JP5892157B2 - Printed circuit board, method for manufacturing printed circuit board, and semiconductor device - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 31
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 200
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 200
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 151
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 247
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 49
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 48
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 30
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 30
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 19
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 13
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 13
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 13
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 12
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 7
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 5
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 241000220317 Rosa Species 0.000 description 4
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical compound C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 3
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 3
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 3
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 3
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 3
- HCNHNBLSNVSJTJ-UHFFFAOYSA-N 1,1-Bis(4-hydroxyphenyl)ethane Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)C1=CC=C(O)C=C1 HCNHNBLSNVSJTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XZKLXPPYISZJCV-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-2-phenylimidazole Chemical compound C1=CN=C(C=2C=CC=CC=2)N1CC1=CC=CC=C1 XZKLXPPYISZJCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 2
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PVFQHGDIOXNKIC-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[3-[2-(4-hydroxyphenyl)propan-2-yl]phenyl]propan-2-yl]phenol Chemical compound C=1C=CC(C(C)(C)C=2C=CC(O)=CC=2)=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 PVFQHGDIOXNKIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 description 2
- GIXXQTYGFOHYPT-UHFFFAOYSA-N Bisphenol P Chemical compound C=1C=C(C(C)(C)C=2C=CC(O)=CC=2)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 GIXXQTYGFOHYPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SDDLEVPIDBLVHC-UHFFFAOYSA-N Bisphenol Z Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1(C=2C=CC(O)=CC=2)CCCCC1 SDDLEVPIDBLVHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000004841 bisphenol A epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000004842 bisphenol F epoxy resin Substances 0.000 description 2
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 235000011132 calcium sulphate Nutrition 0.000 description 2
- 235000010261 calcium sulphite Nutrition 0.000 description 2
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000007602 hot air drying Methods 0.000 description 2
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 imidazole compound Chemical class 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002655 kraft paper Substances 0.000 description 2
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229920003987 resole Polymers 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 2
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- IHGSAQHSAGRWNI-UHFFFAOYSA-N 1-(4-bromophenyl)-2,2,2-trifluoroethanone Chemical compound FC(F)(F)C(=O)C1=CC=C(Br)C=C1 IHGSAQHSAGRWNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 2h-1,2-benzoxazine Chemical group C1=CC=C2C=CNOC2=C1 CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004641 Diallyl-phthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001147149 Lucina Species 0.000 description 1
- PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N Maleimide Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1 PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100027340 Slit homolog 2 protein Human genes 0.000 description 1
- 101710133576 Slit homolog 2 protein Proteins 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 235000019498 Walnut oil Nutrition 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N aluminum;borate Chemical compound [Al+3].[O-]B([O-])[O-] OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004637 bakelite Substances 0.000 description 1
- QBLDFAIABQKINO-UHFFFAOYSA-N barium borate Chemical compound [Ba+2].[O-]B=O.[O-]B=O QBLDFAIABQKINO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC=C QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001593 boehmite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021538 borax Inorganic materials 0.000 description 1
- GHXRKGHKMRZBJH-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical class OB(O)O.OB(O)O GHXRKGHKMRZBJH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011116 calcium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- GBAOBIBJACZTNA-UHFFFAOYSA-L calcium sulfite Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])=O GBAOBIBJACZTNA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- HFNQLYDPNAZRCH-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical class OC(O)=O.OC(O)=O HFNQLYDPNAZRCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- GDVKFRBCXAPAQJ-UHFFFAOYSA-A dialuminum;hexamagnesium;carbonate;hexadecahydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[OH-].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Mg+2].[Al+3].[Al+3].[O-]C([O-])=O GDVKFRBCXAPAQJ-UHFFFAOYSA-A 0.000 description 1
- CMMUKUYEPRGBFB-UHFFFAOYSA-L dichromic acid Chemical compound O[Cr](=O)(=O)O[Cr](O)(=O)=O CMMUKUYEPRGBFB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BTVWZWFKMIUSGS-UHFFFAOYSA-N dimethylethyleneglycol Natural products CC(C)(O)CO BTVWZWFKMIUSGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol dimethyl ether Natural products COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 1
- 238000009775 high-speed stirring Methods 0.000 description 1
- 229910001701 hydrotalcite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960001545 hydrotalcite Drugs 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M hydroxidooxidoaluminium Chemical compound O[Al]=O FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000944 linseed oil Substances 0.000 description 1
- 235000021388 linseed oil Nutrition 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- 239000004843 novolac epoxy resin Substances 0.000 description 1
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N oxalonitrile Chemical compound N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-L sulfite Chemical class [O-]S([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000012209 synthetic fiber Substances 0.000 description 1
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J titanic acid Chemical compound O[Ti](O)(O)O LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- VLCLHFYFMCKBRP-UHFFFAOYSA-N tricalcium;diborate Chemical compound [Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] VLCLHFYFMCKBRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSVBQGMMJUBVOD-UHFFFAOYSA-N trisodium borate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]B([O-])[O-] BSVBQGMMJUBVOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002383 tung oil Substances 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 239000008170 walnut oil Substances 0.000 description 1
- 125000006839 xylylene group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
本発明は、プリント配線基板、プリント配線基板の製造方法および半導体装置に関する。 The present invention relates to a printed wiring board, a method for manufacturing a printed wiring board, and a semiconductor device.
近年、電子機器の高機能化、軽量化、小型化、薄型化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、高密度実装化が進んでいる。これらの電子機器に使用されるプリント配線板の回路配線は高密度化する傾向にあり、ビルドアップした多層配線構造が採用されている。 In recent years, with the demand for higher functionality, lighter weight, smaller size, and thinner electronic devices, high-density integration and high-density mounting of electronic components are progressing. Circuit wiring of printed wiring boards used in these electronic devices tends to have a higher density, and a built-up multilayer wiring structure is employed.
回路配線パターンを形成する方法として、一般的には銅箔をエッチングする手法(サブトラクティブ法)がある。サブトラクティブ法で形成される回路厚みは、使用する銅箔の厚みで規定されるという特徴があり、回路幅の精度は、エッチング液の反応特性及び使用するエッチング装置の能力に依存する。そのため、サブトラクティブ法は、極薄金属箔を用いる一部の用途を除くと、一般的には高密度化に不向きとされている。 As a method for forming a circuit wiring pattern, there is generally a technique (subtractive method) for etching a copper foil. The circuit thickness formed by the subtractive method is characterized by the thickness of the copper foil to be used, and the accuracy of the circuit width depends on the reaction characteristics of the etching solution and the ability of the etching apparatus to be used. For this reason, the subtractive method is generally not suitable for increasing the density, except for some applications using ultrathin metal foils.
一方、ビルドアップ基板や多層配線板の製造に一般的に適用されている工法にセミアディティブ法がある。この工法では、樹脂表面をデスミア処理して表面を粗化し、パラジウム触媒を利用した無電解銅めっき層を表面に形成し、さらに銅めっき層上に感光性レジストを形成して、露光・現像などのプロセスを経由してパターニングを行った後、電解銅めっきで回路パターンを形成し、最後にレジストを剥離し無電解銅めっき層をフラッシュエッチングで除去して微細配線を形成する方法である。(例えば特許文献1)。この方法で微細配線を形成する場合、レジストの露光・現像精度や配線間のパラジウム触媒残渣によるめっき異常析出などの問題があり、微細配線を形成することは困難である。 On the other hand, there is a semi-additive method as a method generally applied to the manufacture of build-up substrates and multilayer wiring boards. In this method, the resin surface is desmeared to roughen the surface, an electroless copper plating layer using a palladium catalyst is formed on the surface, a photosensitive resist is formed on the copper plating layer, and exposure / development, etc. After patterning through this process, a circuit pattern is formed by electrolytic copper plating, finally the resist is peeled off, and the electroless copper plating layer is removed by flash etching to form fine wiring. (For example, patent document 1). When fine wiring is formed by this method, there are problems such as resist exposure / development accuracy and abnormal plating deposition due to palladium catalyst residues between the wirings, and it is difficult to form fine wiring.
また、サブトラクティブ法、及び、セミアディティブ法では樹脂層表面に凸型の配線が形成される。ビルドアップ基板や多層配線板においては、この後の工程に樹脂層を積層する工程が含まれるが、樹脂組成によっては樹脂の埋め込み性の問題が生じる。 In the subtractive method and the semi-additive method, convex wiring is formed on the surface of the resin layer. In a build-up board or a multilayer wiring board, a process of laminating a resin layer is included in the subsequent process, but depending on the resin composition, a problem of resin embedding occurs.
また、スクライブ、プラズマ、又はレーザなどによって樹脂層に溝を形成し、樹脂表面をデスミア処理して表面を粗化し、パラジウム触媒を利用した無電解銅めっき層を表面に形成後、電解銅めっきで導体回路を形成し、最後に溝部分以外の導体めっきをエッチングで除去して導体回路を形成する方法がある(例えば特許文献2、3)。 Also, grooves are formed in the resin layer by scribe, plasma, laser, etc., the surface of the resin is desmeared to roughen the surface, and an electroless copper plating layer using a palladium catalyst is formed on the surface. There is a method of forming a conductor circuit and finally removing the conductor plating other than the groove portion by etching to form a conductor circuit (for example, Patent Documents 2 and 3).
