JP5888480B1

JP5888480B1 - 液晶表示装置

Info

Publication number: JP5888480B1
Application number: JP2015556887A
Authority: JP
Inventors: 栗山　毅; 毅栗山; 河村　丞治; 丞治河村; 美花山本; 桑名　康弘; 康弘桑名
Original assignee: DIC Corp
Current assignee: DIC Corp
Priority date: 2014-07-15
Filing date: 2015-07-14
Publication date: 2016-03-22
Anticipated expiration: 2035-07-14
Also published as: KR20170081740A; US20170190972A1; JPWO2016010026A1; WO2016010026A1; TW201610111A; KR20160087906A; TWI548726B; US9994772B2; GB2542747A; CN107974256A; GB201702201D0; CN105992970A; GB2542747A8; KR101756609B1

Abstract

本発明は、液晶層の電圧保持率（ＶＨＲ）の低下、イオン密度（ＩＤ）の増加を防止し、白抜け、配向むら、焼き付けなどの表示不良の問題を解決する液晶表示装置を提供するものである。本発明は、液晶層として特定の構造の液晶化合物を含有した液晶組成物を用い、インセル型位相差層として特定の構造の重合性液晶化合物を特定の比率で含有する重合性液晶組成物を重合させた光学異方体を用いた液晶表示装置を提供する。本発明の液晶表示装置は液晶層の電圧保持率（ＶＨＲ）の低下、イオン密度（ＩＤ）の増加を防止し、焼き付き等の表示不良の発生を抑制する特徴を有することから、特に、アクティブマトリックス駆動用のＩＰＳモード、ＦＦＳモード、ＴＮモード液晶表示装置に有用であり、液晶ＴＶ、モニター、携帯電話、スマートフォン等の液晶表示装置に適用できる。

Description

本発明は、液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、時計、電卓をはじめとして、家庭用各種電気機器、測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いられるようになっている。液晶表示方式としては、その代表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲスト・ホスト）型、ＩＰＳ（インプレーンスイッチング）型、ＯＣＢ（光学補償複屈折）型、ＥＣＢ（電圧制御複屈折）型、ＶＡ（垂直配向）型、ＣＳＨ（カラースーパーホメオトロピック）型、あるいはＦＬＣ（強誘電性液晶）等を挙げることができる。また駆動方式としても従来のスタティック駆動からマルチプレックス駆動が一般的になり、単純マトリックス方式、最近ではＴＦＴ（薄膜トランジスタ）やＴＦＤ（薄膜ダイオード）等により駆動されるアクティブマトリックス（ＡＭ）方式が主流となっている。

一般的に、液晶表示装置では、液晶分子が有する複屈折特性の影響で視野角依存性を有している。この視野角依存性を改善するために、液晶分子とは異なる複屈折特性を有する光学フィルム（光学補償フィルムとも呼ばれる）を用いている。正の誘電率異方性を有する棒状の液晶分子を使用した液晶表示装置においては、液晶セルに偏光板のみを備えた場合、例えば、液晶セルを斜めから見ると光漏れが生じてしまうという視野角特性上の問題があった。
この視野角特性の不具合を解消するために、例えば、二軸性の位相差層を液晶セルと上下の偏光板の間にそれぞれ１枚ずつ配置する方法や、一軸性の位相差層と完全に軸性の位相差層を、それぞれ１枚ずつ液晶セルの上下に配置する方法、一軸性の位相差層と完全二軸性の位相差層を液晶セルの片側に配置する方法、等がとられてきた。
また、位相差層は、液晶セルの外側に配置される液晶表示装置（アウトセル型）が主流であったが、液晶表示装置の薄型化・軽量化・貼り付け工程削減による生産性向上の観点から、近年位相差層が液晶セルの内側に配置される液晶表示装置（インセル型）が開発されるようになってきた。例えば、主にポジティブＡプレートを液晶セルの内側に配置する例（特許文献１）や、主にポジティブＣプレートを液晶セルの内側に配置する例（特許文献２）やポジティブＡプレート、ポジティブＣプレートの位相差層を配置する例が知られている（特許文献３）。

液晶層を構成する液晶材料は、材料中に不純物が残留すると表示装置の電気的特性に大きな影響を及ぼすことから不純物についての高度な管理がなされてきた。又、配向膜を形成する材料に関しても配向膜は液晶層が直接接触し、配向膜中に残存した不純物が液晶層に移動することにより、液晶層の電気的特性に影響を及ぼすことは既に知られており、配向膜材料中の不純物に起因する液晶表示装置の特性についての検討がなされつつある。
インセル型の液晶表示装置はセル内に位相差層が存在するが、液晶層と位相差層の間に透明電極層、配向膜が介在するため、液晶層への直接的な影響は配向膜材料と比較して大幅に少ないものと考えられていた。しかし、配向膜は通常０．１μｍ以下の膜厚に過ぎず、透明電極層もほぼ同等の膜厚に過ぎない。従って、液晶層と位相差層は完全に隔離された環境におかれているとは言えず、インセル型の位相差層についても、配向膜材料と同様に含有する不純物による、液晶層への影響が想定される。位相差層が、配向膜及び透明電極を介して位相差層に含まれる不純物により、液晶層の電圧保持率（ＶＨＲ）の低下、イオン密度（ＩＤ）の増加による白抜け、配向むら、焼き付きなどの表示不良を発現する可能性がある。しかしながら、位相差層中の不純物による液晶層への影響に関する検討は行われていない。

特開２００９−９８５９６号公報特開２０１２―７８４３１号公報ＷＯ１１／００７６６９号公報

本発明は、特定の構造を有する液晶化合物を含有する液晶組成物と、特定の構造を有する重合性液晶化合物を特定の比率にて含有する重合性液晶組成物を使用したインセル型の位相差層を用いることで、液晶層の電圧保持率（ＶＨＲ）の低下、イオン密度（ＩＤ）の増加を防止し、白抜け、配向むら、焼き付けなどの表示不良の問題を解決する液晶表示装置を提供することにある。

本願発明者らは、上記課題を解決するために位相差層を構成するための重合性液晶及び液晶層を構成する液晶材料の構造の組み合わせについて鋭意検討した結果、液晶層に特定の構造を有する液晶化合物を含有する液晶組成物を用い、位相差層に特定の構造を有する重合性液晶化合物を特定の比率にて含有する重合性液晶組成物を重合させた光学異方体を用いた液晶表示装置が、液晶層の電圧保持率（ＶＨＲ）の低下、イオン密度（ＩＤ）の増加を防止し、白抜け、配向むら、焼き付きなどの表示不良の問題を解決することを見出し本願発明の完成に至った。
即ち、本発明は、第一の基板と、第二の基板と、前記第一の基板と第二の基板間に挟持された液晶層、及び前記一対の基板間に位相差層を有し、少なくとも一対の電極を備えた液晶表示装置であって、
前記液晶層が一般式（Ｉ）

（式中、Ｒ^３１は炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基又は炭素原子数２〜１０のアルケニルオキシ基を表し、Ｍ^３１〜Ｍ^３３はお互い独立してトランス−１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基を表し、該トランス−１，４−シクロへキシレン基中の１つ又は２つの−ＣＨ_２−は酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−で置換されていてもよく、該フェニレン基中の１つ又は２つの水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、Ｘ^３１及びＸ^３２はお互い独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｚ^３１はフッ素原子、トリフルオロメトキシ基又はトリフルオロメチル基を表し、Ｋ^３１は−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−又は−ＯＣＦ_２−を表し、ｎ^３１は及びｎ^３２はお互い独立して０、１又は２を表し、ｎ^３１＋ｎ^３２は０、１又は２を表し、Ｍ^３１及びＭ^３３が複数存在する場合には同一であっても異なっていても良い。）で表される化合物を一種又は二種以上含有し、一般式（ＩＩ−ａ）から一般式（ＩＩ−ｆ）

（式中、Ｒ^１９〜Ｒ^３０はお互い独立して炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基又は炭素原子数２〜１０のアルケニル基を表し、Ｘ^２１は水素原子又はフッ素原子を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる化合物を一種又は二種以上含有する液晶組成物を含有し、
前記位相差層が、２つ以上の重合性官能基を有する液晶化合物を２５重量％以上含有する重合性液晶組成物を重合させることにより得られる光学異方体である液晶表示装置を提供する。

本発明の液晶表示装置は、液晶層に特定の構造を有する液晶化合物を含有する液晶組成物を用い、位相差層に特定の構造を有する重合性液晶化合物を特定の比率にて含有する重合性液晶組成物を重合した光学異方体を用いることで、液晶層の電圧保持率（ＶＨＲ）の低下、イオン密度（ＩＤ）の増加を防止することができ、白抜け、配向むら、焼き付けなどの表示不良の発生を防止することができる。

本発明の液晶表示装置の一例を示す図である。本発明の液晶表示装置の一例を示す図である。本発明の液晶表示装置の一例を示す図である。本発明の液晶表示装置の一例を示す図である。本発明の液晶表示装置の一例を示す図である。本発明の液晶表示装置の一例を示す図である。本発明の液晶表示装置の一例を示す図である。本発明の液晶表示装置の一例を示す図である。本発明の液晶表示装置の一例を示す図である。本発明の液晶表示装置の一例を示す図である。本発明の液晶表示装置の一例を示す図である。本発明の液晶表示装置の一例を示す図である。本発明の液晶表示装置の一例を示す図である。本発明の液晶表示装置の一例を示す図である。本発明の液晶表示装置の一例を示す図である。本発明の液晶表示装置の一例を示す図である。本発明の液晶表示装置の一例を示す図である。

（１）偏光層
（２）粘着剤層
（３）光透過性基板
（４）カラーフィルタ層
（５）平坦化層
（６）位相差層用配向膜
（７）特定の重合性液晶組成物を使用した位相差層１
（８）位相差層用配向膜
（９）特定の重合性液晶組成物を使用した位相差層２
（１０）配向膜
（１１）特定の液晶組成物
（１２）配向膜
（１３）透明電極層
（１４）画素電極層
（１５）光透過性基板
（１６）粘着剤層
（１７）偏光層
（１８）バックライト
（１９）延伸フィルムの位相差層
（２０）絶縁膜

本発明の液晶表示装置の一例を図１に示す。偏光層（１）、粘着剤層（２）、光透過性基板（３）から成る偏光板に、カラーフィルタ層（４）、平坦化層（５）を備える。更に、位相差層用配向膜（６）と配向膜（１０）の間に、特定の重合性組成物を使用した、第１の位相差層（７）、位相差層用配向膜（８）、特定の重合性組成物を使用した、第２の位相差層（９）を備える。配向膜層（１０）、（１２）の間に、特定の液晶組成物（１１）を挟持して構成されている。
配向膜（１２）と光透過性基板（１５）の間に、共通電極となる透明電極層（１３）及び画素電極層（１４）を備える。バックライト（１８）側の光透過性基板（１５）に対しても、粘着剤層（１６）、偏光層（１７）を備える。

前記表示装置における２枚の基板は、周辺領域に配置されたシール材及び封止材によって貼り合わされていて、多くの場合、その間には基板間距離を保持するために粒状スペーサーまたはフォトリソグラフィー法により形成された樹脂からなるスペーサー柱が配置されている。また、特定の重合性液晶組成物を使用した位相差層（９）を使用せずに、光透過性基板（１５）の外側に延伸フィルムの位相差層（１９）を位置させた液晶表示装置を一例として、図２に示す。

（液晶層）
本発明における液晶層は、一般式（Ｉ）

（式中、Ｒ^１９〜Ｒ^３０はお互い独立して炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基又は炭素原子数２〜１０のアルケニル基を表し、Ｘ^２１は水素原子又はフッ素原子を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる化合物を一種又は二種以上含有する液晶組成物を含有する。

一般式（Ｉ）において、Ｒ^３１はそれが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４（またはそれ以上）のアルコキシ基及び炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピラン及びジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４（またはそれ以上）のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。
熱や光に対する化学的安定性が良いことを重視すれば、Ｒ^３１はアルキル基が好ましい。また、粘度が小さく応答速度が速い液晶表示素子を作ることが重視されるならば、Ｒ^３１はアルケニル基が好ましい。さらに、粘度が小さくかつネマチック−等方相転移温度（Ｔｎｉ）が高く、応答速度の更なる短縮を目的とするならば、末端が不飽和結合ではないアルケニル基を用いることが好ましく、アルケニル基の隣にメチル基が末端としてあることが特に好ましい。また、低温での溶解度が良いことを重視するならば、一つの解決策としては、Ｒ^３１はアルコキシ基とすることが好ましい。また、他の解決策としては、多種類のＲ^３１を併用することが好ましい。例えば、Ｒ^３１として、炭素原子数２、３及び４のアルキル基またはアルケニル基を持つ化合物を併用することが好ましく、炭素原子数３及び５の化合物を併用することが好ましく、炭素原子数３、４及び５の化合物を併用することが好ましい。
Ｍ^３１〜Ｍ^３３は、

であることが好ましい。
Ｍ^３１は、

であることが好ましく、

であることが更に好ましい。
Ｍ^３２は、

であることが好ましく、

であることがより好ましく、

であることが更に好ましい。
Ｍ^３３は、

であることが好ましく、

であることがより好ましく、

であることが更に好ましい。

Ｘ^３１及びＸ^３２は、少なくともどちらか一つはフッ素原子が好ましく、二つともフッ素原子であることが更に好ましい。
Ｚ^３１は、フッ素原子またはトリフルオロメトキシ基であることが好ましい。
Ｘ^３１、Ｘ^３２およびＺ^３１の組み合わせとしては、一つの実施形態ではＸ^３１＝Ｆ、Ｘ^３２＝ＦおよびＺ^３１＝Ｆである。さらに別の実施形態では、Ｘ^３１＝Ｆ、Ｘ^３２＝ＨおよびＺ^３１＝Ｆである。またさらに別の実施形態では、Ｘ^３１＝Ｆ、Ｘ^３２＝ＨおよびＺ^３１＝ＯＣＦ^３である。またさらに別の実施形態では、Ｘ^３１＝Ｆ、Ｘ^３２＝ＦおよびＺ^３１＝ＯＣＦ^３である。またさらに別の実施形態では、Ｘ^３１＝Ｈ、Ｘ^３２＝ＨおよびＺ^３１＝ＯＣＦ^３である。
ｎ^３１は１又は２が好ましく、ｎ^３２は０又は１が好ましく、０が更に好ましく、ｎ^３１＋ｎ^３２は１又は２が好ましく、２がさらに好ましい。

本発明における液晶層の液晶組成物総量に対する一般式（Ｉ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２２％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

一般式（Ｉ）で表される化合物は、一般式（Ｍ−１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｍ１１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｍ１１からＸ^Ｍ１５はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^Ｍ１１はフッ素原子、塩素原子又はＯＣＦ_３を表す。）
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類以上である。

本発明における液晶層の液晶組成物総量に対する一般式（Ｍ−１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２２％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

本発明における液晶層の液晶組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。さらに、本発明における液晶層の液晶組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高めに、上限値を高めにすることが好ましい。

一般式（Ｍ−１）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−１．１）から式（Ｍ−１．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ−１．１）又は式（Ｍ−１．２）で表される化合物が好ましく、式（Ｍ−１．２）で表される化合物がさらに好ましい。また、式（Ｍ−１．１）又は式（Ｍ−１．２）で表される化合物を同時に使用することも好ましい。

本発明における液晶層の液晶組成物総量に対する式（Ｍ−１．１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、６％である。好ましい含有量の上限値は、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

本発明における液晶層の液晶組成物総量に対する式（Ｍ−１．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、６％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％である。

本発明における液晶層の液晶組成物総量に対する式（Ｍ−１．１）及び式（Ｍ−１．２）で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、６％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％である。

さらに、一般式（Ｉ）で表される化合物は、例えば一般式（Ｍ−２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｍ２１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｍ２１及びＸ^Ｍ２２はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^Ｍ２１はフッ素原子、塩素原子又はＯＣＦ_３を表す。）
本発明における液晶層の液晶組成物総量に対する一般式（Ｍ−２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２２％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

本発明における液晶層の液晶組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い液晶組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。さらに、本発明における液晶層の液晶組成物のＴｎｉを高く保ち、焼きつきの発生しにくい組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高めに、上限値を高めにすることが好ましい。

さらに、一般式（Ｍ−２）で表される化合物は、式（Ｍ−２．１）から式（Ｍ−２．５）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｍ−２．３）又は／及び式（Ｍ−２．５）で表される化合物であることが好ましい。

本発明における液晶層の液晶組成物総量に対する式（Ｍ−２．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、６％である。好ましい含有量の上限値は、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

本発明における液晶層の液晶組成物総量に対する式（Ｍ−２．３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、６％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％である。

本発明における液晶層の液晶組成物総量に対する式（Ｍ−２．５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、６％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％である。

本発明における液晶層の液晶組成物総量に対する式（Ｍ−２．２）、（Ｍ−２．３）及び式（Ｍ−２．５）で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、５％であり、６％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％である。

含有量は、本発明における液晶層の液晶組成物総量に対して１％以上であることが好ましく、５％以上がより好ましく、８％以上がさらに好ましく、１０％以上がさらに好ましく、１４％以上がさらに好ましく、１６％以上が特に好ましい。また、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性などを考慮して、最大比率を３０％以下にとどめることが好ましく、２５％以下がさらに好ましく、２２％以下がより好ましく、２０％未満が特に好ましい。

さらに、一般式（Ｉ）で表される化合物は、一般式（Ｍ−３）で表される化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｍ３１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｍ３１からＸ^Ｍ３６はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^Ｍ３１はフッ素原子、塩素原子又はＯＣＦ_３を表す。）
組み合わせることのできる化合物に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などを考慮して１種から２種類以上組み合わせることが好ましい。

一般式（Ｍ−３）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの特性を考慮して実施形態ごとに上限値と下限値がある。
本発明における液晶層の液晶組成物総量に対する一般式（Ｍ−３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

さらに、一般式（Ｍ−３）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−３．１）から式（Ｍ−３．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−３．１）及び／又は式（Ｍ−３．２）で表される化合物を含有することが好ましい。

本発明における液晶層の液晶組成物総量に対する式（Ｍ−３．１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

本発明における液晶層の液晶組成物総量に対する式（Ｍ−３．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

本発明における液晶層の液晶組成物総量に対する式（Ｍ−３．１）及び式（Ｍ−３．２）で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

さらに、一般式（Ｉ）で表される化合物は、一般式（Ｍ−４）で表される群より選ばれる化合物であることが好ましい。

（式中、Ｒ^Ｍ４１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｍ４１からＸ^Ｍ４８はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｙ^Ｍ４１はフッ素原子、塩素原子又はＯＣＦ_３を表す。）
組み合わせることのできる化合物に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などを考慮して１種、２種又は３種類以上組み合わせることが好ましい。

一般式（Ｍ−４）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの特性を考慮して実施形態ごとに上限値と下限値がある。
本発明における液晶層の液晶組成物総量に対する式（Ｍ−４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

本発明における液晶層の液晶組成物が、セルギャップの小さい液晶表示素子用に用いられる場合は、一般式（Ｍ−４）で表される化合物の含有量を多めにすることが適している。駆動電圧の小さい液晶表示素子用に用いられる場合は、一般式（Ｍ−４）で表される化合物の含有量を多めにすることが適している。また、低温の環境で用いられる液晶表示素子用に用いられる場合は一般式（Ｍ−４）で表される化合物の含有量を少なめにすることが適している。応答速度の速い液晶表示素子に用いられる組成物である場合は、一般式（Ｍ−４）で表される化合物の含有量を少なめにすることが適している。

さらに、一般式（Ｍ−４）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−４．１）から式（Ｍ−４．４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−４．２）から式（Ｍ−４．４）で表される化合物を含有することが好ましく、式（Ｍ−４．２）で表される化合物を含有することがより好ましい。

さらに、一般式（Ｉ）で表される化合物は、その構造中に下記の部分構造を有することも好ましい。

（式中の黒点は上記部分構造が結合している環構造中の炭素原子を表す。）
上記部分構造を有する化合物として、一般式（Ｍ−１０）〜（Ｍ−１８）で表される化合物であることが好ましい。

