JP6323176B2 - 発光装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、発光装置の製造方法に関する。

発光装置は、一般的に、発光ダイオードなどの発光素子が支持体に実装されることで製造される。発光素子の実装方法の１つとして、フリップチップ実装が挙げられる。フリップチップ実装では、例えば、発光素子の基板と反対側に形成された電極が支持体と電気的に接続され、基板側を発光素子の光出斜面とすることができる。

さらに、発光装置の光取り出しを向上させるために、発光素子をフリップチップ実装した後、基板を除去した発光装置が知られている。基板の除去は、レーザリフトオフ（Laser Lift Off）等で行うことができる。具体的には、基板の裏面側から発光素子の半導体層に向けて、基板に対して透過性を有し、半導体層に吸収される波長のレーザ光を照射する。そうすることで、基板と半導体層の界面付近の半導体層が分解され、基板が半導体層から分離する。その結果、発光素子から出射する光が基板によって吸収・拡散されないので、発光装置の光取り出しを向上させることができる。

なお、レーザ光を照射する前に、発光素子と支持体の間にアンダーフィルを充填することで、レーザリフトオフの際に発光素子にかかる負荷を低減することができる。特許文献１に記載の半導体発光素子では、アンダーフィル材料をエピタキシャル構造体及び基板側面に形成して基板を除去することで、蛍光体／透明材料混合物を収容する封入体が形成されている。この封入体によって、蛍光体層の厚みを制御するだけでなく、素子側面からの光の漏れ出しを阻止することが可能である。

特開２００６−３４４９７１号公報

しかしながら、特許文献１では、アンダーフィル材料をキャリア基板(支持体)と半導体発光素子（構造体）の間に注入し、エピタキシャル構造体及び基板側面に這い上がらせることで封入体を形成しているため、十分な厚みを有する封入体を形成することは困難であり、半導体発光素子からの光の漏れ出しを阻止し、光を効率的に外部へ反射させることができないという問題があった。

本発明は前記問題点に鑑みてなされたものであり、高い光取り出しを実現できる発光装置の製造方法を提供する。

本発明の一つの態様に係る発光装置の製造方法は、発光素子が支持体にフリップチップ実装された発光装置の製造方法であって、上面と、下面と、下面側から上面側へ向かって外向きに傾斜する傾斜面を備える側面と、を有する基板の下面側に、第１半導体層及び第２半導体層を含む半導体層と、第１半導体層と電気的に接続されるｎ側電極と、第２半導体層と電気的に接続されるｐ側電極と、が形成された構造体を準備する第１の工程と、ｎ側配線及びｐ側配線を同一面上に有する支持体を準備する第２の工程と、構造体のｎ側電極及びｐ側電極と、支持体のｎ側配線及びｐ側配線とを、それぞれ電気的に接続する第３の工程と、光反射部材によって、基板の側面の傾斜面を被覆する第４の工程と、を含み、第４の工程の後、基板を構造体から除去することで、光反射部材に、半導体層の上端部から外側へ向かって高くなる壁部を備える凹部を形成する第５の工程を含むことを特徴とする。

これにより、高い光取り出しを実現できる発光装置を製造することができる。

図１は、本発明の実施形態１に係る発光装置１００の構成を示す断面図である。 図２Ａは、本発明の実施形態１に係る構造体７の構成を示す断面図である。 図２Ｂは、本発明の実施形態１に係る構造体７の構成を示す断面図である。 図３Ａは、本発明の実施形態１に係る発光装置１００の製造方法において、第１の工程について示す断面図である。 図３Ｂは、本発明の実施形態１に係る発光装置１００の製造方法において、第１の工程について示す断面図である。 図３Ｃは、本発明の実施形態１に係る発光装置１００の製造方法において、第１の工程について示す断面図である。 図３Ｄは、本発明の実施形態１に係る発光装置１００の製造方法において、第１の工程について示す断面図である。 図３Ｅは、本発明の実施形態１に係る発光装置１００の製造方法において、第１の工程について示す断面図である。 図３Ｆは、本発明の実施形態１に係る発光装置１００の製造方法において、第１の工程について示す断面図である。 図３Ｇは、本発明の実施形態１に係る発光装置１００の製造方法において、第１の工程について示す断面図である。 図４は、本発明の実施形態１に係る発光装置１００の製造方法において、第２の工程について示すものであり、集合基板である支持体の断面図である。 図５Ａは、本発明の実施形態１に係る発光装置１００の製造方法において、第３の工程について示す断面図である。 図５Ｂは、本発明の実施形態１に係る発光装置１００の製造方法において、第３の工程について示す断面図である。 図６Ａは、本発明の実施形態１に係る発光装置１００の製造方法において、第４の工程について示す断面図である。 図６Ｂは、本発明の実施形態１に係る発光装置１００の製造方法において、第４の工程について示す断面図である。 図７は、本発明の実施形態１に係る発光装置１００の製造方法において、第５の工程について示す断面図である。 図８は、本発明の実施形態１に係る発光装置１００の製造方法において、第１封止部材形成工程について示す断面図である。 図９Ａは、本発明の実施形態１に係る発光装置１００の製造方法において、反射層形成工程について示す断面図である。 図９Ｂは、本発明の実施形態１に係る発光装置１００の製造方法において、反射層形成工程について示す断面図である。 図１０は、本発明の実施形態１に係る発光装置１００の製造方法において、第２封止部材形成工程について示す断面図である。 図１１Ａは、本発明の実施形態１に係る発光装置１００の製造方法において、個片化工程について示す断面図である。 図１１Ａは、本発明の実施形態１に係る発光装置１００の製造方法において、個片化された発光装置１００示す上面図である。 図１２は、本発明の実施形態２に係る発光装置２００の製造方法において、第３の工程について示す断面図である。 図１３は、本発明の実施形態２に係る発光装置２００の製造方法において、第４の工程について示す断面図である。 図１４Ａは、本発明の実施形態２に係る発光装置２００の構成を示す断面図である。 図１４Ｂは、本発明の実施形態２に係る発光装置２００の構成を示す上面図である。 図１５は、本発明の実施形態２に係る発光装置２００の構成を示すものであり、第５の工程後の発光装置２００の断面図である。 図１５は、本発明の実施形態２に係る発光装置２００と異なる製法で形成される発光装置３００の構成を示すものであり、第５の工程後の発光装置３００の断面図である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。ただし、以下に説明する発光装置の製造方法に特定されるものではなく、構成部品の寸法・材質・形状・相対的配置等は特定的な記載がない限りは単なる説明例にすぎず、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。さらに、同一の名称、符号は原則として同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。本発明を構成する各要素および実施形態は、特に排除する記載がない限り、適宜組み合わせ、変更、改変等して適用できる。