しかしながら、導体回路部分以外の導体めっきをエッチングで除去する場合、導体回路部分の形状によっては、導体回路部分以外の導体めっきを均一に除去しようとしたとき、導体回路部分が窪むという問題があり、この窪みのため部品等との接続信頼性に問題が起きることがあった。 However, when conductor plating other than the conductor circuit portion is removed by etching, depending on the shape of the conductor circuit portion, there is a problem that when the conductor plating other than the conductor circuit portion is uniformly removed, the conductor circuit portion is depressed. Because of this depression, there may be a problem in connection reliability with parts.
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、プリント配線基板の樹脂層表面に平滑な表面を持った導体回路を有するプリント配線基板、プリント配線基板の製造方法および半導体装置を提供するものである。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a printed wiring board having a conductive circuit having a smooth surface on the resin layer surface of the printed wiring board, a method for manufacturing the printed wiring board, and a semiconductor device. It is.
本発明によるプリント配線基板は、樹脂層と導体層とを備えるプリント配線基板であって、
前記樹脂層には凹部が設けられ、前記凹部に埋設された前記導体層を有し、
前記凹部の断面視における形状は、前記凹部の中央部が盛り上がった形状であることを特徴とする。また、前記凹部の最深部から前記凹部の盛り上がった前記中央部に向かって少なくとも2つの段差が形成されている。
A printed wiring board according to the present invention is a printed wiring board comprising a resin layer and a conductor layer,
The resin layer is provided with a recess, and has the conductor layer embedded in the recess,
The shape of the recess in the cross-sectional view is a shape in which the central portion of the recess is raised. Further, at least two steps are formed from the deepest part of the concave part toward the raised central part of the concave part.
このプリント配線基板においては、凹部の断面視における形状が、前記凹部の中央部が盛り上がった形状である。これにより、凹部内に導体めっきで導体回路を埋設させた後、導体回路部分以外の導体めっきをエッチングで除去するとき中央部付近が窪まずに導体層表面が平坦な形状であるプリント配線基板を提供することができる。 In this printed wiring board, the shape of the recess in the sectional view is a shape in which the central portion of the recess is raised. As a result, after the conductor circuit is embedded in the concave portion by the conductor plating, when the conductor plating other than the conductor circuit portion is removed by etching, the printed wiring board having a flat shape on the surface of the conductor layer without being depressed near the center portion is obtained. Can be provided.
また、前記導体層は、平面視において一方向に延在する導体パターンであってもよい。また、前記導体パターンが埋設された前記凹部は、短手方向における断面において中央部が盛り上がった断面形状を有していてもよい。さらに、前記凹部の短手方向の幅が20μm以上であってもよい。これにより、一層顕著に効果が発揮される。 The conductor layer may be a conductor pattern extending in one direction in a plan view. Moreover, the said recessed part with which the said conductor pattern was embed | buried may have the cross-sectional shape where the center part rose in the cross section in a transversal direction. Further, the width of the concave portion in the short direction may be 20 μm or more. Thereby, an effect is exhibited more notably.
また、前記導体層は、平面視において矩形の形状をした導体パッドであってもよい。この場合、前記導体パッドが埋設された前記凹部は、平面視において矩形の形状を有していてもよい。また、前記導体パッドが埋設された前記凹部は、前記凹部の底面の対角線の中心を通るいずれの断面においても中央部が盛り上がった断面形状を有していてもよい。また、前記凹部の一辺の長さは、20μm以上であってもよい。 The conductor layer may be a conductor pad having a rectangular shape in plan view. In this case, the concave portion in which the conductor pad is embedded may have a rectangular shape in plan view. Moreover, the said recessed part with which the said conductor pad was embed | buried may have the cross-sectional shape where the center part rose in any cross section which passes along the center of the diagonal of the bottom face of the said recessed part. Further, the length of one side of the concave portion may be 20 μm or more.
また、前記導体層は、平面視において円形の形状をした導体パッドであってもよい。この場合、前記導体パッドが埋設された前記凹部は、平面視において円形の形状を有していてもよい。また、前記導体パッドが埋設された前記凹部は、前記凹部の底面の中心を通るいずれの断面においても中央部が盛り上がった断面形状を有していてもよい。また、前記凹部の直径の長さは、20μm以上であってもよい。 The conductor layer may be a conductor pad having a circular shape in plan view. In this case, the concave portion in which the conductor pad is embedded may have a circular shape in plan view. Moreover, the said recessed part with which the said conductor pad was embed | buried may have the cross-sectional shape where the center part rose in any cross section which passes along the center of the bottom face of the said recessed part. Further, the length of the diameter of the concave portion may be 20 μm or more.
また、前記樹脂層表面から前記凹部の最深部までの深さ(D1)と、前記樹脂層表面から前記凹部の中央部の上端までの深さ(D2)との比(D2/D1)は、0.2〜0.8であってもよい。 Also, the depth from the surface of the resin layer to the deepest of the recess and (D1), the ratio between the depth (D2) from the resin layer surface to the upper end of the central portion of the recess (D2 / D1) is 0.2-0.8 may be sufficient.
本発明によるプリント配線基板の製造方法は、樹脂層と導体層とを備えるプリント配線基板を製造する方法であって、
(a)樹脂層を含む絶縁基板を準備する工程と、
(b)前記樹脂層を加工して中央部が盛り上がった凹部を形成する工程と、
(c)めっきにより前記凹部内に埋め込まれた導体層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする。また、前記凹部を形成する工程(b)は、
(b1)前記凹部を形成する領域全面に前記レーザ光を照射する第一段工程と、
(b2)前記第一段工程(b1)で照射したレーザ光の照射面積よりも小さい照射面積のレーザ光を、前記凹部を形成する領域の周縁部に沿って照射させる第二段工程と、を含む。さらに、前記第二段工程(b2)の後、前記第二段工程(b2)で照射したレーザ光の照射面積よりもさらに小さい照射面積の前記レーザ光を、前記凹部を形成する領域の周縁部に沿って照射させる第三段工程(b3)を含む。
A method for producing a printed wiring board according to the present invention is a method for producing a printed wiring board comprising a resin layer and a conductor layer,
(A) preparing an insulating substrate including a resin layer;
(B) processing the resin layer to form a recess with a raised central portion;
(C) forming a conductor layer embedded in the recess by plating;
It is characterized by including. The step (b) of forming the recess includes
(B1) a first stage step of irradiating the entire region where the recess is formed with the laser beam;
(B2) a second stage step of irradiating a laser beam having an irradiation area smaller than the irradiation area of the laser beam irradiated in the first stage step (b1) along the peripheral edge of the region where the recess is formed. Including. Further, after the second step (b2), the laser beam having an irradiation area smaller than the irradiation area of the laser beam irradiated in the second step (b2) A third stage step (b3) is performed.
また、前記導体層を形成する工程(c)は、前記樹脂層表面上および前記凹部内に前記導体層を形成する工程と、前記凹部外に形成された前記導体層を除去するとともに、前記凹部に前記導体層を残す工程と、を含んでいてもよい。 The step (c) of forming the conductor layer includes a step of forming the conductor layer on the resin layer surface and in the recess, and removing the conductor layer formed outside the recess, And the step of leaving the conductor layer.
また、前記凹部を形成する工程(b)は、レーザ光を複数回照射することにより行われる。
Further, the step (b) of forming the recess is performed by irradiating the laser beam a plurality of times .
また、前記工程(c)の後に、(d)前記樹脂層と前記導体層の上に別の樹脂層を形成する工程を、含んでいてもよい。また、前記レーザ光が、エキシマレーザまたはYAGレーザであってもよい。 Further, after the step (c), a step (d) of forming another resin layer on the resin layer and the conductor layer may be included. The laser beam may be an excimer laser or a YAG laser.
また、上述のプリント配線基板に半導体素子を搭載してなる半導体装置を提供することができる。 In addition, a semiconductor device in which a semiconductor element is mounted on the above-described printed wiring board can be provided.
本発明によれば、プリント配線基板の樹脂層表面に平滑な表面を持った導体回路を有するプリント配線基板、プリント配線基板の製造方法および半導体装置を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the printed wiring board which has a conductor circuit with the smooth surface on the resin layer surface of a printed wiring board, the manufacturing method of a printed wiring board, and a semiconductor device can be provided.
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。 The above-described object and other objects, features, and advantages will become more apparent from the preferred embodiments described below and the accompanying drawings.
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
はじめに、図1を参照して、本実施形態のプリント配線基板1の概要について説明する。図1(a)は、プリント配線基板1の断面図を模式的に表したものである。図1(b)は、プリント配線基板1の平面図を模式的に表したものである。
First, the outline of the printed
プリント配線基板としては例えば、基板上に形成された樹脂層と導体層からなるプリント配線板、プリント配線板上に形成された樹脂層(例えばビルドアップ層)と導体層からなるビルドアップ多層プリント配線板、金属基板上に形成された樹脂層と導体層からなるメタルコア配線板、及び、ウェハー表面に形成された樹脂層と導体層からなる半導体素子の再配線等が挙げられる。なお、プリント配線板に用いられる基板、メタルコア配線板に用いられる金属基板、半導体素子の再配線に用いられるウェハーとしては、通常用いられるものを適宜選択して用いることができる。 As a printed wiring board, for example, a printed wiring board composed of a resin layer and a conductor layer formed on the substrate, a build-up multilayer printed wiring composed of a resin layer (for example, a buildup layer) formed on the printed wiring board and a conductor layer Examples thereof include a board, a metal core wiring board formed of a resin layer and a conductor layer formed on a metal substrate, and rewiring of a semiconductor element formed of a resin layer and a conductor layer formed on a wafer surface. In addition, as a substrate used for a printed wiring board, a metal substrate used for a metal core wiring board, and a wafer used for rewiring a semiconductor element, a commonly used one can be appropriately selected and used.
本実施形態のプリント配線基板1は、樹脂層10と導体層12とを備えるプリント配線基板1である。樹脂層10には凹部14が設けられ、凹部14に埋設された導体層12を有している。凹部14の断面視における形状は、凹部14の中央部16が盛り上がった形状である。すなわち、凹部14の断面は、底辺において中央部16が他の部分よりも盛り上がった形状を有する。
The printed
平面視における導体層12の形状は、特に限定はされないが、例えば、一方向に延在する導体パターン(配線パターン)、正方形、長方形など矩形の導体パッド、円形の導体パッドなどが挙げられる。図1(b)では、円形の導体パッドで図示している。また、矩形の四隅が円弧を形成したものであってもよい。加工性の面からは円形であることが好ましい。樹脂層10表面の凹部14内部に埋め込まれた導体層12の最大幅は、通常、凹部14の最大幅と同じになる。
The shape of the
図1(a)に示すように、導体層12が平面視において円形の形状をした導体パッドである場合、導体パッドが埋設された凹部14は平面視において円形の形状を有する。この場合、導体パッドが埋設された凹部14は、凹部14の底面の中心を通るいずれの断面においても中央部16が盛り上がった断面形状を有する。なお、凹部14が平面視において円形である場合、凹部14の底面についても円形となるように設けられる。
また、導体層12が平面視において矩形の形状をした導体パッドである場合、導体パッドが埋設された凹部14についても平面視において矩形の形状を有する。この場合、導体パッドが埋設された凹部14は、凹部14の底面の対角線の中心を通るいずれの断面においても、中央部16が盛り上がった断面形状を有する。なお、凹部14が平面視において矩形である場合、凹部14の底面についても矩形となるように設けられる。As shown in FIG. 1A, when the
Further, when the
また、導体層12が平面視において一方向に延在する導体パターンである場合、導体パターンが埋設された凹部14についても一方向に延在するように設けられる。この場合、導体パターンが埋設された凹部14は、短手方向における断面において中央部16が盛り上がった断面形状を有する。すなわち、凹部14は、短手方向における断面の底辺が中央部16において他の部分よりも盛り上がるように設けられる。また、この場合、導体パターンが埋設された凹部14は、長手方向における断面においては中央部が盛り上がった断面形状を有しない。すなわち、凹部14は、長手方向における断面の底辺が一定の深さを有するように設けられる。
Further, when the
また、樹脂層10上には配線溝15が設けられ、配線溝15には配線パターン13が埋設されている。凹部14の断面視における形状が、凹部14の中央部16が盛り上がった形状となっていることにより、凹部14内に導体めっきで導体回路を埋設させた後、導体回路部分以外の導体めっきをエッチングで除去するとき中央部16付近が窪まずに導体層表面を平坦な形状とすることができる。
A
凹部14の盛り上がった中央部16から最深部17に向かって少なくとも一つの段差が形成されているようにしてもよい。本実施形態を示す図1(a)では、段差が二段で構成されているものを図示している。中央部16から最深部17に向かって段差を設けることにより、凹部14をめっきにて埋設するときなだらかなめっき表面とすることができる。
また、図1(a)に示すように、凹部14は、例えば底辺の中央部16が盛り上がった形状を有する断面において、下端から上端に向けて幅が大きくなるように形成されている。なお、凹部14は、下端から上端において幅が一定となるように形成されていてもよい。At least one step may be formed from the raised
Moreover, as shown to Fig.1 (a), the recessed
樹脂層10の表面から凹部14の最深部17までの深さ(最深部の深さ)D1は、1μm以上、40μm以下であることが好ましく、5μm以上、20μm以下がより好ましい。
図2に示すように、樹脂層10の表面から凹部14の最深部17までの深さ(D1)と、樹脂層10の表面から凹部14の中央部16の上端までの深さ(D2)との比(D2/D1)は、0.2〜0.8であることが好ましく、0.3〜0.6であることがより好ましい。この範囲内にあることで、導体回路部分以外の導体めっきをエッチングで除去するとき中央部16付近が窪まずに導体層表面を平坦な形状とすることができる。凹部の大きさが広いときに影響を受けやすくなる、すなわち凹部14の大きさが広いとき程中央部16付近に窪みが生じやすくなる。このため、平面視で凹部14の幅が20μm以上であることが好ましい。これにより、凹部14の中央部16を盛り上がった形状とすることにより得られる効果が一層顕著に発揮される。導体層12が一方向に延在する導体パターンである場合には、平面視において凹部14の短手方向における幅が20μm以上であることが好ましい。また、導体パッドが平面視において矩形である場合には、平面視において凹部14の一辺の長さが20μm以上であることが好ましい。さらに、導体パッドが平面視において円形である場合には、平面視において凹部14の直径の長さが20μm以上であることが好ましい。
また、配線溝15についても配線パターン幅が20μm以上である場合が好ましい。これにより、一層顕著に効果が発揮される。The depth D1 from the surface of the
As shown in FIG. 2, the depth (D1) from the surface of the
Further, it is preferable that the wiring pattern width of the
また、導体層12と同様に、配線パターン13が形成されていてもよい。本発明のプリント配線基板1の態様において、樹脂層10表面の配線パターン13の幅は、1μm以上、10μm以下である。これにより、プリント配線基板の高密度化、高実装化、微細配線化が可能になる。また、特に限定はされないが、前記樹脂層10表面の配線パターン13の幅は、8μm以下であることがより好ましく、6μm以下であることがさらに好ましく、4μm以下であることが特に好ましい。これにより高密度化、高実装化の作用を効果的に発現させることができる。
また、前記樹脂層10表面の配線溝15の深さは、1μm以上、20μm以下であることが好ましい。導体層12の断面形状は、略台形状、蒲鉾状又は三角形であることが好ましい。これにより、信号応答性に優れた微細配線形成が可能となる。前記凹部14内部に埋設される導体層12としては、導体であれば特に限定されず、めっきにより形成されることが好ましい。導体層12としては、例えば、銅やニッケル等の金属を含むことが好ましい。
配線パターン13は、例えば導体層12と同一工程により形成される。配線パターン13は、例えば導体層12と同様の金属材料により構成される。Further, similarly to the
Further, the depth of the
The
次に、プリント配線基板1を構成する各要素について説明する。
プリント配線基板1に用いられる絶縁基板としては、特に限定はされないが、例えば基材に絶縁性樹脂を含浸または塗工したものを加熱、加圧などにより加工することにより得られる。基材としては、例えばガラス織布、ガラス不織布等のガラス繊維基材、ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維等のポリアミド系樹脂繊維、ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリエステル樹脂繊維等のポリエステル系樹脂繊維、ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維等を主成分とする織布または不織布で構成される合成繊維基材、クラフト紙、コットンリンター紙、リンターとクラフトパルプの混抄紙等を主成分とする紙基材等の有機繊維基材などが挙げられる。絶縁性樹脂としては、例えばシアネート樹脂、エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、フェノール樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、マレイミド樹脂、液晶ポリマー、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂など、これらを単独、あるいは複数用いたものが挙げられる。フレキシブル基板に用いられる例えばポリイミド樹脂、液晶ポリマー、エポキシ樹脂などを絶縁性樹脂として用いる場合は、基材を含まなくても用いることもできる。Next, each element constituting the printed
The insulating substrate used for the printed
メタルコア配線板に用いられる金属基板としては、特に限定はされないが、例えば銅及び銅系合金、アルミ及びアルミ系合金、銀及び銀系合金、金及び金系合金、亜鉛及び亜鉛系合金、ニッケル及びニッケル系合金、錫及び錫系合金、鉄および鉄系合金等が挙げられる。42アロイなどの線膨張係数の低い金属を用いてもよい。 The metal substrate used for the metal core wiring board is not particularly limited. For example, copper and copper alloys, aluminum and aluminum alloys, silver and silver alloys, gold and gold alloys, zinc and zinc alloys, nickel and Examples thereof include nickel-based alloys, tin and tin-based alloys, iron and iron-based alloys. A metal having a low coefficient of linear expansion such as 42 alloy may be used.
半導体素子の再配線に用いられるウェハーとしては、特に限定はされないが、例えばシリコン、ゲルマニウム、シリコン−ゲルマニウム、炭化シリコン、リン化ガリウム、リン化アルミニウム、窒化ガリウム、ヒ化ガリウム、ヒ化アルミニウム、ヒ化インジウム、窒化インジウム、リン化インジウム、リン化ガリウムインジウム、リン化インジウムヒ素、硫化亜鉛及び酸化亜鉛などの半導体材料が挙げられる。 The wafer used for the rewiring of the semiconductor element is not particularly limited. For example, silicon, germanium, silicon-germanium, silicon carbide, gallium phosphide, aluminum phosphide, gallium nitride, gallium arsenide, aluminum arsenide, Semiconductor materials such as indium phosphide, indium nitride, indium phosphide, gallium indium phosphide, indium arsenide phosphide, zinc sulfide, and zinc oxide can be given.
