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JP6111627B2 - Lead frame for optical semiconductor device, lead frame for optical semiconductor device with resin, multi-sided body of lead frame, multi-sided body of lead frame with resin, optical semiconductor device, multi-sided body of optical semiconductor device - Google Patents

Lead frame for optical semiconductor device, lead frame for optical semiconductor device with resin, multi-sided body of lead frame, multi-sided body of lead frame with resin, optical semiconductor device, multi-sided body of optical semiconductor device Download PDF

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JP6111627B2 JP2012266643A JP2012266643A JP6111627B2 JP 6111627 B2 JP6111627 B2 JP 6111627B2 JP 2012266643 A JP2012266643 A JP 2012266643A JP 2012266643 A JP2012266643 A JP 2012266643A JP 6111627 B2 JP6111627 B2 JP 6111627B2
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恵 大石
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Description

本発明は、光半導体素子を実装する光半導体装置の光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体に関するものである。   The present invention relates to an optical semiconductor device lead frame of an optical semiconductor device on which an optical semiconductor element is mounted, a lead frame for an optical semiconductor device with resin, a multi-sided body of a lead frame, a multi-sided body of a lead frame with resin, an optical semiconductor device, The present invention relates to a multifaceted body of an optical semiconductor device.

従来、ＬＥＤ素子等の光半導体素子は、電気的に絶縁され、樹脂層で覆われた２つの端子部を有するリードフレームに固定され、その周囲を透明樹脂層によって覆い、光半導体装置として照明装置等の基板に実装されていた（例えば、特許文献１）。このような光半導体装置は、光半導体素子から発光した光が透明樹脂層を透過することにより、光半導体装置から光が照射される。
しかし、この光半導体装置は、端子部の一方に光半導体素子を搭載する場合、ＬＥＤ素子を搭載する端子部が、他の端子部よりも大きくなるため、光半導体装置の外形に対して光半導体素子の配置が偏った位置になる。そのため、光半導体素子から発光する光は、光半導体装置から出射する位置に応じて、透明樹脂層を透過する経路の長さが相違してしまい、例えば、光半導体素子から白色の光が発光された場合に、光半導体装置の一端では黄味がかった光が、他端では青味がかった光が視認されてしまうような、色ムラが生じる場合があった。 2. Description of the Related Art Conventionally, an optical semiconductor element such as an LED element is fixed to a lead frame having two terminal portions that are electrically insulated and covered with a resin layer, and its periphery is covered with a transparent resin layer. (For example, patent document 1). In such an optical semiconductor device, light emitted from the optical semiconductor element is transmitted through the transparent resin layer, so that light is emitted from the optical semiconductor device.
However, in the optical semiconductor device, when the optical semiconductor element is mounted on one of the terminal portions, the terminal portion on which the LED element is mounted is larger than the other terminal portions. The element is placed in a biased position. For this reason, the light emitted from the optical semiconductor element has a different length of the path through the transparent resin layer depending on the position emitted from the optical semiconductor device. For example, white light is emitted from the optical semiconductor element. In such a case, color unevenness may occur such that yellowish light is visually recognized at one end of the optical semiconductor device and bluish light is visually recognized at the other end.

特開２０１１−０８６８１１号公報JP 2011-086811 A

本発明の課題は、光半導体素子から発光する光の色ムラの発生を抑制することができる光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体を提供することである。   An object of the present invention is to provide a lead frame for an optical semiconductor device, a lead frame for an optical semiconductor device with resin, a multi-sided body of a lead frame, and a lead with resin that can suppress the occurrence of color unevenness of light emitted from the optical semiconductor element. The present invention provides a multifaceted body of a frame, an optical semiconductor device, and a multifaceted body of an optical semiconductor device.

本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。また、符号を付して説明した構成は、適宜改良してもよく、また、少なくとも一部を他の構成物に代替してもよい。   The present invention solves the above problems by the following means. In addition, in order to make an understanding easy, although the code | symbol corresponding to embodiment of this invention is attached | subjected and demonstrated, it is not limited to this. In addition, the configuration described with reference numerals may be improved as appropriate, or at least a part thereof may be replaced with another configuration.

第１の発明は、複数の端子部（１１、１２）を有し、前記端子部のうち、少なくとも一つの表面に光半導体素子（２）が接続される光半導体装置（１）に用いられる光半導体装置用リードフレーム（１０）において、少なくとも一つの前記端子部（１１）は、対向する端子部（１２）に対して突出し、前記光半導体素子が、前記光半導体装置の外形の中心（Ｏ）に配置されるように形成された突出部（１４）を備えること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第２の発明は、第１の発明の光半導体装置用リードフレーム（１０）において、前記端子部（１１、１２）の外周側面及び前記端子部間に樹脂（２０）が充填された場合に、前記光半導体装置の裏面に表出する前記端子部の形状が矩形であること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第３の発明は、第１の発明又は第２の発明の光半導体装置用リードフレーム（１０）において、前記突出部（１４）は、その裏面が、前記端子部（１１）の裏面に対して窪んでいること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第４の発明は、第１の発明から第３の発明までのいずれかの光半導体装置用リードフレーム（１０）において、前記端子部（１２）は、前記突出部（１４）と対向する位置に、前記突出部と係合する係合部（１５）を備えること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。
第５の発明は、第４の発明に光半導体装置用リードフレーム（１０）において、前記係合部（１５）は、その表面の少なくとも一部が、前記端子部（１２）の表面に対して窪んでいること、を特徴とする光半導体装置用リードフレームである。 1st invention has several terminal part (11,12), The light used for the optical semiconductor device (1) by which an optical semiconductor element (2) is connected to at least one surface among the said terminal parts. In the lead frame (10) for a semiconductor device, at least one of the terminal portions (11) protrudes with respect to the opposing terminal portion (12), and the optical semiconductor element is the center (O) of the outer shape of the optical semiconductor device. A lead frame for an optical semiconductor device, comprising a protrusion (14) formed so as to be disposed on the surface.
According to a second invention, in the lead frame (10) for the optical semiconductor device according to the first invention, when the resin (20) is filled between the outer peripheral side surface of the terminal part (11, 12) and the terminal part, The lead frame for an optical semiconductor device is characterized in that the shape of the terminal portion exposed on the back surface of the optical semiconductor device is rectangular.
According to a third aspect of the present invention, in the lead frame (10) for the optical semiconductor device according to the first or second aspect, the protrusion (14) has a back surface that is opposite to the back surface of the terminal portion (11). An optical semiconductor device lead frame characterized by being recessed.
According to a fourth invention, in the lead frame (10) for an optical semiconductor device according to any one of the first invention to the third invention, the terminal portion (12) is located at a position facing the protruding portion (14). A lead frame for an optical semiconductor device, comprising an engaging portion (15) that engages with the protruding portion.
According to a fifth aspect of the present invention, in the lead frame (10) for an optical semiconductor device according to the fourth aspect, at least a part of the surface of the engaging portion (15) is in relation to the surface of the terminal portion (12). An optical semiconductor device lead frame characterized by being recessed.

第６の発明は、第１の発明から第５の発明までのいずれかの光半導体装置用リードフレーム（１０）と、前記端子部（１１、１２）の外周側面及び前記端子部間に形成される樹脂層（２０）とを備えること、を特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレームである。   A sixth invention is formed between the lead frame (10) for an optical semiconductor device according to any one of the first invention to the fifth invention, and the outer peripheral side surface of the terminal portion (11, 12) and the terminal portion. A resin-coated lead frame for a resin-coated optical semiconductor device.

第７の発明は、第１の発明から第５の発明までのいずれかの光半導体装置用リードフレーム（１０）が枠体（Ｆ）に多面付けされていること、を特徴とするリードフレームの多面付け体である。   A seventh invention is a lead frame characterized in that the optical semiconductor device lead frame (10) from the first invention to the fifth invention is multifaceted to the frame (F). It is a multifaceted body.

第８の発明は、第６の発明の樹脂付き光半導体装置用リードフレームが多面付けされていること、を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体である。   An eighth invention is a multi-faced body of a resin-attached lead frame characterized in that the lead frame for an optical semiconductor device with resin of the sixth aspect is multi-faced.

第９の発明は、第６の発明の樹脂付き光半導体装置用リードフレームと、前記樹脂付き光半導体装置用リードフレームの前記端子部（１１）の前記突出部（１４）に載置される光半導体素子（２）と、前記樹脂付き光半導体装置用リードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層（３０）とを備えること、を特徴とする光半導体装置（１）である。   According to a ninth aspect of the invention, there is provided a lead frame for an optical semiconductor device with resin according to the sixth aspect of the invention, and light placed on the protruding portion (14) of the terminal portion (11) of the lead frame for an optical semiconductor device with resin. A semiconductor element (2), and a transparent resin layer (30) formed on a surface of the lead frame for an optical semiconductor device with resin connected to the optical semiconductor element and covering the optical semiconductor element; An optical semiconductor device (1) is characterized.

第１０の発明は、第９の発明の光半導体装置（１）が多面付けされていること、を特徴とする光半導体装置の多面付け体である。   A tenth invention is a multifaceted body of an optical semiconductor device characterized in that the optical semiconductor device (1) of the ninth invention is multifaceted.

本発明によれば、光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体は、光半導体素子から発光される光の色ムラの発生を抑制することができる。   According to the present invention, a lead frame for an optical semiconductor device, a lead frame for an optical semiconductor device with resin, a multi-faced body of a lead frame, a multi-faced body of a lead frame with resin, an optical semiconductor device, and a multi-faceted body of an optical semiconductor device are: The occurrence of color unevenness in the light emitted from the optical semiconductor element can be suppressed.

第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。1 is a diagram illustrating an overall configuration of an optical semiconductor device 1 according to a first embodiment. 第１実施形態のリードフレーム１０の多面付け体を示す図である。It is a figure which shows the multi-faced body of the lead frame 10 of 1st Embodiment. 第１実施形態のリードフレーム１０の詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the lead frame 10 of 1st Embodiment. 第１実施形態の光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の詳細を説明する図である。It is a figure explaining the detail of the lead frame 10 in which the light reflection resin layer 20 of 1st Embodiment was formed. 第１実施形態のリードフレーム１０の製造過程を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing process of the lead frame 10 of 1st Embodiment. 第１実施形態の光半導体装置１の製造過程を説明する図である。It is a figure explaining the manufacturing process of the optical semiconductor device 1 of 1st Embodiment. 第１実施形態の多面付けされた樹脂付きリードフレーム及び光半導体装置１を示す図である。1 is a diagram showing a resin-attached lead frame and an optical semiconductor device 1 according to a first embodiment. 第２実施形態の光半導体装置２０１を示す図である。It is a figure which shows the optical semiconductor device 201 of 2nd Embodiment. 第３実施形態のリードフレーム３１０を示す図である。It is a figure which shows the lead frame 310 of 3rd Embodiment. 第３実施形態の光半導体装置３０１を示す図である。It is a figure which shows the optical semiconductor device 301 of 3rd Embodiment. 本発明の変形形態の光半導体装置を示す図である。It is a figure which shows the optical semiconductor device of the deformation | transformation form of this invention. 本発明の変形形態の光半導体装置を示す図である。It is a figure which shows the optical semiconductor device of the deformation | transformation form of this invention. 本発明の変形形態の光半導体装置を示す図である。It is a figure which shows the optical semiconductor device of the deformation | transformation form of this invention.

