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JP5995388B2 - Piezoelectric oscillator - Google Patents

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JP5995388B2 JP2015189426A JP2015189426A JP5995388B2 JP 5995388 B2 JP5995388 B2 JP 5995388B2 JP 2015189426 A JP2015189426 A JP 2015189426A JP 2015189426 A JP2015189426 A JP 2015189426A JP 5995388 B2 JP5995388 B2 JP 5995388B2
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  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Description

本発明は、圧電発振器用基板およびこれを用いた圧電発振器に関するものである。   The present invention relates to a piezoelectric oscillator substrate and a piezoelectric oscillator using the same.

圧電発振器は、例えば携帯通信機器における基準周波数発生源等として使用されている。圧電発振器は、基板部の第1の主面に搭載された圧電振動素子と、基板部の第2の主面に搭載されたIC素子とを有している。IC素子は、基板部の第2の主面に設けられた複数のIC素子接続パッドに電気的に接続されている。なお、圧電発振器の一例として、基板部内に設けられており圧電振動素子と複数のIC素子接続パッドとの間に配置されたシールド層を有しているものがある。   Piezoelectric oscillators are used, for example, as a reference frequency generation source in portable communication devices. The piezoelectric oscillator has a piezoelectric vibration element mounted on the first main surface of the substrate portion and an IC element mounted on the second main surface of the substrate portion. The IC element is electrically connected to a plurality of IC element connection pads provided on the second main surface of the substrate portion. As an example of the piezoelectric oscillator, there is one having a shield layer provided in a substrate portion and disposed between a piezoelectric vibration element and a plurality of IC element connection pads.

特開2007−158918号公報JP 2007-158918 A

しかしながら、上述の従来の圧電発振器において、圧電振動素子から出力パッドにのるノイズ量を低減させるために複数のIC素子接続パッドのうちIC素子の出力端子に電気的に接続された出力パッドはシールド層によって覆っておく必要があるが、このようにシールド層を有する構造においては、シールド層の影響によって、圧電振動素子の周波数が変動してしまう可能性があった。   However, in the above-described conventional piezoelectric oscillator, the output pad electrically connected to the output terminal of the IC element among the plurality of IC element connection pads is shielded in order to reduce the amount of noise from the piezoelectric vibration element to the output pad. Although it is necessary to cover with a layer, in such a structure having a shield layer, the frequency of the piezoelectric vibration element may fluctuate due to the influence of the shield layer.

本発明の一つの態様の圧電発振器によれば、基板部と、基板部の第1の主面に設けられた圧電振動素子搭載パッドと、基板部の第2の主面に設けられた複数のIC素子接続パッドと、基板部内に設けられたシールド層とを備えた圧電発振器用基板と、圧電発振器用基板の圧電振動素子搭載パッドに搭載された圧電振動素子と、圧電発振器用基板に搭載されており、複数のIC素子接続パッドに電気的に接続されたIC素子と、を備え、シールド層が、複数のIC素子接続パッドのうちIC素子の出力端子に電気的に接続される出力パッドを覆っており、かつ複数のIC素子接続パッドのうち圧電振動素子搭載パッドに電気的に接続された入力パッドを覆っておらず、圧電振動素子からIC素子に入力される信号、または、IC素子から出力される信号が伝送されている内部配線を覆っていないことを特徴とする。   According to the piezoelectric oscillator of one aspect of the present invention, a substrate portion, a piezoelectric vibration element mounting pad provided on the first main surface of the substrate portion, and a plurality of pads provided on the second main surface of the substrate portion. A piezoelectric oscillator substrate having an IC element connection pad and a shield layer provided in the substrate portion, a piezoelectric vibration element mounted on a piezoelectric vibration element mounting pad of the piezoelectric oscillator substrate, and a piezoelectric oscillator substrate And an IC element electrically connected to the plurality of IC element connection pads, and the shield layer includes an output pad electrically connected to the output terminal of the IC element among the plurality of IC element connection pads. A signal input to the IC element from the piezoelectric vibration element or from the IC element does not cover the input pad electrically connected to the piezoelectric vibration element mounting pad among the plurality of IC element connection pads. Output Characterized in that that signal does not cover the internal wiring being transmitted.

