JP6275578B2 - 処理装置、処理方法、および電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の実施形態は、処理装置、処理方法、および電子デバイスの製造方法に関する。
半導体装置やフラットパネルディスプレイなどの電子デバイスの製造においては、純水や有機溶媒などを用いた洗浄が行われている。
ここで、凹凸パターンの間隔（ライン/スペース）が４０ｎｍ以下になると、洗浄工程において用いられた純水や有機溶媒などが乾燥する際に毛細管力が発生して、凹凸パターンの凸部が倒壊する場合がある。
そのため、凹凸パターンの凸部の倒壊を抑制するために、昇華性物質を用いる技術が提案されている。
昇華性物質を用いる技術においては、洗浄後に、融解させた昇華性物質または昇華性物質を含む溶液を基板などの被処理物の表面に塗布し、冷却または溶媒を除去してこれを凝固させ、その後、大気圧下もしくは減圧下において加熱などすることで昇華性物質を被処理物の表面から除去するようにしている。
この場合、枚葉スピン法を用いて昇華性物質を含む溶液などを被処理物の表面に塗布するようにすれば、昇華性物質を含む層の厚みを適正なものとすることができる。ところが、枚葉スピン法を用いるものとすれば、生産性が低くなるという問題がある。
一方、昇華性物質を含む溶液などに複数の被処理物を一度に浸漬させるバッチ処理法を用いれば、生産性を向上させることができる。ところが、バッチ処理法を用いれば、昇華性物質を含む層の厚みを適正なものとすることが困難となる。
そのため、昇華性物質を含む層の厚みを適正なものとすることができ、且つ、生産性の向上を図ることができる技術の開発が望まれていた。
ここで、凹凸パターンの間隔（ライン/スペース）が４０ｎｍ以下になると、洗浄工程において用いられた純水や有機溶媒などが乾燥する際に毛細管力が発生して、凹凸パターンの凸部が倒壊する場合がある。
そのため、凹凸パターンの凸部の倒壊を抑制するために、昇華性物質を用いる技術が提案されている。
昇華性物質を用いる技術においては、洗浄後に、融解させた昇華性物質または昇華性物質を含む溶液を基板などの被処理物の表面に塗布し、冷却または溶媒を除去してこれを凝固させ、その後、大気圧下もしくは減圧下において加熱などすることで昇華性物質を被処理物の表面から除去するようにしている。
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一方、昇華性物質を含む溶液などに複数の被処理物を一度に浸漬させるバッチ処理法を用いれば、生産性を向上させることができる。ところが、バッチ処理法を用いれば、昇華性物質を含む層の厚みを適正なものとすることが困難となる。
そのため、昇華性物質を含む層の厚みを適正なものとすることができ、且つ、生産性の向上を図ることができる技術の開発が望まれていた。
本発明が解決しようとする課題は、昇華性物質を含む層の厚みを適正なものとすることができ、且つ、生産性の向上を図ることができる処理装置、処理方法、および電子デバイスの製造方法を提供することである。
実施形態に係る処理装置は、所定の間隔を空けて立てた状態で保持された複数の被処理物の表面に、第１の流動体を供給可能な第１の供給部と、前記第１の流動体が供給された前記複数の被処理物の表面に、昇華性物質を含む流動体を供給可能な第２の供給部と、前記昇華性物質を含む流動体が供給された前記複数の被処理物の表面に、ガスを供給可能なガス供給部と、前記複数の被処理物のそれぞれの表面に形成された昇華性物質を含む層を昇華可能な昇華部と、を備えている。
前記ガス供給部は、前記複数の被処理物の表面に向けて供給する前記ガスの流速及び流量の少なくとも一方を制御可能に設けられている。
前記ガス供給部は、前記複数の被処理物の表面に向けて供給する前記ガスの流速及び流量の少なくとも一方を制御可能に設けられている。
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
まず、被処理物１００およびキャリア１０１について例示をする。
被処理物１００は、表面に微細な凹凸部を有するものとすることができる。
被処理物１００は、例えば、表面に凹凸パターンが形成された半導体ウェーハなどとすることができる。
この場合、凹凸パターンの間隔（ライン/スペース）は、例えば、４０ｎｍ以下とすることができる。
以下においては、一例として、被処理物１００が半導体ウェーハである場合を例に挙げて説明する。
ただし、被処理物１００は、半導体ウェーハに限定されるわけではなく、表面に微細な凹凸部を有するものであればよい。
まず、被処理物１００およびキャリア１０１について例示をする。
被処理物１００は、表面に微細な凹凸部を有するものとすることができる。
被処理物１００は、例えば、表面に凹凸パターンが形成された半導体ウェーハなどとすることができる。
この場合、凹凸パターンの間隔（ライン/スペース）は、例えば、４０ｎｍ以下とすることができる。
以下においては、一例として、被処理物１００が半導体ウェーハである場合を例に挙げて説明する。
ただし、被処理物１００は、半導体ウェーハに限定されるわけではなく、表面に微細な凹凸部を有するものであればよい。
図１は、キャリア１０１を例示するための模式断面図である。
キャリア１０１は、複数の被処理物１００を所定の間隔を空けて立てた状態で収納する（図２を参照）。
また、図１に示すように、キャリア１０１は、箱状を呈している。
キャリア１０１の上端部には開口部１０１ａが設けられている。被処理物１００の出し入れは、開口部１０１ａを介して行われる。
また、キャリア１０１の上端部には、保持部１０１ｂが設けられている。
保持部１０１ｂは、キャリア１０１の上端部から外側に向けて突出している。
キャリア１０１を移動させる際には、搬送部や昇降部により、保持部１０１ｂが保持される。
キャリア１０１の側面には、開口部１０１ｃが設けられている。
キャリア１０１の底面には、開口部１０１ｄが設けられている。
キャリア１０１の材料には特に限定はないが、耐薬品性と耐熱性を有するものとすることが好ましい。キャリア１０１の材料は、例えば、フッ素樹脂やステンレスなどとすることができる。
なお、キャリア１０１は、例示をしたものに限定されるわけではない。キャリア１０１は、複数の被処理物１００を所定の間隔を空けて立てた状態で収納できるものであればよい。
キャリア１０１は、複数の被処理物１００を所定の間隔を空けて立てた状態で収納する（図２を参照）。
また、図１に示すように、キャリア１０１は、箱状を呈している。
キャリア１０１の上端部には開口部１０１ａが設けられている。被処理物１００の出し入れは、開口部１０１ａを介して行われる。
また、キャリア１０１の上端部には、保持部１０１ｂが設けられている。
保持部１０１ｂは、キャリア１０１の上端部から外側に向けて突出している。
キャリア１０１を移動させる際には、搬送部や昇降部により、保持部１０１ｂが保持される。
キャリア１０１の側面には、開口部１０１ｃが設けられている。
キャリア１０１の底面には、開口部１０１ｄが設けられている。
キャリア１０１の材料には特に限定はないが、耐薬品性と耐熱性を有するものとすることが好ましい。キャリア１０１の材料は、例えば、フッ素樹脂やステンレスなどとすることができる。
なお、キャリア１０１は、例示をしたものに限定されるわけではない。キャリア１０１は、複数の被処理物１００を所定の間隔を空けて立てた状態で収納できるものであればよい。
次に、本実施の形態に係る処理装置１を例示する。
図２は、本実施の形態に係る処理装置１を例示するための模式図である。
図３は、昇華性物質を含む層１０３を例示するための模式断面図である。
図２に示すように、処理装置１には、筐体２、搬入部３、搬出部４、薬液処理部５、成膜部６、除去部７、搬送部８、および制御部９が設けられている。
