JP6161794B2 - Apparatus for drying and sintering a metal-containing ink on a substrate - Google Patents
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Description
本発明は、基材上の金属含有インクを乾燥及び焼結するための装置であって、前記基材を照射するための複数の光放射器と、前記基材へと放射を反射するためのリフレクタとを有し、前記放射器と前記基材とは、搬送方向に互いに相対移動可能である装置に関する。 The present invention is an apparatus for drying and sintering a metal-containing ink on a substrate, a plurality of light emitters for irradiating the substrate, and for reflecting radiation to the substrate It has a reflector, and the radiator and the substrate are related to an apparatus that can move relative to each other in the transport direction.
本発明における金属含有インクを乾燥及び焼結するための装置は、印刷膜を硬化させるために使用される。この装置は、例えば電子回路要素の製造に使用され、特にRFID、有機太陽電池、OLED、又は印刷電池の製造に使用される。 The apparatus for drying and sintering the metal-containing ink in the present invention is used to cure the printed film. This device is used, for example, in the production of electronic circuit elements, in particular in the production of RFID, organic solar cells, OLEDs or printed batteries.
電子回路要素を印刷法によって簡単かつ低コストに製造できることが公知である。従って、このような電子回路要素は、プリンテッドエレクトロニクス、すなわち“Printed Functionalities”又は“Printed Electronics”とも呼ばれる。 It is known that electronic circuit elements can be manufactured simply and at low cost by printing methods. Such electronic circuit elements are therefore also referred to as printed electronics, ie “Printed Functionalities” or “Printed Electronics”.
プリンテッドエレクトロニクスの製造時には、まず第1方法ステップにおいて、金属含有インクが適当な基材、例えばプラスチックフィルム、紙、又はガラスの上に、印刷法によって薄膜として被着される。インク被膜厚は、一般的に0.3μmと3.0μmの間にある。インク被膜を被着させるためには、種々の印刷法を使用することができる。多くの場合、スクリーン印刷、ロールツーロール法、又はインクジェット印刷が使用される。インクジェット印刷の場合には、金属含有インクがインクジェットプリンタから液滴の状態で基材上に転写される。この方法では各複写がそれぞれ新しく作成されるので、デジタル印刷法の1つに数えられる。 During the manufacture of printed electronics, first, in a first method step, a metal-containing ink is deposited as a thin film by a printing method on a suitable substrate, for example a plastic film, paper or glass. The ink film thickness is generally between 0.3 μm and 3.0 μm. Various printing methods can be used to deposit the ink coating. In many cases, screen printing, roll-to-roll or ink jet printing is used. In the case of inkjet printing, the metal-containing ink is transferred onto the substrate in the form of droplets from an inkjet printer. In this method, each copy is newly created, so it is counted as one of the digital printing methods.
プリンテッドエレクトロニクスの製造時に使用されるインクは、小さい金属粒子を高濃度で含み、この金属粒子の粒子サイズは、多くの場合、ナノメータ範囲にある。金属粒子は、水性又は有機性の分散剤の中に分散されている。インクはさらに、例えば粒子架橋性、溶解性、濡れ性を改善するために、又は凝集を防止するために、有機添加剤を含むことができ、若しくは、インクの加工性を改善するために水性添加剤を含むこともできる。 Inks used in the manufacture of printed electronics contain high concentrations of small metal particles, and the particle size of the metal particles is often in the nanometer range. The metal particles are dispersed in an aqueous or organic dispersant. The ink can further contain organic additives, for example to improve particle crosslinkability, solubility, wettability, or to prevent agglomeration, or aqueous addition to improve ink processability Agents can also be included.
基材の被膜に導電性及び耐久性を付与するためには、第2方法ステップにおいて、インク被膜を乾燥及び焼結する必要がある。最初に実施される乾燥プロセスは、インクの揮発性成分、例えば有機添加剤又は分散剤の除去に寄与する。しかしながら、基材上に残った金属粒子被膜の中の金属粒子は、まずは個別の粒子として存在しており、これらの個別の粒子は、被膜に導電性を付与するために、その後の焼結プロセスによって互いに結合させなければならない。高い導電率は、例えば約50%の固形分を有する銀ナノ粒子を含むインクによって実現される。 In order to impart conductivity and durability to the coating on the substrate, it is necessary to dry and sinter the ink coating in the second method step. The first drying process contributes to the removal of volatile components of the ink, such as organic additives or dispersants. However, the metal particles in the metal particle coating remaining on the substrate are initially present as individual particles, and these individual particles are subjected to a subsequent sintering process to impart conductivity to the coating. Must be joined together. High conductivity is achieved, for example, by inks containing silver nanoparticles having a solid content of about 50%.
プリンテッドエレクトロニクスの製造時には、多数の乾燥方法及び焼結方法が使用される。インク被膜の乾燥は、例えば暖められたガスを使用することによって実施され得る。ガスとして例えば空気、窒素、又は希ガスが適している。しかしながらプリンテッドエレクトロニクスの製造には、基本的に、耐熱性が制限されたプラスチックからなる基材が使用されるので、暖められるガスの温度を任意に高温に選択することはできない。従って、多くの場合、暖められたガスの使用によって被膜の乾燥のみが実施される。さらには、被膜の乾燥用にガスを使用するためには大きなスペースが必要とされ、また処理時間が長くなる。 A number of drying and sintering methods are used in the manufacture of printed electronics. The drying of the ink film can be performed, for example, by using a warmed gas. For example, air, nitrogen, or a rare gas is suitable as the gas. However, in the manufacture of printed electronics, basically, a base material made of a plastic with limited heat resistance is used, and therefore the temperature of the gas to be heated cannot be arbitrarily selected as a high temperature. Thus, in many cases, only the drying of the coating is performed by the use of a warmed gas. Furthermore, a large space is required to use a gas for drying the coating, and the processing time is increased.
従って、迅速な乾燥プロセス及び焼結プロセスをそれでもなお保証するために、被覆された基材に光放射を照射するための放射源が使用される。この装置においては、UV放射源、例えば水銀蒸気放電ランプ又はLED、及び、NIR放射を放出する放射源、例えばパルス点灯型のキセノンフラッシュランプ又はクリプトンフラッシュランプ、若しくはNIRレーザダイオードが使用される。 Therefore, a radiation source is used to irradiate the coated substrate with light radiation to still ensure a rapid drying and sintering process. In this apparatus, UV radiation sources, such as mercury vapor discharge lamps or LEDs, and radiation sources emitting NIR radiation, such as pulsed xenon flash lamps or krypton flash lamps, or NIR laser diodes are used.
例えば、米国特許出願公開第2010/0003021号明細書は、可視範囲、赤外範囲、及び/又はUV範囲の波長を有する放射を放出するために適した、例えばキセノンフラッシュランプの形態の単一の放射源を用いて、金属含有インクを乾燥及び焼結するための装置を開示している。この装置はさらに、硬化中の被膜の光学特性に基づいて放射を制御するための制御ユニットを含む。 For example, US 2010/0003021 describes a single, for example in the form of a xenon flash lamp, suitable for emitting radiation having a wavelength in the visible range, infrared range, and / or UV range. An apparatus for drying and sintering metal-containing inks using a radiation source is disclosed. The apparatus further includes a control unit for controlling radiation based on the optical properties of the coating being cured.
