JP5633154B2 - 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子、ランプ、電子機器、機械装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子、ランプ、電子機器、機械装置に関し、特に、大電流が印加される場合に好適に用いられ、大電流が印加されることにより高い発光出力が得られる半導体発光素子の製造方法およびこの製造方法を用いて製造された半導体発光素子を備えるランプ、電子機器、機械装置に関する。

従来から、発光ダイオードなどに用いられる半導体発光素子として、基板上に、ｎ型半導体層と発光層とｐ型半導体層とを順次積層してなるものがある。このような半導体発光素子を製造する方法として、サファイア単結晶などからなる基板上に、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ）法）によってｎ型半導体層と発光層とｐ型半導体層とを連続して順次積層する方法がある。

しかしながら、基板上に、ｎ型半導体層と発光層とｐ型半導体層とを連続して順次積層する場合、これらの層が同一の成長室内で形成され。そのため、ｎ型半導体層を形成する際に用いたドーパントがｐ型半導体層の形成に支障をきたし、抵抗率の十分に低いｐ型半導体層が得られない場合があった。

このような問題を解決する技術として、例えば、特許文献１には、所定の基板上に、少なくとも第一導電形の半導体層と第二導電形の半導体層とを順次成膜して化合物半導体装置を製造するに際し、前記それぞれの導電形の半導体層を、導電形に対応した異なる複数の独立した成長室で成膜するようにして成る化合物半導体装置の製造方法が提案されている。

また、最近、半導体発光素子の発光出力を向上させるために、半導体発光素子に大電流が印加される場合が多くなってきており、ｎ型半導体層およびｐ型半導体層の低抵抗化が求められている。

特開平7-45538号公報

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、ｎ型半導体層およびｐ型半導体層の抵抗を低く抑制することで、大電流印加時において高い発光出力を有する半導体発光素子の製造方法を提供することを課題とする。

上記の目的を達成するために、本発明は以下の手段を提供する。
〔１〕 第一有機金属化学気相成長装置において、基板上に第一ｎ型半導体層を積層する第一工程と、前記第一有機金属化学気相成長装置と異なる第二有機金属化学気相成長装置において、前記第一ｎ型半導体層上に前記第一ｎ型半導体層の再成長層と第二ｎ型半導体層と発光層とｐクラッド層およびｐコンタクト層からなるｐ型半導体層とを順次積層する第二工程とを具備し、前記再成長層を積層する工程において、前記第一ｎ型半導体層形成時よりも少量のＳｉをドーパントとして供給する層、もしくは供給しない層を積層する工程（２）と、前記第一ｎ型半導体層形成時と同量又はそれよりも多量の前記Ｓｉをドーパントとして供給する工程（３）と、をこの順で行うことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
〔２〕 前記再成長層の原料ガスとともに前記Ｓｉを含有するドーパントガスを供給することにより、前記再成長層を形成することを特徴とする〔１〕に記載の半導体発光素子の製造方法。
〔３〕 前記工程（２）を、前記再成長層の形成開始と同時あるいは形成途中から開始することを特徴とする〔１〕または〔２〕に記載の半導体発光素子の製造方法。
〔４〕 前記工程（２）における前記ドーパントガスの供給量が前記第一ｎ型半導体層形成時の０〜１／１５倍、前記工程（３）における前記ドーパントガスの供給量が前記第一ｎ型半導体層形成時の１〜４倍であることを特徴とする〔１〕乃至〔３〕に記載の半導体発光素子の製造方法。
〔５〕 前記再成長層の膜厚を０．１μｍ〜３．５μｍとすることを特徴とする〔１〕乃至〔４〕に記載の半導体発光素子の製造方法。
〔６〕 前記工程（２）において膜厚０．０５μｍ〜０．５μｍの再成長層第二層を形成し、前記工程（３）において膜厚０．０５μｍ〜１μｍの再成長層第三層を形成することを特徴とする、〔１〕乃至〔５〕に記載の半導体発光素子の製造方法。
〔７〕 前記再成長層を積層する工程において、前記工程（２）の前に、前記再成長層の成長条件を前記第一ｎ型半導体層形成時と同じ条件とする工程（１）を特徴とする〔１〕乃至〔６〕に記載の半導体発光素子。
〔８〕 前記工程（１）において膜厚２μｍ以下の再成長層第一層を形成し、前記工程（２）において膜厚０．０５μｍ〜０．５μｍの再成長層第二層を形成し、前記工程（３）において膜厚０．０５μｍ〜１μｍの再成長層第三層を形成することを特徴とする、〔７〕に記載の半導体発光素子の製造方法。
〔９〕 前記再成長層のうち、前記再成長層第二層に前記Ｓｉを１×１０^１７／ｃｍ^３未満の濃度で含有させ、前記再成長層第三層に前記Ｓｉを５×１０^１８／ｃｍ^３以上の濃度で含有させることを特徴とする〔６〕乃至〔８〕に記載の半導体発光素子の製造方法。
〔１０〕 前記ｐコンタクト層を、ｐコンタクト下層と、ｐコンタクト上層とを積層することにより形成し、前記ｐコンタクト下層にＭｇを１×１０^１９〜１×１０^２０／ｃｍ^３程度の濃度で含有させ、前記ｐコンタクト上層に前記Ｍｇを１×１０^２０／ｃｍ^３〜３×１０^２０／ｃｍ^３程度の濃度で含有させることを特徴とする〔１〕乃至〔９〕に記載の半導体発光素子の製造方法。
〔１１〕 基板上に第一有機金属化学気相成長装置において積層された第一ｎ型半導体層と、前記第一有機金属化学気相成長装置と異なる第二有機金属化学気相成長装置で積層された、前記第一ｎ型半導体層の再成長層と第二ｎ型半導体層と発光層とｐクラッド層およびｐコンタクト層からなるｐ型半導体層とが積層された半導体発光素子であって、前記再成長層が、第一ｎ型半導体層と同じＳｉ含有量の再成長層第一層、前記第一ｎ型半導体層よりもＳｉ含有量が少ない再成長層第二層、前記第一ｎ型半導体層よりもＳｉ含有量が多い再成長層第三層がこの順で積層された構成であることを特徴とする半導体発光素子。
〔１２〕 前記再成長層のうち、前記再成長層第二層が０．０５μｍ〜０．５μｍ、前記再成長層第三層が０．０５μｍ〜１μｍの膜厚でそれぞれ形成されていることを特徴とする〔１１〕に記載の半導体発光素子。
〔１３〕
前記再成長層が、第一ｎ型半導体層と同じＳｉ含有量の再成長層第一層を、前記再成長層第二層の前記再成長層第三層と反対側に積層された構成であることを特徴とする〔１０〕に記載された半導体発光素子。
〔１４〕
前記再成長層のうち、前記再成長層第一層が２μｍ以下、前記再成長層第二層が０．０５μｍ〜０．５μｍ、前記再成長層第三層が０．０５μｍ〜１μｍの膜厚でそれぞれ形成されていることを特徴とする〔１３〕に記載の半導体発光素子。
〔１５〕 前記再成長層のうち、前記再成長層第二層に前記Ｓｉが１×１０^１７／ｃｍ^３未満の濃度で含有され、前記再成長層第三層に前記Ｓｉが５×１０^１８／ｃｍ^３以上の濃度で含有されることを特徴とする〔１１〕乃至〔１４〕に記載の半導体発光素子。
〔１６〕 前記再成長層の膜厚が０．１μｍ〜３μｍであることを特徴とする〔１１〕乃至〔１５〕に記載の半導体発光素子。
〔１７〕 前記ｐコンタクト層は、ｐコンタクト下層と、ｐコンタクト上層とが積層してなり、前記ｐコンタクト下層にＭｇが１×１０^１９〜１×１０^２０／ｃｍ^３程度の濃度で含有され、前記ｐコンタクト上層に前記Ｍｇが１×１０^２０／ｃｍ^３〜３×１０^２０／ｃｍ^３程度の濃度で含有されることを特徴とする〔１１〕乃至〔１６〕に記載の半導体発光素子。
〔１８〕 〔１１〕乃至〔１７〕のいずれかに記載の半導体発光素子を用いて製造された半導体発光素子を備えることを特徴とするランプ。
〔１９〕 〔１８〕に記載のランプが組み込まれていることを特徴とする電子機器。
〔２０〕 〔１９〕に記載の電子機器が組み込まれていることを特徴とする機械装置。

本発明の半導体発光素子の製造方法によれば、第二の成長室（第二有機金属化学気相成長装置）内で第一ｎ型半導体層の再成長層を積層する工程において、第一ｎ型半導体層形成時と同量のＳｉをドーパントとして供給する工程（１）と、前記第一ｎ型半導体層形成時よりも少量のＳｉをドーパントとして供給する工程（２）と、第一ｎ型半導体層形成時よりも多量のＳｉをドーパントとして供給する工程（３）と、をこの順で行うことにより、再成長層内のＳｉ含有量を段階的に変えることができる。