（第１実施形態）
以下、図面等を参照して、本発明の実施形態について説明する。
図１は、第１実施形態の光半導体装置１の全体構成を示す図である。
図１（ａ）、図１（ｂ）は、それぞれ光半導体装置１の平面図、裏面図を示し、図１（ｃ）は、光半導体装置１の側面図を示し、図１（ｄ）は、図１（ａ）のｄ−ｄ断面図を示す。
図２は、第１実施形態のリードフレーム１０の多面付け体を示す図である。
図３は、第１実施形態のリードフレーム１０の詳細を説明する図である。
図３（ａ）、図３（ｂ）は、それぞれリードフレーム１０の平面図、裏面図を示し、図３（ｃ）、図３（ｄ）は、それぞれ図３（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
図４は、第１実施形態の光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の詳細を説明する図である。
図４（ａ）、図４（ｂ）は、それぞれ、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０の平面図、裏面図を示す。図４（ｃ）、図４（ｄ）は、それぞれ、図４（ａ）のｃ−ｃ断面図と、ｄ−ｄ断面図を示す。
各図において、光半導体装置１の平面図における端子部１１、１２の配列方向を左右方向Ｘ、端子部１１、１２の面内において、その配列方向に直交する方向を上下方向Ｙ、表面及び裏面の方向を厚み方向Ｚとする。 (First embodiment)
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a diagram illustrating an overall configuration of an optical semiconductor device 1 according to the first embodiment.
1A and 1B are a plan view and a back view of the optical semiconductor device 1, respectively, FIG. 1C is a side view of the optical semiconductor device 1, and FIG. Dd sectional drawing of Fig.1 (a) is shown.
FIG. 2 is a diagram illustrating a multi-faced body of the lead frame 10 according to the first embodiment.
FIG. 3 is a diagram for explaining the details of the lead frame 10 of the first embodiment.
3A and 3B are a plan view and a back view, respectively, of the lead frame 10, and FIGS. 3C and 3D are cc cross sections in FIG. 3A, respectively. The figure and dd sectional drawing are shown.
FIG. 4 is a diagram for explaining the details of the lead frame 10 on which the light reflecting resin layer 20 of the first embodiment is formed.
4A and 4B are a plan view and a back view of the lead frame 10 on which the light reflecting resin layer 20 is formed, respectively. 4 (c) and 4 (d) show a cc cross-sectional view and a dd cross-sectional view, respectively, in FIG. 4 (a).
In each figure, the arrangement direction of the terminal portions 11 and 12 in the plan view of the optical semiconductor device 1 is the horizontal direction X, and in the plane of the terminal portions 11 and 12, the direction orthogonal to the arrangement direction is the vertical direction Y, the front surface, and the back surface. This direction is referred to as a thickness direction Z.

光半導体装置１は、外部機器等の基板に取り付けられることによって、実装したＬＥＤ素子２が発光する照明装置である。光半導体装置１は、図１に示すように、ＬＥＤ素子２（光半導体素子）、リードフレーム１０、光反射樹脂層２０（樹脂層）、透明樹脂層３０を備える。
光半導体装置１は、図２に示すように、多面付けされたリードフレーム１０に光反射樹脂層２０を形成し、ＬＥＤ素子２を電気的に接続し、透明樹脂層３０を形成して、パッケージ単位に切断（ダイシング）することによって製造される（詳細は後述する）。
ＬＥＤ素子２は、発光層として一般に用いられるＬＥＤ（発光ダイオード）の素子であり、例えば、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ等の化合物半導体単結晶、又は、ＩｎＧａＮ等の各種ＧａＮ系化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。 The optical semiconductor device 1 is an illumination device in which the mounted LED element 2 emits light when attached to a substrate such as an external device. As shown in FIG. 1, the optical semiconductor device 1 includes an LED element 2 (optical semiconductor element), a lead frame 10, a light reflecting resin layer 20 (resin layer), and a transparent resin layer 30.
As shown in FIG. 2, the optical semiconductor device 1 is formed by forming a light reflecting resin layer 20 on a multi-sided lead frame 10, electrically connecting the LED elements 2, and forming a transparent resin layer 30. It is manufactured by cutting (dicing) into units (details will be described later).
The LED element 2 is an LED (light emitting diode) element generally used as a light emitting layer. For example, a compound semiconductor single crystal such as GaP, GaAs, GaAlAs, GaAsP, and AlInGaP, or various GaN compound semiconductor single elements such as InGaN are used. By appropriately selecting a material made of crystals, an emission wavelength ranging from ultraviolet light to infrared light can be selected.

リードフレーム１０は、一対の端子部、すなわち、ＬＥＤ素子２が載置、接続される端子部１１と、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２に接続される端子部１２とから構成される。また、リードフレーム１０は、端子部１１、１２にそれぞれ連結部１３が形成されており、図２に示すように、その連結部１３によって、フレームＦに多面付けされる。   The lead frame 10 includes a pair of terminal portions, that is, a terminal portion 11 on which the LED element 2 is placed and connected, and a terminal portion 12 connected to the LED element 2 through a bonding wire 2a. In addition, the lead frame 10 is formed with connecting portions 13 at the terminal portions 11 and 12, respectively, and is multifaceted to the frame F by the connecting portions 13 as shown in FIG.

端子部１１、１２は、それぞれ導電性のある材料、例えば、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４０．５％〜４３％のＦｅ合金）等により形成されており、本実施形態では、熱伝導及び強度の観点から銅合金から形成されている。
端子部１１、１２は、それぞれ離れて配置されており、互いに電気的に独立している。端子部１１、１２は、１枚の金属基板（銅版）をプレス又はエッチング加工することにより形成されるため、両者の厚みは同等である。 Each of the terminal portions 11 and 12 is formed of a conductive material, for example, copper, a copper alloy, 42 alloy (Ni 40.5% to 43% Fe alloy), etc. In this embodiment, heat conduction and It is formed from a copper alloy from the viewpoint of strength.
The terminal portions 11 and 12 are arranged apart from each other and are electrically independent from each other. Since the terminal portions 11 and 12 are formed by pressing or etching a single metal substrate (copper plate), the thicknesses of both are the same.

端子部１１は、図１に示すように、その表面にＬＥＤ素子２が載置、接続されるＬＥＤ端子面１１ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１１ｂが形成される、いわゆるダイパッドを構成する。端子部１１は、ＬＥＤ素子２が載置されるため、端子部１２に比べ、その外形が大きく形成されている。
端子部１２は、その表面にＬＥＤ素子２のボンディングワイヤ２ａが接続されるＬＥＤ端子面１２ａが形成され、また、その裏面に外部機器に実装される外部端子面１２ｂが形成される、いわゆるリード側端子部を構成する。
端子部１１、１２は、その表面及び裏面にめっき層Ｓが形成されており（図５（ｅ）参照）、表面側のめっき層Ｓは、ＬＥＤ素子２の発する光を反射する反射層としての機能を有し、裏面側のめっき層Ｓは、外部機器に実装されるときの半田の溶着性を高める機能を有する。 As shown in FIG. 1, the terminal portion 11 has an LED terminal surface 11a on which the LED element 2 is mounted and connected on the surface thereof, and an external terminal surface 11b mounted on an external device on the back surface. The so-called die pad is formed. Since the LED element 2 is placed on the terminal portion 11, the outer shape of the terminal portion 11 is larger than that of the terminal portion 12.
The terminal portion 12 has an LED terminal surface 12a connected to the bonding wire 2a of the LED element 2 formed on the surface thereof, and an external terminal surface 12b mounted on an external device formed on the back surface of the terminal portion 12 so-called lead side. Configure the terminal part.
The terminal portions 11 and 12 have plating layers S formed on the front and back surfaces thereof (see FIG. 5 (e)), and the plating layer S on the front surface side serves as a reflective layer that reflects light emitted from the LED element 2. The plating layer S on the back surface side has a function to improve the soldering property when mounted on an external device.

端子部１１は、図３に示すように、端子部１２と対向する辺の中央部に、端子部１２に対して矩形状に突出する突出部１４が形成されている。突出部１４は、ＬＥＤ素子２がリードフレーム１０（光半導体装置１）の外形（図３（ａ）中の破線部）の中心Ｏ上に配置されるように形成される。
ＬＥＤ素子２が光半導体装置１のパッケージの中心Ｏに配置されることにより、ＬＥＤ素子２から発光した光の透明樹脂層３０を透過する経路の長さを略均等にすることができ、光半導体装置１から出射する光の色ムラの発生を抑制することができる。 As shown in FIG. 3, the terminal portion 11 is formed with a protruding portion 14 that protrudes in a rectangular shape with respect to the terminal portion 12 at the center of the side facing the terminal portion 12. The protruding portion 14 is formed such that the LED element 2 is disposed on the center O of the outer shape (broken line portion in FIG. 3A) of the lead frame 10 (optical semiconductor device 1).
By disposing the LED element 2 at the center O of the package of the optical semiconductor device 1, the length of the path through which the light emitted from the LED element 2 passes through the transparent resin layer 30 can be made substantially uniform. Occurrence of color unevenness of light emitted from the device 1 can be suppressed.

ここで、色ムラは、透明樹脂に蛍光体を分散させて白色光を得る方式で効果が大きい。例えば、発光波長が４３０〜４６０ｎｍ付近にある青色のＬＥＤとＹＡＧ黄色蛍光体との組み合わせでは、経路が短い部分は青色に近い発光色、経路が長い部分は橙色に近い発光色となる。また、発光波長が３６０〜４００ｎｍの紫外ＬＥＤと、可視光を得るための蛍光体の組み合わせでも同様である。
透明樹脂層３０をドーム型（半球形状）として、色ムラを減少させる役割を持たせることもできるが、図１に示すように、透明樹脂層３０がＰＫＧ全体を一定の厚さで覆う構造は、多面付け体の状態で、一括で封止することが容易である観点から望ましい。この場合には、経路の長さを略一定に保てるため、ＬＥＤ素子２がパッケージの中央に配置されることが特に有効である。 Here, the color unevenness has a great effect in a method of obtaining white light by dispersing a phosphor in a transparent resin. For example, in a combination of a blue LED having a light emission wavelength of about 430 to 460 nm and a YAG yellow phosphor, a portion with a short path has a light emission color close to blue, and a portion with a long path has a light emission color close to orange. The same applies to a combination of an ultraviolet LED having an emission wavelength of 360 to 400 nm and a phosphor for obtaining visible light.
Although the transparent resin layer 30 can be formed in a dome shape (hemispherical shape) to reduce color unevenness, the structure in which the transparent resin layer 30 covers the entire PKG with a certain thickness as shown in FIG. It is desirable from the viewpoint that it is easy to collectively seal in the state of a multi-faced body. In this case, it is particularly effective that the LED element 2 is arranged at the center of the package in order to keep the length of the path substantially constant.

