JP5610168B2

JP5610168B2 - レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法

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Publication number: JP5610168B2
Application number: JP2012544222A
Authority: JP
Inventors: 坂本　力丸; 力丸坂本; 徳昌藤谷; 貴文遠藤; 竜慈大西; 邦慶何
Original assignee: Nissan Chemical Corp
Current assignee: Nissan Chemical Corp
Priority date: 2010-11-17
Filing date: 2011-11-11
Publication date: 2014-10-22
Anticipated expiration: 2031-11-11
Also published as: KR20140006794A; KR101682919B1; CN103221888A; CN103221888B; JPWO2012067040A1; TW201235789A; US8722840B2; US20130230809A1; TWI506376B; WO2012067040A1

Description

本発明は、半導体装置を製造する過程のリソグラフィー工程において所望の形状のレジストパターンを得るために、基板とその上に形成されるレジスト膜との間にレジスト下層膜を形成するのに有用な組成物に関する。また、ＥＵＶ露光を用いるリソグラフィー工程に適した、レジスト下層膜を形成するための組成物に関する。

ＥＵＶ露光用レジスト下層膜を形成する材料として、アウトガス発生が低減されたレジスト下層膜形成組成物が開示されている（特許文献１）。他に、ＥＵＶ露光用に特定される材料ではないが、２官能ジグリシジルエステル化合物と２，４−ジヒドロキシ安息香酸との反応生成物を含むレジスト下層膜形成組成物も開示されている（特許文献２）。しかしながら、これら特許文献１及び２には、２官能ジグリシジルエステル化合物とビスフェノールＳまたはその誘導体との重付加反応により得られる二次元ポリマーは記載も示唆もされていない。

国際公開第２０１０／０６１７７４号国際公開第２００９／０５７４５８号

レジスト下層膜上に形成されるレジストパターンの、基板に垂直な方向の断面は、矩形形状であることが望ましい。矩形形状を得るための手法の一つとして、レジスト下層膜中の芳香族環密度を高くすることが、本発明の発明者らの経験から分かっている。

レジスト下層膜には、レジスト膜よりドライエッチング速度が大きい（ドライエッチング速度の選択比が大きい）ことが求められる。しかしながら、アクリル樹脂またはメタクリル樹脂であるポリマーを含む組成物から形成されるレジスト下層膜は、ドライエッチング速度に関して必ずしも満足できるものではない。アクリル樹脂またはメタクリル樹脂の主鎖を構成する炭素原子同士の結合（Ｃ−Ｃ結合）は、ドライエッチングによりその結合が容易に分断されないためと考えられる。

加えて、ＥＵＶリソグラフィーの場合、形成されるパターン線幅は３２ｎｍ以下となり、パターン側壁のラインエッジラフネス（本明細書では以下、ＬＥＲと略称する。）への要求は厳しくなる。形成されたレジストパターン形状が裾引き形状または隣り合うパターンが分離されず繋がった形状の場合、パターン上方から観察したときのＬＥＲの値は大きくなり、寸法制御に悪影響を与える。そのため、レジストパターン形状をＬＥＲの値の小さい矩形形状にすることが強く要求される。

本発明は、ベンゼン環のような芳香族環を含むにもかかわらず、レジスト膜に対してドライエッチング速度の選択比が大きく、しかも、ＥＵＶ（波長１３．５ｎｍ）リソグラフィーで大きな問題となるＬＥＲの低減に有用なレジスト下層膜を形成するための組成物を得ることを目的とする。また、レジスト下層膜上のレジストパターンが所望の形状となる、レジスト下層膜を形成するための組成物を得ることを目的とする。本発明の組成物は、形成されるレジスト下層膜がその上に塗布されるレジストの溶剤に不溶であること、及び形成されるレジスト下層膜とレジスト膜との間にインターミキシングが起こらないことが条件である。

本発明の第１の態様は、ポリマー及び溶剤を含み、前記ポリマーはジフェニルスルホンまたはその誘導体がエーテル結合を介して該ポリマーの主鎖に導入されていることを特徴とするリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物である。ここで、エーテル結合とは、“−Ｏ−”で表される。当該エーテル結合の酸素原子は通常、炭素原子と結合し、Ｃ−Ｏ結合を形成する。