≪実施形態１≫
本実施形態にかかる発光装置１００は、図１に示すように、第１半導体層２、活性層３、第２半導体層４を備える半導体層５と、第１半導体層２と電気的に接続されるｎ側電極６ａ及び第２半導体層３と電気的に接続されるｐ側電極６ｂと、を有する発光素子９が、基材１１ｃを備える支持体１１上のｎ側配線１１ａ及びｐ型配線１１ｂと、それぞれ電気的に接続される態様に関する。また、少なくとも半導体層５の周囲を囲むように形成される光反射部材２０は、半導体層５の電極形成面と反対側（半導体層５）の上面５ａよりも突出する。上面５ａよりも突出した壁部２０ｂは、半導体層５の上端部から外側へ向かって高くなるように設けられる。ここで、「外側」とは、半導体層５の上端部から発光装置１００の外側方向のことを指し、壁部２０ａの少なくとも一部がそのような形状を有していればよい。また、本明細書において「向かって」とは、「（ある方向に）対して」という意味で使用される。

本実施形態の発光装置１００は、下記の工程によって製造することができる。
＜第１の工程＞
まず、第１の工程において、図２Ａに示されるような構造体７を準備する。構造体７は、基板１と、基板１上に形成される半導体層５と、半導体層５と接続されるｎ側導電部材６１ａ及びｐ側導電部材６１ｂと、ｎ側電極６ａ及びｐ側電極６ｂとを有する。
基板１は、上面１ａと、下面１ｂと、側面１ｃと、を有する。下面１ｂの表面には、第１半導体層２であるｎ型半導体層、活性層３、第２半導体層４であるｐ型半導体層が順次積層されて半導体層５が形成される。
なお、基板の側面１ｃは、基板の上面１ａと下面１ｂとを接続する面であり、基板の上面１ａ及び下面１ｂ以外の面を指す。また、基板の側面１ｃは、基板の下面１ｂ側から上面１ａ側へ向かって外向きに傾斜する傾斜面１ｃａを有する。したがって、断面視において、基板の下面１ｂと側面１ｃ（傾斜面１ｃａ）の成す角度は鈍角である。また、本実施形態では、基板の上面１ａの表面積は、基板の下面１ｂの表面積よりも広い。なお、図２Ｂに示されるように、基板の側面１ｃの少なくとも一部が、前述のような傾斜面１ｃａを有していればよい。その他、基板１の形状は、後述する第５の工程において基板１を除去可能な形状であれば、適宜自由に形成することができる。基板の側面１ｃは、凹凸を有していてもかまわないが、滑らかな面で構成されると、後述する壁部２０ｂの表面を平滑とすることができ、光を効率的に反射させることができるため好ましい。

以下、構造体７の形成方法について詳述する。なお、詳述する構造体７の半導体層５、電極６、絶縁層６２等の構成及び形成方法は一例であり、適宜自由に変更可能である。

まず、図３Ａのように、予め基板に第１半導体層２であるｎ型半導体層、活性層３、第２半導体層４であるｐ型半導体層を積層したウェハを準備する。次いで、図３Ｂに示すように、ｎ型半導体層２、活性層３、ｐ型半導体層４をエッチングにより部分的に除去してｎ型半導体層２を露出させ、半導体層５を得る。基板１としては、例えばサファイア基板を用いることができ、ｎ型半導体層２、活性層３、ｐ型半導体層４は窒化物半導体とすることができる。半導体層５は、バッファ層やコンタクト層を含んでいてもよい。ｎ型半導体層２の露出部は、構造体７の端部となるように設けてもよいし、構造体７の中央部でｐ型半導体層４に取り囲まれるよう設けてもよく、特に限定されない。なお、後述するように、このエッチングの際、図３Ｂのようにｎ型半導体層２を広幅でエッチングし、基板の下面１ｃを広めに露出させておくと、基板の側面１ｃに所望の傾斜面１ｃａを形成させやすい。その後、図３Ｃのように、最上層のｎ型半導体層２及びｐ型半導体層４上に、それぞれｎ側導電部材６１ａとｐ側導電部材６１ｂを形成する。ｎ側導電部材６１ａ及びｐ側導電部材６１ｂは、アルミニウムや銀等の金属含む光反射率の高い材料であってもよく、適宜ＩＴＯ等の透光性電極を用いてもかまわない。

そして、図３Ｄのように、ｎ側導電部材６１ａ及びｐ側導電部材６１ｂの一部を露出させるように、ｎ側導電部材６１ａ、ｐ側導電部材６１ｂ、半導体層５を被覆する絶縁層６２を設ける。絶縁層６２は、半導体層５と、導電部材及び電極とを絶縁するためのものである。材料としては、ケイ素、チタン、セリウム、ニオブ、タンタル，アルミニウムから選択される少なくとも一種の酸化物又は窒化物から選択されたものが好ましい。また、これらが積層されたＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）を用いることができる。ＤＢＲは、低屈折率層と高屈折率層とからなる１組の誘電体を、複数積層させた多層構造であり、所定の波長の光を選択的に反射することができる。本実施形態においては、活性層３からの発光波長を反射することができるＤＢＲとすると好ましい。絶縁層６２の形成は、スパッタリング、蒸着、ＡＬＤ等で行うことができる。

続いて、図３Ｅに示されるように、絶縁層６２から露出した部分に、ｎ側導電部材６１ａと接続するｎ側電極６ａを形成し、ｐ側導電部材６１ｂと接続するｐ側電極６ｂを形成する。ｎ側電極６ａ及びｐ側電極６ｂの材料は、接着剤（例えば、後述する半田や異方性導電部材等）によって支持体１１と電気的に接続できるものであれば特に限定されず、金、銀、白金、アルミニウム、ロジウム、タングステン、チタン、ニッケル、パラジウム、銅等の金属を用いることができ、特に金が好ましい。また、これらの金属を単層で用いてもよいが、複数の金属を積層して用いてもよい。絶縁層６２が光透過性を有する場合には、少なくとも絶縁層６２と接する面において、光反射率の高い材料を用いることが好ましい。そうすることで、絶縁層６２を透過した光を反射することができ、光取り出し効率の高い発光装置１００とすることができる。なお、構造体７を支持体１１へ安定的に実装するために、ｎ側電極６ａ及びｐ側電極６ｂの高さは略同じであると好ましい。また、平面視において、ｎ側電極６ａ及びｐ側電極６ｂの形状、面積が略同じであると、支持体１１へ安定して実装することができる。なお、電極上に金属バンプ等を設けてもかまわない。

その後、半導体層５及び電極等が形成されたウェハを、適宜所望の寸法に個片化することで、図２Ａに示される所望の構造体７（発光素子９のチップ）を得る。構造体７の基板１の側面１ｃは、基板の下面１ｂ側から上面１ａ側へ向かって外向きに傾斜する傾斜面１ｃａを有する。本実施形態では、図２Ａに示されるように、基板の側面１ｃの略全面が、基板の下面１ｂ側から上面１ａ側へ向かって外向きに傾斜している。このような形状であると、半導体層５からの光を、光出射面側へ効率的に反射可能な光反射部材２０の壁部２０ｂ（後述する）を形成できるため好ましい。

以下、基板１の側面１ｃに、基板の下面１ｂ側から上面１ａ側へ向かって外向きに傾斜する傾斜面１ｃａを形成する方法について説明する。なお、基板の側面１ｃだけでなく、半導体層５の側面の一部が傾斜するように形成されてもかまわない。

傾斜面１ｃａは、例えば、半導体層５及び電極等が形成されたウェハを適宜所望の寸法に個片化する際に形成することができる。以下、その方法の一例を図３Ｆに示す。
まず、ウェハの基板を固定し、基板の下面１ｂに対して傾斜角度を成す傾斜面を一対の側面に有するブレード１０を準備する。そして、基板の下面１ｂ側からウェハを切断することで、図３Ｇに示されるような、ブレード１０の傾斜に沿った傾斜面１ｃａを有する基板を備える所望の構造体７を得ることができる。したがって、構造体７の基板１は、基板の下面１ｂ側から上面１ａ側へ、外向きに傾斜する傾斜面１ｃａを備える。この場合、前述のように、基板の下面１ｂ側を広めに露出させておくと、基板１の割れや損傷を防ぎ、且つ基板の側面１ｃを所望の形状に形成しやすい。例えば、ウェハを個片化し、厚み約５０〜２００μｍ程度の構造体を形成する場合であって、基板の下面１ｂと基板の傾斜面１ｃａとがなす角度を約２０〜６０°程度とする場合、基板の下面１ｂを、それぞれ約３５〜７００μｍ程度、より好ましくは約２５０〜３５０μｍ程度露出させておくと好ましい。また、基板の各々の構造体７を、基板の側面が傾斜を有さない、つまり略垂直な状態で個片化した後、基板の側面１ｃを加工して傾斜面１ｃａを形成することもできる。その他、エッチング等で傾斜面１ｃａを形成してもよく、適宜所望の方法を用いて傾斜面１ｃａを形成することができる。

傾斜面１ｃａと基板の下面１ｂとがなす傾斜角度は、鈍角であり、好ましくは約１００〜１５０°程度、より好ましくは約１２０°〜１５０°程度とすると、第５の工程で基板１を除去することで形成される光反射部材２０の壁部２０ｂによって、半導体層５からの光を効率的に上方へ反射できるため好ましい。

＜第２の工程＞
他方、図４に示されるように、第２の工程において、ｎ側配線１１ａ及びｐ側配線１１ｂを同一面上に有する支持体１１を準備する。支持体１１は、例えば、ｎ側配線１１ａ及びｐ側配線１１ｂが基材１１ｃで支持されたものとすることができる。なお、本実施形態においては、リードフレームに構造体７を実装することで、基材１１ｃを設けない支持体１１とすることもできる。
基材１１ｃは、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ＰＰＡ等の樹脂や、窒化アルミニウム（ＡＩＮ）、単結晶、多結晶、焼結基板、アルミナ等のセラミック、ガラス、ケイ素等の半金属あるいは金属基板、又はそれらの積層体、複合体を用いることができる。特に、セラミックは熱等によって変形しにくく、後述するレーザ照射の際の信頼性を高めることができる。支持体１１の形状は、平板状とすると、小型の発光装置としやすく好ましい。
ｎ側配線１１ａ及びｐ側配線１１ｂの材料は、導電性を有しているものであれば特に限定されず、銀、アルミニウム、金、白金等の反射率の高い金属を用いると、発光装置の光取り出し効率を向上させることができる。なお、配線の材料として金を用いると、後述する異方性導電部材２１に含まれる導電性粒子２２との接合信頼性が高い配線とすることができる。具体的には、例えば厚さ約１０ｎｍのＴｉ層の上に、厚さ約１０〜５０μｍのＡｕ層等を形成した配線とすることができる。その他、ニッケル／金、アルミニウム／金等を用いてもかまわない。金や銀などを用いたリードフレームで配線を形成すると、発光装置の実装に用いられる半田等との濡れ性がよく好ましい。

なお、支持体１１は、図４のように支持体１１が複数連結された集合基板として用意されることが好ましい。これにより、複数の構造体１１を実装できるので、量産性を高めることができる。また、後述する基板１を除去する工程においても、タクトを高めることができ、量産性を高めることができる。集合基板である支持体１１は、最終的に個片化されて個々の発光装置となる。

＜第３の工程＞
次に、第３の工程において、支持体１１に構造体７をフリップチップ実装する。詳述すると、構造体７のｎ側電極６ａ及びｐ側電極６ｂと、支持体１１のｎ側配線１１ａ及びｐ側配線１１ｂとを対向させ、各々電気的に接続する。接続には、例えば半田等の導電性接着剤２５や異方性導電部材２１等を用いることができる。実施形態１では、特に半田等の導電性接着剤２５を用いる場合について説明する。

実施形態１の第３の工程では、まず、図５Ａに示されるように、支持体１１のｎ側配線１１ａ及びｐ側配線１１ｂ上に半田２５を供給する。半田２５の供給には、例えば、塗布法や印刷法等で行うことができる。その他、鍍金法、蒸着法、スタッドバンプ法等の公知の方法を用いてもかまわない。その半田２５上に、構造体７のｎ側電極１１ａ及びｐ側電極１２ｂを位置合わせして配置し、加熱（及び任意に加圧）することで、図５Ｂのように構造体７と支持体１１を接着して電気的に接続する。ここで、半田２５の供給量は、構造体の電極と支持体の電極とをそれぞれ電気的に接続できる量とする。

その後、構造体７と支持体１１の間の空間に、アンダーフィルを充填すると好ましい。アンダーフィルは、構造体７と支持体１１の間の空間に注入してもよいし、構造体７を接続する前に支持体１１上に塗布してもよく、特に限定されない。アンダーフィルを構造体７の下方に配置することで、後述するレーザリフトオフ等で構造体７にかかる負荷を低減させることができる。光反射性材料を含有するアンダーフィルを用いると、半導体層５からの光を効率的に光出射面側へ反射させることができる。なお、アンダーフィルは、後述する光反射部材２０と一体に形成されていてもかまわない。

アンダーフィルの材料としては、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂等又はこれらの樹脂の組み合わせ、あるいは、これらの樹脂を１種以上含むハイブリッド樹脂等を用いることができ、特にシリコーン樹脂、エポキシ樹脂が好ましい。光反射性材料としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、二酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト、酸化ニオブ、各種希土類酸化物（例えば、酸化イットリウム、酸化ガドリニウム）等を用いることができる。

アンダーフィルの供給量及び粘度は、構造体７と支持体１１の間を満たすことができるものであれば特に限定されず、平面視において構造７体の外縁より外に設けることが可能な量とする。

