JP6034625B2 - Peeling method - Google Patents
Peeling method Download PDFInfo
- Publication number
- JP6034625B2 JP6034625B2 JP2012193574A JP2012193574A JP6034625B2 JP 6034625 B2 JP6034625 B2 JP 6034625B2 JP 2012193574 A JP2012193574 A JP 2012193574A JP 2012193574 A JP2012193574 A JP 2012193574A JP 6034625 B2 JP6034625 B2 JP 6034625B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive layer
- solvent
- wafer
- peeling
- support
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 91
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 142
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 110
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 87
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 86
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 63
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 49
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 45
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 claims description 45
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 41
- 125000003011 styrenyl group Chemical group [H]\C(*)=C(/[H])C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1[H] 0.000 claims description 20
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 4
- 230000008961 swelling Effects 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 82
- -1 styrene-ethylene-butylene-styrene Chemical class 0.000 description 33
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 31
- 230000008569 process Effects 0.000 description 29
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 25
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 21
- 238000012719 thermal polymerization Methods 0.000 description 21
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 20
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical group C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 14
- 239000013032 Hydrocarbon resin Substances 0.000 description 13
- 229920006270 hydrocarbon resin Polymers 0.000 description 13
- CFJYNSNXFXLKNS-UHFFFAOYSA-N p-menthane Chemical compound CC(C)C1CCC(C)CC1 CFJYNSNXFXLKNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 10
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 9
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 9
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 8
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000047 product Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 7
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 7
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N nonane Chemical compound CCCCCCCCC BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229930004008 p-menthane Natural products 0.000 description 5
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GLZPCOQZEFWAFX-UHFFFAOYSA-N Geraniol Chemical compound CC(C)=CCCC(C)=CCO GLZPCOQZEFWAFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- XOKSLPVRUOBDEW-UHFFFAOYSA-N pinane Chemical compound CC1CCC2C(C)(C)C1C2 XOKSLPVRUOBDEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- IIYFAKIEWZDVMP-UHFFFAOYSA-N tridecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCC IIYFAKIEWZDVMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N undecane Chemical compound CCCCCCCCCCC RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NOOLISFMXDJSKH-UTLUCORTSA-N (+)-Neomenthol Chemical compound CC(C)[C@@H]1CC[C@@H](C)C[C@@H]1O NOOLISFMXDJSKH-UTLUCORTSA-N 0.000 description 3
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- MHDVGSVTJDSBDK-UHFFFAOYSA-N dibenzyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1COCC1=CC=CC=C1 MHDVGSVTJDSBDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical class C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 3
- 229920000346 polystyrene-polyisoprene block-polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 229920006132 styrene block copolymer Polymers 0.000 description 3
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 3
- GRWFGVWFFZKLTI-IUCAKERBSA-N (-)-α-pinene Chemical compound CC1=CC[C@@H]2C(C)(C)[C@H]1C2 GRWFGVWFFZKLTI-IUCAKERBSA-N 0.000 description 2
- GGTSAXBNFONRAB-UHFFFAOYSA-N (1-methyl-2-phenyl-4-propan-2-ylcyclohexyl)benzene Chemical compound C1C(C(C)C)CCC(C)(C=2C=CC=CC=2)C1C1=CC=CC=C1 GGTSAXBNFONRAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 1-hexene Chemical compound CCCCC=C LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMWPTXOKSJXVDS-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-2-propan-2-ylcyclohexane Chemical compound CC(C)C1CCCCC1C UMWPTXOKSJXVDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QRDCBPPMQOPHOU-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-3-propan-2-ylcyclohexane Chemical compound CC(C)C1CCCC(C)C1 QRDCBPPMQOPHOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XJWZDXFFNOMMTD-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-4-propan-2-ylcyclohex-3-en-1-ol Chemical compound CC(C)C1=CCC(C)(O)CC1 XJWZDXFFNOMMTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WRYLYDPHFGVWKC-UHFFFAOYSA-N 4-terpineol Chemical compound CC(C)C1(O)CCC(C)=CC1 WRYLYDPHFGVWKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FFWSICBKRCICMR-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-hexanone Chemical compound CC(C)CCC(C)=O FFWSICBKRCICMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 2
- NOOLISFMXDJSKH-UHFFFAOYSA-N DL-menthol Natural products CC(C)C1CCC(C)CC1O NOOLISFMXDJSKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001050985 Disco Species 0.000 description 2
- WEEGYLXZBRQIMU-UHFFFAOYSA-N Eucalyptol Chemical compound C1CC2CCC1(C)OC2(C)C WEEGYLXZBRQIMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical compound CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZPUKHRHPJKNORC-UHFFFAOYSA-N Longifolene Natural products CC1(C)CCCC2(C)C3CCC1(C3)C2=C ZPUKHRHPJKNORC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PDSNLYSELAIEBU-UHFFFAOYSA-N Longifolene Chemical compound C1CCC(C)(C)C2C3CCC2C1(C)C3=C PDSNLYSELAIEBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- BGYHLZZASRKEJE-UHFFFAOYSA-N [3-[3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoyloxy]-2,2-bis[3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoyloxymethyl]propyl] 3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoate Chemical compound CC(C)(C)C1=C(O)C(C(C)(C)C)=CC(CCC(=O)OCC(COC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)(COC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)COC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)=C1 BGYHLZZASRKEJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- BEWYHVAWEKZDPP-UHFFFAOYSA-N bornane Chemical compound C1CC2(C)CCC1C2(C)C BEWYHVAWEKZDPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930006742 bornane Natural products 0.000 description 2
- ULDHMXUKGWMISQ-UHFFFAOYSA-N carvone Chemical compound CC(=C)C1CC=C(C)C(=O)C1 ULDHMXUKGWMISQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- QMVPMAAFGQKVCJ-UHFFFAOYSA-N citronellol Chemical compound OCCC(C)CCC=C(C)C QMVPMAAFGQKVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N cycloheptane Chemical compound C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNRLDGQZIVUQTE-UHFFFAOYSA-N gamma-Terpineol Chemical compound CC(C)=C1CCC(C)(O)CC1 NNRLDGQZIVUQTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- PQNFLJBBNBOBRQ-UHFFFAOYSA-N indane Chemical compound C1=CC=C2CCCC2=C1 PQNFLJBBNBOBRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDOSHBSSFJOMGT-UHFFFAOYSA-N linalool Chemical compound CC(C)=CCCC(C)(O)C=C CDOSHBSSFJOMGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- UMRZSTCPUPJPOJ-KNVOCYPGSA-N norbornane Chemical compound C1C[C@H]2CC[C@@H]1C2 UMRZSTCPUPJPOJ-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GJYCVCVHRSWLNY-UHFFFAOYSA-N ortho-butylphenol Natural products CCCCC1=CC=CC=C1O GJYCVCVHRSWLNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 2
- 229930006728 pinane Natural products 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 229920000468 styrene butadiene styrene block copolymer Polymers 0.000 description 2
- 150000003440 styrenes Chemical class 0.000 description 2
- XBFJAVXCNXDMBH-UHFFFAOYSA-N tetracyclo[6.2.1.1(3,6).0(2,7)]dodec-4-ene Chemical compound C1C(C23)C=CC1C3C1CC2CC1 XBFJAVXCNXDMBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CNHDIAIOKMXOLK-UHFFFAOYSA-N toluquinol Chemical compound CC1=CC(O)=CC=C1O CNHDIAIOKMXOLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- YHQGMYUVUMAZJR-UHFFFAOYSA-N α-terpinene Chemical compound CC(C)C1=CC=C(C)CC1 YHQGMYUVUMAZJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YKFLAYDHMOASIY-UHFFFAOYSA-N γ-terpinene Chemical compound CC(C)C1=CCC(C)=CC1 YKFLAYDHMOASIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N (+)-borneol Chemical compound C1C[C@@]2(C)[C@@H](O)C[C@@H]1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N 0.000 description 1
- WTARULDDTDQWMU-RKDXNWHRSA-N (+)-β-pinene Chemical compound C1[C@H]2C(C)(C)[C@@H]1CCC2=C WTARULDDTDQWMU-RKDXNWHRSA-N 0.000 description 1
- WTARULDDTDQWMU-IUCAKERBSA-N (-)-Nopinene Natural products C1[C@@H]2C(C)(C)[C@H]1CCC2=C WTARULDDTDQWMU-IUCAKERBSA-N 0.000 description 1
- REPVLJRCJUVQFA-UHFFFAOYSA-N (-)-isopinocampheol Natural products C1C(O)C(C)C2C(C)(C)C1C2 REPVLJRCJUVQFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001490 (3R)-3,7-dimethylocta-1,6-dien-3-ol Substances 0.000 description 1
- QMVPMAAFGQKVCJ-SNVBAGLBSA-N (R)-(+)-citronellol Natural products OCC[C@H](C)CCC=C(C)C QMVPMAAFGQKVCJ-SNVBAGLBSA-N 0.000 description 1
- DSSYKIVIOFKYAU-XCBNKYQSSA-N (R)-camphor Chemical compound C1C[C@@]2(C)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C DSSYKIVIOFKYAU-XCBNKYQSSA-N 0.000 description 1
- CDOSHBSSFJOMGT-JTQLQIEISA-N (R)-linalool Natural products CC(C)=CCC[C@@](C)(O)C=C CDOSHBSSFJOMGT-JTQLQIEISA-N 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 1
- RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N (Z)-beta-Terpineol Natural products CC(=C)C1CCC(C)(O)CC1 RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFFOTVCVTJUTAD-AOOOYVTPSA-N 1,4-cineole Chemical compound CC(C)[C@]12CC[C@](C)(CC1)O2 RFFOTVCVTJUTAD-AOOOYVTPSA-N 0.000 description 1
- WKBPZYKAUNRMKP-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2,4-dichlorophenyl)pentyl]1,2,4-triazole Chemical compound C=1C=C(Cl)C=C(Cl)C=1C(CCC)CN1C=NC=N1 WKBPZYKAUNRMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- KGRVJHAUYBGFFP-UHFFFAOYSA-N 2,2'-Methylenebis(4-methyl-6-tert-butylphenol) Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(C)=CC(CC=2C(=C(C=C(C)C=2)C(C)(C)C)O)=C1O KGRVJHAUYBGFFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXXFZKQPYACQLD-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCOCCO XXXFZKQPYACQLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBNHCGDYYBMKJN-UHFFFAOYSA-N 2-(4-methylcyclohexyl)propan-2-yl acetate Chemical compound CC1CCC(C(C)(C)OC(C)=O)CC1 HBNHCGDYYBMKJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFBJXXJYHWLXRM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoyloxy]ethylsulfanyl]ethyl 3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoate Chemical compound CC(C)(C)C1=C(O)C(C(C)(C)C)=CC(CCC(=O)OCCSCCOC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)=C1 VFBJXXJYHWLXRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCO HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPPFYBPQAPISCT-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl acetate Chemical compound CC(O)COC(C)=O PPPFYBPQAPISCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AIXYXZFKOULKBD-UHFFFAOYSA-N 2-pentoxybenzene-1,4-diol Chemical compound CCCCCOC1=CC(O)=CC=C1O AIXYXZFKOULKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXIQYSLFEXIOAV-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-4-(5-tert-butyl-4-hydroxy-2-methylphenyl)sulfanyl-5-methylphenol Chemical compound CC1=CC(O)=C(C(C)(C)C)C=C1SC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C=C1C HXIQYSLFEXIOAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFANXOISJYKQRP-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-4-[1-(5-tert-butyl-4-hydroxy-2-methylphenyl)butyl]-5-methylphenol Chemical compound C=1C(C(C)(C)C)=C(O)C=C(C)C=1C(CCC)C1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C=C1C PFANXOISJYKQRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMTYZTXUZLQUSF-UHFFFAOYSA-N 3,3'-Dimethylbisphenol A Chemical compound C1=C(O)C(C)=CC(C(C)(C)C=2C=C(C)C(O)=CC=2)=C1 YMTYZTXUZLQUSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTBFTRPCNLSDE-UHFFFAOYSA-N 3,7-bis(dimethylamino)phenothiazin-5-ium Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC2=[S+]C3=CC(N(C)C)=CC=C3N=C21 RBTBFTRPCNLSDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPMYUUITDBHVQZ-UHFFFAOYSA-M 3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoate Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(CCC([O-])=O)=CC(C(C)(C)C)=C1O WPMYUUITDBHVQZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JIGUICYYOYEXFS-UHFFFAOYSA-N 3-tert-butylbenzene-1,2-diol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC(O)=C1O JIGUICYYOYEXFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFERIGCCDYCZLN-UHFFFAOYSA-N 3a,4,7,7a-tetrahydro-1h-indene Chemical compound C1C=CCC2CC=CC21 UFERIGCCDYCZLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRYLYDPHFGVWKC-SNVBAGLBSA-N 4-Terpineol Natural products CC(C)[C@]1(O)CCC(C)=CC1 WRYLYDPHFGVWKC-SNVBAGLBSA-N 0.000 description 1