前記ポリマーは主鎖として下記式（１ａ）及び下記式（１ｂ）：

（式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１乃至１３のアルキル基、ヒドロキシル基、メトキシ基、チオール基、アセチル基、ニトロ基、アリル基、フェニル基、ナフチル基を表し、Ａ₁、Ａ₂、Ａ₃、Ａ₄、Ａ₅及びＡ₆は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、Ｑは２つの炭素原子間の二価の有機基を表す。）
で表される繰り返しの構造単位を有するリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物である。

前記式（１ｂ）において、Ｑは下記式（２）：

（式中Ｑ₁は炭素原子数１乃至１０のアルキレン基、炭素原子数３乃至１０の脂環式炭化水素環を有する２価の有機基、フェニレン基、ナフチレン基またはアントリレン基を表し、前記フェニレン基、ナフチレン基及びアントリレン基は、それぞれ、炭素原子数１乃至６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよい。）
で表される。

前記式（１ｂ）において、Ｑはまた下記式（３）：

〔式中、Ｘ₁は下記式（４）または下記式（５）：

（式中、Ｒ₅及びＲ₆はそれぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１乃至６のアルキル基、炭素原子数３乃至６のアルケニル基、ベンジル基またはフェニル基を表し、前記フェニル基は、炭素原子数１乃至６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよく、前記Ｒ₅とＲ₆は互いに結合して炭素原子数３乃至６の環を形成していてもよい。）を表す。〕
でも表される。上記Ｘ₁が式（５）を表す場合、当該式（５）のカルボニル基は上記式（３）の窒素原子と結合する。

前記式（１ｂ）で表される繰り返しの構造単位としては、Ｑが前記式（３）で表される構造単位に加えてＱが前記式（２）で表される構造単位をさらに有していてもよい。

前記式（１ｂ）において、Ｑはまた下記式（６）：

（式中、Ｒ₇は炭素原子数１乃至６のアルキル基、炭素原子数３乃至６のアルケニル基、ベンジル基またはフェニル基を表し、前記フェニル基は、炭素原子数１乃至６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよい。）
でも表される。

前記式（１ｂ）で表される繰り返しの構造単位としては、Ｑが前記式（６）で表される構造単位に加えてＱが前記式（２）で表される構造単位をさらに有していてもよい。

前記ポリマーは、前記式（１ａ）及び前記式（１ｂ）に加えて、下記式（７）：

で表される繰り返しの構造単位をさらに有していてもよい。

本発明において、アルキル基は、例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、シクロヘキシル基である。炭素原子数１乃至１０のアルキレン基は、例えばメチレン基、エチレン基、ｎ−プロピレン基、ｎ−ペンチレン基、ｎ−オクチレン基、２−メチルプロピレン基、１，４−ジメチルブチレン基、シクロペンチレン基、シクロブチレン基、シクロヘキシレン基、２−メチルシクロヘキシレン基である。炭素原子数３乃至１０の脂環式炭化水素環は、例えばシクロヘキサン環、アダマンタン環である。炭素原子数１乃至６のアルコキシ基は、例えばメトキシ基、エトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、イソプロポキシ基、シクロヘキシルオキシ基である。炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基は、例えばメチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、イソプロピルチオ基及びシクロヘキシルチオ基である。炭素原子数３乃至６のアルケニル基は、例えば２−プロペニル基、３−ブテニル基である。上記アルキル基、アルキレン基、アルコキシ基及びアルキルチオ基は、直鎖状に限定されず、分岐構造または環状構造でもよい。ハロゲン原子は、例えばフッ素、塩素、臭素、ヨウ素である。

前記式（１ａ）及び前記式（１ｂ）で表される繰り返しの構造単位の繰り返し数は、例えば１０以上１０，０００以下の範囲である。

本発明のレジスト下層膜形成組成物に含まれる溶剤は、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、メチルエチルケトン、乳酸エチル、シクロヘキサノン、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン、これらの溶剤から選択された二種以上の混合物である。そして、本発明のレジスト下層膜形成組成物に対する前記溶剤の割合は、例えば５０質量％以上９９．５質量％以下である。

