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JP6150440B2 - ヌクレオシド類縁体の製造中間体及びその製造方法 - Google Patents

ヌクレオシド類縁体の製造中間体及びその製造方法 Download PDF

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JP6150440B2 JP2014521453A JP2014521453A JP6150440B2 JP 6150440 B2 JP6150440 B2 JP 6150440B2 JP 2014521453 A JP2014521453 A JP 2014521453A JP 2014521453 A JP2014521453 A JP 2014521453A JP 6150440 B2 JP6150440 B2 JP 6150440B2
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Description

本発明は、安定で優れたアンチセンス若しくはアンチジーン活性、又は、特定遺伝子の検出薬（プローブ）若しくは増幅開始のためのプライマーとして優れた活性を有するオリゴヌクレオチド類縁体の製造中間体であるヌクレオシド類縁体の新規製造中間体およびその製造方法に関する。
特許文献１には、安定で優れたアンチセンス若しくはアンチジーン活性、又は、特定遺伝子の検出薬（プローブ）若しくは増幅開始のためのプライマーとして優れた活性を有するオリゴヌクレオチド類縁体及びその製造中間体であるヌクレオシド類縁体
が記載されており、そのヌクレオシド類縁体の製造方法として、Ａ−３工程及びＡ−４工程が記載されている。
しかし、特許文献１に具体的に記載されているのはＲ７がｐ−トルエンスルホニルオキシ基である例のみであり、シリル系保護基に関する記載はない。特許文献１に記載の製造方法は、特に、核酸塩基が２−イソブチリルアミノ−６−ヒドロキシプリン−９−イル基である場合は反応収率が著しく低下するという欠点を有している（参考例１５及び実施例２４の２工程で収率６％）。また、他の核酸塩基であっても、例えば６−ベンゾイルアミノプリン−９−イル基である場合に、Ａ−３工程の収率が５２％と低く、工業的に満足できるものとはいえない。
特許文献２には、２’位及び４’位をＮＨＣＯＣＨ２基で架橋したヌクレオシド類縁体が記載されており、実施例５（６）には、化合物３９から化合物４０を合成する工程が開示されている。
特開２０００−２９７０９７号公報 国際公開番号ＷＯ２０１１／０５２４３６Ａ１号パンフレット
そこで発明者等は、上記の問題点を解決するため種々検討を行った結果、特定の保護基を有する製造中間体を用いることにより、核酸塩基の種類を問わず反応収率を向上できることを見出し、本発明を完成した。
本発明の製造方法は、下記一般式
［式中、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、同一又は異なって、水素原子、水酸基、保護された水酸基、炭素数１乃至４個のアルコキシ基、メルカプト基、保護されたメルカプト基、炭素数１乃至４個のアルキルチオ基、アミノ基、保護されたアミノ基、炭素数１乃至４個のアルキル基で置換されたアミノ基、炭素数１乃至４個のアルキル基又はハロゲン原子を示す。］で表される化合物をトリメチルシリル化剤と反応させて得られたトリメチルシリル化化合物と、下記一般式
［式中、Ｘ、Ｙ及びＺは、同一又は異なって、水酸基の保護基を示し、Ａは、炭素数１乃至４個のアルキレン基を示し、Ｒは、シリル系保護基を示す。］で表される化合物又はその塩とを反応させて、下記一般式
［式中、Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ａ、及びＲは前記と同意義を示し、Ｂはプリン−９−イル基又は下記α群から選択される置換基を有する置換プリン−９−イル基を示す。］で表される化合物又はその塩を製造する方法である。
α群は、水酸基、保護された水酸基、炭素数１乃至４個のアルコキシ基、メルカプト基、保護されたメルカプト基、炭素数１乃至４個のアルキルチオ基、アミノ基、保護されたアミノ基、炭素数１乃至４個のアルキル基で置換されたアミノ基、炭素数１乃至４個のアルキル基、及び、ハロゲン原子からなる群である。
本発明の化合物は、上記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物及びその塩である。
また、本発明の製造方法は、下記一般式
［式中、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、前記と同意義を示す。］で表される化合物をトリメチルシリル化剤と反応させて得られたトリメチルシリル化化合物と、下記一般式
［式中、Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ａ及びＲは、前記と同意義を示す。］で表される化合物又はその塩とを反応させて、下記一般式
［式中、Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ａ、Ｒ及びＢは前記と同意義を示す。］で表される化合物又はその塩を製造する工程を含む、下記一般式
［式中、Ｘ、Ｙ、Ａ及びＢは前記と同意義を示す。］で表される化合物又はその塩を製造する方法である。
本発明において、Ａの「炭素数１乃至４個のアルキレン基」は、例えば、メチレン、エチレン、トリメチレン又はテトラメチレン基であり得、好適には、メチレン又はエチレン基であり、より好適には、メチレン基である。
本発明において、Ｘ、Ｙ及びＺの「水酸基の保護基」、並びにα群の「保護された水酸基」の保護基は、加水素分解、加水分解、電気分解及び光分解のような化学的方法又は人体内で加水分解等の生物学的方法により開裂し得る保護基のことをいい、そのような保護基としては、例えば、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、ペンタノイル、ピバロイル、バレリル、イソバレリル、オクタノイル、ノナノイル、デカノイル、３−メチルノナノイル、８−メチルノナノイル、３−エチルオクタノイル、３，７−ジメチルオクタノイル、ウンデカノイル、ドデカノイル、トリデカノイル、テトラデカノイル、ペンタデカノイル、ヘキサデカノイル、１−メチルペンタデカノイル、１４−メチルペンタデカノイル、１３，１３−ジメチルテトラデカノイル、ヘプタデカノイル、１５−メチルヘキサデカノイル、オクタデカノイル、１−メチルヘプタデカノイル、ノナデカノイル、アイコサノイル及びヘナイコサノイルのようなアルキルカルボニル基、スクシノイル、グルタロイル、アジポイルのようなカルボキシ化アルキルカルボニル基、クロロアセチル、ジクロロアセチル、トリクロロアセチル、トリフルオロアセチルのようなハロゲノ低級アルキルカルボニル基、メトキシアセチルのような低級アルコキシ低級アルキルカルボニル基、（Ｅ）−２−メチル−２−ブテノイルのような不飽和アルキルカルボニル基のような「脂肪族アシル基」；ベンゾイル、α−ナフトイル、β−ナフトイルのようなアリールカルボニル基、２−ブロモベンゾイル、４−クロロベンゾイルのようなハロゲノアリールカルボニル基、２，４，６−トリメチルベンゾイル、４−トルオイルのような低級アルキル化アリールカルボニル基、４−アニソイルのような低級アルコキシ化アリールカルボニル基、２−カルボキシベンゾイル、３−カルボキシベンゾイル、４−カルボキシベンゾイルのようなカルボキシ化アリールカルボニル基、４−ニトロベンゾイル、２−ニトロベンゾイルのようなニトロ化アリールカルボニル基；２−（メトキシカルボニル）ベンゾイルのような低級アルコキシカルボニル化アリールカルボニル基、４−フェニルベンゾイルのようなアリール化アリールカルボニル基のような「芳香族アシル基」；テトラヒドロピラン−２−イル、３−ブロモテトラヒドロピラン−２−イル、４−メトキシテトラヒドロピラン−４−イル、テトラヒドロチオピラン−２−イル、４−メトキシテトラヒドロチオピラン−４−イルのような「テトラヒドロピラニル又はテトラヒドロチオピラニル基」；テトラヒドロフラン−２−イル、テトラヒドロチオフラン−２−イルのような「テトラヒドロフラニル又はテトラヒドロチオフラニル基」；メトキシメチル、１，１−ジメチル−１−メトキシメチル、エトキシメチル、プロポキシメチル、イソプロポキシメチル、ブトキシメチル、ｔ−ブトキシメチルのような「低級アルコキシメチル基」；２−メトキシエトキシメチルのような「低級アルコキシ化低級アルコキシメチル基」；２，２，２−トリクロロエトキシメチル、ビス（２−クロロエトキシ）メチルのような「ハロゲノ低級アルコキシメチル」；１−エトキシエチル、１−（イソプロポキシ）エチルのような「低級アルコキシ化エチル基」；２，２，２−トリクロロエチルのような「ハロゲン化エチル基」；ベンジル、α−ナフチルメチル、β−ナフチルメチル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル、α−ナフチルジフェニルメチル、９−アンスリルメチルのような「１乃至３個のアリール基で置換されたメチル基」；４−メチルベンジル、２，４，６−トリメチルベンジル、３，４，５−トリメチルベンジル、４−メトキシベンジル、４−メトキシフェニルジフェニルメチル、４，４’−ジメトキシトリフェニルメチル、２−ニトロベンジル、４−ニトロベンジル、４−クロロベンジル、４−ブロモベンジル、４−シアノベンジルのような「低級アルキル、低級アルコキシ、ハロゲン、シアノ基でアリール環が置換された１乃至３個のアリール基で置換されたメチル基」；メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、イソブトキシカルボニルのような「低級アルコキシカルボニル基」；２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル、のような「ハロゲンで置換された低級アルコキシカルボニル基」；ビニルオキシカルボニル、アリールオキシカルボニルのような「アルケニルオキシカルボニル基」又は、ベンジルオキシカルボニル、４−メトキシベンジルオキシカルボニル、３，４−ジメトキシベンジルオキシカルボニル、２−ニトロベンジルオキシカルボニル、４−ニトロベンジルオキシカルボニルのような１又は２個の「低級アルコキシ又はニトロ基でアリール環が置換されていてもよいアラルキルオキシカルボニル基」であり得、Ｘ及びＹの「水酸基の保護基」においては、好適には、「１乃至３個のアリール基で置換されたメチル基」又は「低級アルキル、低級アルコキシ、ハロゲン、シアノ基でアリール環が置換された１乃至３個のアリール基で置換されたメチル基」であり、より好適には、ベンジル、β−ナフチルメチル、ｐ−メトキシベンジル、ジメトキシトリチル又はモノメトキシトリチル基であり、Ｚの「水酸基の保護基」においては、好適には、炭素数２乃至４個の脂肪族アシル基（例えば、アセチル、プロピオニル又はブチリル基）であり、より好適には、アセチル基であり、α群の「保護された水酸基」においては、好適には、「ニトロ化アリール基で置換されたエチル基」又は「アリール化アミノカルボニル基」であり、より好適には、１−（４−ニトロフェニル）エチル基又はジフェニルアミノカルボニル基である。
本発明において、Ｒの「シリル系保護基」は、トリメチルシリル、トリエチルシリル、イソプロピルジメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、メチルジイソプロピルシリル、メチルジ−ｔ−ブチルシリル、トリイソプロピルシリルのようなトリ低級アルキルシリル基；又は、ジフェニルメチルシリル、ジフェニルブチルシリル、ジフェニルイソプロピルシリル、ｔ−ブチルジフェニルシリル、フェニルジイソプロピルシリルのようなモノアリールジ低級アルキルシリル若しくはジアリールモノ低級アルキルシリル基のような「シリル系保護基」であり得、好適には、モノアリールジ低級アルキルシリル若しくはジアリールモノ低級アルキルシリル基であり、より好適には、ｔ−ブチルジフェニルシリル基である。
本発明において、α群の「炭素数１乃至４個のアルコキシ基」は、例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、イソブトキシ、ｓ−ブトキシ又はｔ−ブトキシ基であり得、好適には、メトキシ又はエトキシ基である。
本発明において、α群の「保護されたメルカプト基」の保護基は、例えば、上記水酸基の保護基としてあげたものの他、メチルチオ、エチルチオ、ｔ−ブチルチオのようなアルキルチオ基、ベンジルチオのようなアリールチオ基等の「ジスルフィドを形成する基」であり得、好適には、「脂肪族アシル基」又は「芳香族アシル基」であり、さらに、好適には、ベンゾイル基である。
本発明において、α群の「炭素数１乃至４個のアルキルチオ基」は、例えば、メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブチルチオ、イソブチルチオ、ｓ−ブチルチオ又はｔ−ブチルチオ基であり得、好適には、メチルチオ又はエチルチオ基である。
本発明において、α群の「保護されたアミノ基」の保護基は、例えば、ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、ペンタノイル、ピバロイル、バレリル、イソバレリル、オクタノイル、ノナノイル、デカノイル、３−メチルノナノイル、８−メチルノナノイル、３−エチルオクタノイル、３，７−ジメチルオクタノイル、ウンデカノイル、ドデカノイル、トリデカノイル、テトラデカノイル、ペンタデカノイル、ヘキサデカノイル、１−メチルペンタデカノイル、１４−メチルペンタデカノイル、１３，１３−ジメチルテトラデカノイル、ヘプタデカノイル、１５−メチルヘキサデカノイル、オクタデカノイル、１−メチルヘプタデカノイル、ノナデカノイル、アイコサノイル及びヘナイコサノイルのようなアルキルカルボニル基、スクシノイル、グルタロイル、アジポイルのようなカルボキシ化アルキルカルボニル基、クロロアセチル、ジクロロアセチル、トリクロロアセチル、トリフルオロアセチルのようなハロゲノ低級アルキルカルボニル基、メトキシアセチルのような低級アルコキシ低級アルキルカルボニル基、フェノキシアセチル基のようなアリールオキシ低級アルキルカルボニル基、４−（ｔ−ブチル）フェノキシアセチル基のようなアリールオキシ低級アルキルカルボニル基、（Ｅ）−２−メチル−２−ブテノイルのような不飽和アルキルカルボニル基等の「脂肪族アシル基」；ベンゾイル、α−ナフトイル、β−ナフトイルのようなアリールカルボニル基、２−ブロモベンゾイル、４−クロロベンゾイルのようなハロゲノアリールカルボニル基、２，４，６−トリメチルベンゾイル、４−トルオイルのような低級アルキル化アリールカルボニル基、４−アニソイルのような低級アルコキシ化アリールカルボニル基、２−カルボキシベンゾイル、３−カルボキシベンゾイル、４−カルボキシベンゾイルのようなカルボキシ化アリールカルボニル基、４−ニトロベンゾイル、２−ニトロベンゾイルのようなニトロ化アリールカルボニル基、２−（メトキシカルボニル）ベンゾイルのような低級アルコキシカルボニル化アリールカルボニル基、４−フェニルベンゾイルのようなアリール化アリールカルボニル基、等の「芳香族アシル基」；メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、イソブトキシカルボニルのような「低級アルコキシカルボニル基」；２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル、２−トリメチルシリルエトキシカルボニルのような「ハロゲン又はトリ低級アルキルシリル基で置換された低級アルコキシカルボニル基」；ビニルオキシカルボニル、アリールオキシカルボニルのような「アルケニルオキシカルボニル基」；ベンジルオキシカルボニル、４−メトキシベンジルオキシカルボニル、３，４−ジメトキシベンジルオキシカルボニル、２−ニトロベンジルオキシカルボニル、４−ニトロベンジルオキシカルボニルのような１又は２個の「低級アルコキシ又はニトロ基でアリール環が置換されていてもよいアラルキルオキシカルボニル基」であり得、好適には、「脂肪族アシル基」又は、「芳香族アシル基」であり、より好適には、イソブチリル又はベンゾイル基であり、最も好適には、イソブチリル基である。
