JP6445455B2 - 防汚性の改良された光学物品の製造方法 - Google Patents
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Description
2つの主要面を有し且つその面の少なくとも1つ上に−OH官能基を有する基材を提供することと、
基材の表面上に材料の堆積物を生じる条件下の真空チャンバー内で、−OH官能基を有する基材の1つの面を、M1、M2、M3と称される少なくとも3つの個別の材料及び任意選択で材料M4に、この順序で逐次暴露することと、
を含む光学物品の製造方法である。但し、
M1は、
置換シランのSi原子に直接結合された少なくとも1個の官能基X1であって、Si−X1基が基材の−OH基との共有結合及び/又はM2との共有結合を形成可能である、官能基X1と、
少なくとも1個のフッ素含有基と、
を含む置換シランであり、
M2は、
置換シランのケイ素原子に直接結合された少なくとも1個の官能基X2であって、Si−X2基が基材の−OH基との共有結合及び/又はM1との共有結合を形成可能である、少なくとも1個の官能基X2と、
少なくとも1個の疎水基若しくは疎油基、又は少なくとも1個の親水基と、
を含む900g/mol以下の数平均分子量を有する置換シランであり、
M1は、M2よりも大きい重量平均分子量を有し、M1とM2との重量平均分子量の差は、600g/mol以上、好ましくは900g/mol以上であり、
M3は、金属フッ化物であり、
任意選択で、他の材料M4は、M3材料上に堆積可能であり、それは、欧州特許第1467955号明細書に開示されるような有機材料又は無機材料であり、好ましくは、他の材料は、MgO等の非フッ素化金属酸化物又は非フッ素化金属水酸化物である。
で示される化合物が挙げられ得る。そのような種類の化合物は、化合物M1として特に好ましい。
に対応する。好適な化合物は、典型的には、少なくとも約1000g/molの分子量(数平均)を有する。好ましくは、Yは、低級アルコキシ基であり、且つRFは、ペルフルオロポリエーテル基である。
により与えられる化合物を記載する特開2005−187936号公報に開示されている。以上の式(2)により与えられるフルオロシラン化合物は、KY−130(商標)という名称で信越化学工業株式会社により市販されている。
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−(CH2)p−X(CH2)r−Si(X’)3-a(R1)a (A)
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o(CH2)pX(CH2)r(X’)2-a(R1)aSiO(F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o(CH2)pX(CH2)r(X’)1-a(R1)aSiO)zF−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o(CH2)pX(CH2)r(X’)2-a(R1)aSi (B)
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−(CH2)p−X(CH2)r−(CH2)t−Si(X’)3-a(R1)a :(C)
(式中、qは、1〜3の整数であり、m、n、及びoは、独立して、0〜200の整数であり、pは、1又は2であり、Xは、O又は2価有機基であり、rは、2〜20の整数であり、tは、1〜10の整数であり、R1は、C1〜22線状又は分岐状炭化水素基であり、aは、0〜2の整数であり、X’は、以上に定義された加水分解性基又はOH基又はNH2基であり、且つzは、aが0又は1のとき0〜10の整数である)
により表される有機シリコーン化合物を含有するものである。
[H−(OCH2−CH2)a−(OCH2−CH2−CH2)a’−(OCF2−CF2)a’’−(OCF2−CF2−CF2)a’’’−(OCHF−CHF)a’’’’−(OCHF−CHF−CHF)a’’’’’]wX−(CH2)b−(CF2)b’−Si(R)3 (D)
(式中、a、a’、a’’、a’’’、a’’’’、a’’’’’は、0〜2の整数であり、a+a’+a’’+a’’’+a’’’’+a’’’’’は、少なくとも1であり、Xは、O又はN又はNHであり、b及びb’は、0〜10の整数であり、且つb+b’は、1未満にはなりえず、Rは、以上に定義されたような加水分解性基であるか又はOH若しくはNH2であり、以上の式に現れる下付き文字a、a’、a’’、a’’’、a’’’’、a’’’’’、b、及びb’により括弧でくくられた繰返し単位の順序は、示されたものに限定されるものではなく、w=1又は2(Xの価数に依存する))