本発明のレジスト下層膜形成組成物に含まれるポリマーは、当該レジスト下層膜形成組成物に対し例えば０．５質量％以上３０質量％以下の割合とすることができる。

本発明のレジスト下層膜形成組成物は、前記ポリマー及び溶剤の他に、架橋性化合物（架橋剤）を含んでもよく、さらに架橋反応を促進させる化合物を含んでもよい。溶剤を除いた成分を固形分と定義すると、その固形分は前記ポリマー及び、必要に応じて添加される前記架橋性化合物、前記架橋反応を促進させる化合物などの添加物を含む。固形分中の前記ポリマーの割合は、例えば７０質量％以上９８質量％以下である。添加物を含まない場合、固形分中の前記ポリマーの割合は１００質量％とすることができる。

前記架橋性化合物は、例えばメチロール基またはアルコキシメチル基で置換された窒素原子を２つ乃至４つ有する含窒素化合物であり、本発明のレジスト下層膜形成組成物に含まれる前記ポリマーに対し例えば１質量％以上３０質量％以下の割合で添加することができる。前記架橋性化合物の具体例として、ヘキサメトキシメチルメラミン、テトラメトキシメチルベンゾグアナミン、１，３，４，６−テトラキス（メトキシメチル）グリコールウリル、１，３，４，６−テトラキス（ブトキシメチル）グリコールウリル、１，３，４，６−テトラキス（ヒドロキシメチル）グリコールウリル、１，３−ビス（ヒドロキシメチル）尿素、１，１，３，３−テトラキス（ブトキシメチル）尿素及び１，１，３，３−テトラキス（メトキシメチル）尿素が挙げられる。

架橋反応を促進させる化合物は、例えばスルホン酸化合物及び熱酸発生剤から選ばれる少なくとも一種である。本発明のレジスト下層膜形成組成物に含まれるポリマーに対し、例えば０．１質量％以上１０質量％以下の割合で、前記架橋反応を促進させる化合物を添加することができる。前記スルホン酸化合物の具体例として、ｐ−トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ピリジニウム−ｐ−トルエンスルホネート、カンファースルホン酸、５−スルホサリチル酸、４−クロロベンゼンスルホン酸、４−ヒドロキシベンゼンスルホン酸、ベンゼンジスルホン酸、及び１−ナフタレンスルホン酸が挙げられる。前記熱酸発生剤の具体例として、４−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−アセトキシフェニルベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−アセトキシフェニルベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、３−ベンジルベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアンチモネート、２，４，４，６−テトラブロモシクロヘキサジエノン、ベンゾイントシラート、２−ニトロベンジルトシラートが挙げられる。

本発明のレジスト下層膜形成組成物は、界面活性剤及び／または接着補助剤を含んでもよい。前記界面活性剤は、基板に対する塗布性を向上させるための添加物である。ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤のような公知の界面活性剤を用いることができ、本発明のレジスト下層膜形成組成物に対し例えば０．２質量％以下の割合で添加することができる。前記接着補助剤は、基板またはレジスト膜とレジスト下層膜との密着性を向上させることを目的とし、露光後に現像を行う際にレジスト膜の剥離を抑制する添加物である。接着補助剤として、例えばクロロシラン類、アルコキシシラン類、シラザン類、シラン類、複素環状化合物を用いることができ、本発明のレジスト下層膜形成組成物に対し例えば２質量％以下の割合で添加することができる。

本発明の第２の態様は、本発明のレジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布しベークしてレジスト下層膜を形成する工程、前記レジスト下層膜上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト下層膜と前記レジスト膜で被覆された半導体基板を露光する工程、露光後に前記レジスト膜を現像する工程、を含む半導体装置の製造に用いるレジストパターンの形成方法である。

本発明の第２の態様において行われる前記露光は、ＥＵＶ（波長１３．５ｎｍ）または電子線を用いて行うことができる。“ＥＵＶ”は極端紫外線の略称である。レジスト膜を形成するためのレジストは、ポジ型、ネガ型いずれでもよい。ＥＵＶまたは電子線に感光する化学増幅型レジストを用いることができる。

本発明の第２の態様で用いられる半導体基板は、代表的にはシリコンウエハーであるが、ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）基板、または砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）などの化合物半導体ウエハーを用いてもよい。

