JP5800964B1 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】基板上に形成される膜の特性や基板面内への処理均一性を向上、製造スループットを向上、パーティクル発生を抑制させる。【解決手段】基板が収容される処理室と、前記基板を支持し、外周に突出部を有する基板支持部と、前記処理室に設けられ、前記突出部と接触し、前記処理室と前記基板を搬送する搬送空間とを仕切る仕切部と、前記処理室に処理ガスを供給するガス供給部と、前記基板に前記処理ガスを供給する際に生じる前記突出部と前記仕切部との間隙に、パージガスを供給する仕切パージガス供給部と、を有する。【選択図】図１

Description

本発明は、基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体に関する。

大規模集積回路（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ：以下ＬＳＩ）の高集積化に伴って、回路パターンの微細化が進められている。

狭い面積に多くの半導体デバイスを集積させるためには、デバイスのサイズを小さくして形成しなければならず、このためには、形成しようとするパターンの幅と間隔を小さくしなければならない。

近年の微細化により、微細構造の埋め込み、特に縦方向に深い、あるいは横方向に狭い空隙構造（溝）への酸化物の埋め込みに対して、ＣＶＤ法による埋め込み方法が技術限界に達しつつある。また、トランジスタの微細化により、薄く・均一なゲート絶縁膜やゲート電極の形成が求められている。さらに、半導体デバイスの生産性を高めるために基板一枚辺りの処理時間の短縮が求められている。

また、半導体デバイスの生産性を高めるために、基板の面内全体への処理均一性を向上させることが求められている。

近年のＬＳＩ、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）やＦｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙに代表される半導体装置の最小加工寸法が、３０ｎｍ幅より小さくなり、また、膜厚も薄くなり、品質を維持したまま、微細化や製造スループット向上や基板への処理均一性を向上させることが困難になってきている。

本発明は、基板上に形成される膜の特性や、基板面内への処理均一性を向上、製造スループットを向上、パーティクル発生を抑制させることが可能な基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体を提供することを目的とする。

一態様によれば、
基板が収容される処理室と、 前記基板を支持し、外周に突出部を有する基板支持部と、前記処理室に設けられ、前記突出部と接触し、前記処理室と前記基板を搬送する搬送空間とを仕切る仕切部と、前記処理室に処理ガスを供給するガス供給部と、前記基板に前記処理ガスを供給する際に生じる前記突出部と前記仕切部との間隙に、パージガスを供給する仕切パージガス供給部と、を有する基板処理装置が提供される。

他の態様によれば、
基板を処理室に収容する工程と、前記基板を外周に突出部を有する基板支持部で支持する工程と、前記処理室に設けられ、前記突出部と接触し、前記処理室と前記搬送空間とを仕切る仕切板と、前記基板に処理ガスを供給する際に、前記突出部と前記仕切板との間に生じる間隙にパージガスを供給する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。

更に他の態様によれば、
基板を処理室に収容させる手順と、前記基板を外周に突出部を有する基板支持部で支持させる工程と、前記処理室に設けられ、前記突出部と接触し、前記処理室と前記搬送空間とを仕切る仕切板と、前記基板に処理ガスを供給する際に、前記突出部と前記仕切板との間に生じる間隙にパージガスを供給させる手順と、をコンピュータに実行させるプログラムが記録された記録媒体が提供される。

本発明に係る基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体によれば、基板上に形成される膜の特性や、基板面内への処理均一性を向上、製造スループットを向上、パーティクル発生を抑制させることが可能となる。

一実施形態に係る基板処理装置の概略構成図である。 一実施形態に係る、基板載置台と仕切板の位置関係を示す概略図である。 （Ａ）一実施形態に係る仕切板の上面図である。 （Ｂ）一実施形態に係る仕切板の断面図である。 （Ｃ）一実施形態に係る仕切板の側面図である。 （Ｄ）一実施形態に係る仕切板の下面図である。 他の実施形態に係る仕切パージガス供給部の概略図である。 他の実施形態に係る仕切パージガス供給部の概略図である。 一実施形態に係る、基板処理装置のコントローラの概略構成図である。 一実施形態に係る、基板処理工程のシーケンス図である。 （Ａ）他の実施形態に係る、基板処理時の基板載置台と仕切板の位置関係を示す図である。 （Ｂ）他の実施形態に係る、基板搬送時の基板載置台と仕切板の位置関係を示す図である。

以下に本発明の実施の形態について説明する。

＜第一の実施形態＞
以下、第一の実施形態を図面に即して説明する。

（１）基板処理装置の構成
まず、第一の実施形態に係る基板処理装置について説明する。

本実施形態に係る処理装置１００について説明する。基板処理装置１００は、絶縁膜又は金属膜などを形成するユニットであり、図１に示されているように、枚葉式基板処理装置として構成されている。

図１に示すとおり、基板処理装置１００は処理容器２０２を備えている。処理容器２０２は、例えば横断面が円形であり扁平な密閉容器として構成されている。また、処理容器２０２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）やステンレス（ＳＵＳ）などの金属材料または、石英により構成されている。処理容器２０２内には、基板としてのシリコンウエハ等のウエハ２００を処理する処理空間（処理室）２０１、搬送空間２０３が形成されている。処理容器２０２は、上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂで構成される。上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂの間には仕切り板２０４が設けられる。上部容器２０２ａに囲まれた空間であって、仕切り板２０４よりも上方の空間を処理空間２０１と又は反応ゾーン２０１呼び、下部容器２０２ｂに囲まれた空間であって、仕切り板よりも下方の空間を搬送空間と呼ぶ。

下部容器２０２ｂの側面には、ゲートバルブ２０５に隣接した基板搬入出口２０６が設けられており、ウエハ２００は基板搬入出口２０６を介して図示しない搬送室との間を移動する。下部容器２０２ｂの底部には、リフトピン２０７が複数設けられている。更に、下部容器２０２ｂはアース電位になっている。

処理空間２０１内には、ウエハ２００を支持する基板支持部２１０が設けられている。基板支持部２１０は、ウエハ２００を載置する載置面２１１と、載置面２１１を表面に持つ基板載置台２１２、基板載置台２１２に内包された加熱部としてのヒータ２１３を主に有する。基板載置台２１２には、リフトピン２０７が貫通する貫通孔２１４が、リフトピン２０７と対応する位置にそれぞれ設けられている。