本発明の一つの態様による圧電発振器は、上記構成の圧電発振器用基板を含んでいることによって、IC素子からの出力信号の変動を低減させつつ圧電振動素子の出力周波数の変動を低減させることによって、出力信号の特性を向上させることができる。   The piezoelectric oscillator according to one aspect of the present invention includes the piezoelectric oscillator substrate having the above-described configuration, thereby reducing fluctuations in the output frequency of the piezoelectric vibration element while reducing fluctuations in the output signal from the IC element. The characteristics of the output signal can be improved.

本発明の第1の実施形態における圧電発振器を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the piezoelectric oscillator in the 1st Embodiment of this invention. (a)は図1に示された圧電発振器のA−Aにおける縦断面図であり、(b)は図1に示された圧電発振器における凹部樹脂材を取り除いた状態の透視下面図であり、(c)は図1に示された基板部内に設けられたシールド層等を示す平面透視図である。(A) is a longitudinal sectional view taken along the line AA of the piezoelectric oscillator shown in FIG. 1, and (b) is a transparent bottom view of the piezoelectric oscillator shown in FIG. FIG. 2C is a plan perspective view showing a shield layer and the like provided in the substrate portion shown in FIG. 図1に示された圧電発振器の変形例を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the modification of the piezoelectric oscillator shown by FIG. (a)は本発明の第2の実施形態における圧電発振器の縦断面図であり、(b)は(a)に示された圧電発振器における凹部樹脂材を取り除いた状態の透視下面図であり、(c)は(a)に示された基板部内に設けられたシールド層等を示す平面透視図である。(A) is a longitudinal cross-sectional view of the piezoelectric oscillator in the second embodiment of the present invention, (b) is a transparent bottom view of the piezoelectric oscillator shown in (a) in a state in which the concave resin material is removed, (C) is a plane perspective view showing a shield layer and the like provided in the substrate part shown in (a). 図4に示された圧電発振器の変形例を示す縦断面図である。FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing a modification of the piezoelectric oscillator shown in FIG. 4.

本発明のいくつかの例示的な実施形態について図面を参照して説明する。   Several exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

(第1の実施形態)
図1および図2(a)〜(c)に示されているように、本発明の第1の実施形態における圧電発振器100は、圧電発振器用基板10と、圧電発振器用基板10の第1の主面の凹部内側に設けられており導電性接着剤40によって圧電発振器用基板10に搭載された圧電振動素子22と、圧電発振器用基板10の第2の主面の凹部内側に設けられており固定部材50によって圧電発振器用基板10に搭載されたIC素子30とを含んでいる。また、圧電発振器用基板10の第1の主面の凹部は、蓋部材24によって塞がれており、圧電発振器用基板10の第2の主面の凹部は、樹脂材60によって満たされている。
(First embodiment)
As shown in FIG. 1 and FIGS. 2A to 2C, the piezoelectric oscillator 100 according to the first embodiment of the present invention includes a piezoelectric oscillator substrate 10 and a first of the piezoelectric oscillator substrate 10. The piezoelectric vibration element 22 mounted on the piezoelectric oscillator substrate 10 by the conductive adhesive 40 and the second main surface of the piezoelectric oscillator substrate 10 is provided inside the recess. The IC element 30 mounted on the piezoelectric oscillator substrate 10 by the fixing member 50 is included. Further, the concave portion of the first main surface of the piezoelectric oscillator substrate 10 is closed by the lid member 24, and the concave portion of the second main surface of the piezoelectric oscillator substrate 10 is filled with the resin material 60. .

圧電発振器用基板10は、基板部11と、基板部11の第1の主面に設けられた第1枠部12aと、基板部11の第2の主面に設けられた第2枠部12bと、基板部11の第1の主面において第1枠部12aの内側の領域に設けられた複数の圧電振動素子搭載パッド13とを含んでいる。   The piezoelectric oscillator substrate 10 includes a substrate portion 11, a first frame portion 12 a provided on the first main surface of the substrate portion 11, and a second frame portion 12 b provided on the second main surface of the substrate portion 11. And a plurality of piezoelectric vibration element mounting pads 13 provided in a region inside the first frame portion 12 a on the first main surface of the substrate portion 11.