端子部１２には、端子部１１と対向する辺に、突出部１４に係合する係合部１５が形成されている。具体的には、係合部１５は、矩形状の凹みを形成するように凹み部１５ａと、凹み部１５ａの両端に形成された側端部１５ｂとから構成され、端子部１１、１２の面内において、対向する突出部１４を挟み込むようにしている。
ここで、本発明において係合とは、突出部１４及び係合部１５間に一定の隙間が設けられつつも、係合部１５の形状が、突出部１４の形状に係り合うようにして形成され、かつ、端子部１１、１２の面内において、対向する端子部１１、１２が配列する方向に直交する方向から見て、端子部１１及び端子部１２が、重なり合うように形成されている状態をいう。 In the terminal portion 12, an engaging portion 15 that engages with the protruding portion 14 is formed on the side facing the terminal portion 11. Specifically, the engaging portion 15 includes a dent portion 15a and side end portions 15b formed at both ends of the dent portion 15a so as to form a rectangular dent. Inside, the protruding part 14 which opposes is inserted | pinched.
Here, the engagement in the present invention is formed such that the shape of the engaging portion 15 is related to the shape of the protruding portion 14 while a certain gap is provided between the protruding portion 14 and the engaging portion 15. In the plane of the terminal portions 11 and 12, the terminal portion 11 and the terminal portion 12 are formed so as to overlap each other when viewed from the direction orthogonal to the direction in which the opposing terminal portions 11 and 12 are arranged. Say.

具体的には、図３（ａ）に示すように、係合部１５が、突出部１４の形状に係り合うように凹んだ形状に形成され、突出部１４及び係合部１５間には、一定の隙間が設けられ電気的に絶縁されている。また、図３（ｃ）に示すように、端子部１１、１２の面内において、端子部１１、１２の配列方向であるＸ方向と直交するＹ方向から見て、端子部１１（突出部１４）及び端子部１２（側端部１５ｂ）が重なり合っているため（図３（ａ）及び図３（ｃ）中のｄ部参照）、本実施形態の突出部１４は、係合部１５に係合している。
突出部１４が、上述のように、係合部１５に係合することによって、製造された光半導体装置１が、端子部１１及び端子部１２間の光反射樹脂層２０の部分で折れて破損してしまうのを抑制することができる。 Specifically, as shown in FIG. 3A, the engaging portion 15 is formed in a recessed shape so as to engage with the shape of the protruding portion 14, and between the protruding portion 14 and the engaging portion 15, A certain gap is provided and electrically insulated. Further, as shown in FIG. 3C, the terminal portion 11 (protruding portion 14) is viewed from the Y direction orthogonal to the X direction that is the arrangement direction of the terminal portions 11 and 12 in the plane of the terminal portions 11 and 12. ) And the terminal portion 12 (side end portion 15b) overlap each other (see a portion d in FIGS. 3A and 3C), the protruding portion 14 of the present embodiment is engaged with the engaging portion 15. Match.
The protrusion 14 is engaged with the engagement portion 15 as described above, so that the manufactured optical semiconductor device 1 is broken at the portion of the light reflecting resin layer 20 between the terminal portion 11 and the terminal portion 12 and damaged. Can be suppressed.

端子部１１には、連結部１３の接合部及び突出部１４を除いた端子部１１の表面の外周縁に、表面から窪むようにして交互に凹部Ｍ１が形成されている。また、端子部１１には、突出部１４及び連結部１３の裏面に、端子部１１の裏面から窪むようにして凹部Ｍ２が形成されている。凹部Ｍ２が端子部１１の裏面に形成されることにより、端子部１１の裏面の凹部Ｍ２が形成されない部分（外部端子面１１ｂとなる部分）は、矩形状となる。
端子部１２には、係合部１５の側端部１５ｂと、連結部１３の接合部とを除いた端子部１２の表面の外周縁に、表面から窪むようにして交互に凹部Ｍ３が形成されている。すなわち、端子部１２には、端子部１１の凹部Ｍ２と対向する位置となる凹み部１５ａの表面にも凹部Ｍ３が形成される。
また、端子部１２には、係合部１５の側端部１５ｂ及び連結部１３の裏面に、端子部１２の裏面から窪むようにして凹部Ｍ４が形成されている。すなわち、端子部１２には、端子部１１の凹部Ｍ１と対向する位置となる側端部１５ｂの裏面にも凹部Ｍ４が形成される。凹部Ｍ４が端子部１２の裏面に形成されることにより、端子部１２の裏面の凹部Ｍ４が形成されない部分（外部端子面１２ｂとなる部分）は、矩形状となる。
凹部Ｍ１〜Ｍ４は、それぞれ、その底面の厚みが、端子部１１、１２の厚みの１／３〜２／３程度に形成されている。 In the terminal portion 11, concave portions M <b> 1 are alternately formed on the outer peripheral edge of the surface of the terminal portion 11 excluding the joint portion of the connecting portion 13 and the protruding portion 14 so as to be recessed from the surface. Further, in the terminal portion 11, a recess M <b> 2 is formed on the back surface of the protruding portion 14 and the connecting portion 13 so as to be recessed from the back surface of the terminal portion 11. By forming the recess M2 on the back surface of the terminal portion 11, a portion where the recess M2 on the back surface of the terminal portion 11 is not formed (portion that becomes the external terminal surface 11b) is rectangular.
In the terminal portion 12, recesses M <b> 3 are alternately formed on the outer peripheral edge of the surface of the terminal portion 12 excluding the side end portion 15 b of the engaging portion 15 and the joint portion of the connecting portion 13 so as to be recessed from the surface. . That is, the terminal portion 12 is also formed with a concave portion M3 on the surface of the concave portion 15a that is positioned opposite the concave portion M2 of the terminal portion 11.
Further, in the terminal portion 12, a concave portion M <b> 4 is formed on the side end portion 15 b of the engaging portion 15 and the back surface of the connecting portion 13 so as to be recessed from the back surface of the terminal portion 12. That is, the terminal portion 12 is also formed with a concave portion M4 on the back surface of the side end portion 15b that faces the concave portion M1 of the terminal portion 11. By forming the concave portion M4 on the back surface of the terminal portion 12, a portion where the concave portion M4 on the back surface of the terminal portion 12 is not formed (portion serving as the external terminal surface 12b) has a rectangular shape.
The concave portions M1 to M4 are formed so that the bottom surface has a thickness of about 1/3 to 2/3 of the thickness of the terminal portions 11 and 12, respectively.

リードフレーム１０は、図４に示すように、端子部１１、１２の周囲や、端子部間に、光反射樹脂層２０を形成する樹脂が充填される場合に、各凹部Ｍ１〜Ｍ４にも樹脂が充填され、光反射樹脂層２０によって挟み込まれる形態を取る。これにより、各端子部の凹部Ｍ１〜Ｍ４は、光反射樹脂層２０が、平面方向（Ｘ方向、Ｙ方向）及び厚み方向（Ｚ方向）において、リードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
特に、端子部１２は、上述したように、端子部１１と対向する辺において、端子部１１の裏面に形成された凹部Ｍ２と対向する位置の表面に凹部Ｍ３が形成され、また、端子部１１の表面に形成された凹部Ｍ１と対向する位置の裏面に凹部Ｍ４が形成される。すなわち、対向する端子部間において、表面から窪む凹部（Ｍ１、Ｍ３）と、裏面から窪む凹部（Ｍ２、Ｍ４）とが交互に形成されることとなるので、各端子部間において充填された樹脂が各端子部に挟み込まれる形態となり、端子部間の光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。 As shown in FIG. 4, when the lead frame 10 is filled with the resin that forms the light reflecting resin layer 20 around the terminal portions 11 and 12 or between the terminal portions, the lead frame 10 is also resin in each of the recesses M1 to M4. Is filled and sandwiched between the light reflecting resin layers 20. As a result, the recesses M1 to M4 of the terminal portions prevent the light reflecting resin layer 20 from peeling from the lead frame 10 in the planar direction (X direction, Y direction) and the thickness direction (Z direction). be able to.
In particular, as described above, in the terminal portion 12, the recess M <b> 3 is formed on the surface facing the recess M <b> 2 formed on the back surface of the terminal portion 11 on the side facing the terminal portion 11. A recess M4 is formed on the back surface at a position facing the recess M1 formed on the front surface of the substrate. That is, the recesses (M1, M3) that are recessed from the front surface and the recesses (M2, M4) that are recessed from the back surface are alternately formed between the terminal portions facing each other. Thus, it is possible to suppress the light reflecting resin layer 20 between the terminal portions from being peeled off from the lead frame 10.

また、凹部Ｍ２及び凹部Ｍ４が各端子部の裏面に形成されることにより、図４（ｂ）に示すように、樹脂付きリードフレームの裏面に表出する端子部１１、１２（外部端子面１１ｂ、１２ｂ）は矩形状となり、また、表出する端子部１１、１２の対向する辺が直線となる。これにより、製造された光半導体装置１の外部機器の基板への実装を容易にすることができる。
仮に、樹脂付きリードフレームの裏面に表出する端子部の形状が矩形状でなく複雑な形状である場合、端子面への半田等の塗布量を適正に制御することができず、各外部端子面１１ｂ、１２ｂと外部機器の基板との接合部分で段差が生じたり、接合不良を生じたりして、適正に光半導体装置１を製造することができない場合がある。本実施形態のリードフレーム１０は、このような問題を回避することができる。 Further, by forming the recess M2 and the recess M4 on the back surface of each terminal portion, as shown in FIG. 4B, the terminal portions 11 and 12 (external terminal surface 11b) appearing on the back surface of the lead frame with resin. 12b) has a rectangular shape, and the opposing sides of the exposed terminal portions 11 and 12 are straight lines. Thereby, mounting of the manufactured optical semiconductor device 1 on a substrate of an external device can be facilitated.
If the shape of the terminal part exposed on the back surface of the lead frame with resin is not a rectangular shape but a complicated shape, the amount of solder applied to the terminal surface cannot be controlled properly, and each external terminal There may be a case where the optical semiconductor device 1 cannot be manufactured properly due to a difference in level at the junction between the surfaces 11b and 12b and the substrate of the external device or a defective junction. The lead frame 10 of this embodiment can avoid such a problem.