また、基板載置台２１２の側壁２１２ａには、基板載置台２１２の径方向に向かって突出した突出部２１２ｂを有する。この突出部２１２ｂは、基板載置台２１２の底面側に設けられる。なお、突出部２１２ｂは、仕切板２０４と接触し、処理室２０１内の雰囲気が搬送空間２０３内へ移動することや、搬送空間２０３内の雰囲気が処理室２０１内へ移動することを抑制させる。

基板載置台２１２はシャフト２１７によって支持される。シャフト２１７は、処理容器２０２の底部を貫通しており、更には処理容器２０２の外部で昇降機構２１８に接続されている。昇降機構２１８を作動させてシャフト２１７及び基板載置台２１２を昇降させることにより、載置面２１１上に載置されるウエハ２００を昇降させることが可能となっている。なお、シャフト２１７下端部の周囲はベローズ２１９により覆われており、処理空間２０１内は気密に保持されている。

基板載置台２１２は、ウエハ２００の搬送時には、載置面２１１が基板搬入出口２０６の位置（ウエハ搬送位置）となるよう基板支持台まで下降し、ウエハ２００の処理時には図１で示されるように、ウエハ２００が処理空間２０１内の処理位置（ウエハ処理位置）まで上昇する。

具体的には、基板載置台２１２をウエハ搬送位置まで下降させた時には、リフトピン２０７の上端部が載置面２１１の上面から突出して、リフトピン２０７がウエハ２００を下方から支持するようになっている。また、基板載置台２１２をウエハ処理位置まで上昇させたときには、リフトピン２０７は載置面２１１の上面から埋没して、載置面２１１がウエハ２００を下方から支持するようになっている。なお、リフトピン２０７は、ウエハ２００と直接触れるため、例えば、石英やアルミナなどの材質で形成することが望ましい。

（排気部）
処理空間２０１（上部容器２０２ａ）の内壁には、処理空間２０１の雰囲気を排気する排気部としての排気口２２１が設けられている。排気口２２１には排気管２２２が接続されており、排気管２２２には、処理空間２０１内を所定の圧力に制御するＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）等の圧力調整器２２３、真空ポンプ２２４が順に直列に接続されている。主に、排気口２２１、排気管２２２、圧力調整器２２３、により排気部（排気ライン）２２０が構成される。なお、真空ポンプ２２４を排気部（排気ライン）２２０を構成の一部に加える様にしても良い。

（ガス導入口）
処理空間２０１の上部に設けられる後述のガス整流部２３４の上面（天井壁）には、処理空間２０１内に各種ガスを供給するためのガス導入口２４１が設けられている。ガス導入口２４１に接続されるガス供給部の構成については後述する。

（ガス整流部）
ガス導入口２４１と処理空間２０１との間には、ガス整流部２３４が設けられている。ガス整流部２３４は、少なくとも処理ガスが通り抜ける開口２３４ｄを有する。ガス整流部２３４は、取付具２３５によって、蓋２３１に取り付けられる。ガス導入口２４１から導入されるガスは蓋２３１に設けられた孔２３１ａとガス整流部２３４を介してウエハ２００に供給される。なお、ガス整流部２３４は、チャンバリッドアセンブリの側壁となるように構成しても良い。また、ガス導入口２４１は、ガス分散チャネルとしても機能し、供給されるガスが、基板の全周へ分散されるように構成しても良い。

ここで、発明者等は、処理室２０１内に処理ガスが供給された際に、図２に示すように基板載置台２１２の突出部２１２ｂと仕切板２０４との間に微小な間隙５００ｇが生じ、処理ガスが搬送空間２０３側に周り込むことを見出した。この間隙５００ｇは、処理ガスが供給されることによって、処理室２０１内の圧力が、搬送空間２０３内の圧力よりも一時的に高くなることによって、基板載置台２１２が、搬送空間２０３側に押し出されることによって生じる。この間隙５００ｇを介して搬送空間（基板載置台２１２の下側の空間）２０３に周り込んだガスは、搬送空間２０３の内壁や、部材（リフトピン２０７、ベローズ２１９等）に付着して、搬送空間２０３の内壁や部材の表面に膜や副生成物が付着・堆積することを発見した。この搬送空間２０３に付着・堆積した膜や副生成物は、ウエハ２００の搬送時、搬送空間２０３又は処理室２０１内の圧力が急激に変化した時、搬送空間２０３又は処理室２０１内の温度が急激に変化した時などに剥がれ、ウエハ２００等に付着してしまう。発明者等は、仕切板２０４と基板載置台２１２の突出部２１２ｂの上面とを接触させ、接触した箇所（仕切板２０４と突出部２１２ｂの間）にパージガスを供給する仕切パージガス供給部３００を設けることで、間隙５００ｇが生じたとしても間隙５００ｇ内の圧力を高め、処理空間２０１から間隙５００ｇの方向や搬送空間２０３から間隙５００ｇへのガスの流れを遮断し、搬送空間２０３へのガスの周り込みを抑制できることを見出した。なお、間隙５００ｇは、基板載置台２１２の突出部２１２ｂの上面の水平度や平面度と、仕切板２０４の下面の水平度や平面度によって生じる隙間を含んでもよい。
また、基板載置台２１２の周方向で一部接触していない箇所も含んでも良い。

また、この間隙５００ｇは、処理ガスがパルス状に供給される時や、処理ガスがフラッシュ状に供給されるときに生じ易い。しかし、仕切パージガス供給部３００を設けることにより、間隙５００ｇへのガス流れを遮断し、搬送空間２０３での膜形成や副生成物の発生を抑制させることができる。

（仕切パージガス供給部）
仕切パージガス供給部を、図３（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）に示す。図３（Ａ）は、仕切板２０４の上面図であり、図３（Ｂ）は断面図である。図３（Ｃ）は側面図であり、図３（Ｄ）は底面図である。

