれぞれ、参考例１０−２、１０−２の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示すグラフである。 図２８Ａ、図２８Ｂはそれぞれ、参考例１０−３、１０−４の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示すグラフである。 図２９は、参考例１０−１〜１０−４の光ディスクのパワーマージン幅Δ（Ｐｗ／Ｐｗｏ）の評価結果を示すグラフである。 図３０Ａ〜図３０Ｃはそれぞれ、参考例１１−１〜１１−３の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示すグラフである。 図３１Ａ、図３１Ｂはそれぞれ、参考例１１−４、１１−５の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示すグラフである。 図３２Ａ、図３２Ｂはそれぞれ、参考例１１−６、１１−７の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示すグラフである。 図３３Ａ〜図３３Ｃはそれぞれ、参考例１２−１〜１２−３の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示すグラフである。 図３４Ａ、図３４Ｂはそれぞれ、参考例１２−４、１２−５の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示すグラフである。 図３５Ａ〜図３５Ｃはそれぞれ、比較例２−１〜２−３の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示すグラフである。 図３６Ａ、図３６Ｂはそれぞれ、比較例２−４、２−５の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示すグラフである。 図３７Ａは、参考例１３−１、実施例１３−２〜１３−４、参考例１４−１、実施例１４−２〜１４−４の光ディスクの反射率の評価結果を示すグラフである。図３７Ｂは、参考例１３−１、実施例１３−２〜１３−４、参考例１４−１、実施例１４−２〜１４−４の光ディスクの透過率の変化率の評価結果を示すグラフである。 図３８Ａは、参考例１３−１、実施例１３−２〜１３−４の光ディスクの初期特性の評価結果を示すグラフである。図３８Ｂは、参考例１４−１、実施例１４−２〜１４−４の光ディスクの初期特性の評価結果を示すグラフである。図３８Ｃは、参考例１３−１、実施例１３−２〜１３−４、参考例１４−１、実施例１４−２〜１４−４の光ディスクのパワーマージン幅Δ（Ｐｗ／Ｐｗｏ）の評価結果を示すグラフである。 図３９Ａは、参考例１４−１、実施例１４−２、１４−３の光ディスクのモジュレーションの評価結果を示すグラフである。図３９Ｂは、参考例１４−１、実施例１４−２〜１４−４の光ディスクのモジュレーション変化率の評価結果を示すグラフである。

１．第１の実施形態（多層の光情報記録媒体の例）
１−１．光情報記録媒体の構成
１−２．光情報記録媒体の記録原理
１−３．光情報記録媒体作製用のターゲット
１−４．光情報記録媒体の製造方法
２．第２の実施形態（多層の光情報記録媒体の例）
３．第３の実施形態（多層の光情報記録媒体の例）
４．第４の実施形態（多層の光情報記録媒体の例）
５．第５の実施形態（単層の光情報記録媒体の例）

＜１．第１の実施形態＞
［１−１．光情報記録媒体の構成］
図１Ａは、本技術の第１の実施形態に係る光情報記録媒体の外観の一例を示す斜視図である。光情報記録媒体１０は、中央に開口（以下センターホールと称する）が設けられた円盤形状を有する。なお、光情報記録媒体１０の形状はこの例に限定されるものではなく、カード状などとすることも可能である。

図１Ｂは、本技術の第１の実施形態に係る光情報記録媒体の構成の一例を示す概略断面図である。この光情報記録媒体１０は、いわゆる多層の追記型光情報記録媒体であり、図１Ｂに示すように、情報信号層Ｌ０、中間層Ｓ１、情報信号層Ｌ１、・・・、中間層Ｓｎ、情報信号層Ｌｎ、カバー層である光透過層１２がこの順序で基板１１の一主面に積層された構成を有する。なお、以下の説明において、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎを特に区別しない場合には、情報信号層Ｌという。

この第１の実施形態に係る光情報記録媒体１０では、光透過層１２側の表面Ｃからレーザー光を各情報信号層Ｌ０〜Ｌｎに照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。例えば、４００ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の範囲の波長を有するレーザー光を、０．８４以上０．８６以下の範囲の開口数を有する対物レンズにより集光し、光透過層１２の側から各情報信号層Ｌ０〜Ｌｎに照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。このような光情報記録媒体１０としては、例えば多層のＢＤ−Ｒが挙げられる。以下では、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎに情報信号を記録または再生するためのレーザー光が照射される表面Ｃを光照射面Ｃと称する。

以下、光情報記録媒体１０を構成する基板１１、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎ、中間層Ｓ１〜Ｓｎ、および光透過層１２について順次説明する。

（基板）
基板１１は、例えば、中央にセンターホールが設けられた円盤形状を有する。この基板１１の一主面は、例えば、凹凸面となっており、この凹凸面上に情報信号層Ｌ０が成膜される。以下では、凹凸面のうち凹部をイングルーブＧin、凸部をオングルーブＧonと称する。

このイングルーブＧinおよびオングルーブＧonの形状としては、例えば、スパイラル状、同心円状などの各種形状が挙げられる。また、イングルーブＧinおよび／またはオングルーブＧonが、例えば、線速度の安定化やアドレス情報付加などのためにウォブル（蛇行）されている。

基板１１の径（直径）は、例えば１２０ｍｍに選ばれる。基板１１の厚さは、剛性を考慮して選ばれ、好ましくは０．３ｍｍ以上１．３ｍｍ以下、より好ましくは０．６ｍｍ以上１．３ｍｍ以下、例えば１．１ｍｍに選ばれる。また、センターホールの径（直径）は、例えば１５ｍｍに選ばれる。

基板１１の材料としては、例えば、プラスチック材料またはガラスを用いることができ、コストの観点から、プラスチック材料を用いることが好ましい。プラスチック材料としては、例えば、ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂などを用いることができる。

（情報信号層）
情報信号層Ｌ０〜Ｌｎは、レーザー光の照射により情報信号を記録可能な記録層を少なくとも備える。情報信号層Ｌ０〜Ｌｎは、例えば、波長４０５ｎｍ、集光レンズの開口数ＮＡ０．８５に対して２５ＧＢ以上の記録容量を有する。情報信号層Ｌ０〜Ｌｎは、保存信頼性向上の観点からすると、記録層の少なくとも一方の表面に誘電体層をさらに備えることが好ましく、記録層の両方の表面に誘電体層を備えることがより好ましい。情報信号層Ｌ０〜Ｌｎの層構成は、全ての層で同一の構成としてもよく、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎごとに求められる特性（例えば光学特性や耐久性など）に応じて層構成を変えるようにしてもよいが、生産性の観点からすると、全ての層で同一の層構成とすることが好ましい。情報信号層Ｌ０〜Ｌｎが記録層のみからなるようにしてもよい。このような単純な構成とすることで、光情報記録媒体１０を低廉化し、かつ、その生産性を向上することができる。このような効果は、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎの層数が多い媒体ほど、顕著となる。
以下に、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎの具体例として、第１〜第４の構成例について説明する。

（第１の構成例）
図２Ａは、各情報信号層の第１の構成例を示す模式図である。図２Ａに示すように、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎは、上側面（第２の主面）および下側面（第１の主面）を有する記録層２１と、記録層２１の上側面に隣接して設けられた誘電体層２２とを備える。このような構成とすることで、記録層２１の耐久性を向上することができる。

（第２の構成例）
図２Ｂは、各情報信号層の第２の構成例を示す模式図である。図２Ｂに示すように、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎは、上側面（第２の主面）および下側面（第１の主面）を有する記録層２１と、記録層２１の下側面に隣接して設けられた誘電体層２３とを備える。このような構成とすることで、記録層２１の耐久性を向上することができる。

（第３の構成例）
図３Ａは、各情報信号層の第３の構成例を示す模式図である。図３Ａに示すように、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎは、上側面（第２の主面）および下側面（第１の主面）を有する記録層２１と、記録層２１の下側面に隣接して設けられた誘電体層２３と、記録層２１の上側面に隣接して設けられた誘電体層２２とを備える。このような構成とすることで、上述の第１および第２の構成例に比して記録層２１の耐久性を向上することができる。

（第４の構成例）
図３Ｂは、各情報信号層の第４の構成例を示す模式図である。図３Ｂに示すように、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎは、例えば、記録層２１ａと記録層２１ｂとが積層された２層構造を有する。記録層２１ａと記録層２１ｂは、例えば、互いに材料組成が異なっている。

（記録層）
記録層２１は、マンガン（Ｍｎ）の酸化物を含んでいる。Ｍｎの酸化物の一部または全部が、＋４価のマンガンとして記録層中に存在する。具体的には、Ｍｎの酸化物は、全てＭｎＯ₂（すなわち＋４価のＭｎ）として記録層中に存在するか、若しくはＭｎＯ₂とそれ以外のＭｎの酸化物（例えばＭｎ₂Ｏ₃、Ｍｎ₃Ｏ₄など）を含む混合体（すなわち＋４価のＭｎを含む複数の価数のＭｎ）として記録層中に存在する。記録層２１が、Ｍｎの酸化物としてＭｎＯ₂以外のものを含んでいてもよい。記録層２１は、Ｍｎ以外の金属（Ｍ）の酸化物をさらに含んでいることが好ましい。この場合、記録層２１は、マンガ（Ｍｎ）およびそれ以外の金属（Ｍ）の複合酸化物を含んでいる。この金属（Ｍ）としては、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、コバルト（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、およびアルミニウム（Ａｌ）からなる群より選ばれる少なくとも１種以上を用いることが好ましい。また、金属（Ｍ）としては、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ビスマス（Ｂｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、コバルト（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、ガリウム（Ｇａ）、Ｔｅ（テルル）、Ｖ（バナジウム）、ケイ素（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、Ｃｒ（クロム）、およびテルビウム（Ｔｂ）からなる群より選ばれる１種以上を用いるようにしてもよい。金属（Ｍ）を含むＭｎの酸化物としては、具体的には例えば、Ｍｎ−Ｗ−Ｚｎ−Ｏ、Ｍｎ−Ｗ−Ｐｄ−Ｃｕ−Ｏ、Ｍｎ−Ａｇ−Ｏ、Ｍ−Ｐｄ−Ｍ１−Ｏ（但し、Ｍ１はＡｌ、Ｚｎ、ＩｎまたはＳｎ）が挙げられる。ここで、マンガン（Ｍｎ）の酸化物および金属（Ｍ）の酸化物には、酸素欠損状態も含まれる。なお、本技術は、複数の記録層２１のすべてがマンガン（Ｍｎ）の酸化物を含んでいる構成に限定されるものではなく、複数の記録層２１のうちの少なくとも一層がＭｎの酸化物を含んでいる構成を採用することも可能である。以下では、Ｍｎの酸化物を含む記録材料をＭｎ系記録材料と称し、この記録材料を含む記録層をＭｎ系記録層と称することがある。

記録層２１は、ＭｎＯ₂を主成分として含んでいることが好ましい。良好な記録特性が得られるからである。また、記録層２１は、ＭｎＯ₂と、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、ＣｕおよびＡｌからなる群より選ばれる１種以上の金属元素の酸化物とを主成分として含んでいてもよい。この構成では、記録層２１がＭｎＯ₂を主成分とする場合とほぼ同等の信号特性を得ることができる。記録層２１が、Ｐｄなどの高価な貴金属またはその酸化物を副成分として微量に含んでいてもよいが、光情報記録媒体１０の低廉化の観点からすると、記録層２１がＰｄなどの高価な貴金属またはその酸化物を含まないことが好ましい。なお、本技術は、複数の記録層２１のすべてがＭｎＯ₂を主成分として含んでいる構成に限定されるものではなく、複数の記録層２１のうちの少なくとも一層がＭｎＯ₂を主成分として含んでいる構成を採用することも可能である。また、複数の記録層２１のすべてがＭｎＯ₂と、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、ＣｕおよびＡｌからなる群より選ばれる１種以上の金属元素の酸化物とを主成分として含んでいる構成に限定されるものではなく、複数の記録層２１のうちの少なくとも一層がＭｎＯ₂と、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、ＣｕおよびＡｌからなる群より選ばれる１種以上の金属元素の酸化物とを主成分として含んでいる構成を採用することも可能である。

記録層２１は、例えば、単層構造または２層構造を有する。記録層２１が単層構造を有する場合には、記録層２１は、例えば、Ｍｎを含む複合酸化物を主成分としている。記録層２１が２層構造を有する場合には、記録層２１を構成する第１記録層および第２記録層は、互いに材料組成が異なる複合酸化物を主成分として含んでいる。そして、第１記録層および第２記録層のうちの少なくとも一方が、Ｍｎを含む複合酸化物を主成分としている。

（誘電体層）
誘電体層２２、２３または透明導電層がガスバリア層として機能することで、記録層２１の耐久性を向上することができる。また、記録層２１の酸素の逃避やＨ₂Ｏの侵入を抑制することで、記録層２１の膜質の変化（主に反射率の低下として検出）を抑制することができ、記録層２１として必要な膜質を確保することができる。

誘電体層２２および誘電体層２３の材料としては、例えば、酸化物、窒化物、硫化物、炭化物およびフッ化物からなる群より選ばれる少なくとも１種以上を含んでいる。誘電体層２２および誘電体層２３の材料としては、互いに同一または異なる材料を用いることができる。酸化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｃｒ、ＢｉおよびＭｇからなる群から選ばれる１種以上の元素の酸化物が挙げられる。窒化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＴａおよびＺｎからなる群から選ばれる１種以上の元素の窒化物、好ましくはＳｉ、ＧｅおよびＴｉからなる群から選ばれる１種以上の元素の窒化物が挙げられる。硫化物としては、例えば、Ｚｎ硫化物が挙げられる。炭化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＴａおよびＷからなる群より選ばれる１種以上の元素の炭化物、好ましくはＳｉ、Ｔｉ、およびＷからなる群より選ばれる１種以上の元素の炭化物が挙げられる。フッ化物としては、例えば、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、ＣａおよびＬａからなる群より選ばれる１種以上の元素のフッ化物が挙げられる。これらの混合物としては、例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂、ＳｉＯ₂−Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂（ＳＩＺ）、ＳｉＯ₂−Ｃｒ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂（ＳＣＺ）、Ｉｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂（ＩＴＯ）、Ｉｎ₂Ｏ₃−ＣｅＯ₂（ＩＣＯ）、Ｉｎ₂Ｏ₃−Ｇａ₂Ｏ₃（ＩＧＯ）、Ｉｎ₂Ｏ₃−Ｇａ₂Ｏ₃−ＺｎＯ（ＩＧＺＯ）、Ｓｎ₂Ｏ₃−Ｔａ₂Ｏ₅（ＴＴＯ）、ＴｉＯ₂−ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃−ＺｎＯ、Ａｌ₂Ｏ₃−ＢａＯなどが挙げられる。