本発明のレジスト下層膜形成組成物は、ジフェニルスルホンまたはその誘導体がエーテル結合を介して主鎖に導入されているポリマーを含む。例えば前記式（１ａ）及び前記式（１ｂ）で表される繰り返しの構造単位を有する二次元ポリマーを含む。そのため、芳香族環密度を低下させることなく、レジスト膜に対するドライエッチング速度の選択比が大きいレジスト下層膜が得られる。本発明のレジスト下層膜形成組成物に含まれるポリマーの主鎖は、Ｃ−Ｃ結合よりもドライエッチングで分断されやすいＣ−Ｏ結合（エーテル結合）を有するため、含まれるポリマーが例えばアクリル樹脂またはメタクリル樹脂である従来のレジスト下層膜形成組成物を用いるよりも、ドライエッチング速度の高いレジスト下層膜を形成することができる。

前記ポリマーの主鎖に、芳香族環であるベンゼン環を有するジフェニルスルホンまたはその誘導体が導入されていることから、形成されるレジスト下層膜の密度を高くすることができ、所望の形状（基板に垂直な方向の断面が矩形形状）のレジストパターンを形成できる。

本発明のレジスト下層膜形成組成物に含まれるポリマーは、下記式（８ａ）：

（式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１乃至１３のアルキル基、ヒドロキシル基、メトキシ基、チオール基、アセチル基、ニトロ基、アリル基、フェニル基、ナフチル基を表す。）
で表される少なくとも一種の化合物と下記式（８ｂ）：

（式中、Ａ₁、Ａ₂、Ａ₃、Ａ₄、Ａ₅及びＡ₆は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、Ｑは２つの炭素原子間の２価の有機基を表す。）
で表される少なくとも一種の化合物との重付加反応生成物である。

すなわち、式（８ａ）で表される少なくとも一種の化合物と式（８ｂ）で表される少なくとも一種の化合物を、適切なモル比になるよう有機溶剤へ溶解させ、エポキシ基を活性化させる触媒の存在のもと、重合させることによって、前記式（１ａ）及び前記式（１ｂ）で表される繰り返しの構造単位を有するポリマーが得られる。ビスフェノールＳは前記式（８ａ）で表される化合物の一例である。エポキシ基を活性化させる触媒とは、例えば、エチルトリフェニルホスホニウムブロミドのような第４級ホスホニウム塩、ベンジルトリエチルアンモニウムクロリドのような第４級アンモニウム塩であり、使用する式（８ａ）で表される化合物及び式（８ｂ）で表される化合物の全質量に対して０．１〜１０質量％の範囲から適量を選択して用いることができる。重合反応させる温度及び時間は、８０〜１６０℃、２〜５０時間の範囲から、最適な条件を選択することができる。

前記式（８ｂ）において、Ｑは例えば下記式（９）：

（式中Ｑ₁は炭素原子数１乃至１０のアルキレン基、炭素原子数３乃至１０の脂環式炭化水素環を有する二価の有機基、フェニレン基、ナフチレン基またはアントリレン基を表し、前記フェニレン基、ナフチレン基及びアントリレン基は、それぞれ、炭素原子数１乃至６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよい。）
で表される。

前記式（８ｂ）で表される化合物は、例えば下記式（１０）：

（式中、Ｙは炭素原子数１乃至６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基または炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基を表し、ｍは０乃至４の整数を表し、前記ｍが２乃至４の場合前記Ｙは同一であっても異なっていてもよい。）
で表される。前記ｍが０を表す場合は、Ｙで表される置換基が存在しないことを意味する。

前記式（８ｂ）において、Ｑはまた下記式（１１）：

前記式（８ｂ）で表される化合物の具体例を下記式（１２）乃至式（２０）に示す。

本発明のレジスト下層膜形成組成物に含まれるポリマーの繰り返しの構造単位を、下記式（２１）乃至式（２５）に例示する。

例えば、前記式（２１）で表される繰り返しの構造単位を有するポリマーは、前記式（８ａ）で表される化合物と前記式（８ｂ）で表される化合物（前記式（１０）で表される化合物）を重合させて得られる。前記式（２２）で表される繰り返しの構造単位を有するポリマーは、式（８ａ）で表される化合物と式（８ｂ）で表される化合物（前記式（１０）で表される化合物）と２，４−ジヒドロキシ安息香酸を重合させて得られる。

前記式（２１）のａで表される構造単位とｂで表される構造単位のモル比は１：１である。前記式（２２）のａで表される構造単位とｂで表される構造単位とｃで表される構造単位のモル比は、ａ：（ｂ＋ｃ）＝１：１の関係を満たす。前記式（２３）のａで表される構造単位とｂで表される構造単位のモル比は１：１である。前記式（２４）のａで表される構造単位とｂで表される構造単位のモル比は１：１である。前記式（２５）のａで表される構造単位とｂで表される構造単位のモル比は１：１である。