連結部１３は、図２に示すように、製造過程においてフレームＦ内に多面付けされた各リードフレーム１０の各端子部１１、１２を連結している。連結部１３は、各端子部１１、１２を形成する各辺のうち、端子部１１、１２が対向する辺を除いた辺に形成されている。   As shown in FIG. 2, the connecting portion 13 connects the terminal portions 11 and 12 of the lead frames 10 that are multifaceted in the frame F in the manufacturing process. The connection part 13 is formed in the edge | side except the edge | side which the terminal parts 11 and 12 oppose among each edge | side which forms each terminal part 11 and 12. FIG.

具体的には、連結部１３ａは、端子部１１の右（＋Ｘ）側の辺と、右側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の左（−Ｘ）側の辺とを直接接続し、また、端子部１２の左側の辺と、左側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の右側の辺とを接続している。
連結部１３ｂは、端子部１１の上（＋Ｙ）側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の下（−Ｙ）側の辺とを接続し、また、端子部１１の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１１の上側の辺とを接続する。 Specifically, the connecting portion 13a directly connects the right (+ X) side edge of the terminal portion 11 and the left (−X) side edge of the terminal portion 12 of another lead frame 10 adjacent to the right side. In addition, the left side of the terminal portion 12 is connected to the right side of the terminal portion 11 of another lead frame 10 adjacent to the left side.
The connecting portion 13 b connects the upper (+ Y) side of the terminal portion 11 and the lower (−Y) side of the terminal portion 11 of another lead frame 10 adjacent to the upper side, and the terminal portion 11. The lower side is connected to the upper side of the terminal portion 11 of another lead frame 10 adjacent to the lower side.

連結部１３ｃは、端子部１２の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の下側の辺とを接続し、また、端子部１２の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の上側の辺とを接続する。
連結部１３ｄは、端子部１１の上側の辺と、上側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の下側の辺とを接続し、また、端子部１２の下側の辺と、下側に隣接する他のリードフレーム１０の端子部１２の上側の辺とを接続する。連結部１３ｄは、上述の構成によって、端子部１１、１２の面内において、端子部１１及び端子部１２間の隙間の延長上に位置することとなり、製造された光半導体装置１が、端子部１１及び端子部１２間の光反射樹脂層２０の部分の強度を向上させることができる。これにより、光半導体装置１が、その部分で折れて破損してしまうのを抑制することができる。 The connecting portion 13c connects the upper side of the terminal portion 12 and the lower side of the terminal portion 12 of another lead frame 10 adjacent to the upper side, and the lower side and the lower side of the terminal portion 12 The upper side of the terminal portion 12 of another lead frame 10 adjacent to the side is connected.
The connecting part 13d connects the upper side of the terminal part 11 and the lower side of the terminal part 12 of another lead frame 10 adjacent to the upper side, and the lower side and the lower side of the terminal part 12 The upper side of the terminal portion 12 of another lead frame 10 adjacent to the side is connected. The connecting portion 13d is positioned on the extension of the gap between the terminal portion 11 and the terminal portion 12 in the plane of the terminal portions 11 and 12 by the above-described configuration, and the manufactured optical semiconductor device 1 is connected to the terminal portion. 11 and the strength of the portion of the light reflecting resin layer 20 between the terminal portions 12 can be improved. Thereby, it is possible to suppress the optical semiconductor device 1 from being broken and broken at that portion.

ここで、端子部１１、１２は、隣り合う他のリードフレーム１０の端子部１１、１２と、連結部１３によって電気的に導通されるが、光半導体装置１の多面付け体を形成した後に、光半導体装置１の外形（図２中の破線部（リードフレーム１０の外形））に合わせて各連結部１３を切断（ダイシング）することによって絶縁される。また、個片化された場合に、各々の個片を同じ形状にすることができる。
なお、フレームＦ内の外周に位置する各リードフレーム１０の各端子部１１、１２は、フレームＦと連結部１３ａ〜１３ｄのいずれか１つ又は複数によって接続されている。 Here, the terminal portions 11 and 12 are electrically connected to the terminal portions 11 and 12 of the other adjacent lead frame 10 by the connecting portion 13, but after forming the multi-faced body of the optical semiconductor device 1, Insulation is performed by cutting (dicing) each connecting portion 13 in accordance with the outer shape of the optical semiconductor device 1 (the broken line portion in FIG. 2 (the outer shape of the lead frame 10)). Moreover, when it divides into pieces, each piece can be made into the same shape.
In addition, each terminal part 11 and 12 of each lead frame 10 located on the outer periphery in the frame F is connected to the frame F by any one or a plurality of connecting parts 13a to 13d.

連結部１３は、図３（ｂ）〜図３（ｄ）に示すように、凹部Ｍ２又は凹部Ｍ４が形成されることによって端子部１１、１２の厚みよりも薄く形成され、また、その表面が端子部１１、１２の表面と同一平面内に形成されている。これにより、リードフレーム１０を平坦な金型で表裏から抑える又は表裏にテープを貼付け、側面から樹脂を注入する方法により、光反射樹脂層２０の樹脂が充填された場合に、図４に示すように、連結部１３の裏面にも樹脂が流れ込み、端子部１１、１２に設けられた各凹部Ｍ１〜Ｍ４とともに、光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。   As shown in FIGS. 3B to 3D, the connecting portion 13 is formed thinner than the terminal portions 11 and 12 by forming the concave portion M <b> 2 or the concave portion M <b> 4. It is formed in the same plane as the surfaces of the terminal portions 11 and 12. Thus, when the resin of the light reflecting resin layer 20 is filled by a method of holding the lead frame 10 from the front and back with a flat mold or sticking tape to the front and back and injecting resin from the side, as shown in FIG. In addition, the resin also flows into the back surface of the connecting portion 13, and the light reflecting resin layer 20 can be prevented from being peeled off from the lead frame 10 together with the recesses M1 to M4 provided in the terminal portions 11 and 12. .

光反射樹脂層２０は、図４に示すように、各端子部の外周側面（リードフレーム１０の外周及び各端子部間の隙間）と、各端子部に設けられた凹部Ｍ１〜Ｍ４とに充填された樹脂の層である。光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０の厚みとほぼ同一の厚みに形成されている。
光反射樹脂層２０は、リードフレーム１０に載置されるＬＥＤ素子２の発する光を反射させるために、光反射特性を有する熱可塑性樹脂や、熱硬化性樹脂が用いられる。
光反射樹脂層２０を形成する樹脂は、凹み部分への樹脂充填に関しては、樹脂形成時には流動性が高いことが、凹み部分での接着性に関しては、分子内に反応基を導入しやすいためにフレームとの化学接着性を得られることが必要なため、熱硬化性樹脂が望ましい。 As shown in FIG. 4, the light reflecting resin layer 20 fills the outer peripheral side surfaces of the terminal portions (the outer periphery of the lead frame 10 and the gaps between the terminal portions) and the recesses M1 to M4 provided in the terminal portions. It is the layer of the resin made. The light reflecting resin layer 20 is formed to have substantially the same thickness as the lead frame 10.
The light reflecting resin layer 20 is made of a thermoplastic resin having a light reflecting property or a thermosetting resin in order to reflect light emitted from the LED element 2 placed on the lead frame 10.
The resin forming the light reflecting resin layer 20 has high fluidity when the resin is formed with respect to the resin filling in the recessed portion, and the adhesiveness at the recessed portion is easy to introduce a reactive group into the molecule. A thermosetting resin is desirable because it is necessary to obtain chemical adhesion to the frame.

例えば、熱可塑性樹脂としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン等を用いることができる。
また、熱硬化性樹脂としては、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミド、ポリウレタン及びポリブチレンアクリレート等を用いることができる。
さらに、これらの樹脂中に光反射材として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、光の反射率を増大させることができる。 For example, as the thermoplastic resin, polyamide, polyphthalamide, polyphenylene sulfide, liquid crystal polymer, polyether sulfone, polybutylene terephthalate, polyolefin, or the like can be used.
As the thermosetting resin, silicone, epoxy, polyetherimide, polyurethane, polybutylene acrylate, or the like can be used.
Furthermore, the reflectance of light can be increased by adding any of titanium dioxide, zirconium dioxide, potassium titanate, aluminum nitride, and boron nitride as a light reflecting material to these resins.

透明樹脂層３０は、リードフレーム１０上に載置されたＬＥＤ素子２を保護するとともに、発光したＬＥＤ素子２の光を外部に透過させるために設けられた透明又は略透明に形成された樹脂層である。
透明樹脂層３０は、光の取り出し効率を向上させるために、ＬＥＤ素子２の発光波長において光透過率が高く、また、屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。例えば、耐熱性、耐光性、及び機械的強度が高いという特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂や、シリコーン樹脂を選択することができる。特に、ＬＥＤ素子２に高輝度ＬＥＤ素子を用いる場合、透明樹脂層３０は、強い光にさらされるため、高い耐光性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。また、波長変換用の蛍光体を使用してもよく、透明樹脂に分散させてもよい。 The transparent resin layer 30 is a transparent or substantially transparent resin layer provided to protect the LED element 2 placed on the lead frame 10 and transmit the emitted light of the LED element 2 to the outside. It is.
For the transparent resin layer 30, it is desirable to select a material having a high light transmittance and a high refractive index at the emission wavelength of the LED element 2 in order to improve the light extraction efficiency. For example, an epoxy resin or a silicone resin can be selected as a resin that satisfies the properties of high heat resistance, light resistance, and mechanical strength. In particular, when a high-brightness LED element is used for the LED element 2, the transparent resin layer 30 is preferably made of a silicone resin having high light resistance because it is exposed to strong light. Moreover, a phosphor for wavelength conversion may be used, or it may be dispersed in a transparent resin.

ここで、高い耐光性を有するシリコーン樹脂は、構造中に芳香族を有しない、又は、可能な限り有しない構造とするため、結果として機械的な強度が劣る構造体となってしまう。
従来の樹脂とフレームとの密着性が十分でないために、例えば、光半導体装置の多面付け体を搬送する際に受ける応力や、パッケージを基板に実装する際および使用時の熱ストレス等によって、端子部間での剥離が発生しやすかった。このため、透明樹脂に機械強度の高いエポキシ系樹脂や、芳香族を含むシリコーン、官能基を含む変性シリコーンなどを使用することで、構造体全体の強度を保つ必要があるが、純度の高いシリコーン樹脂に比べ、耐光性、耐熱性が劣る問題があった。本発明では端子部間の係合が係合部によって十分であるため、機械強度の観点から、純度の高いシリコーン樹脂を使用することができ、耐光性、耐熱性を有するパッケージとすることができる。 Here, since the silicone resin having high light resistance has a structure that does not have aromatics in the structure or has as little as possible, it results in a structure having poor mechanical strength.
Since the adhesion between the conventional resin and the frame is not sufficient, for example, due to the stress applied when transporting the multi-sided body of the optical semiconductor device, the thermal stress during mounting of the package on the substrate and during use, etc. Peeling between parts was easy to occur. For this reason, it is necessary to maintain the strength of the entire structure by using epoxy resin with high mechanical strength, silicone containing aromatics, modified silicone containing functional groups, etc. as transparent resin. There was a problem that light resistance and heat resistance were inferior compared to resin. In the present invention, since the engagement between the terminal portions is sufficient by the engagement portion, a high-purity silicone resin can be used from the viewpoint of mechanical strength, and a package having light resistance and heat resistance can be obtained. .