に対応するような非フッ素化又はフッ素化シランの中から選択可能である。
F−(CF2)c−(CH2)d−(CF2)e−(CH2)f−Si(R)3 (E)
及び
H−(CH2)g−(CF2)h−(CH2)i−(CF2)j−Si(R)3 (F)
(式中、各c、d、e、f、g、h、l、jは、0〜10の整数であり、c、d、e、及びfの少なくとも1つは、0とは異なり、g、h、i、及びjの少なくとも1つは、0とは異なり、且つRは、以上に定義されたような加水分解性基であるか又はOH若しくはNH2である)
に対応するようなフッ素化シランの中から選択可能である。好ましくは、5≦c+d+e+f≦15且つ5≦g+h+i+j≦15、より好ましくは、5≦c+d+e+f≦12且つ5≦g+h+i+j≦12。
・ 1〜3mmの範囲内の粒子サイズを有するMgO顆粒(CERAC製のM−1131を参照されたい)、
・ 3〜6mmの範囲内の粒子サイズを有するMgO顆粒(UMICORE製のM−2013を参照されたい)、
・ MgOペレット(UMICORE corporationにより商品化された0481263を参照されたい)、
からの蒸発により生成可能である。
1)本発明に従ってトリミングするのに適したガラス、好ましくは眼鏡レンズを製造する工程と、
2)前記ガラスをエーコンエレメントにより保持する工程と、
3)前記ガラスをトリミングする工程と、
4)前記ガラスからエーコンエレメントを除去する工程と、
5)こうしてトリミングされたガラスを回収する工程と、
6)ガラスの疎水表面及び/又は撥油表面の性質を回復するようにM3及び任意選択でM4一時層を除去する工程と、
を含むことを特徴とする、疎水表面及び/又は撥油表面の性質を有するトリミングされたガラスの取得方法に関する。
1− 材料及び方法:
・ レンズ:
基材上に記載順に被覆された摩耗防止コーティング及び反射防止コーティングを有する有機レンズを作製した。本出願人名義の欧州特許第614957号明細書の実施例3に対応するポリシロキサンタイプの摩耗防止コーティングを両面上に含むポリカーボネート眼鏡レンズである基材上で堆積を達成した。摩耗防止コーティング上に適用されたARスタックは、次のZrO2(27nm)/SiO2(21nm)/ZrO2(80nm)/SiO2(81nm)である。処理レンズは、直径65mmの丸形レンズであった。
使用した真空処理機は、電子銃、Mark2 Commonwealthタイプのイオン銃、及びジュール効果を有する蒸発源を備えたBalzer machine製のBAK760である。
両方ともダイキン工業株式会社により商品化されたOPTOOL DSX(商標)又はAES4(商標)の層を以下の条件で堆積させる。
Optool DSX(商標)又はAES4(商標)と同一の条件で(これ以降では「ボートにより」と記す)又は電子ビーム蒸発(eビーム)により、Optronにより商品化されたOF110(商標)若しくはOF210(商標)又はGelestにより商品化されたGelest1の層を堆積させる。
M3の堆積:
次いで、保護層を蒸発させる。堆積材料は、Merck corporationにより販売されている1〜2.5nmの粒子サイズを有する式MgF2の化合物である。蒸発は、電子銃を用いて行われる。物理的堆積厚さは、0.52nm/sに等しい堆積速度で20nmである。石英スケールを利用して、堆積厚さの設定を行う。続いて、エンクロージャーを再加熱し、処理チャンバーを所定の気圧に設定し直す。次いで、レンズを上下逆さまにして、凸面を処理領域に方向付ける。凹面と同じように(以上の工程の再現)、凸面をMgF2により処理する。
次いで、電子銃を用いて、一時MgF2層上への直接MgO蒸発により、レンズを特定の処理工程に付し、MgO層をMgF2保護層上に直接2nm厚さで真空蒸発させる(UMICORE corporation製のMgOチップ(参照0481263)から)。
操作順は以下の通りであった:
イソプロピルアルコール及びSelvyt布を用いて一時層を除去した。
o 前進角、後退角、ヒステリシス、及びテーブル角の測定:
液滴が転がり落ちるまで固体表面を典型的には0°から90°まで傾けながら静滴の左右両側で接触角測定を行う傾斜プレート法に従って、前進接触角及び後退接触角及びヒステリシスを測定する。