以下、本発明について合成例及び実施例によって具体的に説明する。ただし、本発明は下記合成例及び実施例の記載に限定されるものではない。

下記合成例１乃至合成例３に示す重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、本明細書ではＧＰＣと略称する。）による測定結果に基づく。測定には東ソー（株）製ＧＰＣ装置を用い、測定条件は下記のとおりである。
ＧＰＣカラム：Ｓｈｏｄｅｘ〔登録商標〕・Ａｓａｈｉｐａｋ〔登録商標〕（昭和電工（株））
カラム温度：４０℃
溶媒：Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）
流量：０．６ｍｌ／分
標準試料：ポリスチレン（東ソー（株））
ディテクター：ＲＩ

＜合成例１＞
テレフタル酸ジグリシジルエステル（ナガセケムテックス（株）製、商品名：デナコール〔登録商標〕ＥＸ７１１）１０．００ｇ、ビスフェノールＳ４．３８ｇ、２，４−ジヒドロキシ安息香酸２．６８ｇ、及びエチルトリフェニルホスホニウムブロミド０．６５ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル７０．９０ｇに溶解させた後、１３０℃で４時間反応させポリマーの溶液を得た。得られたポリマーは、前記式（２２）に相当し（ａ：ｂ：ｃ＝１０：５：５（モル比））、ＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量５，３００であった。

＜合成例２＞
テレフタル酸ジグリシジルエステル（ナガセケムテックス（株）製、商品名：デナコール〔登録商標〕ＥＸ７１１）１０．００ｇ、ビスフェノールＳ２．６３ｇ、２，４−ジヒドロキシ安息香酸３．７８ｇ、及びエチルトリフェニルホスホニウムブロミド０．６５ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル６８．２１ｇに溶解させた後、１３０℃で４時間反応させポリマーの溶液を得た。得られたポリマーは、前記式（２２）に相当し（ａ：ｂ：ｃ＝１０：３：７（モル比））、ＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量４，８００であった。

＜合成例３＞
テレフタル酸ジグリシジルエステル（ナガセケムテックス（株）製、商品名：デナコール〔登録商標〕ＥＸ７１１）１０．００ｇ、ビスフェノールＳ６．１３ｇ、２，４−ジヒドロキシ安息香酸１．６２ｇ、及びエチルトリフェニルホスホニウムブロミド０．６５ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル７３．６０ｇに溶解させた後、１３０℃で４時間反応させポリマーの溶液を得た。得られたポリマーは、前記式（２２）に相当し（ａ：ｂ：ｃ＝１０：７：３（モル比））、ＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量４，８００であった。

＜合成例４＞
モノアリルジグリシジルイソシアヌル酸（四国化成工業（株）製）１５．００ｇ、ビスフェノールＳ７．４６ｇ、２，４−ジヒドロキシ安息香酸４．５９ｇ、及びエチルトリフェニルホスホニウムブロミド１．０１ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル１１２．２１ｇに溶解させた後、１３０℃で４時間反応させポリマーの溶液を得た。得られたポリマーのＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量４，５００であった。

＜合成例５＞
モノアリルジグリシジルイソシアヌル酸（四国化成工業（株）製）１５．００ｇ、ビスフェノールＳ４．４７ｇ、２，４−ジヒドロキシ安息香酸６．４３ｇ、及びエチルトリフェニルホスホニウムブロミド１．００ｇをプロピレングリコールモノメチルエーテル１０７．６２ｇに溶解させた後、１３０℃で４時間反応させポリマーの溶液を得た。得られたポリマーのＧＰＣ分析を行ったところ、標準ポリスチレン換算にて重量平均分子量５，０００であった。

＜実施例１＞
上記合成例１で得られたポリマー２ｇを含む溶液１０ｇにテトラメトキシメチルグリコールウリル（日本サイテックインダストリーズ（株）製、商品名：パウダーリンク〔登録商標〕１１７４）０．５ｇとピリジニウム−ｐ−トルエンスルホネート０．０５ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル３５．４ｇ、及び乳酸エチル１８．６ｇに溶解させ溶液とした。その後、孔径０．１０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径０．０５μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物を調製した。

