JP6077813B2 - 圧電モジュール - Google Patents
圧電モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP6077813B2 JP6077813B2 JP2012224426A JP2012224426A JP6077813B2 JP 6077813 B2 JP6077813 B2 JP 6077813B2 JP 2012224426 A JP2012224426 A JP 2012224426A JP 2012224426 A JP2012224426 A JP 2012224426A JP 6077813 B2 JP6077813 B2 JP 6077813B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- package
- crystal
- chip
- recess
- piezoelectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 127
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 127
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 122
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 110
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 101
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 25
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 21
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 17
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 claims description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 6
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 claims description 4
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 554
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 240
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 5
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 5
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 4
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders or supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders or supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders or supports
- H03H9/058—Holders or supports for surface acoustic wave devices
- H03H9/0585—Holders or supports for surface acoustic wave devices consisting of an adhesive layer
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders or supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
- H03H9/1021—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device the BAW device being of the cantilever type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders or supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders or supports
- H03H9/0504—Holders or supports for bulk acoustic wave devices
- H03H9/0509—Holders or supports for bulk acoustic wave devices consisting of adhesive elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
プに代えて、サーミスタあるいはダイオードを収納した温度センサ付き圧電モジュールの構成にも同様に適用できる。
前記水晶パッケージは、第1底壁層と第1枠壁層とで形成されて前記水晶振動子を収容する第1凹部と、前記第1凹部を封止する蓋体を有すると共に、前記第1凹部の外底面に前記水晶振動子の振動信号を出力するための複数の外部端子を有し、
前記回路部品パッケージは、第2底壁層と第2枠壁層とで形成されて前記回路部品を収容する第2凹部を有すると共に、前記第2凹部の開口端面に前記水晶パッケージの前記外底面に有する前記複数の外部端子のそれぞれと電気的に接続される複数の接続端子を有し、
前記回路部品パッケージの前記複数の接続端子を含む前記第2凹部の開口端面の全周と
