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JP6357371B2 - リードフレーム、半導体装置及びリードフレームの製造方法 - Google Patents

リードフレーム、半導体装置及びリードフレームの製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、リードフレーム、半導体装置及びリードフレームの製造方法に関するものである。
近年、電子機器の小型化、高密度化に対応するために、半導体部品の高密度化、高機能化が要求され、半導体装置（半導体パッケージ）の小型化、軽量化が急速に進んでいる。このような流れの中で、ＱＦＮパッケージ（Quad Flat Non-leaded Package）やＳＯＮパッケージ（Small Outline Non-leaded Package）などのリードが外側に延伸していないリードレスタイプの半導体装置（リードレスパッケージ）が実用化されている（例えば、特許文献１，２参照）。
図２２は、リードレスタイプの半導体装置９０の一例を示す断面図である。
半導体装置９０では、ダイパッド９１上に半導体素子９２が搭載され、半導体素子９２とリード９３とが金属ワイヤ９４により電気的に接続されている。リード９３は、表面（半導体素子９２と電気的に接続される面）の幅が裏面（マザーボード等と接続される面）よりも長い階段形状に形成されている。換言すると、リード９３の先端部９３Ａは薄化されている。そして、半導体装置９０では、半導体素子９２及び金属ワイヤ９４が封止樹脂９５により封止されるとともに、リード９３の先端部９３Ａまで封止樹脂９５により封止されている。これにより、封止樹脂９５がリード９３の先端部９３Ａに食い込むようにしてリード９３とダイパッド９１との間に埋め込まれるため、いわゆるアンカー効果によりリード９３が封止樹脂９５から抜けることを抑制できる。このように、リード９３の先端部９３Ａは、薄化によって、封止樹脂９５内に食い込んで抜けにくいアンカー形状に形成されている。
なお、半導体装置９０では、封止樹脂９５から露出されたリード９３の裏面が外部接続端子として機能する。
特開２００３−３０９２４１号公報 特開２００３−３０９２４２号公報
ところで、上述したリード９３のアンカー形状は、例えば、ウェットエッチング（ハーフエッチング）により金属板を薄化して形成される。しかし、ウェットエッチングにより金属板を加工する方法は、製造コストが高く、且つ加工スピードが遅いという問題がある。このため、低コストで、且つ加工スピードが速い、金型を用いたプレス加工によるアンカー形状の形成が望まれている。しかしながら、プレス加工を用いて、例えばリード９３の先端に潰し部（アンカー形状）を形成すると、リード９３に大きな応力がかかるため、リード９３が変形しやすいという別の問題が生じる。
本発明の一観点によれば、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に設けられた複数のリードと、前記ダイパッドを支持するフレーム部と、を有し、前記リードは、前記ダイパッド側に先端部を有するインナーリードと、前記先端部とは反対側の前記インナーリードの第１端部と繋がる屈曲部と、前記第１端部から前記屈曲部を介して下側に屈曲され、上面が前記インナーリードの下面と対向し且つ平行となるように形成された外部接続端子と、を有し、前記外部接続端子の上面は、前記インナーリードの下面に面接触しており、前記インナーリードと前記屈曲部と前記外部接続端子とは一体に形成されており、前記インナーリードは、前記フレーム部から前記ダイパッドに向かって櫛歯状に延在して形成されており、前記外部接続端子の上面は、前記インナーリードの下面と前記フレーム部の下面と重なるように形成されている。
本発明の一観点によれば、リードの変形を抑制しつつ、リードにアンカー形状を簡易に形成することができるという効果を奏する。
第１実施形態のリードフレームを示す概略平面図。図２に示すリードフレームを下方から視た平面図である。 第１実施形態のリードフレームを示す概略断面図（図１における２−２断面図）。 第１実施形態の半導体装置を示す概略断面図。 第１実施形態のリードフレームの製造方法を示す概略平面図。 （ａ）は、第１実施形態のリードフレームの製造方法を示す概略平面図、（ｂ）は、第１実施形態のリードフレームの製造方法を示す概略断面図（図５（ａ）における５ｂ−５ｂ断面図）。 （ａ）は、第１実施形態のリードフレームの製造方法を示す概略平面図、（ｂ）は、第１実施形態のリードフレームの製造方法を示す概略断面図（図６（ａ）における６ｂ−６ｂ断面図）。（ａ）は、図６（ｂ）に示す構造体を下方から視た平面図である。 （ａ），（ｂ）は、第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す概略断面図。 （ａ），（ｂ）は、変形例の半導体装置を示す概略断面図。 （ａ）は、変形例のリードフレームの一部を拡大した拡大平面図、（ｂ）は、変形例の半導体装置の一部を拡大した拡大断面図（図９（ａ）における９ｂ−９ｂ断面図）。 第２実施形態の半導体装置を示す概略平面図。図１１に示す半導体装置を上方から視た平面図である。 第２実施形態の半導体装置を示す概略断面図。 （ａ）は、第２実施形態のリードフレームの製造方法を示す概略平面図、（ｂ）は、第２実施形態のリードフレームの製造方法を示す概略断面図（図１２（ａ）における１２ｂ−１２ｂ断面図）、（ｃ）は、第２実施形態のリードフレームの製造方法を示す概略断面図。 変形例の半導体装置を示す概略断面図。 第３実施形態の半導体装置を示す概略平面図。図１５に示す半導体装置を下方から視た平面図である。 第３実施形態の半導体装置を示す概略断面図（図１４における１５−１５断面図）。 （ａ）は、第３実施形態のリードフレームの製造方法を示す概略平面図、（ｂ）は、第３実施形態のリードフレームの製造方法を示す概略断面図（図１６（ａ）における１６ｂ−１６ｂ断面図）、（ｃ）は、第３実施形態のリードフレームの製造方法を示す概略断面図。 （ａ）〜（ｃ）は、変形例のリードフレームの製造方法を示す概略平面図。 （ａ）〜（ｃ）は、変形例のリードフレームの製造方法を示す概略平面図。 （ａ），（ｂ）は、変形例のリードフレームの製造方法を示す概略平面図、（ｃ）は、変形例の半導体装置を示す概略平面図。 （ａ）は、変形例のリードを示す概略平面図、（ｂ）は、変形例のリードを示す概略断面図。 変形例のリードフレームを示す概略平面図。 従来の半導体装置を示す概略断面図。
以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを梨地模様に代えて示し、一部の部材のハッチングを省略している。
（第１実施形態）
以下、図１〜図７に従って第１実施形態を説明する。
図１に示すリードフレーム２０は、ＱＦＮパッケージの基板として用いられるリードフレームである。