- ODJUOZPKKHIEOZ-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl)propan-2-yl]-2,6-dimethylphenol Chemical compound CC1=C(O)C(C)=CC(C(C)(C)C=2C=C(C)C(O)=C(C)C=2)=C1 ODJUOZPKKHIEOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXYSZTISEJBRHW-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[4-[1,1-bis(4-hydroxyphenyl)ethyl]phenyl]propan-2-yl]phenol Chemical compound C=1C=C(C(C)(C=2C=CC(O)=CC=2)C=2C=CC(O)=CC=2)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 WXYSZTISEJBRHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJBUQOXMWGPKGP-UHFFFAOYSA-N 4-[3,3-bis(4-hydroxy-2,5-dimethylphenyl)-1-phenylpropyl]-2,5-dimethylphenol Chemical compound C1=C(O)C(C)=CC(C(CC(C=2C(=CC(O)=C(C)C=2)C)C=2C(=CC(O)=C(C)C=2)C)C=2C=CC=CC=2)=C1C CJBUQOXMWGPKGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIIIPQXXLVCCQP-UHFFFAOYSA-N 4-propoxyphenol Chemical compound CCCOC1=CC=C(O)C=C1 KIIIPQXXLVCCQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXPZDYVDTMMLNB-UHFFFAOYSA-N Benzyl ethyl ether Chemical compound CCOCC1=CC=CC=C1 AXPZDYVDTMMLNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHPWOVIAXFUGOY-UHFFFAOYSA-N CC=CC=C(O)O Chemical compound CC=CC=C(O)O GHPWOVIAXFUGOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005973 Carvone Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000723346 Cinnamomum camphora Species 0.000 description 1
- WTEVQBCEXWBHNA-UHFFFAOYSA-N Citral Natural products CC(C)=CCCC(C)=CC=O WTEVQBCEXWBHNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N Ethyl pyruvate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=O XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- GLZPCOQZEFWAFX-YFHOEESVSA-N Geraniol Natural products CC(C)=CCC\C(C)=C/CO GLZPCOQZEFWAFX-YFHOEESVSA-N 0.000 description 1
- 239000005792 Geraniol Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOOLISFMXDJSKH-LPEHRKFASA-N Isomenthol Natural products CC(C)[C@@H]1CC[C@H](C)C[C@H]1O NOOLISFMXDJSKH-LPEHRKFASA-N 0.000 description 1
- WSTYNZDAOAEEKG-UHFFFAOYSA-N Mayol Natural products CC1=C(O)C(=O)C=C2C(CCC3(C4CC(C(CC4(CCC33C)C)=O)C)C)(C)C3=CC=C21 WSTYNZDAOAEEKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- GLZPCOQZEFWAFX-JXMROGBWSA-N Nerol Natural products CC(C)=CCC\C(C)=C\CO GLZPCOQZEFWAFX-JXMROGBWSA-N 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WTARULDDTDQWMU-UHFFFAOYSA-N Pseudopinene Natural products C1C2C(C)(C)C1CCC2=C WTARULDDTDQWMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CGRTZESQZZGAAU-UHFFFAOYSA-N [2-[3-[1-[3-(3-tert-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl)propanoyloxy]-2-methylpropan-2-yl]-2,4,8,10-tetraoxaspiro[5.5]undecan-9-yl]-2-methylpropyl] 3-(3-tert-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl)propanoate Chemical compound CC(C)(C)C1=C(O)C(C)=CC(CCC(=O)OCC(C)(C)C2OCC3(CO2)COC(OC3)C(C)(C)COC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C)C=2)C(C)(C)C)=C1 CGRTZESQZZGAAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XRLHGXGMYJNYCR-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2-(2-hydroxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CC(O)=O.CC(O)COC(C)CO XRLHGXGMYJNYCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003668 acetyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(=O)O[*] 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 125000004018 acid anhydride group Chemical group 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001346 alkyl aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000001118 alkylidene group Chemical group 0.000 description 1
- XCPQUQHBVVXMRQ-UHFFFAOYSA-N alpha-Fenchene Natural products C1CC2C(=C)CC1C2(C)C XCPQUQHBVVXMRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVNCAPSFBDBCGF-UHFFFAOYSA-N alpha-pinene Natural products CC1=CCC23C1CC2C3(C)C MVNCAPSFBDBCGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001000 anthraquinone dye Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 101150059062 apln gene Proteins 0.000 description 1
- 239000002635 aromatic organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- JGQFVRIQXUFPAH-UHFFFAOYSA-N beta-citronellol Natural products OCCC(C)CCCC(C)=C JGQFVRIQXUFPAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930006722 beta-pinene Natural products 0.000 description 1
- 125000002619 bicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- CKDOCTFBFTVPSN-UHFFFAOYSA-N borneol Natural products C1CC2(C)C(C)CC1C2(C)C CKDOCTFBFTVPSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116229 borneol Drugs 0.000 description 1
- YFNONBGXNFCTMM-UHFFFAOYSA-N butoxybenzene Chemical compound CCCCOC1=CC=CC=C1 YFNONBGXNFCTMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 235000010354 butylated hydroxytoluene Nutrition 0.000 description 1
- 229930008380 camphor Natural products 0.000 description 1
- 229960000846 camphor Drugs 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- RFFOTVCVTJUTAD-UHFFFAOYSA-N cineole Natural products C1CC2(C)CCC1(C(C)C)O2 RFFOTVCVTJUTAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043350 citral Drugs 0.000 description 1
- 235000000484 citronellol Nutrition 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- WJTCGQSWYFHTAC-UHFFFAOYSA-N cyclooctane Chemical compound C1CCCCCCC1 WJTCGQSWYFHTAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004914 cyclooctane Substances 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DTGKSKDOIYIVQL-UHFFFAOYSA-N dl-isoborneol Natural products C1CC2(C)C(O)CC1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical class C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- UHKJHMOIRYZSTH-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-ethoxypropanoate Chemical compound CCOC(C)C(=O)OCC UHKJHMOIRYZSTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940117360 ethyl pyruvate Drugs 0.000 description 1
- 125000000219 ethylidene group Chemical group [H]C(=[*])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- LCWMKIHBLJLORW-UHFFFAOYSA-N gamma-carene Natural products C1CC(=C)CC2C(C)(C)C21 LCWMKIHBLJLORW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTEVQBCEXWBHNA-JXMROGBWSA-N geranial Chemical compound CC(C)=CCC\C(C)=C\C=O WTEVQBCEXWBHNA-JXMROGBWSA-N 0.000 description 1
- 229940113087 geraniol Drugs 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- UCQHUEOREKHIBP-UHFFFAOYSA-N heptacyclo[9.6.1.14,7.113,16.02,10.03,8.012,17]icosa-5,14-diene Chemical compound C1C(C23)C4C(C=C5)CC5C4C1C3CC1C2C2C=CC1C2 UCQHUEOREKHIBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N hydroquinone methyl ether Natural products COC1=CC=C(O)C=C1 NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 1
- 229930007744 linalool Natural products 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical group O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229940041616 menthol Drugs 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000001434 methanylylidene group Chemical group [H]C#[*] 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-methoxypropanoate Chemical compound COCCC(=O)OC BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N methyl pyruvate Chemical compound COC(=O)C(C)=O CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000907 methylthioninium chloride Drugs 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- SJYNFBVQFBRSIB-UHFFFAOYSA-N norbornadiene Chemical compound C1=CC2C=CC1C2 SJYNFBVQFBRSIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- GUVXZFRDPCKWEM-UHFFFAOYSA-N pentalene Chemical compound C1=CC2=CC=CC2=C1 GUVXZFRDPCKWEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- DLRJIFUOBPOJNS-UHFFFAOYSA-N phenetole Chemical compound CCOC1=CC=CC=C1 DLRJIFUOBPOJNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920002742 polystyrene-block-poly(ethylene/propylene) -block-polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920005996 polystyrene-poly(ethylene-butylene)-polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 1
- GRWFGVWFFZKLTI-UHFFFAOYSA-N rac-alpha-Pinene Natural products CC1=CCC2C(C)(C)C1C2 GRWFGVWFFZKLTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007142 ring opening reaction Methods 0.000 description 1
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 1
- PDEFQWNXOUGDJR-UHFFFAOYSA-M sodium;2,2-dichloropropanoate Chemical compound [Na+].CC(Cl)(Cl)C([O-])=O PDEFQWNXOUGDJR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- QJVXKWHHAMZTBY-GCPOEHJPSA-N syringin Chemical compound COC1=CC(\C=C\CO)=CC(OC)=C1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 QJVXKWHHAMZTBY-GCPOEHJPSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- 229930006978 terpinene Natural products 0.000 description 1
- 150000003507 terpinene derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229920000428 triblock copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N urethane group Chemical group NC(=O)OCC JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N vertaline Natural products C1C2C=3C=C(OC)C(OC)=CC=3OC(C=C3)=CC=C3CCC(=O)OC1CC1N2CCCC1 PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004711 α-olefin Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
本発明は、接着剤層を介してウエハに貼り付けられた支持体を、当該ウエハから剥離する剥離方法および剥離装置に関する。 The present invention relates to a peeling method and a peeling apparatus for peeling a support attached to a wafer via an adhesive layer from the wafer.
近年、携帯電話、デジタルAV機器およびICカード等の高機能化に伴い、搭載される半導体シリコンチップ(以下、チップ)を小型化および薄型化することによって、パッケージ内にチップを高集積化する要求が高まっている。例えば、CSP(chip size package)またはMCP(multi-chip package)に代表されるような複数のチップをワンパッケージ化する集積回路においては、一層の薄型化が求められている。パッケージ内のチップの高集積化を実現するためには、チップの厚さを25〜150μmの範囲にまで薄くする必要がある。 In recent years, with the enhancement of functions of mobile phones, digital AV devices, IC cards, etc., there is a demand for highly integrated chips in packages by reducing the size and thickness of semiconductor silicon chips (hereinafter referred to as chips). Is growing. For example, in an integrated circuit in which a plurality of chips such as CSP (chip size package) or MCP (multi-chip package) are packaged in one package, further reduction in thickness is required. In order to achieve high integration of chips in the package, it is necessary to reduce the thickness of the chip to a range of 25 to 150 μm.
しかしながら、チップのベースになる半導体ウエハ(以下、ウエハ)は、研削することにより肉薄になるため、その強度は弱くなり、クラックまたは反りが生じ易くなる。また、薄板化することによって強度が弱くなったウエハを自動搬送することは困難であるため、人手によって搬送しなければならず、その取り扱いが煩雑である。 However, since a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) serving as a base of a chip becomes thin by grinding, its strength is weakened and cracks or warpage is likely to occur. Further, since it is difficult to automatically transport a wafer whose strength has been reduced by making it thinner, it must be transported manually, and the handling is complicated.
そのため、研削するウエハにサポートプレートと呼ばれる、ガラス、シリコンまたは硬質プラスチック等からなるプレートを貼り合わせることによって、ウエハの強度を保持し、クラックの発生およびウエハの反りを防止するウエハハンドリングシステムが開発されている。ウエハハンドリングシステムによりウエハの強度を維持することができるため、薄板化したウエハの搬送を自動化することができる。 Therefore, a wafer handling system has been developed that maintains the strength of the wafer and prevents cracks and warpage of the wafer by bonding a plate made of glass, silicon, or hard plastic, called a support plate, to the wafer to be ground. ing. Since the strength of the wafer can be maintained by the wafer handling system, the conveyance of the thinned wafer can be automated.
ウエハハンドリングシステムにおいて、ウエハとサポートプレートとは粘着テープ、熱可塑性樹脂、接着剤等により形成された接着剤層を用いて貼り合わせられる。そして、サポートプレートが貼り付けられたウエハを薄板化した後、ウエハをダイシングする前にサポートプレートを基板から剥離する。このウエハとサポートプレートとの貼り合わせに接着剤を用いた場合、接着剤を溶解してウエハをサポートプレートから剥離する。 In the wafer handling system, the wafer and the support plate are bonded together using an adhesive layer formed of an adhesive tape, a thermoplastic resin, an adhesive, or the like. Then, after thinning the wafer to which the support plate is attached, the support plate is peeled from the substrate before dicing the wafer. When an adhesive is used for bonding the wafer and the support plate, the adhesive is dissolved to peel the wafer from the support plate.
近年、上述したような接着剤として、炭化水素系の接着剤が開発されている(特許文献1および2)。
In recent years, hydrocarbon adhesives have been developed as the adhesives described above (
従来技術に係る接着剤では、ウエハと当該ウエハの支持体とを接着させた積層体を薄化工程等の所定の工程に供した後、当該ウエハと当該支持体を分離する場合に、接着剤を溶解させるための溶剤に溶解し難いという問題があった。したがって、接着剤を溶解させるために、多量の溶剤が必要になる。また、接着剤を溶解するために長時間を要し、結果として、ウエハと支持体とを分離するのに時間がかかるという問題点を有している。 In the adhesive according to the prior art, when the laminated body in which the wafer and the support of the wafer are bonded is subjected to a predetermined process such as a thinning process, the adhesive is separated from the wafer and the support. There was a problem that it was difficult to dissolve in a solvent for dissolving the. Therefore, a large amount of solvent is required to dissolve the adhesive. In addition, it takes a long time to dissolve the adhesive, and as a result, it takes time to separate the wafer and the support.