このことにより、再成長層の抵抗を低くするとともに、再成長層表面の平坦性を改善することができる。そのため、その後の工程において結晶性の良好な発光層（ＭＱＷ層）やｐ型半導体層を成長させることができる。また、再成長層内に、Ｓｉ濃度の高い層を形成することにより、電流を拡散させることができるため、ＬＥＤに高電流を流しても、発光箇所の集中を効果的に防ぐことが可能となる。さらに、ｎ型半導体層の大部分を占めるｎコンタクト層と、ｐ型半導体層とを異なる成長室で形成するため、ｐ型半導体層へのｎ型不純物の混入を抑制することができる。この結果、大電流印加時において発光出力の高い半導体発光素子が得られる。

図１は、本発明の半導体発光素子の製造方法を用いて製造された半導体発光素子の一例を示した断面模式図である。 図２は、図１に示す半導体発光素子を製造する工程を説明するための断面模式図である。 図３は、図１に示した半導体発光素子を備えるランプの一例を示した断面模式図である。 図４は、実施例１〜実施例５、比較例１の半導体発光素子の印加電流と電力効率との関係を示したグラフである。 図５は、実施例１〜実施例５、比較例１の半導体発光素子の印加電流と発光出力との関係を示したグラフである。

以下、本発明の半導体発光素子１について、図１を用いて詳細に説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料、寸法等は一例であって、本発明はそれらに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。

図１は、本発明の半導体発光素子１の一例を示した断面模式図である。
図１に示す本実施形態の半導体発光素子１は、基板１１と、基板１１上に積層された積層半導体層２０と、積層半導体層２０の上面に積層された透光性電極１５と、透光性電極１５上に積層されたｐ型ボンディングパッド電極１６と、積層半導体層２０の露出面２０ａ上に積層されたｎ型電極１７と、から概略構成されている。

積層半導体層２０は、基板１１側から、ｎ型半導体層１２、発光層１３、ｐ型半導体層１４がこの順に積層されて構成されている。図１に示すように、ｎ型半導体層１２、発光層１３、ｐ型半導体層１４は、その一部がエッチング等の手段によって除去されており、除去された部分からｎ型半導体層１２の一部が露出されている。そして、ｎ型半導体層１２の露出面２０ａには、ｎ型電極１７が積層されている。
また、ｐ型半導体層１４の上面には、透光性電極１５およびｐ型ボンディングパッド電極１６が積層されている。これら、透光性電極１５およびｐ型ボンディングパッド電極１６によって、ｐ型電極１８が構成されている。

ｎ型半導体層１２、発光層１３およびｐ型半導体層１４を構成する半導体としては、ＩＩＩ族窒化物半導体を用いることが好ましく、窒化ガリウム系化合物半導体を用いることがより好ましい。本発明におけるｎ型半導体層１２、発光層１３およびｐ型半導体層１４を構成する窒化ガリウム系化合物半導体としては、一般式Ａｌ_ｘＩｎ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０＜ｘ＜１，０≦ｙ＜１，０＜ｘ＋ｙ＜１）で表わされる各種組成の半導体を何ら制限なく用いることができる。

本実施形態の半導体発光素子１は、ｐ型電極１８とｎ型電極１７との間に電流を通じることで、積層半導体層２０を構成する発光層１３から発光を発せられるようになっており、発光層１３からの光を、ｐ型ボンディングパッド電極１６の形成された側から取り出すフェイスアップマウント型の発光素子である。なお、本発明の半導体発光素子は、フリップチップ型の発光素子であってもよい。
以下、それぞれの構成について詳細に説明する。

＜基板１１＞
基板１１としては、例えば、サファイア、ＳｉＣ、シリコン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化マンガン、酸化ジルコニウム、酸化マンガン亜鉛鉄、酸化マグネシウムアルミニウム、ホウ化ジルコニウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、酸化リチウムガリウム、酸化リチウムアルミニウム、酸化ネオジウムガリウム、酸化ランタンストロンチウムアルミニウムタンタル、酸化ストロンチウムチタン、酸化チタン、ハフニウム、タングステン、モリブデン等からなる基板を用いることができる。上記基板の中でも、特に、ｃ面を主面とするサファイア基板を用いることが好ましい。

（バッファ層２１）
バッファ層２１は、設けられていなくてもよいが、基板１１と下地層２２との格子定数の違いを緩和して、基板１１の（０００１）Ｃ面上にＣ軸配向した単結晶層の形成を容易にするために、設けられていることが好ましい。バッファ層２１の上に単結晶の下地層２２を積層すると、より一層結晶性の良い下地層２２が積層できる。

バッファ層２１は、単結晶のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）からなるものが特に好ましいが、多結晶のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）からなるものであってもかまわない。
バッファ層２１は、例えば、多結晶のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）からなる厚さ０．０１〜０．５μｍのものとすることができる。バッファ層２１の膜厚が０．０１μｍ未満であると、バッファ層２１により基板１１と下地層２２との格子定数の違い緩和する効果が十分に得られない場合がある。また、バッファ層２１の膜厚が０．５μｍを超えると、バッファ層２１としての機能には変化が無いのにも関わらず、バッファ層２１の成膜処理時間が長くなり、生産性が低下する問題がある。

バッファ層２１は、多結晶構造又は単結晶構造を有するものとすることができる。このような多結晶構造又は単結晶構造を有するバッファ層２１を基板１１上にＭＯＣＶＤ法またはスパッタ法にて成膜した場合、バッファ層２１のバッファ機能が有効に作用するため、その上に成膜されたＩＩＩ族窒化物半導体は良好な配向性及び結晶性を有する結晶膜となる。

（下地層２２）
下地層２２の材料としては、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）を用いると結晶性の良い下地層２２を形成できるため特に好ましいが、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を用いてもかまわない。
下地層２２の膜厚は０．１μｍ以上であることが好ましく、より好ましくは０．５μｍ以上であり、１μｍ以上が最も好ましい。この膜厚以上にした方が結晶性の良好なＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層が得られやすい。また、下地層２２の膜厚は１０μｍ以下が好ましい。
下地層２２の結晶性を良くするために、下地層２２には不純物をドーピングしない方が望ましい。しかし、ｐ型あるいはｎ型の導電性が必要な場合には、下地層２２にアクセプター不純物あるいはドナー不純物を添加することができる。

＜積層半導体層２０＞
（ｎ型半導体層１２）
ｎ型半導体層１２はさらに、ｎコンタクト層１２ａ（第一ｎ型半導体層１２ｃおよび再成長層１２ｄ）と、ｎクラッド層１２ｂ（第二ｎ型半導体層）とから構成されている。

（ｎコンタクト層１２ａ）
ｎコンタクト層１２ａは、ｎ型電極１７を設けるための層であり、後述する第一工程において形成された第一ｎ型半導体層１２ｃと、後述する第二工程において形成された再成長層１２ｄとからなる。第一ｎ型半導体層１２ｃと再成長層１２ｄとは、好ましくは同一の材料からなるものがよく、第一ｎ型半導体層１２ｃの膜厚が、再成長層１２ｄの膜厚よりも厚くなっている。
また、本実施形態においては、図１に示すように、第一ｎ型半導体層１２ｃにｎ型電極１７を設けるための露出面２０ａが形成されている。なお、ｎ型電極１７を設けるための露出面２０ａは、再成長層１２ｄに形成されていてもよい。

ｎコンタクト層１２ａは、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層（０＜ｘ＜１、好ましくは０＜ｘ≦０．５、さらに好ましくは０＜ｘ≦０．１）から構成されることが好ましく、ｎ型不純物（ドーパント）がドープされている。ｎコンタクト層１２ａにｎ型不純物が１×１０^１７〜１×１０^２０／ｃｍ^３、好ましくは１×１０^１８〜１×１０^１９／ｃｍ^３の濃度で含有されている場合、ｎ型電極１７との良好なオーミック接触の維持の点で好ましい。ｎコンタクト層１２ａに用いられるｎ型不純物としては、特に限定されないが、例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ等が挙げられ、ＳｉおよびＧｅが好ましく、Ｓｉが最も好ましい。なお、本実施形態ではＳｉが含有されている。

ｎコンタクト層１２ａを構成する第一ｎ型半導体層１２ｃの膜厚は、０．５〜５μｍであることが好ましく、２μｍ〜４μｍの範囲であることがより好ましい。第一ｎ型半導体層１２ｃの膜厚が上記範囲内であると、半導体の結晶性が良好に維持される。また、第一ｎ型半導体層１２ｃには、ｎ型不純物（ドーパント）として５×１０^１８／ｃｍ^３程度のＳｉが含有されている。

本実施形態の再成長層１２ｄは０．１μｍ〜３μｍの膜厚で形成され、また、ｎ型不純物（ドーパント）としてＳｉが含有されている。Ｓｉは再成長層１２ｄに段階的に含有されており、Ｓｉ含有量が第一ｎ型半導体層１２ｃと同じ再成長層第一層、Ｓｉ含有量が第一ｎ型半導体層１２ｃよりも少ない再成長層第二層、Ｓｉ含有量が第一ｎ型半導体層１２ｃよりも多い再成長層第三層がこの順で積層された構成となっている。また、再成長層１２ｄには、少なくとも再成長層第二層および再成長層第三層が設けられていれば良く、再成長層第一層は設けられていなくても構わない。

