JP6454927B2

JP6454927B2 - Electronic component and method for manufacturing electronic component

Info

Publication number: JP6454927B2
Application number: JP2015028480A
Authority: JP
Inventors: 均竹内; 大輔寺田; 順弥堰合; 紀幸木村
Original assignee: Ablic Inc
Current assignee: Ablic Inc
Priority date: 2015-02-17
Filing date: 2015-02-17
Publication date: 2019-01-23
Anticipated expiration: 2035-02-17
Also published as: JP2016152294A

Description

本発明は、電子部品および電子部品の製造方法に関するものである。 The present invention relates to an electronic component and a method for manufacturing the electronic component.

従来、電子部品として、ＩＣ（ＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）等の素子をパッケージに収容したものがある。パッケージは、例えばキャビティ構造を有する中空パッケージ等がある。この種のパッケージは、ベース基板およびリッド基板により素子を収容する収容部を形成し、ベース基板とリッド基板とを接合することで、収容部を気密封止している（例えば、特許文献１参照）。 2. Description of the Related Art Conventionally, there is an electronic component in which an element such as an IC (Integrated Circuit) is accommodated in a package. Examples of the package include a hollow package having a cavity structure. In this type of package, a housing portion for housing an element is formed by a base substrate and a lid substrate, and the housing portion is hermetically sealed by bonding the base substrate and the lid substrate (for example, see Patent Document 1). ).

特表平１０−５０１１０２号公報Japanese National Patent Publication No. 10-501102

しかしながら、上述したパッケージにおいては、ベース基板とリッド基板とを接合する際に、収容部内のガスが接合部の加熱により膨張して収容部から外部へリークすることで、接合部にパッケージの内外を連通する隙間（以下、「エアパス」という。）が形成されるおそれがある。通常、このようなエアパスは微小であることが多いため発見が困難であり、収容部の気密性が低下することで素子の特性が悪化する可能性がある。
また、中空パッケージに素子を収容した場合、素子の周囲は真空状態またはガスが充填された状態となる。このため、中空パッケージを備える電子部品においては、素子の発熱に対する放熱性が低く、素子の特性の悪化を引き起こす可能性がある。
したがって、従来の中空パッケージを備える電子部品にあっては、収容部の気密性の確保、および素子の放熱性の向上を両立するという点で、改善の余地がある。 However, in the above-described package, when the base substrate and the lid substrate are joined, the gas in the housing portion expands due to the heating of the joint portion and leaks from the housing portion to the outside. There is a possibility that a communicating gap (hereinafter referred to as “air path”) is formed. Usually, such an air path is often very small and thus difficult to find, and the characteristics of the element may be deteriorated by lowering the airtightness of the housing portion.
Further, when the element is accommodated in the hollow package, the periphery of the element is in a vacuum state or a state filled with gas. For this reason, in an electronic component provided with a hollow package, the heat dissipation with respect to the heat generation of the element is low, which may cause deterioration of the characteristics of the element.
Therefore, there is room for improvement in the electronic component including the conventional hollow package in terms of both ensuring the airtightness of the housing and improving the heat dissipation of the element.

そこで本発明は、気密性が確保されるとともに放熱性が向上する電子部品およびこの電子部品の製造方法を提供するものである。 Therefore, the present invention provides an electronic component that ensures airtightness and improved heat dissipation and a method for manufacturing the electronic component.

本発明の電子部品は、素子を収容する収容部と、前記収容部の内外を連通する少なくとも１つの貫通孔と、を有するパッケージと、前記素子と前記パッケージとの間に充填されるとともに前記貫通孔を閉塞する充填剤と、を備え、前記充填剤は、少なくとも前記素子と前記パッケージとの間に充填される第１充填剤と、少なくとも前記貫通孔を閉塞する第２充填剤と、を有し、前記第２充填剤は、前記第１充填剤よりも粘度が低い、ことを特徴とする。
例えば、パッケージの収容部がベース基板とリッド基板とを接合することで形成される場合には、ベース基板とリッド基板とを加熱して接合する際に、収容部内のガスが加熱されて膨張することがある。本発明によれば、パッケージが貫通孔を有するため、収容部を形成するにあたってパッケージを加熱する際に、収容部内のガスが加熱されて膨張しても、膨張したガスを貫通孔から放出することができる。このため、収容部の形成に際して設けられるパッケージの接合部に、収容部内のガスの膨張に伴ってエアパスが形成されることを防止できる。また、貫通孔は、充填剤により閉塞されるため、接合部を気密に接合した状態で収容部を封止できる。しかも、充填剤は、素子とパッケージとの間に充填されるため、素子において生じた熱を素子からパッケージの外部へ充填剤を介して逃がすことができる。したがって、気密性が確保されるとともに放熱性が向上する電子部品が得られる。
また、充填剤は、少なくとも素子とパッケージとの間に充填される第１充填剤と、少なくとも貫通孔を閉塞する第２充填剤と、を有するため、第２充填剤により貫通孔を確実に閉塞でき、高い気密性を確保できる。
また、第２充填剤は、第１充填剤よりも粘度が低いため、流動性の高い第２充填剤により貫通孔を確実に閉塞でき、高い気密性を確保できる。 An electronic component of the present invention is filled between the element and the package, and includes a package having a housing part that houses the element, and at least one through hole that communicates the inside and outside of the housing part. A filler that closes the hole, and the filler has at least a first filler that is filled between the element and the package, and a second filler that closes at least the through hole. The second filler has a lower viscosity than the first filler .
For example, when the housing part of the package is formed by joining the base substrate and the lid substrate, the gas in the housing part is heated and expands when the base substrate and the lid substrate are joined by heating. Sometimes. According to the present invention, since the package has a through hole, when the package is heated in forming the housing portion, the expanded gas is released from the through hole even if the gas in the housing portion is heated and expanded. Can do. For this reason, it is possible to prevent an air path from being formed at the joint portion of the package provided at the time of forming the housing portion as the gas in the housing portion expands. Moreover, since the through hole is closed by the filler, the housing portion can be sealed in a state where the joint portion is airtightly joined. Moreover, since the filler is filled between the element and the package, heat generated in the element can be released from the element to the outside of the package via the filler. Therefore, it is possible to obtain an electronic component that ensures airtightness and improves heat dissipation.
Further, since the filler has at least a first filler filled between the element and the package and at least a second filler that closes the through hole, the through hole is reliably closed by the second filler. And high airtightness can be secured.
Moreover, since the viscosity of the second filler is lower than that of the first filler, the through-holes can be reliably closed with the second filler having high fluidity, and high airtightness can be secured.

上記の電子部品において、前記素子は、実装面を有し、前記充填剤は、前記素子における前記実装面以外の部分に接する、ことが望ましい。
本発明によれば、充填剤が素子における実装面以外の部分に接するため、充填剤が素子の実装面に接触することで、素子の実装面に作用させる応力や樹脂剥離等により素子の特性の悪化させることを防止できる。 In the above electronic component, it is preferable that the element has a mounting surface, and the filler is in contact with a portion of the element other than the mounting surface.
According to the present invention, since the filler is in contact with the part other than the mounting surface of the element, the contact of the filler with the mounting surface of the element causes the characteristics of the element to be reduced due to stress acting on the mounting surface of the element or resin peeling. It can be prevented from worsening.

上記の電子部品において、前記パッケージは、複数の前記貫通孔を有する、ことが望ましい。
本発明によれば、パッケージが複数の貫通孔を有するため、一の貫通孔から充填剤を充填する際に、充填剤が収容部内で濡れ広がることで圧縮された収容部内の空気を、他の貫通孔から放出することができる。したがって、充填剤の充填を効率よく行うことができる。
また、素子に対する放熱性を高めるために充填剤の充填量を増やして充填剤と素子との接触面積を増加させる場合に、貫通孔が１個の場合では充填剤が素子とパッケージとの間で不意に濡れ広がるおそれがある。本発明によれば、パッケージが複数の貫通孔を有することで、充填剤の充填量を増やす際に、各貫通孔から充填剤を少量ずつ充填できる。このため、充填剤が素子とパッケージとの間で不意に濡れ広がることを抑制しつつ、充填剤の充填量を増やすことができる。したがって、電子部品の放熱性を高めることができる。 In the above electronic component, it is desirable that the package has a plurality of the through holes.
According to the present invention, since the package has a plurality of through holes, when filling the filler from one through hole, the air in the container compressed by the filler spreading wet in the container is transferred to the other It can discharge | release from a through-hole. Therefore, filling of the filler can be performed efficiently.
Further, when the contact area between the filler and the element is increased by increasing the filling amount of the filler in order to improve the heat dissipation to the element, the filler is between the element and the package in the case of one through hole. There is a risk of spreading suddenly. According to the present invention, when the package has a plurality of through holes, the filler can be filled in small amounts from each through hole when the filling amount of the filler is increased. For this reason, it is possible to increase the filling amount of the filler while preventing the filler from suddenly spreading between the element and the package. Therefore, the heat dissipation of the electronic component can be improved.

