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JP6218921B2 - Aldコーティングによるターゲットポンプ内部の保護 - Google Patents

Aldコーティングによるターゲットポンプ内部の保護 Download PDF

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Description

本発明は、概して原子層堆積(ALD:Atomic Layer Deposition)に関し、より具体的にはALDによる保護コーティングの形成に関する。
発明の背景
原子層エピタキシー(ALE:Atomic Layer Epitaxy)法は、1970年代初頭にツオモ・サントラ(Tuomo Suntola)博士によって発明された。この方法は、原子層堆積法(ALD)という別名で総称され、今日ではALEに代わり、こちらが使われている。ALDは、少なくとも2種類の反応性前駆体種を少なくとも1つの基板に順次導入することに基づく、特殊な化学的堆積法である。
ALDによって成長した薄膜は緻密でピンホールがなく、かつ均一の厚さを有する。例えば、TMAとしても知られるトリメチルアルミニウム(CH3)3Alと水から、熱ALDにより酸化アルミニウムを成長させた実験において、基板ウェーハ上の不均一性はわずか1%程度であった。
ALD技術が有望視されている分野の一つは、面に保護コーティングを形成することである。
摘要
本発明の第1の例示的態様によれば、次の方法、すなわち、ターゲットポンプの内部を保護する方法であって、 前記ターゲットポンプの吸入口に吸入マニホールドを提供し、前記ターゲットポンプの排出口に排出マニホールドを提供することと; 前記ターゲットポンプが動作継続中に、前記吸入マニホールドを通じて前記ターゲットポンプ内部に反応ガスを順次吸入し、前記排出マニホールドを通じて該反応ガスを順次排出することによって、前記ターゲットポンプ内部を順次自己飽和表面反応(sequential self-saturating surface reaction)に曝すことを含む方法が提供される。
この(ALDによる)順次自己飽和表面反応は、ポンプ内部に所望の保護コーティングを生成する。したがって、ターゲットポンプ内部は、ターゲットポンプ内で反応ガスに曝される全ての面が最終的にコーティングされるように、ALDを用いてコーティングすることができる。ターゲットポンプは全コーティング過程の間動作し続けていてもよい。
特定の例示的実施形態では、前記方法は、前記吸入マニホールドを前記ターゲットポンプ吸入口に装着し、前記排出マニホールドを前記ターゲットポンプ排出口に装着することを含む。
特定の例示的実施形態では、前記反応ガス及び不活性パージガスは、前記吸入マニホールドを通じて前記ターゲットポンプ内部に流入する。特定の例示的実施形態では、前記反応ガス及びパージガスは、前記排出マニホールドを通じて前記ターゲットポンプ内部から排出する。
ターゲットポンプ内部は、ALD反応用の反応室として用いられてもよい。ALD反応に望ましいプロセス温度は、単にターゲットポンプを動作させ続けることによって得られてもよく、追加的な加熱が不要でもよい。したがって、特定の例示的実施形態では、前記方法は、他の加熱手段を用いずに前記ターゲットポンプを動作させ続けることによって、要求されるプロセス温度を与えることを含む。
特定の例示的実施形態では、前記吸入マニホールドはALDリアクタインフィード装置を備える。特定の例示的実施形態では、前記インフィード装置は、1つ(又は複数)のインフィードラインと、少なくとも必要とされる前駆体及び不活性ガスの制御要素と、それらの制御システムを備える。こうした制御要素には1つ(又は複数)のバルブ、1つ(又は複数)のマスフローコントローラ等がある。
制御システムは、例えばラップトップコンピュータ等のソフトウェアによって実装されてもよい。したがって、特定の例示的実施形態では、前記吸入マニホールドは1つ又は複数のインフィードライン及び該インフィードラインの制御要素備え、該制御要素はコンピュータ実装された制御システムによって制御される。適切に交換可能な前駆体源及び不活性ガス源が前記インフィード装置に取り付けられてもよい。
特定の例示的実施形態では、前記排出マニホールドは真空ポンプを備える。特定の例示的実施形態では、前記方法は、前記排出マニホールドに装着された真空ポンプによって、前記ターゲットポンプ内部から反応残留物及びパージガスを吸い出すことを含む。真空ポンプは、次に掲げる効果の1つ又は複数をもたらすことができる:ターゲットポンプ排出口を通じてターゲットポンプ内部から反応残留物を吸い出すように構成できる;ターゲットポンプ内部を真空に引くために使用できる。
特定の例示的実施形態では、ターゲットポンプは真空ポンプである。特定の例示的実施形態では、前記順次自己飽和表面反応は、常温から摂氏150度までの温度範囲で行われる。すなわち、ALDプロセス温度がこの温度範囲にある。特定の例示的実施形態では、ALDプロセス温度は摂氏120度から150度の範囲である。特定の例示的実施形態では、プロセス温度は、前記ターゲットポンプ自体を動作させることによって達成される。特定の例示的実施形態では、前述の代わりに別個のヒーターによって、ALD過程前及び/又は過程中に前記ターゲットポンプが加熱される。あるいは、追加的に加熱される。
