JP6048529B2 - 透明導電性フィルム及びタッチパネル - Google Patents
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Description
透明基体12としては、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、石英ガラスなどの無機化合物成形物を用いることができる。軽く且つ割れにくくする観点から、高分子成形物がより好適に使用できる。高分子成形物は可視波長領域において透明であればよい。高分子としては、例えばポリエチレンテレフタラート、ポリエーテルサルフォン、ポリスチレン、ポリエチレンナフタレート、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ナイロン6等のポリアミド、ポリイミド、トリアセチルセルロース等のセルロース系樹脂、ポリウレタン、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素系樹脂、ポリ塩化ビニル等のビニル化合物、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリロニトリル、ビニル化合物の付加重合体、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸エステル、ポリ塩化ビニリデン等のビニリデン化合物、フッ化ビニリデン/トリフルオロエチレン共重合体、エチレン/酢酸ビニル共重合体等のビニル化合物又はフッ素系化合物の共重合体、ポリエチレンオキシド等のポリエーテル、エポキシ樹脂、ポリビニルアルコール、及びポリビニルブチラール等が挙げられる。ただし、高分子は、これらに限定されるものではない。上述の1種を単独で、又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
金属酸化物薄膜15,18は、主たる金属元素としてTi、Nb及びSnの一方、並びにZnを含む。主たる金属元素としてNbを含む場合、それぞれの金属元素の含有率は、Ti、Nb、及びZnの合計を基準として10〜80mol%である。主たる金属元素としてSnを含む場合、それぞれの金属元素の含有率は、Ti、Sn、及びZnの合計を基準として10〜80mol%である。このような組成範囲とすることにより、表面抵抗の安定性、耐環境性及び屈曲性の全てに優れる透明導電性フィルムとすることができる。
本発明の金属薄膜16は、体積抵抗率の低い銀が主体となっていることが好ましい。膜厚は、5〜11nm(5nm以上11nm以下)であることが好ましい。金属薄膜16が5nm未満である場合、50Ω/sq.以下の表面抵抗が得られ難くなる傾向にある。一方、膜厚が11nmを超える場合、金属酸化物薄膜15,18の高屈折率化が限界に達し、透過光の色調変化が抑制できず、色再現性が低下してしまう傾向にある。金属薄膜16は、例えばDCマグネトロンスパッタを用いて形成することができる。金属薄膜16の成膜方法は特に限定されず、プラズマ又はイオンビーム等を用いたその他の真空成膜法、或いは構成元素を適当なバインダーに分散した液体を用いたコーティング法などを適宜選択可能である。
次に、本発明のタッチパネルの実施形態を説明する。本実施形態のタッチパネルは、上述のいずれかの透明導電性フィルムを有する。ここでは、一例として、上述の透明導電性フィルムを静電容量式タッチパネルに適用した場合について説明する。静電容量式タッチパネルの構造は、通常、透明基体上に、マトリックス状の透明導電膜からなる第1のパターン(例えば、図9のパターン52)と第2のパターン(例えば、図9のパターン54)が設けられた構造を有している。
透過色の色調についてはヘイズメーター(村上色彩技術研究所社製:HM−150)を使用し、L*a*b*表色系における「a*」及び「b*」の値で評価した。「a*」及び「b*」の値が−1〜+1の範囲に入っていれば人の目で色調変化を識別することが困難となり好ましい。長期にわたる使用でも安定した色再現性を確保するためには、「a*」及び「b*」の値はゼロに近いほど好ましい。
表面抵抗は4端子法の抵抗測定器を用いて測定した。1点につき15秒間の連続測定を、異なる10点において行った。全ての測定点で示した表面抵抗の平均値(Rave)を求めた。また表面抵抗の最大値をRmax、最小値をRminとしたときの変化率を、(Rmax−Rmin)/Rave×100によって求めた。この変化率が10%未満の場合を「A」、10%を超える場合を「B」と評価した。この評価結果を、表1〜4中、「抵抗安定性」の欄に示した。評価「A」の透明導電性フィルムは、引き出し配線との間で安定した導電性を確保でき、タッチパネルに用いた場合に安定した駆動性能を確保できる。
耐環境性は、作製した透明導電性フィルムを85℃,85%RHに保持した恒温槽に200時間保持した。保持前から保持後の透過率の低下幅(保持前の透過率−保持後の透過率)が1%未満であり、かつ保持前の表面抵抗(R0)に対する保持後の表面抵抗(R1)の上昇率[(R1−R0)/R0]が10%未満のものを「A」と評価し、それ以外のものを「B」と評価した。評価「A」の透明導電性フィルムは、タッチパネルに用いた場合に、その使用環境下において長期にわたり安定した駆動性能が確保できる。
屈曲性は、成膜したフィルムをφ5mmの円筒に巻きつける前後における表面抵抗の変化率(上昇率)で評価した。当該変化率(上昇率)は、巻きつけ前の表面抵抗値をR0、巻きつけ後の表面抵抗値をR1としたときに、(R1−R0)/R0×100の数式で計算した。表面抵抗の変化率は小さいほど好ましい。巻きつけ前後の表面抵抗値の変化率が1.1%未満であるものを「A」と評価し、変化率が1.1%以上のものを「B」と評価した。評価結果が「A」であれば、透明導電性フィルムやタッチパネルの製造工程におけるハンドリング等の影響で、特性が劣化する事態を回避することができる。また、曲面を有する表示パネル用のタッチパネルとして適用する場合においても、安定した性能を確保することができる。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(35nm)、金属薄膜(7nm)、第2の金属酸化物薄膜(35nm)をこの順に積層して、図1に示すような透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表1に記載の組成比となるようにした。なお、表1〜表4に記載の各金属元素の含有率は、3つの金属元素の合計に対するモル分率である。また、それぞれの金属元素の含有率から、26X+23Y+21Z、又は26X+19W+21Zの計算値を表1〜表4に示す。