JP6164730B2

JP6164730B2 - Imprint mold and manufacturing method thereof

Info

Publication number: JP6164730B2
Application number: JP2013122599A
Authority: JP
Inventors: 佐藤　孝; 孝佐藤; 和丈谷口; 秀司岸本
Original assignee: Hoya Corp
Current assignee: Hoya Corp
Priority date: 2013-06-11
Filing date: 2013-06-11
Publication date: 2017-07-19
Anticipated expiration: 2033-06-11
Also published as: JP2014240127A

Description

本発明は、インプリント用モールド、パターンドメディア作製用基板およびパターンドメディア、並びにこれらの製造方法に関する。 The present invention relates to an imprint mold, a patterned media manufacturing substrate and a patterned media, and a method for manufacturing the same.

近年、半導体デバイスの微細回路パターン形成、光学部品に光学的機能を付加する為の微細パターン形成、およびハードディスクドライブ等に用いられる磁気記録媒体における磁性膜の微細パターン形成において、同じ微細パターンを大量に転写するためのインプリント法が用いられるようになってきている。 In recent years, in the formation of fine circuit patterns for semiconductor devices, the formation of fine patterns for adding optical functions to optical components, and the formation of fine patterns of magnetic films in magnetic recording media used for hard disk drives, etc. An imprint method for transferring has been used.

インプリント法に用いるモールド（以下、「インプリント用モールド」という。）は、微細パターンを大量に転写するための原版になる。インプリント法は、転写対象物上に塗布されたレジスト膜にインプリント用モールドを直接押し付けてパターンを転写する方法である。このようなインプリント法で作製される磁気記録媒体の一つとしてパターンドメディアがある。パターンドメディアは、磁性材料で構成されるパターンがビット単位で規則的に並んだ構造の磁気記録媒体である。 A mold used for the imprint method (hereinafter referred to as “imprint mold”) serves as an original plate for transferring a large amount of fine patterns. The imprint method is a method of transferring a pattern by directly pressing an imprint mold onto a resist film applied on a transfer object. One of magnetic recording media manufactured by such an imprint method is a patterned medium. Patterned media is a magnetic recording medium having a structure in which patterns made of a magnetic material are regularly arranged in bit units.

図８〜図１０はインプリント法による従来のパターンドメディアの製造方法の一例を示す図である。
まず、図８（Ａ）に示すように、基板５１上に下地膜５２、磁性膜５３、ハードマスク膜５４を順に形成する。次に、図８（Ｂ）に示すように、ハードマスク膜５４の上にレジスト膜５５を形成する。次に、図８（Ｃ）に示すように、インプリント用モールド５６を用いてレジストパターン５５ａを形成する。具体的には、インプリント用モールド５６をレジスト膜５５に押し付けた状態でレジストを硬化（光硬化又は熱硬化）させた後、インプリント用モールド５６を離型する。これにより、インプリント用モールド５６の凹凸のパターンを反転したかたちでレジスト膜５５にレジストパターン５５ａが形成される。 8 to 10 are diagrams showing an example of a conventional method of manufacturing a patterned medium by the imprint method.
First, as shown in FIG. 8A, a base film 52, a magnetic film 53, and a hard mask film 54 are formed in this order on a substrate 51. Next, as shown in FIG. 8B, a resist film 55 is formed on the hard mask film 54. Next, as illustrated in FIG. 8C, a resist pattern 55 a is formed using an imprint mold 56. Specifically, the resist is cured (photocured or thermally cured) in a state where the imprint mold 56 is pressed against the resist film 55, and then the imprint mold 56 is released. As a result, a resist pattern 55 a is formed on the resist film 55 in a manner that the uneven pattern of the imprint mold 56 is inverted.

次に、図９（Ａ）に示すように、レジストパターン５５ａをマスクに用いてハードマスク膜５４をエッチングし、さらに図９（Ｂ）に示すように、そのハードマスク膜５４のパターンをマスクに用いて磁性膜５３をエッチングする。これにより、下地膜５２の上に磁性膜５３のパターンが形成される。次に、図９（Ｃ）に示すように、磁性膜５３のパターンの間を埋めるように磁性分離膜５７を形成する。次に、図１０（Ａ）に示すように、磁性膜５３のパターンの上面が露出するように平坦化する。次に、図１０（Ｂ）に示すように、磁性膜５３および磁性分離膜５７を覆うように保護膜５８を形成する。次に、図１０（Ｃ）に示すように、保護膜５８の上に潤滑膜５９を形成する。 Next, as shown in FIG. 9A, the hard mask film 54 is etched using the resist pattern 55a as a mask, and as shown in FIG. 9B, the pattern of the hard mask film 54 is used as a mask. Then, the magnetic film 53 is etched. As a result, a pattern of the magnetic film 53 is formed on the base film 52. Next, as shown in FIG. 9C, a magnetic separation film 57 is formed so as to fill in between the patterns of the magnetic film 53. Next, as shown in FIG. 10A, planarization is performed so that the upper surface of the pattern of the magnetic film 53 is exposed. Next, as shown in FIG. 10B, a protective film 58 is formed so as to cover the magnetic film 53 and the magnetic separation film 57. Next, as shown in FIG. 10C, a lubricating film 59 is formed on the protective film 58.

上述した従来のパターンドメディアの製造方法においては、下地膜５２が露出するまで磁性膜５３をエッチングした後、その間を磁性分離膜５７で埋めることによりビット間の磁気分離を実現している。このため、パターンの微細化にともなって１ビット当たりのパターン寸法が小さくなると、エッチングによる磁性層ダメージ（エッチングに曝された表層数ｎｍの磁性層結晶構造変化により磁気的性質が変化した時の実効的な体積減少）が大きな問題となる。 In the conventional patterned media manufacturing method described above, magnetic separation between bits is realized by etching the magnetic film 53 until the base film 52 is exposed and then filling the gap with the magnetic separation film 57. For this reason, if the pattern size per bit becomes smaller as the pattern becomes finer, damage to the magnetic layer due to etching (effective when the magnetic properties change due to the change in the crystal structure of the magnetic layer of several nm surface layer exposed to etching) Volume reduction) is a major problem.

そこで従来においては、上記の製造方法とは別の方法として、非磁性材料からなる基板の表面に１ビット単位で凹状のパターンを形成し、このパターンの凹み部分を磁性膜によって埋め込んだ後、平坦化する方法も提案されている（たとえば、特許文献１）。 Therefore, in the prior art, as a method different from the above manufacturing method, a concave pattern is formed on the surface of a substrate made of a nonmagnetic material in 1-bit units, and the concave portion of this pattern is buried with a magnetic film, and then flattened. There has also been proposed a method (for example, Patent Document 1).

特開２０１３−５８２９６号公報JP 2013-58296 A

近年、インプリント用モールドやパターンドメディア作製用基板の基材として、それぞれに求められる必要な機械的強度を有し、しかも価格的に安価な強化ガラス基板を使用したいという要望がある。強化ガラス基板としては、イオン交換によって機械的強度を向上させたアルカリ金属含有のガラス基板が知られている。この種のガラス基板はアルカリ金属を多く含んでいる。このため、ガラス基板の表面に直接、パターンを形成しようとすると、アルカリ金属の存在によってパターンの形成（エッチング等）が阻害される。 In recent years, there has been a demand for using a tempered glass substrate that has the required mechanical strength and is inexpensive in price as a base material for an imprint mold or a patterned media production substrate. As the tempered glass substrate, an alkali metal-containing glass substrate having improved mechanical strength by ion exchange is known. This type of glass substrate contains a large amount of alkali metal. For this reason, when it is going to form a pattern directly on the surface of a glass substrate, formation (etching etc.) of a pattern will be inhibited by presence of an alkali metal.

そこで、本発明者は、ガラス基板上にシリコンを含む膜を形成し、この膜表面にエッチングによって凹凸パターンを形成する方法を試してみた。そうしたところ、予期しない問題が発生し、その対策を講じるなかで新たな知見を得た。すなわち、シリコンを含む膜で、ある特殊な条件（後述）でインプリントを実施すると、ガラス基板に含まれるアルカリ金属が凹凸パターンの表面に析出してしまうという新たな知見を得た。
なお、シリコンを含む膜を非磁性膜として形成すれば、パターンドメディアにおける磁性分離膜として用いる事ができる。 Therefore, the present inventors tried a method of forming a silicon-containing film on a glass substrate and forming an uneven pattern on the film surface by etching. As a result, an unexpected problem occurred and new knowledge was gained as countermeasures were taken. That is, when imprinting was performed on a film containing silicon under certain special conditions (described later), new knowledge was obtained that the alkali metal contained in the glass substrate was deposited on the surface of the concavo-convex pattern.
If a film containing silicon is formed as a nonmagnetic film, it can be used as a magnetic separation film in patterned media.

本発明の目的は、アルカリ金属を含むガラス基板上にシリコンを含む膜を形成し、この膜に凹凸パターンを形成したパターンドメディア作製用基板、パターンドメディア又はインプリント用モールドにおいて、アルカリ金属が凹凸パターンの表面に析出することを抑制することができる技術を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a patterned media production substrate, patterned media, or imprint mold in which a film containing silicon is formed on a glass substrate containing an alkali metal, and a concavo-convex pattern is formed on the film. An object of the present invention is to provide a technique capable of suppressing the precipitation on the surface of the uneven pattern.

まず、本発明者が上記の知見に基づいて本発明を想到するに至った経緯について詳しく説明する。 First, details of how the present inventor came up with the present invention based on the above findings will be described in detail.