樹脂層10の厚さは、特に限定されないが、1μm以上、60μm以下が好ましく、特に5μm以上、40μm以下が好ましい。樹脂層10の厚さは、絶縁信頼性を向上させる上で前記下限値以上が好ましく、多層プリント配線基板の薄膜化を達成する上で前記上限値以下が好ましい。これより、プリント配線基板を製造する際に、内層回路基板の導体層の凹凸を充填した絶縁層を成形することができるとともに、好適な絶縁層の厚みを確保することができる。
The thickness of the
次に、樹脂層10に用いられる樹脂組成物について説明する。樹脂層形成用樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を含むことが好ましい。すなわち、本発明のプリント配線基板1において前記凹部14を有する樹脂層10は、熱硬化性樹脂を含む樹脂組成物の硬化物で構成されていることが好ましい。熱硬化性樹脂の硬化物を含むことにより、樹脂層10の耐熱性を向上させることができる。
Next, the resin composition used for the
熱硬化性樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、未変性のレゾールフェノール樹脂、桐油、アマニ油、クルミ油等で変性した油変性レゾールフェノール樹脂等のレゾール型フェノール樹脂、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールAエポキシ樹脂、ビスフェノールFエポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂、ビスフェノールP型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、アリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア(尿素)樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、トリアジン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、シアネート樹脂等が挙げられる。これらの中でも、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂およびベンゾシクロブテン樹脂の中から選ばれる1種以上の樹脂を含むことが好ましい。樹脂層10の熱膨張係数を小さくすることができること、樹脂層10の電気特性(低誘電率、低誘電正接)、機械強度、レーザ加工性、特にエキシマレーザやYAGレーザ加工性等を重視する観点から、例えば、シアネート樹脂を含むことが好ましい。
Examples of thermosetting resins include novolak type phenolic resins such as phenol novolak resin, cresol novolak resin, bisphenol A novolak resin, unmodified resol phenol resin, oil-modified resol phenol resin modified with tung oil, linseed oil, walnut oil, and the like. Phenolic resin such as biphenyl aralkyl type phenol resin, bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol Z type epoxy resin, bisphenol P type epoxy resin Novolak type epoxy such as bisphenol type epoxy resin such as bisphenol M type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, etc. Si resin, biphenyl type epoxy resin, biphenyl aralkyl type epoxy resin, arylalkylene type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, phenoxy type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, norbornene type epoxy resin, adamantane type epoxy resin Resin, epoxy resin such as fluorene type epoxy resin, resin having triazine ring such as urea (urea) resin, melamine resin, unsaturated polyester resin, bismaleimide resin, polyimide resin, polyamideimide resin, polyurethane resin, diallyl phthalate resin, Examples thereof include silicone resins, resins having a benzoxazine ring, triazine resins, benzocyclobutene resins, and cyanate resins. Among these, it is preferable to include one or more resins selected from epoxy resins, phenol resins, cyanate resins, and benzocyclobutene resins. The viewpoint of emphasizing that the thermal expansion coefficient of the
上記エポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールAエポキシ樹脂、ビスフェノールFエポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂、ビスフェノールP型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂等のアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂として、これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、異なる重量平均分子量を有する2種類以上を併用したり、1種類または2種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。 Examples of the epoxy resin include bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol Z type epoxy resin, bisphenol P type epoxy resin, and bisphenol M type epoxy resin. Epoxy resins, phenol novolac type epoxy resins, cresol novolac epoxy resins and other novolak type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, xylylene type epoxy resins, biphenyl aralkyl type epoxy resins and other aryl alkylene type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, naphthol aralkyl Type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, phenoxy type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, norvol Emission type epoxy resins, adamantane type epoxy resins and fluorene type epoxy resins and the like. As the epoxy resin, one of these can be used alone, or two or more having different weight average molecular weights are used in combination, or one or two or more thereof and a prepolymer thereof are used in combination. You can also.
エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の1〜55重量%が好ましく、特に5〜40重量%が好ましい。含有量が前記下限値未満であるとシアネート樹脂の反応性が低下したり、得られる製品の耐湿性が低下したりする場合があり、前記上限値を超えると低熱膨張性、耐熱性が低下する場合がある。 Although content of an epoxy resin is not specifically limited, 1 to 55 weight% of the whole resin composition is preferable, and 5 to 40 weight% is especially preferable. If the content is less than the lower limit, the reactivity of the cyanate resin may decrease, or the moisture resistance of the resulting product may decrease. If the content exceeds the upper limit, the low thermal expansion and heat resistance will decrease. There is a case.
エポキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、重量平均分子量500〜20000が好ましく、特に800〜15000が好ましい。重量平均分子量が前記下限値未満であると樹脂層10の表面にタック性が生じる場合が有り、前記上限値を超えると半田耐熱性が低下する場合がある。重量平均分子量を上記範囲内とすることにより、これらの特性のバランスに優れたものとすることができる。エポキシ樹脂の重量平均分子量は、例えばGPCで測定することができる。
Although the weight average molecular weight of an epoxy resin is not specifically limited, The weight average molecular weight 500-20000 is preferable and 800-15000 is especially preferable. If the weight average molecular weight is less than the lower limit, tackiness may occur on the surface of the
上記熱硬化性樹脂は、1種又は2種以上組み合わせて用いることができる。通常は、硬化剤を組み合わせて熱硬化性樹脂として用いられる。 The said thermosetting resin can be used 1 type or in combination of 2 or more types. Usually, it is used as a thermosetting resin in combination with a curing agent.
上記熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、樹脂層形成用樹脂組成物中の20〜90重量%、更に30〜80重量%が好ましく、特に40〜70重量%が好ましい。含有量が前記下限値未満であると樹脂層10を形成するのが困難となる場合があり、前記上限値を超えると樹脂層10の強度が低下する場合がある。
The content of the thermosetting resin is not particularly limited, but is preferably 20 to 90% by weight, more preferably 30 to 80% by weight, and particularly preferably 40 to 70% by weight in the resin composition for forming a resin layer. If the content is less than the lower limit, it may be difficult to form the
本発明のプリント配線基板1の樹脂層10(乃至、樹脂層形成用樹脂組成物)は、無機充填材を含むものとすることができる。樹脂層10に無機充填材を含む場合には低熱膨張、高弾性、低吸水となるため、実装信頼性、反り量が向上する点から好ましい。
The resin layer 10 (or resin composition for forming a resin layer) of the printed
上記無機充填材は、2μm超過の粗粒が500ppm以下であることが、プリント配線基板1の絶縁層に用いた場合に、レーザ加工による、回路幅/回路間幅(L/S)が10μm/10μm以下の微細配線形成のための溝加工性や、微細なビアの加工性に優れ、形成された絶縁層と形成された導体回路との密着性に優れる点から好ましい。上記無機充填材は、更に、2μm超過の粗粒が300ppm以下、特に2μm超過の粗粒が5ppm以下であることが好ましい。なお、2μm超過の粗粒が500ppm以下の無機充填材を得る方法は特に限定されない。例えば、2μm超過の粗粒を除去する方法として、有機溶剤、および/または水中のスラリー状態で、平均粒径の10倍以上の細孔径フィルターで粗粒を数回除去し、次いで2μmの細孔径フィルターで2μm超過の粗粒除去を繰り返して実施することにより得ることができる。
When the inorganic filler is used as an insulating layer of the printed
前記無機充填材の粗粒径、および含有量の測定は、粒子画像解析装置(シスメックス社製FPIA−3000S)により測定することができる。無機充填材を水中または有機溶剤中で超音波により分散させ、得られた画像から、2μm超過の無機充填材の個数を算出して測定することができる。具体的には、無機充填材の円相当径で2μm超過の粒子数と解析総粒子数で含有量は規定される。 The coarse particle size and content of the inorganic filler can be measured with a particle image analyzer (FPIA-3000S manufactured by Sysmex Corporation). The inorganic filler can be dispersed by ultrasonic waves in water or an organic solvent, and the number of inorganic fillers exceeding 2 μm can be calculated and measured from the obtained image. Specifically, the content is defined by the number of particles exceeding 2 μm in the equivalent circle diameter of the inorganic filler and the total number of analyzed particles.