＜実施例２＞
上記合成例２で得られたポリマー２ｇを含む溶液１０ｇにテトラメトキシメチルグリコールウリル（日本サイテックインダストリーズ（株）製、商品名：パウダーリンク〔登録商標〕１１７４）０．５ｇとピリジニウム−ｐ−トルエンスルホネート０．０５ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル３５．４ｇ、及び乳酸エチル１８．６ｇに溶解させ溶液とした。その後、孔径０．１０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径０．０５μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物を調製した。

＜実施例３＞
上記合成例３で得られたポリマー２ｇを含む溶液１０ｇにテトラメトキシメチルグリコールウリル（日本サイテックインダストリーズ（株）製、商品名：パウダーリンク〔登録商標〕１１７４）０．５ｇとピリジニウム−ｐ−トルエンスルホネート０．０５ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル３５．４ｇ、及び乳酸エチル１８．６ｇに溶解させ溶液とした。その後、孔径０．１０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径０．０５μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物を調製した。

＜実施例４＞
上記合成例４で得られたポリマー２ｇを含む溶液１０ｇにテトラメトキシメチルグリコールウリル（日本サイテックインダストリーズ（株）製、商品名：パウダーリンク〔登録商標〕１１７４）０．５ｇとピリジニウム−ｐ−トルエンスルホネート０．０３ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル３４．５ｇ、及び乳酸エチル１８．２ｇに溶解させ溶液とした。その後、孔径０．１０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径０．０５μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物を調製した。

＜実施例５＞
上記合成例５で得られたポリマー２ｇを含む溶液１０ｇにテトラメトキシメチルグリコールウリル（日本サイテックインダストリーズ（株）製、商品名：パウダーリンク〔登録商標〕１１７４）０．５ｇとピリジニウム−ｐ−トルエンスルホネート０．０３ｇを混合し、プロピレングリコールモノメチルエーテル３４．５ｇ、及び乳酸エチル１８．２ｇに溶解させ溶液とした。その後、孔径０．１０μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過し、更に、孔径０．０５μｍのポリエチレン製ミクロフィルターを用いてろ過して、レジスト下層膜形成組成物を調製した。

＜比較例１＞
下記式（２６）で表される共重合体をポリマーとして含み、さらに添加物として下記式（２７）で表される架橋剤、及びピリジニウム−ｐ−トルエンスルホネートを含むレジスト下層膜形成組成物を用意した。

〔レジスト溶剤への溶出試験〕
本発明の実施例１乃至実施例５で調製したレジスト下層膜形成組成物を、スピナーを用いてシリコンウエハー上に塗布（スピンコート）した。ホットプレート上で、２０５℃で１分間加熱し、レジスト下層膜（膜厚０．１０μｍ）を形成した。このレジスト下層膜を、レジスト溶液の溶剤である乳酸エチル及びプロピレングリコールモノメチルエーテルに浸漬し、前記レジスト下層膜はそれらの溶剤に不溶であることを確認した。

〔レジストとのインターミキシング試験〕
本発明の実施例１乃至実施例５で調製したレジスト下層膜形成組成物を、スピナーを用いてシリコンウエハー上に塗布した。ホットプレート上で、２０５℃で１分間加熱し、レジスト下層膜（膜厚０．１０μｍ）を形成した。

このレジスト下層膜の上層に、市販のレジスト溶液（ダウ・ケミカル社製、商品名：ＵＶ１１３）を、スピナーを用いて塗布した。ホットプレート上で、１２０℃で１分間加熱することによりレジスト膜を形成し、露光装置を用いて露光した後、露光後加熱（ＰＥＢ：ＰｏｓｔＥｘｐｏｓｕｒｅＢａｋｅ）を１１５℃で１．５分間行った。そのレジスト膜を現像及びリンス処理した後、前記レジスト下層膜の膜厚を測定し、実施例１乃至実施例３で調製したレジスト下層膜形成組成物から得られたレジスト下層膜と前記レジスト膜とのインターミキシングが起こらないことを確認した。

〔ドライエッチング速度の測定〕
本発明の実施例１乃至実施例５で調製したレジスト下層膜形成組成物、及び比較例１で示したレジスト下層膜形成組成物を、それぞれスピナーを用いてシリコンウエハー上に塗布した。ホットプレート上で、２０５℃で１分間加熱し、レジスト下層膜を形成した。そして、日本サイエンティフィック社製、ＲＩＥシステムＥＳ４０１を用い、ドライエッチングガスとしてＣＦ₄を使用した条件下でドライエッチング速度を測定した。