しかしながら、キセノンフラッシュランプはいくつかの欠点を有する。すなわち、キセノンフラッシュランプは、規則的に高い出力密度の放射を形成し、比較的高価である。キセノンフラッシュランプを使用した場合にはさらに、照射野が一定に照射されない。特に、基材とフラッシュランプとが高速に相対移動する場合には、照射野が不均一に照明される可能性がある。このことは、金属含有インクの揮発性成分の均一な蒸発に影響を及ぼすおそれがある。 However, xenon flash lamps have several drawbacks. That is, xenon flash lamps regularly produce high power density radiation and are relatively expensive. Further, when the xenon flash lamp is used, the irradiation field is not uniformly irradiated. In particular, when the base material and the flash lamp relatively move at high speed, the irradiation field may be unevenly illuminated. This can affect the uniform evaporation of the volatile components of the metal-containing ink.
さらには、金属含有インクの乾燥と焼結とを同時に実施するために単一の放射源を使用することにより、焼結プロセスが不完全に進行する可能性があることが判明している。乾燥プロセスと焼結プロセスとを同時に進行させることにより、表面では焼結が既に完了しているが、その一方で、被膜の深部に位置する膜からは揮発性成分が完全には蒸発されないままとなることがある。この揮発性成分が乾燥及び焼結の共同プロセス中にさらに加熱された場合には、微視的な爆発が生じる可能性があり、これによって、既に焼結されている膜が損傷するおそれがある。このような爆発は、規則的に被膜の導電性を阻害する。 Furthermore, it has been found that by using a single radiation source to simultaneously dry and sinter metal-containing inks, the sintering process can proceed incompletely. By proceeding simultaneously with the drying and sintering processes, the surface has already been sintered, while the volatile components are not completely evaporated from the film located deep in the coating. May be. If this volatile component is further heated during the joint drying and sintering process, a microscopic explosion can occur, which can damage the already sintered film. . Such explosions regularly impair the conductivity of the coating.
この欠点を回避するために、冒頭に述べた上位概念の装置が開示される米国特許出願公開第2013/0043221号明細書では、揮発性成分を蒸発させるために、低い照射出力を有する第1フラッシュランプを設け、基材の搬送方向に見て前記第1フラッシュランプの下流側に、被膜を焼結するための比較的高い放射出力を有する別個の第2フラッシュランプを配置することが提案される。 In order to avoid this drawback, US 2013/0043221, in which the high-level apparatus described at the beginning is disclosed, describes a first flash having a low irradiation power in order to evaporate volatile components. It is proposed to provide a lamp and to arrange a separate second flash lamp having a relatively high radiation output for sintering the coating downstream of the first flash lamp as viewed in the direction of substrate transport .
技術課題
第2放射源を別個に配置することは、この第2放射源が配置される大きな構造スペースを前提としている。すなわち、第2放射源は、装置のコンパクトな構造を阻害している。さらには、複数のランプを備える装置は製造に手間が掛かり、製造コスト増加の一因となる。フラッシュランプはさらに、上述した欠点を有する。すなわち、フラッシュランプは高価であり、規則的に高い照射密度のために設計されている。
Technical Problem The separate arrangement of the second radiation source assumes a large structural space in which the second radiation source is arranged. That is, the second radiation source impedes the compact structure of the device. Furthermore, an apparatus including a plurality of lamps is troublesome to manufacture and contributes to an increase in manufacturing cost. The flash lamp further has the disadvantages mentioned above. That is, flash lamps are expensive and are regularly designed for high illumination density.
従って、本発明の課題は、基材を均一に照射することができ、コンパクトな構造を有し、さらには簡単かつ低コストに製造することができる、金属含有インクを乾燥及び焼結するための効果的な装置を提供することである。 Therefore, an object of the present invention is to dry and sinter a metal-containing ink that can uniformly irradiate a substrate, has a compact structure, and can be manufactured easily and at low cost. It is to provide an effective device.
発明の概要
上記課題は、頭に述べた上位概念に記載の、金属含有インクを乾燥及び焼結するための冒装置から出発して、前記光放射器は、円筒形の放射器管と、放射器管長手軸線とを有する赤外線放射器であり、前記赤外線放射器は、IR−B放射の放射成分が総放射器出力の少なくとも30%であり、かつIR−C放射の放射成分が総放射器出力の少なくとも5%である放射を放出し、各前記赤外線放射器は、該赤外線放射器の前記放射器管長手軸線が互いに平行となり、かつ前記搬送方向に対して横断方向に延在するように1つの放射器モジュール内に配置されており、前記基材の表面上に所定の照射野が、乾燥ゾーンと、前記搬送方向に見て前記乾燥ゾーンの下流側に配置された焼結ゾーンとに分割されるように照射され、前記乾燥ゾーンは、前記搬送方向に延在する中心軸線に沿って、前記焼結ゾーンよりも少なくとも15%だけ低い平均照射密度に曝されている、ようにしたことによって解決される。
SUMMARY OF THE INVENTION The above object starts from an opening device for drying and sintering metal-containing inks as described in the superordinate concept mentioned at the outset, wherein said light emitter comprises a cylindrical radiator tube, a radiation An infrared radiator having a longitudinal axis of the tube, wherein the infrared radiator has a radiation component of IR-B radiation of at least 30% of the total radiator output and a radiation component of IR-C radiation is a total radiator Emits radiation that is at least 5% of the output, each infrared emitter such that the longitudinal axis of the radiator tube of the infrared emitter is parallel to each other and extends transverse to the transport direction. It is arranged in one radiator module, and a predetermined irradiation field on the surface of the substrate is divided into a drying zone and a sintering zone arranged on the downstream side of the drying zone when viewed in the transport direction. Irradiated to be divided, the dry The problem is solved by being exposed to an average irradiation density of at least 15% lower than the sintering zone along a central axis extending in the conveying direction.
上位概念に記載の、金属含有インクを乾燥及び焼結するための装置から出発して、本発明によれば2つの修正が提案される。そのうちの一方は、光放射器の形式に関するものであり、他方は、照射野に対応付けられた放射器モジュールの内部に光放射器を配置することに関する。 Starting from the apparatus for drying and sintering metal-containing inks described in the superordinate concept, two modifications are proposed according to the invention. One of them relates to the type of light emitter, and the other relates to the arrangement of the light emitter inside the radiator module associated with the irradiation field.
一般的な見解では、金属含有インクを乾燥及び焼結する際には、このために可視範囲又はIR−A範囲の狭帯域の又は離散的な放射スペクトルを形成する光放射器を使用すると、良好な結果が達成されるとされる(参考文献:Z. Radivojevic et al.: Optimised curing of silver ink jet based printed traces, Proceedings of 12th International Workshop on Thermal Investigations of ICs -Therminic 2006, Nice: France (2006); R. Cauchois et al.: Impact of variable frequency microwave and rapid thermal sintering on microstructure of inkjet-printed silver nanoparticles, J. Mat. Sci 47, (2012), p. 20; J. West et al.: Photonic Sintering of Silver Nanoparticles: Comparison of Experiment and Theory, in Volodymyr Shatokha [Ed.]: Sintering-Methods and Products. InTech: 2012; A. Khan et al.: Laser sintering of direct write silver nano-ink conduetors for microelectronic applications. Proc. SPIE 6879 (2008))。 In general terms, when drying and sintering metal-containing inks, it is better to use a light emitter that forms a narrow-band or discrete emission spectrum in the visible or IR-A range for this purpose. (Reference: Z. Radivojevic et al .: Optimised curing of silver ink jet based printed traces, Proceedings of 12th International Workshop on Thermal Investigations of ICs -Therminic 2006, Nice: France (2006) R. Cauchois et al .: Impact of variable frequency microwave and rapid thermal sintering on microstructure of inkjet-printed silver nanoparticles, J. Mat. Sci 47, (2012), p. 20; J. West et al .: Photonic Sintering of Silver Nanoparticles: Comparison of Experiment and Theory, in Volodymyr Shatokha [Ed.]: Sintering-Methods and Products.InTech: 2012; SPIE 6879 (2008)).