前記水晶パッケージの前記第1凹部の外底面との間に介在された半田粒子入り熱硬化樹脂を有し、
前記水晶パッケージの前記複数の外部端子と前記回路部品パッケージの前記複数の接続端子とは前記半田粒子入り熱硬化樹脂を構成する半田粒子の溶融と硬化で金属接合により電気的に接続されると共に、前記回路部品パッケージの前記第2凹部の開口端面の全周と前記水晶パッケージの前記第1凹部の外底面とが前記半田粒子入り熱硬化樹脂を構成する熱硬化樹脂の溶融と硬化により接合されていることを特徴とする。
前記水晶パッケージは、第1底壁層と第1枠壁層とで形成されて前記水晶振動子を収容する第1凹部と、前記第1凹部を封止する蓋体を有すると共に、前記第1凹部の外底面に前記水晶振動子の振動信号を出力するための複数の外部端子を有し、
前記回路部品パッケージは、第2底壁層と第2枠壁層とで形成されて前記回路部品を収容する第2凹部を有すると共に、前記第2凹部の開口端面に前記水晶パッケージの前記外底面に有する前記複数の外部端子のそれぞれと電気的に接続される複数の接続端子を有し、
前記回路部品パッケージの前記複数の接続端子を含む前記第2凹部の開口端面の全周と前記水晶パッケージの前記第1凹部の外底面との間に介在された異方性導電層を有し、
前記水晶パッケージの前記複数の外部端子と前記回路部品パッケージの前記複数の接続
端子とは、製造時の加圧と加熱による前記異方性導電層を構成する導電フィラーを介在した橋絡接合により電気的に接続されると共に、前記回路部品パッケージの前記第2凹部の開口端面の全周と前記水晶パッケージの前記第1凹部の外底面とが前記異方性導電層を構成する熱硬化樹脂の溶融と硬化により接合されていることを特徴とする。
には、実装対象機器の基板等に表面実装するための実装端子が形成され、これらの端子から動作電源の供給を受け、発振信号を実装基板の所要の機能回路に供給する。
たICチップパッケージの一部内底面まで充填することでICチップパッケージの剛性が増し、両パッケージの接合がさらに強固になる。
イズのICチップを用いる場合にはICチップパッケージの外形サイズを小さくし、水晶パッケージの外形サイズの縮小と共に水晶発振器全体の外形サイズをさらに小さくすることが可能となる。
トを好適とする水晶振動子の底壁層(第1底壁層)21と枠壁層(第1枠壁層)22とからなり、平面視が矩形をなす容器本体20の当該第1枠壁層22で囲まれた凹部(水晶パッケージの凹部、第1凹部)28に水晶振動子24が収容されている。通例、水晶パッケージ2とICチップパッケージ3とは、上下二段に重ねて水晶発振器1として接合した状態で一体化した平たい箱形状とされる。
続端子36が設けられる。接続端子36は第2容器に設けた適宜のスルーホールあるいはビアホールと第2凹部38を構成する第2底壁層31の内底面にパターニングされた配線(図示せず)を介してICチップ33の所定の回路端子に接続している。また、第2底壁層31の外底面には、実装対象機器の基板等に表面実装するための複数の実装端子37が形成されている。これらの実装端子37から動作電源の供給を受け、また、所定周波数の発振信号を実装基板の所要の機能回路に供給する。
分散した半田粒子入り熱硬化樹脂4をICチップパッケージ3の凹部開口端面の接続端子36を含めた全面を周回して塗布する。この塗布にはディスペンサーを用いた直接描画、スクリーン印刷、あるいはインクジェットノズルによる塗布法、またはフィルム状に成形したものを貼付する方法を利用できる。
ケージ3の大まかな構成は実施例1と略同様なので、特に必要がない限り、重複説明は省略する。本実施例は、主として水晶パッケージ2とICチップパッケージ3との接合構造周りが前記実施例と異なる。
底面29には多数の微細凹凸あるいは多数の微細孔29aが形成された表面処理が施されている。この表面処理は外底面29の全域に施すか、あるいはICチップパッケージ3の開口端面と対向する周回部分に施す。
ングスペースは十分な広さとなっている。
は長手方向側面を、図18(c)は短手方向側面を示す。この実施例は、「1612サイズ温度センサ付水晶振動子」と通称されるサーミスタ等の温度センサを内蔵した水晶振動子で、一般的に携帯電話機でのTCXOの置き換えとして用いられるものである。
る。
硬化樹脂4を構成する熱硬化樹脂はエポキシ樹脂を主剤とする。一般に、接着面の表面積が広い程、強い接着が得られる。
Claims (3)
- 圧電振動子を収容した圧電パッケージと、前記圧電振動子の振動信号を基に所定周波数の発振信号を生成する回路部品を収容した回路部品パッケージとを具備し、前記圧電パッケージと前記回路部品パッケージを電気的に、かつ機械的に接合してなる圧電モジュールであって、
前記圧電パッケージは、第1底壁層と第1枠壁層とで形成されて前記圧電振動子を収容する第1凹部と、前記第1凹部を封止する蓋体を有すると共に、前記第1凹部の外底面に前記圧電振動子の振動信号を出力するための複数の外部端子を有し、
前記回路部品パッケージは、第2底壁層と第2枠壁層とで形成されて前記回路部品を収容する第2凹部を有すると共に、前記第2凹部の開口端面に前記圧電パッケージの前記外底面に有する前記複数の外部端子のそれぞれと電気的に接続される複数の接続端子を有し、
前記回路部品パッケージの前記複数の接続端子を含む前記第2凹部の開口端面の全周と前記圧電パッケージの前記第1凹部の外底面との間に介在されるとともに前記回路部品の側面から一部上面を含めて当該回路部品を収容した回路部品パッケージの一部内底面まで充填される半田粒子入り熱硬化樹脂を有し、
前記圧電パッケージの前記複数の外部端子と前記回路部品パッケージの前記複数の接続端子とは前記半田粒子入り熱硬化樹脂を構成する半田粒子の溶融と硬化で金属接合により電気的に接続されると共に、前記回路部品パッケージの前記第2凹部の開口端面の全周と前記圧電パッケージの前記第1凹部の外底面とが前記半田粒子入り熱硬化樹脂を構成する熱硬化樹脂の溶融と硬化により接合されていることを特徴とする圧電モジュール。 - 圧電振動子を収容した圧電パッケージと、前記圧電振動子の振動信号を基に所定周波数の発振信号を生成する回路部品を収容した回路部品パッケージとを具備し、前記圧電パッケージと前記回路部品パッケージを電気的に、かつ機械的に接合してなる圧電モジュールであって、
