JP5951659B2 - 保護のために表面を処理する方法 - Google Patents

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関連出願に対する相互参照
本出願は、２００５年６月２日に提出した米国仮特許出願第６０／６８６７９２号による優先権を主張し、その全記載内容を本明細書の記載として援用する。

本発明は、広義の概念で云えば、保護のために金属保護層で基板の処理を行う方法に係り、具体的に云うと、金属基板表面の劣化を防ぐための保護層に関するものである。

反応器系中の化学試薬は、反応器金属に不利な副次効果をもたらすことが多い。炉管、反応容器、または反応器内部構造物のような、反応器系の種々の部品の金属基板上への薬品侵食が浸炭、金属ダスティング、ハロゲン化物応力腐食割れ、および／またはカーボン付着と言う劣化プロセスを生じるかも知れない。

「浸炭」とは、反応器系の種々の部品の基板中への炭素の注入を指す。すると炭素は、基板の粒界に存在することができる。基板の浸炭は、脆化、金属ダスティング、または部品の機械的性質の喪失を生じることがある。「金属ダスティング」は、基板の表面から金属微粒子を発生する結果になる。「カーボン付着」とは、炭化水素の本質的に元素状炭素への分解を伴う複数のプロセスを指す。ハロゲン化物応力腐食割れは、オーステナイトステンレス鋼が水性ハロゲン化物と接触するときに起ることがあり、亀裂が合金の端から端まで伝播するという独特の種類の腐食を示す。これらの劣化プロセスは、単独にまたは組合わさって全て、生産性および設備の両方の点でかなりの経済的損失を生じることがある。

石油化学産業では、化学試薬および炭化水素変換システムの中にある炭化水素が炭化水素変換システムの基板およびその中に含まれる種々の部品を侵食することがある。「炭化水素変換システム」は、とりわけ、異性化システム、接触改質システム、接触分解システム、熱分解システムおよびアルキル化システムを含む。

「接触改質システム」とは、芳香族化合物に富んだ製品（即ち、芳香族成分が原料より多い製品）を提供するために炭化水素原料を処理するためのシステムを指す。典型的には、炭化水素原料の一つ以上の成分が芳香族化合物を作るために一つ以上の改質反応を受ける。接触改質中、大部分は線形の炭化水素／水素原料ガス混合気を高温の貴金属触媒の上に通す。これらの高温で、炭化水素および化学試薬は、反応器系部品の基板と反応してコークスを作ることがある。コークスが成長を続けて基板の空洞になるので、炭化水素の流れおよび反応器系の部品を横切る熱の伝達を妨害する。時には、コークスが結局基板から逃出して下流の装置に損傷を生じおよび下流のスクリーン、触媒床、処理装置床、および交換器で流れを制限する。触媒コークスが離れるとき、原子サイズの微細な金属片が基板から除去されてピットを作るかも知れない。結局、これらのピットは、成長して炭化水素変換システムおよび中に含まれる部品の表面を修理または交換が必要になるまで侵食するだろう。

伝統的に、改質反応器系の中の炭化水素原料は、硫黄を含み、それは浸炭、カーボン付着および金属ダスティングのような劣化プロセスの抑制剤である。しかし、接触改質プロセスで使うために開発されたゼオライト系触媒は、硫黄による不活性化にかかりやすい。それで、これらの触媒を使うシステムは、先に議論したもののような劣化性プロセスの割合を増すことによって基板金属に負に影響する低硫黄環境で運転しなければならない。

接触改質装置のような、炭化水素変換システムでの劣化を抑制するための代替方法は、炭化水素原料および化学試薬に耐性のある材料で基板表面上に保護層を作ることを伴う。これらの材料は、「金属保護層」（ＭＰＬ）と呼ぶ抵抗層を作る。種々の金属保護層およびそれを設ける方法は、米国特許第６５４８０３０号、第５４０６０１４号、第５６７４３７６号、第５６７６８２１号、第６４１９９８６号、第６５５１６６０号、第５４１３７００号、第５５９３５７１号、第５８０７８４２号および第５８４９９６９号に開示してあり、それらの各々の全記載内容を本明細書の記載として援用する。

ＭＰＬは、基板表面上に少なくとも一つの金属の層を設けることによって作って、被着金属層（ＡＭＬ）を作ってもよい。ＡＭＬは、ＭＰＬを作るための必要に応じて更に処理しまたは高温で硬化させてもよい。ＭＰＬの組成に加えて均一性および厚さも反応器系劣化を抑制する能力で重要な要因である。反応器系基板表面を被覆してその上にＭＬＰを作るための現在のプロセスは、反応器系の運転停止を必要とする。ＡＭＬを作るために基板表面を被覆するためおよびＭＰＬを作るためにＡＭＬを硬化するために必要な時間を最小化することは、運転停止に関連する出費を最小化するだろう。

米国特許第６５４８０３０号 米国特許第５４０６０１４号 米国特許第５６７４３７６号 米国特許第５６７６８２１号 米国特許第６４１９９８６号 米国特許第６５５１６６０号 米国特許第５４１３７００号 米国特許第５５９３５７１号 米国特許第５８０７８４２号 米国特許第５８４９９６９号 米国特許第３２１６７８９号 米国特許第３１３０００７号 米国特許第２８８２２４４号

前記の問題が与えられれば、浸炭、ハロゲン化物応力腐食割れ、金属ダスティング（浸炭による金属の腐食現象）、および／または、カーボン付着のような劣化プロセスに対する反応器系の抵抗力を増大させる方法を開発することが望ましいだろう。反応器系の運転停止に関連するコストを減らす、反応器系基板上にＭＰＬを形成するための方法論を開発することも望ましいだろう。最後に、反応器系の劣化した部品を改良または修理するための方法論を開発することが望ましいだろう。

ここで開示するのは、基板を処理する方法で、基板に少なくとも一つの金属の層を付けて基板上に「被着金属層」（ＡＭＬ）を形成し、続いてＡＭＬを大気圧以下の圧力で硬化させて基板上に金属保護層（ＭＰＬ）を作る工程を含む方法である。ＭＰＬは、必要に応じて更に変化促進および捕捉プロセスによって処理してもよい。この圧力は、硬化プロセス中約９７ｋＰａ〜約０．１３Ｐａの圧力でもよい。ＡＭＬは、塗料、被覆、メッキ、貼り合せ、または当業者に知られるその他の方法として付けてもよい。ＡＭＬは、錫、アンチモン、ゲルマニウム、ビスマス、珪素、クロム、黄銅、鉛、水銀、砒素、インジウム、テルル、セレン、タリウム、銅、金属間合金、または、それらの組合せを含んでもよい。ＡＭＬの厚さは約２５μｍ〜約２．５ｍｍでもよい。硬化後のＡＭＬの厚さは、約１μｍ〜約１５０μｍであってよい。基板は、鉄、ニッケル、クロム、または、それらの組合せを含むことができる。ＡＭＬは、還元環境で硬化させてＭＰＬを作ってもよい。ＭＰＬは、必要に応じて、この層を基板に係留する中間接合層を含んでもよい。或る場合には、接合層がニッケル枯渇接合層でもよい。他の場合には、接合層が錫化合物層の含有物を含んでもよい。

更に本明細書に開示するのは、基板を処理する方法であって、少なくとも一つの金属の層を、構造体の未組立て部品の基板に付与して未組立て部品の基板上にＡＭＬを形成し、続いて、未組立て部品の基板上のＡＭＬを硬化させて基板上にＭＰＬを形成する工程を含む方法である。ＭＰＬは、必要に応じて変化促進および捕捉プロセスによって更に処理してもよい。未組立て部品は、反応器系の部品でもよい。金属層の被着、ＡＭＬの硬化、またはその両方を構造体の最終組立現場以外の場所で行ってもよい。未組立て部品は、ＡＭＬの被着、続く、ＡＭＬのＭＰＬへの硬化、変化促進および捕捉プロセス等を含むが、それに限らず、本明細書で説明した個々の工程の何れかの前または後に運んでもよい。未組立て部品は、金属層の被着およびＡＭＬの硬化の前に組立てた構造体から除去してもよい。未組立て部品は、組立てた構造体用の修理または交換部品であってもよい。ＡＭＬの硬化は、例えば、約９７ｋＰａ〜約０．１３Ｐａの大気圧以下で行ってもよい。少なくとも一つの金属層を未組立て反応器系部品の基板に設ける工程は、金属層を反応器系の組立てた類似部品に設ける、他の点では同じ方法に比べて、反応器系休止時間を少ししか要しないかもしれない。

更に本明細書に開示するのは、基板を処理する方法で、少なくとも一つの金属の層を基板に付与して基板上にＡＭＬを形成し、続いてＡＭＬを第１温度および第１圧力で第１期間の間硬化し、並びにＡＭＬを第２温度および第２圧力で第２期間の間硬化する工程を含み、硬化工程が基板上にＭＰＬを作る方法である。ＭＰＬは、必要に応じて変化促進および捕捉プロセスによって更に処理してもよい。第１温度は、約３１６°Ｃ〜約７６０°Ｃでもよくおよび第１圧力は、約１４８０ｋＰａ〜約０．１３Ｐａでもよい。第２温度は、約３１６°Ｃ〜約７６０°Ｃでもよくおよび第２圧力は、約１４８０ｋＰａ〜約０．１３Ｐａででもよい。第１圧力、第２圧力または両方が大気圧以下でもよい。基板は、構造体の未組立て部品でもよくおよび未組立て処理した部品を構造体に組込む前にＡＭＬを硬化させてＭＰＬを作ってもよい。

更に本明細書に開示するのは、基板を処理する方法で、少なくとも一つの金属層を基板に付与して基板上にＡＭＬを形成し、続いてＡＭＬを約６４９°Ｃを超える温度で硬化させて基板上にＭＰＬを作る工程を含み、ＡＭＬが錫酸化物、分解可能錫化合物、および錫金属粉を含む方法である。ＭＰＬは、必要に応じて変化促進および捕捉プロセスによって更に処理してもよい。被着金属層は、約６４９°Ｃ〜約７６０°Ｃの温度および約大気圧以下〜約２１７２ｋＰａの圧力で硬化させてもよい。金属保護層は、ニッケル枯渇接合層を介して基板に接合してもよい。接合層は、厚さが約１〜約１００μｍでもよい。金属保護層は、錫化合物を含んでもよくおよび厚さが約０．２５μｍ〜約１００μｍでもよい。基板は、構造体の未組立て部品でもよくおよび未組立て部品をこの構造体に組込む前にこの被着金属層を硬化する。