筐体２は、箱状を呈している。筐体２の内部には、搬入部３、搬出部４、薬液処理部５、成膜部６、除去部７、および搬送部８が設けられている。
また、筐体２には、図示しない開閉扉が設けられ、搬入部３へのキャリア１０１の搬入、または搬出部４からのキャリア１０１の搬出が行えるようになっている。
筐体２は、外部からのパーティクルの侵入を防ぐことができる程度の気密構造を有している。
なお、空気などを供給するガス供給装置を設け、筐体２の内部の圧力が筐体２の外部の圧力より高くなるようにすることもできる。筐体２の内部の圧力が筐体２の外部の圧力よりも高くなるようにすれば、外部からのパーティクルの侵入を防ぐことが容易となる。
図２は、本実施の形態に係る処理装置１を例示するための模式図である。
図３は、昇華性物質を含む層１０３を例示するための模式断面図である。
図２に示すように、処理装置１には、筐体２、搬入部３、搬出部４、薬液処理部５、成膜部６、除去部７、搬送部８、および制御部９が設けられている。
筐体２は、箱状を呈している。筐体２の内部には、搬入部３、搬出部４、薬液処理部５、成膜部６、除去部７、および搬送部８が設けられている。
また、筐体２には、図示しない開閉扉が設けられ、搬入部３へのキャリア１０１の搬入、または搬出部４からのキャリア１０１の搬出が行えるようになっている。
筐体２は、外部からのパーティクルの侵入を防ぐことができる程度の気密構造を有している。
なお、空気などを供給するガス供給装置を設け、筐体２の内部の圧力が筐体２の外部の圧力より高くなるようにすることもできる。筐体２の内部の圧力が筐体２の外部の圧力よりも高くなるようにすれば、外部からのパーティクルの侵入を防ぐことが容易となる。
搬入部３は、処理前の複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１を収納する。 搬出部４は、処理済みの複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１を収納する。
薬液処理部５は、薬液中に、複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１を浸漬させて、被処理物１００の表面を処理する。
薬液処理部５は、例えば、アッシングの残渣、パーティクル、およびレジストマスクなどを被処理物１００の表面から除去する。また、薬液処理部５は、例えば、被処理物１００の表面に形成された膜のエッチングを行うものとすることもできる。
薬液処理部５は、例えば、アッシングの残渣、パーティクル、およびレジストマスクなどを被処理物１００の表面から除去する。また、薬液処理部５は、例えば、被処理物１００の表面に形成された膜のエッチングを行うものとすることもできる。
薬液は、処理の目的に応じて適宜選択することができる。薬液は、例えば、ＤＨＦ（希フッ酸）、ＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＳＣ−１（水酸化アンモニウムと過酸化水素と水の混合液）、ＳＣ−２（塩酸と過酸化水素と水の混合液）、ＡＰＭ（アンモニア過水）、ＨＰＭ（塩酸過水）、ＳＰＭ（硫酸過水）などとすることができる。ただし、薬液は、例示をしたものに限定されるわけではない。
薬液処理部５には、例えば、処理槽５ａと、昇降部５ｂを設けることができる。
処理槽５ａの内部には、薬液が収納されている。薬液は、例えば、図示しない工場配管などを介して処理槽５ａの内部に供給される。また、使用済みの薬液は、図示しない工場配管などを介して処理槽５ａの内部から排出される。
処理槽５ａの内部には、薬液が収納されている。薬液は、例えば、図示しない工場配管などを介して処理槽５ａの内部に供給される。また、使用済みの薬液は、図示しない工場配管などを介して処理槽５ａの内部から排出される。
昇降部５ｂは、キャリア１０１の保持部１０１ｂを保持し、保持したキャリア１０１を下降させて、処理槽５ａの内部の薬液中にキャリア１０１を浸漬させる。
また、昇降部５ｂは、キャリア１０１の保持部１０１ｂを保持し、保持したキャリア１０１を上昇させて、処理槽５ａの内部の薬液中からキャリア１０１を引き上げる。
また、昇降部５ｂは、キャリア１０１の保持部１０１ｂを保持し、保持したキャリア１０１を上昇させて、処理槽５ａの内部の薬液中からキャリア１０１を引き上げる。
成膜部６は、薬液処理部５において処理された被処理物１００の表面から薬液を除去し、薬液が除去された被処理物１００の表面に、適正な厚みを有する昇華性物質を含む層１０３を形成する。
除去部７は、被処理物１００の表面に形成された昇華性物質を含む層１０３を除去する。
なお、成膜部６および除去部７に関する詳細は後述する。
除去部７は、被処理物１００の表面に形成された昇華性物質を含む層１０３を除去する。
なお、成膜部６および除去部７に関する詳細は後述する。
搬送部８は、複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１を搬送する。
搬送部８には、本体部８ａ、アーム部８ｂ、移動部８ｃ、およびチャック８ｄが設けられている。
本体部８ａは、移動部８ｃの上に設けられている。本体部８ａの上にはアーム部８ｂが設けられている。本体部８ａには駆動装置が設けられており、本体部８ａが移動部８ｃの上を移動するようになっている。また、本体部８ａに設けられた駆動装置により、アーム部８ｂの伸縮動作や回転動作、チャック８ｄの回転動作などが行える様になっている。
搬送部８には、本体部８ａ、アーム部８ｂ、移動部８ｃ、およびチャック８ｄが設けられている。
本体部８ａは、移動部８ｃの上に設けられている。本体部８ａの上にはアーム部８ｂが設けられている。本体部８ａには駆動装置が設けられており、本体部８ａが移動部８ｃの上を移動するようになっている。また、本体部８ａに設けられた駆動装置により、アーム部８ｂの伸縮動作や回転動作、チャック８ｄの回転動作などが行える様になっている。
アーム部８ｂの一端には、チャック８ｄが設けられており、キャリア１０１の保持部１０１ｂを保持することができるようになっている。
アーム部８ｂは、多関節構造を有し、チャック８ｄを本体部８ａから突出する方向または本体部８ａ側に戻る方向に移動させることができる。そのため、アーム部８ｂは、アームを伸縮させて保持したキャリア１０１の受け渡しや、キャリア１０１の受け取りを行うことができる。
チャック８ｄは、例えば、機械的な保持装置を有するものとすることができる。
アーム部８ｂは、多関節構造を有し、チャック８ｄを本体部８ａから突出する方向または本体部８ａ側に戻る方向に移動させることができる。そのため、アーム部８ｂは、アームを伸縮させて保持したキャリア１０１の受け渡しや、キャリア１０１の受け取りを行うことができる。
チャック８ｄは、例えば、機械的な保持装置を有するものとすることができる。
制御部９は、処理装置１に設けられた各要素の動作を制御する。
制御部９は、例えば、薬液処理部５を制御して、被処理物１００の表面に薬液を供給して所望の処理を施させる。
制御部９は、例えば、成膜部６を制御して、被処理物１００の表面にリンス液１０２(第１の流動体の一例に相当する)、前処理液１０４(第２の流動体の一例に相当する)、および昇華性物質を含む流動体１０５を供給させる。
また、制御部９は、例えば、成膜部６を制御して、被処理物１００の表面にある昇華性物質を含む流動体１０５を乾燥させて昇華性物質を含む層１０３を形成させる。
この際、制御部９は、ガス供給部６５を制御して、形成される昇華性物質を含む層１０３の厚みｔが適正な範囲内にあるようにする。
なお、昇華性物質を含む層１０３の厚みｔは、図３に示すように、凹凸パターン１００ａにおける凸部１００ａ１の頂面から昇華性物質を含む層１０３の表面までの長さである。
制御部９は、例えば、除去部７を制御して、被処理物１００の表面に形成された昇華性物質を含む層１０３を除去させる。
