JP5823300B2 - 磁気記録ヘッド、及び磁気記録再生装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、磁気記録ヘッド、及び磁気記録再生装置に関する。

近年、１Ｔｂｉｔ／ｉｎｃｈ^２クラスの高密度磁気記録が可能な技術として、熱アシスト磁気記録方式が注目されている。この熱アシスト磁気記録方式は、熱揺らぎに強い高保持力を有する磁気記録媒体に対して磁気記録を行う技術である。熱アシスト磁気記録方式には、近接場光発生部でレーザー光を近接場光に変換して、変換された近接場光を磁気記録媒体の表面の一部に照射して局所的に磁気記録媒体の温度を上げ、温度が上がった部分に磁場を印加して情報を磁気的に記録する方式がある。このとき、レーザー光を近接場光に変換する効率が低いため、レーザー光のエネルギーの大部分は熱に変換される。そのため、近接場光発生部の熱を効率的に放熱することが望まれる。

特開２００８−７１４６４号公報

１つの実施形態は、例えば、近接場光発生部の熱を効率的に放熱できる磁気記録ヘッド、及び磁気記録再生装置を提供することを目的とする。

１つの実施形態によれば、磁気記録媒体に情報を記録する磁気記録ヘッドであって、ＡＢＳ面と近接場光発生部と熱伝導部と吸熱部とを有する磁気記録ヘッドが提供される。ＡＢＳ面は、磁気記録媒体に対向する。近接場光発生部は、ＡＢＳ面に配されている。熱伝導部は、近接場光発生部に接触配置されている。熱伝導部は、熱伝導体からなる。吸熱部は、ＡＢＳ面に沿った方向で近接場光発生部に隣接するように、熱伝導部に接触配置されている。

第１の実施形態にかかる磁気記録再生装置の構成を示す図。 第１の実施形態における磁気記録ヘッドの構成を示す図。 第１の実施形態における磁気記録ヘッドの構成を示す図。 第１の実施形態における磁気記録ヘッドの構成を示す図。 第１の実施形態における吸熱部の構成を示す図。 第１の実施形態における制御部の構成を示す図。 第１の実施形態における制御部の動作を示す図。 第１の実施形態における制御部の動作を示す図。 第１の実施形態による効果を説明するための図。 第１の実施形態の変形例における吸熱部の構成を示す図。 第１の実施形態の他の変形例における吸熱部の構成を示す図。 第２の実施形態における磁気記録ヘッドの構成を示す図。 第２の実施形態における磁気記録ヘッドの構成を示す図。 第２の実施形態の変形例における磁気記録ヘッドの構成を示す図。 第２の実施形態の変形例における磁気記録ヘッドの構成を示す図。

以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる磁気記録再生装置を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。

（第１の実施形態）
まず、第１の実施形態にかかる磁気記録再生装置１の概要について説明する。図１は、第１の実施形態にかかる磁気記録再生装置１の構成を示す図である。図１において、磁気記録媒体５は、各種情報を記録する円盤状の記録媒体であり、スピンドルモータ３により回転駆動される。磁気記録媒体５は、表面に対して垂直方向に異方性をもつ垂直記録層を有する。

磁気記録媒体５の読み書きは、ヘッド支持機構であるアーム７の一方の先端にヘッドスライダ４を介して設けられた磁気記録ヘッド１０及び磁気再生ヘッド２０によって行われる。磁気記録ヘッド１０は、磁気記録媒体５の回転によって生じる揚力によって、磁気記録媒体５の表面からわずかに浮いた状態を維持しながら、磁気記録媒体５に情報を記録する。磁気再生ヘッド２０は、磁気記録媒体５の回転によって生じる揚力によって、磁気記録媒体５の表面からわずかに浮いた状態を維持しながら、磁気記録媒体５に記録された情報を読み出して再生する。また、アーム７のもう一方の端に設けられたヘッド駆動機構であるボイスコイルモータ２の駆動により、アーム７が軸８を中心とする円弧上を回動し、磁気記録ヘッド１０及び磁気再生ヘッド２０が磁気記録媒体５のトラック横断方向にシーク移動し、読み書きする対象のトラックを変更する。
次に、磁気記録ヘッド１０の構成について図２〜図４を用いて説明する。

磁気記録ヘッド１０は、図２に示すように、ヘッドスライダ４のトレーリング端４ａ側に設けられる。このとき、磁気記録媒体５は、磁気記録ヘッド１０に対して図２中下方に位置する。すなわち、磁気記録ヘッド１０は、図２中その下面が、ＡＢＳ面（対向面）１０ａとなっている。なお、図２では、紙面奥側がトレーリング側となり、紙面手前側がリーディング側となる。

磁気記録ヘッド１０をＡＢＳ面１０ａ側から見ると、磁気記録ヘッド１０は、図３に示すようになっている。すなわち、磁気記録ヘッド１０は、ＡＢＳ（Ａｉｒ Ｂｅａｒｉｎｇ Ｓｕｒｆａｃｅ）面１０ａ、記録磁極１１、コイル１４、近接場光発生部１２、熱伝導部１５、及び吸熱部４０を有する。なお、図３では、紙面上側がトレーリング側となり、紙面下側がリーディング側となる。
ＡＢＳ面（対向面）１０ａは、磁気記録媒体５に対向する面である。

記録磁極１１は、磁気記録媒体５側の端面がＡＢＳ面１０ａに沿った平面位置に配されている。コイル１４は、記録磁極１１に巻きつくように配置されている。これにより、コイル１４及び記録磁極１１は、磁界を発生させて、磁気記録媒体５に情報を記録する。記録磁極１１は、例えば、軟磁性材料で形成されている。コイル１４は、例えば、金属（例えば、Ｃｕ）などの導体で形成されている。

近接場光発生部１２は、ＡＢＳ面１０ａに配されている。レーザー光導波路１３は、ＡＢＳ面１０ａよりも図３中奥側からＡＢＳ面１０ａ近傍かつ近接場光発生部１２近傍まで延びている。これにより、レーザー光導波路１３は、光源（図示せず）から出射されたレーザー光を受けて近接場光発生部１２へ導き、近接場光発生部１２は、導かれたレーザー光を近接場光に変換して、変換された近接場光を磁気記録媒体５の表面における記録磁極１１が記録すべき部分に照射する。これにより、磁気記録媒体５の表面における記録磁極１１が記録すべき部分に熱が加わるので、その部分の垂直記録層は、キュリー点以上に高温化されて異方性磁界が小さくなり、記録磁極１１により情報が記録されやすくなる。