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(35nm)、金属薄膜(7nm)、第2の金属酸化物薄膜(25nm)をこの順に積層して、図4に示すような透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表1に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(35nm)、金属薄膜(7nm)、第2の金属酸化物薄膜(45nm)をこの順に積層して、図5に示すような透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表1に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(35nm)、金属薄膜(7nm)、第2の金属酸化物薄膜(15nm)をこの順に積層して、図4に示すような透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表1に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(35nm)、金属薄膜(7nm)、第2の金属酸化物薄膜(55nm)をこの順に積層して、図5に示すような透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表1に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(39nm)、金属薄膜(5nm)、第2の金属酸化物薄膜(39nm)をこの順に積層して、図1に示すような透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表1に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(33nm)、金属薄膜(11nm)、第2の金属酸化物薄膜(33nm)をこの順に積層して、図1に示すような透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表1に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(39nm)、金属薄膜(4nm)、第2の金属酸化物薄膜(39nm)をこの順に積層して、図1に示すような透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表1に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(33nm)、金属薄膜(12nm)、第2の金属酸化物薄膜(33nm)をこの順に積層して、図1に示すような透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表1に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(35nm)、金属薄膜(7nm)、第2の金属酸化物薄膜(35nm)をこの順に積層して、図1と同様の構造を有する透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表2に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(35nm)、金属薄膜(8nm)、第2の金属酸化物薄膜(35nm)をこの順に積層して、図1と同様の構造を有する透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表2に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(35nm)、金属薄膜(7nm)、第2の金属酸化物薄膜(35nm)をこの順に積層して、図1と同様の構造を有する透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表2に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(35nm)、金属薄膜(8nm)、第2の金属酸化物薄膜(35nm)をこの順に積層して、図1と同様の構造を有する透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表2に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(35nm)、金属薄膜(8nm)、第2の金属酸化物薄膜(35nm)をこの順に積層して、透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表2に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(35nm)、金属薄膜(7nm)、第2の金属酸化物薄膜(35nm)をこの順に積層して、透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表2に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(29nm)、金属薄膜(7nm)、第2の金属酸化物薄膜(41nm)をこの順に積層して、図5に示すような透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表2に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(35nm)、金属薄膜(7nm)、第2の金属酸化物薄膜(35nm)をこの順に積層して、図1に示すような透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表2に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(41nm)、金属薄膜(7nm)、第2の金属酸化物薄膜(29nm)をこの順に積層して、図4に示すような透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表2に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(35nm)、金属薄膜(7nm)、第2の金属酸化物薄膜(35nm)をこの順に積層して、図1に示すような透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表3に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(35nm)、金属薄膜(7nm)、第2の金属酸化物薄膜(25nm)をこの順に積層して、図4に示すような透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表3に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(35nm)、金属薄膜(7nm)、第2の金属酸化物薄膜(45nm)をこの順に積層して、図5に示すような透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表3に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(35nm)、金属薄膜(7nm)、第2の金属酸化物薄膜(15nm)をこの順に積層して、図4に示すような透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表3に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(35nm)、金属薄膜(7nm)、第2の金属酸化物薄膜(55nm)をこの順に積層して、図5に示すような透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表3に