前記圧電パッケージは、第1底壁層と第1枠壁層とで形成されて前記圧電振動子を収容する第1凹部と、前記第1凹部を封止する蓋体を有すると共に、前記第1凹部の外底面に前記圧電振動子の振動信号を出力するための複数の外部端子を有し、
前記回路部品パッケージは、第2底壁層と第2枠壁層とで形成されて前記回路部品を収容する第2凹部を有すると共に、前記第2凹部の開口端面に前記圧電パッケージの前記外底面に有する前記複数の外部端子のそれぞれと電気的に接続される複数の接続端子を有し、
前記回路部品パッケージの前記複数の接続端子を含む前記第2凹部の開口端面の全周と前記圧電パッケージの前記第1凹部の外底面との間に介在されるとともに前記回路部品の側面から一部上面を含めて当該回路部品を収容した回路部品パッケージの一部内底面まで充填される異方性導電層を有し、
前記圧電パッケージの前記複数の外部端子と前記回路部品パッケージの前記複数の接続端子とは、製造時の加圧と加熱による前記異方性導電層を構成する導電フィラーを介在した橋絡接合により電気的に接続されると共に、前記回路部品パッケージの前記第2凹部の開口端面の全周と前記圧電パッケージの前記第1凹部の外底面とが前記異方性導電層を構成する熱硬化樹脂の溶融と硬化により接合されていることを特徴とする圧電モジュール。 - 請求項1または請求項2において、
前記回路部品パッケージの四隅に切り欠きが設けられ、前記回路部品パッケージに搭載された回路部品の引き出し線と前記回路部品パッケージの底面に設けられた実装電極を前記きり欠きに形成された接続電極により電気的に接続してなることを特徴とする圧電モジュール。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012224426A JP6077813B2 (ja) | 2012-01-23 | 2012-10-09 | 圧電モジュール |
US13/746,330 US8941445B2 (en) | 2012-01-23 | 2013-01-22 | Piezoelectric module |
CN2013100238087A CN103219967A (zh) | 2012-01-23 | 2013-01-22 | 压电模块 |
TW102102487A TW201332284A (zh) | 2012-01-23 | 2013-01-23 | 壓電模組 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012011038 | 2012-01-23 | ||
JP2012011038 | 2012-01-23 | ||
JP2012057673 | 2012-03-14 | ||
JP2012057673 | 2012-03-14 | ||
JP2012224426A JP6077813B2 (ja) | 2012-01-23 | 2012-10-09 | 圧電モジュール |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017004301A Division JP6360572B2 (ja) | 2012-01-23 | 2017-01-13 | 圧電モジュール |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013219738A JP2013219738A (ja) | 2013-10-24 |
JP2013219738A5 JP2013219738A5 (ja) | 2015-11-05 |
JP6077813B2 true JP6077813B2 (ja) | 2017-02-08 |
Family
ID=48796749
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012224426A Expired - Fee Related JP6077813B2 (ja) | 2012-01-23 | 2012-10-09 | 圧電モジュール |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8941445B2 (ja) |
JP (1) | JP6077813B2 (ja) |
CN (1) | CN103219967A (ja) |
TW (1) | TW201332284A (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107093999B (zh) * | 2012-11-16 | 2021-01-22 | 株式会社大真空 | 压电振动器件 |
JP2015089095A (ja) * | 2013-02-04 | 2015-05-07 | 日本電波工業株式会社 | 表面実装型の低背発振器 |
JP6173758B2 (ja) | 2013-04-24 | 2017-08-02 | 日本電波工業株式会社 | 接合型水晶発振器 |
JP6284717B2 (ja) * | 2013-05-16 | 2018-02-28 | 太陽誘電株式会社 | 電子部品、及び電子部品の製造方法 |
CN103441745A (zh) * | 2013-08-28 | 2013-12-11 | 广东合微集成电路技术有限公司 | 晶体振荡器的封装结构及封装方法 |
JP2015089102A (ja) | 2013-09-24 | 2015-05-07 | 日本電波工業株式会社 | 発振器 |
JP6738588B2 (ja) | 2014-09-02 | 2020-08-12 | セイコーエプソン株式会社 | 発振器、電子機器、および移動体 |
JP6543456B2 (ja) * | 2014-10-24 | 2019-07-10 | 京セラ株式会社 | 水晶振動子 |
JP6350248B2 (ja) * | 2014-12-02 | 2018-07-04 | 株式会社大真空 | 圧電発振器 |