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、ウエハと当該ウエハの支持体とを接着剤層を介して接着させた後に、ウエハに貼り付けられた支持体を、当該ウエハから容易に剥離することが可能な剥離方法および剥離装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and after bonding a wafer and a support for the wafer through an adhesive layer, the support attached to the wafer can be easily removed from the wafer. It is an object of the present invention to provide a peeling method and a peeling apparatus that can be peeled off.
上記の課題を解決するために、本発明に係る剥離方法は、接着剤層を介してウエハに貼り付けられた支持体を、当該ウエハから剥離する剥離方法であって、上記接着剤層を膨潤させて、その表面の接着性を低下させる溶剤を、上記接着剤層に供給する溶剤供給工程と、上記ウエハから、膨潤した上記接着剤層を剥離する剥離工程とを包含することを特徴としている。
本発明に係る剥離装置は、接着剤層を介してウエハに貼り付けられた支持体を、当該ウエハから剥離する剥離装置であって、上記接着剤層を膨潤させて、その表面の接着性を低下させる溶剤を、上記接着剤層に供給する溶剤供給手段と、上記ウエハから上記接着剤層を剥離する剥離手段とを備えていることを特徴としている。
In order to solve the above problems, a peeling method according to the present invention is a peeling method for peeling a support attached to a wafer via an adhesive layer from the wafer, and swelling the adhesive layer. And a solvent supplying step for supplying the adhesive layer with a solvent for reducing the adhesiveness of the surface to the adhesive layer, and a peeling step for peeling the swollen adhesive layer from the wafer. .
A peeling apparatus according to the present invention is a peeling apparatus that peels a support attached to a wafer via an adhesive layer from the wafer, and swells the adhesive layer to increase the adhesiveness of the surface. Solvent supply means for supplying the solvent to be lowered to the adhesive layer and peeling means for peeling the adhesive layer from the wafer are provided.
本発明に係る剥離方法は、接着剤層を膨潤させて、その表面の接着性を低下させる溶剤を、接着剤層に供給する溶剤供給工程と、ウエハから、膨潤した接着剤層を剥離する剥離工程とを包含しており、本発明に係る剥離装置は、接着剤層を膨潤させて、その表面の接着性を低下させる溶剤を、接着剤層に供給する溶剤供給手段と、ウエハから、膨潤した接着剤層を剥離する剥離手段とを備えているので、ウエハから支持体を容易に剥離することができる。 The peeling method according to the present invention includes a solvent supplying step of supplying the adhesive layer with a solvent that swells the adhesive layer and lowers the adhesiveness of the surface, and peeling that peels off the swollen adhesive layer from the wafer. The peeling device according to the present invention swells from the wafer with a solvent supply means for swelling the adhesive layer and supplying the adhesive layer with a solvent for reducing the adhesiveness of the surface. And a peeling means for peeling the adhesive layer, the support can be easily peeled from the wafer.
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
[剥離方法]
本発明に係る剥離方法は、接着剤層を介してウエハに貼り付けられた支持体を、ウエハから剥離する剥離方法である。剥離方法は、上記接着剤層を膨潤させて、その表面の接着性を低下させる溶剤を、上記接着剤層に供給する溶剤供給工程と、上記ウエハから、膨潤した上記接着剤層を剥離する剥離工程とを包含する。
[Peeling method]
The peeling method which concerns on this invention is a peeling method which peels the support body affixed on the wafer via the adhesive bond layer from the wafer. The peeling method includes a solvent supply step of supplying the adhesive layer with a solvent that swells the adhesive layer and lowers the adhesiveness of the surface, and peeling that peels off the swollen adhesive layer from the wafer. Process.
〔第1実施形態〕
本実施形態に係る剥離方法を、図1を参照して説明する。図1中(a)〜(d)は、本発明の一実施形態に係る剥離方法を示す説明図である。本実施形態の剥離方法においては、図1中(a)に示すように、ウエハ1と支持体2とを接着剤層3を介して貼り付けた積層体10を剥離処理の対象とする。
[First Embodiment]
The peeling method according to this embodiment will be described with reference to FIG. (A)-(d) in FIG. 1 is explanatory drawing which shows the peeling method which concerns on one Embodiment of this invention. In the peeling method of this embodiment, as shown to (a) in FIG. 1, the laminated
<ウエハ1>
ウエハ1は、支持体2に貼り合わされた状態で、回路形成処理、薄化処理等の半導体プロセスに供されたものであり、例えば、シリコン(Si)製の基板等であってもよい。剥離方法に供する積層体10中のウエハ1は、薄化処理により、例えば、25〜150μmの厚さに薄化されたものであってもよい。
<Wafer 1>
The
<支持体2>
支持体2は、例えば、ウエハを薄化する工程で当該ウエハを支持する役割を果たす部材であり、接着剤層3を介してウエハ1に接着されて積層体10を構成する。一実施形態において、支持体は、例えば、その膜厚が500〜1,000μmであるガラスまたはシリコンで形成されている。
<
The
<接着剤層3>
接着剤層3は、ウエハ1と支持体2とを貼り合わせるものであり、支持体2をウエハ1から剥離するときに、特定の溶剤と接触することによって膨潤し、その表面の接着性を低下させるように形成されていればよい。このような接着剤層3は、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含み、当該スチレン単位の含有量が10重量%以上、90重量%以下であり、重量平均分子量が10,000以上、200,000以下であるエラストマーを、40重量%以上含む接着剤組成物により形成することができる。接着剤組成物の詳細については後述する。
<
The
接着剤層3は、例えば、上記接着剤組成物をウエハ1上に塗布して乾燥した後の膜厚が10〜1,000μmとなるように、所望する接着剤層3の膜厚に応じて適宜、公知の方法により、形成することができる。なお、接着剤層3は、優れた耐熱性を有する上記接着剤組成物を用いて形成されているので、接着した後に150℃以上の環境下に曝されるウエハ1と当該支持体2との接着に好適に用いられる。具体的には、接着剤層3は、180℃以上、さらには220℃以上の環境下にも好適に用いることができる。
The
(溶剤供給工程)
溶剤供給工程においては、図1中(b)に示すように、溶剤を接着剤層3に供給する。溶剤を接着剤層3に供給する方法としては、特に限定されないが、図1中(b)に示すように、槽100内に導入された溶剤中に積層体10を浸漬することによって、溶剤を接着剤層3に供給することができる。
(Solvent supply process)
In the solvent supply step, the solvent is supplied to the
積層体10を溶剤中に浸漬する場合、浸漬時間は、接着剤層3を形成する接着剤組成物および溶剤の種類、接着剤層3の厚さ、気温等に応じて適宜設定することができるが、5分以下であることが好ましい。また、積層体10を浸漬する溶剤は、室温であってもよいが、例えば、45℃以下の温度に加熱されていてもよい。
When the laminate 10 is immersed in a solvent, the immersion time can be appropriately set according to the adhesive composition that forms the
なお、槽内に導入された溶剤中に積層体10を浸漬する方法によってウエハ1から接着剤層3を除去したときには、接着剤層3を除去した後の溶剤をフィルター等によりろ過すれば、溶剤を再利用することができる。
In addition, when the
<溶剤>
接着剤層3に供給する溶剤は、接着剤層3を膨潤させて、その表面の接着性を低下させる溶剤であればよく、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、アセトン、メチルエチルケトン(MEK)、メチルアミルケトン(MAK)、酢酸ブチル、酢酸エチル等を好適に使用可能である。
<Solvent>
The solvent supplied to the
(剥離工程)
剥離工程においては、図1中(c)に示すように、ウエハ1から、膨潤した接着剤層3を剥離する。これにより、ウエハ1から支持体2を剥離する。溶剤が供給された接着剤層3は、膨潤し、その表面の接着性が低下しているので、当該接着剤層3により接着したウエハ1と支持体2とを、速やかに分離することができる。また、接着剤層3は膨潤させればよく、溶解させる必要はないので、支持体2をウエハ1から剥離するために必要な溶剤の量を少量に抑えることができる。ここで、接着剤層3が膨潤するとは、接着剤層3に溶剤が浸透し、接着剤層3が膨張して体積が変化するような状態を含む。
(Peeling process)
In the peeling step, the swollen
(洗浄工程)
本実施形態の剥離方法は、剥離工程において、ウエハ1から接着剤層3を剥離した後、図1中(d)に示すように、ウエハ1上を洗浄する洗浄工程をさらに包含していてもよい。洗浄工程においては、ウエハ1上の接着剤層3の残渣を除去する。洗浄工程においては、接着剤層3を溶解させる洗浄液をウエハ1上に供給する。
(Washing process)
The peeling method of the present embodiment may further include a cleaning step of cleaning the
洗浄液をウエハ1上に供給する方法としては、特に限定されないが、洗浄液をウエハ1上に噴霧するスプレー塗布等が挙げられる。洗浄液をウエハ1上にスプレー塗布するとき、ウエハ1を回転させてスピン塗布してもよい。
A method for supplying the cleaning liquid onto the
洗浄液は、接着剤層3を溶解させるものであればよく、接着剤層3を形成する接着剤組成物に応じて適宜選択されるものであるが、例えば、p−メンタン等を好適に使用可能である。また、洗浄液は、接着剤層3を溶解させるものの替わりに、接着剤層3を膨潤させるものであってもよく、この場合、接着剤層3を膨潤させるために用いた溶剤と同一であってもよいし、異なっていてもよい。
The cleaning liquid only needs to dissolve the
このように、ウエハ1から接着剤層3を剥離した後に、ウエハ1上を洗浄することによって、ウエハ1上に残存する接着剤層3等を好適に除去することができるので、残渣のない良質なウエハ1を得ることができる。そして、洗浄工程においては、接着剤層3が剥離された後の残渣のみを溶解させて除去すればよいため、必要な洗浄液の量を少量に抑えることができる。
Thus, after peeling off the
<接着剤組成物>
ここで、接着剤層3を形成する接着剤組成物の詳細を説明する。
<Adhesive composition>
Here, the detail of the adhesive composition which forms the
≪エラストマー≫
接着剤組成物に含まれるエラストマーは、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含み、当該スチレン単位の含有量が10重量%以上、90重量%以下であり、重量平均分子量が10,000以上、200,000以下の範囲であればよい。
≪Elastomer≫
The elastomer contained in the adhesive composition contains a styrene unit as a constituent unit of the main chain, the content of the styrene unit is 10 wt% or more and 90 wt% or less, and the weight average molecular weight is 10,000 or more, 200 , 000 or less.
本明細書において「構成単位」とは、重合体であるエラストマーを構成する構造において、一分子の単量体に起因する構造を指す。 In the present specification, the “structural unit” refers to a structure resulting from a single molecule monomer in a structure constituting an elastomer which is a polymer.
本明細書において「スチレン単位」とは、スチレンを重合したときに重合体に含まれる当該スチレン由来の構成単位を指す。 In the present specification, the “styrene unit” refers to a structural unit derived from the styrene contained in the polymer when styrene is polymerized.
接着剤組成物は、スチレン単位の含有量が10重量%以上、90重量%以下の範囲であり、エラストマーの重量平均分子量が10,000以上、200,000以下の範囲である。このようなエラストマーを40重量%以上含めば、当該接着剤組成物からなる接着剤層3は、溶剤によって膨潤することにより、その表面の接着性が低下するので、当該接着剤層3により接着したウエハ1と支持体2とを、より速やかに分離することができる。
The adhesive composition has a styrene unit content in the range of 10 wt% to 90 wt%, and the elastomer has a weight average molecular weight in the range of 10,000 to 200,000. If such an elastomer is included in an amount of 40% by weight or more, the
また、スチレン単位の含有量およびエラストマーの重量平均分子量が上記の範囲であることにより、ウエハがレジストリソグラフィー工程に供されるときに曝されるレジスト溶剤(例えばプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)等)、酸(フッ化水素酸等)、およびアルカリ(テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)、N−メチルピロリドン等)に対して、接着剤層が優れた耐性を発揮する。 Further, since the content of the styrene unit and the weight average molecular weight of the elastomer are within the above ranges, a resist solvent (for example, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene, which is exposed when the wafer is subjected to a resist lithography process) Glue monomethyl ether (PGME, etc.), acids (hydrofluoric acid, etc.), and alkalis (tetramethylammonium hydroxide (TMAH), N-methylpyrrolidone, etc.) exhibit excellent resistance .
スチレン単位の含有量は、50重量%より多いことがより好ましい。エラストマーの重量平均分子量は、20,000以上であることがより好ましく、また、150,000以下であることがより好ましい。 The content of styrene units is more preferably more than 50% by weight. The weight average molecular weight of the elastomer is more preferably 20,000 or more, and more preferably 150,000 or less.