本発明において、α群の「炭素数１乃至４個のアルキル基で置換されたアミノ基」は、例えば、メチルアミノ、エチルアミノ、プロピルアミノ、イソプロピルアミノ、ブチルアミノ、イソブチルアミノ、ｓ−ブチルアミノ、ｔ−ブチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジプロピルアミノ、ジイソプロピルアミノ、ジブチルアミノ、ジイソブチルアミノ、ジ（ｓ−ブチル）アミノ又はジ（ｔ−ブチル）アミノ基であり得、好適には、メチルアミノ、エチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノまたはジイソプロピルアミノ基である。
本発明において、α群の「炭素数１乃至４個のアルキル基」は、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル又はｔ−ブチルであり得、好適には、メチル又はエチル基である。
本発明において、α群の「ハロゲン原子」は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子であり、好適には、フッ素原子又は塩素原子である。
本発明において、Ｂの「プリン−９−イル基」及び「置換プリン−９−イル基」全体で、好適な基は、６−アミノプリン−９−イル（すなわち、アデニニル）、アミノ基が保護された６−アミノプリン−９−イル、２，６−ジアミノプリン−９−イル、２−アミノ−６−クロロプリン−９−イル、アミノ基が保護された２−アミノ−６−クロロプリン−９−イル、２−アミノ−６−フルオロプリン−９−イル、アミノ基が保護された２−アミノ−６−フルオロプリン−９−イル、２−アミノ−６−ブロモプリン−９−イル、アミノ基が保護された２−アミノ−６−ブロモプリン−９−イル、２−アミノ−６−ヒドロキシプリン−９−イル（すなわち、グアニニル）、アミノ基が保護された２−アミノ−６−ヒドロキシプリン−９−イル、アミノ基及び水酸基が保護された２−アミノ−６−ヒドロキシプリン−９−イル、６−アミノ−２−メトキシプリン−９−イル、６−アミノ−２−クロロプリン−９−イル、６−アミノ−２−フルオロプリン−９−イル、２，６−ジメトキシプリン−９−イル、２，６−ジクロロプリン−９−イル又は６−メルカプトプリン−９−イル基であり、より好適には、６−ベンゾイルアミノプリン−９−イル、アデニニル、２−イソブチリルアミノ−６−ヒドロキシプリン−９−イル又はグアニニル基である。
本発明において、「その塩」は、化合物（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）は塩にすることができるのでその塩をいい、そのような塩は、好適にはナトリウム塩、カリウム塩、リチウム塩のようなアルカリ金属塩、カルシウム塩、マグネシウム塩のようなアルカリ土類金属塩、アルミニウム塩、鉄塩、亜鉛塩、銅塩、ニッケル塩、コバルト塩等の金属塩；アンモニウム塩のような無機塩、ｔ−オクチルアミン塩、ジベンジルアミン塩、モルホリン塩、グルコサミン塩、フェニルグリシンアルキルエステル塩、エチレンジアミン塩、Ｎ−メチルグルカミン塩、グアニジン塩、ジエチルアミン塩、トリエチルアミン塩、ジシクロヘキシルアミン塩、Ｎ，Ｎ’−ジベンジルエチレンジアミン塩、クロロプロカイン塩、プロカイン塩、ジエタノールアミン塩、Ｎ−ベンジル−フェネチルアミン塩、ピペラジン塩、テトラメチルアンモニウム塩、トリス（ヒドロキシメチル）アミノメタン塩のような有機塩等のアミン塩；弗化水素酸塩、塩酸塩、臭化水素酸塩、沃化水素酸塩のようなハロゲン原子化水素酸塩、硝酸塩、過塩素酸塩、硫酸塩、燐酸塩等の無機酸塩；メタンスルホン酸塩、トリフルオロメタンスルホン酸塩、エタンスルホン酸塩のような低級アルカンスルホン酸塩、ベンゼンスルホン酸塩、ｐ−トルエンスルホン酸塩のようなアリ−ルスルホン酸塩、酢酸塩、りんご酸塩、フマ−ル酸塩、コハク酸塩、クエン酸塩、酒石酸塩、蓚酸塩、マレイン酸塩等の有機酸塩；又は、グリシン塩、リジン塩、アルギニン塩、オルニチン塩、グルタミン酸塩、アスパラギン酸塩のようなアミノ酸塩であり得る。
本発明の製造方法において、好適には次の通りである。
（１）Ｘが、１乃至３個のアリール基で置換されたメチル基、又は、低級アルキル、低級アルコキシ、ハロゲン若しくはシアノ基でアリール環が置換された１乃至３個のアリール基で置換されたメチル基である製造方法。
（２）Ｘが、ベンジル基、ｐ−メトキシベンジル基、ジメトキシトリチル基又はモノメトキシトリチル基である製造方法。
（３）Ｙが、１乃至３個のアリール基で置換されたメチル基、又は、低級アルキル、低級アルコキシ、ハロゲン若しくはシアノ基でアリール環が置換された１乃至３個のアリール基で置換されたメチル基である製造方法。
（４）Ｙが、ベンジル基、β−ナフチルメチル基又はｐ−メトキシベンジル基である製造方法。
（５）Ｚが、炭素数２乃至４個の脂肪族アシル基である製造方法。
（６）Ｚが、アセチル基である製造方法。
（７）Ａが、メチレン基又はエチレン基である製造方法。
（８）Ａが、メチレン基である製造方法。
（９）Ｂが、６−アミノプリン−９−イル（すなわち、アデニニル）、アミノ基が保護された６−アミノプリン−９−イル、２，６−ジアミノプリン−９−イル、２−アミノ−６−クロロプリン−９−イル、アミノ基が保護された２−アミノ−６−クロロプリン−９−イル、２−アミノ−６−フルオロプリン−９−イル、アミノ基が保護された２−アミノ−６−フルオロプリン−９−イル、２−アミノ−６−ブロモプリン−９−イル、アミノ基が保護された２−アミノ−６−ブロモプリン−９−イル、２−アミノ−６−ヒドロキシプリン−９−イル（すなわち、グアニニル）、アミノ基が保護された２−アミノ−６−ヒドロキシプリン−９−イル、アミノ基及び水酸基が保護された２−アミノ−６−ヒドロキシプリン−９−イル、６−アミノ−２−メトキシプリン−９−イル、６−アミノ−２−クロロプリン−９−イル、６−アミノ−２−フルオロプリン−９−イル、２，６−ジメトキシプリン−９−イル、２，６−ジクロロプリン−９−イル又は６−メルカプトプリン−９−イル基である製造方法。
（１０）Ｂが、６−ベンゾイルアミノプリン−９−イル、アデニニル、２−イソブチリルアミノ−６−ヒドロキシプリン−９−イル又はグアニニル基である製造方法。
（１１）Ｒが、トリ低級アルキルシリル基又はモノアリールジ低級アルキルシリル若しくはジアリールモノ低級アルキルシリル基である製造方法。
（１２）Ｒが、モノアリールジ低級アルキルシリル若しくはジアリールモノ低級アルキルシリル基である製造方法。
（１３）Ｒが、ｔ−ブチルジフェニルシリル基である製造方法。
上記（１）及び（２）、（３）及び（４）、（５）及び（６）、（７）及び（８）、（９）及び（１０）、又は、（１１）乃至（１３）は、番号が大きくなるに従って、より好適な製造方法を示し、本発明の製造方法において、Ｘを（１）及び（２）から任意に選択し、Ｙを（３）及び（４）から任意に選択し、Ｚを（５）及び（６）から任意に選択し、Ａを（７）及び（８）から任意に選択し、Ｂを（９）及び（１０）から任意に選択し、Ｒを（１１）乃至（１３）から任意に選択し、又、これらを任意に組み合わせて得られた製造方法も好適である。
本発明化合物（ＩＩＩ）において、好適には次の通りである。
（１）Ｘが、１乃至３個のアリール基で置換されたメチル基、又は、低級アルキル、低級アルコキシ、ハロゲン若しくはシアノ基でアリール環が置換された１乃至３個のアリール基で置換されたメチル基である化合物及びその塩。
（２）Ｘが、ベンジル基、ｐ−メトキシベンジル基、ジメトキシトリチル基又はモノメトキシトリチル基である化合物及びその塩。
（３）Ｙが、１乃至３個のアリール基で置換されたメチル基、又は、低級アルキル、低級アルコキシ、ハロゲン若しくはシアノ基でアリール環が置換された１乃至３個のアリール基で置換されたメチル基である化合物及びその塩。
（４）Ｙが、ベンジル基、β−ナフチルメチル基又はｐ−メトキシベンジル基である化合物及びその塩。
（５）Ｚが、炭素数２乃至４個の脂肪族アシル基である化合物及びその塩。
（６）Ｚが、アセチル基である化合物及びその塩。
（７）Ａが、メチレン基又はエチレン基である化合物及びその塩。
（８）Ａが、メチレン基である化合物及びその塩。
（９）Ｂが、６−アミノプリン−９−イル（すなわち、アデニニル）、アミノ基が保護された６−アミノプリン−９−イル、２，６−ジアミノプリン−９−イル、２−アミノ−６−クロロプリン−９−イル、アミノ基が保護された２−アミノ−６−クロロプリン−９−イル、２−アミノ−６−フルオロプリン−９−イル、アミノ基が保護された２−アミノ−６−フルオロプリン−９−イル、２−アミノ−６−ブロモプリン−９−イル、アミノ基が保護された２−アミノ−６−ブロモプリン−９−イル、２−アミノ−６−ヒドロキシプリン−９−イル（すなわち、グアニニル）、アミノ基が保護された２−アミノ−６−ヒドロキシプリン−９−イル、アミノ基及び水酸基が保護された２−アミノ−６−ヒドロキシプリン−９−イル、６−アミノ−２−メトキシプリン−９−イル、６−アミノ−２−クロロプリン−９−イル、６−アミノ−２−フルオロプリン−９−イル、２，６−ジメトキシプリン−９−イル、２，６−ジクロロプリン−９−イル又は６−メルカプトプリン−９−イル基である化合物及びその塩。
（１０）Ｂが、６−ベンゾイルアミノプリン−９−イル、アデニニル、２−イソブチリルアミノ−６−ヒドロキシプリン−９−イル又はグアニニル基である化合物及びその塩。
（１１）Ｒが、トリ低級アルキルシリル基又はモノアリールジ低級アルキルシリル若しくはジアリールモノ低級アルキルシリル基である化合物及びその塩。
（１２）Ｒが、モノアリールジ低級アルキルシリル若しくはジアリールモノ低級アルキルシリル基である化合物及びその塩。
（１３）Ｒが、ｔ−ブチルジフェニルシリル基である化合物及びその塩。
上記（１）及び（２）、（３）及び（４）、（５）及び（６）、（７）及び（８）、（９）及び（１０）、又は、（１１）乃至（１３）は、番号が大きくなるに従って、より好適な化合物を示し、本発明の製造中間体において、Ｘを（１）及び（２）から任意に選択し、Ｙを（３）及び（４）から任意に選択し、Ｚを（５）及び（６）から任意に選択し、Ａを（７）及び（８）から任意に選択し、Ｂを（９）及び（１０）から任意に選択し、Ｒを（１１）乃至（１３）から任意に選択し、又、これらを任意に組み合わせて得られた化合物及びその塩も好適であり、特に好適には、２’−Ｏ−アセチル−３’，５’−ジ−Ｏ−ベンジル−４’−（２−ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシエチル）−６−Ｎ−ベンゾイルアデノシン、２’−Ｏ−アセチル−３’，５’−ジ−Ｏ−ベンジル−４’−（２−ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシエチル）−２−Ｎ−イソブチリルグアノシン及びその塩である。最も好適には、２’−Ｏ−アセチル−３’，５’−ジ−Ｏ−ベンジル−４’−（２−ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシエチル）−２−Ｎ−イソブチリルグアノシン及びその塩である。
化合物（ＩＶｂ）は、プリン、又は、水酸基、保護された水酸基、炭素数１乃至４個のアルコキシ基、メルカプト基、保護されたメルカプト基、炭素数１乃至４個のアルキルチオ基、アミノ基、保護されたアミノ基、炭素数１乃至４個のアルキル基で置換されたアミノ基、炭素数１乃至４個のアルキル基、及び、ハロゲン原子からなる群から選択される置換基を有してもよい、置換プリンであり、好適には下記群から選択される化合物及びその塩である。
（化合物群）
アミノ基が保護されたアデニン、アミノ基が保護されたグアニン及びその塩であり、好適には、アミノ基が「脂肪族アシル基」又は「芳香族アシル基」で保護されたアデニン、アミノ基が「脂肪族アシル基」又は「芳香族アシル基」で保護されたグアニン及びその塩であり、より好適には、Ｎ６−ベンゾイルアデニン、Ｎ６−アセチルアデニン、Ｎ６−フェノキシアセチルアデニン、Ｎ６−（ｔ−ブチル）フェノキシアセチルアデニン、Ｎ２−イソブチリルグアニン、Ｎ２−アセチルグアニン、Ｎ２−フェノキシアセチルグアニン、Ｎ２−（ｔ−ブチル）フェノキシアセチルグアニン、及びその塩であり、さらにより好適には、Ｎ６−ベンゾイルアデニン、Ｎ２−イソブチリルグアニン、及びその塩である。
本発明におけるトリメチルシリル化化合物は、化合物（ＩＶｂ）をトリメチルシリル化剤と反応させて製造される化合物であり、化合物（ＩＶｂ）の中にある、アミノ基またはヘテロ環上の窒素原子に結合している水素原子、及び/又は水酸基上の酸素原子に結合している水素原子に代わってトリメチルシリル基が結合したものである。トリメチルシリル化化合物は、比較的不安定なため、単離することはせずに次の反応に用いる。好適にはアミノ基が「脂肪族アシル基」又は「芳香族アシル基」で保護されたアデニン、又は、アミノ基が「脂肪族アシル基」又は「芳香族アシル基」で保護されたグアニン中のアミノ基またはヘテロ環上の窒素原子に結合している水素原子、及び/又は水酸基上の酸素原子に結合している水素原子に代わってトリメチルシリル基が結合した化合物及びその塩であり、さらに好適には、Ｎ６−ベンゾイルアデニン、Ｎ６−アセチルアデニン、Ｎ６−フェノキシアセチルアデニン、Ｎ６−（ｔ−ブチル）フェノキシアセチルアデニン、Ｎ２−イソブチリルグアニン、Ｎ２−アセチルグアニン、Ｎ２−フェノキシアセチルグアニン、又は、Ｎ２−（ｔ−ブチル）フェノキシアセチルグアニン中のアミノ基またはヘテロ環上の窒素原子に結合している水素原子、及び/又は水酸基上の酸素原子に結合している水素原子に代わってトリメチルシリル基が結合した化合物及びその塩であり、さらに特に好適には、Ｎ６−ベンゾイルアデニン、又は、Ｎ２−イソブチリルグアニン中のアミノ基またはヘテロ環上の窒素原子に結合している水素原子、及び/又は水酸基上の酸素原子に結合している水素原子に代わってトリメチルシリル基が結合した化合物及びその塩である。
例えば、Ｎ６−ベンゾイル−Ｎ６，Ｎ９−ビス（トリメチルシリル）アデニン又はＯ６，Ｎ２，Ｎ９−トリス（トリメチルシリル）−Ｎ２−イソブチリルグアニンである。
本発明における化合物（ＩＩＩ）、化合物（ＩＶｂ）、又は、化合物（ＩＶｂ）のトリメチルシリル化化合物は、互変異性を有している場合があり得る。これらの化合物の中の下記の部分構造は、いずれの互変異性の構造も本発明に含まれる。
［式中、Ｒ7は、水素、水酸基の保護基、アミノ基の保護基、又は、トリメチルシリル基を表す。］
本発明により、安定で優れたアンチセンス若しくはアンチジーン活性、又は、特定遺伝子の検出薬（プローブ）若しくは増幅開始のためのプライマーとして優れた活性を有するオリゴヌクレオチド類縁体及びその製造中間体であるヌクレオシド類縁体化合物（Ｉ）の製造中間体である化合物（ＩＩＩ）が、核酸塩基の種類を問わず収率よく製造できるようになった。
本発明の製造方法は、化合物（ＩＶｂ）をトリメチルシリル化剤と反応させた後、得られたトリメチルシリル化化合物と化合物（ＩＩ）とを反応させて、化合物（ＩＩＩ）を製造する方法である。
［式中、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ａ、Ｒ及びＢは、前記と同意義を示す。］
（１）化合物（ＩＩ）の製造工程
本工程の出発物質である化合物（ＩＩ）は、特開２０００−２９７０９７号公報に記載のＡ法の（３）の化合物に、不活性溶剤中、塩基触媒存在下、シリル系保護化剤を反応させて製造することができる。
使用されるシリル系保護化剤は、トリメチルシリルクロリド、トリエチルシリルクロリド、イソプロピルジメチルシリルクロリド、ｔ−ブチルジメチルシリルクロリド、メチルジイソプロピルシリルクロリド、メチルジ−ｔ−ブチルシリルクロリド、トリイソプロピルシリルクロリドのようなトリ低級アルキルシリルクロリド類；ジフェニルメチルシリルクロリド、ジフェニルブチルシリルクロリド、ジフェニルイソプロピルシリルクロリド、ｔ−ブチルジフェニルシリルクロリド、フェニルジイソプロピルシリルクロリドのようなモノアリールジ低級アルキルシリル若しくはジアリールモノ低級アルキルシリルクロリド類である。