いくつかのレンズを一連の個別の層M1、M2、M3、及びM4で処理した。参照例1は、M2層による処理を含まない。次いで、レンズを表面調製手順に付して試験した。
平均前進角は115°であり、
平均後退角は96°であり、
平均ヒステリシスは19°であり、
中間速度でのテーブル角は15.4°であった。
平均前進角は120°であり、
平均後退角は109°であり、
平均ヒステリシスは11°であり、
テーブル角は7°であった。
平均前進角は121°であり、
平均後退角は110°であり、
平均ヒステリシスは11°であり、
テーブル角は6°であった。
平均前進角は119°であり、
平均後退角は112°であり、
中間速度での平均ヒステリシスは7°であり、
テーブル角は8°であった。
平均前進は121°であり、
平均後退角は109°であり、
平均ヒステリシスは12°であり、
テーブル角は9°であった。
平均前進角は121°であり、
平均後退角は111°であり、
中間平均ヒステリシスは10°であり、
テーブル角は10°であった。
平均前進角は121°であり、
平均後退角は104°であり、
平均ヒステリシスは17°であり、
テーブル角は15°であった。
平均前進角は121°であり、
平均後退角は116°であり、
平均ヒステリシスは5°であり、
テーブル角は7°であった。
平均前進角は122°であり、
平均後退角は114°であり、
平均は8°であり、
テーブル角は7°であった。
平均前進角は120°であり、
平均後退角は112°であり、
平均ヒステリシスは8°であり、
テーブル角は12°であった。
以上に開示された結果から、M1トップコート層と一時接着改良層M3/M4との間に、基材のOH官能基と反応可能なシラン官能基と、小サイズの疎水基と、を含む材料のM2材料を堆積させると、処理基材の疎水性及び疎油性が有意に改良されることを観測可能である。
接着剤プリフォームフィルムを含む本発明に係るレンズの作製
ハードコート及び反射防止コーティングで被覆されたEssilor製のポリカーボネートレンズ−8.00シリンダー+2.00を以下の堆積に付した。
[1]
以下の工程、即ち、
2つの主要面を有し且つその面の少なくとも1つ上に−OH官能基を有する基材を提供する工程と、
前記基材の表面上に材料の堆積物を生じる条件下の真空チャンバー内で、−OH官能基を有する前記基材の1つの面を、M1、M2、M3と称される少なくとも3つの個別の材料及び任意選択で材料M4に、この順序で逐次暴露する工程と、
を含む光学物品の製造方法であって、
M1が、
置換シランのSi原子に直接結合された少なくとも1個の官能基X1であって、Si−X1基が前記基材のOH基との共有結合を形成可能であり、X1が、好ましくは、ケイ素原子に直接結合された加水分解性基(例えば−NH 2 基)又はOH基である、官能基X1と、
少なくとも1個のフッ素含有基と、
を含む置換シランであり、
M2が、
置換シランのケイ素原子に直接結合された少なくとも1個の官能基X2であって、Si−X2基が前記基材の−OH基との共有結合及び/又はM1との共有結合を形成可能であり、X2が、好ましくは、加水分解性基(例えば−NH 2 基)又はOH基である、官能基X2と、
少なくとも1個の疎水基若しくは疎油基、又は少なくとも1個の親水基と、
を含む900g/mol以下の数平均分子量の置換シランであり、
M1が、M2よりも大きい重量平均分子量を有し、M1とM2との重量平均分子量の差が、600g/mol以上、好ましくは900g/mol以上であり、
M3が金属フッ化物である、
光学物品の製造方法。
[2]
M4堆積物、好ましくは、非フッ素化金属酸化物又は非フッ素化金属水酸化物を含む、項目1に記載の方法。
[3]
前記基材が、反射防止光学層を含む透明材料である、項目1又は2に記載の方法。
[4]
堆積物の形成を伴う条件が減圧及び/又は高温の少なくとも1つを含む、項目1〜3のいずれかに記載の方法。
[5]
層の形成を伴う条件が真空下での蒸発を含む、項目1〜4のいずれかに記載の方法。
[6]
X1及びX2が、独立して、ハロゲン原子、−NH−アルキル基、ジアルキルアミノ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、イソシアネート基、−OH基、及びNH 2 基から選択される、項目1〜5のいずれかに記載の方法。
[7]
前記フッ素含有基が、2価のフルオロアルキル基、フルオロアルケニル基、ポリ(フルオロアルキルエーテル)基、アルキル基、アルケニル基の集合から生じる、項目1〜6のいずれかに記載の方法。
[8]