制御部９は、例えば、搬送部８を制御して、複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１を搬送させる。
なお、成膜部６および除去部７の作用に関する詳細は後述する。
制御部９は、例えば、薬液処理部５を制御して、被処理物１００の表面に薬液を供給して所望の処理を施させる。
制御部９は、例えば、成膜部６を制御して、被処理物１００の表面にリンス液１０２(第１の流動体の一例に相当する)、前処理液１０４(第２の流動体の一例に相当する)、および昇華性物質を含む流動体１０５を供給させる。
また、制御部９は、例えば、成膜部６を制御して、被処理物１００の表面にある昇華性物質を含む流動体１０５を乾燥させて昇華性物質を含む層１０３を形成させる。
この際、制御部９は、ガス供給部６５を制御して、形成される昇華性物質を含む層１０３の厚みｔが適正な範囲内にあるようにする。
なお、昇華性物質を含む層１０３の厚みｔは、図３に示すように、凹凸パターン１００ａにおける凸部１００ａ１の頂面から昇華性物質を含む層１０３の表面までの長さである。
制御部９は、例えば、除去部７を制御して、被処理物１００の表面に形成された昇華性物質を含む層１０３を除去させる。
制御部９は、例えば、搬送部８を制御して、複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１を搬送させる。
なお、成膜部６および除去部７の作用に関する詳細は後述する。
次に、成膜部６についてさらに例示をする。
図４は、成膜部６を例示するための模式図である。
図４に示すように、成膜部６には、処理槽６０、前処理液供給部６３（第３の供給部の一例に相当する）、流動体供給部６４（第２の供給部の一例に相当する）、ガス供給部６５、配管部６６、および昇降部６７が設けられている。
図４は、成膜部６を例示するための模式図である。
図４に示すように、成膜部６には、処理槽６０、前処理液供給部６３（第３の供給部の一例に相当する）、流動体供給部６４（第２の供給部の一例に相当する）、ガス供給部６５、配管部６６、および昇降部６７が設けられている。
処理槽６０は、内槽６２と、外槽６１を有する。
内槽６２の上端部は開口されている。内槽６２の内部には、リンス液１０２が収納される。また、内槽６２の内部には、複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１が収納される。すなわち、内槽６２の内部に収納されたリンス液１０２の中に、複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１を浸漬させることができるようになっている。
外槽６１は、内槽６２の上端部を囲むように設けられている。外槽６１は、内槽６２の上端部から溢れ出たリンス液１０２を回収する。
リンス液１０２は、例えば、超純水などとすることができる。
内槽６２の上端部は開口されている。内槽６２の内部には、リンス液１０２が収納される。また、内槽６２の内部には、複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１が収納される。すなわち、内槽６２の内部に収納されたリンス液１０２の中に、複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１を浸漬させることができるようになっている。
外槽６１は、内槽６２の上端部を囲むように設けられている。外槽６１は、内槽６２の上端部から溢れ出たリンス液１０２を回収する。
リンス液１０２は、例えば、超純水などとすることができる。
前処理液供給部６３は、処理槽６０の上方に設けられている。
前処理液供給部６３は、処理槽６０から引き上げられた複数の被処理物１００の表面に前処理液１０４を供給する。
前処理液１０４は、昇華性物質を含む層１０３の形成を容易とするために供給される。 例えば、被処理物１００の表面にあるリンス液１０２を前処理液１０４に置き換えることで、後述する昇華性物質を含む流動体１０５が付着しやすくなるようにする。
そのため、前処理液１０４は、昇華性物質を含む流動体１０５との親和性が高いものとすることが好ましい。
前処理液１０４は、例えば、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）などとすることができる。
前処理液供給部６３は、例えば、複数の被処理物１００の表面に向けて前処理液１０４を噴射するノズルと、ノズルに前処理液１０４を供給するポンプと、前処理液１０４の供給と停止、流量などを制御する制御弁とを備えたものとすることができる。
なお、前処理液供給部６３は必ずしも必要ではなく省略することもできる。
ただし、前処理液供給部６３を設けるようにすれば、昇華性物質を含む流動体１０５の付着、ひいては昇華性物質を含む層１０３の厚みｔの制御を容易とすることができる。
前処理液供給部６３は、処理槽６０から引き上げられた複数の被処理物１００の表面に前処理液１０４を供給する。
前処理液１０４は、昇華性物質を含む層１０３の形成を容易とするために供給される。 例えば、被処理物１００の表面にあるリンス液１０２を前処理液１０４に置き換えることで、後述する昇華性物質を含む流動体１０５が付着しやすくなるようにする。
そのため、前処理液１０４は、昇華性物質を含む流動体１０５との親和性が高いものとすることが好ましい。
前処理液１０４は、例えば、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）などとすることができる。
前処理液供給部６３は、例えば、複数の被処理物１００の表面に向けて前処理液１０４を噴射するノズルと、ノズルに前処理液１０４を供給するポンプと、前処理液１０４の供給と停止、流量などを制御する制御弁とを備えたものとすることができる。
なお、前処理液供給部６３は必ずしも必要ではなく省略することもできる。
ただし、前処理液供給部６３を設けるようにすれば、昇華性物質を含む流動体１０５の付着、ひいては昇華性物質を含む層１０３の厚みｔの制御を容易とすることができる。
流動体供給部６４は、前処理液供給部６３の上方に設けられている。
流動体供給部６４は、前処理液１０４が供給された複数の被処理物１００の表面に昇華性物質を含む流動体１０５を供給する。
なお、前処理液供給部６３が設けられない場合には、流動体供給部６４は、リンス液１０２が供給された複数の被処理物１００の表面に昇華性物質を含む流動体１０５を供給する。
昇華性物質を含む流動体１０５は、昇華性物質を含み、且つ、流動性を有するものとすることができる。
昇華性物質を含む流動体１０５は、例えば、昇華性物質を含む溶液、または融解させた昇華性物質とすることができる。
流動体供給部６４は、例えば、複数の被処理物１００の表面に向けて昇華性物質を含む流動体１０５を噴射するノズルと、ノズルに昇華性物質を含む流動体１０５を供給するポンプ、昇華性物質を含む流動体１０５の供給と停止、流量などを制御する制御弁などを備えたものとすることができる。
流動体供給部６４は、前処理液１０４が供給された複数の被処理物１００の表面に昇華性物質を含む流動体１０５を供給する。
なお、前処理液供給部６３が設けられない場合には、流動体供給部６４は、リンス液１０２が供給された複数の被処理物１００の表面に昇華性物質を含む流動体１０５を供給する。
昇華性物質を含む流動体１０５は、昇華性物質を含み、且つ、流動性を有するものとすることができる。
昇華性物質を含む流動体１０５は、例えば、昇華性物質を含む溶液、または融解させた昇華性物質とすることができる。
流動体供給部６４は、例えば、複数の被処理物１００の表面に向けて昇華性物質を含む流動体１０５を噴射するノズルと、ノズルに昇華性物質を含む流動体１０５を供給するポンプ、昇華性物質を含む流動体１０５の供給と停止、流量などを制御する制御弁などを備えたものとすることができる。
昇華性物質は、融点が室温以上であり、大気圧以下の雰囲気で昇華するものとすることができる。