（中間層）
中間層Ｓ１〜Ｓｎは、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎを物理的および光学的に十分な距離をもって離間させる役割を果たし、その表面には凹凸面が設けられている。その凹凸面は、例えば、同心円状または螺旋状のグルーブ（イングルーブＧinおよびオングルーブＧon）を形成している。中間層Ｓ１〜Ｓｎの厚みは、９μｍ〜５０μｍに設定することが好ましい。中間層Ｓ１〜Ｓｎの材料は特に限定されるものではないが、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。また、中間層Ｓ１〜Ｓｎは、奥側の層への情報信号の記録または再生のためのレーザー光の光路となることから、十分に高い光透過性を有していることが好ましい。

（光透過層）
光透過層１２は、例えば、紫外線硬化樹脂などの感光性樹脂を硬化してなる樹脂層である。この樹脂層の材料としては、例えば、紫外線硬化型のアクリル系樹脂が挙げられる。また、円環形状を有する光透過性シートと、この光透過性シートを基板１１に対して貼り合わせるための接着層とから光透過層１２を構成するようにしてもよい。光透過性シートは、記録および再生に用いられるレーザー光に対して、吸収能が低い材料からなることが好ましく、具体的には透過率９０パーセント以上の材料からなることが好ましい。光透過性シートの材料としては、例えば、ポリカーボネート樹脂材料、ポリオレフィン系樹脂（例えばゼオネックス（登録商標））などを用いることができる。接着層の材料としては、例えば、紫外線硬化樹脂、感圧性粘着剤（ＰＳＡ：Pressure Sensitive Adhesive）などを用いることができる。

光透過層１２の厚さは、好ましくは１０μｍ以上１７７μｍ以下の範囲内から選ばれ、例えば１００μｍに選ばれる。このような薄い光透過層１２と、例えば０．８５程度の高ＮＡ(numerical aperture)化された対物レンズとを組み合わせることによって、高密度記録を実現することができる。

（ハードコート層）
なお、図示しないが、光透過層１２の表面（レーザー照射面）に、例えば機械的な衝撃や傷に対する保護、また利用者の取り扱い時の塵埃や指紋の付着などから、情報信号の記録再生品質を保護するためのハードコート層をさらに設けてもよい。ハードコート層には、機械的強度を向上させるためにシリカゲルの微粉末を混入したものや、溶剤タイプ、無溶剤タイプなどの紫外線硬化樹脂を用いることができる。機械的強度を有し、撥水性や撥油性を持たせるには、厚さを１μｍから数μｍ程度とすることが好ましい。

［１−２．光情報記録媒体の記録原理］
上述の構成を有する光情報記録媒体１０では、例えば中心波長４０５ｎｍ近傍のレーザー光等の光を情報信号層Ｌに照射して光情報記録媒体１０としての記録動作を行ったときには、ＭｎＯ₂は酸素を分離しＯ₂を発生するとともに、Ｍｎ自体はより価数の低い酸化物に変化する。そして、Ｏ₂の発生によって光照射エリアが構造的に膨れ、体積変化と光学定数変化を伴った記録マークが形成される。

この機構はＰｄ酸化物を用いた情報記録層の記録原理とほぼ同様と考えられる。しかし、Ｐｄ酸化物の記録において重要なＰｄＯ₂よりもＭｎＯ₂の分解温度は高いため、ＭｎＯ₂を用いた情報記録層の方が記録マーク保存の観点からより有利になる。

［１−３．光情報記録媒体作製用のターゲット］
ＭｎＯ₂を含む記録層２１を成膜するためのスパッタリングターゲット（記録層成膜用のターゲット）は、Ｍｎ₃Ｏ₄を含んでいる。より具体的には、スパッタリングターゲットはＭｎの酸化物を含み、このＭｎの酸化物の一部または全部はＭｎ₂Ｏ₃、Ｍｎ₃Ｏ₄などＭｎの価数が＋４未満の酸化物状態で存在する。ＭｎＯ₂はターゲット作製時の熱やスパッタリング時のエネルギーで分解してしまうため、ターゲット中にＭｎＯ₂を存在させることは困難である。このため熱分解しないＭｎ₃Ｏ₄をターゲットの材料として用いることが好ましい。スパッタリング時に酸素アシストを行うことでＭｎ₃Ｏ₄をＭｎＯ₂に変化させて、スパッタ薄膜中のＭｎＯ₂を確保することができる。スパッタリングターゲットが、Ｍｎ以外の金属（Ｍ）の単体またはその金属（Ｍ）の酸化物をさらに含んでいてもよい。ここで、Ｍｎ、および金属（Ｍ）の酸化物には、酸素欠損状態も含まれる。

例えば、ＰｄＷＺｎＯ酸化物記録材料はＰｄＯｘ、ＷＯ₃、ＺｎＯからなる複合酸化物材料である。この中で光吸収の役割を担う主な材料はＰｄＯｘで、その他の酸化物は波長４０５ｎｍの光に対しては透明な材料である。ここでＰｄＯｘのｘが意味するところは、Ｐｄが＋２価や＋４価など複数の価数を持つ酸化物の混合状態であることを意味する。同様にＭｎＷＺｎＯ酸化物記録材料はＭｎＯ_x、ＷＯ₃、ＺｎＯからなる複合酸化物材料である。ＭｎＯ_xのｘが意味するところは、Ｍｎが＋２価や＋３価、＋４価など複数の価数を持つ酸化物の混合状態であることを意味する。

なお、以下に、参考としてＰｄおよびＭｎ₃Ｏ₄の材料価格を示す。
Ｐｄ １グラム：１９００円 （東京工業品取引所 先物価格）
Ｍｎ₃Ｏ₄ １グラム：５００円 （（株）高純度化学研究所カタログ ターゲット価格）
但し、材料価格は２０１２年３月時点におけるものである。

［１−４．光情報記録媒体の製造方法］
次に、本技術の第１の実施形態に係る光情報記録媒体の製造方法の一例について説明する。

（基板の成形工程）
まず、一主面に凹凸面が形成された基板１１を成形する。基板１１の成形の方法としては、例えば、射出成形（インジェクション）法、フォトポリマー法（２Ｐ法：Photo Polymerization）などを用いることができる。

（情報信号層の形成工程）
次に、例えばスパッタ法により、基板１１上に情報信号層Ｌ０を形成する。情報信号層Ｌ０の具体的な形成工程は、情報信号層Ｌ０の構成により異なる。
以下に、情報信号層Ｌ０の構成として上述の第３の構成例（図３Ａ参照）を採用した場合にける情報信号層Ｌ０の形成工程について具体的に説明する。

（誘電体層の成膜工程）
まず、基板１１を、誘電体層形成用のターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ₂ガスなどのプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタして、基板１１上に誘電体層２３を成膜する。スパッタ法としては、例えば高周波（ＲＦ）スパッタ法、直流（ＤＣ）スパッタ法を用いることができるが、特に直流スパッタ法が好ましい。直流スパッタ法は高周波スパッタ法に比して装置が安く且つ成膜レートが高いため、製造コストを下げ生産性を向上することができるからである。

（記録層の成膜工程）
次に、基板１１を、上述の記録層成膜用のターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ₂ガスなどのプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタして、誘電体層２３上に記録層２１を成膜する。

酸素アシストを行いながらＭｎ系記録材料をスパッタリングで成膜することで、金属Ｍは安定な酸化物を形成し、Ｍｎは酸素濃度によりＭｎＯ₂、Ｍ₂Ｏ₃、Ｍｎ₃Ｏ₄などの酸化物を形成する。ここで、ＭｎＯ₂やＭｎ₂Ｏ₃は加熱により分解し酸素を放出することが知られており分解温度はそれぞれ５３５℃、１０８０℃である。またＭｎＯ₂は公知の通り黒色であり光吸収能を有する。

（誘電体層の成膜工程）
次に、基板１１を、誘電体層形成用のターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ₂ガスなどのプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタして、記録層２１上に誘電体層２２を成膜する。スパッタ法としては、例えば高周波（ＲＦ）スパッタ法、直流（ＤＣ）スパッタ法を用いることができるが、特に直流スパッタ法が好ましい。直流スパッタ法は高周波スパッタ法に比して成膜レートが高いため、生産性を向上することができるからである。
以上により、基板１１上に情報信号層Ｌ０が形成される。

（中間層の形成工程）
次に、例えばスピンコート法により紫外線硬化樹脂を情報信号層Ｌ０上に均一に塗布する。その後、情報信号層Ｌ０上に均一に塗布された紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を紫外線硬化樹脂に対して照射して硬化させた後、スタンパを剥離する。これにより、スタンパの凹凸パターンが紫外線硬化樹脂に転写され、例えばイングルーブＧinおよびオングルーブＧonが設けられた中間層Ｓ１が情報信号層Ｌ０上に形成される。

（情報信号層および中間層の形成工程）
次に、上述の情報信号層Ｌ０および中間層Ｓ１の形成工程と同様にして、中間層Ｓ１上に、情報信号層Ｌ１、中間層Ｓ２、情報信号層Ｌ２、・・・、中間層Ｓｎ、情報信号層Ｌｎをこの順序で中間層Ｓ１上に積層する。

（光透過層の形成工程）
次に、例えばスピンコート法により、紫外線硬化樹脂（ＵＶレジン）などの感光性樹脂を情報信号層Ｌｎ上にスピンコートした後、紫外線などの光を感光性樹脂に照射し、硬化する。これにより、情報信号層Ｌｎ上に光透過層１２が形成される。
以上の工程により、目的とする光情報記録媒体１０が得られる。

［効果］
本実施形態によれば、情報信号層Ｌは、Ｍｎ系記録材料を含む記録層２１を備えている。Ｍｎ系記録材料は、Ｐｄ系記録材料に比して製造コストおよび信号品質の安定性の点で優れている。すなわち、Ｍｎ系記録材料を用いることで、安価で信頼性に優れた追記型の光情報記録媒体１０を提供できる。

＜２．第２の実施形態＞
［概要］
追記型の光情報記録媒体では、ブルーレイディスク以降、記録材料として光吸収能を有する酸化物系記録材料が主流になっている。この記録材料の問題点として、長期保存後に記録材料の性質が変化し、記録した情報信号が劣化すること（所謂アーカイバル特性の悪化）や、未記録領域の物性変化により初期と同等の情報記録条件で初期と同等品質の信号記録ができなくなること（所謂シェルフ特性の悪化）が挙げられる。

光情報記録媒体が他の情報記録媒体に対して有する利点としては、長期保存信頼性と価格とがバランスしていることが挙げられる。したがって、酸化物系記録材料を用いた光情報記録媒体でも、アーカイバル特性およびシェルフ特性を改善することが望ましい。上述の第１の実施形態では、酸化物系記録材料をＰｄ系記録材料からＭｎ系記録材料へ変更することで、媒体の価格低下を可能とする技術について説明した。この第２の実施形態では、Ｍｎ系記録材料にＭｇの酸化物をさらに添加することで、上述の価格低下に加えて、アーカイバル特性およびシェルフ特性をさらに改善し、長期保存信頼性と価格とのバランスを実現する技術について説明する。

［光情報記録媒体の構成］
第２の実施形態に係る光情報記録媒体１０の構成は、記録層２１以外の点では上述の第１の実施形態に係る光情報記録媒体１０の構成と同様である。このため、以下では、記録層２１の構成についてのみ説明する。

（記録層）
記録層２１は、Ｍｎの酸化物とＭｇの酸化物とを含んでいる。記録層中においてＭｎの一部または全部は、＋４価のＭｎとして存在するか、若しくは＋４価のＭｎを含む複数の価数のＭｎとして存在する。具体的には、記録層中においてＭｎの酸化物は、全てＭｎＯ₂として存在するか、若しくはＭｎＯ₂とそれ以外のＭｎの酸化物（例えばＭｎ₂Ｏ₃、Ｍｎ₃Ｏ₄など）を含む混合体として存在する。Ｍｎの酸化物は、マーク形成の原動力となる材料である。

Ｍｇの酸化物は、Ｍｇの取り得る価数を考えると、ＭｇＯとして記録層中に存在する。ＭｇＯは、可視光に対して透明な材料である。記録層２１は、Ｍｇを単体の金属Ｍｇとして含んでいてもよいが、Ｍｇの酸化物として含んでいることが好ましい。以下では、Ｍｎの酸化物とＭｇの酸化物とを含む記録材料をＭｎ−Ｍｇ系記録材料と称し、この記録材料を含む記録層をＭｎ−Ｍｇ系記録層と称することがある。

記録層中におけるＭｇの酸化物の含有量は、５ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下の範囲内であることが好ましい。この範囲にすることで、保存信頼性（例えばアーカイバル特性およびシェルフ特性）を更に改善することができる。

記録層２１は、ＭｎおよびＭｇ以外の金属（Ｍ）の酸化物をさらに含んでいることが好ましい。この場合、記録層２１は、Ｍｎ、Ｍｇおよびそれ以外の金属（Ｍ）の複合酸化物を含んでいる。この金属（Ｍ）は、上述の第１の実施形態と同様である。ここで、Ｍｎ、Ｍｇおよび金属（Ｍ）の酸化物には、酸素欠損状態も含まれる。なお、光情報記録媒体１０の構成は、複数の記録層２１のすべてがＭｎの酸化物とＭｇの酸化物とを含んでいる構成に限定されるものではなく、複数の記録層２１のうちの少なくとも一層がＭｎの酸化物とＭｇの酸化物とを含んでいる構成を採用することも可能である。

記録層２１は、記録特性および保存信頼性の向上の観点からすると、ＭｎＯ₂およびＭｇＯを主成分として含んでいることが好ましい。また、記録層２１は、ＭｎＯ₂と、ＭｇＯと、それ以外の金属（Ｍ）の複合酸化物とを主成分として含んでいてもよい。この構成では、記録層２１がＭｎＯ₂およびＭｇＯを主成分とする場合とほぼ同等の信号特性および保存信頼性を得ることができる。

記録層２１は、例えば、単層構造または２層構造を有する。記録層２１が単層構造を有する場合には、記録層２１は、例えば、ＭｎおよびＭｇを含む複合酸化物を主成分としている。記録層２１が２層構造を有する場合には、記録層２１を構成する第１記録層および第２記録層は、互いに材料組成が異なる複合酸化物を主成分として含んでいる。そして、第１記録層および第２記録層のうちの少なくとも一方が、ＭｎおよびＭｇを含む複合酸化物を主成分としている。

［光情報記録媒体作製用のターゲット］
上述の記録層２１を成膜するためのスパッタリングターゲット（記録層成膜用のターゲット）は、Ｍｎの酸化物と、Ｍｇの金属単体またはＭｇの酸化物を含んでいる。スパッタリングターゲットが、ＭｎおよびＭｇ以外の金属（Ｍ）の単体またはその金属（Ｍ）の酸化物をさらに含んでいてもよい。金属（Ｍ）は、上述の第１の実施形態と同様である。ここで、Ｍｎ、Ｍｇおよび金属（Ｍ）の酸化物には、酸素欠損状態も含まれる。

Ｍｎの酸化物の一部または全部は、Ｍｎの価数が＋４未満の酸化物状態で存在する。この酸化状態で存在するＭｎの酸化物は、Ｍｎ₃Ｏ₄を少なくとも含んでいることが好ましい。この酸化状態で存在するＭｎの酸化物が、Ｍｎ₂Ｏ₃、Ｍｎ₃Ｏ₄などの２種以上のＭｎの酸化物を含んでいてもよい。ＭｎＯ₂はターゲット作製時の熱やスパッタリング時のエネルギーで分解してしまうため、ターゲット中にＭｎＯ₂を存在させることは困難である。このため熱分解しないＭｎ₃Ｏ₄をターゲットの材料として用いることが好ましい。スパッタリング時に酸素アシストを行うことでＭｎ₃Ｏ₄をＭｎＯ₂に変化させて、スパッタ薄膜中のＭｎＯ₂を確保することができる。

上述したように、記録層中では、ＭｇはＭｇの酸化物として存在する。記録層２１の成膜時には、Ｍｎ₃Ｏ₄をＭｎＯ₂にするために酸素を導入してスパッタする。この時に同時にＭｇも酸化される。Ｍｇは＋２価の価数のみをとりうるので、ＭｇＯとして記録層中に存在することになる。記録層中にＭｇの酸化物として存在することで、記録層中でＭｇはそれ以上変化することが無く安定した状態になる。

［光情報記録媒体の製造方法］
第２の実施形態に係る光情報記録媒体の製造方法は、記録層の成膜工程以外の点では上述の第１の実施形態に係る光情報記録媒体の製造方法と同様である。このため、以下では、記録層の成膜工程についてのみ説明する。

（記録層の成膜工程）
誘電体層２３を成膜した基板１１を、上述の記録層成膜用のターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ₂ガスなどのプロセスガスを導入しながら、上述した記録層成膜用のターゲットをスパッタして、誘電体層２３上に記録層２１を成膜する。

酸素アシストを行いながらターゲットをスパッタリングすることで、ターゲット中のＭｎの酸化物は、プロセスガスの酸素濃度によりＭｎＯ₂、Ｍ₂Ｏ₃、Ｍｎ₃Ｏ₄などの酸化物となり、記録層２１を形成する。これと同時に、ターゲット中のＭｇまたはその酸化物は、プロセスガス中のＯ₂ガスと反応してＭｇＯとなり記録層中に入り込む。ターゲットが金属（Ｍ）またはその酸化物をさらに含んでいる場合には、ターゲット中の金属（Ｍ）またはその酸化物は、プロセスガス中のＯ₂ガスと反応して安定な酸化物（ＭＯ_x）となり記録層中に入り込む。

［効果］
本実施形態によれば、記録層２１が、マーク形成の原動力となるＭｎの酸化物に加えて、Ｍｇの酸化物をさらに含んでいる。このため、安価な材料コストを維持しながらも、情報記録再生信号品質や長期保存信頼性に優れた光情報記録媒体１０を提供することができる。すなわち、長期保存信頼性と価格とのバランスを実現することができる。

［変形例］
記録層２１が、Ｍｎの酸化物と、金属（Ｍａ）（但し、金属Ｍａは、Ｍｇ、Ｍｏ、ＳｉおよびＴｅからなる群より選ばれる１種以上の金属元素である。）の酸化物とを含むようにしてもよい。この構成を採用した場合にも、安価な材料コストを維持しながらも、情報記録再生信号品質や長期保存信頼性に優れた光情報記録媒体１０を提供することができる。但し、長期保存信頼性の向上の観点からすると、記録層２１は、Ｍｏ、ＳｉまたはＴｅの酸化物よりもＭｇの酸化物を含んでいることが好ましい。記録層２１は、Ｍｎおよび金属（Ｍａ）以外の金属（Ｍ）の酸化物をさらに含んでいることが好ましい。この金属（Ｍ）は、上述の第１の実施形態と同様である。

記録層中における金属（Ｍａ）の酸化物の含有量は、５ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下の範囲内であることが好ましい。この範囲にすることで、保存信頼性（例えばアーカイバル特性およびシェルフ特性）を更に改善することができる。

上述の記録層２１を成膜するためのスパッタリングターゲット（記録層成膜用のターゲット）は、Ｍｎの酸化物と、金属（Ｍａ）の単体または金属（Ｍａ）の酸化物を含んでいる。スパッタリングターゲットが、Ｍｎおよび金属（Ｍａ）以外の金属（Ｍ）の単体またはその金属（Ｍ）の酸化物をさらに含んでいてもよい。

Ｍｎの酸化物は、Ｍｎ₂Ｏ₃、Ｍｎ₃Ｏ₄などＭｎの価数が＋４未満の酸化物状態で存在する。金属Ｍａは、ターゲット中において金属元素Ｍａの単体として存在することが好ましい。このようにすることで、ＤＣスパッタリングが容易なターゲットとすることができるので、スパッタ装置の装置価格を抑え、結果として光情報記録媒体１０の価格を抑えることができる。

上述したように、記録層中では、金属Ｍａは金属Ｍａの酸化物として存在する。記録層２１の成膜時には、Ｍｎ₃Ｏ₄をＭｎＯ₂にするために酸素を導入してスパッタする。この時に同時に金属Ｍａも酸化される。記録層中に金属Ｍａの酸化物として存在することで、記録層中で金属Ｍａはそれ以上変化することが無く安定した状態になる。

記録層２１の成膜時には、酸素アシストを行いながら、上述の記録層成膜用のターゲットをスパッタリングすることで、ターゲット中のＭｎの酸化物は、プロセスガスの酸素濃度によりＭｎＯ₂、Ｍ₂Ｏ₃、Ｍｎ₃Ｏ₄などの酸化物となり、記録層２１を形成する。これと同時に、ターゲット中の金属Ｍａまたはその酸化物は、プロセスガス中のＯ₂ガスと反応して酸化物（ＭａＯ_x）となり記録層中に入り込む。ターゲットが金属（Ｍ）またはその酸化物をさらに含んでいる場合には、ターゲット中の金属（Ｍ）またはその酸化物は、プロセスガス中のＯ₂ガスと反応して安定な酸化物（ＭＯ_x）となり記録層中に入り込む。

＜３．第３の実施形態＞
［概要］
上述の第２の実施形態では、Ｍｎ系記録材料にＭｇの酸化物をさらに添加することで、長期保存信頼性と価格とのバランスを実現する技術について説明した。この第３の実施形態では、図３Ａに示すように、Ｍｎ系記録材料を含む記録層２１の両方の表面に誘電体層２２、２３を備え、それらの誘電体層２２、２３の材料を選択することで、長期保存信頼性と価格とのバランスを実現する技術について説明する。

［光情報記録媒体の構成］
第３の実施形態に係る光情報記録媒体１０の構成は、誘電体層２２、２３以外の点では上述の第１または第２の実施形態に係る光情報記録媒体１０の構成と同様である。このため、以下では、誘電体層２２、２３の構成についてのみ説明する。

（誘電体層）
記録層２１の光照射面に設けられた誘電体層２２がＺｒＯ₂を含み、その光照射面とは反対面に設けられた誘電体層２３がＩｎ₂Ｏ₃およびＺｒＯ₂の複合酸化物を含んでいるか、若しくは誘電体層２２および誘電体層２３の両方がＩｎ₂Ｏ₃およびＺｒＯ₂の複合酸化物を含んでいる。このような構成を有する誘電体層２２および誘電体層２３により記録層２１を挟んだ構成とすることで、光情報記録媒体１０の長期保存信頼性を向上することができる。長期保存信頼性の向上の観点からすると、誘電体層２２および誘電体層２３の両方がＩｎ₂Ｏ₃およびＺｒＯ₂の複合酸化物を主成分として含んでいることが特に好ましい。

上述の構成を有する誘電体層２２、２３と、第１の実施形態におけるＭｎ系記録層または第２の実施形態におけるＭｎ−Ｍｇ系記録層とを組み合わせて用いることで、長期保存信頼性と価格とのバランスを実現することができる。長期保存信頼性の向上の観点からすると、上記組合せのうちでも、上述の構成を有する誘電体層２２、２３と、第２の実施形態におけるＭｎ−Ｍｇ系記録層とを組み合わせを採用することが好ましい。

Ｉｎ₂Ｏ₃とＺｒＯ₂との総量ＡとＺｒＯ₂の量Ｂとのモル比（（Ｂ／Ａ）×１００［ｍｏｌ％］）は、５２ｍｏｌ％以上７６ｍｏｌ％以下の範囲内であることが好ましい。この範囲にすることで、広いパワーマージンを確保することができるからである。

［効果］
本実施形態によれば、情報信号層ＬがＭｎ系記録材料またはＭｎ−Ｍｇ系記録材料を含む記録層２１を誘電体保護層２２、２３で挟み込む３層構成を有している。そして、光透過層側の誘電体層２２がＺｒＯ₂を含み、基板側の誘電体層２３がＩｎ₂Ｏ₃およびＺｒＯ₂の複合酸化物を含んでいるか、若しくは光透過層側の誘電体層２２および基板側の誘電体層２３の両方がＩｎ₂Ｏ₃およびＺｒＯ₂の複合酸化物を含んでいる。このため、安価な材料コストを維持しながらも、情報記録再生信号品質や長期保存信頼性に優れた光情報記録媒体１０を提供することができる。すなわち、長期保存信頼性と価格とのバランスを実現することができる。情報信号層ＬがＭｎ−Ｍｇ系記録材料を含む記録層２１を誘電体保護層２２、２３で挟み込む３層構成を有する場合には、長期保存信頼性に特に優れた光情報記録媒体１０を提供できる。

＜４．第４の実施形態＞
第４の実施形態に係る光情報記録媒体１０の構成は、記録層２１以外の点では上述の第１の実施形態に係る光情報記録媒体１０の構成と同様である。このため、以下では、記録層２１の構成についてのみ説明する。

（記録層）
記録層２１は、ＭｎおよびＲｕ（ルテニウム）を含む酸化物を含んでいる。より具体的には、記録層２１は、Ｍｎの酸化物とＲｕの酸化物とを含んでいる。記録層２１がＲｕを含んでいることで、パワーマージンを改善できる。以下では、Ｍｎの酸化物とＲｕの酸化物とを含む記録層をＭｎ−Ｒｕ系記録層と称することがある。

ＭｎおよびＲｕの総量に対するＲｕの比率（＝［Ｒｕ／（Ｍｎ＋Ｒｕ）］×１００）は、好ましくは０原子％（atomic％：at％）より大きく７０原子％以下、より好ましくは０原子％より大きく６０原子％以下、さらに好ましくは３２原子％以上６０原子％以下の範囲内である。Ｒｕの比率が７０原子％以下であると、良好なモジュレーションを得ることができる。Ｒｕの比率が６０原子％以下であると、未記録状態の光情報記録媒体１０の長期保存後におけるモジュレーション変化を抑制することができる。

記録層２１は、ＭｎおよびＲｕ以外の金属（Ｍ）の酸化物をさらに含んでいることが好ましい。この場合、記録層２１は、Ｍｎ、Ｒｕおよびそれ以外の金属（Ｍ）の複合酸化物を含んでいる。この金属（Ｍ）は、上述の第１の実施形態と同様である。ここで、Ｍｎ、Ｍｇおよび金属（Ｍ）の酸化物には、酸素欠損状態も含まれる。なお、光情報記録媒体１０の構成は、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎのすべての記録層２１がＭｎの酸化物とＲｕの酸化物とを含んでいる構成に限定されるものではなく、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎのうちの一部の記録層２１がＭｎの酸化物とＲｕの酸化物とを含んでいる構成を採用することも可能である。特に、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎのうち情報信号層Ｌ１〜Ｌｎの記録層２１がＭｎの酸化物とＲｕの酸化物とを含んでいる構成を採用することが好ましい。記録層２１がＲｕを含んでいると、情報信号記録前後における情報信号層Ｌ１〜Ｌｎの透過率変化が抑制されるからである。

記録層２１は、例えば、単層構造または２層構造を有する。記録層２１が単層構造を有する場合には、記録層２１は、例えば、ＭｎおよびＲｕを含む複合酸化物を主成分としている。記録層２１が２層構造を有する場合には、例えば、記録層２１を構成する第１記録層および第２記録層は、互いに材料組成が異なる複合酸化物を主成分として含んでいる。そして、第１記録層および第２記録層のうちの少なくとも一方が、ＭｎおよびＲｕを含む複合酸化物を主成分としている。

［光情報記録媒体作製用のターゲット］
上述の記録層２１を成膜するためのスパッタリングターゲット（記録層成膜用のターゲット）は、Ｍｎの酸化物と、Ｒｕの金属単体またはＲｕの酸化物とを含んでいる。スパッタリングターゲットが、ＭｎおよびＲｕ以外の金属（Ｍ）の単体またはその金属（Ｍ）の酸化物をさらに含んでいてもよい。金属（Ｍ）は、上述の第１の実施形態と同様である。ここで、Ｍｎ、Ｒｕおよび金属（Ｍ）の酸化物には、酸素欠損状態も含まれる。

上述したように、記録層中では、ＲｕはＲｕの酸化物として存在する。記録層２１の成膜時には、Ｍｎ₃Ｏ₄をＭｎＯ₂にするために酸素を導入してスパッタする。この時に同時にＲｕも酸化される。記録層中にＲｕがＲｕの酸化物として存在することで、記録層中でＲｕはそれ以上変化することが無く安定した状態になる。

［光情報記録媒体の製造方法］
第４の実施形態に係る光情報記録媒体の製造方法は、記録層の成膜工程以外の点では上述の第１の実施形態に係る光情報記録媒体の製造方法と同様である。このため、以下では、記録層の成膜工程についてのみ説明する。

（記録層の成膜工程）
誘電体層２３を成膜した基板１１を、上述の記録層成膜用のターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ₂ガスなどのプロセスガスを導入しながら、上述した記録層成膜用のターゲットをスパッタして、誘電体層２３上に記録層２１を成膜する。

酸素アシストを行いながらターゲットをスパッタリングすることで、ターゲット中のＭｎの酸化物は、プロセスガスの酸素濃度によりＭｎＯ₂、Ｍ₂Ｏ₃、Ｍｎ₃Ｏ₄などの酸化物となり、記録層２１を形成する。これと同時に、ターゲット中のＲｕまたはその酸化物は、プロセスガス中のＯ₂ガスと反応してＲｕの酸化物となり記録層中に入り込む。ターゲットが金属（Ｍ）またはその酸化物をさらに含んでいる場合には、ターゲット中の金属（Ｍ）またはその酸化物は、プロセスガス中のＯ₂ガスと反応して安定な酸化物（ＭＯ_x）となり記録層中に入り込む。

