JP6024226B2 - Flexure substrate for suspension - Google Patents
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Description
本発明は、ハードディスクドライブ(HDD)に用いられるサスペンション用フレキシャー基板に関し、詳しくは接続端子部の強度に優れたサスペンション用フレキシャー基板に関するものである。 The present invention relates to a suspension flexure substrate used in a hard disk drive (HDD), and more particularly to a suspension flexure substrate excellent in strength of a connection terminal portion.
近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ(HDD)も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。 In recent years, due to the spread of the Internet and the like, there has been a demand for an increase in the amount of information processing of personal computers and an increase in information processing speed. Increasing information transmission speed is required.
ハードディスクドライブは磁気記録媒体である磁気ディスク、それを高速回転させるスピンドルモータ、磁気ディスクに対して情報を読取または書込する磁気ヘッド、それを高精度に保持しつつ移動させるための各部品、これらの駆動制御回路および信号処理回路などによって構成されている。 A hard disk drive is a magnetic disk that is a magnetic recording medium, a spindle motor that rotates the magnetic disk at high speed, a magnetic head that reads or writes information on the magnetic disk, and each component that moves it while holding it with high precision. Drive control circuit and signal processing circuit.
そして、このハードディスクドライブに用いられる磁気ヘッドを支持している磁気ヘッドサスペンションと呼ばれる部品においては、一般的に、ステンレスのばねに直接銅配線等の信号線が形成されている、いわゆるワイヤレスサスペンションと呼ばれる配線一体型(フレキシャー)が採用されている。 A component called a magnetic head suspension that supports a magnetic head used in this hard disk drive is generally called a so-called wireless suspension in which a signal line such as a copper wiring is formed directly on a stainless spring. Wiring integrated type (flexure) is adopted.
ここで、通常、配線には、磁気ヘッドや外部回路と電気的に接続するための接続端子部が形成されているが、従来、この接続端子部の表面には、電気的接続を良好に行うために、Ni(ニッケル)やAu(金)などの金属めっき層が形成されている。 Here, the wiring usually has a connection terminal portion for electrical connection with a magnetic head or an external circuit. Conventionally, a good electrical connection is made on the surface of the connection terminal portion. Therefore, a metal plating layer such as Ni (nickel) or Au (gold) is formed.
また、このような接続端子部として、近年、電子・電気機器の高密度化および小型化に対応すべく、導体パターンの片面だけではなく、両面を露出して利用するいわゆるフライングリードが普及しつつある。 In addition, as such connection terminal portions, so-called flying leads that are used not only on one side but also on both sides of a conductor pattern are becoming widespread in recent years in order to cope with higher density and downsizing of electronic and electrical devices. is there.
図22および図23は、フライングリードを有する接続端子部の構成の一例を例示する説明図であり、図22は概略平面図を、図23は図22におけるG−Gにおける断面図を示す。
図22および図23に示すように、SUS等からなる金属支持基板200と、金属支持基板200の上に形成される第1絶縁層300と、その第1絶縁層300の上に形成される配線層400と、配線層400を被覆する第2絶縁層500とを備えたサスペンション用フレキシャー基板において、フライングリード450を有する接続端子部700は、金属支持基板200および第1絶縁層300を開口して、配線層400の裏面を露出させるとともに、第2絶縁層500を開口して配線層400の表面を露出させ、露出させた配線層400の片面または両面に、必要に応じて金属めっき層を設けることにより形成される。
そして、このようなフライングリード450を有する接続端子部700は、例えば、ボンディングツールなどを用いて、超音波振動を加えることにより、外部端子と接続される。
22 and 23 are explanatory views illustrating an example of the configuration of the connection terminal portion having a flying lead. FIG. 22 is a schematic plan view, and FIG. 23 is a cross-sectional view taken along line GG in FIG.
As shown in FIGS. 22 and 23, a metal support substrate 200 made of SUS or the like, a first insulating layer 300 formed on the metal support substrate 200, and a wiring formed on the first insulating layer 300 In the suspension flexure substrate including the layer 400 and the second insulating layer 500 that covers the wiring layer 400, the connection terminal portion 700 having the flying lead 450 opens the metal support substrate 200 and the first insulating layer 300. The back surface of the wiring layer 400 is exposed, the second insulating layer 500 is opened to expose the surface of the wiring layer 400, and a metal plating layer is provided on one or both sides of the exposed wiring layer 400 as necessary. Is formed.
And the connection terminal part 700 which has such a flying lead 450 is connected with an external terminal by applying ultrasonic vibration using a bonding tool etc., for example.
しかし、このようなフライングリード450を有する接続端子部700では、配線層400の両面が露出しているので、超音波が伝達されやすく、超音波振動による接合には適している反面、物理的強度が弱く、第1絶縁層300および第2絶縁層500の開口の端縁部、すなわち第1絶縁層300および第2絶縁層500と接続端子部の配線層400が交差する部分において配線層400に応力が集中して、配線層400が断線しやすいという不具合がある。 However, in the connection terminal portion 700 having such a flying lead 450, since both surfaces of the wiring layer 400 are exposed, ultrasonic waves are easily transmitted and suitable for bonding by ultrasonic vibration, but physical strength. The edge of the opening of the first insulating layer 300 and the second insulating layer 500, that is, at the portion where the first insulating layer 300 and the second insulating layer 500 and the wiring layer 400 of the connection terminal portion intersect with the wiring layer 400 is weak. There is a problem that the stress is concentrated and the wiring layer 400 is easily disconnected.
そこで、図24に示すように、第1絶縁層300および第2絶縁層500と接続端子部700の配線層400が交差する部分において配線層400の幅を太くする事により、強度を確保するサスペンション用フレキシャー基板が提案されている(特許文献1)。また、特許文献1には、第1絶縁層300および第2絶縁層500を突出させて配線層400を補強する方法も提案されている。 Therefore, as shown in FIG. 24, a suspension that secures strength by increasing the width of the wiring layer 400 at a portion where the first insulating layer 300 and the second insulating layer 500 intersect with the wiring layer 400 of the connection terminal portion 700. A flexure substrate has been proposed (Patent Document 1). Patent Document 1 also proposes a method of reinforcing the wiring layer 400 by protruding the first insulating layer 300 and the second insulating layer 500.
さらに、金属支持基板200、第1絶縁層300および第2絶縁層500が配線層400に対して斜めに開口されて、開口の端縁部にかかる応力を分散させて応力の集中を緩和させる方法が提案されている(特許文献2)。 Further, the metal support substrate 200, the first insulating layer 300, and the second insulating layer 500 are opened obliquely with respect to the wiring layer 400, and the stress applied to the edge portion of the opening is dispersed to reduce the stress concentration. Has been proposed (Patent Document 2).
しかしながら、特許文献1に記載されているような、フライングリードが形成された接続端子部の開口端縁部において配線層の幅を太くする方法では、配線層同士の間隔を狭める事ができず、微細化に不利である。また、配線層同士の間隔を狭める事ができないことから、今後、配線数がより増える場合には、配線層間の絶縁信頼性を保つ事ができないという不具合もある。 However, as described in Patent Document 1, in the method of increasing the width of the wiring layer at the opening edge of the connection terminal portion where the flying lead is formed, the interval between the wiring layers cannot be reduced, It is disadvantageous for miniaturization. In addition, since the distance between the wiring layers cannot be reduced, there is a problem in that the insulation reliability between the wiring layers cannot be maintained when the number of wirings increases in the future.