更に本明細書に開示するのは、金属保護層で、基板と金属保護層の間に配置したニッケル枯渇接合層を含み、金属保護層は、少なくとも一つの金属層を基板に付与して基板上に被着金属層を形成し、被着金属層を硬化させて基板上に金属保護層を作る。このＭＰＬは、必要に応じて変化促進および捕捉プロセスによって更に処理してもよい。この被着金属層は、錫酸化物、分解可能錫化合物、および錫金属粉を含んでもよい。被着金属層は、約３１６°Ｃ〜約７６０°Ｃの温度および／または約２１７２ｋＰａ〜約０．０５Ｐａの圧力で硬化させてもよい。接合層は、錫化合物を含んでもよく、厚さが約１〜約１００μｍでもよい。接合層は、約１重量％〜約２０重量％の元素錫を含んでもよい。基板は、構造体の未組立て部品でもよくおよびこの未組立て部品を構造体に組込む前にこの被着金属層を硬化する。

更に本明細書に開示するのは、炭化水素変換システムで、それは少なくとも一つの炉；少なくとも一つの触媒反応器；および炭化水素を含むガス流を前記少なくとも一つの炉から前記少なくとも一つの触媒反応器へ通すために前記少なくとも一つの炉と前記少なくとも一つの触媒反応器の間に接続された少なくとも一つのパイプを含む。炭化水素変換システムの少なくとも一つの部品の、前記炭化水素に曝される基板が、少なくとも一つの金属の層を基板付与してＡＭＬを形成し、この部品を炭化水素変換システムに組込む前にこのＡＭＬを硬化させてＭＰＬを作る工程を含む方法によって調製したＭＰＬを含む。

炭化水素変換システムは、沢山の石油製品を生産するかも知れない。炭化水素変換システムは、炭化水素を非酸化的にまたは酸化的にオレフィンおよびジエンへ変換するかも知れない。炭化水素変換システムは、エチルベンゼンをスチレンへ脱水素化し、スチレンおよびエタンからエチルベンゼンを生産し、軽炭化水素を芳香族へ変換し、トルエンをベンゼンおよびキシレンへアルキル転位し、アルキル芳香族をそれほど置換されないアルキル芳香族へ脱アルキルし、水素および一酸化炭素からの燃料および化学薬品を生産し、炭化水素から水素および一酸化炭素の生産し、トルエンのメタノールによるアルキル化によってキシレンの生産し、またはその組合せを行う。種々の例で、石油化学製品は、制限なしに、スチレン、エチルベンゼン、ベンゼン、トルエン、キシレン、水素、一酸化炭素、および燃料を含む。幾つかの例では、石油化学製品が制限なしに、ベンゼン、トルエンおよびキシレンを含む。

炭化水素変換システムには、ハロゲン化物応力腐食割れ条件に曝されるオーステナイトステンレス鋼部品があるかも知れない。炭化水素変換システムの部品は、炉壁、炉管、炉ライナ、反応器スカラップ、反応器流れ分配器、中心パイプ、カバー板、熱交換器、またはそれらの組合せかも知れない。反応器は、接触改質反応器かも知れず、且つ更に硫黄に敏感な大気孔ゼオライト触媒を含むかも知れない。硫黄に敏感な、大気孔ゼオライト触媒は、少なくとも一つの第ＶＩＩＩ属金属を仕込んだ、アルカリまたはアルカリ性土類金属を含むかも知れない。この基板は、浸炭、酸化または硫化しているかも知れず且つ必要に応じてＡＭＬの生成前にクリーニングしてもよい。

ＡＭＬは、被覆、メッキ、貼り合せまたは塗装によって作ってもよい。その様な、被覆、メッキ、貼り合せまたは塗料は、錫を含んでもよい。例えば、被膜が分解可能金属酸化物、溶剤システム、微細に分割された金属、および金属酸化物を含んでもよい。微細に分割された金属は、粒子サイズが約１μｍ〜約２０μｍでもよい。

ＭＰＬは、浸炭、金属ダスティング、ハロゲン化物応力腐食割れ、および／またはカーボン付着に対する耐性を備える。ＭＰＬは、銅、錫、アンチモン、ゲルマニウム、ビスマス、珪素、クロム、黄銅、鉛、水銀、砒素、インジウム、テルル、セレン、タリウム、銅、金属間化合物、および、それらの合金、並びにその組合せからなるグループから選択した金属を含んでもよい。このＭＰＬは、基板と接触していてこの層を基板に係留する中間ニッケル枯渇接合層を含んでもよい。中間ニッケル枯渇接合層は、錫化合物含有物を含むかも知れず且つ、少なくとも一つの金属の層を基板に付与して基板上にＡＭＬを形成し、ＡＭＬを硬化させて基板上にＭＰＬを作ることによって作ってもよい。

また、本明細書は、以下の実施態様も開示している。

少なくとも一つの金属の層を基板に付与して前記基板上に被着金属層を作る工程および前記被着金属層を大気圧以下の圧力で硬化させて前記基板上に金属保護層を作る工程を含む基板の処理方法。

前記被着金属層を約９７ｋＰａ〜約０．１３Ｐａの圧力で硬化する、基板の処理方法。

前記被着金属層を約３１６°Ｃ〜約７６０°Ｃの温度で硬化する、基板の処理方法。

前記被着金属層が、錫、アンチモン、ビスマス、珪素、鉛、水銀、砒素、ゲルマニウム、インジウム、テルル、セレン、タリウム、銅、クロム、黄銅、金属間合金、またはその組合せを含む、基板の処理方法。

前記被着金属層の厚さが約２５μｍ〜約２．５ｍｍである、基板の処理方法。

前記被着金属層の厚さが約１μｍ〜約１５０μｍである、基板の処理方法。

前記被着金属層を還元環境で硬化する、基板の処理方法。

更に、前記金属保護層を変化促進剤と接触させる工程を含み、捕捉プロセスが続く、基板の処理方法。

前記金属保護層が更にニッケル枯渇接合層を含む基板の処理方法。

前記接合層が錫化合物を含む、基板の処理方法。

前記方法に於いて、前記接合層の厚さが約１〜約１００μｍである、基板の処理方法。

前記接合層が約１重量％〜約２０重量％の元素錫を含む、基板の処理方法。

少なくとも一つの金属の層を構造体の未組立て部品の前記基板に付与して前記基板上に被着金属層を作る工程に続いて前記被着金属層を硬化させて前記基板上に金属保護層を作る工程を含む基板の処理方法。

前記構造体の未組立て部品が反応器系の未組立て部品である、基板の処理方法。

少なくとも一つの金属の前記層の前記被着、前記被着金属の前記硬化、またはその両方を前記構造体の最終組立現場以外の場所で行う、基板の処理方法。

前記未組立て部品を、前記少なくとも一つの金属層を設ける前若しくは後；前記被着金属層を硬化する前若しくは後；または更に前記金属保護層を変化促進剤と接触させ捕捉プロセスが続く前若しくは後に運ぶ、基板の処理方法。

前記未組立て部品を、前記少なくとも一つの金属層を設ける前に組立てた構造体から除去する、基板の処理方法。

前記未組立て部品が組立てた構造体用の修理または交換部品である、基板の処理方法。

前記少なくとも一つの金属層を前記未組立て反応器系部品の前記基板に設ける前記工程が、前記少なくとも一つの金属層を前記反応器系の組立てた類似部品に設ける、他の点では同じ方法に比べて、反応器系休止時間を少ししか要しない、基板の処理方法。

更に、前記金属保護層を変化促進剤と接触させる工程を含み、捕捉プロセスが続く、基板の処理方法。

前記被着金属層を硬化する工程が大気圧以下の圧力で行われる、基板の処理方法。

前記金属保護層が更にニッケル枯渇接合層を含む、基板の処理方法。

前記接合層が錫化合物を含む、基板の処理方法。

前記接合層の厚さが約１〜約１００μｍである、基板の処理方法。

前記接合層が約１重量％〜約２０重量％の元素錫を含む、基板の処理方法。

少なくとも一つの金属の層を前記基板に付与して前記基板上に被着金属層を作る工程、前記被着金属層を第１温度および第１圧力で第１期間の間硬化する工程、並びに前記被着金属層を第２温度および第２圧力で第２期間の間硬化する工程を含み、前記硬化工程が前記基板上に金属保護層を作る基板の処理方法。

前記第１温度が約３１６°Ｃ〜約７６０°Ｃでありおよび前記第１圧力が約１４８０ｋＰａ〜約０．１３Ｐａである、基板の処理方法。

前記第２温度が約３１６°Ｃ〜約７６０°Ｃでありおよび前記第２圧力が約０．１３Ｐａ〜約１４８０ｋＰａである、基板の処理方法。

前記第１圧力、第２圧力または両方が大気圧以下である、基板の処理方法。

更に、前記金属保護層を変化促進剤と接触させる工程を含み、捕捉プロセスが続く、基板の処理方法。

前記基板が構造体の未組立て部品でありおよび前記未組立て部品を前記構造体に組込む前に前記被着金属層を硬化する、基板の処理方法。

前記金属保護層が更にニッケル枯渇接合層を含む、基板の処理方法。

前記接合層が錫化合物を含む、基板の処理方法。

前記接合層の厚さが約１〜約１００μｍである、基板の処理方法。

前記接合層が約１重量％〜約２０重量％の元素錫を含む、基板の処理方法。

少なくとも一つの金属の層を前記基板に付与して前記基板上に被着金属層を作る工程に続いて前記被着金属層を約６４９°Ｃを超える温度で硬化させて前記基板上に金属保護層を作る工程を含み、前記被着金属層が錫酸化物、分解可能錫化合物、および錫金属粉を含む基板の処理方法。

前記被着金属層を約６４９°Ｃ〜約７６０°Ｃの温度および約大気圧以下〜約２１７２ｋＰａの圧力で硬化する、基板の処理方法。

前記金属保護層が錫化合物を含む、基板の処理方法。

前記被着金属層の厚さが約２５μｍ〜約２．５ｍｍである、基板の処理方法。

更に、前記金属保護層を変化促進剤と接触させる工程を含み、捕捉プロセスが続く、基板の処理方法。

前記基板が構造体の未組立て部品でありおよび前記未組立て部品を前記構造体に組込む前に前記被着金属層を硬化する、基板の処理方法。

前記金属保護層が更にニッケル枯渇接合層を含む、基板の処理方法。

前記接合層が錫化合物を含む、基板の処理方法。

前記接合層の厚さが約１〜約１００μｍである、基板の処理方法。

前記接合層が約１重量％〜約２０重量％の元素錫を含む、基板の処理方法。

供給原料を反応器に挿入する工程；前記供給原料を前記反応器の中で触媒があるところで反応させる工程を含み；前記反応器が前記方法によって形成された金属保護層を含む石油化学製品の製造方法。

供給原料を反応器に挿入する工程；前記供給原料を前記反応器の中で触媒があるところで反応させる工程を含み；前記反応器が前記方法によって形成された金属保護層を含む石油化学製品の製造方法。