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(35nm)、金属薄膜(5nm)、第2の金属酸化物薄膜(35nm)をこの順に積層して、図1に示すような透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表3に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(34nm)、金属薄膜(11nm)、第2の金属酸化物薄膜(34nm)をこの順に積層して、図1に示すような透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表3に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(35nm)、金属薄膜(4nm)、第2の金属酸化物薄膜(35nm)をこの順に積層して、図4に示すような透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表3に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(34nm)、金属薄膜(12nm)、第2の金属酸化物薄膜(34nm)をこの順に積層して、図1に示すような透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表3に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(35nm)、金属薄膜(7nm)、第2の金属酸化物薄膜(35nm)をこの順に積層して、図1と同様の構造を有する透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表4に記載の組成比となるようにした。
第1の実施形態において、PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(35nm)、金属薄膜(8nm)、第2の金属酸化物薄膜(35nm)をこの順に積層して、図1と同様の構造を有する透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表4に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(35nm)、金属薄膜(7nm)、第2の金属酸化物薄膜(35nm)をこの順に積層して、図1と同様の構造を有する透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表4に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(35nm)、金属薄膜(6nm)、第2の金属酸化物薄膜(35nm)をこの順に積層して、図1と同様の構造を有する透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表4に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(35nm)、金属薄膜(6nm)、第2の金属酸化物薄膜(35nm)をこの順に積層して、図1と同様の構造を有する透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表4に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(35nm)、金属薄膜(7nm)、第2の金属酸化物薄膜(35nm)をこの順に積層して、図1と同様の構造を有する透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表4に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(30nm)、金属薄膜(7nm)、第2の金属酸化物薄膜(41nm)をこの順に積層して、図5に示すような透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表4に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(35nm)、金属薄膜(7nm)、第2の金属酸化物薄膜(35nm)をこの順に積層して、図1に示すような透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表4に記載の組成比となるようにした。
PETフィルムの表面に第1の金属酸化物薄膜(41nm)、金属薄膜(7nm)、第2の金属酸化物薄膜(30nm)をこの順に積層して、図4に示すような透明導電性フィルムを作製した。第1及び第2の金属酸化物薄膜の組成比は、3種類のターゲットのパワーを調整することによって、表4に記載の組成比となるようにした。実施例22〜24は、第1の金属酸化物薄膜と第2の金属酸化物薄膜との組成が異なっている。
以下の手順でタッチパネルを作製した。実施例1で作製した透明導電性フィルムの表面に、フェノール系ポジ型フォトレジスト(関東化学製:OFPR−800LB)を用いて、図9のパターン52の形状に対応するようにレジストパターンを形成した。その後、レジストパターンをマスクとし、透明導電性フィルムを23℃に保持したエッチング液(富士技研工業製:クロマットIT)に1分間浸漬した。これによって、マスクされていない部分の透明導電膜(第1の金属酸化物薄膜、金属薄膜、及び第2の金属酸化物薄膜)をエッチングして絶縁部を形成し、図7,8の透明導電膜60で構成される第1のパターン52を作製した。続いて、第1のパターン52を形成する工程と同じ工程によって、図7,8の透明導電膜60’で構成される第2のパターン54を作製した。
Claims (5)
- 透明基体と、該透明基体の上に透明導電膜と、を備える透明導電性フィルムであって、
前記透明導電膜は、金属薄膜と当該金属薄膜を挟持する一対の金属酸化物薄膜とを有する3層構造を備えており、
前記一対の金属酸化物薄膜に含まれる金属元素は主としてTi、Nb又はSn、及びZnであり、
Ti、Nb又はSn、及びZnのそれぞれの含有率は、これらの合計を基準として10〜80mol%である透明導電性フィルム。 - 前記一対の金属酸化物薄膜に含まれる前記金属元素は主としてTi、Nb及びZnであり、
前記一対の金属酸化物薄膜のうち、Tiの含有率をX、Nbの含有率をY、及びZnの含有率をZとしたとき、26X+23Y+21Zの値の小さい方が大きい膜厚を有する、請求項1に記載の透明導電性フィルム。 - 前記一対の該金属酸化物薄膜に含まれる前記金属元素は主としてTi、Sn及びZnであり、
前記一対の金属酸化物薄膜のうち、Tiの含有率をX、Snの含有率をW、Znの含有率をZとしたとき、26X+19W+21Zの値の小さい方が大きい膜厚を有する、請求項1に記載の透明導電性フィルム。 - 前記金属薄膜の膜厚は5〜11nmであり、前記一対の金属酸化物薄膜の膜厚はそれぞれ20〜50nmである、請求項1〜3のいずれか1項に記載の透明導電性フィルム。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の透明導電性フィルムを備えるタッチパネル。
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