JP5875014B2

JP5875014B2 - 液晶表示装置

Info

Publication number: JP5875014B2
Application number: JP2014021966A
Authority: JP
Inventors: 森　健一; 健一森; 坂本　道昭; 道昭坂本; 住吉　研; 研住吉; 博永井; 中　謙一郎; 謙一郎中; 十文字　正之; 正之十文字; 田邉　浩; 浩田邉
Original assignee: NLT Technologeies Ltd
Current assignee: Tianma Japan Ltd
Priority date: 2007-09-26
Filing date: 2014-02-07
Publication date: 2016-03-02
Anticipated expiration: 2028-09-19
Also published as: JP2014123139A

Description

本発明は、各画素が光反射型の反射領域と光透過型の透過領域とを備えた半透過型液晶表示装置に関する。

透過型液晶表示装置の機能と反射型液晶表示装置の機能とを併せ持つ液晶表示装置として、半透過型の液晶表示装置が知られており(例えば特許文献１)、この種の半透過型液晶表示装置は、画素内に、透過領域と反射領域とを有する。透過領域は、バックライト光源からの光を透過し、バックライト光源を表示光源とする。反射領域は反射板を有しており、反射板によって反射された外部からの光を表示光源とする。

半透過型液晶表示装置では、周囲が明るいときには、周囲から反射板に到達する光をオン・オフすることにより印刷物に似た表示を可能にすると共に、バックライト光源を消灯し、反射領域により画像を表示することで、低消費電力化できる。また、周囲が暗いときには、バックライト光源を点灯し、透過領域により画像を表示することで、周囲が暗くなったときでも画像表示が可能である。

ところで、液晶表示装置の表示モードとしては、ＩＰＳ（ＩｎＰｌａｎｅＳｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（ＦｉｅｌｄＦｒｉｎｇｅＳｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードのような横方向電界モードがある。横方向電界モードの液晶表示装置は、同一基板上に形成された画素電極及び共通電極を有し、液晶層に横方向電界を印加する。横方向電界モードの液晶表示装置は、液晶分子を基板平行方向に回転させて画像の表示を行うことにより、ＴＮ（ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ）モードの液晶表示装置に比べ、広視野角を実現できる。

半透過型の横方向電界モードの液晶表示装置で反射領域の液晶層のリタデーションを４分の１波長、透過領域の液晶層のリタデーションを２分の１波長とし、反射領域の偏光板と液晶層との間に２分の１波長の位相差層を配置してノーマリブラック駆動する例が開示されている(例えば特許文献２)。また、２分の１波長の位相差層を配置せずに、反射領域と透過領域とで駆動を反転させることで、表示を行う半透過型液晶表示装置もある(例えば特許文献３)。

特許文献３では、各画素の反射領域と透過領域とのそれぞれに、データ信号が供給されるデータ線と画素電極との間を接続するスイッチング手段と共通電極とを設ける。各画素の反射領域と透過領域とを、実質的に反転したオン−オフ反転信号で駆動し、液晶配列方向を透過領域と反射領域とで異なる方向に制御する。反射領域はノーマリホワイト、透過領域はノーマリブラックであるので、反射領域では液晶層に電圧を印加せず、透過領域では液晶層に電圧を印加することで、双方の領域での表示を白表示に揃えることができる。

特開２００３−３４４８３７号公報特開２００６−１７１３７６号公報特開２００７−４１５７２号公報

図５３に、反射領域を横方向電界、透過領域を横方向電界で液晶をそれぞれ駆動させる半透過型液晶表示装置の単位画素を断面して示している。

反射領域１の下部基板３側には反射板４が形成され、反射板４の上には絶縁膜５が堆積されている。前記絶縁膜５上に、反射領域１に電界を形成する反射共通電極６と、反射画素電極７が形成される。下部基板３と対向基板８との間には液晶層９があり、ホモジニアス配向で、対向基板８側の偏光板１０の透過軸と平行な方向に配向されている。また、反射領域１と透過領域２との液晶層９のリタデーションは、それぞれ４分の１波長、２分の１波長に設定される。また、透過領域２の絶縁膜５上には、透過画素電極１１と透過共通電極１２とが形成されている。１３は対向基板８に含まれるガラス基板、１４は下部基板３に含まれるガラス基板である。

図５４に、反射領域の偏光状態の変化を示す。反射領域１の液晶層９に電界が発生していないとき、反射領域１の表示は白表示となる。偏光板１０を通過した光は、縦方向(９０°)の直線偏光となり、その光軸は液晶の配向方向、つまり、液晶分子の長軸に対して平行であるので、偏光板１０を通過した直線偏光は、その偏光状態を維持したまま液晶層９を通過して反射板４に達する。直線偏光の場合、反射板４で反射しても、偏光状態が変化しないので、反射光も、液晶分子の長軸に対して平行である。したがって、反射光は液晶層９を再び通過しても、その偏光状態を維持したまま、偏光板１０に達する。反射光の光軸が偏光板１０の透過軸に対して平行なので、反射光は偏光板１０を通過し、白表示となる。一方、反射領域１の液晶層９に電界が発生しているとき、反射領域１の表示は黒表示となる。電界により液晶分子が基板面内で回転し、液晶分子の長軸と偏光板１０の透過軸のなす角は４５°となる。したがって、偏光板１０を通過した直線偏光の光軸と液晶分子の長軸とのなす角は４５°となり、液晶層９のリタデーションが４分の１波長であるため、直線偏光は右回りの円偏光となる。この右回りの円偏光は、反射板４で反射すると、左回りの円偏光となる。左回りの円偏光が液晶層９を再び通過すると、横方向(０°)の直線偏光となり、反射光の光軸が偏光板１０の透過軸に対して垂直なので、反射光は偏光板１０を通過できず、黒表示となる。

図５５に、反射共通電極６及び反射画素電極７に電圧を印加した場合の黒表示時の液晶分子の配向と反射率とをシミュレーションした結果を示してある。反射共通電極６、あるいは、反射画素電極７上の液晶分子には、基板面に平行な横方向電界が印加されないため、基板面内の回転が十分でなく、偏光板１０を通過した光が液晶層９を通過しても円偏光状態にならない。つまり、電極６，７上の液晶層９を通過して反射板４に入射し、反射板４で反射して電極６，７上の液晶層９を通過していく光は、電圧印加時でも電圧無印加時のような偏光状態となり、白表示のように上側偏光板を反射光が透過してしまう。電極６，７がＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）等の透明導電体で形成されている場合、黒表示にすべく電極６，７に電圧を印加しても、この電極６，７上の領域から光が漏れ、反射表示の視認性が悪化する。

また、凹凸反射板上にある反射画素電極、反射共通電極が透明導電体で形成されている場合、それらを精度よく形成できないという問題がある。反射画素電極、反射共通電極のパターニングにはフォトリソグラフィが用いられる。反射共通電極と反射画素電極は絶縁膜を介して、反射板上に形成される。

図５６に示すように、反射板４が入射光を拡散反射させるために反射板４の表面が凹凸膜１５によって凹凸形状となっている。そのため、反射共通電極６と反射画素電極７との材料として透明導電体１６を使用すると、フォトリソグラフィによりマスク１８及び露光光１９を用いてレジスト１７に露光を行う際、透明導電体１６を透過した露光光１９が反射板４で拡散反射し、本来露光しない箇所のレジスト１７も露光されてしまう。したがって、現像とエッチングとを行った後のパターニングされた反射共通電極６と反射画素電極７との形状が不安定で、特に電極幅を小さくすると、電極の断線が生じてしまう。

本発明の目的は、反射共通電極と反射画素電極に形成されるコンタクトホール底面にＩＴＯ膜を残すことにより、黒表示時の光漏れをなくし、また、反射領域の電極を精度よく形成できる液晶表示装置を提供することにある。

前記目的を達成するため、本発明に係る液晶表示装置は、単位画素内に少なくとも反射板の形成部に対応した反射領域を有し、前記反射領域が横方向電界モード、ノーマリホワイトで駆動され、前記反射領域の液晶層に電界を形成する駆動電極である反射共通電極及び反射画素電極が前記反射板上に絶縁膜を介して設けられ、単位画素内に、横方向電界モードで駆動する透過領域を有し、前記反射領域の反射共通電極と前記透過領域の透過共通電極とを有し、それぞれに互いに異なる信号源に接続され、前記駆動電極が不透過の導電体で形成され、前記駆動電極の上面に反射防止層を備え、
前記反射防止層がＣｒ、Ｎｉ、Ｚｎの中から選ばれた一つの酸化物又はその一つを含む合金の酸化物、又はＩＴＯからなり、
さらに、前記反射画素電極に形成されたコンタクトホールを有し、前記コンタクトホールの底がＡｌ系材料であり、
前記反射共通電極と前記反射画素電極に形成された前記コンタクトホールの開口部にＩＴＯ膜を有する、ことを特徴とするものである。

本発明によれば、反射共通電極と反射画素電極に形成されるコンタクトホール底面にＩＴＯ膜を有する、すなわち明細書段落〔０１５２〕に記述したように、第２コンタクトホール４２を形成した後、平坦化膜２７上にスパッタによってＩＴＯを４０ｎｍの厚さに成膜し、そのあと、透過領域２の透過共通電極１２ｃ及び透過画素電極１１ｃとなる部分と、反射共通電極２８ｃ及び反射画素電極２９ｃとなる第２コンタクトホール４２の開口部とに、ＩＴＯ膜が残るようにレジストパターンニングを行い、これ以外の領域をウェットエッチングで除去する。
以上のように、本発明によれば、反射共通電極２８ｃ及び反射画素電極２９ｃとなる第２コンタクトホール４２の開口部にＩＴＯ膜が残るため、第２コンタクトホール４２の底の材料であるＡｌ系材料を、ＩＴＯ膜を除去するためのウェットエッチング液（王水）から保護することができるという顕著な効果を有するものである。

〔構成の説明〕
以下、本発明の実施形態を図に基づいて詳細に説明する。

本発明の実施形態に係る液晶表示装置は図１，図２に示すように、基本的な構成として、液晶パネルを形成する単位画素内に反射領域１があり、反射領域１が横電界方式、かつ、ノーマリホワイトで駆動され、反射領域１の液晶層９に電界を形成する駆動電極（反射共通電極２８及び反射画素電極２９）が反射板４上に絶縁膜（平坦化膜２７）を介して設けられ、前記駆動電極が不透過の導電体で形成されていることを特徴とするものである。

本発明の実施形態では、駆動電極である反射画素電極２９、あるいは、反射共通電極２８を不透過の導電体で形成している。このため、図３に示すように、黒表示時の反射共通電極２８、あるいは、反射画素電極２９上の液晶層９を通過した光Ａが、反射板４に達することを抑えることができる。つまり、電極２８，２９上の液晶層９を通過して反射板４に入射し、反射板４で反射して液晶層９を通過する光がないため、黒表示時の光漏れを防ぐことができる。

反射板４に入射して反射する光の中には、図３に示すように、電極２８，２９間の液晶層９を通過して反射板４に到達して反射し、電極２８，２９上の液晶層９を通過する光Ｂも存在する。この光は入射、反射する過程で黒表示となる偏光状態とならないので、光漏れの原因となるが、電極２８，２９が不透過であるので、この光も抑制することができる。

また、電極２８，２９が不透過の材料で形成されているので、電極のパターニングの工程においてフォトリソグラフィ法でレジストに露光を行う際、露光光が反射板４に到達することはない。従って、レジストへの露光を電極の形状通りに行うことができ、電極のパターニングを精度良く実施できる。

次に、本発明の実施形態に係る液晶表示装置を具体例に基づいて更に詳細に説明する。

（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係る液晶表示装置の液晶パネルを形成する単位画素を示す平面図、図２は、図１に示す単位画素の点線部に沿って断面した断面図である。

本発明の実施形態１に係る液晶表示装置の液晶パネルを形成する単位画素は図１及び図２に示すように、反射領域１と透過領域２とを有し、液晶パネル全体にマトリクス状に設けられたデータ線２０と走査線２１によってその対応範囲が区画されている。

まず、下部基板３について説明をする。下部基板３は、各積層部分が主に表示部材駆動用の各種機能を備えたものからなり、ガラス基板１４に堆積された絶縁膜の上に、走査用信号が入力される走査線２１、データ信号が入力されるデータ線２０、透過領域２の基準電位が入力される透過共通電極１２、反射領域１の基準電位が入力される反射共通電極２８、液晶層９に所望の電界を印加するための反射画素電極２９、あるいは、透過画素電極１１、また、それぞれの単位画素に対応して形成されたスイッチング素子等がある。また、液晶層９側に図示しない配向膜がある。

前記スイッチング素子は、ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極、アモルファスシリコン層を備え、走査線２１とデータ線２０との交点付近に設けられている。前記スイッチング素子のゲート電極が走査線２１に、ドレイン電極がデータ線２０に、ソース電極２２が画素電極１１、２９に電気的にそれぞれ接続されている。

ガラス基板１４上に反射共通配線及び透過共通配線２３、走査線２１がそれぞれ形成され、その上に絶縁膜２４が成膜される。前記絶縁膜２４上には、データ線２０、スイッチング素子のドレイン電極、ソース電極、アモルファスシリコン層が形成され、その上に絶縁膜２５が成膜される。前記絶縁膜２５上には、反射領域１に対応する部分に表面に凹凸形状を有する凹凸膜２６があり、さらにその上には反射板４が形成される。反射板４は凹凸膜２６上に形成されるので、その表面は凹凸形状となり、液晶パネルに入射した光を拡散反射させる。さらに、前記反射板４上には平坦化膜２７が形成される。また、平坦化膜は、透過領域２も含めて形成してもよい。

凹凸膜２６と平坦化膜２７とは、透過領域２と反射領域１との液晶層９の厚さを変更する液晶層厚調節の機能も有し、各領域１，２の液晶層９の厚さを所望の値にするようにそれらの膜厚が調節される。反射領域１の平坦化膜２７上には、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｎｉ等の不透過の導電材料で反射共通電極２８と反射画素電極２９とが形成され、また、透過領域２の平坦化膜２７にはＩＴＯ等の透明性導電材料で透過画素電極１１と透過共通電極１２とが形成される。ここで、図４に示すように、透過共通電極１２’を反射領域１の電極２８，２９と同様に不透過の導電体で形成しても良い。

反射領域１、及び、透過領域２に形成される反射共通電極２８と反射画素電極２９、透過共通電極１２と透過画素電極１１とは図１に示すように、互いに平行に対向して形成され、反射共通電極２８と反射画素電極２９、透過共通電極１１と透過画素電極１２との間の電界によって反射領域１、あるいは、透過領域２の液晶が横方向電界モードとして駆動する。ここで、反射共通電極２８と透過共通電極１１とはガラス基板１４上に形成された反射共通配線、あるいは、透過共通配線２３と、反射画素電極２９及び透過画素電極１１は絶縁膜２４上に形成されたソース電極２２と電気的に接続される。反射共通電極２８は、反射共通配線から反射共通信号が供給されるが、反射共通配線を形成せず、反射共通電極に直接、反射共通信号を供給することも可能である。このときは、反射共通電極２８に接続部３０を形成する必要はない。

ところで、反射領域１の反射共通電極２８と反射画素電極２９とはフォトリソグラフィ法によってパターニングされ、平坦化膜２７上に不透過の導電材料膜をスパッタし、マスキングのレジストを塗布し、所要のマスクを介して露光、現像後、前記材料に対応してエッチング液に浸して余分な膜を除去し、レジストの剥離を経て所望の電極が作成される。この方法は、その他の配線、電極の形成にも用いられる。