次に、リードフレーム１０の製造方法について説明する。
図５は、第１実施形態のリードフレーム１０の製造過程を説明する図である。
図５（ａ）は、レジストパターンを形成した金属基板１００を示す平面図と、ａ−ａ断面図から見た側面図とを示す。図５（ｂ）は、エッチング加工されている金属基板１００を示す図である。図５（ｃ）は、エッチング加工後の金属基板１００を示す図である。図５（ｄ）は、レジストパターンが除去された金属基板１００を示す図である。図５（ｅ）は、めっき処理が施された金属基板１００を示す図である。
なお、図５においては、１枚のリードフレーム１０の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００から多面付けされた複数のリードフレーム１０が製造されるものとする。 Next, a method for manufacturing the lead frame 10 will be described.
FIG. 5 is a diagram for explaining the manufacturing process of the lead frame 10 of the first embodiment.
FIG. 5A shows a plan view of the metal substrate 100 on which a resist pattern is formed, and a side view as seen from the aa sectional view. FIG. 5B shows the metal substrate 100 that has been etched. FIG.5 (c) is a figure which shows the metal substrate 100 after an etching process. FIG. 5D shows the metal substrate 100 from which the resist pattern has been removed. FIG. 5E shows the metal substrate 100 that has been subjected to plating.
In FIG. 5, the manufacturing process of one lead frame 10 is illustrated, but actually, a plurality of lead frames 10 that are multifaceted from one metal substrate 100 are manufactured.

リードフレーム１０の製造において、金属基板１００を加工してリードフレーム１０を形成するが、その加工は、プレス加工でも良いが、薄肉部を形成しやすいエッチング処理が望ましい。以下にエッチング処理によるリードフレーム１０の製造方法について説明する。
まず、平板状の金属基板１００を用意し、図５（ａ）に示すように、その表面及び裏面のエッチング加工を施さない部分にレジストパターン４０ａ、４０ｂを形成する。ここで、乾板へのレジストパターンの描画は、レーザ走査量を減らすため、エッチング部分が少なくなるデザインが望ましい。なお、レジストパターン４０ａ、４０ｂの材料及び形成方法は、エッチング用レジストとして従来公知の技術を用いる。
次に、図５（ｂ）に示すように、レジストパターン４０ａ、４０ｂを耐エッチング膜として、金属基板１００に腐食液でエッチング処理を施す。腐食液は、使用する金属基板１００の材質に応じて適宜選択することができる。本実施形態では、金属基板１００として銅板を使用しているため、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板１００の両面からスプレーエッチングすることができる。腐食成分は、金属を腐食後に活性を失い、不要物として液中に蓄積するため、エッチング領域は可能な限り少ないことが望ましい。 In the manufacture of the lead frame 10, the metal substrate 100 is processed to form the lead frame 10. The processing may be press processing, but an etching process that easily forms a thin portion is desirable. Below, the manufacturing method of the lead frame 10 by an etching process is demonstrated.
First, a flat metal substrate 100 is prepared, and as shown in FIG. 5A, resist patterns 40a and 40b are formed on portions of the front and back surfaces that are not etched. Here, it is desirable that the resist pattern be drawn on the dry plate so that the etching portion is reduced in order to reduce the amount of laser scanning. The material and the formation method of the resist patterns 40a and 40b use a conventionally known technique as an etching resist.
Next, as shown in FIG. 5B, the metal substrate 100 is etched with a corrosive liquid using the resist patterns 40a and 40b as etching resistant films. The corrosive liquid can be appropriately selected according to the material of the metal substrate 100 to be used. In this embodiment, since a copper plate is used as the metal substrate 100, an aqueous ferric chloride solution can be used and spray etching can be performed from both surfaces of the metal substrate 100. Since the corrosive component loses its activity after corroding the metal and accumulates in the liquid as an unnecessary substance, it is desirable that the etching area is as small as possible.

ここで、リードフレーム１０には、端子部１１、１２の外周部のように貫通した空間と、凹部Ｍ１〜Ｍ４のように貫通せずに厚みが薄くなっている窪んだ空間とが存在する（図３参照）。本実施形態では、金属基板１００の板厚の半分程度までをエッチング加工する、いわゆるハーフエッチング処理を行い、貫通した空間に対しては、金属基板１００の両面にレジストパターンを形成しないようにし、金属基板１００の両面からエッチング加工して、貫通した空間を形成する。また、窪んだ空間に対しては、窪んだ空間側とは反対側の面にのみレジストパターンを形成して、レジストパターンがない面のみをエッチング加工して、窪んだ空間を形成する。
エッチング処理により金属基板１００には、図５（ｃ）に示すように、凹部Ｍ１〜Ｍ４が形成された端子部１１、１２と、他の端子部１１、１２を連結する連結部１３とが形成され、金属基板１００上に複数のリードフレーム１０が形成される（図２参照）。 Here, the lead frame 10 includes a space that penetrates like the outer peripheral portions of the terminal portions 11 and 12 and a depressed space that does not penetrate and is thin like the recesses M1 to M4 ( (See FIG. 3). In the present embodiment, a so-called half-etching process that etches up to about half the plate thickness of the metal substrate 100 is performed, and a resist pattern is not formed on both surfaces of the metal substrate 100 in the penetrating space. Etching is performed from both sides of the substrate 100 to form a penetrating space. For the recessed space, a resist pattern is formed only on the surface opposite to the recessed space, and only the surface without the resist pattern is etched to form a recessed space.
As shown in FIG. 5C, the metal substrate 100 is formed with the terminal portions 11 and 12 in which the recesses M1 to M4 are formed and the connecting portion 13 that connects the other terminal portions 11 and 12 to the metal substrate 100 by the etching process. Thus, a plurality of lead frames 10 are formed on the metal substrate 100 (see FIG. 2).

次に、図５（ｄ）に示すように、金属基板１００（リードフレーム１０）からレジストパターン４０を除去する。
そして、図５（ｅ）に示すように、リードフレーム１０が形成された金属基板１００にめっき処理を行い、端子部１１、１２にめっき層Ｓを形成する。めっき処理は、例えば、シアン化銀を主成分とした銀めっき液を用いた電解めっきを施すことにより行われる。
なお、めっき層Ｓを形成する前に、例えば、電解脱脂工程、酸洗工程、銅ストライク工程を適宜選択し、その後、電解めっき工程を経てめっき層Ｓを形成してもよい。
以上により、図２に示すようなフレームＦに多面付けされたリードフレーム１０が製造される。なお、図２において、めっき層の記載は省略している。 Next, as shown in FIG. 5D, the resist pattern 40 is removed from the metal substrate 100 (lead frame 10).
Then, as shown in FIG. 5 (e), the metal substrate 100 on which the lead frame 10 is formed is plated to form a plating layer S on the terminal portions 11 and 12. The plating process is performed, for example, by performing electrolytic plating using a silver plating solution containing silver cyanide as a main component.
In addition, before forming the plating layer S, for example, an electrolytic degreasing process, a pickling process, and a copper strike process may be selected as appropriate, and then the plating layer S may be formed through an electrolytic plating process.
In this way, the lead frame 10 that is multifaceted to the frame F as shown in FIG. 2 is manufactured. In FIG. 2, the description of the plating layer is omitted.

また、光反射樹脂層２０の成形後にめっき処理を施してもよい。係合部１５によりリードフレーム１０と光反射樹脂層２０とがよく密着しているため、めっきが間隙に入り込むことなく、表面及び裏面に対してのみ効率良く金属を析出させることが可能である。
光反射樹脂層２０の成形後に無電解めっき処理を行うことも可能である。無電解めっき処理では、化学的な還元反応により金属を析出させることが必要であり、樹脂部へのアタックが大きくなるため、光反射樹脂層２０とリードフレーム１０とがよく密着していることが特に重要となる。本実施形態のリードフレーム１０は、係合部１５により光反射樹脂層２０とよく密着しているため、例えば、高温で析出させることが必要な無電解ニッケルと、その後の無電解金又は銀めっきなどでも、めっきが隙間に入り込むことなく良好な処理が可能である。 Further, after the light reflecting resin layer 20 is formed, a plating process may be performed. Since the lead frame 10 and the light reflecting resin layer 20 are in close contact with each other by the engaging portion 15, it is possible to deposit metal efficiently only on the front surface and the back surface without the plating entering the gap.
It is also possible to perform electroless plating after the light reflecting resin layer 20 is formed. In the electroless plating treatment, it is necessary to deposit a metal by a chemical reduction reaction, and the attack to the resin portion becomes large. Therefore, the light reflecting resin layer 20 and the lead frame 10 are in close contact with each other. Especially important. Since the lead frame 10 of the present embodiment is in close contact with the light reflecting resin layer 20 by the engaging portion 15, for example, electroless nickel that needs to be deposited at a high temperature, and then electroless gold or silver plating Even in such a case, it is possible to perform a good treatment without the plating entering the gap.

次に、光半導体装置１の製造方法について説明する。
図６は、第１実施形態の光半導体装置１の製造過程を説明する図である。
図６（ａ）は、光反射樹脂層２０が形成されたリードフレーム１０（金属基板１００）を示す図である。図６（ｂ）は、ＬＥＤ素子２が電気的に接続されたリードフレーム１０（金属基板１００）を示す図である。図６（ｃ）は、透明樹脂層３０が形成されたリードフレーム１０（金属基板１００）を示す図である。図６（ｄ）は、ダイシングにより小片化された光半導体装置１を示す図である。
図７は、多面付けされた樹脂付きリードフレーム及び光半導体素子を示す図である。
なお、図６においては、１台の光半導体装置１の製造過程について図示するが、実際には、１枚の金属基板１００から複数の光半導体装置１が製造されるものとする。 Next, a method for manufacturing the optical semiconductor device 1 will be described.
FIG. 6 is a diagram illustrating a manufacturing process of the optical semiconductor device 1 according to the first embodiment.
FIG. 6A shows the lead frame 10 (metal substrate 100) on which the light reflecting resin layer 20 is formed. FIG. 6B shows the lead frame 10 (metal substrate 100) to which the LED element 2 is electrically connected. FIG. 6C shows the lead frame 10 (metal substrate 100) on which the transparent resin layer 30 is formed. FIG. 6D is a diagram showing the optical semiconductor device 1 that has been segmented by dicing.
FIG. 7 is a view showing a multi-sided resin-attached lead frame and an optical semiconductor element.
In FIG. 6, the manufacturing process of one optical semiconductor device 1 is illustrated, but actually, a plurality of optical semiconductor devices 1 are manufactured from one metal substrate 100.