使用される溶剤は、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレンのような芳香族炭化水素類；メチレンクロリド、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンのようなハロゲン化炭化水素類；アセトニトリル、イソブチロニトリルのようなニトリル類；ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−メチルピロリジノン、ヘキサメチルホスホロトリアミドのようなアミド類；又は、硫化炭素であり得、好適には、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドである。
使用される塩基触媒は、例えば、トリエチルアミン、ピリジン、Ｎ−メチルモルホリン、ＤＢＵ及びイミダゾールのような有機塩基類であり、好適には、イミダゾールである。
反応温度は、使用される原料化合物、溶剤、塩基触媒により異なるが、通常、０℃乃至１００℃であり、好適には、０℃乃至５０℃である。
反応時間は、使用される原料化合物、溶剤、塩基触媒、反応温度により異なるが、通常、０．５時間乃至２４時間であり、好適には、１時間乃至８時間である。
反応終了後、本反応の目的化合物（ＩＩ）は、例えば、反応混合物を濃縮し、水と酢酸エチルのような混和しない有機溶媒を加え、水洗後、目的化合物を含む有機層を分離し、無水硫酸マグネシウム等で乾燥後、溶剤を留去することで得られる。
得られた化合物は、必要ならば、常法、例えば、再結晶、シリカゲルカラムクロマトグラフィー等によって更に精製できる。
（２）トリメチルシリル化化合物の製造工程
本工程に用いられるトリメチルシリル化化合物は、化合物（ＩＶｂ）とトリメチルシリル化剤を反応させて製造することができる。
使用されるトリメチルシリル化剤は、トリメチルシリルクロリド、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド（ＢＳＡ）、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）トリフルオロアセトアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−（トリメチルシリル）トリフルオロアセトアミド、１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、又は、トリフルオロメタンスルホン酸トリメチルシリルであり得、好適には、トリメチルシリルクロリド、又は、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド（ＢＳＡ）である。
使用されるトリメチルシリル化剤は、化合物（ＩＶｂ）の中のＮ−Ｈ基上の窒素原子又は水酸基上の酸素原子に結合している１乃至４つの水素原子の１つの反応点に対して、通常、１乃至１００当量を用い、さらに好適には、２乃至５０当量を用い、さらに特に好適には、５乃至３０当量を用いる。
使用される溶剤は、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレンのような芳香族炭化水素類；メチレンクロリド、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンのようなハロゲン化炭化水素類；アセトニトリル、イソブチロニトリルのようなニトリル類；ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−メチルピロリジノン、ヘキサメチルホスホロトリアミドのようなアミド類；１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）；又は、硫化炭素であり得、好適には、トルエン、又は、アセトニトリル、又は、ＨＭＤＳである。
本工程には、必要に応じて、例えば、トリエチルアミン、ピリジン、Ｎ−メチルモルホリン、ＤＢＵ及びイミダゾールのような有機塩基類を塩基触媒として使用してもよく、好適には、トリエチルアミンである。
反応温度は、使用される原料化合物、溶剤、塩基触媒により異なるが、通常、０℃乃至１８０℃であり、好適には、２０℃乃至１２０℃である。
反応終了後、本反応の目的化合物は、例えば、反応混合物を濃縮し、減圧下乾燥後、そのまま次の工程に用いる。
（３）化合物（ＩＩＩ）の製造工程
本工程は、不活性溶剤中、酸触媒の存在下、前記トリメチルシリル化化合物を前記化合物（ＩＩ）と反応させて、化合物（ＩＩＩ）を製造する工程である。
使用される溶剤は、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレンのような芳香族炭化水素類；メチレンクロリド、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンのようなハロゲン化炭化水素類；アセトニトリル、イソブチロニトリルのようなニトリル類；ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−メチルピロリジノン、ヘキサメチルホスホロトリアミドのようなアミド類；又は、硫化炭素であり得、好適には、芳香族炭化水素類又はニトリル類であり、より好適には、トルエン又はアセトニトリルである。
使用される酸触媒は、例えば、塩化アルミニウム、四塩化すず、四塩化チタン、トリフルオロホウ素、トリフルオロメタンスルホン酸トリメチルシリルのようなルイス酸触媒であり、好適には、トリフルオロメタンスルホン酸トリメチルシリルである。
反応温度は、使用される原料化合物、溶剤、酸触媒により異なるが、通常、０℃乃至１５０℃であり、好適には、７０℃乃至１２０℃である。
反応時間は、使用される原料化合物、溶剤、酸触媒、反応温度により異なるが、通常、０．５時間乃至２４時間であり、好適には、１時間乃至８時間である。
反応終了後、本反応の目的化合物（ＩＩＩ）は、例えば、反応混合物を濃縮し、水と酢酸エチルのような混和しない有機溶媒を加え、水洗後、目的化合物を含む有機層を分離し、無水硫酸マグネシウム等で乾燥後、溶剤を留去することで得られる。
得られた化合物は、必要ならば、常法、例えば、再結晶、シリカゲルカラムクロマトグラフィー等によって更に精製できる。
化合物（ＩＩＩ）を製造する本工程において、化合物（ＩＶｂ）とトリメチルシリル化剤を反応系中に存在させ、トリメチルシリル化された化合物を生成させ、トリメチルシリル化化合物を単離することなく、ワンポットで化合物（ＩＩ）と反応させることもできる。
ワンポット反応で使用されるトリメチルシリル化剤としては、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド（ＢＳＡ）、又は、１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）などがあり、好適には、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミドである。
以下、実施例及び参考例を挙げて本発明を更に詳しく説明する。
（実施例１）
２’−Ｏ−アセチル−３’，５’−ジ−Ｏ−ベンジル−４’−（２−ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシエチル）−６−Ｎ−ベンゾイルアデノシン
（１） ３，５−ジ−Ｏ−ベンジル−４−（２−ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシエチル）−１，２−Ｏ−イソプロピリデン−α−Ｄ−エリスロペントフラノース
３，５−ジ−Ｏ−ベンジル−４−（２−ヒドロキシエチル）−１，２−Ｏ−イソプロピリデン−α−Ｄ−エリスロペントフラノース（１８．３ｇ，４４．２ｍｍｏｌ）を乾燥ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ，５５ｍＬ）に溶かし、窒素気流下、この溶液にイミダゾール（１５．７ｇ，２１８ｍｍｏｌ）を加え、０℃に冷却し、ｔ−ブチルジフェニルクロロシラン（２３．０ｍＬ，８８．４ｍｍｏｌ）を加え、１５分間攪拌した。反応終了後、反応液をエーテル（ｃａ．３ｍＬ）で希釈し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（ｃａ．５０ｍＬ）を加え、減圧濃縮し、エーテル及びＤＭＦを留去した。残査に水（ｃａ．１０ｍＬ）を加えた後、酢酸エチル（３０ｍＬ×３）で抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧濃縮した。残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝５／１）で精製することにより、標記化合物（２８．８ｇ）を得た。