さらに、図５〜図１２を参照して、下部基板の作製プロセスについて詳細に説明する。これら図中の（ａ）は平面図を示し、その他は、各部の断面図を示している。

まず、ガラス基板１４上に、ゲート線３１、反射共通配線３７ａ、及び透過共通配線２３を、図５（ａ）に示すパターンで形成する。このときの反射領域１、透過領域２、及び、反射領域１と透過領域２との境界部（段差部）のそれぞれの断面は、図５（ｂ）〜（ｄ）に示すようになる。反射領域１では、反射板４に電位を与えるために、反射共通配線３７ａが、表示領域内に突き出すように形成される。その後、ゲート線３１、反射共通配線３７ａ、及び、透過共通配線２３を絶縁層２４で覆う（図６（ｂ）参照）。

次いで、図６（ａ）に示すように、スイッチング素子を形成するための半導体層３９を形成する。この半導体層３９の形成では、同図（ｂ）に示すように、半導体層が、ゲート線３１（ゲート電極３１）とオーバラップするように形成される。その後、図７（ａ）に示すパターンで、スイッチング素子のソース電極に接続される反射画素電極配線３５ａ、透過画素電極配線３６ａを形成する。

反射領域１、透過領域２、及び、反射領域１と透過領域２との境界部（段差部）のそれぞれの断面は、図７（ｂ）〜（ｄ）に示すようになる。反射領域１では、隣接する画素電極配線３５ａの間に、反射共通配線３７ａが形成される。また、反射共通配線３７ａは、表示領域において、画素電極配線３５ａと反射共通配線３７ａとの面積比が１：１となるように形成される。これは、画像表示時に、後に形成する反射板４に、反射画素電極２９と反射共通電極２８との中間電位を与えるようにするためである。反射画素電極配線３５ａ、透過画素電極３６ａの形成後、その上を絶縁層２５で覆う（図８（ｂ）参照）。

引き続き、凹凸膜２６を、図８に示すように形成する。この凹凸膜２６は、同図（ｂ）〜（ｄ）に示すように、断面が凹凸を有するように形成される。凹凸膜２６の上にＡｌ層を形成し、図９（ａ）に示すパターンで、反射領域１に反射板４を形成する。このときの反射領域１、透過領域２、及び、反射領域１と透過領域２との境界部のそれぞれの断面は、同図（ｂ）〜（ｄ）に示すようになる。

反射板４を形成した後、図１０（ａ）に示すパターンで、平坦化膜２７を形成する。この平坦化膜２７の形成により、同図（ｄ）に示すように、反射領域１と透過領域２との境界に段差が生じ、双方の領域において、液晶層の厚さが調整される。

その後、図１１（ａ）に示す位置に、画素電極配線３５ａ，３６ａ、反射共通配線３７ａ、及び、透過共通配線３８ａを覆う絶縁層に接続部３０を形成し、画素電極配線３５ａ，３６ａ、反射共通配線３７ａ、及び、透過共通配線３８ａを露出させる（同図（ｂ））。

接続部を形成した後、図１２（ａ）に示すパターンで、平坦化膜２７上に、反射及び透過画素電極２９、１１と、反射共通電極２８と、透過共通電極１２とをそれぞれ形成する。反射画素電極２９及び反射共通電極２８は不透過の導電体で、透過画素電極１１及び透過共通電極１２はＩＴＯで形成される。

このとき、透過画素電極１１および透過共通電極１２を形成し、その後、反射画素電極２９及び反射共通電極２８が形成される。画素電極配線３６ａ及び透過共通配線３８ａ等は低抵抗、高遮光性である方が望ましく、それらの材料は反射画素電極２９及び反射共通電極２８で用いる不透過の導電体と同じエッチング液で消失する可能性がある。透過画素電極１１及び透過共通電極１２と画素電極配線３６ａ及び透過共通配線３８ａとの接続部３０とがＩＴＯで覆われることで、反射画素電極２９及び反射共通電極２８の形成時のエッチングで電極配線３６ａ及び透過共通配線３８ａの接続部が消失することを防ぐ。

反射領域１、透過領域２、及び、反射領域１と透過領域２との境界部におけるそれぞれの断面は、同図（ｂ）〜（ｄ）に示すようになる。この反射及び透過画素電極２９、１２、反射共通電極２８、及び、透過共通電極１２の形成では、各電極と、画素電極配線３５ａ、３６ａ、反射共通配線３７ａ、及び、透過共通配線３８ａとを、それぞれ接続部３０を介して接続する。以上の工程により、本実施形態の下部基板３が製造される。

次に、対向基板について説明をする。対向基板８は、各積層部分が主に表示部材駆動用の各種機能を備えたものからなり、ガラス基板１３を基準にして液晶層側に向けて、遮光膜としてのブラックマトリクス層と、このブラックマトリクス層に部分的に重なりあっている色層と、透明な平坦化膜と、配向膜とが順次積層されている。なお、図２では、平坦化膜２７ａのみを図示している。

下部基板３及び対向基板８のガラス基板側には図示しない偏光板が配置され、それらの透過軸は直交している。また、偏光板の透過軸と下部基板３及び対向基板８の配向膜とによる液晶の配向方向は、直交または平行に設定される。

以上の構成の説明は横方向電界モードのうち、ＩＰＳ（ＩｎＰｌａｎｅＳｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードを適応した場合であるが、ＦＦＳ（ＦｒｉｎｇｅＦｉｅｌｄＳｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードを適用してもよい。この場合、例えば反射領域１では反射板４が反射画素電極２９となり、平坦化膜２７上には不透過の導電体で形成された反射共通電極２８のみが設けられる。

（実施形態１の動作の説明）
透過共通電極１２と反射共通電極２８には互いに反転した信号が供給され、データ線２０に接続された透過画素電極１１及び反射画素電極２９には同一の信号が供給される。例えば透過画素電極１１及び反射画素電極２９には０Ｖ〜５Ｖの任意の信号が供給される。反射画素電極２９に０Ｖの信号が、反射共通電極２８に５Ｖの信号が供給されているときは、反射画素電極２９と反射共通電極２８との間の電位差は最大で５Ｖとなり、反射領域１の液晶層９は、この５Ｖの電位差による横方向電界で駆動される。

以下、図１３を用いて、反射領域１での黒表示時の偏光状態の変化について説明する。対向基板８の入射光側に設置されている偏光板２７ｂによって９０°の直線偏光に変換された入射光が、反射領域１の液晶層９に入射する。反射領域１の液晶層９は前記横方向電界によって回転し、液晶分子の長軸と入射光の偏光方向とのなす角は４５°となる。この状態でリタデーションが４分の１波長に設定された液晶層９を通過すると、９０°の直線偏光は右回りの円偏光となり反射板４に到達する。反射板４で反射されると、右回りの円偏光は左回りの円偏光となり、液晶層９を通過する。液晶層９を通過した左回りの円偏光は０°の直線偏光となる。この０°の直線偏光は偏光板２７ｂの透過軸と直交しているため、偏光板２７ｂを通過することができず黒表示となる。

一方、透過共通電極１２には反射共通電極２８に供給される信号と反転した信号、すなわち、０Ｖの信号が供給される。したがって、透過画素電極１１には反射画素電極２９と同電位の０Ｖの信号が印加されているため、透過領域２の液晶層９には電界が発生せず、液晶分子は配向膜による配向方向を保つ。

以下、図１４を用いて、透過領域２での黒表示時の偏光状態の変化について説明する。図５４に示すように、下部基板３の液晶層９とは反対側の位置に設置されたバックライトからの光は、下部基板３とバックライトの間にある偏光板２７ｃによって０°の直線偏光に変換される。液晶分子は配向膜によって偏光板２７ｃの透過軸に平行、あるいは、直交するように配向されているので、偏光板２７ｃを通過した光は液晶層９を通過しても、その偏光状態は変化しない。対向基板８に設置されている偏光板２７ｂの透過軸は９０°であるので、０°の直線偏光は対向基板８側の偏光板２７ｂを通過できず黒表示となる。

（効果の説明）
本発明の実施形態１による効果について説明する。図５５に示したように、反射共通電極２８と反射画素電極２９の間は、基板に対して平行な電界が発生し、この電界によって基板面内で液晶分子が回転している。一方、反射共通電極２８及び反射画素電極２９上やその付近は、基板に対して平行な電界は発生していない。従って、反射共通電極２８及び反射画素電極２９上やその付近の液晶分子は、基板面内で回転できず、また、基板断面から見たとき斜め方向に動くものも存在する。

図１３に示したように、４分の１波長のリタデーションを持つ液晶層９の光軸、つまり、液晶分子の長軸が基板面内で回転した場合は、対向基板８側から見たとき、液晶層９に入射する直線偏光の光軸と液晶分子の長軸が４５°の角度をなし、直線偏光は円偏光に変換される。また、反射した円偏光は液晶層９を通過して再び直線偏光に変換され、その光軸は入射したときの直線偏光の光軸と直交している。

液晶分子の長軸が基板面内で回転しない場合は、液晶層９に入射する直線偏光の光軸と液晶分子の長軸が４５°の角度をなさないので、直線偏光は円偏光に変換されない。また、基板断面から見たときに液晶分子の長軸が斜め方向を向く場合、対向基板８側から見たときの液晶分子の複屈折は小さくなる。そのため、対向基板８側から見たとき液晶層９に入射する直線偏光の光軸と液晶分子の長軸が４５°の角度をなしている場合でも、複屈折に比例する液晶層９のリタデーションは４分の１波長より小さくなり、液晶層９を通過しても円偏光に変換されない。したがって、電極２８，２９上やその付近の液晶層９を通過し、反射板４で反射し、液晶層９を通過していく光は、黒表示を実現する偏光状態の変化をしない。しかし、電極２８，２９が不透過の導電体で形成されているので、この光を反射板に到達させることを防ぎ、黒表示時の光漏れを抑制できる。

さらに、電極２８，２９の間の液晶層９を通過して反射板４に達し、反射板４で反射し、電極２８，２９上やその付近の液晶層９を通過していく光は、反射板４で反射した時点では円偏光であるが、再び液晶層９を通過して偏光板に達したとき直線偏光とならず、黒表示を実現できない。しかし、電極２８，２９が不透過の導電体で形成されているので、電極２８，２９は反射板４で反射した光を遮光する。つまり、電極２８，２９間の液晶層９を通過して円偏光状態になった光の内、反射板４で電極２８，２９の方向に反射した光が再び液晶層９に侵入することを防ぐため、黒表示時の光漏れを抑制できる。

図３，図４のように、透過共通電極１２及び１２’は、データ線２０上を覆うように形成される。透過領域１が黒表示時、透過共通電極１２と透過画素電極１１との間に電界は発生せず、液晶分子は回転しないが、データ線２０からの電界により、データ線脇の液晶分子が動き、透過領域２の光漏れが発生する。しかし、図４のように透過共通電極が不透過の導電体で形成された透過共通電極１２’である場合、この光漏れは遮光できる。よって、対向基板８側に遮光のためのブラックマトリクスを配置する必要がないので、開口率を高める効果がある。

図１５は、反射共通電極２８及び反射画素電極２９をＩＴＯで形成したパネルと、不透過の導電体であるＭｏで形成したパネルでの反射表示のコントラスト比の実測値を示したものである。電極２８，２９を不透過の導電体としたことによって、コントラスト比が約１．４倍に増加した。また、図１６はそれぞれのパネルの白表示時及び黒表示時の反射率を示している。ＭｏのパネルはＩＴＯのパネルに対して白表示及び黒表示の反射率は減少しているが、黒表示の反射率の減少割合が大きい。よって、反射表示のコントラスト比が増加している。上述した反射率は、ハロゲンランプのスポット光源を例えば硫酸バリウムで作成された標準白色板に照射し、反射した光の強度を１００％としたときの値とした。

反射共通電極２８及び反射画素電極２９の形成時には、以下のような効果がある。反射共通電極２８及び反射画素電極２９の平坦化膜上のパターニングには、フォトリソグラフィ法が用いられる。平坦化膜上に例えばＭｏのような不透過の導電材料をスパッタし、薄膜が成膜される。スパッタした膜上にポジ型のフォトレジストを塗布する。次に電極を形成する部分が遮光部となっているマスクを用いて露光する。露光された部分は現像液に対して可溶となり、現像後は電極を形成する部分のみにレジストが残る。電極を形成する薄膜が不透過であるので、露光光が反射板４に到達せず、レジストへの露光が適切に行われ、電極が精度よくパターニングされる。また、細い電極のパターニングも精度よく実施できるので、高精細のパネルの作製にも有利である。

ところで、透明導電体材料であるＩＴＯと不透過の導電材料であるＭｏの面抵抗は、それぞれ約５．２×（１０の−６乗）Ω・ｍ、約２．０×（１０の−７乗）Ω・ｍで、ＭｏはＩＴＯより抵抗が小さい。したがって、反射共通電極をＭｏで形成した場合、実施形態の構成で述べたように、反射共通配線２９を形成せずに、反射共通電極２８を反射共通配線として機能させることが可能で、接続部３０を削除することができる。反射共通配線と反射共通電極の接続部を削除した場合、図１７のように反射共通電極と反射画素電極が平行に対向する部分、つまり、液晶層に適切な横方向電界を印加できる部分が増える。よって、対向基板側に設けられていた遮光のためのブラックマトリクスの面積を小さくすることができ、単位画素の開口率が上がる効果も得られる。

（実施形態２）
図１８は、本発明の実施形態２に係る液晶表示装置の液晶パネルを形成する単位画素を示す平面図である。また、図１９は、図１８に示す単位画素での点線部に沿って断面した断面図である。

本発明の実施形態２では、図１に示す実施形態１を変更した例であって、単位画素内に設定される透過領域２の透過共通電極１２’’及び透過画素電極１１’’が、図１及び図２に示す反射領域１の反射共通電極２８及び反射画素電極２９と同様に、同一の不透過の導電体で形成されていることを特徴とするものである。

本実施形態２では、平坦化膜２７上に、透過共通電極１２’’及び透過画素電極１１’’、反射共通電極２８及び反射画素電極２９を同一の不透過の導電体を用いて同時に形成する。

（実施形態２の効果）
本発明の実施形態２では、反射共通電極２８及び反射画素電極２９、透過共通電極１２’’及び透過画素電極１１’’を同時に形成することで、工程の削減が可能になる。

反射共通電極及び反射画素電極をＭｏのような不透過の導電体で、透過共通電極及び透過画素電極をＩＴＯのような透明導電体で作成する場合、スパッタ、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、レジスト剥離の一連の工程を２回行わなければならない。しかし、本実施形態２では、前記工程が１回となり、製造時間と製造コストの削減につながる。

また、実施形態１では、反射共通配線と反射共通電極との接続の削減による開口率への効果について説明したが、本実施形態２では、さらにその効果を高めることができる。つまり、実施形態１の構成で説明したように、透過共通配線を形成せず透過共通電極に透過共通配線の機能も持たせることによって、接続部を除去することで、液晶層に適切な横方向電界を印加できる部分が増える。よって、対向基板側に設けられていた遮光のためのブラックマトリクスの面積をさらに小さくすることができ、単位画素の開口率がさらに上がる。

（実施形態３）
図２０は、本発明の実施形態３に係る液晶表示装置の液晶パネルを形成する単位画素を断面した断面図である。

本実施形態３では、実施形態１及び２の液晶表示装置における反射領域の構成を変更したものであって、不透過の反射共通電極２８及び反射画素電極２９の上に反射防止層４０を形成したことを特徴とするものである。

前記反射防止層４０の材料としては、例えば金属の酸化物が選ばれる。反射共通電極２８及び反射画素電極２９の形成時に不透過の導電体であるＣｒ、さらに連続して酸化Ｃｒをスパッタする。その後、通常のパターニングの工程を行うことで、不透過の導電体上に反射防止層４０が積層した反射共通電極２８及び反射画素電極２９が形成できる。