図６（ａ）に示すように、金属基板１００上にエッチング加工により形成されたリードフレーム１０の外周等に上述の光反射特性を有する樹脂を充填し、光反射樹脂層２０を形成する。ここで、リードフレーム１０は、上述したように、多面付けされているため（図２参照）、光反射特性を有する樹脂が充填されることによって、図７（ａ）に示すように、多面付けされた樹脂付きリードフレームが形成される。
光反射樹脂層２０は、例えば、射出成形やトランスファ成形のように、樹脂成形金型にリードフレーム１０（金属基板１００）をインサートし、樹脂を注入する方法や、リードフレーム１０上に樹脂をスクリーン印刷する方法等によって形成される。このとき、各凹部Ｍ１〜Ｍ４は、端子部１１、１２の外周側面につながっているので、樹脂は、各端子部の外周側面側から各凹部Ｍ１〜Ｍ４へと流れ込む。
光反射樹脂層２０は、端子部１１、１２とほぼ同等の厚みに形成され、リードフレーム１０の外周だけでなく、各端子部間や、凹部Ｍ１〜Ｍ４に形成され、リードフレーム１０に接合される。 As shown in FIG. 6A, the outer periphery of the lead frame 10 formed on the metal substrate 100 by etching is filled with the resin having the above-described light reflection characteristics to form the light reflection resin layer 20. Here, since the lead frame 10 is multi-faceted as described above (see FIG. 2), the lead frame 10 is filled with a resin having light reflection characteristics, as shown in FIG. A lead frame with resin is formed.
The light reflecting resin layer 20 is formed by inserting a lead frame 10 (metal substrate 100) into a resin molding die and injecting the resin, such as injection molding or transfer molding, or by screening the resin on the lead frame 10. It is formed by a printing method or the like. At this time, since each recessed part M1-M4 is connected with the outer peripheral side surface of the terminal parts 11 and 12, resin flows into each recessed part M1-M4 from the outer peripheral side side of each terminal part.
The light reflecting resin layer 20 is formed to have substantially the same thickness as the terminal portions 11 and 12, and is formed not only on the outer periphery of the lead frame 10 but also between the terminal portions and in the recesses M <b> 1 to M <b> 4 and joined to the lead frame 10. The

次に、図６（ｂ）に示すように、端子部１１のＬＥＤ端子面１１ａに、ダイアタッチペーストや半田等の放熱性接着剤を介してＬＥＤ素子２を載置し、また、端子部１２のＬＥＤ端子面１２ａに、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２を電気的に接続する。ＬＥＤ素子とボンディングワイヤは、複数あってもよく、一つのＬＥＤ素子に複数のボンディングワイヤが接続されてもよく、ボンディングワイヤをダイパッドに接続させてもよい。また、ＬＥＤ素子２を載置面で電気的に接続してもよい。ここで、ボンディングワイヤ２ａは、例えば、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の導電性の良い材料からなる。
そして、図６（ｃ）に示すように、リードフレーム１０と、それに接合した光反射樹脂層２０の表面に、ＬＥＤ素子２を覆うようにして透明樹脂層３０を形成する。これにより、図７（ｂ）に示すように、リードフレーム１０上に多面付けされた光半導体装置１が複数製造される。なお、透明樹脂層は、平坦な形状のほかレンズ形状、屈折率勾配等、光学的な機能を持たせてもよい。
最後に、図６（ｄ）に示すように、光半導体装置１の外形に合わせて、光反射樹脂層２０及び透明樹脂層３０と共に、リードフレーム１０の連結部１３を切断（ダイシング、パンチング、カッティング等）して、１パッケージに分離（小片化）された光半導体装置１を得る（図１参照）。 Next, as shown in FIG. 6B, the LED element 2 is placed on the LED terminal surface 11 a of the terminal portion 11 via a heat-dissipating adhesive such as die attach paste or solder, and the terminal portion 12. The LED element 2 is electrically connected to the LED terminal surface 12a via the bonding wire 2a. There may be a plurality of LED elements and bonding wires, a plurality of bonding wires may be connected to one LED element, or the bonding wires may be connected to a die pad. Moreover, you may electrically connect the LED element 2 by a mounting surface. Here, the bonding wire 2a is made of a material having good conductivity such as gold (Au), copper (Cu), silver (Ag), and the like.
Then, as shown in FIG. 6C, a transparent resin layer 30 is formed on the surface of the lead frame 10 and the light reflecting resin layer 20 bonded thereto so as to cover the LED element 2. As a result, as shown in FIG. 7B, a plurality of optical semiconductor devices 1 that are multifaceted on the lead frame 10 are manufactured. The transparent resin layer may have optical functions such as a lens shape and a refractive index gradient in addition to a flat shape.
Finally, as shown in FIG. 6 (d), the connecting portion 13 of the lead frame 10 is cut (dicing, punching, cutting) together with the light reflecting resin layer 20 and the transparent resin layer 30 in accordance with the outer shape of the optical semiconductor device 1. Etc.) to obtain the optical semiconductor device 1 separated (divided) into one package (see FIG. 1).

本実施形態の発明には、以下のような効果がある。
（１）リードフレーム１０は、端子部１１が、端子部１２と対向する辺に突出部１４を備えているので、ＬＥＤ素子２を光半導体装置１のパッケージの中心Ｏに配置することができる。これにより、ＬＥＤ素子２から発光される光の透明樹脂層３０を透過する経路の長さを略均等にすることができ、光半導体装置１から出射する光の色ムラの発生を抑制することができる。
また、ＬＥＤ素子２が、光半導体装置１のパッケージの中心Ｏに配置されることによって、光半導体素子１を実装する外部機器の基板等の設計の自由度を向上させることができる。 The invention of this embodiment has the following effects.
(1) In the lead frame 10, since the terminal portion 11 includes the protruding portion 14 on the side facing the terminal portion 12, the LED element 2 can be disposed at the center O of the package of the optical semiconductor device 1. Thereby, the length of the path | route which permeate | transmits the transparent resin layer 30 of the light emitted from LED element 2 can be made substantially uniform, and generation | occurrence | production of the color nonuniformity of the light radiate | emitted from the optical semiconductor device 1 is suppressed. it can.
Further, the LED element 2 is disposed at the center O of the package of the optical semiconductor device 1, so that the degree of freedom in designing the substrate of the external device on which the optical semiconductor element 1 is mounted can be improved.

（２）光半導体装置１は、その裏面に表出する各端子部１１、１２の外部端子面１１ｂ、１２ｂの形状が、矩形状であるので、外部機器の基板への実装を容易にすることができる。すなわち、外部端子面１１ｂ、１２ｂの形状を矩形にすることによって、端子面への半田等の塗布量を適正に制御することができ、各外部端子面１１ｂ、１２ｂと外部機器の基板との接合部分で段差が生じたり、接合不良を生じたりするのを抑制することができる。
（３）リードフレーム１０は、突出部１４の裏面が、端子部１１の裏面から窪むようにして凹部Ｍ２が形成されているので、光反射樹脂層２０を形成する場合に、樹脂が凹部Ｍ２に充填されることにより、光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。 (2) Since the shape of the external terminal surfaces 11b and 12b of the terminal portions 11 and 12 exposed on the back surface of the optical semiconductor device 1 is rectangular, it is easy to mount the external device on the substrate. Can do. That is, by making the shape of the external terminal surfaces 11b and 12b rectangular, it is possible to appropriately control the amount of solder or the like applied to the terminal surface, and to join the external terminal surfaces 11b and 12b to the substrate of the external device. It can suppress that a level | step difference arises in a part or a junction defect arises.
(3) Since the recess M2 is formed in the lead frame 10 so that the back surface of the protruding portion 14 is recessed from the back surface of the terminal portion 11, the resin is filled in the recess M2 when the light reflecting resin layer 20 is formed. As a result, the light reflecting resin layer 20 can be prevented from being peeled off from the lead frame 10.

（４）リードフレーム１０は、端子部１２が、突出部１４と対向する位置に、突出部１４と係合する係合部１５を備えるので、端子部１１と端子部１２とは、一定の隙間を有しつつも、端子部１１、１２の配列方向であるＸ方向と端子部１１、１２の面内で直交するＹ方向から見て、端子部１１及び端子部１２が重なり合うように配置される。これにより、製造された光半導体装置１が、端子部１１及び端子部１２間の光反射樹脂層２０の部分で折れて破損してしまうのを抑制することができる。 (4) Since the lead frame 10 includes the engaging portion 15 that engages with the protruding portion 14 at a position where the terminal portion 12 faces the protruding portion 14, the terminal portion 11 and the terminal portion 12 have a certain gap. However, the terminal portion 11 and the terminal portion 12 are arranged so as to overlap each other when viewed from the X direction that is the arrangement direction of the terminal portions 11 and 12 and the Y direction orthogonal to the plane of the terminal portions 11 and 12. . Thereby, it can suppress that the manufactured optical semiconductor device 1 breaks and breaks in the part of the light reflection resin layer 20 between the terminal part 11 and the terminal part 12. FIG.

（５）リードフレーム１０は、係合部１５の凹み部１５ａの表面が、端子部１２の表面から窪むようにして凹部Ｍ３が形成されているので、光反射樹脂層２０を形成する場合に、樹脂が凹部Ｍ３に充填されることにより、光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
特に、凹み部１５ａの凹部Ｍ３と、突出部１４の裏面に形成された凹部Ｍ２とが存在することにより、対向する端子部間において、表面から窪む凹部（Ｍ３）と、裏面から窪む凹部（Ｍ２）とが交互に形成されることとなるので、各端子部間において充填された樹脂が各端子部に挟み込まれる形態となり、端子部間の光反射樹脂層２０がリードフレーム１０から剥離してしまうのを抑制することができる。 (5) Since the lead frame 10 is formed with the concave portion M3 so that the surface of the concave portion 15a of the engaging portion 15 is recessed from the surface of the terminal portion 12, when the light reflecting resin layer 20 is formed, the resin is By filling the recess M3, the light reflecting resin layer 20 can be prevented from being peeled off from the lead frame 10.
In particular, due to the presence of the recessed portion M3 of the recessed portion 15a and the recessed portion M2 formed on the back surface of the protruding portion 14, the recessed portion (M3) recessed from the front surface and the recessed portion recessed from the back surface between the opposing terminal portions. (M2) are alternately formed, so that the resin filled between the terminal portions is sandwiched between the terminal portions, and the light reflecting resin layer 20 between the terminal portions is peeled off from the lead frame 10. Can be suppressed.