US10170403B2 (en) * | 2014-12-17 | 2019-01-01 | Kinsus Interconnect Technology Corp. | Ameliorated compound carrier board structure of flip-chip chip-scale package |
US10291283B2 (en) * | 2016-04-01 | 2019-05-14 | Intel Corporation | Tunable radio frequency systems using piezoelectric package-integrated switching devices |
JP6769220B2 (ja) * | 2016-10-03 | 2020-10-14 | セイコーエプソン株式会社 | 電子部品用パッケージ、発振器、電子機器、および移動体 |
JP2018074370A (ja) * | 2016-10-28 | 2018-05-10 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイス |
CN109804562B (zh) * | 2016-11-17 | 2023-05-30 | 株式会社大真空 | 压电振动器件 |
US11302611B2 (en) | 2018-11-28 | 2022-04-12 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor package with top circuit and an IC with a gap over the IC |
CN109508097B (zh) * | 2019-01-11 | 2022-04-08 | 业成科技(成都)有限公司 | 触觉反馈模块及其制备方法和触控装置 |
CN117334644B (zh) * | 2023-11-29 | 2024-02-13 | 四川弘智远大科技有限公司 | 一种集成电路封装的实时固化结构 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4701659A (en) * | 1984-09-26 | 1987-10-20 | Terumo Corp. | Piezoelectric ultrasonic transducer with flexible electrodes adhered using an adhesive having anisotropic electrical conductivity |
JP3152834B2 (ja) * | 1993-06-24 | 2001-04-03 | 株式会社東芝 | 電子回路装置 |
US5502344A (en) * | 1993-08-23 | 1996-03-26 | Rohm Co., Ltd. | Packaged piezoelectric oscillator incorporating capacitors and method of making the same |
JP2960374B2 (ja) * | 1996-06-17 | 1999-10-06 | 松下電器産業株式会社 | 圧電発振器 |
JP3570600B2 (ja) * | 1997-01-14 | 2004-09-29 | 株式会社村田製作所 | 圧電部品およびその製造方法 |
JPH114064A (ja) * | 1997-06-12 | 1999-01-06 | Nec Corp | 異方性導電樹脂及びこれを用いた電子部品の実装構造 |
JP3423255B2 (ja) * | 1999-06-04 | 2003-07-07 | 日本電波工業株式会社 | 表面実装水晶発振器 |
JP2002118437A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-19 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 表面実装型電子部品のパッケージ |
JP4232190B2 (ja) | 2002-11-27 | 2009-03-04 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電発振器、及びその製造方法、並びに圧電発振器を利用した携帯電話装置、電子機器 |
JP4907962B2 (ja) * | 2005-11-22 | 2012-04-04 | 日本電波工業株式会社 | 表面実装用水晶発振器 |
JP2007208568A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装水晶発振器 |
JP2007235469A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Kyocera Kinseki Corp | 水晶発振器の製造方法 |
JP2007251766A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の水晶発振器 |
JP2008252442A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Daishinku Corp | 圧電振動デバイスの製造方法 |
JP4752813B2 (ja) * | 2007-06-20 | 2011-08-17 | パナソニック株式会社 | 基板の接合方法及び基板接合体 |
JP2009105628A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-05-14 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶デバイス及びその製造方法 |