また、特許文献1に記載されているような、フラングリードを絶縁層の突出部で補強する方法では、ボンディングツールにより接合される接合部と、フライングリードの根元との距離が短くなる。これにより、ボンディング時に最も大きな応力が発生し得るフライングリードの絶縁層の開口端縁部に生じる応力を低下させ難いという問題がある。 Further, in the method of reinforcing the flange lead with the protruding portion of the insulating layer as described in Patent Document 1, the distance between the joint portion joined by the bonding tool and the base of the flying lead is shortened. As a result, there is a problem that it is difficult to reduce the stress generated at the opening edge of the insulating layer of the flying lead, which can generate the greatest stress during bonding.
また、特許文献2に記載されているような、絶縁層をフライングリードにして斜めに開口する方法では、絶縁層をフライングリードに垂直に開口する場合よりも、露出されるフライングリードの長さが若干長くなるが、応力の分散効果が少ないという問題がある。 In addition, in the method of opening the insulating layer obliquely with the insulating layer as described in Patent Document 2, the length of the exposed flying lead is shorter than when the insulating layer is opened perpendicular to the flying lead. Although slightly longer, there is a problem that the effect of stress dispersion is small.
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、配線がより微細化、あるいは高密度化される場合でも、接続端子部の配線強度を確保して断線を効果的に防止しつつ、外部端子との接続信頼性も確保することができるサスペンション用フレキシャー基板を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and even when the wiring is miniaturized or densified, while ensuring the wiring strength of the connection terminal portion and effectively preventing disconnection, the external It is an object of the present invention to provide a suspension flexure substrate that can ensure connection reliability with a terminal.
上記課題を解決する為に、本発明におけるサスペンション用フレキシャー基板は、金属支持基板と、金属支持基板上の絶縁層と、絶縁層上の配線層と、絶縁層および配線層上の保護層とを有するサスペンション用フレキシャー基板であって、前記金属支持基板、絶縁層および保護層がいずれも開口されており、配線層の表裏およびその線幅方向側面が露出している接続端子部を有し、前記接続端子部の周辺において、絶縁層と保護層の一方または双方が、平面視で配線層の側方において存在していない後退領域を有し、前記後退領域と前記配線層との間に、当該後退領域が設けられた層が存在している非後退領域が介在されていることを特徴とする。 In order to solve the above problems, a flexure substrate for suspension according to the present invention includes a metal supporting substrate, an insulating layer on the metal supporting substrate, a wiring layer on the insulating layer, and an insulating layer and a protective layer on the wiring layer. A suspension flexure substrate having a connection terminal portion in which the metal support substrate, the insulating layer, and the protective layer are all open, and the front and back sides of the wiring layer and the side surfaces in the line width direction are exposed; In the periphery of the connection terminal portion, one or both of the insulating layer and the protective layer has a receding region that does not exist on the side of the wiring layer in plan view, and between the receding region and the wiring layer, A non-retreating region in which a layer provided with a retreating region exists is interposed.
また、本発明におけるサスペンション用フレキシャー基板は、前記後退領域は、平面視で前記配線層の両側方に別体に設けられていることを特徴とする。 In the suspension flexure substrate according to the present invention, the receding region is provided separately on both sides of the wiring layer in a plan view.
また、本発明におけるサスペンション用フレキシャー基板は、前記絶縁層上に、複数の前記配線層が設けられ、前記接続端子部の周辺において、互いに隣接する前記配線層の間に配置された前記後退領域の間に、前記後退領域が設けられた層が存在している残余部が設けられていることを特徴とする。 In the flexure substrate for suspension according to the present invention, a plurality of the wiring layers are provided on the insulating layer, and the receding region disposed between the wiring layers adjacent to each other around the connection terminal portion. In the meantime, a remaining portion in which a layer provided with the receding region exists is provided.
また、本発明におけるサスペンション用フレキシャー基板は、平面視での前記保護層の後退領域の面積が、前記絶縁層の後退領域の面積よりも大きいことを特徴とする。 In the flexure substrate for suspension according to the present invention, the area of the receding region of the protective layer in plan view is larger than the area of the receding region of the insulating layer.
また、本発明におけるサスペンション用フレキシャー基板は、平面視での前記絶縁層の後退領域の面積が、前記保護層の後退領域の面積よりも大きいことを特徴とする。 In the flexure substrate for suspension according to the present invention, the area of the receding region of the insulating layer in plan view is larger than the area of the receding region of the protective layer.
また、本発明におけるサスペンション用フレキシャー基板は、前記接続端子部および前記後退領域において、平面視での前記金属支持基板の開口が、前記絶縁層の開口を含んでいることを特徴とする。 In the suspension flexure substrate according to the present invention, the opening of the metal support substrate in a plan view includes the opening of the insulating layer in the connection terminal portion and the receding region.
また、本発明におけるサスペンション用フレキシャー基板は、前記絶縁層の前記後退領域の少なくとも一部と前記保護層の前記後退領域の少なくとも一部とが、平面視で互いに重なり合うことにより積層方向に貫通する貫通領域を形成していることを特徴とする。 In the flexure substrate for suspension according to the present invention, at least a part of the receding region of the insulating layer and at least a part of the receding region of the protective layer penetrate each other in a stacking direction by overlapping each other in plan view. A region is formed.
本発明によれば、端子接続時における超音波などによる応力が、配線層の特定部分に集中することを緩和でき、配線層の断線や変形の起きにくいサスペンション用フレキシャー基板を提供できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it can relieve | moderate that the stress by the ultrasonic wave at the time of terminal connection concentrates on the specific part of a wiring layer, and can provide the flexure board | substrate for suspensions which a wiring layer does not disconnect or generate | occur | produce easily.
以下、本発明のサスペンション用フレキシャー基板について詳細に説明する。 Hereinafter, the flexure substrate for suspension of the present invention will be described in detail.
図1(a)は、本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板の概略平面図であり、図1(b)は、図1(a)のX−Xにおける断面図である。フレキシャー基板1は、金属支持基板2と、金属支持基板2上に設けられた絶縁層3と、絶縁層3上に設けられた複数の配線層4と、配線層4上に設けられた保護層5とを有する。図1(a)では、配線層4を簡略化して示しているため、例えばX−X部における配線層は1本で示されているが、配線の本数はこれに限らず、例えば、図1(b)に示すようにX−X部に2本あっても良く、また上下2本ずつの2層構造となっていても良い。 FIG. 1A is a schematic plan view of a suspension flexure substrate according to the present invention, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line XX in FIG. The flexure substrate 1 includes a metal support substrate 2, an insulating layer 3 provided on the metal support substrate 2, a plurality of wiring layers 4 provided on the insulating layer 3, and a protective layer provided on the wiring layer 4. And 5. In FIG. 1A, since the wiring layer 4 is shown in a simplified manner, for example, the number of wiring layers in the XX section is shown as one, but the number of wirings is not limited to this. For example, FIG. As shown in (b), there may be two in the XX section, or a two-layer structure with two upper and lower portions.