再成長層第一層は、０μｍ〜２μｍの膜厚で形成されていることが好ましい。再成長層第一層は形成されていなくても良い（膜厚０μｍ）が、後述する再成長層第二層および再成長層第三層の膜厚に応じて、再成長層１２ｄ全体の膜厚が適宜最適な値となるように形成すれば良い。
また、再成長層第一層に含有されるＳｉの濃度は、半導体発光素子１に電流を流した際の駆動電圧Ｖｆが所定の値になるように調整されるが、たとえば第一ｎ型半導体層１２ｃと同じ、５×１０^１８／ｃｍ^３程度であることが好ましい。

再成長層第二層は、０．０５μｍ〜０．５μｍの膜厚で形成されていることが好ましい。再成長層第二層の膜厚が０．０５μｍ未満であると、再成長層第二層表面が十分な平坦性で形成されず、再成長層１２ｄ表面も十分に平坦化されない。また、膜厚が０．５μｍを超えると、半導体発光素子１に電流を流した際の駆動電圧Ｖｆが高くなるため、半導体発光素子１の発光効率が低くなってしまう。

また、再成長層第二層に含有されるＳｉの濃度は、１×１０^１７／ｃｍ^３未満であることが好ましい。Ｓｉの濃度が１×１０^１７／ｃｍ^３以上であると、結晶性の向上効果が小さくなるためである。
ここで、再成長層第二層のＳｉ含有量は、第一ｎ型半導体層１２ｃよりも少ない値となっている。Ｓｉの含有量を上記範囲内とすることにより、再成長層第二層の結晶性は高いものとなり、表面の平坦性は十分高いものになる。

再成長層第三層は、０．０５μｍ〜１μｍの膜厚で形成されていることが好ましい。再成長層第三層の膜厚が０．０５μｍ未満であると、再成長層１２ｄの抵抗を十分に低くすることができない。
また、再成長層第三層の膜厚が１μｍを超えると再成長層第三層表面の平坦性が悪化し、半導体発光素子１の逆方向電流（ＩＲ）が高くなるため好ましくない。また、再成長層第三層を形成する際に用いたドーパントや堆積物に起因するｐ型半導体層１４の不良が生じやすくなる。さらに再成長層第三層の成膜処理時間が長くなり、生産性が低下する問題がある。

また、再成長層第三層に含有されるＳｉの濃度は、５×１０^１８／ｃｍ^３以上の濃度であることが好ましい。Ｓｉの濃度が５×１０^１８／ｃｍ^３未満であると、再成長層１２ｄの抵抗を十分に低くすることができない。
ここで、再成長層第三層のＳｉ含有量は、第一ｎ型半導体層１２ｃと同等又はそれよりも高い値となっている。また、Ｓｉの含有量を上記範囲内とすることにより、再成長層第三層の抵抗を低くし、電流拡散効果を高めることができる。

再成長層第二層表面は高い平坦性で形成されており、再成長層第三層はその上に積層した構成となっている。そのため、再成長層第三層はＳｉ濃度が高くても結晶性が良く、その表面の平坦性も良好である。これにより、再成長層１２ｄのｎクラッド層１２ｂ側の面（再成長層第三層の表面）は平坦に形成される。

再成長層１２ｄ全体に１×１０^１９／ｃｍ^３以上のＳｉが含有されていると、再成長層の抵抗は低くなるがピットが形成されやすくなるため、電流を流した際の逆方向電流ＩＲの上昇や、静電気放電（ＥＳＤ）耐圧が不足することがある。しかし、本実施形態においては再成長層第二層上に再成長層第三層を形成することにより、ピットの形成が抑制され、逆方向電流ＩＲを低くすることができる。

また、再成長層１２ｄ全体のＳｉ含有量が１×１０^１７／ｃｍ^３未満であると、抵抗が大きくなりすぎ、半導体発光素子１の動作電圧が高くなるとともに、電流が集中し、発光出力が低下するという問題があった。しかし、本実施形態においては、再成長層第二層の厚さを薄くすることにより、半導体発光素子１の動作電圧の上昇や発光出力低下を防ぐことができ、かつ、再成長層第三層において電流を拡散させることができる。
そのため、高電流ＬＥＤであっても、発光出力低下を防ぎつつ、かつ、発光箇所の集中を効果的に防ぐことが可能となる。

ｎクラッド層１２ｂは、ｎコンタクト層１２ａと発光層１３との間に設けられている。
ｎクラッド層１２ｂは、発光層１３へのキャリアの注入とキャリアの閉じ込めを行なう層であり、再成長層１２ｄと発光層１３との結晶格子の不整合を緩和する発光層１３のバッファ層としても機能するものである。ｎクラッド層１２ｂはＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＧａＩｎＮなどで形成することが可能である。なお、明細書中各元素の組成比を省略してＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＧａＩｎＮと記述する場合がある。ｎクラッド層１２ｂをＧａＩｎＮで形成する場合には、発光層１３のＧａＩｎＮのバンドギャップよりも大きくすることが望ましいことは言うまでもない。

ｎクラッド層１２ｂが単層からなるものである場合、ｎクラッド層１２ｂの膜厚は、５〜５００ｎｍであることが好ましく、より好ましくは５〜１００ｎｍである。また、ｎクラッド層１２ｂのｎ型ドープ濃度は１×１０^１７〜１×１０^２０／ｃｍ^３であることが好ましく、より好ましくは１×１０^１８〜１×１０^１９／ｃｍ^３である。本実施形態においては、たとえばＳｉを第一ｎ型半導体層１２ｃと同じ、たとえば５×１０^１８／ｃｍ^３程度で含有させる。ドープ濃度がこの範囲である場合、良好な結晶性の維持および発光素子の動作電圧低減の点で好ましい。

本実施形態においては、ｎクラッド層１２ｂは、単層であってもよいが、組成の異なる２つの薄膜層を繰り返し成長させて１０ペア数（２０層）〜４０ペア数（８０層）からなる超格子構造であることが好ましい。ｎクラッド層１２ｂが超格子構造からなるものである場合、薄膜層の積層数が２０層以上であると、再成長層１２ｄと発光層１３との結晶格子の不整合をより効果的に緩和することができ、半導体発光素子１の出力を向上させる効果がより顕著となる。しかし、薄膜層の積層数が８０層を超えると、超格子構造が乱れやすくなる場合もあり、発光層１３に悪影響を来たす恐れが生じる。さらに、ｎクラッド層１２ｂの成膜処理時間が長くなり、生産性が低下する問題がある。

また、ｎクラッド層１２ｂを構成する超格子構造は、ＩＩＩ族窒化物半導体からなるｎ側第一層と、該ｎ側第一層と組成が異なるＩＩＩ族窒化物半導体からなるｎ側第二層とが積層されたものであることが好ましく、ｎ側第一層とｎ側第二層とが交互に繰返し積層された構造を含むものであることがより好ましい。

ｎクラッド層１２ｂの超格子構造を構成するｎ側第一層およびｎ側第二層は、ＧａＩｎＮ／ＧａＮの交互構造、ＡｌＧａＮ／ＧａＮの交互構造、ＧａＩｎＮ／ＡｌＧａＮの交互構造、組成の異なるＧａＩｎＮ／ＧａＩｎＮの交互構造（本発明における“組成の異なる”との説明は、各元素組成比が異なることを指す）、組成の異なるＡｌＧａＮ／ＡｌＧａＮの交互構造とすることができ、ＧａＩｎＮ／ＧａＮの交互構造又は組成の異なるＧａＩｎＮ／ＧａＩｎＮの交互構造であることが好ましい。

ｎ側第一層およびｎ側第二層の膜厚は、それぞれ１００オングストローム以下であることが好ましく、６０オングストローム以下であることがより好ましく、４０オングストローム以下であることがさらに好ましく、それぞれ１０オングストローム〜４０オングストロームの範囲であることが最も好ましい。超格子層を形成するｎ側第一層および/またはｎ側第二層の膜厚が１００オングストローム超であると、結晶欠陥が入りやすくなるため好ましくない。

上記ｎ側第一層およびｎ側第二層は、それぞれドープした構造であってもよく、また、ドープ構造／未ドープ構造の組み合わせであってもよい。ドープされる不純物としては、上記材料組成に対して従来公知のものを、何ら制限無く適用できる。例えば、ｎクラッド層１２ｂとして、ＧａＩｎＮ／ＧａＮの交互構造又は組成の異なるＧａＩｎＮ／ＧａＩｎＮの交互構造を有する超格子構造を用いた場合には、不純物としてＳｉが好適である。また、超格子構造を構成するｎ側第一層およびｎ側第二層は、ＧａＩｎＮやＡｌＧａＮ、ＧａＮで代表される組成が同じであって、ドープ構造／未ドープ構造を組み合わせたものであってもよい。

