JP5795172B2 - Semiconductor manufacturing equipment - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 209
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 5
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 40
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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Description
本発明は、半導体製造装置に係り、より詳細には、一つのトレイ上に多数枚の基板を並べて配置し、全ての基板に対して同時にプロセス処理を施す半導体製造装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly to a semiconductor manufacturing apparatus in which a large number of substrates are arranged side by side on a single tray and a process is performed on all the substrates simultaneously.
近年、半導体デバイスの生産効率を向上させるため、半導体デバイスを搭載する基板(ウェハ)の大口径化が進められている。この傾向に伴い、プロセス処理を行う際に、基板を支持するトレイ(特許文献1)の大口径化も求められる傾向にある。従来のトレイとしては、基板を安定して支持するために、載置される基板よりも面積の大きいものが用いられている。そして、基板とともにトレイを大口径化することにより、基板に多数の半導体デバイスを搭載し、各々の半導体デバイスに対して同時に、プロセス処理を行うことができる。 In recent years, in order to improve the production efficiency of semiconductor devices, the diameter of a substrate (wafer) on which semiconductor devices are mounted has been increased. Along with this tendency, there is a tendency to increase the diameter of the tray (Patent Document 1) that supports the substrate when performing the process. As a conventional tray, in order to stably support the substrate, a tray having a larger area than the substrate to be placed is used. And by enlarging a tray with a board | substrate, many semiconductor devices can be mounted in a board | substrate and it can process simultaneously with respect to each semiconductor device.
しかしながら、大口径化したトレイは重量が増加するため、トレイに載置された基板の安定した搬送を妨げる虞がある。したがって、トレイの重量増加に耐えうる強度を備えた搬送ロボット、ゲートバルブを選定する必要があるが、その場合には大規模な装置改造をともなう。 However, since the tray having an increased diameter increases in weight, there is a possibility that stable conveyance of the substrate placed on the tray may be hindered. Therefore, it is necessary to select a transfer robot and a gate valve that are strong enough to withstand the increase in the weight of the tray. In this case, a large-scale apparatus modification is required.
また、載置される基板よりも面積の大きいトレイを用いて処理する場合、トレイの面積に対する処理領域の面積の比率(処理効率)は低くなる。サイズの小さい基板を複数枚載置して、可能な限り処理領域を増やしたとしても、処理効率が劇的に高まることはない。例えば、9枚の3インチ基板を300mmトレイに載置して処理する場合、処理効率は53%程度にとどまる。処理効率が低いことは、処理材料が高い割合で基板以外のものに配され、コストが余計にかかってしまうことを意味する。 Further, when processing is performed using a tray having a larger area than the substrate to be placed, the ratio of the area of the processing region to the tray area (processing efficiency) is low. Even if a plurality of small substrates are placed and the processing area is increased as much as possible, the processing efficiency does not increase dramatically. For example, when nine nine-inch substrates are placed on a 300 mm tray for processing, the processing efficiency is only about 53%. The low processing efficiency means that the processing material is distributed at a high ratio to those other than the substrate, resulting in an extra cost.
本発明は、以上のような点を考慮してなされたものであり、基板の非処理面の一部をはみ出させた状態で支持するトレイであって、基板を保持する部位が基板の側面に接して囲むように主面に設けられたトレイを備えた、半導体製造装置の提供を目的とする。 The present invention has been made in consideration of the above points, and is a tray that supports a part of the non-processed surface of the substrate that protrudes, and a portion that holds the substrate is located on the side surface of the substrate. An object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus including a tray provided on a main surface so as to be in contact with and enclose.
本発明の請求項1に係る半導体製造装置は、プロセス処理を行うチャンバと、前記チャンバ内に配され、平坦な一面を有する支持台と、一方の主面が、前記支持台の前記一面に接して重なるように載置される、一枚の平板状のトレイと、を有し、前記トレイの他方の主面に複数のウェハ状の基板が載置され、各々の前記基板の一部が前記トレイの他方の主面からはみ出すことにより、前記基板は前記トレイとの接触領域および非接触領域を有し、かつ、少なくとも前記基板の重心は前記接触領域に含まれるように、前記トレイの形状が規定され、前記トレイの他方の主面のうち、前記基板の非処理面が接していない領域に、前記基板の側面に接して囲むように前記基板の保持部が設けられている、ことを特徴とする。 According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor manufacturing apparatus, a chamber for performing a process, a support base disposed in the chamber and having a flat surface, and one main surface being in contact with the one surface of the support base. And a single plate-like tray, and a plurality of wafer-like substrates are placed on the other main surface of the tray, and a part of each of the substrates is By protruding from the other main surface of the tray, the substrate has a contact area and a non-contact area with the tray, and at least the center of gravity of the substrate is included in the contact area. The holding part of the substrate is provided so as to be in contact with and surround the side surface of the substrate in a region of the other main surface of the tray that is not in contact with the non-processing surface of the substrate. And
本発明の請求項2に係る半導体製造装置は、請求項1において、前記トレイの面積を、前記複数のウェハ状の基板の合計面積よりも小さくするとともに、前記保持部は、前記基
板の側面の半分以上を囲む、ことを特徴とする。
A semiconductor manufacturing apparatus according to a second aspect of the present invention is the semiconductor manufacturing apparatus according to the first aspect, wherein the area of the tray is smaller than the total area of the plurality of wafer-like substrates, and the holding portion is provided on a side surface of the substrate. It is characterized by surrounding more than half.