配線層4はその一端がスライダヘッド設置領域6に連結され、他端が接続端子部7に連結されており、接続端子部7において外部回路100の端子101と超音波ボンディングによって接合される(図7参照)。 One end of the wiring layer 4 is connected to the slider head installation region 6 and the other end is connected to the connection terminal portion 7. The connection terminal portion 7 is joined to the terminal 101 of the external circuit 100 by ultrasonic bonding (see FIG. 7).
図2は、本発明の第1の形態において、接続端子部7の近傍を拡大した平面図である。図2(a)は保護層5側から見た平面図、図2(b)は金属支持基板2側(あるいは絶縁層3側)から見た平面図である。また、図3は後退領域80とその近傍(図2(b)の領域A)を拡大した図である。また、図4(a)は図3のB−B位置に相当する接続端子部7とその近傍とを含む断面図であり、図4(b)は図3のC−C位置に相当する接続端子部7とその近傍とを含む断面図である。図2ないし図4において接続端子部7は、金属支持基板2、絶縁層3および保護層5のいずれもが開口された領域であり、該領域では配線層4の表裏およびその線幅方向側面4aが露出している。すなわち、例えば図2(b)においては、破線で示された領域Xが接続端子部7である。接続端子部7において、配線層4はフライングリードを形成しており、外部回路100の端子101との接続性を向上させるため、必要に応じてその片面または両面に金めっき等の他の金属層を有していても良い。なお、接続端子部7において、金属支持基板2に矩形状の金属支持開口部25が設けられ、絶縁層3に矩形状の絶縁層開口部35が設けられ、保護層5に矩形状の保護層開口部55が設けられている。これら金属支持開口部25、絶縁層開口部35および保護層開口部55により、接続端子部7において、配線層4が露出されている。また、線幅方向側面4aとは、平面視で(例えば、図2において)、配線層4の長手方向に沿って延びる側面であって、当該長手方向に直交する線幅方向において両側に位置する側面を意味するものとして用いている。 FIG. 2 is an enlarged plan view of the vicinity of the connection terminal portion 7 in the first embodiment of the present invention. 2A is a plan view seen from the protective layer 5 side, and FIG. 2B is a plan view seen from the metal support substrate 2 side (or the insulating layer 3 side). FIG. 3 is an enlarged view of the receding region 80 and the vicinity thereof (region A in FIG. 2B). 4A is a sectional view including the connection terminal portion 7 corresponding to the BB position in FIG. 3 and the vicinity thereof, and FIG. 4B is a connection corresponding to the CC position in FIG. It is sectional drawing containing the terminal part 7 and its vicinity. 2 to 4, the connection terminal portion 7 is a region in which all of the metal support substrate 2, the insulating layer 3, and the protective layer 5 are opened. In this region, the front and back of the wiring layer 4 and the side surface 4a in the line width direction thereof. Is exposed. That is, for example, in FIG. 2B, a region X indicated by a broken line is the connection terminal portion 7. In the connection terminal portion 7, the wiring layer 4 forms a flying lead, and other metal layers such as gold plating are provided on one side or both sides as necessary in order to improve the connectivity with the terminal 101 of the external circuit 100. You may have. In the connection terminal portion 7, a rectangular metal support opening 25 is provided in the metal support substrate 2, a rectangular insulating layer opening 35 is provided in the insulating layer 3, and a rectangular protective layer is provided in the protective layer 5. An opening 55 is provided. The wiring layer 4 is exposed at the connection terminal portion 7 by the metal support opening 25, the insulating layer opening 35, and the protective layer opening 55. The line width direction side surface 4a is a side surface extending in the longitudinal direction of the wiring layer 4 in a plan view (for example, in FIG. 2), and is located on both sides in the line width direction orthogonal to the longitudinal direction. Used to mean side.
一方、接続端子部の周辺(外周)において、絶縁層3は、当該絶縁層3が存在していない後退領域80を有している。当該後退領域80は、平面視で配線層4の側方において、絶縁層3の端部31が、接続端子部から遠ざかる方向に後退している。図2ないし図4では、保護層5においては端部51が接続端子部から遠ざかる方向に後退する部分は無い。 On the other hand, in the periphery (outer periphery) of the connection terminal portion, the insulating layer 3 has a receding region 80 where the insulating layer 3 does not exist. In the receding region 80, the end 31 of the insulating layer 3 recedes in a direction away from the connection terminal portion on the side of the wiring layer 4 in plan view. In FIG. 2 thru | or FIG. 4, in the protective layer 5, there is no part which the edge part 51 recedes in the direction away from a connection terminal part.
図2および図3に示すように、後退領域80は、平面視で配線層4の両側方に別体に設けられている。これにより、配線層4の線幅方向にわたって、配線層4にかかる応力をより一層効果的に緩和することができる。なお、金属支持基板後退領域80は、配線層4の両側方に別体に設けられている場合に限られることはなく、配線層4の一方の側方のみに設けられていてもよい。この場合であっても、配線層4にかかる応力を効果的に緩和することができる。 As shown in FIGS. 2 and 3, the receding region 80 is provided separately on both sides of the wiring layer 4 in plan view. Thereby, the stress applied to the wiring layer 4 can be more effectively reduced over the line width direction of the wiring layer 4. The metal support substrate receding region 80 is not limited to being provided separately on both sides of the wiring layer 4, and may be provided only on one side of the wiring layer 4. Even in this case, the stress applied to the wiring layer 4 can be effectively relieved.
後退領域80と配線層4との間に、絶縁層3が存在している非後退領域82が介在されている。このことにより、後退領域80は、平面視において、配線層4に対して離間している。なお、図3に示す形態では、配線層4に重なる部分には後退領域80が無い。これにより、配線層4を支持する絶縁層3の強度を確保している。 Between the receding region 80 and the wiring layer 4, a non-retreating region 82 where the insulating layer 3 exists is interposed. Thus, the receding region 80 is separated from the wiring layer 4 in plan view. In the form shown in FIG. 3, there is no receding region 80 in the portion overlapping the wiring layer 4. Thereby, the strength of the insulating layer 3 that supports the wiring layer 4 is ensured.
図2ないし図4において、保護層5は、接続端子部7と後退領域80とを含むように開口されている。すなわち、保護層開口部55は、絶縁層開口部35と後退領域80とを含むように形成されている。また、金属支持基板2は、保護層開口部55を含むように開口されている。すなわち、金属支持基板開口部25は、絶縁層開口部35と後退領域80とを含むように形成されている。これは接続端子部7において配線層4をボンディングする際に、配線層4と金属支持基板2が接触してショートするのを防ぐためである。 2 to 4, the protective layer 5 is opened so as to include the connection terminal portion 7 and the receding region 80. That is, the protective layer opening 55 is formed so as to include the insulating layer opening 35 and the receding region 80. In addition, the metal supporting board 2 is opened so as to include the protective layer opening 55. That is, the metal support substrate opening 25 is formed so as to include the insulating layer opening 35 and the receding region 80. This is to prevent the wiring layer 4 and the metal support substrate 2 from coming into contact with each other and short-circuiting when bonding the wiring layer 4 in the connection terminal portion 7.
