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JP6306964B2 - Substrate processing apparatus control method, substrate processing apparatus, and storage medium - Google Patents

Substrate processing apparatus control method, substrate processing apparatus, and storage medium Download PDF

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JP6306964B2 JP2014149395A JP2014149395A JP6306964B2 JP 6306964 B2 JP6306964 B2 JP 6306964B2 JP 2014149395 A JP2014149395 A JP 2014149395A JP 2014149395 A JP2014149395 A JP 2014149395A JP 6306964 B2 JP6306964 B2 JP 6306964B2
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Description

本発明は、ブラシを基板に接触させて処理する技術に関する。   The present invention relates to a technique for processing a brush in contact with a substrate.

従来より、ブラシを基板に接触させて処理することにより基板に付着した不要物を除去するスクラバー等の基板処理装置が知られている。この種の基板処理装置として、基板処理を行っている間、ブラシの基板に対する押圧力を変更可能なものもある。特許文献1では、基板の表面全体にわたって均一の除去性能をもたせること、及び基板の損傷が生じることを抑制することを目的として、基板の外周部におけるブラシの押圧力を中心部よりも大きくしている。   2. Description of the Related Art Conventionally, there is known a substrate processing apparatus such as a scrubber that removes unnecessary materials attached to a substrate by bringing a brush into contact with the substrate for processing. Some substrate processing apparatuses of this type can change the pressing force of the brush against the substrate during the substrate processing. In Patent Document 1, for the purpose of providing uniform removal performance over the entire surface of the substrate and suppressing the occurrence of damage to the substrate, the pressing force of the brush at the outer peripheral portion of the substrate is made larger than that at the center portion. Yes.

特許第3539834号公報Japanese Patent No. 3539834

引用文献1のように、基板の領域に応じてブラシの押圧力を大きくすると不要物の除去性能は向上するが、ブラシの材質によってはブラシ自体が削れてパーティクルとなり、基板に付着してしまうことがある。   If the brush pressing force is increased in accordance with the area of the substrate as in the cited document 1, the removal performance of unnecessary materials is improved, but depending on the material of the brush, the brush itself may be scraped into particles and adhere to the substrate. There is.

本発明は、上述した問題点を解決するためのものであり、ブラシから発生するパーティクルの基板への付着を抑制しつつ、不要物の除去性能を向上させる。   The present invention is for solving the above-described problems, and improves the removal performance of unwanted materials while suppressing adhesion of particles generated from a brush to a substrate.

上述した課題を解決するために、本発明の基板処理装置の制御方法は、基板を保持して回転させる基板保持部と、前記基板に接触することで前記基板を処理するブラシと、洗浄液を基板に対して供給する供給部と、を備える基板処理装置の制御方法であって、前記基板の処理領域を、基板の中心位置から順に、前記供給部により洗浄液が供給される最も基板中心側の第1領域、第2領域、最も基板周縁側の第3領域、に分けて前記ブラシの前記基板に対する押圧力を制御し、前記第1領域及び前記第3領域の押圧力よりも、前記第2領域の押圧力を大きくすることを特徴とする。   In order to solve the above-described problems, a method for controlling a substrate processing apparatus according to the present invention includes a substrate holding unit that holds and rotates a substrate, a brush that processes the substrate by contacting the substrate, and a cleaning liquid as a substrate. A substrate supply apparatus that supplies a cleaning solution to the substrate processing region in order from the center position of the substrate in order from the center position of the substrate. The pressing force of the brush against the substrate is controlled by dividing into one region, a second region, and a third region on the most peripheral side of the substrate, and the second region is more than the pressing force of the first region and the third region. It is characterized by increasing the pressing force.

また、本発明の基板処理装置は前記ブラシが前記第3領域を処理しているときに、前記ブラシが前記第1領域及び前記第2領域を処理しているときよりも多い量の洗浄液を前記基板に対して供給することを特徴とする。 The substrate processing apparatus of the present invention, when the brush is processing the third region, the greater amount of cleaning liquid than when the brush is processing the first region and the second region It supplies to the said board | substrate, It is characterized by the above-mentioned.

本発明によれば、ブラシから発生するパーティクルの基板への付着を抑制しつつ、不要物の除去性能を向上させることができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the removal performance of an unnecessary thing can be improved, suppressing adhesion to the board | substrate of the particle which generate | occur | produces from a brush.

本発明の実施形態における基板処理システム101の全体構成を示す図である。It is a figure showing the whole substrate processing system 101 composition in an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態における基板処理装置109の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the substrate processing apparatus 109 in embodiment of this invention. 本発明の実施形態における基板処理装置109の構成を示す側面図である。It is a side view which shows the structure of the substrate processing apparatus 109 in embodiment of this invention. 本発明の実施形態におけるブラシ302の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the brush 302 in embodiment of this invention. 基板処理装置109が行う基板処理の具体的な動作を説明する図である。It is a figure explaining the specific operation | movement of the substrate processing which the substrate processing apparatus 109 performs. 基板処理を行う場合の領域区分を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the area division in the case of performing a substrate process. 第1の実施形態におけるブラシ302の押圧力の制御の具体例を示す図である。It is a figure which shows the specific example of control of the pressing force of the brush 302 in 1st Embodiment. ブラシ302の押圧力を変化させた評価実験の結果を示す図である。It is a figure which shows the result of the evaluation experiment which changed the pressing force of the brush. 第1の実施形態における摩擦係数及び洗浄液の液膜の厚さの関係を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the relationship between the friction coefficient in 1st Embodiment, and the thickness of the liquid film of a washing | cleaning liquid. 第2の実施形態におけるブラシ押圧力の制御の具体例を示す図である。It is a figure which shows the specific example of control of the brush pressing force in 2nd Embodiment. 第2の実施形態における摩擦係数及び洗浄液の液膜の厚さの関係を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the relationship between the friction coefficient in 2nd Embodiment, and the thickness of the liquid film of a washing | cleaning liquid.

以下に、本発明の具体的な構成について図面を参照しながら説明する。   The specific configuration of the present invention will be described below with reference to the drawings.