特定の例示的実施形態では、前述のようにターゲットポンプの種類が真空ポンプである。他の実施形態では別の種類でもよい。さらに他の実施形態では、ポンプという用語がコンプレッサも含むよう広義に解釈され、その内部も本願が開示する方法によってコーティングされる。
特定の例示的実施形態では、前記方法は、1列に配置されたターゲットポンプを通じて流路を形成し、該流路を用いて、前記ターゲットポンプの内部の保護を同時に行うことを含む。特定の例示的実施形態では、前記方法は、前記列における前段のポンプの排出マニホールドを後段のポンプのポンプ吸入口に装着することによって、前記流路を形成することを含む。
本発明の第2の例示的態様によれば、次の装置、すなわち、ターゲットポンプの内部を保護する装置であって、 ターゲットポンプに装着されるように設計された吸入マニホールドと; ターゲットポンプに装着されるように設計された排出マニホールドとを備え、前記装置は使用されるとき、第1の例示的態様又は第3の例示的態様の方法を実行する装置が提供される。
その結果、前記装置が使用されるとき、特定の例示的実施形態では、前記装置は、(前記ターゲットポンプが動作継続中又は動作しない間に)前記吸入マニホールドを通じて前記ターゲットポンプ内部に反応ガスを順次吸入し、前記排出マニホールドを通じて該反応ガスを順次排出することによって、前記ターゲットポンプ内部を順次自己飽和表面反応に曝すことを含む方法が提供される。
特定の例示的実施形態では、前記吸入マニホールドは、前駆体蒸気及びパージガスのインフィードライン、及び該インフィードラインの制御要素を備える。
特定の例示的実施形態では、前記排出マニホールドは真空ポンプを備える。
特定の例示的実施形態では、前記装置は移動型である。前記吸入マニホールドと前記排出マニホールドを備える保護装置は、ユーザの要求に合わせて移動させられるように、移動型であってもよい。特定の例示的実施形態では、前記吸入マニホールドと前記排出マニホールドは、ターゲットポンプ内部の保護方法で協働するように設計されたそれぞれ別個のデバイスである。特定の例示的実施形態では、前記吸入マニホールドは、前記ターゲットポンプ吸入口に装着するためのターゲットポンプ固有の装着部品を備える。したがって、特定の例示的実施形態では、前記吸入マニホールドはターゲットポンプ固有の装着部品を備え、該装着部品は該吸入マニホールドを前記ターゲットポンプ吸入口に装着するように構成される。特定の例示的実施形態では、前記排出マニホールドは、前記ターゲットポンプ排出口に装着するためのターゲットポンプ固有の装着部品を備える。
本発明の第3の例示的態様によれば、次の方法、すなわち、ターゲットポンプの内部を保護する方法であって、 前記ターゲットポンプの吸入口に吸入マニホールドを提供し、前記ターゲットポンプの排出口に排出マニホールドを提供することと; 前記ターゲットポンプが動作しない間に、前記吸入マニホールドを通じて前記ターゲットポンプ内部に反応ガスを順次吸入し、前記排出マニホールドを通じて該反応ガスを順次排出することによって、前記ターゲットポンプ内部を順次自己飽和表面反応(sequential self-saturating surface reaction)に曝すことを含む方法が提供される。
前記ターゲットポンプが動作しない状態とは、該ターゲットポンプが「オフ」状態であることを意味する。特定の例示的実施形態では、前記順次自己飽和表面反応は常温で行われる。特定の他の例示的実施形態では、前記順次自己飽和表面反応は高温(即ち、常温よりも高い温度)で行われる。特定の例示的実施形態では、前記順次自己飽和表面反応は、常温から摂氏150度までの温度範囲で行われる。特定の例示的実施形態では、前記ターゲットポンプはヒーターによって、ALD過程前及び/又は過程中に加熱される。第1の態様に関連して記述された実施形態及びその組合せは第3の態様に対しても適用され、その逆もあり得る。
本発明の様々な態様及び実施形態を示したが、これらは発明の範囲を限定するために提示されたものではない。前述の実施形態は、本発明の実施にあたり使用され得る特定の態様やステップを説明するために用いられたにすぎない。いくつかの実施形態は、本発明の特定の例示的側面を使ってのみ説明されるかもしれない。いくつかの実施形態は他の実施形態にも適用可能であることが理解されるべきである。該実施形態は適宜組み合わせ可能である。
本発明を、単なる例示として、かつ添付図面を参照して以下に説明する。
ある例示的実施形態に従う装置とその使用法の概略図である。 ある例示的実施形態に従う方法を示す。
詳細説明
以下の記述において、原子層堆積(ALD)技術は一例として用いられる。ALD成長メカニズムの基本は当業者の知るところである。本特許出願の導入部にて説明されたように、ALDは、少なくとも2種類の反応性前駆体種を少なくとも1つの基板に順次導入することに基づく、特殊な化学的堆積法である。反応室内で、時間的に分離した複数の前駆体パルスに基板を曝す。それによって、順次自己飽和表面反応(sequential self-saturating surface reaction)により、材料が基板表面に堆積する。本出願の記述において、ALDという用語は、全ての適用可能はALDベース技術や、例えばMLD(分子層堆積)技術のような等価又は密接に関連したあらゆる技術を含むものとする。
基本的なALD堆積サイクルは4つの逐次的工程、すなわち、パルスA、パージA、パルスB、及びパージB、から構成される。パルスAは第1の前駆体蒸気から構成され、パルスBは別の前駆体蒸気から構成される。パージAおよびパージBでは、反応空間からガス状の反応副産物や残留反応物分子をパージ(除去)するために、不活性ガスと真空ポンプが用いられる。堆積シーケンスは少なくとも1回の堆積サイクルにより構成される。所望の厚さの薄膜またはコーティングが生成されるまで堆積サイクルが繰り返されるように、堆積シーケンスが組まれる。堆積サイクルは、さらに複雑にすることもできる。例えば、堆積サイクルは、パージステップによって区切られた3回以上の反応物蒸気パルスを含むことができる。これらの堆積サイクルは全て、論理演算装置またはマイクロプロセッサによって制御される、時間的な堆積シーケンスを形成するものである。
以下で記述するような特定の例示的実施形態において、ポンプ(以下、ターゲットポンプと呼ぶ)の内部を保護コーティングで保護する方法及び装置が提供される。ターゲットポンプ自体は反応室を形成する。そこでは独立した基板は無いがターゲットポンプ内部の面が基板を形成する(ここで基板とは、処理が実行される材料を意味する)。こうした内面の全てがALD処理によってコーティング可能である。こうしたALD処理では、前駆体蒸気が吸入マニホールドを通じてターゲットポンプ内部に順次吸入される。そして反応残留物は、排出マニホールドを通じてターゲットポンプ内部から排出される。ターゲットポンプは堆積過程の間動作し続けている。ターゲットポンプ内でのALD反応に望ましいプロセス温度は、単にターゲットポンプを動作させ続けることによって得られることもある。別の実施形態では、ターゲットポンプはオフにされている。全ての実施形態において、ターゲットポンプはヒーターによって、ALD過程前及び/又は過程中に加熱することもできる。
図1は、ある特定の例示的実施形態における方法及び関連する装置を示す。ターゲットポンプ10の内部を保護するために使用される装置は、吸入マニホールド20と排出マニホールド30を備える。この装置は移動型装置でもよい。移動型装置は、必要に応じて保護されるポンプの近くに移動させてもよく利便性がある。
吸入マニホールド20は、ターゲットポンプ吸入口11に装着されるように構成される。図1は、第1の装着部24によってターゲットポンプ吸入口11に装着された吸入マニホールド20を示している。第1の装着部24はターゲットポンプ固有の部分でもよい。排出マニホールド30は、ターゲットポンプ排出口14に装着されるように構成される。図1は、第2の装着部31によってターゲットポンプ排出口14に装着された排出マニホールド30を示している。第2の装着部31はターゲットポンプ固有の部分でもよい。
吸入マニホールド20はALDリアクタインフィード装置70を備える。インフィード装置70は、必要とされるインフィードラインとそれらの制御要素を備える。図1の第1の装着部24には、第1の前駆体インフィードライン41、第2の前駆体インフィードライン42、及びパージガスインフィードライン43が装着される。第1の前駆体インフィードライン41、第2の前駆体インフィードライン42、及びパージガスインフィードライン43の元には、それぞれ第1の前駆体源21、第2の前駆体源22、及びパージ/不活性ガス源23がある。
インフィードライン制御要素には、流量制御要素及びタイミング制御要素が含まれる。第1の前駆体インフィードライン41における第1の前駆体インフィードバルブ61及びマスフローコントローラ51は、第1の前駆体パルスのタイミングと流量を制御する。これに準じて、第2の前駆体インフィードライン42における第2の前駆体インフィードバルブ62及びマスフローコントローラ52は、第2の前駆体パルスのタイミングと流量を制御する。同様に、パージガスインフィードバルブ63及びマスフローコントローラ53は、パージガスのタイミングと流量を制御する。
図1の実施形態において、インフィード装置70の動作は制御システムによって制御される。図1は、インフィード装置70と制御システム71の間に制御接続72を示している。制御システム71は、例えばラップトップコンピュータ等のソフトウェアによって実装されてもよい。