本発明の請求項3に係る半導体製造装置は、請求項1または2において、前記保持部と前記基板の間隔が、前記トレイの他方の主面から遠ざかるにしたがって広くなる形状である、ことを特徴とする。 A semiconductor manufacturing apparatus according to a third aspect of the present invention is the semiconductor manufacturing apparatus according to the first or second aspect, wherein the distance between the holding portion and the substrate increases as the distance from the other main surface of the tray increases. And
本発明の請求項4に係る半導体製造装置は、請求項1〜3のいずれかにおいて、前記保持部の高さは、前記基板の厚さに等しい、ことを特徴とする。 A semiconductor manufacturing apparatus according to a fourth aspect of the present invention is characterized in that, in any one of the first to third aspects, the height of the holding portion is equal to the thickness of the substrate.
本発明の請求項5に係る半導体製造装置は、請求項1または2において、前記保持部は、前記基板の側面に接して囲むように設けられた第一部位と、前記基板の側面を厚み方向に拡張させた曲面に接して囲むように、前記第一部位上に設けられ、前記曲面との間隔が、前記トレイの他方の主面から遠ざかるにしたがって広くなる第二部位とで構成される、ことを特徴とする。 A semiconductor manufacturing apparatus according to a fifth aspect of the present invention is the semiconductor manufacturing apparatus according to the first or second aspect, wherein the holding portion includes a first portion provided so as to be in contact with the side surface of the substrate and a side surface of the substrate in a thickness direction. It is provided on the first part so as to be in contact with and enclose the curved surface expanded to the second part, and the distance between the curved surface and the second part increases as the distance from the other main surface of the tray increases. It is characterized by that.
本発明の請求項6に係る半導体製造装置は、請求項1〜5のいずれかにおいて、前記保持部は壁形状である、ことを特徴とする。 A semiconductor manufacturing apparatus according to a sixth aspect of the present invention is characterized in that, in any one of the first to fifth aspects, the holding portion has a wall shape.
本発明の請求項7に係る半導体製造装置は、請求項1、2または4のいずれかにおいて、前記保持部はピン形状である、ことを特徴とする。 A semiconductor manufacturing apparatus according to a seventh aspect of the present invention is characterized in that, in any one of the first, second, and fourth aspects, the holding portion has a pin shape.
本発明の請求項8に係る半導体製造装置は、請求項1または2において、前記トレイの他方の主面のうち、前記基板の非処理面が接している領域は平坦な形状であり、前記基板の非処理面が接していない領域は粗面形状であり、後者は前記保持部として機能する、ことを特徴とする。 A semiconductor manufacturing apparatus according to an eighth aspect of the present invention is the semiconductor manufacturing apparatus according to the first or second aspect, wherein a region of the other main surface of the tray that is in contact with the non-processed surface of the substrate is a flat shape. The region where the non-processed surface is not in contact has a rough surface shape, and the latter functions as the holding portion.
本発明の請求項9に係る半導体製造装置は、請求項1〜8のいずれかにおいて、前記保持部は前記トレイと一体である、ことを特徴とする。 A semiconductor manufacturing apparatus according to a ninth aspect of the present invention is characterized in that, in any one of the first to eighth aspects, the holding portion is integral with the tray.
本発明に係る半導体製造装置が備えるトレイは、その主面から、各々の一部をはみ出させた状態の複数の基板を支持し、各々の基板の側面を囲んで保持する部位(保持部)が主面に形成されている。この保持部は、基板がトレイの主面上を滑ったり、基板が傾いてその一部がトレイと離間したりするのを防ぐため、基板をトレイに安定して載置させた状態で、プロセス処理を行うことができる。 The tray provided in the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention has a portion (holding portion) that supports a plurality of substrates in a state in which each of the trays protrudes from the main surface, and surrounds and holds the side surfaces of each substrate. It is formed on the main surface. In order to prevent the substrate from slipping on the main surface of the tray or part of the substrate from being tilted and separated from the tray, the holding unit stably processes the substrate on the tray. Processing can be performed.
したがって、本発明の構成によれば、基板がトレイと非接触の領域を有する状態であっても、安定して処理を行うことが可能であるため、トレイに載置する複数の基板の合計面積は、トレイの面積を上回っていてもよい。すなわち、載置可能な複数の基板の合計面積によらず、トレイの面積を小さくすることが可能となる。これにより、トレイを軽量化することができ、基板の安定した搬送を実現することができる。 Therefore, according to the configuration of the present invention, since the substrate can be stably processed even when the substrate has a non-contact area with the tray, the total area of the plurality of substrates placed on the tray May exceed the area of the tray. That is, the tray area can be reduced regardless of the total area of the plurality of substrates that can be placed. Thereby, a tray can be reduced in weight and the stable conveyance of a board | substrate can be implement | achieved.
また、本発明の構成によれば、トレイの面積を、トレイに載置される複数の基板の合計面積よりも小さくすることができるため、トレイの面積に対する処理領域の面積の比率(処理効率)を高くすることが可能である。これにより、基板以外のものに配される処理材料の割合を低くすることができ、余計なコストを抑えることができる。 Further, according to the configuration of the present invention, since the area of the tray can be made smaller than the total area of the plurality of substrates placed on the tray, the ratio of the area of the processing region to the area of the tray (processing efficiency) Can be increased. Thereby, the ratio of the processing material distribute | arranged to things other than a board | substrate can be made low, and extra cost can be suppressed.
以下、好適な実施形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。 Hereinafter, based on a preferred embodiment, the present invention will be described with reference to the drawings.