一般式（Ｍ−１０）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^Ｍ１０１及びＸ^Ｍ１０２はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｙ^Ｍ１０１はフッ素原子、塩素原子又は−ＯＣＦ_３を表し、Ｒ^Ｍ１０１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｗ^Ｍ１０１及びＷ^Ｍ１０２はそれぞれ独立して、−ＣＨ_２−又は−Ｏ−を表す。）

本発明における液晶層の液晶組成物総量に対する一般式（Ｍ−１０）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

本発明における液晶層の液晶組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。さらに、焼き付きの発生しにくい液晶組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高めに、上限値を高めにすることが好ましい。

一般式（Ｍ−１０）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−１０．１）から式（Ｍ−１０．１２）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−１０．５）から式（Ｍ−１０．１２）で表される化合物を含有することが好ましい。

本発明における液晶層の液晶組成物総量に対するこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

一般式（Ｍ−１１）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^Ｍ１１１〜Ｘ^Ｍ１１４はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｙ^Ｍ１１１はフッ素原子、塩素原子又は−ＯＣＦ_３を表し、Ｒ^Ｍ１１１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表す。）

本発明における液晶層の液晶組成物総量に対する一般式（Ｍ−１１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

本発明における液晶層の液晶組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。さらに、焼き付きの発生しにくい組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高めに、上限値を高めにすることが好ましい。

一般式（Ｍ−１１）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−１１．１）から式（Ｍ−１１．８）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−１１．１）から式（Ｍ−１１．４）で表される化合物を含有することが好ましい。

一般式（Ｍ−１２）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^Ｍ１２１及びＸ^Ｍ１２２はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｙ^Ｍ１２１はフッ素原子、塩素原子又は−ＯＣＦ_３を表し、Ｒ^Ｍ１２１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｗ^Ｍ１２１及びＷ^Ｍ１２２はそれぞれ独立して、−ＣＨ_２−又は−Ｏ−を表す。）

本発明における液晶層の液晶組成物総量に対する一般式（Ｍ−１２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

一般式（Ｍ−１２）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−１２．１）から式（Ｍ−１２．１２）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−１２．５）から式（Ｍ−１２．８）で表される化合物を含有することが好ましい。

一般式（Ｍ−１３）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^Ｍ１３１〜Ｘ^Ｍ１３４はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｙ^Ｍ１３１はフッ素原子、塩素原子又は−ＯＣＦ_３を表し、Ｒ^Ｍ１３１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｗ^Ｍ１３１及びＷ^Ｍ１３２はそれぞれ独立して、−ＣＨ_２−又は−Ｏ−を表す。）

本発明における液晶層の液晶組成物総量に対する一般式（Ｍ−１３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

一般式（Ｍ−１３）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−１３．１）から式（Ｍ−１３．２８）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−１３．１）から（Ｍ−１３．４）、（Ｍ−１３．１１）から（Ｍ−１３．１４）、（Ｍ−１３．２５）から（Ｍ−１３．２８）で表される化合物を含有することが好ましい。

一般式（Ｍ−１４）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^Ｍ１４１〜Ｘ^Ｍ１４４はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｙ^Ｍ１４１はフッ素原子、塩素原子又は−ＯＣＦ_３を表し、Ｒ^Ｍ１４１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｗ^Ｍ１４１及びＷ^Ｍ１４２はそれぞれ独立して、−ＣＨ_２−又は−Ｏ−を表す。）

本発明における液晶層の液晶組成物総量に対する一般式（Ｍ−１４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

一般式（Ｍ−１４）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−１４．１）から式（Ｍ−１４．８）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−１４．５）及び式（Ｍ−１４．８）で表される化合物を含有することが好ましい。

一般式（Ｍ−１５）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^Ｍ１５１及びＸ^Ｍ１５２はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｙ^Ｍ１５１はフッ素原子、塩素原子又は−ＯＣＦ_３を表し、Ｒ^Ｍ１５１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｗ^Ｍ１５１及びＷ^Ｍ１５２はそれぞれ独立して、−ＣＨ_２−又は−Ｏ−を表す。）

本発明における液晶層の液晶組成物総量に対する一般式（Ｍ−１５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

本発明における液晶層液晶の組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。さらに、焼き付きの発生しにくい液晶組成物が必要な場合は上記の下限値を低めに、上限値を低めにすることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高めに、上限値を高めにすることが好ましい。

一般式（Ｍ−１５）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−１５．１）から式（Ｍ−１５．１４）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−１５．５）から式（Ｍ−１５．８）、式（Ｍ−１５．１１）から式（Ｍ−１５．１４）で表される化合物を含有することが好ましい。

一般式（Ｍ−１６）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^Ｍ１６１〜Ｘ^Ｍ１６４はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｙ^Ｍ１６１はフッ素原子、塩素原子又は−ＯＣＦ_３を表し、Ｒ^Ｍ１６１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表す。）

本発明における液晶層の液晶組成物総量に対する一般式（Ｍ−１６）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

さらに、本発明における液晶層の液晶組成物に使用される一般式（Ｍ−１６）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−１６．１）から式（Ｍ−１６．８）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−１６．１）から式（Ｍ−１６．４）で表される化合物を含有することが好ましい。

一般式（Ｍ−１７）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^Ｍ１７１〜Ｘ^Ｍ１７４はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｙ^Ｍ１７１はフッ素原子、塩素原子又は−ＯＣＦ_３を表し、Ｒ^Ｍ１７１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｗ^Ｍ１７１及びＷ^Ｍ１７２はそれぞれ独立して、−ＣＨ_２−又は−Ｏ−を表す。）

本発明における液晶層の液晶組成物総量に対する一般式（Ｍ−１７）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

一般式（Ｍ−１７）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−１７．１）から式（Ｍ−１７．５２）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−１７．９）から式（Ｍ−１７．１２）、式（Ｍ−１７．２１）から式（Ｍ−１７．２８）、式（Ｍ−１７．４５）から式（Ｍ−１７．４８）で表される化合物を含有することが好ましい。

一般式（Ｍ−１８）で表される化合物は下記のものである。

（式中、Ｘ^Ｍ１８１〜Ｘ^Ｍ１８６はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表し、Ｙ^Ｍ１８１はフッ素原子、塩素原子又は−ＯＣＦ_３を表し、Ｒ^Ｍ１８１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表す。）

本発明における液晶層の液晶組成物総量に対する一般式（Ｍ−１８）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１％であり、２％であり、４％であり、５％であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、５％である。

一般式（Ｍ−１８）で表される化合物は、具体的には式（Ｍ−１８．１）から式（Ｍ−１８．１２）で表される化合物であることが好ましく、中でも式（Ｍ−１８．５）から式（Ｍ−１８．８）で表される化合物を含有することが好ましい。

一般式（ＩＩａ）〜一般式（ＩＩｆ）において、Ｒ^１９〜Ｒ^３０はそれが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４（またはそれ以上）のアルコキシ基及び炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピラン及びジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４（またはそれ以上）のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。

熱や光に対する化学的安定性が良いことを重視すれば、Ｒ^１９〜Ｒ^３０はアルキル基が好ましい。また、粘度が小さく応答速度が速い液晶表示素子を作ることが重視されるならば、Ｒ^１９〜Ｒ^３０はアルケニル基が好ましい。さらに、粘度が小さくかつネマチック−等方相転移温度（Ｔｎｉ）が高く、応答速度の更なる短縮を目的とするならば、末端が不飽和結合ではないアルケニル基を用いることが好ましく、アルケニル基の隣にメチル基が末端としてあることが特に好ましい。また、低温での溶解度が良いことを重視するならば、一つの解決策としては、Ｒ^１９〜Ｒ^３０はアルコキシ基とすることが好ましい。また、他の解決策としては、多種類のＲ^１９〜Ｒ^３０を併用することが好ましい。例えば、Ｒ^１９〜Ｒ^３０として、炭素原子数２、３及び４のアルキル基またはアルケニル基を持つ化合物を併用することが好ましく、炭素原子数３及び５の化合物を併用することが好ましく、炭素原子数３、４及び５の化合物を併用することが好ましい。

Ｒ^１９〜Ｒ^２０はアルキル基またはアルコキシ基が好ましく、少なくとも一方はアルコキシ基であることが好ましい。Ｒ^１９がアルキル基でありＲ^２０がアルコキシ基であることがより好ましい。Ｒ^１９が炭素原子数３〜５のアルキル基でありＲ^２０が炭素原子数１〜２のアルコキシ基であることがさらに好ましい。
Ｒ^２１〜Ｒ^２２はアルキル基またはアルケニル基が好ましく、少なくとも一方はアルケニル基であることが好ましい。両方ともアルケニル基の場合は応答速度を早くする場合に好適に用いられるが、液晶表示素子の化学的安定性を良くしたい場合は好ましくない。

Ｒ^２３〜Ｒ^２４の少なくとも一方は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基または炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましい。応答速度とＴｎｉのバランスが良いことを求めれば、Ｒ^２３〜Ｒ^２４の少なくとも一方はアルケニル基であることが好ましく、応答速度と低温での溶解性のバランスが良いことを求めれば、Ｒ^２３〜Ｒ^２４の少なくとも一方はアルコキシ基であることが好ましい。
Ｒ^２５〜Ｒ^２６の少なくとも一方は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基または炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。応答速度とＴｎｉのバランスが良いことを求めれば、Ｒ^２５〜Ｒ^２６の少なくとも一方はアルケニル基であることが好ましく、応答速度と低温での溶解性のバランスが良いことを求めれば、Ｒ^２５〜Ｒ^２６の少なくとも一方はアルコキシ基であることが好ましい。Ｒ^２５はアルケニル基でありＲ^２６はアルキル基であることがより好ましい。また、Ｒ^２５はアルキル基でありＲ^２６はアルコキシ基であることも好ましい。

Ｒ^２７〜Ｒ^２８の少なくとも一方は、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基または炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。応答速度とＴｎｉのバランスが良いことを求めれば、Ｒ^２７〜Ｒ^２８の少なくとも一方はアルケニル基であることが好ましく、応答速度と低温での溶解性のバランスが良いことを求めれば、Ｒ^２７〜Ｒ^２８の少なくとも一方はアルコキシ基であることが好ましい。Ｒ^２７はアルキル基またはアルケニル基でありＲ^２８はアルキル基であることがより好ましい。また、Ｒ^２７はアルキル基でありＲ^２８はアルコキシ基であることも好ましい。さらに、Ｒ^２７はアルキル基でありＲ^２８はアルキル基であることが特に好ましい。
Ｘ^２１はフッ素原子であることが好ましい。
Ｒ^２９〜Ｒ^３０の少なくとも一方は、炭素原子数１〜５のアルキル基または炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましい。応答速度とＴｎｉのバランスが良いことを求めれば、Ｒ^２９〜Ｒ^３０の少なくとも一方はアルケニル基であることが好ましく、信頼性が良いことを求めれば、Ｒ^２９〜Ｒ^３０の少なくとも一方はアルキル基であることが好ましい。Ｒ^２９はアルキル基またはアルケニル基でありＲ^３０はアルキル基またはアルケニル基であることがより好ましい。また、Ｒ^２９はアルキル基でありＲ^３０はアルケニル基であることも好ましい。さらに、Ｒ^２９はアルキル基でありＲ^３０はアルキル基であることも好ましい。

一般式（ＩＩ−ａ）から一般式（ＩＩ−ｆ）で表される化合物群は１種〜１０種含有することが好ましく、１種〜８種含有することが特に好ましく、その含有量は５〜８０質量％であるのが好ましく、１０〜７０質量％であることがより好ましく、２０〜６０質量％であることが特に好ましい。

本発明における液晶層の液晶組成物は、更に、一般式（ＩＩＩ−ａ）から一般式（ＩＩＩ−ｆ）

（式中、Ｒ^４１は炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基又は炭素原子数２〜１０のアルケニルオキシ基を表し、Ｘ^４１〜Ｘ^４８はお互い独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｚ^４１はフッ素原子、トリフオロメトキシ基又はトリフルオロメチル基を表す。）で表される化合物群から選ばれる化合物を一種又は二種以上含有することができる。

一般式（ＩＩＩａ）〜一般式（ＩＩＩｆ）において、Ｒ^４１はそれが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４（またはそれ以上）のアルコキシ基及び炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピラン及びジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４（またはそれ以上）のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。

熱や光に対する化学的安定性が良いことを重視すれば、Ｒ^４１はアルキル基が好ましい。また、粘度が小さく応答速度が速い液晶表示素子を作ることが重視されるならば、Ｒ^４１はアルケニル基が好ましい。さらに、粘度が小さくかつネマチック−等方相転移温度（Ｔｎｉ）が高く、応答速度の更なる短縮を目的とするならば、末端が不飽和結合ではないアルケニル基を用いることが好ましく、アルケニル基の隣にメチル基が末端としてあることが特に好ましい。また、低温での溶解度が良いことを重視するならば、一つの解決策としては、Ｒ^４１はアルコキシ基とすることが好ましい。また、他の解決策としては、多種類のＲ^４１を併用することが好ましい。例えば、Ｒ^４１として、炭素原子数２、３及び４のアルキル基またはアルケニル基を持つ化合物を併用することが好ましく、炭素原子数３及び５の化合物を併用することが好ましく、炭素原子数３、４及び５の化合物を併用することが好ましい。

Ｘ^４１及びＸ^４２は、少なくともどちらか一つはフッ素原子が好ましく、二つともフッ素原子であることが更に好ましい。
Ｚ^４１は、フッ素原子またはトリフルオロメトキシ基であることが好ましい。
Ｘ^４１、Ｘ^４２およびＺ^４１の組み合わせとしては、一つの実施形態ではＸ^４１＝Ｆ、Ｘ^４２＝ＦおよびＺ^４１＝Ｆである。さらに別の実施形態では、Ｘ^４１＝Ｆ、Ｘ^４２＝ＨおよびＺ^４１＝Ｆである。またさらに別の実施形態では、Ｘ^４１＝Ｆ、Ｘ^４２＝ＨおよびＺ^４１＝ＯＣＦ３である。またさらに別の実施形態では、Ｘ^４１＝Ｆ、Ｘ^４２＝ＦおよびＺ^４１＝ＯＣＦ３である。またさらに別の実施形態では、Ｘ^４１＝Ｈ、Ｘ^４２＝ＨおよびＺ^４１＝ＯＣＦ３である。
Ｘ^４３及びＸ^４４は、少なくともどちらか一つはフッ素原子が好ましく、二つともフッ素原子であることは大きなΔεを得るために好ましいが、反対に、低温での溶解性を良くする場合には好ましくない。

Ｘ^４５及びＸ^４６は、少なくともどちらか一つは水素原子が好ましく、二つとも水素原子であることが好ましい。フッ素原子を多用することは、Ｔｎｉ、低温での溶解性や液晶表示素子にしたときの化学的安定性の観点から好ましくない。
Ｘ^４７及びＸ^４８は、少なくともどちらか一つは水素原子が好ましく、二つとも水素原子であることが好ましい。Ｘ^４７及びＸ^４８のうち少なくともどちらか一つがフッ素原子である場合、Ｔｎｉ、低温での溶解性や液晶表示素子にしたときの化学的安定性の観点から好ましくない。

一般式（ＩＩＩ−ａ）から一般式（ＩＩＩ−ｆ）で表される化合物群から選ばれる化合物は、１種〜１０種含有することが好ましく、１種〜８種含有することがより好ましく、その含有量は５〜５０質量％であることが好ましく、１０〜４０質量％であることがより好ましい。

本発明の液晶表示装置における液晶層を構成する液晶組成物は、２５℃におけるΔεが＋１．５以上であるのが好ましい。高速応答を目的とする場合は、＋１．５〜＋４．０であるのが好ましく、＋１．５〜＋３．０がより好ましい。低電圧駆動を目的とする場合は、＋８．０〜＋１８．０が好ましく、＋１０．０〜＋１５．０がより好ましい。また、２５℃におけるΔｎが０．０８〜０．１４であるのが好ましく、０．０９〜０．１３であるのがより好ましい。更に詳述すると、薄いセルギャップに対応する場合は０．１０〜０．１３であることが好ましく、厚いセルギャップに対応する場合は０．０８〜０．１０であることが好ましい。２０℃におけるηが５〜４５ｍＰａ・ｓであるのが好ましく、５〜２５ｍＰａ・ｓであることがより好ましく、１０〜２０ｍＰａ・ｓであることが特に好ましい。また、Ｔ_ｎｉが６０℃〜１２０℃であるのが好ましく、７０℃〜１００℃がより好ましく、７０℃〜８５℃が特に好ましい。
本発明における液晶層を構成する液晶組成物は、上述の化合物以外に、通常のネマチック液晶、スメクチック液晶、コレステリック液晶などを含有してもよい。

本発明の液晶表示装置における液晶層を構成する液晶組成物には、ＰＳモード、横電界型ＰＳＡモード又は横電界型ＰＳＶＡモードなどの液晶表示素子を作製するために、重合性化合物を一種又は二種以上含有することができる。使用できる重合性化合物として、光などのエネルギー線により重合が進行する光重合性モノマーなどが挙げられ、構造として、例えば、ビフェニル誘導体、ターフェニル誘導体などの六員環が複数連結した液晶骨格を有する重合性化合物などが挙げられる。更に具体的には、一般式（V）

（式中、Ｘ^５１及びＸ^５２はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、
Ｓｐ^１及びＳｐ^２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−（式中、ｓは２から７の整数を表し、酸素原子は芳香環に結合するものとする。）を表し、Ｚ^５１は−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＹ^１＝ＣＹ^２−（式中、Ｙ^１及びＹ^２はそれぞれ独立して、フッ素原子又は水素原子を表す。）、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表し、
Ｍ^５１は１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基又は単結合を表し、式中の全ての１，４−フェニレン基は、任意の水素原子がフッ素原子により置換されていても良い。）で表される二官能モノマーが好ましい。

Ｘ^５１及びＸ^５２は、何れも水素原子を表すジアクリレート誘導体、何れもメチル基を有するジメタクリレート誘導体の何れも好ましく、一方が水素原子を表しもう一方がメチル基を表す化合物も好ましい。これらの化合物の重合速度は、ジアクリレート誘導体が最も早く、ジメタクリレート誘導体が遅く、非対称化合物がその中間であり、その用途により好ましい態様を用いることができる。ＰＳＡ表示素子においては、ジメタクリレート誘導体が特に好ましい。
Ｓｐ^１及びＳｐ^２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−を表すが、ＰＳＡ表示素子においては少なくとも一方が単結合であることが好ましく、共に単結合を表す化合物又は一方が単結合でもう一方が炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−を表す態様が好ましい。この場合１〜４のアルキル基が好ましく、ｓは１〜４が好ましい。

Ｚ^５１は、−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−又は単結合が好ましく、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は単結合がより好ましく、単結合が特に好ましい。
Ｍ^５１は任意の水素原子がフッ素原子により置換されていても良い１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基又は単結合を表すが、１，４−フェニレン基又は単結合が好ましい。Ｃが単結合以外の環構造を表す場合、Ｚ^５１は単結合以外の連結基も好ましく、Ｍ^５１が単結合の場合、Ｚ^５１は単結合が好ましい。

これらの点から、一般式（V）において、Ｓｐ^１及びＳｐ^２の間の環構造は、具体的には次に記載する構造が好ましい。
一般式（V）において、Ｍ^５１が単結合を表し、環構造が二つの環で形成される場合において、次の式（Va-1）〜式（Va-5）を表すことが好ましく、式（Va-1）〜式（Va-3）を表すことがより好ましく、式（Va-1）を表すことが特に好ましい。

（式中、両端はＳｐ^１又はＳｐ^２に結合するものとする。）
これらの骨格を含む重合性化合物は重合後の配向規制力がＰＳＡ型液晶表示素子に最適であり、良好な配向状態が得られることから、表示ムラが抑制されるか、又は、全く発生しない。
以上のことから、重合性化合物としては、一般式（V-1）〜一般式（V-4）が特に好ましく、中でも一般式（V-2）が最も好ましい。