図３（Ｂ）（Ｃ）に示す様に、仕切板２０４に、パージガス供給経路３０１ａパージガス供給経路３０１ａと、パージガス供給溝３０１ｂが形成される。パージガス供給溝３０１ｂの先端は、図３（Ｄ）に示すように、仕切板２０４と突出部２１２ｂが接触する箇所に配置される。パージガス供給経路３０１ａには、パージガス供給管４００ａが接続され、パージガス供給管４００ａには、バルブ４０１ａ、マスフロ―コントローラ（ＭＦＣ）４０２ａ、パージガス供給源４０３ａが接続されている。パージガス供給源４０３ａから供給されるパージガスは、ＭＦＣ４０２ａで流量調整された後、バルブ４０１ａ、パージガス供給管４００ａ、パージガス供給経路３０１ａを介してパージガス供給溝３０１ｂに供給される。

仕切パージガス供給部は、主に、パージガス供給経路３０１ａと、パージガス供給溝３０１ｂで構成される。パージガス供給管４００ａ、バルブ４０１ａ、ＭＦＣ４０２ａを仕切パージガス供給部に含めても良い。また更に、ガス供給源４０３ａを仕切パージガス供給部の構成に含めても良い。

図２に示すように、仕切板２０４と、突出部２１２ｂとの接触箇所５００Ｌには、間隙５００ｇが生じる。接触箇所５００Ｌの長さが５００ｇの長さよりも十分に長く構成されているときに、仕切パージガス供給部にパージガスを供給すると、間隙５００ｇに高圧力の空間を形成させることができる。この圧力は、処理空間２０１の圧力と搬送空間２０３の圧力よりも高くなり、処理空間２０１から間隙５００ｇへのガス流れを遮断することができる。また、搬送空間２０３から間隙５００ｇへのガス流れも遮断することができる。これにより、搬送空間２０３への処理ガスの侵入を抑制することができ、搬送空間２０３での副生成物やパーティクルの発生を抑制することができる。

なお、接触箇所５００Ｌの長さは間隙５００ｇの長さの１０倍以上の長さであることが好ましい。更に好ましくは、１００倍以上の長さにすることが好ましい。更に好ましくは１０００倍以上の長さとする。隙間５００ｇの排気コンダクタンスCは、簡易的に次式で表される。C＝a×ｇ^2/L
。ここで、Cはコンダクタンス。ａは定数、ｇは突出部２１２ｂと仕切板２０４との間の距離。Ｌは、隙間５００ｇの長さ（突出部２１２ｂと仕切板２０４が重なっている部分の基板に対して径方向の長さ）。この式のようにｇがＬよりも短いとき、隙間５００ｇの排気コンダクタンスＣを小さくすることができ、処理室２０１から搬送空間２０３へのガスの流れ易さを小さくすることができ、処理室２０１から搬送空間２０３へのガスの周り込みを抑制させることができる。また、隙間５００ｇのコンダクタンスが小さくなることから、処理室２０１内を真空排気して、処理室２０１内の圧力が搬送空間２０３内の圧力よりも低くなったとしても、搬送空間２０３から処理室２０１へのガスの流れを抑制することができ、搬送空間２０３内に存在する副生成物やパーティクル、金属物質等を処理室２０１に流れることを抑制することができる。

なお、仕切パージガス供給部は、図４に示す構造としても良い。パージガス供給溝３０１ｂの領域を浅い溝３０１ｃで形成し、パージガス供給経路３０１ａと溝３０１ｃとをパージガス供給経路３０１ｄで接続するように構成しても良い。溝３０１ｃを設けることによって、基板載置台２１２に設けられた突出部２１２ｂの上面の全周に均一にパージガスを供給することができ、処理室２０１から搬送空間２０３へのガスの周り込む箇所を少なくすることができる。

また、仕切パージガス供給部を仕切板２０４に形成した例を示したが、これに限らず、図５に示すように、基板載置台２１２の突出部２１２ｂに形成しても良い。

（処理ガス供給部）
ガス整流部２３４に接続されたガス導入口２４１には、共通ガス供給管２４２が接続されている。共通ガス供給管２４２には、第一ガス供給管２４３ａ、第二ガス供給管２４４ａ、第三ガス供給管２４５ａ、クリーニングガス供給管２４８ａが接続されている。

第一ガス供給管２４３ａを含む第一ガス供給部２４３からは第一元素含有ガス（第一処理ガス）が主に供給され、第二ガス供給管２４４ａを含む第二ガス供給部２４４からは主に第二元素含有ガス（第二処理ガス）が供給される。第三ガス供給管２４５ａを含む第三ガス供給部２４５からは、主にパージガスが供給され、クリーニングガス供給管２４８ａを含むクリーニングガス供給部２４８からはクリーニングガスが供給される。処理ガスを供給する処理ガス供給部は、第１処理ガス供給部と第２処理ガス供給部のいずれか若しくは両方で構成され、処理ガスは、第１処理ガスと第２処理ガスのいずれか若しくは両方で構成される。

（第一ガス供給部）
第一ガス供給管２４３ａには、上流方向から順に、第一ガス供給源２４３ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４３ｃ、及び開閉弁であるバルブ２４３ｄが設けられている。

第一ガス供給源２４３ｂから、第一元素を含有するガス（第一処理ガス）が供給され、マスフローコントローラ２４３ｃ、バルブ２４３ｄ、第一ガス供給管２４３ａ、共通ガス供給管２４２を介してガス整流部２３４に供給される。

第一処理ガスは、原料ガス、すなわち、処理ガスの一つである。
ここで、第一元素は、例えばシリコン（Ｓｉ）である。すなわち、第一処理ガスは、例えばシリコン含有ガスである。シリコン含有ガスとしては、例えばジクロロシラン（Ｄｉｃｈｌｏｒｏｓｉｌａｎｅ（ＳｉＨ_２Ｃｌ_２）：ＤＣＳ）ガスを用いることができる。なお、第一処理ガスの原料は、常温常圧で固体、液体、及び気体のいずれであっても良い。第一処理ガスの原料が常温常圧で液体の場合は、第一ガス供給源２４３ｂとマスフローコントローラ２４３ｃとの間に、図示しない気化器を設ければよい。ここでは原料は気体として説明する。

第一ガス供給管２４３ａのバルブ２４３ｄよりも下流側には、第一不活性ガス供給管２４６ａの下流端が接続されている。第一不活性ガス供給管２４６ａには、上流方向から順に、不活性ガス供給源２４６ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４６ｃ、及び開閉弁であるバルブ２４６ｄが設けられている。