上記の電子部品において、前記第１充填剤は、前記第２充填剤よりも熱伝導率が高い、ことが望ましい。
本発明によれば、第１充填剤は、第２充填剤よりも熱伝導率が高いため、貫通孔を閉塞する第２充填剤により気密性を確保しつつ、素子とパッケージとの間に充填される第１充填剤により素子に対する放熱性を向上させることができる。 In the above electronic component, it is desirable that the first filler has a higher thermal conductivity than the second filler.
According to the present invention, since the first filler has higher thermal conductivity than the second filler, the first filler is filled between the element and the package while ensuring airtightness by the second filler that closes the through hole. The heat dissipation with respect to an element can be improved with the 1st filler made.

上記の電子部品において、前記第２充填剤は、前記第１充填剤よりも気体透過性が低い、ことが望ましい。
本発明によれば、第２充填剤は、第１充填剤よりも気体透過性が低いため、第２充填剤により貫通孔を閉塞することで高い気密性を長期に亘って確保できる。 In the above electronic component, it is desirable that the second filler has a lower gas permeability than the first filler.
According to the present invention, since the second filler has lower gas permeability than the first filler, high airtightness can be ensured over a long period of time by closing the through hole with the second filler.

上記の電子部品において、前記素子は、発熱部を備え、前記貫通孔は、平面視で前記発熱部と重なる位置に形成されている、ことが望ましい。
本発明によれば、貫通孔が平面視で発熱部と重なる位置に形成されているため、充填剤を貫通孔から充填する際に、充填剤を発熱部に確実に接触させることができる。したがって、素子に対する放熱性を向上させることができる。 In the above electronic component, it is preferable that the element includes a heat generating portion, and the through hole is formed at a position overlapping the heat generating portion in plan view.
According to the present invention, since the through hole is formed at a position overlapping the heat generating portion in plan view, the filler can be reliably brought into contact with the heat generating portion when filling the filler from the through hole. Therefore, the heat dissipation with respect to an element can be improved.

本発明の電子部品の製造方法は、ベース基板およびリッド基板を備えるパッケージに素子が収容された電子部品の製造方法であって、前記ベース基板および前記リッド基板のうち少なくとも一方に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記ベース基板に前記素子を実装する実装工程と、前記ベース基板と前記リッド基板とを接合する接合工程と、前記貫通孔から充填剤を充填する充填工程と、を有し、前記充填工程では、前記接合工程後に、前記充填剤を前記素子と前記パッケージとの間に充填するとともに、前記充填剤により前記貫通孔を閉塞し、前記充填工程は、前記充填剤を前記素子と前記パッケージとの間に充填する第１充填工程と、前記充填剤により前記貫通孔を閉塞する第２充填工程と、を有し、前記第１充填工程では、前記充填剤として第１充填剤を充填し、前記第２充填工程では、前記充填剤として前記第１充填剤よりも粘度が低い第２充填剤を充填する、ことを特徴とする。
本発明によれば、貫通孔形成工程においてパッケージに貫通孔が形成されているため、接合工程においてパッケージを加熱する際に、ベース基板とリッド基板との間の空間内のガスが加熱されて膨張しても、膨張したガスを貫通孔から放出することができる。このため、接合工程においてベース基板とリッド基板との接合部にエアパスが形成されることを防止できる。また、充填工程では、充填剤により貫通孔を閉塞するため、ベース基板とリッド基板との接合部を気密に接合した状態で収容部を封止できる。しかも、充填工程では、充填剤を素子とパッケージとの間に充填するため、素子において生じた熱を素子からパッケージの外部へ充填剤を介して逃がしやすくすることができる。したがって、気密性が確保されるとともに放熱性が向上する電子部品の製造方法を提供できる。 The electronic component manufacturing method of the present invention is a method of manufacturing an electronic component in which an element is housed in a package including a base substrate and a lid substrate, and a through hole is formed in at least one of the base substrate and the lid substrate. A through hole forming step, a mounting step of mounting the element on the base substrate, a bonding step of bonding the base substrate and the lid substrate, and a filling step of filling a filler from the through hole. In the filling step, after the joining step, the filler is filled between the element and the package, and the through hole is closed with the filler. In the filling step, the filler is filled in the element. And a first filling step for filling between the package and a second filling step for closing the through hole with the filler. In the first filling step, The first filler filled as agents, in the second filling step, the viscosity than the first filler fills the lower second fillers as the filler, characterized in that.
According to the present invention, since the through-hole is formed in the package in the through-hole forming step, the gas in the space between the base substrate and the lid substrate is heated and expanded when the package is heated in the bonding step. Even so, the expanded gas can be released from the through hole. For this reason, it can prevent that an air path is formed in the junction part of a base substrate and a lid substrate in a joining process. Further, in the filling process, since the through hole is closed with the filler, the housing portion can be sealed in a state where the joint portion between the base substrate and the lid substrate is airtightly joined. In addition, in the filling step, since the filler is filled between the element and the package, heat generated in the element can be easily released from the element to the outside of the package via the filler. Therefore, it is possible to provide a method for manufacturing an electronic component that ensures airtightness and improves heat dissipation.

また、充填工程が、充填剤を素子とパッケージとの間に充填する第１充填工程と、充填剤により貫通孔を閉塞する第２充填工程と、を有するため、第２充填工程において貫通孔を確実に閉塞でき、高い気密性を確保できる。 Further , since the filling step includes a first filling step for filling the filler between the element and the package and a second filling step for closing the through hole with the filler, the through hole is formed in the second filling step. It can be reliably blocked and high airtightness can be secured.

また、第１充填工程で充填される第１充填剤と、第２充填工程で充填される第２充填剤と、が異なるため、例えば第１充填工程において熱伝導性の優れた第１充填剤を充填し、第２充填工程において高い気密性を確保できる第２充填剤を充填する等、第１充填工程および第２充填工程において、要求される電子部品の性能に応じて異なる特性を有する充填剤を使い分けることができる。したがって、所望の性能を有する電子部品を製造できる。
上記の電子部品の製造方法において、前記第２充填工程では、前記第１充填工程における加熱温度よりも低温で前記第２充填剤の充填および硬化を行うことが望ましい。
本発明の電子部品の製造方法は、ベース基板およびリッド基板を備えるパッケージに素子が収容された電子部品の製造方法であって、前記ベース基板および前記リッド基板のうち少なくとも一方に第１貫通孔および第２貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記ベース基板に前記素子を実装する実装工程と、前記ベース基板と前記リッド基板とを接合する接合工程と、前記第１貫通孔および前記第２貫通孔から充填剤を充填する充填工程と、を有し、前記充填工程では、前記接合工程後に、前記充填剤を前記素子と前記パッケージとの間に充填するとともに、前記充填剤により前記第１貫通孔を閉塞した後、前記充填剤により前記第２貫通孔を閉塞する、ことを特徴とする。
In addition , since the first filler filled in the first filling step is different from the second filler filled in the second filling step, for example, the first filler having excellent thermal conductivity in the first filling step. In the first filling step and the second filling step, the filling has different characteristics depending on the performance of the required electronic component, such as filling with a second filler capable of ensuring high airtightness in the second filling step. You can use different agents. Therefore, an electronic component having a desired performance can be manufactured.
In the above electronic component manufacturing method, it is desirable that in the second filling step, the second filler is filled and cured at a temperature lower than the heating temperature in the first filling step.
An electronic component manufacturing method according to the present invention is a method for manufacturing an electronic component in which an element is housed in a package including a base substrate and a lid substrate, wherein at least one of the base substrate and the lid substrate includes a first through hole and A through hole forming step of forming a second through hole, a mounting step of mounting the element on the base substrate, a bonding step of bonding the base substrate and the lid substrate, the first through hole and the second A filling step of filling a filler from a through-hole. In the filling step, after the joining step, the filler is filled between the element and the package, and the first filler is filled with the first filler. After the through hole is closed, the second through hole is closed with the filler.

本発明の電子部品によれば、パッケージが貫通孔を有するため、収容部を形成するにあたってパッケージを加熱する際に、収容部内のガスが加熱されて膨張しても、膨張したガスを貫通孔から放出することができる。このため、収容部の形成に際して設けられるパッケージの接合部に、収容部内のガスの膨張に伴ってエアパスが形成されることを防止できる。また、貫通孔は、充填剤により閉塞されるため、接合部を気密に接合した状態で収容部を封止できる。しかも、充填剤は、素子とパッケージとの間に充填されるため、素子において生じた熱を素子からパッケージの外部へ充填剤を介して逃がすことができる。したがって、気密性が確保されるとともに放熱性が向上する電子部品が得られる。 According to the electronic component of the present invention, since the package has a through-hole, when the package is heated to form the housing portion, even if the gas in the housing portion is heated and expands, the expanded gas is discharged from the through-hole. Can be released. For this reason, it is possible to prevent an air path from being formed at the joint portion of the package provided at the time of forming the housing portion as the gas in the housing portion expands. Moreover, since the through hole is closed by the filler, the housing portion can be sealed in a state where the joint portion is airtightly joined. Moreover, since the filler is filled between the element and the package, heat generated in the element can be released from the element to the outside of the package via the filler. Therefore, it is possible to obtain an electronic component that ensures airtightness and improves heat dissipation.