このとき、近接場光発生部１２におけるレーザー光を近接場光に変換する効率は、例えば１０％程度である。レーザー光のエネルギーの１０％程度が近接場光に変換され、残りの９０％程度は熱に変換される。そのため、近接場光発生部１２の熱を放熱する必要がある。

そこで、近接場光発生部１２と記録磁極１１との間からＡＢＳ面１０ａに沿った方向における両側に延在させた熱伝導部１５を設ける。熱伝導部１５は、近接場光発生部１２と記録磁極１１とに挟まれている。また、熱伝導部１５は、図４に示すように、近接場光発生部１２が配された第１の主面１５ａと、第１の主面１５ａの反対側の第２の主面１５ｂとを有している。すなわち、熱伝導部１５の第１の主面１５ａが近接場光発生部１２の記録磁極１１側の面１２ａに接していることにより、近接場光発生部１２の熱を熱伝導部１５で周辺雰囲気中に放熱する。熱伝導部１５は、例えば、高熱伝導体（例えば、Ａｕ、Ｃｕなどの金属）で形成されている。

なお、図４では、紙面下側がトレーリング側となり、紙面上側がリーディング側となる。すなわち、記録磁極１１のリーディング側には、磁気再生ヘッド２０が配されている。磁気再生ヘッド２０は、再生素子２３、シールド２１、及びシールド２２を有する。再生素子２３は、磁気抵抗効果を有する素子であり、磁気記録媒体５に記録された情報を磁気抵抗効果により再生信号として読み出して再生する。シールド２１及びシールド２２は、磁気再生ヘッド２０の走行方向における前後両側から再生素子２３を挟むように配置されている。

また、熱伝導部１５の第２の主面１５ｂ側（リーディング側）に、図４に示すように、吸熱部４０を設ける。吸熱部４０は、熱伝導部１５の熱を吸熱して周辺雰囲気中に放熱する。具体的には、吸熱部４０は、第１の吸熱素子１６、第２の吸熱素子１７、第１の絶縁層４１、及び第２の絶縁層４２を有する。

第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７は、記録磁極１１の両トラックサイド、かつ、熱伝導部１５に対向した位置に配置されている。第１の絶縁層４１は、第１の吸熱素子１６と熱伝導部１５とに挟まれている。第２の絶縁層４１は、第２の吸熱素子１７と熱伝導部１５とに挟まれている。

すなわち、第１の吸熱素子１６は、ＡＢＳ面１０ａに沿った方向で近接場光発生部１２に隣接した位置に配されている。第１の吸熱素子１６は、ＡＢＳ面１０ａに沿った方向で近接場光発生部１２に関して第２の吸熱素子１７の反対側に配されている。第１の吸熱素子１６は、熱伝導部１５の第２の主面１５ｂに対向している。第１の吸熱素子１６の磁気記録媒体５側の端面は、ＡＢＳ面１０ａに沿った平面位置に配されている（図３参照）。これにより、第１の吸熱素子１６と近接場光発生部１２との距離を容易に短くできる。

また、第１の絶縁層４１は、第２の主面１５ｂ上におけるＡＢＳ面１０ａに沿った方向で近接場光発生部１２に隣接した第１の領域１５ｂ１と、第１の吸熱素子１６との間に挟まれている。第１の領域１５ｂ１は、近接場光発生部１２に関して第２の領域１５ｂ２の反対側に位置している。これにより、熱伝導部１５と第１の吸熱素子１６とを熱的に接続しながら電気的に絶縁できるので、第１の吸熱素子１６は、近接場光発生部１２の熱を熱伝導部１５及び第１の絶縁層４１経由で容易に吸熱できる。第１の絶縁層４１は、電気的な絶縁性を有するとともに熱伝導率の高い材料（例えば、アルミナや窒化アルミニウムなど）で形成されている。

また、第２の吸熱素子１７は、ＡＢＳ面１０ａに沿った方向で近接場光発生部１２に隣接した位置に配されている。第２の吸熱素子１７は、ＡＢＳ面１０ａに沿った方向で近接場光発生部１２に関して第１の吸熱素子１６の反対側に配されている。第２の吸熱素子１７は、熱伝導部１５の第２の主面１５ｂに対向している。第２の吸熱素子１７の磁気記録媒体５側の端面は、ＡＢＳ面１０ａに沿った平面位置に配されている（図３参照）。これにより、第２の吸熱素子１７と近接場光発生部１２との距離を容易に短くできる。

また、第２の絶縁層４２は、第２の主面１５ｂ上におけるＡＢＳ面１０ａに沿った方向で近接場光発生部１２に隣接した第２の領域１５ｂ２と、第１の吸熱素子１６との間に挟まれている。第２の領域１５ｂ２は、近接場光発生部１２に関して第１の領域１５ｂ１の反対側に位置している。これにより、熱伝導部１５と第２の吸熱素子１７とを熱的に接続しながら電気的に絶縁できるので、第２の吸熱素子１７は、近接場光発生部１２の熱を熱伝導部１５及び第２の絶縁層４２経由で容易に吸熱できる。第２の絶縁層４２は、電気的な絶縁性を有するとともに熱伝導率の高い材料（例えば、アルミナや窒化アルミニウムなど）で形成されている。

次に、吸熱部４０における第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７の構成について図４及び図５を用いて説明する。なお、図５は、紙面下側がトレーリング側となり、紙面上側がリーディング側となる点で図４と同様であるが、左右の位置が図４と反対になっている。

第１の吸熱素子１６では、図４に概略的に示されるように、熱伝導部１５側（第１の絶縁層４１側）から順に、第１の吸熱層１６１、第１の電極層１６２、第１の半導体層１６３、第１の導電層１６４、及び第１の放熱層１６５が積層されている。第１の吸熱素子１６は、例えば、ペルチェ効果により吸熱を行うペルチェ素子である。

具体的には、図５に詳細に示されるように、第１の吸熱層１６１は、熱伝導部１５に対向配置された例えば板状の部材である。第１の吸熱層１６１は、例えば、高熱伝導体（Ａｕ、Ｃｕなど）で形成されている。

第１の電極層１６２は、第１の電極層１６２内で互に分離された２つの電極部１６２ａ、１６２ｂを有する。２つの電極部１６２ａ、１６２ｂは、それぞれ、第１の吸熱層１６１に熱的及び電気的に接続されている。２つの電極部１６２ａ、１６２ｂは、それぞれ、金属（例えば、Ｃｕ）などの導体で形成されている。

第１の半導体層１６３は、第１の半導体層１６３内で互に分離されたＮ型半導体１６３ａ及びＰ型半導体１６３ｂを有する。Ｎ型半導体１６３ａは、電極部１６２ａに熱的及び電気的に接続され、Ｐ型半導体１６３ｂは、電極部１６２ｂに熱的及び電気的に接続されている。Ｎ型半導体１６３ａは、Ｎ型の不純物（例えば、リン、ヒ素など）を含む半導体で形成されている。Ｐ型半導体１６３ｂは、Ｐ型の不純物（例えば、ホウ素、アルミニウムなど）を含む半導体で形成されている。

第１の導電層１６４は、電極部１６２ａと反対側でＮ型半導体１６３ａに熱的及び電気的に接続されており、電極部１６２ｂと反対側でＰ型半導体１６３ｂに熱的及び電気的に接続されている。第１の導電層１６４は、例えば、金属（例えば、Ｃｕ）などの導体で形成されている。

第１の放熱層１６５は、Ｎ型半導体１６３ａ及びＰ型半導体１６３ｂと反対側で第１の導電層１６４に熱的及び電気的に接続されている。第１の放熱層１６５は、例えば、高熱伝導体（Ａｕ、Ｃｕなど）で形成されている。

例えば、第１の吸熱素子１６では、電極部１６２ａ、Ｎ型半導体１６３ａ、第１の導電層１６４、Ｐ型半導体１６３ｂ、及び電極部１６２ｂが断面視において略Π形状の構造を形成しており、この略Π形状の構造がトレーリング側及びリーディング側からそれぞれ第１の吸熱層１６１及び第１の放熱層１６５で挟まれた構造になっている。

また、第２の吸熱素子１７では、図４に概略的に示されるように、熱伝導部１５側（第２の絶縁層４２側）から順に、第２の吸熱層１７１、第２の電極層１７２、第２の半導体層１７３、第２の導電層１７４、及び第２の放熱層１７５が積層されている。第２の吸熱素子１７は、例えば、ペルチェ効果により吸熱を行うペルチェ素子である。

具体的には、図５に詳細に示されるように、第２の吸熱層１７１は、熱伝導部１５に対向配置された例えば板状の部材である。第２の吸熱層１７１は、例えば、高熱伝導体（Ａｕ、Ｃｕなど）で形成されている。

第２の電極層１７２は、第２の吸熱層１７１に熱的及び電気的に接続されている。第２の電極層１７２は、例えば、金属（例えば、Ｃｕ）などの導体で形成されている。

第２の半導体層１７３は、第２の半導体層１７３内で互に分離されたＮ型半導体１７３ａ及びＰ型半導体１７３ｂを有する。Ｎ型半導体１７３ａは、第２の電極層１７２に熱的及び電気的に接続され、Ｐ型半導体１７３ｂは、第２の電極層１７２に熱的及び電気的に接続されている。Ｎ型半導体１７３ａは、Ｎ型の不純物（例えば、リン、ヒ素など）を含む半導体で形成されている。Ｐ型半導体１７３ｂは、Ｐ型の不純物（例えば、ホウ素、アルミニウムなど）を含む半導体で形成されている。

第２の導電層１７４は、第２の導電層１７４内で互に分離された２つの導電部１７４ａ、１７４ｂを有する。導電部１７４ａは、第２の電極層１７２と反対側でＮ型半導体１７３ａに熱的及び電気的に接続されている。導電部１７４ｂは、第２の電極層１７２と反対側でＰ型半導体１７３ｂに熱的及び電気的に接続されている。２つの導電部１７４ａ、１７４ｂは、例えば、それぞれ、金属（例えば、Ｃｕ）などの導体で形成されている。

第２の放熱層１７５は、Ｎ型半導体１７３ａと反対側で導電部１７４ａに熱的及び電気的に接続されており、Ｐ型半導体１７３ｂと反対側で導電部１７４ｂに熱的及び電気的に接続されている。第２の放熱層１７５は、例えば、高熱伝導体（Ａｕ、Ｃｕなど）で形成されている。

例えば、第２の吸熱素子１７では、導電部１７４ａ、Ｎ型半導体１７３ａ、第２の電極層１７２、Ｐ型半導体１７３ｂ、及び導電部１７４ｂが断面視において略逆Π形状の構造を形成しており、この略逆Π形状の構造がトレーリング側及びリーディング側からそれぞれ第２の吸熱層１７１及び第２の放熱層１７５で挟まれた構造になっている。

図５に示す構成において、プリアンプ３１の電流供給側の端子３１ａはラインＬ１を介して電極部１６２ａの端子ＴＭ１に電気的に接続されている。電極部１６２ｂの端子ＴＭ２はラインＬ２を介して導電部１７４ａの端子ＴＭ３に電気的に接続されている。導電部１７４ｂの端子ＴＭ４はラインＬ３を介して電流帰還側の端子３１ｂに電気的に接続されている。これにより、第１の吸熱素子１６における略Π形状の構造と第２の吸熱素子１７における略逆Π形状の構造とは、それぞれ、電流経路として機能する。

具体的には、プリアンプ３１の電流供給側の端子３１ａ→電極部１６２ａ→Ｎ型半導体１６３ａ→第１の導電層１６４→Ｐ型半導体１６３ｂ→電極部１６２ｂ→導電部１７４ａ→Ｎ型半導体１７３ａ→第２の電極層１７２→Ｐ型半導体１７３ｂ→導電部１７４ｂ→プリアンプ３１の電流帰還側の端子３１ｂの順に電流が流れるように、プリアンプ３１が電圧を印加する。電流をこのように流すことにより、電極部１６２ａ、１６２ｂ及び第２の電極層１７２にそれぞれ接続された第１の吸熱層１６１及び第２の吸熱層１７１の直下で吸熱効果が発生するため、熱伝導部１５の温度を下げることができる。これにより、磁気記録ヘッド１０のＡＢＳ面１０ａの磁気記録媒体５側への突き出し量を抑制することができる。