＜第４の工程＞
次に、第４の工程で、少なくとも構造体７の基板の傾斜面１ｃａを被覆する光反射部材２０を形成する。実施形態１の第４の工程では、金型を用いて光反射部材２０を成形する。詳述すると、電気的に接続された構造体７及び支持体１１を金型内にセットし、金型内に光反射部材２０を充填して硬化させる。光反射部材２０は、図６Ａのように、少なくとも構造体７の基板の側面の傾斜面１ｃａを被覆し、基板の上面１ａを被覆しない高さに形成する。詳述すると、光反射部材２０は、構造体７（すなわち半導体層５、電極６ａ，６ｂ、基板１）の周囲及び支持体１１上を被覆し、構造体７及び支持体の間を充填するように形成される。基板の上面１ａ上に形成された場合は、切削や研磨等で適宜除去し、基板の上面１ａを露出させる。なお、光反射部材２０は、図６Ｂに示されるように、傾斜面１ｃａの少なくとも一部を被覆していればよい。

このように、金型による成形で光反射部材２０を形成すると、形状が制御しやすく、半導体層５からの光が側方へ漏れ出しにくい発光装置とすることができる。すなわち、樹脂等の這い上がりによって形成される光反射部材２０は、壁部２０ｂの上部ほど厚みが薄くなりやすい（壁部２０ｂの上面は略平面または略平坦面となりにくい）。しかし、金型を用いて光反射部材２０を形成すると、例えば、上面２０ｂａが略平坦面であり、十分な厚みを有する壁部２０ｂを形成することができ（図１、図６Ａ等参照）、発光装置の光の取り出しを向上させる観点から好ましい。

実施形態１の光反射部材２０の材料としては、透光性の基材に光反射性材料２４を含有させたものが好ましく、基材としては例えば樹脂材料を用いることができる。樹脂材料としては、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂、又はこれらの樹脂を少なくとも一種以上含むハイブリッド樹脂等を用いることができる。光反射性材料２４としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、二酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト、酸化ニオブ、各種希土類酸化物（例えば、酸化イットリウム、酸化ガドリニウム）等が挙げられる。

＜第５の工程＞
第４の工程の後、図７に示されるように、第５の工程において基板１を構造体７から除去し、光反射部材２０に凹部２０ａを形成する。基板１の除去は、レーザ照射によるレーザリフトオフ（ＬＬＯ）で実施することができる。例えば、エキシマレーザ等の高出力のレーザ光を基板の上面１ａ側から半導体層５に照射することで、基板１と半導体層５の境界近傍で半導体物質を分解させ、基板１と半導体層５を分離して基板１を剥離させる。なお、レーザ光は、基板１を透過し、半導体層５に吸収される波長のものを用いる。例えば、基板１がサファイア基板であり、半導体層５がＧａＮである場合は、前述のエキシマレーザ（波長約２４８ｎｍ）や、ＹＡＧレーザ（波長約２６６ｎｍ）を用いることができる。

構造体７から基板１が除去された残部は、発光素子９となる。構造体７の基板１が除去されることで、半導体層５の上面５ａが露出し、凹部２０ａが形成される。凹部２０ａを形成する壁部２０ｂは、半導体層の上面５ａよりも突出して半導体層５の周囲を囲む。この壁部２０ｂは、第４の工程で、基板の傾斜面１ｃａを被覆するように形成された光反射部材２０であり、凹部２０ｂの形状は、光反射部材２０に被覆される基板１の形状に依存する。したがって、基板の側面１ｃは、下面１ｂ側から上面１ａ側へ向かって外向きに傾斜する傾斜面１ｃａを有するため、凹部２０ａは、光出射面側へ向かって広くなる部分を有する。すなわち、壁部２０ｂ（光反射部材２０）は、半導体層５の上端部から外側へ向かって高くなる内面を有する。

前述のように、光漏れ防止および発光装置１００の小型化の観点から、壁部２０ｂ（光反射部材）の上面２０ｂａは略平面、より好ましくは略平坦面であると好ましい。このような略平面または略平坦面は、光反射部材２０形成時に形成してもよいし、基板１の除去後に切削や研磨等で形成してもかまわない。また、後述する光出射面である第１封止部材４０の上面と、壁部２０ｂ（光反射部材）の上面２０ｂａとを略面一に形成すると、見切りの良い発光装置とすることができる。

壁部２０ｂ（光反射部材）の上面２０ｂａの高さは適宜調整することができ、例えば、光反射部材２０を形成する第４の工程で調整してもよいし、基板１の除去後に切削や研磨等で高さを低く調整することも可能である。

壁部２０ｂの内面は、半導体層５からの光を上方に反射させる光反射面として機能するため、滑らかな面であると、光を効率的に反射させることができるため好ましい。しかし、基板の側面１ｃの形状に起因する凹凸を有していてもよく、その場合は、凹部２０ａに形成される後述の第１封止部材４０との密着性を向上させることができ、部材どうしの剥離防止の観点から好ましい。

以上のように、壁部２０ｂ（光反射部材）は、半導体層５からの光を発光装置の光出射面側へ効率的に反射させることができ、さらに、壁部２０ｂが形成する凹部２０ａは、後述する第１封止部材４０及び／または反射層５０を形成するためのキャビティとして利用することができる。

＜その他の工程＞
（粗面化工程）
第５の工程で基板１を除去した後、半導体層の上面５ａを粗面化すると好ましい。粗面化は、物理的・化学的な方法で行うことができるが、発光素子９へのダメージを低減するため、エッチングで行うことが好ましい。例えば、発光素子９を支持体ごと、リン酸などの酸性の液や水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、トリメチルアンモニウム、水酸化テトラメチルアンモニウム溶液等のアルカリ性の液につけ、半導体層の上面５ａをエッチングする。そうすることで、半導体層の上面５ａを粗面化でき、光取り出し効率を向上させることができる。また、基板の下面１ｂが凹凸を有していると、その凹凸上に半導体層５を積層して基板１を除去するので、半導体層の上面５ａを基板の下面１ｂの凹凸と対応した凹凸形状とすることができる。

（第１封止部材形成工程）
本実施形態では、図８に示されるように、凹部２０ａに透光性の第１封止部材４０を形成することができる。そうすることで、半導体層の上面５ａを保護することができる。なお、蛍光体を含有させた第１封止部材４０を形成することで、発光装置１００の光を所望の発光色とすることができる。第１封止部材４０は、蛍光体のみで構成されてもよいが、透光性の母材に蛍光体が混合されたものが好ましい。
母材の材料としては、樹脂材料や、ガラス等の無機物等を用いることができる。特に、樹脂材料としては、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、また、これらの樹脂を少なくとも一種以上含むハイブリッド樹脂等を用いることができる。
蛍光体としては、半導体層５からの光を吸収して別の波長の光を発することのできる蛍光体であれば様々なものを用いることができる。例えば、ユーロピウム、セリウム等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体、より具体的には、ユーロピウムで賦活されたα又はβサイアロン型蛍光体、各種アルカリ土類金属窒化シリケート蛍光体、ユーロピウム等のランタノイド系元素、マンガン等の遷移金属系元素により主に賦活されるアルカリ土類金属ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類のハロシリケート蛍光体、アルカリ土類金属シリケート蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類金属ケイ酸塩、アルカリ土類金属硫化物、アルカリ土類金属チオガレート、アルカリ土類金属窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、セリウム等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩又はユーロピウム等のランタノイド系元素で主に賦活される有機物及び有機錯体等が挙げられる。特に、黄色蛍光体であるＹＡＧ系蛍光体、赤色蛍光体であるＫＳＦ、緑色蛍光体のＬＡＧ系蛍光体等が好適に用いられる。この他にも同様の性能、効果を有する蛍光体を適宜使用することができる。蛍光体は、単独又は２種類以上を混合して使用することができる。
蛍光体の濃度は、発光装置１００が所望の発光色となるように調整される。蛍光体の濃度は、例えば約５〜５０％とすることができ、第１封止部材４０の下方側において濃度を高くすると、発光装置１００から出射する光を散乱しにくくすることができる。