図3に示すように、接続端子部7の周辺(外周)において、互いに隣接する配線層4の間に配置された後退領域80の間に、絶縁層3が存在している絶縁層残余部37が設けられている。これにより、接続端子部7を支持する絶縁層3の強度を確保している。なお、各後退領域80が、配線層4上の絶縁層3の部分と絶縁層残余部37との間に介在されていることで、配線層4の断線や変形などの不良の発生をより抑制している。 As shown in FIG. 3, in the periphery (outer periphery) of the connection terminal portion 7, the insulating layer residual portion 37 in which the insulating layer 3 exists between the receding regions 80 disposed between the wiring layers 4 adjacent to each other. Is provided. Thereby, the strength of the insulating layer 3 that supports the connection terminal portion 7 is secured. In addition, since each receding region 80 is interposed between the portion of the insulating layer 3 on the wiring layer 4 and the insulating layer residual portion 37, the occurrence of defects such as disconnection or deformation of the wiring layer 4 is further suppressed. doing.
図5は、後退領域80の形状の例を示した図である。後退領域80(あるいは絶縁層3)の端部31の形状は、図3に示すように、台形状であっても良く、あるいは図5(a)、(b)に示すように帯状に延びて先端部が半円状(図5(a))若しくは先端部が多角形状(図5(b))であっても良く、図5(c)のように全体として矩形状であっても良い。さらには、図5(d)のように、全体的に半円状であっても良く、あるいは図5(e)に示すように楕円状であっても良い。 FIG. 5 is a diagram showing an example of the shape of the receding region 80. The shape of the end portion 31 of the receding region 80 (or the insulating layer 3) may be trapezoidal as shown in FIG. 3, or extends in a band shape as shown in FIGS. 5 (a) and 5 (b). The tip may be semicircular (FIG. 5A), the tip may be polygonal (FIG. 5B), or may be rectangular as a whole as shown in FIG. 5C. Furthermore, it may be semicircular as a whole as shown in FIG. 5 (d), or may be elliptical as shown in FIG. 5 (e).
図5においては、後退領域80が図5(a)、(d)、(e)のように頂点を有さない端部形状、あるいは図5(b)のように頂点の内角が大きい形状であるもののほうが好ましい。図5(a)、(d)、(e)のように頂点を有さなければ、超音波ボンディング時に頂点での応力集中を避けることができ、図5(b)のように頂点の内角が大きい形状であれば、頂点での応力集中は非常に小さいものとなるからである。また、後退領域80の後退長さL(後退領域80の、配線層4の線幅方向と直交する方向における最大長さ)は、特に限定はされないが、配線層4の線幅の0.5〜2倍程度が好ましい。後退領域80の後退長さLが配線層4の線幅に対して小さすぎると、配線層4の断線や変形を起きにくくする効果が発揮されにくくなり、逆に大きすぎると、接続端子部7を支持する絶縁層3の強度への悪影響が考えられるからである。配線層4の線幅は特に限定されないが、例えば10μm〜200μmの範囲が挙げられる。配線層4の線幅が小さすぎると、導電性が悪くなる可能性があり、配線層4の線幅が大きすぎると、サスペンション用フレキシャー基板を十分に高密度化することができない可能性があるためである。 In FIG. 5, the receding region 80 has an end shape that does not have a vertex as shown in FIGS. 5 (a), 5 (d), and (e), or a shape that has a large interior angle as shown in FIG. 5 (b). Some are preferred. If there are no vertices as shown in FIGS. 5A, 5D, and 5E, stress concentration at the vertices can be avoided during ultrasonic bonding. This is because the stress concentration at the apex becomes very small if the shape is large. The receding length L of the receding region 80 (the maximum length of the receding region 80 in the direction orthogonal to the line width direction of the wiring layer 4) is not particularly limited, but is 0.5% of the line width of the wiring layer 4. About 2 times is preferable. If the receding length L of the receding region 80 is too small with respect to the line width of the wiring layer 4, the effect of making the wiring layer 4 difficult to break or deform is hardly exhibited. This is because an adverse effect on the strength of the insulating layer 3 that supports the substrate can be considered. Although the line width of the wiring layer 4 is not specifically limited, For example, the range of 10 micrometers-200 micrometers is mentioned. If the line width of the wiring layer 4 is too small, the conductivity may be deteriorated. If the line width of the wiring layer 4 is too large, the suspension flexure substrate may not be sufficiently densified. Because.
なお、後退領域80は、図3に示す例に限られることはなく、例えば、図6に示すような位置に配置することもできる。ここで、図6は、図3に示す後退領域80の配置の他の例を示した図である。図6では、後退領域80は、配線層4との間に非後退領域82を介在させて設けられるとともに、配線層4上に設けられている。この配線層4上に設けられた後退領域80により、配線層4の絶縁層3側の面が露出し、当該後退領域80において配線層4が露出する部分と露出しない部分との境界線を長くとることができ、配線層4を超音波ボンディングにより外部回路100の端子101と接続するときに、配線層4への応力の集中を緩和し、配線層4の断線や変形などの不良の発生を抑制することができる。 In addition, the retreat area | region 80 is not restricted to the example shown in FIG. 3, For example, it can also arrange | position in the position as shown in FIG. Here, FIG. 6 is a diagram showing another example of the arrangement of the receding regions 80 shown in FIG. In FIG. 6, the receding region 80 is provided with a non-retreating region 82 interposed between the wiring layer 4 and the wiring region 4. Due to the receding region 80 provided on the wiring layer 4, the surface of the wiring layer 4 on the insulating layer 3 side is exposed, and in the receding region 80, the boundary line between the exposed portion and the unexposed portion of the wiring layer 4 is elongated. When the wiring layer 4 is connected to the terminal 101 of the external circuit 100 by ultrasonic bonding, stress concentration on the wiring layer 4 is alleviated and defects such as disconnection and deformation of the wiring layer 4 are generated. Can be suppressed.