＜発光層１３＞
発光層１３は、障壁層１３ａと井戸層１３ｂとが交互に複数積層された多重量子井戸構造からなる。多重量子井戸構造における積層数は３層から１０層であることが好ましく、４層から７層であることがさらに好ましい。

（井戸層１３ｂ）
井戸層１３ｂの膜厚は、１５オングストローム以上５０オングストローム以下の範囲であることが好ましい。井戸層１３ｂの膜厚が上記範囲内であることにより、より高い発光出力を得ることができる。
また、井戸層１３ｂは、Ｉｎを含む窒化ガリウム系化合物半導体であることが好ましい。Ｉｎを含む窒化ガリウム系化合物半導体は、青色の波長領域の強い光を発光するものであるため、好ましい。また、井戸層１３ｂには、不純物をドープすることができる。ドーパントとしては、発光強度を増進するものであるＳｉ、Ｇｅを用いることが好ましい。ドープ量は１×１０^１７ｃｍ^−３〜１×１０^１８ｃｍ^−３程度が好適である。ドープ量が上記範囲である場合、より発光強度の強いものとなる。

（障壁層１３ａ）
障壁層１３ａの膜厚は、２０オングストローム以上１００オングストローム未満の範囲であることが好ましい。障壁層１３ａの膜厚が薄すぎると、障壁層１３ａ上面の平坦化を阻害し、発光効率の低下やエージング特性の低下を引き起こす。また、障壁層１３ａの膜厚が厚すぎると、駆動電圧の上昇や発光の低下を引き起こす。このため、障壁層１３ａの膜厚は７０オングストローム以下であることがより好ましい。
また、障壁層１３ａは、ＧａＮやＡｌＧａＮのほか、井戸層を構成するＩｎＧａＮよりもＩｎ比率の小さいＩｎＧａＮで形成することができる。中でも、ＧａＮが好適である。

＜ｐ型半導体層１４＞
ｐ型半導体層１４は、通常、ｐクラッド層１４ａおよびｐコンタクト層１４ｂから構成される。また、ｐコンタクト層１４ｂがｐクラッド層１４ａを兼ねることも可能である。

（ｐクラッド層１４ａ）
ｐクラッド層１４ａは、発光層１３へのキャリアの閉じ込めとキャリアの注入を行なう層である。ｐクラッド層１４ａとしては、発光層１３のバンドギャップエネルギーより大きくなる組成であり、発光層１３へのキャリアの閉じ込めができるものであれば特に限定されないが、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦０．４）からなるものであることが好ましい。ｐクラッド層１４ａが、このようなＡｌＧａＮからなるものである場合、発光層１３へのキャリアの閉じ込めの点で好ましい。

ｐクラッド層１４ａの膜厚は、特に限定されないが、好ましくは１〜４００ｎｍであり、より好ましくは５〜１００ｎｍである。ｐクラッド層１４ａのｐ型ドープ濃度は、１×１０^１８〜１×１０^２１／ｃｍ^３であることが好ましく、より好ましくは１×１０^１９〜１×１０^２０／ｃｍ^３である。ｐ型ドープ濃度が上記範囲であると、結晶性を低下させることなく良好なｐ型結晶が得られる。また、ｐクラッド層１４ａは、薄膜を複数回積層してなる超格子構造であってもよい。

ｐクラッド層１４ａが超格子構造を含むものである場合には、ＩＩＩ族窒化物半導体からなるｐ側第一層と、該ｐ側第一層と組成が異なるＩＩＩ族窒化物半導体からなるｐ側第二層とが積層されたものとすることができる。ｐクラッド層１４ａが超格子構造を含むものである場合、ｐ側第一層とｐ側第二層とが交互に繰返し積層された構造を含んだものであっても良い。

ｐクラッド層１４ａの超格子構造を構成するｐ側第一層およびｐ側第二層は、それぞれ異なる組成、例えば、ＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮ又はＧａＮのうちの何れの組成であっても良く、ＧａＩｎＮ／ＧａＮの交互構造、ＡｌＧａＮ／ＧａＮの交互構造、又はＧａＩｎＮ／ＡｌＧａＮの交互構造であっても良い。本発明においては、ｐ側第一層およびｐ側第二層は、ＡｌＧａＮ／ＡｌＧａＮ又はＡｌＧａＮ／ＧａＮの交互構造であることが好ましい。

ｐ側第一層およびｐ側第二層の膜厚は、それぞれ１００オングストローム以下であることが好ましく、６０オングストローム以下であることがより好ましく、４０オングストローム以下であることがさらに好ましく、それぞれ１０オングストローム〜４０オングストロームの範囲であることが最も好ましい。超格子層を形成するｐ側第一層とｐ側第二層の膜厚が１００オングストローム超であると、結晶欠陥が入りやすくなるため好ましくない。

ｐ側第一層およびｐ側第二層は、それぞれドープした構造であっても良く、また、ドープ構造／未ドープ構造の組み合わせであっても良い。ドープされる不純物としては、上記材料組成に対して従来公知のものを、何ら制限無く適用できる。例えば、ｐクラッド層として、ＡｌＧａＮ／ＧａＮの交互構造又は組成の異なるＡｌＧａＮ／ＡｌＧａＮの交互構造を有する超格子構造を用いた場合には、不純物としてＭｇが好適である。また、超格子構造を構成するｐ側第一層およびｐ側第二は、ＧａＩｎＮやＡｌＧａＮ、ＧａＮで代表される組成が同じであって、ドープ構造／未ドープ構造を組み合わせたものであってもよい。

（ｐコンタクト層１４ｂ）
ｐコンタクト層１４ｂは、正極を設けるための層である。ｐコンタクト層１４ｂは、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦０．４）からなるものであることが、良好な結晶性の維持およびｐオーミック電極との良好なオーミック接触の点で好ましい。また、ｐ型不純物（ドーパント）を１×１０^１８〜１×１０^２１／ｃｍ^３を５×１０^１９〜５×１０^２０／ｃｍ^３の濃度で含有しているものである場合、良好なオーミック接触の維持、クラック発生の防止、良好な結晶性の維持の点で好ましい。ｐ型不純物としては、特に限定されないが、例えばＭｇを用いることが好ましい。

また、ｐコンタクト層１４ｂはｐコンタクト下層と、ｐコンタクト上層とが積層してなり、ｐコンタクト下層にＭｇが１×１０^１９〜１×１０^２０／ｃｍ^３程度の濃度で含有され、ｐコンタクト上層にＭｇが１×１０^２０／ｃｍ^３〜３×１０^２０／ｃｍ^３程度の濃度で含有される二層とすることが特に好ましい。これにより、透光性電極１５と接する部分（ｐコンタクト上層）には高濃度でＭｇが含有され、かつ、その表面は平坦に形成される。そのため、半導体発光素子１の発光出力をより向上させることが可能となる。

また、ｐコンタクト層１４ｂの膜厚は、特に限定されないが、１０〜５００ｎｍであることが好ましく、より好ましくは５０〜２００ｎｍである。ｐコンタクト層１４ｂの膜厚がこの範囲であると、発光出力の点で好ましい。
また、ｐコンタクト層１４ｂをｐコンタクト上層とｐコンタクト下層からなる二層構造とする場合には、特に限定されないが、当該ｐコンタクト層１４ｂは５０〜５００ｎｍであることが好ましく、より好ましくは５０〜３２０ｎｍがよい。ｐコンタクト層１４ｂの膜厚がこの範囲であると、発光出力の点で好ましい。なお、ｐコンタクト層１４ｂに占めるｐコンタクト上層の厚さは、全体の６％〜４０％程度が好ましい。

＜ｎ型電極１７＞
ｎ型電極１７は、ボンディングパットを兼ねており、積層半導体層２０のｎ型半導体層１２に接するように形成されている。このため、ｎ型電極１７を形成する際には、少なくともｐ半導体層１４および発光層１３の一部を除去してｎ型半導体層１２を露出させ、ｎ型半導体層１２の露出面２０ａ上にボンディングパッドを兼ねるｎ型電極１７を形成する。ｎ型電極１７としては、各種組成や構造が周知であり、これら周知の組成や構造を何ら制限無く用いることができ、この技術分野でよく知られた慣用の手段で設けることができる。

（透光性電極１５）
透光性電極１５は、ｐ型半導体層１４の上に積層されるものであり、ｐ型半導体層１４との接触抵抗が小さいものであることが好ましい。また、透光性電極１５は、発光層１３からの光を効率良く半導体発光素子１の外部に取り出すために、光透過性に優れたものであることが好ましい。また、透光性電極１５は、ｐ型半導体層１４の全面に渡って均一に電流を拡散させるために、優れた導電性を有していることが好ましい。

透光性電極１５の構成材料としては、Ｉｎ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｍｇ、Ｗ、Ｃｅのいずれか一種を含む導電性の酸化物、硫化亜鉛または硫化クロムのうちいずれか一種からなる群より選ばれる透光性の導電性材料が挙げられる。導電性の酸化物としては、ＩＴＯ（酸化インジウム錫（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＳｎＯ_２））、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ））、ＡＺＯ（酸化アルミニウム亜鉛（ＺｎＯ−Ａｌ_２Ｏ_３））、ＧＺＯ（酸化ガリウム亜鉛（ＺｎＯ−Ｇａ_２Ｏ_３））、フッ素ドープ酸化錫、酸化チタン等があげられる。