特定の例示的実施形態では、ターゲットポンプ内のALD過程が真空中で行われる。排出マニホールド30は、真空ポンプ33を備えてもよい。特定の例示的実施形態では、真空ポンプ33が排出ライン32の末端に配置され、排出ライン32がターゲットポンプ排出口14に装着される。真空ポンプ33は、(制御システム71と真空ポンプ33の間にある)追加の電機接続73を介して制御システム71によって制御することも可能である。ターゲットポンプの種類により、真空ポンプ33はターゲットポンプ10の内部全体又はその一部を真空に引く。ターゲットポンプ10には様々な圧力領域が含まれ得る。図1では、容積12・13がこうした領域を描いている。矢印15はターゲットポンプ10内での流れの向きを表わし、その向きはターゲットポンプ吸入口11からターゲットポンプ内部(該当する場合は容積12から13)を通ってターゲットポンプ排出口14へ向かっている。ターゲットポンプ10も真空ポンプである場合、図1の容積12は真空圧領域と見做され、容積13はターゲットポンプ10内の大気圧領域と見做されてもよい。ターゲット(真空)ポンプ10が動作中のとき、容積12は真空状態になっている。この際、排出ライン側の真空ポンプ33は容積13を真空に引くために使用される。
さらに図1を参照すると、他の実施形態では吸入マニホールドと排出マニホールド1が異なって配置されてもよい点に留意すべきである。インフィードラインの少なくとも一部は、別々のインフィードラインではなく共通になっていてもよい。バルブの種類も種々のものが存在し得る。流量制御要素の配置も変更することができる。例えば、二方バルブの代わりに、インフィードライン経路の変更を即座に反映する三方バルブが使用されてもよい。前駆体源とパージガスを接続することで、これらの選択が実装と所望のコーティングに応じて行われる。ターゲットポンプは追加ヒーター16によって加熱することもできる。ヒーターの動作は、接続を介して制御システム71によって制御可能でもよい。
適用可能なポンプ材料は、例えばスチールやアルミニウム等の金属でもよいが、こうした材料に限定されるものではない。適用可能なコーティングには、例えば酸化アルミニウムや酸化チタン、酸化タンタル等の金属酸化物や炭化タングステン、及びこれらの組合せがある。ただし、こうした材料に限定されるものではない。適用可能なALDプロセス温度は、特定の例示的実施形態では常温から摂氏150度であるが、他の温度範囲も適用可能である。特定の例示的実施形態ではターゲットポンプの種類が真空ポンプであるが、他の実施形態では別の種類でもよい。さらに他の実施形態では、ポンプという用語がコンプレッサも含むよう広義に解釈され、その内部も本願が開示する方法によってコーティングされる。
図2は、図1で開示された事項に従う方法のステップを示す。まず、装置を保護する移動型ポンプが、保護されるターゲットポンプ10の側まで運ばれる。あるいは、ターゲットポンプ10が装置を保護する移動型又は据置型ポンプの何れかの側まで移動される。吸入マニホールド20はターゲットポンプ吸入口11に装着され(ステップ81)、排出マニホールド30はターゲットポンプ排出口14に装着される(ステップ82)。ターゲットポンプ10は任意でオンにされてもよい(ステップ83)。ターゲットポンプ内部は前駆体蒸気の順次導入に曝され、ALDに従ってパージ過程で分離される。反応残留物及びパージガスは真空ポンプ33に吸い出される(ステップ84)。堆積過程では、コンフォーマル保護コーティングが得られる。ポンプがオフにされ(ステップ85)、吸入マニホールド20はターゲットポンプ吸入口11から取り外され(ステップ86)、排出マニホールド30はターゲットポンプ排出口14から取り外される(ステップ87)。
さらなる例示的実施形態では、複数のポンプがポンプ連鎖を形成し、その複数のポンプの内部を保護するものが存在する。こうした実施形態では、前述の実施形態で示したものと同様に、吸入マニホールドが第1のターゲットポンプの吸入口に装着される。第1の排出マニホールドの一方の端部は第1のターゲットポンプの排出口に装着され、同じ排出マニホールドの反対側の端部は第2のターゲットポンプの吸入口に装着される。第2の排出マニホールドの一方の端部は第2のターゲットポンプの排出口に装着され、同じ排出マニホールドの反対側の端部は第3のターゲットポンプの吸入口に装着される。以下、同様にして順次装着される。この構成により、連鎖を成す複数のポンプは1つのALD過程で同時に保護することができる。ガスは吸入マニホールドを通って第1のターゲットポンプの内部に流入し、前段のポンプの排出マニホールドを通って後段のターゲットポンプの内部に流入する。こうして、ポンプ連鎖の最終端に配置された真空ポンプに到達するまで続く。その結果、1列に配置されたターゲットポンプを通過する流路が形成され、この流路を用いることで、ターゲットポンプ内部の保護も同時に行われる。これら複数のターゲットポンプはそれ自体が真空ポンプであってもよく、他の適用可能なポンプであってもよい。
本件において開示される1つ又は複数の実施例の技術的効果のあるものを以下に示す。ただし、これらの効果は特許請求の範囲および解釈を制限するものではない。ある技術的効果は、コンフォーマル保護コーティングによってポンプ内部を保護することである。別の技術的効果は、既製(組立)ポンプをそのシーリング面を含めて保護することである。こうした保護が組立前に各ポンプ部品に対して別々に行われた場合、組立中に部品が傷付き易いという脆弱性を生じさせることになる。また別の技術的効果は、堆積過程中にターゲットポンプを動作し続けることによって、ターゲットポンプ内部を加熱するためにターゲットポンプそのものを使用することである。
前述した機能又は方法ステップの一部が異なる順番で実行されてもよいし、同時に実行されてもよいことに留意されたい。さらに、前述の機能又は方法ステップの1つ又は複数が任意選択できたり、統合されたりしてもよい。
以上の説明により、本発明の特定の実装および実施形態の非限定例を用いて、発明者によって現在考案されている、本発明を実施するための最良の形態の完全かつ有益な説明を提供した。しかしながら、当業者には明らかであるように、上述の実施形態の詳細は本発明を限定するものではなく、本発明の特徴から逸脱することなく同等の手段を用いて、他の実施形態に実装することができる。
さらに、以上に開示した本発明の実施形態の特徴は、対応する他の特徴を用いることなく用いられてもよい。然るに、以上の説明は、本発明の原理を説明するための例に過ぎず、それを限定するものではないと捉えるべきである。よって、本発明の範囲は添付の特許請求のみによって制限されるものである。

Claims (16)

  1. ターゲットポンプの内部を保護する方法であって、
    吸入マニホールドをターゲットポンプ吸入口に装着すること、及び、排出マニホールドを前記ターゲットポンプ排出口に装着することと;
    前記ターゲットポンプが動作継続中に、前記吸入マニホールドを通じて前記ターゲットポンプ内部に反応ガスを順次吸入し、前記排出マニホールドを通じて該反応ガスを順次排出することによって、前記ターゲットポンプ内部を順次自己飽和表面反応(sequential self-saturating surface reaction)に曝すことと;
    前記ターゲットポンプ吸入口から前記吸入マニホールドを取り外すこと、及び、前記ターゲットポンプ排出口から前記排出マニホールドを取り外すことと;
    を含む方法。
  2. 前記吸入マニホールド及び前記排出マニホールドを備える移動型ポンプ保護装置により実施される、請求項1に記載の方法。
  3. 前記排出マニホールドに装着された真空ポンプによって、前記ターゲットポンプ内部から反応残留物及びパージガスを吸い出すことを含む、請求項1又は2に記載の方法。
  4. 他の加熱手段を用いずに前記ターゲットポンプを動作させ続けることによって、要求されるプロセス温度を与えることを含む、請求項1から3の何れかに記載の方法。
  5. 前記吸入マニホールドは1つ又は複数のインフィードライン及び該インフィードラインの制御要素備え、該制御要素はコンピュータ実装された制御システムによって制御される、請求項1から4の何れかに記載の方法。
  6. 1列に配置された複数のターゲットポンプを通じて流路を形成し、該流路を用いて、前記複数のターゲットポンプの内部の保護を同時に行うことを含む、請求項1から5の何れかに記載の方法。
  7. 前記列における前段のポンプの排出マニホールドを後段のポンプのポンプ吸入口に装着することによって、前記流路を形成することを含む、請求項6に記載の方法。
  8. 常温から摂氏150度までの温度範囲で前記ターゲットポンプ内部を順次自己飽和表面反応に曝すことを含む、請求項1から7の何れかに記載の方法。
  9. 前記ターゲットポンプは真空ポンプである、請求項1から8の何れかに記載の方法。
  10. ターゲットポンプの内部を保護する方法であって、
    吸入マニホールドをターゲットポンプ吸入口に装着すること、及び、排出マニホールドを前記ターゲットポンプ排出口に装着することと;
    前記ターゲットポンプが動作していない間に、前記吸入マニホールドを通じて前記ターゲットポンプ内部に反応ガスを順次吸入し、前記排出マニホールドを通じて該反応ガスを順次排出することによって、前記ターゲットポンプ内部を順次自己飽和表面反応(self-saturating surface reaction)に曝すことと;
    前記ターゲットポンプ吸入口から前記吸入マニホールドを取り外すこと、及び、前記ターゲットポンプ排出口から前記排出マニホールドを取り外すことと;
    を含む、方法。
  11. ターゲットポンプの内部を保護する装置であって、
    ターゲットポンプに装着されるように設計された吸入マニホールドと;
    ターゲットポンプに装着されるように設計された排出マニホールドと
    を備え、使用されるとき、請求項1から10の何れかに記載の方法を実行する、装置。
  12. 前記装置は使用されるとき、前記ターゲットポンプが動作継続中に、前記吸入マニホールドを通じて前記ターゲットポンプ内部に反応ガスを順次吸入し、前記排出マニホールドを通じて該反応ガスを順次排出することによって、前記ターゲットポンプ内部を順次自己飽和表面反応に曝すように構成される、請求項11に記載の装置。
  13. 前記吸入マニホールドは、前駆体蒸気及びパージガスのインフィードライン、及び該インフィードラインの制御要素を備える、請求項11又は12に記載の装置。
  14. 前記排出マニホールドは真空ポンプを備える、請求項11から13の何れかに記載の装置。
  15. 前記吸入マニホールドはターゲットポンプ固有の装着部品を備え、該装着部品は該吸入マニホールドを前記ターゲットポンプ吸入口に装着するように構成される、請求項11から14の何れかに記載の装置。
  16. 移動型である、請求項11から15の何れかに記載の装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11686300B2 (en) 2020-11-10 2023-06-27 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Cryopump and regeneration method of cryopump

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150024152A1 (en) 2013-07-19 2015-01-22 Agilent Technologies, Inc. Metal components with inert vapor phase coating on internal surfaces
US10767259B2 (en) 2013-07-19 2020-09-08 Agilent Technologies, Inc. Components with an atomic layer deposition coating and methods of producing the same
KR102254473B1 (ko) * 2014-03-03 2021-05-25 피코순 오와이 Ald 코팅에 의한 가스 컨테이너 내부의 보호 방법
DE102014016410A1 (de) 2014-11-05 2016-05-12 Linde Aktiengesellschaft Gasbehälter
CN112575313A (zh) * 2015-01-14 2021-03-30 安捷伦科技有限公司 具有原子层沉积涂层的部件及其制备方法
US9828672B2 (en) 2015-03-26 2017-11-28 Lam Research Corporation Minimizing radical recombination using ALD silicon oxide surface coating with intermittent restoration plasma
US9825428B2 (en) * 2015-09-25 2017-11-21 TeraDiode, Inc. Coating process for laser heat sinks
KR102733023B1 (ko) 2017-12-07 2024-11-20 램 리써치 코포레이션 챔버 내 산화 내성 보호 층 컨디셔닝
US10760158B2 (en) 2017-12-15 2020-09-01 Lam Research Corporation Ex situ coating of chamber components for semiconductor processing
US11028480B2 (en) 2018-03-19 2021-06-08 Applied Materials, Inc. Methods of protecting metallic components against corrosion using chromium-containing thin films
US11015252B2 (en) * 2018-04-27 2021-05-25 Applied Materials, Inc. Protection of components from corrosion
US11009339B2 (en) 2018-08-23 2021-05-18 Applied Materials, Inc. Measurement of thickness of thermal barrier coatings using 3D imaging and surface subtraction methods for objects with complex geometries
EP3959356A4 (en) 2019-04-26 2023-01-18 Applied Materials, Inc. METHOD OF PROTECTING AEROSPACE COMPONENTS AGAINST CORROSION AND OXIDATION
US11794382B2 (en) 2019-05-16 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Methods for depositing anti-coking protective coatings on aerospace components