M1の数平均分子量が、2000g/mol以上であるか、好ましくは3000g/mol〜6000g/molの範囲内であるか、より好ましくは4000g/mol〜5000g/molに含まれる、項目1〜7のいずれかに記載の方法。
[9]
M1が、次式:
で示される化合物が採用される、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。
[10]
M1が、一般式(A)又は一般式(B)及び(C):
F−(CF 2 ) q −(OC 3 F 6 ) m −(OC 2 F 4 ) n −(OCF 2 ) o −(CH 2 ) p −X(CH 2 ) r −Si(X’) 3-a (R1) a (A)
F−(CF 2 ) q −(OC 3 F 6 ) m −(OC 2 F 4 ) n −(OCF 2 ) o (CH 2 ) p X(CH 2 ) r (X’) 2-a (R1) a SiO(F−(CF 2 ) q −(OC 3 F 6 ) m −(OC 2 F 4 ) n −(OCF 2 ) o (CH 2 ) p X(CH 2 ) r (X’) 1-a (R1) a SiO) z F−(CF 2 ) q −(OC 3 F 6 ) m −(OC 2 F 4 ) n −(OCF 2 ) o (CH 2 ) p X(CH 2 ) r (X’) 2-a (R1) a Si (B)
F−(CF 2 ) q −(OC 3 F 6 ) m −(OC 2 F 4 ) n −(OCF 2 ) o −(CH 2 ) p −X(CH 2 ) r −(CH 2 ) t −Si(X’) 3-a (R1) a :(C)
(式中、qは、1〜3の整数であり、m、n、及びoは、独立して、0〜200の整数であり、pは、1又は2であり、Xは、O又は2価有機基であり、rは、2〜20の整数であり、tは、1〜10の整数であり、R1は、C1〜22線状又は分岐状炭化水素基であり、aは、0〜2の整数であり、X’は、加水分解性基、−OH基、又はNH 2 基であり、且つzは、aが0又は1のとき0〜10の整数である)
で示される化合物から選択される、項目1〜7のいずれかに記載の方法。
[11]
M2の数平均分子量が800g/mol以下である、項目1〜10のいずれかに記載の方法。
[12]
M2が、式:
[H−(OCH 2 −CH 2 ) a −(OCH 2 −CH 2 −CH 2 ) a’ −(OCF 2 −CF 2 ) a’’ −(OCF 2 −CF 2 −CF 2 ) a’’’ −(OCHF−CHF) a’’’’ −(OCHF−CHF−CHF) a’’’’’ ] w X−(CH 2 ) b −(CF 2 ) b’ −Si(R) 3 (D)
(式中、a、a’、a’’、a’’’、a’’’’、a’’’’’は、0〜2の整数であり、a+a’+a’’+a’’’+a’’’’+a’’’’’は、少なくとも1であり、Xは、O又はN又はNHであり、b及びb’は、0〜10の整数であり、且つb+b’は、1未満にはなりえず、Rは、以上に定義されたような加水分解性基であるか又はOH若しくはNH 2 であり、以上の式に現れる下付き文字a、a’、a’’、a’’’、a’’’’、a’’’’’、b、及びb’により括弧でくくられた繰返し単位の順序は、示されたものに限定されるものではなく、w=1又は2(Xの価数に依存する))
並びに
F−(CF 2 ) c −(CH 2 ) d −(CF 2 ) e −(CH 2 ) f −Si(R) 3 (E)
及び
H−(CH 2 ) g −(CF 2 ) h −(CH 2 ) i −(CF 2 ) j −Si(R) 3 (F)
(式中、各c、d、e、f、g、h、l、jは、0〜10の整数であり、c、d、e、及びfの少なくとも1つは、0とは異なり、g、h、i、及びjの少なくとも1つは、0とは異なり、且つRは、以上に定義されたような加水分解性基であるか又はOH若しくはNH 2 である)
に対応する非フッ素化又はフッ素化シランの中から選択される、項目1〜11のいずれかに記載の方法。
[13]
M1堆積物が、100nm未満、好ましくは30nm未満、より好ましくは1〜10nmの範囲内の厚さを有する、項目1〜12のいずれかに記載の方法。
[14]
M1+M2堆積物が20nm未満の厚さを有する、項目1〜13のいずれかに記載の方法。
[15]
M3及び/又はM4が堆積された光学物品の表面上に接着剤プリフォームフィルムを適用する工程を含む、項目1〜14のいずれかに記載の方法。
[16]
前記プリフォームフィルムが感圧接着剤フィルムである、項目15に記載の方法。
[17]
前記プリフォームフィルムがセルローストリアセテートを含む、項目16に記載の方法。