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
図８は、第２実施形態の光半導体装置２０１を示す図である。
図８（ａ）、図８（ｂ）は、それぞれ、光半導体装置２０１の平面図、側面図を示し、図８（ｃ）は、透明樹脂層２３０の他の形態例を示す図８（ｂ）に対応する図である。なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。 (Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
FIG. 8 is a diagram illustrating an optical semiconductor device 201 according to the second embodiment.
FIGS. 8A and 8B show a plan view and a side view of the optical semiconductor device 201, respectively, and FIG. 8C shows another example of the transparent resin layer 230. FIG. It is a figure corresponding to. Note that, in the following description and drawings, the same reference numerals or the same reference numerals are given to the portions that perform the same functions as those in the first embodiment described above, and overlapping descriptions will be omitted as appropriate.

第２実施形態の光半導体装置２０１は、透明樹脂層２３０の形状が略半球状に形成されている点で第１実施形態の光半導体装置１と相違する。
透明樹脂層２３０は、リードフレーム１０上に載置されたＬＥＤ素子２を保護するとともに、発光したＬＥＤ素子２の光を外部に透過させるために設けられた透明又は略透明に形成された樹脂層である。透明樹脂層２３０は、リードフレーム１０及び光反射樹脂層２０の表面全体を覆うように形成される。 The optical semiconductor device 201 of the second embodiment is different from the optical semiconductor device 1 of the first embodiment in that the shape of the transparent resin layer 230 is substantially hemispherical.
The transparent resin layer 230 protects the LED element 2 placed on the lead frame 10 and is a transparent or substantially transparent resin layer provided to transmit the emitted light of the LED element 2 to the outside. It is. The transparent resin layer 230 is formed so as to cover the entire surface of the lead frame 10 and the light reflecting resin layer 20.

また、透明樹脂層２３０は、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、光を効率よく制御するために、ＬＥＤ素子２の全体を覆うようにして略半球状に形成される。具体的には、ＬＥＤ素子２の表面上であって光半導体装置２０１のパッケージの中央Ｏを通り、リードフレーム１０の厚み方向（Ｚ方向）に平行な線上の所定の点Ｃを中心として、略半球状に形成される。略半球状の場合は、ＬＥＤ素子２から発光した光が透明樹脂層２３０から外部へ放出される際に、透明樹脂層２３０と外部の界面で光が拡散し、下方へ放射された光を均一に上方へ取り出すことができる。
なお、透明樹脂層２３０は、光半導体装置１の用途等に応じて、図８（ｃ）に示すように、透明樹脂層２３０を略球形状に形成してもよい。略球形状の場合は、ＬＥＤ素子２から発光した光が透明樹脂層２３０から外部へ放出される際に、透明樹脂層２３０と外部の界面で光が拡散し、下方へ放射される光がより多くなるため、均一に上方へ取り出す効果が大きくなる。 Further, as shown in FIGS. 8A and 8B, the transparent resin layer 230 is formed in a substantially hemispherical shape so as to cover the entire LED element 2 in order to efficiently control light. . Specifically, about the predetermined point C on the line parallel to the thickness direction (Z direction) of the lead frame 10 on the surface of the LED element 2 and passing through the center O of the package of the optical semiconductor device 201. It is formed in a hemispherical shape. In the case of a substantially hemispherical shape, when the light emitted from the LED element 2 is emitted from the transparent resin layer 230 to the outside, the light diffuses at the interface between the transparent resin layer 230 and the outside, and the light emitted downward is uniform. It can be taken out upward.
Note that the transparent resin layer 230 may be formed in a substantially spherical shape as shown in FIG. 8C according to the use of the optical semiconductor device 1 or the like. In the case of a substantially spherical shape, when the light emitted from the LED element 2 is emitted from the transparent resin layer 230 to the outside, the light diffuses at the interface between the transparent resin layer 230 and the outside, and more light is emitted downward. Therefore, the effect of taking out upwards uniformly becomes large.

以上より、本実施形態の発明は、上述の第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
また、透明樹脂層２３０が、ＬＥＤ素子２の表面上であって光半導体装置２０１のパッケージの中央Ｏを通り、リードフレーム１０の厚み方向（Ｚ方向）に平行な線上の所定の点Ｃを中心として略半球状に形成されているので、光半導体装置２０１は、光半導体素子２から発光される光の透明樹脂層２３０を透過する経路の長さを、第１実施形態に比べより均等にすることができる。これにより、光半導体装置２０１から出射する光の色ムラの発生をより効果的に抑制することができる。 As described above, the invention of the present embodiment can achieve the same effects as those of the first embodiment described above.
Further, the transparent resin layer 230 is centered on a predetermined point C on a line parallel to the thickness direction (Z direction) of the lead frame 10 through the center O of the package of the optical semiconductor device 201 on the surface of the LED element 2. Therefore, the optical semiconductor device 201 makes the length of the path through which the light emitted from the optical semiconductor element 2 passes through the transparent resin layer 230 more uniform than in the first embodiment. be able to. Thereby, the occurrence of color unevenness of the light emitted from the optical semiconductor device 201 can be more effectively suppressed.

（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
図９は、第３実施形態のリードフレーム３１０を示す図である。図９（ａ）、図９（ｂ）は、それぞれ、リードフレーム３１０の平面図、裏面図を示し、図９（ｃ）、図９（ｄ）は、それぞれ図９（ａ）のｃ−ｃ断面図、ｄ−ｄ断面図を示す。
図１０は、第３実施形態の光半導体装置３０１を示す図である。図１０（ａ）、図１０（ｂ）は、それぞれ、光半導体装置３０１の平面図、裏面図を示し、図１０（ｃ）は、図９（ａ）のｃ−ｃ断面図を示す。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。 (Third embodiment)
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
FIG. 9 is a diagram showing a lead frame 310 according to the third embodiment. 9A and 9B show a plan view and a back view of the lead frame 310, respectively. FIGS. 9C and 9D show cc of FIG. 9A, respectively. Sectional drawing and dd sectional drawing are shown.
FIG. 10 is a diagram illustrating an optical semiconductor device 301 according to the third embodiment. 10A and 10B show a plan view and a back view of the optical semiconductor device 301, respectively, and FIG. 10C shows a cc cross-sectional view of FIG. 9A.
Note that, in the following description and drawings, the same reference numerals or the same reference numerals are given to the portions that perform the same functions as those in the first embodiment described above, and overlapping descriptions will be omitted as appropriate.

第３実施形態のリードフレーム３１０は、端子部３１１に突出部（１４）が、端子部３１２に係合部（１５）が形成されていない点で第１実施形態のリードフレーム１０と相違する。
リードフレーム３１０は、図９に示すように、一対の端子部、すなわち、ＬＥＤ素子２が載置、接続される端子部３１１と、ボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２に接続される端子部３１２とから構成される。また、リードフレーム３１０は、端子部３１１、３１２にそれぞれ連結部３１３が形成されており、その連結部３１３によって、フレームＦに多面付けされる（図２参照）。 The lead frame 310 of the third embodiment is different from the lead frame 10 of the first embodiment in that the protruding portion (14) is not formed on the terminal portion 311 and the engaging portion (15) is not formed on the terminal portion 312.
As shown in FIG. 9, the lead frame 310 has a pair of terminal portions, that is, a terminal portion 311 on which the LED element 2 is placed and connected, and a terminal portion 312 connected to the LED element 2 via the bonding wire 2a. It consists of. Further, the lead frame 310 is formed with connecting portions 313 at the terminal portions 311 and 312, respectively, and the connecting portion 313 is applied to the frame F in multiple faces (see FIG. 2).

端子部３１１は、連結部３１３の接合部及び端子部３１２と対向する辺を除いた端子部３１１の表面の外周縁に、表面から窪むようにして凹部Ｍ１が形成されている。また、端子部３１１は、端子部３１２と対向する辺と連結部３１３との裏面に、端子部３１１の裏面から窪むようにして凹部Ｍ２が形成されている。
端子部３１２は、連結部３１３の接合部を除いた端子部３１２の表面の外周縁に、表面から窪むようにして凹部Ｍ３が形成されている。また、端子部３１２は、連結部３１３の裏面に、端子部３１２の裏面から窪むようにして凹部Ｍ４が形成されている。
凹部Ｍ１〜Ｍ４は、それぞれ、その底面の厚みが、端子部３１１、３１２の厚みの１／３〜２／３程度に形成されている。 The terminal portion 311 has a recess M1 formed in the outer peripheral edge of the surface of the terminal portion 311 excluding the joint portion of the connecting portion 313 and the side facing the terminal portion 312 so as to be recessed from the surface. In addition, the terminal portion 311 has a recess M <b> 2 formed on the back surface of the side facing the terminal portion 312 and the connecting portion 313 so as to be recessed from the back surface of the terminal portion 311.
In the terminal portion 312, a concave portion M <b> 3 is formed on the outer peripheral edge of the surface of the terminal portion 312 excluding the joint portion of the connecting portion 313 so as to be recessed from the surface. Further, the terminal portion 312 has a recess M4 formed on the back surface of the connecting portion 313 so as to be recessed from the back surface of the terminal portion 312.
The concave portions M1 to M4 are formed so that the thickness of the bottom surface thereof is about 1/3 to 2/3 of the thickness of the terminal portions 311 and 312 respectively.

上記構成により、端子部３１１には、表面の凹部Ｍ１と裏面の凹部Ｍ２とが交互に形成され、同様に、端子部３１２には、表面の凹部Ｍ３と裏面の凹部Ｍ４とが交互に形成される。これにより、リードフレーム３１０は、図１０に示すように、各端子部３１１、３１２の外周（リードフレーム３１０の外周及び端子部間）に樹脂を流し込んで光反射樹脂層を形成する場合に、樹脂が凹部Ｍ１〜Ｍ４にも流れ込んで、光反射樹脂層が、平面方向（Ｘ方向、Ｙ方向）及び厚み方向（Ｚ方向）において、リードフレーム３１０から剥離してしまうのを抑制することができる。
また、図１０（ｃ）に示すように、端子部３１１、３１２の互いに対向する辺に、それぞれ凹部Ｍ２、凹部Ｍ３が形成されていることによって、端子部間に形成される光反射樹脂層が、端子部間から剥離するのをより効果的に抑制することができる。 With the above-described configuration, the concave portion M1 on the front surface and the concave portion M2 on the back surface are alternately formed on the terminal portion 311. Similarly, the concave portion M3 on the front surface and the concave portion M4 on the back surface are alternately formed on the terminal portion 312. The As a result, as shown in FIG. 10, the lead frame 310 is made of resin when a resin is poured into the outer periphery of each terminal portion 311, 312 (between the outer periphery of the lead frame 310 and the terminal portion) to form a light reflecting resin layer. Can also flow into the recesses M1 to M4, and the light reflecting resin layer can be prevented from peeling from the lead frame 310 in the planar direction (X direction, Y direction) and the thickness direction (Z direction).
Further, as shown in FIG. 10C, the light reflecting resin layer formed between the terminal portions is formed by forming the concave portions M2 and the concave portions M3 on the opposite sides of the terminal portions 311 and 312 respectively. It can suppress more effectively that it peels from between terminal parts.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、後述する変形形態のように種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の技術的範囲内である。また、実施形態に記載した効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、実施形態に記載したものに限定されない。なお、前述した実施形態及び後述する変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。   Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications and changes can be made as in the modifications described later, and these are also included in the present invention. Within the technical scope. In addition, the effects described in the embodiments are merely a list of the most preferable effects resulting from the present invention, and the effects of the present invention are not limited to those described in the embodiments. It should be noted that the above-described embodiment and modifications described later can be used in appropriate combination, but detailed description thereof is omitted.