ここで、不活性ガスは、例えば、窒素（Ｎ_２）ガスである。なお、不活性ガスとして、Ｎ_２ガスのほか、例えばヘリウム（Ｈｅ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス等の希ガスを用いることができる。

主に、第一ガス供給管２４３ａ、マスフローコントローラ２４３ｃ、バルブ２４３ｄにより、第一元素含有ガス供給部２４３（シリコン含有ガス供給部ともいう）が構成される。

また、主に、第一不活性ガス供給管２４６ａ、マスフローコントローラ２４６ｃ及びバルブ２４６ｄにより第一不活性ガス供給部が構成される。なお、不活性ガス供給源２４６ｂ、第一ガス供給管２４３ａを、第一不活性ガス供給部に含めて考えてもよい。

更には、第一ガス供給源２４３ｂ、第一不活性ガス供給部を、第一元素含有ガス供給部に含めて考えてもよい。

（第二ガス供給部）
第二ガス供給管２４４ａの上流には、上流方向から順に、第二ガス供給源２４４ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４４ｃ、及び開閉弁であるバルブ２４４ｄが設けられている。

第二ガス供給源２４４ｂから、第二元素を含有するガス（以下、「第２の処理ガス」）が供給され、マスフローコントローラ２４４ｃ、バルブ２４４ｄ、第二ガス供給管２４４ａ、共通ガス供給管２４２を介して、ガス整流部２３４に供給される。

第２の処理ガスは、処理ガスの一つである。なお、第２の処理ガスは、反応ガスまたは改質ガスとして考えてもよい。

ここで、第２の処理ガスは、第一元素と異なる第二元素を含有する。第二元素としては、例えば、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、水素（Ｈ）の内、一つ以上を含んでいる。本実施形態では、第２の処理ガスは、例えば窒素含有ガスであるとする。具体的には、窒素含有ガスとしては、アンモニア（ＮＨ_３）ガスが用いられる。

主に、第二ガス供給管２４４ａ、マスフローコントローラ２４４ｃ、バルブ２４４ｄにより、第２の処理ガス供給部２４４が構成される。

また、第二ガス供給管２４４ａのバルブ２４４ｄよりも下流側には、第二不活性ガス供給管２４７ａの下流端が接続されている。第二不活性ガス供給管２４７ａには、上流方向から順に、不活性ガス供給源２４７ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４７ｃ、及び開閉弁であるバルブ２４７ｄが設けられている。

第二不活性ガス供給管２４７ａからは、不活性ガスが、マスフローコントローラ２４７ｃ、バルブ２４７ｄ、第二ガス供給管２４７ａを介して、ガス整流部２３４に供給される。不活性ガスは、薄膜形成工程（後述するＳ２０３〜Ｓ２０７）ではキャリアガス或いは希釈ガスとして作用する。

主に、第二不活性ガス供給管２４７ａ、マスフローコントローラ２４７ｃ及びバルブ２４７ｄにより第二不活性ガス供給部が構成される。なお、不活性ガス供給源２４７ｂ、第二ガス供給管２４４ａを第二不活性ガス供給部に含めて考えてもよい。

更には、第二ガス供給源２４４ｂ、第二不活性ガス供給部を、第二元素含有ガス供給部２４４に含めて考えてもよい。

（第三ガス供給部）
第三ガス供給管２４５ａには、上流方向から順に、第三ガス供給源２４５ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４５ｃ、及び開閉弁であるバルブ２４５ｄが設けられている。

第三ガス供給源２４５ｂから、パージガスとしての不活性ガスが供給され、マスフローコントローラ２４５ｃ、バルブ２４５ｄ、第三ガス供給管２４５ａ、共通ガス供給管２４２を介してガス整流部２３４に供給される。

ここで、不活性ガスは、例えば、窒素（Ｎ_２）ガスである。なお、不活性ガスとして、Ｎ_２ガスのほか、例えばヘリウム（Ｈｅ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス等の希ガスを用いることができる。

主に、第三ガス供給管２４５ａ、マスフローコントローラ２４５ｃ、バルブ２４５ｄにより、第三ガス供給部２４５（パージガス供給部ともいう）が構成される。

（クリーニングガス供給部）
クリーニングガス供給管２４３ａには、上流方向から順に、クリーニングガス源２４８ｂ、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４８ｃ、バルブ２４８ｄ、リモートプラズマユニット（ＲＰＵ）２５０が設けられている。

クリーニングガス源２４８ｂから、クリーニングガスが供給され、ＭＦＣ２４８ｃ、バルブ２４８ｄ、ＲＰＵ２５０、クリーニングガス供給管２４８ａ、共通ガス供給管２４２を介してガス整流部２３４に供給される。

クリーニングガス供給管２４８ａのバルブ２４８ｄよりも下流側には、第四の不活性ガス供給管２４９ａの下流端が接続されている。第四の不活性ガス供給管２４９ａには、上流方向から順に、第四の不活性ガス供給源２４９ｂ、ＭＦＣ２４９ｃ、バルブ２４９ｄが設けられている。

また、主に、クリーニングガス供給管２４８ａ、ＭＦＣ２４８ｃ及びバルブ２４８ｄによりクリーニングガス供給部が構成される。なお、クリーニングガス源２４８ｂ、第四不活性ガス供給管２４９ａ、ＲＰＵ２５０を、クリーニングガス供給部に含めて考えてもよい。

なお、第四の不活性ガス供給源２４９ｂから供給される不活性ガスを、クリーニングガスのキャリアガス或いは希釈ガスとして作用するように供給しても良い。

クリーニングガス供給源２４８ｂから供給されるクリーニングガスは、クリーニング工程ではガス整流部２３４や処理室２０１に付着した副生成物等を除去するクリーニングガスとして作用する。

ここで、クリーニングガスは、例えば三フッ化窒素（ＮＦ_３）ガスである。なお、クリーニングガスとして、例えば、フッ化水素（ＨＦ）ガス、三フッ化塩素ガス（ＣｌＦ_３）ガス、フッ素（Ｆ_２）ガス等を用いても良く、またこれらを組合せて用いても良い。