基板部11は、例えばアルミナ等のセラミック材料を複数枚重ねて形成されており、基板部11内にシールド層15と内部配線18が設けられている。   The substrate unit 11 is formed by stacking a plurality of ceramic materials such as alumina, for example, and a shield layer 15 and an internal wiring 18 are provided in the substrate unit 11.

第1枠部12aは、基板部11と同様にアルミナ等のセラミック材料からなり、基板部11の第1の主面に設けられており、基板部11とともに凹部を形成している。   The first frame portion 12 a is made of a ceramic material such as alumina similarly to the substrate portion 11, is provided on the first main surface of the substrate portion 11, and forms a recess together with the substrate portion 11.

第2枠部12bは、基板部11と同様にアルミナ等のセラミック材料からなり、基板部11の第2の主面に設けられており、基板部11とともに凹部を形成している。   The second frame portion 12 b is made of a ceramic material such as alumina similarly to the substrate portion 11, is provided on the second main surface of the substrate portion 11, and forms a recess together with the substrate portion 11.

圧電振動素子搭載パッド13は、例えば導電効率の良い導電用材料よりなり、基板部11の内部配線18と電気的に接続されている。また、圧電振動素子搭載パッド13は、表面上に金めっきされている。   The piezoelectric vibration element mounting pad 13 is made of, for example, a conductive material having high conductive efficiency, and is electrically connected to the internal wiring 18 of the substrate unit 11. The piezoelectric vibration element mounting pad 13 is gold-plated on the surface.

シールド層15は、基板部11の内部配線18と同様の材料よりなり、例えば基板部11はGND端子17と電気的に接続されている。また、シールド層15は、複数のIC素子接続パッド16のうちIC素子の出力端子に電気的に接続される出力パッド16aを覆っており、かつ複数のIC素子接続パッド16のうち圧電振動素子搭載パッド13に電気的に接続された入力パッド16cを覆っていない。図1および図2に示された例において、シールド層15は、複数のIC素子接続パッド16のうち出力パッド16aだけを覆っているように配置されている。なお、複数のIC素子接続パッド16のうちいくつかのパッドに関しては、16aおよび16c等のように符号16の後にアルファベットを付して示している。   The shield layer 15 is made of the same material as the internal wiring 18 of the substrate unit 11. For example, the substrate unit 11 is electrically connected to the GND terminal 17. The shield layer 15 covers the output pad 16a that is electrically connected to the output terminal of the IC element among the plurality of IC element connection pads 16, and the piezoelectric vibration element is mounted among the plurality of IC element connection pads 16. The input pad 16c electrically connected to the pad 13 is not covered. In the example shown in FIGS. 1 and 2, the shield layer 15 is arranged so as to cover only the output pad 16 a among the plurality of IC element connection pads 16. Note that some of the plurality of IC element connection pads 16 are indicated by an alphabet after the reference numeral 16 such as 16a and 16c.

IC素子接続パッド16は、例えば導電効率の良い導電用材料よりなり、金属系の導電性接合剤を介してIC素子30に電気的に接続されている。   The IC element connection pad 16 is made of, for example, a conductive material having high conductivity efficiency, and is electrically connected to the IC element 30 via a metal-based conductive bonding agent.

圧電振動素子22は、例えば平板状の圧電基板21と、圧電基板21の上面および下面に設けられた励振電極23aおよび23bとを備えている。   The piezoelectric vibration element 22 includes, for example, a plate-shaped piezoelectric substrate 21 and excitation electrodes 23 a and 23 b provided on the upper and lower surfaces of the piezoelectric substrate 21.

蓋部材24は、例えば金属材料よりなり、四角形の板形状を有している。   The lid member 24 is made of, for example, a metal material and has a rectangular plate shape.

IC素子30は、圧電振動素子22より得られる周波数を制御することにより安定した周波数を出力する発信回路を形成している1チップ型ICである。また、IC素子30は、アレイ状に並んだバンプ16bが形成されており、例えば金バンプの場合は、導電性接着剤40を介してIC素子接続パッド16に電気的に接続される。また、例えば半田バンプの場合は、半田を介してIC素子接続パッド16に電気的に接続される。   The IC element 30 is a one-chip IC that forms a transmission circuit that outputs a stable frequency by controlling the frequency obtained from the piezoelectric vibration element 22. The IC element 30 is formed with bumps 16b arranged in an array. For example, in the case of a gold bump, the IC element 30 is electrically connected to the IC element connection pad 16 via the conductive adhesive 40. For example, in the case of a solder bump, it is electrically connected to the IC element connection pad 16 via solder.

本実施形態における圧電発振器用基板10は、基板部11に設けられたシールド層15を備えており、シールド層15によって複数のIC素子接続パッド16のうち出力パッド16aを覆っており、かつ入力パッド16cを覆っていないことによって、圧電振動素子22から出力パッド16aにノイズが入り込むことが低減されており、シールド層15と入力パッド16cの間に付加される容量が低減されている。したがって、本実施形態における圧電発振器用基板10は、出力パッド16aにノイズが入り込むことが低減されており、かつ圧電振動素子22の振動特性に関しても向上されている。   The piezoelectric oscillator substrate 10 in the present embodiment includes a shield layer 15 provided on the substrate unit 11, and the shield layer 15 covers the output pad 16 a among the plurality of IC element connection pads 16, and the input pad. By not covering 16c, noises from the piezoelectric vibration element 22 to the output pad 16a are reduced, and the capacitance added between the shield layer 15 and the input pad 16c is reduced. Therefore, the piezoelectric oscillator substrate 10 according to the present embodiment is reduced in noise from entering the output pad 16a, and the vibration characteristics of the piezoelectric vibration element 22 are improved.

本実施形態における圧電発振器100は、上述の圧電発振器用基板10と、圧電発振器用基板10の圧電振動素子搭載パッド13に搭載された圧電振動素子22と、圧電発振器用基板10に搭載されておりIC素子接続パッド16に電気的に接続されたIC素子30とを含んでいることによって、IC素子30からの出力信号の変動を低減させつつ圧電振動素子22の出力周波数の変動を低減させることによって、圧電発振器100の出力信号の特性を向上させることができる。   The piezoelectric oscillator 100 according to the present embodiment is mounted on the above-described piezoelectric oscillator substrate 10, the piezoelectric vibration element 22 mounted on the piezoelectric vibration element mounting pad 13 of the piezoelectric oscillator substrate 10, and the piezoelectric oscillator substrate 10. By including the IC element 30 electrically connected to the IC element connection pad 16, the fluctuation of the output frequency of the piezoelectric vibration element 22 is reduced while the fluctuation of the output signal from the IC element 30 is reduced. The characteristics of the output signal of the piezoelectric oscillator 100 can be improved.

また、本実施形態における基板部11のシールド層15の構造であれば、図3に示されているように、基板部11に圧電振動子20が接合されている構造であってもよい。このような構造であっても、シールド層15と入力パッド16cの間に付加される容量が低減されているとともに、圧電振動素子22から出力パッド16aにのるノイズ量を低減させることができる。   Further, if the structure of the shield layer 15 of the substrate unit 11 in the present embodiment is used, a structure in which the piezoelectric vibrator 20 is bonded to the substrate unit 11 as shown in FIG. 3 may be used. Even with such a structure, the capacitance added between the shield layer 15 and the input pad 16c is reduced, and the amount of noise from the piezoelectric vibration element 22 to the output pad 16a can be reduced.

(第2の実施形態)
本発明の第2の実施形態における圧電発振器200について図4(a)〜(c)を参照して説明する。本実施形態における圧電発振器200において、第1の実施形態における圧電発振器100と異なる構成は、シールド層215が圧電発振器用基板210の内部配線18を覆っていない構成とIC素子搭載パッド16とIC素子30との接続方法である。その他の構成については、第1の実施形態における圧電発振器100と同様である。
(Second Embodiment)
A piezoelectric oscillator 200 according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the piezoelectric oscillator 200 in the present embodiment, the configuration different from the piezoelectric oscillator 100 in the first embodiment is that the shield layer 215 does not cover the internal wiring 18 of the piezoelectric oscillator substrate 210, the IC element mounting pad 16, and the IC element. 30 is a connection method. About another structure, it is the same as that of the piezoelectric oscillator 100 in 1st Embodiment.

本実施形態におけるIC素子接続パッド16は、例えば導電効率の良い導電用材料よりなり、ワイヤを介してIC素子30に電気的に接続されている。   The IC element connection pad 16 in the present embodiment is made of, for example, a conductive material having high conductivity efficiency, and is electrically connected to the IC element 30 through a wire.

本実施形態における圧電発振器用基板210は、基板部11に設けられたシールド層215を備えており、シールド層215が圧電発振器用基板210の内部配線18を覆っていないことによって、シールド層215と内部配線18との間に付加される容量が低減されることとなる。したがって、また、シールド層215と内部配線18との間の容量が低減されることにより、圧電発振器用基板210が持っている浮遊容量が減少するため圧電振動素子22の振動特性に関して向上されている。なお、内部配線18は、例えば、圧電振動素子22からIC素子30に入力される信号、または、IC素子30から出力される信号が伝送されるものである。   The piezoelectric oscillator substrate 210 in the present embodiment includes a shield layer 215 provided on the substrate portion 11, and the shield layer 215 does not cover the internal wiring 18 of the piezoelectric oscillator substrate 210. The capacitance added between the internal wiring 18 is reduced. Accordingly, since the capacitance between the shield layer 215 and the internal wiring 18 is reduced, the stray capacitance of the piezoelectric oscillator substrate 210 is reduced, so that the vibration characteristics of the piezoelectric vibration element 22 are improved. . The internal wiring 18 transmits, for example, a signal input from the piezoelectric vibration element 22 to the IC element 30 or a signal output from the IC element 30.

なお、本実施形態の圧電発振器用基板210においては、シールド層215が、複数のIC素子接続用パッド16のうち入力パッド16c以外の全てを覆っていることによって、出力パッド16aにノイズが入り込むことが低減されている。したがって、本実施形態の圧電発振器用基板210においては、複数のIC素子接続用パッド16に対するノイズが低減されている。   In the piezoelectric oscillator substrate 210 of the present embodiment, the shield layer 215 covers all of the plurality of IC element connection pads 16 except the input pad 16c, so that noise enters the output pad 16a. Has been reduced. Therefore, in the piezoelectric oscillator substrate 210 of the present embodiment, noise with respect to the plurality of IC element connection pads 16 is reduced.

また、図4(a)〜(c)に示された例では、シールド層215によって複数のIC素子接続パッド16のうち出力パッド16aのみならず出力ワイヤ16bも覆っている。このような場合、シールド層215は、外部から影響を比較的受けやすい出力ワイヤ16bを覆っているので、さらに圧電振動素子22から出力パッド16aにノイズが入り込むことが低減されている。   In the example shown in FIGS. 4A to 4C, the shield layer 215 covers not only the output pad 16a but also the output wire 16b among the plurality of IC element connection pads 16. In such a case, since the shield layer 215 covers the output wire 16b that is relatively susceptible to the influence from the outside, the noise from the piezoelectric vibration element 22 to the output pad 16a is further reduced.

本実施形態における圧電発振器200は、上述の圧電発振器用基板210と、圧電発振器用基板210の圧電振動素子搭載パッド13に搭載された圧電振動素子22と、圧電発振器用基板210に搭載されており複数のIC素子接続パッド16に電気的に接続されたIC素子30とを含んでいることによって、IC素子30からの出力信号の変動を低減させつつ圧電振動素子22の出力周波数の変動を低減させることができる。よって、圧電発振器200の出力信号の特性を向上させることができる。   The piezoelectric oscillator 200 in this embodiment is mounted on the above-described piezoelectric oscillator substrate 210, the piezoelectric vibration element 22 mounted on the piezoelectric vibration element mounting pad 13 of the piezoelectric oscillator substrate 210, and the piezoelectric oscillator substrate 210. By including the IC element 30 electrically connected to the plurality of IC element connection pads 16, the fluctuation of the output frequency of the piezoelectric vibration element 22 is reduced while the fluctuation of the output signal from the IC element 30 is reduced. be able to. Therefore, the characteristics of the output signal of the piezoelectric oscillator 200 can be improved.

また、本実施形態における基板部11のシールド層215の構造であれば、図5に示されているように、基板部11に圧電振動子20が接合されている構造であってもよい。このような構造であっても、IC素子30からの出力信号の変動を低減させつつ圧電振動素子22の出力周波数の変動を低減させることができる。よって、圧電発振器200の出力信号の特性を向上させることができる。   In addition, as long as the shield layer 215 of the substrate unit 11 in the present embodiment has a structure, a structure in which the piezoelectric vibrator 20 is bonded to the substrate unit 11 as shown in FIG. Even with such a structure, fluctuations in the output frequency of the piezoelectric vibration element 22 can be reduced while reducing fluctuations in the output signal from the IC element 30. Therefore, the characteristics of the output signal of the piezoelectric oscillator 200 can be improved.

(変形例)
以下、本発明の第1の実施形態および本発明の第2の実施形態におけるシールド層15およびシールド層215の変形例として説明する。
(Modification)
Hereinafter, a description will be given of modifications of the shield layer 15 and the shield layer 215 in the first embodiment and the second embodiment of the present invention.

本発明の第1の実施形態および本発明の第2の実施形態におけるシールド層15およびシールド層215は、それぞれ基板部11の内部配線18を介してGND端子17と電気的に接続されているが、GND端子17に接続されているのではなくプルダウン抵抗処理されたIC素子30のインターフェース端子に接続されていてもよい。プルダウン抵抗処理されたIC素子30のインターフェース端子は、信号の入出力がない場合にローレベルの電圧になるためGND端子17と電気的に接続された状態と同等となる。つまり、IC素子30のインターフェース端子は、圧電発振器100および圧電発振器200を製造する時にIC素子30にデータを書き込むために使われるものであり、圧電発振器100および圧電発振器200の製造後は、IC素子30にデータを書き込むことがないため通常プルダウン抵抗処理されている。したがって、本発明の第1の実施形態および本発明の第2の実施形態における変形例のシールド層15およびシールド層215は、シールド層15およびシールド層215からGND端子17までの内部配線が必要でなくなるとともに、圧電発振器用基板10および圧電発振器用基板210の積層数を減らすことができる。そのため、本発明の第1の実施形態および本発明の第2の実施形態における圧電発振器100および圧電発振器200は、発振感度を低減させることなく周波数特性に関して向上されているとともに圧電発振器100および圧電発振器200の低背化が実現できる。   Although the shield layer 15 and the shield layer 215 in the first embodiment of the present invention and the second embodiment of the present invention are electrically connected to the GND terminal 17 through the internal wiring 18 of the substrate part 11, respectively. Instead of being connected to the GND terminal 17, it may be connected to the interface terminal of the IC element 30 subjected to pull-down resistance processing. The interface terminal of the IC element 30 that has been subjected to pull-down resistance processing has a low level voltage when there is no signal input / output, and thus is equivalent to a state of being electrically connected to the GND terminal 17. That is, the interface terminal of the IC element 30 is used to write data to the IC element 30 when manufacturing the piezoelectric oscillator 100 and the piezoelectric oscillator 200. After manufacturing the piezoelectric oscillator 100 and the piezoelectric oscillator 200, the IC element 30 Since no data is written in the memory 30, a pull-down resistance process is usually performed. Therefore, the shield layer 15 and the shield layer 215 of the modified example in the first embodiment of the present invention and the second embodiment of the present invention require internal wiring from the shield layer 15 and the shield layer 215 to the GND terminal 17. In addition, the number of stacked layers of the piezoelectric oscillator substrate 10 and the piezoelectric oscillator substrate 210 can be reduced. Therefore, the piezoelectric oscillator 100 and the piezoelectric oscillator 200 in the first embodiment and the second embodiment of the present invention are improved in terms of frequency characteristics without reducing the oscillation sensitivity, and the piezoelectric oscillator 100 and the piezoelectric oscillator. A reduction in height of 200 can be realized.

100,200 圧電発振器
10,210 圧電発振器用基板
11 基板部
12a 第1枠部
12b 第2枠部
13 圧電振動素子搭載パッド
14 固定ランド
15,215 シールド層
16 IC素子接続パッド
16a 出力パッド
16b 出力ワイヤまたは出力バンプ
16c 入力パッド
17 GND端子
18 内部配線
20 圧電振動子
21 圧電基板
22 圧電振動素子
23a,23b 励振電極
24 蓋部材
30 IC素子
40 導電性接着剤
50 固定部材
60 樹脂材
100,200 Piezoelectric oscillator
10,210 Piezoelectric oscillator substrate
11 Board part
12a First frame
12b Second frame
13 Piezoelectric vibration element mounting pad
14 fixed land
15,215 Shield layer
16 IC element connection pad
16a output pad
16b Output wire or output bump
16c input pad
17 GND terminal
18 Internal wiring
20 Piezoelectric vibrator
21 Piezoelectric substrate
22 Piezoelectric vibration element
23a, 23b Excitation electrode
24 Lid member
30 IC elements
40 conductive adhesive
50 Fixing member
60 resin material

Claims (3)

基板部と、前記基板部の第1の主面に設けられた圧電振動素子搭載パッドと、前記基板部の第2の主面に設けられた複数のIC素子接続パッドと、前記基板部内に設けられたシールド層とを備えた圧電発振器用基板と、
前記圧電発振器用基板の前記圧電振動素子搭載パッドに搭載された圧電振動素子と、
前記圧電発振器用基板に搭載されており、前記複数のIC素子接続パッドに電気的に接続されたIC素子と、を備え、
前記シールド層が、前記複数のIC素子接続パッドのうちIC素子の出力端子に電気的に接続される出力パッドを覆っており、かつ前記複数のIC素子接続パッドのうち前記圧電振動素子搭載パッドに電気的に接続された入力パッドを覆っておらず、

前記圧電振動素子から前記IC素子に入力される信号、または、前記IC素子から出力される信号が伝送されている内部配線を覆っていないことを特徴とする圧電発振器。
A substrate portion, a piezoelectric vibration element mounting pad provided on the first main surface of the substrate portion, a plurality of IC element connection pads provided on the second main surface of the substrate portion, and provided in the substrate portion A piezoelectric oscillator substrate having a shield layer formed thereon;
A piezoelectric vibration element mounted on the piezoelectric vibration element mounting pad of the piezoelectric oscillator substrate;
An IC element mounted on the piezoelectric oscillator substrate and electrically connected to the plurality of IC element connection pads;
The shield layer covers an output pad electrically connected to an output terminal of the IC element among the plurality of IC element connection pads, and the piezoelectric vibration element mounting pad among the plurality of IC element connection pads. Does not cover the electrically connected input pads,

A piezoelectric oscillator characterized by not covering an internal wiring through which a signal input from the piezoelectric vibration element to the IC element or a signal output from the IC element is transmitted.
前記IC素子が、複数のボンディングワイヤによって前記複数のIC素子接続パッドに電気的に接続されており、
前記シールド層が、前記複数のボンディングワイヤのうち前記出力パッドに接続された出力ワイヤを覆っていることを特徴とする請求項1に記載の圧電発振器。
The IC element is electrically connected to the plurality of IC element connection pads by a plurality of bonding wires;
2. The piezoelectric oscillator according to claim 1, wherein the shield layer covers an output wire connected to the output pad among the plurality of bonding wires.
前記シールド層が、プルダウン抵抗処理された前記IC素子のインターフェース端子と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1記載の圧電発振器。   2. The piezoelectric oscillator according to claim 1, wherein the shield layer is electrically connected to an interface terminal of the IC element subjected to pull-down resistance processing.
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