［効果］
第４の実施形態に係る光情報記録媒体１０では、記録層２１が、マーク形成の原動力となるＭｎの酸化物に加えて、Ｒｕの酸化物をさらに含んでいるので、以下の効果を得ることができる。
・パワーマージンを拡大することができる。
・記録前後における情報信号層Ｌの透過率変化を低減することができる。例えば情報信号層Ｌｎ−１に情報信号を記録する場合には、情報信号層Ｌｎ−１の見かけ上の感度ばらつきを抑制する観点からすると、記録前後における情報信号層Ｌの透過率変化が少ないことが好ましい。
・記録層２１に含まれるＭｎの一部をＲｕに置き換えた場合には、反射率を低減できる。このように記録層２１の反射率を低減することで、記録層２１の上側面に隣接して設けられた誘電体層２２の厚みを薄くできる。したがって、誘電体層２２の材料費用を低廉化し、かつ誘電体層２２の成膜時間を短縮化できる。

＜５．第５の実施形態＞
図４は、本技術の第５の実施形態に係る光情報記録媒体の一構成例を示す概略断面図である。第５の実施形態において第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。この光情報記録媒体１０は、いわゆる単層の追記型光情報記録媒体であり、図１に示すように、情報信号層Ｌ、カバー層である光透過層１２がこの順序で基板１１の一主面に積層された構成を有する。なお、情報信号層Ｌの構成は第１の実施形態における情報信号層Ｌに限定されるものではなく、情報信号層Ｌとして第２、第３または第４の実施形態における情報信号層Ｌを用いてもよい。

以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

（評価装置）
本実施例では、光ディスクの評価は、ＢＤ用の評価装置を用いて行った。また、本実施例では、記録材料の特性検証が鍵となるので、光ディスクとしては情報記録層を１層のみ有する光ディスク（いわゆる単層ディスク）を採用した。

図５は、ディスクドライブ型評価装置の構成を示す。以下、図５を参照して、評価対象である光ディスク２０をディスクドライブ型評価装置に搭載し、信号評価を行うまでの動作および手順を説明する。

まず、スピンドルモータ部３１に光ディスク２０を取りつけ回転させる。次に、記録再生光学系３２にてレーザーダイオード４１を発光させて、レーザー光Ｌをコリメータレンズ４２およびビームスプリッター４３を介して、ミラー４４に入射させる。ミラー４４にて反射したレーザー光Ｌは、対物レンズ４５を介して光ディスク２０の記録層に集光しつつ落射される。

次に、対物レンズ４５を光ディスク２０の光照射面に対して垂直な方向（光軸方向）に上下動作させて、レーザー光Ｌの焦点が光ディスク２０の記録層を横切るようにする。このときに、光ディスク２０の記録層で反射されたレーザー光Ｌは進んできた経路を戻り、記録再生光学系３２のビームスプリッター４３でレーザー光Ｌの一部または全部が反射されて、集光レンズ４６を介してフォトディテクタ４７に入射される。フォトディテクタ４７にて受光した光は、電気信号に変換されて、信号解析装置３４に供給される。信号解析装置３４は、フォトディテクタ４７から供給された電気信号に基づき、フォーカスサーボ用エラー信号、トラッキングサーボ用エラー信号およびＲＦ信号などを生成し、これらの生成信号に基づき、サーボ制御などを行う。例えば、フォーカスサーボ制御では、フォーカスエラー信号を用いて、フォーカスサーボを働かせて常に記録層にレーザー光の焦点がくるように制御する。また、トラッキングエラー信号を用いて、記録層上の案内溝の凸部（グルーブ）上にレーザー光の焦点がくるように制御する。ここまでの処理で、情報記録の準備が整う。また、既に情報信号が光ディスクに記録されていれば、光ディスク２０からの情報信号の読み出し（再生）が可能な状態になる。

光ディスク２０に対する情報信号の記録は、以下のようにして行われる。信号発生装置３３が、光ディスク２０に記録する情報信号に基づき、レーザーダイオード４１のレーザー発光を制御する。これにより、レーザーダイオード４１から出射されるレーザー光Ｌの発光波形が制御されて、光ディスク２０の記録層に照射される。レーザー光Ｌが照射された記録層は、このレーザーエネルギーにより変化する。本実施例の記録層では、レーザーエネルギーによりＭｎＯ₂が分解しＯ₂が発生して、記録層の屈折率変化と物理的な体積膨張が起きる。レーザー光Ｌはこの変化が起きるのに十分なエネルギーを記録層に供給するものとする。

光ディスク２０に対する情報信号の再生は、以下のようにして行われる。情報信号の再生は、レーザー光照射により光ディスク２０の記録層が１００万回同じところを再生しても変化しない程十分低パワーであり、且つ記録された情報信号を十分なＳ／Ｎをもって読み出せるパワーにて行われる。このように設定したレーザー光のことを再生光と呼び、その時のレーザーパワーを再生パワーと呼ぶ。光ディスク２０の記録層に照射した再生光は、記録再生光学系を逆行しフォトディテクタ４７にて検出される。光ディスク２０の記録層に情報が記録されている場合には、例えば未記録部からの戻り光の光量に対し記録部の光は低下して戻ってくる。また、未記録部の戻り光量より記録部の戻り光が高くなって帰ってくるように設計された光ディスクも存在する。前者はHigh to Low記録、後者はLow to High記録と呼ばれている。

本実施例の光ディスク２０はHigh to Low記録のメディアであり、ＣＤ、ＤＶＤ、ＢＤで採用されている。フォトディテクタ４７で検出された光は、電気信号に変換されて信号解析装置３４に供給され、信号解析装置３４にて信号品質が評価される。評価関数としては、例えば光ディスク技術で既に確立された下記のものがある。
ｉ−ＭＬＳＥ、変調度、ＳＥＲ（エラーレート）、アシンメトリ等
ｉ−ＭＬＳＥ、ＳＥＲは、ＲＦ信号の情報抜き出し品質を示す。本実施例でもこれらの評価関数を用いて、信号品質の評価を行った。

（信号特性の評価方法）
本実施例では、特に明記していな限り、光ディスクの記録再生信号評価は、上述のＢＤ用の評価装置を用いて以下のようにして行った。情報記録密度をＢＤ２５ＧＢの１．２８倍の1情報記録層当たり３２ＧＢ相当で、２倍速記録（７．６９ｍ／ｓ）にて連続５トラックを記録し、中央のトラックの信号を測定した。信号品質の評価にはＢＤ−ＸＬで使用されている、ｉ−ＭＬＳＥという指標を用いた。評価装置における記録用レーザー光の波長は４０５ｎｍ、集光レンズの開口数ＮＡは０．８５である。ｉ−ＭＬＳＥが最も良好になる記録パワーを最適記録パワーＰｗｏとした。

本技術の実施例について以下の順序で説明する。
１−１．Ｍｎ系記録材料とＰｄ系記録材料と特性比較
１−２．記録層中のＭｎの価数と信号特性との関係
１−３．記録層の２層構造化
１−４．記録層に対する添加剤の添加
１−５．記録層中のＭｎ濃度
２−１．Ｍｎ系記録層に対する各種金属酸化物の添加
２−２．Ｍｎ系記録層中のＭｇ濃度
３−１．各種金属酸化物からなる誘電体層の特性比較
３−２．誘電体層（Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂層）の組成比と保存信頼性との関係
３−３．記録層の両側に設ける誘電体層の組み合わせと保存信頼性との関係
３−４．記録材料−誘電体材料の組み合わせと保存信頼性との関係
４−１．記録層に対するＲｕの添加

＜１−１．Ｍｎ系記録材料とＰｄ系記録材料と特性比較＞
Ｐｄ系記録材料を用いた光ディスクと、Ｐｄを安価なＭｎに置き換えたＭｎ系記録材料を用いた光ディスクとを作製して、両者の特性を比較した。

（参考例１−１）
まず、射出成形により、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板を成形した。なお、このポリカーボネート基板上には、イングルーブおよびオングルーブを有する凹凸面を形成した。次に、スパッタ法によりポリカーボネート基板の凹凸面上にＭｎ系記録層、誘電体層を順次積層した。各層の構成は、具体的には以下のようにした。

Ｍｎ系記録層
材料：Ｍｎ−Ｃｕ−Ｗ−Ｚｎ−Ｏの複合酸化物（Ｍｎ：Ｃｕ：Ｗ：Ｚｎ＝１８：８：３０：４４（原子比率（単位：原子％））、厚さ：３３ｎｍ
誘電体層（光透過層側）
材料：ＩＴＯ、厚さ：１０ｎｍ

Ｍｎ系記録層は、以下のようにして成膜した。ＡｒガスとＯ₂ガスとの混合ガス雰囲気下にて、Ｍｎターゲット、Ｃｕターゲット、Ｗターゲット、およびＺｎターゲットをコスパッタすることにより成膜した。但し、Ｍｎ系記録層中のＭｎ、Ｃｕ、Ｗ、Ｚｎそれぞれの原子比率が、Ｍｎ：Ｃｕ：Ｗ：Ｚｎ＝１８：８：３０：４４となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。また、酸素濃度が高い混合ガス雰囲気となるように、ＡｒガスとＯ₂ガスとの流量比を調整した。
以下に、具体的なＭｎ系記録層の成膜条件を示す。
Ａｒガス流量：１０〜１５ｓｃｃｍ
Ｏ₂ガス流量：１５〜２４ｓｃｃｍ
投入電力：１００〜２００Ｗ

次に、スピンコート法により、紫外線硬化樹脂を誘電体層上に均一塗布し、これに紫外線を照射して硬化させることにより、厚さ１００μｍを有する光透過層を形成した。
以上により、目的とする光ディスクを得た。

（参考例１−２）
ポリカーボネート基板の凹凸面とＭｎ系記録層との間に、誘電体層（基板側）をさらに成膜した以外は、参考例１−１と同様にして光ディスクを得た。

以下に、具体的な誘電体層（基板側）の構成を示す。
誘電体層（基板側）
材料：ＩＴＯ、厚さ：５ｎｍ

（比較例１−１）
Ｍｎ系記録層に代えてＰｄ系記録層を成膜したこと以外は、参考例１−１と同様にして光ディスクを得た。

以下に、具体的なＰｄ系記録層の構成を示す。
Ｐｄ系記録層
材料：Ｐｄ−Ｃｕ−Ｗ−Ｚｎ−Ｏの複合酸化物（Ｐｄ：Ｃｕ：Ｗ：Ｚｎ＝１９：３：３１：４７（原子比率：原子％））、厚さ：３９ｎｍ

（比較例１−２）
Ｍｎ系記録層に代えてＰｄ系記録層を成膜したこと以外は、参考例１−２と同様にして光ディスクを得た。

以下に、具体的なＰｄ系記録層の構成を示す。
Ｐｄ系記録層
材料：Ｐｄ−Ｃｕ−Ｗ−Ｚｎ−Ｏの複合酸化物（Ｐｄ：Ｃｕ：Ｗ：Ｚｎ＝１９：３：３１：４７（原子比率：原子％））、厚さ：３９ｎｍ

（光ディスクの構成）
表１は、参考例１−１、１−２、比較例１−１、１−２の光ディスクの構成を示す。なお、表１において、記録材料の組成比は、酸素を除いた金属材料のみの組成比とした。

（光ディスクの評価）
上述のようにして得られた参考例１−１、比較例１−１の光ディスクについて、以下の評価を行った。

（光学特性の評価）
作製した光ディスクにおける記録層の反射率および透過率は、分光光度計の反射率および透過率測定機能を用いて測定した。その結果を表１に示す。

（最適記録パワーＰｗｏの評価）
ｉ−ＭＬＳＥが最も良好になる記録パワーを求め、この記録パワーを最適記録パワーＰｗｏとした。その結果を表１に示す。

（初期特性）
評価指標であるｉ−ＭＬＳＥを測定するに当たり信号記録に用いるレーザー光の記録パワーを最適記録パワーＰｗｏの前後で掃引し、各記録パワーのｉ−ＭＬＳＥのデータを取得した。取得したデータをプロットしてグラフ（パワーマージンのグラフ）を作成した。なお、ｉ−ＭＬＳＥ値を縦軸とし、記録パワーＰｗをＰｗｏで規格化した値（Ｐｗ／Ｐｗｏ）を横軸とした。その結果を図６Ａ、図６Ｂに示す。

この評価結果から以下のことがわかる。
ｉ−ＭＬＳＥのボトム値、およびＰｗ／Ｐｗｏの横軸方向の広がりは、Ｐｄ系記録材料とＭｎ系記録材料とでほぼ同等であった。なお、ｉ−ＭＬＳＥのボトム値は、低いほど光ディスクの特性として良好である。また、Ｐｗ／Ｐｗｏの横軸方向の広がりは、マージン幅と言われ、広いほど光ディスクの特性として良好である。したがって、Ｐｄ系記録材料、Ｍｎ系記録材料を用いた光ディスクの信号記録における初期特性は、ほぼ同等と判断できる。

（再生耐久性）
光ディスクに情報信号を記録した後、記録した情報信号を複数回再生し、再生回数に対する信号品質の変化をプロットした。その結果を図７Ａ、図７Ｂに示す。ここで、信号品質の評価指標には、ｉ−ＭＬＳＥおよびＳＥＲ（symbol error rate）（すなわち情報読み出しの誤検出頻度の数値）を用いた。なお、再生パワーは１．５ｍＷとした。

この評価結果から以下のことがわかる。
Ｐｄ系記録材料では再生回数１０万回ごろから顕著なｉ−ＭＬＳＥの劣化がみられるのに対して、Ｍｎ系記録材料では１００万回ごろから劣化が開始しており、Ｐｄ系記録材料に比べてＭｎ系記録材料の再生耐久性が格段に優れていることがわかる。

（アーカイブル特性）
まず、上述の初期特性の評価に用いた光ディスクを８０℃８５％の温室環境下に１２０時間投入した。次に、上記初期特性の評価に用いたデータ領域を再度測定して、規格値（Ｐｗ／Ｐｗｏ）に対するｉ−ＭＬＳＥ値の変化を再度評価した。その結果（アーカイブル試験の結果）を図８Ａ〜図９Ｂに示す。

この評価結果から以下のことがわかる。
Ｐｄ系記録材料およびＭｎ系記録材料のいずれにおいても、試験後の特性は、試験前の特性から若干変化していることがわかる。その変化の度合いは、Ｐｄ系記録材料とＭｎ系記録材料とでほぼ同等であることがわかる。

（シェルフ特性）
まず、光ディスクを８０℃８５％の温室環境下に１２０時間投入した後、上述の初期特性の評価と同様にして、規格値（Ｐｗ／Ｐｗｏ）に対するｉ−ＭＬＳＥ値の変化を評価した。その結果（シェルフ試験の結果）を図８Ａ〜図９Ｂに示す。
Ｐｄ系記録材料、Ｍｎ系記録材料のいずれにおいても、初期特性からの変化がはっきり見てとれるが、Ｐｄ系記録材料とＭｎ系記録材料とでその変化の程度はほぼ同等であることがわかる。

以上の評価結果より、Ｍｎ系記録材料を用いた光ディスクでは、Ｐｄ系記録材料を用いた光ディスクに比して劣っている特性はないことがわかる。したがって、光ディスクの特性および価格の両立の観点からすると、Ｍｎ系記録材料は、Ｐｄ系記録材料に比して大きな利点を有している。また、再生耐久性の観点からすると、Ｍｎ系記録材料は、Ｐｄ系記録材料に比して大きな利点を有している。

