JP6306964B2 - Substrate processing apparatus control method, substrate processing apparatus, and storage medium - Google Patents
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Description
本発明は、ブラシを基板に接触させて処理する技術に関する。 The present invention relates to a technique for processing a brush in contact with a substrate.
従来より、ブラシを基板に接触させて処理することにより基板に付着した不要物を除去するスクラバー等の基板処理装置が知られている。この種の基板処理装置として、基板処理を行っている間、ブラシの基板に対する押圧力を変更可能なものもある。特許文献1では、基板の表面全体にわたって均一の除去性能をもたせること、及び基板の損傷が生じることを抑制することを目的として、基板の外周部におけるブラシの押圧力を中心部よりも大きくしている。
2. Description of the Related Art Conventionally, there is known a substrate processing apparatus such as a scrubber that removes unnecessary materials attached to a substrate by bringing a brush into contact with the substrate for processing. Some substrate processing apparatuses of this type can change the pressing force of the brush against the substrate during the substrate processing. In
引用文献1のように、基板の領域に応じてブラシの押圧力を大きくすると不要物の除去性能は向上するが、ブラシの材質によってはブラシ自体が削れてパーティクルとなり、基板に付着してしまうことがある。
If the brush pressing force is increased in accordance with the area of the substrate as in the cited
本発明は、上述した問題点を解決するためのものであり、ブラシから発生するパーティクルの基板への付着を抑制しつつ、不要物の除去性能を向上させる。 The present invention is for solving the above-described problems, and improves the removal performance of unwanted materials while suppressing adhesion of particles generated from a brush to a substrate.
上述した課題を解決するために、本発明の基板処理装置の制御方法は、基板を保持して回転させる基板保持部と、前記基板に接触することで前記基板を処理するブラシと、洗浄液を基板に対して供給する供給部と、を備える基板処理装置の制御方法であって、前記基板の処理領域を、基板の中心位置から順に、前記供給部により洗浄液が供給される最も基板中心側の第1領域、第2領域、最も基板周縁側の第3領域、に分けて前記ブラシの前記基板に対する押圧力を制御し、前記第1領域及び前記第3領域の押圧力よりも、前記第2領域の押圧力を大きくすることを特徴とする。 In order to solve the above-described problems, a method for controlling a substrate processing apparatus according to the present invention includes a substrate holding unit that holds and rotates a substrate, a brush that processes the substrate by contacting the substrate, and a cleaning liquid as a substrate. A substrate supply apparatus that supplies a cleaning solution to the substrate processing region in order from the center position of the substrate in order from the center position of the substrate. The pressing force of the brush against the substrate is controlled by dividing into one region, a second region, and a third region on the most peripheral side of the substrate, and the second region is more than the pressing force of the first region and the third region. It is characterized by increasing the pressing force.
また、本発明の基板処理装置は、前記ブラシが前記第3領域を処理しているときに、前記ブラシが前記第1領域及び前記第2領域を処理しているときよりも多い量の洗浄液を前記基板に対して供給することを特徴とする。 The substrate processing apparatus of the present invention, when the brush is processing the third region, the greater amount of cleaning liquid than when the brush is processing the first region and the second region It supplies to the said board | substrate, It is characterized by the above-mentioned.
本発明によれば、ブラシから発生するパーティクルの基板への付着を抑制しつつ、不要物の除去性能を向上させることができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the removal performance of an unnecessary thing can be improved, suppressing adhesion to the board | substrate of the particle which generate | occur | produces from a brush.
以下に、本発明の具体的な構成について図面を参照しながら説明する。 The specific configuration of the present invention will be described below with reference to the drawings.