(第1の実施形態)
図1は、本実施形態における基板処理システム101の全体構成を示す図である。
図1に示すように、基板処理システム101は、筺体102の前端部に基板搬入出台103を形成するとともに、基板搬入出台103の後部に基板処理室104を形成している。
(First embodiment)
FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration of a substrate processing system 101 in the present embodiment.
As shown in FIG. 1, the substrate processing system 101 forms a substrate loading / unloading table 103 at the front end of the housing 102 and forms a substrate processing chamber 104 at the rear of the substrate loading / unloading table 103.

基板搬入出台103は、基板105を複数枚(たとえば、25枚)まとめて収容した複数個(ここでは、3個)のキャリア106を上部に左右に並べて載置している。そして、基板搬入出台103は、キャリア106と後部の基板処理室104との間で基板105の搬入及び搬出を行うようにしている。基板処理室104は、中央部に基板搬送装置107を配置し、基板搬送装置107の左側部に基板反転装置108と2個の基板処理装置109とを前後に並べて配置するとともに、基板搬送装置107の右側部に3個の基板処理装置109を前後に並べて配置している。   The substrate carry-in / out table 103 has a plurality (three in this case) of carriers 106 that accommodate a plurality of (for example, 25) substrates 105 arranged in a row on the left and right. The substrate carry-in / out table 103 carries in and out the substrate 105 between the carrier 106 and the rear substrate processing chamber 104. In the substrate processing chamber 104, a substrate transfer device 107 is disposed at the central portion, and a substrate reversing device 108 and two substrate processing devices 109 are disposed side by side on the left side of the substrate transfer device 107, and the substrate transfer device 107 is disposed. Three substrate processing apparatuses 109 are arranged side by side on the right side.

基板搬送装置107は、前後に伸延する搬送室110の内部に基板105を1枚ずつ保持して搬送するための搬送部111を収容している。この搬送部111は、前後に走行する走行台112に1枚の基板105を保持するアーム113を進退・昇降及び回転可能に取付けている。そして、基板搬送装置107は、基板搬入出台103と基板反転装置108との間や基板反転装置108と基板処理装置109との間で搬送部111を用いて基板105を1枚ずつ搬送するようにしている。基板反転装置108は、基板搬送装置107から受取った基板105を表裏反転させた後に再び基板搬送装置107に受渡すように構成している。   The substrate transfer apparatus 107 accommodates a transfer unit 111 for holding and transferring the substrates 105 one by one in a transfer chamber 110 extending forward and backward. In the transport unit 111, an arm 113 that holds one substrate 105 is attached to a traveling platform 112 that travels forward and backward so that the arm 113 can be moved forward, backward, up and down, and rotated. The substrate transport device 107 transports the substrates 105 one by one using the transport unit 111 between the substrate carry-in / out table 103 and the substrate reversing device 108 or between the substrate reversing device 108 and the substrate processing device 109. ing. The substrate reversing device 108 is configured to invert the substrate 105 received from the substrate transporting device 107 and then deliver it to the substrate transporting device 107 again.

制御部114は、記録媒体115を有しており、記録媒体115に記録された各種のプログラムに従って基板処理システム101を駆動制御し、基板105の処理を行うようにしている。ここで、記録媒体115は、各種の設定データや後述する基板処理プログラム等の各種のプログラムを格納しており、ROMやRAMなどのメモリーや、ハードディスク、CD−ROM、DVD−ROMやフレキシブルディスクなどのディスク状記憶媒体などの公知のもので構成され得る。   The control unit 114 includes a recording medium 115, and drives and controls the substrate processing system 101 in accordance with various programs recorded on the recording medium 115 so as to process the substrate 105. Here, the recording medium 115 stores various setting data and various programs such as a substrate processing program to be described later, such as a memory such as a ROM and a RAM, a hard disk, a CD-ROM, a DVD-ROM, a flexible disk, and the like. The disc-shaped storage medium or the like may be used.

基板処理システム101の基板処理において、基板搬送装置107は、基板搬入出台103の所定のキャリア106から1枚の基板105を表面を上側に向けた状態で受取り、その基板105を基板搬送装置107で基板反転装置108に受渡たす。基板反転装置108は、受け取った基板105の表裏を反転させる。基板搬送装置107は、基板反転装置108から反転された基板105を裏面(回路形成面とは反対の面)を上側に向けた状態で受取る。基板搬送装置107は、その基板105をいずれかの基板処理装置109に受渡たす。基板処理装置109は、受け取った基板105の裏面を処理する。基板搬送装置107は、基板処理装置109から処理された基板105を受け取り、基板反転装置108に搬送する。基板反転装置108は、基板の表裏を反転させる。基板搬送装置107は、基板反転装置108から基板105を表面を上側に向けた状態で受取り、その基板105を基板搬入出台103の所定のキャリア106に受渡たす。   In the substrate processing of the substrate processing system 101, the substrate transport device 107 receives a single substrate 105 from a predetermined carrier 106 of the substrate carry-in / out table 103 with the front surface facing upward, and the substrate 105 is received by the substrate transport device 107. Delivered to the substrate reversing device 108. The substrate reversing device 108 reverses the front and back of the received substrate 105. The substrate transfer device 107 receives the substrate 105 reversed from the substrate reversing device 108 with the back surface (the surface opposite to the circuit formation surface) facing upward. The substrate transfer device 107 delivers the substrate 105 to one of the substrate processing devices 109. The substrate processing apparatus 109 processes the back surface of the received substrate 105. The substrate transfer device 107 receives the processed substrate 105 from the substrate processing device 109 and transfers it to the substrate reversing device 108. The substrate reversing device 108 reverses the front and back of the substrate. The substrate transfer device 107 receives the substrate 105 from the substrate reversing device 108 with the surface facing upward, and transfers the substrate 105 to a predetermined carrier 106 of the substrate carry-in / out table 103.