中でも、上記無機充填材の最大粒径としては、2.0μm以下であることが好ましい。これにより、樹脂層10の表面粗さを抑制することができ、絶縁信頼性が高く、信号応答性に優れた微細配線形成が可能となる。また、特に限定はされないが、無機充填材の最大粒径は1.8μm以下がより好ましく、1.5μm以下が特に好ましい。これにより絶縁信頼性、信号応答性、ビアや溝内のめっき付き性や層間接続信頼性を高める作用を効果的に発現させることができる。
Among these, the maximum particle size of the inorganic filler is preferably 2.0 μm or less. Thereby, the surface roughness of the
また、上記無機充填材の平均粒径としては、0.05μm以上、1.0μm以下であることが好ましい。これにより、絶縁信頼性が高く、信号応答性に優れた微細配線形成を実現しやすくなる。また、無機充填材の平均粒径が上記範囲の場合には、レーザ加工による、回路幅/回路間幅(L/S)が10μm/10μm以下の微細配線形成するための溝加工性や、微細なビアの加工性に優れるようになり、樹脂層10の表面粗さも抑制することができる。無機充填材の平均粒径は0.05μm以上、0.60μm以下が好ましく、0.05μm以上、0.50μm以下がより好ましく、0.05μm以上、0.40μm以下が特に好ましい。これにより絶縁信頼性、信号応答性、ビアや溝内のめっき付き性や層間接続信頼性を高める作用を効果的に発現させることができる。
The average particle size of the inorganic filler is preferably 0.05 μm or more and 1.0 μm or less. Thereby, it becomes easy to realize fine wiring formation with high insulation reliability and excellent signal response. Further, when the average particle size of the inorganic filler is in the above range, the groove workability for forming fine wiring with a circuit width / inter-circuit width (L / S) of 10 μm / 10 μm or less by laser processing, As a result, excellent processability of the via can be achieved, and the surface roughness of the
無機充填材の平均粒子径は、例えばレーザ回折散乱法により測定することができる。無機充填材を水中で超音波により分散させ、レーザ回折式粒度分布測定装置(HORIBA社製、LA−500)により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒子径とすることで測定することができる。具体的には、無機充填材の平均粒子径はD50で規定される。 The average particle diameter of the inorganic filler can be measured by, for example, a laser diffraction scattering method. The inorganic filler is dispersed in water by ultrasonic waves, and the particle size distribution of the inorganic filler is created on a volume basis by a laser diffraction particle size distribution analyzer (HORIBA, LA-500). The median diameter is the average particle diameter. It can be measured by. Specifically, the average particle diameter of the inorganic filler is defined by D50.
上記無機充填材の2μm超過の粗粒量が上記上限値を上回ると、無機充填材がレーザ加工を阻害し、樹脂層10に溝を形成できない箇所が生じたり、ビア形状がいびつになったり、樹脂にクラックが入ったりするおそれがあり、粗粒フィラーの脱落による絶縁信頼性やめっき付き性が低下するおそれがある。さらにはレーザ光でビアや溝を形成する時間が長くなるため、作業性が低下する可能性が生じる。また、レーザ加工後に溝側壁面に残留した無機充填材により、めっき後の導体層10の表面凹凸が大きくなる。これにより、配線やビア形状の精度が悪くなり、高密度プリント配線板においては絶縁信頼性を害する場合がある。さらには1GHzを超える高周波数領域においては表皮効果により信号応答性を害する場合がある。無機充填材の平均粒径が上記上限値を上回っても同様の恐れがある。
When the amount of coarse particles exceeding 2 μm of the inorganic filler exceeds the upper limit, the inorganic filler inhibits laser processing, and a portion where a groove cannot be formed in the
また、上記無機充填材の平均粒径が上記下限値未満となると、樹脂層10の熱膨張係数・弾性率の物理的性質を低下させ、半導体素子搭載時の実装信頼性を害するおそれがある。また、樹脂層形成用樹脂組成物中の無機充填材の分散性の低下や、凝集の発生が生じたり、樹脂組成物のBステージ状態における柔軟性の低下による樹脂フィルム化が困難になるおそれもある。
Moreover, when the average particle diameter of the inorganic filler is less than the lower limit, the physical properties of the thermal expansion coefficient and elastic modulus of the
上記無機充填材としては、特に限定されるものではないが、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカ等の酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ベーマイト、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素等の窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等のチタン酸塩等を挙げることができる。無機充填材として、これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、2種類以上を併用したりすることもできる。これらの中でも特に、低熱膨張性、難燃性、及び弾性率に優れる点から、シリカが好ましく、溶融シリカがより好ましい。これらの中でもその形状は球状シリカが好ましい。 The inorganic filler is not particularly limited. For example, talc, fired clay, unfired clay, mica, glass and other silicates, titanium oxide, alumina, silica, fused silica and other oxides, carbonic acid Carbonates such as calcium, magnesium carbonate and hydrotalcite, hydroxides such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, boehmite and calcium hydroxide, sulfates or sulfites such as barium sulfate, calcium sulfate and calcium sulfite, boric acid Borate salts such as zinc, barium metaborate, aluminum borate, calcium borate and sodium borate, nitrides such as aluminum nitride, boron nitride, silicon nitride and carbon nitride, titanic acid such as strontium titanate and barium titanate A salt etc. can be mentioned. As the inorganic filler, one of these can be used alone, or two or more can be used in combination. Among these, silica is preferable and fused silica is more preferable in terms of excellent low thermal expansion, flame retardancy, and elastic modulus. Among these, the shape is preferably spherical silica.
樹脂層10乃至樹脂層形成用樹脂組成物中に無機充填材を含む場合、無機充填材の含有量は、樹脂層10乃至樹脂層形成用樹脂組成物中に10〜80重量%、更に20〜70重量%、特に30〜60重量%であることが、絶縁信頼性が高く、信号応答性に優れた微細配線形成が可能となる点から好ましい。
When the inorganic filler is included in the
また、樹脂層10乃至樹脂層形成用樹脂組成物には、必要に応じて、熱可塑性樹脂等の製膜性樹脂、硬化促進剤、カップリング剤、顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤等の上記成分以外の添加物を添加しても良い。
In addition, the
次に、樹脂層10を形成する方法について説明する。
樹脂層10を形成させる方法としては特に限定されないが、例えば、樹脂層形成用樹脂組成物を溶剤などに溶解、分散させて樹脂ワニスを調製して、各種コーター装置を用いて樹脂ワニスをキャリアフィルム等に塗工した後、これを乾燥する方法や、スプレー装置を用いて、樹脂ワニスをキャリアフィルムに噴霧塗工した後、これを乾燥する方法等のキャリアフィルム付き樹脂シートを得る方法が挙げられる。これらの中でも、コンマコーター、ダイコーターなどの各種コーター装置を用いて、樹脂ワニスをキャリアフィルム等に塗工した後、これを乾燥する方法が好ましい。これにより、ボイドがなく、均一な樹脂層の厚みを有するキャリア付き樹脂シートを効率よく製造することができる。Next, a method for forming the
The method for forming the
得られたキャリアフィルム付き樹脂シートを例えばラミネーター、真空プレス機などを用いて基板に熱圧着することで、樹脂層10を形成することができる。また、基板に直接樹脂ワニスをコーティングすることでも樹脂層10を形成することができる。プリント配線基板以外にも、例えば、ウェハー上に樹脂層10を形成する際についても、上記のようにキャリアフィルム付き樹脂シートを作製して熱圧着する方法や、樹脂ワニスをコーティングする方法により樹脂層10を形成することができる。
The
樹脂ワニスに用いられる溶媒は、樹脂組成物中の樹脂成分に対して良好な溶解性を示すことが望ましいが、悪影響を及ぼさない範囲で貧溶媒を使用しても構わない。良好な溶解性を示す溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系等が挙げられる。上記樹脂ワニス中の固形分含有量としては特に限定されないが、30〜80重量%が好ましく、特に40〜70重量%が好ましい。 The solvent used in the resin varnish desirably exhibits good solubility in the resin component in the resin composition, but a poor solvent may be used within a range that does not adversely affect the resin varnish. Examples of the solvent exhibiting good solubility include acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, tetrahydrofuran, dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, ethylene glycol, cellosolve and carbitol. Although it does not specifically limit as solid content in the said resin varnish, 30 to 80 weight% is preferable and especially 40 to 70 weight% is preferable.