(第1の実施形態)
図1は、本実施形態における基板処理システム101の全体構成を示す図である。
図1に示すように、基板処理システム101は、筺体102の前端部に基板搬入出台103を形成するとともに、基板搬入出台103の後部に基板処理室104を形成している。
(First embodiment)
FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration of a
As shown in FIG. 1, the
基板搬入出台103は、基板105を複数枚(たとえば、25枚)まとめて収容した複数個(ここでは、3個)のキャリア106を上部に左右に並べて載置している。そして、基板搬入出台103は、キャリア106と後部の基板処理室104との間で基板105の搬入及び搬出を行うようにしている。基板処理室104は、中央部に基板搬送装置107を配置し、基板搬送装置107の左側部に基板反転装置108と2個の基板処理装置109とを前後に並べて配置するとともに、基板搬送装置107の右側部に3個の基板処理装置109を前後に並べて配置している。
The substrate carry-in / out table 103 has a plurality (three in this case) of
基板搬送装置107は、前後に伸延する搬送室110の内部に基板105を1枚ずつ保持して搬送するための搬送部111を収容している。この搬送部111は、前後に走行する走行台112に1枚の基板105を保持するアーム113を進退・昇降及び回転可能に取付けている。そして、基板搬送装置107は、基板搬入出台103と基板反転装置108との間や基板反転装置108と基板処理装置109との間で搬送部111を用いて基板105を1枚ずつ搬送するようにしている。基板反転装置108は、基板搬送装置107から受取った基板105を表裏反転させた後に再び基板搬送装置107に受渡すように構成している。
The
制御部114は、記録媒体115を有しており、記録媒体115に記録された各種のプログラムに従って基板処理システム101を駆動制御し、基板105の処理を行うようにしている。ここで、記録媒体115は、各種の設定データや後述する基板処理プログラム等の各種のプログラムを格納しており、ROMやRAMなどのメモリーや、ハードディスク、CD−ROM、DVD−ROMやフレキシブルディスクなどのディスク状記憶媒体などの公知のもので構成され得る。
The
基板処理システム101の基板処理において、基板搬送装置107は、基板搬入出台103の所定のキャリア106から1枚の基板105を表面を上側に向けた状態で受取り、その基板105を基板搬送装置107で基板反転装置108に受渡たす。基板反転装置108は、受け取った基板105の表裏を反転させる。基板搬送装置107は、基板反転装置108から反転された基板105を裏面(回路形成面とは反対の面)を上側に向けた状態で受取る。基板搬送装置107は、その基板105をいずれかの基板処理装置109に受渡たす。基板処理装置109は、受け取った基板105の裏面を処理する。基板搬送装置107は、基板処理装置109から処理された基板105を受け取り、基板反転装置108に搬送する。基板反転装置108は、基板の表裏を反転させる。基板搬送装置107は、基板反転装置108から基板105を表面を上側に向けた状態で受取り、その基板105を基板搬入出台103の所定のキャリア106に受渡たす。
In the substrate processing of the
基板処理装置109は、図2及び図3に示すように、ケーシング201の内部に、基板105を保持するための基板保持部202と、基板105の裏面を洗浄するための基板洗浄部203と、基板105の裏面に処理液として純水を供給するための処理液供給部204とを収容している。これらの基板保持部202、基板洗浄部203、処理液供給部204は、制御部114に接続されており、制御部114で駆動制御される。
As shown in FIGS. 2 and 3, the
基板保持部202は、ケーシング201の底部中央に駆動モーター205を取付け、駆動モーター205の駆動軸206に円板状のターンテーブル207を水平に取付け、ターンテーブル207の上面端縁部に基板105の外周端縁を保持可能な3個のチャッキング208を円周方向に間隔をあけて取付け、ターンテーブル208の外周外方を昇降可能なカップ209で被覆している。駆動モーター205(ターンテーブル207)の駆動やチャッキング208の駆動やカップ209の昇降は制御部114で制御されている。
The
基板洗浄部203は、ケーシング201の底部右後方に上下に伸延する移動台210を左右に移動可能に取付け、移動台210の上部に前後に伸延するアーム211を昇降可能に取付け、アーム211の前端下部に上下に伸延する回動軸301を回動可能に取付け、回動軸301の下端部に洗浄部材としてのブラシ302を取付けている。移動台210の移動やアーム211の昇降や回動軸301(ブラシ302)の回動は制御部114で制御されている。また、基板洗浄部203は、ケーシング201の右側壁にブラシ302の洗浄や保水を行うためのブラシ洗浄部212を設けている。
The
処理液供給部204は、ケーシング201の底部左前方に流調機構213を取付け、流調機構213にノズル214を連結しており、ノズル214の先端から基板105の上面中心部に向けて純水を供給するようにしている。ノズル214の先端位置や供給方向は限定されるものではなく、基板105の中心部に相当する後述の第1領域に対して純水が供給され、結果として最も厚い液膜を形成させることができれば、任意のものであって良い。
The treatment