基板処理装置109は、図2及び図3に示すように、ケーシング201の内部に、基板105を保持するための基板保持部202と、基板105の裏面を洗浄するための基板洗浄部203と、基板105の裏面に処理液として純水を供給するための処理液供給部204とを収容している。これらの基板保持部202、基板洗浄部203、処理液供給部204は、制御部114に接続されており、制御部114で駆動制御される。   As shown in FIGS. 2 and 3, the substrate processing apparatus 109 includes a substrate holding unit 202 for holding the substrate 105, a substrate cleaning unit 203 for cleaning the back surface of the substrate 105, and a casing 201. A processing liquid supply unit 204 for supplying pure water as a processing liquid is accommodated on the back surface of the substrate 105. The substrate holding unit 202, the substrate cleaning unit 203, and the processing liquid supply unit 204 are connected to the control unit 114 and driven and controlled by the control unit 114.

基板保持部202は、ケーシング201の底部中央に駆動モーター205を取付け、駆動モーター205の駆動軸206に円板状のターンテーブル207を水平に取付け、ターンテーブル207の上面端縁部に基板105の外周端縁を保持可能な3個のチャッキング208を円周方向に間隔をあけて取付け、ターンテーブル208の外周外方を昇降可能なカップ209で被覆している。駆動モーター205(ターンテーブル207)の駆動やチャッキング208の駆動やカップ209の昇降は制御部114で制御されている。   The substrate holding unit 202 has a drive motor 205 attached to the center of the bottom of the casing 201, a disk-shaped turntable 207 is horizontally attached to the drive shaft 206 of the drive motor 205, and the substrate 105 is attached to the upper edge of the turntable 207. Three chuckings 208 that can hold the outer peripheral edge are attached at intervals in the circumferential direction, and the outer periphery of the turntable 208 is covered with a cup 209 that can be raised and lowered. Driving of the driving motor 205 (turn table 207), driving of the chucking 208, and raising / lowering of the cup 209 are controlled by the control unit 114.

基板洗浄部203は、ケーシング201の底部右後方に上下に伸延する移動台210を左右に移動可能に取付け、移動台210の上部に前後に伸延するアーム211を昇降可能に取付け、アーム211の前端下部に上下に伸延する回動軸301を回動可能に取付け、回動軸301の下端部に洗浄部材としてのブラシ302を取付けている。移動台210の移動やアーム211の昇降や回動軸301(ブラシ302)の回動は制御部114で制御されている。また、基板洗浄部203は、ケーシング201の右側壁にブラシ302の洗浄や保水を行うためのブラシ洗浄部212を設けている。   The substrate cleaning unit 203 is attached to the right and rear of the bottom part of the casing 201 so that the movable table 210 extending vertically can be moved left and right, and the arm 211 extending forward and backward can be mounted on the upper part of the movable table 210 so as to be movable up and down. A rotating shaft 301 extending vertically is attached to the lower portion in a rotatable manner, and a brush 302 as a cleaning member is attached to the lower end portion of the rotating shaft 301. The control unit 114 controls the movement of the moving table 210, the raising / lowering of the arm 211, and the rotation of the rotation shaft 301 (brush 302). In addition, the substrate cleaning unit 203 is provided with a brush cleaning unit 212 for cleaning the brush 302 and retaining water on the right side wall of the casing 201.

処理液供給部204は、ケーシング201の底部左前方に流調機構213を取付け、流調機構213にノズル214を連結しており、ノズル214の先端から基板105の上面中心部に向けて純水を供給するようにしている。ノズル214の先端位置や供給方向は限定されるものではなく、基板105の中心部に相当する後述の第1領域に対して純水が供給され、結果として最も厚い液膜を形成させることができれば、任意のものであって良い。   The treatment liquid supply unit 204 has a flow adjustment mechanism 213 attached to the bottom left front of the casing 201 and a nozzle 214 connected to the flow adjustment mechanism 213, and pure water from the tip of the nozzle 214 toward the center of the upper surface of the substrate 105. To supply. The tip position and supply direction of the nozzle 214 are not limited. If pure water is supplied to a first region described later corresponding to the central portion of the substrate 105, the thickest liquid film can be formed as a result. Can be arbitrary.

ブラシ302の具体的な形状を図4に示す。図4(a)は、ブラシ302を横方向から見た図、図4(b)は、ブラシ302を下方向から見た図である。ブラシ302の回動軸301の下端は、PVA(ポリビニルアルコール)からなる円柱状の平坦な弾性部材と、PP(ポリプロピレン)からなる植毛(黒色部分)とから構成される。ここで、PP植毛402は、PVA平坦部401よりも硬質であり、基板105に対して大きな押圧力を与えることにより大きな摩擦力が働いたとしても削れることはない。これに対して、PVA平坦部401は軟質であり、大きな押圧力を与えると基板105との間の摩擦力により表面が削れ、後述するようなパーティクルの原因となりうる。なお、軟質部材としてはPVAには限定されるものではなく、基板105よりも柔らかい部材であれば、他の材質を利用してもよい。   A specific shape of the brush 302 is shown in FIG. 4A is a diagram of the brush 302 viewed from the lateral direction, and FIG. 4B is a diagram of the brush 302 viewed from below. The lower end of the rotating shaft 301 of the brush 302 is composed of a cylindrical flat elastic member made of PVA (polyvinyl alcohol) and flocking (black part) made of PP (polypropylene). Here, the PP flock 402 is harder than the PVA flat portion 401 and is not scraped even if a large frictional force is applied by applying a large pressing force to the substrate 105. On the other hand, the PVA flat portion 401 is soft, and when a large pressing force is applied, the surface is scraped by a frictional force with the substrate 105, which may cause particles as described later. The soft member is not limited to PVA, and other materials may be used as long as the member is softer than the substrate 105.

次に、基板処理装置9が行う基板処理の具体的な動作について説明する。本基板処理の各動作は、制御部114が制御する。   Next, a specific operation of the substrate processing performed by the substrate processing apparatus 9 will be described. Each operation of the substrate processing is controlled by the control unit 114.

まず、基板搬送装置7によって基板保持部202のターンテーブル207の上部に搬入された基板105をチャッキング208で水平に保持する。なお、基板105は、基板反転装置108によって反転されているので、回路形成面とは反対の面(裏面)が表を向いている。以降、この面を便宜上、上面と記載する。   First, the substrate 105 carried onto the upper part of the turntable 207 of the substrate holding unit 202 is horizontally held by the chucking 208 by the substrate transfer device 7. Since the substrate 105 is reversed by the substrate reversing device 108, the surface (back surface) opposite to the circuit formation surface is facing up. Hereinafter, this surface is referred to as an upper surface for convenience.