次に、プリント配線基板1の好適な製造方法について説明する。
プリント配線基板1の製造方法は、
(a)樹脂層10からなる絶縁基板を用意する工程と(図3)、
(b)樹脂層10を加工して中央部16が盛り上がった凹部14を形成する工程と(図4〜図6)、
(c)めっきにより凹部14内に埋め込まれた導体層12を形成する工程と(図7〜図9)、を含むものである。Next, a preferred method for manufacturing the printed
The manufacturing method of the printed
(A) a step of preparing an insulating substrate made of the resin layer 10 (FIG. 3);
(B) a step of processing the
(C) The process of forming the
工程(b)では、凹部14の形成はレーザ光5を用いることが好ましく、レーザ光5としてはエキシマレーザ又はYAGレーザであることが好ましい。これらのレーザを使用することにより、精度・形状よく凹部14の形成が可能となり、微細配線形成や高密度化が可能となる。特に限定はされないが、エキシマレーザのレーザ波長は、193nm、248nm、308nmであることがより好ましく、193nm、248nmであることが特に好ましい。これにより、精度・形状よく凹部を形成できる作用を効果的に発現させることができる。YAGレーザの波長は355nmであることが好ましい。他の波長では樹脂層10を構成する樹脂組成物がレーザ光5を吸収せず凹部が形成できない可能性がある。レーザ光5はマスク6を介して樹脂層10に照射される。
In the step (b), it is preferable to use the
凹部14を形成する工程(b)では、レーザ光を用いて行ない、レーザ光を複数回照射することにより前記凹部の深さを変えるようにしてもよい。レーザ光を複数回照射する方法は、例えば、凹部14を形成する領域全面にレーザ光5を照射する工程(b1)と(図4)、工程(b1)において用いたレーザ光5の径よりも小さい径を有するレーザ光5を、凹部14を形成する領域の周縁部に沿って周回させる工程(b2)と(図5)、を含む。また、工程(b2)の後、工程(b2)において用いたレーザ光5の径よりも小さい径を有するレーザ光5を、凹部14を形成する領域の周縁部に沿って周回させる工程(b3)をさらに含むようにしてもよい(図6)。
In the step (b) of forming the
上述したように、凹部14を形成する工程(b)は、(b1)凹部14を形成する領域全面にレーザ光5を照射する第一段工程と、(b2)第一段工程(b1)で照射したレーザ光5の照射面積よりも小さい照射面積のレーザ光5を、凹部14を形成する領域の周縁部に沿って照射させる第二段工程と、を含むように行なってもよい。また、凹部14を形成する工程(b)は、第二段工程(b2)の後、第二段工程(b2)で照射したレーザ光5の照射面積よりもさらに小さい照射面積のレーザ光を、凹部14を形成する領域の周縁部に沿って照射させる第三段工程(b3)をさらに含むように行なってもよい。具体的には以下のように行なう。
図4に示すように、第一ステップ(b1)では所望の導体層(導体パッド)12の形状に合わせたマスク6を用いレーザ光5によって第一段凹部(A)加工する。次に、第二ステップ(b2)では、図5で示すように、第一ステップ(b1)で使用したマスク6の径よりも小さい径を有するマスク7を用いて第二段凹部(B)を形成する。第一ステップ(b1)では、一定時間、同一場所をレーザ光5で照射することにより第一段凹部(A)を形成したが、第二ステップ(b2)ではマスク7または絶縁基板を第一段凹部(A)の外周に沿って回転させることにより第二段凹部(B)形成する。これにより、中央部付近はレーザ光5が照射されず、段差を持った凹部が形成される。次に、第三ステップ(b3)では、第三段凹部(C)を形成する。第三段凹部(C)を形成するためのマスク8としては、第二ステップ(b2)で用いたマスク7よりもさらに径の小さいマスク8を用いる。第三ステップ(b3)では、マスク8または絶縁基板を第二段凹部(B)の外周に沿って回転させることにより第三段凹部(C)形成する。これにより、中央部が階段状に盛り上がった凹部14を形成することができる。レーザ光照射条件は同じでもよいし異なっていてもよい。上述の説明では、導体パッドの形状が円形であったため、レーザ光5のマスク6、7および8の形状は円形を用いたが、これに限定されるものではなく、例えば、図11に示すように長方形の導体パッドの場合は、レーザ光5のマスク6、7および8として正方形または長方形の矩形のマスクを用いるようにしてもよい(図12〜図14)。As described above, the step (b) of forming the
As shown in FIG. 4, in the first step (b 1), the first step recess (A) is processed by the
本発明のプリント配線基板の製造方法では、工程(b)と工程(c)との間に、プラズマ又は薬液によってデスミアする工程を含むことが好ましい。これにより、レーザ光5による凹部14の形成時に、凹部14の側壁面に残留した炭化物を除き、電気信頼性の高い微細配線やビア形成が可能となる。
プラズマとしては、特に限定されないが、プラズマは窒素プラズマ、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ、四フッ化メタンプラズマ、もしくはこれらの混合ガスのプラズマを使用することができる。また、プラズマの処理条件としては、凹部14、配線溝15の内部表面の残留した炭化物を十分に除ききる条件であることが好ましい。これにより、絶縁信頼性が高く、信号応答性に優れたビア形成が可能となる。1GHzを超える高周波数領域において、その表皮効果による伝送損失を低減でき、さらにビア内のめっき付き不良や層間接続不良を低減することができる。In the method for manufacturing a printed wiring board of the present invention, it is preferable that a step of desmearing with plasma or a chemical solution is included between step (b) and step (c). This makes it possible to form fine wiring and vias with high electrical reliability, except for carbides remaining on the side wall surfaces of the
Although it does not specifically limit as plasma, Nitrogen plasma, oxygen plasma, argon plasma, tetrafluoromethane plasma, or plasma of these mixed gas can be used for plasma. Moreover, it is preferable that the plasma processing conditions are such that carbides remaining on the inner surfaces of the
薬液によるデスミアとしては、特に限定はされないが、過マンガン酸塩、重クロム酸等を使用することができる。また、デスミアの処理条件としては、凹部14、配線溝15の内部表面の残留した炭化物を十分に除ききる条件であることが好ましい。これにより、絶縁信頼性が高く、信号応答性、さらにビア内のめっき付き不良や層間接続不良を低減に優れたビア形成が可能となる。1GHzを超える高周波数領域において、その表皮効果による伝送損失を低減できる。プラズマ又は薬液によるデスミア工程が不十分で炭化物が凹部14、配線溝15の内部表面に残留した場合、プリント配線基板1の絶縁信頼性が低下する恐れがある。
Although it does not specifically limit as desmear by a chemical | medical solution, Permanganate, a dichromic acid, etc. can be used. Moreover, it is preferable that the desmear treatment conditions are conditions that can sufficiently remove the carbides remaining on the inner surfaces of the
本発明の工程(c)は、例えば樹脂層10表面上および凹部14内に導体層12を形成する工程と、凹部14外に形成された導体層12を除去するとともに、凹部14に導体層12を残す工程と、を含む。具体的には、以下のように行われる。
まず、樹脂層10をプラズマ又は薬液によってデスミアする工程後、凹部14にめっきを形成する。めっきの形成方法として、例えば、樹脂層10の表面に無電解めっき層50を形成する(図7)。このとき、樹脂層10表面、凹部14および配線溝15の内壁に、無電解めっき層50が形成される。無電解めっき層50の金属の種類は、特に限定されないが、銅やニッケル等が好ましい。これらの金属では樹脂層10と無電解めっき層50の密着が良好である。無電解めっき層50の厚さも特に限定されないが、0.1μm以上、5μm以下程度とすることが好ましい。さらに無電解めっき後に、熱風乾燥装置にて150℃〜200℃で10分〜120分の熱処理を行うことにより、樹脂層10と無電解めっき層50との密着をより良好にすることができる。
次に、電解めっきでさらに電解めっき層60を形成する。この工程ではレーザ光5により形成された凹部14、配線溝15の内部を電解めっき層60で埋めることができる。電解めっきには硫酸銅電解めっきが使用できる。また、特に限定されないが、めっき液中にはレベラー剤、ポリマー、ブライトナー剤等の添加剤が含まれることが好ましい。これにより、樹脂層10に形成された凹部14や配線溝15の内部に対して優先的にめっきが析出し電解めっき層60で埋められ、電解めっき後の樹脂層10表層上と凹部14や配線溝15上のめっき析出レベルが同等となる。電解めっき層60の厚みは、特に限定されないが、樹脂層10の表面から5μm以上、25μm以下程度とするのが好ましい。
これにより、図8に示すように、樹脂層10表面上および凹部14内に、無電解めっき層50および電解めっき層60からなる導体層12が形成されることとなる。In the step (c) of the present invention, for example, the
First, after the step of desmearing the
Next, an
As a result, as shown in FIG. 8, the
次に、無電解めっき、電解めっきにより形成された導体層12の一部を除去することにより、樹脂層10の凹部14、配線溝15の内部のみに導体層12および配線パターン13が形成される。特に限定はされないが、電解めっきにより形成された導体層12の一部を除去する方法は、化学エッチング処理、研磨処理、バフ研磨処理等が好ましい。これにより、樹脂層10表層上の導体層12のみを効果的に除去し、凹部14、配線溝15の内部のみに導体層12および配線パターン13を残すことが可能である。こうして、電気信頼性、信号応答性、凹部内部のめっき付き性や層間接続性に優れたプリント配線基板を作製することが可能である。
このようにして、図9に示すように、凹部14外に形成された導体層12を除去するとともに、凹部14に導体層12を残すことができる。Next, by removing a part of the
In this manner, the
本発明の工程(c)は、例えば以下のように行うこともできる。
まず、図16に示すように、樹脂層10の表面に無電解めっき層51を形成する。このとき、凹部14および配線溝15の内壁上にも、無電解めっき層51が形成される。無電解めっき層51の金属の種類は、特に限定されないが、銅やニッケル等が好ましい。これらの金属を用いることにより、樹脂層10と無電解めっき層51との密着性を良好とすることができる。無電解めっき層51の厚さは、特に限定されないが、例えば0.1μm以上5μm以下とすることが好ましい。
次に、図17に示すように、無電解めっき層51上にレジスト膜80を形成する。次いで、レジスト膜80を露光・現像する。これにより、凹部14上および配線溝15上に開口を有するレジスト膜80が、無電解めっき層51上に形成される。
次に、図18に示すように、凹部14内および配線溝15内に導体層12および配線パターン13を埋め込む。導体層12および配線パターン13は、例えば無電解めっき層51をシード層とした電解めっきにより凹部14内および配線溝15内に電解めっき層61を埋め込むことにより形成される。電解めっきは、例えば硫酸銅電解めっきである。また、めっき液中にはレベラー剤、ポリマー、無頼トナー剤等の添加剤が含まれることが好ましい。
次に、図19に示すように、レジスト膜80を除去する。レジスト膜は、例えばアッシング処理等により除去することができる。
次に、樹脂層10の表面上であって、凹部14および配線溝15の外部に設けられた無電解めっき層51を除去する。無電解めっき層51の除去は、例えばフラッシュエッチングにより行われる。
このようにして、凹部14を埋め込む導体層12が形成される。Step (c) of the present invention can also be performed, for example, as follows.
First, as shown in FIG. 16, an
Next, as shown in FIG. 17, a resist
Next, as shown in FIG. 18, the
Next, as shown in FIG. 19, the resist
Next, the
In this way, the
本発明の製造方法は工程(c)の後に、樹脂層10及び導体層12、配線パターン13の上に別の樹脂層40を形成する工程(d)を含むことができる(図10)。本発明の工程では、樹脂層10及び導体層12、配線パターン13の上に別の樹脂層40を形成することで、多層プリント配線基板の配線となる各導体層が樹脂層で覆われ配線間乃至ビア間の絶縁性が確保される。特に限定はされないが、樹脂層10及び導体層12、配線パターン13の上に樹脂層40を形成する手法としては、上記樹脂層10を準備する時と同様に、キャリアフィルム付き樹脂シートを例えば真空加圧式ラミネーター装置、平板プレス装置等を用いて樹脂層10上に形成する方法が挙げられる。樹脂層40には、樹脂層10と同様に、導体層、配線パターン、樹脂層40に形成された導体層と樹脂層10に形成された導体層12と電気的に接続するためのビアホールを設けることができる。こうして、上記工程(a)、(b)、(c)、(d)を繰り返すことで電気信頼性、信号応答性、凹部14、配線溝15内部のめっき付き性や層間接続性に優れたビルドアップされた多層のプリント配線基板1(ビルドアップ多層プリント配線基板)を作製することが可能である。
The manufacturing method of this invention can include the process (d) of forming another
次に、半導体装置70について説明する。
本発明の半導体装置70は、本発明に係るプリント配線基板1に半導体素子71を搭載してなることを特徴とする。プリント配線基板1に半田バンプ73を有する半導体素子71を実装し、半田バンプ73を介して、プリント配線基板1と半導体素子71とを接続する。そして、プリント配線基板1と半導体素子71との間には接着層75として液状封止樹脂を充填し、半導体装置70を製造する(図15)。Next, the
A
半田バンプ73は、錫、鉛、銀、銅、ビスマスなどからなる合金で構成されることが好ましい。半導体素子71とプリント配線基板1との接続方法は、フリップチップボンダーなどを用いてプリント配線基板1上の接続用電極部と半導体素子71の半田バンプ73との位置合わせを行ったあと、IRリフロー装置、熱板、その他加熱装置を用いて半田バンプ73を融点以上に加熱し、プリント配線基板1と半田バンプ73とを溶融接合することにより接続する。なお、接続信頼性を良くするため、予めプリント配線基板1上の接続用電極部に半田ペースト等の比較的融点の低い金属の層を形成しておいても良い。この接合工程に先んじて、半田バンプ73、またはプリント配線基板1上の接続用電極部の表層にフラックスを塗布することで接続信頼性を向上させることもできる。
The
実施形態では、中央部が盛り上がった形状について説明したが、盛り上がり部分は一箇所ではなく、例えば、複数の盛り上がり部を有していてもよい。また、段差についても、段差はなくてもよいし、なだらかな形状であってもよい。 In the embodiment, the shape in which the central portion is raised has been described. However, the raised portion is not one place, and for example, a plurality of raised portions may be included. In addition, the step may not have a step or may have a gentle shape.
以下、本発明を実施例及び比較例により説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。 Hereinafter, although an example and a comparative example explain the present invention, the present invention is not limited to this.
ノボラック型シアネート樹脂(ロンザジャパン株式会社製、プリマセットPT−30、重量平均分子量約700)20重量部、メトキシナフタレンジメチレン型エポキシ樹脂(大日本インキ化学工業株式会社製、EXA−7320)35重量部、フェノキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン社製、jER4275)5重量部、イミダゾール化合物(四国化成工業株式社製、キュアゾール1B2PZ(1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール))0.2重量部をメチルエチルケトンに溶解、分散させた。無機充填材/球状溶融シリカ(電気化学工業株式会社製、SFP−20M)を積層型カートリッジフィルター(住友スリーエム株式会社製)を用いて最大粒子径2.0μmを上回る粒子を濾過分離して除去し、平均粒子径が0.4μmとなった無機充填材/球状溶融シリカ40重量部を添加した。カップリング剤/エポキシシランカップリング剤(GE東芝シリコーン株式会社製、A−187)0.2重量部を添加して、高速攪拌装置を用いて10分間攪拌して、固形分50重量%の樹脂ワニスを調製した。 20 parts by weight of novolak-type cyanate resin (Lonza Japan Co., Ltd., Primaset PT-30, weight average molecular weight of about 700), 35 weights of methoxynaphthalenedi-methylene-type epoxy resin (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd., EXA-7320) Parts, 5 parts by weight of a phenoxy resin (manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd., jER4275), 0.2 parts by weight of an imidazole compound (manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd., Curazole 1B2PZ (1-benzyl-2-phenylimidazole)) are dissolved in methyl ethyl ketone, Dispersed. Inorganic filler / spherical fused silica (SFP-20M, manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd.) is filtered and removed using a multilayer cartridge filter (Sumitomo 3M Co., Ltd.) to remove particles that exceed the maximum particle size of 2.0 μm. Then, 40 parts by weight of an inorganic filler / spherical fused silica having an average particle size of 0.4 μm was added. A resin having a solid content of 50% by weight by adding 0.2 parts by weight of a coupling agent / epoxysilane coupling agent (GE-Toshiba Silicone Co., Ltd., A-187) and stirring for 10 minutes using a high-speed stirring device. A varnish was prepared.
上記で得られた樹脂ワニスを、厚さ25μmのPET(ポリエチレンテレフタレート)フィルムの片面に、コンマコーター装置を用いて乾燥後の樹脂フィルムの厚さが40μmとなるように塗工し、これを160℃の乾燥装置で10分間乾燥して、キャリア層付き樹脂層を作製した。 The resin varnish obtained above was applied to one side of a PET (polyethylene terephthalate) film having a thickness of 25 μm using a comma coater device so that the thickness of the resin film after drying was 40 μm. It dried for 10 minutes with the drying apparatus of ° C, and produced the resin layer with a carrier layer.
このキャリア層付き樹脂層を導体層付きコア基板の表裏に重ね合わせ、これを、真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度100℃、圧力1MPaにて真空加熱加圧成形させ、その後、熱風乾燥装置にて180℃で45分間加熱硬化を行い樹脂層付き基板を得た。
なお、両面導体層付きコア基板としては、下記のものを使用した。
・樹脂層:ハロゲンフリー、コア基板、厚さ0.4mm
・導体層:銅箔厚み18μm、回路幅/回路間幅(L/S)=120/180μm、クリアランスホール1mmφ、3mmφ、スリット2mmThis resin layer with a carrier layer is superposed on the front and back of a core substrate with a conductor layer, and this is subjected to vacuum heating and pressure molding at a temperature of 100 ° C. and a pressure of 1 MPa using a vacuum pressurizing laminator device, and then a hot air drying device. And cured at 180 ° C. for 45 minutes to obtain a substrate with a resin layer.
In addition, the following were used as a core substrate with a double-sided conductor layer.
・ Resin layer: Halogen-free, core substrate, thickness 0.4mm
Conductor layer: copper foil thickness 18 μm, circuit width / inter-circuit width (L / S) = 120/180 μm,
凹部は、図2のような3段の段差を持つ形状にした。また、193nmの波長を有するエキシマレーザにより樹脂層付き基板の樹脂層にマスク径を替えることにより導体層がD1=20μm、D2=10μm、d1=50μm、d2=20μm、d3=10μmとなるように形成した。
加工条件は以下の通りに設定した。
周波数:100Hz
エネルギー:500mJ/cm2
スキャン速度:65μm/secThe recess has a shape having three steps as shown in FIG. Further, by changing the mask diameter to the resin layer of the substrate with the resin layer using an excimer laser having a wavelength of 193 nm, the conductor layer has D1 = 20 μm, D2 = 10 μm, d1 = 50 μm, d2 = 20 μm, d3 = 10 μm. Formed.
The processing conditions were set as follows.
Frequency: 100Hz
Energy: 500 mJ / cm 2
Scan speed: 65 μm / sec
溝を形成した樹脂層付き基板をキャリア層付きのままで、60℃の膨潤液(アトテックジャパン株式会社製、スウェリングディップ セキュリガント P500)に10分間浸漬し、さらに80℃の過マンガン酸カリウム水溶液(アトテックジャパン株式会社製、コンセントレート コンパクト CP)に20分浸漬後、中和してデスミア処理を行った。 The substrate with the resin layer having the groove formed is immersed in a swelling solution at 60 ° C. (Swelling Dip Securigant P500, manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.) for 10 minutes with the carrier layer, and further an aqueous potassium permanganate solution at 80 ° C. After being immersed in (Concentrate Compact CP, manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.) for 20 minutes, it was neutralized and desmeared.
次にキャリアフィルムを剥離後、脱脂、触媒付与、活性化の工程を経た後、無電解銅めっき層約0.2μmを形成させた。 Next, the carrier film was peeled off, followed by degreasing, catalyst application, and activation steps, and then an electroless copper plating layer of about 0.2 μm was formed.
次に、無電解銅めっき層を電極として電解銅めっき(奥野製薬工業株式会社製、トップルチナα)を3A/dm2、30分行って、樹脂表層の厚さ約5μmの導体層を形成した。Next, electroless copper plating (Okuno Pharmaceutical Co., Ltd., Top Lucina α) was performed at 3 A / dm 2 for 30 minutes using the electroless copper plating layer as an electrode to form a conductor layer having a resin surface thickness of about 5 μm.
樹脂表層に存在する導体層をクイックエッチング処理(荏原電産社製、SACプロセス)を行うことにより除去し、配線間の絶縁を確保した。次に絶縁樹脂層を温度200℃、60分間で完全硬化させた。 The conductor layer existing on the resin surface layer was removed by performing a quick etching process (manufactured by Ebara Densan Co., Ltd., SAC process) to ensure insulation between the wirings. Next, the insulating resin layer was completely cured at a temperature of 200 ° C. for 60 minutes.
最後に回路表面にソルダーレジスト(太陽インキ製造株式会社製、PSR4000/AUS308)を形成し、4層プリント配線基板を作製した。 Finally, a solder resist (manufactured by Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd., PSR4000 / AUS308) was formed on the circuit surface to prepare a four-layer printed wiring board.
得られた4層プリント配線基板は、樹脂層表面に平滑な表面を持った導体層を有する所望のプリント配線基板であった。 The obtained four-layer printed wiring board was a desired printed wiring board having a conductor layer having a smooth surface on the resin layer surface.
<半導体装置の製造>
上記実施例及び比較例で得られた各多層プリント配線板を用いて、半導体装置を製造した。
半導体素子(TEGチップ、サイズ15mm×15mm、厚み0.725mm)としては、半田バンプは直径100μm、150μmピッチ、Sn/Pb組成の共晶で形成され、回路保護膜はポジ型感光性樹脂(住友ベークライト社製CRC−8300)で形成されたものを使用した。半導体装置の組み立ては、まず、半田バンプにフラックス材を転写法により均一に塗布し、次にフリップチップボンダー装置を用い、上記実施例及び比較例で得られた各多層プリント配線板上に半導体素子を加熱圧着により搭載した。次に、IRリフロー炉で半田バンプを溶融接合した後、各多層プリント配線板と半導体素子との間に液状封止樹脂(住友ベークライト社製、CRP−4152S)を充填し、液状封止樹脂を硬化させることで半導体装置を得た。尚、液状封止樹脂は、温度150℃、120分の条件で硬化させた。<Manufacture of semiconductor devices>
A semiconductor device was manufactured using each multilayer printed wiring board obtained in the above examples and comparative examples.
As a semiconductor element (TEG chip,
<半導体装置の評価>
平滑表面にチップを搭載し設計通りの半導体装置が得られた。<Evaluation of semiconductor devices>
A chip was mounted on the smooth surface, and a semiconductor device as designed was obtained.
この出願は、2011年3月25日に出願された日本出願特願2011−067036を基礎とする優先権を主張し、その開示の総てをここに取り込む。 This application claims the priority on the basis of Japanese application Japanese Patent Application No. 2011-066706 for which it applied on March 25, 2011, and takes in those the indications of all here.
Claims (16)
前記樹脂層には凹部が設けられ、前記凹部に埋設された前記導体層を有し、
前記凹部の断面視における形状は、前記凹部の中央部が盛り上がった形状であり、
前記凹部の最深部から前記凹部の盛り上がった前記中央部に向かって少なくとも2つの段差が形成されている、プリント配線基板。 A printed wiring board comprising a resin layer and a conductor layer,
The resin layer is provided with a recess, and has the conductor layer embedded in the recess,
Shape in cross section of the recess, Ri shape der the central portion of the recess is raised,
A printed wiring board in which at least two steps are formed from the deepest part of the concave part toward the raised central part of the concave part .
前記導体パッドが埋設された前記凹部は、平面視において矩形の形状を有する請求項1に記載のプリント配線基板。 The conductor layer is a conductor pad having a rectangular shape in plan view,
The printed wiring board according to claim 1, wherein the concave portion in which the conductive pad is embedded has a rectangular shape in plan view.
前記導体パッドが埋設された前記凹部は、平面視において円形の形状を有する請求項1に記載のプリント配線基板。 The conductor layer is a conductor pad having a circular shape in plan view,
The printed wiring board according to claim 1, wherein the recess in which the conductor pad is embedded has a circular shape in a plan view.
(a)樹脂層を含む絶縁基板を準備する工程と、
(b)前記樹脂層を加工して中央部が盛り上がった凹部を形成する工程と、
(c)めっきにより前記凹部内に埋め込まれた導体層を形成する工程と、
を含み、
前記凹部を形成する工程(b)は、
(b1)前記凹部を形成する領域全面にレーザ光を照射する第一段工程と、
(b2)前記第一段工程(b1)で照射したレーザ光の照射面積よりも小さい照射面積のレーザ光を、前記凹部を形成する領域の周縁部に沿って照射させる第二段工程と、
前記第二段工程(b2)の後、前記第二段工程(b2)で照射した前記レーザ光の照射面積よりもさらに小さい照射面積の前記レーザ光を、前記凹部を形成する領域の周縁部に沿って照射させる第三段工程(b3)と、をさらに含む、プリント配線基板の製造方法。 A method for producing a printed wiring board comprising a resin layer and a conductor layer,
(A) preparing an insulating substrate including a resin layer;
(B) processing the resin layer to form a recess with a raised central portion;
(C) forming a conductor layer embedded in the recess by plating;
Only including,
The step (b) of forming the recess includes
(B1) a first stage step of irradiating the entire region where the recess is formed with laser light;
(B2) a second stage step of irradiating a laser beam having an irradiation area smaller than the irradiation area of the laser beam irradiated in the first stage step (b1) along the peripheral edge of the region where the concave portion is formed;
After the second step (b2), the laser beam having an irradiation area smaller than the irradiation area of the laser beam irradiated in the second step (b2) is applied to the peripheral portion of the region where the recess is formed. And a third step (b3) of irradiating along the printed wiring board.
前記樹脂層表面上および前記凹部内に前記導体層を形成する工程と、
前記凹部外に形成された前記導体層を除去するとともに、前記凹部に前記導体層を残す工程と、
を含む請求項12に記載のプリント配線基板の製造方法。 The step (c) of forming the conductor layer includes:
Forming the conductor layer on the resin layer surface and in the recess;
Removing the conductor layer formed outside the recess and leaving the conductor layer in the recess;
The manufacturing method of the printed wiring board of Claim 12 containing this.
(d)前記樹脂層と前記導体層の上に別の樹脂層を形成する工程、
を含む請求項12ないし14いずれか1項に記載のプリント配線基板の製造方法。 After the step (c) of forming the conductor layer,
(D) forming another resin layer on the resin layer and the conductor layer;
The manufacturing method of the printed wiring board of any one of Claims 12 thru | or 14 containing these.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013507151A JP5892157B2 (en) | 2011-03-25 | 2012-03-21 | Printed circuit board, method for manufacturing printed circuit board, and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011067036 | 2011-03-25 | ||
JP2011067036 | 2011-03-25 | ||
PCT/JP2012/001934 WO2012132325A1 (en) | 2011-03-25 | 2012-03-21 | Printed wiring board, method for manufacturing printed wiring board, and semiconductor device |
JP2013507151A JP5892157B2 (en) | 2011-03-25 | 2012-03-21 | Printed circuit board, method for manufacturing printed circuit board, and semiconductor device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2012132325A1 JPWO2012132325A1 (en) | 2014-07-24 |
JP5892157B2 true JP5892157B2 (en) | 2016-03-23 |
Family
ID=46930113
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013507151A Expired - Fee Related JP5892157B2 (en) | 2011-03-25 | 2012-03-21 | Printed circuit board, method for manufacturing printed circuit board, and semiconductor device |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5892157B2 (en) |
TW (1) | TW201251538A (en) |
WO (1) | WO2012132325A1 (en) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101213958B1 (en) * | 2012-10-12 | 2012-12-20 | 주식회사 엘티에스 | Method for manufacturing internal antenna using laser |
JP6138026B2 (en) * | 2013-11-12 | 2017-05-31 | 日本メクトロン株式会社 | Method for filling conductive paste and method for producing multilayer printed wiring board |
JP6413831B2 (en) * | 2015-02-24 | 2018-10-31 | 味の素株式会社 | Circuit board and manufacturing method thereof |
JP6848944B2 (en) * | 2018-08-30 | 2021-03-24 | 日亜化学工業株式会社 | Wiring board manufacturing method and wiring board |
US11737208B2 (en) * | 2019-02-06 | 2023-08-22 | Intel Corporation | Microelectronic assemblies having conductive structures with different thicknesses |
KR102591926B1 (en) * | 2019-07-31 | 2023-10-19 | 셰난 서키츠 씨오., 엘티디. | Circuit board and its manufacturing method |
EP4132236A4 (en) * | 2020-03-30 | 2024-05-01 | Kyocera Corporation | PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD FOR PRODUCING A PRINTED CIRCUIT BOARD |
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-
2012
- 2012-03-21 JP JP2013507151A patent/JP5892157B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-03-21 WO PCT/JP2012/001934 patent/WO2012132325A1/en active Application Filing
- 2012-03-23 TW TW101110087A patent/TW201251538A/en unknown
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2012132325A1 (en) | 2014-07-24 |
WO2012132325A1 (en) | 2012-10-04 |
TW201251538A (en) | 2012-12-16 |
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