ブラシ302の具体的な形状を図4に示す。図4(a)は、ブラシ302を横方向から見た図、図4(b)は、ブラシ302を下方向から見た図である。ブラシ302の回動軸301の下端は、PVA(ポリビニルアルコール)からなる円柱状の平坦な弾性部材と、PP(ポリプロピレン)からなる植毛(黒色部分)とから構成される。ここで、PP植毛402は、PVA平坦部401よりも硬質であり、基板105に対して大きな押圧力を与えることにより大きな摩擦力が働いたとしても削れることはない。これに対して、PVA平坦部401は軟質であり、大きな押圧力を与えると基板105との間の摩擦力により表面が削れ、後述するようなパーティクルの原因となりうる。なお、軟質部材としてはPVAには限定されるものではなく、基板105よりも柔らかい部材であれば、他の材質を利用してもよい。
A specific shape of the
次に、基板処理装置9が行う基板処理の具体的な動作について説明する。本基板処理の各動作は、制御部114が制御する。
Next, a specific operation of the substrate processing performed by the substrate processing apparatus 9 will be described. Each operation of the substrate processing is controlled by the
まず、基板搬送装置7によって基板保持部202のターンテーブル207の上部に搬入された基板105をチャッキング208で水平に保持する。なお、基板105は、基板反転装置108によって反転されているので、回路形成面とは反対の面(裏面)が表を向いている。以降、この面を便宜上、上面と記載する。
First, the
次に、基板保持部202のターンテーブル207を回転させて基板105を水平に保持したまま回転させ、処理液供給部204のノズル214から基板105の上面に向けて純水を供給する。
Next, the
そして、ブラシ302を基板搬入時とは反対側の基板105の外周縁まで移動させた後、ブラシ302を回転させながら基板105の上面に降下させる。そして、ブラシ302を純水を介して基板105に接触させた状態で、図5に示すように、基板105の上面の外周端縁から中心側へ向けて移動させる。基板の中心に移動した後、さらに、基板105の中心から他方の外周端縁側へ向けて移動させる。なお、ブラシ自体の回転数は全領域において一定である。本実施形態では、ブラシ302が他方の外周端縁まで達したら、ブラシ302洗浄動作を終了するが、複数回繰り返すようにしても良い。その場合、制御部114は、ブラシ302が他方の外周端縁まで達するごとにブラシ302の動作を予め決められた回数だけ行ったかを判断し、行っていなければ、再度、最初の外周端縁までブラシ302を移動させ、上記の移動動作を繰り返すよう制御する。なお、本実施形態では、ブラシ302を一方の外周縁から他方の外周縁まで(P1からP6まで)移動させる例を説明するが、これに限定することなく、基板中心から他方の外周縁まで(P4からP6まで)又は一方の外周縁から基板中心まで(P1からP3まで)移動させるようにしても良い。
Then, after the
その後、ブラシ302、ノズル214の動作を停止し、及び基板105の上方から退避させた後、ターンテーブル207を高速回転させることで、基板105の上面に残存した洗浄液を振り切って乾燥させる。乾燥が終了したら、動作基板搬送装置107によってターンテーブル207の上部から基板105を基板反転装置108へ搬出する。
Thereafter, the operation of the
図6は、図5に示す基板処理を行う場合の領域区分を説明するための図である。 FIG. 6 is a diagram for explaining region division when the substrate processing shown in FIG. 5 is performed.
本実施形態では、基板中心を基準に基板105の上面の領域を第1〜第4の4つの領域に分け、それぞれの領域で異なる処理を行うようにする。ここで、第1領域(P3,P4)は、基板中心から半径50mmの円形領域であり、第2領域(P2,P5)は、基板中心から51mm〜100mmの環状領域であり、第3領域(P1,P6)は、基板中心から100mm〜147mmの環状領域である。第4領域は、基板中心から148mm〜150mmの環状領域であるが、本実施形態では、ブラシ302がチャッキング208に衝突することを防止するため、この領域の基板処理を行わない。なお、裏面吸着等といった周縁部を保持しない方式で基板を保持する場合は衝突の問題も生じないので、基板中心から148mm〜150mの領域を他を分けて定義することなく、第3領域と一体的に取り扱っても良い。
In the present embodiment, the region on the upper surface of the
図7は、本実施形態におけるブラシ302の押圧力の制御の具体例を示す図である。図7において、横軸はブラシ302の基板105の上面での位置を示し、縦軸はブラシ302の押圧力の大きさを示している。
FIG. 7 is a diagram illustrating a specific example of the control of the pressing force of the
図示されるように、ブラシ302の押圧力は、第1領域と第3領域では同じ値とし、第2領域ではそれらよりも大きい値とする。この様に、本実施形態では、第2領域を他の領域よりも高い荷重をかけることにより、パーティクル等の不要物の除去性能を向上させるようにしている。
As shown in the figure, the pressing force of the
図8を用いて、上記のような制御を行う根拠となった評価実験について説明する。 With reference to FIG. 8, a description will be given of an evaluation experiment that is the basis for performing the above control.