本実施形態では、母材である樹脂に蛍光体が含有された液状の蛍光体樹脂を、光反射部材２０の凹部２０ａに滴下して硬化させることで、容易に第１封止部材４０を形成することができる。また、母材である樹脂に蛍光体が含有されたシート状の蛍光体シート（または蛍光体板、以下も同様）を、半導体層の上面５ａに接着することで、第１封止部材４０を形成してもよい。接着には、例えば、透光性のシリコーン系樹脂等の接着剤を用いてもかまわない。特に、半硬化状態で柔軟性を有する蛍光体シートを用いると、形成領域の形状に沿うように変形するため、容易に半導体層の上面５ａを被覆させることができる。
蛍光体シートは、半導体層の上面５ａの寸法や発光装置１００の大きさに対応して予め切断されていてもよいが、支持体１１が集合基板の場合には、支持体上に接続された複数の発光素子９に対して一括して被覆することで、量産性を高めることができる。また、予め個片化される場合には、露出された半導体層の上面５ａ全体を覆うように、露出された半導体層の上面５ａと同じ又はそれよりも大きい寸法とされることが好ましい。なお、第１封止部材４０は、半導体層５から離れた位置に設けられてもかまわない。

あるいは、第１封止部材４０は、スプレー（噴霧）によって設けることができる。そうすることで、例えば約５〜５０μｍ程度の薄い第１封止部材４０を形成することができ、光取り出し効率の高い発光装置を形成することができる。また、発光装置を所望の発光色に調整することができ、歩留まりを向上させることができる。その他、第１封止部材４０は、電着、印刷、圧縮成型、トランスファーモールド等種々の方法を用いて形成することができる。
以上のような方法で形成された第１封止部材４０の上面は、図示されるように略平坦面であってもよいし、凹凸や傾斜、曲面を有していてもかまわない。

（反射層形成工程）
本実施形態では、図９Ａに示されるように、壁部２０ｂに反射層５０を形成することができる。反射層５０が形成されることで、光をより効率的に上方へ反射させることができる。反射層５０は、光反射部材２０よりも高反射率の部材であると好ましい。
具体的には、反射層５０が半導体層の上面５ａを被覆しないように、例えば半導体層の上面５ａにマスクを形成し、壁部２０ｂにスプレー、スパッタ、印刷、塗布等の適宜所望の方法で反射層５０を形成する。壁部２０ｂの傾斜が大きい（すなわち、断面視において、壁部２０ｂの内面と半導体層の上面５ａとの成す角度が大きい）ほど、同様に、基板の側面の傾斜面１ｃａの傾斜が大きい（すなわち、実施形態１では、断面視において、基板の傾斜面１ｃａと基板の下面１ｂとのなす角度が大きい）ほど、壁部２０ｂに反射層５０を形成しやすい。

反射層５０は、光反射率の高い金属材料又は絶縁性材料等で形成することができる。金属材料としては、例えば銀、銀合金、アルミニウム、金等が挙げられる。特に、耐酸化性に優れた銀合金が好ましい。反射膜５０の厚さは、特に限定されるものではなく、半導体層５からの出射光を効果的に反射することができる厚さ（例えば、約２０ｎｍ〜約１μｍ）とすることができる。絶縁性材料としては、樹脂に光反射性材料を添加したものを用いることができる。硬化前の液状の樹脂に光反射性材料を添加したものを、壁部の表面に塗布した後に硬化させることで、反射膜を形成することができる。樹脂材料としては、例えば、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂、又はこれらの樹脂を少なくとも一種以上含むハイブリッド樹脂等を用いることができる。光反射性材料としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、二酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト、酸化ニオブ、各種希土類酸化物（例えば、酸化イットリウム、酸化ガドリニウム）等を用いることができる。光反射性材料の添加量を増加することにより、反射層の反射率を高めることができる。好ましくは、半導体層５からの発光に対する反射率が６０％以上、より好ましくは７０％、８０％又は９０％以上となるように、光反射性材料の添加量を調節することができる。これにより、半導体層５からの光を効率よく反射させることができる。

なお、図９Ｂに示すように、壁部２０ｂに反射層５０を形成した後、凹部２０ａに蛍光体を含有させた第１封止部材４０を形成することで、第１封止部材４０で波長変換された光を、光出射面側へ効率的に反射させることができる。

（第２封止部材形成工程）
発光装置１００は、図１０に示すように、第１封止部材４０や光反射部材２０をさらに封止する第２封止部材６０を形成してもかまわない。第２封止部材６０を設けることで、所望の配光特性を有する発光装置１００を形成することができる。第２封止部材６０は、例えば、凹部２０ａに設けられた第１封止部材４０や反射層５０上に、透光性の樹脂をトランスファーモールドすることで形成できる。その他、第２封止部材６０は滴下法等で形成してもかまわない。第２封止部材６０の材料としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ガラス等を用いることができ、透明性、透光性、耐熱性の観点から特にシリコーン系樹脂が好ましい。第２封止部材６０の形成は、トランスファーモールドの他、ポッティング、スピンコート、コンプレッションモールド等で実施できる。

第２封止部材６０の形状は特に限定されないが、発光素子９からの光取り出し効率を高めるため、発光素子９を中心とする略半球状に設けられることが好ましい。また、第２封止部材６０の上面を略平坦に形成すれば、発光装置１００を薄型化することができる。また、第２封止部材６０に、蛍光体を含有させてもかまわない。

（個片化工程）
第１〜５の工程を行い、適宜前述のその他の工程を行った後、複数の発光素子９が実装された集合基板である支持体１１を切断して個片化することで、所望の発光装置１００を得ることができる。例えば、図１１Ａに示すようにダイシングすることで、光反射部材２０が外表面を形成する発光装置１００を完成させることができる。
このように発光装置を形成すると、壁部２０ｂ（光反射部材）を所望の厚みに形成できるため、発光素子の側方への光の漏れ出しを防ぎつつ、小型の発光装置１００とすることが可能である。例えば、光反射部材２０の厚みＡは、例えば、約３０〜７３０μｍ以上とすることができ、厚い部分（すなわち、半導体層５の側方）では約１２０〜２１０μｍ、薄い部分（すなわち、基板１上部の側方）では約３０〜５０μｍとすると好ましい。