（２） ３，５−ジ−Ｏ−ベンジル−４−（２−ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシエチル）−１，２−ジ−Ｏ−アセチル−α−Ｄ−エリスロペントフラノース
（１）で得られた化合物（２８．８ｇ，４４．２ｍｍｏｌに相当量を含む）を酢酸（１５０ｍＬ）に溶かし、この溶液を０℃に冷却し、無水酢酸（８２．２ｍＬ，８７１ｍｍｏｌ）及び濃硫酸（ｃａｔ．１０μＬ）を加えた後、３０分間攪拌した。反応終了後、反応液を氷水（５０ｍＬ）に入れ、１時間攪拌し、そこに、飽和食塩水（ｃａ．５０ｍＬ）を加え、酢酸エチル（５０ｍＬ×３）で抽出した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水でこの順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧濃縮した。残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１０／１）で精製し、標記化合物（α体とβ体の混合物、２６．０ｇ，収率：８４％（２工程））を得た。以下に、得られた化合物の一部を更に精製することにより得られたα体のＮＭＲデータを示す。
1H-NMR (400MHz, CDCl3) δ(ppm) : 1.02 (9H, s), 1.84 (3H, s), 1.93 (3H, s), 1.95-2.18 (2H, m), 3.40 (1H, d), 3.50 (1H, d), 3.80-3.93 (2H, m), 4.35-4.60 (5H, m), 5.29 (1H, d), 6.03 (1H, s), 7,20-7.40 (16H, m), 7.60-7.70 (4H, m)。
（３） ２’−Ｏ−アセチル−３’，５’−ジ−Ｏ−ベンジル−４’−（２−ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシエチル）−６−Ｎ−ベンゾイルアデノシン
Ｎ６−ベンゾイルアデニン（２６８ｍｇ，１．１２ｍｍｏｌ）にＨＭＤＳ（２０ｍＬ）及びトリメチルシリルクロリド（４ｍＬ）を加え、一晩還流し、減圧濃縮し、乾燥し、トリメチルシリル化したＮ６−ベンゾイルアデニンを得た。
（２）で得られた化合物（５２１ｍｇ，０．７４８ｍｍｏｌ）を乾燥トルエン（１０ｍＬ）に溶かし、窒素気流下、この溶液に前述のトリメチルシリル化したＮ６−ベンゾイルアデニン及びトリフルオロメタンスルホン酸トリメチルシリル（ＴＭＳＯＴｆ，１６６μＬ，０．９０１ｍｍｏｌ）を加え撹拌し、５分後ＴＬＣ（薄層クロマトグラフィー）で原料がなくなったのを確認し、その後２時間加熱還流した。反応終了後、反応液に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（ｃａ．２ｍＬ）を加え、セライトでろ過した。ろ液をジクロロメタン（ｃａ．１０ｍＬ）で抽出し、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム溶液及び飽和食塩水でこの順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧濃縮した。残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ジクロロメタン／メタノール＝１００／１）で精製し、標記化合物（４８２ｍｇ，収率：７４％）を得た。
1H-NMR (400MHz, CDCl3) δ(ppm) : 1.02 (9H, s), 1.88-1.97 (1H, m), 2.02 (3H, s), 2.15-2.25 (1H, s), 3.44 (1H, d), 3.75-3.90 (3H, m), 4.37-4.61 (5H, m), 5.86 (1H, t), 6.26 (1H, d), 7.20-7.65 (23H, m), 8.03 (2H, d), 8.31 (1H, s), 8.77 (1H, s), 9.04 (1H, s)。
（実施例２）
３’，５’−ジ−Ｏ−ベンジル−２’−Ｏ−４’−Ｃ−エチレン−６−Ｎ−ベンゾイルアデノシン
（１） ２’−Ｏ−アセチル−３’，５’−ジ−Ｏ−ベンジル−４’−（２−ヒドロキシエチル）−６−Ｎ−ベンゾイルアデノシン
実施例１（３）で得られた化合物（４７５ｍｇ，０．５４２ｍｍｏｌ）を乾燥テトラヒドロフラン（ＴＨＦ，５ｍＬ）に溶かし、この溶液にテトラブチルアンモニウムフルオライドのＴＨＦ溶液（１ｍｏｌ／Ｌ，７０５μＬ，０．７０５ｍｍｏｌ）を加え、室温で１２時間攪拌した。反応終了後、反応液を減圧濃縮し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ジクロロメタン／メタノール＝５０／１）で精製し、標記化合物（２６９ｍｇ，収率：７８％）を得た。
1H-NMR (400MHz, CDCl3) δ(ppm) : 1.88-1.95 (1H, m), 2.08(3H, s), 2.20-2.30 (2H, m), 3.47 (1H, d), 3.74 (1H, d), 3.76-3.85 (2H, m), 4.42-4.68 (5H, m), 5.97 (1H, t), 6.35 (1H, d), 7.24-7.65 (13H, m), 8.03 (2H, d), 8.26 (1H, s), 8.76 (1H, s), 9.06 (1H, s)。
（２） ３’，５’−ジ−Ｏ−ベンジル−２’−Ｏ−４’−Ｃ−エチレン−６−Ｎ−ベンゾイルアデノシン
窒素気流下、（１）で得られた化合物（１０２ｍｇ，０．１０６ｍｍｏｌ）を乾燥ジクロロメタン（２ｍＬ）に溶かし、この溶液にピリジン（１００μＬ）及びメタンスルホニルクロライド（３６μＬ，０．４６５ｍｍｏｌ）を加え、室温で１２時間撹拌した。その後、水（ｃａ．１ｍＬ）を加え、ジクロロメタン（５ｍＬ）で抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧濃縮した。残査をピリジン（３ｍＬ）及びメタノール（２ｍＬ）の混合溶媒に溶解した。この溶液を０℃に冷却し、５ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液（５ｍＬ）を加え、１０分間撹拌した。反応終了後、反応液をジクロロメタン（５ｍＬ×３）で抽出し、有機層をリン酸バッファー（ｐＨ６．８６，０．０２５Ｍ）及び飽和食塩水で、この順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮した。得られた残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ジクロロメタン／メタノール＝５０：１）で精製し、標記化合物（８４．３ｍｇ，収率：９１％）を得た。この化合物は、特開２０００−２９７０９７号公報に実施例１０として記載されている化合物と１Ｈ−ＮＭＲによる分析において完全に一致した。
（実施例３）
２’−Ｏ−アセチル−３’，５’−ジ−Ｏ−ベンジル−４’−（２−ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシエチル）−２−Ｎ−イソブチリルグアノシン
Ｎ２−イソブチリルグアニン（７．１４ｇ，３２．３ｍｍｏｌ）にＨＭＤＳ（５００ｍＬ）及びトリメチルシリルクロリド（１２５ｍＬ）を加え、一晩還流し、減圧濃縮し、乾燥し、トリメチルシリル化したＮ２−イソブチリルグアニンを得た。