昇華性物質は、例えば、ケイフッ化アンモニウム（（ＮＨ４）２ＳｉＦ６）、１，２，３−ベンゾトリアゾール、２−メチルナフタレン、パラジクロロベンゼン、及びメチルナフタレンからなる群より選ばれた少なくとも１種を含むものとすることができる。
融解させた昇華性物質とする場合には、例えば、昇華性物質を融点以上に加熱すればよい。例えば、図示しない昇華性物質を含む流動体１０５の供給部、配管、およびノズルの少なくともいずれかを昇華性物質の融点以上に加熱することで昇華性物質を融解させ、溶解させた昇華性物質を被処理物１００の表面に供給することができる。
昇華性物質は、例えば、ケイフッ化アンモニウム（（ＮＨ４）２ＳｉＦ６）、１，２，３−ベンゾトリアゾール、２−メチルナフタレン、パラジクロロベンゼン、及びメチルナフタレンからなる群より選ばれた少なくとも１種を含むものとすることができる。
融解させた昇華性物質とする場合には、例えば、昇華性物質を融点以上に加熱すればよい。例えば、図示しない昇華性物質を含む流動体１０５の供給部、配管、およびノズルの少なくともいずれかを昇華性物質の融点以上に加熱することで昇華性物質を融解させ、溶解させた昇華性物質を被処理物１００の表面に供給することができる。
昇華性物質を含む溶液とする場合には、昇華性物質を溶媒に溶かせばよい。
溶媒は、例えば、純水、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、エステル、アルコール、及びエーテルからなる群より選ばれた少なくとも１種を含むものとすることができる。
具体的には、純水、メタノール、エタノール、ＩＰＡ、ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ＮＭＰ、ＤＭＦ、ＤＭＡ、ＤＭＳＯ、ヘキサン、トルエン、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）、ＰＧＭＥ（プロピレングリコールモノメチルエーテル）、ＰＧＰＥ（プロピレングリコールモノプロピルエーテル）、ＰＧＥＥ（プロピレングリコールモノエチルエーテル）、ＧＢＬ、アセチルアセトン、３−ペンタノン、２−ヘプタノン、乳酸エチル、シクロヘキサノン、ジブチルエーテル、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）、エチルノナフルオロイソブチルエーテル、エチルノナフルオロブチルエーテル、及びｍ−キシレンヘキサフルオライドからなる群より選ばれた少なくとも１種を含むものとすることができる。
溶媒は、例えば、純水、脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素、エステル、アルコール、及びエーテルからなる群より選ばれた少なくとも１種を含むものとすることができる。
具体的には、純水、メタノール、エタノール、ＩＰＡ、ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ＮＭＰ、ＤＭＦ、ＤＭＡ、ＤＭＳＯ、ヘキサン、トルエン、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）、ＰＧＭＥ（プロピレングリコールモノメチルエーテル）、ＰＧＰＥ（プロピレングリコールモノプロピルエーテル）、ＰＧＥＥ（プロピレングリコールモノエチルエーテル）、ＧＢＬ、アセチルアセトン、３−ペンタノン、２−ヘプタノン、乳酸エチル、シクロヘキサノン、ジブチルエーテル、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）、エチルノナフルオロイソブチルエーテル、エチルノナフルオロブチルエーテル、及びｍ−キシレンヘキサフルオライドからなる群より選ばれた少なくとも１種を含むものとすることができる。
ガス供給部６５は、流動体供給部６４の上方に設けられている。
ガス供給部６５は、昇華性物質を含む流動体１０５が供給された複数の被処理物１００の表面にガスを供給して、昇華性物質を含む流動体１０５の乾燥を行う。
この場合、複数の被処理物１００のそれぞれの表面にある昇華性物質を含む流動体１０５を乾燥させることで、昇華性物質を含む層１０３が形成される。
ガス供給部６５は、例えば、複数の被処理物１００の表面に向けてガスを噴射するノズルと、ノズルにガスを供給する圧力ボンベと、ガスの供給と停止、流速、流量などを制御する制御弁などを備えたものとすることができる。
ガス供給部６５は、昇華性物質を含む流動体１０５が供給された複数の被処理物１００の表面にガスを供給して、昇華性物質を含む流動体１０５の乾燥を行う。
この場合、複数の被処理物１００のそれぞれの表面にある昇華性物質を含む流動体１０５を乾燥させることで、昇華性物質を含む層１０３が形成される。
ガス供給部６５は、例えば、複数の被処理物１００の表面に向けてガスを噴射するノズルと、ノズルにガスを供給する圧力ボンベと、ガスの供給と停止、流速、流量などを制御する制御弁などを備えたものとすることができる。
ガスの種類には特に限定はなく、被処理物１００や昇華性物質などと反応し難いものであればよい。
ガスは、例えば、窒素ガス、空気、アルゴンなどの不活性ガスなどとすることができる。
ガスに含まれる水分量には特に限定はないが、水分量がなるべく少なくなるようにすることが好ましい。すなわち、ガスは、乾燥ガスとすることが好ましい。
また、ガスの温度は、昇華性物質の融点以下であれば特に限定はないが、昇華性物質を含む流動体１０５の乾燥を促進させるためには室温以上であることが好ましい。
ガスは、例えば、窒素ガス、空気、アルゴンなどの不活性ガスなどとすることができる。
ガスに含まれる水分量には特に限定はないが、水分量がなるべく少なくなるようにすることが好ましい。すなわち、ガスは、乾燥ガスとすることが好ましい。
また、ガスの温度は、昇華性物質の融点以下であれば特に限定はないが、昇華性物質を含む流動体１０５の乾燥を促進させるためには室温以上であることが好ましい。
また、ガス供給部６５は、ガスの流速および流量の少なくともいずれかを制御することで、形成される昇華性物質を含む層１０３の厚みｔを制御する。
なお、昇華性物質を含む層１０３の厚みｔの制御に関する詳細は後述する。
なお、昇華性物質を含む層１０３の厚みｔの制御に関する詳細は後述する。
配管部６６には、供給配管６６ａ（第１の供給部の一例に相当する）、ドレイン配管６６ｂ１〜６６ｂ４、および切替弁６６ｃが設けられている。
供給配管６６ａは、内槽６２の内部の底面側に設けられている。供給配管６６ａは、例えば、図示しない工場配管などに接続され、図示しない工場配管から供給されたリンス液１０２を内槽６２の内部に導入する。供給配管６６ａは、例えば、ノズルなどを備え、内槽６２の内部にリンス液１０２を噴射するものとすることもできる。
供給配管６６ａは、内槽６２の内部の底面側に設けられている。供給配管６６ａは、例えば、図示しない工場配管などに接続され、図示しない工場配管から供給されたリンス液１０２を内槽６２の内部に導入する。供給配管６６ａは、例えば、ノズルなどを備え、内槽６２の内部にリンス液１０２を噴射するものとすることもできる。
ドレイン配管６６ｂ１は、内槽６２の底面に接続されている。ドレイン配管６６ｂ１は、例えば、内槽６２の内部にあるリンス液１０２を排出する。
ドレイン配管６６ｂ２は、内槽６２の底面に接続されている。ドレイン配管６６ｂ２は、例えば、内槽６２の内部にある前処理液１０４および昇華性物質を含む流動体１０５を排出する。
ドレイン配管６６ｂ３は、切替弁６６ｃを介して外槽６１の底面に接続されている。ドレイン配管６６ｂ３は、外槽６１の内部にあるリンス液１０２を排出する。
ドレイン配管６６ｂ４は、切替弁６６ｃを介して外槽６１の底面に接続されている。ドレイン配管６６ｂ４は、外槽６１の内部にある前処理液１０４および昇華性物質を含む流動体１０５を排出する。
なお、前処理液１０４を排出するためのドレイン配管と、昇華性物質を含む流動体１０５を排出するためのドレイン配管とを別々に設けることもできる。
切替弁６６ｃは、例えば、三方弁などとすることができる。
ドレイン配管６６ｂ２は、内槽６２の底面に接続されている。ドレイン配管６６ｂ２は、例えば、内槽６２の内部にある前処理液１０４および昇華性物質を含む流動体１０５を排出する。
ドレイン配管６６ｂ３は、切替弁６６ｃを介して外槽６１の底面に接続されている。ドレイン配管６６ｂ３は、外槽６１の内部にあるリンス液１０２を排出する。
ドレイン配管６６ｂ４は、切替弁６６ｃを介して外槽６１の底面に接続されている。ドレイン配管６６ｂ４は、外槽６１の内部にある前処理液１０４および昇華性物質を含む流動体１０５を排出する。
なお、前処理液１０４を排出するためのドレイン配管と、昇華性物質を含む流動体１０５を排出するためのドレイン配管とを別々に設けることもできる。
切替弁６６ｃは、例えば、三方弁などとすることができる。
昇降部６７は、キャリア１０１の保持部１０１ｂを保持し、保持したキャリア１０１を下降させて、内槽６２の内部のリンス液１０２中にキャリア１０１を浸漬させる。
また、昇降部６７は、キャリア１０１の保持部１０１ｂを保持し、保持したキャリア１０１を上昇させて、内槽６２の内部のリンス液１０２中からキャリア１０１を引き上げる。
また、昇降部６７は、キャリア１０１をさらに上昇させて、前処理液供給部６３により前処理液１０４が供給される領域と、流動体供給部６４により昇華性物質を含む流動体１０５が供給される領域と、ガス供給部６５によりガスが供給される領域とをキャリア１０１が通過するようにする。
また、昇降部６７は、キャリア１０１の保持部１０１ｂを保持し、保持したキャリア１０１を上昇させて、内槽６２の内部のリンス液１０２中からキャリア１０１を引き上げる。
また、昇降部６７は、キャリア１０１をさらに上昇させて、前処理液供給部６３により前処理液１０４が供給される領域と、流動体供給部６４により昇華性物質を含む流動体１０５が供給される領域と、ガス供給部６５によりガスが供給される領域とをキャリア１０１が通過するようにする。
次に、昇華性物質を含む層１０３の厚みｔの制御について説明する。
被処理物１００の表面に膜状体を形成する方法としては、枚葉スピン法が知られている。
この枚葉スピン法を用いて昇華性物質を含む溶液などを被処理物１００の表面に塗布するようにすれば、昇華性物質を含む層１０３の厚みｔを適正なものとすることができる。
ところが、枚葉スピン法を用いるものとすれば、生産性が低くなる。
この場合、昇華性物質を含む溶液などに複数の被処理物１００を一度に浸漬させるバッチ処理法を用いれば、生産性を向上させることができる。
ところが、単に、バッチ処理法を用いれば、立てた状態で収納された複数の被処理物１００の表面に、適正な厚みを有する昇華性物質を含む層１０３を形成することが困難となる。
この場合、昇華性物質を含む層１０３の厚みｔが薄すぎると、ムラなどが生じてリンス液１０２などの除去ができない領域が生ずるおそれがある。
昇華性物質を含む層１０３の厚みｔが厚すぎると、除去部７における除去時間が長くなったり、残渣が生じたりするおそれがある。
被処理物１００の表面に膜状体を形成する方法としては、枚葉スピン法が知られている。
この枚葉スピン法を用いて昇華性物質を含む溶液などを被処理物１００の表面に塗布するようにすれば、昇華性物質を含む層１０３の厚みｔを適正なものとすることができる。
ところが、枚葉スピン法を用いるものとすれば、生産性が低くなる。
この場合、昇華性物質を含む溶液などに複数の被処理物１００を一度に浸漬させるバッチ処理法を用いれば、生産性を向上させることができる。
ところが、単に、バッチ処理法を用いれば、立てた状態で収納された複数の被処理物１００の表面に、適正な厚みを有する昇華性物質を含む層１０３を形成することが困難となる。
この場合、昇華性物質を含む層１０３の厚みｔが薄すぎると、ムラなどが生じてリンス液１０２などの除去ができない領域が生ずるおそれがある。
昇華性物質を含む層１０３の厚みｔが厚すぎると、除去部７における除去時間が長くなったり、残渣が生じたりするおそれがある。
そこで、処理装置１においては、ガス供給部６５を設けて、被処理物１００の表面にある昇華性物質を含む流動体１０５を乾燥させるとともに、形成される昇華性物質を含む層１０３の厚みｔを制御するようにしている。
本発明者らの得た知見によれば、以下の（１）式に示すように、昇華性物質を含む層１０３の厚みｔは、昇華性物質を含む流動体１０５の濃度と、昇華性物質を含む流動体１０５の粘度と、被処理物１００の表面におけるガスの流速とにより制御することができる。
この場合、昇華性物質を含む流動体１０５の組成が決まれば、昇華性物質を含む流動体１０５の濃度、および昇華性物質を含む流動体１０５の粘度は予め知ることができる。
そのため、実験やシミュレーションを行うことで、適正な厚みを有する昇華性物質を含む層１０３を形成するための被処理物１００の表面におけるガスの流速、ひいては、ガス供給部６５により供給するガスの流量や流速などを求めることができる。
本発明者らの得た知見によれば、以下の（１）式に示すように、昇華性物質を含む層１０３の厚みｔは、昇華性物質を含む流動体１０５の濃度と、昇華性物質を含む流動体１０５の粘度と、被処理物１００の表面におけるガスの流速とにより制御することができる。
この場合、昇華性物質を含む流動体１０５の組成が決まれば、昇華性物質を含む流動体１０５の濃度、および昇華性物質を含む流動体１０５の粘度は予め知ることができる。
そのため、実験やシミュレーションを行うことで、適正な厚みを有する昇華性物質を含む層１０３を形成するための被処理物１００の表面におけるガスの流速、ひいては、ガス供給部６５により供給するガスの流量や流速などを求めることができる。
図５は、被処理物１００の表面におけるガスの流速と、昇華性物質を含む層１０３の厚みｔとの関係を例示するためのグラフ図である。
この場合、昇華性物質を含む流動体１０５の粘度は、１．７７ｍＰａｓ程度とした。
昇華性物質を含む流動体１０５の濃度は、６．４ｗｔ％程度とした。
図５から分かるように、被処理物１００の表面におけるガスの流速を変化させれば、昇華性物質を含む層１０３の厚みｔを変化させることができる。
また、被処理物１００の表面におけるガスの流速は、ガス供給部６５におけるガスの流速および流量の少なくともいずれかを制御することで制御することができる。
そのため、ガス供給部６５におけるガスの流速および流量の少なくともいずれかを制御することで、形成される昇華性物質を含む層１０３の厚みｔを制御することができる。
この場合、昇華性物質を含む流動体１０５の粘度は、１．７７ｍＰａｓ程度とした。
昇華性物質を含む流動体１０５の濃度は、６．４ｗｔ％程度とした。
図５から分かるように、被処理物１００の表面におけるガスの流速を変化させれば、昇華性物質を含む層１０３の厚みｔを変化させることができる。
また、被処理物１００の表面におけるガスの流速は、ガス供給部６５におけるガスの流速および流量の少なくともいずれかを制御することで制御することができる。
そのため、ガス供給部６５におけるガスの流速および流量の少なくともいずれかを制御することで、形成される昇華性物質を含む層１０３の厚みｔを制御することができる。
そこで、ガス供給部６５により、複数の被処理物１００の表面におけるガスの流速を制御して、昇華性物質を含む層１０３の厚みｔが適正な範囲にあるようにする。
例えば、図５に示すように、被処理物１００の表面におけるガスの流速が、１０ｍ／ｓ以上、４０ｍ／ｓ以下となるようにすれば、適正な厚みを有する昇華性物質を含む層１０３を形成することができる。
例えば、図５に示すように、被処理物１００の表面におけるガスの流速が、１０ｍ／ｓ以上、４０ｍ／ｓ以下となるようにすれば、適正な厚みを有する昇華性物質を含む層１０３を形成することができる。