供給原料を反応器に挿入する工程；前記供給原料を前記反応器の中で触媒があるところで反応させる工程を含み；前記反応器が前記方法によって形成された金属保護層を含む石油化学製品の製造方法。

供給原料を反応器に挿入する工程；前記供給原料を前記反応器の中で触媒があるところで反応させる工程を含み；前記反応器が前記方法によって形成された金属保護層を含む石油化学製品の製造方法。

前記は、後続する開示の詳細な説明をより良く理解できるように、本発明の特徴および利点をかなり広く略述した。この開示の請求項の主題を形成する付加的特徴および利点を以下に説明する。当業者は、本発明の同じ目的を実施するための構成を修正しまたは他の構成を設計するための基礎としてこの概念および開示した特定の例を容易に利用できることを認識すべきである。当業者は、その様な同等の構成が添付の請求項に示すこの開示の精神および範囲から逸脱しないことも理解すべきである。

改質反応器系の説明図である。 例１０で作ったＭＰＬの後方散乱ＳＥＭ画像である。

種々の例で、保護金属を基板に付与してＡＭＬを形成し、それはこの基板用のＭＰＬを作るために後に硬化させてもよい。本明細書で用いる用語ＡＭＬは、一般的に、基板に設ける前および／または後であるが、還元、硬化等によるような、後の処理または化学的変換前の、保護材料の特性を指す。本明細書で用いるＭＰＬは、一般的にその様な被着後処理または化学的変換後の保護材料の特性を指す。言換えれば、ＡＭＬは、一般的に前駆保護材料を指し、一方ＭＰＬは、一般的に最終保護材料を指す。しかし、或る場合には、当業者に明白なように、ＡＭＬに関してＭＰＬにも当てはまる詳細を定めてもよく、または逆も同様である。例えば、ＡＭＬからＭＰＬへの処理により誘発された何等かの変化を仮定して、ＡＭＬの中に存在する、金属または金属化合物のような、或る化合物がＭＰＬの中または上にも存在するかも知れない。その様な場合を本明細書ではＡＭＬ／ＭＰＬという用語によって参照するかも知れない。

このＡＭＬ／ＭＰＬは、基板をハロゲン化物応力腐食割れ、カーボン付着、浸炭および／または金属ダスティングのような劣化プロセスに対して抵抗力があるようにできる一つ以上の保護材料を含むかも知れない。或る例では、基板に固着、粘着、またはその他の方法で接合した保護材料を含む保護層を作る。或る例では、この保護材料が金属または金属の組合せでもよい。或る例では、適する金属が接触改質のような炭化水素変換の条件下でカーバイドまたはカーボン付着の形成に抵抗力のある何れかの金属またはその組合せかも知れない。適当な金属または金属化合物の例には、制限なしに、錫；アンチモン；ビスマス；珪素；鉛；水銀；砒素；ゲルマニウム；インジウム；テルル；セレン；タリウム；銅；クロム；黄銅；金属間合金の化合物；またはその組合せがある。理論で拘束することは望まないが、ＡＭＬ／ＭＰＬに於ける種々の金属化合物の適合性は浸炭、ハロゲン化物応力腐食割れ、金属ダスティング、カーボン付着および／またはその他の劣化機構に対する抵抗力に従って選択および分類してもよいと考えられている。

ＡＭＬは、保護材料を基板上に堆積、メッキ、貼り合せ、被覆、塗装またはその他の方法で付着させるように配合してもよい。或る例では、ＡＭＬが被覆することを含み、それは更に適当な溶剤に懸濁または溶解した金属または金属の組合せを含む。本明細書で定義する溶剤は、別の物質を溶解または懸濁できる物質、通常液体であるがそれに限定されない。この溶剤は、このＡＭＬの他の成分と化学的に相溶性の液体または固体を含んでもよい。有効量の溶剤を固体成分に加えてこのＡＭＬが噴霧可能および／または塗布可能なような粘性にしてもよい。適当な溶剤には、制限なしにアルコール類、アルカン類、ケトン類、エステル類、二塩基性エステル類、またはその組合せがある。この溶剤は、メタノール、エタノール、１−プロパノール、１−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−１−プロパノール、ネオペンチルアルコール、イソプロピルアルコール、プロパノール、２−ブタノール、ブタンジオール類、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、メチルエチルケトン、その任意の組合せ、またはここに記載した任意の他の溶剤でもよい。

ＡＭＬは、更に、その特性を改良または変更するために、制限なしに増粘剤、結合剤または分散剤を含む、有効量の添加剤を含んでもよい。或る例では、増粘剤、結合剤または分散剤が単一化合物でもよい。理論で制限することは望まないが、増粘剤、結合剤または分散剤は、ＡＭＬの成分を溶剤中に分散し、沈殿に抗することによって安定な粘度を維持するように、ＡＭＬのレオロジー特性を修正するかも知れない。増粘剤、結合剤または分散剤を添加すると、基板に付与して流れまたは溜りに抗するとき、ＡＭＬの手触りを乾燥状態にするかも知れない。適当な増粘剤、結合剤または分散剤は、当業者に知れれている。或る例では、この増粘剤、結合剤または分散剤が金属酸化物である。

或る例では、ＡＭＬが有効量の水素分解可能金属化合物、微細に分割された金属、および溶剤を含む金属被膜でもよい。この水素分解可能金属化合物は、水素のあるところで滑らかな金属層に分解する、任意の有機金属化合物でもよい。幾つかの例では、この水素分解可能金属化合物が有機錫化合物、有機アンチモン化合物、有機ビスマス化合物、有機珪素化合物、有機鉛化合物、有機砒素化合物、有機ゲルマニウム化合物、有機インジウム化合物、有機テルル化合物、有機セレン化合物、有機銅化合物、有機クロム化合物、またはその組合せを含んでもよい。或る代替例では、この水素分解可能金属化合物が少なくとも一つのＭＲ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４のような有機金属化合物を含んでもよく、但しＭは錫、アンチモン、ビスマス、珪素、鉛、砒素、ゲルマニウム、インジウム、テルル、セレン、銅、または、クロム、および、各Ｒ^１〜４はメチルハライド、エチルハライド、プロピルハライド、ブチルハライド、ペンチルハライド、ヘキシルハライド、またはそれらの組合せである。別の例では、この水素分解可能金属化合物が１〜１５の炭素原子を含む有機酸陰イオンの金属塩を含み、ここでこの金属は錫、アンチモン、ビスマス、珪素、鉛、砒素、ゲルマニウム、インジウム、テルル、セレン、銅、クロムまたはその組合せでもよい。この有機酸陰イオンは、アセテート、プロピオネート、イソプロピオネート、ブチレート、イソブチレート、ペンタノエート、イソペンタノエート、ヘキサノエート、ヘプタノエート、オクタノエート、ノナノエート、デカノエート・オキシオレート、ネオデカノエート、デカノエート、ドデカノエート、トレデカノエート、テトラデカノエート、ドデカノエートまたはその組合せでもよい。

微細に分割された金属は、低温または非還元雰囲気のように還元金属の生成が嫌われる条件下でも基板と反応できる還元金属の存在を確実にするためにＡＭＬに加えてもよい。或る例では、微細に分割された金属の粒子サイズが約１μｍ〜約２０μｍでもよい。理論で制限することは望まないが、この粒子サイズの金属は、ＡＭＬによる基板の均一な被覆を容易にするだろう。

或る例で、前述のＡＭＬは、少なくとも四つの成分（またはそれらの機能的等価物）を含む錫含有被膜でもよい：（ｉ）水素分解可能錫化合物、（ｉｉ）溶剤システム（先に説明した通り）、（ｉｉｉ）微細に分割された錫金属および（ｉｖ）還元できる増粘剤、結合剤または分散剤としての錫酸化物。この被膜は、沈降を最小にするために微細に分割された固形物を含んでもよい。

成分（ｉ）、水素分解可能錫化合物は、有機錫化合物でもよい。この水素分解可能錫化合物は、錫オクタノエートまたはネオデカノエートを含んでもよい。これらの化合物は、基板上で亀裂および／または割れに抗する、ねばねばの粘稠度に半乾きになり、それは塗被した基板を硬化前に取扱いまたは保管するときに有用である。錫オクタノエートまたはネオデカノエートは、滑らかに錫層に分解し、それが約３１６°Ｃ程の低い温度で水素中で鉄錫化物を作るだろう。或る例では、この錫オクタノエートまたはネオデカノエートが更に約５重量％以下、その代りに約１５重量％以下、その代りに約２５重量％以下のそれぞれオクタン酸またはネオデカン酸を含んでもよい。錫オクタノエートは、ケミカル・アブストラクト・サービスの登録番号４２８８−１５−７を得ている。錫ネオデカノエートは、ケミカル・アブストラクト・サービスの登録番号４９５５６−１６−３を得ている。

微細に分割された錫金属、成分（ｉｉｉ）は、低温または非還元状態下のように還元金属の生成が嫌われる状態下でも基板と反応できる還元錫があることを保証するために加えてもよい。この微細に分割された錫金属の粒子サイズは、約１μｍ〜約２０μｍでもよく、それは、この基板表面の錫金属による優れた被覆を可能にするだろう。非還元状態とは、還元剤の量が少ない状態または低温でもよい。還元錫の存在は、被覆の一部を完全には還元できないときでも、錫金属が存在し反応して所望のＭＰＬ層を作ることを確実にする。理論で制限することは望まないが、この粒子サイズの金属は、このＡＭＬによる基板の均一な被覆を容易にするだろう。

成分（ｉｖ）、錫酸化物増粘、結合または分散剤は、有機金属錫化合物を吸収できるが、それでも未だ還元雰囲気で活性錫に還元される、多孔性錫含有化合物でもよい。この錫酸化物の粒子サイズは、当業者に知られる何らかの手段で調整してもよい。例えば、この錫酸化物をコロイドミルによって処理して急速な沈降に抗する非常に微細な粒子を作ってもよい。錫酸化物の添加は、手触りがからからになり且つ流れに抗するＡＭＬを提供するかも知れない。或る例では、成分（ｉｖ）を、還元したときＭＰＬの欠くことのできない部分になるように選択する。

一例では、ＡＭＬが金属錫化合物；金属粉およびイソプロピルアルコールに加えて、約６５重量％以下、その代りに約５０重量％以下、その代りに約１重量％〜約４５重量％の水素分解可能金属化合物を含む被膜でもよい。別の例では、ＡＭＬが金属錫化合物；錫粉；およびイソプロピルアルコールに加えて、約６５重量％まで、その代りに約５０重量％まで、その代りに約１重量％〜約４５重量％の水素分解可能金属化合物を含む被膜でもよい。