また、透光性電極１５の構造は、従来公知の構造を含めて如何なる構造であってもよい。透光性電極１５は、ｐ型半導体層１４のほぼ全面を覆うように形成してもよく、また、隙間を開けて格子状や樹形状に形成してもよい。

（ｐ型ボンディングパッド電極１６）
ｐ型ボンディングパッド電極１６はボンディングパットを兼ねており、透光性電極１５の上に積層されている。ｐ型ボンディングパッド電極１６としては、各種組成や構造が周知であり、これら周知の組成や構造を何ら制限無く用いることができ、この技術分野でよく知られた慣用の手段で設けることができる。
ｐ型ボンディングパッド電極１６は、透光性電極１５上であれば、どこへでも形成することができる。例えばｎ型電極１７から最も遠い位置に形成してもよいし、半導体発光素子１の中心などに形成してもよい。しかし、あまりにもｎ型電極１７に近接した位置に形成すると、ボンディングした際にワイヤ間、ボール間のショートを生じてしまうため好ましくない。

また、ｐ型ボンディングパッド電極１６の電極面積としては、できるだけ大きいほうがボンディング作業はしやすいが、発光の取り出しの妨げになる。例えば、チップ面の面積の半分を超える広い面積を覆った場合、発光の取り出しの妨げとなり、出力が著しく低下する。逆に、ｐ型ボンディングパッド電極１６の電極面積が小さすぎると、ボンディング作業がしにくくなり、製品の収率を低下させる。具体的には、ボンディングボールの直径よりもわずかに大きい程度が好ましく、直径１００μｍの円形程度であることが一般的である。

（保護膜層）
図示しない保護膜層は、必要に応じて透光性電極１５の上面および側面と、ｎ型半導体層１２の露出面２０ａ、発光層１３およびｐ型半導体層１４の側面、ｎ型電極１７およびｐ型ボンディングパッド電極１６の側面や周辺部を覆うよう形成される。保護膜層を形成することにより、半導体発光素子１の内部への水分等の浸入を防止でき、半導体発光素子１の劣化を抑制することができる。
保護膜層としては、絶縁性を有し、３００〜５５０ｎｍの範囲の波長において８０％以上の透過率を有する材料を用いることが好ましく、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化ニオブ（Ｎｂ_２Ｏ_５）、酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）、窒化シリコン（Ｓｉ_３Ｎ_４）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等を用いることができる。このうちＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３は、ＣＶＤ成膜で緻密な膜が容易に作製でき、より好ましい。

以下、半導体発光素子１の製造方法について、図面を適宜参照しながら詳細に説明する。
なお、以下の説明において参照する図面は、本発明を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の半導体発光素子１の寸法関係とは異なっている。

本発明の、図１に示す半導体発光素子１の製造方法は、まず、図２に示す積層半導体層２０を製造する。積層半導体層２０の製造方法は、基板１１上に第一ｎ型半導体層１２ｃを積層する第一工程と、第一ｎ型半導体層１２ｃ上に第一ｎ型半導体層１２ｃの再成長層１２ｄとｎクラッド層１２ｂ（第二ｎ型半導体層）と発光層１３とｐ型半導体層１４とを順次積層する第二工程と、から概略構成されている。以下、図２を用いて各工程について詳細に説明する。

＜第一工程＞
はじめに、サファイア等からなる基板１１を用意する。
次に、基板１１を第一ＭＯＣＶＤ装置（第一有機金属化学気相成長装置）の成長室内に設置し、ＭＯＣＶＤ法によって、基板１１上に、バッファ層２１と、下地層２２を順次積層する。

（第一ｎ型半導体層１２ｃ積層工程）
次いで下地層２２上に、ｎコンタクト層１２ａの一部を構成する第一ｎ型半導体層１２ｃ（第一ｎ型半導体層）を積層する。このとき、第一ｎ型半導体層１２ｃの膜厚を０．５μｍ〜５μｍとすることが好ましく、２μｍ〜４μｍとすることが特に好ましい。上記範囲内の膜厚とすることにより、半導体層の結晶性を良好に維持できるためである。

また、第一ｎ型半導体層１２ｃを成長させる際には、水素雰囲気で、基板温度を１０００℃〜１１００℃の範囲とすることが好ましい。
また、第一ｎ型半導体層１２ｃを成長させる原料としては、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）などのＩＩＩ族金属の有機金属原料とアンモニア（ＮＨ_３）などの窒素原料とを用い、熱分解によりバッファ層上にＩＩＩ族窒化物半導体層を堆積させる。ＭＯＣＶＤ装置の成長室内の圧力は１５〜８０ｋＰａとすることが好ましく、１５〜６０ｋＰａとすることがより好ましい。キャリアガスは水素ガスのみであってもよいし、水素ガスと窒素ガスとの混合ガスであってもよい。

その後、第一有機金属化学気相成長装置（第一ＭＯＣＶＤ装置）の成長室内からｎコンタクト層１２ａの第一ｎ型半導体層１２ｃまでの各層の形成された基板１１を取り出す。

＜第二工程＞
第二工程はさらに、第一ｎ型半導体層１２ｃ上に第一ｎ型半導体層１２ｃの再成長層１２ｄを形成する工程と、ｎクラッド層１２ｂ（第二ｎ型半導体層）を形成する工程と、発光層１３を形成する工程と、ｐ型半導体層１４を形成する工程と、から構成されている。以下それぞれについて詳細を説明する。

（再成長層１２ｄ形成工程）
まず、第一ｎ型半導体層１２ｃまでの各層の形成された基板１１を第二有機金属化学気相成長装置（第二ＭＯＣＶＤ装置）の成長室内に設置する。次いで、ＭＯＣＶＤ法によって第一ｎ型半導体層１２ｃ上に、第一ｎ型半導体層１２ｃの再成長層１２ｄを形成する。

本実施形態においては、再成長層１２ｄを形成する前に、第一ｎ型半導体層１２ｃまでの各層の形成された基板１１を、窒素とアンモニアを含む雰囲気で熱処理温度５００℃〜１２００℃、好ましくは８００℃〜１１００℃、さらに好ましくは９００℃〜１０００℃の熱処理（サーマルクリーニング）を行うことが好ましい。熱処理の雰囲気は、窒素とアンモニアを含む雰囲気に代えて、例えば、窒素のみの雰囲気としてもよい。なお、水素のみの雰囲気では第一ｎ型半導体層１２ｃが分解され、結晶性の悪化を招くため好ましくない。また、このときのＭＯＣＶＤ装置の成長室内の圧力は１５〜１００ｋＰａとすることが好ましく、６０〜９５ｋＰａとすることがより好ましい。

このような熱処理を行った場合、第一工程終了後に、ｎコンタクト層１２ａの第一ｎ型半導体層１２ｃまでの各層の形成された基板１１が第一有機金属化学気相成長装置の成長室内から取り出されることによって、第一ｎ型半導体層１２ｃの表面が汚染されたとしても、再成長層１２ｄを形成する前に汚染物質を除去することができる。その結果、再成長層１２ｄの結晶性が向上して、再成長層１２ｄ上に形成されるｎクラッド層１２ｂや発光層１３の結晶性がより一層良好なものとなる。
なお、第一ｎ型半導体層１２ｃの表面が汚染されたままである場合、逆方向電流（ＩＲ）が十分に低くならず、また、静電気放電（ＥＳＤ）耐圧が不足する恐れがある。そのため、半導体発光素子１の信頼性が低下してしまう。

また、本実施形態においては第二有機金属化学気相成長装置内に、再成長層１２ｄの原料ガスとともに、たとえばＳｉＨ_４などのＳｉを含有するドーパントガスを供給することにより、再成長層１２ｄを形成する。また、この再成長層１２ｄ形成工程はさらに、工程（１）と工程（２）および工程（３）からなり、それぞれにおいて、異なる量のＳｉをドーパントとして供給することにより、再成長層第一層と再成長層第二層および再成長層第三層とが積層した構成の再成長層１２ｄを形成することができる。

この再成長層１２ｄ形成の際、工程（１）は行わなくても良いが、再成長層第二層および再成長層第三層の膜厚に応じて、再成長層１２ｄ全体の膜厚が最適な値となるよう、適宜設定すればよい。また、工程（１）でのドーパントガスの供給量は、第一ｎ型半導体層１２ｃ形成の際と同量とする。
また、工程（２）におけるドーパントガスの供給量は、第一ｎ型半導体層１２ｃ形成の際よりも少ないものとする（Ｓｉを供給しない工程を含む）が、第一ｎ型半導体層１２ｃ形成時の０〜１／１５倍の範囲内であることが特に好ましい。
また、工程（３）でのドーパントガスの供給量は、第一ｎ型半導体層１２ｃ形成の際よりも多いものとするが、第一ｎ型半導体層１２ｃ形成時の１〜４倍であることが特に好ましい。