以上、本実施形態の製造方法によれば、高い光取り出しを実現可能な発光装置１００を容易に製造することができる。本実施形態では、発光装置１００において基板１が除去されているので、光が基板内で反射して減衰することによる光の損失をなくすことができ、さらに、基板１が除去されることによって、光反射部材２０に半導体層５を囲む壁部２０ｂからなる凹部２０ａを形成することができる。壁部２０ｂ（光反射部材２０）は、半導体層５の上端部から外側へ向かって高くなっているため、半導体層５からの光を効率的に反射させることができる。また、前述のような凹部２０ａ及び壁部２０ｂは、基板の側面１ｃを、基板の下面１ｂ側から上面１ａ側へ向かって外向きに傾斜する傾斜面１ｃａを備える形状とし、該傾斜面１ｃａを光反射部材２０で被覆した後、基板１を除去することで容易に形成可能である。

≪実施形態２≫
実施形態２では、第３の工程において、光反射性材料２４を含有させた異方性導電部材２１を用いて、構造体７と支持体１１を電気的に接続する。この際に、異方性導電部材２１を、基板の傾斜面１ｃａを被覆するように這い上がらせることで、図１３に示されるように、異方性導電部材２１を光反射部材２０として形成することができる。つまり、実施形態２では、第３の工程と第４の工程を一度に行うことができ、少ない工程数で発光装置２００を製造できるため、製造の効率化の観点から好ましい。なお、それ以外の発光装置の構成及び製造方法については、実施形態１の発光装置１００と略同様とすることができ、適宜説明を省略する。

実施形態２の発光装置２００の製造方法では、まず、実施形態１と同様に、第１の工程及び第２の工程において所望の構造体７及び支持体１１を準備する。そして、図１２に示されるように、第３の工程において、光反射性材料２４を含有する異方性導電部材２１を、支持体１１のｎ側配線１１ａ及びｐ側配線１１ｂ上に供給する。続いて、供給した異方性導電部材２１の上に、構造体７のｎ側電極６ａ及びｐ側電極６ｂを位置合わせして配置し、ヒートツール等で加熱及び加圧する。そうすることで、図１３に示されるように、異方性導電部材２１が構造体７と支持体１１との間を満たすように形成され、構造体７と支持体１１が接着される。さらに、異方性導電部材２１中の導電性粒子２２が、それぞれの電極と配線との間に少なくとも１個以上挟み込まれ、圧力が加えられた状態で接合されることで、構造体７及び支持体１１が電気的に接続される。ここで、異方性導電部材２１は、基板の傾斜面１ｃａを被覆するように形成されて硬化される。なお、異方性導電部材２１の硬化方法は、本実施形態のように構造体７の基板１側から加熱及び加圧を同時に行うヒートツールを用いてもよいし、加熱と加圧を異なる装置を用いて行ってもよい。例えば、基板１側から加圧を行い、加熱は支持体１１側からホットプレート等で行うことができる。

異方性導電部材２１の材料としては、硬化前に液状である異方性導電ペースト（ＡＣＰ）を用いると好ましい。すなわち、異方性導電ペースト（ＡＣＰ）は、構造体７及び支持体１１を電気的に接続させる際の加熱及び加圧によって、基板の傾斜面１ｃａを被覆するように這い上がらせることができるので、光反射部材２０として効率的に形成することができる。異方性導電ペースト（ＡＣＰ）を用いる場合は、ディスペンスを用いるほか、印刷等で支持体上に供給することができる。

本実施形態では、異方性導電部材２１として、硬化前の液状である異方性導電ペースト（ＡＣＰ）を用いる。異方性導電ペースト（ＡＣＰ）は、バインダ樹脂２３と、バインダ樹脂２３中に分散した導電性粒子２２と、光反射性材料２４とを有する。バインダ樹脂２３は、例えばエポキシ樹脂やシリコーン樹脂、それらのハイブリッド樹脂等の熱硬化性樹脂とすることができ、熱可塑性樹脂と混合されていてもかまわない。特に、シリコーン樹脂やハイブリッドシリコーン樹脂は、耐光性及び耐熱性が高いため、好適に用いることができる。

導電性粒子２２は、絶縁性のコア（例えば樹脂ボール）と、コアを被覆する導電性の被覆層とで構成することができる。その他、導電性粒子２２は、前述の導電性粒子をさらに絶縁性の被覆層で覆ったもの、導電性のコア（例えば金属ボール）、導電性のコアをさらに別の導電性の被覆層で被覆したもの等を適宜用いることができる。導電性の被覆層、導電性のコアの材料は、金属、例えば金、ニッケル、鉛フリーはんだ等を使用できる。導電性の被覆層２２ｂは、例えば、樹脂からなる絶縁性のコアの表面に無電解メッキ、電解メッキ、メカノフュージョン（メカノケミカル反応）等により形成可能である。絶縁性のコア、絶縁性の被覆膜は、任意の適切な樹脂、例えばメタクリル樹脂等で形成することができる。

光反射性材料２４は、少なくとも導電性粒子よりも光反射率の高い材料を用いることができる。このような材料としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、二酸化チタン、二酸化ケイ素、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト、酸化ニオブ、各種希土類酸化物（例えば、酸化イットリウム、酸化ガドリニウム）等を用いることができる。光反射性材料２４が、チタン、ゼリウム、ニオブ、アルミニウムの群から選択される１種の酸化物であると、バインダ樹脂２３との屈折率差が高くなるため特に好ましい。また、異方性導電部材２１に光反射性材料２４を含有させることで、異方性導電部材２１の硬化後の硬度を高めることができ、後述する基板を除去する際に半導体層５の割れを防止することができる。

異方性導電部材２１は、導電性粒子２２のほかに、電気的接続を補助する接合補助材料を有していてもよい。このような材料としては、例えば、金−錫、錫−銅、錫−銀−銅、錫−パラジウム系半田、錫等の微粒子が挙げられ、異方性導電部材２１の接着（加熱）の際に溶融し、電極と配線の間に設けられる。このような接合補助材料を用いることで、構造体７と支持体１１の接合強度をより向上させることができ、さらに、放熱性を高めることができる。
その他、異方性導電部材２１は、硬化促進剤、粘度調整剤、硬化後の硬度を調整するフィラー等の添加剤を含んでいてもよい。

なお、異方性導電部材２１の組成（導電性粒子２２、バインダ樹脂２３、光反射性材２４料の各含有割合）、導電性粒子２２の平均粒径（コアの粒径、被覆膜の厚み）等は、適宜選択可能である。例えば、本実施形態における導電性粒子２２の粒径は、支持体１１に近接する電極（具体的にはｐ側電極６ｂ）と、その電極と接続される配線（具体的にはｐ側配線１１ｂ）の厚みの合計よりも小さくなるよう設けられることが好ましい。具体的には、導電性粒子２２の粒径を、ｎ側配線１１ａとｐ側配線１１ｂの厚みや、絶縁層６２上におけるｎ側電極６ａやｐ側電極６ｂの厚みより小さくすることで、導電性粒子２２が配線の間などの不必要な部分において加圧され電気的に接続されることを防止することができる。例えば、粒径約１〜２０μｍの導電性粒子２２を用いると、導電性粒子間のリークを防ぐことが可能であり、さらに、バインダ樹脂２３中に導電性粒子２２を良好に分布させることができる。また、構造体７と支持体１１を圧着する際、構造体７への損傷を低減することが可能である。特に、構造体７の電極の厚みよりも小さい粒径のものを用いると、構造体７と支持体１１の間における短絡を防止することができるため好ましい。