本発明の電子部品の製造方法によれば、貫通孔形成工程においてパッケージに貫通孔が形成されているため、接合工程においてパッケージを加熱する際に、ベース基板とリッド基板との間の空間内のガスが加熱されて膨張しても、膨張したガスを貫通孔から放出することができる。このため、接合工程においてベース基板とリッド基板との接合部にエアパスが形成されることを防止できる。また、充填工程では、充填剤により貫通孔を閉塞するため、ベース基板とリッド基板との接合部を気密に接合した状態で収容部を封止できる。しかも、充填工程では、充填剤を素子とパッケージとの間に充填するため、素子において生じた熱を素子からパッケージの外部へ充填剤を介して逃がしやすくすることができる。したがって、気密性が確保されるとともに放熱性が向上する電子部品の製造方法を提供できる。 According to the method for manufacturing an electronic component of the present invention, since the through-hole is formed in the package in the through-hole forming step, when the package is heated in the bonding step, the space in the space between the base substrate and the lid substrate is Even if the gas is heated and expanded, the expanded gas can be released from the through hole. For this reason, it can prevent that an air path is formed in the junction part of a base substrate and a lid substrate in a joining process. Further, in the filling process, since the through hole is closed with the filler, the housing portion can be sealed in a state where the joint portion between the base substrate and the lid substrate is airtightly joined. In addition, in the filling step, since the filler is filled between the element and the package, heat generated in the element can be easily released from the element to the outside of the package via the filler. Therefore, it is possible to provide a method for manufacturing an electronic component that ensures airtightness and improves heat dissipation.

第１実施形態に係る電子部品の外観斜視図である。1 is an external perspective view of an electronic component according to a first embodiment. 第１実施形態に係る電子部品の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the electronic component which concerns on 1st Embodiment. 第１実施形態に係る電子部品の製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of the electronic component which concerns on 1st Embodiment. 第１実施形態に係る電子部品の製造方法の工程図である。It is process drawing of the manufacturing method of the electronic component which concerns on 1st Embodiment. 第１実施形態に係る電子部品の製造方法の工程図である。It is process drawing of the manufacturing method of the electronic component which concerns on 1st Embodiment. 第１実施形態に係る電子部品の製造方法の工程図である。It is process drawing of the manufacturing method of the electronic component which concerns on 1st Embodiment. 第１実施形態に係る電子部品の製造方法の工程図である。It is process drawing of the manufacturing method of the electronic component which concerns on 1st Embodiment. 第１実施形態の変形例に係る電子部品の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the electronic component which concerns on the modification of 1st Embodiment. 第２実施形態に係る電子部品の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the electronic component which concerns on 2nd Embodiment. 第３実施形態に係る電子部品の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the electronic component which concerns on 3rd Embodiment. 第３実施形態に係る電子部品の製造方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing method of the electronic component which concerns on 3rd Embodiment. 第３実施形態に係る電子部品の製造方法の工程図である。It is process drawing of the manufacturing method of the electronic component which concerns on 3rd Embodiment. 第３実施形態に係る電子部品の製造方法の工程図である。It is process drawing of the manufacturing method of the electronic component which concerns on 3rd Embodiment. 第３実施形態に係る電子部品の製造方法の工程図である。It is process drawing of the manufacturing method of the electronic component which concerns on 3rd Embodiment.

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
［第１実施形態］
（電子部品）
最初に、第１実施形態の電子部品１の構成について説明する。
図１は、第１実施形態に係る電子部品の外観斜視図である。図２は、第１実施形態に係る電子部品の縦断面図である。
図１および図２に示すように、電子部品１は、素子３０と、素子３０を収容するキャビティＣ（請求項の「収容部」に相当。）とキャビティＣの内外を連通する貫通孔１６とを有するパッケージ１０と、素子３０とパッケージ１０との間に充填された充填剤４０と、を備えている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[First Embodiment]
(Electronic parts)
Initially, the structure of the electronic component 1 of 1st Embodiment is demonstrated.
FIG. 1 is an external perspective view of an electronic component according to the first embodiment. FIG. 2 is a longitudinal sectional view of the electronic component according to the first embodiment.
As shown in FIGS. 1 and 2, the electronic component 1 includes an element 30, a cavity C that accommodates the element 30 (corresponding to “accommodating portion” in the claims), and a through-hole 16 that communicates the inside and outside of the cavity C. And a filler 40 filled between the element 30 and the package 10.

図２に示すように、パッケージ１０は、ベース基板１１と、リッド基板１２と、を重ね合わせて形成されている。なお、以下の説明では、パッケージ１０の厚さ方向におけるベース基板１１側を下方といい、リッド基板１２側を上方という。
ベース基板１１は、例えばアルミナや窒化アルミ、窒化ケイ素、ガラスセラミックス等の焼成材料や、樹脂、ガラス、シリコン等により形成された矩形状の板材である。ベース基板１１の上面には、不図示の内部電極が形成されている。ベース基板１１の下面には、不図示の外部電極が形成されている。内部電極と外部電極とは、ベース基板１１を厚さ方向に貫通する不図示の貫通電極により接続されている。 As shown in FIG. 2, the package 10 is formed by overlapping a base substrate 11 and a lid substrate 12. In the following description, the base substrate 11 side in the thickness direction of the package 10 is referred to as the lower side, and the lid substrate 12 side is referred to as the upper side.
The base substrate 11 is a rectangular plate material formed of a fired material such as alumina, aluminum nitride, silicon nitride, or glass ceramic, or resin, glass, silicon, or the like. Internal electrodes (not shown) are formed on the upper surface of the base substrate 11. An external electrode (not shown) is formed on the lower surface of the base substrate 11. The internal electrode and the external electrode are connected by a through electrode (not shown) that penetrates the base substrate 11 in the thickness direction.

リッド基板１２は、線膨張率がベース基板１１を形成する材料に近い材料により形成されることが好ましく、例えば鉄−ニッケル合金や、鉄−ニッケル−コバルト合金、ステンレス鋼等の金属材料が好適である。リッド基板１２は、下面が上方に凹となるように凹み形成された平面視矩形状の板材であり、例えばプレス加工やエッチング加工等により形成されている。リッド基板１２の厚さは、例えば０．０４ｍｍ〜１ｍｍ程度となっている。リッド基板１２の外形形状は、平面視においてベース基板１１の外形形状と略一致している。リッド基板１２は、外周に沿って形成された平面視矩形枠状の周縁部１２ａと、周縁部１２ａに囲まれるとともに上方に向かって凹む凹部１２ｂと、凹部１２ｂの底部の中央部においてリッド基板１２を厚み方向に貫通する貫通孔１６と、を有する。貫通孔１６の内径は、例えば０．０５ｍｍ以上となっている。貫通孔１６は、例えばプレス加工やドリル加工、レーザー加工、サンドブラスト加工等により形成されている。貫通孔１６は、平面視において後述する素子３０の発熱部３５と重なる位置に形成されている。 The lid substrate 12 is preferably formed of a material having a linear expansion coefficient close to that of the material forming the base substrate 11. For example, a metal material such as an iron-nickel alloy, an iron-nickel-cobalt alloy, or stainless steel is suitable. is there. The lid substrate 12 is a plate member having a rectangular shape in plan view that is recessed so that the lower surface is recessed upward, and is formed, for example, by pressing or etching. The thickness of the lid substrate 12 is, for example, about 0.04 mm to 1 mm. The outer shape of the lid substrate 12 substantially matches the outer shape of the base substrate 11 in plan view. The lid substrate 12 includes a rectangular frame-shaped peripheral edge portion 12a formed along the outer periphery, a concave portion 12b surrounded by the peripheral edge portion 12a and recessed upward, and a central portion at the bottom of the concave portion 12b. Through-hole 16 penetrating in the thickness direction. The inner diameter of the through hole 16 is, for example, 0.05 mm or more. The through hole 16 is formed by, for example, pressing, drilling, laser processing, sandblasting, or the like. The through hole 16 is formed at a position overlapping a heat generating portion 35 of the element 30 described later in plan view.

リッド基板１２の周縁部１２ａの下面は、接合材１８を介してベース基板１１の周縁部１１ａの上面に接合されている。接合材１８は、気密性が高く、かつ高い耐熱性を有する材料が好ましく、例えば高融点はんだや低融点ガラス、低温焼成用の金属ペースト、接着剤等が好適である。接合材１８は、平面視でリッド基板１２の周縁部１２ａに沿うように配置されている。これにより、ベース基板１１の上面とリッド基板１２の凹部１２ｂとに囲まれた領域に、キャビティＣが形成されている。なお、ベース基板１１の周縁部１１ａの上面やリッド基板１２の下面には、ベース基板１１およびリッド基板１２と接合材１８との接合性を高めるために、下地膜として金や銀、パラジウム等の金属膜をめっきにより形成してもよい。 The lower surface of the peripheral edge portion 12 a of the lid substrate 12 is bonded to the upper surface of the peripheral edge portion 11 a of the base substrate 11 via the bonding material 18. The bonding material 18 is preferably a material having high hermeticity and high heat resistance. For example, a high melting point solder, a low melting point glass, a metal paste for low temperature firing, an adhesive, and the like are suitable. The bonding material 18 is arranged along the peripheral edge 12a of the lid substrate 12 in plan view. Thus, a cavity C is formed in a region surrounded by the upper surface of the base substrate 11 and the recess 12b of the lid substrate 12. In addition, on the upper surface of the peripheral portion 11a of the base substrate 11 and the lower surface of the lid substrate 12, in order to improve the bondability between the base substrate 11 and the lid substrate 12 and the bonding material 18, a base film such as gold, silver, or palladium is used. A metal film may be formed by plating.