US11697879B2 (en) 2019-06-14 2023-07-11 Applied Materials, Inc. Methods for depositing sacrificial coatings on aerospace components
US11466364B2 (en) 2019-09-06 2022-10-11 Applied Materials, Inc. Methods for forming protective coatings containing crystallized aluminum oxide
US11519066B2 (en) 2020-05-21 2022-12-06 Applied Materials, Inc. Nitride protective coatings on aerospace components and methods for making the same
WO2022005696A1 (en) 2020-07-03 2022-01-06 Applied Materials, Inc. Methods for refurbishing aerospace components

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03199699A (ja) 1989-12-27 1991-08-30 Ntn Corp ターボ分子ポンプ
FI104383B (fi) * 1997-12-09 2000-01-14 Fortum Oil & Gas Oy Menetelmä laitteistojen sisäpintojen päällystämiseksi
JP2002158212A (ja) 2000-11-20 2002-05-31 Sony Corp 半導体装置の製造装置
DE10108810A1 (de) 2001-02-16 2002-08-29 Berlin Heart Ag Vorrichtung zur axialen Förderung von Flüssigkeiten
US7026009B2 (en) 2002-03-27 2006-04-11 Applied Materials, Inc. Evaluation of chamber components having textured coatings
US7572115B2 (en) 2002-07-19 2009-08-11 Innovative Mag-Drive, Llc Corrosion-resistant rotor for a magnetic-drive centrifugal pump
JP4959333B2 (ja) * 2003-05-09 2012-06-20 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 化学的不活性化を通じたリアクタ表面のパシベーション
JP4313138B2 (ja) 2003-09-29 2009-08-12 忠弘 大見 製造装置システム
EP1666625A1 (de) 2004-12-01 2006-06-07 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Beschichtung von Bauteilen im Inneren einer Vorrichtung
US7541069B2 (en) 2005-03-07 2009-06-02 Sub-One Technology, Inc. Method and system for coating internal surfaces using reverse-flow cycling
US20090194233A1 (en) 2005-06-23 2009-08-06 Tokyo Electron Limited Component for semicondutor processing apparatus and manufacturing method thereof
JP5028755B2 (ja) 2005-06-23 2012-09-19 東京エレクトロン株式会社 半導体処理装置の表面処理方法
DE202009004157U1 (de) 2009-03-28 2009-09-03 Fischer, Francesco Peter, Dipl.-Ing. Fluidenergiemaschine mit Beschichtung
CN102649915B (zh) 2011-02-28 2015-08-26 通用电气公司 气化装置中使用的泵及该泵的耐磨性的方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11686300B2 (en) 2020-11-10 2023-06-27 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Cryopump and regeneration method of cryopump

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