この評価実験では、図5及び図6を用いて説明した基板処理と同様の動作を行っている。本実験でも、ブラシ自体の回転数は全領域において一定であり、ブラシ302の動作回数も1回である。また、第1〜第3領域においてブラシ302の押圧力を共通にし、その値を、0.5N毎に段階的に変化させている(ただし、最小値は0.1Nであり、その次の値は、0.5N)。
In this evaluation experiment, an operation similar to the substrate processing described with reference to FIGS. 5 and 6 is performed. Also in this experiment, the number of rotations of the brush itself is constant in all regions, and the number of operations of the
図8(a)は、基板105の上面に所定量のパーティクルを均等に付着させ、ブラシ302により移動動作を行った後、基板105上に残ったパーティクルの数を計測した結果を示すものである。
ここで縦軸の除去率とは、付着させたパーティクルのうち移動動作により除去されたパーティクルの数の比率を示している。図示するように、第1〜第3領域のいずれにおいても、ブラシの押圧力が増加するほど、パーティクルの除去率は向上した。
FIG. 8A shows a result of measuring the number of particles remaining on the
Here, the removal rate on the vertical axis indicates the ratio of the number of particles removed by the movement operation among the attached particles. As shown in the figure, in any of the first to third regions, the particle removal rate improved as the pressing force of the brush increased.
図8(b)は、基板105の上面にパーティクルを付着させることなく、ブラシ302により移動動作を行った結果を示すものである。この実験は、ブラシ302自体の削れにより発生したパーティクルの基板105の上面への付着量を計測することができる。
FIG. 8B shows the result of the moving operation performed by the
ここで縦軸のパーティクルカウントとは、基板105の上面の各領域に実際に付着したまま残っているパーティクルの個数(付着量)を示している。図示するように、第1領域と第3領域では、ブラシ302の押圧力が増加すると、パーティクルカウントも増大した。一方、第2領域では、押圧力が2.5Nに増加するまではパーティクルカウントも増大するが、それ以上に押圧力が増加しても、パーティクルカウントは増大しなかった。
Here, the particle count on the vertical axis indicates the number of particles (attachment amount) that remain in the respective regions on the upper surface of the
以上の実験結果に基づけば、第1領域と第3領域では、ブラシの押圧力が増加すると、付着したパーティクルの除去性能は向上するが、ブラシ自体から発生したパーティクルの付着量も増大してしまい、その領域全体での除去性能は上がらないおそれがあると評価できる。これに対して、第2領域は、ブラシの押圧力が増加すると、付着したパーティクルの除去性能は向上し、さらに、ブラシ自体から発生したパーティクルの付着量も増大しないので、その領域全体での除去性能は向上していくと評価できる。 Based on the above experimental results, in the first region and the third region, when the pressing force of the brush is increased, the removal performance of the adhered particles is improved, but the adhesion amount of the particles generated from the brush itself is also increased. It can be evaluated that the removal performance in the entire region may not be improved. On the other hand, in the second region, when the pressing force of the brush is increased, the removal performance of the adhered particles is improved, and further, the amount of adhered particles generated from the brush itself is not increased. It can be evaluated that the performance will improve.
以上の評価結果を踏まえて、本実施形態では、図7に示したように、第2領域は他の領域よりも高い負荷を与えて処理するようにすることで、パーティクルを増やすことなく第2領域における不要物の除去性能を向上させた。 Based on the above evaluation results, in the present embodiment, as shown in FIG. 7, the second area is processed by applying a higher load than the other areas without increasing the number of particles. The removal performance of unwanted materials in the area has been improved.