（制御部）
図１に示すように基板処理装置１００は、基板処理装置１００の各部の動作を制御するコントローラ１２１を有している。

図６に示すように、制御部（制御手段）であるコントローラ１２１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）１２１ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、内部バス１２１ｅを介して、ＣＰＵ１２１ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ１２１には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置１２２や、外部記憶装置２８３が接続可能に構成されている。

記憶装置１２１ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置１２１ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する基板処理の手順や条件などが記載されたプログラムレシピ等が読み出し可能に格納されている。なお、プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ１２１に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプログラムレシピや制御プログラム等を総称して、単にプログラムともいう。なお、本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プログラムレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。また、ＲＡＭ１２１ｂは、ＣＰＵ１２１ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。

Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、ゲートバルブ２０５、昇降機構２１８、圧力調整器２２３、真空ポンプ２２４、リモートプラズマユニット２５０、ＭＦＣ２４３ｃ，２４４ｃ，２４５ｃ，２４６ｃ，２４７ｃ，２４８ｃ，２４９ｃ，４０２ａ、バルブ２４３ｄ，２４４ｄ，２４５ｄ，２４６ｄ，２４７ｄ，２４８ｄ，２４９ｄ，４０１ａ、ヒータ２１３等に接続されている。

ＣＰＵ１２１ａは、記憶装置１２１ｃからの制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置１２２からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置１２１ｃからプロセスレシピを読み出すように構成されている。そして、ＣＰＵ１２１ａは、読み出されたプロセスレシピの内容に沿うように、ゲートバルブ２０５の開閉動作、昇降機構２１８の昇降動作、圧力調整器２２３の圧力調整動作、真空ポンプ２２４のオンオフ制御、リモートプラズマユニット２５０のガス励起動作、ＭＦＣ２４３ｃ、２４４ｃ，２４５ｃ，２４６ｃ，２４７ｃ，２４８ｃ，２４９ｃ，４０２ａの流量調整動作、バルブ２４３ｄ、２４４ｄ，２４５ｄ，２４６ｄ，２４７ｄ，２４８ｄ，２４９ｄ，４０１ａのガスのオンオフ制御、ヒータ２１３の温度制御等を制御するように構成されている。

なお、コントローラ１２１は、専用のコンピュータとして構成されている場合に限らず、汎用のコンピュータとして構成されていても良い。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯなどの光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）２８３を用意し、係る外部記憶装置２８３を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすること等により、本実施形態に係るコントローラ１２１を構成することができる。なお、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置２８３を介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等の通信手段を用い、外部記憶装置２８３を介さずにプログラムを供給するようにしても良い。なお、記憶装置１２１ｃや外部記憶装置２８３は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において、記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置１２１ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置２８３単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合が有る。

（２）基板処理工程
次に、基板処理工程の例について、半導体デバイスの製造工程の一つである、ＤＣＳガス及びＮＨ_３（アンモニア）ガスを用いてシリコン窒化（ＳｉｘＮｙ）膜を形成する例で説明する。

図７は、本実施形態に係る基板処理装置により実施される基板処理の一例を示すシーケンス図である。図例は、基板としてのウエハ２００上にシリコン窒化（ＳｉｘＮｙ）膜を形成する場合のシーケンス動作を示している。

（基板搬入工程Ｓ２０１）
成膜処理に際しては、先ず、ウエハ２００を処理室２０１に搬入させる。具体的には、基板支持部２１０を昇降機構２１８によって、下降させ、リフトピン２０７が、貫通孔２１４から基板支持部２１０の上面側に突出させた状態にする。また、処理室２０１内を所定の圧力に調圧した後、ゲートバルブ２０５を開放し、ゲートバルブ２０５からリフトピン２０７上にウエハ２００を載置させる。ウエハ２００をリフトピン２０７上に載置させた後、第三ガス供給部２４５から不活性ガスを供給しながら、昇降機構２１８によって基板支持部２１０を所定の位置まで上昇させることによって、ウエハ２００が、リフトピン２０７から基板支持部２１０へ載置されるようになる。この際、基板載置台２１２の突出部２１２ｂと仕切板２０４とは接触する（突き当たる）ように構成される。基板載置台２１２の突出部２１２ｂと仕切板２０４とが接触した後、仕切パージガス供給部から接触箇所５００Ｌへパージガスが供給され、仕切板２０４と突出部２１２ｂの接触箇所５００Ｌの間隙５００ｇの圧力が高くなる。仕切パージガス供給部から接触箇所５００Ｌへのパージガスの供給の開始は、少なくとも減圧後工程後から始められる。好ましくは、基板載置台２１２の突出部２１２ｂと仕切板２０４が接触した時から供給開始する。また、パージガスの供給の継続は、少なくとも第２処理ガス供給工程の終わりまで継続される。好ましくは、基板搬出工程の前まで継続される。

（減圧・昇温工程Ｓ２０２）
続いて、処理室２０１内が所定の圧力（真空度）となるように、排気管２２２を介して処理室２０１内を排気する。この際、圧力センサが測定した圧力値に基づき、圧力調整器２２３としてのＡＰＣバルブの弁の開度をフィードバック制御する。また、温度センサ（不図示）が検出した温度値に基づき、処理室２０１内が所定の温度となるように、ヒータ２１３への通電量をフィードバック制御する。具体的には、サセプタを予め加熱しておき、ウエハ２００又はサセプタの温度変化が無くなってから一定時間置く。この間、処理室２０１内に残留している水分あるいは部材からの脱ガス等を真空排気やＮ_２ガスの供給によるパージによって除去する。これで成膜プロセス前の準備が完了することになる。なお、処理室２０１内を所定の圧力に排気する際に、一度、到達可能な真空度まで真空排気しても良い。到達可能な真空度まで真空排気する場合には、排気が終わった後に、仕切パージガス供給部から接触箇所５００Ｌへのパージガス供給を開始する。