[18]
以下の工程、即ち、
1)項目1〜17のいずれかに記載の方法に従ってトリミングするのに適した光学物品を製造する工程と、
2)前記光学物品をエーコンエレメントにより保持する工程と、
3)前記光学物品をトリミングする工程と、
4)前記光学物品から前記エーコンエレメントを除去する工程と、
5)こうしてトリミングされた光学物品を回収する工程と、
6)存在するならばプリフォームフィルム、M3、及び任意選択のM4層を除去する工程と、
を含むことを特徴とする、疎水表面及び/又は撥油表面の性質を有するトリミングされた光学物品の取得方法。
[19]
項目1〜17のいずれかに記載の方法により取得可能な光学物品。
[20]
少なくとも15mJ/m 2 に等しい表面エネルギーを有する、項目19に記載の光学物品。
[21]
項目18に記載の方法により取得可能な光学物品。
[22]
14ミリジュール/m 2 以下、好ましくは12ミリジュール/m 2 以下の表面エネルギーを有する、項目21に記載の光学物品。
Claims (22)
- 以下の工程、即ち、
2つの主要面を有し且つその面の少なくとも1つ上に−OH官能基を有する基材を提供する工程と、
前記基材の表面上に材料の堆積物を生じる条件下の真空チャンバー内で、−OH官能基を有する前記基材の1つの面を、M1、M2、M3と称される少なくとも3つの個別の材料及び任意選択で材料M4に、この順序で逐次暴露する工程と、
を含む光学物品の製造方法であって、
M1が、
置換シランのSi原子に直接結合された少なくとも1個の官能基X1であって、Si−X1基が前記基材のOH基との共有結合を形成可能であり、X1が、ケイ素原子に直接結合された加水分解性基又はOH基である、官能基X1と、
少なくとも1個のフッ素含有基と、
を含む置換シランであり、
M2が、
置換シランのケイ素原子に直接結合された少なくとも1個の官能基X2であって、Si−X2基が前記基材の−OH基との共有結合及び/又はM1との共有結合を形成可能であり、X2が、加水分解性基又はOH基である、官能基X2と、
少なくとも1個の疎水基若しくは疎油基、又は少なくとも1個の親水基と、
を含む900g/mol以下の数平均分子量の置換シランであり、
M1が、M2よりも大きい重量平均分子量を有し、M1とM2との重量平均分子量の差が、600g/mol以上であり、
M3が金属フッ化物であり、
M4が非フッ素化金属酸化物又は非フッ素化金属水酸化物である、
光学物品の製造方法。 - 材料M4を堆積させることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記基材が、反射防止光学層を含む透明材料である、請求項1又は2に記載の方法。
- 堆積物の形成を伴う条件が減圧及び/又は高温の少なくとも1つを含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 層の形成を伴う条件が真空下での蒸発を含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- X1及びX2が、独立して、ハロゲン原子、−NH−アルキル基、ジアルキルアミノ基、アルコキシ基、アシルオキシ基、イソシアネート基、−OH基、及びNH2基から選択される、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記フッ素含有基が、2価のフルオロアルキル基、フルオロアルケニル基、ポリ(フルオロアルキルエーテル)基、アルキル基、アルケニル基の集合から生じる、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- M1の数平均分子量が、2000g/mol以上である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
- M1が、次式:
を有する化合物である、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。 - M1が、一般式(A)又は一般式(B)及び(C):
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−(CH2)p−X(CH2)r−Si(X’)3-a(R1)a (A)