異方性導電部材２１の供給量及び粘度は、構造体７と支持体１１の間を満たすことができるものであれば、特に限定されないが、平面視においての構造体７の外縁より外に設けることが可能な量を供給する。また、基板の傾斜面１ｃａを被覆し、基板の上面１ａを被覆しないように、供給量及び粘度を調節する。なお、本実施形態では、基板の側面１ｃが下面１ｂ側から上面１ａ側へ向かって外向きに傾斜する傾斜面１ｃａを備えるため、異方性導電部材２１（ＡＣＰ）が基板の上面１ａまで這い上がりにくく、第５の工程において基板１の除去がしやすい。

構造体７と支持体１１を接合する異方性導電部材２１の厚みは、ｎ側電極６ａとｐ側配線６ｂとの間において、例えば約１〜５μｍ程度であると好ましい。これにより、半導体層５が堅固に保持され、後述する基板１の除去が容易になるとともに、半導体層５から支持体１１への放熱性を向上させることができる。

異方性導電部材２１は、硬化後においてショア硬度がＤ８０以上であることが好ましい。このように比較的硬い材料とすることで、構造体７を堅固に支持することができ、後述するレーザリフトオフの際に半導体５が割れることを防止することができる。また、発光装置１００の使用中においても、信頼性を向上させることができる。

以上、本実施形態では、構造体７と支持体１１の電気的接続に異方性導電部材２１、特に異方性導電ペースト（ＡＣＰ）を用いる例を示したが、その他異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を用いてもかまわない。異方性導電フィルム（ＡＣＦ）は、構造体７と支持体１１を電気的に接続する際、基板の上面１ａまで這い上がりにくいため、第５の工程における基板除去の観点から好ましい。

実施形態２では、異方性導電部材２１によって光反射部材２０を形成した後、第５の工程において基板１を除去し、適宜その他の工程を行うことで、図１４Ａに示されるような所望の発光装置２００を完成させることができる。図１４Ａ及び図１４Ｂに示されるように、実施形態２の光反射部材２０（異方性導電部材２１）の厚みＢは、約３０〜３５０μｍ以上であると、光を透過させることなく光反射面側へ反射させることができるため好ましい。この厚みＢは、異方性導電部材２１の供給量や粘度、加熱の温度や加圧の圧力を調整することで適宜調節することができる。

以上のように、光反射部材２０を、光反射性を有する異方性導電部材２１等を基板の傾斜面１ｃａに這い上がらせることで形成すると、第３の工程で光反射部材２０を形成することができるため、製造の効率化の観点から好ましい。また、実施形態２の製造方法に係る発光装置２００は、側面が下面に対して略垂直である（傾斜面を有さない）基板を有する構造体７を用いた発光装置３００よりも、半導体層５から側方に漏れ出す光を抑制することができ好ましい（図１５及び図１６参照）。すなわち、図１５に示される実施形態２の発光装置２００は、基板の傾斜面１ｃａを有するため、光反射部材２０（異方性導電部材２１）の厚みＢ（特に上部）が、図１６に示される発光装置３００の光反射部材２０（異方性導電部材２１）の厚みＢよりも、厚く形成されやすい。したがって、半導体層５からの光をより確実に光出射面側へ反射させることが可能である。

≪実施例１≫
本実施例は、実施形態１に従って発光装置１００を作製するものである。

まず、基板１としてサファイア基板のウェハを用い、ＭＯＣＶＤ反応装置にて、その上に以下の半導体層５を順次成長させる。まず、凹凸を有するサファイア基板１上に、ＡｌＧａＮバッファ層及びノンドープＧａＮ層を積層する。次に、その上に、ｎ型コンタクト層としてＳｉドープＧａＮ層を積層し、ｎ型クラッド層としてノンドープＧａＮ層とＳｉドープＧａＮ層とを交互に合計５層で積層し、更に、アンドープＧａＮ層とアンドープＩｎＧａＮ層の超格子構造を形成し、これらの層からなるｎ型半導体層２を形成する。このｎ型半導体層の上に、ＳｉドープＧａＮ障壁層及びノンドープＧａＮ障壁層を順次積層し、更に、ＩｎＧａＮ井戸層とＩｎＧａＮ障壁層とを繰り返し９層ずつ積層して多重量子井戸構造を形成し、これらの層から成る活性層３を形成する。この活性層の上に、ｐ型クラッド層としてＭｇドープＡｌＧａＮ層を、ｐ型コンタクト層としてＭｇドープＧａＮ層を順次積層し、これらの層から成るｐ型半導体層４を形成する。以上のようにして基板の上に半導体層５を積層したウェハを得る。

次に、ｎ型半導体層２、活性層３、ｐ型半導体層４をエッチングにより部分的に除去してｎ型半導体層２を露出させる。この時、基板の下面１ｂ（半導体層形成面）の表面を約３００〜３５０μｍ程度ずつ露出させておく。その後、最上層のｐ型コンタクト層上（発光領域上）と露出させたｎ型コンタクト層上にそれぞれ、ｐ側導電部材６１ｂとｎ側導電部材６１ａを、半導体層５側から順にＩＴＯ（約１２０ｎｍ）／Ｒｈ（約１００ｎｍ）／Ａｕ（約５５０ｎｍ）／Ｒｈ（約１００ｎｍ）となるようにスパッタにより形成する。更に、半導体層５、ｎ側導電部材６１ａ及びｐ側導電部材６１ｂを被覆するよう、絶縁層６２としてＳｉＯ₂とＮｂ₂Ｏ₅の積層からなるＤＢＲ膜を厚さ約１μｍで形成する。その後、ＲＩＥにて、絶縁層６２に、ｎ側導電部材６１ａを露出させる貫通孔及びｐ側導電部材６１ｂを露出させる貫通孔を設ける。

そして、絶縁層６２と貫通孔内にそれぞれ露出したｎ側導電部材６１ａ及びｎ側導電部材６１ｂ上に、半導体層５側から順にＡｌＳｉＣｕ合金（約５００ｎｍ）／Ｔｉ（約２００ｎｍ）／Ｐｔ（約５００ｎｍ）／Ａｕ（約５００ｎｍ）のｎ側電極６ａ及びｐ側電極６ｂをスパッタにより形成する。貫通孔は、それぞれｎ側電極６ａとｐ側電極６ｂで充填される。その後、ｎ側電極６ａとｐ側電極６ｂ上に、導通用の貫通孔を有した保護膜をＳｉＯ₂（約３００ｎｍ）で形成する。ｎ側電極６ａ及びｐ側電極６ｂの高さの差は、最大になる部分において約２μｍである。ｎ側電極６ａ及びｐ側電極６ｂは、平面視において約３００μｍ×８００μｍの略同じ形状の矩形に設けられており、個片化された発光装置の中心線に対して対称形となるよう配置されている。
その後、刃先の中心線Ｃに対して両側に約２０°〜３０°の傾斜を設けたブレード１０を準備し、ウェハを固定した状態で基板の下面１ｂ側からダイシングする。そうすることで、構造体の基板が、上面１ａ約１．０ｍｍ×１．０ｍｍ、下面１ｂ約０．８５ｍｍ×０．８５ｍｍ、基板の下面１ｂと側面１ｃの成す傾斜角度約１３５°となるように切断され、個々の構造体に個片化される。個片化された構造体７の厚みは、約１５０μｍである。

そして、ｎ側配線１１ａ及びｐ側配線１１ｂを同一面上に有する約１．４ｍｍ×１．４ｍｍの支持体１１が２０×３０個配列されて連結された窒化アルミを基材１１ｃとする集合基板を準備し、Ａｕ−Ｓｎ系（８０：２０）の半田を含有する半田ペーストを、約２５μｍの厚みで設けられた各配線上にディスペンスにて供給する。半田ペーストに、半田の他、フラックスが含有されていると好ましい。そして、上記で作製した構造体７の上下を反転させ、支持体１１に対して位置を合わせてそれぞれ載置し、リフローして加熱する。具体的には、約２８０〜３００°程度で加熱する。これにより、ｎ側電極６ａ及びｐ側電極６ｂと、ｎ側配線６１ａ及びｐ側配線６１ｂとが電気的に接続され、構造体７が支持体１１にフリップチップ実装される。

その後、構造体７と支持体１１の間にアンダーフィルを充填し、サファイア基板１の上面１ａ側から、エキシマレーザ（波長約２４８ｎｍ）を照射し、ＡｌＧａＮ層とノンドープＧａＮ層との境界で基板１と半導体層５を分離することで発光素子９を形成する。基板１を分離することで、光反射部材２０に凹部２０ａが形成される。凹部２０ａは壁部２０ｂからなり、壁部２０ｂは半導体層５の上端部から外側に向かって高くなる。凹部２０ｂの深さは、除去された基板１の厚みと同じで約１５０μｍである。その後、集合基板２１をＴＭＡＨ溶液に浸漬し、半導体層５の上面をエッチングして粗面化する。そして、純水にて洗浄を行い、ＴＭＡＨ溶液を除去する。

その後、適宜壁部２０ｂに、例えば厚み約０．１μｍのＡｇ（部材、厚み等）の反射層５０をスパッタ等によって設け、ＹＡＧ蛍光体を液状のシリコーン樹脂に含有させた蛍光体樹脂を凹部に滴下法やスプレー等で形成した後、硬化させて第１封止部材４０を形成する。最後に、発光装置１００を得るため、支持体１１を支持体１つ１つの単位でダイシングにて切断する。完成した発光装置１００は、光出射面側からみて約１．２ｍｍ×約１．２ｍｍ、光出射面約１．０×１．０ｍｍ、壁部の厚みＡ約０．０５〜０．２ｍｍであり、発光装置の高さは約０．５５ｍｍとなり、光反射部材２０が発光装置１００の外表面を形成している。また、発光装置１００の光出射面は、第１封止部材４０の上面であり、第１封止部材４０の上面と光反射部材２０の上面は略面一である。

以上により、実施形態１の発光装置１００を作製することができる。

１…基板、１ａ…上面、１ｂ…下面、１ｃ…側面、１ｃａ…傾斜面
２…第１（ｎ型）半導体層
３…活性層
４…第２（ｐ型）半導体層
５…半導体層、５ａ…（半導体層の）上面
６ａ…ｎ側電極、６ｂ…ｐ側電極
６１ａ…ｎ側導電部材、６１ｂ…ｐ側導電部材
６２…絶縁層
７…構造体
９…発光素子
１０…ブレード
１１…支持体、１１ａ…ｎ側配線、１１ｂ…ｐ側配線、１１ｃ…基材
２０…光反射部材、２０ａ…凹部、２０ｂ…壁部、２０ｂａ…（壁部の）上面
２１…異方性導電部材
２２…導電性粒子
２３…バインダ樹脂
２４…光反射性材料
２５…導電性接着剤（半田）
４０…第１封止部材
５０…反射層
６０…第２封止部材
１００…発光装置
Ａ…（実施形態１の）光反射部材の厚み
Ｂ…（実施形態２の）光反射部材（異方性導電部材）の厚み
Ｃ…（ブレードの）刃先の中心線

Claims (12)

1. 発光素子が支持体にフリップチップ実装された発光装置の製造方法であって、
   上面と、下面と、前記下面側から前記上面側へ向かって外向きに傾斜する傾斜面を備える側面と、を有する基板の前記下面側に、第１半導体層及び第２半導体層を含む半導体層と、前記第１半導体層と電気的に接続されるｎ側電極と、前記第２半導体層と電気的に接続されるｐ側電極と、が形成された構造体を準備する第１の工程と、
   ｎ側配線及びｐ側配線を同一面上に有する支持体を準備する第２の工程と、
   前記構造体のｎ側電極及びｐ側電極と、前記支持体のｎ側配線及びｐ側配線とを、それぞれ電気的に接続する第３の工程と、
   光反射部材によって、前記基板の側面の傾斜面を被覆する第４の工程と、を含み、
   前記第４の工程の後、前記基板を前記構造体から除去することで、前記光反射部材に、前記半導体層の上端部から外側へ向かって高くなる壁部を備える凹部を形成する第５の工程を含み、
   前記壁部の上面が略平坦面であることを特徴とする発光装置の製造方法。
2. 前記光反射部材は、異方性導電部材である請求項１に記載の発光装置の製造方法。
3. 前記光反射部材を、前記構造体と前記支持体との間に充填する請求項１又は２に記載の発光装置の製造方法。
4. 前記第５の工程において、前記基板を透過する波長のレーザを照射することで、前記基板を構造体から除去する請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
5. 前記凹部内に、封止部材を形成する請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
6. 前記封止部材の上面を、前記壁部の上面と略面一に形成する請求項５に記載の発光装置の製造方法。
7. 前記壁部に、反射層を形成する請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
8. 前記光反射部材は、発光装置の外表面を形成する請求項１〜７のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
9. 発光装置の光出射面に、前記光反射部材の略平坦面を形成する請求項１〜８のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
10. 前記第２の工程において、前記支持体は、複数が連結された集合基板として準備し、
    前記第３の工程において、複数の前記構造体と前記集合基板とを電気的に接続し、
    第５の工程の後、前記集合基板及び前記光反射部材を切断することで、発光装置を個片化する請求項１〜９のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
11. 前記第４の工程において、前記光反射部材は金型を用いて形成する請求項１〜１０のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
12. 前記第４の工程において、前記光反射部材を前記基板の上面まで形成する請求項１〜１１のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。

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