この開示のＡＭＬ／ＭＰＬは、それが接着し、粘着し、または結合し、および劣化プロセスから保護する、どんな基板に使ってもよい。或る例では、カーボン付着に敏感な、浸炭に敏感な、ハロゲン化物応力腐食割れに敏感なおよび／または金属ダスティングに敏感な材料を含む何れかのシステムがこのＡＭＬ／ＭＰＬ用の基板として役立つかも知れない。別の例では、この基板が炭素鋼、軟鋼、合金鋼、ステンレス鋼、オーステナイトステンレス鋼、またはその組合せを含んでもよい。このＡＭＬ／ＭＰＬ用の基板として使えるシステムの例には、制限なしに炭化水素変換システムのようなシステム、炭化水素精製システムのような精製システム、炭化水素改質システム、またはその組合せがある。本明細書で用いる「反応器系」という用語は、少なくとも一つの触媒とその対応する炉、熱交換器、配管等を含む一つ以上の反応器を含む。基板として使えるかも知れない反応器系部品の例には、熱交換器；内壁、炉管、炉ライナ等のような炉内部部品；および内部反応器壁、流れ分配器、ライザー、スカラップ、半径流触媒反応器の中心パイプ等のような反応器内部部品がある。或る例では、この基板が炭化水素変換反応器系の部品でもよい。代替例では、この基板が接触改質装置の部品でもよい。

ある例では、この基板が図１に示すような接触改質反応器系の部品の表面でもよい。この改質反応器系は、複数の接触改質反応器（１０）、（２０）および（３０）を含んでもよい。各反応器は、触媒床を含む。このシステムは、複数の炉（１１）、（２１）および（３１）；熱交換器（１２）；分離器（１３）；これらの炉を反応器へ接続する複数の管（１５）、（２５）および（３５）；並びに図１に示すように残りの部品を接続する付加的配管も含むかも知れない。この開示は、固定床システムは勿論、移動床を利用する連続接触改質装置に有用であることが分るだろう。接触改質システムは、ここで更に詳しく説明しおよび参考までに本明細書に援用する種々の特許に記載してある。

或る例では、この基板が沢山の石油製品を製造するために使う炭化水素変換システム（ＨＣＳ）またはその部品の表面かも知れない。この炭化水素変換システムは、炭化水素を酸化的にオレフィンおよびジエンへ変換するために機能するかも知れない。その代りに、この炭化水素変換システムは、炭化水素を非酸化的にオレフィンおよびジエンへ変換するために機能するかも知れない。その代りに、この炭化水素変換システムは、かなり多数の炭化水素変換システム反応を実行するように機能するかも知れない。種々の例で、炭化水素変換システム反応は、制限なしに、エチルベンゼンのスチレンへの脱水素、スチレンおよびエタンからのエチルベンゼンの生産、トルエンのベンゼンおよびキシレンへのアルキル転位、アルキル芳香族のそれほど置換されないアルキル芳香族への脱アルキル、水素および一酸化炭素からの燃料および化学薬品の生産、炭化水素からの水素および一酸化炭素の生産、トルエンのメタノールでのアルキル化によるキシレンの生産、軽炭化水素の芳香族への変換、または自動車用ガソリン製品からの硫黄の除去を含む。種々の例で、石油化学製品は、制限なしに、スチレン、エチルベンゼン、ベンゼン、トルエン、キシレン、水素、一酸化炭素、および燃料を含む。幾つかの例では、石油化学製品が、制限なしに、ベンゼン、トルエンおよびキシレンを含む。

別の例では、この基板が精製システムまたはその部品の表面でもよい。本明細書で用いる用語「精製システム」とは、何れかの既知の方法論による混合物の特定の成分を濃縮するためのプロセスを含む。その様な方法論の一つは、反応物の少なくとも一部を所望の製品へ接触転換する方法を含んでもよい。代替方法論は、混合物を一つ以上の成分へ分離する方法を伴ってもよい。この分離の程度は、精製システムの設計、分離すべき化合物および分離条件に依存するだろう。その様な精製システムおよび濃縮条件は、当業者に周知である。

基板は、ニッケル、鉄、またはクロムのような、ハロゲン化物応力腐食割れに敏感な、浸炭に敏感な、カーボン付着に敏感な、および／または金属ダスティングに敏感な化合物を含む基礎金属を有するかも知れない。或る例では、適当な基礎金属がＡＭＬの金属と反応して均一な層を作るために十分な量の鉄、ニッケル、クロム、または何か他の適当に反応性の金属を含むどんな金属でもよい。或る例では、適当な基礎金属が錫と反応して錫化合物層を作るために十分な量の鉄、ニッケル、またはクロムを含むどんな金属でもよい。制限なしに、適当な基礎金属は、３００および４００番シリーズのステンレス鋼を含む。

本明細書で用いる冶金学的用語は、本明細書に参考までに援用する米国金属学会の「金属ハンドブック」に説明してある普通の冶金学的意味を与えるべきである。本明細書で用いる用語「炭素鋼」とは、何れの合金元素に対しても指定する最小量がなく（普通認められる量のマンガン、珪素および銅以外）且つ炭素、珪素、マンガン、銅、硫黄および燐以外のあらゆる元素を偶発的量しか含まない鋼である。本明細書で用いる用語「軟鋼」とは、最大約０．２５重量％の炭素を有する炭素鋼である。本明細書で用いる用語「合金鋼」とは、機械的または物理的特性に変化をもたらすために、構造用合金鋼に認められる限界内で加えた、指定する量の合金元素（炭素および普通認められる量のマンガン、銅、珪素、硫黄および燐以外）を含む鋼である。合金鋼は、クロムを約１０重量％未満しか含まないだろう。本明細書で用いる用語「ステンレス鋼」とは、少なくとも約１０重量％、その代りに約１２重量％〜約３０重量％のクロムを主合金元素として含む幾つかの鋼の何れかである。本明細書で用いる用語「オーステナイトステンレス鋼」とは、オーステナイト型微細構造を有するものである。これらの鋼は、この技術で周知である。例には、３０４および３１０、３１６、３２１、３４７のような３００番シリーズのステンレス鋼がある。オーステナイトステンレス鋼は、典型的には約１６重量％と約２０重量％の間のクロムおよび約８重量％と約１５重量％の間のニッケルを含む。約５重量％未満のニッケルしかない鋼は、ハロゲン化物応力腐食割れにかかりにくい。適当な基板は、一つ以上の前記金属を含んでもよい。

このＡＭＬは、メッキ、塗装、貼り合せ、被覆またはその他の方法で基板に被着させてもよい。或る例では、このＡＭＬが被覆として付着するように配合してある。ＡＭＬを基板に被覆として付着する適当な方法には、制限なしに吹付け、刷毛塗り、ロール塗り、ピギング、浸漬、均熱化、酸洗、または、それらの組合せがある。このＡＭＬを基板に設けるための装置は、当業者に周知である。ＡＭＬは、厚さ１層当り約２５μｍ〜約２．５ｍｍ、その代りに約５１μｍ〜約１．３ｍｍの湿式被覆として付与してもよい。ＡＭＬの多重被着（例えば、多重被覆）を、基板に所望の物理的特性および保護を与えるための必要に応じて利用してもよい。ＡＭＬは、測定可能且つ実質的に制御可能な厚さの実質的に連続する被覆を提供するために十分な粘度特性を有してもよい。

反応器系部品のような、基板に湿式被膜として付与したＡＭＬは、溶剤またはその他のキャリヤ液体の蒸発により乾燥して取扱いに適する乾式被膜を作ってもよい。幾つかの例では、ＡＭＬが、塗被した基板を硬化前に取扱いまたは保管するときに亀裂に抗する、ねばねばまたはべとべとする粘稠度を有してもよい。或る例では、ＡＭＬが基板に接触するとほぼ瞬時に乾燥してもよく；その代りに、ＡＭＬが基板に接触する時から約４８時間以内に乾燥してもよい。幾つかの例では、通風またはその他の乾燥手段のような、乾燥装置を使って、溶剤の除去を容易にして乾式被膜を作ってもよい。適当な乾燥装置は、当業者に周知である。

乾式被覆として基板に付与したＡＭＬは、先に説明した劣化プロセスに抗するＭＰＬを提供するために、乾燥に加えて、代りに、またはに関連して更に処理してもよい。ＭＰＬを作るためのＡＭＬの別の処理の例には硬化および／または還元があるがそれに限定されない。或る例では、乾燥して被膜を作る被覆としてＡＭＬを基板に付与してもよく、それを更に硬化および／または還元してＭＰＬを作ってもよい。

或る例では、被覆を反応器系部品上にまたは中に吹付けてもよい。反応器系部品の基板に連続被覆を付与するために、十分な量の被覆を設けるべきである。部品に吹付けてから、それを約２４時間放置して乾燥してもよくおよび低速のガス流を掛けて更に処理してもよい。種々の例で、このガスは、不活性ガス、酸素含有ガス、またはその組合せでもよい。ガスの非限定的例には、空気、窒素、ヘリウム、アルゴン、またはその組合せがある。ガスを加熱してもよい。或る例では、このガスは約６６°Ｃの窒素でもよく且つ約２４時間掛けてもよい。その後、第２被覆層を反応器系部品に付与し且つ上に説明した手順によって乾燥してもよい。ＡＭＬを被着した後に、窒素雰囲気の導入によって反応器系部品上のＡＭＬを酸化から保護してもよく且つ当業者に知られている方法を使って水への露出から保護すべきである。

本明細書に開示した方法論は、先に浸炭した、硫化したまたは酸化したシステムを低硫黄、並びに低硫黄および低水プロセスで使うために改良または修理するためにも使ってよい。或る例では、先に浸炭した基板表面を本明細書で説明した保護材料の一つ以上を含むＡＭＬ／ＭＰＬで処理してもよい。別の例では、反応器系部品の硫化または酸化した基板を本明細書で説明した保護材料の一つ以上を含むＡＭＬ／ＭＰＬで処理してもよい。

改良または修理プロセス中、コークス、酸化した基板、または硫化した基板がＡＭＬと基板の間の反応と干渉するかも知れないので、ＡＭＬを設ける前にそれを反応器系部品の表面から除去してもよい。多数のクリーニング手法が可能で、それには（ｉ）基板表面の酸化、（ｉｉ）基板表面の酸化と化学的クリーニング、（ｉｉｉ）基板表面の酸化と化学的クリーニングに続く不動態化、（ｉｖ）基板表面の酸化と物理的クリーニングおよび（ｖ）基板表面の水噴射がある。手法（ｉ）は、残留コークスを除去するためには有用かも知れず、酸化物または硫化物層がＭＰＬを適正に作らせるに十分薄ければ許容できるだろう。代って、手法（ｉｉ）〜（ｖ）は、ＭＰＬの生成との干渉を防ぐために酸化物または硫化物層をより完全に除去するために使うかも知れない。特定のプラントで、または特定のシステム用に前述のクリーニング手法の組合せを使うかも知れない。結局、反応器幾何形状のような、特定のプラントまたはシステムに特有の多数の要因が選択に影響するかも知れない。