（第１の処理ガス供給工程Ｓ２０３）
続いて、図７に示すように、第１の処理ガス供給部から処理室２０１内に第１の処理ガス（原料ガス）としてのＤＣＳガスを供給する。また、排気部による処理室２０１内の排気を継続し処理室２０１内の圧力を所定の圧力（第１圧力）となるように制御する。具体的には、第１ガス供給管２４３ａのバルブ２４３ｄ、第１不活性ガス供給管２４６ａのバルブ２４６ｄを開き、第１ガス供給管２４３ａにＤＣＳガス、第１不活性ガス供給管２４６ａにＮ_２ガスを流す。ＤＣＳガスは、第１ガス供給管２４３ａから流れ、ＭＦＣ２４３ｃにより流量調整される。Ｎ_２ガスは、第１不活性ガス供給管２４６ａから流れ、ＭＦＣ２４６ｃにより流量調整される。流量調整されたＤＣＳガスは、流量調整されたＮ_２ガスと第１ガス供給管２４３ａ内で混合されて、ガス整流部２３４から、加熱された減圧状態の処理室２０１内に供給され、排気管２２２から排気される。このとき、ウエハ２００に対してＤＣＳガスが供給されることとなる（原料ガス（ＤＣＳ）供給工程）。ＤＣＳガスは、所定の圧力（第１圧力：例えば１００Ｐａ以上１００００Ｐａ以下）で処理室２０１内に供給する。このようにして、ウエハ２００にＤＣＳを供給する。ＤＣＳが供給されることにより、ウエハ２００上に、シリコン含有層が形成される。シリコン含有層とは、シリコン（Ｓｉ）または、シリコンと塩素（Ｃｌ）を含む層である。

（パージ工程Ｓ２０４）
ウエハ２００上にシリコン含有層が形成された後、第１ガス供給管２４３ａのバルブ２４３ｄを閉じ、ＤＣＳガスの供給を停止する。このとき、排気管２２２のＡＰＣバルブ２２３は開いたままとし、真空ポンプ２２４により処理室２０１内を真空排気し、処理室２０１内に残留する未反応もしくはシリコン含有層形成に寄与した後のＤＣＳガスを処理室２０１内から排除する。また、バルブ２４６ｄは開いたままとして、不活性ガスとしてのＮ_２ガスの処理室２０１内への供給を維持しても良い。バルブ２４６ａから供給され続けるＮ_２ガスは、パージガスとして作用し、これにより、第１ガス供給管２４３ａ、共通ガス供給管２４２、処理室２０１内に残留する未反応もしくはシリコン含有層形成に寄与した後のＤＣＳガスを排除する効果を更に高めることができる。

なお、このとき、処理室２０１内や、ガス整流部２３４内に残留するガスを完全に排除（処理室２０１内を完全にパージ）しなくてもよい。処理室２０１内に残留するガスが微量であれば、その後に行われる工程において悪影響が生じることはない。このとき処理室２０１内に供給するＮ_２ガスの流量も大流量とする必要は無く、例えば、処理室２０１の容積と同程度の量を供給することで、次の工程において悪影響が生じない程度のパージを行うことができる。このように、処理室２０１内を完全にパージしないことで、パージ時間を短縮し、スループットを向上させることができる。また、Ｎ_２ガスの消費も必要最小限に抑えることが可能となる。

このときのヒータ２１３の温度は、ウエハ２００への原料ガス供給時と同様に３００〜６５０℃、好ましくは３００〜６００℃、より好ましくは３００〜５５０℃の範囲内の一定の温度となるように設定する。各不活性ガス供給部から供給するパージガスとしてのＮ_２ガスの供給流量は、それぞれ例えば１００〜２００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。パージガスとしては、Ｎ_２ガスの他、Ａｒ，Ｈｅ，Ｎｅ，Ｘｅ等の希ガスを用いても良い。

（第２の処理ガス供給工程Ｓ２０５）
処理室２０１内のＤＣＳ残留ガスを除去した後、パージガスの供給を停止し、反応ガスとしてのＮＨ_３ガスを供給する。具体的には、第２ガス供給管２４４ａのバルブ２４４ｄを開き、第２ガス供給管２４４ａ内にＮＨ_３ガスを流す。第２ガス供給管２４４ａ内を流れるＮＨ_３ガスは、ＭＦＣ２４４ｃにより流量調整される。流量調整されたＮＨ_３ガスは共通ガス供給管２４２・ガス整流部２３４を介して、ウエハ２００に供給される。ウエハ２００上に供給されたＮＨ_３ガスは、ウエハ２００上に形成されたシリコン含有層と反応し、シリコンを窒化させると共に、水素、塩素、塩化水素などの不純物が排出される。

（パージ工程Ｓ２０６）
第２の処理ガス供給工程の後、反応ガスの供給を止めて、パージ工程Ｓ２０４と同様な処理を行う。パージ工程を行うことによって、第２ガス供給管２４４ａ，共通ガス供給管２４２，処理室２０１内などに残留する未反応もしくはシリコンの窒化に寄与した後のＮＨ_３ガスを排除させることができる。残留ガスを除去することによって、残留ガスによる予期せぬ膜形成を抑制することができる。

（繰返し工程Ｓ２０７）
以上の第１の処理ガス供給工程Ｓ２０３、パージ工程Ｓ２０４、第２の処理ガス供給工程Ｓ２０５、パージ工程Ｓ２０６それぞれを１工程ずつ行うことにより、ウエハ２００上に所定の厚さのシリコン窒化（ＳｉｘＮｙ）層が堆積される。これらの工程を繰返すことにより、ウエハ２００上のシリコン窒化膜の膜厚を制御することができる。所定膜厚となるまで、所定回数繰返すように制御される。

（基板搬出工程Ｓ２０８）
繰返し工程Ｓ２０７で所定回数実施された後、基板搬出工程Ｓ２０８が行われ、ウエハ２００が処理室２０１から搬出される。具体的には、搬出可能温度まで降温させ、処理室２０１内を不活性ガスでパージし、搬送可能な圧力に調圧される。調圧後、基板支持部２１０が昇降機構２１８により降下され、リフトピン２０７が、貫通孔２１４から突き出し、ウエハ２００がリフトピン２０７上に載置される。ウエハ２００が、リフトピン２０７上に載置された後、ゲートバルブ２０５が開き、ウエハ２００が処理室２０１から搬出される。

なお、上述の接触箇所５００Ｌへのパージガスの供給中は、搬送空間２０３内の圧力を処理室２０１内の圧力よりも高くなるようにすることで、処理室２０１内から搬送空間２０３へのガスの周り込みを抑制させることができる。

（３）本実施形態に係る効果
本実施形態によれば、以下に示す１つまたは複数の効果を奏する。

（ａ）突出部２１２ｂと仕切板２０４を接触させることにより搬送空間へのガスの周り込みを抑制することができる。
（ｂ）突出部２１２ｂと仕切板２０４との隙間５００ｇにパージガスを供給することによって処理室に処理ガスがパルス状に供給された場合であっても、搬送空間へのガスの周り込みを抑制することができる。
（ｃ）処理室に処理ガスがフラッシュ状に供給された場合であっても、搬送空間へのガスの周り込みを抑制することができる。

＜他の実施形態＞
以上、第一の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。

例えば、図８（Ａ）（Ｂ）に示す形態が有る。図８（Ａ）（Ｂ）、に示すように、仕切板２０４に、フレキ筒２０４ａと接触部２０４ｂを設けても良い。フレキ筒２０４ａは、例えば、ベローズで構成される。接触部２０４ｂは、例えば、基板載置台２１２と同じ材質で構成される。図８（Ａ）は、基板載置台２１２が基板処理時の位置の時を示す図であり、図８（Ｂ）は、ウエハ２００の搬入・搬出時の位置を示す。図の様に、ウエハ２００の搬入・搬出時は、基板載置台２１２の突出部２１２ｂと接触部２０４ｂは接触しておらず、フレキ筒２０４ａが伸びた形状になっている。基板処理時は、基板載置台２１２と接触部２０４ｂが接触して、フレキ筒２０４ａが縮むように構成される。この様に構成することで、基板載置台２１２が傾いたとしても、突出部２１２ｂの周方向で均一に接触部２０４ｂと接触させることが可能となる。従って、基板載置台２１２の突出部２１２ｂと接触部２０４ｂの平行度を保ち、接触箇所５００Ｌと間隙５００ｇの長さを周方向で維持することができる。

以上、本発明の他の形態を説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。

上述では、半導体装置の製造工程について記したが、実施形態に係る発明は、半導体装置の製造工程以外にも適用可能である。例えば、液晶デバイスの製造工程や、セラミック基板へのプラズマ処理などが有る。

また、上述では、第１のガス（原料ガス）と第２のガス（反応ガス）を交互に供給して成膜する方法について記したが、他の方法にも適用可能である。例えば、原料ガスと反応ガスの供給タイミングが重なるように供給しても良い。

また、原料ガスと反応ガスを供給してＣＶＤ成膜となるようにしても良い。

また、上述では、成膜処理について記したが、他の処理にも適用可能である。例えば、原料ガスと反応ガスのいずれか若しくは両方を用いて、基板表面や基板に形成された膜をプラズマ酸化処理や、プラズマ窒化処理する基板処理にも本発明を適用することができる。また、原料ガスと反応ガスの何れか若しくは両方を用いた熱処理や、プラズマアニール処理などの基板処理にも適用することができる。

＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。

＜付記１＞
一態様によれば、
基板が収容される処理室と、
前記基板を支持し、外周に突出部を有する基板支持部と、
前記処理室に設けられ、前記突出部と接触し、前記処理室と前記基板を搬送する搬送空間とを仕切る仕切部と、
前記処理室に処理ガスを供給するガス供給部と、
前記基板に前記処理ガスを供給する際に生じる前記突出部と前記仕切部との間隙に、パージガスを供給する仕切パージガス供給部と、
を有する基板処理装置が提供される。

＜付記２＞
付記１に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記突出部と前記仕切板の距離が、前記突出部と前記仕切板とが接触する径方向の長さよりも短く構成されている。

＜付記３＞
付記１又は付記２に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記突出部と前記仕切板とが接触した後に、前記仕切パージガス供給部が前記接触箇所にパージガスを供給する様に前記基板支持部と前記仕切パージガス供給部を制御するように構成された制御部を有する。

＜付記４＞
付記１乃至付記３のいずれかに記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記基板に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、を有し、
前記基板支持部を処理位置に搬送する際に、前記処理室に不活性ガスを供給する工程と、
前記突出部と前記仕切板が接触した後にパージガスを供給する工程と、
前記パージガスの供給後に前記処理ガスを供給する工程と、を行うように、
前記基板支持部と前記仕切パージガス供給部と前記処理ガス供給部と前記不活性ガス供給部を制御するように構成された制御部を有する。

＜付記５＞
前記基板に処理ガスを供給する処理ガス供給部を有し、
前記接触箇所へのパージガスの供給は、前記処理ガスが供給されている間、継続されるように前記処理ガス供給部と前記仕切パージガス供給部を制御するように構成された制御部を有する。

＜付記６＞
他の形態によれば、
基板を処理室に収容する工程と、
前記基板を外周に突出部を有する基板支持部で支持する工程と、
前記処理室に設けられ、前記突出部と接触し、前記処理室と前記搬送空間とを仕切る仕切板と、前記基板に処理ガスを供給する際に、前記突出部と前記仕切板との間に生じる間隙にパージガスを供給する工程と、
を有する半導体装置の製造方法が提供される。

＜付記７＞
付記６に記載の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記基板支持部を搬送空間から処理位置に搬送する工程と、
前記基板を前記処理位置に搬送する工程で前記処理室に不活性ガスを供給する工程と、
前記突出部と前記仕切板とが接触する接触箇所にパージガスを供給する工程の後に前記基板に処理ガスを供給する工程と、
を有する。

＜付記８＞
付記６又は付記７に記載の半導体装置の製造方法であって、好ましくは、
前記突出部と前記仕切板とが接触する接触箇所へのパージガスの供給は、前記処理ガスが供給される間継続する工程を有する。

＜付記９＞
更に他の態様によれば、
基板を処理室に収容させる手順と、
前記基板を外周に突出部を有する基板支持部で支持させる工程と、
前記処理室に設けられ、前記突出部と接触し、前記処理室と前記搬送空間とを仕切る仕切板と、前記基板に処理ガスを供給する際に、前記突出部と前記仕切板との間に生じる間隙にパージガスを供給させる手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムが提供される。

＜付記１０＞
付記９に記載のプログラムであって、好ましくは、
前記基板支持部を搬送空間から処理位置に搬送する工程と、
前記基板を前記処理位置に搬送する工程で前記処理室に不活性ガスを供給させる手順と、
前記突出部と前記仕切板とが接触する接触箇所にパージガスを供給する工程の後に前記基板に処理ガスを供給させる手順と、
を有する。