<第一実施形態>
図1(a)は第一実施形態に係るプラズマを発生させた状態のプラズマ処理装置100の概略構成を示す図である。プラズマ処理装置100は、チャンバ101と、その内部の底面に配された、被処理基板104が載置されるトレイ103の支持台102と、上部電極106および下部電極をなす支持台102で構成されるプラズマ雰囲気Pを発生させる手段と、チャンバ101の外側に配され、プラズマ雰囲気Pの分布を制御する磁場発生手段Mと、を備える。
<First embodiment>
FIG. 1A is a diagram showing a schematic configuration of a
支持台102は、少なくともトレイが載置される領域において平坦な形状をなし、その内部に吸着電極対(不図示)を備え、電気的引力によりトレイ103を吸着する。
The support table 102 has a flat shape at least in a region where the tray is placed, and includes a suction electrode pair (not shown) inside, and sucks the
トレイ103は、少なくとも基板104が接して配される領域においては、一枚の平板状をなす。そしてトレイ103は、その一方の主面103Sが、支持台102の一面102Sに接して重なるように配され、他方の主面103Tが、複数のウェハ状の基板104を、その非処理面104Bに接して重なることにより支持する。図1(b)は、図1(a)における複数の基板104が載置されたトレイ103の近傍の領域Aを拡大し、上面側から見た図である。
The
各々の基板104の一部は、トレイ103の他方の主面103T上からはみ出すように載置される。すなわち、基板104はトレイ103との接触領域R1および非接触領域R2を有する。接触領域R1と非接触領域R2との面積比に関して制限はないが、基板104のトレイ103からの落下を防ぐために、少なくとも基板104の重心は接触領域R1に含まれている必要がある。
A part of each
図2(a)、(b)は、それぞれ図1(b)のB−B線、C−C線において切断した断面を示す図である。トレイの他方の主面103Tのうち基板の非処理面104Bが接していない領域R3に、基板の側面104Sに接して囲むように基板を保持する部位105(保持部)が設けられている。上述したように、基板104の重心はトレイ103との接触領域R1に含まれている必要があるため、保持部105は、基板の側面104Sの半分以上を囲むように形成されることが望ましい。基板の側面104Sと保持部105とは、密着していてもよいが、基板104が滑らない程度であれば離間していてもよい。
2 (a) and 2 (b) are cross-sectional views taken along lines BB and CC in FIG. 1 (b), respectively. A portion 105 (holding portion) for holding the substrate is provided in a region R3 of the other
保持部105は、トレイの他方の主面103Tのうち、基板の非処理面104Bが接する領域R1にマスクを配した状態で成膜処理を行い、基板の非処理面104Bが接しない領域R3のみに、保持部105を構成する材料を積層することによって形成することができる。このとき保持部105を構成する材料は、トレイ103を構成する材料と同じものであってもよいし、異なるものであってもよい。
The holding
上記成膜処理による方法においては、トレイの他方の主面103Tを加工する必要がない。したがって、加工によりトレイ103が受けるダメージを、防ぐことができる。
In the method using the film forming process, there is no need to process the other
また、保持部105は、トレイの他方の主面103Tのうち、基板の非処理面104Bが接しない領域R3にマスクを配した状態でエッチング処理を行い、基板の非処理面104Bが接する領域R1のみを、トレイ103の厚さ方向に掘り下げることによって形成することもできる。
In addition, the holding
上記エッチング処理による方法においては、トレイ103のエッチング量を微細制御することにより、載置される基板の厚さ、側面の形状等に合わせて、所望の大きさ、形状の保持部105を形成することができる。
In the etching method, the holding
保持部105は、基板の処理面104Uに対するプロセス処理が遮られないように形成される必要がある。したがって、保持部105の、トレイの他方の主面103Tからの高さHは、基板104の厚さと同程度であることが望ましい。
The holding
保持部105の高さHを基板104の厚さと同程度とすることにより、基板104の処理面104Uの外周に対する斜め上方からの処理が、保持部105に遮られるのを防ぐことができる。
By setting the height H of the holding
第一実施形態に係る半導体製造装置が備えるトレイは、その主面から、各々の一部をはみ出させた状態の複数の基板を支持し、各々の基板の側面を囲んで保持する部位(保持部)が形成されている。この保持部は、基板がトレイの主面上を滑ったり、基板が傾いてその一部がトレイと離間したりするのを防ぐため、基板をトレイに安定して載置させた状態で、プロセス処理を行うことができる。 The tray included in the semiconductor manufacturing apparatus according to the first embodiment supports a plurality of substrates in a state in which each of the trays protrudes from the main surface, and holds and surrounds the side surfaces of each substrate (holding unit) ) Is formed. In order to prevent the substrate from slipping on the main surface of the tray or part of the substrate from being tilted and separated from the tray, the holding unit stably processes the substrate on the tray. Processing can be performed.
したがって、上記第一実施形態の構成によれば、基板がトレイと非接触の領域を有する状態であっても安定して処理を行うことが可能であるため、トレイに載置する複数の基板の合計面積は、トレイの面積を上回っていてもよい。すなわち、載置可能な複数の基板の合計面積によらず、トレイの面積を小さくすることが可能となる。これにより、トレイを軽量化することができ、チャンバ外とチャンバ内の支持台上との間で、基板の安定した搬送を実現することができる。 Therefore, according to the configuration of the first embodiment, since the substrate can be stably processed even when the substrate has a non-contact area with the tray, the plurality of substrates placed on the tray can be processed. The total area may exceed the area of the tray. That is, the tray area can be reduced regardless of the total area of the plurality of substrates that can be placed. Thereby, the tray can be reduced in weight, and stable conveyance of the substrate can be realized between the outside of the chamber and the support base in the chamber.