これに対して本発明による装置は、複数の赤外線放射器を有し、これらの赤外線放射器の放射スペクトルは、実質的にIR−B範囲の放射成分とIR−C範囲の放射成分とを含む。 In contrast, the device according to the invention comprises a plurality of infrared emitters, the emission spectrum of which are substantially comprised of a radiation component in the IR-B range and a radiation component in the IR-C range. .
金属含有インクは、分散剤の中に固体の金属粒子が分散された分散液である。金属粒子自体は、入射したIR−B放射及びIR−C放射に対して高い反射率を有する。赤外線放射器から放出されたIR−B放射及びIR−C放射と、金属粒子から拡散的に反射された放射とは、乾燥すべき膜の内部で分布し、従って、主に金属含有インクの別の成分を照射するために使用することができる。 The metal-containing ink is a dispersion liquid in which solid metal particles are dispersed in a dispersant. The metal particles themselves have a high reflectivity for incident IR-B and IR-C radiation. IR-B and IR-C radiation emitted from infrared emitters and radiation diffusely reflected from metal particles are distributed within the film to be dried and are therefore mainly separated from the metal-containing ink. Can be used to irradiate the components.
当該別の成分には、多くの場合、上記範囲の波長を有する放射に対して良好な吸収特性を有する有機化合物が含まれる。IR−B放射及びIR−C放射は、規則的に分散剤及び揮発性物質によって吸収され、これにより、前記別の成分は蒸発することができる。従って、IR−B放射及びIR−C放射は、焼結プロセスにおいて金属粒子が互いに結合される前に、インクの良好な乾燥に寄与する。それゆえIR−B放射及びIR−C放射を使用すると、後続の焼結プロセスにおける微小爆発の発生も減少する。 Such other components often include organic compounds that have good absorption properties for radiation having wavelengths in the above range. IR-B radiation and IR-C radiation are regularly absorbed by dispersants and volatile materials, so that the other component can evaporate. Thus, IR-B radiation and IR-C radiation contribute to good drying of the ink before the metal particles are bonded together in the sintering process. Therefore, the use of IR-B and IR-C radiation also reduces the occurrence of micro-explosions in subsequent sintering processes.
総放射器出力は、放射器管アレイの放射面積に関連した、積分された照射出力であり、単位はWである。赤外線放射器が、IR−B放射の放射成分が総放射器出力の少なくとも30%であり、かつIR−C放射の放射成分が総放射器出力の少なくとも5%である放射を放出する場合には、良好な結果が達成される。 The total radiator power is the integrated illumination power related to the radiation area of the radiator tube array, in units of W. If the infrared radiator emits radiation whose radiant component of IR-B radiation is at least 30% of the total radiator output and whose radiant component of IR-C radiation is at least 5% of the total radiator output Good results are achieved.
この関連において赤外線放射器がさらに、可視範囲の放射成分と、IR−A範囲の放射成分とを放出すると有利であることが判明している。上記範囲の波長を有する放射は、IR−B放射及びIR−C放射に比べてより高い放射エネルギを有し、特に金属粒子を焼結するために適している。IR−A放射は、0.78μmから1.4μmの範囲の波長を有し、IR−B放射の波長は、1.4μmから3.0μmの範囲にあり、IR−C放射の波長は、3μmから1000μmの範囲にある。 In this connection, it has been found to be advantageous for the infrared radiator to emit a radiation component in the visible range and a radiation component in the IR-A range. Radiation having a wavelength in the above range has higher radiant energy compared to IR-B and IR-C radiation and is particularly suitable for sintering metal particles. IR-A radiation has a wavelength in the range of 0.78 μm to 1.4 μm, IR-B radiation has a wavelength in the range of 1.4 μm to 3.0 μm, and IR-C radiation has a wavelength of 3 μm. To 1000 μm.
本発明によればさらに、複数の赤外線放射器が、1つの共通の放射器モジュール内に配置されている。複数の別個の放射器とは異なり、このような放射器モジュールは、複数の赤外線放射器のためにただ1つの共通のケーシングしか必要とせず、従って、本発明の装置のコンパクトな構造に寄与する。 Furthermore, according to the invention, a plurality of infrared radiators are arranged in one common radiator module. Unlike a plurality of separate radiators, such a radiator module requires only one common casing for a plurality of infrared radiators and thus contributes to the compact structure of the device of the invention. .
さらには、円筒形の放射器管を備える赤外線放射器を使用することによって、複数の赤外線放射器を1つの共通の放射器モジュール内にコンパクトに配置することが可能となる。本発明によって各赤外線放射器が、該赤外線放射器の放射器長手軸線が互いに平行になるように1つの放射器モジュール内に配置されていることが、このために寄与する。それと同時に、各放射器管を平行に配置することによって、基材を高い照射密度で平面的に照射するために適した平面型の放射器が得られる。各赤外線放射器が、各赤外線放射器の放射器長手軸線が搬送方向に対して横断方向に延在するように配置されていることも、このために寄与する。この関連において、放射器長手軸線が、搬送方向に対して45°から90°の角度範囲で傾斜して延在していると有利であることが判明している。最も簡単なケースでは、放射器モジュールは、各赤外線放射器の放射器長手軸線が、搬送方向に対して垂直に延在するように配置されている。 Furthermore, by using an infrared radiator with a cylindrical radiator tube, a plurality of infrared radiators can be compactly arranged in one common radiator module. This contributes to the fact that according to the invention each infrared radiator is arranged in one radiator module so that the longitudinal axes of the infrared radiators are parallel to each other. At the same time, by arranging the radiator tubes in parallel, a planar radiator suitable for planarly irradiating the substrate with a high irradiation density can be obtained. This also contributes to the fact that each infrared radiator is arranged such that the longitudinal axis of each infrared radiator extends transverse to the transport direction. In this connection, it has proved advantageous if the radiator longitudinal axis extends at an angle in the range of 45 ° to 90 ° with respect to the conveying direction. In the simplest case, the radiator modules are arranged such that the radiator longitudinal axis of each infrared emitter extends perpendicular to the transport direction.
放射器モジュールは、照射野が2つの異なるゾーンによって、すなわち乾燥ゾーン及び焼結ゾーンによって形成されるように構成されている。照射野という用語は、基材によって画定された平面上における、放射器モジュールの同じ大きさの直交投影であると理解される。 The radiator module is configured such that the field is formed by two different zones, namely a drying zone and a sintering zone. The term field is understood to be the same size orthogonal projection of the radiator module on a plane defined by the substrate.
乾燥ゾーンと焼結ゾーンとは、照射密度の点で異なる。これら2つのゾーンの照射密度は、金属含有インクの乾燥時に進行するプロセスと、焼結時に進行するプロセスとに適合されている。これら2つのゾーンはさらに、相異なる最大温度及び温度プロフィールを有することができる。 The drying zone and the sintering zone differ in terms of irradiation density. The irradiation density of these two zones is adapted to the process that proceeds during drying of the metal-containing ink and the process that proceeds during sintering. These two zones can further have different maximum temperatures and temperature profiles.
乾燥ゾーンと焼結ゾーンとは、直接相接しているか、又は、互いに間隔を置いている。乾燥ゾーンと焼結ゾーンとの間には、移行ゾーンを配置することができ、この移行ゾーンの照射密度は、乾燥ゾーンの照射密度と焼結ゾーンの照射密度の間の範囲にある。 The drying zone and the sintering zone are in direct contact or spaced from each other. There can be a transition zone between the drying zone and the sintering zone, the irradiation density of the transition zone being in the range between the irradiation density of the drying zone and the irradiation density of the sintering zone.