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o(CH2)pX(CH2)r(X’)2-a(R1)aSiO(F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o(CH2)pX(CH2)r(X’)1-a(R1)aSiO)zF−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o(CH2)pX(CH2)r(X’)2-a(R1)aSi (B)
F−(CF2)q−(OC3F6)m−(OC2F4)n−(OCF2)o−(CH2)p−X(CH2)r−(CH2)t−Si(X’)3-a(R1)a :(C)
(式中、qは、1〜3の整数であり、m、n、及びoは、独立して、0〜200の整数であり、pは、1又は2であり、Xは、O又は2価有機基であり、rは、2〜20の整数であり、tは、1〜10の整数であり、R1は、C1〜22線状又は分岐状炭化水素基であり、aは、0〜2の整数であり、X’は、加水分解性基、又は−OH基であり、且つzは、aが0又は1のとき0〜10の整数である)
で示される化合物から選択される、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。 - M2の数平均分子量が800g/mol以下である、請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法。
- M2が、式:
[H−(OCH2−CH2)a−(OCH2−CH2−CH2)a’−(OCF2−CF2)a’’−(OCF2−CF2−CF2)a’’’−(OCHF−CHF)a’’’’−(OCHF−CHF−CHF)a’’’’’]wX−(CH2)b−(CF2)b’−Si(R)3 (D)
(式中、a、a’、a’’、a’’’、a’’’’、a’’’’’は、0〜2の整数であり、a+a’+a’’+a’’’+a’’’’+a’’’’’は、少なくとも1であり、Xは、O又はN又はNHであり、b及びb’は、0〜10の整数であり、且つb+b’は、1未満にはなりえず、Rは、加水分解性基であるか又はOHであり、以上の式に現れる下付き文字a、a’、a’’、a’’’、a’’’’、a’’’’’、b、及びb’により括弧でくくられた繰返し単位の順序は、示されたものに限定されるものではなく、w=1又は2(Xの価数に依存する))
並びに
F−(CF2)c−(CH2)d−(CF2)e−(CH2)f−Si(R)3 (E)
及び
H−(CH2)g−(CF2)h−(CH2)i−(CF2)j−Si(R)3 (F)
(式中、各c、d、e、f、g、h、l、jは、0〜10の整数であり、c、d、e、及びfの少なくとも1つは、0とは異なり、g、h、i、及びjの少なくとも1つは、0とは異なり、且つRは、加水分解性基であるか又はOHである)
に対応する非フッ素化又はフッ素化シランの中から選択される、請求項1〜11のいずれか一項に記載の方法。 - M1堆積物が、100nm未満の厚さを有する、請求項1〜12のいずれか一項に記載の方法。
- M1+M2堆積物が20nm未満の厚さを有する、請求項1〜13のいずれか一項に記載の方法。
- M3、又はM3及びM4が堆積された光学物品の表面上に接着剤プリフォームフィルムを適用する工程を含む、請求項1〜14のいずれか一項に記載の方法。
- 前記接着剤プリフォームフィルムが感圧接着剤フィルムである、請求項15に記載の方法。
- 前記M1の数平均分子量が3000g/mol〜6000g/molの範囲内である、請求項1〜16のいずれか一項に記載の方法。
- 以下の工程、即ち、
1)請求項1〜17のいずれか一項に記載の方法に従ってトリミングするのに適した光学物品を製造する工程と、
1a)任意選択で、M3、又はM3及びM4が堆積された光学物品の表面上に接着剤プリフォームフィルムを適用する工程と、
2)前記光学物品をエーコンエレメントにより保持する工程と、
3)前記光学物品をトリミングする工程と、
4)前記光学物品から前記エーコンエレメントを除去する工程と、
5)こうしてトリミングされた光学物品を回収する工程と、
6)存在するならば接着剤プリフォームフィルム、M3層、及び存在するならばM4層を除去する工程と、
を含むことを特徴とする、疎水表面及び/又は撥油表面の性質を有するトリミングされた光学物品の取得方法。 - 請求項1〜17のいずれか一項に記載の方法により取得可能な光学物品。
- 少なくとも15mJ/m2に等しい表面エネルギーを有する、請求項19に記載の光学物品。
- 請求項18に記載の方法により取得可能な光学物品。
- 14ミリジュール/m2以下の表面エネルギーを有する、請求項21に記載の光学物品。
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