＜１−２．記録層中のＭｎの価数と信号特性との関係＞
（参考例２−１）
以下の構成の誘電体層（基板側）、Ｍｎ系記録層、誘電体層（光透過層側）をポリカーボネート基板の凹凸面上に順次積層したこと以外は、参考例１−２と同様にして光ディスクを得た。

以下に、具体的な各層の構成を示す。
誘電体層（基板側）
材料：ＩＴＯ、厚さ：５ｎｍ
Ｍｎ系記録層
材料：Ｍｎ−Ｗ−Ｚｎ−Ｏ（Ｍｎ：Ｗ：Ｚｎ＝２０：３０：５０（原子比率））、厚さ：３３ｎｍ
誘電体層（光透過層側）
材料：ＩＴＯ、厚さ：１０ｎｍ

Ｍｎ系記録層は、以下のようにして成膜した。ＡｒガスとＯ₂ガスとの混合ガス雰囲気下にて、Ｍｎターゲット、Ｗターゲット、およびＺｎターゲットをコスパッタすることにより成膜した。但し、Ｍｎ系記録層中のＭｎ、Ｗ、Ｚｎそれぞれの原子比率が、Ｍｎ：Ｗ：Ｚｎ＝２０：３０：５０となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。また、酸素濃度が高い混合ガス雰囲気となるように、ＡｒガスとＯ₂ガスとの流量比を調整した。
以下に、具体的なＭｎ系記録層の成膜条件を示す。
Ａｒガス流量：１０〜１５ｓｃｃｍ
Ｏ₂ガス流量：１５〜２４ｓｃｃｍ
投入電力：１００〜２００Ｗ

（参考例２−２）
酸素濃度が低い混合ガス雰囲気となるように、Ｍｎ系記録層の成膜条件を以下のように変更したこと以外は、参考例２−１と同様にして光ディスクを得た。
Ａｒガス流量：１０〜１５ｓｃｃｍ
Ｏ₂ガス流量：８〜１２ｓｃｃｍ
投入電力：１００〜２００Ｗ

（分析および評価）
上述のようにして得られた参考例２−１、２−２の光ディスクについて、以下の分析および評価を行った。

（記録層中のＭｎの状態分析）
参考例２−１の光ディスクのＭｎ系記録層中のＭｎの状態を以下のようにして分析した。Ｘ線光電子分光法（X-Ray Photoelectron Spectroscopy：ＸＰＳ）でＭｎ系記録層の最表面スペクトルを測定し、２Ｐ_3/2光電子スペクトルのピーク分離を行い、Ｍｎ系記録層中に存在するＭｎの状態を求めた。その結果を図１０Ａに示す。なお、図１０Ｂには、参考のために、２Ｐ_3/2結合エネルギーを示す。

この分析結果から、Ｍｎ系記録層中では、Ｍｎの一部は、＋４価のＭｎ（すなわちＭｎＯ₂）として存在していることがわかる。

（初期特性）
上述の参考例１−１、１−２と同様にして初期特性を評価した。その結果を図１１に示す。

この評価結果から以下のことがわかる。高い酸素濃度雰囲気下でＭｎ系記録層を成膜した場合には、低い酸素濃度雰囲気下でＭｎ系記録層を成膜した場合に比べて、記録感度が向上し、ｉ−ＭＬＳＥのボトム値も低くなる。この記録感度の向上は、高い酸素濃度雰囲下での成膜によりＭｎ系記録層中におけるＭｎＯ₂の含有量が増加し、価数が高いＭｎ系酸化物が増え、光吸収能が増加したためと考えられる。

＜１−３．記録層の２層構造化＞
（参考例３−１）
以下の構成のＭｎ系記録層、誘電体層（光透過層側）をポリカーボネート基板の凹凸面上に順次積層したこと以外は、参考例１−１と同様にして光ディスクを得た。

以下に、具体的な各層の構成を示す。
Ｍｎ系記録層
材料：Ｍｎ−Ｗ−Ｚｎ−Ｏ（Ｍｎ：Ｗ：Ｚｎ＝２０：３２：４８（原子比率（単位：原子％））、厚さ：３３ｎｍ
誘電体層（光透過層側）
材料：ＩＴＯ、厚さ：１０ｎｍ

（参考例３−２）
以下の構成のＭｎ系記録層、誘電体層（光透過層側）をポリカーボネート基板の凹凸面上に順次積層したこと以外は、参考例１−１と同様にして光ディスクを得た。

以下に、具体的な各層の構成を示す。
Ｍｎ系記録層
材料：Ｍｎ−Ｗ−Ｚｎ−Ｏ（Ｍｎ：Ｗ：Ｚｎ＝１８：５１：３１（原子比率（単位：原子％）））、厚さ：３３ｎｍ
誘電体層（光透過層側）
材料：ＩＴＯ、厚さ：１０ｎｍ
（参考例３−３）
以下の構成の第１のＭｎ系記録層、第２のＭｎ系記録層、誘電体層（光透過層側）をポリカーボネート基板の凹凸面上に順次積層したこと以外は、参考例１−２と同様にして光ディスクを得た。

以下に、具体的な各層の構成を示す。
第１のＭｎ系記録層
材料：Ｍｎ−Ｗ−Ｚｎ−Ｏ（Ｍｎ：Ｗ：Ｚｎ＝１８：５１：３１（原子比率（単位：原子％）））、厚さ：１３ｎｍ
第２のＭｎ系記録層
材料：Ｍｎ−Ｗ−Ｚｎ−Ｏ（Ｍｎ：Ｗ：Ｚｎ＝２０：３２：４８（原子比率（単位：原子％）））、厚さ：１０ｎｍ
誘電体層（光透過層側）
材料：ＩＴＯ、厚さ：１０ｎｍ

（初期特性）
上述のようにして得られた参考例３−１〜３−３の光ディスクについて、上述の参考例１−１、１−２と同様にして初期特性を評価した。その結果を図１２〜図１４に示す。図１２においてシェルフ特性の評価結果が示されていないのは、参考例３−１ではシェルフ特性の評価結果が図示の範囲外となったためである。

この評価結果から以下のことがわかる。
参考例１−１では、初期特性のｉ−ＭＬＳＥのボトム値は低く、良好の値であるが、シェルフ特性が大きく悪化する。
参考例２−１では、初期特性のｉ−ＭＬＳＥのボトム値が参考例１−１に比して僅かに悪化する傾向があるが、シェルフ特性は参考例１−１に比して大きく向上する。
参考例２−３では、初期特性のｉ−ＭＬＳＥのボトム値は低く、良好の値であると共に、シェルフ特性は参考例１−１に比して向上する。
したがって、Ｍｎ系記録層を２層構造化することで、単層構造では実現困難であったＲＦ信号特性を改善することが可能になる。

＜１−４．記録層に対する添加剤の添加＞
（参考例４−１）
以下の構成の誘電体層（基板側）、Ｍｎ系記録層、誘電体層（光透過層側）をポリカーボネート基板の凹凸面上に順次積層したこと以外は、参考例１−２と同様にして光ディスクを得た。

以下に、具体的な各層の構成を示す。
誘電体層（基板側）
材料：ＩＴＯ、厚さ：５ｎｍ
Ｍｎ系記録層
材料：Ｍｎ−Ｗ−Ｚｎ−Ｏ（Ｍｎ：Ｗ：Ｚｎ＝１９：３２：４９（原子比率（単位：原子％）））、厚さ：４０ｎｍ
誘電体層（光透過層側）
材料：ＩＴＯ、厚さ：１０ｎｍ

（参考例４−２）
Ｍｎ系記録層を以下の構成としたこと以外は、参考例４−１と同様にして光ディスクを得た。
Ｍｎ系記録層
材料：Ｍｎ−Ｗ−Ｚｎ−Ｂｉ−Ｏ（Ｍｎ：Ｗ：Ｚｎ：Ｂｉ＝１１：２０：２９：４０（原子比率（単位：原子％））、厚さ：４０ｎｍ

このＭｎ系記録層は、以下のようにして成膜した。ＡｒガスとＯ₂ガスとの混合ガス雰囲気下にて、Ｍｎターゲット、Ｗターゲット、ＺｎターゲットおよびＢｉターゲットをコスパッタすることにより成膜した。但し、Ｍｎ系記録層中のＭｎ、Ｗ、Ｚｎ、Ｂｉそれぞれの原子比率が、上記の比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。

（参考例４−３）
Ｍｎ系記録層を以下の構成としたこと以外は、参考例４−１と同様にして光ディスクを得た。
Ｍｎ系記録層
材料：Ｍｎ−Ｗ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｏ（Ｍｎ：Ｗ：Ｚｎ：Ｃｕ＝１８：３０：４４：８（原子比率（単位：原子％））、厚さ：４０ｎｍ

このＭｎ系記録層は、以下のようにして成膜した。ＡｒガスとＯ₂ガスとの混合ガス雰囲気下にて、Ｍｎターゲット、Ｗターゲット、ＺｎターゲットおよびＣｕターゲットをコスパッタすることにより成膜した。但し、Ｍｎ系記録層中のＭｎ、Ｗ、Ｚｎ、Ｃｕそれぞれの原子比率が、上記の比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。

（初期特性）
上述のようにして得られた参考例４−１〜４−３の光ディスクについて、上述の参考例１−１、１−２と同様にして初期特性を評価した。その結果を図１５に示す。

この評価結果から以下のことがわかる。
ＢｉまたはＣｕの添加によるｉ−ＭＬＳＥのボトム値の低下は見られない。一方、ＢｉまたはＣｕの添加によるパワーマージン（幅）の低下は僅かに見られるが、十分に実用範囲のパワーマージンは得られている。なお、ｉ−ＭＬＳＥ：１５％閾値でＰｗ／Ｐｗｏが±０．１５％を確保できれば、パワーマージン幅は実用範囲である。

したがって、ＢｉまたはＣｕをＭｎ系記録材料に添加しても、ほぼ同様の信号特性を得ることができる。また、ＢｉおよびＣｕの両方をＭｎ系記録材料に添加した場合にも、上記と同様の効果が得られると考えられる。さらには、ＢｉおよびＣｕ以外の金属元素、例えばＳｎ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、およびＡｌなどからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属元素をＭｎ系記録材料に添加した場合にも、上記と同様の効果が得られると考えられる。

＜１−５．記録層中のＭｎ濃度＞
（参考例５−１）
以下の構成の誘電体層（基板側）、Ｍｎ系記録層、誘電体層（光透過層側）をポリカーボネート基板の凹凸面上に順次積層したこと以外は、参考例１−２と同様にして光ディスクを得た。

以下に、具体的な各層の構成を示す。
誘電体層（基板側）
材料：ＩＴＯ、厚さ：５ｎｍ
Ｍｎ系記録層
材料：Ｍｎ−Ｗ−Ｚｎ−Ｏ（Ｍｎ：Ｗ：Ｚｎ＝１２：３５：５３（原子比率（単位：原子％）））、厚さ：４０ｎｍ
誘電体層（光透過層側）
材料：ＩＴＯ、厚さ：１０ｎｍ

（参考例５−２）
Ｍｎ系記録層を以下の構成としたこと以外は、参考例５−１と同様にして光ディスクを得た。
Ｍｎ系記録層
材料：Ｍｎ−Ｗ−Ｚｎ−Ｏ（Ｍｎ：Ｗ：Ｚｎ：Ｃｕ＝２４：３０：４６（原子比率（単位：原子％））、厚さ：４０ｎｍ

（参考例５−３）
Ｍｎ系記録層を以下の構成としたこと以外は、参考例５−１と同様にして光ディスクを得た。
Ｍｎ系記録層
材料：Ｍｎ−Ｗ−Ｚｎ−Ｏ（Ｍｎ：Ｗ：Ｚｎ：Ｃｕ＝４３：２３：３４（原子比率（単位：原子％））、厚さ：４０ｎｍ

（参考例５−４）
Ｍｎ系記録層を以下の構成としたこと以外は、参考例５−１と同様にして光ディスクを得た。
Ｍｎ系記録層
材料：Ｍｎ−Ｏ（Ｍｎ＝１００（金属原子比率（単位：原子％））、厚さ：１２ｎｍ

（評価）
上述のようにして得られた参考例５−１〜５−４の光ディスクについて、以下の評価を行った。

（最適記録パワーＰｗｏの評価）
上述の参考例１−１、１−２と同様にして最適記録パワーＰｗｏを評価した。その結果を表２に示す。

表２は、参考例５−１〜５−４の光ディスクの最適記録パワーＰｗｏの評価結果を示す。

（初期特性）
上述の参考例１−１、１−２と同様にして初期特性を評価した。その結果を図１６に示す。

上記評価結果から以下のことがわかる。
ｉ−ＭＬＳＥのボトム値とパワーマージン（幅）は、Ｍｎ濃度に依存して変化する。
ｉ−ＭＬＳＥのボトム値は、Ｍｎ系記録層におけるＭｎ濃度が１２原子％以上１００原子％の範囲内において十分良好な値となっている。また、パワーマージン（幅）は、同範囲内において多少低下する傾向が見られるが、実用が見込まれる範囲である。

＜２−１．Ｍｎ系記録層に対する各種金属酸化物の添加＞
ＭｎＯ_x−ＷＯ₃−ＺｎＯからなるＭｎ系記録材料を用いた光ディスクと、その記録材料に体積比で一定量の金属酸化物（Ｚｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔｉ、ＳｂまたはＴｅの酸化物）を加えた光ディスクとを作製して、添加酸化物の効果を比較した。

（参考例６−１）
以下の構成の誘電体層（基板側）、Ｍｎ系記録層、誘電体層（光透過層側）をポリカーボネート基板の凹凸面上に順次積層したこと以外は、参考例１−１と同様にして光ディスクを得た。

誘電体層（基板側）
材料：ＩＴＯ、厚さ：１０ｎｍ
Ｍｎ系記録層
材料：Ｍｎ−Ｗ−Ｚｎ−Ｏの複合酸化物（Ｍｎ：Ｗ：Ｚｎ＝１８：８：３０：４４（原子比率（単位：原子％））、厚さ：３３ｎｍ
誘電体層（光透過層側）
材料：ＩＴＯ、厚さ：１０ｎｍ

Ｍｎ系記録層は、以下のようにして成膜した。ＡｒガスとＯ₂ガスとの混合ガス雰囲気下にて、Ｍｎターゲット、Ｗターゲット、Ｚｎターゲットをコスパッタすることにより成膜した。コスパッタ後の組成比（原子比率）はＭｎ：Ｗ：Ｚｎ＝２３：３１：４６（単位：原子％）となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。また、酸素濃度が高い混合ガス雰囲気となるように、ＡｒガスとＯ₂ガスとの流量比を調整した。
以下に、具体的なＭｎ系記録層の成膜条件を示す。
Ａｒガス流量：１０〜１５ｓｃｃｍ
Ｏ₂ガス流量：１５〜２４ｓｃｃｍ
投入電力：１００〜２００Ｗ