実施例１（２）で得られた化合物（１５．０ｇ，２１．５ｍｍｏｌ）を乾燥トルエン（２００ｍＬ）に溶かし、窒素気流下、この溶液に前述のトリメチルシリル化したＮ２−イソブチリルグアニン及びＴＭＳＯＴｆ（４．８０ｍＬ，２６．１ｍｍｏｌ）を加え撹拌し、５分後にＴＬＣで原料がなくなったのを確認し、その後２時間加熱還流した。反応終了後、反応液に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（ｃａ．５０ｍＬ）を加え、セライトでろ過した。ろ液をジクロロメタン（ｃａ．３００ｍＬ）で抽出し、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム溶液及び飽和食塩水でこの順に洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧濃縮した。残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ジクロロメタン／メタノール＝１００／１．５）で精製し、標記化合物（１６．０ｇ，収率：８６％，グアニン７位でグリコシレーションした異性体を含む混合物である）を得た。
（実施例４）
２’−Ｏ−アセチル−３’，５’−ジ−Ｏ−ベンジル−４’−（２−ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシエチル）−２−Ｎ−イソブチリルグアノシン
実施例１（２）で得られた化合物（６．１８ｇ，８．８７ｍｍｏｌ）を乾燥トルエン（１２０ｍＬ）に溶かし、窒素気流下、この溶液にＮ２−イソブチリルグアニン（２．８３ｇ，１３．３ｍｍｏｌ）及びＮ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド（ＢＳＡ，９．６０ｍＬ，３８．８ｍｍｏｌ）を加え、１時間加熱還流した。続いて反応液にＴＭＳＯＴｆ（３．４０ｍＬ，１８．５ｍｍｏｌ）を加え、更に４５分間加熱還流した。反応終了後、実施例３と同様にして、標記化合物（６．４４ｇ，収率：８５％，グアニン７位でグリコシレーションした異性体を含む混合物である）を得た。
（実施例５）
３’，５’−ジ−Ｏ−ベンジル−２’−Ｏ−４’−Ｃ−エチレン−２−Ｎ−イソブチリルグアノシン
（１） ２’−Ｏ−アセチル−３’，５’−ジ−Ｏ−ベンジル−４’−（２−ヒドロキシエチル）−２−Ｎ−イソブチリルグアノシン
実施例３で得られた化合物（１６．０ｇ，１８．６ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（１６０ｍＬ）に溶かし、この溶液にテトラブチルアンモニウムフルオライドのＴＨＦ溶液（１ｍｏｌ／Ｌ，２５ｍＬ，２５．０ｍｍｏｌ）を加え、室温で１２時間攪拌した。反応終了後、反応液を減圧濃縮し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ジクロロメタン／メタノール＝２０／１）で精製し、標記化合物（９．９７ｇ，収率：７５％，グアニン７位でグリコシレーションした異性体を含む混合物である）を得た。
（２） ３’，５’−ジ−Ｏ−ベンジル−２’−Ｏ−４’−Ｃ−エチレン−２−Ｎ−イソブチリルグアノシン
（１）で得られた化合物（３．００ｇ，４．８４ｍｍｏｌ）を乾燥ジクロロメタン（２５ｍＬ）に溶かし、窒素気流下、この溶液にピリジン（４ｍＬ）及びメタンスルホニルクロライド（７５０μＬ，９．６９ｍｍｏｌ）を加え、室温で１２時間攪拌した。反応終了後、水（ｃａ．５ｍＬ）を加え、ジクロロメタン（ｃａ．３０ｍＬ）で抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧濃縮した。残査をピリジン（２５ｍＬ）及びメタノール（１０ｍＬ）の混合溶媒に溶解し、０℃に冷却した。この溶液に、水酸化ナトリウム水溶液（５ｍｏｌ／Ｌ，２５ｍＬ）を加え、３０分間攪拌した後、反応液をジクロロメタン（ｃａ．５０ｍＬ×３）溶液で抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮後、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ジクロロメタン／メタノール＝１００／１．５）によりグアニン７位でグリコシレーションした異性体と完全に分離精製し、標記化合物（１．８１ｇ，収率：４３％（４工程））を得た。この化合物は、特開２０００−２９７０９７号公報に実施例２４として記載されている化合物と１Ｈ−ＮＭＲによる分析において完全に一致した。
（参考例１）
２’−Ｏ−アセチル−３’，５’−ジ−Ｏ−ベンジル−４’−（２−ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシエチル）−５−メチルウリジン
実施例１（２）で得られた化合物（２０６ｍｇ，０．３３６ｍｍｏｌ）を乾燥アセトニトリル（４ｍＬ）に溶かし、窒素気流下、この溶液にチミン（６２．８ｍｇ，０．４９８ｍｍｏｌ）及びＮ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド（ＢＳＡ，０．３７ｍＬ，１．５ｍｍｏｌ）を加え、１時間加熱還流した。続いて反応液にＴＭＳＯＴｆ（０．１２５ｍＬ，０．６７８ｍｍｏｌ）を加え、更に４０分間加熱還流した。反応終了後、反応液に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、ジクロロメタンで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧濃縮した。残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１／２）で精製し、標記化合物（１９０ｍｇ，収率：７４％）を得た。
1H-NMR (400MHz, CDCl3) δ(ppm) : 1.04 (9H, s), 1.47 (3H, s), 1.74-1.85 (1H, m), 2.02 (3H, s), 2.03-2.08 (1H, m), 3.39 (1H, d, J=10.3Hz), 3.69-3.83 (2H, m), 3.86 (1H, d, J=11Hz), 4.32-4.56 (5H, m), 5.33 (1H, t), 6.06 (1H, d, J=5.1Hz), 7.19-7.61 (20H, m), 7.93 (1H, s)。
（参考例２）
３’，５’−ジ−Ｏ−ベンジル−２’−Ｏ−４’−Ｃ−エチレン−５−メチルウリジン
（１） ２’−Ｏ−アセチル−３’，５’−ジ−Ｏ−ベンジル−４’−（２−ヒドロキシエチル）−５−メチルウリジン
参考例１で得られた化合物（１８５ｍｇ，０．２４２ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（２ｍＬ）に溶かし、この溶液にテトラブチルアンモニウムフルオライドのＴＨＦ溶液（１ｍｏｌ／Ｌ，０．３４ｍＬ，０．３４ｍｍｏｌ）を加え、室温で一夜攪拌した。反応終了後、反応液を減圧濃縮し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘキサン／酢酸エチル＝１／４）で精製し、標記化合物（１２１ｍｇ，収率：９５％）を得た。
1H-NMR (400MHz, CDCl3) δ(ppm) : 1.49 (3H, s), 1.73-1.80 (1H, m), 2.06 (3H, s), 2.11-2.17 (1H, m), 3.24-3.28 (1H, m), 3.41 (1H, d, J=10.3Hz), 3.72-3.75 (2H, m), 3.77 (1H, d, J=10.3Hz), 4.34-4.62 (5H, m), 5.39 (1H, t), 6.16 (1H, d, J=5.1Hz), 7.20-7.41 (11H, m)。
（２） ３’，５’−ジ−Ｏ−ベンジル−２’−Ｏ−４’−Ｃ−エチレン−５−メチルウリジン