エラストマーとしては、スチレン単位の含有量が10重量%以上、90重量%以下の範囲であり、エラストマーの重量平均分子量が10,000以上、200,000以下の範囲であれば、種々のエラストマーを用いることができる。具体的には、例えば、ポリスチレン−ポリ(エチレン/プロピレン)ブロックコポリマー(SEP)、スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー(SIS)、スチレン−ブタジエン−スチレンブロックコポリマー(SBS)、スチレン−ブタジエン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー(SBBS)、および、これらの水添物;スチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロックコポリマー(SEBS)、スチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー(スチレン−イソプレン−スチレンブロックコポリマー)(SEPS)、スチレン−エチレン−エチレン−プロピレン−スチレンブロックコポリマー(SEEPS)等が挙げられ、スチレン単位の含有量および重量平均分子量が上述の範囲であるものを用いることができる。 As the elastomer, various elastomers are used as long as the content of the styrene unit is in the range of 10% by weight to 90% by weight and the weight average molecular weight of the elastomer is in the range of 10,000 to 200,000. be able to. Specifically, for example, polystyrene-poly (ethylene / propylene) block copolymer (SEP), styrene-isoprene-styrene block copolymer (SIS), styrene-butadiene-styrene block copolymer (SBS), styrene-butadiene-butylene-styrene. Block copolymer (SBBS) and hydrogenated products thereof; styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer (SEBS), styrene-ethylene-propylene-styrene block copolymer (styrene-isoprene-styrene block copolymer) (SEPS), styrene -Ethylene-ethylene-propylene-styrene block copolymer (SEEPS) and the like, and those having a styrene unit content and a weight average molecular weight in the above-mentioned range are used. It is possible.
上記エラストマーは、水添物であることがより好ましい。エラストマーが水添物であれば、熱に対する安定性が向上して分解や重合等の変質が起こり難く、さらに、炭化水素系溶剤への溶解性およびレジスト溶剤への耐性により優れる。 The elastomer is more preferably a hydrogenated product. If the elastomer is a hydrogenated product, the stability to heat is improved and degradation such as decomposition and polymerization hardly occurs, and further, it is excellent in solubility in a hydrocarbon solvent and resistance to a resist solvent.
また、上記エラストマーのうち、分子の両末端がスチレン部位であるエラストマーがより好ましい。熱安定性の高いスチレン部位を両末端にブロック構造として有することで、エラストマーはより高い耐熱性を示す。 Further, among the above elastomers, an elastomer in which both ends of the molecule are styrene sites is more preferable. Elastomers exhibit higher heat resistance by having styrenic sites with high thermal stability as block structures at both ends.
さらに、エラストマーは、分子の両末端がスチレン部位である、スチレンおよび共役ジエンのブロックコポリマーの水添物であることがより好ましい。これにより、熱に対する安定性が向上して分解や重合等の変質が起こり難く、さらに、炭化水素系溶剤への溶解性およびレジスト溶剤への耐性により優れると共に、熱安定性の高いスチレン部位を両末端にブロック構造として有することで、より高い耐熱性を示す。 Further, the elastomer is more preferably a hydrogenated product of a block copolymer of styrene and a conjugated diene in which both ends of the molecule are styrene sites. As a result, the stability to heat is improved and degradation such as decomposition and polymerization is unlikely to occur. Furthermore, both the solubility in hydrocarbon solvents and the resistance to resist solvents are excellent, and both styrene sites having high thermal stability are provided. By having a block structure at the end, higher heat resistance is exhibited.
また、エラストマーは、必要に応じて、分子内に官能基含有原子団を少なくとも一つ有していてもよい。当該エラストマーは、例えば、公知のブロック共重合体に対して、変性剤を用いて官能基含有原子団を結合させることによって得ることができる。 Moreover, the elastomer may have at least one functional group-containing atomic group in the molecule, if necessary. The elastomer can be obtained, for example, by bonding a functional group-containing atomic group to a known block copolymer using a modifier.
官能基含有原子団とは、一つ以上の官能基を含む原子団を指す。官能基含有原子団が含む官能基としては、例えば、アミノ基、酸無水物基(好ましくは無水マレイン酸基)、イミド基、ウレタン基、エポキシ基、イミノ基、水酸基、カルボキシル基、シラノール基、およびアルコキシシラン基(当該アルコキシシラン基は炭素数1〜6であることが好ましい)が挙げられる。エラストマーが分子内に官能基含有原子団を少なくとも一つ有することにより、接着剤組成物の柔軟性および接着性がより向上する。 The functional group-containing atomic group refers to an atomic group containing one or more functional groups. Examples of the functional group contained in the functional group-containing atomic group include an amino group, an acid anhydride group (preferably a maleic anhydride group), an imide group, a urethane group, an epoxy group, an imino group, a hydroxyl group, a carboxyl group, a silanol group, And an alkoxysilane group (the alkoxysilane group preferably has 1 to 6 carbon atoms). When the elastomer has at least one functional group-containing atomic group in the molecule, the flexibility and adhesiveness of the adhesive composition are further improved.
上記エラストマーとして用いることができる市販品としては、例えば、株式会社クラレ製「セプトン(商品名)」、同社製「ハイブラー(商品名)」、旭化成株式会社製「タフテック(商品名)」、JSR株式会社製「ダイナロン(商品名)」等が挙げられる。 Commercially available products that can be used as the elastomer include, for example, “Septon (trade name)” manufactured by Kuraray Co., Ltd., “Hibler (trade name)” manufactured by the same company, “Tuftec (trade name)” manufactured by Asahi Kasei Corporation, and JSR shares. The company-made “Dynaron (trade name)” and the like can be mentioned.
接着剤組成物に含まれるエラストマーの含有量は、40重量%以上であればよいが、50重量%以上であることがより好ましく、60重量%以上であることが最も好ましい。 The content of the elastomer contained in the adhesive composition may be 40% by weight or more, more preferably 50% by weight or more, and most preferably 60% by weight or more.
また、エラストマーは、複数の種類を混合して用いてもよい。つまり、接着剤組成物は複数の種類のエラストマーを含んでもよい。接着剤組成物が、複数の種類のエラストマーを含む場合、混合した結果、エラストマーの重量平均分子量が10,000以上、200,000以下の範囲になるように調整すればよい。そして、複数種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、主鎖の構成単位としてスチレン単位を含み当該スチレン単位の含有量が10重量%以上、90重量%以下の範囲であり、複数種類のエラストマーの総含有量が、40重量%以上であればよい。また、接着剤組成物において、複数種類のエラストマーを含む場合、混合した結果、スチレン単位の含有量が上記の範囲となるように調整してもよい。例えば、スチレン単位の含有量が65重量%である株式会社クラレ製のセプトン(商品名)のSepton2104と、スチレン単位の含有量が12重量%である同社製のセプトン(商品名)のSepton2063とを重量比1対1で混合すると、接着剤組成物に含まれるエラストマー全体に対するスチレン含有量は38〜39重量%となり、10重量%以上、90重量%以下となる。また、例えば、スチレン単位が10重量%のものと60重量%のものとを1対1で混合すると35重量%となり、上記の範囲内となる。本発明においてはこのような接着剤組成物により形成された接着剤層3を用いてもよい。また、接着剤組成物に含まれる複数種類のエラストマーは、全て上記の範囲でスチレン単位を含むことが最も好ましい。
A plurality of types of elastomers may be mixed and used. That is, the adhesive composition may include a plurality of types of elastomers. When the adhesive composition contains a plurality of types of elastomers, as a result of mixing, the weight average molecular weight of the elastomer may be adjusted in the range of 10,000 or more and 200,000 or less. And at least one of the plurality of types of elastomers contains a styrene unit as a constituent unit of the main chain, and the content of the styrene unit is in the range of 10% by weight to 90% by weight, and the total content of the plurality of types of elastomers The amount may be 40% by weight or more. Moreover, in the adhesive composition, when a plurality of types of elastomers are included, as a result of mixing, the content of styrene units may be adjusted to be in the above range. For example, Septon 2104 of Kuraray Co., Ltd., which has a styrene unit content of 65% by weight, and Septon 2063 of Septon (trade name), which has a styrene unit content of 12% by weight, are available. When mixed at a weight ratio of 1: 1, the styrene content with respect to the whole elastomer contained in the adhesive composition is 38 to 39% by weight, and is 10 to 90% by weight. For example, when a styrene unit of 10% by weight and 60% by weight are mixed on a one-to-one basis, the result is 35% by weight, which is within the above range. In this invention, you may use the
接着剤組成物に含まれるエラストマーは、溶剤に対する相溶性を示すユニットと非相溶性を示すユニットとを有することが好ましい。このように、接着剤組成物に含まれるエラストマーに、溶剤に対する極性の異なるユニットが含まれていることによって、このような接着剤組成物からなる接着剤層に溶剤を添加したときに、接着剤層が膨潤し、その表面の接着性を低下させることができる。ここで、溶剤に対する相溶性を示すユニットとしては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどの極性溶剤に対して相溶性を示すスチレン単位が挙げられ、非相溶性を示すユニットとしては、例えば、上記極性溶剤に対して非相溶性を示す長鎖アルキル単位が挙げられる。したがって、接着剤組成物に含まれるエラストマーとして、スチレン単位と長鎖アルキル単位とを含む水添スチレン系エラストマーを例示することができる。 The elastomer contained in the adhesive composition preferably has a unit showing compatibility with a solvent and a unit showing incompatibility. As described above, when the elastomer contained in the adhesive composition includes units having different polarities with respect to the solvent, the adhesive is added when the solvent is added to the adhesive layer made of such an adhesive composition. The layer can swell and reduce its surface adhesion. Here, as a unit showing compatibility with a solvent, for example, a styrene unit showing compatibility with a polar solvent such as propylene glycol monomethyl ether acetate can be mentioned, and as a unit showing incompatibility, for example, the above polarity Examples include long-chain alkyl units that are incompatible with the solvent. Therefore, as the elastomer contained in the adhesive composition, a hydrogenated styrene-based elastomer containing a styrene unit and a long-chain alkyl unit can be exemplified.
また、接着剤組成物は、炭化水素樹脂を含んでいてもよい。炭化水素樹脂は、炭化水素骨格を有し、単量体組成物を重合してなる樹脂である。炭化水素樹脂として、シクロオレフィン系ポリマーが挙げられる。 The adhesive composition may contain a hydrocarbon resin. The hydrocarbon resin is a resin that has a hydrocarbon skeleton and is obtained by polymerizing a monomer composition. Examples of the hydrocarbon resin include cycloolefin polymers.
シクロオレフィン系ポリマーとしては、具体的には、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分の開環(共)重合体、シクロオレフィン系モノマーを含む単量体成分を付加(共)重合させた樹脂などが挙げられる。 Specific examples of cycloolefin polymers include ring-opening (co) polymers of monomer components containing cycloolefin monomers, and resins obtained by addition (co) polymerization of monomer components containing cycloolefin monomers. Etc.
前記シクロオレフィン系モノマーとしては、例えば、ノルボルネン、ノルボルナジエンなどの二環体、ジシクロペンタジエン、ジヒドロキシペンタジエンなどの三環体、テトラシクロドデセンなどの四環体、シクロペンタジエン三量体などの五環体、テトラシクロペンタジエンなどの七環体、またはこれら多環体のアルキル(メチル、エチル、プロピル、ブチルなど)置換体、アルケニル(ビニルなど)置換体、アルキリデン(エチリデンなど)置換体、アリール(フェニル、トリル、ナフチルなど)置換体等が挙げられる。これらの中でも特に、ノルボルネン、テトラシクロドデセン、またはこれらのアルキル置換体からなる群より選ばれるノルボルネン系モノマーがより好ましい。 Examples of the cycloolefin monomer include bicyclics such as norbornene and norbornadiene, tricyclics such as dicyclopentadiene and dihydroxypentadiene, tetracyclics such as tetracyclododecene, and pentacycles such as cyclopentadiene trimer. , Heptacycles such as tetracyclopentadiene, or alkyl (methyl, ethyl, propyl, butyl, etc.), alkenyl (vinyl, etc.), alkylidene (ethylidene, etc.), aryl (phenyl) , Tolyl, naphthyl and the like) and the like. Among these, norbornene-based monomers selected from the group consisting of norbornene, tetracyclododecene, and alkyl-substituted products thereof are more preferable.
炭化水素樹脂を構成する単量体成分は、上述したシクロオレフィン系モノマーと共重合可能な他のモノマーを含有していてもよく、例えば、アルケンモノマーを含有することが好ましい。アルケンモノマーとしては、炭素数2〜10のアルケンモノマーが挙げられ、例えば、エチレン、プロピレン、1−ブテン、イソブテン、1−ヘキセン等のα−オレフィンが挙げられる。アルケンモノマーは、直鎖状であってもよいし、分岐鎖状であってもよい。 The monomer component constituting the hydrocarbon resin may contain another monomer that can be copolymerized with the above-described cycloolefin-based monomer, and for example, preferably contains an alkene monomer. Examples of the alkene monomer include alkene monomers having 2 to 10 carbon atoms, and examples include α-olefins such as ethylene, propylene, 1-butene, isobutene, and 1-hexene. The alkene monomer may be linear or branched.