次に、図8に示した実験結果が得られた理由についての、発明者の一考察を以下に示す。 Next, an inventor's consideration about the reason why the experimental result shown in FIG. 8 was obtained will be described below.
図9は、基板の上面の位置における、ブラシ302と基板105との摩擦係数、及び処理液供給部204により供給された洗浄液(純水)の液膜の厚さの関係を示す概念図である。図9において、0mmの位置が基板中心を示し、150mmの位置が基板周縁端を示す。なお、ブラシ302の基板105に対する押圧力やブラシ自体の回転速度は、基板105上の位置によらず一定であるとする。
FIG. 9 is a conceptual diagram showing the relationship between the friction coefficient between the
図示されるように、洗浄液の液膜の厚さは、基板の中心位置から第2領域に至るまでは緩やかに減少し、第3領域から周縁位置に向かうに従って急峻に減少する。これは、周縁位置に向かうほど洗浄液が存在しうる面積が広がるとともに、遠心力が強く作用して液膜が基板上から振り切られる速度が増すためである。 As shown in the figure, the thickness of the liquid film of the cleaning liquid gradually decreases from the center position of the substrate to the second area, and sharply decreases from the third area toward the peripheral position. This is because the area where the cleaning liquid can exist increases toward the peripheral position, and the speed at which the liquid film is shaken off from the substrate increases due to the strong centrifugal force.
一方、摩擦係数は、基板の中心位置から周縁位置に向かうに従って、ほぼ変わらない傾き度合いで単純に減少する。この理由は、一般的に2物体間の潤滑状態を説明するために用いられるストライベック曲線により説明できる。 On the other hand, the coefficient of friction simply decreases with an almost unchanged degree of inclination from the center position of the substrate toward the peripheral position. This reason can be explained by a Stribeck curve that is generally used to describe the lubrication state between two objects.
ストライベック曲線は、潤滑状態において、2物体間における摩擦係数は、値A(A=潤滑液の粘度×2物体間の相対速度/2物体間の荷重)が増加するほど単純減少することを示すものである。ここで、値Aを規定する上記の式において、2物体間における潤滑液の粘性と荷重が一定であるとすると、2物体間の摩擦係数は、その間の相対速度が大きいほど単純減少することになる。 The Stribeck curve shows that in the lubrication state, the coefficient of friction between the two objects simply decreases as the value A (A = the viscosity of the lubricating liquid × the relative speed between the two objects / the load between the two objects) increases. Is. Here, in the above equation defining the value A, if the viscosity and load of the lubricating liquid between the two objects are constant, the friction coefficient between the two objects simply decreases as the relative speed between them increases. Become.
本実施形態においては、基板105の上面全体において一定厚以上の液膜が存在し、この液膜は周縁位置では薄くなっているが、基板105とブラシ302との間で一定の粘度を持つ潤滑液として十分に機能する。また、実験において、ブラシ302の基板105に対する押圧力やブラシ自体の回転速度は、基板105の上面の位置によらず一定である。そして、基板105の中心位置よりも周縁位置のほうが、ブラシ302に対する基板の相対速度が大きい。以上の事実をストライベック曲線に当てはめると、基板105の中心位置から周縁位置に向かうに従って、基板105とブラシ302の間の摩擦係数は減少し、値の変換の態様は、図9のような直線的な形状になるのは明らかである。
In the present embodiment, a liquid film having a certain thickness or more exists on the entire upper surface of the
図9の形状は、基板105の中心ほど摩擦係数が大きいことを示すので、基板105の中心ほどブラシ302の表面の削れが発生してパーティクルの付着量が多く、基板105の周縁になるほど削れが発生しにくくパーティクルの付着量が少ないと予測できる。しかし、図8(b)の実験結果によれば、この予測どおりにはなっておらず、第2領域が最もパーティクルが少ない。発明者は、図9に示すように、第2領域では、他の領域よりも、液膜が減少する傾きが小さく、厚く保たれていることが影響していると考えている。つまり、洗浄液の液膜はパーティクルの量を増加させない作用を有しており、液膜の厚さが摩擦係数に対して相対的に小さくなるほど、ブラシ302から発生したパーティクルの付着量が増加し、相対的に大きくなるほど付着量が減少する。このため、第2領域が、他の領域と異なり、パーティクルの付着量が少ないといえる。
The shape in FIG. 9 indicates that the friction coefficient is larger toward the center of the
以上説明したように、本実施形態によれば、基板105の処理領域を、基板105の中心位置から順に、処理液供給部204により洗浄液が供給される最も基板中心側の第1領域、第2領域、最も基板周縁側の第3領域、に分けてブラシ302の基板102に対する押圧力を制御するようにした。そして、第1領域及び第3領域の押圧力よりも、第2領域の押圧力を大きくするようにした。これにより、ブラシ302から発生するパーティクルの基板105への付着を抑制しつつ、不要物の除去性能を向上させることができる。
As described above, according to the present embodiment, the processing region of the
(第1の実施形態の変形例)
上記実施形態では、ブラシ302の押圧力は、第1領域と第3領域では同じ値としたが、第3領域の除去性能を上げるため、第1領域よりも大きな値としても良い。また、第1の実施形態では、同じ領域内では均一押圧力としたが、これに限らず、各領域内での除去性能の均一化を促進させるために、同じ領域内でも外側に向かうに従って少しずつ押圧力を大きくしてもよい。
(Modification of the first embodiment)
In the above embodiment, the pressing force of the
(第2の実施形態)
第1の実施形態で述べたように、洗浄液の液膜の厚さと摩擦係数との相対的な大小関係が、ブラシ302から発生したパーティクルの付着量に影響していると考えられる。
(Second Embodiment)
As described in the first embodiment, it is considered that the relative magnitude relationship between the thickness of the cleaning liquid film and the coefficient of friction affects the amount of adhesion of particles generated from the
図8(a)に示したように、各領域について同じ押圧力で基板処理を行った場合、第3領域が最も除去性能が低い。全体での除去性能の均一性を向上させるためには第3領域の押圧力を上げれば良いが、単純に押圧力を上げただけでは、図8(b)に示したように、ブラシ302から発生したパーティクルの付着量が増大するおそれがある。 As shown in FIG. 8A, when the substrate processing is performed with the same pressing force for each region, the third region has the lowest removal performance. In order to improve the uniformity of the removal performance as a whole, the pressing force in the third region may be increased. However, if the pressing force is simply increased, as shown in FIG. There is a possibility that the amount of generated particles increases.
そこで本実施形態では、第3領域において押圧力を上げるとともに処理液の液膜の影響を大きくすることにより、パーティクルの付着も抑制する。 Therefore, in the present embodiment, adhesion of particles is suppressed by increasing the pressing force in the third region and increasing the influence of the liquid film of the processing liquid.
図10は、本実施形態におけるブラシ押圧力の制御の具体例を示す図である。図示されるように、ブラシ302の押圧力は、第1領域、第2領域、第3領域の順で、段階的に大きい値とする。また、ブラシ302が第1領域と第2領域に位置するときの処理液供給部204の処理液の供給量を第1供給量とし、第3領域での処理液の供給量を、それよりも多い第2供給量とする。
FIG. 10 is a diagram illustrating a specific example of brush pressing force control in the present embodiment. As shown in the drawing, the pressing force of the
図11に、この様な処理液の供給を行ったときのブラシ302と基板105との摩擦係数及び液膜の厚さの関係を概念的に示す。
FIG. 11 conceptually shows the relationship between the friction coefficient between the
図示されるように、本実施形態では、第1及び第2領域を処理しているときよりも第3領域を処理しているときのほうが処理液の供給量が多いため、図9のように供給量を変化させない場合に対して液膜の厚さが上向きにシフトした量になる。このため、第3領域において供給量を変化させない場合よりも、処理液の液膜による作用が相対的に強くなり、図10のようなブラシ制御を行ったとしても、ブラシ302から発生するパーティクルの付着が抑制される。 As shown in FIG. 9, in this embodiment, the amount of processing liquid supplied is larger when the third region is processed than when the first and second regions are processed. The thickness of the liquid film is shifted upward as compared with the case where the supply amount is not changed. For this reason, the action of the liquid film of the processing liquid is relatively stronger than when the supply amount is not changed in the third region, and even if the brush control as shown in FIG. Adhesion is suppressed.
なお、上記の例では、第1領域、第2領域、第3領域の順でブラシ302の押圧力を高くするようにしたが、第3領域の押圧力は、第1領域よりも大きく第2領域よりも小さい程度や第2領域と同一の値でも、第3領域の除去性能は向上する。
In the above example, the pressing force of the
以上説明したように、本実施形態によれば、少なくとも第1領域よりも第3領域の押圧力を大きくし、ブラシ302が第3領域を処理しているときに、ブラシ302が第1領域及び第2領域を処理しているときよりも多い量の洗浄液を基板105に対して供給するようにした。これにより、第2領域のみならず、第3領域において、ブラシ302から発生するパーティクルの付着を抑制しつつ、パーティクル等の不要物の除去性能を向上させることができるとともに、基板105上の全体での除去性能の均一化を図ることができる。
As described above, according to the present embodiment, when the pressing force of at least the third region is larger than that of the first region and the
本実施形態では、第1領域に対して供給する処理液の量を増加させるようにしているが、処理液供給部204とは別の処理液供給部を設けて、第3領域のみに処理液を供給するようにしても良い。つまり、ブラシ302が第1〜第3領域を処理する期間、処理液供給部204からの処理液の流量は変化させず、ブラシ302が第3領域を処理する期間だけ、他の処理液供給部から図11の厚さの膜厚を形成するに相当する量の処理液を供給する制御を行う。
In the present embodiment, the amount of the processing liquid supplied to the first region is increased. However, a processing liquid supply unit different from the processing
また、本実施形態の図10の制御に限らず、第1の実施形態でも述べたように、第2領域の液膜も厚い状態は保たれているので、第2領域の除去性能も向上させるために、ブラシ302の押圧力を、第1領域、第3領域、第2領域の順で、段階的に大きい値としてもよい。
Further, not only the control of FIG. 10 of the present embodiment but also the liquid film in the second region is kept thick as described in the first embodiment, so that the removal performance of the second region is also improved. For this reason, the pressing force of the
基板 105
基板保持部 202
処理液供給部 204
ブラシ 302
Treatment
Claims (11)
前記基板の処理領域を、基板の中心位置から順に、前記供給部により洗浄液が供給される最も基板中心側の第1領域、第2領域、最も基板周縁側の第3領域、に分けて前記ブラシの前記基板に対する押圧力を制御し、前記第1領域及び前記第3領域の押圧力よりも、前記第2領域の押圧力を大きくすることを特徴とする基板処理装置の制御方法。 A control method for a substrate processing apparatus, comprising: a substrate holding unit that holds and rotates a substrate; a brush that processes the substrate by contacting the substrate; and a supply unit that supplies a cleaning liquid to the substrate. ,
The brush processing area is divided into a first area, a second area, and a third area, which are closest to the substrate periphery, to which the cleaning liquid is supplied by the supply unit in order from the center position of the substrate. A method for controlling a substrate processing apparatus, comprising: controlling a pressing force of the second region with respect to the substrate, and making the pressing force of the second region larger than the pressing force of the first region and the third region.
前記基板に接触することで前記基板を処理するブラシと、
洗浄液を基板に対して供給する供給部と、
前記ブラシの動作を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記基板の処理領域を基板の中心位置から順に、前記供給部により洗浄液が供給される最も基板中心側の第1領域、第2領域、最も基板周縁側の第3領域、に分けて前記ブラシの前記基板に対する押圧力を制御し、前記第1領域及び前記第3領域の押圧力よりも、前記第2領域の押圧力を大きくすることを特徴とする基板処理装置。 A substrate holder for holding and rotating the substrate;
A brush for treating the substrate by contacting the substrate;
A supply unit for supplying a cleaning liquid to the substrate;
A control unit for controlling the operation of the brush,
The control unit sequentially arranges the processing area of the substrate from the center position of the substrate into the first area, the second area, and the third area closest to the peripheral edge of the substrate, to which the cleaning liquid is supplied by the supply unit. A substrate processing apparatus, wherein the pressing force of the brush against the substrate is controlled separately, and the pressing force of the second region is made larger than the pressing force of the first region and the third region.
ュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記プログラムは、実行時に、請求項1〜請求項5のいずれか一つに記載の基板処理装置の制御方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理システムを制御させることを特徴とする記憶媒体。
A computer-readable storage medium that operates on a computer and stores a program for controlling the substrate processing system,
A storage medium that, when executed, causes a computer to control the substrate processing system so that the method for controlling a substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5 is performed. .
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