素子３０は、例えばＣＭＯＳ−ＩＣであって、より詳細には例えばボルテージレギュレータ等である。素子３０の外形は、例えば０．５ｍｍ×０．５ｍｍ以上となっている。素子３０の厚さは、例えば０．０５ｍｍ以上となっている。素子３０の上面には、実装面３１に設けられた発熱回路で発生した熱が伝搬することで局所的に高温となる発熱部３５が存在している。なお、素子３０の上面には、後述する充填剤４０との接合強度を向上させるために、金属膜を形成してもよいし、プラズマ洗浄やカップリング材の塗布等を施してもよい。 The element 30 is, for example, a CMOS-IC, and more specifically, for example, a voltage regulator. The outer shape of the element 30 is, for example, 0.5 mm × 0.5 mm or more. The thickness of the element 30 is, for example, 0.05 mm or more. On the upper surface of the element 30, there is a heat generating portion 35 that locally becomes high temperature due to the propagation of heat generated by the heat generating circuit provided on the mounting surface 31. Note that a metal film may be formed on the upper surface of the element 30 in order to improve the bonding strength with the filler 40 described later, or plasma cleaning, application of a coupling material, or the like may be performed.

素子３０は、フリップチップボンディングによりパッケージ１０に接続されている。すなわち素子３０は、電子回路およびバンプ３３が形成された実装面３１がベース基板１１に対向するようにベース基板１１に配置され、バンプ３３がベース基板１１に形成された内部電極（不図示）に接合している。このとき、実装面３１は、リッド基板１２から離間した状態となっている。 The element 30 is connected to the package 10 by flip chip bonding. That is, the element 30 is arranged on the base substrate 11 so that the mounting surface 31 on which the electronic circuit and the bumps 33 are formed faces the base substrate 11, and the bumps 33 are formed on internal electrodes (not shown) formed on the base substrate 11. It is joined. At this time, the mounting surface 31 is separated from the lid substrate 12.

充填剤４０は、素子３０とリッド基板１２の凹部１２ｂとの間に充填されている。充填剤４０は、熱伝導性に優れた部材が好ましく、例えば接着剤や低温焼成用の金属ペースト、はんだ材料等が好適である。充填剤４０は、素子３０の上面（実装面３１の裏面）の中央部およびリッド基板１２の凹部１２ｂの下面に接するとともに、凹部１２ｂに形成された貫通孔１６を閉塞するように配置されている。 The filler 40 is filled between the element 30 and the recess 12 b of the lid substrate 12. The filler 40 is preferably a member having excellent thermal conductivity. For example, an adhesive, a metal paste for low-temperature firing, a solder material, and the like are suitable. The filler 40 is disposed so as to contact the central portion of the upper surface of the element 30 (the back surface of the mounting surface 31) and the lower surface of the recess 12b of the lid substrate 12 and close the through hole 16 formed in the recess 12b. .

（電子部品の製造方法）
次に、第１実施形態の電子部品１の製造方法について説明する。
図３は、第１実施形態に係る電子部品の製造方法を示すフローチャートである。図４から図７は、第１実施形態に係る電子部品の製造方法の工程図であり、電子部品の縦断面図である。
図３に示すように、本実施形態の電子部品１の製造方法は、リッド基板１２に貫通孔１６を形成する貫通孔形成工程Ｓ１０と、ベース基板１１に素子３０を実装する実装工程Ｓ２０と、ベース基板１１とリッド基板１２とを接合する接合工程Ｓ３０と、貫通孔１６から充填剤４０を充填する充填工程Ｓ４０と、を有する。 (Method for manufacturing electronic parts)
Next, the manufacturing method of the electronic component 1 of 1st Embodiment is demonstrated.
FIG. 3 is a flowchart showing a method for manufacturing the electronic component according to the first embodiment. 4 to 7 are process diagrams of the electronic component manufacturing method according to the first embodiment, and are longitudinal sectional views of the electronic component.
As shown in FIG. 3, the manufacturing method of the electronic component 1 of the present embodiment includes a through-hole forming step S 10 for forming the through-hole 16 in the lid substrate 12, a mounting step S 20 for mounting the element 30 on the base substrate 11, It has joining process S30 which joins the base substrate 11 and the lid substrate 12, and filling process S40 which fills the filler 40 from the through-hole 16. FIG.

最初に貫通孔形成工程Ｓ１０を行う。
図４に示すように、貫通孔形成工程Ｓ１０では、リッド基板１２の凹部１２ｂに対して、例えばプレス加工やドリル加工、レーザー加工、サンドブラスト加工等を行い、貫通孔１６を形成する。なお、貫通孔１６は、予めプレス加工等により凹形状に加工されたリッド基板に形成されてもよいし、凹形状に加工される前のリッド基板に形成されてもよい。また、貫通孔１６は、リッド基板をプレス加工等により凹形状に加工する際に形成されてもよい。 First, the through hole forming step S10 is performed.
As shown in FIG. 4, in the through hole forming step S 10, the through hole 16 is formed by performing, for example, pressing, drilling, laser processing, sand blasting, or the like on the recess 12 b of the lid substrate 12. The through-hole 16 may be formed on a lid substrate that has been processed into a concave shape by pressing or the like in advance, or may be formed on a lid substrate that has not been processed into a concave shape. The through hole 16 may be formed when the lid substrate is processed into a concave shape by press processing or the like.

次に、実装工程Ｓ２０を行う。
図５に示すように、実装工程Ｓ２０では、予め内部電極や外部電極、貫通電極等が形成されたベース基板１１に対して、素子３０をフリップチップボンディングにより接続させる。具体的には、ベース基板１１の上面に素子３０を載置する。このとき、素子３０は、電子回路およびバンプ３３が形成された実装面３１がベース基板１１に対向するように、かつバンプ３３がベース基板１１の上面に形成された内部電極と接触するように載置される。次いで、素子３０に荷重をかけるとともに超音波振動を印加してバンプ３３を溶融させ、バンプ３３とベース基板１１の内部電極とを超音波接合する。これにより、ベース基板１１への素子３０の実装が完了する。なお、バンプ３３とベース基板１１との接合は、超音波溶着に限定されず、例えば熱圧着やペーストを介した接合等であってもよい。 Next, a mounting process S20 is performed.
As shown in FIG. 5, in the mounting step S20, the element 30 is connected by flip chip bonding to the base substrate 11 on which internal electrodes, external electrodes, through electrodes, and the like are formed in advance. Specifically, the element 30 is placed on the upper surface of the base substrate 11. At this time, the element 30 is mounted so that the mounting surface 31 on which the electronic circuit and the bump 33 are formed is opposed to the base substrate 11, and the bump 33 is in contact with the internal electrode formed on the upper surface of the base substrate 11. Placed. Next, a load is applied to the element 30 and an ultrasonic vibration is applied to melt the bump 33, and the bump 33 and the internal electrode of the base substrate 11 are ultrasonically bonded. Thereby, the mounting of the element 30 on the base substrate 11 is completed. Note that the bonding between the bump 33 and the base substrate 11 is not limited to ultrasonic welding, and may be, for example, thermocompression bonding or bonding via a paste.

次に、接合工程Ｓ３０を行う。
図６に示すように、接合工程Ｓ３０では、ベース基板１１とリッド基板１２とを接合材１８を挟んだ状態で接合する。具体的には、まずベース基板１１の周縁部１１ａの上面に、例えば高融点はんだ等の接合材１８をベース基板１１の外周に沿って配置する。接合材１８は、後述する充填工程Ｓ４０において行われる充填剤４０の加熱硬化時の熱への耐熱性を有している。次いで、ベース基板１１の上面に、リッド基板１２を位置合わせした状態で接合材１８を挟んで重ね合わせる。この際、接合材１８をリッド基板１２の周縁部１２ａに接触させる。次いで、熱圧着や加熱炉を用いた加熱により接合材１８を溶融させた後、接合材１８を硬化させることで、ベース基板１１とリッド基板１２とが接合され、ベース基板１１とリッド基板１２との接合部が気密封止される。この際、キャビティＣ内のガスが加熱されて膨張しても、膨張したガスは貫通孔１６から放出されるため、ベース基板１１とリッド基板１２との接合部においてエアパスが形成されることを防止できる。
なお、接合材１８は、印刷等により予めベース基板１１またはリッド基板１２に配置されていてもよい。 Next, joining process S30 is performed.
As shown in FIG. 6, in the joining step S 30, the base substrate 11 and the lid substrate 12 are joined with the joining material 18 interposed therebetween. Specifically, first, a bonding material 18 such as a high melting point solder is disposed on the upper surface of the peripheral edge portion 11 a of the base substrate 11 along the outer periphery of the base substrate 11. The bonding material 18 has heat resistance to heat when the filler 40 is heated and cured in a filling step S40 described later. Next, the bonding substrate 18 is placed on the upper surface of the base substrate 11 with the lid substrate 12 being aligned. At this time, the bonding material 18 is brought into contact with the peripheral edge portion 12 a of the lid substrate 12. Next, after the bonding material 18 is melted by thermocompression bonding or heating using a heating furnace, the bonding material 18 is cured, whereby the base substrate 11 and the lid substrate 12 are bonded, and the base substrate 11 and the lid substrate 12 are bonded. These joints are hermetically sealed. At this time, even if the gas in the cavity C is heated and expanded, the expanded gas is released from the through-hole 16, thereby preventing an air path from being formed at the joint between the base substrate 11 and the lid substrate 12. it can.
Note that the bonding material 18 may be disposed in advance on the base substrate 11 or the lid substrate 12 by printing or the like.