ＡＭＬは、反応器系のような構造体の組立てたまたは未組立て部品の基板に付与してもよい。同様に、ＡＭＬは、構造体の組立または分解の前、中、または後に、本明細書で説明したように硬化または処理してもよい。或る例では、反応器部品を既存の反応器から分解し、この部品を反応器系へ再組立する前に、本明細書で説明したように必要に応じてクリーニングし、被覆しおよび処理してもよい。その代りに、新しい反応器部品または交換部品を、この部品を組立てたシステムに組込む前に本明細書で説明したように被覆しおよび処理してもよい。この様にして、保護層のない部分が幾らかある既存の反応器構造体がその新規または交換部品にＡＭＬを付与してもよく、それによって先に被覆した部品を硬化条件に不必要に曝すのを避ける。

或る例では、先に保護層で処理した基板がこの基板の劣化プロセスに対する抵抗力を改善するためにＭＰＬを再被着してもよい。別の例では、ある程度の摩耗の経験がある、先に処理した反応器またはその部品が劣化プロセスに対するその抵抗力を、ＡＭＬを必要に応じてクリーニングし且つ反応器またはその部品に再被着し、続いて本明細書で説明したように硬化および処理することによって増大するかも知れない。

ＡＭＬを付与してから基板を硬化するために加熱してもよい。ＡＭＬを硬化すると、ＡＭＬの金属が基板と反応し且つ接合して、ハロゲン化物応力腐食割れ、金属ダスティング、カーボン付着および／または浸炭のような劣化プロセスに抗する連続ＭＰＬを作る結果となるかも知れない。或る例では、水素分解可能化合物（錫オクタノエートのような）、微細に分割された金属（錫のような）および金属酸化物（錫酸化物のような）を含むＡＭＬを付与し且つ、ニッケル枯渇接合層のような、中間接合層を介して基板に接合した中間ＭＰＬを作るかも知れない。中間ニッケル枯渇接合層の特性は、本明細書で更に詳しく議論する。

ＡＭＬを上に説明した厚さに設けるとき、初期還元条件が、金属が移動して元は被覆されていなかった小さい領域を覆う結果を生じるかも知れない。これは、基板を完全に被覆するかも知れない。錫の場合、鉄およびニッケル錫化合物のような錫化合物層ができる。

或る例では、ＡＭＬを基板の構造的完全性の維持と両立する任意の温度および圧力で硬化させてもよい。或る例では、ＡＭＬを十分な温度および圧力で並びに基板が通常運転または別の用途に利用できない時間を最少にしながらＭＰＬの生成を最大にするに十分な時間の間硬化させてもよい。

或る例では、ＡＭＬを約３１６°Ｃ〜約７６０°Ｃの、その代りに約３４３°Ｃ〜約７３２°Ｃの、その代りに約３７１°Ｃ〜約７０４°Ｃの温度で硬化させてもよい。別の例では、錫を含むＡＭＬを約３１６°Ｃ〜約７６０°Ｃの、その代りに約３４３°Ｃ〜約７３２°Ｃの、その代りに約３７１°Ｃ〜約７０４°Ｃの温度で硬化させてもよい。この加熱は、約１時間〜約１５０時間、その代りに約５時間〜約１３０時間、その代りに約１０時間〜約１２０時間の期間に亘って実行してもよい。

或る例では、ＡＭＬを約大気圧〜約１，４８２ｋＰａ、その代りに約１３８ｋＰａ〜約１，１３８ｋＰａ、その代りに約１７２ｋＰａ〜約７９３ｋＰａの範囲内で大気圧以上で硬化させてもよい。

或る例では、ＡＭＬを大気圧以下の圧力で硬化させてもよい。理論で制限することは望まないが、ＡＭＬを大気圧以下の圧力で硬化することは、高温を使うことを可能にし、それがＡＭＬのＭＰＬへの急速且つほぼ完全な変換を促進するかも知れない。この反応は、基板を劣化プロセスに対して抵抗力があるようにするために十分な厚さの均一なＭＰＬを生じるかも知れない。硬化は、約大気圧〜約０．１３Ｐａの、その代りに約９７ｋＰａ〜約１．３Ｐａの、その代りに約６８ｋＰａ〜約１３Ｐａの大気圧以下で行ってもよい。これらの条件下で、所望の特性を持つＭＰＬの生成が約１時間〜約１５０時間の期間に起るかも知れない。

或る例では、ＡＭＬで被覆した基板を、この被覆した基板を第１期間の間の第１温度および圧力での加熱、続く第２期間の間の第２温度および圧力での加熱を含む二段階プロセスによって硬化させてもよく、第２温度、圧力またはその両方は、第１温度、圧力またはその両方と異なる。理論で制限することは望まないが、被覆した基板の第２加熱は、第１加熱後に残る未反応ＡＭＬ金属の量を減らすのに役立つかも知れない。

或る例では、錫酸化物；分解可能錫化合物；および錫金属粉を含むＡＭＬを高温、約０．１３Ｐａ〜約２，１７２ｋＰａの圧力で硬化させてもよい。別の例では、温度が約６４９°Ｃ以上、その代りに約６４９°Ｃ〜約７６０°Ｃ、その代りに約７０４°Ｃ〜約７６０°Ｃでもよい。硬化は、約２，１７２ｋＰａ〜約約０．１３Ｐａまたは１，４８２ｋＰａ〜約０．１３Ｐａのような、先に説明した圧力のどれで行ってもよい。

或る例では、被覆した基板を第１温度、および圧力で、先に説明したような期間の間加熱してもよい。第１加熱後、被覆した基板を第１温度とほぼ以上、同等、または以下の第２温度で加熱してもよい。第２加熱は、約３１６°Ｃ〜約７６０°Ｃの、その代りに約３４３°Ｃ〜約７３２°Ｃの、その代りに約３７１°Ｃ〜約７０４°Ｃの温度で行ってもよい。或る例では、第２加熱を第１圧力とほぼ以上、同等、または以下の第２圧力で行ってもよい。第２加熱は、約０．１３ｋＰａ〜約１，４８０ｋＰａの、その代りに約１．３Ｐａ〜約１，１４０ｋＰａの、その代りに約１３Ｐａ〜約７９３ｋＰａの圧力で行ってもよい。第２加熱は、約１時間〜約１２０時間の期間の間行ってもよい。

或る例では、ＡＭＬを還元条件下で硬化させてもよい。ＡＭＬを還元条件下で硬化することは、ＡＭＬのＭＰＬへの変換を容易にするかも知れない。適当な還元剤は、ＡＭＬ内の金属に依存し、当業者に周知である。

或る例では、錫化合物を含むＡＭＬを還元ガスのあるところで硬化させてもよい。還元ガスは、水素、一酸化炭素、炭化水素またはその組合せでもよい。別の例では、水素、一酸化炭素または炭化水素を第２ガスと混合してもよい。第２ガスは、アルゴン、ヘリウム、窒素、何れかの不活性ガスまたはその組合せでもよい。還元ガスの容積％は、第２ガスまたは第２ガスの組合せと均衡をとって、約１００容積％、その代りに約９０容積％、その代りに約８０容積％、その代りに約７５容積％、その代りに約５０容積％、その代りに約２５容積％でもよい。

或る例では、ＡＭＬを水素によって還元条件下で処理してもよく、それは炭化水素があってもなくてもよい。或る例では、ＡＭＬを約８０容積％の水素および約２０容積％の窒素があるところで硬化させてもよい。別の例では、ＡＭＬを約７５積％の水素および約２５容積％の窒素があるところで硬化させてもよい。

或る例では、基板を必要に応じてクリーニングしてもよく、ＡＭＬを基板に付与してもよく、ＭＰＬ、またはその組合せを作るために、ＡＭＬを何れかの適当な場所でおよび所望の温度、圧力、および運転環境（還元雰囲気のような）を達成できる何れかの装置または手段によって所望の期間の間硬化または更に処理してもよい。或る例では、基板を被覆したＡＭＬを先に開示した条件下で稼働する真空炉中で硬化させてもよい。

基板を何れかの都合のよい場所で本明細書で説明したように必要に応じてクリーニングし、被覆し、および処理してもよい。或る例では、基板の任意のクリーニングおよび被覆、および／またはＡＭＬの硬化を、反応器運転現場で、反応器運転現場から離れてまたは反応器運転現場に近接して行ってもよい。或る例では、反応器運転現場以外の場所でおよび／または反応器系外で基板を必要に応じてクリーニングおよび被覆してもよくおよび／またはＡＭＬを硬化させてもよい。或る例では、反応器部品を部品製造施設からクリーニング、被覆または硬化施設へ運んでもよい。その代りに、製造施設で反応器部品を必要に応じてクリーニングしおよび被覆し、および／またはＡＭＬを硬化し並びに後で最終組立場所へ運んでもよい。その代りに、既存の反応器系の部品を分解し、必要に応じてクリーニングおよび被覆し、続いてＡＭＬを硬化させてもよい。分解した部品は、現場で付与したＡＭＬを有し、後に大規模工業用炉のような硬化施設へ運んでもよい。その代りに、分解した部品を運んで後に必要に応じてクリーニングおよび被覆してもよく、および／またはＡＭＬを敷地外施設で硬化させてもよい。

ＭＰＬを有する基板を、基板表面から何らかの量の反応性金属を除去するために更に処理してもよい。或る例では、このプロセスがＭＰＬを変化促進剤と接触させ、捕捉プロセスが続いて変化容易な金属を取込むことを含む。理論で制限することは望まないが、反応性金属の変化促進剤による処理は、これらの金属をより反応性のまたはより変化し易い形に変え、それによって捕捉プロセスによる除去を容易にするかも知れない。

本明細書で用いる「捕捉」という用語は、除去を容易にするために変化促進剤によって反応性金属から作った金属または金属化合物を意図的に取出すことを意味する。捕捉は、変化促進剤を、吸収すること、反応させること、または、その他の方法で捕捉することをも意味する。本明細書で用いる用語「変化容易金属」または「変化容易錫」は、変化促進剤と反応後の反応性金属を指す。一般的に、捕捉されるのは、これらの変化容易金属と変化促進剤である。本明細書で用いる、「反応錫」のような、「反応性金属」という用語は、プロセス条件の下で変化容易性が与えられる、ＭＰＬ層内または上に存在する元素金属または金属化合物を含むことを意図する。本明細書で用いる「反応性金属」という用語は、変化促進剤と接触すると、約９３°Ｃ〜約７６０°Ｃの温度で移動し、それによって反応器系の運転中に触媒失活または装置損傷を生じる、ここで説明した金属化合物を含む。

或る例では、反応性錫を重量で約０．１ｐｐｍ〜約１００ｐｐｍの間のＨＣｌを含むプロセス条件の下で変化促進化する。例えば、反応性錫は、新たに用意したＭＰＬ層を有する新たに錫被覆した反応器系で接触改質用に、塩素を発生できる、ハロゲン含有触媒を使うとき、変化促進化できるかも知れない。改質の文脈で使うとき、「反応性錫」という用語は、変化促進剤と接触すると、約９３°Ｃ〜約７６０°Ｃのの温度で移動し、それによって改質作業中または改質装置炉配管の加熱中に触媒失活を生じる、元素錫、錫化合物、錫金属間化合物、錫合金、またはその組合せの何れか一つを含む。他の文脈で、反応性金属の存在は、反応器プロセスおよびその運転条件は勿論、特定の金属、変化促進剤に依存するだろう。

捕捉は、化学的または物理的処理工程またはプロセスを使って行ってもよい。これらの捕捉した金属および変化促進剤は、反応器系から濃縮、回収、または除去してもよい。或る例では、これらの変化容易金属および変化促進剤を吸着剤と接触させることによって、これらの変化容易金属および変化促進剤を取込む化合物と接触させることによって、または反応器系基板表面を溶剤で洗浄して溶解した変化容易金属および変化促進剤を除去するような、溶解によってそれを捕捉してもよい。

吸収剤の選択は、これらの変化容易な金属の特定の形およびそのこれらの特定の変化容易な金属に対する反応性に依存する。或る例では、吸収剤が変化容易金属を取込む固体または液体材料（吸着剤または吸収剤）でもよい。適当な液体吸収剤には、水、錫金属のような液体金属、腐食剤、およびその他の基本的洗浄溶液がある。固体吸収剤は、吸着によりまたは反応によって変化容易金属および変化促進剤を効果的に取込む。固体吸収剤は、一般的に容易に使え且つ後にこのシステムから除去するのが容易である。固体吸収剤は、表面積が大きく（例えば、約１０ｍ^２／ｇ）、変化容易金属および変化促進剤の吸着率が高くまたは変化容易金属および変化促進剤と反応してそれらを取込むかも知れない。固体吸収剤は、吸収剤が許容できる破砕強度、摩滅耐性等を維持するように、このプロセス中その物理的完全性を保持する。これらの吸収剤は、変化容易塩化錫と反応する鉄削り屑のような、金属削り屑も含むことができる。或る例では、これらの吸収剤がアルミナ、粘土、シリカ、シリカアルミナ、活性炭、ゼオライトまたはその組合せでもよい。或る代替例では、吸収剤がアルミナに付いているカリウム、またはアルミナについているカルシウムのような、塩基性アルミナでもよい。

或る例では、変化促進剤がハロゲン含有化合物でもよい。本明細書で用いる、「ハロゲン含有化合物」または「ハロゲン含有ガス」という用語は、元素ハロゲン、ハロゲン酸、アルキルハロゲン化物、芳香族ハロゲン化物、酸素および窒素を含む他の有機ハロゲン化物、無機ハロゲン化塩およびハロゲン化炭素またはその組合せを含むがそれに限らない。必要に応じて、水が存在してもよい。或る例では、ＨＣｌを含むガスを変化促進剤として使ってもよい。そこで、流出ＨＣｌ、残留ハロゲン含有ガス（もしあれば）および変化容易金属を全て捕捉する。ハロゲン含有化合物は、約０．１ｐｐｍ〜約１，０００ｐｐｍの、その代りに約１ｐｐｍ〜約５００ｐｐｍの、その代りに約１０ｐｐｍ〜約２００ｐｐｍの量で存在するかも知れない。

或る例では、ＭＰＬを変化促進剤に約９３°Ｃ〜約５３８°Ｃの、その代りに約１２１°Ｃ〜約５１０°Ｃの、その代りに約１４９°Ｃ〜約４８２°Ｃの温度で約１時間〜約２００時間の期間の間露出する。捕捉およびＭＰＬ内または上の反応性金属の除去のための他のプロセスは、参考までに本明細書に援用する、米国特許第６５５１６６０号および第６４１９９８６号に開示してある。

或る例では、反応器の基板または反応器部品を炭化水素から隔離するためにＭＰＬを使うかも知れない。この開示した方法論によって作ったＭＰＬは、基板を先に説明した劣化プロセスに対して抵抗力があるように十分な厚さで高度の均一性を示すかも知れない。

ＭＰＬ層は、ＭＰＬを基板に係留する中間ニッケル枯渇接合層を含むことができる。或る例では、ＭＰＬが錫化合物層を含み、接合層がこの錫化合物層と基板の間に配置してある。この錫化合物層は、ニッケル富化でもよく且つカーバイド含有物を含み、一方この中間ニッケル枯渇接合層は、図２に示すように、錫化合物含有物を含むかも知れない。このニッケル富化錫化合物層は、ニッケル枯渇接合層に比べて「富化」してある。その上、このニッケル富化錫化合物層は、カーバイド含有物を含むかも知れないが、それらは隔離されているかも知れずまたは前記接合層から、実質的に中断なく、前記錫化合物層の中へ伸びるのでこの中間ニッケル枯渇接合層の連続延長部若しくは突起部かも知れず、およびこれらの錫化合物含有物も同様にこの中間ニッケル枯渇接合層の中への連続延長部を含む。この中間ニッケル枯渇接合層とニッケル富化錫化合物層の間の境界面は、不規則かも知れないが、さもなければ実質的に間断がない。前述の位相、層および含有物が展開する程度は、このＡＭＬを処理する還元条件および温度、並びに露出を維持する時間の関数かも知れない。

別の例では、錫化合物含有物を含むこのニッケル枯渇接合層が約０．５重量％〜約２０重量％；その代りに約１重量％〜約１７重量％；その代りに約１．５重量％〜約１４重量％の元素錫を含む。理論で制限することは望まないが、錫化合物含有物を含むこのニッケル枯渇接合層の生成は、硬化温度および圧力、特に高温と低圧を組合せる条件によって制御されると考えられている。幾つかの例では、錫化合物含有物を含むこのニッケル枯渇接合層を創成するために必要な温度が約６６０°Ｃ〜約７６０°Ｃの温度および２，１７２ｋＰａ〜約０．０５Ｐａの圧力を含む。

或る例では、このＭＰＬが錫化合物含有物を含む中間ニッケル枯渇接合層を介して金属基板（例えば、鋼）に接合した錫化合物層を含む。このＭＰＬは、総厚が約１μｍ〜約１５０μｍ、その代りに約１μｍ〜約１００μｍ、その代りに約１μｍ〜約５０μｍでもよい。この錫化合物層の厚さは、約０．２５μｍ〜約１００μｍ、その代りに約０．５μｍ〜約７５μｍ、その代りに約１μｍ〜約５０μｍでもよい。この錫化合物含有物を含む中間ニッケル枯渇接合層の厚さは、約１〜約１００μｍ；その代りに約１〜約５０μｍ；その代りに約１〜約１０μｍである。

或る例では、ナフサのような軽炭化水素を環状および／または芳香族炭化水素に改質するために、接触改質システムの部品の基板表面にＡＭＬ／ＭＰＬを付与してもよい。このナフサ原料は、沸騰範囲が約２１°Ｃ〜約２３２°Ｃの炭化水素でもよい。或る例では、硫黄、窒素、金属、およびその他の既知の触媒毒が実質的にない原料を作るために追加の原料処理が発生する。これらの触媒毒は、最初に水素処理技術を使って、次に残りの硫黄化合物を除去するために吸収剤を使って除去してもよい。

接触改質とは、典型的にはナフサの芳香族化合物への変換を指すが、芳香族化合物を富化した製品を提供するために他の供給原料も同様に処理してよい。従って、ナフサの変換が一例であるが、接触改質は、飽和炭化水素、パラフィン系炭化水素、分枝炭化水素、オレフィン系炭化水素、アセチレン系炭化水素、環状炭化水素、環状オレフィン族炭化水素、その混合物および当業者に既知のその他の供給原料のような、多種多様な供給原料の変換または芳香族化のために有用かも知れない。

軽炭化水素の例には、制限なしに、ｎヘキサン、メチルペンタン、ｎヘプタン、メチルヘキサン、ジメチルペンタンおよびｎオクタンのような、６〜１０の炭素を有するものがある。アセチレン炭化水素の例には、制限なしに、ヘキシン、ヘプチンおよびオクチンのような、６〜１０の炭素原子を有するものがある。非環状パラフィン炭化水素の例には、制限なしに、メチルシクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンおよびジメチルシクロヘキサンのような、６〜１０の炭素を有するものがある。環状オレフィン炭化水素の典型的例には、制限なしに、メチルシクロペンテン、シクロヘキセン、メチルシクロヘキセンおよびジメチルシクロヘキセンのような、６〜１０の炭素を有するものがある。

改質作業中に起る他の炭化水素反応の幾つかには、シクロヘキサン誘導体の芳香族化合物への脱水素化、アルキルシクロペンタン誘導体の芳香族化合物への脱水素異性化、および非環状炭化水素の芳香族化合物への脱水素環化がある。メタン、エタン、プロパン、およびブタンのような軽ガス状炭化水素を作る、アルキルベンゼン誘導体の脱アルキル、パラフィンの異性化、および水素化分解反応を含む、多数の他の反応も起る。それで、本明細書で用いる用語「改質」とは、芳香族化合物富化製品（即ち、芳香族化合物成分が原料より多い製品）を提供するために、一つ以上の芳香族化合物生産反応を使う、炭化水素原料の処理を指す。

典型的改質プロセスの動作範囲には、約３７１°Ｃ〜約７０４°Ｃの反応器入口温度；約２０７ｋＰａ〜約２，８６０ｋＰａのシステム圧力；改質反応器領域への原料供給に対し約０．１〜約２０の水素対炭化水素モル比を生み出すに十分な水素リサイクル率；および改質触媒上の炭化水素供給について約０．１ｈｒ^−１〜１０ｈｒ^−１の液体の時間当り空間速度がある。適当な改質温度は、原料を約３１６°Ｃ〜約１，８００°Ｃに及び得る高温に予熱することによって達成できるかも知れない。本明細書およびこの技術で使う接触改質という用語は、付加水のない（例えば、水約１，０００ｐｐｍ未満）ところでの改質触媒上の炭化水素の変換を指す。このプロセスは、かなりの量の水を蒸気として添加する蒸気改質とはかなり違い、メタンのような炭化水素から合成ガスを発生するために最も普通に使われる。

適当な改質温度を達成するためには、炉管を高温に加熱することが屡々必要かも知れない。これらの温度は、屡々約３１６°Ｃ〜約９８２°Ｃ；その代りに約４５４°Ｃ〜約６７７°Ｃ、その代りに約４８２°Ｃ〜約６４９°Ｃに及ぶことがある。

多孔性無機酸化物支持体（結合大気孔ゼオライト支持体またはアルミナ支持体のような）上の、元素周期律表の第ＶＩＩＩ属（ＩＵＰＡＣ周期律表の第８、９，および１０属としても知られる）から選択した、金属水素化−脱水素化化合物、またはその混合物を含む、多機能触媒合成物を接触改質に使うかも知れない。大抵の改質触媒は、平均粒子直径または平均断面直径が約１．６ｍｍ〜約４．８ｍｍの球形または円筒形をしている。接触改質用触媒合成物は、参考までに本明細書に援用する、米国特許第５，６７４，３７６号および第５，６７６，８２１号に開示してある。

この開示された方法論は、多種多様な改質触媒を使って低硫黄条件下で改質するためにも有用かも知れない。その様な触媒には、アルミナ上のプラチナ、アルミナ上のＰｔ／Ｓｎおよびアルミナ上のＰｔ／Ｒｅのような、耐火性無機酸化物上の第ＶＩＩＩ属貴金属；大気孔ゼオライト上のＰｔ、Ｐｔ／ＳｎおよびＰｔ／Ｒｅのような、大気孔ゼオライト上の第ＶＩＩＩ属貴金属があるがそれに限らない。

或る例では、この触媒が少なくとも一つの第ＶＩＩＩ属金属を仕込んだ少なくとも一つのアルカリまたはアルカリ性土類金属を含む大気孔ゼオライト触媒のような、硫黄に敏感な触媒でもよい。その様な例では、この炭化水素原料が重量で約１００ｐｐｂ未満の硫黄、その代りに約５０ｐｐｂ未満の硫黄、およびその代りに約２５ｐｐｂ未満の硫黄しか含まないかも知れない。もし必要なら、硫黄吸収装置ユニットを使って少量の過剰硫黄を除去してもよい。

或る例では、この開示の触媒がアルカリまたはアルカリ性土類金属を含み且つ一つ以上の第ＶＩＩＩ属金属を仕込んだ大気孔ゼオライト触媒を含む。代替例では、その様な触媒をナフサ原料の改質に使ってもよい。

本明細書で用いる「大気孔ゼオライト」という用語は、有効気孔直径約６Å〜約１５Åのゼオライトを指す。この開示で使うために適する大気孔結晶ゼオライトには、制限なしに、タイプＬゼオライト、ゼオライトＸ、ゼオライトＹ、ＺＳＭ−５、モルデナイトおよびフージャサイトがある。これらは、見かけの気孔サイズが約７Å〜約９Å位である。或る例では、このゼオライトがタイプＬゼオライトでもよい。

酸化物のモル比で表現するタイプＬゼオライトの組成は、以下の式で表してもよい。

（０．９−１．３）Ｍ_２／ｎＯ：ＡＬ_２Ｏ_３（５．２−６．９）ＳｉＯ_２：ｙＨ_２Ｏ

上の式で、Ｍは陽イオン、ｎはＭの原子価を表し、およびｙは０〜約９の任意の値でよい。ゼオライトＬ、そのＸ線回折パターン、その特性、およびその調製方法は、米国特許第３２１６７８９号に詳しく記載してあり、その内容を参考までに本明細書に援用する。この実際の式は、結晶構造を変えずに変るかも知れない。或る例では、珪素対アルミニウムのモル比（Ｓｉ／Ａｌ）が約１．０〜約３．５に変動するかも知れない。

酸化物のモル比で表現するゼオライトＹの化学式は、次のように書いてもよい。

（０．７−１．１）Ｎａ_２Ｏ：Ａｌ_２Ｏ_３：ｘＳｉＯ_２：ｙＨ_２Ｏ

上の式で、ｘは約３より大きく、約６までの値であり；ｙは約９までの値でもよい。ゼオライトＹは、独特のＸ線粉末回折パターンを有し、それは上の式と共に識別用に使ってもよい。ゼオライトＹの特性、およびその調製方法は、米国特許第３，１３０，００７号に更に詳しく記載してあり、その内容を参考までに本明細書に援用する。

ゼオライトＸは、合成結晶性ゼオライト・モレキュラーシーブであり、それは次の式で表してもよい：

（０．７−１．１）Ｍ_２／ｎＯ：Ａｌ_２Ｏ_３：（２．０−３．０）ＳｉＯ_２：ｙＨ_２Ｏ

上の式で、Ｍは金属、特にアルカリおよびアルカリ性土類金属、ｎはＭの原子価を表し、およびｙは、Ｍの素性およびこの結晶性ゼオライトの水和程度に依って約８までの任意の値を有してもよい。ゼオライトＸ、そのＸ線回折パターン、その特性、およびその調製方法は、米国特許第２８８２２４４号に詳しく記載してあり、その内容を参考までに本明細書に援用する。

アルカリまたはアルカリ性土類金属がこの大気孔ゼオライトの中にあってもよい。そのアルカリ性土類金属は、カリウム、バリウム、ストロンチウムまたはカルシウムでもよい。このアルカリ性土類金属は、ゼオライトの中に合成、含浸またはイオン交換によって取入れてもよい。

この開示で使う大気孔ゼオライト触媒は、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、イリジウムまたはプラチナのような、第ＶＩＩＩ属金属が一つ以上仕込んである。或る例では、この第ＶＩＩＩ属金属がイリジウムまたはその代りにプラチナでもよい。この触媒内のプラチナの重量パーセントは、約０．１重量％〜約５重量％でもよい。

第ＶＩＩＩ属金属は、大気孔ゼオライトの中へ合成、含浸または適当な塩の水溶液中の交換によって導入する。ゼオライトの中へ二つの第ＶＩＩＩ属金属を導入したいときは、この作業を同時にまたは逐次行ってもよい。

幾つかのゼオライト触媒は、改質条件下で、特に初期作業中、ハロゲン化水素ガスを発生することが分っている。これらの発生するハロゲン化水素ガスは、次には、この反応器の下流の領域のような、このプロセス装置の冷たい領域でハロゲン化物溶液を発生することがある。その代りに、この下流の装置が湿気に曝されているときは、運転開始または停止中に水性ハロゲン化物を作ってもよい。ハロゲン化物溶液と接触するようになる、この装置の何れかのオーステナイトステンレス鋼部分がハロゲン化物応力腐食割れ（ＨＳＣＣ）を受けることがある。ＨＳＣＣは、修理または交換が必要になる前に本質的にバルク金属の損失がない、独特の型式の腐食である。

或る例では、オーステナイトステンレス鋼のＨＳＣＣをＡＭＬの被着およびＭＰＬの生成によって防ぐかも知れない。オーステナイトステンレス鋼が約４０°Ｃ以上、その代りに約５４°Ｃ〜約１１０°Ｃの温度で水性ハロゲン化物に接触するとき、引張応力も受けるが、ＨＳＣＣが起ることがある。理論で拘束することは望まないが、ＨＳＣＣによって生じる亀裂は、ハロゲン化物溶液中の鋼合金の電気化学的解離によって進行すると考えられている。

オーステナイトステンレス鋼をＨＳＣＣから保護する必要性は知られている。一般的に、もしＨＳＣＣ条件に直面することになっているなら、この装置を設計するとき、オーステナイトステンレス鋼より高価かも知れないが、別の種類の鋼または特殊合金を選択する。その代りに、このＨＳＣＣが起らないように、低温で運転するとかまたはプロセス流れを乾燥するように、プロセス条件を時には修正することができる。ステンレス鋼の性状が必要であるかまたは非常の望ましい、他の状況では、ＨＳＣＣを防ぐための手段を使う。或る例では、この鋼とハロゲン化物環境の接触をなくするためにＡＭＬ／ＭＰＬをこのステンレス鋼に被着してもよい。

顕微鏡分析が本明細書で説明したＡＭＬまたはＭＰＬの厚さを容易に決定できる。被膜厚さの測定を容易にするために、処理すべき反応器基板に対応するクーポンを用意してもよい。これらを処理すべき大規模反応器基板と同じ条件の下で処理してもよい。これらのクーポンを使ってこのＡＭＬおよび結果ＭＰＬの厚さを決めてもよい。

［例]
例１〜１３で、一般的に約５ｃｍ四方未満の、３４７種類のステンレス鋼クーポンをある組成物で被覆してこれらのクーポン上にＡＭＬを作った。この被膜組成は、約３２重量％の錫金属（粒子サイズ１〜５μｍ）、約３２重量％の錫酸化物（＜０．０４４ｍｍ^２）、約１６重量％の錫オクタン酸塩、および残り無水イソプロピルアルコールを含んだ。幾つかの場合、このクーポンの未被覆部分へのＭＰＬの移動を測定するために、このクーポンの半分を被覆した。表Ｉを参照して、この被膜を約７５：２５のモル比の水素：アルゴンの混合物の中で約４０または約１００時間の間、表示した温度および圧力で硬化した。このプロセス中、この錫含有ＡＭＬは、このクーポンの表面上に錫化合物を含むＭＰＬを作った。できたＭＰＬの検証は、このサンプルをエポキシ樹脂に取付け、続いて写真および走査電子顕微鏡による検査のためにグラインディングおよびポリシングして決めた。このクーポンの目視および顕微鏡検査が表Ｉの第９および１０行に見られる特性の錫化合物層含有ＭＰＬの生成を確認した。

硬化は、対比目的で従来の硬化条件の役をする、約５５２°Ｃおよび約１０１ｋＰａ（例５および９参照）で行った。対照的に、例１、３、７、１０および１２は、硬化を６７７°Ｃで行った。図２は、例１０で作ったＭＰＬの後方散乱ＳＥＭ画像である。幾つかの場合（例２、４および８参照）、これらの被覆したクーポンを変化促進剤としての塩化水素で更に処理した。

例１１および１３は、これらのクーポンが約６７７°Ｃの第１温度および約２１ｋＰａの第１圧力で約４０時間硬化し、続いて約６７７°Ｃの第２温度および約１．３ｋＰａの第１圧力で約１０時間硬化することによる、二段階硬化処理を受けた後に錫化合物を含むＭＰＬを作った。二段階硬化によって作ったＭＰＬ（例１１および１３）は、この処理を一段階で行ったときに見られるもの（それぞれ例１０および１２）より厚かった。

これらの結果は、約６７７°Ｃおよび大気圧および／または大気圧以下の圧力で約４０時間硬化した後にできた錫化合物を含むＭＰＬが、例５で約５２２°Ｃおよび大気圧の硬化条件下で作った層に比べるとき厚さが増していることを示す。更に、高温および大気圧以下の圧力下で作った錫化合物を含むＭＰＬは、例５の硬化条件を使って使って作った錫化合物を含むＭＰＬに比べるとき、このサンプル上に小さい金属錫ボールがないことで決るように、反応性錫の量が少ないことがある。

この開示の好適例を図示し且つ説明したが、当業者は、この開示の精神および教示から逸脱することなく、その修正をできるだろう。本明細書で説明した例は、例示に過ぎず、限定的であることを意図しない。本明細書に発表したこの開示の多くの変形および修正が可能であり且つこの開示の範囲内にある。請求項の何れかの要素に関して「必要に応じて」という用語を使うことは、主題の要素が必要であるか、またはその代りに、必要でないことを意味する意図である。両代替案がこの請求項の範囲内にあることを意図する。「含む」、「包含する」、「有する」等のような広義の用語を使うことは、「…から成る」、「本質的に…から成る」、「実質的に…を含む」等のような、狭義の用語を支持することを理解すべきである。形容詞「第１」、「第２」およびその他は、逆に指定してあるかまたは語句の普通の意味から明白でない限り、修飾した主題を時間、空間またはその両方の特定の順序に限定すると解釈すべきでない。

従って、この保護範囲は、上に示した説明によって限定されるのではなく、以下の請求項によってのみ限定され、その範囲は、これらの請求項の主題の全ての等価物を包含する。各およびあらゆる請求項が本発明の例としてこの明細書に組込んである。それで、これらの請求項は、本発明の好適例の更なる説明および付加である。本明細書で参照したことを議論すること、特にこの出願の優先日以後の刊行日付を有するかも知れないあらゆる参照文献は、それが本発明の先行技術であることを容認するものではない。本明細書で引用した全ての特許、特許出願、および刊行物の開示は、それらが本明細書に示したものを補う例示的、手続上のまたはその他の詳細塗なる限り、本明細書に参考までに援用する。

Claims (41)

1. 錫を含む層を構造体の未組立て部品の基板に付与して前記基板上に被着金属層を作る工程および
   前記被着金属層を前記構造体の組立て前に大気圧以下の圧力で還元環境で６４９℃を超える温度で硬化させることにより前記基板上に金属保護層を作る工程を含み、
   前記基板が、ニッケルを含む、合金鋼、ステンレス鋼、又はオーステナイトステンレス鋼であり、
   前記金属保護層が、前記基板から得られる鉄、ニッケル又はクロムを含み、
   前記金属保護層と前記基板との間に、更にニッケル減損接合層を含む、基板の処理方法。
2. 前記被着金属層を９７ｋＰａ〜０．１３Ｐａの圧力で硬化する請求項１に記載された基板の処理方法。
3. 前記被着金属層を６４９℃超〜７６０°Ｃの温度で硬化する請求項１または請求項２に記載された基板の処理方法。
4. 前記被着金属層の厚さが２５μｍ〜２．５ｍｍである請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載された基板の処理方法。
5. 前記金属保護層の厚さが１μｍ〜１５０μｍである請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載された基板の処理方法。
6. 更に、前記金属保護層をハロゲン含有化合物と接触させる工程を含み、その後に、前記ハロゲン含有化合物と前記金属保護層内または前記金属保護層上に存在する金属または金属化合物との反応により生じた金属または金属化合物を捕捉するプロセスが続く請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載された基板の処理方法。
7. 前記接合層が錫化合物を含む請求項１から請求項６までのいずれか１項に記載された基板の処理方法。
8. 前記接合層の厚さが１〜１００μｍである請求項１から請求項７までのいずれか１項に記載された基板の処理方法。
9. 前記接合層が１重量％〜２０重量％の錫を含む請求項１から請求項６までのいずれか１項に記載された基板の処理方法。
10. 前記構造体の未組立て部品が反応器系の未組立て部品である請求項１から請求項９までのいずれか１項に記載された基板の処理方法。
11. 前記錫を含む層の前記被着、前記被着金属の前記硬化、またはその両方を前記構造体の最終組立現場以外の場所で行う請求項１から請求項１０までのいずれか１項に記載された基板の処理方法。
12. 前記未組立て部品を、前記錫を含む層を設ける前；前記被着金属層を硬化する前若しくは後；または更に前記金属保護層をハロゲン含有化合物と接触させ、その後に、前記ハロゲン含有化合物と前記金属保護層内または前記金属保護層上に存在する金属または金属化合物との反応により生じた金属または金属化合物を捕捉するプロセスが続く後に運ぶ請求項６に記載された基板の処理方法。
13. 前記未組立て部品を、前記錫を含む層を設ける前に組立てた構造体から除去する請求項１から請求項１２までのいずれか１項に記載された基板の処理方法。
14. 前記未組立て部品が組立てた構造体用の修理または交換部品である請求項１から請求項１３までのいずれか１項に記載された基板の処理方法。
15. 前記錫を含む層を前記未組立て反応器系部品の前記基板に設ける前記工程が、前記錫を含む層を前記反応器系の既に組立てた類似部品に設ける方法であって他の点では同じ方法に比べて、反応器系休止時間を少ししか要しない請求項１０に記載された基板の処理方法。
16. 錫を含む層を構造体の未組立て部品の基板に付与して前記基板上に被着金属層を作る工程、および
    前記被着金属層を第１温度および第１圧力で第１期間の間硬化する工程、並びに前記被着金属層を第２温度および第２圧力で第２期間の間硬化させることにより前記基板上に金属保護層を作る工程を含み、
    前記基板が、ニッケルを含む、合金鋼、ステンレス鋼、又はオーステナイトステンレス鋼であり、
    前記金属保護層が、前記基板から得られる鉄、ニッケル又はクロムを含み、
    前記金属保護層と前記基板との間に、更にニッケル減損接合層を含む、基板の処理方法。
17. 前記第１温度が３１６°Ｃ〜７６０°Ｃでありおよび前記第１圧力が１４８０ｋＰａ〜０．１３Ｐａである請求項１６に記載された基板の処理方法。
18. 前記第２温度が３１６°Ｃ〜７６０°Ｃでありおよび前記第２圧力が０．１３Ｐａ〜１４８０ｋＰａである請求項１６または請求項１７に記載された基板の処理方法。
19. 前記第１圧力、第２圧力または両方が大気圧以下である請求項１６から請求項１８までのいずれか１項に記載された基板の処理方法。
20. 更に、前記金属保護層をハロゲン含有化合物と接触させる工程を含み、その後に、前記ハロゲン含有化合物と前記金属保護層内または前記金属保護層上に存在する金属または金属化合物との反応により生じた金属または金属化合物を捕捉するプロセスが続く請求項１６から請求項１９までのいずれか１項に記載された基板の処理方法。
21. 前記基板が構造体の未組立て部品でありおよび前記未組立て部品を前記構造体に組込む前に前記被着金属層を硬化する請求項１６から請求項２０までのいずれか１項に記載された基板の処理方法。
22. 前記接合層が錫化合物を含む請求項１６から請求項２１までのいずれか１項に記載された基板の処理方法。
23. 前記接合層の厚さが１〜１００μｍである請求項１６から請求項２２までのいずれか１項に記載された基板の処理方法。
24. 前記接合層が１重量％〜２０重量％の錫を含む請求項１６から請求項２１までのいずれか１項に記載された基板の処理方法。
25. 前記構造体の未組立て部品が反応器系の未組立て部品である請求項１６から請求項２４までのいずれか１項に記載された基板の処理方法。
26. 前記錫を含む層の前記被着、前記被着金属の前記硬化、またはその両方を前記構造体の最終組立現場以外の場所で行う請求項１６から請求項２５までのいずれか１項に記載された基板の処理方法。
27. 前記未組立て部品を、前記錫を含む層を設ける前；前記被着金属層を硬化する前若しくは後；または更に前記金属保護層をハロゲン含有化合物と接触させ、その後に、前記ハロゲン含有化合物と前記金属保護層内または前記金属保護層上に存在する金属または金属化合物との反応により生じた金属または金属化合物を捕捉するプロセスが続く後に運ぶ請求項２０に記載された基板の処理方法。
28. 前記未組立て部品を、前記錫を含む層を設ける前に組立てた構造体から除去する請求項１６から請求項２７までのいずれか１項に記載された基板の処理方法。
29. 前記未組立て部品が組立てた構造体用の修理または交換部品である請求項１６から請求項２８までのいずれか１項に記載された基板の処理方法。
30. 前記少なくとも一つの金属層を前記未組立て反応器系部品の前記基板に設ける前記工程が、前記少なくとも一つの金属層を前記反応器系の既に組立てた類似部品に設ける方法であって他の点では同じ方法に比べて、反応器系休止時間を少ししか要しない請求項２５に記載された基板の処理方法。
31. 少なくとも一つの金属を含む層を前記基板に付与して前記基板上に被着金属層を作る工程に続いて前記被着金属層を大気圧以下の圧力で６４９°Ｃを超える温度で硬化させることにより前記基板上に金属保護層を作る工程を含み、前記被着金属層が錫酸化物、水素分解性の錫化合物、および錫金属粉を含み、
    前記基板が、ニッケルを含む、合金鋼、ステンレス鋼、又はオーステナイトステンレス鋼であり、
    前記金属保護層が、前記基板から得られる鉄、ニッケル又はクロムを含み、
    前記金属保護層と前記基板との間に、更にニッケル減損接合層を含む、基板の処理方法。
32. 前記被着金属層を６４９°Ｃ〜７６０°Ｃの温度で硬化する請求項３１に記載された基板の処理方法。
33. 前記金属保護層が錫化合物を含む請求項３１または請求項３２に記載された基板の処理方法。
34. 前記被着金属層の厚さが０．２５μｍ〜１００μｍである請求項３１から請求項３３までのいずれか１項に記載された基板の処理方法。
35. 更に、前記金属保護層をハロゲン含有化合物と接触させる工程を含み、その後に、前記ハロゲン含有化合物と前記金属保護層内または前記金属保護層上に存在する金属または金属化合物との反応により生じた金属または金属化合物を捕捉するプロセスが続く請求項３１から請求項３４までのいずれか１項に記載された基板の処理方法。
36. 前記基板が構造体の未組立て部品でありおよび前記未組立て部品を前記構造体に組込む前に前記被着金属層を硬化する請求項３１から請求項３５までのいずれか１項に記載された基板の処理方法。
37. 前記基板がニッケルを含み、前記金属保護層が、前記金属保護層と前記基板との間に、更にニッケル減損接合層を含む請求項３１から請求項３６までのいずれか１項に記載された基板の処理方法。
38. 前記接合層が錫化合物を含む請求項３７に記載された基板の処理方法。
39. 前記接合層の厚さが１〜１００μｍである請求項３７または請求項３８に記載された基板の処理方法。
40. 前記接合層が１重量％〜２０重量％の錫を含む請求項３７に記載された基板の処理方法。
41. 供給原料を反応器に挿入する工程；前記供給原料を前記反応器の中で触媒があるところで反応させる工程を含み；前記反応器が請求項１から請求項４０までのいずれか１項に記載された方法によって形成された金属保護層を含む石油化学製品の製造方法。