なお、工程（１）は設けなくてよいため、再成長層１２ｄの成膜の最初の段階から、工程（２）の条件でドーパントガスを供給してもよい。
これにより、５×１０^１８／ｃｍ^３程度のＳｉが含有された膜厚０μｍ〜２μｍの再成長層第一層と、１×１０^１７／ｃｍ^３未満の濃度でＳｉが含有された、膜厚０．０５μｍ〜０．５μｍの再成長層第二層と、５×１０^１８／ｃｍ^３以上の濃度でＳｉが含有された、膜厚０．０５μｍ〜１μｍの再成長層第三層が形成される。

このとき、Ｓｉの濃度を上記範囲内とすることにより、再成長層第二層の抵抗は再成長層第一層と比べて高くなる一方、結晶性は再成長層第一層と比べて高くなる。そのため、再成長層第二層表面の平坦性は十分高いものになる。

また、Ｓｉの濃度を上記範囲内とすることにより、再成長層第三層の抵抗は再成長層第一層と比べて低くなる。
しかし、再成長層第二層表面は十分平坦に形成されており、再成長層第三層はその上に積層した構成となっている。そのため、Ｓｉ濃度が高いにもかかわらず、ピットの発生が抑制され、再成長層第三層の表面の平坦性は保たれる。

以上により、再成長層第一層と再成長層第二層および再成長層第三層とが積層した構成の再成長層１２ｄが形成される。再成長層１２ｄ全体のＳｉ濃度が１×１０^１９／ｃｍ^３以上である場合、逆方向電流ＩＲの上昇や静電気放電（ＥＳＤ）耐圧が不足するという問題が発生する。しかし、本実施形態においては再成長層第二層上に再成長層第三層を形成することにより、逆方向電流ＩＲの上昇や静電気放電（ＥＳＤ）耐圧不足を防ぐことができる。

また、再成長層１２ｄ全体のＳｉ濃度が１×１０^１７／ｃｍ^３未満である場合、抵抗が大きくなりすぎるために、半導体発光素子１の動作電圧が高くなるとともに、発光が電極周辺に局在するという問題があった。しかし、本実施形態においては、再成長層１２ｄ内に薄い層の再成長層第二層を形成することにより、半導体発光素子１の動作電圧の上昇を防ぐことができ、かつ、再成長層第三層において電流を拡散させることができる。
そのため、高電流ＬＥＤであっても、発光出力低下を防ぎつつ、かつ、発光箇所の集中を効果的に防ぐことが可能となる。

また、再成長層１２ｄを成長させる際には、基板温度を１０００℃〜１１００℃の範囲とすることが好ましい。第一ｎ型半導体層１２ｃまでの各層の形成された基板１１が、第一有機金属化学気相成長装置の成長室内から取り出されることにより、ｎコンタクト層１２ａの第一ｎ型半導体層１２ｃの表面が汚染されていたとしても、再成長層１２ｄを成長させるときの基板温度を上記範囲とすることで、汚染物質を除去することができる。

これらの結果、後述する工程において再成長層１２ｄ上に形成されるｎクラッド層１２ｂや発光層１３の結晶性を、よりいっそう良好なものとすることができる。これに対し、再成長層１２ｄを成長させるときの基板温度が１０００℃未満であると、逆方向電流（ＩＲ）が十分に低くならなかったり、静電気放電（ＥＳＤ）耐圧が不足したりする恐れがある。また、再成長層１２ｄを成長させるときの基板温度が１１００℃を超えると、表面平坦性が悪化して半導体発光素子１の出力が不十分となる恐れがある。

（ｎクラッド層１２ｂ（第二ｎ型半導体層）形成工程）
次いで、再成長層１２ｄ上に超格子構造のｎクラッド層１２ｂを形成する。
まず始めに、膜厚１００オングストローム以下のＩＩＩ族窒化物半導体からなる図示しないｎ側第一層と、ｎ側第一層と組成が異なる膜厚１００オングストローム以下のＩＩＩ族窒化物半導体からなるｎ側第二層とを交互に１０ペア数（２０層）〜４０ペア数（８０層）繰返し積層する。また、本実施形態においては、ｎクラッド層１２ｂに、Ｓｉを第一ｎ型半導体層１２ｃと同じ、たとえば５×１０^１８／ｃｍ^３程度で含有させる。

（発光層１３形成工程）
次いで、多重量子井戸構造の発光層１３を形成する。まず、井戸層１３ｂと障壁層１３ａとを交互に繰返し積層する。このとき、ｎ型半導体層１２側及びｐ型半導体層１４側に障壁層１３ａが配されるように積層することが好ましい。
井戸層１３ｂおよび障壁層１３ａの組成や膜厚は、所定の発光波長になるように適宜設定することができる。また、発光層１３の成長温度は６００〜９００℃とすることができ、キャリアガスとしては窒素ガスを用いることができる。

（ｐ型半導体層１４形成工程）
ｐ型半導体層１４の形成は、ｐクラッド層１４ａと、ｐコンタクト層１４ｂとを順次積層すればよい。なお、ｐクラッド層１４ａを、超格子構造を含む層とする場合には、膜厚１００オングストローム以下のＩＩＩ族窒化物半導体からなるｐ側第一層と、ｐ側第一層と組成が異なる膜厚１００オングストローム以下ＩＩＩ族窒化物半導体からなるｐ側第二層とを交互に繰返し積層すればよい。

また、ｐコンタクト層１４ｂは、Ｍｇを１×１０^１９〜１×１０^２０／ｃｍ^３程度の濃度で含有させたｐコンタクト下層と、Ｍｇを１×１０^２０／ｃｍ^３〜３×１０^２０／ｃｍ^３程度の濃度で含有させたｐコンタクト上層とを積層することにより形成することが特に好ましい。これにより、透光性電極１５と接する部分（ｐコンタクト上層）にＭｇを高濃度で含有させ、かつ、その表面を平坦に形成することができる。そのため、半導体発光素子１の発光出力をより向上させることが可能となる。
以上のようにして、図２に示す積層半導体層２０が製造される。

その後、積層半導体層２０のｐ型半導体層１４上に透光性電極１５を積層し、例えば一般に知られたフォトリソグラフィーの手法によって所定の領域以外の透光性電極１５を除去する。
続いて、例えばフォトリソグラフィーの手法によりパターニングして、所定の領域の積層半導体層２０の一部をエッチングしてｎコンタクト層１２ａの第一ｎ型半導体層１２ｃの一部を露出させ、ｎコンタクト層１２ａの露出面２０ａにｎ型電極１７を形成する。
その後、透光性電極１５の上にｐ型ボンディングパッド電極１６を形成する。
以上のようにして、図１に示す半導体発光素子１が製造される。

本実施形態の半導体発光素子１の製造方法によれば、工程（２）において１×１０^１７／ｃｍ^３未満の濃度でＳｉが含有された再成長層第二層を形成することができる。この再成長層第二層の表面は高い平坦性を有するため、工程（３）において再成長層第二層上に１×１０^１９／ｃｍ^３以上の濃度でＳｉが含有された再成長層第三層を形成しても、その表面の平坦性の悪化を防ぐことができる。そのため、再成長層１２ｄの発光層１３側表面を平坦に形成することができる。

また、本実施形態においては、再成長層第三層のＳｉ濃度を高くすることができ、低抵抗の再成長層１２ｄを形成することが可能となる。このため、半導体発光素子１に電流を流した際の駆動電圧Ｖｆの増加を抑えることができる。
また、再成長層第三層において電流を拡散させることができるため、発光素子に高電流を印加した場合においても、発光箇所の集中を効果的に防ぐことができ、発光出力の低下を防ぐことが可能となる。

この結果、再成長層１２ｄ上に結晶性の良好なｎクラッド層１２ｂを形成できるとともに、ｎクラッド層１２ｂ上に結晶性の良好な発光層１３を形成することが可能となる。
これらにより、逆方向電流（ＩＲ）が十分に低く、発光出力（Ｐｏ）の高い半導体発光素子１を得ることができる。また、半導体発光素子１の不良を防ぎ規格内のＬＥＤチップ収得率を向上することが可能となる。

＜ランプ３＞
本実施形態のランプ３は、本発明の半導体発光素子１を備えるものであり、上記の半導体発光素子１と蛍光体とを組み合わせてなるものである。本実施形態のランプ３は、当業者周知の手段によって当業者周知の構成とすることができる。例えば、本実施形態のランプ３においては、半導体発光素子１と蛍光体と組み合わせることによって発光色を変える技術を何ら制限されることなく採用できる。

図３は、図１に示した半導体発光素子１を備えるランプの一例を示した断面模式図である。図３に示すランプ３は、砲弾型のものであり、図１に示す半導体発光素子１が用いられている。図３に示すように、半導体発光素子１のｐ型ボンディングパッド電極１６がワイヤー３３で２本のフレーム３１、３２の内の一方（図３ではフレーム３１）に接続され、半導体発光素子１のｎ型電極１７（ボンディングパッド）がワイヤー３４で他方のフレーム３２に接続されることにより、半導体発光素子１が実装されている。また、半導体発光素子１の周辺は、透明な樹脂からなるモールド３５で封止されている。