また、炭化水素樹脂を構成する単量体成分として、シクロオレフィンモノマーを含有することが、高耐熱性(低い熱分解、熱重量減少性)の観点から好ましい。炭化水素樹脂を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、5モル%以上であることが好ましく、10モル%以上であることがより好ましく、20モル%以上であることがさらに好ましい。また、炭化水素樹脂を構成する単量体成分全体に対するシクロオレフィンモノマーの割合は、特に限定されないが、溶解性および溶液での経時安定性の観点からは80モル%以下であることが好ましく、70モル%以下であることがより好ましい。 Moreover, it is preferable from a viewpoint of high heat resistance (low thermal decomposition and thermal weight reduction property) to contain a cycloolefin monomer as a monomer component which comprises hydrocarbon resin. The ratio of the cycloolefin monomer to the whole monomer component constituting the hydrocarbon resin is preferably 5 mol% or more, more preferably 10 mol% or more, and further preferably 20 mol% or more. . Further, the ratio of the cycloolefin monomer to the whole monomer component constituting the hydrocarbon resin is not particularly limited, but is preferably 80 mol% or less from the viewpoint of solubility and stability over time in a solution. More preferably, it is at most mol%.
また、炭化水素樹脂を構成する単量体成分として、直鎖状または分岐鎖状のアルケンモノマーを含有してもよい。炭化水素樹脂を構成する単量体成分全体に対するアルケンモノマーの割合は、溶解性および柔軟性の観点からは10〜90モル%であることが好ましく、20〜85モル%であることがより好ましく、30〜80モル%であることがさらに好ましい。 Moreover, you may contain a linear or branched alkene monomer as a monomer component which comprises hydrocarbon resin. The ratio of the alkene monomer to the entire monomer component constituting the hydrocarbon resin is preferably 10 to 90 mol%, more preferably 20 to 85 mol% from the viewpoint of solubility and flexibility, More preferably, it is 30-80 mol%.
なお、炭化水素樹脂は、例えば、シクロオレフィン系モノマーとアルケンモノマーとからなる単量体成分を重合させてなる樹脂のように、極性基を有していない樹脂であることが、高温下でのガスの発生を抑制する上でより好ましい。 Note that the hydrocarbon resin is a resin having no polar group, such as a resin obtained by polymerizing a monomer component composed of a cycloolefin monomer and an alkene monomer. It is more preferable for suppressing the generation of gas.
単量体成分を重合する際の重合方法や重合条件等については、特に制限はなく、常法に従い適宜設定すればよい。 The polymerization method and polymerization conditions for polymerizing the monomer components are not particularly limited and may be appropriately set according to a conventional method.
炭化水素樹脂として用いることのできる市販品としては、例えば、ポリプラスチックス株式会社製の「TOPAS」、三井化学株式会社製の「APEL」、日本ゼオン株式会社製の「ZEONOR」および「ZEONEX」、JSR株式会社製の「ARTON」などが挙げられる。 Examples of commercially available products that can be used as the hydrocarbon resin include “TOPAS” manufactured by Polyplastics Co., Ltd., “APEL” manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., “ZEONOR” and “ZEONEX” manufactured by ZEON Corporation, Examples include “ARTON” manufactured by JSR Corporation.
炭化水素樹脂のガラス転移点(Tg)は、60℃以上であることが好ましく、70℃以上であることが特に好ましい。炭化水素樹脂のガラス転移点が60℃以上であると、積層体10が高温環境に曝されたときに接着剤層3の軟化を抑制することができる。
The glass transition point (Tg) of the hydrocarbon resin is preferably 60 ° C. or higher, and particularly preferably 70 ° C. or higher. When the glass transition point of the hydrocarbon resin is 60 ° C. or higher, softening of the
≪エラストマーを溶解する溶剤≫
接着剤組成物は、溶剤(主溶剤)を含んでいてもよく、このような溶剤は、エラストマーを溶解する機能を有していればよく、例えば、非極性の炭化水素系溶剤、並びに、極性および無極性の石油系溶剤等を用いることができる。
≪Solvent that dissolves elastomer≫
The adhesive composition may contain a solvent (main solvent), and such a solvent only needs to have a function of dissolving the elastomer. For example, the non-polar hydrocarbon solvent and the polar In addition, a non-polar petroleum solvent or the like can be used.
また、上記溶剤は、縮合多環式炭化水素を含んでいることがより好ましい。溶剤が縮合多環式炭化水素を含むことにより、接着剤組成物を液体状態で(特に低温にて)保存したときに生じ得る白濁化を防止することができ、製品安定性を向上させることができる。 The solvent preferably contains a condensed polycyclic hydrocarbon. When the solvent contains a condensed polycyclic hydrocarbon, white turbidity that may occur when the adhesive composition is stored in a liquid state (especially at a low temperature) can be prevented, and product stability can be improved. it can.
炭化水素系溶剤としては、直鎖状、分岐状または環状の炭化水素が挙げられる。当該炭化水素系溶剤としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の炭素数3から15の直鎖状の炭化水素;メチルオクタン等の炭素数4から15の分岐状の炭化水素;p−メンタン、o−メンタン、m−メンタン、ジフェニルメンタン、1,4−テルピン、1,8−テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン、α−テルピネン、β−テルピネン、γ−テルピネン、α−ピネン、β−ピネン、α−ツジョン、β−ツジョン等の環状の炭化水素が挙げられる。 Examples of the hydrocarbon solvent include linear, branched or cyclic hydrocarbons. Examples of the hydrocarbon solvent include linear hydrocarbons having 3 to 15 carbon atoms such as hexane, heptane, octane, nonane, decane, undecane, dodecane, and tridecane; and those having 4 to 15 carbon atoms such as methyloctane. Branched hydrocarbons: p-menthane, o-menthane, m-menthane, diphenylmenthane, 1,4-terpine, 1,8-terpine, bornane, norbornane, pinane, tsujang, kalan, longifolene, α-terpinene, β -Cyclic hydrocarbons such as terpinene, γ-terpinene, α-pinene, β-pinene, α-tujon and β-tujon.
石油系溶剤としては、例えば、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ナフタレン、デカヒドロナフタレン(デカリン)、テトラヒドロナフタレン(テトラリン)等が挙げられる。 Examples of the petroleum solvent include cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, naphthalene, decahydronaphthalene (decalin), tetrahydronaphthalene (tetralin), and the like.
また、縮合多環式炭化水素とは、二つ以上の単環がそれぞれの環の辺を互いに一つだけ供給してできる縮合環の炭化水素であり、二つの単環が縮合されてなる炭化水素を用いることが好ましい。 The condensed polycyclic hydrocarbon is a condensed ring hydrocarbon formed by two or more monocycles supplying only one side of each ring to each other, and is a carbon obtained by condensing two monocycles. It is preferable to use hydrogen.
そのような縮合多環式炭化水素としては、5員環および6員環の組み合わせ、または二つの6員環の組み合わせが挙げられる。5員環および6員環を組み合わせた縮合多環式炭化水素としては、例えば、インデン、ペンタレン、インダン、テトラヒドロインデン等が挙げられ、二つの6員環を組み合わせた縮合多環式炭化水素としては、例えば、ナフタレン、デカヒドロナフタレン、テトラヒドロナフタレン等が挙げられる。 Such fused polycyclic hydrocarbons include a combination of 5-membered and 6-membered rings, or a combination of two 6-membered rings. Examples of the condensed polycyclic hydrocarbon in which a 5-membered ring and a 6-membered ring are combined include indene, pentalene, indane, tetrahydroindene, and the like. As the condensed polycyclic hydrocarbon in which two 6-membered rings are combined, Examples thereof include naphthalene, decahydronaphthalene, and tetrahydronaphthalene.
これら溶剤は、一種類のみを用いてもよく、複数種類を組み合わせて用いてもよい。また、溶剤が上記縮合多環式炭化水素を含む場合、溶剤に含まれる成分は上記縮合多環式炭化水素のみであってもよいし、例えば、飽和脂肪族炭化水素等の他の成分を含有していてもよい。この場合、縮合多環式炭化水素の含有量が炭化水素系溶剤全体の40重量%以上であることが好ましく、60重量%以上であることがより好ましい。縮合多環式炭化水素の含有量が炭化水素系溶剤全体の40重量%以上である場合には、上記樹脂に対する高い溶解性が発揮することができる。縮合多環式炭化水素と飽和脂肪族炭化水素との混合比が上記範囲内であれば、縮合多環式炭化水素の臭気を緩和させることができる。 These solvents may be used alone or in combination of two or more. Further, when the solvent contains the condensed polycyclic hydrocarbon, the component contained in the solvent may be only the condensed polycyclic hydrocarbon, or contains other components such as saturated aliphatic hydrocarbon, for example. You may do it. In this case, the content of the condensed polycyclic hydrocarbon is preferably 40% by weight or more, and more preferably 60% by weight or more of the entire hydrocarbon solvent. When the content of the condensed polycyclic hydrocarbon is 40% by weight or more of the entire hydrocarbon solvent, high solubility in the resin can be exhibited. If the mixing ratio of the condensed polycyclic hydrocarbon and the saturated aliphatic hydrocarbon is within the above range, the odor of the condensed polycyclic hydrocarbon can be alleviated.
上記飽和脂肪族炭化水素としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の炭素数3から15の直鎖状の炭化水素;メチルオクタン等の炭素数4から15の分岐状の炭化水素;p−メンタン、o−メンタン、m−メンタン、ジフェニルメンタン、1,4−テルピン、1,8−テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン等が挙げられる。 Examples of the saturated aliphatic hydrocarbon include straight-chain hydrocarbons having 3 to 15 carbon atoms such as hexane, heptane, octane, nonane, decane, undecane, dodecane, and tridecane; and carbon atoms having 4 to 15 carbon atoms such as methyloctane. Branched hydrocarbons of: p-menthane, o-menthane, m-menthane, diphenylmenthane, 1,4-terpine, 1,8-terpine, bornane, norbornane, pinane, tsujang, kalan, longifolene and the like.
なお、接着剤組成物におけるエラストマーを溶解する溶剤の含有量としては、当該接着剤組成物を用いて成膜する接着剤層3の厚さに応じて適宜調整すればよいが、例えば、接着剤組成物の全量を100重量部としたとき、20重量部以上、90重量部以下の範囲であることが好ましい。溶剤の含有量が上記範囲内であれば、粘度調整が容易となる。
The content of the solvent that dissolves the elastomer in the adhesive composition may be appropriately adjusted according to the thickness of the
≪熱重合禁止剤≫
接着剤組成物は、必要に応じて熱重合禁止剤を含有していてもよい。熱重合禁止剤は、熱によるラジカル重合反応を防止する機能を有する。具体的には、熱重合禁止剤は、ラジカルに対して高い反応性を示すため、モノマーよりも優先的に反応してモノマーの重合を禁止する。接着剤組成物は、熱重合禁止剤を含むことにより、高温環境下(特に、250℃〜350℃)において重合反応が抑制される。
≪Thermal polymerization inhibitor≫
The adhesive composition may contain a thermal polymerization inhibitor as required. The thermal polymerization inhibitor has a function of preventing radical polymerization reaction due to heat. Specifically, since the thermal polymerization inhibitor exhibits high reactivity with radicals, it reacts preferentially over the monomer and inhibits polymerization of the monomer. Since the adhesive composition contains a thermal polymerization inhibitor, the polymerization reaction is suppressed in a high temperature environment (particularly, 250 ° C. to 350 ° C.).