レジスト溶液（住友化学（株）製、商品名：ＰＡＲ７１０）を、スピナーを用いてシリコンウエハー上に塗布し、前述と同様の方法によりレジスト膜を形成した。そして日本サイエンティフィック社製、ＲＩＥシステムＥＳ４０１を用い、ドライエッチングガスとしてＣＦ₄を使用した条件下でドライエッチング速度を測定した。

実施例１乃至実施例５及び比較例１の各レジスト下層膜形成組成物から得られた六種類のレジスト下層膜と、前記住友化学（株）製レジスト溶液から得られたレジスト膜のドライエッチング速度との比較を行った。前記レジスト膜のドライエッチング速度に対する前記レジスト下層膜のドライエッチング速度の比（ドライエッチング速度の選択比）を表１に示す。

本発明のレジスト下層膜形成組成物より得られたレジスト下層膜は、レジスト膜に対して大きなドライエッチング速度の選択比を有し、しかも比較例１よりもドライエッチング速度の選択比が大きい。そのため、比較例のレジスト下層膜と比べて、本発明のレジスト下層膜はドライエッチングによる除去に要する時間を短縮することができる。そして、前記レジスト下層膜のドライエッチングによる除去に伴い、そのレジスト下層膜上のレジスト膜の膜厚が減少する好ましくない現象を抑制することができる。

〔レジストパターンの形成〕
シリコンウエハー上に、本発明の実施例１で調製したレジスト下層膜形成組成物をそれぞれスピンコートし、２０５℃で１分間加熱し、レジスト下層膜を形成した。そのレジスト下層膜上に、ＥＵＶ用レジスト溶液（メタクリレート樹脂系レジスト）をスピンコートし、加熱し、レジスト膜を形成した。ＥＵＶ露光装置（ＡＳＭＬ社製ＥＵＶ−ＡＤＴ）を用いて、ＮＡ＝０．２５、σ＝０．５の条件で露光した。露光後、ＰＥＢを行い、クーリングプレート上で室温まで冷却し、現像及びリンス処理をし、レジストパターンを形成した。評価は、３０ｎｍのラインアンドスペースの形成可否、パターン上面からの観察によるパターンのラインエッジラフネス（ＬＥＲ）の大小により行った。

比較例２として、レジスト下層膜を形成する代わりに、シリコン基板にＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）処理を施した基板を用いた場合も同様に試験を行った。

本明細書では、ラインアンドスペースのラインパターンにおいて、基板に垂直方向の断面が矩形形状である場合を“良好”、前記断面がテーパー（台形状）または裾引き形状である場合を“可”と評価し、一方パターンの倒壊または解像不良によりラインアンドスペースが形成されたとはいえない場合を“不可”と評価する。

ＬＥＲの測定は、ＣｒｉｔｉｃａｌＤｉｍｅｎｓｉｏｎＳｃａｎｎｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎＭｉｃｒｏｓｃｏｐｙ（ＣＤ−ＳＥＭ）を用い、パターンエッジ位置を上部から二次元的に検出し、その位置のばらつきをＬＥＲとして定量化する。具体的には、ＣＤ−ＳＥＭで検出されるホワイトバンド幅を用いて、パターン底部から上面までの高さの７０％の部位の線幅を４００ポイント測長し、その値の３σをとってＬＥＲ値とした。

表２に示すとおり、本発明の実施例１で調製したレジスト下層膜形成組成物を用いた場合、比較例１の場合と比較してＬＥＲの値が小さく、製造工程におけるパターン寸法精度が高いことが確認された。ＬＥＲ値は通常、４．０ｎｍ以下であることが求められる。表２中、“＞４．５”とは、ＬＥＲ値が４．５より大きいという意味である。

Claims

ポリマー及び溶剤を含み、前記ポリマーはジフェニルスルホンまたはその誘導体がエーテル結合を介して該ポリマーの主鎖に導入され、
前記ポリマーは主鎖として下記式（１ａ）及び下記式（１ｂ）：