本実施形態のランプ３は、上記の半導体発光素子１が用いられてなるものであるので、高い発光出力が得られるものとなる。

また、本実施形態のランプ３を組み込んだバックライト、携帯電話、ディスプレイ、各種パネル類、コンピュータ、ゲーム機、照明などの電子機器や、それらの電子機器を組み込んだ自動車などの機械装置は、高い発光出力が得られる半導体発光素子１を備えたものとなる。特に、バックライト、携帯電話、ディスプレイ、ゲーム機、照明などのバッテリ駆動させる電子機器においては、高い発光出力が得られる半導体発光素子１を具備した優れた製品を提供することができるため、好ましい。

以下に、本発明の半導体発光素子の製造方法を、実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものではない。
（実施例１）
以下に示す方法により、図１に示す半導体発光素子１を製造した。
実施例１の半導体発光素子１では、サファイアからなる基板１１上に、ＡｌＮからなるバッファ層２１、厚さ５μｍのアンドープＧａＮからなる下地層２２、厚さ３μｍのＳｉドープｎ型ＧａＮからなる第一ｎ型半導体層１２ｃと、膜厚０．６μｍの再成長層第一層と膜厚０．１μｍの再成長層第二層と膜厚０．１μｍの再成長層第三層とが積層した構成の厚さ０．８μｍのｎ型ＧａＮからなる再成長層１２ｄと、からなる厚さ３．８μｍのｎコンタクト層１２ａを形成した。なお、第一ｎ型半導体層１２ｃのＳｉドープ濃度は５×１０^１８／ｃｍ^３とした。

次いで、ＧａＩｎＮからなる厚さ２ｎｍのｎ側第一層と、ＧａＮからなる厚さ２ｎｍのｎ側第二層とからなる薄膜層を２０層（ペア数）繰り返し成長させてなる厚さ８０ｎｍの超格子構造のｎクラッド層１２ｂ、厚さ５ｎｍのＳｉドープＧａＮ障壁層および厚さ３．５ｎｍのＩｎ_0.１５Ｇａ_0.8５Ｎ井戸層を６回積層し、最後に障壁層を設けた多重量子井戸構造の発光層１３、厚さ２０ｎｍのＭｇドープ単層Ａｌ_0.07Ｇａ_0.93Ｎからなるｐクラッド層１４ａ、厚さ１５０ｎｍのＭｇドープｐ型ＧａＮからなるｐコンタクト層１４ｂと、を順に積層した。ｐコンタクト層１４ｂはｐコンタクト下層と、ｐコンタクト上層とが積層してなり、ｐコンタクト下層にＭｇが５×１０^１９／ｃｍ^３の濃度で含有され、ｐコンタクト上層にＭｇが２×１０^２０／ｃｍ^３程度の濃度とした。なお、ｎクラッド層１２ｂのＳｉ濃度は５×１０^１８／ｃｍ^３とした。また、ｐコンタクト上層の厚さを２０ｎｍとした。

また、本実施例においては、バッファ層２１、下地層２２、第一ｎ型半導体層１２ｃは、第一有機金属化学気相成長装置（第一ＭＯＣＶＤ装置）を用いて積層し（第一工程）、再成長層１２ｄ、ｎクラッド層１２ｂ、発光層１３、ｐクラッド層１４ａ、ｐコンタクト層１４ｂは、第二有機金属化学気相成長装置（第二ＭＯＣＶＤ装置）を用いて積層した（第二工程）。なお、ここで再成長層１２ｄを形成する前に、第一ｎ型半導体層１２ｃまでの各層の形成された基板１１を、窒素とアンモニアを含む雰囲気下で９５０℃の熱処理（サーマルクリーニング）を行った。また、再成長層１２ｄは、以下に示す成長条件で形成させた。

「再成長層１２ｄの成長条件」
再成長層１２ｄはトリメチルガリウム（ＴＭＧ）のIII族金属の有機金属原料とアンモニア（ＮＨ_３）などの窒素原料を用いて第一ｎ型半導体層１２ｃ上に堆積させた。このとき、ｎ型ドーピングのガスとしてはモノシラン（ＳｉＨ_４）を用いた。また、Ｓｉ流量は工程（１）、工程（２）、工程（３）とで、それぞれ所定の濃度になるよう調整した。また、再成長層１２ｄを成長させる際のＭＯＣＶＤ成長炉内の圧力は４０ｋＰａ、基板温度は１０８０℃、キャリアガスはオール水素とした。

その後、ｐコンタクト層１４ｂ上に、厚さ２００ｎｍのＩＴＯからなる透光性電極１５を一般に知られたフォトリソグラフィの手法により形成した。
次に、フォトリソグラフィの手法を用いてエッチングを施し、所望の領域にｎコンタクト層１２ａの露出面２０ａを形成し、その上にＴｉ／Ａｕの二層構造のｎ型電極１７を形成した。
また、透光性電極１５の上に、２００ｎｍのＡｌからなる金属反射層と８０ｎｍのＴｉからなるバリア層と１１００ｎｍのＡｕからなるボンディング層とからなる３層構造のｐ型ボンディングパッド構造１６を、フォトリソグラフィの手法を用いて形成した。
以上のようにして、図１に示す実施例１の半導体発光素子１を得た。

このようにして、５×１０^１８／ｃｍ^３の濃度でＳｉがドープされた膜厚０．６μｍの再成長層第一層と、１×１０^１７／ｃｍ^３未満の濃度でＳｉがドープされた膜厚０．１μｍの再成長層第二層と、５×１０^１８／ｃｍ^３の濃度でＳｉがドープされた膜厚０．１μｍの再成長層第三層とが積層した構成の、膜厚０．８μｍのｎ型ＧａＮからなる再成長層１２ｄが形成された。
この結果、半導体発光素子１としての特性は、順方向電圧Ｖf＝３．０Ｖ、発光出力Ｐｏ＝２３ｍＷ、逆方向電流IR（＠２０Ｖ）＝０．１μＡであった。

（実施例２）
実施例１の再成長層第三層のＳｉ含有濃度を１×１０^１９／ｃｍ^３に替えた以外は、実施例１と同様な操作を行った結果、半導体発光素子１としての特性は、順方向電圧Ｖf＝３．０Ｖ、発光出力Ｐｏ＝２４ｍＷ、逆方向電流IR（＠２０Ｖ）＝０．１μＡであった。

（実施例３）
実施例１の再成長層第三層のＳｉ含有濃度を２×１０^１９／ｃｍ^３に替えた以外は、実施例１と同様な操作を行った結果、半導体発光素子１としての特性は、順方向電圧Ｖf＝３．０Ｖ、発光出力Ｐｏ＝２４ｍＷ、逆方向電流IR（＠２０Ｖ）＝０．１μＡであった。

（実施例４）
実施例１の再成長層第一層の膜厚を０．４μｍ、Ｓｉ含有濃度を８×１０^１８／ｃｍ^３、再成長層第二層の膜厚を０．０５μｍ、Ｓｉ含有濃度を１×１０^１７／ｃｍ^３、再成長層第三層の膜厚を０．０５μｍ、Ｓｉ含有濃度を２×１０^１９／ｃｍ^３に替えた以外は、実施例１と同様な操作を行った結果、半導体発光素子１としての特性は、順方向電圧Ｖf＝３．０Ｖ、発光出力Ｐｏ＝２３ｍＷ、逆方向電流IR（＠２０Ｖ）＝０．１μＡであった。

（実施例５）
実施例１の再成長層第一層の膜厚を０．２μｍ、Ｓｉ含有濃度を１×１０^１９／ｃｍ^３、再成長層第二層の膜厚を０．２μｍ、Ｓｉ含有濃度を１×１０^１７／ｃｍ^３、再成長層第三層の膜厚を０．２μｍ、Ｓｉ含有濃度を２×１０^１９／ｃｍ^３に替えた以外は、実施例１と同様な操作を行った結果、半導体発光素子１としての特性は、順方向電圧Ｖf＝２．９Ｖ、発光出力Ｐｏ＝２３ｍＷ、逆方向電流IR（＠２０Ｖ）＝０．５μＡであった。

（比較例１）
再成長層形成において、膜厚を０．６μｍ、Ｓｉ含有濃度５×１０^１８／ｃｍ^３の単一の層からなる再成長層１２ｄを形成した以外は実施例１と同様な操作を行った。その結果、半導体発光素子１としての特性は、順方向電圧Ｖf＝３．２Ｖ、発光出力Ｐｏ＝２０ｍＷ、逆方向電流IR（＠２０Ｖ）＝１．０μＡであった。

実施例１〜実施例５、比較例１の半導体発光素子の順方向電圧、発光出力（Ｐｏ）、逆方向電流（ＩＲ）の結果を表１に示す。
なお、実施例及び比較例の半導体発光素子１についての順方向電圧Ｖｆは、プローブ針による通電で電流印加値２０ｍＡにおける電圧を測定したものである。同じく、実施例及び比較例の半導体発光素子１についての発光出力（Ｐｏ）は、それぞれＴＯ−１８缶パッケージに実装し、テスターによって印加電流２０ｍＡにおける発光出力を測定したものである。また、逆方向電流（ＩＲ）は、発光素子に対して逆方向に２０Ｖの電圧を印加した時の漏れ電流を測定した時の値である。