（式中、Ｓｐ^２は炭素原子数２から５のアルキレン基を表す。）
本発明における液晶組成物に重合性化合物を添加する場合において、重合開始剤が存在しない場合でも重合は進行するが、重合を促進するために重合開始剤を含有していてもよい。重合開始剤としては、ベンゾインエーテル類、ベンゾフェノン類、アセトフェノン類、ベンジルケタール類、アシルフォスフィンオキサイド類等が挙げられる。

上記重合性化合物を含有した液晶組成物は、これに含まれる重合性化合物が紫外線照射により重合することで液晶配向能が付与され、液晶組成物の複屈折を利用して光の透過光量を制御する液晶表示素子に使用される。液晶表示素子として、ＡＭ−ＬＣＤ（アクティブマトリックス液晶表示素子）、ＴＮ（ネマチック液晶表示素子）、ＳＴＮ−ＬＣＤ（超ねじれネマチック液晶表示素子）、ＯＣＢ−ＬＣＤ及びＩＰＳ−ＬＣＤ（インプレーンスイッチング液晶表示素子）に有用であるが、ＡＭ−ＬＣＤに特に有用であり、透過型あるいは反射型の液晶表示素子に用いることができる。

（位相差層）
（重合性液晶化合物）
本発明の液晶表示装置における位相差層は、２つ以上の重合性官能基を有する液晶化合物を２５重量％以上含有する重合性液晶組成物を重合させることにより得られる光学異方体を用いる。
ここで、重合性官能基を有する液晶化合物（重合性液晶化合物）は、他の液晶化合物との組成物において液晶性を示す。尚、重合性液晶化合物単独では、液晶性を示さなくてもよい。
例えば、ＨａｎｄｂｏｏｋｏｆＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ（Ｄ．Ｄｅｍｕｓ，Ｊ．Ｗ．Ｇｏｏｄｂｙ，Ｇ．Ｗ．Ｇｒａｙ，Ｈ．Ｗ．Ｓｐｉｅｓｓ，Ｖ．Ｖｉｌｌ編集、Ｗｉｌｅｙ−ＶＣＨ社発行，１９９８年）、季刊化学総説Ｎｏ．２２、液晶の化学（日本化学会編，１９９４年）、あるいは、特開平７−２９４７３５号公報、特開平８−３１１１号公報、特開平８−２９６１８号公報、特開平１１−８００９０号公報、特開平１１−１１６５３８号公報、特開平１１−１４８０７９号公報、等に記載されているような、１，４−フェニレン基１，４−シクロヘキレン基等の構造が複数繋がったメソゲンと呼ばれる剛直な部位と、ビニル基、アクリル基、（メタ）アクリル基といった重合性官能基を有する棒状重合性液晶化合物、あるいは特開２００４−２３７３号公報、特開２００４−９９４４６号公報に記載されているようなマレイミド基を有する棒状重合性液晶化合物が挙げられる。中でも、重合性基を有する棒状液晶化合物が、液晶温度範囲として室温前後の低温を含むものを作りやすく好ましい。

前記光学異方体は、その構造内にメソゲン基又はメソゲン性支持基を有する。該メソゲン基又はメソゲン性支持基は、一般式（ＡＡ）

（式中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、及びＡ５はそれぞれ独立して、１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、１，４−シクロヘキセニル基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、テトラヒドロチオピラン−２，５−ジイル基、１，４−ビシクロ（２，２，２）オクチレン基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピラジン−２，５−ジイル基、チオフェン−２，５−ジイル基−、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、２，６−ナフチレン基、フェナントレン−２，７−ジイル基、９，１０−ジヒドロフェナントレン−２，７−ジイル基、１，２，３，４，４ａ，９，１０ａ−オクタヒドロフェナントレン−２，７−ジイル基、１，４−ナフチレン基、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ‘］ジチオフェン−２，６−ジイル基、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ‘］ジセレノフェン−２，６−ジイル基、［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，７−ジイル基、［１］ベンゾセレノフェノ［３，２−ｂ］セレノフェン−２，７−ジイル基、又はフルオレン−２，７−ジイル基を表し、
置換基として１個以上のＦ、Ｃｌ、ＣＦ₃、ＯＣＦ₃、ＣＮ基、炭素原子数１〜８のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルカノイルオキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、アルケニルオキシ基、アルケノイル基、アルケノイルオキシ基を有していても良く、
Ｚ０、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４、及びＺ５はそれぞれ独立して、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ₂ ＣＨ₂−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＯＯ−、−ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＯ−、−ＣＯＯＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＯＣＯＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、炭素数２〜１０のハロゲン原子を有してもよいアルキル基又は単結合を表し、
ｎ、ｌ及びｋはそれぞれ独立して０又は１を表し、０≦ｎ＋ｌ＋ｋ≦３を表す。）で表されるのが好ましい。

本発明における上記重合性液晶組成物は、１種類以上の重合性液晶化合物及び、重合開始剤を含有し、更に必要に応じて、界面活性剤、その他の添加剤等で構成される。
２つ以上の重合性官能基を有する液晶化合物は、具体的には以下の一般式（１）で表される化合物が好ましい。

式中、Ｐ^１は重合性官能基を表し、Ｓｐ^１は炭素原子数０〜１８のアルキレン基を表し（該アルキレン基は１つ以上のハロゲン原子、ＣＮ基、又は重合性官能基を有する炭素原子数１〜８のアルキル基により置換されていても良く、この基中に存在する１つのＣＨ₂基又は隣接していない２つ以上のＣＨ₂基はそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接結合しない形で、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ_３）−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＳＣＯ−、−ＣＯＳ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられていても良い。）、ｍ１は０又は１を表し、ＭＧはメソゲン基又はメソゲン性支持基を表し、Ｒ¹は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は炭素原子数１〜１８のアルキル基を表すが、該アルキル基は１つ以上のハロゲン原子又はＣＮにより置換されていても良く、この基中に存在する１つのＣＨ₂基又は隣接していない２つ以上のＣＨ₂基はそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接結合しない形で、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ_３）−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＳＣＯ−、−ＣＯＳ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられていても良く、あるいはＲ¹は一般式（１−ａ）

（式中、Ｐ^１ａは重合性官能基を表し、Ｓｐ^１ａはＳｐ^１と同じ意味を表し、ｍａは０又は１を表す。）で表される構造を表す。）を表し、
ＭＧで表されるメソゲン基又はメソゲン性支持基は、一般式（１−ｂ）

（式中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、及びＡ５はそれぞれ独立して、１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、１，４−シクロヘキセニル基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、テトラヒドロチオピラン−２，５−ジイル基、１，４−ビシクロ（２，２，２）オクチレン基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピラジン−２，５−ジイル基、チオフェン−２，５−ジイル基−、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、２，６−ナフチレン基、フェナントレン−２，７−ジイル基、９，１０−ジヒドロフェナントレン−２，７−ジイル基、１，２，３，４，４ａ，９，１０ａ−オクタヒドロフェナントレン−２，７−ジイル基、１，４−ナフチレン基、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ‘］ジチオフェン−２，６−ジイル基、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ‘］ジセレノフェン−２，６−ジイル基、［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，７−ジイル基、［１］ベンゾセレノフェノ［３，２−ｂ］セレノフェン−２，７−ジイル基、又はフルオレン−２，７−ジイル基を表し、
置換基として１個以上のＦ、Ｃｌ、ＣＦ₃、ＯＣＦ₃、ＣＮ基、炭素原子数１〜８のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルカノイルオキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、アルケニルオキシ基、アルケノイル基、アルケノイルオキシ基、又は、一般式（１−ｃ）で表される１個以上の置換基

（式中、Ｐ^ｃは重合性官能基を表し、Ａは、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＯ−、−ＣＯＯＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＯＣＯＣＨ₂ＣＨ₂−、又は単結合を表し、Ｓｐ^１ｃはＳｐ^１と同じ意味を表し、ｎ１は０又は１を表し、ｍｃは０又は１を表す。）を有していても良く、
Ｚ０、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４、及びＺ５はそれぞれ独立して、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ₂ ＣＨ₂−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＯＯ−、−ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＯ−、−ＣＯＯＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＯＣＯＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、炭素数２〜１０のハロゲン原子を有してもよいアルキル基又は単結合を表し、
ｎ、ｌ及びｋはそれぞれ独立して０又は１を表し、０≦ｎ＋ｌ＋ｋ≦３を表す。）で表される。但し、式中、重合性官能基は２つ以上存在する。

Ｐ^１、Ｐ^１ａ及びＰ^ｃは、下記の式（Ｐ−１）から式（Ｐ−２０）で表される重合性基から選ばれる置換基を表すのが好ましい。

これらの重合性官能基のうち、重合性および保存安定性を高める観点から、式（Ｐ−１）又は式（Ｐ−２）、（Ｐ−７）、（Ｐ−１２）、（Ｐ−１３）が好ましく、式（Ｐ−１）、（Ｐ−７）、（Ｐ−１２）がより好ましい。
２つ以上の重合性官能基を有する液晶化合物は、１種又は２種以上用いることができるが、１種〜６種が好ましく、２種〜５種がより好ましい。
２つ以上の重合性官能基を有する液晶化合物の含有量は、重合性液晶組成物の内、２５〜１００質量％含有することが好ましく、３０〜１００質量％含有することがより好ましく、３５〜１００質量％含有することが特に好ましい。

２つ以上の重合性官能基を有する液晶化合物としては、２つの重合性官能基を有する化合物が好ましく、以下の一般式（２）で表される化合物が好ましい。

式中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、及びＡ５は、それぞれ独立して、１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、１，４−シクロヘキセニル基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、テトラヒドロチオピラン−２，５−ジイル基、１，４−ビシクロ（２，２，２）オクチレン基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピラジン−２，５−ジイル基、チオフェン−２，５−ジイル基−、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、２，６−ナフチレン基、フェナントレン−２，７−ジイル基、９，１０−ジヒドロフェナントレン−２，７−ジイル基、１，２，３，４，４ａ，９，１０ａ−オクタヒドロフェナントレン−２，７−ジイル基、１，４−ナフチレン基、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ‘］ジチオフェン−２，６−ジイル基、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ‘］ジセレノフェン−２，６−ジイル基、［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，７−ジイル基、［１］ベンゾセレノフェノ［３，２−ｂ］セレノフェン−２，７−ジイル基、又はフルオレン−２，７−ジイル基を表し、
置換基として１個以上のＦ、Ｃｌ、ＣＦ₃、ＯＣＦ₃、ＣＮ基、炭素原子数１〜８のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルカノイルオキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、アルケニルオキシ基、アルケノイル基、アルケノイルオキシ基を表す。また、Ｚ０、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４、及びＺ５はそれぞれ独立して、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ₂ ＣＨ₂−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＯＯ−、−ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＯ−、−ＣＯＯＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＯＣＯＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、炭素数２〜１０のハロゲン原子を有してもよいアルキル基又は単結合を表し、
ｎ、ｌ及びｋはそれぞれ独立して０又は１を表し、０≦ｎ＋ｌ＋ｋ≦３を表す。

Ｐ^２ａ及びＰ^２ｂは重合性官能基を表し、Ｓｐ^２ａ及びＳｐ^２ｂはそれぞれ独立して炭素原子数０〜１８のアルキレン基を表し（該アルキレン基は１つ以上のハロゲン原子又はＣＮにより置換されていても良く、この基中に存在する１つのＣＨ₂基又は隣接していない２つ以上のＣＨ₂基はそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接結合しない形で、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ_３）−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＳＣＯ−、−ＣＯＳ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられていても良い。）、ｍ２、ｎ２はそれぞれ独立して０又は１を表す。
n、ｌ及びｋはそれぞれ独立して、０又は１を表し、０≦ｎ＋ｌ＋ｋ≦３を表す。

Ｐ^２ａ及びＰ^２ｂは下記の式（Ｐ−１）から式（Ｐ−２０）で表される重合性基から選ばれる置換基を表すのが好ましい。

これらの重合性官能基のうち、重合性および保存安定性を高める観点から、式（Ｐ−１）又は式（Ｐ−２）、（Ｐ−７）、（Ｐ−１２）、（Ｐ−１３）が好ましく、式（Ｐ−１）、（Ｐ−７）、（Ｐ−１２）がより好ましい。
更には、一般式（２）の一例として、一般式（２−１）〜（２−４）を挙げることができるが、下記の一般式に限定されるわけではない。

式中、Ｐ^２ａ、Ｐ^２ｂ、Ｓｐ^２ａ、Ｓｐ^２ｂ、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ｚ０、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４、Ｚ５、ｍ２及びｎ２は一般式（２）における定義と同じものを表す。
２つの重合性官能基を有する重合性液晶化合物の具体的例としては、式（２−５）〜（２−２９）の化合物を挙げることができるが、下記の化合物に限定されるわけではない。

式中、ｍ及びｎはそれぞれ独立して１〜１８の整数を表し、Ｒは水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基を表し、これらの基が炭素数１〜６のアルキル基、あるいは炭素数１〜６のアルコキシ基の場合、全部が未置換であるか、あるいは１つまたは２つ以上のハロゲン原子により置換されていてもよい。
２つの重合性官能基を有する液晶化合物は、１種又は２種以上用いることができるが、１種〜５種が好ましく、２種〜５種がより好ましい。
２つの重合性官能基を有する液晶化合物の含有量は、重合性組成物の内、２５〜１００質量％含有することが好ましく、３０〜１００質量％含有することがより好ましく、３５〜１００質量％含有することが特に好ましい。

２つ以上の重合性官能基を有する液晶化合物としては、３つの重合性官能基を有する化合物も好ましい。一般式（３−１）〜（３−１８）を挙げることができるが、下記の一般式に限定されるわけではない。

式中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、及びＡ５は、一般式（２）の定義と同じものを表す。また、Ｚ０、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４、及びＺ５は、一般式（２）の定義と同じものを表す。
Ｐ^３ａ、Ｐ^３ｂ、及び、Ｐ^３ｂはそれぞれ独立して重合性官能基を表し、Ｓｐ^３ａ、Ｓｐ^３ｂ、及びＳｐ^３ｃはそれぞれ独立して炭素原子数０〜１８のアルキレン基を表し（該アルキレン基は１つ以上のハロゲン原子又はＣＮにより置換されていても良く、この基中に存在する１つのＣＨ₂基又は隣接していない２つ以上のＣＨ₂基はそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接結合しない形で、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ_３）−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＳＣＯ−、−ＣＯＳ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられていても良い。）、ｍ３、ｎ３、ｋ３はそれぞれ独立して０又は１を表す。

２つの重合性官能基を有する重合性液晶化合物の具体的例としては、式（３−１９）〜（３−２６）の化合物を挙げることができるが、下記の化合物に限定されるわけではない。

３つの重合性官能基を有する液晶化合物は、１種又は２種以上用いることができるが、１種〜４種が好ましく、１種〜３種がより好ましい。
３つの重合性官能基を有する液晶化合物の含有量は、重合性液晶組成物の内、０〜８０質量％含有することが好ましく、０〜７０質量％含有することがより好ましく、０〜６０質量％含有することが特に好ましい。

本発明における重合性液晶組成物には、更に１つの重合性官能基を有する液晶化合物を含有してもよい。
１つの重合性官能基を有する液晶性化合物は、具体的には、以下の一般式（４）で表される化合物が好ましい。

式中、Ｐ^４は重合性官能基を表し、Ｓｐ^４は炭素原子数０〜１８のアルキレン基を表し（該アルキレン基は１つ以上のハロゲン原子又はＣＮにより置換されていても良く、この基中に存在する１つのＣＨ₂基又は隣接していない２つ以上のＣＨ₂基はそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接結合しない形で、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ_３）−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＳＣＯ−、−ＣＯＳ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられていても良い。）、ｍ４は０又は１を表し、ＭＧはメソゲン基又はメソゲン性支持基を表し、
Ｒ^４は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は炭素原子数１〜１８のアルキル基を表すが、該アルキル基は１つ以上のハロゲン原子又はＣＮにより置換されていても良く、この基中に存在する１つのＣＨ₂基又は隣接していない２つ以上のＣＨ₂基はそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接結合しない形で、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ_３）−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＳＣＯ−、−ＣＯＳ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられていても良い。

Ｐ^４は下記の式（Ｐ−１）から式（Ｐ−２０）で表される重合性基から選ばれる置換基を表すのが好ましい。

これらの重合性官能基のうち、重合性および保存安定性を高める観点から、式（Ｐ−１）又は式（Ｐ−２）、（Ｐ−７）、（Ｐ−１２）、（Ｐ−１３）が好ましく、式（Ｐ−１）、（Ｐ−７）、（Ｐ−１２）がより好ましい。

ＭＧで表されるメソゲン基又はメソゲン性支持基は、一般式（４−ｂ）で表される基が挙げられる。

一般式（４−ｂ）中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４及びＡ５はそれぞれ独立して、１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、１，４−シクロヘキセニル基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、テトラヒドロチオピラン−２，５−ジイル基、１，４−ビシクロ（２，２，２）オクチレン基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピラジン−２，５−ジイル基、チオフェン−２，５−ジイル基−、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、２，６−ナフチレン基、フェナントレン−２，７−ジイル基、９，１０−ジヒドロフェナントレン−２，７−ジイル基、１，２，３，４，４ａ，９，１０ａ−オクタヒドロフェナントレン−２，７−ジイル基、１，４−ナフチレン基、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ‘］ジチオフェン−２，６−ジイル基、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ‘］ジセレノフェン−２，６−ジイル基、［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，７−ジイル基、［１］ベンゾセレノフェノ［３，２−ｂ］セレノフェン−２，７−ジイル基、又はフルオレン−２，７−ジイル基を表し、置換基として１個以上のＦ、Ｃｌ、ＣＦ₃、ＯＣＦ₃、ＣＮ基、炭素原子数１〜８のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルカノイルオキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基を、有していてもよく、Ｚ０、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４及びＺ５はそれぞれ独立して、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ₂ ＣＨ₂−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＯＯ−、−ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＯ−、−ＣＯＯＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＯＣＯＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、炭素数２〜１０のハロゲン原子を有してもよいアルキル基又は単結合を表し、
ｎ、ｌ及びｋはそれぞれ独立して、０又は１を表し、０≦ｎ＋ｌ＋ｋ≦３を表す。

一般式（４）の一例として、一般式（４−１）〜（４−４）を挙げることができるが、下記の一般式に限定されるわけではない。

式中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、及びＡ５は、一般式（４−ｂ）の定義と同じものを表す。また、Ｚ０、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４、及びＺ５は、一般式（４−ｂ）の定義と同じものを表す。

Ｐ^４ａ、Ｐ^４ｂはそれぞれ独立して重合性官能基を表し、Ｓｐ^４ａ、Ｓｐ^４ｂはそれぞれ独立して炭素原子数０〜１８のアルキレン基を表し（該アルキレン基は１つ以上のハロゲン原子又はＣＮにより置換されていても良く、この基中に存在する１つのＣＨ₂基又は隣接していない２つ以上のＣＨ₂基はそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接結合しない形で、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ_３）−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＳＣＯ−、−ＣＯＳ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられていても良い。）、ｍ４、ｎ４はそれぞれ独立して０又は１を表す。）
一般式（４）で表される化合物としては、以下の式（４−５）〜（４−４１）で表される化合物が挙げられるが、これらに限定される訳ではない。

式中、ｍ及びｎはそれぞれ独立して１〜１８の整数を表し、Ｒ、Ｒ_１及びＲ_２はそれぞれ独立して水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、カルボキシル基、シアノ基を表し、これらの基が炭素数１〜６のアルキル基、あるいは炭素数１〜６のアルコキシ基の場合、全部が未置換であるか、あるいは１つまたは２つ以上のハロゲン原子により置換されていてもよい。
１つの重合性官能基を有する液晶化合物は、１種又は２種以上用いることができるが、１種〜５種が好ましく、１種〜４種がより好ましい。
１つの重合性官能基を有する液晶化合物の含有量は、重合性液晶組成物の内、０質量％以上が好ましく、１０質量％以上がより好ましく、２０質量％以上が特に好ましく、７５質量％以下が好ましく、７０質量％以下がより好ましく、６５質量％以下が特に好ましい。