＜付記１１＞
付記９又は付記１０に記載のプログラムであって、好ましくは、
前記突出部と前記仕切板とが接触する接触箇所へのパージガスの供給は、前記処理ガスが供給される間継続させる手順を有する。

＜付記１２＞
更に他の態様によれば、
前記処理室に設けられ、前記突出部と接触し、前記処理室と前記搬送空間とを仕切る仕切板と、前記基板に処理ガスを供給する際に、前記突出部と前記仕切板との間に生じる間隙にパージガスを供給させる手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムが記録された記録媒体が提供される。

＜付記１３＞
付記１２に記載の記録媒体であって、好ましくは、
前記基板支持部を搬送空間から処理位置に搬送する工程と、
前記基板を前記処理位置に搬送する工程で前記処理室に不活性ガスを供給させる手順と、
前記突出部と前記仕切板とが接触する接触箇所にパージガスを供給する工程の後に前記基板に処理ガスを供給させる手順と、
を有する。

＜付記１４＞
付記１３に記載の記録媒体であって、好ましくは、
前記突出部と前記仕切板とが接触する接触箇所へのパージガスの供給は、前記処理ガスが供給される間継続させる手順を有する。

２００ ウエハ（基板）
２０１ 処理室
２０２ 処理容器
２０４ 仕切板
２１２ 基板載置台
２１３ ヒータ
２２１ 排気口（第１排気部）
２３４ ガス整流部
２３１ 蓋
２５０ リモートプラズマユニット（励起部）
３０１ａ パージガス供給孔
３０１ｂ パージ領域

Claims (15)

1. 基板が収容される処理室と、
   前記基板を支持し、外周に突出部を有する基板支持部と、
   前記処理室に設けられ、前記突出部と接触し、前記処理室と前記基板を搬送する搬送空間とを仕切る仕切部と、
   前記処理室に処理ガスを供給するガス供給部と、
   前記基板に前記処理ガスを供給する際に前記接触した箇所に生じる前記突出部と前記仕切部との間隙に、パージガスを供給する仕切パージガス供給部と、
   を有する基板処理装置。
   
2. 前記間隙における前記突出部と前記仕切部の距離が、前記突出部と前記仕切部とが接触する径方向の長さよりも短く構成された請求項１に記載の基板処理装置。
   
3. 前記突出部と前記仕切部とが接触した後に、前記仕切パージガス供給部が前記接触した箇所にパージガスを供給する様に前記基板支持部と前記仕切パージガス供給部を制御するように構成された制御部を有する請求項１に記載の基板処理装置。
   
4. 前記基板に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、を有し、
   前記基板支持部を処理位置に搬送する際に、前記処理室に不活性ガスを供給する工程と、
   前記突出部と前記仕切部が接触した後に前記接触した箇所にパージガスを供給する工程と、
   前記パージガスの供給後に前記処理ガスを供給する工程と、を行うように、
   前記基板支持部と前記仕切パージガス供給部と前記処理ガス供給部と前記不活性ガス供給部を制御するように構成された制御部を有する請求項１に記載の基板処理装置。
   
   
5. 前記基板に処理ガスを供給する処理ガス供給部を有し、
   前記間隙へのパージガスの供給は、前記処理ガスが供給されている間、継続されるように前記処理ガス供給部と前記仕切パージガス供給部を制御するように構成された制御部を有する請求項１に記載の基板処理装置。
   
6. 前記仕切パージガス供給部は、環状のパージガス供給溝を介して前記間隙に前記パージガスを供給するように構成される請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
   
7. 前記仕切パージガス供給部は、パージガス供給経路と該パージガス供給路に接続された環状の溝とを有する請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
   
8. 前記仕切部は、前記突出部と接触する箇所を構成する接触部と、前記接触部に対して伸縮する伸縮部とを有する請求項１乃至７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
   
9. 基板を処理室に収容する工程と、
   前記基板を外周に突出部を有する基板支持部で支持する工程と、
   前記処理室に設けられ、前記突出部と接触し、前記処理室と前記基板を搬送する搬送空間とを仕切る仕切部を有する基板処理装置において、前記基板に処理ガスを供給する際に前記接触した箇所に生じる前記突出部と前記仕切部との間隙にパージガスを供給する工程と、
   を有する半導体装置の製造方法。
   
10. 前記基板支持部を搬送空間から処理位置に搬送する工程と、
    前記基板を前記処理位置に搬送する工程で前記処理室に不活性ガスを供給する工程と、
    前記接触した箇所にパージガスを供給する工程の後に前記基板に処理ガスを供給する工程と、を有する請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
    
    
11. 前記間隙へのパージガスの供給は、前記処理ガスが供給される間継続する工程を有する請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
    
12. 基板を処理室に収容させる手順と、
    前記基板を外周に突出部を有する基板支持部で支持させる手順と、
    前記処理室に設けられ、前記突出部と接触し、前記処理室と前記基板を搬送する搬送空間とを仕切る仕切部を有する基板処理装置において、前記基板に処理ガスを供給する際に前記接触した箇所に生じる前記突出部と前記仕切部との間隙にパージガスを供給させる手順と、
    をコンピュータに実行させるプログラムが記録された記録媒体。
    
13. 前記基板支持部を搬送空間から処理位置に搬送する手順と、
    前記基板を前記処理位置に搬送する工程で前記処理室に不活性ガスを供給させる手順と、
    前記接触した箇所にパージガスを供給させる手順の後に前記基板に処理ガスを供給させる手順と、をコンピュータに実行させるプログラムが記録された請求項１２に記載の記録媒体。
    
14. 前記間隙へのパージガスの供給は、前記処理ガスが供給される間継続させる手順と、をコンピュータに実行させるプログラムが記録された請求項１２に記載の記録媒体。
    
15. 基板を処理室に収容させる手順と、
    前記基板を外周に突出部を有する基板支持部で支持させる手順と、
    前記処理室に設けられ、前記突出部と接触し、前記処理室と前記基板を搬送する搬送空間とを仕切る仕切部を有する基板処理装置において、前記基板に処理ガスを供給する際に前記接触した箇所に生じる前記突出部と前記仕切部との間隙にパージガスを供給させる手順と、
    をコンピュータに実行させるプログラム。
    

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