表１に示すように、実施例１〜実施例５の半導体発光素子１はいずれも、逆方向電流（ＩＲ）が十分に低く、順方向電圧が比較的低く、発光出力（Ｐｏ）が２０ｍＷ以上となり、高輝度で低消費電力であった。
一方、再成長層１２ｄの厚さを０．６μｍ、Ｓｉ含有濃度を５×１０^１８／ｃｍ^３とし、かつ、均一な濃度とした比較例１では、実施例１〜実施例５と比較して発光出力（Ｐｏ）が低く、順方向電圧が比較的高く、漏れ電流（逆方向電流（IR）が大きかった。

また、実施例１〜実施例５、比較例の半導体発光素子１について、印加電流２０〜１００ｍＡの範囲における電力効率η（％）｛発光出力（ｍＷ）／（順方向電圧（Ｖ）×印加電流（ｍＡ））｝を算出した。その結果を表２、図４に示す。

これらが示すように、実施例１〜実施例５では、印加電流２０〜１００ｍＡの範囲における電力効率が、比較例１と比較して優れていることが明らかである。

また、実施例１〜実施例５、比較例の半導体発光素子１について、印加電流２０〜１００ｍＡの範囲における発光出力（Ｐｏ；ｍＷ）を測定した。その結果を図５に示す。図５が示すように、実施例１〜実施例５では、印加電流２０〜１００ｍＡの範囲における発光出力（Ｐｏ）が、比較例１と比較して優れていることが明らかである。
また、比較例１では、印加電流を大きくすることによる発光出力の向上効果が、印加電流を大きくするのに伴って小さくなっており、印加電流が大きいほど実施例１〜実施例５と比較例１との発光出力（Ｐｏ）の差が大きくなっている。

以上により、実施例１〜実施例５の半導体発光素子１は、効果的に発光出力を向上させることができ、比較例１の半導体発光素子１と比較して、逆方向電流が小さく高い発光出力が得られることが確認できた。また、大電流を印加することによって効果的に発光出力を向上させることができ、比較例１の半導体発光素子と比較して、大電流が印加されることにより高い発光出力が得られることが確認できた。

このように、本発明の半導体発光素子の製造方法では、前述したように、前記再成長層を積層する工程において、前記再成長層の成長条件を前記第一ｎ型半導体層形成時と同じ条件とする工程（１）と、前記第一ｎ型半導体層形成時よりも前記第一ｎ型半導体層形成時よりも少量の前記Ｓｉをドーパントとして供給する工程（Ｓｉを供給しない工程を含む）（２）と、前記第一ｎ型半導体層形成時よりも多量の前記Ｓｉをドーパントとして供給する工程（３）と、をこの順で行うことにより、効果的に発光出力を向上させることができた。また、大電流を印加した場合においても高い発光効率が得られ、大電流印加を要望される照明用途向けに優れた特性を有する。

また、再成長層内のドーパントの濃度が高くなると抵抗が低くなる反面、結晶性の低下や、再成長層表面の平坦性が悪くなってしまうことが多く、またドーパントの濃度が低くなると結晶性が高くなる一方、抵抗が高くなるという問題があった。しかし、本発明の製造方法によれば、再成長層１２ｄ表面の平坦性の悪化を防止し、再成長層表面上に結晶性の高い発光層（ＭＱＷ層）やｐ型半導体層を成長させることができるので、高収率で規格内のＬＥＤチップを取得することができる。

１…半導体発光素子、３…ランプ、１２…ｎ型半導体層、１２ａ…ｎコンタクト層、１２ｂ…ｎクラッド層（第二ｎ型半導体層）、１２ｃ…第一ｎ型半導体層、１２ｄ…再成長層、１３…発光層、１４…ｐ型半導体層

Claims (16)

1. 第一有機金属化学気相成長装置において、基板上に第一ｎ型半導体層を積層する第一工程と、
   前記第一有機金属化学気相成長装置と異なる第二有機金属化学気相成長装置において、前記第一ｎ型半導体層上に前記第一ｎ型半導体層の再成長層と第二ｎ型半導体層と発光層とｐクラッド層およびｐコンタクト層からなるｐ型半導体層とを順次積層する第二工程とを具備し、
   前記再成長層を積層する工程において、
   前記第一ｎ型半導体層形成時よりも少量のＳｉをドーパントとして供給する、もしくは供給せずにＳｉを１×１０ ^１７ ／ｃｍ ^３ 未満の濃度で含有させた膜厚０．０５μｍ〜０．５μｍの再成長層第二層を積層する工程（２）と、
   前記第一ｎ型半導体層形成時と同量又はそれよりも多量の前記Ｓｉをドーパントとして供給し、Ｓｉを５×１０ ^１８ ／ｃｍ ^３ 以上の濃度で含有させた膜厚０．０５μｍ〜１μｍの再成長層第三層を積層する工程（３）と、
   をこの順で行うことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
2. 前記再成長層の原料ガスとともに前記Ｓｉを含有するドーパントガスを供給することにより、前記再成長層を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。
3. 前記工程（２）を、前記再成長層の形成開始と同時あるいは形成途中から開始することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体発光素子の製造方法。
4. 前記工程（２）における前記ドーパントガスの供給量が前記第一ｎ型半導体層形成時の０〜１／１５倍、前記工程（３）における前記ドーパントガスの供給量が前記第一ｎ型半導体層形成時の１〜４倍であることを特徴とする請求項１乃至３に記載の半導体発光素子の製造方法。
5. 前記再成長層の膜厚を０．１μｍ〜３．５μｍとすることを特徴とする請求項１乃至４に記載の半導体発光素子の製造方法。
6. 前記再成長層を積層する工程において、前記工程（２）の前に、前記再成長層の成長条件を前記第一ｎ型半導体層形成時と同じ条件とする工程（１）を有することを特徴とする請求項１乃至５に記載の半導体発光素子の製造方法。
7. 前記工程（１）において膜厚２μｍ以下の再成長層第一層を形成することを特徴とする、請求項６に記載の半導体発光素子の製造方法。
8. 前記ｐコンタクト層を、ｐコンタクト下層と、ｐコンタクト上層とを積層することにより形成し、前記ｐコンタクト下層にＭｇを１×１０^１９〜１×１０^２０／ｃｍ^３程度の濃度で含有させ、前記ｐコンタクト上層に前記Ｍｇを１×１０^２０／ｃｍ^３〜３×１０^２０／ｃｍ^３程度の濃度で含有させることを特徴とする請求項１乃至７に記載の半導体発光素子の製造方法。
9. 基板上に第一有機金属化学気相成長装置において積層された第一ｎ型半導体層と、前記第一有機金属化学気相成長装置と異なる第二有機金属化学気相成長装置で積層された、前記第一ｎ型半導体層の再成長層と第二ｎ型半導体層と発光層とｐクラッド層およびｐコンタクト層からなるｐ型半導体層とが積層された半導体発光素子であって、
   前記再成長層が、前記第一ｎ型半導体層よりもＳｉ含有量が少なく、Ｓｉが１×１０ ^１７ ／ｃｍ ^３ 未満の濃度で含有され、膜厚が０．０５μｍ〜０．５μｍである再成長層第二層と、前記第一ｎ型半導体層よりもＳｉ含有量が多く、Ｓｉが５×１０ ^１８ ／ｃｍ ^３ 以上の濃度で含有され、膜厚が０．０５μｍ〜１μｍである再成長層第三層とがこの順で積層された構成であることを特徴とする半導体発光素子。
10. 前記再成長層が、第一ｎ型半導体層と同じＳｉ含有量の再成長層第一層を、前記再成長層第二層の前記再成長層第三層と反対側に積層された構成であることを特徴とする請求項９に記載された半導体発光素子。
11. 前記再成長層のうち、前記再成長層第一層が２μｍ以下の膜厚で形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の半導体発光素子。
12. 前記再成長層の膜厚が０．１μｍ〜３μｍであることを特徴とする請求項９乃至１１に記載の半導体発光素子。
13. 前記ｐコンタクト層は、ｐコンタクト下層と、ｐコンタクト上層とが積層してなり、前記ｐコンタクト下層にＭｇが１×１０^１９〜１×１０^２０／ｃｍ^３程度の濃度で含有され
    、前記ｐコンタクト上層に前記Ｍｇが１×１０^２０／ｃｍ^３〜３×１０^２０／ｃｍ^３の濃度で含有されることを特徴とする請求項９乃至１２に記載の半導体発光素子。
14. 請求項９乃至１３のいずれかに記載の半導体発光素子を備えることを特徴とするランプ。
15. 請求項１４に記載のランプが組み込まれていることを特徴とする電子機器。
16. 請求項１５に記載の電子機器が組み込まれていることを特徴とする機械装置。

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