この際、第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７は、近接場光発生部１２に対してトラック幅方向両側に離間配置されているため、近接場光発生部１２から発生する近接場光の温度を下げることなく、磁気記録ヘッド１０のＡＢＳ面１０ａの磁気記録媒体５側への突き出し量を抑制することができる。
次に、プリアンプ３１を含む制御部３０の構成について図６を用いて説明する。

制御部３０は、温度制御素子電流制御部３３、プリアンプ３１、レーザー制御部３２、記録電流制御部３４、再生信号検出部３６、及び信号演算部３５は、を有する。

温度制御素子電流制御部３３は、磁気記録ヘッド１０により磁気記録媒体５に情報が記録される際に、プリアンプ３１により第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７に流すべき電流を決定し、決定した電流に応じた制御信号を生成してプリアンプ３１へ供給する。

プリアンプ３１は、温度制御素子電流制御部３３から制御信号を受ける。プリアンプ３１は、制御信号に従って、磁気記録ヘッド１０により磁気記録媒体５に情報が記録される際に、ラインＬ１、Ｌ２を介して第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７に電流を流す。

レーザー制御部３２は、磁気記録ヘッド１０により磁気記録媒体５に情報が記録される際に、光源（図示せず）を制御して、光源（図示せず）からレーザー光導波路１３経由で近接場光発生部１２へ導かれるレーザー光の強度を調整する。

記録電流制御部３４は、磁気記録ヘッド１０により磁気記録媒体５に情報が記録される際に、コイル１４へ流すべき記録電流を決定し、決定した電流に応じた制御信号を生成してプリアンプ３７へ供給する。

プリアンプ３７は、記録電流制御部３４から制御信号を受ける。プリアンプ３７は、制御信号に従って、磁気記録ヘッド１０により磁気記録媒体５に情報が記録される際に、コイル１４に電流を流す。

再生信号検出部３６は、磁気記録媒体５に記録された情報が磁気再生ヘッド２０により再生される際に、再生素子２３からの再生信号を検出する。再生信号検出部３６は、検出された再生信号を信号演算部３５へ供給する。

信号演算部３５は、再生信号検出部３６からの再生信号をもとに、温度制御素子電流制御部３３と記録電流制御部３４とレーザー制御部３２との制御を行う。例えば、信号演算部３５は、サーボ信号などの再生信号を用いて、磁気記録ヘッド１０のＡＢＳ面１０ａの磁気記録媒体５側への突き出し量を予測し、予測された結果に基づき、温度制御素子電流制御部３３により決定されるべき電流の大きさやタイミング、記録電流制御部３４により決定されるべき電流の大きさやタイミング、及びレーザー制御部３２により調整されるべきレーザー光の強度を制御する。

例えば、信号演算部３５は、磁気記録ヘッド１０による記録動作を開始するタイミングに同期して、第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７に電流を流し始めるように制御してもよい。すなわち、信号演算部３５は、記録電流制御部３４によりコイル１４へ電流を流し始めるタイミングと、温度制御素子電流制御部３３により第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７へ電流を流し始めるタイミングとを同期させてもよい。

あるいは、例えば、磁気記録ヘッド１０による記録動作を開始するタイミングより所定時間前から、第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７に電流を流し始めるように制御してもよい。所定時間は、第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７に電流を流し始めてから第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７の吸熱動作が安定するまでの遅れ時間を考慮して予め実験的に決められた時間である。すなわち、信号演算部３５は、記録電流制御部３４によりコイル１４へ電流を流し始めるタイミングより所定時間前のタイミングを、温度制御素子電流制御部３３により第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７へ電流を流し始めるタイミングとしてもよい。
また、再生信号のフィードバックを行うことにより、オントラック性能と突き出し量との最適化調整を行うことが可能となる。

例えば、信号演算部３５は、磁気記録媒体５に記録された情報が磁気再生ヘッド２０により再生された際に、再生信号検出部３６から供給された再生信号を用いて、その再生された情報のビット誤り率をモニタする。例えば、信号演算部３５は、保存部３５１、比較部３５２、及び演算部３５３を有する。保存部３５１は、再生信号検出部３６から再生信号を受ける度に、再生信号を受けたタイミングと関連付けて再生信号履歴情報として保存する。保存部３５１は、再生信号検出部３６によりそれぞれ検出された複数の再生信号を再生信号履歴情報として保存する。比較部３５２は、保存部３５１に保存された複数の再生信号を比較し、比較結果を演算部３５３へ供給する。例えば保存部３５１に保存された複数の再生信号が再生すべき情報と誤り訂正符号とを含む場合、比較部３５２は、誤り訂正符号を用いて再生すべき情報（データ）の誤り訂正処理を行い、その誤り訂正処理の結果を比較結果として演算部３５３へ供給する。演算部３５３は、比較部３５２による比較結果に応じた演算を行う。例えば比較部３５２による誤り訂正処理の結果を受けた場合、演算部３５３は、誤り訂正処理の結果（例えば、誤り訂正数）に応じてビット誤り率を計算し、さらにビット誤り率の変化を計算する。演算部３５３は、演算結果を温度制御素子電流制御部３３へ供給する。温度制御素子電流制御部（決定部）３３は、演算部３５３による演算結果（例えば、演算部３５３により計算されたビット誤り率の変化）に応じて、第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７に流すべき電流を決定する。具体的には、温度制御素子電流制御部３３は、計算されたビット誤り率の大きさ及び変動幅に応じて、第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７に流すべき電流を決定する。温度制御素子電流制御部３３は、決定結果に応じた制御信号をプリアンプ３１へ供給する。プリアンプ（電流供給部）３１は、温度制御素子電流制御部（決定部）３３による決定結果に従い、すなわち決定結果に応じた制御信号に従い、第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７へ電流を流す。

例えば、ビット誤り率の大きさに関しては、例えば、図７に示すように、ビット誤り率の大きさが閾値ＴＨ１未満であれば、ＡＢＳ面１０ａの磁気記録媒体５側への突き出し量が抑制された状態であり、ビット誤り率の大きさが閾値ＴＨ１以上であれば、ＡＢＳ面１０ａの磁気記録媒体５側への突き出し量が増大傾向にある状態であることが予め実験的に求められ、温度制御素子電流制御部３３に閾値ＴＨ１が予め設定されている場合を考える。例えば、信号演算部３５は、図７に示す時間Ｔ１以上継続的に磁気記録ヘッド１０による記録動作を行った後に、磁気記録媒体５に記録された情報が磁気再生ヘッド２０により再生された際に、再生信号検出部３６から供給された再生信号を用いて、その再生された情報のビット誤り率の大きさを計算する。そして、温度制御素子電流制御部３３は、その計算されたビット誤り率の大きさが閾値ＴＨ１以上であるか否かを判断する。

例えば、温度制御素子電流制御部３３は、ビット誤り率の大きさが閾値ＴＨ１未満であれば、第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７に流すべき電流の大きさを直前に決定された大きさのまま維持すべきとする（第１の条件が成立したものとする）。あるいは、温度制御素子電流制御部３３は、ビット誤り率の大きさが閾値ＴＨ１以上であれば、第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７に流すべき電流の大きさを直前に決定された大きさより増加すべきとする（第２の条件が成立したものとする）。

あるいは、例えば、温度制御素子電流制御部３３は、ビット誤り率の大きさが閾値ＴＨ１未満であれば、第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７に流すべき電流の大きさを温度制御素子電流制御部３３により直前に決定された大きさより減少させるべきとする（第３の条件が成立したものとする）。あるいは、温度制御素子電流制御部３３は、ビット誤り率の大きさが閾値ＴＨ１以上であれば、第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７に流すべき電流の大きさを直前に決定された大きさより増加すべきとする（第２の条件が成立したものとする）。

また、例えば、ビット誤り率の変動幅に関しては、例えば、図８に示すように、ビット誤り率の変動幅（例えば、ΔＦ１）が閾値ＴＨ２未満であれば、ＡＢＳ面１０ａの磁気記録媒体５側への突き出し量が抑制された状態であり、ビット誤り率の変動幅（例えば、ΔＦ２）が閾値ＴＨ２以上であれば、ＡＢＳ面１０ａの磁気記録媒体５側への突き出し量が増大傾向にある状態であることが予め実験的に求められ、温度制御素子電流制御部３３に閾値ＴＨ２が予め設定されている場合を考える。例えば、信号演算部３５は、図７に示す時間Ｔ１（＞図８に示す時間Ｔ２）以上継続的に磁気記録ヘッド１０による記録動作を行った後に、磁気記録媒体５に記録された情報が磁気再生ヘッド２０により再生された際に、再生信号検出部３６から供給された再生信号を用いて、その再生された情報のビット誤り率の変動幅を計算する。そして、温度制御素子電流制御部３３は、その計算されたビット誤り率の変動幅が閾値ＴＨ２以上であるか否かを判断する。

例えば、温度制御素子電流制御部３３は、ビット誤り率の変動幅が閾値ＴＨ２未満であれば、第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７に流すべき電流の大きさを直前に決定された大きさのまま維持すべきとする（第４の条件が成立したものとする）。あるいは、温度制御素子電流制御部３３は、ビット誤り率の変動幅が閾値ＴＨ２以上であれば、第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７に流すべき電流の大きさを直前に決定された大きさより増加すべきとする（第５の条件が成立したものとする）。

あるいは、例えば、温度制御素子電流制御部３３は、ビット誤り率の変動幅が閾値ＴＨ２未満であれば、第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７に流すべき電流の大きさを直前に決定された大きさより減少させるべきとする（第６の条件が成立したものとする）。あるいは、温度制御素子電流制御部３３は、ビット誤り率の変動幅が閾値ＴＨ２以上であれば、第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７に流すべき電流の大きさを直前に決定された大きさより増加すべきとする（第５の条件が成立したものとする）。

ビット誤り率の大きさ及び変動幅の両方に関して、例えば、温度制御素子電流制御部３３は、第２の条件と第５の条件とがともに成立した場合に、第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７に流すべき電流の大きさを直前に決定された大きさより増加し、第２の条件と第５の条件との少なくとも一方が成立しない場合に、第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７に流すべき電流の大きさを直前に決定された大きさのまま維持する、又は直前に決定された大きさより減少させる。これにより、ＡＢＳ面１０ａの磁気記録媒体５側への突き出し量が増大傾向にある状態の推定精度を向上でき、第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７に流すべき電流の大きさを適切な値に調整することができる。

ここで、仮に、磁気記録ヘッド１０が吸熱部４０を有しない場合について考える。この場合、熱伝導部１５が近接場光発生部１２の熱を周辺雰囲気中に放熱するが、近接場光発生部１２の熱の量が大きくなると、熱伝導部１５により放熱しきれなかった熱が近接場光発生部１２の近傍に滞留する傾向にある。例えば、図９に比較例として示すように、吸熱部４０を有しない磁気記録ヘッド１０では、レーザー光の出力の増大とともに、ＡＢＳ面１０ａの突き出し量が増大していく傾向にある。これは、熱伝導部１５の温度上昇に伴う熱伝導部１５の膨張に起因していると考えられる。このとき、ライトゲートＯＮ後のビット誤り率（ＢＥＲ）の変化を見てみると、図７に比較例として示すように、ライトゲートＯＮの後に、ビット誤り率が徐々に良くなっているが、継続して記録動作を行うことによりビット誤り率が急激に悪化する傾向にある。これは、ＡＢＳ面１０ａの突き出し量が増大することにより、磁気記録ヘッド１０と磁気記録媒体５との距離が近づいて、一時的にビット誤り率がわずかによくなった後に、ＡＢＳ面１０ａの過剰な突き出し量での連続走行により磁気記録ヘッド１０及び磁気記録媒体５が相互に損傷していることが考えられる。

それに対して、第１の実施形態では、磁気記録ヘッド１０が吸熱部４０を有する。吸熱部４０は、熱伝導部１５の熱を吸熱し、周辺雰囲気中に放熱させる。具体的には、吸熱部４０において、第１の吸熱素子１６は、熱伝導部１５の熱を吸熱するように、ＡＢＳ面１０ａに沿った方向で近接場光発生部１２に隣接した位置に配されている。第２の吸熱素子１７は、熱伝導部１５の熱を吸熱するように、ＡＢＳ面１０ａに沿った方向で近接場光発生部１２に関して第１の吸熱素子１６の反対側に配されている。これにより、第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７が、近接場光発生部１２に対してトラック幅方向両側に離間配置されているため、近接場光発生部１２から発生する近接場光の温度を下げることなく、磁気記録ヘッド１０のＡＢＳ面１０ａの磁気記録媒体５側への突き出し量を抑制することができる。すなわち、吸熱を行う第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７が、近接場光発生部１２が配置されているトラックセンターを除く熱伝導部１５近傍に配置できるので、オントラックでの熱アシスト記録信号の品質を劣化させることなく、磁気記録ヘッド１０のＡＢＳ面１０ａの磁気記録媒体５側への突き出し量を抑制することができる。例えば、図９に第１の実施形態として示すように、吸熱部４０を有する磁気記録ヘッド１０では、吸熱部４０による吸熱効果を制御することにより、ＡＢＳ面１０ａの膨張を抑制することができるため、レーザー光の出力を増大させても、ＡＢＳ面１０ａの突き出し量をほぼ一定に抑制することができる。このとき、ライトゲートＯＮ後のビット誤り率（ＢＥＲ）の変化を見てみると、図７に第１の実施形態として示すように、ライトゲートＯＮの後に、ビット誤り率をほぼ一定に安定させることができる。このように、第１の実施形態によれば、磁気記録ヘッド１０のＡＢＳ面１０ａの磁気記録媒体５側への突き出し量を抑制することができるので、磁気記録ヘッド１０及び磁気記録媒体５の相互の損傷を抑制でき、磁気記録再生装置１の信頼性を向上できる。

また、第１の実施形態では、第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７が、ＡＢＳ面１０ａに沿った方向で近接場光発生部１２の両側に隣接した位置に配されている。これにより、ＡＢＳ面１０ａに沿った方向で見た場合における近接場光発生部１２と第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７との距離を容易に短くすることができるので、近接場光発生部１２の熱を熱伝導部１５経由で効率的に吸熱でき効率的に放熱できる。

また、第１の実施形態では、磁気記録ヘッド１０が吸熱部４０において、第１の吸熱素子１６の磁気記録媒体５側の端面は、ＡＢＳ面１０ａに沿った平面位置に配され、第２の吸熱素子１６の磁気記録媒体５側の端面は、ＡＢＳ面１０ａに沿った平面位置に配されている。これにより、ＡＢＳ面１０ａに垂直な方向で見た場合における近接場光発生部１２と第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７との距離をさらに容易に短くすることができるので、近接場光発生部１２の熱を熱伝導部１５経由でさらに効率的に吸熱できさらに効率的に放熱できる。

また、第１の実施形態では、第１の絶縁層４１が、熱伝導部１５の第２の主面１５ｂと第１の吸熱素子１６との間に挟まれている。これにより、熱伝導部１５と第１の吸熱素子１６とを熱的に接続しながら電気的に絶縁できるので、第１の吸熱素子１６は、近接場光発生部１２の熱を熱伝導部１５及び第１の絶縁層４１経由で容易に吸熱できる。同様に、第２の絶縁層４４が、熱伝導部１５の第２の主面１５ｂと第２の吸熱素子１７との間に挟まれている。これにより、熱伝導部１５と第２の吸熱素子１７とを熱的に接続しながら電気的に絶縁できるので、第２の吸熱素子１７は、近接場光発生部１２の熱を熱伝導部１５及び第２の絶縁層４２経由で容易に吸熱できる。すなわち、第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７を流れる電流の熱伝導部１５側へのリークを抑制しながら近接場光発生部１２の熱を吸熱できるので、近接場光発生部１２の熱を効率的に吸熱できる。

また、第１の実施形態では、制御部３０が、磁気記録媒体５に記録された情報が磁気再生ヘッド２０により再生された際に、再生された情報のビット誤り率を計算し、計算されたビット誤り率の変化に応じて、第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７に流すべき電流を決定する。そして、制御部３０は、磁気記録ヘッド１０により磁気記録媒体５に情報が記録される際に、その決定された電流を第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７に流す。これにより、ＡＢＳ面１０ａの磁気記録媒体５側への突き出し量の状態を推定でき、第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７に流すべき電流の大きさを、推定結果に応じた適切な値に調整することができる。

また、第１の実施形態では、制御部３０が、再生された情報のビット誤り率を計算する際に、ビット誤り率の大きさだけでなくビット誤り率の変動幅も計算する。そして、制御部３０は、ビット誤り率の大きさ及び変動幅の両方に応じて、第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７に流すべき電流を決定する。例えば、制御部３０は、ＡＢＳ面１０ａの磁気記録媒体５側への突き出し量が増大傾向にある状態であることがビット誤り率の大きさ及び変動幅の両方から推定されたときに、第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７に流すべき電流の大きさを直前に決定された大きさより増加させるように決定する。あるいは、例えば、制御部３０は、ＡＢＳ面１０ａの磁気記録媒体５側への突き出し量が増大傾向にある状態であることがビット誤り率の大きさ及び変動幅の少なくとも一方から推定されないときに、第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７に流すべき電流の大きさを直前に決定された大きさより増加させないように決定する。これにより、ＡＢＳ面１０ａの磁気記録媒体５側への突き出し量が増大傾向にある状態であることの推定精度を向上できるので、第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７に流すべき電流の大きさを無駄に増加させることを抑制しながら、第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７に流すべき電流の大きさを適切な値に調整することができる。

なお、吸熱部４０において、第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７がＡＢＳ面１０ａに沿った方向で近接場光発生部１２に隣接するように配置されていれば、第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７のそれぞれの磁気記録媒体５側の端面は、ＡＢＳ面１０ａから後退した平面位置に配されていてもよい。

あるいは、吸熱部４０は、第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７の一方が省略された構成であってもよい。この場合、第１の絶縁層４１及び第２の絶縁層４２のうち省略された吸熱素子に対応する絶縁層がさらに省略されていてもよい。

あるいは、図１０に示すように、第１の吸熱素子１６ｉにおいて、第１の放熱層１６５ｉの表面積は、第１の吸熱層１６１の表面積より大きくてもよい。第２の吸熱素子１７ｉにおいて、第１の放熱層１７５ｉの表面積は、第１の吸熱層１７１の表面積より大きくてもよい。この場合、第１の吸熱素子１６ｉ及び第１の吸熱素子１７ｉは、それぞれ、第１の放熱層１６５ｉ及び第１の放熱層１７５ｉにおける周辺雰囲気に露出された領域の面積を容易に広く確保できるので、吸熱した熱伝導部１５の熱を周辺雰囲気中へ効率的に放熱することができる。

あるいは、図１１に示すように、第１の吸熱素子１６ｊにおいて、第１の放熱層１６５ｊの磁気記録媒体５側の端面は、ＡＢＳ面１０ａから後退した平面位置に配されていてもよい。第２の吸熱素子１７ｊにおいて、第２の放熱層１７５ｊの磁気記録媒体５側の端面は、ＡＢＳ面１０ａから後退した平面位置に配されていてもよい。この場合、第１の吸熱素子１６ｉ及び第１の吸熱素子１７ｉは、それぞれ、吸熱した熱伝導部１５の熱をＡＢＳ面１０ａからより後退した位置で放熱できるので、周辺雰囲気中へ放熱された熱がＡＢＳ面１０ａ近傍へ到達することを抑制できる。これにより、磁気記録ヘッド１０のＡＢＳ面１０ａの磁気記録媒体５側への突き出し量をさらに抑制できる。

（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態にかかる磁気記録再生装置２００について説明する。以下では、第１の実施形態と異なる部分を中心に説明する。
磁気記録再生装置２００において、磁気記録ヘッド２１０の吸熱部２４０は、第１の放熱部材２１８及び第２の放熱部材２１９をさらに有する。

第１の放熱部材２１８は、第１の吸熱素子１６の第１の放熱層１６５に熱的に接続されており、第１の放熱層１６５の熱を放熱する。第２の放熱部材２１９は、第２の吸熱素子１７の第２の放熱層１７５に熱的に接続されており、第２の放熱層１７５の熱を放熱する。

また、図１３に示すように、第１の放熱部材２１８及び第２の放熱部材２１９は、それぞれ、ヘッドスライダ４のトレーリング端４ａに対応した形状を有する。第１の放熱部材２１８及び第２の放熱部材２１９は、少なくとも一端がヘッドスライダの上端、及び両側端のうちの少なくとも１つの近傍まで延びている。具体的には、第１の放熱部材２１８は、トレーリング端４ａの長手方向（例えば、トラック幅方向）に沿って第２の吸熱部材１７から第１の吸熱部材１６側に遠ざかるように延びている。第１の放熱部材２１８は、一端２１８ａが、ヘッドスライダ４の側端４ｃ近傍まで延びている。第２の放熱部材２１８は、トレーリング端４ａの長手方向（例えば、トラック幅方向）に沿って第１の吸熱部材１６から第２の吸熱部材１７側に遠ざかるように延びている。第２の放熱部材２１９は、一端２１９ａが、ヘッドスライダ４の側端４ｄ近傍まで延びている。

このように、第２の実施形態では、第１の吸熱素子１６及び第２の吸熱素子１７により吸熱された熱を第１の放熱層１６５及び第２の放熱層１７５より表面積の大きな第１の放熱部材２１８及び第２の放熱部材２１９で放熱できるので、吸熱した放熱部１５の熱を周辺雰囲気中へさらに効率的に放熱することができる。

また、第２の実施形態では、第１の放熱部材２１８及び第２の放熱部材２１９が、それぞれトレーリング端４ａに対応した形状を有しているので、磁気記録ヘッド２１０の構造を全体的にコンパクトに抑えることができる。

さらに、第２の実施形態では、第１の放熱部材２１８及び第２の放熱部材２１９が、それぞれトレーリング端４ａの長手方向に沿って延びた形状を有している。これにより、磁気記録ヘッド２１０の構造を全体的にコンパクトに抑えながら、第１の放熱部材２１８及び第２の放熱部材２１９の表面積を容易に広く確保できる。

なお、図１４に示すように、第１の放熱部材２１８ｋは、トレーリング端４ａの短手方向（例えば、高さ方向）に沿って延びた形状を有していてもよい。第２の放熱部材２１９ｋは、トレーリング端４ａの短手方向（例えば、高さ方向）に沿って延びた形状を有していてもよい。すなわち、第１の放熱部材２１８ｋは、一端２１８ｋｂが、ヘッドスライダ４の上端４ｂ近傍まで延びていてもよい。第２の放熱部材２１９ｋは、一端２１９ｋｂが、ヘッドスライダ４の上端４ｂ近傍まで延びていてもよい。この場合、吸熱した放熱部１５の熱をＡＢＳ面１０ａからより後退した位置で放熱できるので、周辺雰囲気中へ放熱された熱がＡＢＳ面１０ａ近傍へ到達することを抑制できる。これにより、磁気記録ヘッド１０のＡＢＳ面１０ａの磁気記録媒体５側への突き出し量をさらに抑制できる。

あるいは、図１５に示すように、第１の放熱部材２１８ｐは、トレーリング端４ａの平面方向に沿って延びた形状を有していてもよい。第２の放熱部材２１９ｐは、トレーリング端４ａの平面方向に沿って延びた形状を有していてもよい。すなわち、第１の放熱部材２１８ｐは、一端２１８ｐａがヘッドスライダ４の側端４ｃ近傍まで延びており、かつ、他の一端２１８ｋｂがヘッドスライダ４の上端４ｂ近傍まで延びていてもよい。第２の放熱部材２１９ｋは、一端２１９ａがヘッドスライダ４の側端４ｄ近傍まで延びており、かつ、他の一端２１９ｋｂがヘッドスライダ４の上端４ｂ近傍まで延びていてもよい。この場合、磁気記録ヘッド２１０の構造を全体的にコンパクトに抑えながら、第１の放熱部材２１８ｐ及び第２の放熱部材２１９ｐの表面積を容易に広く確保できる。また、吸熱した放熱部１５の熱をＡＢＳ面１０ａからより後退した位置で放熱できるので、周辺雰囲気中へ放熱された熱がＡＢＳ面１０ａ近傍へ到達することを抑制できる。これにより、磁気記録ヘッド１０のＡＢＳ面１０ａの磁気記録媒体５側への突き出し量をさらに抑制できる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１、２００ 磁気記録再生装置、２ ボイスコイルモータ、３ スピンドルモータ、４ ヘッドスライダ、５ 磁気記録媒体、７ アーム、８ 軸、１０、２１０ 磁気記録ヘッド、１０ａ ＡＢＳ面、１１ 記録磁極、１２ 近接場光発生部、１３ レーザー光導波路、１４ コイル、１５ 放熱部、１５ａ 第１の主面、１５ｂ 第２の主面、１６、１６ｉ、１６ｊ 第１の吸熱素子、１７、１７ｉ、１７ｊ 第２の吸熱素子、２０ 磁気再生ヘッド、２１ シールド、２２ シールド、２３ 再生素子、３０ 制御部、３１ プリアンプ、３２ レーザー制御部、３３ 温度制御素子電流制御部、３４ 記録電流制御部、３５ 信号演算部、３６ 再生信号検出部、３７ プリアンプ、４０、２４０ 吸熱部、４１ 第１の絶縁層、４２ 第２の絶縁層、１６１ 第１の吸熱層、１６２ 第１の電極層、１６２ａ、１６２ｂ 電極部、１６３ 第１の半導体層、１６３ａ Ｎ型半導体、１６３ｂ Ｐ型半導体、１６４ 第１の導電層、１６５、１６５ｉ、１６５ｊ 第１の放熱層、１７１ 第２の吸熱層、１７２ 第２の電極層、１７３ 第２の半導体層、１７３ａ Ｎ型半導体、１７３ｂ Ｐ型半導体、１７４ 第２の導電層、１７４ａ、１７４ｂ 導電部、１７５、１７５ｉ、１７５ｊ 第２の放熱層、２１８、２１８ｋ、２１８ｐ 第１の放熱部材、２１９、２１９ｋ、２１９ｐ 第２の放熱部材。

Claims (8)

1. 磁気記録媒体に情報を記録する磁気記録ヘッドであって、
   前記磁気記録媒体に対向するＡＢＳ面と、
   前記ＡＢＳ面に配された近接場光発生部と、
   前記近接場光発生部に接触配置された熱伝導体からなる熱伝導部と、
   前記ＡＢＳ面に沿った方向で前記近接場光発生部に隣接するように、前記熱伝導部に接触配置された吸熱部と、
   を備え、
   前記熱伝導部は、金属からなり、
   前記吸熱部は、
   吸熱素子と、
   前記熱伝導部と前記吸熱素子との間に挟まれた熱伝導体からなる絶縁層と、
   を有し、
   前記吸熱素子は、
   前記熱伝導部の熱を吸熱する吸熱層と、
   前記吸熱素子における前記熱伝導部に接触している面と反対側の面に配され、前記吸熱層により吸熱された熱を放熱する放熱層と、
   を有し、
   前記吸熱素子は、ペルチェ素子を含み、
   前記吸熱部は、前記吸熱素子における前記熱伝導部に接触している面と反対側の面で前記放熱層に接触配置された放熱部材をさらに有する
   ことを特徴とする磁気記録ヘッド。
2. 磁気記録媒体に情報を記録する磁気記録ヘッドであって、
   前記磁気記録媒体に対向するＡＢＳ面と、
   前記ＡＢＳ面に配された近接場光発生部と、
   前記近接場光発生部に接触配置された熱伝導体からなる熱伝導部と、
   前記ＡＢＳ面に沿った方向で前記近接場光発生部に隣接するように、前記熱伝導部に接触配置された吸熱部と、
   前記吸熱部における前記熱伝導部に接触している面と反対側の面で前記吸熱部に接触配置された放熱部材と、
   を備えたことを特徴とする磁気記録ヘッド。
3. 前記放熱部材は、少なくとも一端がヘッドスライダの上端、及び両側端のうちの少なくとも１つの近傍まで延びている
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気記録ヘッド。
4. 磁気記録媒体と、
   前記磁気記録媒体に情報を記録する磁気記録ヘッドと、
   前記記録された情報を前記磁気記録媒体から再生信号として読み出す磁気再生ヘッドと、
   を備え、
   前記磁気記録ヘッドは、
   前記磁気記録媒体に対向するＡＢＳ面と、
   前記ＡＢＳ面に配された近接場光発生部と、
   前記近接場光発生部に接触配置された熱伝導体からなる熱伝導部と、
   前記ＡＢＳ面に沿った方向で前記近接場光発生部に隣接するように、前記熱伝導部に接触配置された吸熱部と、
   を有し、
   前記熱伝導部は、金属からなり、
   前記吸熱部は、
   吸熱素子と、
   前記熱伝導部と前記吸熱素子との間に挟まれた熱伝導体からなる絶縁層と、
   を有し、
   前記吸熱素子は、
   前記熱伝導部の熱を吸熱する吸熱層と、
   前記吸熱素子における前記熱伝導部に接触している面と反対側の面に配され、前記吸熱層により吸熱された熱を放熱する放熱層と、
   を有し、
   前記吸熱素子は、ペルチェ素子を含み、
   前記吸熱部は、前記吸熱素子における前記熱伝導部に接触している面と反対側の面で前記放熱層に接触配置された放熱部材をさらに有する
   ことを特徴とする磁気記録再生装置。
5. 磁気記録媒体と、
   前記磁気記録媒体に情報を記録する磁気記録ヘッドと、
   前記記録された情報を前記磁気記録媒体から再生信号として読み出す磁気再生ヘッドと、
   を備え、
   前記磁気記録ヘッドは、
   前記磁気記録媒体に対向するＡＢＳ面と、
   前記ＡＢＳ面に配された近接場光発生部と、
   前記近接場光発生部に接触配置された熱伝導体からなる熱伝導部と、
   前記ＡＢＳ面に沿った方向で前記近接場光発生部に隣接するように、前記熱伝導部に接触配置された吸熱部と、
   前記吸熱部における前記熱伝導部に接触している面と反対側の面で前記吸熱部に接触配置された放熱部材と、
   を有する
   ことを特徴とする磁気記録再生装置。
6. 前記放熱部材は、少なくとも一端がヘッドスライダの上端、及び両側端のうちの少なくとも１つの近傍まで延びている
   ことを特徴とする請求項４又は５に記載の磁気記録再生装置。
7. 前記磁気再生ヘッドからの再生信号を検出する再生信号検出部と、
   前記再生信号検出部によりそれぞれ検出された複数の再生信号を保存する保存部と、
   前記保存部に保存された複数の再生信号を比較し、比較結果に応じた演算を行う演算部と、
   前記演算部による演算結果に基づき、前記吸熱部に流すべき電流を決定する決定部と、
   前記決定部による決定結果に従い、前記吸熱部に電流を流す電流供給部と、
   をさらに備えた
   ことを特徴とする請求項４から６のいずれか１項に記載の磁気記録再生装置。
8. 前記演算部は、前記保存部に保存された複数の再生信号の比較結果に応じてビット誤り率を計算し、
   前記決定部は、前記計算部により計算されたビット誤り率の変化に応じて、前記吸熱部に流すべき電流を決定する
   ことを特徴とする請求項７に記載の磁気記録再生装置。

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