スパッタは、いわゆる反応性スパッタとして実施することができ、アルゴン等の希ガスを含めた窒素等の不活性ガス、酸素ガス、ＣＯ，ＣＯ_２などの酸化炭素ガスがそのための雰囲気の代表例として示される。また、不透過導電体と反射防止膜のパターニングは同一のパターニング工程にて一括で行われることが好ましい。なぜなら、これらは反射共通電極２８又は反射画素電極２９であるため、微細なパターニング精度が求められるからである。

以上では、不透過導電膜／反射防止膜の組み合わせである金属膜／酸化膜の例としてＣｒ／酸化Ｃｒの構成を示したが、ＮｉとＷの合金であるＮｉＷを使ったＮｉＷ／酸化ＮｉＷの例や、ＮｉとＷ、Ａｌの合金であるＮｉＷＡｌを使ったＮｉＷＡｌ／酸化ＮｉＷＡｌの構成をとることも可能なのはいうまでもない。また、金属膜／酸化膜の２層積層膜の構成のみでなく、金属膜／窒化膜／酸化膜の３層積層膜の構成をとることも可能であることはいうまでもない。

液晶層９の屈折率をＮｌｃ、反射防止層４０の屈折率をＮ、膜厚をＤ、不透過の導電体（反射共通電極２８、反射画素電極２９）の屈折率をＮｓとしたとき、反射を抑制したい光の波長をλとする。このとき、反射防止の条件は、

Ｎ＝（Ｎｌｃ・Ｎｓ）^1/2, ＮＤ＝λ/４・・・式（１）

となる。以上の式は、不透過の導電体層（２８，２９）の消光係数、液晶層９の波長分散を考慮しない近似した垂直入射の条件式であるが、この条件式を満たすように反射防止層４０の屈折率と膜厚とを設定するで、十分な反射防止の機能が得られる。

反射共通電極２８及び反射画素電極２９の材料として不透過の導電体をＣｒ、反射防止層４０をＣｒ_２Ｏ_３とする。Ｃｒの屈折率はおよそ３．１、液晶層９の屈折率は一般的にはおよそ１．５であるので、上記式（１）を満たすＮを計算すると、およそ２．２となる。Ｃｒ_２Ｏ_３の屈折率もおよそ２．２であるので、反射防止の機能は十分に得られる。また、Ｃｒ_２Ｏ_３はＣｒスパッタ時に酸素を導入することで成膜できることから、Ｃｒ膜、Ｃｒ_２Ｏ_３膜の連続形成は容易である。ここで、Ｒ，Ｇ，Ｂの画素毎に入射する光の波長は異なるので、Ｒ，Ｇ，Ｂの画素毎に反射防止層４０の膜厚を変更しなければならないが、工程が煩雑になるので、視認性の高いＧの波長に合わせて膜厚を設定する。

ここまでは、反射共通電極２８及び反射画素電極２９上へ反射防止層４０の成膜を述べたが、実施形態２のように不透過の導電体で形成された透過共通電極１２及び透過画素電極１１上に反射防止層４０を成膜してもよい。

（実施形態３の効果）
反射領域１の黒表示時における光漏れの原因として、反射共通電極２８及び反射画素電極２９上での入射光の反射も考えられる。実施形態１の効果で説明したように、反射共通電極２８及び反射画素電極２９上の液晶層９には、適切な横方向電界が発生しないため、黒表示を実現させるような液晶分子の回転は発生しない。そのため、反射共通電極２８及び反射画素電極２９上の液晶層９を通過して反射共通電極２８及び反射画素電極２９上で反射し、再度反射共通電極２８及び反射画素電極２９上の液晶層９を通過していく光、反射共通電極２８及び反射画素電極２９上の液晶層９を通過して反射共通電極２８及び反射画素電極２９上で反射し、反射共通電極２８及び反射画素電極２９の間の液晶層９を通過していく光、反射共通電極２８及び反射画素電極２９の間の液晶層９を通過して反射共通電極２８及び反射画素電極２９上で反射し、反射共通電極２８及び反射画素電極２９上の液晶層９を通過していく光は、黒表示を実現する偏光状態の変化をしない。

しかし、反射共通電極２８及び反射画素電極２９上に反射防止層４０を設けることで、それらの光が反射表示に寄与することを抑制する。５００Åの膜厚のＣｒ上に５００Åの膜厚のＣｒ_２Ｏ_３を形成したときの電極上の反射率を、膜を構成する物質の屈折率と消光係数を元にフレネルの式より計算すると２６％となった。Ｍｏ単層の反射率がおよそ４７％であることから、上記の膜厚設定で反射防止が可能である。

図２１は反射領域のコントラスト比の反射共通電極２８、及び、反射画素電極２９上の反射率依存性を計算した結果である。電極上の反射率が低くなると、電極上に入射した光が反射表示に寄与することが抑制され、黒表示の光漏れが無くなりコントラスト比が大きくなる。図２２は、５００Åの膜厚のＣｒで形成された反射共通電極２８及び反射画素電極２９上に５００Åの膜厚の酸化Ｃｒからなる反射防止層４０が形成された液晶パネルと、５００Åの膜厚のＭｏで形成された反射共通電極２８及び反射画素電極２９のみの液晶パネルによる反射表示のコントラスト比の実測値を示したものである。コントラスト比はＣｒ、酸化Ｃｒの２層膜はＭｏ単層膜の約１．３倍となった。図２１によると電極上の反射率が２６％のとき、すなわち、Ｃｒ上に酸化Ｃｒを形成した電極構造としたときの反射領域のコントラスト比は約１４：１、電極上の反射率が４７％のとき、すなわち、Ｍｏ単層の電極構造としたときのコントラスト比は約１０：１となり、Ｃｒ、酸化Ｃｒの２層膜はＭｏ単層膜の１．４倍となる。実測値は計算によるコントラスト比の増加の効果を再現しており、電極上の反射率を低くすることはコントラスト比を大きくする効果があると認められる。

反射共通電極２８及び反射画素電極２９上が不透過の導電体と反射防止層４０の２層膜で形成されていることで、電極の反射率が低くなり、コントラスト比が向上する効果が得られるが、少なくとも電極の対向基板８側から見た反射率が反射板４の反射率よりも低く抑えられていれば良い。反射板４には主にＡｌが使用される。Ａｌの反射率はおよそ８９％であるので、反射率がそれよりも小さい、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ等の不透過の導電体のみで反射共通電極２８及び反射画素電極２９が形成されていても、同様の効果が現れる。

（実施形態４）
本発明の実施形態４では、図２０に示す実施形態３の反射防止層４０がその膜厚が３０〜６０ｎｍとなるように、Ｃｒの酸化物、Ｎｉに他の元素を含むＮｉ合金の酸化物、ＩＴＯで形成され、不透過の反射共通電極２８と反射画素電極２９がその膜厚が５０ｎｍとなるようにＣｒ、Ｎｉに他の元素を含むＮｉ合金、Ｍｏ、Ｔｉで形成されている。これらの材料は、反射防止膜４０と反射共通電極２８、反射画素電極２９の２層膜の反射率の低さと製造工程の容易さとを考慮して選ばれるものである。ここでは示さないが、そのほかの候補としては、反射電極材料にはＺｎなどもあり、また反射防止膜としてはＺｎならびにＺｎ合金の酸化物（ＩｎＧａＺｎの合金酸化物）などが考えられる。

（実施形態４の効果）
図２３は反射防止層４０と反射共通電極２８、及び、反射画素電極２９との材料の組み合わせによる反射率の計算値である。図中のグラフの横軸の膜厚は反射防止層４０の膜厚を表している。反射共通電極２８、反射画素電極２９は５０ｎｍとして計算を行った。また、図２３（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ反射共通電極２８、及び、反射画素電極２９をＣｒ、Ｎｉ合金（ＮｉＷ，ＮｉＷＡｌなど）、Ｍｏ、Ｔｉで形成したときの反射率を表している。どの組み合わせにおいても、反射防止層４０の形成によって反射率が低下しており、反射防止の機能が得られる。

Ｔｉ−ＩＴＯの組み合わせを含み、最良となる最小反射率、及びそのときの透過導電体（反射防止層）の最良の膜厚を示す。

Ｃｒ−Ｃｒの酸化物の場合：
最小反射率：２６％、最小反射率での膜厚＝５０ｎｍ
Ｃｒ−Ｎｉ合金の酸化物の場合：
最小反射率＝３０％、最小反射率での膜厚＝４５ｎｍ
Ｃｒ−ＩＴＯの場合：
最小反射率＝３８％、最小反射率での膜厚＝６０ｎｍ
Ｎｉ合金−Ｃｒの酸化物の場合：
最小反射率＝２２％、最小反射率での膜厚＝４３ｎｍ
Ｎｉ合金−Ｎｉ合金の酸化物の場合：
最小反射率＝２５％、最小反射率での膜厚＝４０ｎｍ
Ｎｉ合金−ＩＴＯの場合：
最小反射率＝３５％、最小反射率での膜厚＝５５ｎｍ
Ｍｏ−Ｃｒの酸化物の場合：
最小反射率＝１７％、最小反射率での膜厚＝４５ｎｍ
Ｍｏ−Ｎｉ合金の酸化物の場合：
最小反射率＝２１％、最小反射率での膜厚＝４３ｎｍ
Ｍｏ−ＩＴＯの場合：
最小反射率＝２９％、最小反射率での膜厚＝５８ｎｍ
Ｔｉ−Ｃｒの酸化物の場合：
最小反射率＝６％、最小反射率での膜厚＝３０ｎｍ
Ｔｉ−Ｎｉ合金の酸化物の場合：
最小反射率＝８％、最小反射率での膜厚＝３０ｎｍ
Ｔｉ−ＩＴＯの場合：
最小反射率＝９％、最小反射率での膜厚＝４０ｎｍ

上記の反射防止層４０と反射共通電極２８、及び、反射画素電極２９の組み合わせにおいて、反射率が最も低くなる反射防止層４０の最適膜厚が存在し、それは３０ｎｍ〜６０ｎｍの範囲に分布する。従って、上記材料のいずれの組み合わせにおいても、反射防止層４０の膜厚が３０ｎｍ〜６０ｎｍの範囲に収まれば、反射防止層４０は反射防止の機能を有する。上記の材料のうち、反射防止層４０をＣｒの酸化物に、反射共通電極２８、及び、反射画素電極２９をＴｉにしたとき、反射率が最も低く抑えられコントラスト比が最も大きくなる。反射共通電極２８、及び、反射画素電極２９の膜厚は５０ｎｍであるが、この値に限るものではない。しかし、この膜厚が大きくなると、反射防止膜４０を含めた反射共通電極２８、及び、反射画素電極２９の総厚がさらに増え、反射共通電極２８、及び、反射画素電極２９と平坦化２７とで形成される段差によりディスクリネーションやラビング不良が発生する可能性がある。従って、反射共通電極２８、及び、反射画素電極２９の膜厚は１００ｎｍ以下であることが好ましい。

以上より、これらの金属膜／酸化膜の組み合わせでは、金属膜１００ｎｍ以下、酸化膜３０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲（好ましくは３０ｎｍ〜６０ｎｍの範囲）において、反射共通電極２８及び反射画素電極２９の反射率は５％以上４０％以下になるが、図２１よりコントラスト比は１０：１〜３０：１の範囲の値となり、半透過型液晶表示装置の反射モードとして、良好な画像が視認されることとなる。

尚、反射防止層４０をＩＴＯに、反射共通電極２８、及び、反射画素電極２９をＴｉにし、さらに、そのＩＴＯを形成するときに同時に透過共通電極１２、及び、透過画素電極１１をＩＴＯで形成する。この材料の組み合わせにより、反射領域のコントラスト比が大きくなると共に、透過領域の電極がＩＴＯで形成されているため、最小限の工程の増加で高透過率が実現できる。

（実施形態５）
図２４は、本発明の実施形態５に係る液晶表示装置の液晶パネルを形成する単位画素を、その反射領域の反射画素電極及び反射共通電極付近で断面した断面図である。

本実施形態５では図２４に示すように、実施形態１〜３の構成を変更した例であって、反射共通電極２８及び反射画素電極２９の直下の平坦化膜２７が平坦になっていることを特徴とするものである。

絶縁膜２５上の凹凸膜２６は反射板４に拡散反射機能を持たせるため、その表面は１μｍ程度の段差がある。平坦化膜２７は凹凸膜２６の段差を緩和する働きがあるので、平坦化膜２７の膜厚を大きくすると、平坦度が増す。しかし、反射共通電極２８と反射共通配線との接続部等、平坦化膜２７を除去しなければならない部分があること、また、平坦化膜２７で反射領域１と透過領域２との液晶層９の厚さを設定することから、平坦性を高めるためにその膜厚を極端に大きくすることは適切ではない。膜厚を大きくすると、平坦化膜２７の除去が完全にできなくなる可能性がある。さらに、反射領域１と透過領域２の液晶層９の厚さの差が小さくなり、それぞれの液晶層の適切なリタデーションが得られなくなる。したがって、平坦化膜２７の膜厚を大きくせずに反射共通電極２８及び反射画素電極２９の直下の平坦化膜２７を平坦にするには、反射共通電極２８及び反射画素電極２９の形成箇所に対応する部分の凹凸膜２６の表面を平坦にすればよい。

以下、本実施形態５の凹凸膜２６の形成について説明する。絶縁膜２５上にポジ型レジストを塗布し、マスクを用いてレジストを露光する。マスクには凹凸膜２６に形成するパターンが遮光部として設けられ、さらに、反射共通電極２８及び反射画素電極２９を形成する部分にパターンの除去部がある。このパターンの除去部は、反射共通電極２８及び反射画素電極２９を形成する部分よりも大きくしても良い。このようなマスクでレジストを露光して、現像、焼成することにより、反射共通電極２８及び反射画素電極２９を形成しない部分は凹凸に、反射共通電極２８及び反射画素電極２９を形成する部分は平坦になった凹凸膜２６が作成される。

このような凹凸膜２６を形成することにより、反射板４の上に形成する平坦化膜２７の膜厚に関わらず反射共通電極２８及び反射画素電極２９の直下の平坦化膜が平坦になる。

（実施形態５の効果）
反射共通電極２８及び反射画素電極２９の直下の平坦化膜２７が平坦になると、反射共通電極２８及び反射画素電極２９の表面も平坦となる。実施形態１〜３で示したように、反射共通電極２８及び反射画素電極２９は不透過の導電体、あるいは、不透過の導電体と反射防止層４０の２層膜で構成されるが、それぞれの電極の反射率は不透過の導電体がＭｏで形成されているときは６０％、不透過の導電体と反射防止層４０の２層膜がＣｒとＣｒ_２Ｏ_３で形成されているときは２６％である。したがって、電極直下の平坦化膜２７が平坦でない場合、それらの電極の表面も平坦ではないので、電極上で拡散反射が起こり、黒表示時の光漏れとして反射表示の視認性を落とすが、本実施形態５では上記拡散反射が抑えられる。電極上が平坦であると、電極に入射し反射する光は正反射成分が多くを占め、拡散反射光として認識されにくくなり、黒表示時の光漏れとしても観察されない。

（実施形態６）
図２５は、本発明の実施形態６に係る半透過型液晶表示装置の液晶パネルを形成する単位画素を断面した断面である。

本発明の実施形態６に係る液晶表示装置は、反射領域１の反射共通電極２８と透過領域２の透過共通電極１２とを有し、それぞれの電極２８，１２に異なる信号が与えられる半透過型液晶表示装置であって、反射領域１の対向基板８側に位相差層５０が形成されていることを特徴とするものである。