（１）で得られた化合物（５５．４ｍｇ，０．１０６ｍｍｏｌ）を乾燥ジクロロメタン（１ｍＬ）に溶かし、窒素気流下、この溶液にピリジン（０．１ｍＬ）及びメタンスルホニルクロライド（１６．５μＬ，０．２１３ｍｍｏｌ）を加え、室温で３時間攪拌した。反応終了後、水を加え、ジクロロメタンで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧濃縮した。残査をピリジン（０．５ｍＬ）及びメタノール（０．５ｍＬ）の混合溶媒に溶解し、０℃に冷却した。この溶液に、水酸化ナトリウム水溶液（５ｍｏｌ／Ｌ，１ｍＬ）を加え、５分間攪拌した後、反応液をジクロロメタン溶液で抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧濃縮後、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ジクロロメタン／メタノール＝１００／１．５→１００／２）により精製し、標記化合物（４０．１ｍｇ，収率：８２％）を得た。この化合物は、特開２０００−２９７０９７号公報に実施例６として記載されている化合物と１Ｈ−ＮＭＲによる分析において完全に一致した。
本発明により、安定で優れたアンチセンス若しくはアンチジーン活性、又は、特定遺伝子の検出薬（プローブ）若しくは増幅開始のためのプライマーとして優れた活性を有するオリゴヌクレオチド類縁体及びその製造中間体であるヌクレオシド類縁体化合物（Ｉａ）又は（Ｉ）の製造中間体である化合物（ＩＩＩ）が、核酸塩基の種類を問わず収率よく製造できるようになった。

Claims (16)

  1. 一般式

    ［式中、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、同一又は異なって、水素原子、水酸基、保護された水酸基、炭素数１乃至４個のアルコキシ基、メルカプト基、保護されたメルカプト基、炭素数１乃至４個のアルキルチオ基、アミノ基、保護されたアミノ基、炭素数１乃至４個のアルキル基で置換されたアミノ基、炭素数１乃至４個のアルキル基又はハロゲン原子を示す。］で表される化合物をトリメチルシリル化剤と反応させて得られたトリメチルシリル化化合物と、一般式

    ［式中、Ｘ、Ｙ及びＺは、同一又は異なって、水酸基の保護基を示し、Ａは、炭素数１乃至４個のアルキレン基を示し、Ｒは、シリル系保護基を示す。］で表される化合物又はその塩とを反応させて、一般式

    ［式中、Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ａ及びＲは前記と同意義を示し、Ｂはプリン−９−イル基又は下記α群から選択される置換基を有する置換プリン−９−イル基を示す。］で表される化合物又はその塩を製造する方法。
    α群は、水酸基、保護された水酸基、炭素数１乃至４個のアルコキシ基、メルカプト基、保護されたメルカプト基、炭素数１乃至４個のアルキルチオ基、アミノ基、保護されたアミノ基、炭素数１乃至４個のアルキル基で置換されたアミノ基、炭素数１乃至４個のアルキル基、及び、ハロゲン原子からなる群である。
  2. Ｘが、１乃至３個のアリール基で置換されたメチル基、又は、低級アルキル、低級アルコキシ、ハロゲン若しくはシアノ基でアリール環が置換された１乃至３個のアリール基で置換されたメチル基である請求項１に記載の製造方法。
  3. Ｘが、ベンジル基、ｐ−メトキシベンジル基、ジメトキシトリチル基又はモノメトキシトリチル基である請求項１に記載の製造方法。
  4. Ｙが、１乃至３個のアリール基で置換されたメチル基、又は、低級アルキル、低級アルコキシ、ハロゲン若しくはシアノ基でアリール環が置換された１乃至３個のアリール基で置換されたメチル基である請求項１乃至３のいずれか１項に記載の製造方法。
  5. Ｙが、ベンジル基、β−ナフチルメチル基又はｐ−メトキシベンジル基である請求項１乃至３のいずれか１項に記載の製造方法。
  6. Ｚが、炭素数２乃至４個の脂肪族アシル基である請求項１乃至５のいずれか１項に記載の製造方法。
  7. Ｚが、アセチル基である請求項１乃至５のいずれか１項に記載の製造方法。
  8. Ａが、メチレン基又はエチレン基である請求項１乃至７のいずれか１項に記載の製造方法。
  9. Ａが、メチレン基である請求項１乃至７のいずれか１項に記載の製造方法。
  10. Ｂが、６−アミノプリン−９−イル、アミノ基が保護された６−アミノプリン−９−イル、２，６−ジアミノプリン−９−イル、２−アミノ−６−クロロプリン−９−イル、アミノ基が保護された２−アミノ−６−クロロプリン−９−イル、２−アミノ−６−フルオロプリン−９−イル、アミノ基が保護された２−アミノ−６−フルオロプリン−９−イル、２−アミノ−６−ブロモプリン−９−イル、アミノ基が保護された２−アミノ−６−ブロモプリン−９−イル、２−アミノ−６−ヒドロキシプリン−９−イル、アミノ基が保護された２−アミノ−６−ヒドロキシプリン−９−イル、アミノ基及び水酸基が保護された２−アミノ−６−ヒドロキシプリン−９−イル、６−アミノ−２−メトキシプリン−９−イル、６−アミノ−２−クロロプリン−９−イル、６−アミノ−２−フルオロプリン−９−イル、２，６−ジメトキシプリン−９−イル、２，６−ジクロロプリン−９−イル又は６−メルカプトプリン−９−イル基である請求項１乃至９のいずれか１項に記載の製造方法。
  11. Ｂが、６−ベンゾイルアミノプリン−９−イル、アデニニル、２−イソブチリルアミノ−６−ヒドロキシプリン−９−イル又はグアニニル基である請求項１乃至９のいずれか１項に記載の製造方法。
  12. Ｒが、トリ低級アルキルシリル基又はモノアリールジ低級アルキルシリル若しくはジアリールモノ低級アルキルシリル基である請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の製造方法。
  13. Ｒが、モノアリールジ低級アルキルシリル若しくはジアリールモノ低級アルキルシリル基である請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の製造方法。
  14. Ｒが、ｔ−ブチルジフェニルシリル基である請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の製造方法。
  15. 一般式

    ［式中、Ｘ、Ｙ及びＺは、同一又は異なって、水酸基の保護基を示し、Ａは、炭素数１乃至４個のアルキレン基を示し、Ｒは、シリル系保護基を示し、Ｂは、プリン−９−イル基又は下記α群から選択される置換基を有する置換プリン−９−イル基を示す。］で表される化合物又はその塩。
    α群は、水酸基、保護された水酸基、炭素数１乃至４個のアルコキシ基、メルカプト基、保護されたメルカプト基、炭素数１乃至４個のアルキルチオ基、アミノ基、保護されたアミノ基、炭素数１乃至４個のアルキル基で置換されたアミノ基、炭素数１乃至４個のアルキル基、及び、ハロゲン原子からなる群である。
  16. 一般式

    ［式中、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、同一又は異なって、水素原子、水酸基、保護された水酸基、炭素数１乃至４個のアルコキシ基、メルカプト基、保護されたメルカプト基、炭素数１乃至４個のアルキルチオ基、アミノ基、保護されたアミノ基、炭素数１乃至４個のアルキル基で置換されたアミノ基、炭素数１乃至４個のアルキル基又はハロゲン原子を示す。］で表される化合物をトリメチルシリル化剤と反応させて得られたトリメチルシリル化化合物と、一般式

    ［式中、Ｘ、Ｙ及びＺは、同一又は異なって、水酸基の保護基を示し、Ａは、炭素数１乃至４個のアルキレン基を示し、Ｒは、シリル系保護基を示す。］で表される化合物又はその塩とを反応させて、一般式

    ［式中、Ｘ、Ｙ、Ｚ、Ａ及びＲは前記と同意義を示し、Ｂは、プリン−９−イル基又は下記α群から選択される置換基を有する置換プリン−９−イル基を示す。］で表される化合物又はその塩を製造する工程を含む、一般式

    ［式中、Ｘ、Ｙ、Ａ及びＢは前記と同意義を示す。］で表される化合物又はその塩を製造する方法。
    α群は、水酸基、保護された水酸基、炭素数１乃至４個のアルコキシ基、メルカプト基、保護されたメルカプト基、炭素数１乃至４個のアルキルチオ基、アミノ基、保護されたアミノ基、炭素数１乃至４個のアルキル基で置換されたアミノ基、炭素数１乃至４個のアルキル基、及び、ハロゲン原子からなる群である。
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