また、第一実施形態の構成によれば、トレイの面積を、トレイに載置される複数の基板の合計面積よりも小さくすることができるため、トレイの面積に対する処理領域の面積の比率(処理効率)を高くすることが可能である。これにより、基板以外のものに配される処理材料の割合を低くすることができ、余計なコストを抑えることができる。 Further, according to the configuration of the first embodiment, since the area of the tray can be made smaller than the total area of the plurality of substrates placed on the tray, the ratio of the area of the processing region to the area of the tray (processing (Efficiency) can be increased. Thereby, the ratio of the processing material distribute | arranged to things other than a board | substrate can be made low, and extra cost can be suppressed.
[変形例1]
図3(a)、(b)は、それぞれ図1(b)に示す基板を支持するトレイのB−B線、C−C線において切断した断面に相当する図であり、第一実施形態の変形例1を示す図である。図3(a)、(b)に示すように、変形例1における保持部115は、トレイの他方の主面113Tに、基板の側面114Sとの間隔が、トレイの他方の主面113Tから遠ざかるにしたがって広くなる形状を有している。保持部115以外の構成については、第一実施形態と同様の構成となっている。
[Modification 1]
3 (a) and 3 (b) are views corresponding to cross sections cut along the BB line and the CC line of the tray supporting the substrate shown in FIG. 1 (b), respectively. It is a figure which shows the modification 1. FIG. As shown in FIGS. 3A and 3B, in the holding
上記変形例1の構成によれば、基板114をトレイ113に載置する途中に、基板の側面114Sは保持部115に接触しない。したがって、保持部115との接触に伴う基板の側面114Sの破損等のダメージを防ぐことができる。
According to the configuration of the first modification, the
変形例1に係る半導体製造装置が備えるトレイは、その主面から、各々の一部をはみ出させた状態の複数の基板を支持し、各々の基板の側面を囲んで保持する部位(保持部)が形成されている。この保持部は、基板がトレイの主面上を滑ったり、基板が傾いてその一部がトレイと離間したりするのを防ぐため、基板をトレイに安定して載置させた状態で、プロセス処理を行うことができる。 The tray included in the semiconductor manufacturing apparatus according to Modification 1 supports a plurality of substrates in a state where each of the trays protrudes from the main surface, and holds and surrounds the side surfaces of each substrate (holding unit). Is formed. In order to prevent the substrate from slipping on the main surface of the tray or part of the substrate from being tilted and separated from the tray, the holding unit stably processes the substrate on the tray. Processing can be performed.
したがって、変形例1の構成によれば、基板がトレイと非接触の領域を有する状態であっても、安定して処理を行うことが可能であるため、トレイに載置する複数の基板の合計面積は、トレイの面積を上回っていてもよい。すなわち、載置可能な複数の基板の合計面積によらず、トレイの面積を小さくすることが可能となる。これにより、トレイを軽量化することができ、チャンバ外とチャンバ内の支持台上との間で、基板の安定した搬送を実現することができる。 Therefore, according to the configuration of the first modification, even if the substrate has a region that is not in contact with the tray, it is possible to perform processing stably, and thus the total of the plurality of substrates placed on the tray. The area may exceed the area of the tray. That is, the tray area can be reduced regardless of the total area of the plurality of substrates that can be placed. Thereby, the tray can be reduced in weight, and stable conveyance of the substrate can be realized between the outside of the chamber and the support base in the chamber.
また、変形例1の構成によれば、トレイの面積を、トレイに載置される複数の基板の合計面積よりも小さくすることができるため、トレイの面積に対する処理領域の面積の比率(処理効率)を高くすることが可能である。これにより、基板以外のものに配される処理材料の割合を低くすることができ、余計なコストを抑えることができる。 Further, according to the configuration of the first modification, the area of the tray can be made smaller than the total area of the plurality of substrates placed on the tray, so the ratio of the area of the processing region to the area of the tray (processing efficiency) ) Can be increased. Thereby, the ratio of the processing material distribute | arranged to things other than a board | substrate can be made low, and extra cost can be suppressed.
[変形例2]
図4(a)、(b)は、それぞれ図1(b)に示す基板を支持するトレイのB−B線、C−C線において切断した断面に相当する図であり、第一実施形態の変形例2を示す図である。図4(a)、(b)に示すように、変形例2における保持部125は、第一部位125aと、第一部位125a上に設けられた第二部位125bとで構成される。第一部位125aは、トレイの他方の主面123Tに、基板の側面124Sに接して囲むように設けられる。第二部位125bは、第一部位125a上に、基板の側面124Sを厚さ方向に拡張させた仮想の曲面に接して囲むように、かつ、この曲面との間隔が、トレイの他方の主面123Tから遠ざかるにしたがって広くなるように設けられる。保持部125以外の構成については、第一実施形態と同様の構成となっている。
[Modification 2]
4 (a) and 4 (b) are views corresponding to sections cut along the BB line and the CC line of the tray supporting the substrate shown in FIG. 1 (b), respectively, according to the first embodiment. It is a figure which shows the modification 2. FIG. As shown in FIGS. 4A and 4B, the holding
上記変形例2の構成では、保持部125の高さ(H1+H2)が、第一実施形態の構成による保持部105の高さHよりも大きい。そのため、プロセス処理中や、基板搬送中に、基板124が保持部125に乗り上げにくくすることができる。また、保持部125の高さ(H1+H2)を基板124の厚みより大きくしても、上記第二部位125bの構成により、基板124の処理面124Uの外周に対する斜め上方からの処理が遮られるのを防ぐことができる。
In the configuration of the second modification, the height (H1 + H2) of the holding
変形例2に係る半導体製造装置が備えるトレイは、その主面から、各々の一部をはみ出させた状態の複数の基板を支持し、各々の基板の側面を囲んで保持する部位(保持部)が形成されている。この保持部は、基板がトレイの主面上を滑ったり、基板が傾いてその一部がトレイと離間したりするのを防ぐため、基板をトレイに安定して載置させた状態で、プロセス処理を行うことができる。 The tray provided in the semiconductor manufacturing apparatus according to Modification 2 supports a plurality of substrates in a state where each of the trays protrudes from the main surface, and holds and surrounds the side surfaces of each substrate (holding unit). Is formed. In order to prevent the substrate from slipping on the main surface of the tray or part of the substrate from being tilted and separated from the tray, the holding unit stably processes the substrate on the tray. Processing can be performed.