（参考例７−１〜７−１１）
Ｍｎ系記録層に各種金属酸化物（ＭｅＯ_x）をさらに添加したこと以外は、参考例６−１と同様にして光ディスクを得た。以下では、各種金属酸化物（ＭｅＯ_x）を添加したＭｎ系記録層をＭｎ−Ｍｅ系記録層と称する。また、各種金属酸化物（ＭｅＯ_x）を添加したＭｎ系記録材料をＭｎ−Ｍｅ系記録材料と称する。

以下に、具体的なＭｎ−Ｍｅ系記録層の構成を示す。
材料：ＭｎＯ_x−ＷＯ₃−ＺｎＯ−ＭｅＯ_x（Ｍｎ：Ｗ：Ｚｎ：Ｍｅ＝２２．０〜２３．３：２７．７〜２９．４：４１．６〜４４．１：３．３〜８．６（原子比率（単位：原子％））
添加金属（Ｍｅ）：Ｚｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔｉ、ＳｂまたはＴｅ
厚さ：３３ｎｍ

Ｍｎ−Ｍｅ系記録層は以下の条件で成膜した。Ｍｎ−Ｍｅ記録層に各種金属酸化物（ＭｅＯ_x）が体積比で６％含まれるように、コスパッタで各種金属酸化物（ＭｅＯ_x）を添加した。具体的には、厚さ３３ｎｍのＭｎ−Ｍｅ系記録層中に厚さ２ｎｍ相当のＭｎ−Ｍｅ系記録材料が含まれるように、コスパッタで各種金属酸化物（ＭｅＯ_x）を添加した。

（光ディスクの構成）
表３は、参考例６−１、７−１〜７−１１の光ディスクの構成を示す。なお、表３において、Ｍｎ系およびＭｎ−Ｍｅ系記録材料の組成比は、酸素を除いた金属材料のみの組成比とした。

（初期特性）
上述の参考例１−１、１−２と同様にして初期特性を評価した。その結果を図１７Ａ〜図２０Ｃに示す。

（アーカイバル特性）
まず、上述の初期特性の評価に用いた光ディスクを温湿度８０℃８５％の恒温恒湿度槽に２００時間投入した。次に、上記初期特性の評価に用いたデータ領域を再度測定して、規格値（記録パワーＰｗ／最適記録パワーＰｗｏ）に対するｉ−ＭＬＳＥ値の変化を再度評価した。その結果（アーカイブル試験の結果）を図１７Ａ〜図２０Ｃに示す。

（シェルフ特性）
まず、作製した光ディスクを温湿度８０℃８５％の恒温恒湿度槽に２００時間投入した後、上述の初期特性の評価と同様にして、規格値（記録パワーＰｗ／最適記録パワーＰｗｏ）に対するｉ−ＭＬＳＥ値の変化を評価した。その結果（シェルフ試験の結果）を図１７Ａ〜図２０Ｃに示す。

図１７Ａは、Ｍｎ系記録層を用いた参考例６−１の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示す。この評価結果から以下のことがわかる。
アーカイバル試験後のｉ−ＭＬＳＥのボトム位置は、初期のｉ−ＭＬＳＥのボトム位置に比べて記録パワーで約５％増加した位置にシフトしている。
シェルフ試験後のｉ−ＭＬＳＥのボトム位置は、初期のｉ−ＭＬＳＥのボトム位置に比べて記録パワー（Ｐｗ／Ｐｗｏ）で約１０％増加した位置にシフトしている。
Ｐｗ／Ｐｗｏ＝０．９の位置において、シェルフ試験後のｉ−ＭＬＳＥと初期のｉ−ＭＬＳＥとを比較すると、シェルフ試験後のｉ−ＭＬＳＥは初期のｉ−ＭＬＳＥから約７％も悪化している。
アーカイバルおよびシェルフ試験の両環境試験後のｉ−ＭＬＳＥと、初期のｉ−ＭＬＳＥとが一致することが望ましいが、Ｍｎ系記録層の両側にＩＴＯからなる誘電体層を設けた構成の光ディスクでは、環境試験後のｉ−ＭＬＳＥの変化を抑えることは困難である。

図１７Ｂ〜図２０Ｃは、Ｍｎ−Ｍｅ系記録層を用いた参考例７−１〜７−１１の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示す。この評価結果から以下のことがわかる。
金属酸化物（ＭｅＯ_x）としてＭｏＯ_x、ＳｉＯ₂、ＭｇＯ、ＴｅＯ_xを添加した参考例７−４、７−５、７−６、７−１１の光ディスクでは、金属酸化物（ＭｅＯ_x）を添加していない参考例６−１の光ディスクに比して、初期のｉ−ＭＬＳＥに対するアーカイバルおよびシェルフ試験後のｉ−ＭＬＳＥの変化が抑制されている。金属酸化物（ＭｅＯ_x）としてＭｏＯ_x、ＳｉＯ₂、ＭｇＯおよびＴｅＯ_xからなる群より選ばれる２種以上を組み合わせて用いた場合にも、上記と同様の抑制効果の発現が推測される。
これに対して、上記以外の金属酸化物（ＭｅＯ_x）を添加した参考例７−１〜７−３、７−７〜７−１０の光ディスクでは、初期のｉ−ＭＬＳＥに対するアーカイバルおよびシェルフ試験後のｉ−ＭＬＳＥの変化量は、金属酸化物（ＭｅＯ_x）を添加していない参考例６−１の光ディスクと同レベルである。
ＭｏＯ_x、ＳｉＯ₂、ＭｇＯ、ＴｅＯ_xをそれぞれ添加した参考例７−４、７−５、７−６、７−１１の光ディスクのうちでも、特にＭｇＯ添加を添加した参考例７−６の光ディスクで顕著に初期特性からの変化が抑制されている。
ＭｏＯ_x、ＳｉＯ₂、ＴｅＯ_xをそれぞれ添加した参考例７−４、７−５、７−１１の光ディスクうちでは、ＭｏＯ_xを添加した参考例７−４の光ディスクの方が、初期特性からの変化量が抑制されている。

以上の結果を総合すると、ＲＦ信号特性を確保しつつ、保存信頼性を改善するためには、Ｍｎ系記録層に添加する金属酸化物（ＭｅＯ_x）としては、Ｍｇ、Ｍｏ、ＳｉおよびＴｅからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の金属元素の酸化物が好ましく、Ｍｏ、ＳｉおよびＴｅからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の金属元素の酸化物がより好ましく、Ｍｇの酸化物が最も好ましい。

＜２−２．Ｍｎ系記録層中のＭｇ濃度＞
上記「２−１」の検討にて、保存信頼性の改善に最も効果があることが確認されたＭｇＯについて、その添加量に対する保存信頼性の変化を調べた。

（参考例８−１〜８−６）
記録層として以下の構成を有するＭｎ−Ｍｇ系記録層を成膜したこと以外は、参考例６−１と同様にして光ディスクを得た。
材料：ＭｎＯ_x−ＷＯ₃−ＺｎＯ−ＭｇＯ（Ｍｎ：Ｗ：Ｚｎ：Ｍｇ＝１３．３〜１６．８：６．８〜３３．３：１０．２〜４９．９：０〜６９．７（原子比率（単位：原子％））、厚さ：３３ｎｍ

Ｍｎ−Ｍｇ系記録層は、以下のようにして成膜した。ＡｒガスとＯ₂ガスとの混合ガス雰囲気下にて、Ｍｎターゲット、Ｗターゲット、Ｚｎターゲット、およびＭｇターゲットをコスパッタすることにより成膜した。ここで、Ｍｎ、Ｍｇ、ＷおよびＺｎの組成比率は、次のようにして調整した。Ｍｎ量を固定し、ＷおよびＺｎの量をＷ：Ｚｎ＝４０：６０ａｔｏｍ％で固定した。そして、ＷＺｎＯとＭｇＯの金属元素の組成比の和が一定となる制約のもとで、Ｍｇ量を変化させた。なお、参考例６−１、７−１〜７−１１に比べＭｎの比率を下げているが（表３参照）、これはＭｇを増やすことでＲＦ信号特性の点で最適なＭｎ量が減量側にシフトしたための措置である。

（光ディスクの構成）
表４は、参考例８−１〜８−６の光ディスクの構成を示す。なお、表４において、Ｍｎ−Ｍｇ系記録材料の組成比は、酸素を除いた金属材料のみの組成比とした。

（初期特性、アーカイバル特性およびシェルフ特性）
上述のようにして得られた参考例８−１〜８−６の光ディスクについて、上述の参考例６−１、７−１〜７−１１の光ディスクと同様にして初期特性、アーカイバル特性およびシェルフ特性を評価した。その結果を図２１Ａ〜図２２Ｃに示す。
ここで、ＢＤ−ＸＬの評価指標を参考にすると、ｉ−ＭＬＳＥ値＝１３％にてパワーマージンカーブでそれを下回る領域幅が最適記録パワーに対して２０％（ｍａｘ−ｍｉｎ幅）あると、システムとして許容できるとされている。そこで、図２１Ａ〜図２２Ｃの各グラフにおいて初期のｉ−ＭＬＳＥ、アーカイバル試験後のｉ−ＭＬＳＥおよびシェルフ試験後のｉ−ＭＬＳＥの全てを重ねた場合に、ｉ−ＭＬＳＥ値が１３％を下回るパワーマージン幅Δ（Ｐｗ／Ｐｗｏ）を求めた。そして、そのパワーマージン幅Δ（Ｐｗ／Ｐｗｏ）の値をプロットしてグラフを作成した。その結果を図２３に示す。なお、図２３に示すように、このグラフでは、パワーマージン幅Δ（Ｐｗ／Ｐｗｏ）を縦軸とし、Ｍｎ−Ｍｇ系記録層中におけるＭｇＯの含有量を横軸とした。但し、図２３では、パワーマージン幅Δ（Ｐｗ／Ｐｗｏ）を百分率（パーセント）の単位に変更して表記した。

図２３から、ＭｇＯの添加量を５ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下の範囲内にすることで、パワーマージン幅Δ（Ｐｗ／Ｐｗｏ）＝２０％を確保できることがわかる。
したがって、保存信頼性（アーカイバル特性およびシェルフ特性）の更なる改善の観点からすると、ＭｇＯの添加量を５ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下の範囲内にすることが好ましい。

＜３−１．各種金属酸化物からなる誘電体層の特性比較＞
各種金属酸化物層からなる誘電体層をＭｎ系記録層の両面に設けた光ディスクを作製し、それらの誘電体層の効果を調べた。

（参考例９−１〜９−８）
以下の構成の誘電体層（基板側）、Ｍｎ系記録層、誘電体層（光透過層側）をポリカーボネート基板の凹凸面上に順次積層したこと以外は、参考例６−１と同様にして光ディスクを得た。

誘電体層（基板側）
材料：Ａｌ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｎｂ₂Ｏ₅、ＳｉＯ₂、ＳｎＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｎＯ、ＺｒＯ₂
厚さ：５ｎｍ
Ｍｎ系記録層
材料：Ｍｎ−Ｗ−Ｚｎ−Ｏの複合酸化物（Ｍｎ：Ｗ：Ｚｎ＝２３：３１：４６（原子比率（単位：原子％））、厚さ：３３ｎｍ
誘電体層（光透過層側）
材料：Ａｌ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｎｂ₂Ｏ₅、ＳｉＯ₂、ＳｎＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｎＯ、ＺｒＯ₂
材料：１０ｎｍ
なお、基板側および光透過層側の誘電体層の材料としては、同一の材料を用いた。

（光ディスクの構成）
表５は、参考例９−１〜９−８の光ディスクの構成を示す。

（初期特性、アーカイバル特性およびシェルフ特性）
上述のようにして得られた参考例９−１〜９−８の光ディスクについて、上述の参考例６−１、７−１〜７−１１の光ディスクと同様にして初期特性、アーカイバル特性およびシェルフ特性を評価した。その結果を図２４Ａ〜図２６Ｃに示す。

図２４Ａ〜図２６Ｃは、参考例９−１〜９−８の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示す。この評価結果から以下のことがわかる。
基板側および光透過層側の誘電体層の材料としてＩｎ₂Ｏ₃を用いた光ディスクでは、初期のｉ−ＭＬＳＥに対するアーカイバル試験後のｉ−ＭＬＳＥの変化が小さく、かつ、パワーマージンも広いままの良好な状態が保たれている。しかし、この光ディスクでは、シェルフ試験後の最適記録パワーが、初期の最適記録パワーに対して＋１０％程度増加している。
一方、基板側および光透過層側の誘電体層の材料としてＺｒＯ₂を用いた光ディスクでは、初期のシェルフ試験後のｉ−ＭＬＳＥの変化が小さく、かつ、パワーマージンも広いままの良好な状態が保たれている。しかし、この光ディスクでは、アーカイバル試験後の最適記録パワーが、初期の最適記録パワーに対して大きく変化している。
したがって、アーカイバル特性を改善するためには、基板側および光透過層側の誘電体層の材料としてＩｎ₂Ｏ₃を用いることが好ましい。また、シェルフ特性を改善するためには、基板側および光透過層側の誘電体層の材料としてＺｒＯ₂を用いることが好ましい。

＜３−２．誘電体層（Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂層）の組成比と保存信頼性との関係＞
上記「３−１」の検討にて、アーカイバル特性の改善に効果が認められたＩｎ₂Ｏ₃と、シェルフ特性の改善に効果が認められたＺｒＯ₂との混合体を用いて、誘電体層を形成すると共に、その組成を変化させて、組成比と保存信頼性との関係を調べた。

（参考例１０−１〜１０−４）
誘電体層（基板側）および誘電体層（光透過層側）を以下の構成としたこと以外は、参考例９−１と同様にして光ディスクを得た。
誘電体層（基板側）
材料：Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂の複合酸化物（Ｉｎ₂Ｏ₃：ＺｒＯ₂＝１２〜７０：３０〜８８（ｍｏｌ比率（単位：ｍｏｌ％））、厚さ：５ｎｍ
誘電体層（光透過層側）
材料：Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂の複合酸化物（Ｉｎ₂Ｏ₃：ＺｒＯ₂＝１２：８８（ｍｏｌ比率（単位：ｍｏｌ％））、厚さ：１０ｎｍ