具体的に説明すると、本実施形態６では図２５に示すように、表示面側から見て、第１偏光板５１、対向基板８、位相差層５０、初期配向がホモジニアス配向の液晶層９、下部基板３及び第２偏光板５２を順次に有している。第１偏光板５１の光軸と第２偏光板５２の光軸とは、互いに直交している。また、液晶層９の電圧無印加時の液晶配向方向と、第１偏光板５２及び第２偏光板５２の光軸とは、直交又は平行である。

本実施形態６では図２５に示すように、反射領域１に対応して、第１偏光板５１と液晶層９との間に位相差層５０を有する。位相差層５０のリタデーションは、波長λ＝５５０ｎｍの光に対して、リタデーションが２分の１波長となるように設定する。

位相差層５０の光学軸と、第１偏光板５１の光軸との間の角度θ１は、０°＜θ１＜２２．５°の範囲の値とする。すなわち、位相差層５０の光学軸は、第１偏光板５１を透過して位相差層５０に入射する直線偏光の偏光方向に対して、θ１（０°＜θ１＜２２．５°）だけ傾けて配置する。

図２６に、位相差層５０の光学軸と第１偏光板５１から入射する直線偏光の方向との間の角度θ１と反射率との関係を示す。位相差層５０の位相差を波長５５０ｎｍの光でλ／２とした場合、反射領域１における反射率は、θ１が０°〜２２．５°の範囲で連続的に変化しており、２２．５°で反射率が０％となってしまう。よって、θ１は２２．５°未満に設定した。θ１＝０°のときは、第１偏光板５１を通過した直線偏光は、偏光状態が変化せずに、液晶層９を通過して反射板４に入射し、反射板４で反射して、液晶層９を通過して第１偏光板５１に戻ってくるので、反射率は最大となる。しかし、後述する広帯域化の効果が発生しない。よって、θ１は０°より大きくする。

位相差層５０の形成について説明する。まず、対向基板８上にポリイミド整合層を形成し、コーティングされたポリイミド層を焼成し、配向処理を行う。配向処理には、ラビングや光配向の手法が一般的に用いられる。次に、位相差層材料（液晶ポリマー）を、所望のレタデーションとなる膜厚で塗布する。この状態で、位相差層５０を形成する位相差層材料が配向方向に整列するので、室温の窒素雰囲気中で紫外線を照射し重合させる。更に、重合密度を上げるため、窒素雰囲気中で高温処理を行うことで位相差層５０を形成する。

続いて、反射領域１にのみ位相差層５０を残すように、パターニング処理を行う。その後、ＯＣ層を積層し、反射領域１と透過領域２とが所望のセルギャップとなるように調整を行う。位相差層５０は、液晶ポリマーを用いて基板の外側や内側に形成することが可能であるが、反射領域１に所望の配向方向とリタデーションとを得るものであれば、他の素材や工法であってもかまわない。このようなパターニングされた局所的な位相差層のリタデーションの測定方法としては、セナルモン法がある。

（実施形態６の動作の説明）
図２７（ａ）及び（ｂ）は、黒表示時の反射領域１と透過領域２とにおける光の偏光状態の様子を示している。ここでは、例として、第１偏光板５１の光軸を９０°、電圧無印加時の液晶配向方向を９０°、位相差層５０の光学軸を９５°（θ１＝５°）として説明する。また、位相差層５０の異常光方向の屈折率をｎｅ、常光方向の屈折率をｎｏとしたとき、複屈折率Δｎ＝ｎｅ−ｎｏ＞０で、位相差層５０の厚みをｄとして、Δｎｄ＝λ／２であるとする。反射領域１では、液晶層に電界が印加された状態で、反射領域１内の液晶層９の液晶分子が、配列方向がほぼ４５°−２θ１＝３５°回転するように、画素電極２９と共通電極２８との間隔、及び、電位差が設定されている。

反射領域１では、図２７（ａ）に示すように、外部から第１偏光板５１を通過した９０°方向の直線偏光は、位相差層５０を通過する際に偏光状態が変化して、入射直線方向から１０°回転した１００°方向の偏光となって液晶層９に入射する。液晶層９は、電圧印加状態で、初期配向方向から３５°回転しており、液晶層９に入射した光の偏光方向（１００°）と、液晶配向方向（９０°−３５°＝５５°）との差は、４５°となる。液晶層９のリタデーションを、初期配向方向から３５°回転させた状態でほぼλ／４となるように調整しておくことで、液晶層９に入射した１００°方向の直線偏光は、右回りの円偏光となって、反射板４に入射する。

反射板４に入射した右回りの円偏光は、反射板４で反射して左回りの円偏光となって、液晶層９に再び入射する。反射板４からの反射光は、液晶層９を通過して、第１偏光板５１側から液晶層９に入射した直線偏光から偏光方向が９０°回転した直線偏光（１９０°＝１０°）となって、位相差層５０に入射する。この入射光と、位相差層５０の光学軸との間の角度は８５°であるので、位相差層５０から第１偏光板５１に入射する直線偏光の偏光方向は１８０°（＝０°）となり、第１偏光板５１の光吸収軸と平行になる。従って、反射板４からの反射光は、第１偏光板５１を通過できず、反射領域１は黒表示となる。

位相差層５０には、複屈折が正の位相差層と、負の位相差層とを用いることができる。位相差層５０に、複屈折が正の位相差層を用いる場合は、液晶層９の複屈折も正であるので、互いの波長依存性が足し合わされることになり、位相差層９の複屈折をＲ，Ｇ，Ｂの各色に対して同じ値とすると、色つきが増幅されることになる。これを回避するためには、一画素内のＲ（６５０ｎｍ）、Ｇ（５５０ｎｍ）Ｂ（４５０ｎｍ）の各領域で、リタデーションを
〔ΔｎｄＲ（５５０）＞ΔｎｄＧ（５５０）＞ΔｎｄＢ（５５０）〕
の関係を満たすように設定すればよい。すなわち、Ｇ（５５０）領域の波長５５０ｎｍに対するリタデーションΔｎｄＧ（５５０）はλ／２として、Ｒ（６５０）領域のリタデーションΔｎｄＲ（５５０）をλ／２より大きくし、Ｂ（４５０）領域のリタデーションΔｎｄＢ（５５０）をλ／２よりも小さくすればよい。このようにすることで位相差層５０によって液晶層の波長分散性が打ち消され、広帯域化が可能である。

位相差層５０に、複屈折が負の位相差層を用いる場合は、同じ軸配置で用いれば、位相差層５０にて、液晶層９での偏光変化と逆方向に偏光変化するため、位相差層５０と液晶層９とでの波長分散による色付きを打ち消して、反射領域１の広帯域化が可能である。

（実施形態６の効果）
反射領域１を広帯域化した場合、色付きが打ち消される部分は反射共通電極２８と反射画素電極２９の間の部分のみであるので、電極２８，２９がＩＴＯのような透明導電体で形成されているときは、電極上の光漏れがノイズとなって色付きが打ち消された効果は表れにくかった。しかし、本実施形態６では、電極２８，２９上の光漏れが抑えられている構造であるので、電極２８，２９上の光漏れのノイズがなくなり、色付きが打ち消される効果が顕著に現れる。

（実施形態７）
図２８は、本発明の実施形態７に係る液晶表示装置の液晶パネルを形成する単位画素を断面した断面図である。

本実施形態７では図２８に示すように、対向基板８と下部基板３とにそれぞれ備えられた偏光板５１，５２と液晶層９との間に、２分の１波長の位相層５３，５４を備えている。

具体的に説明すると、本実施形態７では図２８に示すように、表示面側から見て、偏光板１１、２分の１波長の位相層５３、対向基板８、液晶層９、下部基板３、２分の１波長の位相層５４、及び、偏光板１５を順次に有する。この液晶表示装置は、単位画素内に、反射領域１と透過領域２とを有する半透過型液晶表示装置として構成される。

透過領域２では、黒表示時には、バックライト光源側から偏光板５２を通過した直線偏光が、２分の１波長の位相層５４、液晶層９、及び、２分の１波長の位相層５３を通過して、偏光板５１に入射する際に、その入射光が直線偏光となり、かつ、偏光方向が偏光板５１の吸収軸方向と一致するように、偏光軸や液晶分子長軸方向の配置角を設定する。

また、黒表示時の液晶層９の光学軸（光軸又は光軸＋９０°）方向と、液晶層９に入射する光の偏光方向との角度θ２を、０°＜θ２＜４５°、望ましくは０°＜θ２≦２２．５°の範囲に設定する。以下では、偏光板５１の光透過方向を２７°、第１λ／２板１８の光軸方向を１０９．５°、第２偏光板１５の光透過方向を６３°、２分の１波長の位相層５４の光軸方向を７０．５°、液晶層９の電圧無印加時の分子長軸方向を９０°、２分の１波長の位相層５４から液晶層９へ入射する直線偏光と液晶光学軸方向（長軸方向）との角度θ２を１２°として説明する。

（実施形態７の動作の説明）
図２８（ａ）及び（ｂ）は、黒表示時の反射領域１と透過領域２とにおける光の偏光状態の様子を示している。反射領域１内の液晶層９の液晶分子は、画素電極２９と共通電極２８との間の電界により、配列方向が４５°−θ２（１２°）＝３３°回転する。すなわち、分子長軸方向が、９０°から５７°方向へ変化する。

反射領域１では、図２９（ａ）に示すように、外部から偏光板５１を通過した２７°偏光の直線偏光は、２分の１波長の位相層５３を通過する際に偏光方向が１２°に変化し、液晶光学軸に対して４５°の角度で入射する。この入射光は、液晶層９を通過する際に偏光状態が変化して、左回りの円偏光となり、反射板４で反射して右回りの円偏光となって液晶層９を再び通過して１０２°偏光の直線偏光となり、２分の１波長の位相層５３を通過して１１７°の直線偏光となる。従って、反射板４による反射光は、偏光板５１を通過できず、反射領域１が黒表示となる。

一方、透過領域２では、透過領域２内の液晶層９の液晶分子の配列方向は９０°のままである。透過領域２２では、図２９（ｂ）に示すように、偏光板５２を通過した６３°偏光の直線偏光は、２分の１波長の位相層５４を通過して偏光方向が７８°となって液晶層９に入射する。液晶層９の分視長軸方向は９０°であるため、液晶層９に７８°の直線偏光で入射した入射光は、液晶層９を通過して、１０２°の直線偏光となる。この１０２°の直線偏光は、２分の１波長の位相層５３を通過して１１７°偏光となり、光透過軸方向が２７°の偏光板５１を通過することができない。従って、透過領域２が黒表示となる。

黒表示時、反射領域１においては、２分の１波長の位相層を配置したことにより、反射領域の液晶層９での波長分散性を抑えることができ、透過領域２においては液晶層９の配向方向と、液晶層９に入射する光の偏光方向が０°＜θ２＜４５°、あるいは０°＜θ２≦２２．５°としているので、反射領域と同様に液晶層９の波長分散性の影響を抑えることができる。

（実施形態７の効果）
反射領域を広帯域化した場合、色付きが打ち消される部分は反射共通電極と反射画素電極の間の部分のみであるので、電極がＩＴＯのような透明導電体で形成されているときは、電極２８，２９上の光漏れがノイズとなって色付きが打ち消された効果は表れにくかった。しかし、本実施形態６は、電極２８，２９上の光漏れが抑えられている構造であるので、電極２８，２９上の光漏れのノイズがなくなり、色付きが打ち消される効果が顕著に現れる。また、実施形態６に比べ、位相差層をパターニングする必要がないので、製造工程の削減が可能である。

（実施形態８）
本発明の実施形態８に係る液晶表示装置は、図３０及び図３１に示すように、基本的な構成として、液晶パネルを形成する単位画素内に反射領域１があり、反射領域１が横電界方式かつノーマリホワイトで駆動され、反射領域１の液晶層９に電界を形成する駆動電極（反射共通電極２８及び反射画素電極２９）が反射板４上に絶縁膜（平坦化膜２７）を介して設けられ、前記駆動電極が不透過の導電体と酸化物の積層構造で形成されていることを特徴とするものである。

本実施形態により、黒表示時の光漏れを抑制し、反射領域の電極のパターニングを精度よく実施できる効果の他、反射板４が走査線２１又はデータ線２０と同じ膜から形成されるため、製造工程において、反射板作製のための成膜と、レジスト塗布、露光、現像、エッチングといった一連の工程が削減できるので、下部基板の製造コストと製作時間の減少効果を得る。

また、反射共通電極２８及び反射画素電極２９の上面に反射防止層を形成することによって、液晶層９から反射共通電極２８及び反射画素電極２９に入射して反射する光に対しての光量を抑制することができる。したがって、反射領域１の黒表示において、反射共通電極２８及び反射画素電極２９からの反射を抑制することにより、高いコントラスト比を得ることができる。

液晶層９に対しての電極のコントラスト比を検証するため、不透過の導電体と反射防止層の光学定数をエリプソメータによって測定した。図４８には、実際に測定を行った、代表的な材料の屈折率ｎと消光係数ｋ示している。なお、いずれの値も波長５５０ｎｍにおける値を用いている。これらの光学定数を用い、液晶層９，反射防止層，不透過の導電体の３層での反射防止層の厚さを変化させた場合の反射率をコンピュータシミュレーションによって算出した。

図２１に示したように、電極上の反射率が小さくなると反射コントラスト比は大きくなる。そこで、コンピュータシミュレーションによって反射率を算出し、反射率を減少させるために望まれる、導電体の屈折率ｎと消光係数ｋ、および反射防止層（反射防止膜）の屈折率ｎと消光係数ｋの値の範囲を検討した。シミュレーションで適用した層構造は、液晶層／導電体（２００ｎｍ）、または液晶層／反射防止層（８０ｎｍ）／導電体（２００ｎｍ）を適用した。反射率はいずれの場合も波長５５０ｎｍで評価した。

はじめに不透過の導電体１層について、液晶層／導電体（２００ｎｍ）とした場合のシミュレーションを行った。図４９に、種々の消光係数ｋにおいて、導電体の屈折率ｎを変化させた場合の反射率Ｒを示す。いずれも屈折率ｎの増加に伴って反射率Ｒが減少する傾向が示された。
図５０に、種々の屈折率ｎにおいて、導電体の消光係数ｋを変化させた場合の反射率Ｒを示す。いずれの場合も、消光係数ｋは０．５以下で極小値を持ち、その後増加に伴って反射率Ｒが増加した。これらの結果から、消光係数ｋと屈折率ｎはお互いに影響しあうが、反射率Ｒを低下させるのに望ましい範囲は、図４９におけるｋ＝０.２５の曲線および図５０におけるｎ＝１．５０の曲線をベースに、不透過の導電体が屈折率ｎ＝１．０〜４．０、消光係数ｋ＝０．２５〜５．５の範囲であるとコントラスト比は増加し、さらに望ましくはｎ＝１．３〜２．５、ｋ＝１．６〜３．３の範囲であれば、さらに高いコントラスト比が得られることがわかった。

次に、前述の不透過の導電体1層のシミュレーション結果に基づき、反射防止層と不透過の導電体の２層について、液晶層／反射防止層（８０ｎｍ）／導電体（２００ｎｍ）構造におけるシミュレーションを行った。なお導電体の屈折率ｎ＝１．９、消光係数ｋ＝２．４５とした。
図５１に、反射防止層の屈折率ｎに対する反射率Ｒを検討した結果を示す。反射防止膜の屈折率ｎが増加するに従い、反射率は対数関数的に減少することが示された。この傾向は、異なる消光係数ｋでも同じであり、同じ屈折率であれば、消光係数ｋを小さくすると反射率Ｒが小さくなることが示された。
図５２に、反射防止層の消光係数ｋと反射率Ｒを検討した結果を示す。反射防止層の消光係数ｋが増加するに従い、反射率Ｒは急激に減少したあと、緩やかに増加した。図には異なる屈折率ｎのケースを示しているが、いずれも同じ傾向を示しているが、ｎが増加するほど反射率Ｒは小さくなることが明らかになった。

これらの結果を踏まえ、前述の不透過の導電体の、コントラスト比が増加する屈折率ｎ、消光係数ｋに加え、反射防止層が、屈折率ｎ＝１．５〜３．０、消光係数ｋ＝０〜３．５の範囲であるとコントラスト比が増加し、さらに望ましくはｎ＝２．０〜３．０、ｋ＝０．０１〜２．０の範囲であれば、現実的に一層高いコントラスト比を得ることがわかった。

これらのシミュレーション等の検討結果から、同一の材料であっても、成膜方法（蒸着、スパッタリング、ＭＢＥ等）によっても、また同一の成膜方法であっても条件によって（たとえば、スパッタリングであれば、ガス圧力、基板温度、ターゲットと基板の距離など）によって、屈折率ｎや消光係数ｋがばらつく事がわかったが、それらの変動から、材料それぞれ（不透過の導電体と反射防止層）の光学定数の関係が、コントラスト比に大きな影響を及ぼしていることを見出した。

さらに、前述のシミュレーションでは、液晶層９に対して、反射防止層と不透過の導電体との２層であるが、この２層の間に、前述の光学定数の範囲の値を持つ層が挿入されても、同様のコントラスト比を高くする効果があるので、３層以上の積層でも、反射防止層と不透過の導電体の間が傾斜分布（反射防止層と不透過の導電体の両者の材料が、深さ方向に対して徐々に比率が変化している構造）でもよい。

次に、実施形態８について、図３２及び図３３の電極構造及び反射板構造の断面図を用いて説明する。図３２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、電極構造の断面図を示している。図３３（ｄ）、（ｅ）は、反射板構造の断面図を示している。

はじめに、図３２（ａ）を用いて電極構造について説明する。トランスファ配線１０５ｚに対して、反射画素電極２９ａ，２９ｂが形成される。反射画素電極２９ａは不透過の金属材料で形成され、反射画素電極２９ｂは反射防止効果を生じる低反射率材料で形成される。この構造では、トランスファ配線１０５ｚに対する第２コンタクトホール４２が形成された後、不透過の導電体材料が成膜され、レジストパターンニング後にエッチングとレジスト剥離とが行われて反射画素電極２９ａが形成される。そして、低反射率材料が成膜され、レジストパターンニング後にエッチングとレジスト剥離とが行われて反射画素電極２９ｂが形成される。

次に、他の電極構造について、図３２（ｂ）を用いて説明する。トランスファ配線１０５ｚに対して、反射画素電極２９ｃ，２９ｄ，２９ｅが形成される。反射画素電極２９ｄは不透過の金属材料で形成され、反射画素電極２９ｃ，２９ｅは反射防止効果を生じる低反射率材料で形成される。この構造では、トランスファ配線１０５ｚに対する第２コンタクトホール４２が形成された後、低反射率材料が成膜され、レジストパターンニング後にエッチングとレジスト剥離とが行われて反射画素電極２９ｃが形成される。そして、不透過の導電体材料と低反射率材料とが積層で成膜され、レジストパターンニング後にエッチングとレジスト剥離とが行われて反射画素電極２９ｄ，２９ｅが形成される。

次に、更に他の電極構造について、図３２（ｃ）を用いて説明する。トランスファ配線１０５ｚに対して、反射画素電極２９ｆ，２９ｇが形成される。反射画素電極２９ｆは不透過の金属材料で形成され、反射画素電極２９ｇは反射防止効果を生じる低反射率材料で形成される。この構造では、トランスファ配線１０５ｚに対する第２コンタクトホール４２が形成された後、不透過の導電体材料と低反射率材料とが積層で成膜され、レジストパターンニング後にエッチングとレジスト剥離とが行われて反射画素電極２９ｇ，２９ｆが形成される。

更に、反射板構造について、図３３（ｄ）を用いて説明する。ここでは、スイッチング素子１１０の一部と、それに繋がるトランスファ配線１０５ａと、トランスファ配線１０５ａと同層に形成されている反射板４ａとが示されている。この構造では、反射板４ａを作製する工程は、トランスファ配線１０５ａを作製する工程（データ線を作成する工程）と同一となる。そのため、レジストパターンニングの工程が反射板４ａを独立して形成する場合より少なくなるので、時間とコストの削減効果が得られる。

次に、他の反射板構造について、図３３（ｅ）を用いて説明する。ここでは、スイッチング素子１１０の一部と、それに繋がるトランスファ配線１０５ｃ及びゲート電極２１ａと、ゲート電極２１ａと同層に形成されている反射板４ｃとが示されている。この構造では、反射板４ｃを作製する工程は、ゲート電極２１ａを作製する工程（走査線を作成する工程）と同一となる。そのため、レジストパターンニングの工程が反射板４ｃを独立して形成する場合より少なくなるので、時間とコストの削減効果が得られる。

次に、本発明の実施形態８に係る液晶表示装置を、更に具体的な実施形態に基づいて詳細に説明する。

（実施形態８−１）
図３０は本発明の実施形態８−１に係る、液晶表示装置の液晶パネルを形成する単位画素を示す下部基板３の平面図、図３１は図３０中の太線Ａ−Ｃ−Ｂに沿う断面図である。前記単位画素は、反射領域１と透過領域２とを有し、液晶パネルにマトリクス状に設けられたデータ線２０と走査線２１によってその対応範囲が区画されている。

（平面構造の図面に基づく電気的接続の説明）
図３０を使用して説明を行う。単位画素に対応したスイッチング素子１１０は、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、多結晶シリコン層１０２を備え、走査線２１とデータ線２０との交点付近に設けられている。反射領域１及び透過領域２は、それぞれスイッチング素子１１０によって駆動される。

ゲート電極は走査線２１に、ドレイン電極は第１コンタクトホール４１を介してデータ線２０に、それぞれ電気的に接続されている。ソース電極は、第１コンタクトホール４１を介してトランスファ配線１０５に一旦接続され、続いて第２コンタクトホール４２を介して反射画素電極２９又は透過画素電極１１に、電気的に接続されている。更に、反射共通配線８０は、第１コンタクトホール４１を介してトランスファ配線１０５に接続され、更に第２コンタクトホール４２を介して反射共通電極２８に電気的に接続されている。同様に、透過共通配線２３も、トランスファ配線１０５を通して透過共通電極１２に電気的に接続されている。なお、第１コンタクトホール４１及び第２コンタクトホール４２は、数が多いので、それぞれ一つにのみ符号を付す（以下同様）。

反射共通電極２８と反射画素電極２９とは、互いに平行にかつ対向して形成されている。反射領域１上の液晶層９（図３１）、共通電極２８と反射画素電極２９との間の電界によって横方向電界モードとして駆動される。同様に、透過共通電極１２と透過画素電極１１とは、互いに平行にかつ対向して形成されている。透過領域２上の液晶層９（図３１）は、透過共通電極１２と透過画素電極１１と間の電界によって横方向電界モードとして駆動される。

（第１の反射板作製方法）
図３１を参照し、下部基板３の作製プロセスについて下層から上層に向かって詳細な説明を行う。はじめにガラス基板１４上に下地窒化シリコン膜１００をプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）によって５０ｎｍの厚さで成膜し、続いて下地酸化シリコン膜１０１を１００ｎｍの厚さで成膜する。その上にアモルファスシリコン膜を５０ｎｍの厚さで成膜し、脱水素処理ののち、イオン注入によってホウ素を５×１０１２ｃｍ^−２程度の濃度で注入することにより、薄膜トランジスタのチャネル不純物濃度を制御する。その後、エキシマレーザアニールによって、すなわちＸｅＣｌエキシマレーザ光を４３０ｍＪ・ｃｍ^−２程度の強度で照射することによって、アモルファスシリコン膜を多結晶シリコン層１０２へと変化させる。続いて、レジスト塗布、露光、現像を行ってレジストパターンニングを行い（以降、レジスト塗布から現像までの手順を「レジストパターンニング」と略す。）、ドライエッチングによって多結晶シリコン層１０２を島状に加工したあとレジストを剥離する。スイッチング素子１１０である薄膜トランジスタのソース領域及びドレイン領域に対して、レジストパターンニング後、ホウ素を２×１０１５ｃｍ−２程度の濃度でドーピングする。レジスト剥離ののち、ＴＥＯＳ(Tetraethoxysilane)を用いたプラズマＣＶＤによって、ゲート酸化膜１０３を１２０ｎｍの厚さに成膜する。

ゲート酸化膜１０３を成膜した後、プラズマＣＶＤによってマイクロクリスタルシリコンを１００ｎｍ成膜し、スパッタによってＣｒを２００ｎｍ成膜する。その後、レジストパターンニングを行い、ドライエッチングによってゲート及び走査線２１、反射共通配線８０、透過共通配線２３を形成する。レジスト剥離後、イオン注入（ホウ素濃度３×１０^１３ｃｍ^−２程度）を行うことにより、薄膜トランジスタのＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を形成する。続いて、窒化シリコン膜１０６をプラズマＣＶＤによって４００ｎｍ成膜し、更に活性化処理（温度４５０℃かつ６０分）を行う。続いて、水素化処理（３９０℃かつ３０分）を行う。

更に、反射領域１に対応する部分に、表面に凹凸形状を有する凹凸膜２６ａ形成のため、ノボラック有機膜を１μｍの厚さに塗布する。そして、レジストパターンニングを実施して２３０℃かつ２時間の焼成を行って、滑らかな凹凸膜２６ａを形成する。次に、第１コンタクトホール４１の形成のためのレジストパターンニングを行い、ドライエッチング及びウェットエッチングを行った後、レジスト剥離を行う。

第１コンタクトホール４１を形成した後、Ａｌ−１．５ｗｔ％Ｓｉを３００ｎｍの厚さでスパッタし、レジストパターンニングを行ってドライエッチング後、レジスト剥離を行う。この工程によって、反射板４ａ、データ線２０ａ、トランスファ配線１０５ａを形成する。

反射領域１に対応する部分に形成される反射板４ａは、凹凸膜２６ａ上に形成されることにより、その表面が凹凸膜２６ａの形状にならって凹凸形状となるので、液晶パネルに入射した光を拡散反射させる。更にＰＭＭＡ（polymethyl methacrylate）を１μｍの厚さに塗布し、２５０℃かつ１時間の焼成を行うことにより、平坦化膜２７を形成する。その後、第２コンタクトホール４２の形成のためのレジストパターンニングを行い、ドライエッチング後にレジスト剥離を行うことにより、トランスファ配線１０５ａ上に第２コンタクトホール４２を形成する。凹凸膜２６ａと平坦化膜２７とは、透過領域２と反射領域１との液晶層９の厚さを設定する機能も有する。透過領域２と反射領域１との段差は、反射領域１の位相差を考慮したおよそ１μｍの厚さである。第２コンタクトホール４２が形成されるまでのレジストパターンニング回数は、７回である。

また、図３０におけるトランスファ配線１０５、反射板４、反射板４の下部層で図示されていない凹凸膜２６、データ線２０は、本反射板作製方法を示す図３１のそれぞれトランスファ配線１０５ａ、反射板４ａ、凹凸膜２６ａ、データ線２０ａと対応し、これらと同一の機能を有している。

（第１の電極作製方法）
第２コンタクトホール４２を形成した後、平坦化膜２７上にスパッタによってＴｉを２００ｎｍの厚さで成膜する。その後、レジストパターンニングを行い、透過共通電極１２ａ及び透過画素電極１１ａとなる第２コンタクトホール４２の部分と、反射共通電極２８ａ及び反射画素電極２９ａとなる部分とを残して、その他の領域とをドライエッチングで除去する。レジスト剥離後、反射防止の効果が最も高い４０ｎｍの厚さにＩＴＯをスパッタ成膜し、レジストパターンニングを行って、ウェットエッチング及びレジスト剥離を行うことにより、透過共通電極１２ｂ及び透過画素電極１１ｂの全面と、反射共通電極２８ｂ、反射画素電極２９ｂとを形成する。

以上の工程を経ることにより、平坦化膜２７上の反射領域１の反射共通電極２８ａ，２８ｂ及び反射画素電極２９ａ，２９ｂは、上部が反射防止機能を持った導電体（ＩＴＯ）、下部が不透過の導電体（Ｔｉ）で形成される。一方、透過領域２の透過共通電極１２ａ，１２ｂ及び透過画素電極１１ａ，１１ｂは、第２コンタクトホール４２の領域を除いてＩＴＯの単層で形成される。この電極作製方法ではレジストパターンニングは２回である。

また図３０における反射共通電極２８、反射画素電極２９、透過共通電極１２、透過画素電極１１は、本電極作製方法を示す図３１のそれぞれ反射共通電極２８ａ，２８ｂ、反射画素電極２９ａ，２９ｂ、透過共通電極１２ａ、１２ｂ、透過画素電極１１ａ、１１ｂと対応し、これらと同一の機能を有している。

（本実施形態の効果）
本方式によれば、透過領域２の透過共通電極１２ｂ及び透過画素電極１１ｂはＩＴＯで形成されるので、透過領域２の透過率は減少しない効果が得られる。一方、反射領域１の反射共通電極２８ａ，２８ｂ及び反射画素電極２９ａ，２９ｂは、反射共通電極２８ｂ及び反射画素電極２９ｂによって干渉効果が表れることにより、液晶層９から入射する光に対して、電極表面での反射の指標である「電極反射率」（以降「反射率」という。）が９％となり、反射率の低減効果が得られる。また、反射共通電極２８ａ，２９ａは、反射板４ａを反射した光を遮光する効果もある。その結果、図２１から、反射領域１のコントラスト比は約２２となり、Ｔｉ単層の場合のコントラスト比、約１３と比較して大幅な改善効果が得られた。

また、反射板の作製工程において、反射板４ａがデータ線２０ａ及びトランスファ配線１０５ａと同じ工程で形成されるので、反射板４ａを独立して形成する場合と比較して成膜、レジストパターンニング、エッチングの各工程数が１回分減り、本実施形態の総レジストパターンニング回数は９回となり、作製時間やコストの削減できるという効果がある。

ここで、本実施形態で使用したＴｉ−ＩＴＯの組み合わせであれば、４０ｎｍのときが最小反射率９％であるから、図２１から反射率９％のときのコントラスト比を読み取り、コントラスト比は約２２となる。最良の材料の組み合わせは、前記コントラスト比のみで決定されるものではなく、加工安定性も加味しなければならない。ＩＴＯは、Ｃｒ，Ｎｉ合金，Ｍｏ，Ｔｉいずれの組み合わせにおいても、膜厚変化に対する反射率変動（±５ｎｍの範囲で、反射率のバラツキ１％程度以内）が緩やかであるため、膜厚変動に対するプロセスの裕度が広いという利点がある。その結果、Ｔｉ−ＩＴＯの組み合わせが最良であると言える。

更に、Ｔｉ−Ｃｒの酸化物の組み合わせでは、最小反射率＝６％（最小反射率での膜厚＝３０ｎｍ）でコントラスト比約３５である。加工安定性に課題はあるがコントラストを最も高くすることができるので、この組み合わせが第２の選択肢である。

また、Ｔｉ−Ｎｉ合金の酸化物の組み合わせでは、最小反射率＝８％（最小反射率での膜厚＝３０ｎｍ）でコントラスト約２５である。これも加工安定性に課題があるが、第３の選択肢である。

Ｔｉ―ＩＴＯの組み合わせを第２乃至第３の選択肢の組み合わせに読み替え、実施形態８−２乃至８−１５について適用できる。また、ここで示した他の組み合わせにおいて、最小反射率を得るための膜厚を使用して実施できる。

（実施形態８−２）
（第１’の反射板作製方法）
図３４は、図３０に示される平面構造を他の構成で実施した場合の太線Ａ−Ｃ−Ｂに沿った断面図である。本実施形態は、実施形態１−１における、第１コンタクトホール４１の形成までは同一であるので、これ以降の説明を行う。

第１コンタクトホール４１を形成した後、Ａｌ−２ａｔ％Ｎｉ−０．３５ａｔ％Ｌａを３００ｎｍの厚さでスパッタし、レジストパターンニングを行ってドライエッチング後、レジスト剥離を行う。この工程によって、反射板４ｂ、データ線２０ｂ、トランスファ配線１０５ｂが形成される。ここで、Ａｌ−２ａｔ％Ｎｉ−０．３５ａｔ％Ｌａを用いるのは、その上の配線として使用するＩＴＯ膜に対して良好な導電性を得るためである。

通常のＡｌ材料では、そのＡｌ材料とＩＴＯとの界面に絶縁性の酸化アルミニウムが容易に形成されるので、安定した導通が得られない。一方、反射板４ｂの表面の光学的な反射率を高めるためには、Ａｌを主成分とする材料であることが望ましい。しかし、通常のＡｌ材を用いると、前述したようにＡｌとＩＴＯとの接触コンタクト抵抗が増大する。そのため、ＡｌとＩＴＯとの間にバリア金属としてＴｉ、ＴｉＮ、Ｗ、Ｍｏなどの材料を用いる。

本実施形態においては、上記バリア金属を必要としないＡｌＮｉＬａ合金を用いることで、コンタクト抵抗増大の防止と反射特性の確保とを同時に満たすことが可能となる。

反射領域１に対応する部分に形成される反射板４ｂは、凹凸膜２６ｂ上に形成されるので、その表面は凹凸膜２６ｂの形状にならって凹凸形状となり、液晶パネルに入射した光を拡散反射させる。更にＰＭＭＡを１μｍの厚さに塗布し、２５０℃かつ１時間の焼成を行うことにより、平坦化膜２７を形成する。続いて、第２コンタクトホール４２の形成のためのレジストパターンニングを行い、ドライエッチング後にレジスト剥離を行うことにより、トランスファ配線１０５ｂ上に第２コンタクトホール４２を形成する。凹凸膜２６ｂと平坦化膜２７とは、透過領域２と反射領域１との液晶層９の厚さを設定する機能も有する。透過領域２と反射領域１との段差は、反射領域１の位相差を考慮したおよそ１μｍの厚さである。第２コンタクトホール４２が形成されるまでのレジストパターンニング回数は、７回である。

また、図３０におけるトランスファ配線１０５、反射板４、反射板４の下部層で図示されていない凹凸膜２６、データ線２０は、本反射板作製方法を示す図３４のそれぞれトランスファ配線１０５ｂ、反射板４ｂ、凹凸膜２６ｂ、データ線２０ｂと対応し、これらと同一の機能を有している。

（第２の電極作製方法）
第２コンタクトホール４２を形成した後、平坦化膜２７上にスパッタによってＩＴＯを４０ｎｍの厚さに成膜する。そのあと、透過領域２の透過共通電極１２ｃ及び透過画素電極１１ｃとなる部分と、反射共通電極２８ｃ及び反射画素電極２９ｃとなる第２コンタクトホール４２の開口部とに、ＩＴＯ膜が残るようにレジストパターンニングを行い、これ以外の領域をウェットエッチングで除去する。ここで、反射共通電極２８ｃ及び反射画素電極２９ｃとなる第２コンタクトホール４２の開口部にＩＴＯ膜を残す理由は、第２コンタクトホール４２の底の材料であるＡｌ系材料を、ＩＴＯ膜を除去するためのウェットエッチング液（王水）から保護するためである。

レジストを剥離した後、Ｔｉを２００ｎｍの厚さにスパッタ成膜し、続いて反射防止の効果が最も高い４０ｎｍの厚さにＩＴＯをスパッタ成膜する。そして、反射共通電極２８ｄ，２８ｅ及び反射画素電極２９ｄ，２９ｅの領域のみ残るようにレジストパターンニングを行い、ウェットエッチングでＩＴＯを除去し、ドライエッチングでＴｉを除去した後にレジスト剥離を行うことにより、工程が完了する。

本実施形態では、平坦化膜２７上の反射領域１の反射共通電極２８ｄ，２８ｅ及び反射画素電極２９ｄ，２９ｅは、ＩＴＯとＴｉとの積層構造となる。一方、透過領域２の透過共通電極１２ｃ及び透過画素電極１１ｃは、ＩＴＯの単層となる。この電極作製方法ではレジストパターンニングは２回である。

また、図３０における反射共通電極２８、反射画素電極２９、透過共通電極１２、透過画素電極１１は、本電極作製方法を示す図５のそれぞれ反射共通電極２８ｄ，２８ｅ、反射画素電極２９ｄ，２９ｅ、透過共通電極１２ｄ、１２ｅ、透過画素電極１１ｃ、１１ｃと対応し、これらと同一の機能を有している。

（本実施形態の効果）
本方式によれば、透過領域２の透過共通電極１２ｃ及び透過画素電極１１ｃはＩＴＯで形成されるので、透過領域２の透過率は減少しない効果が得られる。一方、反射領域１の反射共通電極２８ｄ，２８ｅ及び反射画素電極２９ｄ，２９ｅは、反射共通電極２８ｅ及び反射画素電極２９ｅによって干渉効果が表れ、液晶層９から入射する光に対して、反射率は９％となり、反射率の低減効果が得られる。また、反射共通電極２８ｄ及び反射画素電極２９ｄは、反射板４ｂを反射した光を遮光する効果もある。その結果、反射領域１のコントラスト比は約２２となり、Ｔｉ単層の場合のコントラスト比、約１３と比較して大幅な改善効果が得られた。

また、反射板の作製工程において、反射板４ｂはデータ線２０ｂ及びトランスファ配線１０５ｂと同じ工程で形成されるので、反射板４ｂを独立して形成する場合と比較して、成膜、レジストパターンニング、エッチングの各工程数が１回分減った結果、本実施形態の総レジストパターンニング回数は９回となり、作製時間やコストの削減できるという効果がある。

（実施形態８−３）
図３５は、図３０に示される平面構造を更に他の構成で実施した場合の太線Ａ−Ｃ−Ｂに沿った断面図である。本実施形態は、実施形態８−１における、第２コンタクトホール４２の形成工程までは同一であるので、これ以降の説明を行う。

（第３の電極作製方法）
第２コンタクトホール４２を形成した後、平坦化膜２７上に、Ｔｉを２００ｎｍの厚さにスパッタ成膜し、続いて反射防止の効果が最も高い４０ｎｍの厚さにＩＴＯをスパッタ成膜する。次に、透過共通電極１２ｆ，１２ｇ、透過画素電極１１ｆ，１１ｇ、反射共通電極２８ｆ，２８ｇ及び反射画素電極２９ｆ，２９ｇとなる部分以外の領域を除去するようにレジストパターンニングを行い、まずウェットエッチングでＩＴＯ膜を除去し、ドライエッチングによってＴｉ膜を除去し、レジストを剥離することにより工程が完了する。

本実施形態では、平坦化膜２７上の反射領域１の反射共通電極２８ｆ，２８ｇ及び反射画素電極２９ｆ，２９ｇ、並びに透過領域２の透過共通電極１２ｆ，１２ｇ及び透過画素電極１１ｆ，１１ｇは、全て上部ＩＴＯと下部Ｔｉとの積層構造となる。この電極作製方法ではレジストパターンニングは１回である。

また、図３０における反射共通電極２８、反射画素電極２９、透過共通電極１２、透過画素電極１１は、本電極作製方法を示す図３５のそれぞれ反射共通電極２８ｆ，２８ｇ、反射画素電極２９ｆ，２９ｇ、透過共通電極１２ｆ、１２ｇ、透過画素電極１１ｆ、１１ｇと対応し、これらの同一の機能を有している。

（本実施形態の効果）
本方式によれば、実施形態８−１と同様に、反射領域１の反射共通電極２８ｆ，２８ｇ及び反射画素電極２９ｆ，２９ｇは、反射共通電極２８ｇ及び反射画素電極２９ｇによって干渉効果が表れ、液晶層９から入射する光に対して、反射率は９％となり、反射率の低減効果が得られる。また、反射共通電極２８ｆ及び反射画素電極２９ｆは、反射板４ａを反射した光を遮光する効果もある。その結果、反射領域１のコントラスト比は約２２となり、Ｔｉ単層の場合のコントラスト比、約１３と比較して大幅な改善効果が得られた。

また、本実施形態の反射板の作製工程において、反射板４ａをデータ線２０ａ及びトランスファ配線１０５ａが同じ工程で形成するため、反射板４ａを独立して形成する場合と比較して成膜、レジストパターンニング、エッチングの各工程数が１回分減る利点がある。更に実施形態８−１、２と比較すれば、電極作製工程において、１回のレジストパターンニングによって、反射領域１の反射共通電極２８ｆ，２８ｇ及び反射画素電極２９ｆ，２９ｇ、並びに透過領域２の透過画素電極１１ｆ，１１ｇ及び透過共通電極１２ｆ，１２ｇが作製される。そのため、レジストパターンニング、エッチングの各工程数が１回分削減された結果、総レジストパターンニング回数は８回となり、一層の作製時間やコストの削減できるという効果がある。

（実施形態８−４）
図３６は、図３０に示される平面構造を更に他の構成で実施した場合の太線Ａ−Ｃ−Ｂに沿った断面図である。本実施形態は、実施形態８−１における、第２コンタクトホール４２の形成工程までは同一であるので、これ以降の説明を行う。

（第４の電極作製方法）
第２コンタクトホール４２を形成した後、平坦化膜２７上に、Ｔｉを２００ｎｍの厚さにスパッタ成膜する。反射領域１の反射共通電極２８ｈ及び反射画素電極２９ｈとなる部分と、透過領域２の透過共通電極１２ｈ及び透過画素電極１１ｈとなる第２コンタクトホール４２付近とを残し、これ以外の領域を除去するようにレジストパターンニングを行い、ドライエッチングによってＴｉ膜を除去する。

レジストを剥離した後、４０ｎｍの厚さにＩＴＯをスパッタ成膜し、透過共通電極１２ｉ及び透過画素電極１１ｉとなる部分を残し、これ以外の領域を除去するようにレジストパターンニングを行い、ウェットエッチングでＩＴＯ膜を除去したのちにレジストを剥離して工程が完了する。ここで、透過共通電極１２ｈ及び透過画素電極１１ｈの第２コンタクトホール４２付近にＴｉ膜を残す理由は、そうしないと第２コンタクトホール４２下のトランスファ配線１０５ａのＡｌ材料とＩＴＯとの界面に絶縁性の酸化アルミニウムが容易に形成されるので、安定した導通が得られないためである。

本実施形態では、反射領域１の反射共通電極２８ｈ及び反射画素電極２９ｈはＴｉ膜単層構造となり、透過領域２の透過共通電極１２ｉ及び透過画素電極１１ｉはＩＴＯ膜単層構造となる。この電極作製方法ではレジストパターンニングは２回である。

また、図３０における反射共通電極２８、反射画素電極２９、透過共通電極１２、透過画素電極１１は、本電極作製方法を示す図３６のそれぞれ反射共通電極２８ｈ、反射画素電極２９ｈ、透過共通電極１２ｉ、透過画素電極１１ｉと対応し、これらと同一の機能を有している。

（本実施形態の効果）
本方式によれば、透過領域２の透過共通電極１２ｉ及び透過画素電極１１ｉはＩＴＯで形成されるので、透過領域２の透過率は減少しない効果が得られる。一方、反射領域１の反射共通電極２８ｈと反射画素電極２９ｈは、反射板４ａを反射した光を遮光する効果がある。その結果、反射領域１のコントラスト比は約１３となり、ＩＴＯ単層の場合のコントラスト比、約５と比較して改善効果が得られた。

また、反射板４ａの作製工程において、反射板４ａがデータ線２０ａ及びトランスファ配線１０５ａと同じ工程で形成されるため、反射板４ａを独立して形成する場合と比較して成膜、レジストパターンニング、エッチングの各工程数が１回分減った結果、本実施形態の総レジストパターンニング回数は９回となり、作製時間やコストの削減できるという効果がある。

（実施形態８−５）
図３７は、図３０に示される平面構造を更に他の構成で実施した場合の太線Ａ−Ｃ−Ｂに沿った断面図である。本実施形態は、実施形態１−２における、第２コンタクトホール４２の形成工程までは同一であるので、これ以降の説明を行う。

（第５の電極作製方法）
第２コンタクトホール４２を形成した後、平坦化膜２７上に、４０ｎｍの厚さにＩＴＯをスパッタ成膜し、透過領域２の透過共通電極１２ｊ及び透過画素電極１１ｊとなる部分と、反射領域１の反射共通電極２８ｊ及び反射画素電極２９ｊとなる第２コンタクトホール４２付近とを残し、これ以外の領域を除去するようにレジストパターンニングを行い、ウェットエッチングでＩＴＯ膜を除去する。レジスト剥離後、Ｔｉを２００ｎｍの厚さにスパッタ成膜する。続いて、反射領域１の反射共通電極２８ｋ及び反射画素電極２９ｋとなる部分以外の領域が除去されるようにレジストパターンニングを行い、ドライエッチングによってＴｉ膜を除去する。そののちにレジストを剥離して工程が完了する。

本実施形態では、反射領域１の反射共通電極２８ｋ及び反射画素電極２９ｋはＴｉ膜単層構造となり、透過領域２の透過共通電極１２ｊ及び透過画素電極１１ｊはＩＴＯ膜単層構造となる。この電極作製方法ではレジストパターンニングは２回である。

また、図３０における反射共通電極２８、反射画素電極２９、透過共通電極１２、透過画素電極１１は、本電極作製方法を示す図３７のそれぞれ反射共通電極２８ｊ、反射画素電極２９ｊ、透過共通電極１２ｋ、透過画素電極１１ｋと対応し、これらと同一の機能を有している。

（本実施形態の効果）
本方式によれば、透過領域２の透過共通電極１２ｊ及び透過画素電極１１ｊはＩＴＯで形成されるので、透過領域２の透過率は減少しない効果が得られる。一方、反射領域１の反射共通電極２８ｋ及び反射画素電極２９ｋは、反射板４ｂを反射した光を遮光する効果がある。その結果、反射領域１のコントラスト比は約１３となり、ＩＴＯ単層の場合のコントラスト比、約５と比較して改善効果が得られた。

また、反射板４ｂの作製工程において、反射板４ｂがデータ線２０ｂ及びトランスファ配線１０５ｂと同じ工程で形成されるため、反射板４ｂを独立して形成する場合と比較して成膜、レジストパターンニング、エッチングの各工程数が１回分減った結果、本実施形態の総レジストパターンニング回数は９回となり、作製時間やコストの削減できるという効果がある。

（実施形態８−６）
図３８は、図３０に示される平面構造を更に他の構成で実施した場合の太線Ａ−Ｃ−Ｂに沿った断面図である。本実施形態は、実施形態８−１における、第１コンタクトホール４１の形成までは同一であるので、これ以降の説明を行う。

（第２の反射板作製方法）
ゲート酸化膜１０３を成膜した後、活性化処理（温度４５０℃かつ６０分）を行う。続いて、水素化処理を３９０℃かつ３０分行う。続いて、反射領域１に対応する部分にノボラック有機膜を１μｍの厚さに塗布し、レジストパターンニングを実施して２３０℃かつ２時間の焼成を行うことにより、表面に滑らかな凹凸形状を有する凹凸膜２６ｃを形成する。

次に、Ａｌ−１．５ｗｔ％Ｓｉを２００ｎｍの厚さでスパッタし、レジストパターンニングを行ってドライエッチング、レジスト剥離を行う。この工程によって、反射共通配線８０ｃ、反射板４ｃ、ゲート電極、走査線２１ｃ、透過共通配線２３ｃが形成される。

反射領域１に対応する部分に形成される反射板４ｃは、凹凸膜２６ｃ上に形成されるので、その表面は凹凸膜２６ｃの形状にならって凹凸形状となり、液晶パネルに入射した光を拡散反射させる。レジスト剥離を行った後、上部に層間シリコン酸化膜１０４を成膜する。

次に、第１コンタクトホール４１の形成のためレジストパターンニングを行い、ドライエッチング及びウェットエッチングを行った後、レジスト剥離を行う。続いて、Ａｌ−１．５ｗｔ％Ｓｉを３００ｎｍの厚さでスパッタし、レジストパターンニングを行ってドライエッチングを行う。この工程によって、トランスファ配線１０５ｃ及びデータ線２０ｃが形成される。

レジストを剥離した後、プラズマＣＶＤによって窒化膜１０６を成膜し、更にＰＭＭＡを１μｍの厚さに塗布し、２５０℃で１時間の焼成を行って平坦化膜２７を形成する。続いて、第２コンタクトホール４２の形成のためのレジストパターンニングを行い、ドライエッチング後にレジスト剥離を行い、トランスファ配線１０５上に第２コンタクトホール４２を形成する。凹凸膜２６ｃと平坦化膜２７とは、透過領域２と反射領域１との液晶層９の厚さを設定する機能も有する。透過領域２と反射領域１との段差は、反射領域１の位相差を考慮したおよそ１μｍの厚さである。また、第２コンタクトホール４２が形成されるまでのレジストパターンニング回数は、７回である。

また、図３０におけるトランスファ配線１０５、データ線２０、反射共通配線８０、反射板４、反射板４の下部層で図示されていない凹凸膜２６、走査線２１、透過共通配線２３は、本反射板作製方法を示す図３８のそれぞれトランスファ配線１０５ｃ、データ線２０ｃ、反射共通配線８０ｃ、反射板４ｃ、凹凸膜２６ｃ、走査線２１ｃ、透過共通配線２３ｃと対応し、これらと同一の機能を有している。

（電極作製方法）
続いて、第２コンタクトホール４２の形成後、実施形態８−１における、第１の電極作製方法を用いて電極作製を行う。

（本実施形態の効果）
本方式によれば、透過領域２の透過共通電極１２ｂ及び透過画素電極１１ｂがＩＴＯで形成されるので、透過領域２の透過率は減少しない効果が得られる。一方、反射領域１の反射共通電極２８ａ，２８ｂ及び反射画素電極２９ａ，２９ｂは、反射共通電極２８ｂ及び反射画素電極２９ｂによって干渉効果が表れ、液晶層９から入射する光に対して、反射率は９％となり、反射率の低減効果が得られる。また、反射共通電極２８ａ及び反射画素電極２９ａは、反射板４ａを反射した光を遮光する効果もある。その結果、反射領域１のコントラスト比は約２２となり、Ｔｉ単層の場合のコントラスト比、約１３と比較して大幅な改善効果が得られた。

また、反射板４ｃの作製工程において、反射板４ｃは反射共通配線８０ｃ、ゲート、走査線２１ｃ、透過共通配線２３ｃと同じ工程で形成されるので、反射板４ｃを独立して形成する場合と比較して、成膜、レジストパターンニング、エッチングの各工程数が１回分減った結果、本実施形態の総レジストパターンニング回数は９回となり、時間やコストの削減できるという効果がある。

（実施形態８−７）
図３９は、図３０に示される平面構造を更に他の構成で実施した場合の太線Ａ−Ｃ−Ｂに沿った断面図である。本実施形態は、実施形態８−１における、ゲート酸化膜１０３の成膜までは同一であるので、これ以降の説明を行う。

（第２’の反射板作製方法）
ゲート酸化膜１０３を成膜した後、活性化処理（温度４５０℃で６０分）を行う。続いて、水素化処理を３９０℃で３０分行った後、反射領域１に対応する部分にノボラック有機膜を１μｍの厚さに塗布し、レジストパターンニングを実施して２３０℃で２時間の焼成を行うことにより、表面に滑らかな凹凸形状を有する凹凸膜２６ｃを形成する。

次に、第１コンタクトホール４１の形成のためレジストパターンニングを行い、ドライエッチング及びウェットエッチングを行った後、レジスト剥離を行う。続いてＡｌ−１．５ｗｔ％Ｓｉを３００ｎｍの厚さにスパッタし、Ｔｉを７５ｎｍの厚さにスパッタすることにより積層構造とし、レジストパターンニングを行ってドライエッチングを行う。この工程によって、トランスファ配線１０５ｄ及びデータ線２０ｄが形成される。

レジストを剥離した後、プラズマＣＶＤによって窒化膜１０６を成膜し、更にＰＭＭＡを１μｍの厚さに塗布し、２５０℃で１時間の焼成をすることにより平坦化膜２７を形成する。続いて、第２コンタクトホール４２の形成のためのレジストパターンニングを行い、ドライエッチング後にレジスト剥離を行うことにより、トランスファ配線１０５ｄ上に第２コンタクトホール４２を形成する。凹凸膜２６ｃと平坦化膜２７とは、透過領域２と反射領域１との液晶層９の厚さを設定する機能も有する。透過領域２と反射領域１との段差は、反射領域１の位相差を考慮したおよそ１μｍの厚さである。また、第２コンタクトホール４２が形成されるまでのレジストパターンニング回数は、７回である。

また、図３０におけるトランスファ配線１０５、データ線２０、反射共通配線８０、反射板４、反射板４の下部層で図示されていない凹凸膜２６、走査線２１、透過共通配線２３は、本反射板作製方法を示す図３９のそれぞれトランスファ配線１０５ｄ、データ線２０ｄ、反射共通配線８０ｃ、反射板４ｃ、凹凸膜２６ｃ、走査線２１ｃ、透過共通配線２３ｃと対応し、これらと同一の機能を有している。

（電極作製方法）
続いて、第２コンタクトホール４２の形成後、実施形態８−２における第２の電極作製方法を用いて電極作製を行う。

（本実施形態の効果）
本方式によれば、透過領域２の透過共通電極１２ｃ及び透過画素電極１１ｃはＩＴＯで形成されるので、透過領域２の透過率は減少しない効果が得られる。一方、反射領域１の反射共通電極２８ｄ，２８ｅ及び反射画素電極２９ｄ，２９ｅは、反射共通電極２８ｅ及び反射画素電極２９ｅによって干渉効果が表れ、液晶層９から入射する光に対して、反射率は９％となり、反射率の低減効果が得られる。また、反射共通電極２８ｄ及び反射画素電極２９ｄは、反射板４ｃを反射した光を遮光する効果もある。その結果、反射領域１のコントラスト比は約２２となり、Ｔｉ単層の場合のコントラスト比、約１３と比較して大幅な改善効果が得られた。

また、反射板４ｃの作製工程において、反射板４ｃは反射共通配線８０ｃ、ゲート、走査線２１ｃ、透過共通配線２３ｃと同じ工程で形成されるので、反射板４ｃを独立して形成する場合と比較して、成膜、レジストパターンニング、エッチングの各工程数が１回分減った結果、本実施形態の総レジストパターンニング回数は９回となり、作製時間やコストの削減できるという効果がある。

（実施形態８−８）
図４０は、図３０に示される平面構造を更に他の構成で実施した場合の太線Ａ−Ｃ−Ｂに沿った断面図である。本実施形態は、実施形態８−６における第２の反射板作製方法と、実施形態８−３における第３の電極作製方法を組み合わせたものである。

（本実施形態の効果）
本方式によれば、実施形態８−１と同様に、反射領域１の反射共通電極２８ｆ，２８ｇ及び反射画素電極２９ｆ，２９ｇは、反射共通電極２８ｇ及び反射画素電極２９ｇによって干渉効果が表れ、液晶層９から入射する光に対して、反射率は９％となり、反射率の低減効果が得られる。また、反射共通電極２８ｆ及び反射画素電極２９ｆは、反射板４ｃを反射した光を遮光する効果もある。その結果、反射領域１のコントラスト比は約２２となり、Ｔｉ単層の場合のコントラスト比、約１３と比較して大幅な改善効果が得られた。

また、反射板４ｃの作製工程において、反射板４ｃは反射共通配線８０ｃ、ゲート、走査線２１ｃ、透過共通配線２３ｃと同じ工程で形成されるので、反射板４ｃを独立して形成する場合と比較して、成膜、レジストパターンニング、エッチングの各工程数が１回分減る。更に電極作製工程において、１回のレジストパターンニングによって、反射共通電極２８ｆ，２８ｇ及び反射画素電極２９ｆ，２９ｇ並びに透過画素電極１１ｆ，１１ｇ及び透過共通電極１２ｆ，１２ｇが作製される。そのため、レジストパターンニング、エッチングの各工程数が１回分削減された結果、総レジストパターンニング回数は８回となり、一層の作製時間やコストの削減できるという効果がある。

（実施形態８−９）
図４１は、図３０に示される平面構造を更に他の構成で実施した場合の太線Ａ−Ｃ−Ｂに沿った断面図である。本実施形態は、実施形態８−６における第２の反射板作製方法と、実施形態８−４における第４の電極作製方法を組み合わせたものである。

（本実施形態の効果）
本方式によれば、透過領域２の透過共通電極１２ｉ及び透過画素電極１１ｉはＩＴＯで形成されるので、透過領域２の透過率は減少しない効果が得られる。一方、反射領域１の反射共通電極２８ｈ及び反射画素電極２９ｈは、反射板４ｃを反射した光を遮光する効果がある。その結果、反射領域１のコントラスト比は約１３となり、ＩＴＯ単層の場合のコントラスト比、約５と比較して改善効果が得られた。

また、反射板４ｃの作製工程において、反射板４ｃは反射共通配線８０ｃ、ゲート、走査線２１ｃ、透過共通配線２３ｃと同じ工程で形成されるので、反射板４ｃを独立して形成する場合と比較して、成膜、レジストパターンニング、エッチングの各工程数が１回分減る。その結果、本実施形態の総レジストパターンニング回数は９回となり、作製時間やコストの削減できるという効果がある。

（実施形態８−１０）
図４２は、図３０に示される平面構造を更に他の構成で実施した場合の太線Ａ−Ｃ−Ｂに沿った断面図である。本実施形態は、実施形態８−７における第２’の反射板作製方法と、実施形態８−５における第５の電極作製方法を組み合わせたものである。

（本実施形態の効果）
本方式によれば、透過領域２の透過共通電極１２ｊ及び透過画素電極１１ｊはＩＴＯで形成されるので、透過領域２の透過率は減少しない効果が得られる。一方、反射領域１の反射共通電極２８ｋ及び反射画素電極２９ｋは、反射板４ｃを反射した光を遮光する効果がある。その結果、反射領域１のコントラスト比は約１３となり、ＩＴＯ単層の場合のコントラスト比、約５と比較して改善効果が得られた。

（実施形態８−１１）
（第３の反射板作製方法）
図４３は、図３０に示される平面構造を更に他の構成で実施した場合の太線Ａ−Ｃ−Ｂに沿った断面図である。本実施形態は、実施形態８−１における、ゲート酸化膜１０３成膜までは同一であるので、これ以降の説明を行う。

ゲート酸化膜１０３を成膜した後、プラズマＣＶＤによってマイクロクリスタルシリコンを１００ｎｍ成膜し、スパッタによってＣｒを２００ｎｍ成膜する。続いて、レジストパターンニングを行ったあとに、ドライエッチングによってゲート及び走査線２１、反射共通配線８０、透過共通配線２３を形成する。レジスト剥離後、イオン注入（ホウ素濃度３×１０^１３ｃｍ^−２程度）を行い、薄膜トランジスタのＬＤＤ構造を形成する。続いて、層間酸化シリコン膜１０４をプラズマＣＶＤによって４００ｎｍ成膜し、更に活性化処理（温度４５０℃で６０分）を行う。続いて、水素化処理を３９０℃で３０分行う。次に、第１コンタクトホール４１の形成のため、レジストパターンニングを行い、ドライエッチング及びウェットエッチングを行った後、レジスト剥離を行う。

次に、スパッタによってＡｌ−１．０ａｔ％Ｓｉを３００ｎｍの厚さに成膜し、レジストパターンニングを行ってドライエッチング、レジスト剥離を行う。この工程によって、データ線２０ｃ、トランスファ配線１０５ｃが形成される。次に、窒化膜１０６をプラズマＣＶＤによって４００ｎｍの厚さに成膜する。

更に、反射領域１に対応する部分にノボラック有機膜を１μｍの厚さに塗布し、レジストパターンニングを実施して２３０℃で２時間の焼成を行うことにより、表面に滑らかな凹凸形状を有する凹凸膜２６ｅを形成する。次に、スパッタによってＴｉを３００ｎｍ、Ａｌ−Ｎｄを１００ｎｍの厚さで積層成膜し、レジストパターンニングを行ってドライエッチング、レジスト剥離を行うことにより、反射板４ｅを形成する。反射領域１に対応する部分に形成される反射板４ｅは、凹凸膜２６ｅ上に形成されるので、その表面は凹凸膜２６ｅの形状にならって凹凸形状となり、液晶パネルに入射した光を拡散反射させる。

更にＰＭＭＡを１μｍの厚さに塗布して２５０℃かつ１時間の焼成を行うことにより、平坦化膜２７を形成する。このあと、第２コンタクトホール４２の形成のためのレジストパターンニングを行い、ドライエッチング後にレジスト剥離を行い、トランスファ配線１０５ｃ上に第２コンタクトホール４２を形成する。凹凸膜２６ｅと平坦化膜２７とは、透過領域２と反射領域１との液晶層９の厚さを設定する機能も有する。透過領域２と反射領域１との段差は、反射領域１の位相差を考慮したおよそ１μｍの厚さである。また、第２コンタクトホール４２が形成されるまでのレジストパターンニング回数は、８回である。

また、図３０におけるトランスファ配線１０５、データ線２０、反射板４、反射板４の下部層で図示されていない凹凸膜２６は、本反射板作製方法を示す図４３のそれぞれトランスファ配線１０５ｃ、データ線２０ｃ、反射板４ｅ、凹凸膜２６ｅと対応し、これらと同一の機能を有している。

（本実施形態の効果）
本方式によれば、透過領域２の透過共通電極１２ｂ及び透過画素電極１１ｂはＩＴＯで形成されるので、透過領域２の透過率は減少しない効果が得られる。一方、反射領域１の反射共通電極２８ａ，２８ｂ及び反射画素電極２９ａ，２９ｂは、反射共通電極２８ｂ及び反射画素電極２９ｂによって干渉効果が表れ、液晶層９から入射する光に対して、反射率は９％となり、反射率の低減効果が得られる。また、反射共通電極２８ａ及び反射画素電極２９ａは、反射板４ｅを反射した光を遮光する効果もある。その結果、反射領域１のコントラスト比は約２２となり、Ｔｉ単層の場合のコントラスト比、約１３と比較して大幅な改善効果が得られた。

（実施形態８−１２）
（第３’の反射板作製方法）
図４４は、図３０に示される平面構造を更に他の構成で実施した場合の太線Ａ−Ｃ−Ｂに沿った断面図である。本実施形態は、実施形態８−１における、ゲート酸化膜１０３成膜までは同一であるので、これ以降の説明を行う。

ゲート酸化膜１０３を成膜した後、プラズマＣＶＤによってマイクロクリスタルシリコンを１００ｎｍ成膜し、スパッタによってＣｒを２００ｎｍ成膜する。続いて、レジストパターンニングを行ったあとに、ドライエッチングによってゲート及び走査線２１、反射共通配線８０、透過共通配線２３を形成する。レジストを剥離した後、イオン注入（ホウ素濃度３×１０^１３ｃｍ^−２程度）を行い、薄膜トランジスタのＬＤＤ構造を形成する。続いて、層間酸化シリコン膜１０４をプラズマＣＶＤによって４００ｎｍ成膜し、更に活性化処理（温度４５０℃で６０分）を行う。続いて、水素化処理を３９０℃で３０分行う。次に、第１コンタクトホール４１の形成のため、レジストパターンニングを行い、ドライエッチング及びウェットエッチングを行った後、レジスト剥離を行う。

次に、スパッタによってＡｌ−１．０ａｔ％Ｓｉを３００ｎｍ、Ｔｉを７５ｎｍの厚さに積層成膜し、レジストパターンニングを行ってドライエッチング後、レジスト剥離を行う。この工程によって、データ線２０ｄ及びトランスファ配線１０５ｄが形成される。次に、窒化膜１０６をプラズマＣＶＤによって４００ｎｍの厚さに成膜する。

更に、反射領域１に対応する部分に、ノボラック有機膜を１μｍの厚さに塗布し、レジストパターンニングを実施して２３０℃かつ２時間の焼成を行うことにより、表面に滑らかな凹凸形状を有する凹凸膜２６ｅを形成する。次に、スパッタによってＴｉを３００ｎｍ、Ａｌ−Ｎｄを１００ｎｍの厚さで積層成膜し、レジストパターンニングを行ってドライエッチング、レジスト剥離を行うことにより、反射板４ｅを形成する。反射領域１に対応する部分に形成される反射板４ｅは、凹凸膜２６ｅ上に形成されるので、その表面は凹凸膜２６ｅの形状にならって凹凸形状となり、液晶パネルに入射した光を拡散反射させる。

更にＰＭＭＡを１μｍの厚さに塗布し、２５０℃かつ１時間の焼成を行うことにより、平坦化膜２７を形成する。このあと、第２コンタクトホール４２の形成のためのレジストパターンニングを行い、ドライエッチング後にレジスト剥離を行い、トランスファ配線１０５ｄ上に第２コンタクトホール４２を形成する。凹凸膜２６ｅと平坦化膜２７とは、透過領域２と反射領域１との液晶層９の厚さを設定する機能も有する。透過領域２と反射領域１との段差は、反射領域１の位相差を考慮したおよそ１μｍの厚さである。また、第２コンタクトホール４２が形成されるまでのレジストパターンニング回数は、８回である。

また、図３０におけるトランスファ配線１０５、データ線２０、反射板４、反射板４の下部層で図示されていない凹凸膜２６は、本反射板作製方法を示す図４４のそれぞれトランスファ配線１０５ｄ、データ線２０ｄ、反射板４ｅ、凹凸膜２６ｅと対応し、これらと同一の機能を有している。

（電極作製方法）
続いて、第２コンタクトホール４２の形成後、実施形態８−２における、第２の電極作製方法を用いて電極作製を行う。

（本実施形態の効果）
本方式によれば、透過領域２の透過共通電極１２ｃ及び透過画素電極１１ｃはＩＴＯで形成されるので、透過領域２の透過率は減少しない効果が得られる。一方、反射領域１の反射共通電極２８ｄ，２８ｅ及び反射画素電極２９ｄ，２９ｅは、反射共通電極２８ｅ及び反射画素電極２９ｅによって干渉効果が表れ、液晶層９から入射する光に対して、反射率は９％となり、反射率の低減効果が得られる。また、反射共通電極２８ｄ及び反射画素電極２９ｄは、反射板４ｅを反射した光を遮光する効果もある。その結果、反射領域１のコントラスト比は約２２となり、Ｔｉ単層の場合のコントラスト比、約１３と比較して大幅な改善効果が得られた。

（実施形態８−１３）
図４５は、図３０に示される平面構造を更に他の構成で実施した場合の太線Ａ−Ｃ−Ｂに沿った断面図である。本実施形態は、実施形態８−１１における第３の反射板作製方法と、実施形態８−３における第３の電極作製方法を組み合わせたものである。

（本実施形態の効果）
本方式によれば、実施形態８−１と同様に、反射領域１の反射共通電極２８ｆ，２８ｇ及び反射画素電極２９ｆ，２９ｇは、反射共通電極２８ｇ及び反射画素電極２９ｇによって干渉効果が表れ、液晶層９から入射する光に対して、反射率は９％となり、反射率の低減効果が得られる。また、反射共通電極２８ｆ及び反射画素電極２９ｆは、反射板４ｅを反射した光を遮光する効果もある。その結果、反射領域１のコントラスト比は約２２となり、Ｔｉ単層の場合のコントラスト比、約１３と比較して大幅な改善効果が得られた。

また、反射板の作製工程において、電極作製工程において、１回のレジストパターンニングによって、反射領域１の反射共通電極２８ｆ，２８ｇ及び反射画素電極２９ｆ，２９ｇ、並びに透過領域２の透過画素電極１１ｆ，１１ｇ及び透過共通電極１２ｆ，１２ｇが作製される。そのため、レジストパターンニング、エッチングの各工程数が１回分削減された結果、総レジストパターンニング回数は９回となり、作製時間やコストの削減できるという効果がある。

（実施形態８−１４）
図４６は、図３０に示される平面構造を更に他の構成で実施した場合の太線Ａ−Ｃ−Ｂに沿った断面図である。本実施形態は、実施形態８−１１における第３の反射板作製方法と、実施形態８−４における第４の電極作製方法を組み合わせたものである。

（実施形態８−１５）
図４７は、図３０に示される平面構造を更に他の構成で実施した場合の太線Ａ−Ｃ−Ｂに沿った断面図である。本実施形態は、実施形態８−１２における第３’の反射板作製方法と、実施形態８−５における第５の電極作製方法を組み合わせたものである。

（本実施形態の効果）
本方式によれば、透過領域２の透過共通電極１２ｊ及び透過画素電極１１ｊはＩＴＯで形成されるので、透過領域２の透過率は減少しない効果が得られる。一方、反射領域１の反射共通電極２８ｋ及び反射画素電極２９ｋは、反射板４ｅを反射した光を遮光する効果がある。その結果、反射領域１のコントラスト比は約１３となり、ＩＴＯ単層の場合のコントラスト比、約５と比較して改善効果が得られた。

なお、上述した各実施形態に係る液晶表示装置を表示部として電子機器に組み込んでもよいものである。前記電子機器としては、携帯電話、個人用情報端末、ゲーム機、デジタルカメラ、ビデオカメラ、ビデオプレーヤ、ノート型パーソナルコンピュータ、キャッシュディスペンサ又は自動販売機などの電子機器等が考えられる。

以上説明した実施形態は、本発明の具体的な一例を示すものであり、本発明は特許請求の範囲を逸脱しない範囲で種々変更することができるものである。また、本発明には、上記各実施形態の構成の一部又は全部を相互に適宜組み合わせたものも含まれる。

本発明の実施形態１に係る液晶表示装置の液晶パネルを形成する単位画素を示す平面図である。図１に示す単位画素の点線部に沿って断面した断面図である。本発明に係る半透過型液晶表示装置の液晶パネルを形成する単位画素の反射領域に入射する光の経路を示す図である。図１に示す液晶表示装置の液晶パネルを形成する単位画素の変更例を示す平面図である。図１に示す液晶表示装置の液晶パネルを形成する単位画素における下部基板の作成プロセスを示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示す反射領域でのＡ−Ａ´線に沿う断面図、（ｃ）は（ａ）に示す透過領域でのＢ−Ｂ´線に沿う断面図、（ｄ）は（ａ）の反射領域と透過領域との間に形成される段差部でのＣ−Ｃ´線に沿う断面図である。図１に示す液晶表示装置の液晶パネルを形成する単位画素における下部基板の作成プロセスを示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＤ−Ｄ´線に沿う断面図である。図１に示す液晶表示装置の液晶パネルを形成する単位画素における下部基板の作成プロセスを示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示す反射領域での断面図、（ｃ）は（ａ）に示す透過領域での断面図、（ｄ）は（ａ）の反射領域と透過領域との間に形成される段差部での断面図である。図１に示す液晶表示装置の液晶パネルを形成する単位画素における下部基板の作成プロセスを示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示す反射領域での断面図、（ｃ）は（ａ）に示す透過領域での断面図、（ｄ）は（ａ）の反射領域と透過領域との間に形成される段差部での断面図である。図１に示す液晶表示装置の液晶パネルを形成する単位画素における下部基板の作成プロセスを示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示す反射領域での断面図、（ｃ）は（ａ）に示す透過領域での断面図、（ｄ）は（ａ）の反射領域と透過領域との間に形成される段差部での断面図である。図１に示す液晶表示装置の液晶パネルを形成する単位画素における下部基板の作成プロセスを示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示す反射領域での断面図、（ｃ）は（ａ）に示す透過領域での断面図、（ｄ）は（ａ）の反射領域と透過領域との間に形成される段差部での断面図である。図１に示す液晶表示装置の液晶パネルを形成する単位画素における下部基板の作成プロセスを示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＥ−Ｅ ´線に沿う断面図である。図１に示す液晶表示装置の液晶パネルを形成する単位画素における下部基板の作成プロセスを示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示す反射領域での断面図、（ｃ）は（ａ）に示す透過領域での断面図、（ｄ）は（ａ）の反射領域と透過領域との間に形成される段差部での断面図である。本発明の実施形態１における反射領域での偏光状態の変化を説明する図である。本発明の実施形態１における透過領域での偏光状態の変化を説明するための図である。反射共通電極及び反射画素電極をＩＴＯで形成したパネルと、不透過の導電体であるＭｏで形成したパネルでの反射表示のコントラスト比の実測値との関係を示す図である。ＩＴＯパネルとＭｏパネルの白表示時及び黒表示時の反射率を示す図である。本発明の実施形態１の効果を説明する平面図である。本発明の実施形態２に係る液晶表示装置の液晶パネルを形成する単位画素を示す平面図である。図１８に示す単位画素での点線部に沿って断面した断面図である。本発明の実施形態３に係る液晶表示装置の液晶パネルを形成する単位画素を示す断面図である。本発明の実施形態３に係る反射領域のコントラスト比を計算した結果を示す図である。５００Åの膜厚のＣｒで形成された反射共通電極及び反射画素電極上に５００Åの膜厚の酸化Ｃｒからなる低反射率層が形成された液晶パネルと、５００Åの膜厚のＭｏで形成された反射共通電極及び反射画素電極のみの液晶パネルによる反射表示のコントラスト比の実測値を示す図である。本発明の実施形態４に係る各種材料での反射率を計算した結果を示す図である。本発明の実施形態４に係る液晶表示装置の液晶パネルを形成する単位画素を、その反射領域の反射画素電極付近で断面した断面図である。本発明の実施形態５に係る半透過型液晶表示装置の液晶パネルを形成する単位画素を断面した断面図である。位相差層の光学軸と偏光板から入射する直線偏光の方向との間の角度θ１と反射率との関係を示す図である。（ａ）及び（ｂ）は、黒表示時の反射領域と透過領域とにおける光の偏光状態の様子を示す図である。本発明の実施形態６に係る液晶表示装置の液晶パネルを形成する単位画素を断面した断面図である。（ａ）及び（ｂ）は、黒表示時の反射領域と透過領域とにおける光の偏光状態の様子を示す図である。本発明の実施形態８−１に係る液晶表示装置の液晶パネルを形成する単位画素を示す平面図である。図１に示す単位画素のＡ−Ｃ−Ｂに沿って断面した断面図である。本発明の実施形態８に係る、画素電極の断面図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）である。本発明の実施形態８に係る、反射板の断面図（ｄ）、（ｅ）である。実施形態８−２に係る、単位画素のＡ−Ｃ−Ｂに沿って断面した断面図である。実施形態８−３に係る、単位画素のＡ−Ｃ−Ｂに沿って断面した断面図である。実施形態８−４に係る、単位画素のＡ−Ｃ−Ｂに沿って断面した断面図である。実施形態８−５に係る、単位画素のＡ−Ｃ−Ｂに沿って断面した断面図である。実施形態８−６に係る、単位画素のＡ−Ｃ−Ｂに沿って断面した断面図である。実施形態８−７に係る、単位画素のＡ−Ｃ−Ｂに沿って断面した断面図である。実施形態８−８に係る、単位画素のＡ−Ｃ−Ｂに沿って断面した断面図である。実施形態８−９に係る、単位画素のＡ−Ｃ−Ｂに沿って断面した断面図である。実施形態８−１０に係る、単位画素のＡ−Ｃ−Ｂに沿って断面した断面図である。実施形態８−１１に係る、単位画素のＡ−Ｃ−Ｂに沿って断面した断面図である。実施形態８−１２に係る、単位画素のＡ−Ｃ−Ｂに沿って断面した断面図である。実施形態８−１３に係る、単位画素のＡ−Ｃ−Ｂに沿って断面した断面図である。実施形態８−１４に係る、単位画素のＡ−Ｃ−Ｂに沿って断面した断面図である。実施形態８−１５に係る、単位画素のＡ−Ｃ−Ｂに沿って断面した断面図である。反射率測定のための光学定数を示す図表である。不透過導電層のみの場合の、屈折率ｎに対する反射率Rのコンピュータシミュレーション結果を示す図である。不透過導電層のみの場合の、消光係数ｋに対する反射率Rのコンピュータシミュレーション結果を示す図である。反射防止層と不透過導電層の２層の場合の、屈折率ｎに対する反射率Rのコンピュータシミュレーション結果を示す図である。反射防止層と不透過導電層の２層の場合の、消光係数ｋに対する反射率Rのコンピュータシミュレーション結果を示す図である。反射領域を横方向電界、透過領域を横方向電界で液晶をそれぞれ駆動させる半透過型液晶表示装置の単位画素を示す断面図である。関連する技術における反射領域の偏光状態を示す図である。黒表示時の液晶分子の配向と反射率とをシミュレーションした結果を示す図である。関連する技術における課題を説明する断面図である。

３下部基板
４反射板
８対向基板
１１透過画素電極
１２透過共通電極
２８反射共通電極
２９反射画素電極

Claims

単位画素内に少なくとも反射板の形成部に対応した反射領域を有し、
前記反射領域が横方向電界モード、ノーマリホワイトで駆動され、
前記反射領域の液晶層に電界を形成する駆動電極である反射共通電極及び反射画素電極が前記反射板上に絶縁膜を介して設けられ、
単位画素内に、横方向電界モードで駆動する透過領域を有し、
前記反射領域の反射共通電極と前記透過領域の透過共通電極とを有し、それぞれに互いに異なる信号源に接続され、
前記反射領域の前記駆動電極が不透過の導電体で形成され、
前記反射領域の前記駆動電極の上面に反射防止層を備え、
前記反射防止層がＣｒ、Ｎｉ、Ｚｎの中から選ばれた一つの酸化物又はその一つを含む合金の酸化物、又はＩＴＯからなり、
さらに、前記反射共通電極及び前記反射画素電極には、前記絶縁膜を貫通してトランスファ配線に達するコンタクトホールを有し、
前記コンタクトホールの底面の構造は、Ａｌ系材料からなるトランスファ配線上に前記トランスファ配線と接するＩＴＯ膜を有し、更に前記ＩＴＯ膜上に前記反射領域の前記駆動電極と前記反射防止層を有する構造である、ことを特徴とする液晶表示装置。
前記不透過の導電体がＣｒ、Ｎｉ、Ｍｏ及びＴｉの中から選ばれた一つ又はその一つを含む合金からなる請求項１に記載の液晶表示装置。