次に、基板保持部202のターンテーブル207を回転させて基板105を水平に保持したまま回転させ、処理液供給部204のノズル214から基板105の上面に向けて純水を供給する。   Next, the turntable 207 of the substrate holding unit 202 is rotated to rotate while holding the substrate 105 horizontally, and pure water is supplied from the nozzle 214 of the processing liquid supply unit 204 toward the upper surface of the substrate 105.

そして、ブラシ302を基板搬入時とは反対側の基板105の外周縁まで移動させた後、ブラシ302を回転させながら基板105の上面に降下させる。そして、ブラシ302を純水を介して基板105に接触させた状態で、図5に示すように、基板105の上面の外周端縁から中心側へ向けて移動させる。基板の中心に移動した後、さらに、基板105の中心から他方の外周端縁側へ向けて移動させる。なお、ブラシ自体の回転数は全領域において一定である。本実施形態では、ブラシ302が他方の外周端縁まで達したら、ブラシ302洗浄動作を終了するが、複数回繰り返すようにしても良い。その場合、制御部114は、ブラシ302が他方の外周端縁まで達するごとにブラシ302の動作を予め決められた回数だけ行ったかを判断し、行っていなければ、再度、最初の外周端縁までブラシ302を移動させ、上記の移動動作を繰り返すよう制御する。なお、本実施形態では、ブラシ302を一方の外周縁から他方の外周縁まで(P1からP6まで)移動させる例を説明するが、これに限定することなく、基板中心から他方の外周縁まで(P4からP6まで)又は一方の外周縁から基板中心まで(P1からP3まで)移動させるようにしても良い。   Then, after the brush 302 is moved to the outer peripheral edge of the substrate 105 on the side opposite to the substrate loading time, the brush 302 is lowered to the upper surface of the substrate 105 while rotating the brush 302. Then, with the brush 302 in contact with the substrate 105 via pure water, the brush 302 is moved from the outer peripheral edge of the upper surface of the substrate 105 toward the center as shown in FIG. After moving to the center of the substrate, the substrate is further moved from the center of the substrate 105 toward the other outer peripheral edge. Note that the number of rotations of the brush itself is constant in the entire region. In the present embodiment, when the brush 302 reaches the other outer peripheral edge, the brush 302 cleaning operation is terminated, but may be repeated a plurality of times. In that case, the control unit 114 determines whether the operation of the brush 302 has been performed a predetermined number of times every time the brush 302 reaches the other outer peripheral edge, and if not, again to the first outer peripheral edge. The brush 302 is moved and controlled to repeat the above moving operation. In the present embodiment, an example in which the brush 302 is moved from one outer peripheral edge to the other outer peripheral edge (from P1 to P6) will be described. (From P4 to P6) or from one outer peripheral edge to the substrate center (from P1 to P3).

その後、ブラシ302、ノズル214の動作を停止し、及び基板105の上方から退避させた後、ターンテーブル207を高速回転させることで、基板105の上面に残存した洗浄液を振り切って乾燥させる。乾燥が終了したら、動作基板搬送装置107によってターンテーブル207の上部から基板105を基板反転装置108へ搬出する。   Thereafter, the operation of the brush 302 and the nozzle 214 is stopped and retracted from above the substrate 105, and then the turntable 207 is rotated at a high speed, so that the cleaning liquid remaining on the upper surface of the substrate 105 is shaken off and dried. When the drying is completed, the substrate 105 is carried out from the upper part of the turntable 207 to the substrate reversing device 108 by the operation substrate transfer device 107.

図6は、図5に示す基板処理を行う場合の領域区分を説明するための図である。   FIG. 6 is a diagram for explaining region division when the substrate processing shown in FIG. 5 is performed.

本実施形態では、基板中心を基準に基板105の上面の領域を第1〜第4の4つの領域に分け、それぞれの領域で異なる処理を行うようにする。ここで、第1領域(P3,P4)は、基板中心から半径50mmの円形領域であり、第2領域(P2,P5)は、基板中心から51mm〜100mmの環状領域であり、第3領域(P1,P6)は、基板中心から100mm〜147mmの環状領域である。第4領域は、基板中心から148mm〜150mmの環状領域であるが、本実施形態では、ブラシ302がチャッキング208に衝突することを防止するため、この領域の基板処理を行わない。なお、裏面吸着等といった周縁部を保持しない方式で基板を保持する場合は衝突の問題も生じないので、基板中心から148mm〜150mの領域を他を分けて定義することなく、第3領域と一体的に取り扱っても良い。   In the present embodiment, the region on the upper surface of the substrate 105 is divided into first to fourth regions based on the substrate center, and different processing is performed in each region. Here, the first region (P3, P4) is a circular region having a radius of 50 mm from the center of the substrate, the second region (P2, P5) is an annular region of 51 mm to 100 mm from the center of the substrate, and the third region ( P1, P6) is an annular region of 100 mm to 147 mm from the center of the substrate. The fourth area is an annular area of 148 mm to 150 mm from the center of the substrate, but in this embodiment, in order to prevent the brush 302 from colliding with the chucking 208, the substrate processing in this area is not performed. In addition, when the substrate is held by a method that does not hold the peripheral portion such as back surface adsorption, a problem of collision does not occur. Therefore, the region of 148 mm to 150 m from the substrate center is integrated with the third region without separately defining other regions. May be handled.

図7は、本実施形態におけるブラシ302の押圧力の制御の具体例を示す図である。図7において、横軸はブラシ302の基板105の上面での位置を示し、縦軸はブラシ302の押圧力の大きさを示している。   FIG. 7 is a diagram illustrating a specific example of the control of the pressing force of the brush 302 in the present embodiment. In FIG. 7, the horizontal axis indicates the position of the brush 302 on the upper surface of the substrate 105, and the vertical axis indicates the magnitude of the pressing force of the brush 302.

図示されるように、ブラシ302の押圧力は、第1領域と第3領域では同じ値とし、第2領域ではそれらよりも大きい値とする。この様に、本実施形態では、第2領域を他の領域よりも高い荷重をかけることにより、パーティクル等の不要物の除去性能を向上させるようにしている。   As shown in the figure, the pressing force of the brush 302 is the same value in the first region and the third region, and is larger than those in the second region. As described above, in this embodiment, the second region is applied with a higher load than the other regions, thereby improving the removal performance of unnecessary substances such as particles.

図8を用いて、上記のような制御を行う根拠となった評価実験について説明する。   With reference to FIG. 8, a description will be given of an evaluation experiment that is the basis for performing the above control.

この評価実験では、図5及び図6を用いて説明した基板処理と同様の動作を行っている。本実験でも、ブラシ自体の回転数は全領域において一定であり、ブラシ302の動作回数も1回である。また、第1〜第3領域においてブラシ302の押圧力を共通にし、その値を、0.5N毎に段階的に変化させている(ただし、最小値は0.1Nであり、その次の値は、0.5N)。   In this evaluation experiment, an operation similar to the substrate processing described with reference to FIGS. 5 and 6 is performed. Also in this experiment, the number of rotations of the brush itself is constant in all regions, and the number of operations of the brush 302 is also one. Further, the pressing force of the brush 302 is made common in the first to third regions, and the value is changed stepwise every 0.5N (however, the minimum value is 0.1N, and the next value) Is 0.5N).

図8(a)は、基板105の上面に所定量のパーティクルを均等に付着させ、ブラシ302により移動動作を行った後、基板105上に残ったパーティクルの数を計測した結果を示すものである。
ここで縦軸の除去率とは、付着させたパーティクルのうち移動動作により除去されたパーティクルの数の比率を示している。図示するように、第1〜第3領域のいずれにおいても、ブラシの押圧力が増加するほど、パーティクルの除去率は向上した。
FIG. 8A shows a result of measuring the number of particles remaining on the substrate 105 after a predetermined amount of particles are uniformly attached to the upper surface of the substrate 105 and moved by the brush 302. .
Here, the removal rate on the vertical axis indicates the ratio of the number of particles removed by the movement operation among the attached particles. As shown in the figure, in any of the first to third regions, the particle removal rate improved as the pressing force of the brush increased.

図8(b)は、基板105の上面にパーティクルを付着させることなく、ブラシ302により移動動作を行った結果を示すものである。この実験は、ブラシ302自体の削れにより発生したパーティクルの基板105の上面への付着量を計測することができる。   FIG. 8B shows the result of the moving operation performed by the brush 302 without attaching particles to the upper surface of the substrate 105. In this experiment, it is possible to measure the amount of adhesion of particles generated by scraping the brush 302 itself to the upper surface of the substrate 105.

ここで縦軸のパーティクルカウントとは、基板105の上面の各領域に実際に付着したまま残っているパーティクルの個数(付着量)を示している。図示するように、第1領域と第3領域では、ブラシ302の押圧力が増加すると、パーティクルカウントも増大した。一方、第2領域では、押圧力が2.5Nに増加するまではパーティクルカウントも増大するが、それ以上に押圧力が増加しても、パーティクルカウントは増大しなかった。   Here, the particle count on the vertical axis indicates the number of particles (attachment amount) that remain in the respective regions on the upper surface of the substrate 105 while actually attaching. As shown in the figure, in the first region and the third region, when the pressing force of the brush 302 increases, the particle count also increases. On the other hand, in the second region, the particle count increases until the pressing force increases to 2.5N, but the particle count does not increase even if the pressing force increases further.

以上の実験結果に基づけば、第1領域と第3領域では、ブラシの押圧力が増加すると、付着したパーティクルの除去性能は向上するが、ブラシ自体から発生したパーティクルの付着量も増大してしまい、その領域全体での除去性能は上がらないおそれがあると評価できる。これに対して、第2領域は、ブラシの押圧力が増加すると、付着したパーティクルの除去性能は向上し、さらに、ブラシ自体から発生したパーティクルの付着量も増大しないので、その領域全体での除去性能は向上していくと評価できる。   Based on the above experimental results, in the first region and the third region, when the pressing force of the brush is increased, the removal performance of the adhered particles is improved, but the adhesion amount of the particles generated from the brush itself is also increased. It can be evaluated that the removal performance in the entire region may not be improved. On the other hand, in the second region, when the pressing force of the brush is increased, the removal performance of the adhered particles is improved, and further, the amount of adhered particles generated from the brush itself is not increased. It can be evaluated that the performance will improve.

以上の評価結果を踏まえて、本実施形態では、図7に示したように、第2領域は他の領域よりも高い負荷を与えて処理するようにすることで、パーティクルを増やすことなく第2領域における不要物の除去性能を向上させた。   Based on the above evaluation results, in the present embodiment, as shown in FIG. 7, the second area is processed by applying a higher load than the other areas without increasing the number of particles. The removal performance of unwanted materials in the area has been improved.

次に、図8に示した実験結果が得られた理由についての、発明者の一考察を以下に示す。   Next, an inventor's consideration about the reason why the experimental result shown in FIG. 8 was obtained will be described below.

図9は、基板の上面の位置における、ブラシ302と基板105との摩擦係数、及び処理液供給部204により供給された洗浄液(純水)の液膜の厚さの関係を示す概念図である。図9において、0mmの位置が基板中心を示し、150mmの位置が基板周縁端を示す。なお、ブラシ302の基板105に対する押圧力やブラシ自体の回転速度は、基板105上の位置によらず一定であるとする。   FIG. 9 is a conceptual diagram showing the relationship between the friction coefficient between the brush 302 and the substrate 105 and the thickness of the liquid film of the cleaning liquid (pure water) supplied by the processing liquid supply unit 204 at the position of the upper surface of the substrate. . In FIG. 9, the position of 0 mm indicates the substrate center, and the position of 150 mm indicates the peripheral edge of the substrate. It is assumed that the pressing force of the brush 302 against the substrate 105 and the rotation speed of the brush itself are constant regardless of the position on the substrate 105.

図示されるように、洗浄液の液膜の厚さは、基板の中心位置から第2領域に至るまでは緩やかに減少し、第3領域から周縁位置に向かうに従って急峻に減少する。これは、周縁位置に向かうほど洗浄液が存在しうる面積が広がるとともに、遠心力が強く作用して液膜が基板上から振り切られる速度が増すためである。 As shown in the figure, the thickness of the liquid film of the cleaning liquid gradually decreases from the center position of the substrate to the second area, and sharply decreases from the third area toward the peripheral position. This is because the area where the cleaning liquid can exist increases toward the peripheral position, and the speed at which the liquid film is shaken off from the substrate increases due to the strong centrifugal force.

一方、摩擦係数は、基板の中心位置から周縁位置に向かうに従って、ほぼ変わらない傾き度合いで単純に減少する。この理由は、一般的に2物体間の潤滑状態を説明するために用いられるストライベック曲線により説明できる。   On the other hand, the coefficient of friction simply decreases with an almost unchanged degree of inclination from the center position of the substrate toward the peripheral position. This reason can be explained by a Stribeck curve that is generally used to describe the lubrication state between two objects.

ストライベック曲線は、潤滑状態において、2物体間における摩擦係数は、値A(A=潤滑液の粘度×2物体間の相対速度/2物体間の荷重)が増加するほど単純減少することを示すものである。ここで、値Aを規定する上記の式において、2物体間における潤滑液の粘性と荷重が一定であるとすると、2物体間の摩擦係数は、その間の相対速度が大きいほど単純減少することになる。   The Stribeck curve shows that in the lubrication state, the coefficient of friction between the two objects simply decreases as the value A (A = the viscosity of the lubricating liquid × the relative speed between the two objects / the load between the two objects) increases. Is. Here, in the above equation defining the value A, if the viscosity and load of the lubricating liquid between the two objects are constant, the friction coefficient between the two objects simply decreases as the relative speed between them increases. Become.

本実施形態においては、基板105の上面全体において一定厚以上の液膜が存在し、この液膜は周縁位置では薄くなっているが、基板105とブラシ302との間で一定の粘度を持つ潤滑液として十分に機能する。また、実験において、ブラシ302の基板105に対する押圧力やブラシ自体の回転速度は、基板105の上面の位置によらず一定である。そして、基板105の中心位置よりも周縁位置のほうが、ブラシ302に対する基板の相対速度が大きい。以上の事実をストライベック曲線に当てはめると、基板105の中心位置から周縁位置に向かうに従って、基板105とブラシ302の間の摩擦係数は減少し、値の変換の態様は、図9のような直線的な形状になるのは明らかである。   In the present embodiment, a liquid film having a certain thickness or more exists on the entire upper surface of the substrate 105, and this liquid film is thin at the peripheral position, but lubrication having a certain viscosity between the substrate 105 and the brush 302. Works well as a liquid. In the experiment, the pressing force of the brush 302 against the substrate 105 and the rotation speed of the brush itself are constant regardless of the position of the upper surface of the substrate 105. Then, the relative speed of the substrate with respect to the brush 302 is larger at the peripheral position than at the center position of the substrate 105. When the above fact is applied to the Stribeck curve, the friction coefficient between the substrate 105 and the brush 302 decreases from the center position of the substrate 105 toward the peripheral position, and the value conversion mode is a straight line as shown in FIG. It is clear that it becomes a typical shape.

図9の形状は、基板105の中心ほど摩擦係数が大きいことを示すので、基板105の中心ほどブラシ302の表面の削れが発生してパーティクルの付着量が多く、基板105の周縁になるほど削れが発生しにくくパーティクルの付着量が少ないと予測できる。しかし、図8(b)の実験結果によれば、この予測どおりにはなっておらず、第2領域が最もパーティクルが少ない。発明者は、図9に示すように、第2領域では、他の領域よりも、液膜が減少する傾きが小さく、厚く保たれていることが影響していると考えている。つまり、洗浄液の液膜はパーティクルの量を増加させない作用を有しており、液膜の厚さが摩擦係数に対して相対的に小さくなるほど、ブラシ302から発生したパーティクルの付着量が増加し、相対的に大きくなるほど付着量が減少する。このため、第2領域が、他の領域と異なり、パーティクルの付着量が少ないといえる。   The shape in FIG. 9 indicates that the friction coefficient is larger toward the center of the substrate 105, so that the surface of the brush 302 is scraped toward the center of the substrate 105, and the amount of adhered particles is larger. It is hard to generate and it can be predicted that the amount of adhered particles is small. However, according to the experimental result of FIG. 8B, the prediction is not as expected, and the second region has the fewest particles. As shown in FIG. 9, the inventor believes that the second region is affected by the fact that the inclination of the decrease in the liquid film is smaller and the thickness is kept thicker than the other regions. That is, the liquid film of the cleaning liquid has an action that does not increase the amount of particles, and the amount of particles generated from the brush 302 increases as the liquid film thickness decreases relative to the friction coefficient. The amount of adhesion decreases with increasing relative size. For this reason, unlike the other regions, the second region can be said to have a small amount of adhering particles.

以上説明したように、本実施形態によれば、基板105の処理領域を、基板105の中心位置から順に、処理液供給部204により洗浄液が供給される最も基板中心側の第1領域、第2領域、最も基板周縁側の第3領域、に分けてブラシ302の基板102に対する押圧力を制御するようにした。そして、第1領域及び第3領域の押圧力よりも、第2領域の押圧力を大きくするようにした。これにより、ブラシ302から発生するパーティクルの基板105への付着を抑制しつつ、不要物の除去性能を向上させることができる。   As described above, according to the present embodiment, the processing region of the substrate 105 is arranged in order from the center position of the substrate 105 in the first region, the second region closest to the substrate center to which the cleaning liquid is supplied by the processing liquid supply unit 204. The pressing force of the brush 302 against the substrate 102 is controlled by dividing the region into the third region on the most peripheral side of the substrate. The pressing force in the second region is made larger than the pressing force in the first region and the third region. Thereby, it is possible to improve the removal performance of unnecessary substances while suppressing the adhesion of particles generated from the brush 302 to the substrate 105.

(第1の実施形態の変形例)
上記実施形態では、ブラシ302の押圧力は、第1領域と第3領域では同じ値としたが、第3領域の除去性能を上げるため、第1領域よりも大きな値としても良い。また、第1の実施形態では、同じ領域内では均一押圧力としたが、これに限らず、各領域内での除去性能の均一化を促進させるために、同じ領域内でも外側に向かうに従って少しずつ押圧力を大きくしてもよい。
(Modification of the first embodiment)
In the above embodiment, the pressing force of the brush 302 is set to the same value in the first region and the third region, but may be set to a value larger than that in the first region in order to improve the removal performance of the third region. In the first embodiment, the uniform pressing force is set in the same region. However, the present invention is not limited to this, and in order to promote the uniform removal performance in each region, the same region is slightly moved outward. The pressing force may be increased one by one.

(第2の実施形態)
第1の実施形態で述べたように、洗浄液の液膜の厚さと摩擦係数との相対的な大小関係が、ブラシ302から発生したパーティクルの付着量に影響していると考えられる。
(Second Embodiment)
As described in the first embodiment, it is considered that the relative magnitude relationship between the thickness of the cleaning liquid film and the coefficient of friction affects the amount of adhesion of particles generated from the brush 302.

図8(a)に示したように、各領域について同じ押圧力で基板処理を行った場合、第3領域が最も除去性能が低い。全体での除去性能の均一性を向上させるためには第3領域の押圧力を上げれば良いが、単純に押圧力を上げただけでは、図8(b)に示したように、ブラシ302から発生したパーティクルの付着量が増大するおそれがある。   As shown in FIG. 8A, when the substrate processing is performed with the same pressing force for each region, the third region has the lowest removal performance. In order to improve the uniformity of the removal performance as a whole, the pressing force in the third region may be increased. However, if the pressing force is simply increased, as shown in FIG. There is a possibility that the amount of generated particles increases.

そこで本実施形態では、第3領域において押圧力を上げるとともに処理液の液膜の影響を大きくすることにより、パーティクルの付着も抑制する。   Therefore, in the present embodiment, adhesion of particles is suppressed by increasing the pressing force in the third region and increasing the influence of the liquid film of the processing liquid.

図10は、本実施形態におけるブラシ押圧力の制御の具体例を示す図である。図示されるように、ブラシ302の押圧力は、第1領域、第2領域、第3領域の順で、段階的に大きい値とする。また、ブラシ302が第1領域と第2領域に位置するときの処理液供給部204の処理液の供給量を第1供給量とし、第3領域での処理液の供給量を、それよりも多い第2供給量とする。   FIG. 10 is a diagram illustrating a specific example of brush pressing force control in the present embodiment. As shown in the drawing, the pressing force of the brush 302 is set to a large value stepwise in the order of the first region, the second region, and the third region. In addition, the supply amount of the treatment liquid of the treatment liquid supply unit 204 when the brush 302 is positioned in the first region and the second region is defined as the first supply amount, and the supply amount of the treatment liquid in the third region is more than that. The second supply amount is large.

図11に、この様な処理液の供給を行ったときのブラシ302と基板105との摩擦係数及び液膜の厚さの関係を概念的に示す。   FIG. 11 conceptually shows the relationship between the friction coefficient between the brush 302 and the substrate 105 and the thickness of the liquid film when such a treatment liquid is supplied.

図示されるように、本実施形態では、第1及び第2領域を処理しているときよりも第3領域を処理しているときのほうが処理液の供給量が多いため、図9のように供給量を変化させない場合に対して液膜の厚さが上向きにシフトした量になる。このため、第3領域において供給量を変化させない場合よりも、処理液の液膜による作用が相対的に強くなり、図10のようなブラシ制御を行ったとしても、ブラシ302から発生するパーティクルの付着が抑制される。   As shown in FIG. 9, in this embodiment, the amount of processing liquid supplied is larger when the third region is processed than when the first and second regions are processed. The thickness of the liquid film is shifted upward as compared with the case where the supply amount is not changed. For this reason, the action of the liquid film of the processing liquid is relatively stronger than when the supply amount is not changed in the third region, and even if the brush control as shown in FIG. Adhesion is suppressed.

なお、上記の例では、第1領域、第2領域、第3領域の順でブラシ302の押圧力を高くするようにしたが、第3領域の押圧力は、第1領域よりも大きく第2領域よりも小さい程度や第2領域と同一の値でも、第3領域の除去性能は向上する。   In the above example, the pressing force of the brush 302 is increased in the order of the first region, the second region, and the third region. However, the pressing force of the third region is larger than that of the first region, and the second region. Even if the area is smaller than the area or the same value as the second area, the removal performance of the third area is improved.

以上説明したように、本実施形態によれば、少なくとも第1領域よりも第3領域の押圧力を大きくし、ブラシ302が第3領域を処理しているときに、ブラシ302が第1領域及び第2領域を処理しているときよりも多い量の洗浄液を基板105に対して供給するようにした。これにより、第2領域のみならず、第3領域において、ブラシ302から発生するパーティクルの付着を抑制しつつ、パーティクル等の不要物の除去性能を向上させることができるとともに、基板105上の全体での除去性能の均一化を図ることができる。   As described above, according to the present embodiment, when the pressing force of at least the third region is larger than that of the first region and the brush 302 is processing the third region, the brush 302 A larger amount of cleaning liquid was supplied to the substrate 105 than when processing the second region. As a result, not only in the second region but also in the third region, the adhesion of particles generated from the brush 302 can be suppressed, and the removal performance of unnecessary substances such as particles can be improved. The removal performance can be made uniform.

本実施形態では、第1領域に対して供給する処理液の量を増加させるようにしているが、処理液供給部204とは別の処理液供給部を設けて、第3領域のみに処理液を供給するようにしても良い。つまり、ブラシ302が第1〜第3領域を処理する期間、処理液供給部204からの処理液の流量は変化させず、ブラシ302が第3領域を処理する期間だけ、他の処理液供給部から図11の厚さの膜厚を形成するに相当する量の処理液を供給する制御を行う。   In the present embodiment, the amount of the processing liquid supplied to the first region is increased. However, a processing liquid supply unit different from the processing liquid supply unit 204 is provided, and the processing liquid is provided only in the third region. May be supplied. That is, during the period in which the brush 302 processes the first to third regions, the flow rate of the processing liquid from the processing liquid supply unit 204 is not changed, and the other processing liquid supply unit is only in the period in which the brush 302 processes the third region. To control to supply an amount of the processing liquid corresponding to the formation of the film thickness of FIG.

また、本実施形態の図10の制御に限らず、第1の実施形態でも述べたように、第2領域の液膜も厚い状態は保たれているので、第2領域の除去性能も向上させるために、ブラシ302の押圧力を、第1領域、第3領域、第2領域の順で、段階的に大きい値としてもよい。   Further, not only the control of FIG. 10 of the present embodiment but also the liquid film in the second region is kept thick as described in the first embodiment, so that the removal performance of the second region is also improved. For this reason, the pressing force of the brush 302 may be increased in a stepwise manner in the order of the first region, the third region, and the second region.

基板 105
基板保持部 202
処理液供給部 204
ブラシ 302
Substrate 105
Substrate holder 202
Treatment liquid supply unit 204
Brush 302

Claims (11)

基板を保持して回転させる基板保持部と、前記基板に接触することで前記基板を処理するブラシと、洗浄液を基板に対して供給する供給部と、を備える基板処理装置の制御方法であって、
前記基板の処理領域を、基板の中心位置から順に、前記供給部により洗浄液が供給される最も基板中心側の第1領域、第2領域、最も基板周縁側の第3領域、に分けて前記ブラシの前記基板に対する押圧力を制御し、前記第1領域及び前記第3領域の押圧力よりも、前記第2領域の押圧力を大きくすることを特徴とする基板処理装置の制御方法。
A control method for a substrate processing apparatus, comprising: a substrate holding unit that holds and rotates a substrate; a brush that processes the substrate by contacting the substrate; and a supply unit that supplies a cleaning liquid to the substrate. ,
The brush processing area is divided into a first area, a second area, and a third area, which are closest to the substrate periphery, to which the cleaning liquid is supplied by the supply unit in order from the center position of the substrate. A method for controlling a substrate processing apparatus, comprising: controlling a pressing force of the second region with respect to the substrate, and making the pressing force of the second region larger than the pressing force of the first region and the third region.
前記第3領域の押圧力を前記第2領域よりも小さくかつ前記第1領域よりも大きくすることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置の制御方法。 The method for controlling a substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the pressing force of the third region is smaller than the second region and larger than the first region . 基板よりも柔らかい部材からなる平坦部により前記基板に接触するブラシを用いて前記基板を処理することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置の制御方法。   The method of controlling a substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate is processed using a brush that contacts the substrate by a flat portion made of a softer member than the substrate. 前記平坦部は、PVAからなることを特徴とする請求項3に記載の基板処理装置の制御方法。   The method for controlling a substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the flat portion is made of PVA. 前記ブラシが前記第3領域を処理しているときに、前記ブラシが前記第1領域及び前記第2領域を処理しているときよりも多い量の洗浄液を前記基板に対して供給することを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載の基板処理装置の制御方法。 When the brush is processing the third region, a larger amount of cleaning liquid is supplied to the substrate than when the brush is processing the first region and the second region. A method for controlling a substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4 . 基板を保持して回転させる基板保持部と、
前記基板に接触することで前記基板を処理するブラシと、
洗浄液を基板に対して供給する供給部と、
前記ブラシの動作を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記基板の処理領域を基板の中心位置から順に、前記供給部により洗浄液が供給される最も基板中心側の第1領域、第2領域、最も基板周縁側の第3領域、に分けて前記ブラシの前記基板に対する押圧力を制御し、前記第1領域及び前記第3領域の押圧力よりも、前記第2領域の押圧力を大きくすることを特徴とする基板処理装置。
A substrate holder for holding and rotating the substrate;
A brush for treating the substrate by contacting the substrate;
A supply unit for supplying a cleaning liquid to the substrate;
A control unit for controlling the operation of the brush,
The control unit sequentially arranges the processing area of the substrate from the center position of the substrate into the first area, the second area, and the third area closest to the peripheral edge of the substrate, to which the cleaning liquid is supplied by the supply unit. A substrate processing apparatus, wherein the pressing force of the brush against the substrate is controlled separately, and the pressing force of the second region is made larger than the pressing force of the first region and the third region.
前記制御部は、前記第3領域の押圧力を前記第2領域よりも小さくかつ前記第1領域よりも大きくすることを特徴とする請求項6に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 6 , wherein the control unit makes the pressing force of the third region smaller than the second region and larger than the first region . 基板よりも柔らかい部材からなる平坦部により前記基板に接触するブラシを用いて前記基板を処理することを特徴とする請求項6に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 6 , wherein the substrate is processed using a brush that is in contact with the substrate by a flat portion made of a softer member than the substrate. 前記平坦部は、PVAからなることを特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 8 , wherein the flat portion is made of PVA. 前記供給部は、前記ブラシが前記第3領域を処理しているときに、前記ブラシが前記第1領域及び前記第2領域を処理しているときよりも多い量の洗浄液を前記基板に対して供給することを特徴とする請求項6〜請求項9のいずれかに記載の基板処理装置。 The supply unit applies a larger amount of cleaning liquid to the substrate when the brush is processing the third region than when the brush is processing the first region and the second region. The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein the substrate processing apparatus is supplied. コンピュータ上で動作し、基板処理システムを制御するプログラムが記憶されたコンピ
ュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記プログラムは、実行時に、請求項1〜請求項5のいずれか一つに記載の基板処理装置の制御方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理システムを制御させることを特徴とする記憶媒体。
A computer-readable storage medium that operates on a computer and stores a program for controlling the substrate processing system,
A storage medium that, when executed, causes a computer to control the substrate processing system so that the method for controlling a substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5 is performed. .
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