表６は、参考例１０−１〜１０−４の光ディスクの構成を示す。

（初期特性、アーカイバル特性およびシェルフ特性）
上述のようにして得られた参考例１０−１〜１０−４の光ディスクについて、上述の参考例６−１、７−１〜７−１１の光ディスクと同様にして初期特性、アーカイバル特性およびシェルフ特性を評価した。その結果を図２７Ａ〜図２８Ｂに示す。
ここで、ＢＤ−ＸＬの評価指標を参考にすると、ｉ−ＭＬＳＥ値＝１３％にてパワーマージンカーブでそれを下回る領域幅が最適記録パワーに対して２０％（ｍａｘ−ｍｉｎ幅）あると、システムとして許容できるとされている。そこで、図２７Ａ〜図２８Ｂの各グラフにおいて初期のｉ−ＭＬＳＥ、アーカイバル試験後のｉ−ＭＬＳＥおよびシェルフ試験後のｉ−ＭＬＳＥの全てを重ねた場合に、ｉ−ＭＬＳＥ値が１３％を下回るパワーマージン幅Δ（Ｐｗ／Ｐｗｏ）を求めた。そして、そのパワーマージン幅Δ（Ｐｗ／Ｐｗｏ）の値をプロットしてグラフを作成した。その結果を図２９に示す。なお、図２９に示すように、このグラフでは、パワーマージン幅Δ（Ｐｗ／Ｐｗｏ）を縦軸とし、Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂の複合酸化物の総量Ａに対するＺｒＯ₂の量Ｂのモル比（（Ｂ／Ａ）×１００［ｍｏｌ％］）を横軸とした。但し、図２９では、パワーマージン幅Δ（Ｐｗ／Ｐｗｏ）を百分率（パーセント）の単位に変更して表記した。

図２７Ａ〜図２８Ｂは、参考例１０−１〜１０−４の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示す。この評価結果から以下のことがわかる。
基板側および光透過層側の誘電体層の材料としてＩｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂の複合酸化物を用いることで、初期のｉ−ＭＬＳＥに対するアーカイバル試験後およびシェルフ試験後のｉ−ＭＬＳＥの変化を抑制することができる。すなわち、アーカイバル特性およびシェルフ特性の両立することができる。
これに対して、基板側および光透過層側の誘電体層の材料としてＡｌ₂Ｏ₃、Ｂｉ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｎｂ₂Ｏ₅、ＳｉＯ₂、ＳｎＯ₂、ＴｉＯ₂、ＺｎＯまたはＺｒＯ₂用いた場合には、アーカイバル特性およびシェルフ特性を両立することは困難である（図２４Ａ〜図２６Ｃ）。
Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂の複合酸化物の総量Ａに対するＺｒＯ₂の量Ｂのモル比（（Ｂ／Ａ）×１００［ｍｏｌ％］）を約５０〜７０ｍｏｌ％の範囲とすることで、アーカイバル特性およびシェルフ特性の両特性を特に向上することができる。

図２９は、参考例１０−１〜１０−４の光ディスクのパワーマージン幅Δ（Ｐｗ／Ｐｗｏ）評価結果を示すグラフである。この評価結果から以下のことがわかる。
Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂の複合酸化物の総量Ａに対するＺｒＯ₂の量Ｂのモル比（（Ｂ／Ａ）×１００［ｍｏｌ％］）を５２ｍｏｌ％以上７６ｍｏｌ％以下の範囲内にすることで、パワーマージン幅Δ（Ｐｗ／Ｐｗｏ）＝２０％を確保できることがわかる。
したがって、保存信頼性（アーカイバル特性およびシェルフ特性）の更なる改善の観点からすると、ＺｒＯ₂の量Ｂのモル比を５２ｍｏｌ％以上７６ｍｏｌ％以下の範囲内にすることが好ましい。

＜３−３．記録層の両側に設ける誘電体層の組み合わせと保存信頼性との関係＞
上記検討では、基板側および光透過層側の両方の誘電体層の材料としてＩｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂を用い、これらの誘電体層による保存信頼性改善効果の発現を確認した。本検討では、基板側および光透過層側の一方の誘電体層の材料としてＩｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂を用い、他方の誘電体層の材料としてＩｎ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂またはＩＴＯを用いた。そして、これらの誘電体層の組み合わせによる保存信頼性改善効果の発現の相違について確認した。

（参考例１１−１）
基板側および光透過層側の誘電体層を以下の構成としたこと以外は、参考例９−１と同様にして光ディスクを得た。
誘電体層（基板側）
材料：Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂の複合酸化物（Ｉｎ₂Ｏ₃：ＺｒＯ₂＝４０：６０（ｍｏｌ比率（単位：ｍｏｌ％））、厚さ：５ｎｍ
誘電体層（光透過層側）
材料：Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂の複合酸化物（Ｉｎ₂Ｏ₃：ＺｒＯ₂＝４０：６０（ｍｏｌ比率（単位：ｍｏｌ％））、厚さ：１０ｎｍ

（参考例１１−２）
光透過層側の誘電体層を以下の構成としたこと以外は、参考例１１−１と同様にして光ディスクを得た。
誘電体層（光透過層側）
材料：ＺｒＯ₂、厚さ：１０ｎｍ

（参考例１１−３）
光透過層側の誘電体層を以下の構成としたこと以外は、参考例１１−１と同様にして光ディスクを得た。
誘電体層（光透過層側）
材料：Ｉｎ₂Ｏ₃、厚さ：１０ｎｍ

（参考例１１−４）
基板側の誘電体層を以下の構成としたこと以外は、参考例１１−１と同様にして光ディスクを得た。
誘電体層（基板側）
材料：ＺｒＯ₂、厚さ：５ｎｍ

（参考例１１−５）
基板側の誘電体層を以下の構成としたこと以外は、参考例１１−１と同様にして光ディスクを得た。
誘電体層（基板側）
材料：Ｉｎ₂Ｏ₃、厚さ：５ｎｍ

（参考例１１−６）
基板側および光透過層側の誘電体層を以下の構成としたこと以外は、参考例９−１と同様にして光ディスクを得た。
誘電体層（基板側）
材料：Ｉｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂の複合酸化物（Ｉｎ₂Ｏ₃：ＳｎＯ₂＝９０：１０（ｍｏｌ比率（単位：ｍｏｌ％））、厚さ：５ｎｍ
誘電体層（光透過層側）
材料：Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂の複合酸化物（Ｉｎ₂Ｏ₃：ＺｒＯ₂＝４０：６０（ｍｏｌ比率（単位：ｍｏｌ％））、厚さ：１０ｎｍ

（参考例１１−７）
基板側および光透過層側の誘電体層を以下の構成としたこと以外は、参考例９−１と同様にして光ディスクを得た。
誘電体層（基板側）
材料：Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂の複合酸化物（Ｉｎ₂Ｏ₃：ＺｒＯ₂＝４０：６０（ｍｏｌ比率（単位：ｍｏｌ％））、厚さ：５ｎｍ
誘電体層（光透過層側）
材料：Ｉｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂の複合酸化物（Ｉｎ₂Ｏ₃：ＳｎＯ₂＝９０：１０（ｍｏｌ比率（単位：ｍｏｌ％））、厚さ：１０ｎｍ

（光ディスクの構成）
表７は、参考例１１−１〜１１−７の光ディスクの構成を示す。

（初期特性、アーカイバル特性およびシェルフ特性）
上述のようにして得られた参考例１１−１〜１１−７の光ディスクについて、上述の参考例６−１、７−１〜７−１１の光ディスクと同様にして初期特性、アーカイバル特性およびシェルフ特性を評価した。その結果を図３０Ａ〜図３２Ｂに示す。

図３０Ａ〜図３２Ｂは、参考例１１−１〜１１−７の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示すグラフである。この評価結果から以下のことがわかる。
基板側の誘電体層の材料としてＩｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂を用い、光透過層側の誘電体層の材料としてＺｒＯ₂を用いた光ディスクでは、両方の誘電体層の材料としてＩｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂の複合酸化物を用いた光ディスクに近いアーカイバル特性およびシェルフ特性、すなわち保存信頼性が得られる。これに対して、基板側の誘電体層の材料としてＺｒＯ₂を用い、光透過層側の誘電体層の材料としてＩｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂を用いた光ディスクでは、両方の誘電体層の材料としてＩｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂の複合酸化物を用いた光ディスクに比べてアーカイバル特性およびシェルフ特性が低下する。特に、アーカイバル特性の低下が大きい。

基板側および光透過層側の一方の誘電体層の材料としてＩｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂を用い、他方の誘電体層の材料としてＺｒＯ₂以外の材料（Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂）を用いた光ディスクでは、両方の誘電体層の材料としてＩｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂を用いた光ディスクに比べてアーカイバル特性およびシェルフ特性の少なくとも一方が大きく変化、すなわち保存信頼性が悪化している。基板側および光透過層側の一方の誘電体層の材料としてＩｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂の複合酸化物を用い、他方の誘電体層の材料としてＩｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂の複合酸化物を用いた光ディスクでも、保存信頼性は格段に悪化している。

以上の結果を総合すると、保存信頼性向上の観点からすると、基板側の誘電体層の材料としてＩｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂を用い、光透過層側の誘電体層の材料としてＺｒＯ₂を用いることが好ましく、基板側および光透過層側の両方の誘電体層の材料としてＩｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂を用いることがより好ましい。

＜３−４．記録材料−誘電体材料の組み合わせと保存信頼性との関係＞
Ｍｎ系記録材料−誘電体材料（Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂）を組み合わせた光ディスクと、Ｐｄ系記録材料−誘電体材料（Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂）を組み合わせた光ディスクとで、保存信頼性の効果の相違について調べた。

（参考例１２−１〜１２−５）
以下の構成の誘電体層（基板側）、Ｍｎ系記録層、誘電体層（光透過層側）をポリカーボネート基板の凹凸面上に順次積層したこと以外は、参考例１−１と同様にして光ディスクを得た。

誘電体層（基板側）
材料：Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂の複合酸化物（Ｉｎ₂Ｏ₃：ＺｒＯ₂＝０〜７０：３０〜１００（ｍｏｌ比率（単位：ｍｏｌ％））、厚さ：５ｎｍ
Ｍｎ系記録層
材料：Ｍｎ−Ｍｇ−Ｗ−Ｚｎ−Ｏの複合酸化物（Ｍｎ：Ｍｇ：Ｗ：Ｚｎ＝１５：３２：２１：３３（原子比率（単位：原子％））、厚さ：３３ｎｍ
誘電体層（光透過層側）
材料：Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂の複合酸化物（Ｉｎ₂Ｏ₃：ＺｒＯ₂＝０〜７０：３０〜１００（ｍｏｌ比率（単位：ｍｏｌ％））、厚さ：１０ｎｍ

（比較例２−１〜２−５）
以下の構成のＰｄ系記録層を成膜したこと以外は、参考例１２−１〜１２−５と同様にして光ディスクを得た。

Ｐｄ系記録層
材料：Ｐｄ−Ｗ−Ｚｎ−Ｏの複合酸化物（Ｐｄ：Ｗ：Ｚｎ＝２６：３０：４４（原子比率（単位：原子％））、厚さ：３３ｎｍ

表８は、参考例１２−１〜１２−５の光ディスクの構成を示す。

表９は、比較例２−１〜２−５の光ディスクの構成を示す。

（初期特性、アーカイバル特性およびシェルフ特性）
上述のようにして得られた参考例１２−１〜１２−５、および比較例２−１〜２−５の光ディスクについて、上述の参考例６−１、７−１〜７−１１の光ディスクと同様にして初期特性、アーカイバル特性およびシェルフ特性を評価した。その結果を図３３Ａ〜図３６Ｂに示す。

図３３Ａ〜図３４Ｂは、参考例１２−１〜１２−５の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示すグラフである。図３５Ａ〜図３６Ｂは、比較例２−１〜２−５の光ディスクの初期特性、アーカイブル特性およびシェルフ特性の評価結果を示すグラフである。これらの評価結果から以下のことがわかる。

記録材料としてＭｎ系記録材料を用いた場合には、ＺｒＯ₂に対してＩｎ₂Ｏ₃を添加すると、アーカイブル特性およびシェルフ特性が向上する傾向にある。それらの特性の向上の度合いは、Ｉｎ₂Ｏ₃の添加量に依存している。記録材料としてＰｄ系記録材料を用いた場合にも、ＺｒＯ₂に対してＩｎ₂Ｏ₃を添加すると、アーカイブル特性およびシェルフ特性の向上効果が発現する。しかしながら、記録材料としてＰｄ系記録材料を用いた場合には、記録材料としてＭｎ系記録材料を用いた場合のように、アーカイブル特性およびシェルフ特性を両立することは困難である。
記録材料としてＭｎ系記録材料を用いた場合には、ＺｒＯ₂に対するＩｎ₂Ｏ₃の添加によって、初期特性には殆ど変化が見られない（図３３Ａ、図３３Ｂ参照）。一方、記録材料としてＰｄ系記録材料を用いた場合には、ＺｒＯ₂に対するＩｎ₂Ｏ₃の添加によって、初期特性に低下の傾向が見られる（図３５Ａ、図３５Ｂ参照）。
なお、上記特性の相違は、両記録材料を用いた光ディスクについて、Ｐｗ／Ｐｗｏ＝０．９付近の位置における試験前後のｉ−ＭＬＳＥの変化を比較すると、把握し易い。Ｉｎ₂Ｏ₃を１２ｍｏｌ％または２８ｍｏｌ％添加した光ディスクでは、上記特性の相違が顕著であるので、特に把握し易い（図３３Ｂ、図３３Ｃ、図３５Ｂ、図３５Ｃ）。

以上の結果を総合すると、Ｍｎ系記録材料をＩｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂と組み合わせて用いることで、アーカイバル特性およびシェルフ特性の両立が可能となる。Ｍｎ系記録材料以外の記録材料をＩｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂と組み合わせても、両特性の両立は困難である。
したがって、アーカイバル特性およびシェルフ特性を両立するためには、Ｍｎ系記録材料とＩｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂とを組み合わせて用いることが好ましい。

＜４−１．記録層に対するＲｕの添加＞
（参考例１３−１、実施例１３−２〜１３−４）
まず、射出成形により、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板を成形した。なお、このポリカーボネート基板上には、イングルーブおよびオングルーブを有する凹凸面を形成し、トラックピッチを０．３２μｍに設定した。次に、スパッタ法によりポリカーボネート基板の凹凸面上に、誘電体層（基板側）、Ｍｎ−Ｒｕ系記録層、誘電体層（光透過層側）を順次積層した。各層の構成は、具体的には以下のようにした。

誘電体層（基板側）
材料：ＩＴＯ、厚さ：１５ｎｍ
Ｍｎ系記録層
材料：Ｍｎ−Ｗ−Ｚｎ−Ｒｕ−Ｏ、厚さ：３０ｎｍ
誘電体層（光透過層側）
材料：ＳｉＯ₂−Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｒＯ₂（ＳＩＺ）、厚さ：２０ｎｍ

Ｍｎ−Ｒｕ系記録層は、以下のようにして成膜した。ＡｒガスとＯ₂ガスとの混合ガス雰囲気下にて、Ｍｎターゲット、Ｗターゲット、ＺｎターゲットおよびＲｕターゲットをコスパッタすることにより成膜した。成膜に際して、酸素濃度が高い混合ガス雰囲気となるように、ＡｒガスとＯ₂ガスとの流量比を調整した。
以下に、具体的なＭｎ系記録層の成膜条件を示す。
Ａｒガス流量：１０〜１５ｓｃｃｍ
Ｏ₂ガス流量：１５〜２４ｓｃｃｍ
投入電力：１００〜２００Ｗ