（式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１乃至１３のアルキル基、ヒドロキシル基、メトキシ基、チオール基、アセチル基、ニトロ基、アリル基、フェニル基またはナフチル基を表し、Ａ₁、Ａ₂、Ａ₃、Ａ₄、Ａ₅及びＡ₆は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、Ｑは２つの炭素原子間の二価の有機基を表す。）で表される繰り返しの構造単位を有するリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
前記式（１ｂ）において、Ｑは下記式（２）：

（式中Ｑ₁は炭素原子数１乃至１０のアルキレン基、炭素原子数３乃至１０の脂環式炭化
水素環を有する二価の有機基、フェニレン基、ナフチレン基またはアントリレン基を表し、前記フェニレン基、ナフチレン基及びアントリレン基は、それぞれ、炭素原子数１乃至６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよい。）で表される請求項１に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
前記式（１ｂ）において、Ｑは下記式（３）：

〔式中、Ｘ₁は下記式（４）または下記式（５）：

（式中、Ｒ₅及びＲ₆はそれぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１乃至６のアルキル基、炭素原子数３乃至６のアルケニル基、ベンジル基またはフェニル基を表し、前記フェニル基は、炭素原子数１乃至６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよく、前記Ｒ₅とＲ₆は互いに結合して炭素原子数３乃至６の環を形成していてもよい。）を表す。〕で表される請求項１に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
前記式（１ｂ）において、Ｑは下記式（６）：

（式中、Ｒ₇は炭素原子数１乃至６のアルキル基、炭素原子数３乃至６のアルケニル基、
ベンジル基またはフェニル基を表し、前記フェニル基は、炭素原子数１乃至６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよい。）で表される請求項１に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
前記ポリマーは下記式（７）：

で表される繰り返しの構造単位をさらに有する請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
前記ポリマーは、下記式（８ａ）：

（式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数１乃至１３のアルキル基、ヒドロキシル基、メトキシ基、チオール基、アセチル基、ニトロ基、アリル基、フェニル基、ナフチル基を表す。）で表される少なくとも一種の化合物と、下記式（８ｂ）：

（式中、Ａ₁、Ａ₂、Ａ₃、Ａ₄、Ａ₅及びＡ₆は、それぞれ独立に、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、Ｑは２つの炭素原子間の二価の有機基を表す。）で表される少なくとも一種の化合物との重付加反応生成物である、請求項１に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
前記式（８ｂ）において、Ｑは下記式（９）：

（式中Ｑ₁は炭素原子数１乃至１０のアルキレン基、炭素原子数３乃至１０の脂環式炭化
水素環を有する二価の有機基、フェニレン基、ナフチレン基またはアントリレン基を表し、前記フェニレン基、ナフチレン基及びアントリレン基は、それぞれ、炭素原子数１乃至６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよい。）で表される請求項６に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
前記式（８ｂ）で表される化合物は、下記式（１０）：

（式中、Ｙは炭素原子数１乃至６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基または炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基を表し、ｍは０乃至４の整数を表し、前記ｍが２乃至４の場合前記Ｙは同一であっても異なっていてもよい。）で表される請求項６または請求項７に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
前記式（８ｂ）において、Ｑは下記式（１１）：

（式中、Ｒ₇は炭素原子数１乃至６のアルキル基、炭素原子数３乃至６のアルケニル基、
ベンジル基またはフェニル基を表し、前記フェニル基は、炭素原子数１乃至６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至６のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基及び炭素原子数１乃至６のアルキルチオ基からなる群から選ばれる少なくとも一つの基で置換されていてもよい。）で表される請求項６に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
架橋性化合物をさらに含む請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
架橋反応を促進させる化合物をさらに含む請求項１０に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
前記架橋性化合物はメチロール基またはアルコキシメチル基で置換された窒素原子を２つ乃至４つ有する含窒素化合物である請求項１０に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
前記架橋反応を促進させる化合物はスルホン酸化合物及び熱酸発生剤から選ばれる少なくとも一種である請求項１１に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項に記載のリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布しベークしてレジスト下層膜を形成する工程、前記レジスト下層膜上にレジスト膜を形成する工程、前記レジスト下層膜と前記レジスト膜で被覆された半導体基板を露光する工程、露光後に前記レジスト膜を現像する工程、を含む半導体装置の製造に用いるレジストパターンの形成方法。
前記露光は極端紫外線を用いて行われる請求項１４に記載のレジストパターンの形成方法。