例えば、半導体製造工程においては、支持体2が貼り付けられたウエハ1を250℃で1時間加熱する高温プロセスがある。このとき、高温により接着剤組成物の重合が起こると、高温プロセス後にウエハ1から支持体2を剥離するときに供給する溶剤に対する接着剤組成物の溶解性が低下し、ウエハ1から支持体2を良好に剥離することができなくなる。ところが、接着剤組成物が熱重合禁止剤を含むことにより、熱による酸化およびそれに伴う重合反応が抑制されるため、高温プロセスを経たとしてもウエハ1から支持体2を容易に剥離することができ、残渣の発生を抑えることができる。
For example, in the semiconductor manufacturing process, there is a high temperature process in which the
熱重合禁止剤は、熱によるラジカル重合反応を防止する機能を有していればよく、特に限定されるものではないが、フェノール構造を有する熱重合禁止剤が好ましい。これにより、接着剤組成物は大気下での高温処理後にも良好な溶解性を確保することができる。フェノール構造を有する熱重合禁止剤としては、ヒンダードフェノール系の酸化防止剤を用いることが可能であり、例えば、ピロガロール、ベンゾキノン、ヒドロキノン、メチレンブルー、tert−ブチルカテコール、モノベンジルエーテル、メチルヒドロキノン、アミルキノン、アミロキシヒドロキノン、n−ブチルフェノール、フェノール、ヒドロキノンモノプロピルエーテル、4,4’−(1−メチルエチリデン)ビス(2−メチルフェノール)、4,4’−(1−メチルエチリデン)ビス(2,6−ジメチルフェノール)、4,4’−[1−〔4−(1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル)フェニル〕エチリデン]ビスフェノール、4,4’,4”−エチリデントリス(2−メチルフェノール)、4,4’,4”−エチリデントリスフェノール、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパン、2,6−ジ−tert−ブチル−4−メチルフェノール、2,2’−メチレンビス(4−メチル−6−tert−ブチルフェノール)、4,4’−ブチリデンビス(3−メチル−6−tert−ブチルフェノール)、4,4’−チオビス(3−メチル−6−tert−ブチルフェノール)、3,9−ビス[2−(3−(3−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)−プロピオニルオキシ)−1,1−ジメチルエチル]−2,4,8,10−テトラオキサスピロ(5,5)ウンデカン、トリエチレングリコール−ビス−3−(3−tert−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)プロピオネート、n−オクチル−3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート、ペンタエリスリルテトラキス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート](商品名IRGANOX1010、BASF社製)、トリス(3,5−ジ−tert−ブチルヒドロキシベンジル)イソシアヌレート、チオジエチレンビス[3−(3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]が挙げられる。熱重合禁止剤は1種のみを用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 The thermal polymerization inhibitor is not particularly limited as long as it has a function of preventing a radical polymerization reaction due to heat, but a thermal polymerization inhibitor having a phenol structure is preferable. Thereby, the adhesive composition can ensure good solubility even after high temperature treatment in the atmosphere. As the thermal polymerization inhibitor having a phenol structure, a hindered phenol-based antioxidant can be used, for example, pyrogallol, benzoquinone, hydroquinone, methylene blue, tert-butylcatechol, monobenzyl ether, methylhydroquinone, amylquinone. , Amyloxyhydroquinone, n-butylphenol, phenol, hydroquinone monopropyl ether, 4,4 ′-(1-methylethylidene) bis (2-methylphenol), 4,4 ′-(1-methylethylidene) bis (2, 6-dimethylphenol), 4,4 ′-[1- [4- (1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl) phenyl] ethylidene] bisphenol, 4,4 ′, 4 ″ -ethylidene tris (2 -Methylphenol), 4,4 ', 4 "- Tylidenetrisphenol, 1,1,3-tris (2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) -3-phenylpropane, 2,6-di-tert-butyl-4-methylphenol, 2,2′- Methylenebis (4-methyl-6-tert-butylphenol), 4,4′-butylidenebis (3-methyl-6-tert-butylphenol), 4,4′-thiobis (3-methyl-6-tert-butylphenol), 3 , 9-bis [2- (3- (3-tert-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl) -propionyloxy) -1,1-dimethylethyl] -2,4,8,10-tetraoxaspiro (5,5) Undecane, triethylene glycol-bis-3- (3-tert-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl) propi Nate, n-octyl-3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate, pentaerythryltetrakis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate ] (Trade name IRGANOX 1010, manufactured by BASF), tris (3,5-di-tert-butylhydroxybenzyl) isocyanurate, thiodiethylenebis [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) Propionate]. Only one type of thermal polymerization inhibitor may be used, or two or more types may be used in combination.
熱重合禁止剤の含有量は、エラストマーの種類、並びに接着剤組成物の用途および使用環境に応じて適宜決定すればよいが、例えば、エラストマーの量を100重量部としたとき、0.1重量部以上、10重量部以下であることが好ましい。熱重合禁止剤の含有量が上記範囲内であれば、熱による重合を抑える効果が良好に発揮され、高温プロセス後において、接着剤組成物の剥離液に対する溶解性の低下をさらに抑えることができる。 The content of the thermal polymerization inhibitor may be appropriately determined according to the type of elastomer and the application and use environment of the adhesive composition. For example, when the amount of the elastomer is 100 parts by weight, 0.1% by weight It is preferable that it is 10 parts by weight or more. If the content of the thermal polymerization inhibitor is within the above range, the effect of suppressing the polymerization due to heat is satisfactorily exerted, and the decrease in the solubility of the adhesive composition in the stripping solution can be further suppressed after the high temperature process. .
また、接着剤組成物は、必要に応じて、エラストマーを溶解するための溶剤(主溶剤)とは異なる組成からなり、熱重合禁止剤を溶解する添加溶剤をさらに含有していてもよい。添加溶剤としては、特に限定されないが、接着剤組成物に含まれる各成分を溶解する有機溶剤を用いることができる。 Moreover, the adhesive composition has a composition different from that of the solvent (main solvent) for dissolving the elastomer, and may further contain an additive solvent for dissolving the thermal polymerization inhibitor, if necessary. Although it does not specifically limit as an additive solvent, The organic solvent which melt | dissolves each component contained in an adhesive composition can be used.
上記有機溶剤としては、接着剤組成物に含まれる各成分を溶解して均一な溶液にすることができる溶剤であればよく、任意の1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。 The organic solvent may be any solvent that can dissolve each component contained in the adhesive composition to form a uniform solution, and can be used alone or in combination of two or more.
有機溶剤の具体例としては、例えば、極性基として酸素原子、カルボニル基またはアセトキシ基等を有するテルペン溶剤が挙げられ、例えば、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α−テルピネオール、β−テルピネオール、γ−テルピネオール、テルピネン−1−オール、テルピネン−4−オール、ジヒドロターピニルアセテート、1,4−シネオール、1,8−シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファーが挙げられる。また、γ−ブチロラクトン等のラクトン類;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン(CH)、メチル−n−ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、2−ヘプタノン等のケトン類;エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類;エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、またはジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、上記多価アルコール類または上記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテルまたはモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体(これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)が好ましい);ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル(EL)、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類;アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤等を挙げることができる。 Specific examples of the organic solvent include, for example, a terpene solvent having an oxygen atom, a carbonyl group or an acetoxy group as a polar group, for example, geraniol, nerol, linalool, citral, citronellol, menthol, isomenthol, neomenthol, α-terpineol, β-terpineol, γ-terpineol, terpinen-1-ol, terpinen-4-ol, dihydroterpinyl acetate, 1,4-cineole, 1,8-cineole, borneol, carvone, yonon, thuyon, For example, camphor. Lactones such as γ-butyrolactone; Ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone (CH), methyl-n-pentyl ketone, methyl isopentyl ketone, 2-heptanone; ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol, dipropylene glycol Polyhydric alcohols such as: ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, dipropylene glycol monoacetate, etc., compounds having an ester bond, monohydric ethers of the above polyhydric alcohols or compounds having an ester bond , Monoalkyl ethers such as monoethyl ether, monopropyl ether, monobutyl ether or ethers such as monophenyl ether Derivatives of polyhydric alcohols such as compounds having a combination (in these, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and propylene glycol monomethyl ether (PGME) are preferred); cyclic ethers such as dioxane, and methyl lactate Esters such as ethyl lactate (EL), methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate; anisole, ethyl benzyl ether, cresyl methyl ether, diphenyl ether And aromatic organic solvents such as dibenzyl ether, phenetole, and butyl phenyl ether.
添加溶剤の含有量は、熱重合禁止剤の種類等に応じて適宜決定すればよいが、例えば、熱重合禁止剤を1重量部としたとき、1重量部以上、50重量部以下であることが好ましく、1〜30重量部がさらに好ましく、1〜15重量部が最も好ましい。熱重合禁止剤の含有量が上記範囲内であれば、熱重合禁止剤を十分に溶解することができる。 The content of the additive solvent may be appropriately determined according to the type of the thermal polymerization inhibitor and the like. For example, when the thermal polymerization inhibitor is 1 part by weight, it is 1 part by weight or more and 50 parts by weight or less. 1 to 30 parts by weight is more preferable, and 1 to 15 parts by weight is most preferable. When the content of the thermal polymerization inhibitor is within the above range, the thermal polymerization inhibitor can be sufficiently dissolved.
≪その他の成分≫
接着剤組成物は、接着剤組成物の本質的な特性を損なわない範囲において、混和性を有する他の成分をさらに含んでいてもよい。他の成分としては、例えば、接着剤組成物の性能を改良するための付加的樹脂、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤および界面活性剤等の、慣用されている各種添加剤が挙げられる。
≪Other ingredients≫
The adhesive composition may further contain other components having miscibility as long as the essential characteristics of the adhesive composition are not impaired. Examples of other components include various commonly used additives such as additional resins for improving the performance of the adhesive composition, plasticizers, adhesion assistants, stabilizers, colorants, and surfactants. Can be mentioned.
<接着剤組成物の調製方法>
上述した接着剤組成物の調製方法は特に限定されず、公知の方法を用いればよいが、例えば、エラストマーを主溶剤に溶解させ、既存の攪拌装置を用いて、各組成を攪拌することにより、接着剤組成物を得ることができる。
<Method for Preparing Adhesive Composition>
The method for preparing the adhesive composition described above is not particularly limited, and a known method may be used.For example, by dissolving the elastomer in the main solvent and stirring each composition using an existing stirring device, An adhesive composition can be obtained.
また、接着剤組成物に熱重合禁止剤を添加する場合には、熱重合禁止剤を、予め熱重合禁止剤を溶解させるための添加溶剤に溶解させたものを添加することが好ましい。 Moreover, when adding a thermal polymerization inhibitor to an adhesive composition, it is preferable to add what was previously dissolved in an additive solvent for dissolving the thermal polymerization inhibitor.
<接着フィルム>
上述した接着剤組成物は、用途に応じて様々な利用形態を採用することができる。例えば、接着剤組成物を液体状態のまま、所望する接着剤層3の膜厚に応じて適宜、公知の方法を用いて、被加工体であるウエハ1上や支持体2上に塗布し、乾燥させて接着剤層3を形成する方法を採用してもよく、或いは、可撓性フィルム等のフィルム上に接着剤組成物を塗布し、乾燥させて接着剤層3を形成することにより接着フィルムとした後、当該接着フィルムを、被加工体であるウエハ1や支持体2に貼り付ける方法を採用してもよい。
<Adhesive film>
Various use forms can be adopted for the above-described adhesive composition depending on the application. For example, the adhesive composition is applied in a liquid state on the
接着フィルムは、接着剤層3にさらに保護フィルムを被覆して用いてもよい。この場合には、接着剤層3上の保護フィルムを剥離し、被加工体の上に露出した接着剤層3を重ねた後、接着剤層から上記フィルムを剥離することによって被加工体上に接着剤層3を容易に設けることができる。
The adhesive film may be used by further covering the
したがって、この接着フィルムを用いれば、被加工体の上に直接、接着剤組成物を塗布して接着剤層3を形成する場合と比較して、膜厚がより均一でかつ表面平滑性の良好な接着剤層3を形成することができる。
Therefore, when this adhesive film is used, the film thickness is more uniform and the surface smoothness is better than the case where the
接着フィルムを構成する上記フィルムは、当該フィルム上に形成された接着剤層3を剥離してウエハや支持体に貼り付ける(転写する)ことができるように離型性を備えていればよく、特に限定されるものではないが、可撓性フィルムであることがより好ましい。可撓性フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル等の、膜厚15〜125μmの合成樹脂フィルムが挙げられる。上記フィルムには、必要に応じて、接着剤層3の転写が容易となるように離型処理が施されていることが好ましい。
The film constituting the adhesive film only needs to have releasability so that the
上記接着フィルムを形成する方法としては、接着剤層3の乾燥後の膜厚が例えば10〜1,000μmとなるように、所望する接着剤層3の膜厚に応じて適宜、公知の方法を用いて、フィルム上に、接着剤組成物を塗布し、乾燥させる方法が挙げられる。
As a method of forming the adhesive film, a known method is appropriately used depending on the desired thickness of the
また、保護フィルムを用いる場合、保護フィルムとしては、接着剤層3から剥離することができる限り限定されるものではないが、例えばポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリプロピレンフィルム、およびポリエチレンフィルムが好ましい。また、各保護フィルムは、シリコンをコーティングまたは焼き付けしてあることが好ましい。これにより、接着剤層3からの剥離が容易となる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではないが、15〜125μmであることが好ましい。これにより、保護フィルムを備えた接着フィルムの柔軟性を確保することができる。
Moreover, when using a protective film, as a protective film, although not limited as long as it can peel from the
接着フィルムの使用方法は、特に限定されるものではないが、例えば、保護フィルムを用いた場合には、これを剥離した上で、被加工体の上に露出した接着剤層3を重ねて、フィルム上(接着剤層3の形成された面の裏面)から加熱ローラを移動させることにより、接着剤層3を被加工体の表面に熱圧着させる方法が挙げられる。このとき、接着フィルムから剥離した保護フィルムは、順次巻き取りローラなどのローラでロール状に巻き取れば、保存して再利用することが可能である。
Although the usage method of an adhesive film is not specifically limited, For example, when using a protective film, after peeling this, the
〔第2実施形態〕
本実施形態に係る剥離方法を、図2および3を参照して説明する。図2および3は、本発明の他の実施形態に係る剥離方法を示す説明図である。図2および3に示すように、本実施形態に係る剥離方法は、溶剤供給工程の前に、光照射工程および支持体剥離工程を包含する点において第1実施形態と異なっている。したがって、本実施形態においては、第1実施形態と異なる点について説明し、他の詳細については省略する。
[Second Embodiment]
The peeling method according to this embodiment will be described with reference to FIGS. 2 and 3 are explanatory views showing a peeling method according to another embodiment of the present invention. As shown in FIGS. 2 and 3, the peeling method according to this embodiment is different from the first embodiment in that it includes a light irradiation step and a support peeling step before the solvent supply step. Therefore, in this embodiment, a different point from 1st Embodiment is demonstrated and it abbreviate | omits about another detail.