放射器モジュールと基材とが搬送方向に互いに相対移動可能であることにより、基材は、乾燥ゾーンも焼結ゾーンも通過する。放射器モジュールは、基材がまず乾燥ゾーンを通過し、その後焼結ゾーンを通過するように構成されている。 Since the radiator module and the substrate are movable relative to each other in the transport direction, the substrate passes through both the drying zone and the sintering zone. The radiator module is configured such that the substrate first passes through the drying zone and then passes through the sintering zone.
本発明によれば、乾燥ゾーンは、搬送方向に延在する中心軸線に沿って、焼結ゾーンよりも低い平均照射密度を有する。乾燥ゾーンの照射密度が焼結ゾーンに比べて低いことに伴って、乾燥ゾーンにおけるエネルギ入力はより小さくなり、これによって乾燥中には、焼結プロセスは生じ得なくなる。焼結ゾーンの平均照射密度は、金属粒子を焼結するために設計されている。被膜が既に乾燥ゾーンを通過済みであることにより、焼結ゾーンにおいて効果的な焼結プロセスが可能となる。 According to the invention, the drying zone has a lower average irradiation density than the sintering zone along the central axis extending in the conveying direction. As the irradiation density in the drying zone is low compared to the sintering zone, the energy input in the drying zone is smaller, so that no sintering process can occur during drying. The average irradiation density of the sintering zone is designed to sinter the metal particles. Since the coating has already passed through the drying zone, an effective sintering process is possible in the sintering zone.
乾燥ゾーンの照射密度及び焼結ゾーンの照射密度は、例えば、隣り合う放射器の間の間隔を適切に選択することによって、及び、相異なる放射器形式を使用することによって、及び、相異なる動作パラメータ(例えば動作電流、動作電圧)で放射器を動作させることによって、達成することができる。 The irradiation density of the drying zone and the irradiation density of the sintering zone are different, for example, by properly selecting the spacing between adjacent radiators and by using different radiator types. This can be achieved by operating the radiator with parameters (eg, operating current, operating voltage).
乾燥ゾーン及び焼結ゾーンは、1つの共通の放射器モジュールによって形成されるので、これら2つのゾーンは、互いに比較的小さい間隔を有する。こうすることにより、基材を乾燥ゾーンから焼結ゾーンへと搬送する間に生じ得る冷却プロセスが減少する。従って、放射器モジュールは、本発明の装置の高いエネルギ効率に寄与する。 Since the drying zone and the sintering zone are formed by one common radiator module, the two zones have a relatively small distance from each other. This reduces the cooling process that can occur while the substrate is transported from the drying zone to the sintering zone. Thus, the radiator module contributes to the high energy efficiency of the device of the present invention.
本発明の装置の有利な実施形態では、複数の前記赤外線放射器は、1600nmと3000nmの間の波長範囲にある放射最大値を有する第1形式の赤外線放射器と、900nmと1600nmの間の波長範囲にある放射最大値を有する第2形式の赤外線放射器とを含む。 In an advantageous embodiment of the device according to the invention, a plurality of said infrared emitters is a first type of infrared emitter having a radiation maximum in the wavelength range between 1600 nm and 3000 nm, and a wavelength between 900 nm and 1600 nm. A second type of infrared emitter having an emission maximum in the range.
相異なる放射最大値を有する赤外線放射器によって、規則的に基材への相異なるエネルギ入力が引き起こされる。従って、複数の異なる赤外線放射器を使用することは、乾燥ゾーン及び焼結ゾーンのような相異なる複数のゾーンを有する1つの照射野を形成するために寄与し得る。第1形式の赤外線放射器は、特に金属含有インクの揮発性成分によって吸収される放射成分を放出する。従って、第1形式の赤外線放射器は、乾燥ゾーンの照射に適している。第2形式の赤外線放射器は、900nmと1600nmの間の放射最大値を示し、従って、規則的に基材への比較的高いエネルギ入力を引き起こす。第2形式の赤外線放射器によって放出される放射は、金属粒子によっても吸収される。従って、第2形式の赤外線放射器は、焼結プロセスを促進するために適している。第2形式の赤外線放射器は、焼結ゾーンの照射のために設けられることが好ましい。 Infrared radiators with different emission maxima regularly cause different energy inputs to the substrate. Thus, using a plurality of different infrared emitters can contribute to forming a single field having a plurality of different zones, such as a drying zone and a sintering zone. The first type of infrared emitter emits a radiation component that is absorbed by the volatile components of the metal-containing ink in particular. Accordingly, the first type of infrared radiator is suitable for irradiation in the drying zone. The second type of infrared emitter exhibits an emission maximum between 900 nm and 1600 nm, thus regularly causing a relatively high energy input to the substrate. The radiation emitted by the second type of infrared emitter is also absorbed by the metal particles. Therefore, the second type of infrared radiator is suitable for facilitating the sintering process. A second type of infrared radiator is preferably provided for irradiation of the sintering zone.
本発明の装置のさらなる有利な実施形態では、複数の前記第1形式の赤外線放射器と、複数の前記第2形式の赤外線放射器とが設けられており、互いに隣り合う前記第1形式の赤外線放射器の相互の間隔は、互いに隣り合う前記第2形式の赤外線放射器の相互の間隔よりも大きい。 In a further advantageous embodiment of the device according to the invention, a plurality of said first type infrared emitters and a plurality of said second type infrared emitters are provided, said first type infrared rays being adjacent to each other. The distance between the radiators is larger than the distance between the second type infrared radiators adjacent to each other.
隣り合う赤外線放射器の相互の間隔は、照射野の照射密度に影響を与える。間隔が大きくなれば照射密度は低くなり、これに対して間隔が小さくなれば照射密度は高くなる。好ましくは、第1形式の赤外線放射器は、照射野の乾燥ゾーンに割り当てられており、第2形式の赤外線放射器は、照射野の焼結ゾーンに割り当てられている。第1形式の赤外線放射器の相互の間隔が、隣り合う第2形式の赤外線放射器の相互の間隔よりも大きいことにより、第1形式の赤外線放射器は、より低い照射密度を形成する。本発明によればこのことは、特に乾燥ゾーンにおいて有利である。 The distance between adjacent infrared radiators affects the irradiation density of the irradiation field. If the interval is increased, the irradiation density is decreased. On the other hand, if the interval is decreased, the irradiation density is increased. Preferably, the first type of infrared radiator is assigned to the drying zone of the field and the second type of infrared radiator is assigned to the sintering zone of the field. Since the distance between the first type infrared radiators is larger than the distance between the adjacent second type infrared radiators, the first type infrared radiators form a lower illumination density. According to the invention, this is particularly advantageous in the drying zone.
前記赤外線放射器が、前記放射を連続的に放出すると有利であることが判明している。 It has been found that it is advantageous for the infrared radiator to emit the radiation continuously.
特に、断続的に動作する放射器、例えばフラッシュランプの場合には、インクを乾燥及び焼結するための装置において基材と放射源とが互いに相対移動可能であることによって、照射密度に変動が生じる。従って、特に基材を均一に照射するためには、放射を連続的に放出する赤外線放射器が適している。このような赤外線放射器を備える放射器モジュールは、時間的に一定の照射野を形成する。 In particular, in the case of a radiator that operates intermittently, for example a flash lamp, the irradiation density varies due to the relative movement of the substrate and the radiation source in an apparatus for drying and sintering the ink. Arise. Therefore, an infrared emitter that emits radiation continuously is particularly suitable for uniformly irradiating the substrate. A radiator module including such an infrared radiator forms a constant irradiation field in time.