次に、充填工程Ｓ４０を行う。
図７に示すように、充填工程Ｓ４０では、充填剤４０を素子３０とリッド基板１２との間に充填するとともに、充填剤４０により貫通孔１６を閉塞する。具体的には、まず貫通孔１６からディスペンサーノズル５０の先端をキャビティＣ内に挿入する。次いで、ディスペンサーノズル５０から充填剤４０を注入する。すると、充填剤４０は、リッド基板１２の凹部１２ｂの下面と素子３０の上面との間を濡れ広がるとともに貫通孔１６内を埋めながら充填される。次いで、注入された充填剤４０が貫通孔１６を埋めた時点で充填剤４０の注入を停止し、ディスペンサーノズル５０を貫通孔１６から引き抜く。 Next, a filling step S40 is performed.
As shown in FIG. 7, in the filling step S 40, the filler 40 is filled between the element 30 and the lid substrate 12, and the through hole 16 is closed with the filler 40. Specifically, the tip of the dispenser nozzle 50 is first inserted into the cavity C from the through hole 16. Next, the filler 40 is injected from the dispenser nozzle 50. Then, the filler 40 is filled while spreading between the lower surface of the recess 12 b of the lid substrate 12 and the upper surface of the element 30 and filling the through hole 16. Next, when the injected filler 40 fills the through hole 16, the injection of the filler 40 is stopped, and the dispenser nozzle 50 is pulled out from the through hole 16.

続いて、充填剤４０を硬化させて、貫通孔１６を気密封止する。充填剤４０が熱硬化性材料である場合には、加熱炉を用いた加熱により充填剤４０を加熱硬化させる。この際、リッド基板１２（貫通孔１６の内周面）と充填剤４０との密着性を向上させるために、加熱炉内を真空雰囲気または窒素等の不活性ガス雰囲気としてもよい。なお、充填剤４０の加熱硬化は、リッド基板１２の上面における貫通孔１６の周囲にヒーターを押し当てたり、レーザー光を照射したりする等して、貫通孔１６の近傍を局所的に加熱して充填剤４０を加熱硬化させてもよい。充填剤４０が光硬化性材料である場合には、貫通孔１６に充填された充填剤４０に対して、所定の波長の光を照射して、充填剤４０を硬化させる。
なお、パッケージ１０を真空封止する場合には、充填工程Ｓ４０を真空雰囲気下で行う。
以上により、内部が気密封止された電子部品１の製造が完了する。 Subsequently, the filler 40 is cured to hermetically seal the through hole 16. When the filler 40 is a thermosetting material, the filler 40 is heated and cured by heating using a heating furnace. At this time, in order to improve the adhesion between the lid substrate 12 (the inner peripheral surface of the through hole 16) and the filler 40, the inside of the heating furnace may be a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere such as nitrogen. The heating and curing of the filler 40 is performed by locally heating the vicinity of the through hole 16 by pressing a heater around the through hole 16 on the upper surface of the lid substrate 12 or irradiating laser light. The filler 40 may be cured by heating. When the filler 40 is a photocurable material, the filler 40 filled in the through holes 16 is irradiated with light having a predetermined wavelength to cure the filler 40.
When the package 10 is vacuum-sealed, the filling step S40 is performed in a vacuum atmosphere.
Thus, the manufacture of the electronic component 1 whose inside is hermetically sealed is completed.

このように、本実施形態の電子部品１は、素子３０を収容するキャビティＣと、キャビティＣの内外を連通する貫通孔１６と、を有するパッケージ１０と、素子３０とリッド基板１２との間に充填されるとともに貫通孔１６を閉塞する充填剤４０と、を備える。
この構成によれば、パッケージ１０が貫通孔１６を有するため、ベース基板１１とリッド基板１２とを接合するにあたってパッケージ１０を加熱する際に、キャビティＣ内のガスが加熱されて膨張しても、膨張したガスを貫通孔１６から放出することができる。このため、ベース基板１１とリッド基板１２との接合部に、キャビティＣ内のガスの膨張に伴ってエアパスが形成されることを防止できる。また、貫通孔１６は、充填剤４０により閉塞されるため、ベース基板１１とリッド基板１２と接合部を気密に接合した状態でキャビティＣを封止できる。しかも、充填剤４０は、素子３０とリッド基板１２との間に充填されるため、素子３０において生じた熱を素子３０からパッケージ１０の外部へ充填剤４０を介して逃がすことができる。したがって、気密性が確保されるとともに放熱性が向上する電子部品１が得られる。 As described above, the electronic component 1 of the present embodiment includes the package 10 having the cavity C that houses the element 30 and the through hole 16 that communicates the inside and outside of the cavity C, and the element 30 and the lid substrate 12. And a filler 40 that is filled and closes the through-hole 16.
According to this configuration, since the package 10 has the through hole 16, even when the package 10 is heated to join the base substrate 11 and the lid substrate 12, even if the gas in the cavity C is heated and expands, The expanded gas can be released from the through hole 16. For this reason, it is possible to prevent an air path from being formed at the joint between the base substrate 11 and the lid substrate 12 as the gas in the cavity C expands. Moreover, since the through-hole 16 is obstruct | occluded with the filler 40, the cavity C can be sealed in the state which joined the base substrate 11, the lid substrate 12, and the junction part airtightly. In addition, since the filler 40 is filled between the element 30 and the lid substrate 12, heat generated in the element 30 can be released from the element 30 to the outside of the package 10 via the filler 40. Therefore, the electronic component 1 in which airtightness is ensured and heat dissipation is improved can be obtained.

また、充填剤４０が、素子３０とリッド基板１２との間に充填されるため、電子部品１に衝撃等が加わった際に、素子３０とベース基板１１との接合が破断して素子３０がベース基板１１から剥がれることを防止できる。 Further, since the filler 40 is filled between the element 30 and the lid substrate 12, when an impact or the like is applied to the electronic component 1, the bonding between the element 30 and the base substrate 11 is broken and the element 30 is It can prevent peeling from the base substrate 11.

また、充填剤４０が素子３０における実装面３１以外の部分に接するため、充填剤４０が素子３０の実装面３１に接触することで、素子３０の実装面３１に作用させる応力や樹脂剥離等により素子３０の特性の悪化させることを防止できる。 In addition, since the filler 40 is in contact with a portion other than the mounting surface 31 of the element 30, the filler 40 comes into contact with the mounting surface 31 of the element 30, thereby causing stress or resin peeling that acts on the mounting surface 31 of the element 30. The deterioration of the characteristics of the element 30 can be prevented.

また、貫通孔１６が平面視で発熱部３５と重なる位置に形成されているため、充填剤４０を貫通孔１６から充填する際に、充填剤４０を発熱部３５に確実に接触させることができる。したがって、素子に対する放熱性を向上させることができる。 Further, since the through hole 16 is formed at a position overlapping the heat generating portion 35 in plan view, the filler 40 can be reliably brought into contact with the heat generating portion 35 when filling the filler 40 from the through hole 16. . Therefore, the heat dissipation with respect to an element can be improved.