（有機溶剤）
本発明における重合性液晶組成物に有機溶剤を添加し、重合性液晶組成物溶液として使用してもよい。用いる有機溶剤としては特に限定はないが、重合性液晶化合物が良好な溶解性を示す有機溶剤が好ましく、１００℃以下の温度で乾燥できる有機溶剤であることが好ましい。そのような溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、クメン、メシチレン等の芳香族系炭化水素、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等のエステル系溶剤、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン等のケトン系溶剤、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、アニソール等のエーテル系溶剤、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、等のアミド系溶剤、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン及びクロロベンゼン等が挙げられる。これらは、単独で使用することもできるし、２種類以上混合して使用することもできるが、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤及び芳香族炭化水素系溶剤のうちのいずれか１種類以上を用いることが溶液安定性の点から好ましい。

用いる有機溶剤の比率は、本発明に用いられる重合性液晶組成物が通常塗布により行われることから、塗布した状態を著しく損なわない限りは特に制限はないが、重合性液晶組成物溶液中に含有する有機溶剤の合計量が１〜６０質量％であることが好ましく、３〜５５質量％であることが更に好ましく、５〜５０質量％であることが特に好ましい。
有機溶剤に重合性液晶化合物を溶解する際には、均一に溶解させるために、加熱攪拌することが好ましい。加熱攪拌時の加熱温度は、用いる重合性液晶化合物の有機溶剤に対する溶解性を考慮して適宜調節すればよいが、生産性の点から１５℃〜１１０℃が好ましく、１５℃〜１０５℃がより好ましく、１５℃〜１００℃がさらに好ましく、２０℃〜９０℃とするのが特に好ましい。

また、重合性液晶組成物を調製する際には分散攪拌機により攪拌混合することが好ましい。分散攪拌機として具体的には、ディスパー、プロペラ、タービン翼等攪拌翼を有する分散機、ペイントシェイカー、遊星式攪拌装置、振とう機、スターラー、シェーカー又はロータリーエバポレーター等が使用できる。その他には、超音波照射装置が使用できる。
重合性液晶組成物溶液を調製する際の攪拌回転数は、用いる攪拌装置により適宜調整することが好ましいが、均一な重合性液晶組成物溶液とするために攪拌回転数を１０ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍとするのが好ましく、５０ｒｐｍ〜８００ｒｐｍとするのがより好ましく、１５０ｒｐｍ〜６００ｒｐｍとするのが特に好ましい。

（重合禁止剤）
本発明における重合性液晶組成物の溶液安定性を高めるため、重合禁止剤を添加することが好ましい。重合禁止剤としては、フェノール系化合物、キノン系化合物、アミン系化合物、チオエーテル系化合物、ニトロソ化合物、等が挙げられる。

フェノール系化合物としては、ｐ−メトキシフェノール、クレゾール、ｔ−ブチルカテコール、３．５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシトルエン、２．２'−メチレンビス（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２．２'−メチレンビス（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４．４'−チオビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４−メトキシ−１−ナフトール、４，４’−ジアルコキシ−２，２’−ビ−１−ナフトール、等が挙げられる。

キノン系化合物としては、ヒドロキノン、メチルヒドロキノン、ｔｅｒｔ−ブチルヒドロキノン、ｐ−ベンゾキノン、メチル−ｐ−ベンゾキノン、ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−ベンゾキノン、２，５−ジフェニルベンゾキノン、２−ヒドロキシ−１，４−ナフトキノン、１，４−ナフトキノン、２，３−ジクロロ−１，４−ナフトキノン、アントラキノン、ジフェノキノン等が挙げられる。

アミン系化合物としては、ｐ−フェニレンジアミン、４−アミノジフェニルアミン、Ｎ．Ｎ'−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−ｉ−プロピル−Ｎ'−フェニル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−（１．３−ジメチルブチル）−Ｎ'−フェニル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ．Ｎ'−ジ−２−ナフチル−ｐ−フェニレンジアミン、ジフェニルアミン、Ｎ−フェニル−β−ナフチルアミン、４．４'−ジクミル−ジフェニルアミン、４．４'−ジオクチル−ジフェニルアミン等が挙げられる。

チオエーテル系化合物としては、フェノチアジン、ジステアリルチオジプロピオネート等が挙げられる。
ニトロソ系化合物としては、Ｎ−ニトロソジフェニルアミン、Ｎ−ニトロソフェニルナフチルアミン、Ｎ−ニトロソジナフチルアミン、ｐ−ニトロソフェノール、ニトロソベンゼン、ｐ−ニトロソジフェニルアミン、α−ニトロソ−β−ナフトール等、Ｎ、Ｎ−ジメチルｐ−ニトロソアニリン、ｐ−ニトロソジフェニルアミン、ｐ−ニトロンジメチルアミン、ｐ−ニトロン−Ｎ、Ｎ−ジエチルアミン、Ｎ−ニトロソエタノールアミン、Ｎ−ニトロソジ−ｎ−ブチルアミン、Ｎ−ニトロソ−Ｎ −ｎ−ブチル−４−ブタノールアミン、Ｎ−ニトロソ−ジイソプロパノールアミン、Ｎ−ニトロソ−Ｎ−エチル−４−ブタノールアミン、５−ニトロソ−８−ヒドロキシキノリン、Ｎ−ニトロソモルホリン、Ｎ−二トロソ−Ｎ−フェニルヒドロキシルアミンアンモニウム塩、二トロソベンゼン、２，４．６−トリ−ｔｅｒｔ−ブチルニトロンベンゼン、Ｎ−ニトロソ−Ｎ−メチル−ｐ−トルエンスルホンアミド、Ｎ−ニトロソ−Ｎ−エチルウレタン、Ｎ−ニトロソ−Ｎ−ｎ−プロピルウレタン、１−ニトロソ−２−ナフトール、２−ニトロソ−１−ナフトール、１−ニトロソ−２−ナフトール−３，６−スルホン酸ナトリウム、２−ニトロソ−１−ナフトール−４−スルホン酸ナトリウム、２−ニトロソ−５−メチルアミノフェノール塩酸塩、２−ニトロソ−５−メチルアミノフェノール塩酸塩等が挙げられる。
重合禁止剤の添加量は重合性液晶組成物に対して０．０１〜１．０質量％であることが好ましく、０．０５〜０．５質量％であることがより好ましい。

（酸化防止剤）
本発明における重合性液晶組成物の溶液安定性を高めるため、酸化防止剤等を添加することが好ましい。そのような化合物として、ヒドロキノン誘導体、ニトロソアミン系重合禁止剤、ヒンダードフェノール系酸化防止剤等が挙げられ、より具体的には、tert-ブチルハイドロキノン、メチルハイドロキノン、和光純薬工業社の「Ｑ−１３００」、「Ｑ−１３０１」、ＢＡＳＦ社の「ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０」、「ＩＲＧＡＮＯＸ１０３５」、「ＩＲＧＡＮＯＸ１０７６」、「ＩＲＧＡＮＯＸ１０９８」、「ＩＲＧＡＮＯＸ１１３５」、「ＩＲＧＡＮＯＸ１３３０」、「ＩＲＧＡＮＯＸ１４２５」、「ＩＲＧＡＮＯＸ１５２０」、「ＩＲＧＡＮＯＸ１７２６」、「ＩＲＧＡＮＯＸ２４５」、「ＩＲＧＡＮＯＸ２５９」、「ＩＲＧＡＮＯＸ３１１４」、「ＩＲＧＡＮＯＸ３７９０」、「ＩＲＧＡＮＯＸ５０５７」、「ＩＲＧＡＮＯＸ５６５」等々があげられる。
酸化防止剤の添加量は重合性液晶組成物に対して０．０１〜２．０質量％であることが好ましく、０．０５〜１．０質量％であることがより好ましい。

（光重合開始剤）
本発明における重合性液晶組成物は光重合開始剤を含有することが好ましい。光重合開始剤は少なくとも１種類以上含有することが好ましい。具体的には、ＢＡＳＦ社製の「イルガキュア６５１」、「イルガキュア１８４」、「ダロキュア１１７３」、「イルガキュア９０７」、「イルガキュア１２７」、「イルガキュア３６９」、「イルガキュア３７９」、「イルガキュア８１９」、「イルガキュア２９５９」、「イルガキュア１８００」、「イルガキュア２５０」、「イルガキュア７５４」、「イルガキュア７８４」、「イルガキュアＯＸＥ０１」、「イルガキュアＯＸＥ０２」、「ルシリンＴＰＯ」、「ダロキュア１１７３」、「ダロキュアＭＢＦ」やＬＡＭＢＳＯＮ社製の「エサキュア１００１Ｍ」、「エサキュアＫＩＰ１５０」、「スピードキュアＢＥＭ」、「スピードキュアＢＭＳ」、「スピードキュアＭＢＰ」、「スピードキュアＰＢＺ」、「スピードキュアＩＴＸ」、「スピードキュアＤＥＴＸ」、「スピードキュアＥＢＤ」、「スピードキュアＭＢＢ」、「スピードキュアＢＰ」や日本化薬社製の「カヤキュアＤＭＢＩ」、日本シイベルヘグナー社製（現ＤＫＳＨ社）の「ＴＡＺ−Ａ」、ＡＤＥＫＡ社製の「アデカオプトマーＳＰ−１５２」、「アデカオプトマーＳＰ−１７０」、「アデカオプトマーＮ−１４１４」、「アデカオプトマーＮ−１６０６」、「アデカオプトマーＮ−１７１７」、「アデカオプトマーＮ−１９１９」、ＵＣＣ社製の「サイラキュアーＵＶＩ−６９９０」、「サイラキュアーＵＶＩ−６９７４」や「サイラキュアーＵＶＩ−６９９２」、旭電化工業社製の「アデカオプトマーＳＰ−１５０、ＳＰ−１５２、ＳＰ−１７０、ＳＰ−１７２」やローディア製の「ＰＨＯＴＯＩＮＩＴＩＡＴＯＲ２０７４」、ＢＡＳＦ社製の「イルガキュアー２５０」、ＧＥシリコンズ社製の「ＵＶ−９３８０Ｃ」、みどり化学社製の「ＤＴＳ−１０２」等が挙げられる。

光重合開始剤の使用量は重合性液晶組成物に対して０．１〜１０質量％が好ましく、０．５〜５質量％が特に好ましい。これらは、単独で使用することもできるし、２種類以上混合して使用することもでき、また、増感剤等を添加しても良い。

（熱重合開始剤）
熱重合の際に使用する熱重合開始剤としては公知慣用のものが使用でき、例えば、メチルアセトアセテイトパーオキサイド、キュメンハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ビス（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パ−オキシジカーボネイト、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエイト、メチルエチルケトンパーオキサイド、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパ−オキシ）３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、ｐ−ペンタハイドロパーオキサイド、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、イソブチルパーオキサイド、ジ（３−メチル−３−メトキシブチル）パーオキシジカーボネイト、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン等の有機過酸化物、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）等のアゾニトリル化合物、２，２’−アゾビス（２−メチル−Ｎ−フェニルプロピオン−アミヂン）ジハイドロクロライド等のアゾアミヂン化合物、２，２’アゾビス｛２−メチル−Ｎ−［１，１−ビス（ヒドロキシメチル）−２−ヒドロキシエチル］プロピオンアミド｝等のアゾアミド化合物、２，２’アゾビス（２，４，４−トリメチルペンタン）等のアルキルアゾ化合物等を使用することができる。熱重合開始剤の含有利量は０．１〜１０質量が好ましく、１〜６質量％が特に好ましい。これらは、単独で使用することもできるし、２種類以上混合して使用することもできる。

（界面活性剤）
本発明における重合性液晶組成物は、光学異方体とした場合の膜厚むらを低減させるために界面活性剤を少なくとも１種類以上含有してもよい。含有することができる界面活性剤としては、アルキルカルボン酸塩、アルキルリン酸塩、アルキルスルホン酸塩、フルオロアルキルカルボン酸塩、フルオロアルキルリン酸塩、フルオロアルキルスルホン酸塩、ポリオキシエチレン誘導体、フルオロアルキルエチレンオキシド誘導体、ポリエチレングリコール誘導体、アルキルアンモニウム塩、フルオロアルキルアンモニウム塩類等をあげることができ、特に含フッ素界面活性剤が好ましい。

具体的には、「メガファックＦ−１１４」、「メガファックＦ−２５１」、「メガファックＦ−２８１」、「メガファックＦ−４１０」、「メガファックＦ−４３０」、「メガファックＦ−４４４」、「メガファックＦ−４７２ＳＦ」、「メガファックＦ−４７７」、「メガファックＦ−５１０」、「メガファックＦ−５１１」、「メガファックＦ−５５２」、「メガファックＦ−５５３」、「メガファックＦ−５５４」、「メガファックＦ−５５５」、「メガファックＦ−５５６」、「メガファックＦ−５５７」、「メガファックＦ−５５８」、「メガファックＦ−５５９」、「メガファックＦ−５６０」、「メガファックＦ−５６１」、「メガファックＦ−５６２」、「メガファックＦ−５６３」、「メガファックＦ−５６５」、「メガファックＦ−５６７」、「メガファックＦ−５６８」、「メガファックＦ−５６９」、「メガファックＦ−５７０」、「メガファックＦ−５７１」、「メガファックＲ−４０」、「メガファックＲ−４１」、「メガファックＲ−４３」、「メガファックＲ−９４」、「メガファックＲＳ−７２−Ｋ」、「メガファックＲＳ−７５」、「メガファックＲＳ−７６−Ｅ」、「メガファックＲＳ−７６−ＮＳ」、「メガファックＲＳ−９０」、「メガファックＥＸＰ．ＴＦ−１３６７」、「メガファックＥＸＰ．ＴＦ１４３７」、「メガファックＥＸＰ．ＴＦ１５３７」、「メガファックＥＸＰ．ＴＦ−２０６６」（以上、ＤＩＣ株式会社製）、
「フタージェント１００」、「フタージェント１００Ｃ」、「フタージェント１１０」、「フタージェント１５０」、「フタージェント１５０ＣＨ」、「フタージェント１００Ａ-Ｋ」、「フタージェント３００」、「フタージェント３１０」、「フタージェント３２０」、「フタージェント４００ＳＷ」、「フタージェント２５１」、「フタージェント２１５Ｍ」、「フタージェント２１２Ｍ」、「フタージェント２１５Ｍ」、「フタージェント２５０」、「フタージェント２２２Ｆ」、「フタージェント２１２Ｄ」、「ＦＴＸ−２１８」、「フタージェント２０９Ｆ」、「フタージェント２４５Ｆ」、「フタージェント２０８Ｇ」、「フタージェント２４０Ｇ」、「フタージェント２１２Ｐ」、「フタージェント２２０Ｐ」、「フタージェント２２８Ｐ」、「ＤＦＸ−１８」、「フタージェント６０１ＡＤ」、「フタージェント６０２Ａ」、「フタージェント６５０Ａ」、「フタージェント７５０ＦＭ」、「ＦＴＸ-７３０ＦＭ」、「フタージェント７３０ＦＬ」、「フタージェント７１０ＦＳ」、「フタージェント７１０ＦＭ」、「フタージェント７１０ＦＬ」、「フタージェント７５０ＬＬ」、「ＦＴＸ-７３０ＬＳ」、「フタージェント７３０ＬＭ」、（以上、株式会社ネオス製）、
「ＢＹＫ−３００」、「ＢＹＫ−３０２」、「ＢＹＫ−３０６」、「ＢＹＫ−３０７」、「ＢＹＫ−３１０」、「ＢＹＫ−３１５」、「ＢＹＫ−３２０」、「ＢＹＫ−３２２」、「ＢＹＫ−３２３」、「ＢＹＫ−３２５」、「ＢＹＫ−３３０」、「ＢＹＫ−３３１」、「ＢＹＫ−３３３」、「ＢＹＫ−３３７」、「ＢＹＫ−３４０」、「ＢＹＫ−３４４」、「ＢＹＫ−３７０」、「ＢＹＫ−３７５」、「ＢＹＫ−３７７」、「ＢＹＫ−３５０」、「ＢＹＫ−３５２」、「ＢＹＫ−３５４」、「ＢＹＫ−３５５」、「ＢＹＫ−３５６」、「ＢＹＫ−３５８Ｎ」、「ＢＹＫ−３６１Ｎ」、「ＢＹＫ−３５７」、「ＢＹＫ−３９０」、「ＢＹＫ−３９２」、「ＢＹＫ−ＵＶ３５００」、「ＢＹＫ−ＵＶ３５１０」、「ＢＹＫ−ＵＶ３５７０」、「ＢＹＫ−Ｓｉｌｃｌｅａｎ３７００」（以上、ＢＹＫ株式会社製）、
「ＴＥＧＯＲａｄ２１００」、「ＴＥＧＯＲａｄ２０１１」、「ＴＥＧＯＲａｄ２２００Ｎ」、「ＴＥＧＯＲａｄ２２５０」、「ＴＥＧＯＲａｄ２３００」、「ＴＥＧＯＲａｄ２５００」、「ＴＥＧＯＲａｄ２６００」、「ＴＥＧＯＲａｄ２６５０」、「ＴＥＧＯＲａｄ２７００」、「ＴＥＧＯＦｌｏｗ３００」、「ＴＥＧＯＦｌｏｗ３７０」、「ＴＥＧＯＦｌｏｗ４２５」、「ＴＥＧＯＦｌｏｗＡＴＦ２」、「ＴＥＧＯＦｌｏｗＺＦＳ４６０」、「ＴＥＧＯＧｌｉｄｅ１００」、「ＴＥＧＯＧｌｉｄｅ１１０」、「ＴＥＧＯＧｌｉｄｅ１３０」、「ＴＥＧＯＧｌｉｄｅ４１０」、「ＴＥＧＯＧｌｉｄｅ４１１」、「ＴＥＧＯＧｌｉｄｅ４１５」、「ＴＥＧＯＧｌｉｄｅ４３２」、「ＴＥＧＯＧｌｉｄｅ４４０」、「ＴＥＧＯＧｌｉｄｅ４５０」、「ＴＥＧＯＧｌｉｄｅ４８２」、「ＴＥＧＯＧｌｉｄｅＡ１１５」、「ＴＥＧＯＧｌｉｄｅＢ１４８４」、「ＴＥＧＯＧｌｉｄｅＺＧ４００」、「ＴＥＧＯＴｗｉｎ４０００」、「ＴＥＧＯＴｗｉｎ４１００」、「ＴＥＧＯＴｗｉｎ４２００」、「ＴＥＧＯＷｅｔ２４０」、「ＴＥＧＯＷｅｔ２５０」、「ＴＥＧＯＷｅｔ２６０」、「ＴＥＧＯＷｅｔ２６５」、「ＴＥＧＯＷｅｔ２７０」、「ＴＥＧＯＷｅｔ２８０」、「ＴＥＧＯＷｅｔ５００」、「ＴＥＧＯＷｅｔ５０５」、「ＴＥＧＯＷｅｔ５１０」、「ＴＥＧＯＷｅｔ５２０」、「ＴＥＧＯＷｅｔＫＬ２４５」、（以上、エボニック・インダストリーズ株式会社製）、「ＦＣ−４４３０」、「ＦＣ−４４３２」（以上、スリーエムジャパン株式会社製）、「ユニダインＮＳ」（以上、ダイキン工業株式会社製）、「サーフロンＳ−２４１」、「サーフロンＳ−２４２」、「サーフロンＳ−２４３」、「サーフロンＳ−４２０」、「サーフロンＳ−６１１」、「サーフロンＳ−６５１」、「サーフロンＳ−３８６」（以上、ＡＧＣセイミケミカル株式会社製）、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮＯＸ−８８０ＥＦ」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮＯＸ−８８１」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮＯＸ−８８３」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮＯＸ−７７ＥＦ」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮＯＸ−７１０」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ１９２２」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ１９２７」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ１９５８」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮＰ−４１０ＥＦ」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮＰ−４２０」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮＰ−４２５」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮＰＤ−７」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ１９７０」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ２３０」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮＬＦ−１９８０」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮＬＦ−１９８２」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮＬＦ−１９８３」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮＬＦ−１０８４」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮＬＦ−１９８５」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮＬＨＰ−９０」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮＬＨＰ−９１」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮＬＨＰ−９５」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮＬＨＰ−９６」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮＯＸ−７１５」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ１９３０Ｎ」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ１９３１」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ１９３３」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ１９３４」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ１７１１ＥＦ」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ１７５１Ｎ」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮ１７６１」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮＬＳ−００９」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮＬＳ−００１」、「ＤＩＳＰＡＲＬＯＮＬＳ−０５０」（以上、楠本化成株式会社製）、「ＰＦ−１５１Ｎ」、「ＰＦ−６３６」、「ＰＦ−６３２０」、「ＰＦ−６５６」、「ＰＦ−６５２０」、「ＰＦ−６５２−ＮＦ」、「ＰＦ−３３２０」（以上、ＯＭＮＯＶＡＳＯＬＵＴＩＯＮＳ社製）、「ポリフローＮｏ．７」、「ポリフローＮｏ．５０Ｅ」、「ポリフローＮｏ．５０ＥＨＦ」、「ポリフローＮｏ．５４Ｎ」、「ポリフローＮｏ．７５」、「ポリフローＮｏ．７７」、「ポリフローＮｏ．８５」、「ポリフローＮｏ．８５ＨＦ」、「ポリフローＮｏ．９０」、「ポリフローＮｏ．９０Ｄ−５０」、「ポリフローＮｏ．９５」、「ポリフローＮｏ．９９Ｃ」、「ポリフローＫＬ−４００Ｋ」、「ポリフローＫＬ−４００ＨＦ」、「ポリフローＫＬ−４０１」、「ポリフローＫＬ−４０２」、「ポリフローＫＬ−４０３」、「ポリフローＫＬ−４０４」、「ポリフローＫＬ−１００」、「ポリフローＬＥ−６０４」、「ポリフローＫＬ−７００」、「フローレンＡＣ−３００」、「フローレンＡＣ−３０３」、「フローレンＡＣ−３２４」、「フローレンＡＣ−３２６Ｆ」、「フローレンＡＣ−５３０」、「フローレンＡＣ−９０３」、「フローレンＡＣ−９０３ＨＦ」、「フローレンＡＣ−１１６０」、「フローレンＡＣ−１１９０」、「フローレンＡＣ−２０００」、「フローレンＡＣ−２３００Ｃ」、「フローレンＡＯ−８２」、「フローレンＡＯ−９８」、「フローレンＡＯ−１０８」（以上、共栄社化学株式会社製）、「Ｌ−７００１」、「Ｌ−７００２」、「８０３２ＡＤＤＩＴＩＶＥ」、「５７ＡＤＤＴＩＶＥ」、「Ｌ−７０６４」、「ＦＺ−２１１０」、「ＦＺ−２１０５」、「６７ＡＤＤＴＩＶＥ」、「８６１６ＡＤＤＴＩＶＥ」（以上、東レ・ダウシリコーン株式会社製）等の例を挙げることができる。

界面活性剤の添加量は重合性液晶組成物に対して０．０１〜２質量％であることが好ましく、０．０５〜０．５質量％であることがより好ましい。
また、上記界面活性剤を使用することで、本発明の重合性液晶組成物を光学異方体とした場合、空気界面のチルト角を効果的に減じることができるものもある。
本発明における重合性液晶組成物は、光学異方体とした場合の空気界面のチルト角を効果的に減じる効果を持つ、上記界面活性剤以外として、下記一般式（５）で表される繰り返し単位を有する重量平均分子量が１００以上である化合物を含有してもよい。

式中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３及びＲ^１４はそれぞれ独立的に水素原子、ハロゲン原子又は炭素原子数１〜２０の炭化水素基を表し、該炭化水素基中の水素原子は１つ以上のハロゲン原子で置換されていても良い。
一般式（５）で表される好適な化合物として、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、パラフィン、流動パラフィン、塩素化ポリプロピレン、塩素化パラフィン、塩素化流動パラフィン等を挙げることができる。
一般式（５）で表される化合物は、重合性化合物を有機溶剤に混合し加熱攪拌して重合性溶液を調製する工程において添加することが好ましいが、その後の、重合性溶液に光重合開始剤を混合する工程において添加してもよいし、両方の工程において添加してもよい。
一般式（５）で表される化合物の添加量は重合性液晶組成物溶液に対して、０．０１〜１質量％であることが好ましく、０．０５〜０．５質量％であることがより好ましい。

本発明における重合性液晶組成物溶液は、光学異方体とした場合の基材との密着性をより向上させるため、連鎖移動剤を添加することも好ましい。連鎖移動剤としては、チオール化合物が好ましく、モノチオール、ジチオール、トリチオール、テトラチオール化合物がより好ましく、トリチオール化合物が更により好ましい。具体的には下記一般式（６−１）〜（６−１２）で表される化合物が好ましい。

式中、Ｒ^６５は炭素原子数２〜１８のアルキル基を表し、該アルキル基は直鎖であっても分岐鎖であっても良く、該アルキル基中の１つ以上のメチレン基は酸素原子、及び硫黄原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子、硫黄原子、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、又は−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく、Ｒ^６６は炭素原子数２〜１８のアルキレン基を表し、該アルキレン基中の１つ以上のメチレン基は酸素原子、及び硫黄原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子、硫黄原子、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、又は−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよい。

連鎖移動剤は、重合性液晶化合物を有機溶剤に混合し加熱攪拌して重合性溶液を調製する工程において添加することが好ましいが、その後の、重合性溶液に重合開始剤を混合する工程において添加してもよいし、両方の工程において添加してもよい。
連鎖移動剤の添加量は重合性液晶組成物に対して、０．５〜１０質量％であることが好ましく、１．０〜５．０質量％であることがより好ましい。

更に物性調整のため、液晶性のない重合性化合物等も必要に応じて添加することも可能である。
液晶性のない重合性化合物は、光重合または熱重合によって重合することができる、反応性モノマー等を意味する。例えば、液晶を呈する棒状の分子構造（ビフェニル基またはビフェニル・シクロヘキシル基等の末端にアルキル基、シアノ基、フッ素などが付いたような分子構造）を有しないモノマー等を指称する。具体的には、分子構造中にアクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基、エポキシ基、フマレート基、シンナモイル基等の重合性基を含むモノマー等が挙げられるが、これらに限定されない。液晶性のない重合性化合物としては、末端にアクリレート基の重合性基を含むモノマーを添加することが好ましい。

本発明に用いられるアクリレート基の重合性基を含むモノマーの具体例として、３，５，５−トリメチルヘキシルアクリレート、２−ヘキシルアクリレート、ブトキシエチルアクリレート、イソステアリルアクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、２−２−エトキシエトキシエチルアクリレート、ジエチレングリコール２−エチルヘキシルエーテルアクリレート、ポリエチレングリコールメチルエーテルアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、エトキシ化ビスフェノールジアクリレート、ジプロピレングリコールジアクリレート、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート、エピクロロヒドリン変性グリセロールトリアクリレート、エチレンオキシド変性グリセロールトリアクリレート、プロピレンオキシド変性グリセロールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、エチレンオキシド変性リン酸トリアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、カプロラクトン変性トリメチロールプロパントリアクリレート、エチレンオキシド変性トリメチロールプロパントリアクリレート、プロピレンオキシド変性トリメチロールプロパントリアクリレート、エトキシ化イソシアヌル酸トリアクリレート、ε-カプロラクトン変性トリス−（２−アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヒドロキシペンタアクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールトリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールエトキシテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレートが挙げられるが、これらに限定されない。液晶性のない重合性化合物は、重合性化合物を有機溶剤に混合し加熱攪拌して重合性溶液を調製する工程において添加することが好ましいが、重合性でない液晶化合物等は、その後の、重合性溶液に重合開始剤を混合する工程において添加してもよいし、両方の工程において添加してもよい。これらの化合物の添加量は重合性液晶組成物に対して、２０質量％以下が好ましく、１０質量％以下がより好ましく、５質量％以下が更により好ましい。

また、液晶性のない重合性化合物と同様に、重合性でない液晶化合物も必要に応じて添加することも可能である。
本発明の重合性混合物、又は重合性組成物には、目的に応じて他の添加剤、例えば、チキソ剤、紫外線吸収剤、赤外線吸収剤、抗酸化剤、表面処理剤等の添加剤を液晶の配向能を著しく低下させない程度添加することができる。

（光学異方体）
本発明における重合性液晶組成物を、配向機能を有する基材上に塗布し、本発明の重合性液晶組成物中の液晶分子を、スメクチック相、ネマチック相を保持した状態で均一に配向させ、重合させることによって、本発明の光学異方体が得られる。
本発明における位相差層は、液晶分子が有する複屈折特性の影響による視野角依存性を改善するものであれば、特に制限なく様々な配向モードを適用できる。例えば、ポジティブＡプレート、ネガティブＡプレート、ポジティブＣプレート、ネガティブＣプレート、二軸性プレート、ポジティブＯプレート、ネガティブＯプレートなどの配向モードを適用できる。その中でも、ポジティブＡプレート、ポジティブＣプレート及び／又は二軸性プレートを使用することが好ましい。更に、ポジティブＡプレート及び／又はポジティブＣプレート、又は二軸性プレートを使用することがより好ましく、ポジティブＡプレート及びポジティブＣプレートを積層することが特に好ましい。

ここで、ポジティブＡプレートとは、屈折率楕円体の常屈折率が異常屈折率より小さい重合性液晶組成物を、その異常屈折率を示す主軸（ｃ軸）を基板に対してホモジニアス配向させ重合させた光学異方体を意味し、メソゲン基又はメソゲン性支持基のｃ軸がホモジニアス配向している。あるいは、別の態様ではポジティブＡプレートとは、延伸により面内一軸性を発現した延伸フィルムを意味する。環状オレフィン系樹脂や変性ポリカーボネート系樹脂等の固有複屈折率が正の透明樹脂を特定の条件で延伸した延伸フィルムを使用してもよい。また、ポジティブＣプレートとは、上記と同様な屈折率楕円体を有する重合性液晶組成物をホメオトロピック配向させ、重合させた光学異方体を意味し、メソゲン基又はメソゲン性支持基のｃ軸がホメオトロピック配向している。
ネガティブＡプレートとは、屈折率楕円体の常屈折率が異常屈折率より大きい重合性液晶組成物を、そのｃ軸を基板に対してホモジニアス配向させ、重合させた光学異方体を意味し、メソゲン基又はメソゲン性支持基のｃ軸がホモジニアス配向している。また、ネガティブＣプレートとは、上記と同様な屈折率楕円体を有する重合性液晶組成物をホメオトロピック配向させ、重合させた光学異方体を意味し、メソゲン基又はメソゲン性支持基のｃ軸がホメオトロピック配向している。

また、二軸性プレートとは、重合性液晶組成物を配向させた後、重合させた光学異方体が、３つの主屈折率の全てが異なる屈折率楕円体を有する。その具体的な態様は多岐に亘るが、重合性液晶組成物中のメソゲン基又はメソゲン性支持基の配向状態が二軸性を示す位相差層を指す。
ポジティブＯプレートとは、屈折率楕円体の常屈折率が異常屈折率より小さい重合性液晶組成物を用い、そのｃ軸の基板に対するチルト角が、基板界面から空気界面に向かって変化している状態で重合させた光学異方体を意味する。即ち、メソゲン基又はメソゲン性支持基のｃ軸のチルト角が基板界面から空気界面に向かって連続的に変化する位相差層を指す。またネガティブＯプレートとは、屈折率楕円体の常屈折率が異常屈折率より大きい重合性液晶組成物を用い、そのｃ軸の基板に対するチルト角が基板界面から空気界面に向かって変化している状態で重合させた光学異方体を意味する。即ち、メソゲン基又はメソゲン性支持基のｃ軸のチルト角が基板界面から空気界面に向かって変化する位相差層を指す。

本発明の一実施形態である液晶セルでは、第１の位相差層として、ポジティブＡプレートを使用することが好ましい。ここで、ポジティブＡプレートは、位相差層の面内遅相軸方向の屈折率をｎｘ、位相差層の面内進相軸方向の屈折率をｎｙ、位相差層の厚み方向の屈折率をｎｚとしたときに、「ｎｘ＞ｎｙ＝ｎｚ」の関係となる。ポジティブＡプレートとしては、波長５５０ｎｍにおける面内位相差値が１０〜３００ｎｍの範囲にあるものが好ましい。また、厚み方向位相差値は特に限定されない。Ｎｚ係数は、０．９〜１．１の範囲が好ましい。

また、第２の位相差層としては正の屈折率異方性を有する、いわゆるポジティブＣプレートを使用することが好ましい。また、ポジティブＡプレート上にポジティブＣプレートを積層してもよい。
ここで、ポジティブＣプレートは、位相差層の面内方向の屈折率をｎｘ、ｎｙ、位相差層の厚み方向の屈折率をｎｚとしたときに、「ｎｘ＝ｎｙ＜ｎｚ」の関係となる位相差層である。ポジティブＣプレートの厚み方向位相差値は１０〜３００ｎｍの範囲が好ましい。また、ポジティブＣプレートを第１の位相差層、ポジティブＡプレートを第２の位相差層を使用してもよい。
さらに、位相差層としては、３つの主屈折率の全てが異なる屈折率異方性を有する、いわゆる二軸性プレートを使用することも好ましい。
ここで、二軸性プレートは、位相差層の面内遅相軸方向の屈折率をｎｘ、位相差層の面内進相軸方向の屈折率をｎｙ、位相差層の厚み方向の屈折率をｎｚとしたときに、「ｎｘ＞ｎｚ＞ｎｙ」、または「ｎｚ＞ｎｘ＞ｎｙ」の関係となる位相差層である。二軸性プレートの場合、波長５５０ｎｍにおける面内位相差値が１０〜３００ｎｍの範囲にあるものが好ましい。厚み方向位相差値は特に限定されないが、０〜３００ｎｍの範囲が好ましい。Ｎｚ係数は、０．１〜１．０の範囲が好ましい。

なお、厚み方向の屈折率異方性は、式（２）により定義される厚み方向位相差値Ｒｔｈで表される。厚み方向位相差値Ｒｔｈは、面内位相差値Ｒ_０、遅相軸を傾斜軸として５０
°傾斜して測定した位相差値Ｒ_５０、フィルムの厚みｄ、フィルムの平均屈折率ｎ_０を用
いて、式（１）と次式（４）〜（７）から数値計算によりｎｘ、ｎｙ、ｎｚを求め、これ
らを式（２）に代入して算出することができる。また、Ｎｚ係数＝は、式（３）から算出
することができる。以下、本明細書の他の記載において同様である。

Ｒ_０＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ（１）
Ｒｔｈ＝［（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ］×ｄ（２）
Ｎｚ係数＝（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）（３）
Ｒ_５０＝（ｎｘ−ｎｙ’）×ｄ／ｃｏｓ（φ）（４）
（ｎｘ＋ｎｙ＋ｎｚ）／３＝ｎ０（５）
ここで、
φ＝ｓｉｎ^−１［ｓｉｎ（５０°）／ｎ_０］（６）
ｎｙ’＝ｎｙ×ｎｚ／［ｎｙ^２×ｓｉｎ^２（φ）＋ｎｚ^２×ｃｏｓ^２（φ）］^１／２（７）
市販の位相差測定装置では、ここに示した数値計算を装置内で自動的に行い、面内位相差値Ｒ_０や厚み方向位相差値Ｒｔｈなどを自動的に表示するようになっているものが多い。このような測定装置としては、例えば、ＲＥＴＳ−１００（大塚化学社製）を挙げることができる。

本発明の液晶表示装置は、一対の基板間に位相差層を有するものであるが、基板の外側に、更に位相差層を有していてもよい。当該基板の外側の位相差層としては、液晶分子が有する複屈折特性の影響による視野角依存性を改善するものであれば、特に制限なく様々な配向モードを適用できる。例えば、ポジティブＡプレート、ネガティブＡプレート、ポジティブＣプレート、ネガティブＣプレート、二軸性プレート、ポジティブＯプレート、ネガティブＯプレートなどの配向モードを適用できる。その中でも、ポジティブＡプレート、ポジティブＣプレート及び／又は二軸性プレートを使用することが好ましい。更に、ポジティブＡプレート及び／又はポジティブＣプレートを使用することがより好ましい。ポジティブＡプレートとしては、重合性液晶組成物をホモジニアス配向させたものや延伸フィルムを使用することができる。ポジティブＣプレートとしては、重合性液晶組成物をホメオトロピック配向させたものや延伸フィルムを使用することができる。

（基材）
本発明における光学異方体に用いられる基材は、液晶デバイス、ディスプレイ、光学部品や光学フィルムに通常使用する基材であって、本発明の重合性組成物溶液の塗布後の乾燥時における加熱に耐えうる耐熱性を有する材料であれば、特に制限はない。そのような基材としては、ガラス基材、金属基材、セラミックス基材やプラスチック基材等の有機材料が挙げられる。特に基材が有機材料の場合、セルロース誘導体、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリアリレート、ポリエーテルサルホン、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンエーテル、ナイロン又はポリスチレン等が挙げられる。中でもポリエステル、ポリスチレン、ポリオレフィン、セルロース誘導体、ポリアリレート、ポリカーボネート等のプラスチック基材が好ましい。基材の形状としては、平板の他、曲面を有するものであっても良い。これらの基材は、必要に応じて、電極層、反射防止機能、反射機能を有していてもよい。
本発明の重合性液晶組成物の塗布性や接着性向上のために、これらの基材の表面処理を行っても良い。表面処理として、オゾン処理、プラズマ処理、コロナ処理、シランカップリング処理などが挙げられる。

（塗布）
本発明における光学異方体を得るための塗布法としては、アプリケーター法、バーコーティング法、スピンコーティング法、ロールコーティング法、ダイレクトグラビアコーティング法、リバースグラビアコーティング法、フレキソコーティング法、インクジェット法、ダイコーティング法、キャップコーティング法、ディップコーティング法、スリットコーティング法等、公知慣用の方法を行うことができる。重合性液晶組成物を塗布後、乾燥させる。

（重合工程）
本発明における重合性液晶組成物の重合操作については、重合性液晶組成物中の液晶化合物が基材に対して水平配向、垂直配向、又はハイブリッド配向、あるいはコレステリック配向（平面配向）した状態で一般に紫外線等の光照射、あるいは加熱によって行われる。重合を光照射で行う場合は、具体的には３９０ｎｍ以下の紫外光を照射することが好ましく、２５０〜３７０ｎｍの波長の光を照射することが最も好ましい。但し、３９０ｎｍ以下の紫外光により重合性組成物が分解などを引き起こす場合は、３９０ｎｍ以上の紫外光で重合処理を行ったほうが好ましい場合もある。この光は、拡散光で、かつ偏光していない光であることが好ましい。

（重合方法）
本発明における重合性液晶組成物を重合させる方法としては、活性エネルギー線を照射する方法や熱重合法等が挙げられるが、室温で反応が進行することから活性エネルギー線を照射する方法が好ましく、中でも、操作が簡便なことから、紫外線等の光を照射する方法が好ましい。照射時の温度は、本発明の重合性液晶組成物が液晶相を保持できる温度とし、重合性液晶組成物の熱重合の誘起を避けるため、可能な限り５０℃以下とすることが好ましい。尚、液晶組成物は、通常、昇温過程において、Ｃ（固相）−Ｎ（ネマチック）転移温度（以下、Ｃ−Ｎ転移温度と略す。）から、Ｎ−Ｉ転移温度範囲内で液晶相を示す。一方、降温過程においては、熱力学的に非平衡状態を取るため、Ｃ−Ｎ転移温度以下でも凝固せず液晶状態を保つ場合がある。この状態を過冷却状態という。本発明においては、過冷却状態にある液晶組成物も液晶相を保持している状態に含めるものとする。具体的には３９０ｎｍ以下の紫外光を照射することが好ましく、２５０〜３７０ｎｍの波長の光を照射することが最も好ましい。但し、３９０ｎｍ以下の紫外光により重合性組成物が分解などを引き起こす場合は、３９０ｎｍ以上の紫外光で重合処理を行ったほうが好ましい場合もある。この光は、拡散光で、かつ偏光していない光であることが好ましい。紫外線照射強度は、０．０５kＷ／ｍ^２〜１０ｋＷ／ｍ^２の範囲が好ましい。特に、０．２ｋＷ／ｍ^２〜２ｋＷ／ｍ^２の範囲が好ましい。紫外線強度が０．０５ｋＷ／ｍ^２未満の場合、重合を完了させるのに多大な時間がかかる。一方、２ｋＷ／ｍ^２を超える強度では、重合性液晶組成物中の液晶分子が光分解する傾向にあることや、重合熱が多く発生して重合中の温度が上昇し、重合性液晶のオーダーパラメーターが変化して、重合後の塗膜のリタデーションに狂いが生じる可能性がある。

また、塗膜の重合反応の進行を促進するため、活性エネルギー線照射による重合硬化後の塗膜に対して、加熱硬化処理を行ってもよい。２００℃以上の高温で、塗膜を加熱硬化することが好ましい。
マスクを使用して特定の部分のみを紫外線照射で重合させた後、該未重合部分の配向状態を、電場、磁場又は温度等をかけて変化させ、その後該未重合部分を重合させると、異なる配向方向をもった複数の領域を有する光学異方体を得ることもできる。
また、マスクを使用して特定の部分のみを紫外線照射で重合させる際に、予め未重合状態の重合性液晶組成物に電場、磁場又は温度等をかけて配向を規制し、その状態を保ったままマスク上から光を照射して重合させることによっても、異なる配向方向をもった複数の領域を有する光学異方体を得ることができる。
本発明における重合性液晶組成物を重合させて得られる光学異方体は、基板から剥離して単体で光学異方体として使用することも、基板から剥離せずにそのまま光学異方体として使用することもできる。特に、他の部材を汚染し難いので、被積層基板として使用したり、他の基板に貼り合わせて使用したりするときに有用である。

（配向処理）
また、上記基材には、本発明の重合性組成物溶液を塗布乾燥した際に重合性組成物が配向するように、配向膜が設けられていても良い。配向処理としては、延伸処理、ラビング処理、偏光紫外可視光照射処理、イオンビーム処理、基材へのＳｉＯ_２の斜方蒸着処理、等が挙げられる。配向膜を用いる場合、配向膜は公知慣用のものが用いられる。そのような配向膜としては、ポリイミド、ポリシロキサン、ポリアミド、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリフェニレンエーテル、ポリアリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルホン、エポキシ樹脂、エポキシアクリレート樹脂、アクリル樹脂、クマリン化合物、カルコン化合物、シンナメート化合物、フルギド化合物、アントラキノン化合物、アゾ化合物、アリールエテン化合物等の化合物が挙げられる。ラビングにより配向処理する化合物は、配向処理、もしくは配向処理の後に加熱工程を入れることで材料の結晶化が促進されるものが好ましい。ラビング以外の配向処理を行う化合物の中では光配向材料を用いることが好ましい。

（カラーフィルタ）
本発明の液晶表示装置は、カラーフィルタを有していてもよい。カラーフィルタは、ブラックマトリックス及び少なくともＲＧＢ三色画素部から構成される。カラーフィルタ層の形成には、何れの方法を用いてもよい。一例によると、顔料担体とこれに分散させたカラー顔料とを含んだカラー着色組成物を塗布して所定パターンとし、これを硬化させることによって着色画素を得る工程を必要回数繰り返して、カラーフィルタ層を形成することができる。カラー着色組成物に含まれる顔料としては、有機顔料および／または無機顔料を使用することができる。カラー着色組成物は、１種の有機または無機顔料を含んでいてもよく、複数種の有機顔料および／または無機顔料を含んでいてもよい。顔料は、発色性が高く且つ耐熱性、特に耐熱分解性の高いことが好ましく、通常は有機顔料が用いられる。以下に、カラー着色組成物に使用可能な有機顔料の具体例を、カラーインデックス番号で示す。

赤色着色組成物の有機顔料としては、例えばＣ．Ｉ．ＰｉｇｍｅｎｔＲｅｄ７、１４、４１、４８：２、４８：３、４８：４、８１：１、８１：２、８１：３、８１：４、１４６、１６８、１７７、１７８、１７９、１８４、１８５、１８７、２００、２０２、２０８、２１０、２４６、２５４、２５５、２６４、２７０、２７２および２７９等の赤色顔料を用いることができる。赤色着色組成物の有機顔料として、赤色顔料と黄色顔料との混合物を使用してもよい。

この黄色顔料としては、例えばＣ．Ｉ．ＰｉｇｍｅｎｔＹｅｌｌｏｗ１、２、３、４、５、６、１０、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、２４、３１、３２、３４、３５、３５：１、３６、３６：１、３７、３７：１、４０、４２、４３、５３、５５、６０、６１、６２、６３、６５、７３、７４、７７、８１、８３、９３、９４、９５、９７、９８、１００、１０１、１０４、１０６、１０８、１０９、１１０、１１３、１１４、１１５、１１６、１１７、１１８、１１９、１２０、１２３、１２６、１２７、１２８、１２９、１３８、１４７、１５０、１５１、１５２、１５３、１５４、１５５、１５６、１６１、１６２、１６４、１６６、１６７、１６８、１６９、１７０、１７１、１７２、１７３、１７４、１７５、１７６、１７７、１７９、１８０、１８１、１８２、１８５、１８７、１８８、１９３、１９４、１９９、１９８、２１３および２１４等を使用することができる。

緑色着色組成物の有機顔料としては、例えばＣ．Ｉ．ＰｉｇｍｅｎｔＧｒｅｅｎ７、１０、３６および３７等の緑色顔料を用いることができる。緑色着色組成物の有機顔料として、緑色顔料と黄色顔料との混合物を使用してもよい。この黄色顔料としては、例えば、赤色着色組成物について例示したのと同様のものを使用することができる。

青色着色組成物の有機顔料としては、例えばＣ．Ｉ．ＰｉｇｍｅｎｔＢｌｕｅ１５、１５：１、１５：２、１５：３、１５：４、１５：６、１６、２２、６０および６４等の青色顔料を用いることができる。青色着色組成物の有機顔料として、青色顔料と紫色顔料との混合物を使用してもよい。この紫色顔料としては、例えば、Ｃ．Ｉ．ＰｉｇｍｅｎｔＶｉｏｌｅｔ１、１９、２３、２７、２９、３０、３２、３７、４０、４２または５０を使用することができる。

無機顔料としては、例えば、黄色鉛、亜鉛黄、べんがら（赤色酸化鉄（ＩＩＩ））、カドミウム赤、群青、紺青、酸化クロム緑、およびコバルト緑等の金属酸化物粉、金属硫化物粉、または金属粉等を使用することができる。無機顔料は、例えば、彩度と明度とをバランスさせつつ、良好な塗布性、感度および現像性などを達成するために、有機顔料と組み合わせて用いられ得る。

カラー着色組成物は、顔料以外の着色成分をさらに含んでいてもよい。例えば、着色組成物は、十分な耐熱性を達成できるのであれば、染料を含有していてもよい。この場合、染料を用いた調色が可能である。
上述したカラー着色組成物に含まれる顔料担体は、樹脂、その前駆体またはそれらの混合物により構成される。樹脂としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、および感光性樹脂が含まれ、その前駆体には、放射線照射により硬化して樹脂を生成する多官能モノマーもしくはオリゴマーが含まれる。これらは、単独でまたは２種以上混合して用いることができる。カラー着色組成物を紫外線などの光を照射することによって硬化する場合、カラー着色組成物には例えば光重合開始剤、さらに場合によっては増感剤等を添加してもよい。また、カラー着色組成物は、多官能チオールなどの連鎖移動剤をさらに含有していてもよい。カラー着色組成物は、例えば、１種以上の顔料を、必要に応じて上記光重合開始剤とともに、顔料担体および有機溶剤中に、三本ロールミル、二本ロールミル、サンドミル、ニーダおよびアトライタなどの分散装置を用いて微細に分散させることにより製造することができる。２種以上の顔料を含む着色組成物は、異なる顔料を含んだ分散体を調製し、それら分散体を混合することにより製造してもよい。

顔料を顔料担体および有機溶剤中に分散させる際には、樹脂型顔料分散剤、界面活性剤および顔料誘導体などの分散助剤を使用することができる。分散助剤は、顔料の分散性を向上させ、分散後の顔料の再凝集を抑制する。したがって、分散助剤を用いて顔料を顔料担体および有機溶剤中に分散させてなる着色組成物を用いた場合には、透明性に優れたカラーフィルタが得られる。
分散助剤は、着色組成物において、顔料１００重量部に対して、例えば０．１乃至４０
重量部が好ましく、０．１乃至３０重量部の量で使用することがより好ましい。

樹脂型顔料分散剤は、顔料に吸着する性質を有する顔料親和性部位と、顔料担体と相溶
性のある部位を含んでいる。樹脂型顔料分散剤は、顔料に吸着して顔料の顔料担体への分散性を安定化する。樹脂型顔料分散剤としては、例えば、ポリウレタン、ポリアクリレートなどのポリカルボン酸エステル、不飽和ポリアミド、ポリカルボン酸、ポリカルボン酸アミン塩、ポリカルボン酸部分アミン塩、ポリカルボン酸アンモニウム塩、ポリカルボン酸アルキルアミン塩、ポリシロキサン、長鎖ポリアミノアマイドリン酸塩および水酸基含有ポリカルボン酸エステル、これらの変性物、ポリ（低級アルキレンイミン）と遊離カルボキシル基を有するポリエステルとの反応により形成されたアミドおよびその塩などの油性分散剤；アクリル酸−スチレン共重合体、メタクリル酸−スチレン共重合体、アクリル酸−アクリル酸エステル共重合体、アクリル酸−メタクリル酸エステル共重合体、メタクリル酸−アクリル酸エステル共重合体、メタクリル酸−メタクリル酸エステル共重合体、スチレン−マレイン酸共重合体、ポリビニルアルコールおよびポリビニルピロリドンなどの水溶性樹脂若しくは水溶性高分子化合物；ポリエステル類、変性ポリアクリレート類、エチレンオキサイド／プロピレンオキサイド付加化合物、燐酸エステル類、またはそれらの２種以上を含んだ混合物を使用することができる。
また、カラーフィルタ層の表面にオーバーコートを塗布した平坦化層を設けてもよい。また、カラーフィルタ層が設けられる位置は特に限定されず、例えば、電極と位相差層との間、透明性基板と位相差層との間、透明性基板と配向膜との間など、所望の位置にカラーフィルタ層を設けるようにしてもよい。

（配向膜）
本発明の液晶表示装置は、第一の基板と第二の基板上の液晶組成物と接する面には液晶組成物を配向させるために配向膜を有していても良い。
配向膜材料としては、ポリイミド、ポリアミド、ＢＣＢ（ペンゾシクロブテンポリマー）、ポリビニルアルコールなどの透明性有機材料を用いることができ、特に、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフエニルメタンなどの脂肪族または脂環族ジアミン等のジアミン及びブタンテトラカルボン酸無水物や２，３，５−トリカルボキシシクロペンチル酢酸無水物等の脂肪族又は脂環式テトラカルボン酸無水物、ピロメリット酸二無水物等の芳香族テトラカルボン酸無水物から合成されるポリアミック酸をイミド化した、ポリイミド配向膜が好ましい。この場合の配向付与方法は、ラビングを用いることが一般的であるが、垂直配向膜等に使用する場合は配向を付与しないで使用することもできる。

配向膜材料としては、カルコン、シンナメート、シンナモイル又はアゾ基等を化合物中に含む、材料を使用することができ、ポリイミド、ポリアミド等の材料と組み合わせて使用してもよく、この場合配向膜はラビングを用いてもよく光配向技術を用いてもよい。
配向膜は、基板上に前記配向膜材料をスピンコート法などの方法により塗布して樹脂膜を形成することが一般的であるが、一軸延伸法、ラングミュア・ブロジェット法等を用いることもできる。
また、配向膜材料として、重合性液晶組成物をホモジニアス配向させた状態で、重合させた光学異方体（ポジティブＡプレート）を使用してもよい。この場合の液晶表示装置の一例を図３に示すが、この構成に限定されない。

（透明電極）
本発明の液晶表示装置において、透明電極の材料としては、導電性の金属酸化物を用いることができ、金属酸化物としては酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウムスズ（Ｉｎ_２Ｏ_３―ＳｎＯ_２）、酸化インジウム亜鉛（Ｉｎ_２Ｏ_３―ＺｎＯ）、ニオブ添加二酸化チタン（Ｔｉ_1-xＮｂ_xＯ_２）、フッ素ドープ酸化スズ、グラフェンナノリボン又は金属ナノワイヤー等が使用できるが、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウムスズ（Ｉｎ_２Ｏ_３―ＳｎＯ_２）又は酸化インジウム亜鉛（Ｉｎ_２Ｏ_３―ＺｎＯ）が好ましい。これらの透明導電膜のパターニングには、フォト・エッチング法やマスクを用いる方法などを使用することができる。
本液晶表示装置と、バックライトを組み合わせて、液晶テレビ、パソコンのモニター、携帯電話、スマートフォンのディスプレイや、ノート型パーソナルコンピューター、携帯情報端末、デジタルサイネージ等の様々な用途で使用される。バックライトとしては、冷陰極管タイプバックライト、無機材料を用いた発光ダイオードや有機ＥＬ素子を用いた、２波長ピークの擬似白色バックライトと３波長ピークのバックライト等がある。

（バックライト）
バックライトの構成については特に制限はない。導光板方式及び直下型方式のいずれを用いてもよい。導光板方式のバックライト部は、光源及び導光板を備え、直下型方式
のバックライト部は、光源及び拡散板を備える。使用される光源についても特に制限はな
く、電球、発光ダイオード（ＬＥＤ）、エレクトロルミネッセンスパネル（ＥＬＰ）、１
本又は複数の冷陰極管（ＣＣＦＬ）及び熱陰極蛍光灯（ＨＣＦＬ）等いずれも用いること
ができる。
また、バックライトには、光の利用効率を上げるために反射板、輝度向上膜等の部材を用いることができる。さらに、液晶表示装置の形成に際しては、上述の部材以外に例えば、拡散板、保護板、プリズムアレイ、レンズアレイシート、光拡散板等の部品を適宜１層又は２層以上配置することができる。

（偏光層）
本発明の液晶表示装置は、偏光層を有していてもよい。偏光層は、自然光を直線偏光に変換する機能を有する部材である。前記偏光層は、偏光機能を有するフィルムであればよく、例えば、ポリビニルアルコール系フィルムにヨウ素や二色性色素を吸着させて延伸したフィルム、ポリビニルアルコール系フィルムを延伸してヨウ素や二色性染料あるいは、二色性色素を吸着させたフィルム、二色性染料を含有する水溶液を基板上に塗布して偏光層を形成したフィルム、ワイヤーグリッド偏光子等が挙げられる。

ポリビニルアルコール系樹脂としては、ポリ酢酸ビニル系樹脂をケン化したものを用いることができ、ポリ酢酸ビニル系樹脂としては、酢酸ビニルの単独重合体であるポリ酢酸ビニルのほか、酢酸ビニルとこれに共重合可能な他の単量体との共重合体などが例示される。酢酸ビニルに共重合可能な他の単量体としては、例えば、不飽和カルボン酸類、オレフィン類、ビニルエーテル類、不飽和スルホン酸類、アンモニウム基を有するアクリルアミド類などが挙げられる。ポリビニルアルコール系樹脂を製膜する方法は、特に限定されるものではなく、公知の方法で製膜することができる。ポリビニルアルコール系原反フィルムの厚みは特に限定されないが、例えば１０〜１５０μｍ程度である。

二色性色素としてヨウ素を用いる場合は、通常、ヨウ素及びヨウ化カリウムを含有する水溶液に、ポリビニルアルコール系樹脂フィルムを浸漬して染色する方法が採用される。二色性色素として二色性染料を用いる場合は、通常、水溶性二色性染料を含む水溶液に、ポリビニルアルコール系樹脂フィルムを浸漬して染色する方法が採用される。

二色性染料を含有する水溶液を基板上に塗布して偏光層を形成したフィルムの場合、塗布する二色性色素の例としては、使用する基材の種類によって異なるが直接染料、酸性染料等の水溶性染料及びそれらのア旦ン塩及び分散染料、油溶性頗料等の水不溶性色素等があげられる。これら色素は、通常、水及び有機溶媒に溶解し、場合によっては、界面活性剤を添加してラビング、コロナ処理の行なわれた基材に塗布される。有機溶媒は、基材の耐溶剤性により異なるが、一般的には、メタノール、エタノール、イソプロビルアルコール等のアルコール類、メチルセロソルプ、エチルセロソルブ等のセロソルプ類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン頬、ジメチルホルムアくド、Ｎ−メチルビロリドン等のアミド類、ベンゼン、トルエン等の芳香族有機溶媒が挙げられる。色素の塗布量は色素の偏光性能により異なるが、一般的には０．０５〜１．０ｇ／ポ、好ましくは０．１〜０．８ｇ／ｒｒｆである。色ＰｆＪ液を基材に塗布する方法としては、バーコーダーコーティングスプレーコーティング、ロールコπティング、グラビアコーター等の種々コ一ティング方法が挙げられる。

ワイヤーグリッド偏光子を用いる場合は、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、及びＳｉなどの導電材料で形成されたものを使用することが好ましい。
また、偏光層にはさらに、必要に応じて、保護フィルムとなるフィルムを備えていてもよい。前記保護フィルムとしては、たとえばポリエチレン、ポリプロピレン、ノルボルネン系ポリマー等のポリオレフィンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリメタクリル酸エステルフィルム、ポリアクリル酸エステルフィルム、セルロースエステルフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリスルフォンフィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、ポリエーテルケトンフィルム、ポリフェニレンスルフィドフィルム及びポリフェニレンオキシドフィルム等が挙げられる。
本発明の一実施形態では、液晶セル内に偏光層を設置する、インセル偏光層が設けられてもよい。この場合の液晶表示装置の一例を図４〜図９に示すが、この構成に限定されない。

（粘着剤層）
前述した偏光層を有する光学部材には、液晶セルとの貼合のため粘着剤層を設けていてもよい。液晶セル以外の他部材と貼合するためにも粘着剤層を設けることもできる。粘着剤層を形成する粘着剤は特に制限されないが、例えばアクリル系重合体、シリコーン系ポリマー、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリエーテル、フッ素系やゴム系などのポリマーをベースポリマーとするものを適宜に選択して用いることができる。特に、アクリル系粘着剤の如く光学的透明性に優れ、適度な濡れ性と凝集性と接着性の粘着特性を示して、耐候性や耐熱性などに優れるものが好ましく用いうる。また上記に加えて、吸湿による発泡現象や剥がれ現象の防止、熱膨張差等による光学特性の低下や液晶セルの反り防止、ひいては高品質で耐久性に優れる液晶表示装置の形成性などの点より、吸湿率が低くて耐熱性に優れる粘着層が好ましい。また、偏光板の固定と貼合の作業性（リワーク性）の観点から、粘着剤層の粘着力は１Ｎ／２５ｍｍ以上が好ましく、５Ｎ／２５ｍｍ以上がより好ましい。なお、上限は特に制限されない。粘着剤層は、例えば天然物や合成物の樹脂類、特に、粘着性付与樹脂や、ガラス繊維、ガラスビーズ、金属粉、その他の無機粉末等からなる充填剤や顔料、着色剤、酸化防止剤などの粘着剤層に添加されることの添加剤を含有していてもよい。また微粒子を含有して光拡散性を示す粘着剤層などであってもよい。粘着剤層は、異なる組成又は種類等のものの重畳層として偏光板や光学部材の片面又は両面に設けることもできる。また両面に設ける場合に、偏光板や光学部材の表裏において異なる組成や種類や厚さ等の粘着剤層とすることもできる。粘着剤層の厚さは、使用目的や接着力などに応じて適宜に決定でき、一般には１〜５００μｍであり、５〜２００μｍが好ましく、特に１０〜１００μｍが好ましい。

（液晶表示装置）
液晶表示装置は、ガラスなどの光透過性基板の間に液晶物質を封入した表示素子である。液晶表示装置は、図示しない表示制御装置からの電気的制御により液晶物質の分子配向を変化させることで、液晶セルの背面側に配置した偏光板により偏光されたバックライトの光の偏光状態を変化させ、液晶セルの視認側に配置した偏光板を透過する光量を制御することによって画像を表示させる。本実施形態の液晶表示装置は、負の誘電率異方性を有する棒状の液晶分子を配向させている。本発明の液晶セルは、一対の光透過性基板で挟まれた内側に位相差層を備えた、「インセル型位相差層」を有する点を特徴としている。

液晶セルの内側に配置される、位相差層には、重合性液晶組成物を配向させた状態で、重合させた光学異方体を使用している。また、図１に示す液晶表示装置は、配置例の１つに過ぎず、位相差層が設けられる位置としてはこれに限定されない。例えば、電極と背面側の配向膜との間など、所望の位置に位相差層を設けるようにしてもよい（図１０）。
尚、本願において、一般式中に存在する環構造、連結基、置換基等は各一般式においてそれぞれ独立しているものとする。

以下、実施例を挙げて本発明の最良の形態の一部を詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物における「%」は『質量%』を意味する。
実施例中、測定した特性は以下の通りである。

Ｔ_ｎｉ：ネマチック相−等方性液体相転移温度（℃）
Δｎ：２５℃における屈折率異方性
Δε ：２５℃における誘電率異方性
η ：２０℃における粘度（ｍＰａ・ｓ）
γ_１：２５℃における回転粘度（ｍＰａ・ｓ)
ｄ_ｇａｐ：セルの第一基板と第二基板のギャップ（μｍ）
ＶＨＲ：７０℃における電圧保持率（％）
（セル厚３．５μｍのセルに液晶組成物を注入し、５Ｖ印加、フレームタイム２００ｍｓ、パルス幅６４μｓの条件で測定した時の測定電圧と初期印加電圧との比を％で表した値）
ＩＤ：７０℃におけるイオン密度（ｐＣ／ｃｍ^２）
（セル厚３．５μｍのセルに液晶組成物を注入し、ＭＴＲ−１（株式会社東陽テクニカ製）で２０Ｖ印加、周波数０．０５Ｈｚの条件で測定した時のイオン密度値）
焼き付き：
液晶表示素子の焼き付き評価は、表示エリア内に所定の固定パターンを１０００時間表示させた後に、全画面均一な表示を行ったときの固定パターンの残像のレベルを目視にて以下の４段階評価で行った。

◎残像無し
○残像ごく僅かに有るも許容できるレベル
△残像有り許容できないレベル
×残像有りかなり劣悪
尚、実施例において化合物の記載について以下の略号を用いる。
（環構造）

（側鎖構造及び連結構造）

［重合性液晶組成物の調整］
位相差層に用いる本発明の重合性液晶組成物を以下のように調整した。
（重合性液晶組成物１の調整）
化合物（Ａ１）を３４部、化合物（Ａ２）を１０部、化合物（Ｂ１）を２８部、化合物（Ｂ２）を２８部、化合物（Ｅ１）を０．１部、化合物（Ｈ１）を０．２部、有機溶媒であるプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）（Ｄ１）を３００部、化合物（Ｆ１）３部を、攪拌プロペラを有する攪拌装置を用いて、攪拌速度が５００ｒｐｍ、溶液温度が６０℃の条件下で１時間攪拌した。０．２μｍ（ＰＴＦＥ、膜厚：６０μｍ）のメンブランフィルターを用い濾過圧力を０．２０ＭＰａになるよう調節して濾過し、本発明の重合性液晶組成物１を得た。

（重合性液晶組成物２〜８及び比較重合性液晶組成物１〜６の調製）
重合性液晶組成物１の調製と同様に、表１〜表４に示す化合物を調製し、本発明の重合性液晶組成物２〜８、及び比較重合性液晶組成物１〜６を得た。

トリメチロールプロパントリアクリレート（Ｃ１）
フェノキシエチルアクリレート（Ｃ２）
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（Ｄ１）
ｐ−メトキシフェノール（Ｅ１）
イルガキュア９０７（Ｆ１）
ＤＴＺ−１０２（Ｇ１）
ポリプロピレン（重量平均分子量（ＭＷ）：１２７５）（Ｈ１）
Ｆ-５５６（Ｈ２）

（位相差層用光配向剤組成物１の調整）
特開２０１３−３３２４８の実施例１および実施例２に記載の方法と同様にして下記式（Ｊ）で表される化合物（単量体）を合成した。

２．０ｇの単量体（Ｊ）、１６．８ｍｇのアゾビスイソブチロニトリルおよび２０．２ｍＬのテトラヒドロフランをフラスコ内に混合し、窒素雰囲気下、６０℃で８時間撹拌した後に使用した単量体量の５倍量（単量体１ｇに対し５ｍＬ）のヘキサンを加えて反応混合物を析出させ、デカンテーションにより上澄み液を除去した。反応混合物を、使用した単量体量の３倍量（単量体１ｇに対し３ｍＬ）のテトラヒドロフランに再溶解し、使用した単量体量の５倍量（単量体１ｇに対し５ｍＬ）のヘキサンを加えて反応混合物を析出させ、デカンテーションにより上澄み液を除去した。テトラヒドロフランへの再溶解、ヘキサンでの析出、デカンテーション、の順に行う操作を更に３回行った後、得られた反応混合物を遮光下２０℃、減圧乾燥して１．７１ｇの下記式（Ｋ）で表されるポリマーを得た。

式（Ｋ）のポリマーの重量平均分子量Ｍｗは５０，３５２であった。光配向剤（Ｋ）２質量部と、ＰＧＭＥ９８質量部との混合物を室温で１０分間攪拌した。前記ポリマーが前記各溶媒に均一に溶解した各ポリマー溶液を、１μｍのメンブランフィルターを用いて濾過し、位相差層用光配向剤組成物１を得た。

（延伸フィルムによる位相差層）
ゼオネックスフィルム（日本ゼオン社製）のＣＯＰフィルムを使用した。

（実施例１〜４）
第一の光透過性基板（３）に対して、カラーフィルタ層（４）を取り付けた後、位相差膜用配向膜（６）を形成した。位相差膜用配向膜（６）に、重合性液晶組成物５をスピンコーターで塗布し、８０℃ ２分乾燥、室温冷却後、高圧水銀ランプで５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線光を照射し、ポジティブＣプレートの第１の位相差層（７）を作成した。この第１の位相差層（７）に、位相差膜用配向膜（８）を形成した。位相差膜用配向膜（８）に弱ラビング処理を行った後、重合性液晶組成物１をスピンコーターで塗布、８０℃ ２分乾燥、室温冷却後、高圧水銀ランプで５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線光を照射し、ポジティブＡプレートの第２の位相差層（９）を作成した。第二の光透過性基板（１５）に対して、透明電極層（１３）、及び、画素電極層（１４）を取り付けた後、配向膜（１２）を形成し、弱ラビング処理を行った。第２の位相差層（９）、配向膜層（１２）の間の液晶層（１１）に以下の液晶組成物を注入し、実施例１のＩＰＳモードの液晶表示装置を作製した。実施例１の液晶表示装置を図１１に示す。

また、以下に示す重合性液晶組成物を用いた以外は実施例１と同様にして実施例２〜４の液晶表示装置を作製した。
得られた液晶表示装置のＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、得られた液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を以下の表に示す。

液晶組成物１は、ＴＶ用液晶組成物として実用的な７５．５℃の液晶層温度範囲を有し、大きい誘電率異方性の絶対値を有し、低い粘性及び最適なΔｎを有していることが解る。
実施例１〜４の液晶表示装置は、高いＶＨＲ及び小さいＩＤを実現できた。また、焼き付き評価においても残像の発生は認められなかった。

（実施例５〜１２）
以下に示す液晶組成物及び重合性液晶組成物を用いた以外は実施例１と同様にして実施例５〜１２のＩＰＳモードの液晶表示装置を作製し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を以下の表に示す。

実施例５〜１２の液晶表示装置は、高いＶＨＲ及び小さいＩＤを実現できた。また、焼き付き評価においても残像がないか、又はあってもごく僅かであり許容できるレベルであった。

（実施例１３〜２４）
以下に示す液晶組成物及び重合性液晶組成物を用いた以外は実施例１と同様にして実施例１３〜２４のＩＰＳモードの液晶表示装置を作製し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を以下の表に示す。

実施例１３〜２４の液晶表示装置は、高いＶＨＲ及び小さいＩＤを実現できた。また、焼き付き評価においても残像がないか、又はあってもごく僅かであり許容できるレベルであった。

（実施例２５〜２８）
第一の光透過性基板（３）に対して、カラーフィルタ層（４）を取り付けた後、位相差膜用配向膜（６）を形成した。位相差膜用配向膜に、重合性液晶組成物５をスピンコーターで塗布し、８０℃ ２分乾燥、室温冷却後、高圧水銀ランプで５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線光を照射し、ポジティブＣプレートの第１の位相差層（７）を作成した。この位相差層上の位相差膜用配向膜（８）を形成し、弱ラビング処理を行った。この位相差膜用配向膜上に重合性液晶組成物１をスピンコーターで塗布、８０℃ ２分乾燥、室温冷却後、高圧水銀ランプで５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線光を照射し、ポジティブＡプレートの第２の位相差層（９）を作成した。第２の位相差層（９）に、配向膜（１０）を形成後、弱ラビング処理を行った。第二の光透過性基板（１５）に対して、透明電極層（１３）、画素電極層（１４）を取り付けた後、配向膜（１２）を形成後、弱ラビング処理を行った。配向膜層（１０）、（１２）の間の液晶層（１１）に実施例１で用いた液晶組成物１を注入し、実施例２５のＩＰＳモードの液晶表示装置を作製した。実施例２５の液晶表示装置を図１２に示す

また、以下に示す重合性液晶組成物を用いた以外は実施例２５と同様にして実施例２６〜２８の液晶表示装置を作製した。
得られた液晶表示装置のＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、得られた液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を以下の表に示す。

実施例２５〜２８の液晶表示装置は、高いＶＨＲ及び小さいＩＤを実現できた。また、焼き付き評価においても残像がなかった。

（実施例２９〜４０）
第一の光透過性基板（３）に対して、カラーフィルタ層（４）を取り付けた後、位相差膜用配向膜（６）を形成した。位相差膜用配向膜に、重合性液晶組成物５をスピンコーターで塗布し、８０℃ ２分乾燥、室温冷却後、高圧水銀ランプで５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線光を照射し、ポジティブＣプレートの第１の位相差層（７）を作成した。この位相差層上の位相差膜用配向膜（８）を形成し、弱ラビング処理を行った。この位相差膜用配向膜上に重合性液晶組成物４をスピンコーターで塗布、８０℃ ２分乾燥、室温冷却後、高圧水銀ランプで５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線光を照射し、ポジティブＡプレートの第２の位相差層（９）を作成した。第２の位相差層（９）に透明電極層（１３）を取り付けた後、配向膜（１０）を形成し、弱ラビング処理を行った。第二の光透過性基板（１５）に対して、画素電極層（１４）を取り付けた後、配向膜（１２）を形成し、弱ラビング処理を行った。配向膜層（１０）、（１２）の間の液晶層（１１）に以下の液晶組成物７を注入し、実施例２９のＴＮモードの液晶表示装置を作製した。実施例２９の液晶表示装置を図１３に示す。

また、以下に示す液晶組成物及び重合性液晶組成物を用いた以外は実施例２９と同様にして実施例３０〜４０の液晶表示装置を作製した。
得られた液晶表示装置のＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、得られた液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を以下の表に示す。

実施例２９〜４０の液晶表示装置は、高いＶＨＲ及び小さいＩＤを実現できた。また、焼き付き評価においても残像がないか、又はあってもごく僅かであり許容できるレベルであった。

（実施例４１〜４４）
第一の光透過性基板（３）に対して、カラーフィルタ層（４）を取り付けた後、位相差膜用配向膜（６）を形成、弱ラビング処理を行った。位相差膜用配向膜（６）に、重合性液晶組成物１をスピンコーターで塗布し、８０℃ ２分乾燥、室温冷却後、高圧水銀ランプで５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線光を照射し、ポジティブＡプレートの第１の位相差層（７）を作成した。この位相差層上の位相差膜用配向膜（８）を形成した。この位相差膜用配向膜上に重合性液晶組成物５をスピンコーターで塗布、８０℃ ２分乾燥、室温冷却後、高圧水銀ランプで５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線光を照射し、ポジティブＣプレートの第２の位相差層（９）を作成した。第２の位相差層（９）に、配向膜（１０）を形成した。第二の光透過性基板（１５）に対して、透明電極層（１３）、画素電極層（１４）を取り付けた後、配向膜（１２）を形成後、弱ラビング処理を行った。配向膜層（１０）、（１２）の間の液晶層（１１）に実施例２９で用いた液晶組成物７を注入し、実施例４１のＩＰＳモードの液晶表示装置を作製した。

また、以下に示す重合性液晶組成物を用いた以外は実施例４１と同様にして実施例４２〜４４の液晶表示装置を作製した。
得られた液晶表示装置のＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、得られた液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を以下の表に示す。

実施例４１〜４４の液晶表示装置は、高いＶＨＲ及び小さいＩＤを実現できた。また、焼き付き評価においても残像がないか、又はあってもごく僅かであり許容できるレベルであった。

（実施例４５〜５２）
第一の光透過性基板（３）に対して、カラーフィルタ層（４）を取り付けた後、位相差膜用配向膜（６）を形成、弱ラビング処理を行った。位相差膜用配向膜（６）に、重合性液晶組成物１をスピンコーターで塗布し、８０℃ ２分乾燥、室温冷却後、高圧水銀ランプで５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線光を照射し、ポジティブＡプレートの第１の位相差層（７）を形成した。この第１の位相差層（７）に配向膜（１０）を形成した。第二の光透過性基板（１５）に対して、透明電極層（１３）を取り付けた後、絶縁膜層（２０）を形成した。絶縁膜層（２０）に画素電極層（１４）を取り付けた後、位相差膜用配向膜（８）を形成した。位相差膜用配向膜（８）上に重合性液晶組成物５をスピンコーターで塗布、８０℃ ２分乾燥、室温冷却後、高圧水銀ランプで５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線光を照射し、ポジティブＣプレートの第２の位相差層（９）を作成した。第２の位相差層（９）上に、配向膜（１２）を形成し、弱ラビング処理を行った。配向膜層（１０）、（１２）の間の液晶層（１１）に以下の液晶組成物を注入し、実施例４５のＦＦＳモードの液晶表示装置を作製した。実施例４５の液晶表示装置を図１４に示す。

また、以下に示す重合性液晶組成物を用いた以外は実施例４５と同様にして実施例４６〜５２の液晶表示装置を作製した。
得られた液晶表示装置のＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、得られた液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を以下の表に示す。

実施例４５〜５２の液晶表示装置は、高いＶＨＲ及び小さいＩＤを実現できた。また、焼き付き評価においても残像がなかった。

（実施例５３〜６４）
以下に示す液晶組成物及び重合性液晶組成物を用いた以外は実施例４５と同様にして実施例５３〜６４のＦＦＳモードの液晶表示装置を作製し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を以下の表に示す。

実施例５３〜６４の液晶表示装置は、高いＶＨＲ及び小さいＩＤを実現できた。また、焼き付き評価においても残像がないか、又はあってもごく僅かであり許容できるレベルであった。

（実施例６５〜７２）
第一の光透過性基板（３）に対して、カラーフィルタ層（４）を取り付けた後、平坦化層（５）を形成、平坦化層（５）上に重合性液晶組成物５をスピンコーターで塗布し、８０℃ ２分乾燥、室温冷却後、高圧水銀ランプで５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線光を照射し、ポジティブＣプレートの第１の位相差層（７）を形成した。この第１の位相差層（７）に位相差膜用配向膜（８）を形成した。位相差膜用配向膜（８）に弱ラビング処理を行った後、重合性液晶組成物１をスピンコーターで塗布、８０℃ ２分乾燥、室温冷却後、高圧水銀ランプで５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線光を照射し、ポジティブＡプレートの第２の位相差層（９）を作成した。第二の光透過性基板（１５）に対して、透明電極層（１３）を取り付けた後、絶縁膜層（２０）を形成した。絶縁膜（２０）に画素電極層（１４）を取り付けた後、配向膜（１２）を形成し、弱ラビング処理を行った。第２の位相差層（９）、配向膜層（１２）の間の液晶層（１１）に以下の液晶組成物を注入し、実施例６５のＦＦＳモードの液晶表示装置を作製した。実施例１の液晶表示装置を図１５に示す。

また、以下に示す重合性液晶組成物を用いた以外は実施例６５と同様にして実施例６６〜７２の液晶表示装置を作製した。
得られた液晶表示装置のＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、得られた液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を以下の表に示す。

実施例６５〜７２の液晶表示装置は、高いＶＨＲ及び小さいＩＤを実現できた。また、焼き付き評価においても残像がなかった。

（実施例７３〜７６）
第一の光透過性基板（３）に対して、カラーフィルタ層（４）を取り付けた後、位相差膜用配向膜（６）を形成した。位相差膜用配向膜（６）に、重合性液晶組成物５をスピンコーターで塗布し、８０℃ ２分乾燥、室温冷却後、高圧水銀ランプで５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線光を照射し、ポジティブＣプレートの第１の位相差層（７）を作成した。第１の位相差層（７）に、配向膜（１０）を形成後、弱ラビング処理を行った。第二の光透過性基板（１５）の一方の面に対して、粘着剤層（１６）、延伸フィルム層（１９）を形成した。第二の光透過性基板（１５）のもう一方の面に対して、透明電極層（１３）、画素電極層（１４）を取り付けた後、配向膜（１２）を形成し、弱ラビング処理を行った。配向膜層（１０）、（１２）の間の液晶層（１１）に実施例５３で用いた液晶組成物１２を注入し、実施例７３のＩＰＳモードの液晶表示装置を作製した。実施例７３の液晶表示装置を図１６に示す。

また、以下に示す重合性液晶組成物を用いた以外は実施例７３と同様にして実施例７４〜７６の液晶表示装置を作製した。
得られた液晶表示装置のＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、得られた液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を以下の表に示す。

実施例７３〜７６の液晶表示装置は、高いＶＨＲ及び小さいＩＤを実現できた。また、焼き付き評価においても残像がなかった。

（実施例７７〜８０）
以下に示す液晶組成物及び重合性液晶組成物を用いた以外は実施例４５と同様にして実施例７７〜８０のＦＦＳモードの液晶表示装置を作製し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を以下の表に示す。

実施例７７〜８４の液晶表示装置は、高いＶＨＲ及び小さいＩＤを実現できた。また、焼き付き評価においても残像がないか、又はあってもごく僅かであり許容できるレベルであった。

（実施例８５〜９２）
以下に示す液晶組成物及び重合性液晶組成物を用いた以外は実施例４５と同様にして実施例８５〜９２のＦＦＳモードの液晶表示装置を作製し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を以下の表に示す。

実施例８５〜９２の液晶表示装置は、高いＶＨＲ及び小さいＩＤを実現できた。また、焼き付き評価においても残像がないか、又はあってもごく僅かであり許容できるレベルであった。

（実施例９３〜９６）
以下の表に示す液晶組成物及び重合性液晶組成物を用い、位相差層用の配向膜（８）に光配向材料を用いた光配向膜を使用した以外は、実施例６５と同様にして実施例９３〜９６の液晶表示装置を作製し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を以下の表に示す。
尚、光配向膜は以下の方法で作成した。光透過性基板上にスピンコーターを用いて位相差層用光配向剤組成物を塗布した後、温度８０℃で１２０秒間ホットプレート上においてプリベークを行い、膜厚０．１μｍの塗膜を形成した。この膜をオーブン中、温度２００℃で１時間ポストベークを行い、硬化膜を形成した。位相差層用光配向剤組成物１、２の場合には、硬化膜に３１３ｎｍの直線偏光を３００Ｊ／ｍ^２照射した。

実施例８５〜８８の液晶表示装置は、高いＶＨＲ及び小さいＩＤを実現できた。また、焼き付き評価においても残像がないか、又はあってもごく僅かであり許容できるレベルであった。

（実施例９７）
偏光層（１）、粘着剤層（２）、第一の光透過性基板（３）から成る偏光層（１）に対して、カラーフィルタ層（４）を取り付けた後、平坦化層（５）を形成、平坦化層（５）上に重合性液晶組成物５をスピンコーターで塗布し、８０℃ ２分乾燥、室温冷却後、高圧水銀ランプで５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線光を照射し、ポジティブＣプレートの第１の位相差層（７）を形成した。この第１の位相差層（７）に位相差膜用配向膜（８）を形成した。位相差膜用配向膜（８）に弱ラビング処理を行った後、重合性液晶組成物１をスピンコーターで塗布、８０℃ ２分乾燥、室温冷却後、高圧水銀ランプで５００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線光を照射し、ポジティブＡプレートの第２の位相差層（９）を作成した。偏光層（１７）、粘着剤層（１６）、第二の光透過性基板（１５）から成る、偏光層（１７）に対して、透明電極層（１３）を取り付けた後、絶縁膜層（２０）を形成した。絶縁膜（２０）に画素電極層（１４）を取り付けた後、配向膜（１２）を形成し、弱ラビング処理を行った。第２の位相差層（９）、配向膜層（１２）の間の液晶層（１１）に以下の液晶組成物を注入し、実施例９７のＦＦＳモードの液晶表示装置を作製した。実施例９７の液晶表示装置を図１７に示す。
得られた液晶表示装置のＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、得られた液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を以下の表に示す。

実施例９７の液晶表示装置は、高いＶＨＲ及び小さいＩＤを実現できた。また、焼き付き評価においても残像がなかった。

（比較例１〜３）
以下に示す比較液晶組成物及び重合性液晶組成物を用いた以外は実施例１と同様にして比較例１〜３のＩＰＳモードの液晶表示装置を作製し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を以下の表に示す。

比較例１〜３の液晶表示装置は、本願発明の液晶表示装置と比較して、ＶＨＲは低く、ＩＤも大きくなってしまった。また、焼き付き評価においても残像の発生が認められ許容できるレベルではなかった。

（比較例４〜９）
以下に示す比較液晶組成物及び重合性液晶組成物を用いた以外は実施例１と同様にして比較例４〜９のＩＰＳモードの液晶表示装置を作製し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を以下の表に示す。

比較例４〜９の液晶表示装置は、本願発明の液晶表示装置と比較して、ＶＨＲは低く、ＩＤも大きくなってしまった。また、焼き付き評価においても残像の発生が認められ許容できるレベルではなかった。

（比較例１０〜１３）
以下の表に示す比較液晶組成物及び重合性液晶組成物を用いた以外は実施例２５と同様にして比較例１０〜１３のＩＰＳモードの液晶表示装置を作製し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を以下の表に示す。

比較例１０〜１３の液晶表示装置は、本願発明の液晶表示装置と比較して、ＶＨＲは低く、ＩＤも大きくなってしまった。また、焼き付き評価においても残像の発生が認められ許容できるレベルではなかった。

（比較例１４〜１７）
以下の表に示す比較液晶組成物及び重合性液晶組成物を用いた以外は実施例４１と同様にして比較例１４〜１７のＩＰＳモードの液晶表示装置を作製し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を以下の表に示す。

比較例１４〜１７の液晶表示装置は、本願発明の液晶表示装置と比較して、ＶＨＲは低く、ＩＤも大きくなってしまった。また、焼き付き評価においても残像の発生が認められ許容できるレベルではなかった。

（比較例１８〜２１）
以下の表に示す比較液晶組成物及び重合性液晶組成物を用いた以外は実施例４５と同様にして比較例１８〜２１のＦＦＳモードの液晶表示装置を作製し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を以下の表に示す。

比較例１８〜２１の液晶表示装置は、本願発明の液晶表示装置と比較して、ＶＨＲは低く、ＩＤも大きくなってしまった。また、焼き付き評価においても残像の発生が認められ許容できるレベルではなかった。

（比較例２２〜２３）
以下の表に示す比較液晶組成物及び重合性液晶組成物を用いた以外は実施例６５と同様にして比較例２２〜２３のＩＰＳモードの液晶表示装置を作製し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を以下の表に示す。

比較例２２〜２３の液晶表示装置は、本願発明の液晶表示装置と比較して、ＶＨＲは低く、ＩＤも大きくなってしまった。また、焼き付き評価においても残像の発生が認められ許容できるレベルではなかった。

（比較例２４〜３２）
以下の表に示す液晶組成物及び比較重合性液晶組成物を用いた以外は実施例１と同様にして比較例２４〜３２のＩＰＳモードの液晶表示装置を作製し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を以下の表に示す。

比較例２４〜３２の液晶表示装置は、本願発明の液晶表示装置と比較して、ＶＨＲは低く、ＩＤも大きくなってしまった。また、焼き付き評価においても残像の発生が認められ許容できるレベルではなかった。

（比較例３３）
以下の表に示す液晶組成物及び比較重合性液晶組成物を用いた以外は実施例２９と同様にして比較例３３のＴＮモードの液晶表示装置を作製し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を以下の表に示す。

比較例３３の液晶表示装置は、本願発明の液晶表示装置と比較して、ＶＨＲは低く、ＩＤも大きくなってしまった。また、焼き付き評価においても残像の発生が認められ許容できるレベルではなかった。

（比較例３４）
以下の表に示す液晶組成物及び比較重合性液晶組成物を用いた以外は実施例４１と同様にして比較例３４のＩＰＳモードの液晶表示装置を作製し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を以下の表に示す。

比較例３４の液晶表示装置は、本願発明の液晶表示装置と比較して、ＶＨＲは低く、ＩＤも大きくなってしまった。また、焼き付き評価においても残像の発生が認められ許容できるレベルではなかった。

（比較例３５）
以下の表に示す液晶組成物及び比較重合性液晶組成物を用いた以外は実施例４５と同様にして比較例３５のＦＦＳモードの液晶表示装置を作製し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を以下の表に示す。

比較例３５の液晶表示装置は、本願発明の液晶表示装置と比較して、ＶＨＲは低く、ＩＤも大きくなってしまった。また、焼き付き評価においても残像の発生が認められ許容できるレベルではなかった。

（比較例３６）
以下の表に示す液晶組成物及び比較重合性液晶組成物を用いた以外は実施例６５と同様にして比較例３６のＦＦＳモードの液晶表示装置を作製し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を以下の表に示す。

（比較例３７）
以下の表に示す液晶組成物及び比較重合性液晶組成物を用いた以外は実施例７３と同様にして比較例３６のＩＰＳモードの液晶表示装置を作製し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を以下の表に示す。

比較例３６の液晶表示装置は、本願発明の液晶表示装置と比較して、ＶＨＲは低く、ＩＤも大きくなってしまった。また、焼き付き評価においても残像の発生が認められ許容できるレベルではなかった。

（比較例３８）
以下の表に示す液晶組成物及び比較重合性液晶組成物を用いた以外は実施例９７と同様にして比較例３８のＦＦＳモードの液晶表示装置を作製し、そのＶＨＲ及びＩＤを測定した。また、その液晶表示装置の焼き付き評価を行った。その結果を以下の表に示す。

比較例３８の液晶表示装置は、本願発明の液晶表示装置と比較して、ＶＨＲは低く、ＩＤも大きくなってしまった。また、焼き付き評価においても残像の発生が認められ許容できるレベルではなかった。

Claims

第一の基板と、第二の基板と、前記第一の基板と第二の基板間に挟持された液晶層、及び前記一対の基板間に位相差層を有し、少なくとも一対の電極を備えた液晶表示装置であって、前記液晶層が一般式（Ｉ）

（式中、Ｒ^３１は炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数２〜１０のアルケニル基又は炭素原子数２〜１０のアルケニルオキシ基を表し、Ｍ^３１〜Ｍ^３３はお互い独立してトランス−１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基を表し、該トランス−１，４−シクロへキシレン基中の１つ又は２つの−ＣＨ_２−は酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−で置換されていてもよく、該フェニレン基中の１つ又は２つの水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、Ｘ^３１及びＸ^３２はお互い独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｚ^３１はフッ素原子、トリフルオロメトキシ基又はトリフルオロメチル基を表し、Ｋ^３１は−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−又は−ＯＣＦ_２−を表し、ｎ^３１は及びｎ^３２はお互い独立して０、１又は２を表し、ｎ^３１＋ｎ^３２は０、１又は２を表し、Ｍ^３１及びＭ^３３が複数存在する場合には同一であっても異なっていても良い。）で表される化合物を一種又は二種以上含有し、
一般式（ＩＩ−ａ）から一般式（ＩＩ−ｆ）

（式中、Ｒ^１９〜Ｒ^３０はお互い独立して炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基又は炭素原子数２〜１０のアルケニル基を表し、Ｘ^２１は水素原子又はフッ素原子を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる化合物を一種又は二種以上含有する液晶組成物を含有し、
前記位相差層が、２つ以上の重合性官能基を有する液晶化合物を２５重量％以上含有する重合性液晶組成物を重合させることにより得られる光学異方体である液晶表示装置。
前記２つ以上の重合性官能基を有する液晶化合物として、一般式（１）で表される化合物を含有する請求項１記載の液晶表示装置。

（式中、Ｐ^１は重合性官能基を表し、Ｓｐ^１は炭素原子数０〜１８のアルキレン基を表し（該アルキレン基は１つ以上のハロゲン原子、ＣＮ又は重合性官能基を有する炭素原子数１〜８のアルキル基により置換されていても良く、この基中に存在する１つのＣＨ₂基又は隣接していない２つ以上のＣＨ₂基はそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接結合しない形で、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ_３）−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＳＣＯ−、−ＣＯＳ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられていても良い。）、ｍ１は０又は１を表し、ＭＧはメソゲン基又はメソゲン性支持基を表し、Ｒ¹は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は炭素原子数１〜１８のアルキル基を表すが、該アルキル基は１つ以上のハロゲン原子又はＣＮにより置換されていても良く、この基中に存在する１つのＣＨ₂基又は隣接していない２つ以上のＣＨ₂基はそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接結合しない形で、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ_３）−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＳＣＯ−、−ＣＯＳ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられていても良く、あるいはＲ¹は一般式（１−ａ）

（式中、Ｐ^１ａは重合性官能基を表し、Ｓｐ^１ａはＳｐ^１と同じ意味を表し、ｍａは０又は１を表す。）で表される構造を表す。）を表し、
ＭＧで表されるメソゲン基又はメソゲン性支持基は、一般式（１−ｂ）

（式中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、及びＡ５はそれぞれ独立して、１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、１，４−シクロヘキセニル基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、テトラヒドロチオピラン−２，５−ジイル基、１，４−ビシクロ（２，２，２）オクチレン基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピラジン−２，５−ジイル基、チオフェン−２，５−ジイル基−、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、２，６−ナフチレン基、フェナントレン−２，７−ジイル基、９，１０−ジヒドロフェナントレン−２，７−ジイル基、１，２，３，４，４ａ，９，１０ａ−オクタヒドロフェナントレン−２，７−ジイル基、１，４−ナフチレン基、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ‘］ジチオフェン−２，６−ジイル基、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ‘］ジセレノフェン−２，６−ジイル基、［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，７−ジイル基、［１］ベンゾセレノフェノ［３，２−ｂ］セレノフェン−２，７−ジイル基、又はフルオレン−２，７−ジイル基を表し、置換基として１個以上のＦ、Ｃｌ、ＣＦ₃、ＯＣＦ₃、ＣＮ基、炭素原子数１〜８のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルカノイルオキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、アルケニルオキシ基、アルケノイル基、アルケノイルオキシ基、又は、一般式（１−ｃ）で表される１個以上の置換基

（式中、Ｐ^ｃは重合性官能基を表し、Ａは、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＯ−、−ＣＯＯＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＯＣＯＣＨ₂ＣＨ₂−、又は単結合を表し、Ｓｐ^１ｃはＳｐ^１と同じ意味を表し、ｎ１は０又は１を表し、ｍｃは０又は１を表す。）を有していても良く、Ｚ０、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４、及びＺ５はそれぞれ独立して、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ₂ ＣＨ₂−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＯＯ−、−ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＯ−、−ＣＯＯＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＯＣＯＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、炭素数２〜１０のハロゲン原子を有してもよいアルキル基又は単結合を表し、ｎ、ｌ及びｋはそれぞれ独立して、０又は１を表し、０≦ｎ＋ｌ＋ｋ≦３を表す。）で表される。但し、式中、重合性官能基は２つ以上存在する。）
前記位相差層が、２つの重合性官能基を有する液晶化合物を含有する重合性液晶組成物を重合させることにより得られる光学異方体である請求項１又は２記載の液晶表示装置。
前記２つの重合性官能基を有する液晶化合物として、以下の一般式（２）で表される化合物を含有する請求項３記載の液晶表示装置。

（式中、Ｐ^２ａ及びＰ^２ｂは重合性官能基を表し、Ｓｐ^２ａ及びＳｐ^２ｂはそれぞれ独立して炭素原子数０〜１８のアルキレン基を表し（該アルキレン基は１つ以上のハロゲン原子又はＣＮにより置換されていても良く、この基中に存在する１つのＣＨ₂基又は隣接していない２つ以上のＣＨ₂基はそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接結合しない形で、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ_３）−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＳＣＯ−、−ＣＯＳ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられていても良い。）、ｍ２、ｎ２はそれぞれ独立して０又は１を表し、
ｎ、ｌ及びｋはそれぞれ独立して０又は１を表し、０≦ｎ＋ｌ＋ｋ≦３を表し、
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、及びＡ５は、それぞれ独立して、１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキシレン基、１，４−シクロヘキセニル基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基、テトラヒドロチオピラン−２，５−ジイル基、１，４−ビシクロ（２，２，２）オクチレン基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基、ピラジン−２，５−ジイル基、チオフェン−２，５−ジイル基−、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、２，６−ナフチレン基、フェナントレン−２，７−ジイル基、９，１０−ジヒドロフェナントレン−２，７−ジイル基、１，２，３，４，４ａ，９，１０ａ−オクタヒドロフェナントレン−２，７−ジイル基、１，４−ナフチレン基、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ‘］ジチオフェン−２，６−ジイル基、ベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ‘］ジセレノフェン−２，６−ジイル基、［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］チオフェン−２，７−ジイル基、［１］ベンゾセレノフェノ［３，２−ｂ］セレノフェン−２，７−ジイル基、又はフルオレン−２，７−ジイル基を表し、
置換基として１個以上のＦ、Ｃｌ、ＣＦ₃、ＯＣＦ₃、ＣＮ基、炭素原子数１〜８のアルキル基、アルコキシ基、アルカノイル基、アルカノイルオキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基、アルケニルオキシ基、アルケノイル基、アルケノイルオキシ基を表し、
Ｚ０、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４、及びＺ５はそれぞれ独立して、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ₂ ＣＨ₂−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＯＯ−、−ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＣＯ−、−ＣＯＯＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＯＣＯＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、炭素数２〜１０のハロゲン原子を有してもよいアルキル基又は単結合を表す。）
前記位相差層が、更に１つの重合性官能基を有する液晶化合物を含有する重合性液晶組成物を重合させることにより得られる光学異方体である請求項１〜４の何れか一項に記載の液晶表示装置。
前記１つの重合性官能基を有する液晶化合物が前記重合性液晶組成物中に５〜７５重量％含有する請求項５に記載の液晶表示装置。
前記１つの重合性官能基を有する液晶化合物として、以下の一般式（４）で表される化合物を含有する請求項５又は６記載の液晶表示装置。

（式中、Ｐ^４は重合性官能基を表し、Ｓｐ^４は炭素原子数０〜１８のアルキレン基を表し（該アルキレン基は１つ以上のハロゲン原子又はＣＮにより置換されていても良く、この基中に存在する１つのＣＨ₂基又は隣接していない２つ以上のＣＨ₂基はそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接結合しない形で、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ_３）−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＳＣＯ−、−ＣＯＳ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられていても良い。）、ｍ４は０又は１を表し、ＭＧはメソゲン基又はメソゲン性支持基を表し、
Ｒ^４は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基又は炭素原子数１〜１８のアルキル基を表すが、該アルキル基は１つ以上のハロゲン原子又はＣＮにより置換されていても良く、この基中に存在する１つのＣＨ₂基又は隣接していない２つ以上のＣＨ₂基はそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接結合しない形で、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ_３）−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＳＣＯ−、−ＣＯＳ−又は−Ｃ≡Ｃ−により置き換えられていても良い。）
前記位相差層が、ポジティブＡプレート及び／又はポジティブＣプレートから構成される請求項１〜７の何れか一項に記載の液晶表示装置。
一対の基板の外側に更に位相差層を有する請求項１〜８記載の液晶表示装置。
前記一対の基板の外側にある位相差層が延伸フィルムから構成される請求項９記載の液晶表示装置。
一般式（Ｉ）で表される化合物が、一般式（Ｍ−１）から一般式（Ｍ−４）、一般式（Ｍ−１０）〜一般式（Ｍ−１８）

（式中、Ｒ^Ｍ１１〜Ｒ^Ｍ１８１は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表し、Ｘ^Ｍ１１からＸ^Ｍ１８６はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｙ^Ｍ１１〜Ｙ^Ｍ１８１はフッ素原子、塩素原子又はＯＣＦ_３を表し、Ｗ^Ｍ１０１〜Ｗ^Ｍ１７２はそれぞれ独立して、−ＣＨ_２−又は−Ｏ−を表す。）で表される化合物である請求項１〜１０の何れか一項に記載の液晶表示装置。
前記液晶組成物が、更に一般式（ＩＩＩ−ａ）から一般式（ＩＩＩ−ｆ）

（式中、Ｒ^４１は炭素原子数１から１０のアルキル基、炭素原子数１から１０のアルコキシ基、炭素原子数２から１０のアルケニル基又は炭素原子数２から１０のアルケニルオキシ基を表し、Ｘ^４１〜Ｘ^４８はお互い独立して水素原子又はフッ素原子を表し、Ｚ^４１はフッ素原子、トリフオロメトキシ基又はトリフルオロメチル基を表す。）で表される化合物群から選ばれる化合物を一種又は二種以上含有する請求項１〜１１の何れか一項に記載の液晶表示装置。
前記液晶層が、重合性化合物を一種又は二種以上含有する液晶組成物を重合してなる重合体により構成される請求項１〜１２の何れか一項に記載の液晶表示装置。
前記液晶組成物層に、一般式（V）

（式中、Ｘ^１及びＸ^２はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、
Ｓｐ^１及びＳｐ^２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｓ−（式中、ｓは２から７の整数を表し、酸素原子は芳香環に結合するものとする。）を表し、Ｚ^１は−ＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＦ_２ＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ_２−、−ＯＣＯ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２−ＯＣＯ−、−ＣＹ^１＝ＣＹ^２−（式中、Ｙ^１及びＹ^２はそれぞれ独立して、フッ素原子又は水素原子を表す。）、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表し、Ｃは１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基又は単結合を表し、式中の全ての１，４−フェニレン基は、任意の水素原子がフッ素原子により置換されていても良い。）で表されるニ官能モノマーを含有する請求項１〜１３の何れか一項に記載の液晶表示装置。