図６は、他の実施形態に係る成膜部６ａを例示するための模式図である。
図６に示すように、成膜部６ａには、処理槽６０、流動体供給部６４、ガス供給部６５、配管部６６、および昇降部６７が設けられている。
すなわち、成膜部６ａには、処理槽６０の上方に前処理液供給部６３が設けられていない。
成膜部６ａの場合には、前処理液１０４は、供給配管６６ａから内槽６２の内部に供給される。
すなわち、まず、内槽６２の内部にリンス液１０２を供給し、リンス液１０２中に複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１を浸漬させる。次に、内槽６２の内部からリンス液１０２を排出する。次に、内槽６２の内部に前処理液１０４を供給し、前処理液１０４中に複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１を浸漬させる。
この様にして、複数の被処理物１００の表面に前処理液１０４を供給する。
なお、前処理液供給部６３を内槽６２の内部に設けるようにすることもできる。
図６に示すように、成膜部６ａには、処理槽６０、流動体供給部６４、ガス供給部６５、配管部６６、および昇降部６７が設けられている。
すなわち、成膜部６ａには、処理槽６０の上方に前処理液供給部６３が設けられていない。
成膜部６ａの場合には、前処理液１０４は、供給配管６６ａから内槽６２の内部に供給される。
すなわち、まず、内槽６２の内部にリンス液１０２を供給し、リンス液１０２中に複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１を浸漬させる。次に、内槽６２の内部からリンス液１０２を排出する。次に、内槽６２の内部に前処理液１０４を供給し、前処理液１０４中に複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１を浸漬させる。
この様にして、複数の被処理物１００の表面に前処理液１０４を供給する。
なお、前処理液供給部６３を内槽６２の内部に設けるようにすることもできる。
図７は、他の実施形態に係る成膜部６ｂを例示するための模式図である。
図７に示すように、成膜部６ｂには、処理槽６０、ガス供給部６５、配管部６６、および昇降部６７が設けられている。
すなわち、成膜部６ａには、処理槽６０の上方に前処理液供給部６３および流動体供給部６４が設けられていない。
成膜部６ｂの場合には、前処理液１０４および昇華性物質を含む流動体１０５は、供給配管６６ａから内槽６２の内部に供給される。
すなわち、まず、内槽６２の内部にリンス液１０２を供給し、リンス液１０２中に複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１を浸漬させる。次に、内槽６２の内部からリンス液１０２を排出する。次に、内槽６２の内部に前処理液１０４を供給し、前処理液１０４中に複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１を浸漬させる。次に、内槽６２の内部から前処理液１０４を排出する。次に、内槽６２の内部に昇華性物質を含む流動体１０５を供給し、昇華性物質を含む流動体１０５中に複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１を浸漬させる。
この様にして、複数の被処理物１００の表面に前処理液１０４および昇華性物質を含む流動体１０５を順次供給する。
なお、前処理液供給部６３および流動体供給部６４を内槽６２の内部に設けるようにすることもできる。
図７に示すように、成膜部６ｂには、処理槽６０、ガス供給部６５、配管部６６、および昇降部６７が設けられている。
すなわち、成膜部６ａには、処理槽６０の上方に前処理液供給部６３および流動体供給部６４が設けられていない。
成膜部６ｂの場合には、前処理液１０４および昇華性物質を含む流動体１０５は、供給配管６６ａから内槽６２の内部に供給される。
すなわち、まず、内槽６２の内部にリンス液１０２を供給し、リンス液１０２中に複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１を浸漬させる。次に、内槽６２の内部からリンス液１０２を排出する。次に、内槽６２の内部に前処理液１０４を供給し、前処理液１０４中に複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１を浸漬させる。次に、内槽６２の内部から前処理液１０４を排出する。次に、内槽６２の内部に昇華性物質を含む流動体１０５を供給し、昇華性物質を含む流動体１０５中に複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１を浸漬させる。
この様にして、複数の被処理物１００の表面に前処理液１０４および昇華性物質を含む流動体１０５を順次供給する。
なお、前処理液供給部６３および流動体供給部６４を内槽６２の内部に設けるようにすることもできる。
次に、除去部７についてさらに例示をする。
図８は、除去部７を例示するための模式断面図である。
図８に示すように、除去部７には、容器７ａ、昇華部７ｂ、および排気部７ｃが設けられている。
容器７ａは、箱状を呈し、気密構造を有している。
容器７ａには、複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１を搬入、搬出するための開口と、開口の開放と閉鎖を行うための扉が設けられている。
図８は、除去部７を例示するための模式断面図である。
図８に示すように、除去部７には、容器７ａ、昇華部７ｂ、および排気部７ｃが設けられている。
容器７ａは、箱状を呈し、気密構造を有している。
容器７ａには、複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１を搬入、搬出するための開口と、開口の開放と閉鎖を行うための扉が設けられている。
昇華部７ｂは、キャリア１０１に収納された複数の被処理物１００のそれぞれの表面にある昇華性物質を含む層１０３を昇華させて除去する。
昇華部７ｂの構成には特に限定がなく、昇華性物質を含む層１０３を昇華させることができるものであればよい。
昇華部７ｂは、例えば、加熱装置、光照射装置、電子線照射装置、固体を分解する気体を供給する装置などとすることができる。
昇華部７ｂの構成には特に限定がなく、昇華性物質を含む層１０３を昇華させることができるものであればよい。
昇華部７ｂは、例えば、加熱装置、光照射装置、電子線照射装置、固体を分解する気体を供給する装置などとすることができる。
排気部７ｃは、容器７ａの内部を排気して、容器７ａの内部を大気圧よりも減圧された雰囲気にする。
排気部７ｃは、例えば、容器７ａの内部の圧力を０．１Ｐａ〜２０Ｐａ程度にする。
排気部７ｃは、例えば、真空ポンプなどとすることができる。
なお、昇華性物質を含む層１０３が大気圧下でも昇華できる場合には、容器７ａおよび排気部７ｃを省略することもできる。
ただし、容器７ａおよび排気部７ｃを設けて、減圧環境下において昇華性物質を含む層１０３を昇華するようにすれば、除去時間を短縮することができる。
排気部７ｃは、例えば、容器７ａの内部の圧力を０．１Ｐａ〜２０Ｐａ程度にする。
排気部７ｃは、例えば、真空ポンプなどとすることができる。
なお、昇華性物質を含む層１０３が大気圧下でも昇華できる場合には、容器７ａおよび排気部７ｃを省略することもできる。
ただし、容器７ａおよび排気部７ｃを設けて、減圧環境下において昇華性物質を含む層１０３を昇華するようにすれば、除去時間を短縮することができる。
次に、処理装置１の作用とともに、本実施の形態に係る処理方法について例示をする。 まず、処理前の複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１が搬入部３に搬入される。