また、本実施形態の電子部品１の製造方法によれば、貫通孔形成工程Ｓ１０においてリッド基板１２に貫通孔１６が形成されているため、接合工程Ｓ３０においてパッケージ１０を加熱する際に、キャビティＣ内のガスが加熱されて膨張しても、膨張したガスを貫通孔１６から放出することができる。このため、接合工程Ｓ３０においてベース基板１１とリッド基板１２との接合部にエアパスが形成されることを防止できる。また、充填工程Ｓ４０では、充填剤４０により貫通孔１６を閉塞するため、ベース基板１１とリッド基板１２との接合部を気密に接合した状態でキャビティＣを封止できる。しかも、充填工程Ｓ４０では、充填剤４０を素子３０とリッド基板１２との間に充填するため、素子３０において生じた熱を素子３０からパッケージ１０の外部へ充填剤４０を介して逃がしやすくすることができる。したがって、気密性が確保されるとともに放熱性が向上する電子部品１の製造方法を提供できる。 Further, according to the method for manufacturing the electronic component 1 of the present embodiment, since the through hole 16 is formed in the lid substrate 12 in the through hole forming step S10, the cavity C is heated when the package 10 is heated in the bonding step S30. Even if the gas inside is heated and expanded, the expanded gas can be released from the through hole 16. For this reason, it can prevent that an air path is formed in the junction part of the base substrate 11 and the lid substrate 12 in joining process S30. Further, in the filling step S40, since the through hole 16 is closed by the filler 40, the cavity C can be sealed in a state where the joint portion between the base substrate 11 and the lid substrate 12 is airtightly joined. In addition, in the filling step S40, since the filler 40 is filled between the element 30 and the lid substrate 12, heat generated in the element 30 can be easily released from the element 30 to the outside of the package 10 via the filler 40. Can do. Therefore, it is possible to provide a method for manufacturing the electronic component 1 in which airtightness is ensured and heat dissipation is improved.

なお、本実施形態のパッケージ１０は、平板状のベース基板１１と凹状のリッド基板１２とを接合して形成されているが、これに限定されるものではない。また、本実施形態の接合材１８は、素子３０の上面のうち中央部に接しているが、これに限定されるものではない。 The package 10 of the present embodiment is formed by bonding a flat base substrate 11 and a concave lid substrate 12, but is not limited to this. Further, the bonding material 18 of the present embodiment is in contact with the central portion of the upper surface of the element 30, but is not limited to this.

図８は、第１実施形態の変形例に係る電子部品の縦断面図である。
図８に示すように、電子部品１０１のパッケージ１１０は、凹状のベース基板１１１と平板状のリッド基板１１２とを接合して形成されている。この場合であっても、リッド基板１１２に貫通孔１６を形成し、充填剤４０を素子３０の上面およびリッド基板１１２の下面に接するとともに貫通孔１６を閉塞するように配置することで、上述の作用効果を奏功させることができる。 FIG. 8 is a longitudinal sectional view of an electronic component according to a modification of the first embodiment.
As shown in FIG. 8, the package 110 of the electronic component 101 is formed by bonding a concave base substrate 111 and a flat lid substrate 112. Even in this case, the through hole 16 is formed in the lid substrate 112, and the filler 40 is disposed so as to contact the upper surface of the element 30 and the lower surface of the lid substrate 112 and close the through hole 16 as described above. The effect can be made effective.

また、電子部品１０１の充填剤４０は、素子３０の上面全体に接している。これにより、素子３０の熱を充填剤４０に効率よく伝熱させて冷却することができる。また、キャビティＣ内における充填剤４０の露出面から貫通孔１６に至る経路の距離が長くなるため、パッケージ１１０を確実に封止することができる。 In addition, the filler 40 of the electronic component 101 is in contact with the entire top surface of the element 30. Thereby, the heat of the element 30 can be efficiently transferred to the filler 40 and cooled. Moreover, since the distance of the path | route from the exposed surface of the filler 40 in the cavity C to the through-hole 16 becomes long, the package 110 can be sealed reliably.

［第２実施形態］
（電子部品）
次に、第２実施形態の電子部品２０１の構成について説明する。
図９は、第２実施形態に係る電子部品の縦断面図である。
図２に示す第１実施形態では、リッド基板１２に貫通孔１６が１個形成されていた。これに対して、図９に示す第２実施形態では、リッド基板２１２に貫通孔１６が複数形成されている点で、第１実施形態と異なっている。なお、図２に示す第１実施形態と同様の構成については、同一符号を付して詳細な説明を省略する。 [Second Embodiment]
(Electronic parts)
Next, the configuration of the electronic component 201 according to the second embodiment will be described.
FIG. 9 is a longitudinal sectional view of an electronic component according to the second embodiment.
In the first embodiment shown in FIG. 2, one through hole 16 is formed in the lid substrate 12. On the other hand, the second embodiment shown in FIG. 9 is different from the first embodiment in that a plurality of through holes 16 are formed in the lid substrate 212. In addition, about the structure similar to 1st Embodiment shown in FIG. 2, the same code | symbol is attached | subjected and detailed description is abbreviate | omitted.

図９に示すように、電子部品２０１は、複数（本実施形態では２個）の貫通孔１６が形成されたリッド基板２１２を有するパッケージ２１０と、複数の貫通孔１６に対応して各別に充填された充填剤４０と、を有する。
各貫通孔１６は、平面視で素子３０と重なる位置に形成されている。
充填剤４０は、素子３０の上面およびリッド基板２１２の凹部２１２ｂの下面に接するとともに、凹部２１２ｂに形成された複数の貫通孔１６を各別に閉塞するように配置されている。充填剤４０は、複数の貫通孔１６から各別に充填されている。各貫通孔１６から充填された各充填剤４０は、素子３０とリッド基板２１２との間で、互いに離間して配置されている。なお、各貫通孔１６から充填された各充填剤４０は、素子３０とリッド基板２１２との間で一体となっていてもよい。 As shown in FIG. 9, the electronic component 201 is filled with a package 210 having a lid substrate 212 in which a plurality of (two in this embodiment) through-holes 16 are formed and corresponding to the plurality of through-holes 16. Filled filler 40.
Each through hole 16 is formed at a position overlapping the element 30 in plan view.
The filler 40 is disposed so as to be in contact with the upper surface of the element 30 and the lower surface of the recess 212b of the lid substrate 212 and to individually block the plurality of through holes 16 formed in the recess 212b. The filler 40 is filled separately from the plurality of through holes 16. The fillers 40 filled from the through holes 16 are arranged apart from each other between the element 30 and the lid substrate 212. Each filler 40 filled from each through hole 16 may be integrated between the element 30 and the lid substrate 212.

このように、リッド基板２１２が複数の貫通孔１６を有するため、一の貫通孔１６から充填剤４０を充填する際に、充填剤４０がキャビティＣ内で濡れ広がることで圧縮されたキャビティＣ内の空気を、他の貫通孔１６から放出することができる。したがって、充填剤４０の充填を効率よく行うことができる。
また、素子３０に対する放熱性を高めるために充填剤４０の充填量を増やして充填剤４０と素子３０との接触面積を増加させる場合に、貫通孔１６が１個の場合では素子３０とリッド基板１２との間で充填剤４０が不意に濡れ広がるおそれがある。これに対して、リッド基板１２が複数の貫通孔１６を有することで、充填剤４０の充填量を増やす際に、各貫通孔１６から充填剤４０を少量ずつ充填できる。このため、充填剤４０が素子３０とリッド基板１２との間で不意に濡れ広がって実装面３１に接触することを防止しつつ、充填剤４０の充填量を増やすことができる。したがって、電子部品１の放熱性を高めることができる。 As described above, since the lid substrate 212 has the plurality of through holes 16, when the filler 40 is filled from one through hole 16, the filler 40 wets and spreads in the cavity C so that the inside of the cavity C is compressed. The other air can be discharged from the other through holes 16. Therefore, the filling of the filler 40 can be performed efficiently.
Further, when the amount of filling of the filler 40 is increased to increase the contact area between the filler 40 and the element 30 in order to increase the heat dissipation property to the element 30, the element 30 and the lid substrate are provided when the number of the through holes 16 is one. There is a possibility that the filler 40 may suddenly wet and spread between the two. On the other hand, when the lid substrate 12 has the plurality of through holes 16, when the filling amount of the filler 40 is increased, the filler 40 can be filled little by little from each through hole 16. For this reason, the filling amount of the filler 40 can be increased while preventing the filler 40 from suddenly getting wet between the element 30 and the lid substrate 12 and coming into contact with the mounting surface 31. Therefore, the heat dissipation of the electronic component 1 can be improved.

［第３実施形態］
（電子部品）
次に、第３実施形態の電子部品３０１の構成について説明する。
図１０は、第３実施形態に係る電子部品の縦断面図である。
図２に示す第１実施形態では、充填剤４０が同一材料により一様に充填されていた。これに対して、図１０に示す第３実施形態では、充填剤３４０が第１充填剤３４１と第２充填剤３４２とを有する点で、第１実施形態と異なっている。なお、図２に示す第１実施形態と同様の構成については、同一符号を付して詳細な説明を省略する。 [Third Embodiment]
(Electronic parts)
Next, the configuration of the electronic component 301 of the third embodiment will be described.
FIG. 10 is a longitudinal sectional view of an electronic component according to the third embodiment.
In the first embodiment shown in FIG. 2, the filler 40 is uniformly filled with the same material. In contrast, the third embodiment shown in FIG. 10 is different from the first embodiment in that the filler 340 includes a first filler 341 and a second filler 342. In addition, about the structure similar to 1st Embodiment shown in FIG. 2, the same code | symbol is attached | subjected and detailed description is abbreviate | omitted.

図１０に示すように、電子部品３０１は、充填剤３４０を有する。充填剤３４０は、素子３０の上面の中央部およびリッド基板１２の凹部１２ｂの下面に接するとともに貫通孔１６内の下部に充填された第１充填剤３４１を有する。また、充填剤３４０は、貫通孔１６内において第１充填剤３４１に対して重ねて充填された第２充填剤３４２を有する。第１充填剤３４１は、第２充填剤３４２よりも熱伝導率が高い材料により形成されている。第２充填剤３４２は、硬化前の流動性を有する状態において第１充填剤３４１よりも粘度が低い材料により形成されている。また、第２充填剤３４２は、第１充填剤３４１よりも気体透過性が低い材料により形成されている。 As shown in FIG. 10, the electronic component 301 has a filler 340. The filler 340 has a first filler 341 that is in contact with the central portion of the upper surface of the element 30 and the lower surface of the recess 12 b of the lid substrate 12 and is filled in the lower portion of the through hole 16. Further, the filler 340 includes a second filler 342 that is filled in the through hole 16 so as to overlap the first filler 341. The first filler 341 is made of a material having a higher thermal conductivity than the second filler 342. The second filler 342 is formed of a material having a viscosity lower than that of the first filler 341 in a state having fluidity before curing. Further, the second filler 342 is formed of a material having a lower gas permeability than the first filler 341.

（電子部品の製造方法）
次に、第３実施形態の電子部品３０１の製造方法について説明する。
図１１は、第３実施形態に係る電子部品の製造方法を示すフローチャートである。図１２から図１４は、第３実施形態に係る電子部品の製造方法の工程図であり、電子部品の縦断面図である。
図１１に示すように、第３実施形態の電子部品３０１の製造方法は、充填工程Ｓ１４０が第１充填工程Ｓ１４１と第２充填工程Ｓ１４２とを有する点で、図３に示す第１実施形態と異なっている。なお、第１実施形態と同様の構成については、同一符号を付して詳細な説明を省略する。 (Method for manufacturing electronic parts)
Next, the manufacturing method of the electronic component 301 of 3rd Embodiment is demonstrated.
FIG. 11 is a flowchart showing a method for manufacturing an electronic component according to the third embodiment. 12 to 14 are process diagrams of the electronic component manufacturing method according to the third embodiment, and are longitudinal sectional views of the electronic component.
As shown in FIG. 11, the manufacturing method of the electronic component 301 according to the third embodiment is different from the first embodiment shown in FIG. 3 in that the filling step S140 includes a first filling step S141 and a second filling step S142. Is different. In addition, about the structure similar to 1st Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and detailed description is abbreviate | omitted.

まず、図４から図６に示す第１実施形態と同様に、貫通孔形成工程Ｓ１０、実装工程Ｓ２０および接合工程Ｓ３０を行う。 First, similarly to the first embodiment shown in FIGS. 4 to 6, the through hole forming step S 10, the mounting step S 20, and the joining step S 30 are performed.

次に、充填工程Ｓ１４０を行う。充填工程Ｓ１４０は、第１充填剤３４１を素子３０の上面とリッド基板１２の凹部１２ｂの下面との間に充填する第１充填工程Ｓ１４１と、第２充填剤３４２により貫通孔１６を閉塞する第２充填工程Ｓ１４２と、を有する。 Next, a filling step S140 is performed. The filling step S140 includes a first filling step S141 that fills the first filler 341 between the upper surface of the element 30 and the lower surface of the concave portion 12b of the lid substrate 12, and a second filler 342 that closes the through-hole 16. 2 filling process S142.

充填工程Ｓ１４０では、まず第１充填工程Ｓ１４１を行う。図１２に示すように、第１充填工程Ｓ１４１では、まず貫通孔１６からディスペンサーノズル５０の先端をキャビティＣ内に挿入する。次いで、ディスペンサーノズル５０から第１充填剤３４１を注入する。すると、第１充填剤３４１は、素子３０の上面とリッド基板１２の凹部１２ｂの下面との間を濡れ広がるとともに貫通孔１６内を埋めながら充填される。次いで、図１３に示すように、注入された第１充填剤３４１が貫通孔１６内の下部を埋めた時点で第１充填剤３４１の注入を停止し、ディスペンサーノズル５０を貫通孔１６から一旦引き抜く。 In the filling step S140, first, a first filling step S141 is performed. As shown in FIG. 12, in the first filling step S 141, first, the tip of the dispenser nozzle 50 is inserted into the cavity C from the through hole 16. Next, the first filler 341 is injected from the dispenser nozzle 50. Then, the first filler 341 is filled while spreading between the upper surface of the element 30 and the lower surface of the recess 12 b of the lid substrate 12 and filling the through hole 16. Next, as shown in FIG. 13, when the injected first filler 341 fills the lower portion in the through hole 16, the injection of the first filler 341 is stopped, and the dispenser nozzle 50 is once withdrawn from the through hole 16. .

続いて、第１充填剤３４１の硬化を行う。第１充填剤３４１の硬化は、第１実施形態の充填工程Ｓ４０における充填剤４０の硬化と同様に行う。 Subsequently, the first filler 341 is cured. The first filler 341 is cured in the same manner as the curing of the filler 40 in the filling step S40 of the first embodiment.

次に、第２充填工程Ｓ１４２を行う。図１４に示すように、第２充填工程Ｓ１４２では、まず貫通孔１６の上部にディスペンサーノズル５０の先端を挿入する。次いで、ディスペンサーノズル５０から第２充填剤３４２を注入して、貫通孔１６内の上部を第２充填剤３４２で埋める。ここで、第２充填剤３４２は、第１充填剤３４１よりも粘度が小さく流動性の高い材料により形成されている。このため、貫通孔１６は第２充填剤３４２により確実に閉塞される。次いで、貫通孔１６内の上部が第２充填剤３４２で埋まった時点で第２充填剤３４２の注入を停止し、ディスペンサーノズル５０を貫通孔１６から引き抜く。 Next, the second filling step S142 is performed. As shown in FIG. 14, in the second filling step S 142, first, the tip of the dispenser nozzle 50 is inserted above the through hole 16. Next, the second filler 342 is injected from the dispenser nozzle 50, and the upper part in the through hole 16 is filled with the second filler 342. Here, the second filler 342 is formed of a material having a smaller viscosity and higher fluidity than the first filler 341. For this reason, the through hole 16 is reliably closed by the second filler 342. Next, when the upper part in the through hole 16 is filled with the second filler 342, the injection of the second filler 342 is stopped, and the dispenser nozzle 50 is pulled out from the through hole 16.

続いて、第２充填剤３４２の硬化を行う。第２充填剤３４２の硬化は、第１充填剤３４１の硬化と同様に行う。なお、第２充填剤３４２が熱硬化性材料やはんだ材料である場合には、第２充填剤３４２の硬化時や充填時の加熱温度を、例えば第１充填工程Ｓ１４１における加熱温度よりも低温にする等して、第２充填剤３４２の硬化や充填を十分に低温で行うことが望ましい。これにより、キャビティＣ内の加熱を抑制でき、キャビティＣ内でのガスの膨張や、接合材１８や充填剤３４０等に含まれる揮発成分のキャビティＣ内への揮発を低減できる。
以上により、内部が気密封止された電子部品３０１の製造が完了する。
なお、第１充填剤３４１の硬化は、第２充填工程Ｓ１４２において第２充填剤３４２が充填された後に、第２充填剤３４２の硬化と同時に行ってもよい。 Subsequently, the second filler 342 is cured. The second filler 342 is cured in the same manner as the first filler 341 is cured. When the second filler 342 is a thermosetting material or a solder material, the heating temperature at the time of curing or filling the second filler 342 is set lower than, for example, the heating temperature in the first filling step S141. Thus, it is desirable to cure and fill the second filler 342 at a sufficiently low temperature. Thereby, the heating in the cavity C can be suppressed, and the expansion of the gas in the cavity C and the volatilization of the volatile components contained in the bonding material 18 and the filler 340 into the cavity C can be reduced.
Thus, the manufacture of the electronic component 301 whose inside is hermetically sealed is completed.
The first filler 341 may be cured simultaneously with the curing of the second filler 342 after the second filler 342 is filled in the second filling step S142.

このように、充填剤３４０が、素子３０とリッド基板１２との間に充填される第１充填剤３４１と、貫通孔１６を閉塞する第２充填剤３４２と、を有するため、貫通孔を確実に閉塞でき、高い気密性を確保できる。 As described above, since the filler 340 includes the first filler 341 filled between the element 30 and the lid substrate 12 and the second filler 342 that closes the through hole 16, the through hole is surely secured. It can be closed and high airtightness can be secured.

また、第１充填剤３４１は、第２充填剤３４２よりも熱伝導率が高い。このため、貫通孔１６を閉塞する第２充填剤３４２により気密性を確保しつつ、素子３０とリッド基板１２との間に充填される第１充填剤３４１により素子３０に対する放熱性を向上させることができる。 The first filler 341 has a higher thermal conductivity than the second filler 342. For this reason, heat dissipation with respect to the element 30 is improved by the first filler 341 filled between the element 30 and the lid substrate 12 while ensuring airtightness by the second filler 342 that closes the through hole 16. Can do.

また、第２充填剤３４２は、第１充填剤３４１よりも粘度が低いため、流動性の高い第２充填剤３４２により貫通孔１６を確実に閉塞でき、高い気密性を確保できる。
また、第２充填剤３４２は、第１充填剤３４１よりも気体透過性が低いため、第２充填剤３４２により貫通孔１６を閉塞することで高い気密性を長期に亘って確保できる。 Further, since the second filler 342 has a lower viscosity than the first filler 341, the through-holes 16 can be reliably closed with the second filler 342 having high fluidity, and high airtightness can be ensured.
In addition, since the second filler 342 has a lower gas permeability than the first filler 341, high airtightness can be secured over a long period of time by closing the through-hole 16 with the second filler 342.

また、本実施形態の電子部品３０１の製造方法は、充填工程Ｓ１４０が、充填剤４０を素子３０とリッド基板１２との間に充填する第１充填工程Ｓ１４１と、充填剤４０により貫通孔１６を閉塞する第２充填工程Ｓ１４２と、を有するため、第２充填工程Ｓ１４２において貫通孔１６を確実に閉塞でき、高い気密性を確保できる。 Further, in the manufacturing method of the electronic component 301 of the present embodiment, the filling step S140 includes the first filling step S141 in which the filler 40 is filled between the element 30 and the lid substrate 12, and the through hole 16 is formed by the filler 40. Since the second filling step S142 is closed, the through hole 16 can be reliably closed in the second filling step S142, and high airtightness can be secured.

また、第１充填工程Ｓ１４１で充填される第１充填剤３４１と、第２充填工程Ｓ１４２で充填される第２充填剤３４２と、が異なるため、例えば上述のように第１充填工程Ｓ１４１において熱伝導性の優れた第１充填剤３４１を充填し、第２充填工程Ｓ１４２において高い気密性を確保できる第２充填剤３４２を充填する等、第１充填工程Ｓ１４１および第２充填工程Ｓ１４２において、要求される電子部品の性能に応じて異なる特性を有する充填剤を使い分けることができる。したがって、所望の性能を有する電子部品３０１を製造できる。 Further, since the first filler 341 filled in the first filling step S141 is different from the second filler 342 filled in the second filling step S142, for example, as described above, in the first filling step S141, heat is applied. In the first filling step S141 and the second filling step S142, such as filling the first filler 341 having excellent conductivity and filling the second filler 342 capable of ensuring high airtightness in the second filling step S142. Depending on the performance of the electronic component, different fillers having different characteristics can be used. Therefore, the electronic component 301 having desired performance can be manufactured.

なお、本発明は、図面を参照して説明した上述の実施形態に限定されるものではなく、その技術的範囲において様々な変形例が考えられる。
例えば、上記実施形態においては、充填剤４０，３４０の充填を、ディスペンサーノズルを用いて行ったが、これに限定されず、例えば、ジェットディスペンスや、インクジェット、スクリーン印刷等により行ってもよい。 The present invention is not limited to the above-described embodiment described with reference to the drawings, and various modifications can be considered within the technical scope thereof.
For example, in the above embodiment, the filling of the fillers 40 and 340 is performed using the dispenser nozzle. However, the present invention is not limited to this. For example, the filling may be performed by jet dispensing, inkjet, screen printing, or the like.

また、上記実施形態においては、貫通孔１６は、リッド基板１２の凹部１２ｂの底部に形成されていたが、これに限定されず、貫通孔１６は、例えばリッド基板の凹部の側壁に形成されてもよいし、ベース基板に形成されてもよい。 Moreover, in the said embodiment, although the through-hole 16 was formed in the bottom part of the recessed part 12b of the lid substrate 12, it is not limited to this, For example, the through-hole 16 is formed in the side wall of the recessed part of a lid substrate. Alternatively, it may be formed on the base substrate.

また、上記実施形態においては、素子３０の実装面３１をベース基板１１に対向させて、フリップチップボンディングにより素子３０とパッケージ１０とを接合していたが、これに限定されるものではない。例えば、素子３０の実装面３１をリッド基板に対向させた状態でベース基板に載置し、ワイヤーボンディングにより素子３０とパッケージとを接合してもよい。この場合には、貫通孔をベース基板に形成することで、充填剤を素子３０の実装面３１の裏面の接触させることができる。 In the above embodiment, the mounting surface 31 of the element 30 is opposed to the base substrate 11 and the element 30 and the package 10 are bonded by flip chip bonding. However, the present invention is not limited to this. For example, the mounting surface 31 of the element 30 may be placed on the base substrate in a state of facing the lid substrate, and the element 30 and the package may be bonded by wire bonding. In this case, the filler can be brought into contact with the back surface of the mounting surface 31 of the element 30 by forming the through hole in the base substrate.

また、上記実施形態においては、リッド基板１２は、金属材料により形成されていたが、これに限定されず、セラミックやガラス等により形成されてもよい。
また、上記実施形態においては、素子３０としてボルテージレギュレータを例に挙げて説明したが、これに限定されず、例えば素子３０はセンサや、センサおよびセンサ制御用回路を含む素子等であってもよい。 In the above embodiment, the lid substrate 12 is formed of a metal material, but is not limited thereto, and may be formed of ceramic, glass, or the like.
Moreover, in the said embodiment, although the voltage regulator was mentioned as an example and demonstrated as the element 30, it is not limited to this, For example, the element 30 may be an element containing a sensor, a sensor, and a circuit for sensor control. .

その他、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、上記した実施の形態における構成要素を周知の構成要素に置き換えることは適宜可能である。 In addition, it is possible to appropriately replace the components in the above-described embodiments with known components without departing from the spirit of the present invention.

１，１０１，２０１，３０１…電子部品１０，１１０，２１０…パッケージ１１，１１１…ベース基板１２，１１２，２１２…リッド基板１６…貫通孔３０…素子３１…実装面３５…発熱部４０，３４０…充填剤３４１…第１充填剤３４２…第２充填剤Ｃ…キャビティ（収容部）Ｓ１０…貫通孔形成工程Ｓ２０…実装工程Ｓ３０…接合工程Ｓ４０，Ｓ１４０…充填工程Ｓ１４１…第１充填工程Ｓ１４２…第２充填工程 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,101,201,301 ... Electronic component 10,110,210 ... Package 11,111 ... Base substrate 12,112,212 ... Lid substrate 16 ... Through hole 30 ... Element 31 ... Mounting surface 35 ... Heat generation part 40,340 ... Filler 341 ... First filler 342 ... Second filler C ... Cavity (accommodating portion) S10 ... Through-hole forming step S20 ... Mounting step S30 ... Joining step S40, S140 ... Filling step S141 ... First filling step S142 ... First 2 filling process

Claims

A package having a housing portion for housing the element, and at least one through hole communicating between the inside and the outside of the housing portion;
A filler filled between the element and the package and closing the through hole;
Equipped with a,
The filler is
A first filler filled at least between the element and the package;
A second filler for closing at least the through hole;
Have
The second filler has a lower viscosity than the first filler;
An electronic component characterized by that.

The element has a mounting surface;
The filler is in contact with a portion of the element other than the mounting surface;
The electronic component according to claim 1.

The package has a plurality of the through holes,
The electronic component according to claim 1, wherein the electronic component is an electronic component.

The first filler has a higher thermal conductivity than the second filler.
The electronic component according to any one of claims 1 to 3 , characterized in that:

The second filler has a lower gas permeability than the first filler.
The electronic component according to claim 1 , wherein the electronic component is an electronic component.

The element includes a heating part,
The through hole is formed at a position overlapping the heat generating part in plan view.
Electronic component according to any one of claims 1 to 5, characterized in that.

A method for manufacturing an electronic component in which an element is housed in a package including a base substrate and a lid substrate,
A through hole forming step of forming a through hole in at least one of the base substrate and the lid substrate;
A mounting step of mounting the element on the base substrate;
A bonding step of bonding the base substrate and the lid substrate;
A filling step of filling a filler from the through hole;
Have
In the filling step, after the joining step, the filler is filled between the element and the package, and the through hole is closed with the filler .
The filling step includes
A first filling step of filling the filler between the element and the package;
A second filling step of closing the through hole with the filler;
Have
In the first filling step, the first filler is filled as the filler,
In the second filling step, a second filler having a lower viscosity than the first filler is filled as the filler.
An electronic component manufacturing method characterized by the above.

In the second filling step, filling and curing of the second filler is performed at a temperature lower than the heating temperature in the first filling step.
The method of manufacturing an electronic component according to claim 7.

A method for manufacturing an electronic component in which an element is housed in a package including a base substrate and a lid substrate,
A through hole forming step of forming a first through hole and a second through hole in at least one of the base substrate and the lid substrate;
A mounting step of mounting the element on the base substrate;
A bonding step of bonding the base substrate and the lid substrate;
A filling step of filling a filler from the first through hole and the second through hole ;
Have
In the filling step, after the joining step, the filler is filled between the element and the package, and the first through hole is closed with the filler, and then the second through hole is filled with the filler. Occlude the,
An electronic component manufacturing method characterized by the above.