本発明の装置の好ましい実施形態では、前記赤外線放射器は、広帯域の放射スペクトルを有し、前記広帯域の放射スペクトルは、可視範囲及びIR−A範囲において合わせて前記総放射器出力の少なくとも10%の放射成分を有する。 In a preferred embodiment of the device according to the invention, the infrared emitter has a broadband emission spectrum, the broadband emission spectrum being at least 10% of the total radiator output combined in the visible and IR-A ranges. It has the radiation component.
広帯域の放射スペクトルを有する放射器は、金属含有インクの乾燥のためにも焼結のためにも使用することができる。特に可視範囲の波長を有する放射及びIR−A放射は、IR−B放射及びIR−C放射に比べて高い放射エネルギを有し、特に金属粒子を焼結するために適している。しかしながらこの場合の焼結効率は、照射密度に依存している。IR−A放射の放射成分が30%より小さい放射器を使用すると、乾燥ゾーン及び焼結ゾーンにおける各照射密度を、隣り合う放射器の相互の間隔を適切に適合することによって調整することができる。 A radiator having a broad emission spectrum can be used for drying and sintering metal-containing inks. In particular, radiation having a wavelength in the visible range and IR-A radiation have a higher radiant energy compared to IR-B radiation and IR-C radiation, and are particularly suitable for sintering metal particles. However, the sintering efficiency in this case depends on the irradiation density. When using a radiator with a radiant component of IR-A radiation of less than 30%, each irradiation density in the drying and sintering zones can be adjusted by appropriately matching the spacing between adjacent radiators. .
本発明の装置のさらなる好ましい修正形態では、前記照射野は、800cm2から6000cm2の範囲、特に好ましくは1500cm2から2000cm2の範囲の総面積を有し、前記乾燥ゾーンの面積と前記焼結ゾーンの面積とは、それぞれ前記総面積の少なくとも30%であり、好ましくは、前記乾燥ゾーンの面積は、前記総面積の35%と65%の間の範囲にある。 In a further preferred modification of the device of the present invention, the radiation field, the range of 800 cm 2 of 6000 cm 2, particularly preferably has a total area ranging from 1500 cm 2 of 2000 cm 2, the sintering and the area of the drying zone Each zone area is at least 30% of the total area, and preferably the dry zone area is between 35% and 65% of the total area.
照射野の面積は、基材の単位面積当たりの乾燥期間及び焼結期間に影響を与える。照射野の面積が800cm2より小さい場合には、単位時間当たりに乾燥される基材面積が比較的小さくなり、従って、乾燥コストが増加する。6000cm2より大きい総面積と、それと同時に良好な照射密度とを有する照射野を有する装置は、高コストにしか製造できない。 The area of the irradiation field affects the drying period and the sintering period per unit area of the substrate. When the area of the irradiation field is smaller than 800 cm 2, the substrate area to be dried per unit time is relatively small, and thus the drying cost is increased. A device having an irradiation field with a total area greater than 6000 cm 2 and at the same time good irradiation density can only be produced at high cost.
さらには、乾燥ゾーン及び焼結ゾーンの面積が、総面積のできるだけ大部分を占めることが基本的に望ましい。従って、効果的な乾燥プロセスのためには、乾燥ゾーン及び焼結ゾーンが総面積の少なくとも30%であると有利であることが判明している。基材と放射器モジュールとが互いに相対移動可能であるので、基材の有効な照射期間は、乾燥ゾーン又は焼結ゾーンの面積に依存している。ゾーンの面積が大きければ、基材の照射にかかる時間が長くなる。効果的な乾燥プロセス及び焼結プロセスを保証するために、照射期間を適合させることができる。このことは、乾燥ゾーン及び焼結ゾーンの面積を適切に選択することによって実施することができる。乾燥ゾーン/焼結ゾーンが、総面積の35%と65%の間の範囲の面積を有する場合には、乾燥ゾーンの照射期間と焼結ゾーンの照射期間の比率を、1:2と2:1の間の範囲に適合することができる。 Furthermore, it is basically desirable that the areas of the drying and sintering zones occupy as much of the total area as possible. Thus, it has been found advantageous for an effective drying process that the drying and sintering zones are at least 30% of the total area. Since the substrate and the radiator module are movable relative to each other, the effective irradiation period of the substrate depends on the area of the drying or sintering zone. If the area of the zone is large, the time required for irradiation of the substrate becomes longer. The irradiation period can be adapted to ensure an effective drying and sintering process. This can be done by appropriate selection of the areas of the drying and sintering zones. If the drying / sintering zone has an area in the range between 35% and 65% of the total area, the ratio of the irradiation period of the drying zone to the irradiation period of the sintering zone is 1: 2 and 2: A range between 1 can be accommodated.
前記乾燥ゾーンと前記焼結ゾーンとが同じ面積を有していると有利であることが判明している。 It has proved advantageous if the drying zone and the sintering zone have the same area.
乾燥ゾーンと焼結ゾーンとが同じ面積を有する場合には、これら2つのゾーンにおいて基材の有効な照射を同等の期間に亘って保証することができる。 If the drying zone and the sintering zone have the same area, effective irradiation of the substrate in these two zones can be ensured over an equivalent period.
前記乾燥ゾーンは、前記中心軸線に沿って、50kW/m2より低い平均照射密度を有することが好ましい。 The drying zone preferably has an average irradiation density of less than 50 kW / m 2 along the central axis.
平均照射密度が50kW/m2より高い場合には、乾燥ゾーンにおいて既に焼結プロセスが開始されてしまい、これによって焼結結果が阻害されるおそれがある。 If the average irradiation density is higher than 50 kW / m 2 , the sintering process has already begun in the drying zone, which may impair the sintering result.
前記焼結ゾーンが、前記中心軸線に沿って、50kW/m2より高い照射密度を有していると有利であることが判明している。 It has proved advantageous if the sintering zone has an irradiation density higher than 50 kW / m 2 along the central axis.
50kW/m2より高い照射密度は、金属粒子を焼結するために適している。 An irradiation density higher than 50 kW / m 2 is suitable for sintering metal particles.
本発明の方法の好ましい実施形態では、前記放射器モジュールは、30kW/m2から250kW/m2の範囲の平均照射密度を有する照射野を照射するために設計されている。 In a preferred embodiment of the method of the invention, the radiator module is designed for irradiating a field having an average irradiation density in the range of 30 kW / m 2 to 250 kW / m 2 .
照射野に関連する平均照射密度は、装置のエネルギ効率に影響を与える。照射野全体に関して、基本的にできるだけ低い照射密度が望ましい。しかしながら30kW/m2より低い平均照射密度は、金属含有インクを焼結するためには限定的にしか適さない。250kW/m2より高い照射密度は、装置のエネルギ効率を阻害する。 The average irradiation density associated with the field affects the energy efficiency of the device. For the entire irradiation field, an irradiation density as low as possible is basically desirable. However, average irradiation densities below 30 kW / m 2 are only limitedly suitable for sintering metal-containing inks. An irradiation density higher than 250 kW / m 2 hinders the energy efficiency of the device.
前記放射器モジュールが、冷却要素、好ましくは水冷式冷却装置を有し、前記冷却要素が、前記リフレクタの、前記赤外線放射器とは反対側に配置されていると有利であることが判明している。 It has proved to be advantageous if the radiator module has a cooling element, preferably a water-cooled cooling device, and the cooling element is arranged on the opposite side of the reflector from the infrared radiator. Yes.