したがって、変形例2の構成によれば、基板がトレイと非接触の領域を有する状態であっても、安定して処理を行うことが可能であるため、トレイに載置する複数の基板の合計面積は、トレイの面積を上回っていてもよい。したがって、載置可能な複数の基板の合計面積によらず、トレイの面積を小さくすることが可能となる。これにより、トレイを軽量化することができ、チャンバ外とチャンバ内の支持台上との間で、基板の安定した搬送を実現することができる。 Therefore, according to the configuration of the modified example 2, even if the substrate has a region that is not in contact with the tray, it is possible to perform processing stably, and thus the total of the plurality of substrates placed on the tray. The area may exceed the area of the tray. Therefore, the tray area can be reduced regardless of the total area of the plurality of substrates that can be placed. Thereby, the tray can be reduced in weight, and stable conveyance of the substrate can be realized between the outside of the chamber and the support base in the chamber.
また、変形例2の構成によれば、トレイの面積を、トレイに載置される複数の基板の合計面積よりも小さくすることができるため、トレイの面積に対する処理領域の面積の比率(処理効率)を高くすることが可能である。これにより、基板以外のものに配される処理材料の割合を低くすることができ、余計なコストを抑えることができる。 Further, according to the configuration of the modification example 2, the area of the tray can be made smaller than the total area of the plurality of substrates placed on the tray, and therefore the ratio of the area of the processing region to the area of the tray (processing efficiency) ) Can be increased. Thereby, the ratio of the processing material distribute | arranged to things other than a board | substrate can be made low, and extra cost can be suppressed.
[変形例3]
図5は、複数の基板134が載置されたトレイ133の上面側から見た図であり、第一実施形態の変形例3に相当する図である。図6(a)、(b)は、それぞれ図5のD−D線、E−E線において切断した断面を示す図である。図5および6に示すように、変形例3における保持部135は、基板の側面134Sに沿うように設けられた壁の形状をなし、トレイの他方の主面133Tのうち、基板の非処理面134Bが接していない領域R3の一部の領域R4において、保持部135が設けられていない点が第一実施形態と異なる。保持部135以外の構成については、第一実施形態と同様の構成となっている。
[Modification 3]
FIG. 5 is a view seen from the upper surface side of the
変形例3に係る半導体製造装置が備えるトレイは、その主面から、各々の一部をはみ出させた状態の複数の基板を支持し、各々の基板の側面を囲んで保持する部位(保持部)が形成されている。この保持部は、基板がトレイの主面上を滑ったり、基板が傾いてその一部がトレイと離間したりするのを防ぐため、基板をトレイに安定して載置させた状態で、プロセス処理を行うことができる。 The tray provided in the semiconductor manufacturing apparatus according to Modification 3 supports a plurality of substrates in a state where each of the trays protrudes from the main surface, and holds and surrounds the side surfaces of each substrate (holding unit). Is formed. In order to prevent the substrate from slipping on the main surface of the tray or part of the substrate from being tilted and separated from the tray, the holding unit stably processes the substrate on the tray. Processing can be performed.
したがって、変形例3の構成によれば、基板がトレイと非接触の領域を有する状態であっても、安定して処理を行うことが可能であるため、トレイに載置する複数の基板の合計面積は、トレイの面積を上回っていてもよい。したがって、載置可能な複数の基板の合計面積によらず、トレイの面積を小さくすることが可能となる。これにより、トレイを軽量化することができ、チャンバ外とチャンバ内の支持台上との間で、基板の安定した搬送を実現することができる。 Therefore, according to the configuration of the modified example 3, even if the substrate has a region that is not in contact with the tray, it is possible to perform processing stably, and thus the total of the plurality of substrates placed on the tray. The area may exceed the area of the tray. Therefore, the tray area can be reduced regardless of the total area of the plurality of substrates that can be placed. Thereby, the tray can be reduced in weight, and stable conveyance of the substrate can be realized between the outside of the chamber and the support base in the chamber.
また、変形例3の構成によれば、トレイの面積を、トレイに載置される複数の基板の合計面積よりも小さくすることができるため、トレイの面積に対する処理領域の面積の比率(処理効率)を高くすることが可能である。これにより、基板以外のものに配される処理材料の割合を低くすることができ、余計なコストを抑えることができる。 Further, according to the configuration of the third modification, the area of the tray can be made smaller than the total area of the plurality of substrates placed on the tray, so the ratio of the area of the processing region to the area of the tray (processing efficiency) ) Can be increased. Thereby, the ratio of the processing material distribute | arranged to things other than a board | substrate can be made low, and extra cost can be suppressed.
また、保持部を壁形状とすることにより、第一実施形態の保持部よりも体積を小さくすることができる。したがって、保持部を軽量化することができ、トレイにかかる負担を軽減することができるため、チャンバ外とチャンバ内の支持台上との間で、基板のさらなる安定した搬送を実現することができる。 Moreover, the volume can be made smaller than the holding part of 1st embodiment by making a holding part into a wall shape. Therefore, since the holding portion can be reduced in weight and the burden on the tray can be reduced, further stable conveyance of the substrate can be realized between the outside of the chamber and the support base in the chamber. .
[変形例4]
図7は、複数の基板144が載置されたトレイ143の上面側から見た図であり、第一実施形態の変形例4に相当する図である。図7に示すように、変形例4における保持部145は、基板の側面144Sに沿うように分布して設けられた複数のピンからなる形状であり、トレイの他方の主面143Tのうち基板の非処理面144Bが接していない領域R3の一部の領域において保持部145が設けられていない点が、第一実施形態と異なる。保持部145以外の構成については、第一実施形態と同様の構成となっている。
[Modification 4]
FIG. 7 is a view as seen from the upper surface side of the
変形例4に係る半導体製造装置が備えるトレイは、その主面から、各々の一部をはみ出させた状態の複数の基板を支持し、各々の基板の側面を囲んで保持する部位(保持部)が形成されている。この保持部は、基板がトレイの主面上を滑ったり、基板が傾いてその一部がトレイと離間したりするのを防ぐため、基板をトレイに安定して載置させた状態で、プロセス処理を行うことができる。 The tray included in the semiconductor manufacturing apparatus according to Modification 4 supports a plurality of substrates in a state where each of the trays protrudes from the main surface, and holds and surrounds the side surfaces of each substrate (holding unit). Is formed. In order to prevent the substrate from slipping on the main surface of the tray or part of the substrate from being tilted and separated from the tray, the holding unit stably processes the substrate on the tray. Processing can be performed.
したがって、変形例4の構成によれば、基板がトレイと非接触の領域を有する状態であっても、安定して処理を行うことが可能であるため、トレイに載置する複数の基板の合計面積は、トレイの面積を上回っていてもよい。すなわち、載置可能な複数の基板の合計面積によらず、トレイの面積を小さくすることが可能となる。これにより、トレイを軽量化することができ、チャンバ外とチャンバ内の支持台上との間で、基板の安定した搬送を実現することができる。 Therefore, according to the configuration of the modified example 4, even if the substrate has a region that is not in contact with the tray, it is possible to perform processing stably, so the total of the plurality of substrates placed on the tray The area may exceed the area of the tray. That is, the tray area can be reduced regardless of the total area of the plurality of substrates that can be placed. Thereby, the tray can be reduced in weight, and stable conveyance of the substrate can be realized between the outside of the chamber and the support base in the chamber.
また、変形例4の構成によれば、トレイの面積を、トレイに載置される複数の基板の合計面積よりも小さくすることができるため、トレイの面積に対する処理領域の面積の比率(処理効率)を高くすることが可能である。これにより、基板以外のものに配される処理材料の割合を低くすることができ、余計なコストを抑えることができる。 Further, according to the configuration of the modification example 4, since the area of the tray can be made smaller than the total area of the plurality of substrates placed on the tray, the ratio of the area of the processing region to the area of the tray (processing efficiency) ) Can be increased. Thereby, the ratio of the processing material distribute | arranged to things other than a board | substrate can be made low, and extra cost can be suppressed.
また、保持部を複数のピンからなる形状とすることにより、第一実施形態の保持部よりも体積を小さくすることができる。したがって、保持部を軽量化することができ、トレイにかかる負担を軽減することができるため、チャンバ外とチャンバ内の支持台上との間で、基板のさらなる安定した搬送を実現することができる。 Moreover, the volume can be made smaller than the holding part of 1st embodiment by making a holding part into the shape which consists of a some pin. Therefore, since the holding portion can be reduced in weight and the burden on the tray can be reduced, further stable conveyance of the substrate can be realized between the outside of the chamber and the support base in the chamber. .
[変形例5]
図8(a)、(b)は、それぞれ図1(b)に示す基板を支持するトレイのB−B線、C−C線において切断した断面に相当する図であり、第一実施形態の変形例5を示す図である。図8(c)は、図8(b)に示す基板の側面154S近傍の領域Fを拡大し、変形例5に係る基板の保持部155の形状を説明する図である。保持部155以外の構成については、第一実施形態と同様の構成となっている。
[Modification 5]
FIGS. 8A and 8B are views corresponding to cross sections cut along lines BB and CC of the tray supporting the substrate shown in FIG. 1B, respectively. It is a figure which shows the modification 5. FIG. FIG. 8C is a diagram for explaining the shape of the
図8(a)、(b)に示すように、変形例5における保持部155は、基板の側面154Sに沿うように設けられている。また、図8(c)に示すように、保持部155は、トレイの他方の主面153Tのうち、基板154が接していない領域R3が、凹凸がランダムに分布した粗面形状となっている。凹凸は、主面153Tのうち粗面形状を有する部分の全体における、保持部の高さH(深さ)の積分がゼロとなるように分布しているのが望ましい。なお、保持部の高さHは、少なくとも基板が滑るのを妨げる程度の高さであることを必要とする。また、図8(a)、(b)では、領域R3全体が粗面形状となっている例を示しているが、少なくとも基板の側面154Sを囲む領域の近傍が、粗面形状となっていればよい。
As shown in FIGS. 8A and 8B, the holding
変形例5に係る半導体製造装置が備えるトレイは、その主面から、各々の一部をはみ出させた状態の複数の基板を支持し、各々の基板の側面を囲んで保持する部位(保持部)が形成されている。この保持部は、基板がトレイの主面上を滑ったり、基板が傾いてその一部がトレイと離間したりするのを防ぐため、基板をトレイに安定して載置させた状態で、プロセス処理を行うことができる。 The tray provided in the semiconductor manufacturing apparatus according to the modified example 5 supports a plurality of substrates in a state where each of the trays protrudes from the main surface, and holds and surrounds the side surfaces of each substrate (holding unit). Is formed. In order to prevent the substrate from slipping on the main surface of the tray or part of the substrate from being tilted and separated from the tray, the holding unit stably processes the substrate on the tray. Processing can be performed.