（第１の問題）
まず、本発明者は、アルカリ金属を含むガラス基板を使用してパターンドメディア作製用基板を製造するために、ガラス基板上に非磁性膜としてシリコン膜を形成し、さらにその上にハードマスク膜として窒化クロム膜を形成した。また、ハードマスク膜の上にレジスト膜を形成し、これをインプリント用モールドでパターニングした後、ハードマスク膜とともに非磁性膜をエッチングした。そうしたところ、エッチングによって非磁性膜に形成されたパターン凹部の表面（以下、「エッチング底面」ともいう）が荒れた状態になった。本発明者は、この原因について鋭意検討した。その結果、ハードマスク（窒化クロム膜）成膜前の非磁性膜（シリコン膜）表面は自然酸化膜で覆われているが、活性な部分を維持しており、ハードマスク成膜時に界面に反応生成物としてＳｉ−Ｃｒ生成物を生ずる。これはハードマスクエッチングにて完全に除去されること無く、次工程である非磁性膜のエッチング時の部分的なマスクとして影響し、表面荒れに結び付いたと推測した。そこで、本発明者は、ハードマスク膜を形成する前に、ベーク処理（加熱処理）によって非磁性膜の表面を強制酸化して不活性化することを思い付き、実際に試してみた。そうしたところ、エッチング底面の荒れが解消された。 (First problem)
First, in order to manufacture a patterned media manufacturing substrate using a glass substrate containing an alkali metal, the present inventor forms a silicon film as a nonmagnetic film on the glass substrate, and further forms a hard mask film thereon. As a result, a chromium nitride film was formed. Moreover, after forming a resist film on the hard mask film and patterning it with an imprint mold, the nonmagnetic film was etched together with the hard mask film. As a result, the surface of the pattern recess formed in the nonmagnetic film by etching (hereinafter also referred to as “etching bottom surface”) was in a rough state. The inventor has intensively studied the cause of this. As a result, the surface of the non-magnetic film (silicon film) before the hard mask (chromium nitride film) is covered with a natural oxide film, but the active part is maintained and reacts with the interface during the hard mask film formation. The product yields a Si-Cr product. This was not completely removed by the hard mask etching, but influenced as a partial mask when etching the non-magnetic film, which was the next process, and was presumed to be associated with surface roughness. Therefore, the present inventor has conceived that before the hard mask film is formed, the surface of the nonmagnetic film is forcedly inactivated by baking treatment (heat treatment) and actually tried. As a result, roughness of the bottom of the etching was eliminated.

（第２の問題）
その一方で、本発明者は、上記のガラス基板を使用してシリコン膜をパターニング層としたインプリント用モールドを上記同様の方法（ベーク処理を含む方法）にて作成した。ところが、この方法で製造したインプリント用モールドのパターンを熱インプリント法によって他の基板（以下、「被転写基板」という）に転写しようとした場合に、ある特殊な状況のもとで新たな問題が発生した。以下、説明する。 (Second problem)
On the other hand, the present inventor created an imprint mold using the above glass substrate and a silicon film as a patterning layer by the same method (a method including baking). However, when an imprint mold pattern manufactured by this method is transferred to another substrate (hereinafter referred to as a “transfer target substrate”) by a thermal imprint method, a new pattern is created under certain special circumstances. Problem has occurred. This will be described below.

一般に、熱インプリントにおいては、被転写基板の表面にＰＭＭＡ（ポリメタクリル酸メチル樹脂）などの樹脂膜を形成し、この樹脂膜の表面にインプリント用モールドの凹凸パターンを押し付けて、パターンを転写している。このため、熱インプリントの温度条件は、樹脂膜を構成している樹脂の耐熱温度よりも低い温度（たとえば、１２０℃前後）に設定されるのが普通である。これに対して、発明者は、被転写基板の表面に樹脂膜に代えて金属ガラスの膜を形成したものを用いて熱インプリントを実施しようと試みた。その際、金属ガラスを軟化させるために３００℃超の温度条件で熱インプリントを実施した。そうしたところ、先述した通常の熱インプリントの温度条件では起こっていなかった新たな問題が生じた。具体的には、金属ガラス膜のパターン表面荒れが発生していることが判明した。本発明者は、この原因について鋭意検討した。その結果、インプリント用モールドのパターンと被転写基板の金属ガラス膜の界面で何らかの剥がれを生じ、これが荒れとして被処理基板のパターン表面に現れたのではないかと推測した。そこで、本発明者は、インプリント用モールド表面にエッチングによってパターンを形成した後に、もう一度ベーク処理によってパターンの表面を酸化することを思い付き、実際に試してみた。そうしたところ、金属ガラス膜のパターン表面に異物の発生がほとんど見られなくなった。 In general, in thermal imprinting, a resin film such as PMMA (polymethyl methacrylate resin) is formed on the surface of a substrate to be transferred, and the pattern of the imprint mold is pressed onto the surface of the resin film to transfer the pattern. doing. For this reason, the temperature condition for thermal imprinting is usually set to a temperature (for example, around 120 ° C.) lower than the heat resistance temperature of the resin constituting the resin film. On the other hand, the inventor tried to carry out thermal imprinting using a surface of the substrate to be transferred, which is formed by forming a metal glass film instead of the resin film. At that time, in order to soften the metallic glass, thermal imprinting was performed under a temperature condition higher than 300 ° C. As a result, a new problem has arisen that did not occur under the normal thermal imprint temperature conditions described above. Specifically, it was found that the pattern surface roughness of the metal glass film occurred. The inventor has intensively studied the cause of this. As a result, it was speculated that some peeling occurred at the interface between the imprint mold pattern and the metallic glass film of the substrate to be transferred, and this appeared as roughness on the pattern surface of the substrate to be processed. Therefore, the present inventor has come up with the idea that after the pattern is formed on the surface of the imprint mold by etching, the surface of the pattern is oxidized once again by baking, and the experiment was actually tried. As a result, almost no foreign matter was found on the pattern surface of the metallic glass film.

（第３の問題）
ところが、２回目のベーク処理後のインプリント用モールドの状態を電子顕微鏡等で精査確認したところ、パターンの表面にナノレベルの微細なパーティクルが発生していることが判明した。このため、本発明者は、この原因についても鋭意検討した。その結果、ガラス基板に含まれているアルカリ金属が、ベーク処理を引き金として、パターンの表面に析出したのではないかと推測した。そこで、本発明者は、インプリント用モールドの構成として、ガラス基板とパターニング層との間に窒化クロム膜を形成してみた。そうしたところ、ベーク処理を終えた段階でもパーティクルの発生が見られなくなった。
上記より、熱によりアルカリ金属を含むガラス基板表面にナノメートルレベルの極微小異物析出を生じる事を見出した。この現象は、ガラス基板露出面のみならず、パターンとして配したシリコン膜上にも、同様に微細異物として顕在化する事を見出した。この微小異物は、３００℃程度の高温処理ならば数回の処理で熱拡散により顕在化する。更には、たとえ低温での熱インプリントにおいても継続使用する事により、或いはパターンドメディアを数ケ月から数年との長期間使用した場合、同様な問題を生ずると考えられた。
このナノレベルの微小異物は、インプリントとして用いた場合、当然にナノレベルのパターン作成の障害となる。メディアとして用いた場合は、異物が磁性体下で経時成長し、最悪の場合、磁性体剥離の様な重大な障害が懸念される。
以上の経緯とこれに基づく知見により、本発明者は、以下の発明を想到するに至った。 (Third problem)
However, when the state of the imprint mold after the second baking process was examined and confirmed with an electron microscope or the like, it was found that nano-level fine particles were generated on the surface of the pattern. For this reason, this inventor earnestly examined this cause. As a result, it was presumed that the alkali metal contained in the glass substrate was deposited on the surface of the pattern using the baking treatment as a trigger. Therefore, the present inventor tried to form a chromium nitride film between the glass substrate and the patterning layer as a configuration of the imprint mold. As a result, the generation of particles was not observed even after the baking process was completed.
From the above, it has been found that nanometer-level extraneous foreign matter precipitation occurs on the glass substrate surface containing an alkali metal by heat. It has been found that this phenomenon is manifested not only on the exposed surface of the glass substrate but also on the silicon film arranged as a pattern as fine foreign matter. This minute foreign matter becomes obvious by thermal diffusion in several times of treatment at a high temperature of about 300 ° C. Furthermore, it is considered that the same problem is caused by continuous use even in thermal imprinting at a low temperature or when the patterned media is used for a long period of several months to several years.
When used as an imprint, this nano-level minute foreign matter naturally becomes an obstacle to creating a nano-level pattern. When used as a medium, foreign matter grows with time under the magnetic material, and in the worst case, there is a concern about a serious obstacle such as peeling of the magnetic material.
Based on the above background and knowledge based thereon, the present inventor has come up with the following invention.

本発明の第１の態様は、アルカリ金属を含むガラス基板と、前記ガラス基板上に形成されるとともに、表面に凹凸パターンが設けられた、シリコンを含むパターニング膜と、前記ガラス基板と前記パターニング膜との間に形成され、前記ガラス基板に含まれる前記アルカリ金属が、前記ガラス基板から前記パターニング膜へと拡散し当該パターニング膜の表面に析出することを抑制する析出抑制膜と、を備えることを特徴とするインプリント用モールドである。 According to a first aspect of the present invention, there is provided a glass substrate containing an alkali metal, a patterning film containing silicon formed on the glass substrate and provided with an uneven pattern on the surface, the glass substrate, and the patterning film. And a precipitation suppressing film that suppresses diffusion of the alkali metal contained in the glass substrate from the glass substrate to the patterning film and precipitation on the surface of the patterning film. It is the mold for imprint characterized.

本発明の第２の態様は、アルカリ金属を含むガラス基板と、前記ガラス基板上に形成されるとともに、表面に凹凸パターンが設けられた、シリコンを含む磁性分離膜と、前記ガラス基板と前記磁性分離膜との間に形成され、前記ガラス基板に含まれる前記アルカリ金属が、前記ガラス基板から前記磁性分離膜へと拡散し当該磁性分離膜の表面に析出することを抑制する析出抑制膜と、を備えることを特徴とするパターンドメディア作製用基板である。 According to a second aspect of the present invention, there is provided a glass substrate containing an alkali metal, a magnetic separation film containing silicon having a concavo-convex pattern formed on the surface thereof, the glass substrate and the magnetic substrate. A precipitation inhibiting film that is formed between the separation film and suppresses the alkali metal contained in the glass substrate from diffusing from the glass substrate to the magnetic separation film and precipitating on the surface of the magnetic separation film; It is a board | substrate for patterned media production provided with these.

本発明の第３の態様は、アルカリ金属を含むガラス基板と、前記ガラス基板上に形成されるとともに、表面に凹凸パターンが設けられた、シリコンを含む磁性分離膜と、前記ガラス基板と前記磁性分離膜との間に形成され、前記ガラス基板に含まれる前記アルカリ金属が、前記ガラス基板から前記磁性分離膜へと拡散し当該磁性分離膜の表面に析出することを抑制する析出抑制膜と、前記磁性分離膜の凹凸パターンの凹部に埋め込まれた磁性膜と、を備えることを特徴とするパターンドメディアである。 According to a third aspect of the present invention, there is provided a glass substrate containing an alkali metal, a magnetic separation film containing silicon having a concavo-convex pattern formed on the surface thereof, the glass substrate and the magnetic substrate. A precipitation inhibiting film that is formed between the separation film and suppresses the alkali metal contained in the glass substrate from diffusing from the glass substrate to the magnetic separation film and precipitating on the surface of the magnetic separation film; And a magnetic film embedded in a concave portion of the concave / convex pattern of the magnetic separation film.

本発明の第４の態様は、アルカリ金属を含むガラス基板上に、シリコンを含むパターニング膜、ハードマスク膜およびレジスト膜を順に形成した後、前記レジスト膜をパターニングすることにより、レジストパターンを形成する第１工程と、前記レジストパターンを用いて前記ハードマスク膜をエッチングすることによりハードマスクパターンを形成した後、当該ハードマスクパターンを用いて前記パターニング膜をエッチングすることにより、前記パターニング膜の表面に凹凸パターンを形成する第２工程と、を含むインプリント用モールドの製造方法であって、前記第１工程においては、前記ガラス基板に含まれる前記アルカリ金属が、前記ガラス基板から前記パターニング膜へと拡散し当該パターニング膜の表面に析出することを抑制する析出抑制膜を、前記ガラス基板と前記パターニング膜との間に形成することを特徴とするインプリント用モールドの製造方法である。 In a fourth aspect of the present invention, a resist pattern is formed by sequentially forming a patterning film containing silicon, a hard mask film, and a resist film on a glass substrate containing an alkali metal, and then patterning the resist film. Forming a hard mask pattern by etching the hard mask film using the first step and the resist pattern, and then etching the patterning film using the hard mask pattern to form a surface on the patterning film; And a second step of forming an uneven pattern, wherein in the first step, the alkali metal contained in the glass substrate is transferred from the glass substrate to the patterning film. Suppresses diffusion and deposition on the surface of the patterning film The deposition suppression film that is a method for producing the imprinting mold and forming between the glass substrate and the patterning film.

本発明の第５の態様は、アルカリ金属を含むガラス基板上に、シリコンを含む磁性分離膜、ハードマスク膜およびレジスト膜を順に形成した後、前記レジスト膜をパターニングすることにより、レジストパターンを形成する第１工程と、前記レジストパターンを用いて前記ハードマスク膜をエッチングすることによりハードマスクパターンを形成した後、前記ハードマスクパターンを用いて前記磁性分離膜をエッチングすることにより、前記磁性分離膜の表面に凹凸パターンを形成する第２工程と、を含むパターンドメディア作製用基板の製造方法であって、前記第１工程においては、前記ガラス基板に含まれる前記アルカリ金属が、前記ガラス基板から前記磁性分離膜へと拡散し当該磁性分離膜の表面に析出することを抑制する析出抑制膜を、前記ガラス基板と前記磁性分離膜との間に形成する
ことを特徴とするパターンドメディア作製用基板の製造方法である。 In a fifth aspect of the present invention, a magnetic separation film containing silicon, a hard mask film, and a resist film are sequentially formed on a glass substrate containing an alkali metal, and then the resist film is patterned to form a resist pattern. And forming the hard mask pattern by etching the hard mask film using the resist pattern, and then etching the magnetic separation film using the hard mask pattern. And a second step of forming a concavo-convex pattern on the surface of the substrate, wherein the alkali metal contained in the glass substrate is separated from the glass substrate in the first step. Precipitation suppression membrane that suppresses diffusion to the magnetic separation membrane and precipitation on the surface of the magnetic separation membrane A patterned medium manufacturing method of manufacturing a substrate, characterized in that formed between the glass substrate and the magnetic separation membrane.

本発明の第６の態様は、アルカリ金属を含むガラス基板上に、シリコンを含む磁性分離膜、ハードマスク膜およびレジスト膜を順に形成した後、前記レジスト膜をパターニングすることにより、レジストパターンを形成する第１工程と、前記レジストパターンを用いて前記ハードマスク膜をエッチングすることによりハードマスクパターンを形成した後、前記ハードマスクパターンを用いて前記磁性分離膜をエッチングすることにより、前記磁性分離膜の表面に凹凸パターンを形成する第２工程と、前記磁性分離膜の凹凸パターンの凹部に磁性膜を埋め込む第３工程と、を含むパターンドメディアの製造方法であって、前記第１工程においては、前記ガラス基板に含まれる前記アルカリ金属が、前記ガラス基板から前記磁性分離膜へと拡散し当該磁性分離膜の表面に析出することを抑制する析出抑制膜を、前記ガラス基板と前記磁性分離膜との間に形成することを特徴とするパターンドメディアの製造方法である。 In a sixth aspect of the present invention, a magnetic separation film containing silicon, a hard mask film, and a resist film are sequentially formed on a glass substrate containing an alkali metal, and then the resist film is patterned to form a resist pattern. And forming the hard mask pattern by etching the hard mask film using the resist pattern, and then etching the magnetic separation film using the hard mask pattern. A patterned medium manufacturing method comprising: a second step of forming a concavo-convex pattern on the surface of the magnetic separation film; and a third step of embedding a magnetic film in the concave portion of the concavo-convex pattern of the magnetic separation film, The alkali metal contained in the glass substrate diffuses from the glass substrate to the magnetic separation membrane. Suppressing precipitation suppressing film that deposited on the surface of the magnetic separation film, a patterned medium manufacturing method characterized by forming between the glass substrate and the magnetic separation membrane.

本発明によれば、アルカリ金属を含むガラス基板上にシリコンを含む膜を形成し、この膜に凹凸パターンを形成したパターンドメディア作製用基板、パターンドメディア又はインプリント用モールドにおいて、アルカリ金属が凹凸パターンの表面に析出することを抑制することができる。 According to the present invention, in a patterned media manufacturing substrate, patterned media, or imprint mold in which a film containing silicon is formed on a glass substrate containing an alkali metal, and an uneven pattern is formed on the film, the alkali metal is Precipitation on the surface of the concavo-convex pattern can be suppressed.

本発明の第１の実施の形態に係るインプリント用モールドの製造方法を示す工程図（その１）である。It is process drawing (the 1) which shows the manufacturing method of the mold for imprint which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施の形態に係るインプリント用モールドの製造方法を示す工程図（その２）である。It is process drawing (the 2) which shows the manufacturing method of the mold for imprint which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施の形態に係るインプリント用モールドの製造方法の工程手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the process sequence of the manufacturing method of the imprint mold which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施の形態に係るパターンドメディア作製用基板の製造方法とこれによって得られるパターンドメディア作製用基板を用いたパターンドメディアの製造方法を示す工程図（その１）である。It is process drawing (the 1) which shows the manufacturing method of the patterned media manufacturing board | substrate using the manufacturing method of the patterned media manufacturing substrate which concerns on the 2nd Embodiment of this invention, and the patterned media manufacturing substrate obtained by this. . 本発明の第２の実施の形態に係るパターンドメディア作製用基板の製造方法とこれによって得られるパターンドメディア作製用基板を用いたパターンドメディアの製造方法を示す工程図（その２）である。It is process drawing (the 2) which shows the manufacturing method of the patterned media manufacturing board | substrate which concerns on the 2nd Embodiment of this invention, and the manufacturing method of the patterned media using the substrate for patterned media manufacturing obtained by this. . 本発明の第２の実施の形態に係るパターンドメディア作製用基板の製造方法とこれによって得られるパターンドメディア作製用基板を用いたパターンドメディアの製造方法を示す工程図（その３）である。It is process drawing (the 3) which shows the manufacturing method of the patterned media manufacturing board | substrate which uses the manufacturing method of the patterned media manufacturing substrate which concerns on the 2nd Embodiment of this invention, and the patterned media manufacturing substrate obtained by this. . 本発明の第２の実施の形態に係るパターンドメディア作製用基板の製造方法とこれによって得られるパターンドメディア作製用基板を用いたパターンドメディアの製造方法の工程手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the process sequence of the manufacturing method of the patterned media production board | substrate which concerns on the 2nd Embodiment of this invention, and the manufacturing method of the patterned media using the substrate for patterned media production obtained by this. インプリント法による従来のパターンドメディアの製造方法の一例を示す図（その１）である。It is FIG. (1) which shows an example of the manufacturing method of the conventional patterned media by the imprint method. インプリント法による従来のパターンドメディアの製造方法の一例を示す図（その２）である。It is FIG. (2) which shows an example of the manufacturing method of the conventional patterned media by the imprint method. インプリント法による従来のパターンドメディアの製造方法の一例を示す図（その３）である。It is FIG. (3) which shows an example of the manufacturing method of the conventional patterned media by the imprint method.

以下に、インプリント用モールドとその製造方法に関する実施の形態を［第１の実施の形態］として説明するとともに、パターンドメディア作製用基板およびパターンドメディアとそれらの製造方法に関する実施の形態を［第２の実施の形態］として説明する。 In the following, an embodiment related to an imprint mold and a manufacturing method thereof will be described as [first embodiment], and an embodiment related to a patterned media manufacturing substrate and patterned media and a manufacturing method thereof will be described. Second Embodiment] will be described.

［第１の実施の形態］
＜インプリント用モールドの製造方法＞
図１および図２は本発明の第１の実施の形態に係るインプリント用モールドの製造方法を示す工程図であり、図３はその工程手順を示すフローチャートである。 [First Embodiment]
<Method for producing imprint mold>
1 and 2 are process diagrams showing a method for manufacturing an imprint mold according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a flowchart showing the process procedure.

（第１の成膜工程：Ｓ１１）
まず、図１（Ａ）に示すように、インプリント用モールドの基材となるガラス基板１を用意する。インプリント用モールドの基材としては石英基板などを用いることもできるが、本実施の形態においては、石英基板等に比べて安価でしかも機械的強度に優れるガラス基板１を用いる。ガラス基板１は、化学強化処理がされたアルカリ金属含有ガラス材によって形成されている。化学強化処理がされたアルカリ金属含有ガラス材としては、たとえば質量％表示で、ＳｉＯ_２を５７〜７５％、Ａｌ_２Ｏ_３を５〜２０％（ただし、ＳｉＯ_２とＡｌ_２Ｏ_３の合計量が７４％以上）、ＺｒＯ_２を０％を超え５．５％以下、Ｌｉ_２Ｏを１％を超え９％以下、Ｎａ_２Ｏを５〜１８％（ただし、質量比Ｌｉ_２Ｏ／Ｎa_２Ｏが０．５以下）、Ｋ_２Ｏを０〜６％、ＭｇＯを０〜４％、ＣａＯを０％を超え５％以下（ただし、ＭｇＯとＣａＯの合計量は５％以下であり、かつＣａＯの含有量はＭｇＯの含有量よりも多く）、ＳｒＯおよびＢａＯを合計で０〜３％、ＴｉＯ_２を０〜１％、含むガラス（清澄剤として、ＳｎＯ_２、ＣｅＯ_２、Ｓｂ_２Ｏ_３などを添加してもよい）が挙げられる。また、重量％で、６２〜７５％のＳｉＯ_２、５〜１５％のＡｌ_２Ｏ_３、４〜１０％のＬｉ_２Ｏ、４〜１２％のＮａ_２Ｏ、および５．５〜１５％のＺｒＯ_２を含有し、かつＮａ_２Ｏ／ＺｒＯ_２の重量比が０．５〜２．０であり、さらにＡｌ_２Ｏ_３／ＺｒＯ_２の重量比が０．４〜２．５であるガラス、およびこれをＮａイオンおよび／またはＫイオンを含有する処理浴でイオン交換処理して得られた化学強化ガラスが挙げられる。 (First film forming step: S11)
First, as shown in FIG. 1A, a glass substrate 1 serving as a base material for an imprint mold is prepared. Although a quartz substrate or the like can be used as the base material of the imprint mold, in the present embodiment, the glass substrate 1 is used which is cheaper and superior in mechanical strength than the quartz substrate or the like. The glass substrate 1 is formed of an alkali metal-containing glass material that has been subjected to a chemical strengthening treatment. As the alkali metal-containing glass material subjected to the chemical strengthening treatment, for example, in terms of mass%, SiO ₂ is 57 to 75% and Al ₂ O ₃ is 5 to 20% (however, the total amount of SiO ₂ and Al ₂ O ₃ ) Is 74% or more), ZrO ₂ is more than 0% to 5.5% or less, Li ₂ O is more than 1% to 9% or less, and Na ₂ O is 5 to 18% (however, mass ratio Li ₂ O / Na ₂ O is 0.5 or less), K ₂ O is 0 to 6%, MgO is 0 to 4%, CaO is more than 0% to 5% or less (however, the total amount of MgO and CaO is 5% or less, and the content of CaO is more than the content of MgO), 0 to 3% of SrO and BaO in total, the TiO ₂ 0 to 1%, as a glass (fining agents _{_{_{including, SnO 2, CeO 2, Sb}}} 2 O 3 Etc. may be added). Further, in weight percent, 62-75% of _SiO 2, 5 to 15% of _Al 2 _O 3, 4 to 10% of _Li 2 O, 4 to 12% of _Na 2 O, and 5.5 to 15% A glass containing ZrO _{2 and} having a weight ratio of Na ₂ O / ZrO ₂ of 0.5 to 2.0 and a weight ratio of Al ₂ O ₃ / ZrO ₂ of 0.4 to 2.5, And chemically tempered glass obtained by ion exchange treatment in a treatment bath containing Na ions and / or K ions.

このような化学強化ガラスで構成されたガラス基板１は、アルカリ金属を多く含んでいるため、その基板表面に直接、パターンを形成しようとすると、アルカリ金属の存在によって精度良くパターンを形成することができない。具体的には、ガラス基板１の表面にエッチングによって凹凸パターンを形成しようとすると、ガラス基板１に含まれるアルカリ金属がエッチングの進行度合いに影響をおよぼすため、所望の形状および寸法で凹凸パターンを形成することができない。そこで、ガラス基板１を用意したら、このガラス基板１の上に析出抑制膜２を形成（成膜）し、さらに析出抑制膜２の上にパターニング膜３を形成する。これにより、ガラス基板１の表面（上面）が析出抑制膜２で覆われるとともに、析出抑制膜２の表面（上面）がパターニング膜３で覆われる。また、ガラス基板１とパターニング膜３の間に析出抑制膜２をサンドイッチ状に挟み込んだ構成となる。 Since the glass substrate 1 made of such chemically strengthened glass contains a large amount of alkali metal, when a pattern is directly formed on the surface of the substrate, the pattern can be formed with high accuracy due to the presence of the alkali metal. Can not. Specifically, when an uneven pattern is formed on the surface of the glass substrate 1 by etching, the alkali metal contained in the glass substrate 1 affects the progress of the etching, so the uneven pattern is formed in a desired shape and size. Can not do it. Therefore, when the glass substrate 1 is prepared, the precipitation suppression film 2 is formed (film formation) on the glass substrate 1, and the patterning film 3 is further formed on the precipitation suppression film 2. Thereby, the surface (upper surface) of the glass substrate 1 is covered with the precipitation suppressing film 2 and the surface (upper surface) of the precipitation suppressing film 2 is covered with the patterning film 3. Further, the precipitation suppressing film 2 is sandwiched between the glass substrate 1 and the patterning film 3.

析出抑制膜２は、ガラス基板１に含まれるアルカリ金属が、ガラス基板１からパターニング膜３へと拡散しパターニング膜３の表面に析出することを抑制するものである。本発明者は当初、ガラス基板１に含まれるアルカリ金属がパターニング膜（シリコン膜）３の膜中に拡散すること、さらには当該膜中に拡散したアルカリ金属がパターニング膜３の表面に析出することは、まったく予想していなかった。というのも、上記第３の問題は、上記第１の問題および第２の問題の対策として２回のベーク処理を行ったことをきっかけに初めてその存在が確認されたものであり、それ以前の段階ではまったく問題になっていなかったからである。第３の問題の存在が明らかになった状況のもとで改めてその原因を考察してみると、ガラス基板１とパターニング膜３はいずれもシリコンを含んでいるため、外部からの熱の影響によりアルカリ金属が移動しやすい状況になったものと推測される。そして、ガラス基板１とパターニング膜３との間に、シリコンを含まない析出抑制膜２を介在させることにより、アルカリ金属の移動に対して析出抑制層２がいわゆるバリア効果を発揮し、結果的にアルカリ金属の拡散、ひいてはパターニング膜３の表面への析出を抑制することになると考えられる。このような技術的な考察から、析出抑制膜２は、たとえば、窒化クロムによって形成するとよい。析出抑制膜２の厚さは、アルカリ金属に対して十分な遮蔽（バリア）効果を発揮させるために、少なくとも５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、さらに好ましくは２０ｎｍ以上とするのがよい。析出抑制膜２の成膜方法としては、たとえばスパッタリング法などを用いることができる。 The precipitation suppression film 2 suppresses the alkali metal contained in the glass substrate 1 from diffusing from the glass substrate 1 to the patterning film 3 and being deposited on the surface of the patterning film 3. The inventor initially diffuses the alkali metal contained in the glass substrate 1 into the patterning film (silicon film) 3 and further deposits the alkali metal diffused into the patterning film 3 on the surface of the patterning film 3. Never expected. This is because the third problem has been confirmed for the first time as a result of performing two baking processes as a countermeasure to the first and second problems. It was because it was not a problem at all. Considering the cause anew in the situation where the existence of the third problem has been clarified, since the glass substrate 1 and the patterning film 3 both contain silicon, they are affected by heat from the outside. It is presumed that the alkali metal easily moved. And by interposing the precipitation suppression film | membrane 2 which does not contain silicon between the glass substrate 1 and the patterning film 3, the precipitation suppression layer 2 exhibits what is called a barrier effect with respect to the movement of an alkali metal, and, as a result. It is considered that the diffusion of the alkali metal and consequently the deposition on the surface of the patterning film 3 is suppressed. From such technical considerations, the precipitation suppression film 2 may be formed of, for example, chromium nitride. The thickness of the precipitation suppression film 2 is preferably at least 5 nm, preferably 10 nm, more preferably 20 nm, in order to exhibit a sufficient shielding (barrier) effect against alkali metal. As a film formation method of the precipitation suppression film 2, for example, a sputtering method or the like can be used.

パターニング膜３は、インプリント用モールドの凹凸パターンを形成するための層となる。パターニング膜３は、たとえば、シリコンによって形成する。パターニング膜３の厚さは、少なくともインプリント用モールドに求められる凹凸パターンの凹部の深さ寸法を確保し得る範囲で設定される。具体的には、パターニング膜３の厚さは、上記凹部の深さ寸法を考慮して、たとえば８０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲に設定するとよい。パターニング膜３の成膜方法としては、たとえばスパッタリング法などを用いることができる。 The patterning film 3 is a layer for forming an uneven pattern of the imprint mold. The patterning film 3 is formed of silicon, for example. The thickness of the patterning film 3 is set within a range that can secure at least the depth dimension of the concave portion of the concave-convex pattern required for the imprint mold. Specifically, the thickness of the patterning film 3 is preferably set in a range of, for example, 80 nm to 100 nm in consideration of the depth dimension of the recess. As a method for forming the patterning film 3, for example, a sputtering method can be used.

（第１のベーク工程：Ｓ１２）
次に、パターニング膜３の表面（上面）を全面にわたって不活性化する。本書で記述する「不活性化」とは、不活性化する前の状態に比べて、他の物質と化学反応を起こしにくい状態にすること、言い換えると、化学的に不安定な状態から安定な状態に変化させることをいう。たとえば、パターニング膜３をシリコンで形成した場合、パターニング膜３の表面はシリコン又は自然酸化した酸化シリコンが露出している。第１のベーク工程Ｓ１２では、第１の成膜工程を終えたモールドブランクスに対し、あらかじめ決められた処理条件でベーク処理を施すことにより、図１（Ｂ）に示すように、パターニング膜３の表面に酸化膜３ａを形成する。この酸化膜３ａは、自然酸化によって形成される自然酸化膜よりも厚く強い酸化膜（ＳｉＯ_２膜）となる。具体的には、パターニング膜３をシリコンで形成した場合は、その表面に形成される自然酸化膜の厚さは１ｎｍ未満、具体的には０．７ｎｍ程度にとどまる。これに対して、第１のベーク工程Ｓ１２では、パターニング膜３の表面にベーク処理によって自然酸化膜よりも厚い膜厚で強い酸化膜３ａを形成する。具体的には、ベーク温度を２００℃〜４００℃の範囲内に設定し、かつ、ベーク時間を３０分程度に設定する。これにより、パターニング膜３の表面は、酸化膜３ａの存在によって化学的活性度が著しく低下した状態になる。 (First baking step: S12)
Next, the entire surface (upper surface) of the patterning film 3 is inactivated. The “deactivation” described in this document is to make it difficult to cause chemical reaction with other substances compared to the state before deactivation, in other words, from a chemically unstable state to a stable state. It means changing to a state. For example, when the patterning film 3 is formed of silicon, silicon or naturally oxidized silicon oxide is exposed on the surface of the patterning film 3. In the first baking step S12, the mold blanks that have undergone the first film forming step are baked under predetermined processing conditions, thereby forming the patterning film 3 as shown in FIG. An oxide film 3a is formed on the surface. The oxide film 3a is an oxide film (SiO ₂ film) that is thicker and stronger than the natural oxide film formed by natural oxidation. Specifically, when the patterning film 3 is formed of silicon, the thickness of the natural oxide film formed on the surface thereof is less than 1 nm, specifically, about 0.7 nm. On the other hand, in the first baking step S12, a strong oxide film 3a having a thickness larger than that of the natural oxide film is formed on the surface of the patterning film 3 by baking. Specifically, the baking temperature is set within a range of 200 ° C. to 400 ° C., and the baking time is set to about 30 minutes. Thereby, the surface of the patterning film 3 is in a state where the chemical activity is remarkably lowered due to the presence of the oxide film 3a.

（第２の成膜工程：Ｓ１３）
次に、図１（Ｃ）に示すように、パターニング膜３の上にハードマスク膜４を形成する。これにより、パターニング膜３の表面がハードマスク膜４によって覆われる。ハードマスク膜４は、好ましい一つの例として、前述した析出抑制膜２と同じ材料（本形態例では窒化クロム）および同じ成膜方法で形成する。ちなみに、パターニング膜３の表層部分には上記第１のベーク工程Ｓ１２によって酸化膜３ａが形成されているため、ハードマスク膜４は、この酸化膜３ａを覆う状態に形成される。 (Second film forming step: S13)
Next, as shown in FIG. 1C, a hard mask film 4 is formed on the patterning film 3. Thereby, the surface of the patterning film 3 is covered with the hard mask film 4. As a preferable example, the hard mask film 4 is formed by the same material (chromium nitride in the present embodiment) and the same film forming method as the above-described precipitation suppression film 2. Incidentally, since the oxide film 3a is formed on the surface layer portion of the patterning film 3 by the first baking step S12, the hard mask film 4 is formed so as to cover the oxide film 3a.

（インプリント工程：Ｓ１４）
次に、図１（Ｄ）に示すように、ハードマスク膜４の上にレジスト膜５を形成するとともに、インプリント法によってレジストパターン５ａを形成する。さらに詳述すると、インプリント工程Ｓ１４は、たとえば、紫外線照射による光インプリント法により行う。その場合は、まず、ハードマスク膜４の上に、紫外線硬化型のレジストを用いてレジスト膜５を形成する。次に、マスター（原盤）またはサブマスターとなるモールド６を用いて、このモールド６に形成された凹凸パターン６ａをレジスト膜５に押し付け、その状態でレジスト膜５に紫外線を照射することにより、レジスト膜５を硬化定着させる。その際、モールド６を光透過性の材料（たとえば、石英基板）で構成しておき、このモールド６を通してレジスト膜５に紫外線を照射する。その後、モールド６をレジスト膜５から分離（離型）する。そうすると、ハードマスク膜４の上には、モールド６の凹凸パターン６ａに対応するレジストパターン５ａが形成（転写）される。このとき、凹凸パターン６ａとレジストパターン５ａとは、凹と凸の位置関係が反転したものとなる。 (Imprint process: S14)
Next, as shown in FIG. 1D, a resist film 5 is formed on the hard mask film 4, and a resist pattern 5a is formed by an imprint method. More specifically, the imprint process S14 is performed by, for example, a light imprint method using ultraviolet irradiation. In that case, first, a resist film 5 is formed on the hard mask film 4 using an ultraviolet curable resist. Next, by using a mold 6 as a master (master) or sub-master, the concavo-convex pattern 6a formed on the mold 6 is pressed against the resist film 5, and in this state, the resist film 5 is irradiated with ultraviolet rays to thereby form a resist. The film 5 is cured and fixed. At that time, the mold 6 is made of a light transmissive material (for example, a quartz substrate), and the resist film 5 is irradiated with ultraviolet rays through the mold 6. Thereafter, the mold 6 is separated (released) from the resist film 5. Then, a resist pattern 5 a corresponding to the concave / convex pattern 6 a of the mold 6 is formed (transferred) on the hard mask film 4. At this time, the concave / convex pattern 6a and the resist pattern 5a have the concave and convex positional relationship reversed.

（パターニング工程：Ｓ１５）
次に、図２（Ａ）に示すように、レジストパターン５ａをマスクパターンとしてハードマスク膜４をエッチングし、さらにこれによって得られるハードマスクパターンをマスクパターンとしてパターニング膜３をエッチングする。ハードマスク膜４およびパターニング膜３のエッチングは、たとえばドライエッチング法により行う。その場合のエッチングガスとしては、たとえば上述のとおりパターニング膜３がシリコンであれば、フッ素系ガスを用いることができる。エッチング後は、アッシング処理によって不要な残渣を取り除くことが望ましい。 (Patterning process: S15)
Next, as shown in FIG. 2A, the hard mask film 4 is etched using the resist pattern 5a as a mask pattern, and the patterning film 3 is etched using the hard mask pattern obtained thereby as a mask pattern. The hard mask film 4 and the patterning film 3 are etched by, for example, a dry etching method. As the etching gas in that case, for example, if the patterning film 3 is silicon as described above, a fluorine-based gas can be used. After etching, it is desirable to remove unnecessary residues by ashing.

（剥離・洗浄工程：Ｓ１６）
次に、図２（Ｂ）に示すように、上述したパターニング膜３のエッチング後にパターン上に残ったハードマスク膜（ハードマスクパターン）４を剥離した後、洗浄処理を行う。この剥離・洗浄工程Ｓ１６は、たとえば、アルカリ洗浄、硫酸・過水剥離、化学薬品（たとえば、クロム剥離液）、メガソニック洗浄（超音波洗浄）等により行うことができる。 (Peeling and cleaning process: S16)
Next, as shown in FIG. 2B, the hard mask film (hard mask pattern) 4 remaining on the pattern after the etching of the patterning film 3 described above is peeled off, and then a cleaning process is performed. This stripping / cleaning step S16 can be performed by, for example, alkali cleaning, sulfuric acid / overwater stripping, chemicals (for example, chromium stripping solution), megasonic cleaning (ultrasonic cleaning) and the like.

（第２のベーク工程：Ｓ１７）
次に、パターニング膜３のパターン表面を全面にわたって不活性化する。第２のベーク工程Ｓ１７では、あらかじめ決められた処理条件でベーク処理を施すことにより、図２（Ｃ）に示すように、パターニング膜３のパターン表面（全面）に酸化膜３ｂを形成する。ベーク処理の条件としては、後述する金属ガラスへのインプリント（パターンの転写）を考慮して、金属ガラスのガラス転移温度以上のベーク温度、具体的には３５０℃以上、好ましくは４００℃程度に設定するのがよい。また、ベーク時間としては、たとえば、３０分程度に設定するのがよい。このベーク処理によって形成される酸化膜３ｂは自然酸化膜よりも厚く強い酸化膜となる。すなわち、ベーク処理によってパターニング膜３のパターン表面に形成される酸化膜３ｂの厚さは、少なくとも自然酸化膜の厚さ（０．７μｍ程度）よりも厚い、たとえば１ｎｍ以上、好ましくは１．２ｎｍ以上、さらに好ましくは１．４ｎｍ程度の膜厚となっている。これにより、上述したパターニング工程Ｓ１５におけるエッチングによってパターニング膜３のパターン表面にシリコンが露出した場合でも、再度のベーク処理によってパターニング膜３の表面が酸化膜３ｂで覆われた状態になる。このため、第２のベーク工程Ｓ１７を行う前に比べて、パターニング膜３のパターン表面は、化学的活性度が著しく低下した状態になる。 (Second baking step: S17)
Next, the pattern surface of the patterning film 3 is inactivated over the entire surface. In the second baking step S17, an oxide film 3b is formed on the pattern surface (entire surface) of the patterning film 3, as shown in FIG. 2C, by performing a baking process under predetermined processing conditions. As a condition for the baking treatment, in consideration of imprinting (pattern transfer) onto the metal glass described later, the baking temperature is higher than the glass transition temperature of the metal glass, specifically 350 ° C. or higher, preferably about 400 ° C. It is good to set. The baking time is preferably set to about 30 minutes, for example. The oxide film 3b formed by the baking process is an oxide film that is thicker and stronger than the natural oxide film. That is, the thickness of the oxide film 3b formed on the pattern surface of the patterning film 3 by baking is at least greater than the thickness of the natural oxide film (about 0.7 μm), for example, 1 nm or more, preferably 1.2 nm or more. More preferably, the film thickness is about 1.4 nm. Thereby, even when silicon is exposed on the pattern surface of the patterning film 3 by the etching in the patterning step S15 described above, the surface of the patterning film 3 is covered with the oxide film 3b by the baking process again. For this reason, compared with before performing 2nd baking process S17, the pattern surface of the patterning film 3 will be in the state to which chemical activity fell remarkably.

（最終洗浄工程：Ｓ１８）
次に、最終洗浄を行う。最終洗浄は、たとえば、アルカリ洗浄、メガソニック洗浄等により行うことができる。 (Final cleaning process: S18)
Next, final cleaning is performed. The final cleaning can be performed, for example, by alkali cleaning, megasonic cleaning, or the like.

以上の工程により、インプリント用モールド１０が得られる。こうして得られるインプリント用モールド１０は、ガラス基板１上に析出抑制膜２、凹凸パターン付きのパターニング膜３が順に積層された構成となる。また、パターニング膜３のパターン表面は、上記のベーク処理により少なくとも自然酸化したときよりも厚い酸化膜３ｂで覆われた状態となり、かつ、この酸化膜３ｂの存在によって不活性化された状態となる。 Through the above steps, the imprint mold 10 is obtained. The imprint mold 10 thus obtained has a configuration in which a deposition suppressing film 2 and a patterning film 3 with a concavo-convex pattern are sequentially laminated on a glass substrate 1. Further, the pattern surface of the patterning film 3 is in a state of being covered with a thicker oxide film 3b than at least naturally oxidized by the baking process, and inactivated by the presence of the oxide film 3b. .

（第１の実施の形態の効果）
本発明の第１の実施の形態においては、次のような効果が得られる。 (Effects of the first embodiment)
In the first embodiment of the present invention, the following effects are obtained.

本発明の第１の実施の形態においては、ガラス基板１上に析出抑制膜２を介してパターニング膜３を形成し、このパターニング膜３に凹凸パターンを形成することにより、インプリント用モールド１０を製造している。この一連の製造工程においては、上述した第１の問題および第２の問題を解消するために、パターニング工程Ｓ１５を間に挟んで前後１回ずつの計２回のベーク処理を行っている。このため、２回のベーク処理が引き金になって、パターニング膜３のパターン表面にアルカリ金属が析出するという上記第３の問題が起こり得る。この点、あらかじめガラス基板１とパターニング膜３との間に析出抑制膜２を形成しておけば、仮に２回のベーク処理を行ったとしても、ガラス基板１からパターニング膜３へのアルカリ金属の拡散とこれに伴うパターン表面へのアルカリ金属の析出を抑制することができる。 In the first embodiment of the present invention, the imprint mold 10 is formed by forming a patterning film 3 on the glass substrate 1 via the precipitation suppression film 2 and forming an uneven pattern on the patterning film 3. Manufacture. In this series of manufacturing processes, in order to solve the first problem and the second problem described above, the baking process is performed twice in total, one time before and after the patterning process S15. For this reason, the second problem that the baking process is triggered twice and the alkali metal is deposited on the pattern surface of the patterning film 3 may occur. In this regard, if the precipitation suppression film 2 is formed between the glass substrate 1 and the patterning film 3 in advance, even if the baking process is performed twice, the alkali metal from the glass substrate 1 to the patterning film 3 is prevented. Diffusion and accompanying alkali metal deposition on the pattern surface can be suppressed.

また、上記２回のベーク処理を行わない場合でも、上記の製造方法によって得られたインプリント用モールド１０を、たとえば熱インプリントに用いる場合は、インプリントを行うたびにインプリント用モールド１０が加熱されることになる。このため、仮に析出抑制膜２を形成しなかった場合は、熱インプリントへの使用を開始した初期の段階では、パターニング膜３のパターン表面にアルカリ金属の析出が認められなかったとしても、繰り返しの使用によって経時的に熱の影響が蓄積される結果、ある段階を経過したときに初めてパターン表面にアルカリ金属が析出することが考えられる。この点についても、あらかじめガラス基板１とパターニング膜３との間に析出抑制膜２を形成しておけば、熱インプリントへの使用を開始した初期の段階はもちろん、その後も長期にわたってパターン表面へのアルカリ金属の析出を抑制することができる。このため、インプリント用モールド１０の信頼性の向上に大いに貢献することができる。 Even when the above-described two baking processes are not performed, when the imprint mold 10 obtained by the above manufacturing method is used for, for example, thermal imprinting, the imprint mold 10 is used every time imprinting is performed. It will be heated. For this reason, if the deposition suppressing film 2 is not formed, even if no alkali metal deposition is observed on the pattern surface of the patterning film 3 in the initial stage when the use for the thermal imprinting is started, it is repeated. As a result of the accumulation of the influence of heat over time due to the use of Al, it is considered that the alkali metal is deposited on the pattern surface only after a certain stage. Regarding this point as well, if the precipitation suppression film 2 is formed between the glass substrate 1 and the patterning film 3 in advance, not only the initial stage of starting use for thermal imprinting but also the pattern surface over a long period thereafter. The precipitation of alkali metal can be suppressed. For this reason, it can greatly contribute to the improvement of the reliability of the imprint mold 10.

本発明の第１の実施の形態においては、ガラス基板１上に析出抑制膜２とパターニング膜３を形成した後、パターニング膜３の表面をベーク処理によって不活性化し、その後でハードマスク膜４を形成している。このため、パターニング膜３とハードマスク膜４の界面における化学反応とこれに伴う反応生成物（本形態例ではＳｉとＣｒＮの反応生成物）の発生を、酸化膜３ａの介在によって抑制することができる。したがって、その後のパターニング工程においては、上記反応生成物に起因したエッチング底面の荒れを解消することができる。 In the first embodiment of the present invention, after forming the precipitation suppression film 2 and the patterning film 3 on the glass substrate 1, the surface of the patterning film 3 is inactivated by baking, and then the hard mask film 4 is formed. Forming. For this reason, the chemical reaction at the interface between the patterning film 3 and the hard mask film 4 and the generation of a reaction product (reaction product of Si and CrN in this embodiment) can be suppressed by the interposition of the oxide film 3a. it can. Therefore, in the subsequent patterning step, it is possible to eliminate the roughness of the etching bottom caused by the reaction product.

本発明の第１の実施の形態においては、パターニング工程Ｓ１５よりも後に第２のベーク工程Ｓ１７を設けることにより、パターニング膜３のパターン表面を不活性化している。このため、上記の製造方法によって得られたインプリント用モールド１０を熱インプリント法に用いる場合に、インプリント用モールド１０の凹凸パターンと被転写基板の被転写膜とを接触させたときの接触界面における化学反応とこれに伴う反応生成物の発生を抑制することができる。したがって、接触界面での化学反応に起因した離型不良の発生や、離型後のパターン表面の異物の発生などを回避することができる。 In the first embodiment of the present invention, the pattern surface of the patterning film 3 is inactivated by providing the second baking step S17 after the patterning step S15. For this reason, when the imprint mold 10 obtained by the above-described manufacturing method is used for the thermal imprint method, the contact when the concave / convex pattern of the imprint mold 10 and the transferred film of the transferred substrate are brought into contact with each other. It is possible to suppress the chemical reaction at the interface and the generation of reaction products accompanying this. Therefore, it is possible to avoid the occurrence of defective release due to a chemical reaction at the contact interface and the generation of foreign matter on the pattern surface after release.

この効果は、特に、被転写基板の被転写膜を樹脂膜に代えて金属ガラスの膜で形成した場合に有効である。すなわち、被転写基板の被転写膜を金属ガラスで形成した場合は、熱インプリントの際に金属ガラスの膜を軟化させる必要がある。このため、金属ガラスのガラス転移温度よりも高い温度（たとえば、約３５０℃）で熱インプリントを行うことになる。そうした場合、インプリント用モールド１０のパターニング膜３の表面が不活性化されていないと、熱インプリントのときに加えられる熱（３００℃超の加熱）の影響で化学反応を起こしやすくなる。この点、上述のようにパターニング膜３のパターン表面が酸化膜３ｂの形成によって不活性化されていると、たとえそのような高温環境で熱インプリントが実施されたとしても、パターニング膜３と金属ガラスとの接触界面で反応生成物の発生が抑制される。このため、被転写膜を金属ガラスで形成した場合でも、離型不良の発生や異物の発生を招くことなく、熱インプリントを実施することが可能となる。 This effect is particularly effective when the transfer film of the transfer substrate is formed of a metal glass film instead of a resin film. That is, when the transfer film of the transfer substrate is formed of metal glass, it is necessary to soften the metal glass film at the time of thermal imprinting. For this reason, thermal imprinting is performed at a temperature (for example, about 350 ° C.) higher than the glass transition temperature of the metallic glass. In such a case, if the surface of the patterning film 3 of the imprint mold 10 is not inactivated, a chemical reaction is likely to occur due to the influence of heat applied during thermal imprinting (heating exceeding 300 ° C.). In this regard, if the pattern surface of the patterning film 3 is inactivated by the formation of the oxide film 3b as described above, even if thermal imprinting is performed in such a high temperature environment, the patterning film 3 and the metal Generation of reaction products is suppressed at the contact interface with the glass. For this reason, even when the film to be transferred is made of metal glass, thermal imprinting can be performed without causing mold release defects or foreign matters.

［第２の実施の形態］
＜パターンドメディア作製用基板の製造方法およびパターンドメディアの製造方法＞
図４〜図６は本発明の第２の実施の形態に係るパターンドメディア作製用基板の製造方法とこれによって得られるパターンドメディア作製用基板を用いたパターンドメディアの製造方法を示す工程図であり、図７はその工程手順を示すフローチャートである。
ここで記述するパターンドメディアとは、磁性層を物理的に分離してパターン化されたメディアをいい、具体的には、ＤＴＭ（Discrete Track Media）、ＢＰＭ（Bit-Patterned Media）などをいう。 [Second Embodiment]
<Manufacturing Method of Patterned Media Fabrication Substrate and Patterned Media Manufacturing Method>
4 to 6 are process diagrams showing a method for manufacturing a patterned media manufacturing substrate according to the second embodiment of the present invention and a method for manufacturing a patterned media using the patterned media manufacturing substrate obtained thereby. FIG. 7 is a flowchart showing the process procedure.
The patterned media described here refers to media patterned by physically separating the magnetic layers, and specifically, DTM (Discrete Track Media), BPM (Bit-Patterned Media), and the like.

（第１の成膜工程：Ｓ２１）
まず、図４（Ａ）に示すように、パターンドメディア作製用基板の基材となるガラス基板１１を用意したら、このガラス基板１１の上に析出抑制膜１２と磁性分離膜１３を形成する。ガラス基板１１と析出抑制膜１２の各材料は、先述した第１の実施の形態と同様のものを用いることができる。磁性分離膜１３は、たとえばシリコンの膜によって形成することができる。第１の成膜工程Ｓ２１は、上述した第１の成膜工程Ｓ１１と同様に行えばよい。 (First film forming step: S21)
First, as shown in FIG. 4A, when a glass substrate 11 serving as a base material for a patterned media production substrate is prepared, a precipitation suppression film 12 and a magnetic separation film 13 are formed on the glass substrate 11. As each material of the glass substrate 11 and the precipitation suppression film | membrane 12, the thing similar to 1st Embodiment mentioned above can be used. The magnetic separation film 13 can be formed of a silicon film, for example. The first film formation step S21 may be performed in the same manner as the first film formation step S11 described above.

（第１のベーク工程：Ｓ２２）
次に、図４（Ｂ）に示すように、磁性分離膜１３の表面をベーク処理により全面にわたって不活性化する。具体的には、ベーク処理によって磁性分離膜１３の表面に自然酸化膜よりも厚い酸化膜１３ａを形成する。第１のベーク工程Ｓ２２は、上述した第１のベーク工程Ｓ１２と同様に行えばよい。 (First baking step: S22)
Next, as shown in FIG. 4B, the entire surface of the magnetic separation film 13 is inactivated by baking. Specifically, an oxide film 13a thicker than the natural oxide film is formed on the surface of the magnetic separation film 13 by baking. The first baking step S22 may be performed in the same manner as the first baking step S12 described above.

（第２の成膜工程：Ｓ２３）
次に、図４（Ｃ）に示すように、磁性分離膜１３の上にハードマスク膜１４を形成する。第２の成膜工程Ｓ２３は、上述した第２の成膜工程１３と同様に行えばよい。 (Second film formation step: S23)
Next, as shown in FIG. 4C, a hard mask film 14 is formed on the magnetic separation film 13. The second film formation step S23 may be performed in the same manner as the second film formation step 13 described above.

（インプリント工程：Ｓ２４）
次に、図４（Ｄ）に示すように、ハードマスク膜１４の上にレジスト膜１５を形成するとともに、インプリント法によってレジストパターン１５ａを形成する。インプリント工程Ｓ２４は、上述したインプリント工程Ｓ１４と同様に行えばよい。 (Imprint process: S24)
Next, as shown in FIG. 4D, a resist film 15 is formed on the hard mask film 14, and a resist pattern 15a is formed by an imprint method. The imprint process S24 may be performed in the same manner as the imprint process S14 described above.

（パターニング工程：Ｓ２５）
次に、図５（Ａ）に示すように、レジストパターン１５ａをマスクパターンとしてハードマスク膜１４をエッチングし、さらにこれによって得られるハードマスクパターンをマスクパターンとして磁性分離膜１３をエッチングする。パターニング工程Ｓ２５は、上述したパターニング工程Ｓ１５と同様に行えばよい。 (Patterning process: S25)
Next, as shown in FIG. 5A, the hard mask film 14 is etched using the resist pattern 15a as a mask pattern, and the magnetic separation film 13 is etched using the hard mask pattern obtained thereby as a mask pattern. The patterning step S25 may be performed in the same manner as the patterning step S15 described above.

（剥離・洗浄工程：Ｓ２６）
次に、図５（Ｂ）に示すように、上述した磁性分離膜１３のエッチング後にパターン上に残ったハードマスク膜（ハードマスクパターン）１４を剥離した後、洗浄処理を行う。剥離・洗浄工程Ｓ２６は、上述した剥離・洗浄工程Ｓ１６と同様に行えばよい。 (Peeling and cleaning process: S26)
Next, as shown in FIG. 5B, after the above-described magnetic separation film 13 is etched, the hard mask film (hard mask pattern) 14 remaining on the pattern is peeled off, and then a cleaning process is performed. The peeling / cleaning step S26 may be performed in the same manner as the above-described peeling / cleaning step S16.

（第２のベーク工程：Ｓ２７）
次に、図５（Ｃ）に示すように、磁性分離膜１３のパターン表面をベーク処理により全面にわたって不活性化する。具体的には、ベーク処理によって磁性分離膜１３のパターン表面に自然酸化膜よりも厚く強い酸化膜１３ｂを形成する。第２のベーク工程Ｓ２７は、上述した第２のベーク工程Ｓ１７と同様に行えばよい。 (Second baking step: S27)
Next, as shown in FIG. 5C, the pattern surface of the magnetic separation film 13 is inactivated over the entire surface by baking. Specifically, an oxide film 13b that is thicker and stronger than the natural oxide film is formed on the pattern surface of the magnetic separation film 13 by baking. The second baking step S27 may be performed in the same manner as the above-described second baking step S17.

以上の工程により、ガラス基板１１上に析出抑制膜１２と磁性分離膜１３を順に積層した構成のパターンドメディア作製用基板２０が得られる。その後、パターンドメディア作製用基板２０を用いてパターンドメディアを製造する場合は、パターンドメディア作製用基板２０の製造元又は出荷先の工場等において以降の工程を行う。磁性分離膜１３の凹凸パターンの寸法としては、たとえば、凹部の深さ寸法ｄが５０ｎｍ以下、凹部の幅寸法ｗが５０ｎｍ以下とする。 Through the above steps, a patterned media manufacturing substrate 20 having a configuration in which the precipitation suppression film 12 and the magnetic separation film 13 are sequentially laminated on the glass substrate 11 is obtained. Then, when manufacturing a patterned media using the substrate 20 for patterned media production, the subsequent processes are performed in the factory of the manufacturer of the patterned media production substrate 20 or a shipping destination. As the dimensions of the concave / convex pattern of the magnetic separation film 13, for example, the depth dimension d of the recess is 50 nm or less and the width dimension w of the recess is 50 nm or less.

（第３の成膜工程：Ｓ２８）
上記の工程を経てパターンドメディア作製用基板２０を製造したら、まず、図６（Ａ）に示すように、磁性分離膜１３の上に磁性膜１６を形成する。磁性膜１６の形成は、Ｃｏ（コバルト）−Ｐｔ（白金）系磁性膜等の磁性材料をスパッタリング法にて用いて行えばよい。これにより、磁性分離膜１３の凹凸パターンの凹部が磁性膜（磁性材料）１６で埋め込まれる。このとき、あらかじめ磁性分離膜１３の上に図示しない結晶配向膜（たとえば、ルテニウムを主成分とする膜）を形成しておき、この結晶配向膜を磁性分離膜１３の凹部に露出させた状態で磁性膜１６を成膜すれば、磁性膜１６の結晶軸の方向を揃えることができる。 (Third film forming step: S28)
When the patterned media manufacturing substrate 20 is manufactured through the above steps, first, the magnetic film 16 is formed on the magnetic separation film 13 as shown in FIG. The magnetic film 16 may be formed using a magnetic material such as a Co (cobalt) -Pt (platinum) magnetic film by a sputtering method. Thereby, the concave portion of the concave / convex pattern of the magnetic separation film 13 is filled with the magnetic film (magnetic material) 16. At this time, a crystal orientation film (not shown) (for example, a film containing ruthenium as a main component) is formed in advance on the magnetic separation film 13, and the crystal orientation film is exposed in the concave portion of the magnetic separation film 13. If the magnetic film 16 is formed, the crystal axes of the magnetic film 16 can be aligned.

（平坦化工程：Ｓ２９）
次に、図６（Ｂ）に示すように、磁性分離膜１３の表面を平坦化することにより、余分な磁性膜１６を除去するとともに、磁性膜１６を所望の膜厚に仕上げる。この平坦化工程Ｓ２９は、たとえば、化学的機械研磨により行うとよい。この段階で必要に応じて洗浄する。 (Planarization step: S29)
Next, as shown in FIG. 6B, the surface of the magnetic separation film 13 is flattened, thereby removing the excess magnetic film 16 and finishing the magnetic film 16 to a desired film thickness. This planarization step S29 may be performed by chemical mechanical polishing, for example. Wash if necessary at this stage.

（第４の成膜工程：Ｓ３０）
次に、図６（Ｃ）に示すように、磁性分離膜１３および磁性膜１６の上に保護膜１７を形成する。次いで、保護膜１７の上に潤滑剤の塗布によって潤滑膜１８を形成する。保護膜１７は、たとえばカーボンによって形成するとよい。また、保護膜１７の成膜は、たとえばＣＶＤ（化学的気相成長）法により行うとよい。潤滑膜１８の形成は、保護膜１７の上に潤滑剤を塗布することにより行うとよい。 (Fourth film forming step: S30)
Next, as shown in FIG. 6C, a protective film 17 is formed on the magnetic separation film 13 and the magnetic film 16. Next, a lubricating film 18 is formed on the protective film 17 by applying a lubricant. The protective film 17 is preferably made of carbon, for example. The protective film 17 may be formed by, for example, a CVD (chemical vapor deposition) method. The lubricant film 18 may be formed by applying a lubricant on the protective film 17.

以上の工程により、パターンドメディア２１が得られる。こうして得られるパターンドメディア２１は、ガラス基板１１上に析出抑制膜１２を介して磁性分離膜１３が形成されるとともに、この磁性分離膜１３の凹凸パターンの凹部が磁性膜１６で埋め込まれた構成となる。また、磁性分離膜１３上に磁性膜１６を覆う状態で保護膜１７が形成され、さらに保護膜１７の上に潤滑膜１８が形成された構成となる。 The patterned media 21 is obtained by the above process. The patterned media 21 thus obtained has a configuration in which the magnetic separation film 13 is formed on the glass substrate 11 via the precipitation suppression film 12 and the concave and convex portions of the magnetic separation film 13 are embedded in the magnetic film 16. It becomes. Further, the protective film 17 is formed on the magnetic separation film 13 so as to cover the magnetic film 16, and the lubricating film 18 is further formed on the protective film 17.

（第２の実施の形態の効果）
本発明の第２の実施の形態においては、次のような効果が得られる。 (Effect of the second embodiment)
In the second embodiment of the present invention, the following effects are obtained.

本発明の第２の実施の形態においては、ガラス基板１１上に析出抑制膜１２を介して磁性分離膜１３を形成し、この磁性分離膜１３に凹凸パターンを形成することにより、パターンドメディア作製用基板２０を製造している。この一連の製造工程においては、上述した第１の問題および第２の問題を解消するために、パターニング工程Ｓ２５を間に挟んで前後１回ずつの計２回のベーク処理を行っている。このため、２回のベーク処理が引き金になって、磁性分離膜１３のパターン表面にアルカリ金属が析出するという上記第３の問題が起こり得る。この点、あらかじめガラス基板１１と磁性分離膜１３との間に析出抑制膜１２を形成しておけば、仮に２回のベーク処理を行ったとしても、ガラス基板１１から磁性分離膜１３へのアルカリ金属の拡散とこれに伴うパターン表面へのアルカリ金属の析出を抑制することができる。 In the second embodiment of the present invention, the magnetic separation film 13 is formed on the glass substrate 11 via the precipitation suppression film 12, and the uneven pattern is formed on the magnetic separation film 13, thereby producing patterned media. The manufacturing substrate 20 is manufactured. In this series of manufacturing processes, in order to solve the first problem and the second problem described above, the baking process is performed twice in total, one time before and after the patterning process S25. For this reason, the above-mentioned third problem that alkali metal is deposited on the pattern surface of the magnetic separation film 13 may be triggered by two baking processes. In this regard, if the precipitation suppression film 12 is formed between the glass substrate 11 and the magnetic separation film 13 in advance, even if the baking process is performed twice, the alkali from the glass substrate 11 to the magnetic separation film 13 can be reduced. It is possible to suppress the diffusion of the metal and the accompanying alkali metal deposition on the pattern surface.

また、上記２回のベーク処理を行わない場合でも、上記の製造方法によって得られたパターンドメディア作製用基板２０を出荷した後に、パターンドメディア２１の完成に至るまでの工程で何らかの理由により加熱する場合が考えられる。また、パターンドメディア２１が完成し、これを製品として出荷した後でも、メディアの使用に際して高温に晒される場合があり得る。このため、仮に析出抑制膜１２を形成しなかった場合は、パターンドメディア作製用基板２０が完成した段階やパターンドメディア２１が完成した段階で、磁性分離膜１３のパターン表面にアルカリ金属の析出が認められなかったとしても、その後、経時的に熱の影響が蓄積される結果、ある段階を経過したときに初めてパターン表面にアルカリ金属が析出することが考えられる。この点についても、あらかじめガラス基板１１と磁性分離膜１３との間に析出抑制膜１２を形成しておけば、パターンドメディア作製用基板２０として完成した段階はもちろん、パターンドメディア２１として完成した以降も、長期にわたってパターン表面へのアルカリ金属の析出を抑制することができる。このため、最終製品となるパターンドメディア２１の信頼性や品質の向上に大いに貢献することができる。 Further, even when the two baking processes are not performed, heating is performed for some reason after the patterned media production substrate 20 obtained by the above manufacturing method is shipped until the patterned media 21 is completed. If you want to. Even after the patterned medium 21 is completed and shipped as a product, it may be exposed to high temperatures when the medium is used. Therefore, if the deposition suppressing film 12 is not formed, the alkali metal is deposited on the pattern surface of the magnetic separation film 13 at the stage when the patterned media production substrate 20 is completed or the patterned medium 21 is completed. Even if this is not observed, the effect of heat is accumulated over time, and as a result, it is considered that the alkali metal is deposited on the pattern surface only after a certain stage. Regarding this point as well, if the precipitation suppression film 12 is formed between the glass substrate 11 and the magnetic separation film 13 in advance, the stage is completed as the patterned media manufacturing substrate 20 and the patterned media 21 is completed. Thereafter, precipitation of alkali metal on the pattern surface can be suppressed over a long period of time. For this reason, it can greatly contribute to the improvement of the reliability and quality of the patterned media 21 that is the final product.

本発明の第２の実施の形態においては、ガラス基板１１上に析出抑制膜１２と磁性分離膜１３を形成した後、磁性分離膜１３の表面をベーク処理によって不活性化し、その後でハードマスク膜１４を形成している。このため、磁性分離膜１３とハードマスク膜１４の界面における化学反応とこれに伴う反応生成物（本形態例ではＳｉとＣｒＮの反応生成物）の発生を抑制することができる。したがって、その後のパターニング工程Ｓ２５においては、上記反応生成物に起因したエッチング底面の荒れを解消することができる。 In the second embodiment of the present invention, after forming the precipitation suppressing film 12 and the magnetic separation film 13 on the glass substrate 11, the surface of the magnetic separation film 13 is inactivated by baking, and then the hard mask film 14 is formed. For this reason, generation | occurrence | production of the chemical reaction in the interface of the magnetic separation film 13 and the hard mask film | membrane 14, and the reaction product accompanying this (the reaction product of Si and CrN) can be suppressed. Therefore, in the subsequent patterning step S25, the roughness of the etching bottom caused by the reaction product can be eliminated.

本発明の第２の実施の形態においては、パターニング工程Ｓ２５よりも後に第２のベーク工程Ｓ２７を設けることにより、磁性分離膜１３のパターン表面を不活性化している。このため、上記の製造方法によって得られたパターンドメディア作製用基板２０を用いて、パターンドメディア２０を製造する場合に、磁性分離膜１３の凹凸パターンと磁性膜１６との接触界面における化学反応とこれに伴う反応生成物の発生を抑制することができる。
本発明の第２の実施形態において、成膜された磁性体表面がドライエッチングに曝される事が無くなる為、磁性層ダメージ（エッチングに曝された表層数ｎｍの磁性層結晶構造変化により磁気的性質が変化した時の実効的な体積減少）が無く、より微細構造のパターンドメディアにまで適している。 In the second embodiment of the present invention, the pattern surface of the magnetic separation film 13 is inactivated by providing the second baking step S27 after the patterning step S25. Therefore, when the patterned media 20 is manufactured using the patterned media manufacturing substrate 20 obtained by the above manufacturing method, the chemical reaction at the contact interface between the concave / convex pattern of the magnetic separation film 13 and the magnetic film 16 is performed. And the generation of reaction products accompanying this can be suppressed.
In the second embodiment of the present invention, since the surface of the formed magnetic material is not exposed to dry etching, magnetic layer damage (magnetic layer change due to change in crystal structure of the magnetic layer of several nm surface layer exposed to etching) There is no effective volume reduction when the properties change, and it is suitable for patterned media with a finer structure.

＜変形例等＞
本発明の技術的範囲は上述した実施の形態に限定されるものではなく、発明の構成要件やその組み合わせによって得られる特定の効果を導き出せる範囲において、種々の変更や改良を加えた形態も含む。 <Modifications>
The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments, and includes various modifications and improvements as long as the specific effects obtained by the constituent elements of the invention and combinations thereof can be derived.

アルカリ金属を含むガラス基板において、その表面を酸処理したものを用いても良い。
たとえば、上記第１の実施の形態においては、パターニング膜３をシリコン膜で構成したが、パターニング膜３は、シリコンを主成分とする膜、たとえばＲＦスパッタリングによるＳｉＯ_２膜であってもよい。この場合、シリコン膜の不活性化（第１のベーク、第２のベーク）は不要である。 A glass substrate containing an alkali metal whose surface is acid-treated may be used.
For example, in the first embodiment, the patterning film 3 is made of a silicon film. However, the patterning film 3 may be a film containing silicon as a main component, for example, a SiO ₂ film formed by RF sputtering. In this case, inactivation of the silicon film (first baking, second baking) is unnecessary.

また、上記各実施の形態においては、析出抑制膜２、１２を窒化クロム膜で構成したが、析出抑制膜２、１２は、クロムを主成分とする膜だけでなく、たとえばＴａ（タンタル），Ｗ（タングステン），Ｍｏ（モリブデン）などの高融点金属の膜であってもよい。
ちなみに、本明細書において、ある成分を「主成分とする」とは、当該成分または当該成分を含む化合物の質量比（質量％）が５０％以上である場合をいう。 In each of the above embodiments, the precipitation suppression films 2 and 12 are made of a chromium nitride film. However, the precipitation suppression films 2 and 12 are not only films containing chromium as a main component, but also Ta (tantalum), for example. It may be a film of a refractory metal such as W (tungsten) or Mo (molybdenum).
Incidentally, in this specification, “having a main component” as a component means a case where the mass ratio (% by mass) of the component or the compound containing the component is 50% or more.

１，１１…ガラス基板
２，１２…析出抑制膜
３…パターニング膜
４，１４…ハードマスク膜
５，１５…レジスト膜
６…モールド
１０…インプリント用モールド
１３…磁性分離膜
１６…磁性膜
２０…インプリント用モールド
２１…パターンドメディア DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,11 ... Glass substrate 2,12 ... Deposition suppression film | membrane 3 ... Patterning film 4,14 ... Hard mask film | membrane 5,15 ... Resist film 6 ... Mold 10 ... Mold for imprint 13 ... Magnetic separation film 16 ... Magnetic film 20 ... Imprint mold 21 ... Patterned media

Claims

In mass%, Li ₂ O exceeds 1% and is 9% or less, Na ₂ O is 5 to 18% (however, mass ratio Li ₂ O / Na ₂ O is 0.5 or less) , and K ₂ O is 0 to 6 % Glass substrate containing alkali metal component,
A patterning film containing silicon, formed on the glass substrate and provided with an uneven pattern on the surface,
Precipitation suppression that is formed between the glass substrate and the patterning film and suppresses the alkali metal contained in the glass substrate from diffusing from the glass substrate to the patterning film and precipitating on the surface of the patterning film. A membrane,
With
An imprint mold characterized by being used for imprinting at a temperature exceeding 300 ° C.

The patterning film is a film mainly composed of silicon,
2. The imprint mold according to claim 1, wherein the precipitation suppression film is a film containing chromium as a main component or a film of a refractory metal.

The imprint mold according to claim 1, wherein a thickness of the precipitation suppression film is 5 nm or more.

In mass%, Li ₂ O exceeds 1% and is 9% or less, Na ₂ O is 5 to 18% (however, mass ratio Li ₂ O / Na ₂ O is 0.5 or less) , and K ₂ O is 0 to 6 A first step of forming a resist pattern by patterning the resist film after sequentially forming a patterning film containing silicon, a hard mask film, and a resist film on a glass substrate containing a 50% alkali metal component;
A hard mask pattern is formed by etching the hard mask film using the resist pattern, and then an uneven pattern is formed on the surface of the patterning film by etching the patterning film using the hard mask pattern. A second step;
Including
A method for producing an imprint mold used for imprinting at a temperature of more than 300 ° C,
In the first step, a precipitation suppressing film that suppresses diffusion of the alkali metal contained in the glass substrate from the glass substrate to the patterning film and precipitation on the surface of the patterning film is formed with the glass substrate. It forms between the said patterning films. The manufacturing method of the mold for imprint characterized by the above-mentioned.