図7(a)に示すように、配線層4を外部回路100に接続する場合、外部回路100に保護層5を当接させて、ボンディングツール110により配線層4が外部回路100の端子101に押し込まれる。この際、絶縁層3に後退領域80が設けられていることにより、配線層4を、保護層開口部55の縁55a(配線層4と直交する方向に延びる縁)と交差する部分から曲げることができる。このため、配線層4の絶縁層開口部35の縁35a(配線層4と直交する方向に延びる縁)と交差する部分に応力が集中することを緩和し、配線層4の断線や変形などの不良の発生を抑制することができる。この場合、ボンディングツール110により、配線層4を押し込んだ後に、絶縁層3が押し込まれる前の形状に戻ろうとする反発力を低減することができ、配線層4と外部回路100の端子101との接合信頼性を向上させることができる。また、図7(b)に示すように、外部回路100に金属支持基板2を当接させて配線層4を外部回路100の端子101に超音波ボンディングさせることもできる。この場合においても、配線層4を、保護層開口部55の縁55aと交差する部分から、または、金属支持基板開口部25の縁25a(配線層4と直交する方向に延びる縁)と交差する部分から曲げることができ、配線層4の絶縁層開口部35の縁35aと交差する部分に応力が集中することを緩和し、配線層4の断線や変形などの不良の発生を抑制することができる。 As shown in FIG. 7A, when connecting the wiring layer 4 to the external circuit 100, the protective layer 5 is brought into contact with the external circuit 100, and the wiring layer 4 is connected to the terminal 101 of the external circuit 100 by the bonding tool 110. Pushed in. At this time, since the insulating layer 3 is provided with the receding region 80, the wiring layer 4 is bent from a portion intersecting with the edge 55a of the protective layer opening 55 (an edge extending in a direction orthogonal to the wiring layer 4). Can do. This alleviates stress concentration at the portion intersecting the edge 35a of the insulating layer opening 35 of the wiring layer 4 (the edge extending in the direction orthogonal to the wiring layer 4), and the wiring layer 4 is disconnected or deformed. The occurrence of defects can be suppressed. In this case, after the wiring layer 4 is pushed by the bonding tool 110, the repulsive force to return to the shape before the insulating layer 3 is pushed can be reduced, and the wiring layer 4 and the terminal 101 of the external circuit 100 can be reduced. Bonding reliability can be improved. Further, as shown in FIG. 7B, the metal support substrate 2 can be brought into contact with the external circuit 100 to ultrasonically bond the wiring layer 4 to the terminal 101 of the external circuit 100. Also in this case, the wiring layer 4 intersects with a portion intersecting with the edge 55a of the protective layer opening 55 or with an edge 25a of the metal support substrate opening 25 (an edge extending in a direction perpendicular to the wiring layer 4). It is possible to bend from the portion, to relieve stress concentration on the portion intersecting the edge 35a of the insulating layer opening 35 of the wiring layer 4, and to suppress the occurrence of defects such as disconnection and deformation of the wiring layer 4. it can.
図8は、本発明の第2の形態において、接続端子部7の近傍を拡大した平面図である。図8(a)は保護層5側から見た平面図、図8(b)は金属支持基板2側(あるいは絶縁層3側)から見た平面図である。また、図9は、後退領域80とその近傍(図2(b)の領域A)を拡大した図である。また、図10(a)は図9のD−D位置に相当する接続端子部7とその近傍とを含む断面図であり、図10(b)は図9のE−E位置に相当する接続端子部7とその近傍とを含む断面図である。図8ないし図10において、図2ないし図4と共通する箇所については同じ符号を付し、説明を省略する。本実施例では、接続端子部の周辺(外周)において、保護層5が、後退領域80と同様にして、保護層5が存在していない後退領域81を有しており、保護層5の端部51が、接続端子部から遠ざかる方向に後退している。すなわち、後退領域81は、平面視で配線層4の両側方に別体に設けられている。これにより、配線層4の線幅方向にわたって、配線層4にかかる応力をより一層効果的に緩和することができる。なお、保護層81の後退領域81は、配線層4の両側方に別体に設けられている場合に限られることはなく、配線層4の一方の側方のみに設けられていてもよい。この場合であっても、配線層4にかかる応力を効果的に緩和することができる。 FIG. 8 is an enlarged plan view of the vicinity of the connection terminal portion 7 in the second embodiment of the present invention. 8A is a plan view seen from the protective layer 5 side, and FIG. 8B is a plan view seen from the metal support substrate 2 side (or the insulating layer 3 side). FIG. 9 is an enlarged view of the receding region 80 and the vicinity thereof (region A in FIG. 2B). 10A is a cross-sectional view including the connection terminal portion 7 corresponding to the DD position in FIG. 9 and the vicinity thereof, and FIG. 10B is a connection corresponding to the EE position in FIG. It is sectional drawing containing the terminal part 7 and its vicinity. 8 to 10, the same reference numerals are given to portions common to FIGS. 2 to 4, and the description thereof is omitted. In the present embodiment, the protective layer 5 has a receding region 81 in which the protective layer 5 does not exist in the periphery (outer periphery) of the connection terminal portion in the same manner as the receding region 80. The part 51 is retracted in a direction away from the connection terminal part. That is, the receding region 81 is provided separately on both sides of the wiring layer 4 in plan view. Thereby, the stress applied to the wiring layer 4 can be more effectively reduced over the line width direction of the wiring layer 4. The receding region 81 of the protective layer 81 is not limited to being provided separately on both sides of the wiring layer 4, and may be provided only on one side of the wiring layer 4. Even in this case, the stress applied to the wiring layer 4 can be effectively relieved.
保護層5の後退領域81の一部は、対応する絶縁層3の後退領域80の一部に平面視で互いに重なり合うことにより積層方向に貫通する貫通領域85を形成している。これにより、配線層4への応力の集中をより緩和している。また、後退領域81と配線層4との間には、保護層5が存在している非後退領域83が介在されている。なお、絶縁層3の後退領域80の全体と対応する保護層5の後退領域81の全体とが、貫通領域85を形成するようにしても良い。 A part of the receding region 81 of the protective layer 5 forms a penetrating region 85 penetrating in the stacking direction by overlapping with a part of the receding region 80 of the corresponding insulating layer 3 in plan view. Thereby, the concentration of stress on the wiring layer 4 is further relaxed. Further, a non-retreat region 83 where the protective layer 5 exists is interposed between the receding region 81 and the wiring layer 4. The entire receding region 80 of the insulating layer 3 and the corresponding receding region 81 of the protective layer 5 may form the penetrating region 85.
また本実施例においては、図9に示すように、絶縁層開口部35の縁35aの位置と保護開口部55の縁55aの位置とが一致していない。これは絶縁層3と保護層5とで各々の縁の位置をずらすことで、応力の集中を緩和させるためである。また、図8ないし図10においては、保護層5の後退領域81(保護層5が存在しない部分)の面積が、絶縁層3の後退領域80(絶縁層3が存在しない部分)の面積よりも大きくなっている。ここで、後述するように、絶縁層3の後退領域80は、後退領域81を含む保護層5が形成された後にエッチングにより形成される。このことにより、絶縁層3の後退領域80を形成する際に、保護層5が再びエッチングされることを防止し、後退領域81の形状を維持することができる。しかしながら、これに限られることはなく、絶縁層3の後退領域80の面積が、保護層5の後退領域81の面積よりも大きくなっていても良い。このことにより、一般に保護層5より厚い絶縁層3に面積が大きい後退領域80を設けることにより、配線層4にかかる応力をより一層効果的に緩和することができる。なお、この場合には、絶縁層3をエッチングする際に保護層5がエッチングされることを抑制するために、保護層5を形成する材料は、絶縁層3を形成する材料と異なっていることが好ましい。 In this embodiment, as shown in FIG. 9, the position of the edge 35 a of the insulating layer opening 35 and the position of the edge 55 a of the protective opening 55 do not match. This is because the stress concentration is alleviated by shifting the positions of the edges of the insulating layer 3 and the protective layer 5. 8 to 10, the area of the receding region 81 of the protective layer 5 (the portion where the protective layer 5 does not exist) is larger than the area of the receding region 80 of the insulating layer 3 (the portion where the insulating layer 3 does not exist). It is getting bigger. Here, as described later, the receding region 80 of the insulating layer 3 is formed by etching after the protective layer 5 including the receding region 81 is formed. Thereby, when the receding region 80 of the insulating layer 3 is formed, the protective layer 5 can be prevented from being etched again, and the shape of the receding region 81 can be maintained. However, the present invention is not limited to this, and the area of the receding region 80 of the insulating layer 3 may be larger than the area of the receding region 81 of the protective layer 5. As a result, the stress applied to the wiring layer 4 can be more effectively relieved by providing the recess region 80 having a larger area in the insulating layer 3 that is generally thicker than the protective layer 5. In this case, the material forming the protective layer 5 is different from the material forming the insulating layer 3 in order to prevent the protective layer 5 from being etched when the insulating layer 3 is etched. Is preferred.
また、図8ないし図10では、保護層開口部55の縁55aが、絶縁層開口部35の縁35aよりも接続端子部7から遠ざかるように形成されている。しかしながら、絶縁層開口部35の縁35aが、保護層開口部55の縁55aよりも接続端子部7から遠ざかるように形成されていても良い。後者の場合、超音波ボンディング時に配線層4の絶縁層開口部35の縁35aと交差する部分に応力が集中することを緩和でき、配線層4の断線、変形等のリスクを軽減することができる。 8 to 10, the edge 55 a of the protective layer opening 55 is formed so as to be farther from the connection terminal portion 7 than the edge 35 a of the insulating layer opening 35. However, the edge 35 a of the insulating layer opening 35 may be formed so as to be farther from the connection terminal portion 7 than the edge 55 a of the protective layer opening 55. In the latter case, it is possible to alleviate stress concentration at a portion intersecting the edge 35a of the insulating layer opening 35 of the wiring layer 4 at the time of ultrasonic bonding, and the risk of disconnection and deformation of the wiring layer 4 can be reduced. .
後退領域81(あるいは保護層5)の端部51の形状は、第1の形態で述べた絶縁層3の端部31の形状と同じように形成すれば良い。また、保護層5の端部51の形状と、絶縁層3の端部31の形状とが、同じ形状であっても異なる形状であっても良い。 The shape of the end portion 51 of the receding region 81 (or the protective layer 5) may be formed in the same manner as the shape of the end portion 31 of the insulating layer 3 described in the first embodiment. Further, the shape of the end 51 of the protective layer 5 and the shape of the end 31 of the insulating layer 3 may be the same or different.
また、絶縁層残余部37と同様に、接続端子部7の周辺(外周)において、互いに隣接する配線層4の間に配置された後退領域81の間に、保護層5が存在している保護層残余部57が設けられている。これにより、接続端子部7を支持する保護層5の強度を確保している。なお、各後退領域81が、配線層4上の保護層5の部分と保護層残余部57との間に介在されていることで、配線層4の断線や変形などの不良の発生をより抑制することができる。 Further, similarly to the insulating layer residual portion 37, the protection layer 5 exists in the periphery (outer periphery) of the connection terminal portion 7 and between the receding regions 81 arranged between the adjacent wiring layers 4. A layer remainder 57 is provided. Thereby, the intensity | strength of the protective layer 5 which supports the connection terminal part 7 is ensured. In addition, since each receding region 81 is interposed between the protective layer 5 portion on the wiring layer 4 and the protective layer residual portion 57, the occurrence of defects such as disconnection and deformation of the wiring layer 4 is further suppressed. can do.
次に、本発明に係るサスペンション用フレキシャー基板の製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing a flexure substrate for suspension according to the present invention will be described.
図11〜図21は、前記第1の形態のサスペンション用フレキシャー基板の製造方法の一例を示した図である。図11〜図21において、(a)はフレキシャー基板の上面(保護層側)から見た平面図、(b)はフレキシャー基板の下面(金属支持基板側)から見た平面図、(c)は(a)(b)におけるF−F断面図(配線層となる部分での断面図)である。 11 to 21 are views showing an example of a manufacturing method of the flexure substrate for suspension according to the first embodiment. 11 to 21, (a) is a plan view seen from the upper surface (protective layer side) of the flexure substrate, (b) is a plan view seen from the lower surface (metal support substrate side) of the flexure substrate, and (c) is It is FF sectional drawing in (a) and (b) (sectional drawing in the part used as a wiring layer).
まず、図11のように、金属支持基板2、絶縁層3、シード層40および金属めっき層41を備えた基板材料9を用意する。金属支持基板2としては、SUS材が好適であるが、所望の剛性を有するものであれば特に限定されない。絶縁層3としては、例えばポリイミドが挙げられるが、絶縁性を有するものであれば特に限定されない。シード層40としては、例えばニッケル(Ni)、クロム(Cr)、銅(Cu)をスパッタリングにより形成したものが挙げられるが、その層上に金属めっき層41を形成できるものであれば特に限定されない。またシード層40は、配線層4の形成後は金属めっき層41と一体となって配線層4を成す層である。 First, as shown in FIG. 11, a substrate material 9 including a metal supporting substrate 2, an insulating layer 3, a seed layer 40 and a metal plating layer 41 is prepared. The metal support substrate 2 is preferably a SUS material, but is not particularly limited as long as it has a desired rigidity. Examples of the insulating layer 3 include polyimide. However, the insulating layer 3 is not particularly limited as long as it has insulating properties. Examples of the seed layer 40 include nickel (Ni), chromium (Cr), and copper (Cu) formed by sputtering, but are not particularly limited as long as the metal plating layer 41 can be formed on the layer. . The seed layer 40 is a layer that forms the wiring layer 4 integrally with the metal plating layer 41 after the wiring layer 4 is formed.
次に、図12のように、金属めっき層41と金属支持基板2とをそれぞれ覆うようにレジスト層90、91を形成し、さらにパターニングを行う。レジスト層90、91の形成方法としては、ドライフィルムレジストをラミネートする方法や、液状レジストをスピンコートやスリットコートなどの方法により塗布する方法が挙げられる。レジスト層90、91のパターニング方法としては、例えば、所望のパターンが形成されたフォトマスクを用いてレジストを露光した後に現像を行う、いわゆるフォトリソグラフィによる方法が挙げられる。パターニングにより、レジスト層90のうち、配線層4が形成されない部分のレジストが除去され、また、レジスト層91のうち、金属支持基板2が開口される部分のレジストが除去される。 Next, as shown in FIG. 12, resist layers 90 and 91 are formed so as to cover the metal plating layer 41 and the metal support substrate 2, respectively, and further patterned. Examples of the method for forming the resist layers 90 and 91 include a method of laminating a dry film resist and a method of applying a liquid resist by a method such as spin coating or slit coating. As a patterning method for the resist layers 90 and 91, for example, a so-called photolithography method in which a resist is exposed using a photomask on which a desired pattern is formed and then developed is used. By the patterning, a portion of the resist layer 90 where the wiring layer 4 is not formed is removed, and a portion of the resist layer 91 where the metal support substrate 2 is opened is removed.
次に、図13のように、シード層40および金属めっき層41のうちのレジスト層90が存在しない部分に対して化学エッチングを行って配線層4を形成し、また、金属支持基板2のうちレジスト層91が存在しない部分に対しても化学エッチングを行って、金属支持基板開口部25が形成される。エッチング後にレジスト90、91は剥離される(図14)。 Next, as shown in FIG. 13, the wiring layer 4 is formed by performing chemical etching on the portion of the seed layer 40 and the metal plating layer 41 where the resist layer 90 is not present. Chemical etching is also performed on the portion where the resist layer 91 does not exist, so that the metal support substrate opening 25 is formed. After the etching, the resists 90 and 91 are peeled off (FIG. 14).
次に、図15のように、絶縁層3と配線層4とを覆うように保護層5を形成する。保護層5としては絶縁層3と同じ材料を用いることができるが、これには限定されない。 Next, as shown in FIG. 15, the protective layer 5 is formed so as to cover the insulating layer 3 and the wiring layer 4. Although the same material as the insulating layer 3 can be used for the protective layer 5, it is not limited to this.
次に、図16のように、保護層5側の面を覆うようにレジスト層92を形成し、また、金属支持基板側の面を覆うようにレジスト層93を形成し、さらにパターニングを行う。レジスト層92、93の形成方法およびパターニング方法は、上述したレジスト層90、91の形成方法と同様な方法が適用可能である。ここでレジスト層92のパターニング形状を、平面視において並列する複数の配線層4(金属めっき層41)を跨ぐ矩形パターンとしておく。また、保護層5が開口された後の保護層開口部55(図18参照)が、金属支持基板開口部25よりも平面視で面積が小さくなるようにしておく。パターニングにより、レジスト層92のうち、保護層5が開口される部分が除去される。 Next, as shown in FIG. 16, a resist layer 92 is formed so as to cover the surface on the protective layer 5 side, and a resist layer 93 is formed so as to cover the surface on the metal support substrate side, and further patterning is performed. A method similar to the method for forming the resist layers 90 and 91 described above can be applied to the method for forming the resist layers 92 and 93 and the patterning method. Here, the patterning shape of the resist layer 92 is a rectangular pattern straddling a plurality of wiring layers 4 (metal plating layers 41) arranged in parallel in a plan view. Further, the area of the protective layer opening 55 (see FIG. 18) after the protective layer 5 is opened is made smaller than that of the metal support substrate opening 25 in plan view. By patterning, a portion of the resist layer 92 where the protective layer 5 is opened is removed.
次に、図17のように、保護層5のうち、レジスト層92が形成されていない部分が除去され、次いでレジスト層92およびレジスト層93が除去される(図18)。保護層5の除去方法としては、例えば保護層5がポリイミド材で形成されている場合、有機アルカリ液によるエッチングや、プラズマエッチングが挙げられる。 Next, as shown in FIG. 17, the portion of the protective layer 5 where the resist layer 92 is not formed is removed, and then the resist layer 92 and the resist layer 93 are removed (FIG. 18). As a method for removing the protective layer 5, for example, when the protective layer 5 is formed of a polyimide material, etching with an organic alkaline solution or plasma etching may be used.
次に、図19のように、保護層5側の面を覆うようにレジスト層94を形成し、また、金属支持基板2側の面を覆うようにレジスト層95を形成し、さらにパターニングを行う。レジスト層94、95の形成方法およびパターニング方法は、上述したレジスト層90〜93の形成方法およびパターニング方法と同様である。ここでレジスト層95のパターニング形状を、平面視において並列する複数の配線層4(金属めっき層41)を跨ぐ矩形パターンと、後退領域80に対応する、矩形パターンの外周に接続した後退パターンとが、連続的につながった形状としておく。また、絶縁層3が開口された後の絶縁層開口部35(図21参照)が、保護層開口部55および金属支持基板開口部25よりも平面視で面積が小さくなるようにしておく。パターニングによって、レジスト層95のうち、絶縁層3が開口される部分が除去される。 Next, as shown in FIG. 19, a resist layer 94 is formed so as to cover the surface on the protective layer 5 side, and a resist layer 95 is formed so as to cover the surface on the metal support substrate 2 side, and further patterning is performed. . The formation method and patterning method of the resist layers 94 and 95 are the same as the formation method and patterning method of the resist layers 90 to 93 described above. Here, the patterning shape of the resist layer 95 includes a rectangular pattern straddling a plurality of wiring layers 4 (metal plating layers 41) arranged in parallel in a plan view, and a receding pattern connected to the outer periphery of the rectangular pattern corresponding to the receding region 80. , Keep the shape connected continuously. In addition, the insulating layer opening 35 (see FIG. 21) after the insulating layer 3 is opened has a smaller area in plan view than the protective layer opening 55 and the metal support substrate opening 25. By patterning, the portion of the resist layer 95 where the insulating layer 3 is opened is removed.
次に、図20のように、絶縁層3のうち、レジスト層95が形成されていない部分が除去される。絶縁層3の除去方法としては、例えば絶縁層3がポリイミド材で形成されている場合、保護層5の除去方法で述べた方法と同じ方法が挙げられる。 Next, as shown in FIG. 20, a portion of the insulating layer 3 where the resist layer 95 is not formed is removed. As a method for removing the insulating layer 3, for example, when the insulating layer 3 is formed of a polyimide material, the same method as described in the method for removing the protective layer 5 can be used.
次に、図21のように、レジスト層94およびレジスト層95が除去され、本発明によるサスペンション用フレキシャー基板が得られる。 Next, as shown in FIG. 21, the resist layer 94 and the resist layer 95 are removed, and the flexure substrate for suspension according to the present invention is obtained.
以上、本発明によるサスペンション用フレキシャー基板の製造方法を説明したが、製造方法はこれに限定されるものではない。 The manufacturing method of the suspension flexure substrate according to the present invention has been described above, but the manufacturing method is not limited to this.
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.
SUS材からなる金属支持基板と、ポリイミドからなる絶縁層と、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)、銅(Cu)のスパッタリング層からなるシード層と、銅めっき層からなる金属めっき層と、を積層した基板材料を用意し、その両面にドライフィルムレジストを貼り合わせた。次いでドライフィルムレジストに対して露光および現像によるパターニングを行った。パターニング形状は、金属めっき層側は配線パターンの形状とし、金属支持基板側は接続端子部を含むような矩形状の開口形状とした。その後、塩化第二鉄液を用いて金属めっき層と金属支持基板に対してエッチングを行い、また露出した金属めっき層が除去された部分のシード層を除去した。これにより、絶縁層上に配線層が形成され、また、金属支持基板に矩形の開口部が形成された。 A metal support substrate made of SUS material, an insulating layer made of polyimide, a seed layer made of a sputtering layer of nickel (Ni), chromium (Cr), copper (Cu), and a metal plating layer made of a copper plating layer Laminated substrate materials were prepared, and a dry film resist was bonded to both sides thereof. Subsequently, the dry film resist was patterned by exposure and development. The patterning shape was a wiring pattern shape on the metal plating layer side, and a rectangular opening shape including the connection terminal portion on the metal support substrate side. Thereafter, the metal plating layer and the metal supporting substrate were etched using ferric chloride solution, and the seed layer where the exposed metal plating layer was removed was removed. As a result, a wiring layer was formed on the insulating layer, and a rectangular opening was formed in the metal support substrate.
続いて、配線層が形成された側の面にポリイミドからなる保護層を形成し、さらにそれを覆うようにレジストを形成した。また、金属支持基板側の面にもレジストを形成した。次いで、レジストに対して露光、現像によるパターニングを行った。保護層側のレジストのパターニング形状は、金属支持基板の開口部と同じ中心位置を持つ矩形パターンとし、かつ金属支持基板の開口部よりも面積が小さい形状とした。その後、有機アルカリ液を用いて保護層に対してエッチングを行った。これにより、配線層の保護層側の面のうち、接続端子部が露出した。 Subsequently, a protective layer made of polyimide was formed on the surface on which the wiring layer was formed, and a resist was formed so as to cover it. A resist was also formed on the surface of the metal support substrate. Next, the resist was subjected to patterning by exposure and development. The patterning pattern of the resist on the protective layer side was a rectangular pattern having the same center position as the opening of the metal support substrate, and the area was smaller than the opening of the metal support substrate. Thereafter, the protective layer was etched using an organic alkali solution. Thereby, the connection terminal part was exposed among the surfaces by the side of the protective layer of a wiring layer.
続いて、保護層側の面および金属支持基板側の面を覆うようにレジストを形成し、レジストに対して露光、現像によるパターニングを行った。金属支持基板側のレジストのパターニング形状は、金属支持基板の開口部と同じ中心位置を持つ矩形パターンと、後退領域に対応する、矩形パターンの外周に接続した後退パターンとが、連続的につながった形状であり、また保護層の開口部および金属支持基板の開口部よりも面積が小さい形状とした。その後、有機アルカリ液を用いて絶縁層に対してエッチングを行った。これにより、配線層の一部において表裏が露出し、フライングリードが形成された。その後、配線層のうち、外部回路と接続される側の面に対して金メッキを行い、本発明におけるサスペンション用フレキシャー基板を得た。 Subsequently, a resist was formed so as to cover the surface on the protective layer side and the surface on the metal support substrate side, and patterning by exposure and development was performed on the resist. As for the patterning pattern of the resist on the metal support substrate side, the rectangular pattern having the same center position as the opening of the metal support substrate and the receding pattern connected to the outer periphery of the rectangular pattern corresponding to the receding region were continuously connected. The shape is smaller than the opening of the protective layer and the opening of the metal support substrate. Thereafter, the insulating layer was etched using an organic alkali solution. As a result, the front and back surfaces were exposed in part of the wiring layer, and flying leads were formed. Thereafter, the surface of the wiring layer on the side connected to the external circuit was gold-plated to obtain a flexure substrate for suspension in the present invention.
なお、上記の実施形態は例示であり、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。すなわち、図1におけるサスペンション用フレキシャー基板1の接続端子部7に本発明が適用可能であることはもちろんのこと、例えば、スライダヘッド接地領域6において、サスペンション用フレキシャー基板1とスライダヘッド(図示せず)との電気的接続を行う端子においても本発明は適用可能である。つまり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。 In addition, said embodiment is an illustration and this invention is not limited to said embodiment. That is, the present invention can be applied to the connection terminal portion 7 of the suspension flexure substrate 1 in FIG. 1, for example, in the slider head grounding region 6, the suspension flexure substrate 1 and the slider head (not shown). The present invention can also be applied to terminals that are electrically connected to the terminal. In other words, a device having substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention and having the same function and effect is included in the technical scope of the present invention in any case. Is done.
1 … サスペンション用フレキシャー基板
2 … 金属支持基板
3 … 絶縁層
4 … 配線層
4a … 線幅方向側面
5 … 保護層
6 … スライダヘッド設置領域
7 … 接続端子部
9 … 基板材料
25 … 金属支持基板開口部
25a … 縁
31 … (絶縁層の)端部
35 … 絶縁層開口部
35a … 縁
37 … 絶縁層残余部
40 … シード層
41 … 金属めっき層
51 … (保護層の)端部
55 … 保護層開口部
55a … 縁
57 … 保護層残余部
80 … (絶縁層側の)後退領域
81 … (保護層側の)後退領域
82 … (絶縁層側の)非後退領域
83 … (保護層側の)非後退領域
85 … 貫通領域
90 … レジスト層
91 … レジスト層
92 … レジスト層
93 … レジスト層
94 … レジスト層
95 … レジスト層
100 … 外部回路
101 … 端子
110 … ボンディングツール
200 … 金属基板
300 … 絶縁層
400 … 配線層
450 … フライングリード
500 … 保護層
700 … 接続端子部
L … 後退長さ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Flexure substrate for suspension 2 ... Metal support substrate 3 ... Insulation layer 4 ... Wiring layer 4a ... Line width direction side surface 5 ... Protective layer 6 ... Slider head installation area 7 ... Connection terminal part 9 ... Substrate material 25 ... Metal support substrate opening Part 25a ... Edge 31 ... End part (of insulating layer) 35 ... Insulating layer opening 35a ... Edge 37 ... Insulating layer remaining part 40 ... Seed layer 41 ... Metal plating layer 51 ... End part (of protective layer) 55 ... Protective layer Opening 55a ... Edge 57 ... Protective layer remaining part 80 ... Recessed area (on insulating layer side) 81 ... Recessed area (on protective layer side) 82 ... Non-retracted area (on insulating layer side) 83 ... (On protective layer side) Non-retreat area 85 ... penetrating area 90 ... resist layer 91 ... resist layer 92 ... resist layer 93 ... resist layer 94 ... resist layer 95 ... resist layer 100 ... external circuit 10 ... terminal 110 ... bonding tool 200 ... metal substrate 300 ... insulating layer 400 ... wiring layer 450 ... flying leads 500 ... protective layer 700 ... connection terminal portions L ... retracted length
Claims (6)
前記金属支持基板、絶縁層および保護層がいずれも開口されており、配線層の表裏およびその線幅方向側面が露出している接続端子部を有し、
前記接続端子部の周辺において、絶縁層と保護層の双方が、平面視で配線層の側方において存在していない後退領域を有し、
前記後退領域と前記配線層との間に、当該後退領域が設けられた層が存在している非後退領域が介在され、
前記絶縁層の前記後退領域の少なくとも一部と前記保護層の前記後退領域の少なくとも一部とが、平面視で互いに重なり合うことにより積層方向に貫通する貫通領域を形成していることを特徴とするサスペンション用フレキシャー基板。 A suspension flexure substrate having a metal support substrate, an insulating layer on the metal support substrate, a wiring layer on the insulating layer, and a protective layer on the insulating layer and the wiring layer,
The metal support substrate, the insulating layer, and the protective layer are all open, and have a connection terminal portion in which the front and back of the wiring layer and the side surface in the line width direction are exposed,
In the periphery of the connecting terminal portion bi towards the insulating layer and the protective layer has a retraction area that does not exist on the side of the wiring layer in plan view,
Between the receding region and the wiring layer, a non-receding region in which a layer provided with the receding region exists is interposed ,
At least a part of the receding region of the insulating layer and at least a part of the receding region of the protective layer overlap each other in a plan view to form a penetrating region penetrating in the stacking direction. Flexure substrate for suspension.
前記接続端子部の周辺において、互いに隣接する前記配線層の間に配置された前記後退領域の間に、前記後退領域が設けられた層が存在している残余部が設けられていることを特徴とする、請求項2に記載のサスペンション用フレキシャー基板。 A plurality of the wiring layers are provided on the insulating layer,
In the periphery of the connection terminal portion, a remaining portion in which a layer provided with the receding region exists is provided between the receding regions arranged between the wiring layers adjacent to each other. The flexure substrate for suspension according to claim 2.
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