したがって、変形例5の構成によれば、基板がトレイと非接触の領域を有する状態であっても、安定して処理を行うことが可能であるため、トレイに載置する複数の基板の合計面積は、トレイの面積を上回っていてもよい。すなわち、載置可能な複数の基板の合計面積によらず、トレイの面積を小さくすることが可能となる。これにより、トレイを軽量化することができ、チャンバ外とチャンバ内の支持台上との間で、基板の安定した搬送を実現することができる。 Therefore, according to the configuration of the modified example 5, even if the substrate has a region that is not in contact with the tray, it is possible to perform processing stably, and thus the total of the plurality of substrates placed on the tray. The area may exceed the area of the tray. That is, the tray area can be reduced regardless of the total area of the plurality of substrates that can be placed. Thereby, the tray can be reduced in weight, and stable conveyance of the substrate can be realized between the outside of the chamber and the support base in the chamber.
また、変形例5の構成によれば、トレイの面積を、トレイに載置される複数の基板の合計面積よりも小さくすることができるため、トレイの面積に対する処理領域の面積の比率(処理効率)を高くすることが可能である。これにより、基板以外のものに配される処理材料の割合を低くすることができ、余計なコストを抑えることができる。 Further, according to the configuration of the modified example 5, since the area of the tray can be made smaller than the total area of the plurality of substrates placed on the tray, the ratio of the area of the processing region to the area of the tray (processing efficiency) ) Can be increased. Thereby, the ratio of the processing material distribute | arranged to things other than a board | substrate can be made low, and extra cost can be suppressed.
また、保持部を粗面形状とすることにより、第一実施形態の保持部よりも体積を小さくすることができる。したがって、保持部を軽量化することができ、トレイにかかる負担を軽減することができるため、チャンバ外とチャンバ内の支持台上との間で、基板のさらなる安定した搬送を実現することができる。 Moreover, the volume can be made smaller than the holding | maintenance part of 1st embodiment by making a holding | maintenance part into a rough surface shape. Therefore, since the holding portion can be reduced in weight and the burden on the tray can be reduced, further stable conveyance of the substrate can be realized between the outside of the chamber and the support base in the chamber. .
[変形例6]
図9は、複数の基板164が載置されたトレイの上面側から見た図であり、第一実施形態の変形例6に相当する図である。基板164の重心がトレイとの接触領域R1に含まれる限りにおいて、図9に示すように、トレイに載置される各基板同士の間隔を空けた構成とすることができる。各基板の側面同士の間隔が空いている点以外の構成については、第一実施形態と同様の構成となっている。
[Modification 6]
FIG. 9 is a diagram viewed from the upper surface side of the tray on which the plurality of
変形例6の構成によれば、各基板の側面同士が接触することによる破損等のダメージを防ぐことができる。また、各々の基板の側面に形成された膜の一部が、他の基板の側面に接触することにより、変形、変質してしまうのを防ぐことができる。さらに、基板の側面に付着した異物が、接触する他の基板の側面に伝搬されるのを防ぐことができる。 According to the configuration of the modified example 6, it is possible to prevent damage such as breakage due to contact between the side surfaces of the substrates. Moreover, it can prevent that a part of film | membrane formed in the side surface of each board | substrate contacts a side surface of another board | substrate, and deform | transforms and changes in quality. Furthermore, it is possible to prevent the foreign matter adhering to the side surface of the substrate from being propagated to the side surface of another substrate that is in contact.
変形例6に係る半導体製造装置が備えるトレイは、その主面から、各々の一部をはみ出させた状態の複数の基板を支持し、各々の基板の側面を囲んで保持する部位(保持部)が形成されている。この保持部は、基板がトレイの主面上を滑ったり、基板が傾いてその一部がトレイと離間したりするのを防ぐため、基板をトレイに安定して載置させた状態で、プロセス処理を行うことができる。 The tray provided in the semiconductor manufacturing apparatus according to Modification 6 supports a plurality of substrates in a state where each of the trays protrudes from the main surface, and holds and surrounds the side surfaces of each substrate (holding unit). Is formed. In order to prevent the substrate from slipping on the main surface of the tray or part of the substrate from being tilted and separated from the tray, the holding unit stably processes the substrate on the tray. Processing can be performed.
したがって、変形例6の構成によれば、基板がトレイと非接触の領域を有する状態であっても、安定して処理を行うことが可能であるため、トレイに載置する複数の基板の合計面積は、トレイの面積を上回っていてもよい。したがって、載置可能な複数の基板の合計面積によらず、トレイの面積を小さくすることが可能となる。これにより、トレイを軽量化することができ、チャンバ外とチャンバ内の支持台上との間で、基板の安定した搬送を実現することができる。 Therefore, according to the configuration of the modified example 6, even if the substrate has a region that is not in contact with the tray, it is possible to perform processing stably, so the total of the plurality of substrates placed on the tray The area may exceed the area of the tray. Therefore, the tray area can be reduced regardless of the total area of the plurality of substrates that can be placed. Thereby, the tray can be reduced in weight, and stable conveyance of the substrate can be realized between the outside of the chamber and the support base in the chamber.
また、変形例6の構成によれば、トレイの面積を、トレイに載置される複数の基板の合計面積よりも小さくすることができるため、トレイの面積に対する処理領域の面積の比率(処理効率)を高くすることが可能である。これにより、基板以外のものに配される処理材料の割合を低くすることができ、余計なコストを抑えることができる。 Further, according to the configuration of the modified example 6, since the area of the tray can be made smaller than the total area of the plurality of substrates placed on the tray, the ratio of the area of the processing region to the area of the tray (processing efficiency) ) Can be increased. Thereby, the ratio of the processing material distribute | arranged to things other than a board | substrate can be made low, and extra cost can be suppressed.