リフレクタ及び赤外線放射器の過熱は、装置の寿命の短縮に寄与する。冷却要素、特に水冷式冷却装置によって、赤外線放射器及びリフレクタの有効な冷却が可能となる。さらには、プリンテッドエレクトロニクスの製造に使用される基材は、基本的に制限された耐熱性しか有さない。従って、冷却要素によって、基材の過熱及び損傷が回避される。 Overheating of the reflector and the infrared radiator contributes to shortening the life of the device. A cooling element, in particular a water-cooled cooling device, enables effective cooling of the infrared radiator and the reflector. Furthermore, the substrates used for the production of printed electronics basically have only limited heat resistance. Thus, the cooling element avoids overheating and damage to the substrate.
実施例
以下、本発明を、複数の実施例と3つの図面とに基づいてより詳細に説明する。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on a plurality of examples and three drawings.
図1は、全体として参照符号100が付された本発明の装置の第1実施形態を概略的に示す。装置100は、基材103の上の金属含有インクを乾燥及び焼結するために使用される。装置100は、特に、ロールツーロール法で製造されるプリンテッドエレクトロニクス要素においてインクを乾燥及び焼結するために適している。
FIG. 1 schematically shows a first embodiment of the device of the present invention, generally designated by the
装置100は、光放射105を放出するための赤外線放射器102a,102bが中に配置された放射器モジュール101と、リフレクタ107と、放射器モジュール101から放出された放射105の一部を基材103へ反射するためのミラー104とを含む。
The
赤外線放射器102a,102bは、連続運転用に設計されている複管式放射器である。すなわち、これらの赤外線放射器102a,102bは、放射器管長手軸線を有する円筒形の放射器管を有する。赤外線放射器102aは、1200℃の色温度を有する炭素繊維放射器である。各赤外線放射器102aは、乾燥ゾーンに割り当てられており、約1.9μmの波長において放射最大値を有する。赤外線放射器102bは、約2200℃の色温度を有する短波長の赤外線放射器である。各赤外線放射器102bは、実質的に焼結ゾーンを形成するために寄与する。各赤外線放射器102bの放射最大値は、約1.2μmの波長にある。これら2つの形式の赤外線放射器102a,102bは、IR−B放射の放射成分が総放射器出力の30%より多く、かつIR−C範囲の放射成分が総放射器出力の5%より多い放射を放出する。これら2つの形式の赤外線放射器102a,102bはさらに、IR−A範囲と可視範囲とにおいて総放射器出力の10%より多くを放出する。
The
各赤外線放射器102は、放射器モジュール101内にて互いに平行に、かつ搬送方向108に対して垂直に配置されている。
The infrared radiators 102 are arranged in the
互いに隣接する赤外線放射器102aは、相互に55mmの間隔111を有し、互いに隣接する赤外線放射器102bは、相互に38mmの間隔を有する。赤外線放射器102a,102bの放射器下側と基材との間の間隔aは、60mmである。この間隔aは、調整ユニット(図示せず)によって35mmから185mmの範囲に簡単に調節することができる。
The adjacent
放射器モジュール101は、2つの側が屈曲されたケーシング106を有し、このケーシング106は、赤外線放射器に対向する面を備える。この面には、リフレクタ107が被着されている。このリフレクタ107が、1つのベースリフレクタ107aと2つのサイドリフレクタ107b,107cとを含むことにより、赤外線放射器102から放出された赤外線放射の大部分が基材103へと入射することとなる。リフレクタ107は、アルミニウムから製造されており、800nmから5000nmの範囲の波長を有する赤外線放射を反射するために適している。これに代わる実施形態(図示せず)では、アルミニウム、銀、金、銅、ニッケル、又はクロムからなる高反射性被膜がケーシングに被着されている。
The
放射器モジュール101は、基材103の表面上に所定の照射野を照射する。この照射野は、乾燥ゾーン109と、搬送方向108に見て前記乾燥ゾーン109の下流側に配置された焼結ゾーン110とを有する。放射器モジュール101は、約150kW/m2の平均照射密度を有する照射野を照射するために設計されている。照射野は、1800cm2の総面積を有し、乾燥ゾーンの面積と焼結ゾーンの面積は、それぞれ約750cm2である。乾燥ゾーン109の平均照射密度と焼結ゾーン110の平均照射密度は、相異なっている。搬送方向に延在する中心軸線に沿って、乾燥ゾーン109の平均照射密度は50kW/m2であり、焼結ゾーン110の平均照射密度は250kW/m2である。
The
基材103は、膜厚0.1mmのPETからなるプラスチックフィルムであり、このプラスチックフィルムは、搬送装置(図示せず)から放射器モジュール101に向かって搬送方向108に移動される。基材103は、一定の供給速度で移動する。
The
ケーシング106の内部には、リフレクタ107及び赤外線放射器102を冷却するための冷却要素(図示せず)が設けられている。この冷却要素は、水冷式冷却装置である。水冷式冷却装置は、装置の寿命、特に放射器及びリフレクタ膜の寿命を延長させるために寄与する。これに代わる実施形態では、この冷却要素は、空気式冷却装置である。基材103の熱質量は小さいので、この場合の冷却要素は、放射器モジュール101から出る空気流によって基材103が冷却されないように設計されている。このことは例えば、特別な空気導管と側方の空気出口とを備える、赤外線放射器102及びリフレクタ107の空気式冷却装置によって、又は、リフレクタ107の空気還流式冷却装置によって達成される。
Inside the
図2は、金属含有インクを乾燥及び焼結するための本発明の装置において使用される放射器モジュール200を立体図で概略的に示す。
FIG. 2 schematically shows a three-dimensional view of a
放射器モジュール200は、12個の赤外線放射器(図示せず)と、複数のプレート202,203,204から製造されたケーシング201とを含む。放射器モジュール200の外寸は、650mm×450mm×160mm(長さ×幅×高さ)である。さらには、内側リフレクタ205が設けられており、この内側リフレクタ205は、放射器モジュールケーシング201の内側表面に被着されている。内側リフレクタ205は、プレート203,204,208の内側表面を被覆している。端面にはさらに、リフレクタ薄板207が取り付けられている。リフレクタ205によって、特にプレート203,204とリフレクタ薄板207とに被着された側方のリフレクタによって、赤外線放射器によって放出された放射のできるだけ大部分を、基材の照射のために使用することが可能となる。内側リフレクタ205は、赤外線放射器の加熱される範囲に割り当てられている。赤外線放射器の加熱されない端部は、リフレクタ205の範囲から突出している。放射器モジュール200は、600mm×350mm(長さ×幅)の寸法を有する照射野を照射するために設計されている。赤外線放射器の下側は、基材に対して50mmの間隔hを有する。
The
赤外線放射器は、放射器モジュール200によって形成される照射野上の照射プロフィールが乾燥ゾーンと焼結ゾーンとを含むように選択されており、かつ放射器モジュール200内に配置されている。赤外線放射器の加熱されない端部は、該赤外線放射器の位置が長手方向Lに調整可能となるように、ひいては照射野の複数の異なる照射プロフィールが設定可能となるように、プレート202に固定されている。
The infrared emitter is selected and disposed within the
ケーシング201の各プレート202,203,204の内部には、内側リフレクタ205及び赤外線放射器を冷却するための、水冷式冷却装置206の形態のそれぞれ1つの冷却要素が配置されている。
Arranged inside each
冷却要素を備えるプレート202,203,204は、種々の方法で製造することができる。例えば、平坦な基板の上にメアンダ形のU字溝を溶接又はろう接することによって製造することができ、又は、平坦な基板の上に半割管を溶接又はろう接することによって製造することができ、又は、基板内にチャネルをフライス削りした後、このチャネル内に銅管を圧入することによって製造することができる。
The
図3は、本発明の装置の第2実施形態の照射強度のレイトレーシング・シミュレーションを示す。線図300には、PETフィルムからなる基材の表面上の、300mm×600mmの寸法を有する照射野における赤外線照射密度が、単位W/mm2で示されている。装置の放射器モジュールへのPETフィルムの搬送方向は、図3では矢印305によって示されている。
FIG. 3 shows the ray tracing simulation of the irradiation intensity of the second embodiment of the apparatus of the present invention. In the diagram 300, the infrared irradiation density in the irradiation field having a dimension of 300 mm × 600 mm on the surface of the substrate made of PET film is shown in units of W / mm 2 . The direction of transport of the PET film to the radiator module of the apparatus is indicated by