但し、Ｍｎ−Ｒｕ系記録層において、ＷおよびＺｎの含有量の合計Ａ（＝Ｗ＋Ｚｎ）［原子％］と、ＭｎおよびＲｕの含有量の合計Ｂ（＝Ｍｎ＋Ｒｕ）とが、Ａ：Ｂ＝７０：３０となるように、成膜条件を調整した。
また、ＭｎおよびＲｕの合計量に対するＲｕの比率（＝［Ｒｕ／（Ｍｎ＋Ｒｕ）］×１００）［原子％］が、表１０に示すように、０原子％、３２原子％、５５原子％、７３原子％となるように、成膜条件を調整した。

次に、スピンコート法により、紫外線硬化樹脂を誘電体層上に均一塗布し、これに紫外線を照射して硬化させることにより、厚さ７５μｍを有する光透過層を形成した。
以上により、３３．４ＧＢ相当の記録容量を有する光ディスクを得た。

（参考例１４−１、実施例１４−２〜１４−４）
光透過層側の誘電体層の材料としてＩＴＯを用いたこと以外は、参考例１３−１、実施例１３−２〜１３−４と同様にして光ディスクを得た。

（光ディスクの構成）
表１０は、参考例１３−１、実施例１３−２〜１３−４、参考例１４−１、実施例１４−２〜１４−４の光ディスクの構成を示す。

（光ディスクの評価）
上述のようにして得られた参考例１３−１、実施例１３−２〜１３−４、参考例１４−１、実施例１４−２〜１４−４の光ディスクについて、以下の評価を行った。但し、評価条件は以下のように設定した。
信号処理方式：ＰＲ１２２２１ＭＬ
ディスク回転速度（線速度）：７．３８ｍ／ｓｅｃ（２倍速）
再生パワー（Ｒｅａｄ Ｐｗ）：１．０ｍＷ

（反射率）
反射率は以下のようにして評価した。まず、ＢＤ用の評価装置を用いて、初期状態（未記録状態）の光ディスクのＲＦ信号を測定した。次に、このＲＦ信号を、既知の光ディスクの反射率およびＲＦ信号と比較することにより、反射率を求めた。その結果を図３７Ａに示す。図３７Ａから、Ｒｕ比率の増加に伴って、反射率が低減する傾向にあることがわかる。

（透過率の変化率）
まず、分光エリプソメータを用いて、初期状態（未記録状態）の透過率Ｔ_iniを求めた。次に、光ディスクに情報信号を記録した後、分光エリプソメータを用いて、記録状態の透過率Ｔ_recを求めた。次に、以下の式を用いて、透過率の変化率ΔＴを求めた。その結果を図３７Ｂに示す。
ΔＴ＝｛（Ｔ_ini−Ｔ_rec）／Ｔ_ini｝×１００［％］
図３７Ｂから、Ｒｕ比率の増加に伴って、情報信号の記録前後における透過率変化が低下する傾向がある。

（初期特性）
上述の参考例１−１、１−２と同様にして初期特性を評価した。その結果を図３８Ａ（光透過層側の誘電体層：ＳＩＺ）、図３８Ｂ（光透過層側の誘電体層：ＩＴＯ）に示す。

また、ｉ−ＭＬＳＥ値が１３．５％を下回るパワーマージン幅Δ（Ｐｗ／Ｐｗｏ）を求めた。そして、そのパワーマージン幅Δ（Ｐｗ／Ｐｗｏ）の値をプロットしてグラフを作成した。その結果を図３８Ｃに示す。なお、図３８Ｃに示すように、このグラフでは、パワーマージン幅Δ（Ｐｗ／Ｐｗｏ）を縦軸とし、Ｒｕ比率（＝［Ｒｕ／（Ｍｎ＋Ｒｕ）］×１００）［原子％］を横軸とした。但し、図３８Ｃでは、パワーマージン幅Δ（Ｐｗ／Ｐｗｏ）を百分率（パーセント）の単位に変更して表記した。

図３８Ａ〜図３８Ｃから以下のことがわかる。
Ｒｕ比率の増加に伴って、パワーマージンが広がる傾向にある。例えばＲｕ比率が３０原子％である場合には、Ｒｕ無添加の場合に比してパワーマージンが約８％広がる。
このようなパワーマージン改善効果は、Ｍｎ−Ｒｕ系記録層に隣接して設けられる誘電体層の材料に依存するものではない。

（初期のモジュレーション）
ＢＤ用の評価装置を用いて、初期状態の光ディスク（参考例１４−１、実施例１４−２〜１４−４）のモジュレーションＭｏｄ_iniを求めた。その結果を図３９Ａに示す。
図３９Ａから、Ｒｕ比率が７０原子％以下であると、モジュレーションＭｏｄ_iniを規格値４０％以上にできることがわかる。ここで、規格値４０％以上は、ＢＤ−ＸＬの規格において要求される値である。

（モジュレーションの変化率）
まず、初期状態（未記録状態）の光ディスク（参考例１４−１、実施例１４−２〜１４−４）を８０℃８５％の温室環境下に１２０時間投入して、加速試験（シェルフ試験）を行った後、ＢＤ用の評価装置を用いて、加速試験後の光ディスクのモジュレーションＭｏｄ_shelfを求めた。次に、以下の式を用いて、モジュレーションの変化率ΔＭｏｄを求めた。その結果を図３９Ｂに示す。
ΔＭｏｄ＝［（Ｍｏｄ_ini−Ｍｏｄ_shelf）／Ｍｏｄ_ini］×１００［％］
図３９Ｂから、Ｒｕ比率が６０原子％以下であると、モジュレーションの変化率ΔＭｏｄを１０％以下にできることがわかる。なお、ドライブ側にて許容できるモジュレーションの変化率ΔＭｏｄは、最大で１０％であることが一般的に知られている。
したがって、ＭｎおよびＲｕの総量に対するＲｕの比率（＝［Ｒｕ／（Ｍｎ＋Ｒｕ）］×１００）は、７０原子％以下であることが好ましく、６０原子％以下であることがより好ましい。

以上、本技術の実施形態について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。

例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。

また、上述の実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

また、上述の実施形態では、基板上に１層または複数層の情報信号層、光透過層がこの順序で積層された構成を有し、この光透過層側からレーザー光を１層または複数層の情報信号層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光情報記録媒体に対して本技術を適用した場合を例として説明したが、本技術はこの例に限定されるものではない。例えば、基板上に１層または複数層の情報信号層、保護層がこの順序で積層された構成を有し、基板側からレーザー光を１層または複数層の情報信号層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光情報記録媒体、または２枚の基板の間に１層または複数層の情報信号層が設けられた構成を有し、少なくとも一方の基板の側からレーザー光を１層または複数層の情報信号層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光情報記録媒体に対しても本技術は適用可能である。

また、多層の記録層構成とする場合、本技術の記録層を追記型以外の記録層と組み合わせてもよい。また、再生専用型のピットなどによる記録領域が部分的に設けられる光情報記録媒体にも本技術は適用可能である。

また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
Ｍｎの酸化物を含む記録層を備え、
上記Ｍｎの酸化物の一部または全部が、＋４価のＭｎとして存在する情報記録媒体。
（２）
上記記録層は、Ｍｎ以外の金属の酸化物をさらに含み、
上記金属は、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、ＣｕおよびＡｌからなる群より選ばれる１種以上である（１）に記載の情報記録媒体。
（３）
上記記録層は、第１記録層と第２記録層とを備え、
上記第１記録層と上記第２記録層とは、互いに材料組成が異なっている（１）または（２）に記載の情報記録媒体。
（４）
上記記録層の少なくとも一方の面に設けられた誘電体層をさらに備える（１）から（３）のいずれかに記載の情報記録媒体。
（５）
上記誘電体層が、酸化物、窒化物、硫化物、炭化物およびフッ化物からなる群より選ばれる１種以上を含んでいる（４）に記載の情報記録媒体。
（６）
上記記録層は、ＭｎＯ₂を主成分として含んでいる（１）から（５）のいずれかに記載の情報記録媒体。
（７）
上記記録層は、ＭｎＯ₂と、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、ＣｕおよびＡｌからなる群より選ばれる１種以上の金属元素の酸化物とを主成分として含んでいる（１）から（５）のいずれかに記載の情報記録媒体。
（８）
上記記録層は、Ｍｇの酸化物をさらに含んでいる（１）から（７）のいずれかに記載の情報記録媒体。
（９）
上記記録層中におけるＭｇの酸化物の含有量は、５ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下の範囲内である（８）に記載の情報記録媒体。
（１０）
上記記録層は、Ｍｇ、Ｍｏ、ＳｉおよびＴｅからなる群より選ばれる１種以上の金属元素の酸化物をさらに含んでいる（１）から（７）のいずれかに記載の情報記録媒体。
（１１）
上記記録層中における上記金属元素の酸化物の含有量は、５ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下の範囲内である（１０）に記載の情報記録媒体。
（１２）
上記記録層は、Ｒｕをさらに含んでいる（１）から（７）のいずれかに記載の情報記録媒体。
（１３）
ＭｎおよびＲｕの総量に対するＲｕの比率は、７０原子％以下の範囲内である（１２）に記載の情報記録媒体。
（１４）
上記記録層の一方の面に設けられた第１の誘電体層と、
上記記録層の他方の面に設けられた第２の誘電体層と
をさらに備え、
上記第１の誘電体層および上記第２の誘電体層は、Ｉｎの酸化物とＺｒの酸化物とを含んでいる（１）から（３）、および（６）から（１３）のいずれかに記載の情報記録媒体。
（１５）
上記第１の誘電体および上記第２の誘電体層は、実質的にＩｎの酸化物とＺｒの酸化物とからなる（１４）に記載の情報記録媒体。
（１６）
上記Ｉｎの酸化物と上記Ｚｒの酸化物との総量Ａと上記Ｚｒの酸化物の量Ｂとのモル比（（Ｂ／Ａ）×１００）は、５２ｍｏｌ％以上７６ｍｏｌ％以下の範囲内である（１４）に記載の情報記録媒体。
（１７）
上記記録層の光照射面に設けられた第１の誘電体層と、
上記光照射面とは反対面に設けられた第２の誘電体層と
をさらに備え、
上記第１の誘電体層は、Ｚｒの酸化物を含み、
上記第２の誘電体層は、Ｉｎの酸化物とＺｒの酸化物とを含む（１）から（３）、および（６）から（１３）のいずれかに記載の情報記録媒体。
（１８）
複数の記録層を備え、
上記複数の記録層のうちの少なくとも一層は、Ｍｎの酸化物を含み、
上記Ｍｎの酸化物の一部または全部が、＋４価のＭｎとして存在する情報記録媒体。
（１９）
Ｍｎの酸化物を含み、
上記Ｍｎの酸化物の一部または全部が、＋４価のＭｎとして存在する記録層。
（２０）
Ｍｎの酸化物を含み、
上記Ｍｎの酸化物の一部または全部は、Ｍｎの価数が＋４未満の酸化物状態で存在する情報記録媒体作製用のターゲット。
（２１）
上記酸化状態で存在するＭｎの酸化物は、Ｍｎ₃Ｏ₄である（２０）に記載の情報記録媒体作製用のターゲット。
（２２）
ＭｇまたはＭｇの酸化物をさらに含んでいる（２０）に記載の情報記録媒体作製用のターゲット。
（２３）
Ｍｇ、Ｍｏ、ＳｉおよびＴｅからなる群より選ばれる１種以上の金属元素、または該金属元素の酸化物をさらに含んでいる（２０）に記載の情報記録媒体作製用のターゲット。
（２４）
Ｍｎ以外の金属または該金属の酸化物をさらに含み、
上記金属は、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、ＣｕおよびＡｌからなる群より選ばれる１種以上である（２０）に記載の情報記録媒体作製用のターゲット。

１１ 基板
１２ 光透過層
１０、２０ 光情報記録媒体
２１ 記録層
２２、２３ 誘電体層
Ｌ、Ｌ０〜Ｌｎ 情報信号層
Ｓ１〜Ｓｎ 中間層
Ｇin イングルーブ
Ｇon オングルーブ
Ｃ 光照射面

Claims (12)

1. Ｍｎの酸化物およびＭｇの酸化物を主成分として含む記録層を備え、
   上記Ｍｎの酸化物の一部または全部が、＋４価のＭｎとして存在する情報記録媒体。
2. 上記記録層は、Ｍｎ、Ｍｇ以外の金属の酸化物をさらに含み、
   上記金属は、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、ＣｕおよびＡｌからなる群より選ばれる１種以上である請求項１に記載の情報記録媒体。
3. 上記記録層は、第１記録層と第２記録層とを備え、
   上記第１記録層と上記第２記録層とは、互いに材料組成が異なっている請求項１に記載の情報記録媒体。
4. 上記記録層の少なくとも一方の面に設けられた誘電体層をさらに備える請求項１に記載の情報記録媒体。
5. 上記誘電体層が、酸化物、窒化物、硫化物、炭化物およびフッ化物からなる群より選ばれる１種以上を含んでいる請求項４に記載の情報記録媒体。
6. 上記記録層は、ＭｎＯ₂ 、ＭｇＯと、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、ＣｕおよびＡｌからなる群より選ばれる１種以上の金属元素の酸化物とを主成分として含んでいる請求項１に記載の情報記録媒体。
7. 上記記録層中におけるＭｇの酸化物の含有量は、５ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下の範囲内である請求項１に記載の情報記録媒体。
8. 上記記録層は、Ｍｏ、ＳｉおよびＴｅからなる群より選ばれる１種以上の金属元素の酸化物をさらに含んでいる請求項１に記載の情報記録媒体。
9. 上記記録層の一方の面に設けられた第１の誘電体層と、
   上記記録層の他方の面に設けられた第２の誘電体層と
   をさらに備え、
   上記第１の誘電体層および上記第２の誘電体層は、Ｉｎの酸化物とＺｒの酸化物とを含んでいる請求項１に記載の情報記録媒体。
10. 上記Ｉｎの酸化物と上記Ｚｒの酸化物との総量Ａと上記Ｚｒの酸化物の量Ｂとのモル比（（Ｂ／Ａ）×１００）は、５２ｍｏｌ％以上７６ｍｏｌ％以下の範囲内である請求項９に記載の情報記録媒体。
11. 上記記録層の光照射面に設けられた第１の誘電体層と、
    上記光照射面とは反対面に設けられた第２の誘電体層と
    をさらに備え、
    上記第１の誘電体層は、Ｚｒの酸化物を含み、
    上記第２の誘電体層は、Ｉｎの酸化物とＺｒの酸化物とを含む請求項１に記載の情報記録媒体。
12. 複数の記録層を備え、
    上記複数の記録層のうちの少なくとも一層は、Ｍｎの酸化物およびＭｇの酸化物を主成分として含み、
    上記Ｍｎの酸化物の一部または全部が、＋４価のＭｎとして存在する情報記録媒体。

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