なお、第一実施形態およびその変形例1〜6では、円形のトレイに基板を3枚載置した例を用いて説明したが、本発明においては、トレイの形状および基板の枚数に関する制限を設けない。 In the first embodiment and its modifications 1 to 6, the description has been given using the example in which three substrates are mounted on a circular tray. However, in the present invention, there are restrictions on the shape of the tray and the number of substrates. Absent.
また、第一実施形態およびその変形例1〜6では、トレイを備えたプロセス処理室として、プラズマ処理を行うチャンバを例として用いたが、本発明は、蒸着等のプラズマを用いないプロセス処理を行うチャンバに対しても適用可能である。 Further, in the first embodiment and the modifications 1 to 6 thereof, as a process processing chamber provided with a tray, a chamber for performing plasma processing is used as an example. The present invention is also applicable to a chamber to be performed.
本発明は、被処理基板を支持部材に載置した状態において、プロセス処理を行う場合に対し、広く適用することが出来る。 The present invention can be widely applied to a case where a process is performed in a state where a substrate to be processed is placed on a support member.
100・・・プラズマ処理装置、101・・・チャンバ、102・・・支持台、
102S・・・一面、103、113、123・・・トレイ、
103S、113S、123S、103T、113T、123T・・・主面、
104、114、124・・・基板、104B、114B、124B・・・非処理面、
104S、114S、124S・・・側面、105、115、125・・・保持部、
106・・・上部電極、H、H1、H2・・・高さP・・・プラズマ雰囲気、R2、R3・・・領域。
DESCRIPTION OF
102S ... one side, 103, 113, 123 ... tray,
103S, 113S, 123S, 103T, 113T, 123T ... main surface,
104, 114, 124 ... substrate, 104B, 114B, 124B ... non-processed surface,
104S, 114S, 124S ... side face, 105, 115, 125 ... holding part,
106: upper electrode, H, H1, H2 ... height P ... plasma atmosphere, R2, R3 ... region.
Claims (9)
前記チャンバ内に配され、平坦な一面を有する支持台と、
一方の主面が、前記支持台の前記一面に接して重なるように載置される、一枚の平板状のトレイと、を有し、
前記トレイの他方の主面に複数のウェハ状の基板が載置され、各々の前記基板の一部が前記トレイの他方の主面からはみ出すことにより、前記基板は前記トレイとの接触領域および非接触領域を有し、かつ、少なくとも前記基板の重心は前記接触領域に含まれるように、前記トレイの形状が規定され、
前記トレイの他方の主面のうち、前記基板の非処理面が接していない領域に、前記基板の側面に接して囲むように前記基板の保持部が設けられている、ことを特徴とする半導体製造装置。 A chamber for process processing;
A support base disposed in the chamber and having a flat surface;
One main surface is placed so as to be in contact with and overlap the one surface of the support base, and has a single flat plate-like tray,
A plurality of wafer-like substrates are placed on the other main surface of the tray, and a part of each of the substrates protrudes from the other main surface of the tray, so that the substrate does not contact with the tray. The tray is shaped so that it has a contact area and at least the center of gravity of the substrate is included in the contact area ;
A holding part of the substrate is provided in a region of the other main surface of the tray that is not in contact with the non-processed surface of the substrate so as to be in contact with and surround the side surface of the substrate. manufacturing device.
前記基板の側面を厚み方向に拡張させた曲面に接して囲むように、前記第一部位上に設けられ、前記曲面との間隔が、前記トレイの他方の主面から遠ざかるにしたがって広くなる第二部位とで構成される、ことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体製造装置。 The holding portion is provided with a first portion provided so as to be in contact with the side surface of the substrate, and
A second surface is provided on the first portion so as to surround and surround the side surface of the substrate in the thickness direction, and a distance from the curved surface increases as the distance from the other main surface of the tray increases. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the semiconductor manufacturing apparatus is configured by a portion.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011059345A JP5795172B2 (en) | 2011-03-17 | 2011-03-17 | Semiconductor manufacturing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011059345A JP5795172B2 (en) | 2011-03-17 | 2011-03-17 | Semiconductor manufacturing equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012195498A JP2012195498A (en) | 2012-10-11 |
JP5795172B2 true JP5795172B2 (en) | 2015-10-14 |
Family
ID=47087099
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011059345A Active JP5795172B2 (en) | 2011-03-17 | 2011-03-17 | Semiconductor manufacturing equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5795172B2 (en) |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07111395A (en) * | 1993-10-12 | 1995-04-25 | Hitachi Electron Eng Co Ltd | Transfer device of ic device |
JPH08148451A (en) * | 1994-11-18 | 1996-06-07 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | Semiconductor wafer automatic exfoliation device |
US6508883B1 (en) * | 2000-04-29 | 2003-01-21 | Advanced Technology Materials, Inc. | Throughput enhancement for single wafer reactor |
JP2001326201A (en) * | 2000-05-16 | 2001-11-22 | Ebara Corp | Polishing device |
DE102004035336A1 (en) * | 2004-07-21 | 2006-02-16 | Schott Ag | Cleanable coating system |
JP2007281050A (en) * | 2006-04-04 | 2007-10-25 | Miraial Kk | Wafer tray for semiconductor wafers |
JP2008021824A (en) * | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Toshiba Corp | Boat tray, and heat treating furnace for wafer |
JP2010003647A (en) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Sumco Corp | Ion implantation device |
-
2011
- 2011-03-17 JP JP2011059345A patent/JP5795172B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012195498A (en) | 2012-10-11 |
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