US8177335B2 (en) * | 2008-10-24 | 2012-05-15 | Xerox Corporation | Transducer interconnect with conductive films |
JPWO2010070779A1 (ja) * | 2008-12-19 | 2012-05-24 | パナソニック株式会社 | 異方性導電樹脂、基板接続構造及び電子機器 |
JP5310252B2 (ja) * | 2009-05-19 | 2013-10-09 | パナソニック株式会社 | 電子部品実装方法および電子部品実装構造 |
JP2012010113A (ja) * | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装型の圧電デバイス |
JP2013005099A (ja) * | 2011-06-14 | 2013-01-07 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイスとその製造方法 |
JP2013207686A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶発振器 |
-
2012
- 2012-10-09 JP JP2012224426A patent/JP6077813B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-01-22 US US13/746,330 patent/US8941445B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-01-22 CN CN2013100238087A patent/CN103219967A/zh active Pending
- 2013-01-23 TW TW102102487A patent/TW201332284A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103219967A (zh) | 2013-07-24 |
US20130187723A1 (en) | 2013-07-25 |
TW201332284A (zh) | 2013-08-01 |
US8941445B2 (en) | 2015-01-27 |
JP2013219738A (ja) | 2013-10-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6077813B2 (ja) | 圧電モジュール | |
JP2013219738A5 (ja) | ||
CN100373771C (zh) | 弹性表面波装置及其制造方法 | |
JP2013207686A (ja) | 水晶発振器 | |
JP2013207686A5 (ja) | ||
JP2010050778A (ja) | 圧電デバイス | |
US20130135055A1 (en) | Surface mount piezoelectric oscillator | |
JP4329786B2 (ja) | 圧電デバイスとその製造方法 | |
US9136821B2 (en) | Surface mount device-type low-profile oscillator | |
JP6360572B2 (ja) | 圧電モジュール | |
JP2008085742A (ja) | 水晶発振器およびその製造方法 | |
JP2009105628A (ja) | 水晶デバイス及びその製造方法 | |
JP2004072641A (ja) | 表面実装用の水晶発振器 | |
JP4359934B2 (ja) | 温度補償型水晶発振器 | |
JP7173933B2 (ja) | 圧電デバイス及びその製造方法 | |
JP2008011125A (ja) | 弾性表面波デバイス | |
CN113597669A (zh) | 电子部件及其制造方法 | |
JP2011101213A (ja) | 振動デバイス | |
JP4359933B2 (ja) | 水晶発振器 | |
JP3840187B2 (ja) | 温度補償型水晶発振器 | |
JP4439489B2 (ja) | 水晶発振器用容器体 | |
JP2021158191A (ja) | セラミック製のキャップ及び圧電デバイス | |
JP5005371B2 (ja) | 圧電発振器の製造方法 | |
JP3762374B2 (ja) | 温度補償型水晶発振器 | |
JP2010011385A (ja) | 圧電発振器の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150917 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150917 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20160114 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20160129 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160530 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160613 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160712 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170104 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170113 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6077813 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |