JP5812887B2

JP5812887B2 - 表示モジュール、表示装置、表示モジュールの製造方法、および表示装置の製造方法

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Publication number: JP5812887B2
Application number: JP2012018512A
Authority: JP
Inventors: 兼一谷川; 鈴木　貴人; 貴人鈴木
Original assignee: 株式会社沖データ; 株式会社沖デジタルイメージング
Priority date: 2012-01-31
Filing date: 2012-01-31
Publication date: 2015-11-17
Anticipated expiration: 2032-01-31
Also published as: JP2013156539A; US20130194550A1; US9423109B2

Description

本発明は、表示モジュール、表示装置、表示モジュールの製造方法、および表示装置の製造方法に関する。

従来、自己発光素子として、発光ダイオード（以下「ＬＥＤ」という。）、有機エレクトロルミネセンス素子（以下「有機ＥＬ素子」という。）、無機ＥＬ素子等があり、非自発光型素子として、液晶等がある。

複数の自己発光素子が２次元マトリクス状に配置された自己発光素子アレイによる表示装置は、ライトバルブ式（例えば、液晶等）と比較して光損失が少ないために効率が高い。直視型の表示装置においては、バックライトを使用しないために軽量化や薄型化が可能である。また、ヘッドアップディスプレイ（以下「ＨＵＤ」という。）、プロジェクタ、リアプロジェクション等の投射型表示装置において、液晶等の非自発光型素子を映像素子に使用する場合は、光源が必要であるが、自己発光型の場合では映像素子自体が光源となるので、光源及び光学系を必要としない。従って、装置の小型化が可能となる。

自己発光素子アレイによる表示装置としては、例えば、特許文献１に示されるように、基板上に複数の半導体薄膜発光素子がマトリクス状に集積化された表示装置が知られている。

特開２０１０−１９９１７６号公報

ところで、基板上に複数の発光素子が配置された構成では、複数の発光素子が配置された表示領域の外周領域を封止したい場合がある。外周領域を封止する手法としては、ポッティングが考えられる。外周領域にポッティングを行う場合、ポッティング材料が表示領域に進入すると、表示輝度低下などの悪影響が生じる。

本発明は、表示領域へのポッティング材料の進入を防止しつつ、表示領域の外周領域をポッティングにより封止することが可能な表示モジュール、表示装置、表示モジュールの製造方法、および表示装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明に係る表示モジュールは、
基板と、
前記基板上に設けられた複数の発光素子と、
前記基板上に、前記複数の発光素子が配置された表示領域の外周縁から所定の距離だけ隔てられた位置に、前記表示領域の外周縁の少なくとも一部を囲むように設けられたバンクと、
前記バンク上および前記バンクの外周領域に設けられ、樹脂材料により形成された外周保護部と、
を有し、
前記外周保護部の前記バンクと反対側は、当該表示モジュールの外部に露出していることを特徴とする。

また、本発明に係る表示装置は、上記の表示モジュールと、前記表示モジュールからの出射光を所定箇所へ投影して画像を表示させる光学系と、を備える投射型の表示装置である。

また、本発明に係る表示装置は、上記の表示モジュールを備える直視型の表示装置である。

また、本発明に係る表示モジュールの製造方法は、
複数の発光素子が配置された表示領域を有する基板を用意する工程と、
前記基板上に、前記表示領域の外周縁から所定の距離だけ隔てられた位置に、前記表示領域の外周縁の少なくとも一部を囲むバンクを設ける工程と、
前記バンク上および前記バンクの外周領域にポッティングにより外周保護部を形成して前記バンク上および前記バンクの外周領域を封止し、表示モジュールを得る工程と、
を含み、
前記外周保護部の前記バンクと反対側は、前記表示モジュールの外部に露出していることを特徴とする。

また、本発明に係る表示装置の製造方法は、上記の表示モジュールの製造方法と、前記製造された表示モジュールからの出射光を所定箇所へ投影して画像を表示させる光学系を設ける工程と、を含む投射型の表示装置の製造方法である。

また、本発明に係る表示装置の製造方法は、上記の表示モジュールの製造方法と、前記製造された表示モジュールを有する直視型の表示装置を製造する工程と、を含む直視型の表示装置の製造方法である。

本発明によれば、表示領域へのポッティング材料の進入を防止しつつ、表示領域の外周領域をポッティングにより封止することが可能となる。

実施の形態１における表示モジュール（ＤＭ）の全体を示す外観の斜視図である。図１における破線Ｘ−Ｘ’の断面図である。図１における破線Ｙ−Ｙ’の断面図である。図１のＤＭから外周保護部を省略したＤＭの斜視図である。図１のＤＭから外周保護部、バンク、ＬＭＤ保護部、およびダミーＬＭＤ保護部を省略したＤＭであるＮＤＭの斜視図である。図５のアノード接続配線領域の部分拡大平面図である。図５のカソード接続配線領域の部分拡大平面図である。図５のＮＤＭの等価的な回路を示す図である。図５におけるＬＭＤ内の破線四角形領域Ａ１に含まれる４×４画素マトリクスを示す部分的な平面図である。図９中の破線四角形領域Ａ２における破線Ｉ１−Ｉ２の断面図である。実施の形態１におけるＤＭの製造方法を示す工程図である。図１１の各工程を説明するための図である。図１１の各工程を説明するための図である。図１１の各工程を説明するための図である。図１１の各工程を説明するための図である。図１１の各工程を説明するための図である。実施の形態２におけるＤＭの全体を示す外観の斜視図である。図１７における破線Ｘ−Ｘ’の断面図である。実施の形態３におけるＤＭの全体を示す外観の斜視図である。実施の形態４におけるＤＭの全体を示す外観の斜視図である。実施の形態５における表示装置の構成を示す概略構成図である。実施の形態６における表示装置の構成を示す概略構成図である。実施の形態７における表示装置の構成を示す概略構成図である。実施の形態８における表示装置の構成を示す概略構成図である。変形例４におけるＤＭの全体を示す外観の斜視図である。

以下、本発明の実施の形態を図面に従って説明する。
実施の形態１．
［表示モジュールの構成］
図１は、実施の形態１における表示モジュール（ディスプレイモジュール、以下「ＤＭ」という。）１００の全体を示す外観の斜視図である。図２は、図１における破線Ｘ−Ｘ’の断面図である。図３は、図１における破線Ｙ−Ｙ’の断面図である。図１〜図３において、ＤＭ１００は、パネル状のモジュールであり、表示パネルである。

図１〜図３に示されるように、ＤＭ１００は、基板１を有する。基板１は、例えば、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＺｎＯ等の半導体基板、ＡｌＮ、Ａｌ_２Ｏ_３等のセラミック基板、ガラス基板、ガラスエポキシ基板、Ｃｕ、Ａｌ等の金属基板、プラスチック基板等で構成されている。

基板１の表面上には、複数の発光素子２が配置されている。ここでは、発光素子２は薄膜半導体発光素子である。また、発光素子２はＬＥＤ素子であり、複数の発光素子２はＬＥＤマイクロディスプレイ（以下「ＬＭＤ」という。）３を構成する。

基板１における複数の発光素子２が配置された表示領域４（またはＬＭＤ３）上には、複数の発光素子２を保護する保護部としてのＬＭＤ保護部５ａが設けられており、このＬＭＤ保護部５ａの外周には、ダミーＬＭＤ保護部５ｂが設けられている。ダミーＬＭＤ保護部５ｂは、例えば、ＬＭＤ３の端部が異常に光る現象を防止する役割を果たす。ＬＭＤ保護部５ａおよびダミーＬＭＤ保護部５ｂは、互いに同一の材料で形成されており、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、アミドイミド樹脂などの透過率の高い材料で形成されることが望ましい。また、ＬＭＤ保護部５ａおよびダミーＬＭＤ保護部５ｂは、平坦であることが望ましい。

基板１の表面上において、表示領域４（またはダミーＬＭＤ保護部５ｂ）の外周縁から所定の距離だけ隔てられた位置には、表示領域４（またはダミー保護部５ｂ）の外周縁の少なくとも一部を囲むバンク６が設けられており、ダミーＬＭＤ保護部５ｂとバンク６との間には、トレンチ７が形成されている。すなわち、ダミーＬＭＤ保護部５ｂの外周には、境界溝となるトレンチ７が形成され、このトレンチ７を境界としてさらに外周には、バンク６が形成されている。バンク６は、例えば、ＬＭＤ保護部５ａやダミーＬＭＤ保護部５ｂと同一の材料で形成される。バンク６の高さは、例えば１００μｍ程度である。

基板１上には、各発光素子２を選択的に駆動する駆動回路であるディスプレイドライバ集積回路（以下「ドライバＩＣチップ」という。）１０と、このドライバＩＣチップ１０と外部の制御回路とを接続するケーブルであるフラット型ケーブル（例えばフラット型フレキシブルケーブル）１１とが固定されている。ドライバＩＣチップ１０は異方性導電膜１２を介して基板１上に固定され、フラット型ケーブル１１は異方性導電膜１３を介して基板１上に固定されている。具体的には、ドライバＩＣチップ１０は、表面側にバンプ形成された端子を持ち、フェイスダウンで異方性導電膜１２を介して基板１に圧着することで、基板１上に形成された配線パターンと電気的に接続されている。フラット型ケーブル１１は、異方性導電膜１３を介して基板１に圧着することで、基板１上に形成された配線パターンと電気的に接続されている。ＬＭＤ３とドライバＩＣチップ１０とは、基板１上に形成された配線パターン（後述するアノード接続配線３１およびカソード接続配線３４）により相互に接続されている。また、ドライバＩＣチップ１０とフラット型ケーブル１１とは、基板１上に形成された配線パターン（後述する入力信号接続配線）により相互に接続されている。さらに、表示領域４の外周領域には、発光素子試験用の端子であるアノードパッド１４およびカソードパッド１５が設けられている。なお、図１〜図３では、基板１上に形成されている各種の配線パターンは図示されていない。

基板１の表面上において、表示領域４の外周領域には、基板１の表面を覆うように外周保護部１６が形成されている。具体的には、外周保護部１６は、バンク６上およびバンク６の外周領域、すなわちトレンチ７の外周領域に形成されている。より具体的には、外周保護部１６は、バンク６の頂部（または上面部）におけるトレンチ７との境界のエッジ部分と、基板１の最外周におけるエッジ部分との間で形成されている。表示領域４の外周領域に設けられた、アノードパッド１４、カソードパッド１５、各種の配線パターン、異方性導電膜１２，１３、およびフラット型ケーブル１１は、外周保護部１６により被覆されている。また、ドライバＩＣチップ１０の側面部は、外周保護部１６により覆われている。外周保護部１６は、樹脂材料により形成され、望ましくはシリコーン樹脂により形成される。

フラット型ケーブル１１の裏面（ＬＭＤ３の上方から見て裏側の面）と基板１の側面との間には、基板１からはみ出した異方性導電膜１３およびフラット型ケーブル１１の配線パターンを覆うように、樹脂材料によるケーブル保護部１７が形成されている。

基板１が導電性材料の場合、基板１表面と、配線パターン（例えばアノード接続配線３１やカソード接続配線３４）、各種のパッド（電極）、および複数の発光素子２との間には、絶縁層が形成される。

なお、本例では基板１上に１個のドライバＩＣチップ１０が設けられているが、回路構成によっては複数個のドライバＩＣチップが設けられてもよい。

図４は、図１のＤＭ１００から外周保護部１６を省略したＤＭ１２０の斜視図である。以下、図４を参照して、バンク６の構成および発光素子試験用のアノードパッド１４およびカソードパッド１５の配置について説明する。なお、図４では、配線パターンは図示されていない。

図４に示されるように、表示領域４は、平面視で略矩形状であり、ドライバＩＣチップ１０を下にして表示領域４を正面から見た場合に、右辺Ｓ１、左辺Ｓ２、下辺Ｓ３、および上辺Ｓ４を有する。

基板１の表面上において、表示領域４の下辺Ｓ３の外側には、複数のアノードパッド１４を含むパッド形成領域２１が配置されている。また、表示領域４の右辺Ｓ１および左辺Ｓ２の外側には、それぞれ、複数のカソードパッド１５を含むパッド形成領域２２ａおよび２２ｂが配置されている。

バンク６は、表示領域４（またはダミーＬＭＤ保護部５ｂ）の４辺のうち所定の辺を除く３辺を囲むように設けられている。具体的には、バンク６は、表示領域４の４辺Ｓ１〜Ｓ４のうち外側にパッド形成領域のない上辺Ｓ４を除く３辺Ｓ１〜Ｓ３を囲むように、表示領域４（またはダミーＬＭＤ保護部５ｂ）とパッド形成領域２１，２２ａ，２２ｂとの間に設けられている。より具体的には、バンク６は、表示領域４の上辺Ｓ４を除く３辺Ｓ１〜Ｓ３のうち互いに対向する２辺Ｓ１，Ｓ２と対向する対向部６ａ，６ｂと、表示領域４の上辺Ｓ４の反対側の下辺Ｓ３と対向する対向部６ｃと、対向部６ａと対向部６ｃとを連結する連結部６ｄと、対向部６ｂと対向部６ｃとを連結する連結部６ｅとを有する。図４の例では、対向部６ａ，６ｂ，６ｃは直線状であり、連結部６ｄ，６ｅはそれぞれ２つの対向部を滑らかに連結するように構成されている。具体的には、連結部６ｄ，６ｅは、平面視で外側に凸となるように円弧状に形成されている。すなわち、バンク６は、平面視で隅部が丸くなるように形成されている。

図５は、図１のＤＭ１００から外周保護部１６、バンク６、ＬＭＤ保護部５ａ、およびダミーＬＭＤ保護部５ｂを省略したＤＭであるＮＤＭ１４０の斜視図である。

図５において、ＮＤＭ１４０は、基板１を有し、基板１の表面上には、複数の発光素子２により形成されたＬＭＤ３、アノード接続配線領域２３、カソード接続配線領域２４ａ，２４ｂ、および入力信号接続配線領域２５を有する。

アノード接続配線領域２３は、表示領域４（またはＬＭＤ３）の下辺Ｓ３の外側に配置されている。カソード接続配線領域２４ａおよび２４ｂは、それぞれ表示領域４（またはＬＭＤ３）の右辺Ｓ１および左辺Ｓ２の外側に配置されている。入力信号接続配線領域２５は、複数の入力信号接続配線が形成されている領域であり、ドライバＩＣチップ１０とフラット型ケーブル１１との間に配置されている。図４のパッド形成領域２１は、アノード接続配線領域２３内に配置される。また、図４のパッド形成領域２２ａおよび２２ｂは、それぞれカソード接続配線領域２４ａおよび２４ｂの外側に配置される。

ＬＭＤ３は、アノード接続配線領域２３およびカソード接続配線領域２４ａ，２４ｂを介してドライバＩＣチップ１０と電気的に接続されている。ドライバＩＣチップ１０は、入力信号接続配線領域２５を介して、フラット型ケーブル１１と電気的に接続されている。フラット型ケーブル１１は、図示しない外部の制御回路と電気的に接続される。

図６は、図５のアノード接続配線領域２３の部分拡大平面図である。図６において、アノード接続配線領域２３には、複数のアノード接続配線３１が形成されている。複数のアノード接続配線３１上には、層間絶縁膜３２が形成されており、この層間絶縁膜３２上にＬＭＤ３内の複数のアノード配線３３が形成されている。各アノード接続配線３１の一端は、層間絶縁膜３２に設けられたコンタクト用の開口部３２ａを介して、対応するアノード配線３３と接続されている。各アノード接続配線３１の他端は、ドライバＩＣチップ１０のバンプに接続されるパッドと接続されている。また、各アノード接続配線３１の途中には、発光素子試験用のアノードパッド１４が形成されており、パッド形成領域２１には、複数のアノードパッド１４が形成されている。

図７は、図５のカソード接続配線領域２４ａの部分拡大平面図である。図７において、カソード接続配線領域２４ａには、複数のカソード接続配線３４が形成されている。各カソード接続配線３４の一端は、ＬＭＤ３内の対応するカソード配線３６と接続されている。各カソード接続配線３４の他端は、ドライバＩＣチップ１０のバンプに接続されるパッドと接続されている。また、複数のカソード接続配線３４上には、層間絶縁膜３２が形成されており、この層間絶縁膜３２上には、複数のパッド接続配線３７が形成されている。各パッド接続配線３７の一端は、層間絶縁膜３２に設けられたコンタクト用の開口部３２ｂを介して、対応するカソード接続配線３４と接続されている。各パッド接続配線３７の他端は、層間絶縁膜３２上に設けられた対応する発光素子試験用のカソードパッド１５と接続されている。パッド形成領域２２ａには、複数のカソードパッド１５が形成されている。

同様に、図５のカソード接続配線領域２４ｂには、複数のカソード接続配線３４が形成されており、パッド形成領域２２ｂには、複数のカソードパッド１５が形成されている。

なお、以下の説明では、区別する必要がある場合には、カソード接続配線領域２４ａ内のカソード接続配線３４をカソード接続配線３４ａと称し、カソード接続配線領域２４ｂ内のカソード接続配線３４をカソード接続配線３４ｂと称する。

図８は、図５のＮＤＭ１４０の等価的な回路を示す図である。図８において、ＮＤＭ１４０は、ＬＭＤ３、表示制御部４０、アノードドライバ４１、およびカソードドライバ４２ａ，４２ｂを有する。表示制御部４０、アノードドライバ４１、およびカソードドライバ４２ａ，４２ｂは、ドライバＩＣチップ１０に一体化されていることが望ましい。

ＬＭＤ３は、ｍ行ｋ列のパッシブ型単純マトリクスにより構成されており、列方向（縦方向）に延び、列方向と交差する行方向（横方向）に並列に配置された複数本（ｋ本）のアノード配線３３と、行方向に延び、列方向に並列に配置された複数本（ｍ本）のカソード配線３６と、複数個（ｍ×ｋ個）の発光素子２（１，１）〜２（ｍ，ｋ）とを有する。複数個の発光素子２（１，１）〜２（ｍ，ｋ）は、アノード配線３３とカソード配線３６との交差箇所に設けられ、それぞれ対応するアノード配線３３およびカソード配線３６と電気的に接続されている。なお、発光素子２に付された添え字（ｉ，ｊ）は、当該発光素子２の行方向および列方向の位置を表し、発光素子２（ｉ，ｊ）は、第ｉ行目かつ第ｊ列目の発光素子である。

ｋ本のアノード配線３３は、ｋ本のアノード接続配線３１を介して、アノードドライバ４１に接続されている。図５におけるアノード接続配線領域２３には、このｋ本のアノード接続配線３１が形成されている。

ｍ本のカソード配線３６は、それぞれ隣接したカソード配線３６と異なるようにカソード接続配線３４ａまたは３４ｂに接続されている。具体的には、奇数番目のカソード配線３６は、ｍ／２本のカソード接続配線３４ａを介して、カソードドライバ４２ａと接続されている。また、偶数番目のカソード配線３６は、ｍ／２本のカソード接続配線３４ｂを介して、カソードドライバ４２ｂと接続されている。図５におけるカソード接続配線領域２４ａには、奇数番目のカソード配線３６から延長されたｍ／２本のカソード接続配線３４ａが形成されており、図５におけるカソード接続配線領域２４ｂには、偶数番目のカソード配線３６から延長されたｍ／２本のカソード接続配線３４ｂが形成されている。

ｋ本のアノード配線３３は、図４のパッド形成領域２１内のｋ個のアノードパッド１４に接続される。奇数番目のｍ／２本のカソード配線３６は、ｍ／２本のパッド接続配線３７を介して、図４のパッド形成領域２２ａ内のｍ／２個のカソードパッド１５に接続される。偶数番目のｍ／２本のカソード配線３６は、ｍ／２本のパッド接続配線３７を介して、図４のパッド形成領域２２ｂ内のｍ／２個のカソードパッド１５に接続される。

アノードドライバ４１およびカソードドライバ４２ａ，４２ｂは表示制御部４０と接続され、表示制御部４０は、図５における入力信号接続配線領域２５内の複数の入力信号接続配線およびフラット型ケーブル１１を介して、図示しない外部の制御回路と接続される。

表示制御部４０は、図示しない外部の制御回路等から与えられる表示データに基づき、ＬＭＤ３の各発光素子２を駆動するためのアノード駆動信号およびカソード駆動信号を出力する。表示制御部４０は、例えば、所定の演算機能を有するプロセッサや複合論理回路と、当該プロセッサ等が外部の制御回路等とのデータの授受を行うためのバッファと、外部の制御回路等からのデータを記憶するための記憶回路と、制御回路へのタイミング信号や、表示タイミング信号、記憶回路等への読み出し／書き込みのタイミング信号等を与えるタイミング信号発生回路（発振回路）と、記憶回路から読み出された表示データあるいはこれを加工することにより得られた表示データを駆動信号として出力する駆動信号出力回路と、外部から与えられる表示機能に関する情報や制御コマンド等を格納する各種レジスタと、を有する。

アノードドライバ４１は、表示制御部４０から供給されるアノード駆動信号（例えば、発光する又は発光しないを意味する発光データ）に応じて、ＬＭＤ３の各アノード配線３３に接続されている発光素子２の列に所定の電流を供給する機能を有している。アノードドライバ４１は、例えば、シフトレジスタ、ラッチ回路、および定電流回路を有する。シフトレジスタは、表示制御部４０から供給されるシリアルなアノード駆動信号を受け、当該信号を直並列変換してパラレルな発光データを出力する。ラッチ回路は、シフトレジスタの出力側に接続されており、シフトレジスタから出力されたパラレルな発光データを保持する回路である。定電流回路は、ラッチ回路の出力側に接続されており、ラッチ回路に保持されているパラレルな発光データに応じた電流を、アノード配線３３を介して各発光素子２に供給する。

カソードドライバ４２ａ，４２ｂは、例えば、セレクト回路等で構成されており、表示制御部４０から供給されるカソード駆動信号に基づき、各カソード配線３６に接続されている発光素子２の行を走査する機能を有する。

図９は、図５におけるＬＭＤ３内の破線四角形領域Ａ１に含まれる４×４画素マトリクスを示す部分的な平面図である。
図９に示されるように、ＬＭＤ３は、列方向（縦方向）に延び、行方向（横方向）に並列に配置された複数本の帯状のアノード配線３３と、行方向に延び、列方向に並列に配置された複数本の帯状のカソード配線３６と、これらの交差箇所に２次元マトリクス状に配置された複数個の発光素子２とを有する。アノード配線３３とカソード配線３６との間には、層間絶縁膜３２（図９では不図示）が設けられている。

図１０は、図９中の破線四角形領域Ａ２における破線Ｉ１−Ｉ２の断面図である。
図１０に示されるように、基板１上には、絶縁層である平滑化層５１を介して、発光素子２が接合されている。発光素子２は、例えば、平滑化層５１上に接合されたＮ型半導体層５２と、発光部５３とを有する。発光部５３は、Ｎ型半導体層５２上に設けられる活性層５４や、当該活性層５４上に設けられるＰ型半導体層５５等を有する。

また、平滑化層５１上には、帯状のカソード配線３６が形成されており、当該カソード配線３６は、Ｎ型半導体層５２のＮコンタクト部５２ａまで延長され、Ｎコンタクト部５２ａでＮ型半導体層５２とオーミック接触している。

発光部５３の周辺は、絶縁膜５６により覆われている。絶縁膜５６上には、層間絶縁膜３２を介して帯状のアノード配線３３が形成されており、当該アノード配線３３は、Ｐ型半導体層５５のＰコンタクト部５５ａまで延長され、Ｐコンタクト部５５ａでＰ型半導体層５５とオーミック接触している。

上述のように、基板１と発光素子２との界面には、絶縁層である平滑化層５１が形成されている。これにより、各画素の発光素子２を互いに電気的に分離することができ、マトリクス構造を形成することが可能となる。
なお、基板１と平滑化層５１との間には、さらに絶縁層が設けられてもよい。

上記ＤＭ１００の基板１の裏側（ＬＭＤ３が設けられる面と反対側の面）には、図示しないヒートシンクや金属筐体が取り付けられてもよい。この場合、基板１の裏側とヒートシンクや金属筐体との間には、図示しない絶縁性の放熱ペーストや放熱シートが設けられ、ＬＭＤ３やドライバＩＣチップ１０からの熱が効率よく放熱するように構成されてもよい。

［表示モジュールの製造方法］
図１１は、実施の形態１におけるＤＭ１００の製造方法を示す工程図である。以下、図１１を参照して、ＤＭ１００の製造方法の工程例を説明する。

図１１において、ＤＭ１００の製造方法は、用意工程Ｓ１、バンク形成工程Ｓ２、発光試験工程Ｓ３、ダイシング工程Ｓ４、異方性導電膜工程Ｓ５、ポッティング工程Ｓ６、およびケーブル保護工程Ｓ７を含む。

用意工程Ｓ１は、複数の発光素子２が配置された表示領域４を有する基板を用意する工程である。本例では、用意工程Ｓ１は、基板上に複数個のＬＭＤ３を形成する工程を含む。

バンク形成工程Ｓ２は、基板上にバンク６を形成する工程であり、本例では、表示領域４上にＬＭＤ保護部５ａおよびダミーＬＭＤ保護部５ｂを形成する工程を含む。

発光試験工程Ｓ３は、ＬＭＤ３に含まれる各発光素子２の発光試験を行う工程である。
ダイシング工程Ｓ４は、複数個のＬＭＤ３が形成された基板をＬＭＤ３ごとに切断し、それぞれ１個のＬＭＤ３を有する複数個の基板を得る工程である。

異方性導電膜工程Ｓ５は、異方性導電膜を用いて、基板上にドライバＩＣチップ１０とフラット型ケーブル１１とを設ける工程である。

ポッティング工程Ｓ６は、バンク６上およびバンク６の外周領域をポッティングにより封止する工程である。

ケーブル保護工程Ｓ７は、フラット型ケーブル１１を保護するケーブル保護部１７を形成する工程である。

図１２〜図１６は、図１１の各工程を説明するための図である。図１２〜図１５には、図１における破線Ｘ−Ｘ’の断面に対応する断面図が示されている。図１６には、図１における破線Ｙ−Ｙ’の断面に対応する断面図が示されている。以下、図１２〜図１６を参照して、図１１の各工程について詳しく説明する。

＜用意工程Ｓ１＞
用意工程Ｓ１では、図１２に示されるように、デバイス形成が行われる基板である形成基板６１を用意する。形成基板６１としては、例えば、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＺｎＯ等の半導体基板、ＡｌＮ、Ａｌ_２Ｏ_３等のセラミック基板、ガラス基板、ガラスエポキシ基板、Ｃｕ、Ａｌ等の金属基板、プラスチック基板等を使用できる。

次に、形成基板６１の表面全体に図示しない絶縁層を形成し、この絶縁層の表面のうちＬＭＤ３が形成される領域に平滑化層５１を形成する（図１０参照）。

そして、平滑化層５１上に、複数の発光素子２をマトリクス状に配置する。発光素子２は、例えば、分子間力により平滑化層５１に接合される（図９，１０，１２参照）。

次に、各発光素子２の発光部５３の周辺を覆うように絶縁膜５６を形成する（図９，１０参照）。この絶縁膜５６には、発光部５３の表面の周縁部以外の大部分を露出させる開口部と、Ｎ型半導体層５２の表面の一部であるＮコンタクト部５２ａを露出させる開口部とが形成される。

次に、平滑化層５１上にカソード配線３６を形成する（図９，１０参照）。このカソード配線３６は、Ｎコンタクト部５２ａでＮ型半導体層５２とオーミック接触するように形成される。また、カソード配線３６の形成と同時に、ＬＭＤ３が形成される領域外の領域（非ＬＭＤ領域）において、絶縁層上に各種の配線およびパッドを形成する。具体的には、図５のアノード接続配線領域２３内の複数のアノード接続配線３１、図５のカソード接続配線領域２４ａ，２４ｂ内の複数のカソード接続配線３４、図５の入力信号接続配線領域２５内の複数の入力信号接続配線を形成する。また、図５のパッド形成領域２１内の複数のアノードパッド１４、ドライバＩＣチップ１０表面に形成されたバンプとの電気的接続のためのパッド、およびフラット型ケーブル１１との電気的接続のためのパッドを形成する。

次に、形成基板６１上に層間絶縁膜３２を形成する（図１０参照）。この層間絶縁膜３２には、各発光素子２の発光部５３の表面の大部分を露出させる開口部、アノード接続配線３１のＬＭＤ３側端部を露出させる開口部３２ａ（図６参照）、カソード接続配線３４のＬＭＤ３側端部を露出させる開口部３２ｂ（図７参照）、複数のアノードパッド１４を露出させる開口部、ドライバＩＣチップ１０に接続されるパッドを露出させる開口部、およびフラット型ケーブル１１に接続されるパッドを露出させる開口部が形成される。

そして、層間絶縁膜３２上に複数のアノード配線３３を形成する（図９，１０参照）。各アノード配線３３は、対応する発光素子２のＰ型半導体層５５とＰコンタクト部５５ａでオーミック接触し、対応するアノード接続配線３１と開口部３２ａを介して接続されるように形成される（図６，９，１０参照）。また、アノード配線３３の形成と同時に、層間絶縁膜３２上に、パッド形成領域２２ａ，２２ｂの複数のカソードパッド１５と、複数のパッド接続配線３７とを形成する（図５，７参照）。各パッド接続配線３７は、その一端が対応するカソードパッド１５に接続され、他端が開口部３２ｂを介して対応するカソード配線３６に接続されるように形成される。

次に、形成基板６１の表面全体に図示しない絶縁膜を形成する。この絶縁膜には、各種のパッド（発光素子試験用のアノードパッド１４およびカソードパッド１５、ドライバＩＣチップ１０に接続されるパッド、およびフラット型ケーブル１１に接続されるパッドを露出させる開口部が形成される。

上記の工程において、各種の配線およびパッド（発光素子２の電極、アノード配線３３、カソード配線３６、アノード接続配線３１、カソード接続配線３４、入力信号接続配線、アノードパッド１４、カソードパッド１５、ドライバＩＣチップ１０との接続のためのパッド、フラット型ケーブル１１との接続のためのパッドなど）の形成方法としては、例えば、配線パターンとなる導電性の膜を蒸着やスパッタリングにより成膜後、フォトリソグラフィー技術でレジストをパターニングし、エッチングにより配線形成する方法や、フォトリソグラフィー技術でレジストをパターニングし、配線パターンとなる導電性の膜を蒸着やスパッタリングにより成膜後、レジストを除去することにより配線をパターニングする方法がある。配線材料としては、例えば、Ａｕ、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ、Ｔｉ／Ａｕ、ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ、ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ等のＡｕ系メタル配線や、Ａｌ、Ｎｉ／Ａｌ、Ｎｉ／ＡｌＮｄ、Ｎｉ／ＡｌＳｉＣｕ、Ｔｉ／Ａｌ等のＡｌ系メタル配線を使用できる。さらに、ＩＴＯ、ＺｎＯ等の酸化物系の透明電極を用いることもできる。

また、絶縁層５６や層間絶縁膜３２など、各種の絶縁膜としては、ＳｉＯ_２、ＳｉＮ，ＳｉＯＮなどの無機系絶縁膜や、ポリイミド、アクリル、アミドイミドなどの有機系絶縁膜を形成できる。無機系絶縁膜の形成には、例えば、ＣＶＤ法やスパッタリング法で絶縁膜を成膜後に、フォトリソグラフィー技術でレジストをパターニングし、エッチングによりパターン形成する方法が用いられる。有機系絶縁膜の形成には、例えば、スピンコート法や、スプレーコート法、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）のラミネータ（貼合装置）による転写などにより、絶縁膜材料を形成し、フォトリソグラフィー技術で絶縁膜材料をパターン形成し、所定の温度でベークする方法が用いられる。

発光素子２は、図示しない成長基板上において、結晶成長および半導体プロセスによるパターニングが施されることにより形成される。形成された発光素子２を成長基板から剥離し、形成基板６１へ転写することで、形成基板６１上で発光素子２のマトリクス構造が形成される。発光素子２としては、例えばＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＧａＰ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＧａＡｓ、ＩｎＡｓ等のＩＩＩ−Ｖ属化合物半導体材料やその混晶半導体材料でエピタキシャル成長されたＬＥＤや、ＺｎＯ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳのＩＩ−ＶＩ属化合物半導体材料でエピタキシャル成長されたＬＥＤや、有機系材料で形成されたＬＥＤなどがある。成長基板としては、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＧａＰ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＧａＡｓ、ＩｎＡｓ、ＺｎＯ、Ａｌ_２Ｏ_３（サファイア）などがある。

＜バンク形成工程Ｓ２＞
バンク形成工程Ｓ２では、用意工程Ｓ１でＬＭＤ３が形成された形成基板６１上に、ＬＭＤ保護部５ａ、ダミーＬＭＤ保護部５ｂ、およびバンク６の材料となるドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）をラミネータ（貼合装置）により転写する。

そして、転写されたＤＦＲに、フォトリソグラフィーを施しパターニングを行う。パターニング後、図１３に示されるように、ＬＭＤ保護部５ａ、ダミーＬＭＤ保護部５ｂ、およびバンク６が形成されると同時に、トレンチ７が形成される。また、バンク６より外周の非ＬＭＤ領域（非表示領域）のＤＦＲは除去される。このように、ＬＭＤ保護部５ａ、ダミーＬＭＤ保護部５ｂ、バンク６、およびトレンチ７は、同一の工程にて形成される。

ＤＦＲの材料としては、エポキシ系、シリコーン系、アクリル系、アミドイミド系、フッ素系などのフィルム状の感光性樹脂材料がある。ＤＦＲは、フィルム状のレジストであり、例えば、ベースフィルム上に塗布したフォトレジスト層を乾燥後、保護フィルムをフォトレジスト層にラミネートして形成されている。このＤＦＲは、フィルム状に加工した感光性樹脂を、厚さ２０〜２５μｍのベースフィルムと保護フィルムの間に挟み込んだ３層構造になっている。ベースフィルムには、紫外線（ＵＶ）透過性に優れ、高透明で平坦な二軸延伸ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムが適している。また、保護フィルムには、フォトレジスト層に対して、適度の離型性を有し、低フィッシュアイで平面性の良好なＬＤＰＥフィルムを使用することが好ましい。

＜発光試験工程Ｓ３＞
パッド形成領域２１に形成された複数の試験用のアノードパッド１４と、パッド形成領域２２ａ，２２ｂに形成された複数の試験用のカソードパッド１５とを用いて、チップ分割を行う前にウェハレベルで、ＬＭＤ３の発光試験および電気的な試験を行うことができる。ＬＭＤ３の発光試験および電気的試験は、例えば、以下のような手順で行うことができる。

アノードパッド１４およびカソードパッド１５上にテスト用のプローブをそれぞれ接触させ、アノード配線３３とカソード配線３６の間に配置された発光素子２に所定の電流を注入する。電流注入により発光素子２は電流に対応した光を放出する。このとき、発光素子２からの光量および電流に対する電圧を測定し、試験を行うことができる。また、対象となる発光素子２以外の発光素子２が発光していないかどうかも確認できる。

また、異なるアノード配線３３間に電圧を印加する試験を行うことで、アノード配線３３間のリーク試験を行うことができる。同様にして異なるカソード配線３６間でもリーク試験を行うことができる。

これらの試験により、予め設けられた基準に従って、ＬＭＤ３または発光素子２の特性による選別やランク分けを行うことができる。

＜ダイシング工程Ｓ４＞
図１４は、ブレードダイシング時の概略図を示している。ダイシング工程Ｓ４では、形成基板６１をテープフレーム６２上に転写する。その後、ダイシングブレード６３により形成基板６１を切断し、個片化された基板６１ａ，６１ｂ等を得る。個片化後、テープフレーム６２から各基板を剥離することで、図１５に示されるように、ＬＭＤ３、ＬＭＤ保護部５ａ、ダミーＬＭＤ保護部５ｂ、バンク６、トレンチ７、および図示しない配線パターンが形成された基板１を得る。

＜異方性導電膜工程Ｓ５＞
図１６を用いて、異方性導電膜工程Ｓ５について説明する。異方性導電膜工程Ｓ５では、ドライバＩＣチップ１０およびフラット型ケーブル１１について、基板１への固定と、基板１表面に形成された配線パターンとの電気的接続とを行う。

具体的には、基板１上のドライバＩＣチップ１０を圧着する領域に所定の幅の異方性導電膜１２を転写する。転写後、ドライバＩＣチップ１０のパターン面に形成された金バンプが基板１の表面を向くようにし、ドライバＩＣチップ１０側の配線パターンと基板１側の配線パターンとが一致するようにフェイスダウンでアライメントし、所定の温度および圧力で仮圧着を行う。その後、所定の温度および圧力で本圧着を行う。圧着の際には、ドライバＩＣチップ１０に対して図中矢印Ｘ１方向に力が加えられる。

続いて、基板１上のフラット型ケーブル１１を圧着する領域に所定の幅の異方性導電膜１３を転写する。転写後、フラット型ケーブル１１の導電面が基板１表面側を向くようにし、フラット型ケーブル１１側の配線パターンと基板１側の配線パターンとが一致するようにアライメントし、所定の温度および圧力で仮圧着を行なう。その後、所定の温度および圧力で本圧着を行なう。圧着の際には、フラット型ケーブル１１に対して図中矢印Ｘ２方向に力が加えられる。

＜ポッティング工程Ｓ６＞
図２，３を用いて、ポッティング工程Ｓ６について説明する。ポッティング工程Ｓ６では、ポッティング材料である樹脂材料を、トレンチ７よりも外周側の領域に、ディスペンサーを用いてディスペンスする。ディスペンスされた樹脂材料は、表面張力により各境界（例えば、バンク６の頂部とトレンチ７との境界、基板１の表面と基板１の外部との境界）内に留まる。効率よくディスペンスを行うためには、粘度が１〜２０ｃＰ程度の樹脂材料を用いることが望ましい。樹脂材料としては、エポキシ系、シリコーン系、アクリル系、アミドイミド系、フッ素系などの液状の樹脂材料がある。

その後、樹脂材料の乾燥を行い、外周保護部１６を形成する。樹脂材料としてＵＶ硬化樹脂を用いた場合は、ＵＶ照射により乾燥を行う。また、熱硬化樹脂を用いた場合は、ベーク炉やホットプレートなどで加熱を行うことにより乾燥を行う。また、常温硬化樹脂の場合は、常温で所定時間放置することで乾燥を行う。

＜ケーブル保護工程Ｓ７＞
図３を用いて、ケーブル保護工程Ｓ７について説明する。フラット型ケーブル１１の裏面（図中下側）と基板１の側面との間に、ケーブル保護用の樹脂材料をディスペンサーによりディスペンスする。樹脂材料は、基板１からはみ出した異方性導電膜１３およびフラット型ケーブル１１の配線パターンを覆う形状となるようにディスペンスされる。樹脂材料としては、エポキシ系、シリコーン系、アクリル系、アミドイミド系、フッ素系などの液状の樹脂材料がある。

ディスペンス後、樹脂材料の乾燥を行い、ケーブル保護部１７を形成する。樹脂材料としてＵＶ硬化樹脂を用いた場合は、ＵＶ照射により乾燥を行う。また、熱硬化樹脂を用いた場合は、ベーク炉やホットプレートなどで加熱を行うことにより乾燥を行う。また、常温硬化樹脂の場合は、常温で所定時間放置することで乾燥を行う。

［表示モジュールの動作］
以下、図８を参照して、本実施の形態１におけるＤＭ１００の動作について説明する。
表示すべき情報が外部の制御回路等から表示制御部４０に入力されると、表示制御部４０は、その表示すべき情報に応じてアノードドライバ４１にアノード駆動信号を供給する。すると、ＬＭＤ３の第１行目に含まれる発光素子２の各々についての発光データがアノードドライバ４１内のシフトレジスタに順次格納される。シフトレジスタに格納された発光データは、このシフトレジスタによりパラレルな発光データに変換された後、アノードドライバ４１内のラッチ回路に格納される。このラッチ回路の出力と出力イネーブル信号により、定電流回路から所望の電流が、アノード配線３３を経由して各発光素子２に供給される。

この時、表示制御部４０から供給されるカソード駆動信号が、カソードドライバ４２ａ，４２ｂに入力されると、カソードドライバ４２ａ，４２ｂ内のセレクト回路により、ＬＭＤ３の第１行目のカソード配線３６が選択される。これにより、ＬＭＤ３の第１行目のアノード配線３３から第１行目に含まれる発光素子２に駆動電流が供給され、第１行目に含まれる発光素子２の各々が発光データに応じて発光動作し、光が放射される。このような発光動作がカソード配線３６の数（すなわち、発光素子２の行数分）だけ複数回繰り返され、表示すべき情報を含む１画面分の画像の光が放射される。これらの各発光素子２から放射された光は、ＬＭＤ保護部５ａを介して外部へ出射される。

［作用］
以下、本実施の形態１におけるＤＭ１００の作用について説明する。
ＬＭＤ３は、ＬＭＤ保護部５ａによって覆われているため、湿度や、ダメージ、汚染から保護される。

基板１上に形成された、複数の配線、複数のパッド、異方性導電膜１２，１３、ドライバＩＣチップ１０、およびフラット型ケーブル１１の端部は、外周保護部１６により、湿度や、汚染、ダメージから保護される。さらに、外周保護部１６には、基板１とドライバＩＣチップ１０およびフラット型ケーブル１１との固定強度を高める作用がある。

異方性導電膜１３およびフラット型ケーブル１１の配線パターンは、フラット型ケーブルの裏面と基板１の側面との間に形成されたケーブル保護部１７により、湿度や、汚染、ダメージから保護される。さらに、ケーブル保護部１７には、基板１とフラット型ケーブル１１との固定強度を高める作用がある。

ポッティング工程Ｓ６において、表示領域４の外周部をパッケージする際に、バンク構造およびトレンチ構造により、樹脂材料の表示領域４への進入が防止される。

［効果］
以上説明した本実施の形態１によれば、下記（１）〜（１１）の効果が得られ得る。
（１）本実施の形態では、基板上に、表示領域の外周縁から所定の距離だけ隔てられた位置に、表示領域の外周縁の少なくとも一部を囲むバンクを設け、バンク上およびバンクの外周領域をポッティングにより封止する。このため、本実施の形態によれば、表示領域へのポッティング材料の進入を防止しつつ、表示領域の外周領域をポッティングにより封止することができる。

これにより、例えば、表示モジュールのサイズ（チップサイズ）を増大させることなく、外周領域にのみポッティングを行うことができる。具体的には、ポッティング材料の表示領域への進入を防止するための別の手法として、表示領域の外周領域（額縁領域）を十分に大きくすることが考えられるが、この手法では、表示モジュールのサイズが増大してしまう。これに対し、本実施の形態によれば、表示モジュールのサイズを増大させることなく、外周領域にのみポッティングを行うことができる。

（２）バンクによって、表示領域とその外周領域とを互いに異なる樹脂材料を用いてパッケージすることが可能となる。

（３）表示領域の外周領域をポッティングにより封止することにより、基板上の表示領域の外周領域に設けられた要素（例えば、配線、パッド、異方性導電膜、駆動回路、ケーブルなど）を、湿度や、汚染、ダメージなどから保護することができる。

（４）表示領域は、平面視で略矩形状であり、バンクは、表示領域の互いに隣接する２辺と対向する２つの対向部と、当該２つの対向部を連結する連結部とを有し、連結部は、２つの対向部を滑らかに連結するように構成されている。本態様によれば、ポッティングの際に、ポッティング材料の連結部（バンクの隅部）からの進入をより確実に防止することができる。

（５）基板にカバーを取り付けて表示領域の外周領域を保護する場合、カバーの取り付けの際に表示モジュールにダメージが及ぶ場合がある。これに対し、本実施の形態では、表示領域の外周領域をポッティングにより保護するので、上記のようなダメージを与えることがない。

（６）表示領域上に保護部を形成するので、表示領域を湿度や、汚染、ダメージなどから保護することができる。

（７）表示領域の保護にＤＦＲを用いることにより、面内の厚みの均一性が高い保護部を形成できる。このため、表示される像が歪むなどの現象が発生しにくい。

（８）表示領域上に形成される保護部が表示領域の外周領域まで延在するので、表示領域の端部が異常に光る現象を防止することができる。

（９）カバーを用いることなく表示領域を（ＤＦＲで）保護するので、基板にカバーを取り付けて表示領域を保護する場合と比較して、表示モジュールの厚みを薄くすることができる。

（１０）カバーを用いることなく表示領域を（ＤＦＲで）保護するので、基板にカバーを取り付けて表示領域を保護する場合と比較して、額縁領域のサイズを抑えることができる。

（１１）基板の裏面側に直接的にヒートシンクや筐体などの放熱体を設けることができるため、発光素子や駆動回路などの基板上の熱源から放熱体までの熱抵抗を低くすることができる。これにより、熱源で発生した熱を効率よく放熱体に伝熱させて放熱させることができる。

実施の形態２．
図１７は、実施の形態２におけるＤＭ２００の全体を示す外観の斜視図である。図１８は、図１７における破線Ｘ−Ｘ’の断面図である。このＤＭ２００は、実施の形態１におけるＤＭ１００に対し、バンクの構成が異なっており、その他の部分については略同様である。以下の説明では、実施の形態１と同様の部分については説明を省略または簡略化し、実施の形態１と同一または対応する要素については同一の符号を付す。

図１７および図１８に示されるように、実施の形態１と同様に、ＤＭ２００は、基板１を有し、基板１には、複数の発光素子２により構成されるＬＭＤ３、ＬＭＤ保護部５ａ、ダミーＬＭＤ保護部５ｂ、バンク６、ドライバＩＣチップ１０、フラット型ケーブル１１、各種の配線、各種のパッド（例えばカソードパッド１５）、および外周保護部１６が設けられている。

本実施の形態では、基板１の表面上において、ダミーＬＭＤ保護部５ｂとバンク６との間であって両者から所定の距離だけ隔てられた位置に、ダミーＬＭＤ保護部５ｂの外周縁の少なくとも一部を囲む第２のバンク２０１が設けられている。ダミーＬＭＤ保護部５ｂと第２のバンク２０１との間には、第２のトレンチ２０２が形成されており、第２のバンク２０１とバンク６との間には、トレンチ７が形成されている。すなわち、ダミーＬＭＤ保護部５ｂの外周には、第２の境界溝となる第２のトレンチ２０２と第２のバンク２０１とが形成され、さらに外周に第１の境界溝となるトレンチ７が形成され、このトレンチ７を境界としてさらに外周には、バンク６が形成されている。バンク６上およびバンク６の外周領域、すなわちトレンチ７の外周領域には、外周保護部１６が形成されている。

表示領域４は、実施の形態１と同様に、平面視で略矩形状であり、右辺Ｓ１、左辺Ｓ２、下辺Ｓ３、および上辺Ｓ４を有する。そして、第２のバンク２０１は、表示領域４（またはダミーＬＭＤ保護部５ｂ）の４辺のうち所定の辺（上辺Ｓ４）を除く３辺Ｓ１〜Ｓ３を囲むように設けられている。具体的には、第２のバンク２０１は、３辺Ｓ１〜Ｓ３のうち互いに対向する２辺Ｓ１，Ｓ２と対向する対向部２０１ａ，２０１ｂと、表示領域４の上辺Ｓ４の反対側の下辺Ｓ３と対向する対向部２０１ｃと、対向部２０１ａと対向部２０１ｃとを連結する連結部２０１ｄと、対向部２０１ｂと対向部２０１ｃとを連結する連結部２０１ｅとを有する。図１７の例では、対向部２０１ａ，２０１ｂ，２０１ｃは直線状であり、連結部２０１ｄ，２０１ｅはそれぞれ２つの対向部を滑らかに連結するように構成されている。具体的には、連結部２０１ｄ，２０１ｅは、平面視で外側に凸となるように円弧状に形成されている。すなわち、第２のバンク２０１は、平面視で隅部が丸くなるように形成されている。

本実施の形態におけるＤＭ２００の製造方法は、実施の形態１におけるＤＭ１００の製造方法と同様の工程を有する。本実施の形態の特徴的な構造である第２のバンク２０１および第２のトレンチ２０２は、ＬＭＤ保護部５ａ、ダミーＬＭＤ保護部５ｂ、バンク６、およびトレンチ７と同一の工程で形成することができる。例えば、本実施の形態では、バンク形成工程Ｓ２において、ＬＭＤ３が形成された形成基板６１上にＤＦＲを転写し、当該ＤＦＲにフォトリソグラフィーを施しパターニングを行うことにより、ＬＭＤ保護部５ａ、ダミーＬＭＤ保護部５ｂ、バンク６、トレンチ７、第２のバンク２０１、および第２のトレンチ２０２を形成する。

本実施の形態におけるＤＭ２００の動作および作用は、実施の形態１におけるＤＭ１００と同様であるが、本実施の形態では、さらに以下の作用が追加される。

ポッティング工程Ｓ６において、バンク６およびトレンチ７を乗り越えて表示領域４側に樹脂材料が進入した場合であっても、第２のバンク２０１および第２のトレンチ２０２が樹脂材料の表示領域４への進入を防ぐ。

本実施の形態によれば、上記実施の形態１の効果の他に、以下の効果が得られ得る。
本実施の形態では、基板上に、表示領域とバンクとの間であって両者から所定の距離だけ隔てられた位置に、表示領域の外周縁の少なくとも一部を囲む第２のバンクを設ける。これにより、表示領域へのポッティング材料の進入の防止効果を増強することができる。

また、第２のバンクをバンクと同一の工程で形成することができ、工程を増やすことなく、表示領域へのポッティング材料の進入の防止効果を増強することができる。
実施の形態３．

図１９は、実施の形態３におけるＤＭ３００の全体を示す外観の斜視図である。このＤＭ３００は、実施の形態１におけるＤＭ１００に対し、バンクの構成が異なっており、その他の部分については略同様である。以下の説明では、実施の形態１と同様の部分については説明を省略または簡略化し、実施の形態１と同一または対応する要素については同一の符号を付す。

図１９に示されるように、実施の形態１と同様に、ＤＭ３００は、基板１を有し、基板１には、複数の発光素子２により構成されるＬＭＤ３、ＬＭＤ保護部５ａ、ダミーＬＭＤ保護部５ｂ、バンク６、ドライバＩＣチップ１０、フラット型ケーブル１１、各種の配線、各種のパッド、および外周保護部１６が設けられている。

本実施の形態では、基板１の表面上において、ダミーＬＭＤ保護部５ｂとバンク６との間であって両者から所定の距離だけ隔てられた位置に、ダミーＬＭＤ保護部５ｂの外周縁の少なくとも一部を囲む第２のバンク３０１が設けられている。ダミーＬＭＤ保護部５ｂと第２のバンク３０１との間には、第２のトレンチ３０２が形成されており、第２のバンク３０１とバンク６との間には、トレンチ７が形成されている。すなわち、ダミーＬＭＤ保護部１０７の外周には、第２の境界溝となる第２のトレンチ３０２と第２のバンク３０１とが形成され、さらに外周に第１の境界溝となるトレンチ７が形成され、このトレンチ７を境界としてさらに外周には、バンク６が形成されている。バンク６上およびバンク６の外周領域、すなわちトレンチ７の外周領域には、外周保護部１６が形成されている。

表示領域４は、実施の形態１と同様に、平面視で略矩形状であり、右辺Ｓ１、左辺Ｓ２、下辺Ｓ３、および上辺Ｓ４を有する。そして、第２のバンク３０１は、表示領域４（またはダミーＬＭＤ保護部５ｂ）の４辺のうち所定の辺（上辺Ｓ４）を除く３辺Ｓ１〜Ｓ３を囲むように設けられている。具体的には、第２のバンク３０１は、３辺Ｓ１〜Ｓ３のうち互いに対向する２辺Ｓ１，Ｓ２と対向する対向部３０１ａ，３０１ｂと、表示領域４の上辺Ｓ４の反対側の下辺Ｓ３と対向する対向部３０１ｃと、対向部３０１ａと対向部３０１ｃとを連結する連結部３０１ｄと、対向部３０１ｂと対向部３０１ｃとを連結する連結部３０１ｅとを有する。

さらに、ＤＭ３００の上辺領域には、それぞれ対向部３０１ａおよび３０１ｂから延長された延長部３０１ｆおよび３０１ｇが配置されている。具体的には、第２のバンク３０１は、表示領域４の所定の辺（上辺Ｓ４）の外周領域３１０を囲むように、それぞれ対向部３０１ａおよび３０１ｂから内側に曲げられるように延長された２つの延長部３０１ｆおよび３０１ｇを有する。延長部３０１ｆは、上辺Ｓ４と対向する対向部３０１ｈと、この対向部３０１ｈと対向部３０１ａとを連結する連結部３０１ｉとを有する。延長部３０１ｇは、上辺Ｓ４と対向する対向部３０１ｊと、この対向部３０１ｊと対向部３０１ｂとを連結する連結部３０１ｋとを有する。

図１９の例では、対向部３０１ａ，３０１ｂ，３０１ｃ，３０１ｈ，３０１ｊは直線状であり、連結部３０１ｄ，３０１ｅ，３０１ｉ，３０１ｋはそれぞれ２つの対向部を滑らかに連結するように構成されている。具体的には、連結部３０１ｄ，３０１ｅ，３０１ｉ，３０１ｋは、平面視で外側に凸となるように円弧状に形成されている。すなわち、第２のバンク３０１は、平面視で隅部が丸くなるように形成されている。

本実施の形態におけるＤＭ３００の製造方法は、実施の形態１におけるＤＭ１００の製造方法と同様の工程を有する。本実施の形態の特徴的な構造である第２のバンク３０１および第２のトレンチ３０２は、ＬＭＤ保護部５ａ、ダミーＬＭＤ保護部５ｂ、バンク６、およびトレンチ７と同一の工程で形成することができる。例えば、本実施の形態では、バンク形成工程Ｓ２において、ＬＭＤ３が形成された形成基板６１上にＤＦＲを転写し、当該ＤＦＲにフォトリソグラフィーを施しパターニングを行うことにより、ＬＭＤ保護部５ａ、ダミーＬＭＤ保護部５ｂ、バンク６、トレンチ７、第２のバンク３０１、および第２のトレンチ３０２を形成する。

本実施の形態におけるＤＭ３００の動作および作用は、実施の形態１におけるＤＭ１００と同様であるが、本実施の形態では、さらに以下の作用が追加される。

ポッティング工程Ｓ６において、バンク６およびトレンチ７を乗り越えて表示領域４側に樹脂材料が進入した場合であっても、第２のバンク３０１および第２のトレンチ３０２が樹脂材料の表示領域４への進入を防ぐ。

さらに、ポッティング工程Ｓ６において、ＤＭ３００の上辺側からの表示領域４への樹脂材料の進入が、第２のバンク３０１の延長部３０１ｆ，３０１ｇにより防止される。

本実施の形態によれば、上記実施の形態１の効果の他に、以下の効果が得られ得る。
本実施の形態では、基板上に、表示領域とバンクとの間であって両者から所定の距離だけ隔てられた位置に、表示領域の所定の辺を除く３辺を囲む第２のバンクを設ける。これにより、表示領域へのポッティング材料の進入の防止効果を増強することができる。

また、第２のバンクは、表示領域の所定の辺の外側の領域を囲むように延長された２つの延長部を有する。これにより、所定の辺（例えば上辺Ｓ４）側からのポッティング材料の進入の防止効果を増強することができる。

さらに、第２のバンクをバンクと同一の工程で形成することができ、工程を増やすことなく、表示領域へのポッティング材料の進入の防止効果を増強することができる。

実施の形態４．
図２０は、実施の形態４におけるＤＭ４００の全体を示す外観の斜視図である。このＤＭ４００は、実施の形態１におけるＤＭ１００に対し、バンクの構成が異なっており、その他の部分については略同様である。以下の説明では、実施の形態１と同様の部分については説明を省略または簡略化し、実施の形態１と同一または対応する要素については同一の符号を付す。

図２０に示されるように、実施の形態１と同様に、ＤＭ４００は、基板１を有し、基板１には、複数の発光素子２により構成されるＬＭＤ３、ＬＭＤ保護部５ａ、ダミーＬＭＤ保護部５ｂ、バンク６、トレンチ７、ドライバＩＣチップ１０、フラット型ケーブル１１、各種の配線、各種のパッド、および外周保護部１６が設けられている。

実施の形態１と同様に、表示領域４は、平面視で略矩形状であり、右辺Ｓ１、左辺Ｓ２、下辺Ｓ３、および上辺Ｓ４を有する。そして、バンク６は、対向部６ａ，６ｂ，６ｃと、連結部６ｄ，６ｅとを有する。

本実施の形態では、ＤＭ４００の上辺領域には、それぞれ対向部６ａおよび６ｂから延長された延長部６ｆおよび６ｇが配置されている。具体的には、バンク６は、表示領域４の所定の辺（上辺Ｓ４）の外周領域４１０を囲むように、それぞれ対向部６ａおよび６ｂから直線状に延長された２つの延長部６ｆおよび６ｇを有する。

本実施の形態におけるＤＭ４００の製造方法は、実施の形態１におけるＤＭ１００の製造方法と同様の工程を有する。本実施の形態の特徴的な構造である延長部６ｆ、６ｇは、ＬＭＤ保護部５ａ、ダミーＬＭＤ保護部５ｂ、バンク６、およびトレンチ７と同一の工程で形成することができる。例えば、本実施の形態では、バンク形成工程Ｓ２において、ＬＭＤ３が形成された形成基板６１上にＤＦＲを転写し、当該ＤＦＲにフォトリソグラフィーを施しパターニングを行うことにより、ＬＭＤ保護部５ａ、ダミーＬＭＤ保護部５ｂ、延長部６ｆ、６ｇを有するバンク６、およびトレンチ７を形成する。

本実施の形態におけるＤＭ４００の動作および作用は、実施の形態１におけるＤＭ１００と同様であるが、本実施の形態では、さらに以下の作用が追加される。

ポッティング工程Ｓ６において、ＤＭ４００の上辺側からの表示領域４への樹脂材料の進入が、延長部６ｆ，６ｇにより防止される。

本実施の形態によれば、上記実施の形態１の効果の他に、以下の効果が得られ得る。
本実施の形態では、バンクは、表示領域の所定の辺の外周領域を囲むように直線状に延長された２つの延長部を有する。これにより、所定の辺（例えば上辺Ｓ４）側からのポッティング材料の進入の防止効果を増強することができる。

また、延長部をバンクの他の部分と同一の工程で形成することができ、工程を増やすことなく、表示領域へのポッティング材料の進入の防止効果を増強することができる。

実施の形態５．
［表示装置の構成］
図２１は、実施の形態５における表示装置５００の構成を示す概略構成図である。この表示装置５００は、実施の形態１〜４のＤＭを用いた投射型の表示装置である。表示装置５００は、例えば、ＨＵＤであり、車両、航空機等において、速度計、燃料計等の各種計器の表示情報、ナビゲーション装置の地図情報、撮影装置が取得した画像情報等の各種の情報を表示するものである。

図２１において、表示装置５００は、実施の形態１〜４のいずれかのＤＭであるＤＭ５０１と、このＤＭ５０１からの出射光を所定箇所（ここではハーフミラー）へ投影して画像を表示させる光学系５０２とを有する。

具体的には、表示装置５００は、筐体５１１を有する。筐体５１１は、その上面に形成された窓５１１ａを有し、例えば、車両内のインストルメントパネルの裏側に組み込まれている。筐体５１１内の下部には、ＤＭ５０１が配置されている。筐体５１１内において、ＤＭ５０１の上方には、ＤＭ５０１から出射された画像の光を投射する光学系５０２として、例えば、反射用平面鏡５１２および拡大用凹面鏡５１３が配置されている。平面鏡５１２は、ＤＭ５０１から出射された画像の光を所定方向（例えば、ほぼ水平方向）に反射するものであり、この平面鏡５１２の反射方向に凹面鏡５１３が配置されている。凹面鏡５１３は、平面鏡５１２からの反射光を拡大し、筐体５１１の窓５１１ａを通して上方のハーフミラーであるウィンドシールドガラス（Ｗ／Ｓ）５１４へ結像するものである。

［表示装置の動作］
表示装置５００において、表示すべき情報がＤＭ５０１中の表示制御部４０に入力されると、この表示制御部４０が、その表示すべき情報に応じて、アノード駆動信号をＤＭ５０１中のアノードドライバ４１に供給すると共に、カソード駆動信号をＤＭ５０１中のカソードドライバ４２ａ，４２ｂに供給する（図８参照）。すると、ＤＭ５０１中の発光素子２が発光し、ＬＭＤ保護部５ａを通して、表示すべき情報を含む画像の光が出射される。

図２１に示されるように、ＤＭ５０１の発光によって出射された光は、平面鏡５１２で反射されて凹面鏡５１３によって拡大された後、ウィンドシールドガラス５１４に照射される。すると、運転者５２０の視線におけるウィンドシールドガラス５１４の前方に、ＤＭ５０１が発光した画像の虚像５３０が表示される。これにより、運転者５２０は、視線を前方からそらすことなく、ＤＭ５０１が発光した画像に含まれる各種の情報を視認することができる。

［表示装置の製造方法］
表示装置５００の製造方法は、ＤＭ５０１を製造する工程と、製造されたＤＭ５０１からの出射光を所定箇所へ投影して画像を表示させる光学系５０２を設ける工程とを含む。ＤＭ５０１を製造する工程は、実施の形態１〜４におけるＤＭの製造工程と同様である。

［効果］
本実施の形態における表示装置は、実施の形態１〜４の表示モジュールを使用している。当該表示モジュールは、自発光型の発光素子アレイによるものであるため、本実施の形態によれば、構造が簡単で、小型化が可能な投射型の表示装置（例えばＨＵＤ）を実現できる。

実施の形態６．
図２２は、実施の形態６における表示装置６００の構成を示す概略構成図である。この表示装置６００は、実施の形態１〜４のＤＭを用いた前面投射型の表示装置であり、例えば前面投射型プロジェクタである。

図２２において、表示装置６００は、実施の形態１〜４のいずれかのＤＭであるＤＭ６０１と、このＤＭ６０１からの出射光を所定箇所（ここではスクリーン６０３）へ投影して画像を表示させる光学系（ここでは投影レンズ６０２）とを有する。

表示装置６００では、ＤＭ６０１から出射された光が、投影レンズ６０２により拡大されて前面のスクリーン６０３上に表示される。

本実施の形態６における表示装置６００の製造方法は、実施の形態５とほぼ同様である。また、本実施の形態６によれば、実施の形態５とほぼ同様の効果が得られる。
実施の形態７．
図２３は、実施の形態７における表示装置７００の構成を示す概略構成図である。この表示装置７００は、実施の形態１〜４のＤＭを用いた背面投射型の表示装置であり、例えば背面投射型プロジェクタである。

図２３において、表示装置７００は、実施の形態１〜４のいずれかのＤＭであるＤＭ７０１と、このＤＭ７０１からの出射光を所定箇所（ここではスクリーン７０４）へ投影して画像を表示させる光学系（ここでは投影レンズ７０２および反射鏡７０３）とを有する。

表示装置７００では、ＤＭ７０１から出射された光が、投影レンズ７０２および反射鏡７０３により拡大されて反射され、背面からスクリーン７０４上に表示される。

本実施の形態７における表示装置７００の製造方法は、実施の形態５とほぼ同様である。また、本実施の形態７によれば、実施の形態５とほぼ同様の効果が得られる。
実施の形態８．
図２４は、実施の形態８における表示装置８００の構成を示す概略構成図である。この表示装置８００は、実施の形態１〜４のＤＭを用いた表示装置であり、例えば、眼鏡に装着されるヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）である。

図２４において、表示装置８００は、実施の形態１〜４のいずれかのＤＭであるＤＭ８０１と、このＤＭ８０１からの出射光を所定箇所（ここではホログラム光学素子８１３）へ投影して画像を表示させる光学系（ここでは接眼光学系８０２）とを有する。

具体的には、表示装置８００は、ケース８１１と、このケース８１１に収容されたＤＭ８０１とを有する。ケース８１１には、接眼光学系８０２が取り付けられている。接眼光学系８０２は、例えば、プリズム８１２を有し、このプリズム８１２の下端部に、シート状のホログラム光学素子８１３が装着されている。

表示装置８００では、ＤＭ８０１から出射された光が、プリズム８１２の内部で全反射されながら下端部に設けられたホログラム光学素子８１３へと導かれる。ホログラム光学素子８１３は、光を干渉させ、使用者の目８２０に虚像を結ばせる。これにより、使用者は、ＤＭ８０１から出射された画像を観察することができる。

本実施の形態８における表示装置８００の製造方法は、実施の形態５とほぼ同様である。また、本実施の形態８によれば、実施の形態５とほぼ同様の効果が得られる。

［変形例］
上記実施の形態１〜８におけるＤＭや表示装置は、以下のように変形されてもよい。
＜変形例１＞
実施の形態１〜３において、バンク６は、表示領域４の外周縁の全体を囲むように形成されてもよい。例えば、実施の形態１〜３では、バンク６がＤＭの上辺部分には形成されていないが、バンク６は、ＤＭの上辺部分でつながるように形成されてもよい。当該変形例においても、実施の形態１〜３と同様の効果が得られる。

＜変形例２＞
実施の形態２，３において、第２のバンクは、表示領域４の外周縁の全体を囲むように形成されてもよい。例えば、実施の形態３では、延長部３０１ｆと延長部３０１ｇとが分離されているが、両者がつなげられ、表示領域４の外周縁の全体が第２のバンク３０１で囲まれるように構成されてもよい。当該変形例においても、実施の形態２，３と同様の効果が得られる。

＜変形例３＞
上記変形例２において、さらに、バンク６が、表示領域４の外周縁の全体を囲むように形成されてもよい。すなわち、ＤＭは、バンク６および第２のバンク３０１の両方が表示領域４の外周縁の全体を囲むように構成されてもよい。当該変形例においても、実施の形態２，３と同様の効果が得られる。

＜変形例４＞
実施の形態４において、バンク６は、直線状に延長された２つの延長部６ｆ、６ｇの代わりに、図２５に示されるように、外側（表示領域４側と反対側）に曲げられるように延長された２つの延長部６ｈ，６ｉを有するように構成されてもよい。すなわち、バンク６は、直線状ではなく、外側に曲がるように延長されてもよい。この場合、ポッティング材料を表示領域４から遠ざけることができ、表示領域４の上辺側からのポッティング材料の進入の防止効果をより増強することができる。

また、実施の形態４において、バンク６は、直線状に延長された２つの延長部６ｆ、６ｇの代わりに、内側（表示領域側）に曲げられるように延長された２つの延長部を有するように構成されてもよい。すなわち、バンク６は、直線状ではなく、内側に曲がるように延長されてもよい。

＜変形例５＞
実施の形態２において、第２のバンク２０１は、実施の形態４のバンク６と同様に、表示領域４の所定の辺（例えば上辺Ｓ４）の外周領域を囲むように、それぞれ対向部２０１ａ，２０１ｂから直線状に延長された２つの延長部を有するように形成されてもよい。

また、実施の形態２において、第２のバンク２０１は、上記変形例４のバンク６と同様に、表示領域４の所定の辺（例えば上辺Ｓ４）の外周領域を囲むように、それぞれ対向部２０１ａ，２０１ｂから外側に曲げられるように延長された２つの延長部を有するように形成されてもよい。

＜変形例６＞
実施の形態４または上記変形例４におけるバンクは、実施の形態２またはその変形例におけるＤＭに適用されてもよい。すなわち、延長部を有するバンクと第２のバンクとを有するＤＭが構成されてもよい。この場合でも同様の効果が得られる。

＜変形例７＞
実施の形態２，３において、第２のバンクは、２重以上に設けられてもよい。すなわち、表示領域４を囲むバンク構造は、３重以上の構造でもよい。例えば、実施の形態２において、ダミーＬＭＤ保護部５ｂと第２のバンク２０１との間であって両者から所定の距離だけ隔てられた位置に、さらに別の第２のバンクが設けられてもよい。

＜変形例８＞
実施の形態１〜４において、ＬＭＤ保護部５ａおよびダミーＬＭＤ保護部５ｂの両方または一方は、省略されてもよい。

＜変形例９＞
実施の形態１〜４において、ＬＭＤ保護部５ａの代わりに、複数の発光素子２上に位置決めされ、発光素子２ごとに分離された複数個のＬＭＤ保護部が形成されてもよい。すなわち、各画素の発光素子２上に、画素ごとに分割されたＬＭＤ保護部が形成されてもよい。

この場合、ＬＭＤ３の端部が異常に光る現象を防止する観点より、複数個のＬＭＤ保護部が形成された領域の外周領域には、少なくとも１個の分離されたダミーＬＭＤ保護部が形成されることが望ましい。ダミーＬＭＤ保護部の形状や材質は、ＬＭＤ保護部と同じであることが望ましい。また、ダミーＬＭＤ保護部とＬＭＤ保護部またはダミーＬＭＤ保護部との配置間隔は、ＬＭＤ保護部同士の配置間隔と同じであることが望ましい。さらに、ダミーＬＭＤ保護部は、複数個のＬＭＤ保護部の全体を囲むように配置されることが望ましい。例えば、ＬＭＤ保護部がｍ行ｋ列のマトリクス状に配置される場合、ダミーＬＭＤ保護部は、ＬＭＤ保護部およびダミーＬＭＤ保護部により（ｍ＋２・ｍ１）行（ｋ＋２・ｋ１）列のマトリクスを構成するように配置される。ただし、ｍ１およびｋ１は、１以上の整数である。

当該変形例においても、バンクにより同様の作用効果が得られる。また、当該変形例によれば、ＬＭＤ保護部やダミーＬＭＤ保護部による応力が緩和される。また、ＬＭＤ保護部やダミーＬＭＤ保護部を分割しない場合と比較して、画素面積当たりの発光している面積が広くなり、ドット感の少ない表示モジュールを提供できる。

＜変形例１０＞
上記変形例９において、ＬＭＤ保護部は、発光素子２から放出された光を収束するマイクロレンズであってもよい。例えば、画素ごとに、ＬＭＤ保護部の形状を加工し、ＬＭＤ保護部を当該画素に対して位置決めすることにより、複数のＬＭＤ保護部をマイクロレンズアレイとして構成してもよい。当該変形例においても、バンクにより同様の作用効果が得られる。また、発光素子上にマイクロレンズアレイが形成されると、出射光の利用効率を高める効果が得られる。

＜変形例１１＞
実施の形態１〜４において、ドライバＩＣチップ１０（すなわち駆動回路）は、基板１の外に設けられてもよい。この場合、基板１上のドライバＩＣチップ１０は無くなり、例えば、アノード配線およびカソード配線は、外部に設けられた駆動回路にフラット型ケーブルで接続される。駆動回路は、このフラット型ケーブルの途中に設けられて、チップオンフィルム（ＣＯＦ）構造をとってもよい。

＜変形例１２＞
実施の形態１〜４において、外周保護部１６は、ＬＭＤ保護部５ａよりも外側に形成されていればよい。すなわち、ＬＭＤ保護部５ａにポッティング材料が進入しなければよい。例えば、外周保護部１６は、トレンチ７を満たすように形成されてもよい。また、第２のバンクおよび第２のトレンチが設けられた構成では、外周保護部１６は、第２のトレンチまで形成されてもよい。また、ＬＭＤ保護部５ａにポッティング材料が進入しなければ、ＤＭの上辺部分（すなわちダミーＬＭＤ保護部５ｂの上辺の外周領域）に外周保護部１６が形成されてもよい。

＜変形例１３＞
実施の形態１〜４において、ＤＭの構成や製造方法は、図示以外のものに変更されてもよい。例えば、発光素子として、ＬＥＤ素子に代えて、有機系材料で形成されたＥＬ素子や、無機系材料で形成されたＥＬ素子等が用いられてもよい。この場合でも、実施の形態１〜４とほぼ同様の作用効果が得られる。

＜変形例１４＞
上記の説明では、１画素に発光素子２（例えばＬＥＤ素子）が１個のみ設けられる構成が例示されているが、実施の形態１〜４において、１画素内に互いに直列に接続された複数個の発光素子２（例えばＬＥＤ素子）が設けられてもよい。この場合、印加電圧は高くなるが、同程度の輝度を得るためのカソード配線を流れる電流値を小さくすることができる。

＜変形例１５＞
実施の形態１〜４のＤＭは、実施の形態５〜８の形態に限定されず、他の形態でも利用可能であり、例えば、投影光学系を用いない、いわゆる直視型表示装置にも適用が可能である。実施の形態１〜４のＤＭが適用された直視型表示装置は、自発光型の発光素子アレイによるディスプレイであることから、構造が簡単であり小型であるため、例えば、携帯機器に内蔵する際に自由なレイアウトが可能である。

なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々の態様で実施することができる。例えば、上記実施の形態１〜４および変形例１〜１５の構成は、上記以外の組み合わせで適宜組み合わされてもよい。

１基板、２発光素子、３ＬＥＤマイクロディスプレイ（ＬＭＤ）、４表示領域、５ａＬＭＤ保護部、５ｂダミーＬＭＤ保護部、６バンク、６ａ，６ｂ，６ｃ対向部、６ｄ，６ｅ連結部、１０ドライバＩＣチップ、１１フラット型ケーブル、１６外周保護部。