リードフレーム２０は、ダムバー２１と、サポートバー２２と、ダイパッド２３と、リード２４とを有している。これらダムバー２１、サポートバー２２、ダイパッド２３及びリード２４の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）、Ｃｕをベースにした合金、鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）又はＦｅ−Ｎｉをベースにした合金を用いることができる。
ダムバー２１は、例えば、平面視略矩形状であって、且つ枠状に形成されている。ダムバー２１によって囲まれた領域の中央部には、半導体素子４１（図３参照）が搭載されるダイパッド２３が配置されている。ダイパッド２３は、ダムバー２１の四隅から延在する４本のサポートバー２２によって支持されている。すなわち、ダイパッド２３は、ダムバー２１及びサポートバー２２からなるフレーム部によって支持されている。なお、ダイパッド２３は、平面視略矩形状に形成されている。
複数のリード２４は、ダイパッド２３の周囲を囲むように設けられている。複数のリード２４は、ダイパッド２３から離間して設けられている。例えば、複数のリード２４は、ダムバー２１からダイパッド２３に向かって櫛歯状に延在して形成されている。
図２に示すように、リード２４は、ダイパッド２３に搭載される半導体素子４１（図３参照）の電極端子と電気的に接続されるインナーリード３０と、マザーボード等の実装用基板の配線と電気的に接続される外部接続端子３５とを有している。また、リード２４は、一方の端部がインナーリード３０に繋がり、他方の端部が外部接続端子３５と繋がる屈曲部３６を有している。これらインナーリード３０と外部接続端子３５と屈曲部３６とは一体に形成されている。
図１に示すように、インナーリード３０は、例えば平面視略Ｔ字状に形成されている。インナーリード３０は、ダムバー２１の一部と、そのダムバー２１からダイパッド２３に向かって延在する延出部３１と、ダイパッド２３側の先端に設けられ、延出部３１よりも幅広に形成された先端部３２とを有している。具体的には、先端部３２は、延出部３１の先端からダイパッド２３に向かって延在された中央部３２Ａと、その中央部３２Ａから当該インナーリード３０の幅方向（短手方向）に向かって突出して形成された突出部３２Ｂとを有している。
図２に示すように、インナーリード３０は、先端部３２とは反対側の第１端部が屈曲部３６と繋がっている。なお、本例のリードフレーム２０では、ダムバー２１の一部がインナーリード３０として機能する。例えば、本例のインナーリード３０の第１端部は、ダムバー２１の端部である。
屈曲部３６は、リード２４の一部を略１８０度屈曲させる（折り曲げる）ように形成されている。例えば、屈曲部３６は、断面視略Ｕ字状に形成されている。すなわち、本例の屈曲部３６の外面は曲面となっている。
外部接続端子３５は、その上面がインナーリード３０の下面と対向し且つ平行となるように形成されている。例えば、外部接続端子３５の上面は、インナーリード３０の下面に重なるように形成されている。外部接続端子３５の上面は、例えば、インナーリード３０の下面に面接触している。具体的には、外部接続端子３５の上面は、インナーリード３０の第１端部からインナーリード３０（延出部３１）の長手方向の中途部分までと重なるよう面接触されている。換言すると、外部接続端子３５は、インナーリード３０（延出部３１）よりも長手方向の長さが短く設定されている。このため、インナーリード３０の下面の一部は、外部接続端子３５から露出されている。例えば、インナーリード３０の下面のうち少なくとも先端部３２の下面は、外部接続端子３５から露出されている。
このように、外部接続端子３５は、インナーリード３０の先端部３２と反対側の第１端部から下側に折り曲げられ（折り返され）、上面がインナーリード３０の下面に重なるように形成されている。このため、外部接続端子３５の厚さは、インナーリード３０と同じ厚さに設定されている。また、外部接続端子３５の短手方向の長さは、延出部３１の短手方向の長さと同じ長さに設定されている。インナーリード３０及び外部接続端子３５の厚さは、例えば、０．１〜０．２ｍｍ程度とすることができる。インナーリード３０及び外部接続端子３５の短手方向の長さ（幅）は、例えば、０．１ｍｍ程度とすることができる。インナーリード３０の長手方向の長さは、例えば、１．０ｍｍ程度とすることができる。外部接続端子３５の長手方向の長さは、例えば、０．４ｍｍ程度とすることができる。
ダイパッド２３は、例えば、断面視略矩形状に形成されている。ダイパッド２３は、例えば、インナーリード３０と略同一平面上に形成されている。このため、ダイパッド２３は、外部接続端子３５よりも高い位置に形成されている。
図１に示すように、リードフレーム２０には、ダムバー２１、サポートバー２２、ダイパッド２３及びリード２４を画定する開口部２０Ｘが形成されている。この開口部２０Ｘは、リードフレーム２０を厚さ方向に貫通して形成されている。なお、図１では、折り曲げにより２重に重ね合わされたリード２４の領域を斜線で示している。
次に、図３に従って、半導体装置４０について説明する。
半導体装置４０は、ＱＦＮタイプの半導体装置である。すなわち、半導体装置４０は、リードフレーム２０を用いて作製されたＱＦＮのパッケージ構造を有している。
リードフレーム２０のダイパッド２３上には、半導体素子４１が搭載されている。半導体素子４１の電極端子は、金属ワイヤ４２を介してインナーリード３０に接続されている。
封止樹脂４３は、半導体素子４１及び金属ワイヤ４２を封止するように、インナーリード３０上及びダイパッド２３上に形成されている。封止樹脂４３は、リードフレーム２０の開口部２０Ｘを充填するように形成されている。封止樹脂４３は、インナーリード３０の側面と、外部接続端子３５から露出されたインナーリード３０の下面と、外部接続端子３５の側面とを被覆するように形成されている。すなわち、封止樹脂４３は、インナーリード３０の先端部３２の全面を被覆するように形成されている。このため、先端部３２は、封止樹脂４３に食い込むように形成されている。換言すると、インナーリード３０の先端部３２を露出させるように外部接続端子３５が下側に折曲形成されることで、先端部３２は、封止樹脂４３内に食い込んで抜けにくいアンカー形状に形成される。
この半導体装置４０では、外部接続端子３５の下面が封止樹脂４３から露出されている。封止樹脂４３から露出された外部接続端子３５の下面には、マザーボード等の実装用基板の配線がはんだ等を介して電気的に接続される。例えば、封止樹脂４３の下面は、外部接続端子３５の下面と略面一に形成されている。また、リード２４の屈曲部３６は、例えば、封止樹脂４３から露出されている。
ここで、半導体素子４１は、例えば、ＩＣチップやＬＳＩチップなどである。また、金属ワイヤ４２としては、例えば、金（Ａｕ）やアルミニウム（Ａｌ）などの細線を用いることができる。封止樹脂４３の材料としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂や塩化ビニル樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
なお、図示は省略するが、隣接するリード２４間に設けられたダムバー２１は任意の箇所で分断されており、複数のリード２４は互いに電気的に独立している。
次に、リードフレーム２０の製造方法について説明する。
まず、図４に示す金属板５０を準備する。金属板５０は、例えば、平面視略矩形状に形成されている。金属板５０は、複数の個別領域Ａ１がマトリクス状（ここでは、３×５）に設けられている。隣接する個別領域Ａ１は、所定の間隔を介して配列されている。ここで、個別領域Ａ１は、リードフレーム２０が形成され、半導体素子４１が搭載されて最終的に破線に沿って切断されて個片化され、各々個別の半導体装置４０となる領域である。金属板５０としては、例えば、Ｃｕ、Ｃｕをベースにした合金、Ｆｅ−Ｎｉ又はＦｅ−Ｎｉをベースにした合金等の金属板を用いることができる。金属板５０の厚さは、例えば、０．２ｍｍ程度とすることができる。
なお、図４に示した例では、金属板５０が１５個の個別領域Ａ１を有するが、個別領域Ａ１の数は特に制限されない。以下では、説明の簡略化のために、１つの個別領域Ａ１に着目して説明を行う。
図５に示す工程では、金属板５０の各個別領域Ａ１に、ダムバー２１とサポートバー２２（図５（ａ）のみに図示）とダイパッド２３とインナーリード３０とを画定する開口部２０Ｘを形成する。このとき、ダムバー２１及びサポートバー２２は、隣接する個別領域Ａ１間に形成された外フレーム５１に連結されている。また、図５に示す工程では、金属板５０の各個別領域Ａ１に、インナーリード３０の第１端部からダイパッド２３とは反対方向に連続して延在する延出部３３を画定する開口部２０Ｙを形成する。このとき、図５（ｂ）に示すように、インナーリード３０と延出部３３とは一体に形成され、且つ同一平面上に水平に形成されている。これら開口部２０Ｘ，２０Ｙは、例えば、金属板５０の所定部をプレス加工により打ち抜くことにより形成することができる。また、開口部２０Ｘ，２０Ｙは、例えば、エッチング加工により形成することもできる。
続いて、図５（ｂ）に矢印で示した方向（下方向）に延出部３３を略１８０度折り曲げ、つまり延出部３３の下面がインナーリード３０の下面に重なるように折り曲げる。これにより、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、折り曲げられた後の延出部３３のうちインナーリード３０の下面と重ね合わされた部分が外部接続端子３５となる。すなわち、本工程では、延出部３３に対して折り曲げ加工を施すことにより、外部接続端子３５が形成され、さらにインナーリード３０と外部接続端子３５と屈曲部３６とからなるリード２４が形成される。なお、折り曲げ加工は、例えば、金型を用いたプレス加工により実施することができる。
以上の製造工程により、各個別領域Ａ１にリードフレーム２０を製造することができる。
次に、半導体装置４０の製造方法について説明する。
まず、図７（ａ）に示す工程では、各リードフレーム２０のダイパッド２３上に半導体素子４１を搭載する。その後、各半導体素子４１の電極端子とインナーリード３０とを金属ワイヤ４２により電気的に接続する。これにより、各リードフレーム２０に半導体素子４１が実装されたことになる。なお、半導体素子４１をダイパッド２３上に搭載する前に、リードフレーム２０の表面（例えば、ダイパッド２３の表面及びリード２４の表面）にめっき処理を施してめっき層を形成するようにしてもよい。めっき処理としては、例えば、順にＮｉめっき、Ａｕめっきを施すめっき処理や、Ａｇめっきを施すめっき処理が挙げられるが、これに限定されない。
続いて、図７（ｂ）に示す工程では、半導体素子４１及び金属ワイヤ４２等を封止する封止樹脂４３を形成する。この封止樹脂４３は、インナーリード３０、外部接続端子３５及びダイパッド２３の側面を被覆するとともに、外部接続端子３５から露出されたインナーリード３０の下面を被覆するように形成される。これにより、インナーリード３０の先端部３２全面が封止樹脂４３により被覆され、先端部３２が封止樹脂４３に食い込むように埋め込まれる。なお、封止樹脂４３の形成は、特に図示はしないが、例えば、モールディング金型（１組の上型及び下型）の下型の上に図７（ａ）に示した構造体を載せ、上方から上型で挟み込むようにして、モールドゲート部（図示略）から対応する個別領域Ａ１に絶縁性樹脂を注入しながら加熱及び加圧することにより行われる。この封止樹脂４３としては、例えば、トランスファーモールド法、コンプレッションモールド法やインジェクションモールド法などにより形成されたモールド樹脂を用いることができる。
その後、例えばプレス加工等により、ダムバー２１の任意の箇所を切断し、各リード２４を電気的に独立した状態にする。以上説明した製造工程により、各個別領域Ａ１に半導体装置４０を製造することができる。そして、ダイシングソー等により、金属板５０を個別領域Ａ１毎に切断し、個別の半導体装置４０に個片化する。これにより、個別の半導体装置４０を複数個製造することができる。
以上説明した本実施形態によれば、以下の作用効果を奏することができる。
（１）リード２４の一部を折り曲げることにより、リード２４にアンカー形状を形成するようにした。これにより、簡易な折り曲げ加工によってリード２４にアンカー形状を形成できるため、ウェットエッチングによりアンカー形状を形成する場合に比べて、加工時間が短く、且つ低コストでアンカー形状を形成することができる。また、プレス加工を用いてリード２４に潰し部を形成する場合に比べて、延出部３３を折り曲げる際にリード２４にかかる応力が小さくなるため、リード２４の変形を好適に抑制することができる。
（２）インナーリード３０と一体に、且つ水平に形成された延出部３３を下側に略１８０度折り曲げることにより、インナーリード３０と重なる外部接続端子３５を形成するようにした。このため、外部接続端子３５から露出されたインナーリード３０（アンカー形状）の厚さは金属板５０と同じ厚さとなり、外部接続端子３５とインナーリード３０とが重なった部分の厚さは金属板５０の厚さの略２倍の厚さとなる。したがって、リード２４のアンカー形状及びそれ以外の部分における厚さ寸法を精度良く管理することができる。
（３）また、外部接続端子３５の厚さは金属板５０と同じ厚さとなる。このため、アンカー形状と外部接続端子３５とによって形成された段差部における厚さ（深さ）のばらつきを小さくすることができる。
（４）さらに、インナーリード３０の上面では金属板５０の上面における平坦性を維持することができるとともに、外部接続端子３５の下面では金属板５０の上面における平坦性を維持することができる。
（５）インナーリード３０の下面に外部接続端子３５の上面を重ねるようにした。このため、インナーリード３０と外部接続端子３５とが重なった部分のリード２４の厚さは金属板５０の厚さの略２倍の厚さとなる。これにより、リード２４における熱伝導性及び放熱性を向上させることができる。
（６）屈曲部３６を封止樹脂４３から露出させるようにした。これにより、外部接続端子３５及び屈曲部３６の下面にはんだが接合されたか否かを容易に確認することができる。
なお、上記第１実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・図８（ａ）に示すように、ダイパッド２３をインナーリード３０よりも低い位置に形成するようにしてもよい。例えば、ダイパッド２３を外部接続端子３５と略同一平面上に形成するようにしてもよい。この場合には、ダイパッド２３の下面は封止樹脂４３から露出される。また、ダイパッド２３をインナーリード３０よりも低い位置に形成することにより、ダイパッド２３上に搭載された半導体素子４１の上面とインナーリード３０の上面との間の距離を短くすることができる。これにより、半導体素子４１とインナーリード３０とを金属ワイヤ４２で接続する際のワイヤボンディング性を高めることができる。なお、図８（ｂ）に示すように、ダイパッド２３の厚さ方向の位置は、ダイパッド２３を支持するサポートバー２２の一部分（例えば、中途部分）を折り曲げて屈曲部２２Ａを形成することにより調整することができる。
・図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、長手方向の長さが比較的長い（例えば、１．５〜２．０ｍｍ程度）リード２４Ａを有するリードフレーム２０Ａにおいて、リード２４Ａの一部を折り曲げて外部接続端子３５を形成するようにしてもよい。図９（ａ）に示すように、リード２４Ａのインナーリード３０Ａは、例えば、平面視において一部が屈曲され、平面視略くの字状に形成されている。
ところで、リード２４Ａが長い場合には、プレス加工を用いてリード２４Ａの先端に潰し部を形成すると、リード２４Ａにねじれ等の変形が生じやすい。すなわち、リード２４Ａが長い場合には、プレス加工を用いて潰し部を形成する場合の問題が顕著に現われる。これに対し、本変形例のように、リード２４Ａの一部を折り曲げて外部接続端子３５を形成するとともに、インナーリード３０Ａの先端部をアンカー形状に形成することにより、上記問題の発生を効果的に抑制することができる。さらに、この場合であっても、図９（ｂ）に示すように、リードフレーム２０Ａを用いて形成された半導体装置４０Ａでは、外部接続端子３５から露出するインナーリード３０Ａの先端部全面が封止樹脂４３に被覆され、その先端部が封止樹脂４３内に食い込むように埋め込まれる。このため、本変形例においても、上記第１実施形態の（１）〜（６）の効果と同様の効果を奏することができる。
・上記第１実施形態では、インナーリード３０の先端部３２を、それ以外の部分よりも幅広に形成するようにした。すなわち、インナーリード３０の先端部３２に突出部３２Ｂを設けるようにした。これに限らず、例えば図９（ａ）に示すように、インナーリード３０Ａ（又は、インナーリード３０）の先端部を、突出部３２Ｂを省略した形状としてもよい。
（第２実施形態）
以下、図１０〜図１２に従って第２実施形態を説明する。この実施形態の半導体装置４０Ｂは、リードフレーム２０Ｂの構造が第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。先の図１〜図９に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
図１０及び図１１に示す半導体装置４０Ｂは、ＱＦＮタイプの半導体装置である。この半導体装置４０Ｂは、リードフレーム２０Ｂを有している。図１０に示すように、リードフレーム２０Ｂは、サポートバー２２（フレーム部）と、ダイパッド２３と、リード２６とを有している。これらサポートバー２２、ダイパッド２３及びリード２６の材料としては、例えば、Ｃｕ、Ｃｕをベースにした合金、Ｆｅ−Ｎｉ又はＦｅ−Ｎｉをベースにした合金を用いることができる。
リード２６は、ダイパッド２３の周囲を囲むように設けられている。複数のリード２６は、ダイパッド２３から離間して設けられている。複数のリード２６は、半導体装置４０Ｂの外面からダイパッド２３に向かって櫛歯状に延在して設けられている。
図１１に示すように、リード２６は、ダイパッド２３に搭載される半導体素子４１の電極端子と金属ワイヤ４２を介して電気的に接続されるインナーリード６０と、マザーボード等の実装用基板の配線に電気的に接続される外部接続端子６５とを有している。また、リード２６は、一方の端部がインナーリード６０に繋がり、他方の端部が外部接続端子６５と繋がる屈曲部６６を有している。これらインナーリード６０と外部接続端子６５と屈曲部６６とは一体に形成されている。
外部接続端子６５は、例えば、平面視略矩形状に形成されている。外部接続端子６５は、ダイパッド２３側に位置する端部が屈曲部６６と繋がっている。屈曲部６６は、リード２６の一部を略１８０度屈曲させる（折り曲げる）ように形成されている。例えば、屈曲部６６は、断面視略Ｕ字状に形成されている。すなわち、本例の屈曲部６６の外面は曲面となっている。
図１０に示すように、インナーリード６０は、外部接続端子６５よりも幅広に形成された幅広部６２を有している。幅広部６２は、中央部６２Ａと、その中央部６２Ａから、当該インナーリード６０と対向するダイパッド２３の辺に平行する方向に向かって突出して形成された突出部６２Ｂとを有している。
図１１に示すように、インナーリード６０は、その下面が外部接続端子６５の上面と対向し且つ平行となるように形成されている。例えば、インナーリード６０の下面は、外部接続端子６５の上面と重なるように形成されている。具体的には、インナーリード６０は、中央部６２Ａの下面が外部接続端子６５の上面と重なるように形成されている。このため、突出部６２Ｂ（図１０参照）の下面は、外部接続端子６５から露出されている。また、インナーリード６０（中央部６２Ａ）の下面は、例えば、外部接続端子６５のダイパッド２３側の端部から外部接続端子６５の長手方向の中途部分までと重なるように面接触されている。このため、外部接続端子６５の上面の一部は、インナーリード６０から露出されている。
このように、インナーリード６０は、外部接続端子６５のダイパッド２３側の端部から上側に折り曲げられ（折り返され）、下面が外部接続端子６５の上面に重なるように形成されている。このため、外部接続端子６５の厚さは、インナーリード６０と同じ厚さに設定されている。外部接続端子６５及びインナーリード６０の厚さは、例えば、０．１〜０．２ｍｍ程度とすることができる。
ダイパッド２３は、例えば、外部接続端子６５と略同一平面上に形成されている。このため、ダイパッド２３は、インナーリード６０よりも低い位置に形成されている。このダイパッド２３上には、半導体素子４１が搭載されている。半導体素子４１の電極端子は、金属ワイヤ４２を介してインナーリード６０に接続されている。
また、図１０に示すように、リードフレーム２０Ｂには、サポートバー２２、ダイパッド２３及びリード２６を画定する開口部２０Ｚが形成されている。この開口部２０Ｚは、リードフレーム２０Ｂを厚さ方向に貫通して形成されている。なお、図１０では、折り曲げにより２重に重ね合わされたリード２６の領域を斜線で示している。
図１１に示すように、封止樹脂４３は、半導体素子４１及び金属ワイヤ４２を封止するように、リード２６上及びダイパッド２３上に形成されている。封止樹脂４３は、リード２６の上面全面（インナーリード６０の上面全面、屈曲部６６の上面全面、及びインナーリード６０から露出された外部接続端子６５の上面全面）と、外部接続端子６５の側面とを被覆するように形成されている。また、封止樹脂４３は、図１０に示した突出部６２Ｂの側面と、突出部６２Ｂの上面と、突出部６２Ｂの下面とを被覆するように形成されている。すなわち、封止樹脂４３は、インナーリード６０の突出部６２Ｂの全面を被覆するように形成されている。このため、突出部６２Ｂは、封止樹脂４３に食い込むように形成されている。換言すると、インナーリード６０の突出部６２Ｂの下面を露出させるようにインナーリード６０が上側に折曲形成されることで、突出部６２Ｂは、封止樹脂４３内に食い込んで抜けにくいアンカー形状に形成される。
この半導体装置４０Ｂでは、外部接続端子６５の下面が封止樹脂４３から露出されている。封止樹脂４３から露出された外部接続端子６５の下面には、マザーボード等の実装用基板の配線がはんだ等を介して電気的に接続される。また、半導体装置４０Ｂでは、ダイパッド２３の下面が封止樹脂４３から露出されている。例えば、外部接続端子６５の下面とダイパッド２３の下面と封止樹脂４３の下面とは略面一に形成されている。
次に、リードフレーム２０Ｂの製造方法について説明する。
図１２（ａ）に示す工程では、複数の個別領域Ａ１を有する金属板７０を準備した後、各個別領域Ａ１に、サポートバー２２とダイパッド２３とリード２６とを画定する開口部２０Ｚを形成する。このとき、サポートバー２２及びリード２６は、隣接する個別領域Ａ１間に形成された外フレーム７１に連結されている。本工程におけるリード２６は、外フレーム７１からダイパッド２３に向かって櫛歯状に延在して形成された外部接続端子６５と、外部接続端子６５の先端からダイパッド２３に向かって延在して形成され、幅広部６２を有する延出部６３とを有している。図１２（ｂ）に示すように、これら外部接続端子６５と延出部６３とは一体に形成され、且つ同一平面上に水平に形成されている。なお、本工程では、例えば、プレス加工やエッチング加工により開口部２０Ｚを形成することができる。
続いて、図１２（ｂ）に矢印で示した方向（上方向）に延出部６３を略１８０度折り曲げ、つまり延出部６３の上面が外部接続端子６５の上面に重なるように折り曲げる。このとき、図１２（ｃ）に示すように、幅広部６２の中央部６２Ａの下面が外部接続端子６５の上面に重なる。本工程により、折り曲げられた後の延出部６３のうち外部接続端子６５の上面と重ね合わされた部分がインナーリード６０となる。すなわち、本工程では、延出部６３に対して折り曲げ加工を施すことにより、インナーリード６０が形成され、さらにインナーリード６０と外部接続端子６５と屈曲部６６とからなるリード２６が形成される。なお、折り曲げ加工は、例えば、金型を用いたプレス加工により実施することができる。
以上の製造工程により、各個別領域Ａ１にリードフレーム２０Ｂを製造することができる。その後、ダイパッド２３上に半導体素子４１を搭載し、半導体素子４１とインナーリード６０とを電気的に接続した後、半導体素子４１等を封止する封止樹脂４３を形成することにより、各個別領域Ａ１に半導体装置４０Ｂを製造することができる。そして、ダイシングソー等により、金属板７０を個別領域Ａ１毎に切断し、すなわち図１２（ａ）〜図１２（ｃ）に破線で示した切断位置に沿って金属板７０を切断し、個別の半導体装置４０Ｂに個片化する。このとき、サポートバー２２及びリード２６が外フレーム７１から分離される。
以上説明した実施形態によれば、第１実施形態の（１）〜（５）の効果と同様の効果に加えて以下の効果を奏することができる。
（７）ダイパッド２３をインナーリード６０よりも低い位置に形成するようにした。これにより、ダイパッド２３上に搭載された半導体素子４１の上面とインナーリード６０の上面との間の距離を短くすることができる。これにより、半導体素子４１とインナーリード６０とを金属ワイヤ４２で接続する際のワイヤボンディング性を高めることができる。
なお、上記第２実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記第２実施形態では、リード２６のダイパッド２３側に位置する幅広部６２を上側に略１８０度折り曲げてインナーリード６０を形成するようにしたが、幅広部６２を折り曲げる方向はこれに限定されない。
例えば図１３に示すように、幅広部６２を下向きに略１８０度折り曲げて外部接続端子６５を形成するようにしてもよい。この外部接続端子６５を有するリードフレーム２０Ｃでは、インナーリード６０のうち、折り曲げられた幅広部６２（外部接続端子６５）と重なる端部とは反対側の端部６１（つまり、半導体装置４０Ｃの外面側の端部）がアンカー形状となる。すなわち、インナーリード６０の端部６１は、封止樹脂４３によって全体的に被覆され、封止樹脂４３内に食い込んで抜けにくいアンカー形状に形成される。
このような構造であっても、上記第１実施形態の（１）〜（５）の効果と同様の効果を奏することができる。
（第３実施形態）
以下、図１４〜図１６に従って第３実施形態を説明する。この実施形態の半導体装置４０Ｄは、リードフレーム２０Ｄのダイパッド２３の構造が第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。先の図１〜図９に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
図１５に示すように、ダイパッド２３は、半導体素子４１が搭載されるダイパッド部２３Ａと、そのダイパッド部２３Ａの一部と重なる重畳部２３Ｂとを有している。また、ダイパッド２３は、一方の端部がダイパッド部２３Ａに繋がり、他方の端部が重畳部２３Ｂと繋がる屈曲部２３Ｃを有している。これらダイパッド部２３Ａと重畳部２３Ｂと屈曲部２３Ｃとは一体に形成されている。
ダイパッド部２３Ａの上面には、半導体素子４１が搭載されている。屈曲部２３Ｃは、ダイパッド２３の一部を略１８０度屈曲させる（折り曲げる）ように形成されている。例えば、屈曲部２３Ｃは、断面視略Ｕ字状に形成されている。すなわち、本例の屈曲部２３Ｃの外面は曲面となっている。
重畳部２３Ｂは、その上面がダイパッド部２３Ａの下面と重なるように形成されている。詳述すると、図１４に示すように、ダイパッド部２３Ａ及び重畳部２３Ｂは、例えば、平面視略矩形状に形成されている。重畳部２３Ｂの平面形状は、ダイパッド部２３Ａの平面形状よりも小さく設定されている。そして、重畳部２３Ｂの上面は、ダイパッド部２３Ａの下面の一部と重なるように形成されている。
このように、重畳部２３Ｂは、平面視略矩形状のダイパッド部２３Ａの任意の辺（本例では、左側の辺）の一部分が下側に折り曲げられ（折り返され）、上面がダイパッド部２３Ａの下面に重なるように形成されている。なお、図１５に示すように、ダイパッド部２３Ａは、例えばインナーリード３０と同一平面上に形成され、重畳部２３Ｂは、例えば外部接続端子３５と同一平面上に形成されている。
リードフレーム２０Ｄでは、ダイパッド部２３Ａの上記任意の辺と対向して設けられたリード２４（図中左側のリード２４）とダイパッド２３との離間距離が、その他の位置に設けられたリード２４（例えば、図中右側のリード２４）とダイパッド２３との離間距離よりも長くなる。すなわち、リードフレーム２０Ｄは、ダイパッド２３を中心にして左右非対称に形成されている。
封止樹脂４３は、半導体素子４１及び金属ワイヤ４２を封止するように、ダイパッド２３上及びリード２４上に形成されている。封止樹脂４３は、重畳部２３Ｂの側面を被覆するとともに、重畳部２３Ｂから露出するダイパッド部２３Ａの全面を被覆するように形成されている。このため、重畳部２３Ｂから露出されたダイパッド部２３Ａは、封止樹脂４３に食い込むように形成されている。換言すると、ダイパッド部２３Ａの下面の一部を露出させるように重畳部２３Ｂが下側に折曲形成されることで、重畳部２３Ｂから露出されたダイパッド部２３Ａは、封止樹脂４３内に食い込んで抜けにくいアンカー形状に形成される。
この半導体装置４０Ｄでは、外部接続端子３５の下面が封止樹脂４３から露出され、ダイパッド２３の重畳部２３Ｂの下面が封止樹脂４３から露出されている。例えば、外部接続端子３５の下面と重畳部２３Ｂの下面と封止樹脂４３の下面とは略面一に形成されている。
次に、リードフレーム２０Ｄの製造方法について説明する。
図１６（ａ）に示す工程では、複数の個別領域Ａ１を有する金属板５０を準備した後、図５に示した工程と同様に、各個別領域Ａ１の金属板５０に開口部２０Ｘ，２０Ｙを形成する。このとき、開口部２０Ｘにより画定されたダイパッド２３は、ダイパッド部２３Ａと、そのダイパッド部２３Ａの任意の辺（図中左側の辺）から側方に突出された突出部２３Ｄとを有している。そして、図１６（ｂ）に示すように、ダイパッド部２３Ａと突出部２３Ｄとは一体に形成され、且つ同一平面上に水平に形成されている。
続いて、図１６（ｂ）に矢印で示した方向（下方向）に突出部２３Ｄを略１８０度折り曲げ、つまり突出部２３Ｄの下面がダイパッド部２３Ａの下面に重なるように折り曲げる。これにより、図１６（ｃ）に示すように、折り曲げられた後の突出部２３Ｄのうちダイパッド部２３Ａの下面と重ね合わされた部分が重畳部２３Ｂとなる。すなわち、本工程では、突出部２３Ｄに対して折り曲げ加工を施すことにより重畳部２３Ｂが形成される。また、本工程では、図６に示した工程と同様に、延出部３３に対して折り曲げ加工を施すことにより外部接続端子３５が形成される。なお、折り曲げ加工は、例えば、金型を用いたプレス加工により実施することができる。
以上の製造工程により、各個別領域Ａ１にリードフレーム２０Ｄを製造することができる。その後、ダイパッド部２３Ａ上に半導体素子４１を搭載し、半導体素子４１とインナーリード３０とを電気的に接続した後、半導体素子４１等を封止する封止樹脂４３を形成することにより、各個別領域Ａ１に半導体装置４０Ｄを製造することができる。
以上説明した実施形態によれば、第１実施形態の（１）〜（６）の効果に加えて以下の効果を奏することができる。
（８）ダイパッド２３の一部（突出部２３Ｄ）を下側に略１８０度折り曲げて、上面がダイパッド部２３Ａの下面に重なる重畳部２３Ｂを形成するようにした。このため、ダイパッド部２３Ａと重畳部２３Ｂとが重なった部分のダイパッド２３の厚さは金属板５０の厚さの略２倍の厚さとなる。これにより、ダイパッド２３における熱伝導性及び放熱性を向上させることができる。
（他の実施形態）
なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・図１７（ａ）に示すように、上記第１及び第３実施形態の製造途中において、隣接する延出部３３を互いに連結する連結部３４を設けるようにしてもよい。この場合には、図１７（ｂ）に示すように、複数（ここでは、３個）の延出部３３とそれらを連結する連結部３４とを一緒に下側に略１８０度折り曲げ、つまり延出部３３及び連結部３４の下面がインナーリード３０の下面に重なるように折り曲げる。このとき、連結部３４を設けたことにより、連結部３４の分だけ折り曲げる部分の面積が広くなるため、延出部３３の折り曲げを容易に行うことができる。その後、図１７（ｃ）に示す工程において、隣接する外部接続端子３５の間に形成された連結部３４を切断し、連結部３４を外部接続端子３５毎に分割する。これにより、例えば、外部接続端子３５の先端部にそれ以外の部分よりも幅広に形成された幅広部３４Ａが形成される。
・図１８（ａ）に示すように、上記第２実施形態の製造途中において、隣接する延出部６３を互いに連結する連結部６４を設けるようにしてもよい。この場合には、図１８（ｂ）に示すように、複数（ここでは、３個）の延出部６３とそれらを連結する連結部６４とを一緒に上側に略１８０度折り曲げる。このとき、連結部６４を設けたことにより、連結部６４の分だけ折り曲げる部分の面積が広くなるため、延出部６３の折り曲げを容易に行うことができる。その後、隣接する延出部６３の間に形成された連結部６４を切断し、連結部６４を延出部６３毎に分割する。これにより、図１８（ｃ）に示すように、分割後の延出部６３が幅広部６２を有するインナーリード６０となる。
・上記各実施形態及び上記各変形例を適宜組み合わせるようにしてもよい。例えば、上記第３実施形態のダイパッド２３、つまりダイパッド部２３Ａ及び重畳部２３Ｂを有するダイパッド２３を、上記第２実施形態のリードフレーム２０Ｂに適用してもよい。また、上記第１実施形態のリード２４や上記第２実施形態のリード２６といった複数種類のリードを１つのリードフレームに設けるようにしてもよい。
例えば図１９（ｂ）に示すように、２種類のリード２４，２７を１つのリードフレーム２０Ｅに設けるようにしてもよい。例えば、ダムバー２１からダイパッド２３に向かって櫛歯状に延在された複数のリードは、リード２４とリード２７とが交互に配列されている。リード２４は、上述したように、幅広に形成された先端部３２（第１先端部）を有するインナーリード３０（第１インナーリード）と、インナーリード３０の端部（第１端部）から屈曲部３６（第１屈曲部）を介して下側に折り曲げられた外部接続端子３５（第１外部接続端子）とを有している。また、リード２７は、例えば、ダイパッド２３側に幅広に形成された先端部８２（第２先端部）を有するインナーリード８０（第２インナーリード）と、先端部８２と繋がる屈曲部８６（第２屈曲部）とを有している。リード２７は、先端部８２から屈曲部８６を介して下側に屈曲され、上面がインナーリード８０の下面と重なるように形成された外部接続端子８５を有している。以下に、リード２４，２７の製造方法について簡単に説明する。
図１９（ａ）に示すように、ダムバー２１からダイパッド２３に向かって櫛歯状に延在するインナーリード３０，８０を形成する。インナーリード３０，８０は交互に配列されている。インナーリード３０は幅広に形成された先端部３２を有し、インナーリード８０は幅広に形成された先端部８２を有する。また、インナーリード８０と一体に形成され、先端部８２からダイパッド２３に向かって延在する延出部８３を形成する。これらインナーリード８０と延出部８３とは同一平面上に水平に形成される。また、インナーリード３０と一体に形成され、インナーリード３０の第１端部からダイパッド２３とは反対方向に延在する延出部３３を形成する。これらインナーリード３０と延出部３３とは同一平面上に水平に形成される。
次に、インナーリード８０よりもダイパッド２３側に形成された延出部８３を下側に略１８０度折り曲げ、つまり延出部８３の下面がインナーリード８０の下面に重なるように折り曲げる。また、ダムバー２１よりも外側に形成された延出部３３を下側に略１８０度折り曲げ、つまり延出部３３の下面がインナーリード３０の下面に重なるように折り曲げる。これらにより、図１９（ｂ）に示すように、折り曲げられた後の延出部８３のうちインナーリード８０の下面と重なった部分が外部接続端子８５となり、折り曲げられた後の延出部３３のうちインナーリード３０の下面と重なった部分が外部接続端子３５となる。すなわち、本工程では、延出部８３に対して折り曲げ加工を施すことにより、外部接続端子８５が形成され、さらにインナーリード８０と外部接続端子８５と屈曲部８６とからなるリード２７が形成される。また、延出部３３に対して折り曲げ加工を施すことにより、外部接続端子３５が形成され、さらにインナーリード３０と外部接続端子３５と屈曲部３６とからなるリード２４が形成される。
図１９（ｃ）に示すように、以上説明した２種類のリード２４，２７を有するリードフレーム２０Ｅを用いて形成される半導体装置４０Ｅでは、２種類の外部接続端子３５，８５を平面視で千鳥状に配列させることができる。これにより、半導体装置４０Ｅでは、外部接続端子３５，８５を高密度に配列することができる。
・上記各実施形態及び上記各変形例における折り曲げ加工の前に、折り曲げ箇所に溝部を形成するようにしてもよい。例えば、図２０（ａ）及び図２０（ｂ）に示すように、延出部３３の折り曲げ箇所にＶノッチ加工を施し、延出部３３に溝部３３Ｘを形成するようにしてもよい。なお、ここでは、溝部３３Ｘの断面形状をＶ字状としたが、これに限定されない。例えば、溝部３３Ｘの断面形状を、矩形状やＵ字状に形成するようにしてもよい。このような溝部３３Ｘを形成することにより、延出部３３の折り曲げを容易に行うことができる。
・上記各実施形態及び上記各変形例では、外部接続端子３５，６５，８５の上面がインナーリード３０，６０，８０の下面に重なるように（接触するように）、リード２４，２６，２７の一部を折り曲げるようにした。これに限らず、例えば、外部接続端子３５，６５，８５の上面とインナーリード３０，６０，８０の下面とが離間し、それら上面と下面との間に空間が存在していてもよい。この場合には、上記空間に封止樹脂４３が充填されてもよい。但し、この場合であっても、外部接続端子３５，６５，８５の上面がインナーリード３０，６０，８０の下面と対向し且つ略平行となるように、リード２４，２６，２７の一部を折り曲げることが好ましい。
・上記各実施形態及び上記各変形例における屈曲部３６，６６，８６を断面視略Ｕ字状に形成するようにしたが、リード２４，２６，２７を略１８０度折り曲げることが可能な形状であれば屈曲部３６，６６，８６の断面形状は特に限定されない。例えば、屈曲部３６，６６，８６を、断面視略コの字状や断面視略Ｖ字状に形成するようにしてもよい。すなわち、屈曲部３６，６６，８６の外面は曲面でなくてもよい。
・上記各実施形態及び上記各変形例では、ＱＦＮパッケージの基板として用いられるリードフレーム２０，２０Ａ〜２０Ｅ、及びＱＦＮタイプの半導体装置４０，４０Ａ〜４０Ｅに具体化した。これに限らず、例えば、ＳＯＮ等のＱＦＮ以外のリードレスパッケージの基板として用いられるリードフレーム、及びＱＦＮ以外のリードレスタイプの半導体装置に具体化してもよい。
例えば図２１に示すように、上記第３実施形態のリードフレーム２０Ｄを、ＳＯＮパッケージの基板として用いられるリードフレーム２０Ｆに変更してもよい。以下に、リードフレーム２０Ｆについて簡単に説明する。
リードフレーム２０Ｆは、ダムバー２１と、サポートバー２８と、ダイパッド２３と、リード２４とを有している。ダイパッド２３は、平面視略矩形状及び枠状に形成されたダムバー２１の対向する２つの辺（ここでは、図中左右の辺）から延在する４本のサポートバー２８によって支持されている。すなわち、ダイパッド２３は、ダムバー２１及びサポートバー２８からなるフレーム部によって支持されている。なお、ダイパッド２３は、上記第３実施形態のダイパッド２３と同様に、ダイパッド部２３Ａと重畳部２３Ｂとを有している。
リード２４は、ダムバー２１の４辺のうちサポートバー２８が配置されていない残りの２辺からダイパッド２３に向かって櫛歯状に延在するように形成されている。すなわち、リードフレーム２０Ｆでは、対向する２辺（ここでは、図中上下の辺）のみから複数のリード２４が延在している。なお、リード２４は、インナーリード３０と外部接続端子３５と屈曲部３６とを有している。
２０，２０Ａ〜２０Ｆ リードフレーム
２０Ｘ，２０Ｙ，２０Ｚ 開口部
２１ ダムバー
２２ サポートバー
２３ ダイパッド
２３Ａ ダイパッド部
２３Ｂ 重畳部
２３Ｃ 屈曲部（第３屈曲部）
２４，２４Ａ リード（第１リード）
２６ リード
２７ リード（第２リード）
３０，３０Ａ インナーリード（第１インナーリード）
３２ 先端部（第１先端部）
３３ 延出部
３５ 外部接続端子（第１外部接続端子）
３６ 屈曲部（第１屈曲部）
４０，４０Ａ〜４０Ｅ 半導体装置
４１ 半導体素子
４２ 金属ワイヤ
４３ 封止樹脂
５０，７０ 金属板
６０ インナーリード
６２ 幅広部
６３ 延出部
６５ 外部接続端子
６６ 屈曲部
８０ インナーリード（第２インナーリード）
８２ 先端部（第２先端部）
８３ 延出部
８５ 外部接続端子（第２外部接続端子）
８６ 屈曲部（第２屈曲部）

Claims (13)

  1. ダイパッドと、
    前記ダイパッドの周囲に設けられた複数のリードと、
    前記ダイパッドを支持するフレーム部と、を有し、
    前記リードは、前記ダイパッド側に先端部を有するインナーリードと、前記先端部とは反対側の前記インナーリードの第１端部と繋がる屈曲部と、前記第１端部から前記屈曲部を介して下側に屈曲され、上面が前記インナーリードの下面と対向し且つ平行となるように形成された外部接続端子と、を有し、
    前記外部接続端子の上面は、前記インナーリードの下面に面接触しており、
    前記インナーリードと前記屈曲部と前記外部接続端子とは一体に形成されており、
    前記インナーリードは、前記フレーム部から前記ダイパッドに向かって櫛歯状に延在して形成されており、
    前記外部接続端子の上面は、前記インナーリードの下面と前記フレーム部の下面と重なるように形成されていることを特徴とするリードフレーム。
  2. 前記ダイパッドは、前記外部接続端子よりも高い位置に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
  3. 前記ダイパッドは、前記インナーリードよりも低い位置に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
  4. ダイパッドと、
    前記ダイパッドの周囲に設けられた複数のリードと、を有し、
    前記リードは、外部接続端子と、前記外部接続端子の前記ダイパッド側の第１端部と繋がる屈曲部と、前記第１端部から前記屈曲部を介して上側に屈曲され、下面が前記外部接続端子の上面と対向し且つ平行となるように形成されたインナーリードと、を有し、
    前記インナーリードは、前記外部接続端子よりも幅広に形成された幅広部を有し、前記幅広部の下面の一部が前記外部接続端子の上面と重なるように形成されており、
    前記インナーリードの下面は、前記外部接続端子の上面に面接触しており、
    前記インナーリードと前記屈曲部と前記外部接続端子とは一体に形成されていることを特徴とするリードフレーム。
  5. 前記ダイパッドは、前記インナーリードよりも低い位置に形成されていることを特徴とする請求項４に記載のリードフレーム。
  6. ダイパッドと、
    前記ダイパッドを支持するフレーム部と、
    前記ダイパッドの周囲に設けられ、前記フレーム部から前記ダイパッドに向かって櫛歯状に延在して形成された複数のリードと、を有し、
    前記複数のリードは、交互に設けられた２種類の第１リード及び第２リードを有し、
    前記各第１リードは、前記ダイパッド側に第１先端部を有する第１インナーリードと、前記第１先端部とは反対側の前記第１インナーリードの第１端部と繋がる第１屈曲部と、前記第１端部から前記第１屈曲部を介して下側に屈曲され、上面が前記第１インナーリードの下面と対向し且つ平行となるように形成された第１外部接続端子と、を有し、
    前記各第２リードは、前記ダイパッド側に第２先端部を有する第２インナーリードと、前記第２先端部と繋がる第２屈曲部と、前記第２先端部から前記第２屈曲部を介して下側に屈曲され、上面が前記第２インナーリードの下面と対向し且つ平行となるように形成された第２外部接続端子と、を有し、
    前記第１インナーリードと前記第１屈曲部と前記第１外部接続端子とは一体に形成され、
    前記第２インナーリードと前記第２屈曲部と前記第２外部接続端子とは一体に形成されていることを特徴とするリードフレーム。
  7. 前記ダイパッドは、半導体素子の搭載されるダイパッド部と、前記ダイパッド部の任意の端部と繋がる第３屈曲部と、前記任意の端部から前記第３屈曲部を介して下側に屈曲され、上面が前記ダイパッド部の下面と重なるように形成された重畳部とを有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のリードフレーム。
  8. 請求項１に記載のリードフレームと、
    前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、
    前記半導体素子と前記インナーリードとを電気的に接続する金属ワイヤと、
    前記半導体素子及び前記金属ワイヤを封止し、前記先端部の全面を被覆する封止樹脂と、を有し、
    前記屈曲部は、前記封止樹脂から露出されていることを特徴とする半導体装置。
  9. 前記ダイパッドの下面は、前記封止樹脂から露出されていることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
  10. 請求項４に記載のリードフレームと、
    前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、
    前記半導体素子と前記インナーリードとを電気的に接続する金属ワイヤと、
    前記半導体素子及び前記金属ワイヤを封止し、前記外部接続端子から露出された前記幅広部の全面を被覆する封止樹脂と、を有することを特徴とする半導体装置。
  11. 前記ダイパッドの下面は、前記封止樹脂から露出されていることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。
  12. 金属板を準備する工程と、
    前記金属板をプレス加工又はエッチング加工し、ダイパッドと、前記ダイパッドを支持するフレーム部と、前記フレーム部から前記ダイパッドに向かって櫛歯状に延在する複数のインナーリードと、前記フレーム部から前記インナーリードが延在される方向とは反対方向に延在される延出部とを画定する開口部を形成する工程と、
    前記延出部の下面が前記インナーリードの下面と重なるように前記延出部を下側に折り曲げ、前記インナーリードの下面の一部と重なる外部接続端子を形成する工程と、を有し、
    前記外部接続端子の上面は、前記インナーリードの下面に面接触されることを特徴とするリードフレームの製造方法。
  13. 金属板を準備する工程と、
    前記金属板をプレス加工又はエッチング加工し、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に設けられた複数の外部接続端子と、前記外部接続端子の前記ダイパッド側の先端から前記ダイパッドに向かって延在され、前記外部接続端子よりも幅広に形成された延出部とを画定する開口部を形成する工程と、
    前記延出部の上面が前記外部接続端子の上面と重なるように前記延出部を上側に折り曲げ、前記外部接続端子の上面の一部と重なるインナーリードを形成する工程と、を有し、
    前記インナーリードの下面は、前記外部接続端子の上面に面接触されることを特徴とするリードフレームの製造方法。
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