（変形形態）
図１１は、本発明の変形形態の光半導体装置の図１（ｃ）に対応する断面図である。
図１２は、本発明の変形形態の光半導体装置の平面図である。
図１３は、本発明の変形形態の光半導体装置の平面図である。
（１）各実施形態において、光半導体装置１は、リードフレーム１０に充填される光反射樹脂層２０の表面が平坦となる、いわゆるフラットタイプの例について説明したが、これに限定されない。例えば、図１１に示すように、光反射樹脂層４２０が、リードフレーム４１０の外周縁の少なくとも一部において表面から凸となるように、形成されてもよい。こうすることで、光半導体装置４０１から照射される光の方向を制御することができる。 (Deformation)
FIG. 11 is a cross-sectional view corresponding to FIG. 1C of an optical semiconductor device according to a modification of the present invention.
FIG. 12 is a plan view of an optical semiconductor device according to a modification of the present invention.
FIG. 13 is a plan view of an optical semiconductor device according to a modification of the present invention.
(1) In each embodiment, although the optical semiconductor device 1 demonstrated the example of what is called a flat type in which the surface of the light reflection resin layer 20 with which the lead frame 10 is filled becomes flat, it is not limited to this. For example, as shown in FIG. 11, the light reflecting resin layer 420 may be formed so as to protrude from the surface in at least a part of the outer peripheral edge of the lead frame 410. By doing so, the direction of light emitted from the optical semiconductor device 401 can be controlled.

（２）各実施形態においては、リードフレーム１０は、一対の端子部１１、１２を備える例を示したが、リードフレームは、３以上の端子部を備えていてもよい。
例えば、図１２（ａ）に示すように、端子部を４つ設け、その１つ（５１１）にはＬＥＤ素子２を実装し、他の３つ（５１２）にはボンディングワイヤ２ａを介してＬＥＤ素子２と接続してもよい。また、図１２（ｂ）に示すように、端子部を３つ設け、その１つ（６１１）にはＬＥＤ素子２を２つ実装し、他の２つの端子部（６１２）には、ボンディングワイヤ２ａを介して各ＬＥＤ素子２と接続するようにしてもよい。 (2) In each embodiment, although the lead frame 10 showed the example provided with a pair of terminal parts 11 and 12, the lead frame may be provided with three or more terminal parts.
For example, as shown in FIG. 12A, four terminal portions are provided, one of which (511) is mounted with the LED element 2, and the other three (512) are connected via the bonding wire 2a. You may connect with the element 2. Also, as shown in FIG. 12B, three terminal portions are provided, two LED elements 2 are mounted on one of the terminal portions (611), and bonding wires are connected to the other two terminal portions (612). You may make it connect with each LED element 2 via 2a.

（３）第１及び第２実施形態において、端子部１１の突出部１４は、対向する端子部１２に対して矩形状に突出する形状に形成され、係合部１５は、突出部１４に係合する矩形状の凹みを形成する凹み部１５ａ及び側端部１５ｂが構成される例を示したが、これに限定されない。
例えば、図１３（ａ）に示すように、突出部７１４が、半円若しくは略半円状に形成され、係合部７１５が、その突出部７１４に係合する半円又は略半円状の凹みを形成してもよく、また、図１３（ｂ）に示すように、突出部８１４が三角形状に形成され、係合部８１５が三角形状の凹みを形成してもよい。更に、図１３（ｃ）〜（ｅ）に示すように、突出部９１４、１０１４、１１１４が、それぞれ、端子部９１１、１０１１、１１１１の上端側に台形状、矩形状又は三角形状に突出し、係合部９１５、１０１５、１１１５が、突出部９１４、１０１４、１１１４の形状に合わせて係合するように、対向する端子部９１２、１０１２、１１１２の上端側に台形状、矩形状又は三角形状の凹みが形成されるようにしてもよい。 (3) In the first and second embodiments, the protruding portion 14 of the terminal portion 11 is formed in a shape protruding in a rectangular shape with respect to the opposing terminal portion 12, and the engaging portion 15 is engaged with the protruding portion 14. Although the example in which the dent part 15a and the side end part 15b which form the rectangular dent to match was shown, it is not limited to this.
For example, as shown in FIG. 13A, the projecting portion 714 is formed in a semicircle or a substantially semicircular shape, and the engaging portion 715 is a semicircle or a substantially semicircular shape that engages with the projecting portion 714. A recess may be formed, and as shown in FIG. 13B, the protrusion 814 may be formed in a triangular shape, and the engaging portion 815 may be formed in a triangular recess. Further, as shown in FIGS. 13C to 13E, the protruding portions 914, 1014, and 1114 protrude in a trapezoidal shape, a rectangular shape, or a triangular shape on the upper end side of the terminal portions 911, 1011, and 1111, respectively. A trapezoidal, rectangular or triangular recess on the upper end side of the opposing terminal portions 912, 1012, 1112 so that the mating portions 915, 1015, 1115 engage with the shape of the protruding portions 914, 1014, 1114 May be formed.

（４）各実施形態においては、リードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２等の光半導体素子を接続する光半導体装置１に使用する例を示したが、光半導体素子以外の半導体素子を用いた半導体装置にも使用することができる。 (4) In each embodiment, although the lead frame 10 showed the example used for the optical semiconductor device 1 which connects optical semiconductor elements, such as the LED element 2, the semiconductor device using semiconductor elements other than an optical semiconductor element was shown. Can also be used.

１、２０１、３０１ 光半導体装置
２ ＬＥＤ素子
１０、３１０ リードフレーム
１１、３１１ 端子部
１２、３１２ 端子部
１３、３１３ 連結部
２０、３２０ 光反射樹脂層
３０、２３０、３３０ 透明樹脂層
Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４ 凹部 1, 201, 301 Optical semiconductor device 2 LED element 10, 310 Lead frame 11, 311 Terminal portion 12, 312 Terminal portion 13, 313 Connecting portion 20, 320 Light reflecting resin layer 30, 230, 330 Transparent resin layer M1, M2, M3, M4 recess

Claims (10)

複数の端子部を有し、前記端子部のうち、少なくとも一つの表面に光半導体素子が接続される光半導体装置に用いられる光半導体装置用リードフレームにおいて、
少なくとも一つの前記端子部は、対向する端子部に対して突出し、前記光半導体素子が、前記光半導体装置の外形の中心に配置されるように形成される突出部を備え、
前記端子部の前記突出部を除いた外周縁に、前記表面から窪んだ凹部が形成されていること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 In a lead frame for an optical semiconductor device used in an optical semiconductor device having a plurality of terminal portions and having an optical semiconductor element connected to at least one surface of the terminal portions,
At least one of the terminal portions protrudes with respect to the opposing terminal portion, and includes a protruding portion formed so that the optical semiconductor element is disposed at the center of the outer shape of the optical semiconductor device ,
A recess recessed from the surface is formed on the outer peripheral edge of the terminal portion excluding the protruding portion,
A lead frame for an optical semiconductor device. 請求項１に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
前記端子部の外周側面及び前記端子部間に樹脂が充填された場合に、前記光半導体装置の裏面に表出する前記端子部の形状が矩形であること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 In the lead frame for optical semiconductor devices according to claim 1,
When the resin is filled between the outer peripheral side surface of the terminal portion and the terminal portion, the shape of the terminal portion that appears on the back surface of the optical semiconductor device is rectangular,
A lead frame for an optical semiconductor device. 請求項１又は請求項２に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
前記突出部は、前記表面の裏面に対して窪んでいること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 In the lead frame for optical semiconductor devices according to claim 1 or 2,
The protrusion is recessed with respect to the back surface of the surface;
A lead frame for an optical semiconductor device. 請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
前記端子部は、前記突出部と対向する位置に、前記突出部と係合する係合部を備えること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 In the lead frame for optical semiconductor devices according to any one of claims 1 to 3,
The terminal portion includes an engaging portion that engages with the protruding portion at a position facing the protruding portion;
A lead frame for an optical semiconductor device. 請求項４に記載の光半導体装置用リードフレームにおいて、
前記係合部の少なくとも一部は、前記表面に対して窪んでいること、
を特徴とする光半導体装置用リードフレーム。 In the lead frame for optical semiconductor devices according to claim 4,
At least a portion of the engagement portion, that is recessed for the surface,
A lead frame for an optical semiconductor device. 請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームと、
前記端子部の外周側面及び前記端子部間に形成される樹脂層とを備えること、
を特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレーム。 A lead frame for an optical semiconductor device according to any one of claims 1 to 5,
A resin layer formed between an outer peripheral side surface of the terminal part and the terminal part;
A lead frame for an optical semiconductor device with a resin. 請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の光半導体装置用リードフレームが枠体に多面付けされていること、
を特徴とするリードフレームの多面付け体。 The lead frame for an optical semiconductor device according to any one of claims 1 to 5, wherein the frame is multifaceted,
Multi-faceted body of lead frame characterized by 請求項６に記載の樹脂付き光半導体装置用リードフレームが多面付けされていること、
を特徴とする樹脂付きリードフレームの多面付け体。 The lead frame for an optical semiconductor device with a resin according to claim 6 is multifaceted,
Multi-faceted body of resin-attached lead frame characterized by 請求項６に記載の樹脂付き光半導体装置用リードフレームと、
前記樹脂付き光半導体装置用リードフレームの前記端子部の前記突出部に載置される光半導体素子と、
前記樹脂付き光半導体装置用リードフレームの前記光半導体素子が接続される側の面に形成され、前記光半導体素子を覆う透明樹脂層とを備えること、
を特徴とする光半導体装置。 A lead frame for an optical semiconductor device with a resin according to claim 6,
An optical semiconductor element mounted on the protruding portion of the terminal portion of the resin-coated optical semiconductor device lead frame;
A transparent resin layer formed on a surface of the lead frame for an optical semiconductor device with resin to which the optical semiconductor element is connected, and covering the optical semiconductor element;
An optical semiconductor device. 請求項９に記載の光半導体装置が多面付けされていること、
を特徴とする光半導体装置の多面付け体。 The optical semiconductor device according to claim 9 is multifaceted,
A multifaceted body of an optical semiconductor device characterized by the above.
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