次に、搬送部８により、キャリア１０１が搬入部３から薬液処理部５に搬送される。
次に、薬液処理部５により、被処理物１００の表面が処理される。
例えば、まず、昇降部５ｂにより、キャリア１０１を処理槽５ａの内部の薬液中に浸漬させる。
続いて、昇降部５ｂにより、キャリア１０１を処理槽５ａの内部の薬液中から引き上げる。
この様にして、キャリア１０１に収納された複数の被処理物１００の表面に同時に薬液を供給して、所望の処理を施す。
次に、搬送部８により、キャリア１０１が搬入部３から薬液処理部５に搬送される。
次に、薬液処理部５により、被処理物１００の表面が処理される。
例えば、まず、昇降部５ｂにより、キャリア１０１を処理槽５ａの内部の薬液中に浸漬させる。
続いて、昇降部５ｂにより、キャリア１０１を処理槽５ａの内部の薬液中から引き上げる。
この様にして、キャリア１０１に収納された複数の被処理物１００の表面に同時に薬液を供給して、所望の処理を施す。
次に、搬送部８により、キャリア１０１が薬液処理部５から成膜部６に搬送される。
次に、成膜部６により、被処理物１００の表面から薬液を除去し、薬液が除去された被処理物１００の表面に、適正な厚みを有する昇華性物質を含む層１０３を形成する。
例えば、まず、昇降部６７により、キャリア１０１を内槽６２の内部のリンス液１０２中に浸漬させる。
続いて、昇降部６７により、キャリア１０１を内槽６２の内部のリンス液１０２中から引き上げる。
次に、成膜部６により、被処理物１００の表面から薬液を除去し、薬液が除去された被処理物１００の表面に、適正な厚みを有する昇華性物質を含む層１０３を形成する。
例えば、まず、昇降部６７により、キャリア１０１を内槽６２の内部のリンス液１０２中に浸漬させる。
続いて、昇降部６７により、キャリア１０１を内槽６２の内部のリンス液１０２中から引き上げる。
続いて、昇降部６７により、キャリア１０１をさらに上昇させて、前処理液供給部６３により複数の被処理物１００の表面に前処理液１０４を供給する。
続いて、昇降部６７により、キャリア１０１をさらに上昇させて、流動体供給部６４により複数の被処理物１００の表面に昇華性物質を含む流動体１０５を供給する。
続いて、昇降部６７により、キャリア１０１をさらに上昇させて、ガス供給部６５により複数の被処理物１００の表面にガスを供給して、複数の被処理物１００のそれぞれの表面に昇華性物質を含む層１０３を形成する。
この際、ガス供給部６５におけるガスの流速および流量の少なくともいずれかを制御することで、形成される昇華性物質を含む層１０３の厚みｔを制御する。
続いて、昇降部６７により、キャリア１０１をさらに上昇させて、流動体供給部６４により複数の被処理物１００の表面に昇華性物質を含む流動体１０５を供給する。
続いて、昇降部６７により、キャリア１０１をさらに上昇させて、ガス供給部６５により複数の被処理物１００の表面にガスを供給して、複数の被処理物１００のそれぞれの表面に昇華性物質を含む層１０３を形成する。
この際、ガス供給部６５におけるガスの流速および流量の少なくともいずれかを制御することで、形成される昇華性物質を含む層１０３の厚みｔを制御する。
なお、前述したように、内槽６２の内部において、複数の被処理物１００の表面に、リンス液１０２と前処理液１０４を供給することもできる。
例えば、まず、内槽６２の内部にリンス液１０２を供給し、リンス液１０２中に複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１を浸漬させる。次に、内槽６２の内部からリンス液１０２を排出する。次に、内槽６２の内部に前処理液１０４を供給し、前処理液１０４中に複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１を浸漬させる。
例えば、まず、内槽６２の内部にリンス液１０２を供給し、リンス液１０２中に複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１を浸漬させる。次に、内槽６２の内部からリンス液１０２を排出する。次に、内槽６２の内部に前処理液１０４を供給し、前処理液１０４中に複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１を浸漬させる。
また、内槽６２の内部において、複数の被処理物１００の表面に、リンス液１０２と前処理液１０４と昇華性物質を含む流動体１０５とを供給することもできる。
例えば、まず、内槽６２の内部にリンス液１０２を供給し、リンス液１０２中に複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１を浸漬させる。次に、内槽６２の内部からリンス液１０２を排出する。次に、内槽６２の内部に前処理液１０４を供給し、前処理液１０４中に複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１を浸漬させる。次に、内槽６２の内部から前処理液１０４を排出する。次に、内槽６２の内部に昇華性物質を含む流動体１０５を供給し、昇華性物質を含む流動体１０５中に複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１を浸漬させる。
例えば、まず、内槽６２の内部にリンス液１０２を供給し、リンス液１０２中に複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１を浸漬させる。次に、内槽６２の内部からリンス液１０２を排出する。次に、内槽６２の内部に前処理液１０４を供給し、前処理液１０４中に複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１を浸漬させる。次に、内槽６２の内部から前処理液１０４を排出する。次に、内槽６２の内部に昇華性物質を含む流動体１０５を供給し、昇華性物質を含む流動体１０５中に複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１を浸漬させる。
次に、搬送部８により、キャリア１０１が成膜部６から除去部７に搬送される。
次に、除去部７により、複数の被処理物１００のそれぞれの表面に形成された昇華性物質を含む層１０３を除去する。
次に、除去部７により、複数の被処理物１００のそれぞれの表面に形成された昇華性物質を含む層１０３を除去する。
例えば、まず、排気部７ｃにより、キャリア１０１が搬入された容器７ａの内部を大気圧よりも減圧された雰囲気とする。
例えば、排気部７ｃにより、容器７ａの内部の圧力を０．１Ｐａ〜２０Ｐａ程度にする。 続いて、昇華部７ｂにより、昇華性物質を含む層１０３を加熱するなどして、被処理物１００の表面にある昇華性物質を含む層１０３を昇華させて除去する。
例えば、昇華部７ｂにより、昇華性物質を含む層１０３が５０℃〜１５０℃程度となるように昇華性物質を含む層１０３を加熱する。
例えば、排気部７ｃにより、容器７ａの内部の圧力を０．１Ｐａ〜２０Ｐａ程度にする。 続いて、昇華部７ｂにより、昇華性物質を含む層１０３を加熱するなどして、被処理物１００の表面にある昇華性物質を含む層１０３を昇華させて除去する。
例えば、昇華部７ｂにより、昇華性物質を含む層１０３が５０℃〜１５０℃程度となるように昇華性物質を含む層１０３を加熱する。
次に、搬送部８により、処理済みの複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１が除去部７から搬出部４に搬送される。
次に、処理済みの複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１が搬出部４から処理装置１の外部に搬出される。
次に、処理済みの複数の被処理物１００が収納されたキャリア１０１が搬出部４から処理装置１の外部に搬出される。
以上に説明したように、本実施の形態に係る処理法は、以下の工程を備えることができる。
複数の被処理物１００の表面に、第１の流動体（例えば、リンス液１０２）を供給する第１の供給工程。
第１の流動体が供給された複数の被処理物１００の表面に、昇華性物質を含む流動体１０５を供給する第２の供給工程。
昇華性物質を含む流動体１０５が供給された複数の被処理物１００の表面に、ガスを供給するガス供給工程。
このガス供給工程において、複数の被処理物１００のそれぞれの表面におけるガスの流速を制御することで、複数の被処理物１００のそれぞれの表面に形成される昇華性物質を含む層１０３の厚みを制御する。
被処理物１００の表面に形成した昇華性物質を含む層１０３を被処理物１００から昇華除去する昇華除去工程。
昇華除去工程においては、被処理物１００を減圧または加熱、もしくは減圧および加熱の両方を行う。
複数の被処理物１００の表面に、第１の流動体（例えば、リンス液１０２）を供給する第１の供給工程。
第１の流動体が供給された複数の被処理物１００の表面に、昇華性物質を含む流動体１０５を供給する第２の供給工程。
昇華性物質を含む流動体１０５が供給された複数の被処理物１００の表面に、ガスを供給するガス供給工程。
このガス供給工程において、複数の被処理物１００のそれぞれの表面におけるガスの流速を制御することで、複数の被処理物１００のそれぞれの表面に形成される昇華性物質を含む層１０３の厚みを制御する。
被処理物１００の表面に形成した昇華性物質を含む層１０３を被処理物１００から昇華除去する昇華除去工程。
昇華除去工程においては、被処理物１００を減圧または加熱、もしくは減圧および加熱の両方を行う。
また、第１の流動体が供給された複数の被処理物１００の表面に、昇華性物質を含む流動体１０５との親和性が高い第２の流動体（例えば、前処理液１０４）を供給する第３の供給工程をさらに備えることができる。
この場合は、前述した第２の供給工程において、第２の流動体が供給された複数の被処理物１００の表面に、昇華性物質を含む流動体１０５を供給する。
この場合は、前述した第２の供給工程において、第２の流動体が供給された複数の被処理物１００の表面に、昇華性物質を含む流動体１０５を供給する。
第２の流動体は、イソプロピルアルコールとすることができる。
なお、各工程における内容は、前述したものと同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
なお、各工程における内容は、前述したものと同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
次に、本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法について例示をする。
電子デバイスの製造方法としては、例えば、半導体装置の製造方法やフラットパネルディスプレイの製造方法などを例示することができる。例えば、半導体装置の製造工程には、いわゆる前工程における成膜・レジスト塗布・露光・現像・エッチング・レジスト除去などにより半導体ウェーハの表面にパターンを形成する工程、検査工程、洗浄工程、熱処理工程、不純物導入工程、拡散工程、平坦化工程などがある。また、いわゆる後工程においては、ダイシング、マウンティング、ボンディング、封入などの組立工程、機能や信頼性の検査を行う検査工程などがある。
電子デバイスの製造方法としては、例えば、半導体装置の製造方法やフラットパネルディスプレイの製造方法などを例示することができる。例えば、半導体装置の製造工程には、いわゆる前工程における成膜・レジスト塗布・露光・現像・エッチング・レジスト除去などにより半導体ウェーハの表面にパターンを形成する工程、検査工程、洗浄工程、熱処理工程、不純物導入工程、拡散工程、平坦化工程などがある。また、いわゆる後工程においては、ダイシング、マウンティング、ボンディング、封入などの組立工程、機能や信頼性の検査を行う検査工程などがある。
この場合、例えば、洗浄工程において、前述した処理装置１や、処理方法を用いることができる。
例えば、半導体ウェーハの表面に付着した有機物や金属などを、前述した処理装置１や、処理方法を用いて除去することができる。
なお、前述した処理装置１や、処理方法以外のものは、各工程における既知の技術を適用できるので、それらの詳細な説明は省略する。
本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法によれば、生産性の向上を図ることができる。
例えば、半導体ウェーハの表面に付着した有機物や金属などを、前述した処理装置１や、処理方法を用いて除去することができる。
なお、前述した処理装置１や、処理方法以外のものは、各工程における既知の技術を適用できるので、それらの詳細な説明は省略する。
本実施の形態に係る電子デバイスの製造方法によれば、生産性の向上を図ることができる。
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
１ 処理装置、２ 筐体、３ 搬入部、４ 搬出部、５ 薬液処理部、６ 成膜部、７ 除去部、７ａ 容器、７ｂ 昇華部、７ｃ 排気部、８ 搬送部、９ 制御部、６０ 処理槽、６１ 外槽、６２ 内槽、６３ 前処理液供給部、６４ 流動体供給部、６５ ガス供給部、６６ 配管部、６７ 昇降部、１００ 被処理物、１０１ キャリア、１０２ リンス液、１０３ 昇華性物質を含む層、１０４ 前処理液、１０５ 昇華性物質を含む流動体
Claims (7)
- 所定の間隔を空けて立てた状態で保持された複数の被処理物の表面に、第１の流動体を供給可能な第１の供給部と、
前記第１の流動体が供給された前記複数の被処理物の表面に、昇華性物質を含む流動体を供給可能な第２の供給部と、
前記昇華性物質を含む流動体が供給された前記複数の被処理物の表面に、ガスを供給可能なガス供給部と、
前記複数の被処理物のそれぞれの表面に形成された昇華性物質を含む層を昇華可能な昇華部と、
を備え、
前記ガス供給部は、前記複数の被処理物の表面に向けて供給する前記ガスの流速及び流量の少なくとも一方を制御可能に設けられている処理装置。 - 前記第１の流動体が供給された前記複数の被処理物の表面に、前記昇華性物質を含む流動体との親和性が高い第２の流動体を供給する第３の供給部をさらに備え、
前記第２の供給部は、前記第２の流動体が供給された前記複数の被処理物の表面に、前記昇華性物質を含む流動体を供給する請求項１記載の処理装置。 - 前記第２の流動体は、イソプロピルアルコールである請求項２記載の処理装置。
- 所定の間隔を空けて立てた状態で保持された複数の被処理物の表面に、第１の流動体を供給する第１の供給工程と、
前記第１の流動体が供給された前記複数の被処理物の表面に、昇華性物質を含む流動体を供給する第２の供給工程と、
前記昇華性物質を含む流動体が供給された前記複数の被処理物の表面に、ガスを供給するガス供給工程と、
前記複数の被処理物のそれぞれの表面に形成された昇華性物質を含む層を昇華させる工程と、
を備え、
前記ガス供給工程において、前記複数の被処理物の表面に向けて供給する前記ガスの流速及び流量の少なくとも一方を制御する処理方法。 - 前記第１の流動体が供給された前記複数の被処理物の表面に、前記昇華性物質を含む流動体との親和性が高い第２の流動体を供給する第３の供給工程をさらに備え、
前記第２の供給工程において、前記第２の流動体が供給された前記複数の被処理物の表面に、前記昇華性物質を含む流動体を供給する請求項４記載の処理方法。 - 前記第２の流動体は、イソプロピルアルコールである請求項５記載の処理方法。
- 請求項４〜６のいずれか１つに記載の処理方法を用いて、前記複数の被処理物の処理を行う電子デバイスの製造方法。
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