JP5781588B2 - 超電導ケーブルの端末構造体の製造方法 - Google Patents
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Description
端末構造体100を、芯材に厚さ0.12[mm]×幅5[mm]の超伝導線材(以下、「YBCO線材」という)を12本巻き付けた超電導ケーブルと、筒状電極と、縮径部材であるロールスプリングとを用いて製造した。製造方法としては、銅で作製した外径30[mm]の円筒状をなす筒状電極(端子)の表面に半田メッキを施し、この半田メッキを介してYBCO線材を配置した。そして、これらYBCO線材に、銅箔を巻き付けて位置決めし、銅箔をポリイミドテープで固定した。その上から、ステンレスのロールスプリングを銅箔の外側から筒状電極に対して直角に巻き付けて固定した。すなわち、実施例1では、電気接続部分を、芯材側から順に、筒状電極、半田、超電導線材、銅箔+ポリイミドテープ、ロールスプリングを配置して構成した。
実施例1の端末構造体の製造方法において、加熱工程において、筒状電極を半田の融点温度未満で加熱した後、電気接続部分の外側からヒータで300[℃]で、10分間加熱して、端末構造体を製造した。そして、実施例1と同様に、製造した端末構造体について、筒状電極と12本の各YBCO線材(No.1〜No.12)との接触抵抗値[μΩ]を表2として示す。また、12本のYBCO線材の超電導特性Ic[A/cm−W]@77K,自己磁場中(self field)を、筒状電極に接続する前と、接続した後で測定した。すると、接続する前のYBCO線材のIcの平均は400[A/cm−W]であり、接続した後のYBCO線材のIcの平均は370[A/cm−W]であった。
実施例1の端末構造体においてロールスプリングを用いない構成の端末構造体を、YBCO線材を1本ずつ、筒状電極に半田接続して製造した。筒状電極、半田及び超電導テープを有する接続部分に対する半田接続を、筒状電極を半田の融点温度未満で加熱した後、電気接続部分の外側からヒータで240[℃]で、10分間加熱する方法で行った。そして、実施例1と同様に、そして、実施例1と同様に、筒状電極と12本の各YBCO線材(No.1〜No.12)との接触抵抗値[μΩ]を表3として示す。また、12本のYBCO線材の超電導特性Ic[A/cm−W]@77K,自己磁場中(self field)を、筒状電極に接続する前と、接続した後で測定した。すると、接続する前のYBCO線材のIcの平均は、400[A/cm−W]であり、接続した後のYBCO線材のIcの平均は380[A/cm−W]であった。
実施例1の端末構造体の製造方法において、加熱工程において、筒状電極を半田の融点温度未満で加熱せずに、電気接続部分の外側からヒータで240[℃]で、半田が溶融するまで25分間加熱して、端末構造体を製造した。そして、実施例1と同様に、筒状電極と12本の各YBCO線材(No.1〜No.12)との接触抵抗値[μΩ]を表4として示す。また、12本のYBCO線材の超電導特性Ic[A/cm−W]@77K,自己磁場中(self field)を、筒状電極に接続する前と、接続した後で測定した。すると、接続する前のYBCO線材のIcの平均は、400[A/cm−W]であり、接続した後のYBCO線材のIcの平均は250[A/cm−W]であった。
また、筒状電極、半田及び超電導テープを有する接続部分に、ロールスプリングを設けた方が、接触抵抗値が低い。
110 超電導ケーブル
111 芯材
112、114 押さえテープ
113、115 超電導テープ(超電導線材)
120 筒状電極
121 円筒部
122 テーパー部
130 縮径部材
140 リードケーブル
150 半田
160 金属箔
200 加熱装置
210 第1加熱部
220 第2加熱部
230 制御部
Claims (4)
- 芯材の周囲に同心円状に巻き付けた複数の超電導線材を有する超電導ケーブルと、内部に前記芯材が通されるとともに、前記複数の超電導線材を終端接続する筒状電極とを有する超電導ケーブル端末構造体の製造方法であって、
前記複数の超電導線材を前記筒状電極の外面に半田を介して配置する配置工程と、
前記半田を加熱して前記複数の超電導線材及び前記筒状電極を電気的に接続する加熱工程と、
を有し、
前記配置工程では、熱伝導性を有する縮径可能な筒状の縮径部材を、前記複数の超電導線材と前記筒状電極の外面との接続部分を覆うように、前記複数の超電導線材の外周側に配置して、前記縮径部材を縮径することで、前記筒状電極の外面に配置された前記複数の超電導線材を、前記筒状電極側に均一に押し付けて固定し、
前記加熱工程は、
前記筒状電極を前記半田の融点温度未満で加熱する第1工程と、
前記縮径部材を加熱することにより、前記第1工程で前記筒状電極を介して加熱された前記半田を、前記複数の超電導線材側から前記半田の融点温度を超える温度で加熱する第2工程と、
を含む、
ことを特徴とする超電導ケーブル端末構造体の製造方法。 - 前記加熱工程は、前記第2工程で前記半田が温度上昇する際に、前記第1工程で加熱した前記筒状電極の温度を前記半田の融点温度、或いは前記融点温度を超えるように上昇させる第3工程を含む、
ことを特徴とする請求項1記載の超電導ケーブル端末構造体の製造方法。 - 前記第2工程における前記半田の融点温度を超える温度は250℃以下とする、
ことを特徴とする請求項1または2に記載の超電導ケーブル端末構造体の製造方法。 - 前記第2工程での加熱時間は、5分以上15分以内である、
請求項1から3のいずれか一項に記載の超電導ケーブル端末構造体の製造方法。
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