本実施形態の剥離方法においては、図2中(a)および図3中(a)に示すように、ウエハ1、接着剤層3、分離層4、および、支持体2を、この順に積層してなる積層体20を剥離処理の対象とする。分離層4は、接着剤層3と支持体2との間に設けられており、支持体2を介して照射される光を吸収することによって変質するものである。分離層4の詳細については、後述する。
In the peeling method of this embodiment, as shown in FIG. 2A and FIG. 3A, the
(光照射工程)
本実施形態においては、図2中(b)および図3中(b)に示すように、溶剤供給工程の前に、支持体2を介して分離層4に光101を照射して、分離層4を変質させる光照射工程をさらに含む。したがって、本実施形態においては、分離層4に照射する光101を透過する材料からなる支持体2を用いる。分離層4に光101を照射して、分離層4を変質させることによって、接着剤層3と支持体2とを容易に分離することができる。
(Light irradiation process)
In this embodiment, as shown in FIG. 2B and FIG. 3B, before the solvent supplying step, the
分離層4に照射する光101としては、分離層4が吸収可能な波長に応じて、例えば、YAGレーザ、リビーレーザ、ガラスレーザ、YVO4レーザ、LDレーザー、ファイバーレーザー等の固体レーザ、色素レーザ等の液体レーザ、CO2レーザ、エキシマレーザ、Arレーザ、He−Neレーザ等の気体レーザ、半導体レーザ、自由電子レーザ等のレーザ光、または、非レーザ光を適宜用いればよい。分離層4に吸収されるべき光の波長としては、これに限定されるものではないが、例えば、600nm以下の波長の光であればよい。
The light 101 applied to the
(支持体剥離工程)
本実施形態においては、図2中(c)および図3中(c)に示すように、光照射工程と溶剤供給工程との間において、接着剤層3から支持体2を剥離する支持体剥離工程をさらに含む。光照射工程後の積層体20においては、分離層4が光の照射により変質しているので、分離層4を介して貼り合わされた支持体2と接着剤層3とを容易に分離することができる。
(Support peeling process)
In the present embodiment, as shown in FIG. 2 (c) and FIG. 3 (c), the support peeling that peels the
このように、支持体2と接着剤層3とを分離した後に、溶剤供給工程において、接着剤層3を膨潤させて、その表面の接着性を低下させる溶剤を接着剤層3に供給する。支持体2と接着剤層3とを、溶剤の供給前に分離しているので、接着剤層3において、ウエハ1が貼り合わされている面に背向する面が露出している。よって、接着剤層3の露出面全体に溶剤を供給することが可能であり、接着剤層3に溶剤を容易に浸透させることができる。
In this manner, after separating the
したがって、溶剤供給工程においては、図2中(d)に示すように、槽100内に導入された溶剤中に接着剤層3が接着したウエハ1を浸漬してもよいし、図3中(d)に示すように、接着剤層3に溶剤をスピン塗布してもよい。そして、溶剤により膨潤した接着剤層3をウエハ1から分離し、図2中(d)および図3中(d)に示すように、ウエハ1上に洗浄液をスピン塗布し、ウエハ1上を洗浄してもよい。
Therefore, in the solvent supply step, as shown in FIG. 2 (d), the
<分離層4>
分離層4は、例えば光等によって分解される光吸収剤を含んでいてもよい。光吸収剤としては、例えば、グラファイト粉、鉄、アルミニウム、銅、ニッケル、コバルト、マンガン、クロム、亜鉛、テルルなどの微粒子金属粉末、黒色酸化チタンなどの金属酸化物粉末、カーボンブラック、または芳香族ジアミノ系金属錯体、脂肪族ジアミン系金属錯体、芳香族ジチオール系金属錯体、メルカプトフェノール系金属錯体、スクアリリウム系化合物、シアニン系色素、メチン系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素などの染料もしくは顔料を用いることができる。このような分離層4は、例えば、バインダー樹脂と混合して、支持体上に塗布することによって形成することができる。また、光吸収基を有する樹脂を用いることもできる。
<
The
また、分離層4として、プラズマCVD法により形成した無機膜または有機膜を用いてもよい。無機膜としては、例えば、金属膜を用いることができる。また、有機膜としては、フルオロカーボン膜を用いることができる。このような分離層4は、例えば、支持体2上にプラズマCVD法により形成することができる。
Further, as the
〔第3実施形態〕
本実施形態に係る剥離方法を、図4を参照して説明する。図4は、本発明の他の実施形態に係る剥離方法を示す説明図である。図4に示すように、本実施形態に係る剥離方法においては、外周部分に接着剤部を備えた分離層14を用い、溶剤供給工程および光照射工程の後に、支持体剥離工程を行う点において第2実施形態と異なっている。したがって、本実施形態においては、第2実施形態と異なる点について説明し、他の詳細については省略する。
[Third Embodiment]
The peeling method according to this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 4 is an explanatory view showing a peeling method according to another embodiment of the present invention. As shown in FIG. 4, in the peeling method according to the present embodiment, the
本実施形態に係る剥離方法においては、図4中(a)に示すように、ウエハ1、接着剤層3、外周部分に接着剤部を備えた分離層14、および、支持体2を、この順に積層してなる積層体30を剥離処理の対象とする。分離層14は、上記支持体2を介して照射される光を吸収することによって変質する材料からなる内周部と、その外周に位置し、接着剤層3を形成する接着剤組成物を含む接着剤部とを備えている。分離層14において、内周部は、第2実施形態の分離層4と同様に形成されており、その外周の接着剤部は、接着剤層3と同様に形成されている。
In the peeling method according to the present embodiment, as shown in FIG. 4A, the
本実施形態に係る剥離方法においては、図4中(b)に示すように、まず、光照射工程において、支持体2を介して、外周の接着剤部を除く分離層14の内周部に光101を照射して、分離層14の内周部を変質させる。次に、図4中(c)に示すように、積層体30を、槽100内に導入された溶剤中に浸漬する。これにより、分離層14の外周に位置する接着剤部を膨潤させて、その表面の接着性を低下させる。なお、図4中(b)および(c)の処理は、それぞれ順番を入れ替えて行ってもよい。すなわち、積層体30を、槽100内に導入された溶剤中に浸漬して分離層14の接着剤部を膨潤させた後に、支持体2を介して分離層14の内周部に光101を照射して、分離層14の内周部を変質させてもよい。
In the peeling method according to the present embodiment, as shown in FIG. 4B, first, in the light irradiation step, the inner peripheral portion of the
そして、図4中(d)に示すように、支持体剥離工程において、接着剤層3と支持体2とを分離する。その後、図4中(e)に示すように、溶剤供給工程において、接着剤層3の露出した面に溶剤をスピン塗布し、接着剤層3を膨潤させて、その表面の接着性を低下させる。最後に、膨潤した接着剤層3をウエハ1から剥離し、図4中(f)に示すように、ウエハ1上に洗浄液をスピン塗布して、ウエハ1上を洗浄する。
And as shown to (d) in FIG. 4, in the support body peeling process, the
このように、外周部に接着剤部を備えた分離層14を用いることによって、例えば、リソグラフィ処理やめっき処理等に用いる溶剤に対する耐性が低い分離層材料を用いても、外周に接着剤部を設けることによって、分離層材料部分を保護することができる。したがって、分離層14を形成する材料の選択肢が広がる。
As described above, by using the
〔第4実施形態〕
本実施形態に係る剥離方法を、図5を参照して説明する。図5は、本発明の他の実施形態に係る剥離方法を示す説明図である。図5に示すように、本実施形態に係る剥離方法においては、貫通孔を有する支持体12とウエハ1とを貼り合わせた積層体40を用いる点において、第1実施形態と異なっている。したがって、本実施形態においては、第1実施形態と異なる点について説明し、他の詳細については省略する。
[Fourth Embodiment]
The peeling method according to this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 5 is an explanatory view showing a peeling method according to another embodiment of the present invention. As shown in FIG. 5, the peeling method according to this embodiment is different from the first embodiment in that a
本実施形態の剥離方法においては、図5中(a)に示すように、ウエハ1と、その厚さ方向に貫通する貫通孔を有する支持体12とを、接着剤層3を介して貼り合わせた積層体40を剥離処理の対象とする。そして、図5中(b)に示すように、積層体40を、槽100内に導入された溶剤内に浸漬する。
In the peeling method of the present embodiment, as shown in FIG. 5A, the
本実施形態においては、支持体12が、その厚さ方向に貫通する貫通孔を有しているので、積層体40を溶剤内に浸漬するのみで、当該貫通孔を介して溶剤が接着剤層3に供給される。したがって、図5中(c)に示すように、支持体12と共に、溶剤により膨潤した接着剤層3をウエハ1から容易に分離することができる。そして、接着剤層3を膨潤剥離した後のウエハ1の表面に、図5中(d)に示すように、洗浄液をスピン塗布することによって、残渣のない良質なウエハ1を得ることができる。
In the present embodiment, since the
〔第5実施形態〕
本実施形態に係る剥離方法を、図6を参照して説明する。図6は、本発明の他の実施形態に係る剥離方法を示す説明図である。図6に示すように、本実施形態に係る剥離方法においては、超音波振動工程を包含する点において第4実施形態と異なっている。したがって、本実施形態においては、第4実施形態と異なる点について説明し、他の詳細については省略する。
[Fifth Embodiment]
The peeling method according to this embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 6 is an explanatory view showing a peeling method according to another embodiment of the present invention. As shown in FIG. 6, the peeling method according to the present embodiment is different from the fourth embodiment in that an ultrasonic vibration process is included. Therefore, in this embodiment, a different point from 4th Embodiment is demonstrated and it abbreviate | omits about another detail.
本実施形態の剥離方法においては、図6中(a)に示すように、ウエハ1と、その厚さ方向に貫通する貫通孔を有する支持体12とを、接着剤層3を介して貼り合わせた積層体40を剥離処理の対象とする。そして、図6中(b)に示すように、支持体12の上に超音波振動装置102を載置して、例えばその中央部に設けられた溶剤注入口103を介して、積層体40に溶剤を供給する。溶剤注入口103を介して積層体40に供給された溶剤は、支持体12の貫通孔を介して接着剤層3に供給される。
In the peeling method of this embodiment, as shown in FIG. 6A, the
(超音波振動工程)
次に、図6中(c)に示すように、超音波振動工程において、溶剤が供給された接着剤層3を超音波振動させる。超音波振動工程においては、超音波振動装置102が備える超音波振動子を超音波振動させ、その振動を、支持体12を介して接着剤層3に伝播させて、接着剤層3を超音波振動させることができる。超音波振動工程においては、超音波振動装置102により、例えば、周波数1kHz〜1MHzの超音波を、1〜30分間、接着剤層3に伝播させればよく、周波数26kHzの超音波を、10分間、接着剤層3に伝播させることがより好ましい。
(Ultrasonic vibration process)
Next, as shown in FIG. 6C, in the ultrasonic vibration step, the
このように、接着剤層3を超音波振動させることによって、接着剤層3に供給された溶剤を、より迅速に接着剤層3に浸透させることができる。その結果、接着剤層3をより迅速に膨潤させることができるので、図6中(d)に示すように、支持体12と接着剤層3との分離、および、接着剤層3とウエハ1との分離を、より迅速に行うことができる。そして、接着剤層3を膨潤剥離した後のウエハ1の表面に、図6中(e)に示すように、洗浄液をスピン塗布することによって、残渣のない良質なウエハ1を得ることができる。
Thus, the solvent supplied to the
〔剥離装置〕
本発明に係る剥離装置は、接着剤層を介してウエハに貼り付けられた支持体を、当該ウエハから剥離する剥離装置であって、上記接着剤層を膨潤させて、その表面の接着性を低下させる溶剤を、上記接着剤層に供給する溶剤供給手段と、上記ウエハから上記接着剤層を剥離する剥離手段と、を備えている。すなわち、本発明に係る剥離装置は、本発明に係る剥離方法を実施するための剥離装置の一実施形態である。したがって、本発明に係る剥離装置の説明は、上述した本発明に係る剥離方法の説明に準じる。
[Peeling device]
A peeling apparatus according to the present invention is a peeling apparatus that peels a support attached to a wafer via an adhesive layer from the wafer, and swells the adhesive layer to increase the adhesiveness of the surface. Solvent supply means for supplying the solvent to be lowered to the adhesive layer, and peeling means for peeling the adhesive layer from the wafer. That is, the peeling apparatus according to the present invention is an embodiment of a peeling apparatus for carrying out the peeling method according to the present invention. Therefore, the description of the peeling apparatus according to the present invention is in accordance with the above description of the peeling method according to the present invention.
〔実施例1〕
(接着剤組成物の調製)
株式会社クラレ製の水添スチレン系エラストマーH1051(SEBS:スチレン−エチレン/ブチレン−スチレンのトリブロックコポリマー)100重量部を、主溶剤であるデカヒドロナフタリンに25%濃度で溶解させた。次に、熱重合禁止剤であるIRGANOX1010を溶解させた酢酸ブチル溶液を、エラストマー100重量部に対して、熱重合禁止剤が1重量部、酢酸ブチルが15重量部となるように加えた。これにより、接着剤組成物を得た。
[Example 1]
(Preparation of adhesive composition)
100 parts by weight of hydrogenated styrene elastomer H1051 (SEBS: styrene-ethylene / butylene-styrene triblock copolymer) manufactured by Kuraray Co., Ltd. was dissolved in decahydronaphthalene, which is the main solvent, at a concentration of 25%. Next, a butyl acetate solution in which IRGANOX 1010 as a thermal polymerization inhibitor was dissolved was added so that the thermal polymerization inhibitor was 1 part by weight and the butyl acetate was 15 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the elastomer. Thereby, an adhesive composition was obtained.