Claims

基板と、
前記基板上に設けられた複数の発光素子と、
前記基板上に、前記複数の発光素子が配置された表示領域の外周縁から所定の距離だけ隔てられた位置に、前記表示領域の外周縁の少なくとも一部を囲むように設けられたバンクと、
前記バンク上および前記バンクの外周領域に設けられ、樹脂材料により形成された外周保護部と、
を有し、
前記外周保護部の前記バンクと反対側は、当該表示モジュールの外部に露出していることを特徴とする表示モジュール。
基板と、
前記基板上に設けられた複数の発光素子と、
前記基板上に、前記複数の発光素子が配置された表示領域の外周縁から所定の距離だけ隔てられた位置に、前記表示領域の外周縁の少なくとも一部を囲むように設けられたバンクと、
前記表示領域上に前記バンクから前記表示領域側に隔てられた位置に設けられ、前記複数の発光素子を保護する保護部と、
前記バンク上および前記バンクの外周領域に設けられ、樹脂材料により形成された外周保護部と、
を有し、
前記保護部の前記基板と反対側は、当該表示モジュールの外部に露出していることを特徴とする表示モジュール。
請求項１または２に記載の表示モジュールと、
前記表示モジュールからの出射光を所定箇所へ投影して画像を表示させる光学系と、
を備えることを特徴とする投射型の表示装置。
請求項１または２に記載の表示モジュールを備えることを特徴とする直視型の表示装置。
複数の発光素子が配置された表示領域を有する基板を用意する工程と、
前記基板上に、前記表示領域の外周縁から所定の距離だけ隔てられた位置に、前記表示領域の外周縁の少なくとも一部を囲むバンクを設ける工程と、
前記バンク上および前記バンクの外周領域にポッティングにより外周保護部を形成して前記バンク上および前記バンクの外周領域を封止し、表示モジュールを得る工程と、
を含み、
前記外周保護部の前記バンクと反対側は、前記表示モジュールの外部に露出していることを特徴とする表示モジュールの製造方法。
複数の発光素子が配置された表示領域を有する基板を用意する工程と、
前記基板上に、前記表示領域の外周縁から所定の距離だけ隔てられた位置に、前記表示領域の外周縁の少なくとも一部を囲むバンクを設ける工程と、
前記表示領域上に前記バンクから前記表示領域側に隔てられた位置に、前記複数の発光素子を保護する保護部を形成する工程と、
前記バンク上および前記バンクの外周領域にポッティングにより外周保護部を形成して前記バンク上および前記バンクの外周領域を封止し、表示モジュールを得る工程と、
を含み、
前記保護部の前記基板と反対側は、前記表示モジュールの外部に露出していることを特徴とする表示モジュールの製造方法。
前記表示領域上に前記複数の発光素子を保護する保護部を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の表示モジュールの製造方法。
前記保護部は、前記表示領域の外周領域まで延在することを特徴とする請求項６または７に記載の表示モジュールの製造方法。
複数の発光素子が配置された表示領域を有する基板を用意する工程と、
前記基板上に、前記表示領域の外周縁から所定の距離だけ隔てられた位置に、前記表示領域の外周縁の少なくとも一部を囲むバンクを設ける工程と、
前記バンクから前記表示領域側に隔てられた位置に、前記複数の発光素子上に位置決めされ、発光素子ごとに分離された複数個の保護部を形成する工程と、
前記バンク上および前記バンクの外周領域にポッティングにより外周保護部を形成して前記バンク上および前記バンクの外周領域を封止し、表示モジュールを得る工程と、
を含み、
前記複数個の保護部の前記基板と反対側は、前記表示モジュールの外部に露出していることを特徴とする表示モジュールの製造方法。
前記複数の発光素子上に位置決めされ、発光素子ごとに分離された複数個の保護部を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の表示モジュールの製造方法。
前記複数個の保護部は、それぞれ対応する発光素子から放出された光を収束するマイクロレンズであることを特徴とする請求項９または１０に記載の表示モジュールの製造方法。
前記複数個の保護部が形成された領域の外周領域に、少なくとも１個の分離された保護部を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項９から１１のいずれか１項に記載の表示モジュールの製造方法。
前記少なくとも１個の分離された保護部は、前記複数個の保護部の全体を囲むように配置されることを特徴とする請求項１２に記載の表示モジュールの製造方法。
前記保護部は、前記バンクと同一の材料で形成されることを特徴とする請求項６から１３のいずれか１項に記載の表示モジュールの製造方法。
前記保護部は、前記バンクと同一の工程にて形成されることを特徴とする請求項６から１４のいずれか１項に記載の表示モジュールの製造方法。
前記保護部の前記基板からの高さは、前記外周保護部の前記基板からの高さよりも低いことを特徴とする請求項６から１５のいずれか１項に記載の表示モジュールの製造方法。
前記基板は、前記表示領域の外周領域に配線を有し、
前記外周保護部は、前記配線を被覆する、
ことを特徴とする請求項５から１６のいずれか１項に記載の表示モジュールの製造方法。
前記基板は、前記表示領域の外周領域に発光素子試験用の端子を有し、
前記外周保護部は、前記端子を被覆する、
ことを特徴とする請求項５から１７のいずれか１項に記載の表示モジュールの製造方法。
前記表示領域は、平面視で略矩形状であり、
前記バンクは、
前記表示領域の所定の辺を除く３辺のうち互いに対向する２辺と対向する第１および第２の対向部と、
前記表示領域の前記所定の辺の反対側の辺と対向する第３の対向部と、
前記第１の対向部と前記第３の対向部とを連結する第１の連結部と、
前記第２の対向部と前記第３の対向部とを連結する第２の連結部と、
を有する、
ことを特徴とする請求項５から１８のいずれか１項に記載の表示モジュールの製造方法。
前記バンクは、前記表示領域の前記所定の辺の外周領域を囲むように、それぞれ前記第１および第２の対向部から直線状に延長された２つの延長部をさらに有することを特徴とする請求項１９に記載の表示モジュールの製造方法。
前記バンクは、前記表示領域の前記所定の辺の外周領域を囲むように、それぞれ前記第１および第２の対向部から外側に曲げられるように延長された２つの延長部をさらに有することを特徴とする請求項１９に記載の表示モジュールの製造方法。
前記バンクは、前記表示領域の前記所定の辺の外周領域を囲むように、それぞれ前記第１および第２の対向部から内側に曲げられるように延長された２つの延長部をさらに有することを特徴とする請求項１９に記載の表示モジュールの製造方法。
前記バンクは、前記表示領域の外周縁の全体を囲む構造を有することを特徴とする請求項１９に記載の表示モジュールの製造方法。
前記バンクは、前記所定の辺と対向しないことを特徴とする請求項１９から２２のいずれか１項に記載の表示モジュールの製造方法。
前記基板は、前記表示領域の前記所定の辺を除く３辺の外側に配線を有し、
前記外周保護部は、前記配線を被覆する、
ことを特徴とする請求項１９から２４のいずれか１項に記載の表示モジュールの製造方法。
前記基板は、前記表示領域の前記所定の辺を除く３辺の外側に発光素子試験用の端子を有し、
前記外周保護部は、前記端子を被覆する、
ことを特徴とする請求項１９から２５のいずれか１項に記載の表示モジュールの製造方法。
前記封止する工程の前に、前記端子を用いて前記複数の発光素子の試験を行う工程をさらに含むことを特徴とする請求項１８または２６に記載の表示モジュールの製造方法。
前記封止する工程の前に、前記基板上に、前記表示領域と前記バンクとの間であって両者から所定の距離だけ隔てられた位置に、前記表示領域の外周縁の少なくとも一部を囲む第２のバンクを設ける工程をさらに含むことを特徴とする請求項５から２７のいずれか１項に記載の表示モジュールの製造方法。
前記封止する工程の前に、前記基板上に、前記表示領域と前記バンクとの間であって両者から所定の距離だけ隔てられた位置に、前記表示領域の前記所定の辺を除く３辺を囲む第２のバンクを設ける工程をさらに含み、
前記第２のバンクは、
前記表示領域の前記所定の辺を除く３辺のうち互いに対向する２辺と対向する第４および第５の対向部と、
前記表示領域の前記所定の辺の反対側の辺と対向する第６の対向部と、
前記第４の対向部と前記第６の対向部とを連結する第３の連結部と、
前記第５の対向部と前記第６の対向部とを連結する第４の連結部と、
を有する、
ことを特徴とする請求項１９から２６のいずれか１項に記載の表示モジュールの製造方法。
前記第２のバンクは、前記表示領域の前記所定の辺の外周領域を囲むように、それぞれ前記第４および第５の対向部から直線状に延長された２つの延長部をさらに有することを特徴とする請求項２９に記載の表示モジュールの製造方法。
前記第２のバンクは、前記表示領域の前記所定の辺の外周領域を囲むように、それぞれ前記第４および第５の対向部から外側に曲げられるように延長された２つの延長部をさらに有することを特徴とする請求項２９に記載の表示モジュールの製造方法。
前記第２のバンクは、前記表示領域の前記所定の辺の外周領域を囲むように、それぞれ前記第４および第５の対向部から内側に曲げられるように延長された２つの延長部をさらに有することを特徴とする請求項２９に記載の表示モジュールの製造方法。
前記第２のバンクは、前記表示領域の外周縁の全体を囲む構造を有することを特徴とする請求項２９に記載の表示モジュールの製造方法。
前記第２のバンクは、２重以上に設けられることを特徴とする請求項２８から３３のいずれか１項に記載の表示モジュールの製造方法。
前記表示領域は、平面視で略矩形状であり、
前記バンクおよび前記第２のバンクの少なくとも１つは、少なくとも、前記表示領域の互いに隣接する２辺と対向する２つの対向部と、当該２つの対向部を連結する連結部とを有し、
前記連結部は、前記２つの対向部を滑らかに連結するように形成される、
ことを特徴とする請求項２８から３４のいずれか１項に記載の表示モジュールの製造方法。
前記表示領域は、平面視で略矩形状であり、
前記バンクは、少なくとも、前記表示領域の互いに隣接する２辺と対向する２つの対向部と、当該２つの対向部を連結する連結部とを有し、
前記連結部は、前記２つの対向部を滑らかに連結するように形成される、
ことを特徴とする請求項５から２７のいずれか１項に記載の表示モジュールの製造方法。
前記基板上に、前記各発光素子を選択的に駆動する駆動回路と、当該駆動回路と外部の制御回路とを接続するケーブルとを設ける工程をさらに含むことを特徴とする請求項５から３６のいずれか１項に記載の表示モジュールの製造方法。
前記基板上に、前記各発光素子と外部に設けられた前記各発光素子を選択的に駆動する駆動回路とを接続するケーブルを設ける工程をさらに含むことを特徴とする請求項５から３６のいずれか１項に記載の表示モジュールの製造方法。
前記外周保護部の前記バンクと反対側は、前記表示モジュールの外部に露出していることを特徴とする請求項６から３８のいずれか１項に記載の表示モジュールの製造方法。
前記各発光素子は、発光ダイオード素子であることを特徴とする請求項５から３９のいずれか１項に記載の表示モジュールの製造方法。
請求項５から４０のいずれか１項に記載の表示モジュールの製造方法と、
前記製造された表示モジュールからの出射光を所定箇所へ投影して画像を表示させる光学系を設ける工程と、
を含むことを特徴とする投射型の表示装置の製造方法。
前記所定箇所は、スクリーンまたはハーフミラーであることを特徴とする請求項４１に記載の表示装置の製造方法。
前記所定箇所は、ホログラム光学素子であることを特徴とする請求項４１に記載の表示装置の製造方法。
請求項５から４０のいずれか１項に記載の表示モジュールの製造方法と、
前記製造された表示モジュールを有する直視型の表示装置を製造する工程と、
を含むことを特徴とする直視型の表示装置の製造方法。