このレイトレーシング・シミュレーションは、放射器モジュール200、すなわち350mmの照射幅Bと、600mmの照射長さLと、50.5mmの高さHとを特徴とする放射器モジュール200を基礎としている。
This ray-tracing simulation is based on the
放射器モジュール200には、8つの複管式の赤外線照射器が装備されており、これらのうちの4つは、2×2.725Wの出力を有し(焼結ゾーン)、他の4つは、2×1200Wの出力を有し(乾燥ゾーン)、それぞれ一方のチャネルだけが活性化されている。乾燥ゾーンにおける互いに隣接する赤外線放射器は、相互に70mmの間隔を有し、焼結ゾーンにおける互いに隣接する赤外線放射器は、相互に45mmの間隔を有する。
The
PET表面と放射器下側との間隔は、50mmである。放射器モジュール200の、PETフィルムに対向する面には、金被膜の形態のリフレクタが被着されている。
The distance between the PET surface and the lower side of the radiator is 50 mm. On the surface of the
線図300の横軸301上には、x方向における照射野の寸法が単位mmで示されており、縦軸302は、y方向における照射野の寸法を示している。線図300は、照射野における照射強度の分布をグレースケール表現で示す。
On the
照射野は、搬送方向305に延在する中心軸線304と、該中心軸線304に対して垂直に延在する垂直軸線303とによって、同じ大きさの4つの部分面に区分される。
The irradiation field is divided into four partial surfaces of the same size by a
このレイトレーシング・シミュレーションは、2つの照射ゾーン、すなわち乾燥ゾーン307と焼結ゾーン309とを含む1つの照射野を示す。乾燥ゾーン307は、中心軸線304に沿って、約50kW/m2の平均照射密度を有する。焼結ゾーン309では、中心軸線304に沿った照射密度は、135kW/m2である。
This ray tracing simulation shows one irradiation field including two irradiation zones: a drying zone 307 and a sintering zone 309. The drying zone 307 has an average irradiation density of about 50 kW / m 2 along the
さらに、線図310は、垂直軸線303の方向における照射強度の推移を単位W/mm2で示す。線図311は、中心軸線304に沿った照射強度の推移を示す。
Furthermore, the diagram 310 shows the change in irradiation intensity in the direction of the
実施例
100μmの膜厚を有するポリエチレンナフタレート(PEN)からなるプラスチックフィルムに、インクジェットプリンタ(Dimatix DMP283;液滴間隔25/30μm)を用いて金属含有インクが印刷される。インクとして、有機溶剤中に銀ナノ粒子(20重量%)が分散された分散液が使用される(Suntronic(登録商標)Jet Silver U5603)。
Example A metal-containing ink is printed on a plastic film made of polyethylene naphthalate (PEN) having a thickness of 100 μm by using an ink jet printer (Dimatix DMP283; droplet interval 25/30 μm). As the ink, a dispersion liquid in which silver nanoparticles (20% by weight) are dispersed in an organic solvent is used (Suntronic (registered trademark) Jet Silver U5603).
その後、印刷されたプラスチックフィルムは、円筒形の放射器管を備える2×2個の短波長の赤外線放射器を備える放射器モジュールを含む装置によって乾燥される。放射器管の加熱される長さは、150mmである。放射器管の、被覆とは反対側には、金リフレクタが被着されている。赤外線放射器は、広帯域の波長スペクトルと、2500℃未満の色温度とを有する。赤外線放射器は、4×0.7kWの電力のために設計されている。放射器モジュールの単位面積当たりの出力は、50kW/m2である。放射器とフィルムとの間隔は、約50mmである。フィルムの裏面には、セラボードの放射変換器が配置されている。放射変換器とフィルムの裏面との間隔は、約120mmである。 The printed plastic film is then dried by an apparatus comprising a radiator module with 2 × 2 short wavelength infrared radiators with cylindrical radiator tubes. The heated length of the radiator tube is 150 mm. A gold reflector is deposited on the side of the radiator tube opposite the coating. Infrared emitters have a broad wavelength spectrum and a color temperature of less than 2500 ° C. Infrared radiators are designed for 4 x 0.7 kW power. The output per unit area of the radiator module is 50 kW / m 2 . The distance between the radiator and the film is about 50 mm. On the back side of the film, a Ceraboard radiation converter is arranged. The distance between the radiation converter and the back side of the film is about 120 mm.
フィルムは、インク被膜を乾燥及び焼結するために、搬送方向に放射器モジュールへと4cm/秒のテープ速度で移動される。処理時間は10秒である(参照:温風(140℃)による処理時間は40秒)。 The film is moved in the transport direction to the radiator module at a tape speed of 4 cm / sec to dry and sinter the ink coating. The treatment time is 10 seconds (reference: treatment time with hot air (140 ° C.) is 40 seconds).
焼結された被膜は良好な導電性を有し、その抵抗は3Ωである。 The sintered coating has good conductivity and its resistance is 3Ω.
Claims (10)
前記基材を照射するための複数の光放射器と、前記基材へと放射を反射するためのリフレクタとを有し、
前記放射器と前記基材とは、搬送方向に互いに相対移動可能である、
装置において、
前記光放射器は、円筒形の放射器管と、放射器管長手軸線とを有する赤外線放射器であり、
前記赤外線放射器は、IR−B放射の放射成分が総放射器出力の少なくとも30%であり、かつIR−C放射の放射成分が総放射器出力の少なくとも5%である放射を放出し、
各前記赤外線放射器は、該赤外線放射器の前記放射器管長手軸線が互いに平行となり、かつ前記搬送方向に対して横断方向に延在するように1つの放射器モジュール内に配置されており、
前記基材の表面上に所定の照射野が、乾燥ゾーンと、前記搬送方向に見て前記乾燥ゾーンの下流側に配置された焼結ゾーンとに分割されるように照射され、
前記乾燥ゾーンは、前記搬送方向に延在する中心軸線に沿って、前記焼結ゾーンよりも少なくとも15%だけ低い照射密度に曝されており、
前記装置は、さらに、前記基材に関して前記赤外線放射器とは対向する位置にミラーを有し、前記リフレクタ及び前記ミラーは、前記赤外線放射器から放出された放射の一部を前記基材へと反射するように配置されており、
前記放射器モジュールは、冷却要素を有し、
前記冷却要素は、前記リフレクタの、前記赤外線放射器とは反対側に配置されており、前記赤外線放射器及び前記リフレクタを冷却するように構成されている、
ことを特徴とする、装置。 An apparatus for drying and sintering a metal-containing ink on a substrate,
A plurality of light emitters for illuminating the substrate; and a reflector for reflecting radiation to the substrate;
The radiator and the substrate are movable relative to each other in the transport direction.