(積層体の形成)
半導体ウエハ基板(Si、12インチ)に、上記の接着剤組成物をスピン塗布し、100℃、160℃、200℃で各5分間焼成して、膜厚100μmの接着剤層を形成した。
(Formation of laminate)
The above adhesive composition was spin-coated on a semiconductor wafer substrate (Si, 12 inches) and baked at 100 ° C., 160 ° C., and 200 ° C. for 5 minutes each to form an adhesive layer having a thickness of 100 μm.
貫通孔を有するガラス製の支持体(12インチガラス基板、厚さ700μm)と、接着剤層とを、215℃の減圧下において、1,000kgで5分間貼り合わせて、積層体を形成した。形成した積層体について、その後の薄化処理および加熱処理における破損並びにウエハの面内均一性の低下につながる貼付不良(未接着部分)がないことを目視で確認した。 A glass substrate having a through-hole (12-inch glass substrate, thickness 700 μm) and an adhesive layer were bonded together at 1,000 kg for 5 minutes under a reduced pressure of 215 ° C. to form a laminate. About the formed laminated body, it confirmed visually that there was no sticking defect (unbonded part) which leads to the failure | damage in subsequent thinning process and heat processing, and the fall of the in-plane uniformity of a wafer.
(積層体の薄化・加熱処理)
形成した積層体において、ウエハの裏面をDISCO社製のバックグラインド装置を用いて薄化処理(50μm)した後、N2環境下において、220℃で3時間の加熱処理を行い、薄化処理に対する耐性、および、耐熱性に問題がないことを確認した。
(Thinner thinning and heat treatment)
In the formed laminate, the back surface of the wafer was thinned (50 μm) using a back grinder manufactured by DISCO, and then subjected to heat treatment at 220 ° C. for 3 hours in an N 2 environment. It was confirmed that there was no problem in resistance and heat resistance.
(剥離処理)
薄化処理および加熱処理後の積層体に対して、支持体の貫通孔を介してPGMEA溶剤を注入し、周波数26kHzで10分間、超音波振動させた。その結果、接着剤層は膨潤し、その表面の接着性が低下しており、支持体を容易に剥離することができた。さらに、膨潤した接着剤層をウエハから除去することで、残渣のないウエハが得られた。
(Peeling treatment)
The PGMEA solvent was injected into the laminated body after the thinning treatment and the heat treatment through the through-hole of the support, and was ultrasonically vibrated at a frequency of 26 kHz for 10 minutes. As a result, the adhesive layer was swollen and the adhesiveness of the surface was lowered, and the support could be easily peeled off. Further, the swollen adhesive layer was removed from the wafer to obtain a wafer without residue.
〔実施例2〕
(積層体の形成)
半導体ウエハ基板(Si、12インチ)に、実施例1で調製した接着剤組成物をスピン塗布し、100℃、160℃、200℃で各5分間焼成して、膜厚100μmの接着剤層を形成した。
[Example 2]
(Formation of laminate)
The adhesive composition prepared in Example 1 was spin-coated on a semiconductor wafer substrate (Si, 12 inches), and baked at 100 ° C., 160 ° C., and 200 ° C. for 5 minutes each to form an adhesive layer having a thickness of 100 μm. Formed.
次に、流量400sccm、圧力700mTorr、高周波電力2500Wおよび成膜温度240℃の条件下において、反応ガスとしてC4F8を使用したCVD法により、分離層であるフルオロカーボン膜(厚さ1μm)をベアガラス製の支持体(12インチガラス基板、厚さ700μm)に形成した。その後、分離層と、接着剤層とを、215℃の減圧下において、1,000kgで5分間貼り合わせて、積層体を形成した。形成した積層体について、その後の薄化処理および加熱処理における破損並びにウエハの面内均一性の低下につながる貼付不良(未接着部分)がないことを目視で確認した。
Next, under the conditions of a flow rate of 400 sccm, a pressure of 700 mTorr, a high frequency power of 2500 W, and a film formation temperature of 240 ° C., a fluorocarbon film (
(積層体の薄化・加熱処理)
形成した積層体において、ウエハの裏面をDISCO社製のバックグラインド装置を用いて薄化処理(50μm)した後、N2環境下において、220℃で3時間の加熱処理を行い、薄化処理に対する耐性、および、耐熱性に問題がないことを確認した。
(Thinner thinning and heat treatment)
In the formed laminate, the back surface of the wafer was thinned (50 μm) using a back grinder manufactured by DISCO, and then subjected to heat treatment at 220 ° C. for 3 hours in an N 2 environment. It was confirmed that there was no problem in resistance and heat resistance.
(剥離処理)
薄化処理および加熱処理後の積層体に対して、532nmのレーザを積層体の支持体側から分離層に向けて照射し、支持体を分離した。続いて、接着層に対し、スプレーノズルにてPGMEAを5分間噴射して接着層を膨潤剥離させた。さらに、接着層を分離したウエハ表面をp−メンタンでスピン洗浄することで、残渣のないウエハが得られた。
(Peeling treatment)
The laminated body after the thinning treatment and the heat treatment was irradiated with a laser beam of 532 nm from the support side of the laminated body toward the separation layer to separate the support. Subsequently, PGMEA was sprayed on the adhesive layer with a spray nozzle for 5 minutes to swell and peel the adhesive layer. Furthermore, the wafer surface from which the adhesive layer was separated was spin washed with p-menthane to obtain a wafer without residue.
〔比較例〕
(接着剤組成物の調製)、(積層体の形成)、および、(積層体の薄化・加熱処理)を、実施例と同様に行った後、支持体の貫通孔を介してp−メンタン溶剤を注入し、周波数26kHzで60分間、超音波振動させた。その結果、接着剤層は溶解し、支持体とウエハとを分離することはできたが、実施例と比較してより長時間を要した。
[Comparative Example]
(Preparation of adhesive composition), (Formation of laminate), and (Thinning / thinning of laminate) were carried out in the same manner as in the Examples, and then p-menthane through the through-holes of the support. The solvent was injected and ultrasonically vibrated at a frequency of 26 kHz for 60 minutes. As a result, the adhesive layer was dissolved and the support and the wafer could be separated, but it took a longer time compared to the examples.
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible within the scope shown in the claims, and embodiments obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments. Is also included in the technical scope of the present invention.
本発明は、例えば、微細化された半導体装置の製造工程において好適に利用することができる。 The present invention can be suitably used, for example, in a manufacturing process of a miniaturized semiconductor device.
1 ウエハ
2 支持体
3 接着剤層
4 分離層
10 積層体
1
Claims (4)
上記支持体と上記接着剤層との間には、上記支持体を介して照射される光を吸収することによって変質する分離層がさらに設けられており、
上記分離層は、その外周部分に、上記接着剤層を形成する接着剤組成物を含む接着剤部を備えており、
上記接着剤層を膨潤させて、その表面の接着性を低下させる溶剤を、上記接着剤層に供給する溶剤供給工程と、
上記溶剤供給工程の前に、上記支持体を介して上記分離層に光を照射して、上記分離層を変質させる光照射工程と、
上記光照射工程と上記溶剤供給工程との間において、上記接着剤層から上記支持体を剥離する支持体剥離工程と、
上記支持体剥離工程の前に、上記接着剤部に上記溶剤を供給する工程と、
上記溶剤供給工程後、上記ウエハから、膨潤した上記接着剤層を剥離する剥離工程と、を包含することを特徴とする剥離方法。 A peeling method for peeling a support attached to a wafer via an adhesive layer from the wafer,
Between the support and the adhesive layer, there is further provided a separation layer that changes in quality by absorbing light irradiated through the support,
The separation layer includes an adhesive portion including an adhesive composition that forms the adhesive layer on an outer peripheral portion thereof,
A solvent supply step of swelling the adhesive layer and supplying the adhesive layer with a solvent that reduces the adhesiveness of the surface;
Before the solvent supply step, the light irradiation step of irradiating the separation layer with light through the support to alter the separation layer; and
Between the light irradiation step and the solvent supply step, a support peeling step for peeling the support from the adhesive layer,
Before the support peeling step, supplying the solvent to the adhesive part,
And a peeling step of peeling the swollen adhesive layer from the wafer after the solvent supplying step .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012193574A JP6034625B2 (en) | 2012-09-03 | 2012-09-03 | Peeling method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012193574A JP6034625B2 (en) | 2012-09-03 | 2012-09-03 | Peeling method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014049698A JP2014049698A (en) | 2014-03-17 |
JP6034625B2 true JP6034625B2 (en) | 2016-11-30 |
Family
ID=50609039
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012193574A Active JP6034625B2 (en) | 2012-09-03 | 2012-09-03 | Peeling method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6034625B2 (en) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6216727B2 (en) * | 2014-05-08 | 2017-10-18 | 東京応化工業株式会社 | Support separation method |
JP6298393B2 (en) * | 2014-10-30 | 2018-03-20 | 東京応化工業株式会社 | Support separation method |
JP6446248B2 (en) * | 2014-12-03 | 2018-12-26 | 東京応化工業株式会社 | LAMINATE MANUFACTURING METHOD, SUBSTRATE TREATING METHOD, AND LAMINATE |
TWI682428B (en) | 2015-04-24 | 2020-01-11 | 日商富士軟片股份有限公司 | Laminate |
JP7154955B2 (en) * | 2018-11-01 | 2022-10-18 | 株式会社東芝 | Stripping solution, stripping method, and method for manufacturing electronic component |
JP2021153182A (en) * | 2020-03-23 | 2021-09-30 | 日産化学株式会社 | Cleaning method of semiconductor substrate and production method of processed semiconductor substrate |
CN116018384A (en) * | 2020-08-18 | 2023-04-25 | 日东电工株式会社 | How to separate the junction |
JP2022104412A (en) * | 2020-12-28 | 2022-07-08 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | Semiconductor wafers and methods for manufacturing semiconductor wafers |
CN117397001A (en) | 2021-06-03 | 2024-01-12 | 东京毅力科创株式会社 | Substrate processing methods |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3377161B2 (en) * | 1995-12-25 | 2003-02-17 | 株式会社日平トヤマ | Wafer processing system |
JPH11131025A (en) * | 1997-10-27 | 1999-05-18 | Hitachi Chem Co Ltd | Supporting sheet with tacky agent for spin etching of semiconductor wafer |
JP2003068995A (en) * | 2001-08-22 | 2003-03-07 | Sony Corp | Method for manufacturing thin film device substrate |
JP4282510B2 (en) * | 2004-02-20 | 2009-06-24 | 信越ポリマー株式会社 | Electronic component holder and method for removing electronic component from electronic component holder |
JP5090789B2 (en) * | 2007-05-30 | 2012-12-05 | 東京応化工業株式会社 | Bonding apparatus, method for preventing dissolution of adhesive, and bonding method |
JP2010245245A (en) * | 2009-04-06 | 2010-10-28 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | Holder for semiconductor wafer, and method of detaching semiconductor wafer |
JP5489546B2 (en) * | 2009-06-11 | 2014-05-14 | 東京応化工業株式会社 | Sticking method and sticking device |
JP5714859B2 (en) * | 2010-09-30 | 2015-05-07 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | Substrate laminate, bonding apparatus, peeling apparatus, and substrate manufacturing method |
JP5802106B2 (en) * | 2010-11-15 | 2015-10-28 | 東京応化工業株式会社 | Laminate and separation method |
-
2012
- 2012-09-03 JP JP2012193574A patent/JP6034625B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014049698A (en) | 2014-03-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6034625B2 (en) | Peeling method | |
US9881829B2 (en) | Adhesive composition, laminate, and stripping method | |
JP5680128B2 (en) | Adhesive composition, adhesive film, and application method | |
JP2014037458A (en) | Adhesive composition, adhesive film, and adhesion method | |
TWI693158B (en) | Method of preparing laminate, and method of separating support | |
JP6128970B2 (en) | Adhesive composition, adhesive film, sticking method, and processing method | |
JP5661669B2 (en) | Adhesive composition, adhesive film and substrate processing method | |
JP6194394B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JP2011233679A (en) | Peeling method and peeling device | |
TWI643922B (en) | Adhesive composition and adhesive film | |
JP6353662B2 (en) | Adhesive laminate and use thereof | |
JP6006569B2 (en) | Laminate and method for producing laminate | |
TW201625411A (en) | Method for manufacturing laminate, method for processing substrate, and laminate | |
JP6059507B2 (en) | Adhesive composition and adhesive film | |
JP2014034632A (en) | Adhesive composition, adhesive film and adhesion method | |
JP6128837B2 (en) | Method for producing adhesive composition, adhesive composition and adhesive film | |
JP6063737B2 (en) | Adhesive composition, adhesive film and substrate processing method | |
TW202515956A (en) | Stripping composition and method for stripping adhesive |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150618 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160511 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160517 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160617 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161025 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161028 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6034625 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |