JP5864260B2 - 半導体用パッケージ - Google Patents
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Description
前記半導体素子保持面に、半導体素子とワイヤボンディングにより電気的に接続されるリード部と、半導体素子を表面側に保持し前記半導体素子からの熱を裏面側で放熱する素子保持部材と、前記リード部と素子保持部材とを絶縁樹脂で仕切る絶縁区画部とが表出された半導体用パッケージにおいて、
前記素子保持部材と絶縁区画部との境界面のうち、半導体素子を保持する表面からパッケージ裏面に至るまでの沿面経路が複数回の曲折経路を含むことを特徴とするものである。
該素子保持部材の外方に1つ以上配された、前記半導体素子とワイヤボンディングにより電気的に接続されるリード部と、
前記素子保持部材とリード部材の外方に配されたフープ枠材と、
前記素子保持部材又はリード部とフープ枠材とを連結する連結片とを備えたリードフレームにおいて、
前記素子保持部材の連結片以外の周縁部に曲折部、ノッチ部、段差部の何れか1つ以上が形成されていることを特徴とするものである。
図3は本発明の半導体用パッケージの一実施例の構成を示す説明図であり、a図は平面図、b図は側面図、c図はA−A断面図、d図は正面図、e図はB−B断面図、f図は背面図、g図は斜視図である。
図4は本発明の半導体用パッケージの別の実施例の構成を示す説明図であり、a図は平面図、b図は側面図、c図はA−A断面図、d図は正面図、e図はB−B断面図、f図は背面図、g図は斜視図である。
図5は本発明の半導体用パッケージの更に別の実施例の構成を示す説明図であり、a図は平面図、b図は側面図、c図はB−B断面図及びその一部拡大図、d図は正面図、e図はA−A断面図及びその一部拡大図、f図は底面図である。図6は図5の金属部材の構成を示すリードフレームの説明図であり、a図はリードフレームが並設されたフープ材の平面図、b図はA内に示すフープ材から切り離したリードフレームの平面図、c図はB−B断面図及びその一部拡大図、d図はC−C断面図及びその一部拡大図である。
図7及び図8は図3に示す半導体用パッケージでの浸透試験の結果を模式的に示す説明図である。即ち、実施例1の半導体用パッケージについて浸透試験を行い、裏面側の状況を観察した。図7及び図8はオーバーラップ部30を形成していない曲折経路が2回の半導体用パッケージ(A)と、オーバーラップ部30を形成した曲折経路が3回の半導体用パッケージ(B)とでのパッケージ裏面側の経時変化を示したものである。
aB、bB、cB、dB、eB、fB…パッケージ、
1A …カップ状部材(素子保持部材)、
1B…厚板部材(素子保持部材)、
2A、2B…オーバーラップ部、
3A、3B…ノッチ部、
4A、4B…曲折部、
5A、5B…段差部、
20、40、60…パッケージ、
21、41、61…素子保持領域、
22、42、62…枠部材、
23、43、63…素子保持空間、
24、44、64…リード部、
25、45、65…絶縁区画部、
26、46、66…カップ状部材(素子保持部材)、
27、47、67…底板部、
28、48、68…立ち上がり縁部、
29、49、69…水平縁部、
30、50 …オーバーラップ部、
51 …曲折部、
71…段差部、
73…ノッチ部、
74…フープ材、
75…リードフレーム、
76…フープ枠材、
77…連結片、
81 …浸透液、
82 …境界領域、
Claims (6)
- 半導体素子の保持領域を含む半導体素子保持面と、該半導体素子保持面の周囲を囲む枠部材とを備え、
前記半導体素子保持面と前記枠部材とで構成される素子保持空間を光透過性樹脂又は不透過性樹脂で封止した半導体装置を構成するためのパッケージであって、
前記半導体素子保持面に、
半導体素子とワイヤボンディングにより電気的に接続される金属板製のリード部と、
半導体素子を表面側に保持し前記半導体素子からの熱を裏面側で放熱する前記リード部と同じ金属板製の素子保持部材と、
前記リード部と素子保持部材とを絶縁樹脂で仕切る絶縁区画部とが表出された半導体用パッケージにおいて、
前記素子保持部材の底板部の裏面を放熱面として半導体素子装置のパッケージの裏面側に表出させ、
前記素子保持部材と絶縁区画部との境界面のうち、半導体素子を保持する表面からパッケージ裏面に至るまでの沿面経路が3回以上の曲折経路を含むことを特徴とする半導体用パッケージ。 - 前記曲折経路が、表面の前記絶縁区画部から素子保持部材との境界面を覆うように素子保持部材の周縁部内側に伸延されたオーバーラップ部により形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体用パッケージ。
- 前記曲折経路が、前記素子保持部材の縁部の曲折部により形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体用パッケージ。
- 前記曲折経路が、前記素子保持部材の縁部のノッチ部により形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体用パッケージ。
- 前記曲折経路が、前記素子保持部材の縁部の段差部により形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体用パッケージ。
- 前記半導体素子が発光ダイオード、照度センサー、CMOSイメージセンサー、CCDイメージセンサーから選ばれたものであることを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の半導体用パッケージ。
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JP5988782B2 (ja) * | 2012-09-04 | 2016-09-07 | パナソニック デバイスSunx竜野株式会社 | Ledパッケージ及びled発光素子 |
JP2015038917A (ja) * | 2013-03-28 | 2015-02-26 | 大日本印刷株式会社 | リードフレーム、樹脂付きリードフレーム、リードフレームの多面付け体、樹脂付きリードフレームの多面付け体、光半導体装置、光半導体装置の多面付け体 |
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JP2023082632A (ja) * | 2021-12-02 | 2023-06-14 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001185763A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 光半導体パッケージ |
JP2002252373A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置 |
JP2004521506A (ja) * | 2001-04-10 | 2004-07-15 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 放射線を発する構成素子に用いられる導体フレームおよびハウジング、放射線を発する構成素子ならびに該構成素子を製造するための方法 |
JP2004274027A (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-30 | Sharp Corp | 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置 |
JP2005353914A (ja) * | 2004-06-11 | 2005-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット |
JP2006093470A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Toshiba Corp | リードフレーム、発光装置、発光装置の製造方法 |
JP2006287073A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-10-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2008041950A (ja) * | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオードパッケージ用プリモールド部品及びその製造方法、並びに発光ダイオードパッケージ |
JP2008078500A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Toshiba Corp | 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法 |
JP2008512867A (ja) * | 2004-09-10 | 2008-04-24 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | 多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ |
JP2008182242A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Cree Inc | 固体発光デバイス用のリード・フレーム・ベースのパッケージと固体発光デバイス用のリード・フレーム・ベースのパッケージを形成する方法 |
JP2009071269A (ja) * | 2007-09-17 | 2009-04-02 | Yiguang Electronic Ind Co Ltd | 発光ダイオード装置 |
JP2009176962A (ja) * | 2008-01-24 | 2009-08-06 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4830768B2 (ja) * | 2006-05-10 | 2011-12-07 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
JP5057707B2 (ja) * | 2006-06-16 | 2012-10-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2008060344A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
KR100815227B1 (ko) * | 2006-10-20 | 2008-03-19 | 삼성전기주식회사 | 표면실장형 발광 다이오드 소자 |
JP4525804B2 (ja) * | 2007-11-16 | 2010-08-18 | オムロン株式会社 | 光半導体パッケージおよびこれを備えた光電センサ |
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Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001185763A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 光半導体パッケージ |
JP2002252373A (ja) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 表面実装型発光素子およびそれを用いた発光装置 |
JP2004521506A (ja) * | 2001-04-10 | 2004-07-15 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 放射線を発する構成素子に用いられる導体フレームおよびハウジング、放射線を発する構成素子ならびに該構成素子を製造するための方法 |
JP2004274027A (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-30 | Sharp Corp | 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置 |
JP2005353914A (ja) * | 2004-06-11 | 2005-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット |
JP2008512867A (ja) * | 2004-09-10 | 2008-04-24 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | 多重モールド樹脂を有する発光ダイオードパッケージ |
JP2006093470A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Toshiba Corp | リードフレーム、発光装置、発光装置の製造方法 |
JP2006287073A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-10-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2008041950A (ja) * | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオードパッケージ用プリモールド部品及びその製造方法、並びに発光ダイオードパッケージ |
JP2008078500A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Toshiba Corp | 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法 |
JP2008182242A (ja) * | 2007-01-24 | 2008-08-07 | Cree Inc | 固体発光デバイス用のリード・フレーム・ベースのパッケージと固体発光デバイス用のリード・フレーム・ベースのパッケージを形成する方法 |
JP2009071269A (ja) * | 2007-09-17 | 2009-04-02 | Yiguang Electronic Ind Co Ltd | 発光ダイオード装置 |
JP2009176962A (ja) * | 2008-01-24 | 2009-08-06 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8704346B2 (en) | 2014-04-22 |
JPWO2011062148A1 (ja) | 2013-04-04 |
TW201145470A (en) | 2011-12-16 |
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