In the device
The light radiator is an infrared radiator having a cylindrical radiator tube and a radiator tube longitudinal axis;
The infrared radiator emits radiation whose radiant component of IR-B radiation is at least 30% of the total radiator output and whose radiant component of IR-C radiation is at least 5% of the total radiator output;
Each of the infrared radiators is disposed in one radiator module such that the longitudinal axes of the radiator tubes of the infrared radiator are parallel to each other and extend in a direction transverse to the transport direction;
A predetermined irradiation field is irradiated on the surface of the base material so as to be divided into a drying zone and a sintering zone arranged on the downstream side of the drying zone when viewed in the transport direction,
The drying zone is exposed to an irradiation density at least 15% lower than the sintering zone along a central axis extending in the transport direction;
The apparatus further includes a mirror at a position opposite to the infrared emitter with respect to the substrate, the reflector and the mirror passing a portion of the radiation emitted from the infrared emitter to the substrate. Arranged to reflect ,
The radiator module has a cooling element;
The cooling element is disposed on the opposite side of the reflector from the infrared emitter and is configured to cool the infrared emitter and the reflector;
A device characterized by that.
ことを特徴とする、請求項1記載の装置。 The plurality of infrared radiators include a first type infrared radiator having a radiation maximum in a wavelength range between 1600 nm and 3000 nm, and a second type having a radiation maximum in a wavelength range between 900 nm and 1600 nm. The apparatus according to claim 1, comprising: an infrared radiator.
互いに隣り合う前記第1形式の赤外線放射器の相互の間隔は、互いに隣り合う前記第2形式の赤外線放射器の相互の間隔よりも大きい
ことを特徴とする、請求項2記載の装置。 A plurality of the first type infrared radiators and a plurality of the second type infrared radiators are provided,
3. The apparatus according to claim 2, wherein an interval between the first type infrared radiators adjacent to each other is larger than an interval between the second type infrared radiators adjacent to each other.
ことを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項記載の装置。 4. The device according to claim 1, wherein the infrared radiator emits the radiation continuously.
前記放射スペクトルは、可視範囲とIR−A範囲とにおいて合わせて前記総放射器出力の少なくとも10%の放射成分を有する
ことを特徴とする、請求項1から4のいずれか一項記載の装置。 The infrared radiator has a broadband emission spectrum;
The device according to any one of claims 1 to 4, characterized in that the radiation spectrum has a radiation component of at least 10% of the total radiator output combined in the visible and IR-A ranges.
前記乾燥ゾーンの面積と前記焼結ゾーンの面積とは、それぞれ前記総面積の少なくとも30%である
ことを特徴とする、請求項1から5のいずれか一項記載の装置。 The irradiation field has a total area ranging from 800 cm 2 of 6000 cm 2,
6. The apparatus according to claim 1, wherein the area of the drying zone and the area of the sintering zone are each at least 30% of the total area.
ことを特徴とする、請求項1から6のいずれか一項記載の装置。 The apparatus according to claim 1, wherein the drying zone and the sintering zone have the same area.
ことを特徴とする、請求項1から7のいずれか一項記載の装置。 The apparatus according to any one of claims 1 to 7, characterized in that the drying zone has an average irradiation density of less than 50 kW / m 2 along the central axis.
ことを特徴とする、請求項1から8のいずれか一項記載の装置。 9. A device according to any one of the preceding claims, characterized in that the sintering zone has an average irradiation density higher than 50 kW / m < 2 > along the central axis.
ことを特徴とする、請求項1から9のいずれか一項記載の装置。 The radiator module is characterized in that it is designed for irradiating the irradiation field having an average illumination density in the range of 30 kW / m 2 of 250 kW / m 2, any one of claims 1 9 The device described.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102013104577.4A DE102013104577B3 (en) | 2013-05-03 | 2013-05-03 | Apparatus for drying and sintering metal-containing ink on a substrate |
DE102013104577.4 | 2013-05-03 | ||
PCT/EP2014/057258 WO2014177354A1 (en) | 2013-05-03 | 2014-04-10 | Device for drying and sintering metal-containing ink on a substrate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016518579A JP2016518579A (en) | 2016-06-23 |
JP6161794B2 true JP6161794B2 (en) | 2017-07-12 |
Family
ID=50483362
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016510978A Expired - Fee Related JP6161794B2 (en) | 2013-05-03 | 2014-04-10 | Apparatus for drying and sintering a metal-containing ink on a substrate |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10112237B2 (en) |
EP (1) | EP2992744B1 (en) |
JP (1) | JP6161794B2 (en) |
KR (1) | KR20150139908A (en) |
CN (1) | CN105144852B (en) |
DE (1) | DE102013104577B3 (en) |
WO (1) | WO2014177354A1 (en) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3012858B8 (en) * | 2014-10-24 | 2017-09-27 | Von Ardenne GmbH | Process chamber assembly and method for irradiating a substrate in a process chamber |
KR101889488B1 (en) * | 2016-02-29 | 2018-08-20 | 주식회사 비에스피 | Photonic sintering apparatus of copper particles |
KR101882576B1 (en) * | 2016-06-02 | 2018-07-27 | 한양대학교 산학협력단 | Light sintering device having protecting damage to substrate |
WO2019094026A1 (en) * | 2017-11-10 | 2019-05-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Additive manufacturing build material dose control |
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EP3540302A1 (en) * | 2018-03-15 | 2019-09-18 | Heraeus Noblelight GmbH | Holding device for an electromagnetic radiatior |
KR20210143789A (en) * | 2019-03-25 | 2021-11-29 | 시노비아 테크놀로지스 | Non-equilibrium thermosetting process |
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CN111491475B (en) * | 2020-04-29 | 2021-06-01 | 广东电网有限责任公司东莞供电局 | Electric box with heating function |
DE102020131324A1 (en) | 2020-11-26 | 2022-06-02 | Heraeus Noblelight Gmbh | Infrared radiator and infrared radiation emitting component |
CN112815684B (en) * | 2021-02-02 | 2022-12-09 | 江西春兴新能源有限公司 | Continuous microwave drying process method for solidified polar plate of storage battery |
CN113395837B (en) * | 2021-06-04 | 2022-12-16 | 广东工业大学 | Wet laser forming method for nano metal circuit and structure |
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JPS58142696U (en) | 1982-03-19 | 1983-09-26 | 京都機械株式会社 | Infrared drying equipment for fabrics |
JPS61293572A (en) | 1985-06-21 | 1986-12-24 | Tokiwa Enpitsu Seisakusho:Kk | Continuous ultraviolet ray irradiator for painting and drying pencil |
JPS62221189A (en) | 1986-03-24 | 1987-09-29 | 三菱電機株式会社 | Thick film baking furnace |
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DE102013105959B4 (en) * | 2013-06-07 | 2019-06-19 | Heraeus Noblelight Gmbh | Operating method and apparatus for irradiating a substrate |
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-
2013
- 2013-05-03 DE DE102013104577.4A patent/DE102013104577B3/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-04-10 CN CN201480024890.8A patent/CN105144852B/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-04-10 KR KR1020157031489A patent/KR20150139908A/en not_active Ceased
- 2014-04-10 WO PCT/EP2014/057258 patent/WO2014177354A1/en active Application Filing
- 2014-04-10 EP EP14717121.9A patent/EP2992744B1/en active Active
- 2014-04-10 JP JP2016510978A patent/JP6161794B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-04-10 US US14/787,718 patent/US10112237B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105144852A (en) | 2015-12-09 |
CN105144852B (en) | 2018-12-11 |
US10112237B2 (en) | 2018-10-30 |
DE102013104577B3 (en) | 2014-07-24 |
JP2016518579A (en) | 2016-06-23 |
US20160074941A1 (en) | 2016-03-17 |
WO2014177354A1 (en) | 2014-11-06 |
EP2992744B1 (en) | 2019-06-05 |
EP2992744A1 (en) | 2016-03-09 |
KR20150139908A (en) | 2015-12-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161024 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161031 |
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A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170120 |
|
A02 | Decision of refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170516 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20170524 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170605 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170613 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6161794 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |