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KR102348675B1 - 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 - Google Patents

레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 Download PDF

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KR102348675B1
KR102348675B1 KR1020190025943A KR20190025943A KR102348675B1 KR 102348675 B1 KR102348675 B1 KR 102348675B1 KR 1020190025943 A KR1020190025943 A KR 1020190025943A KR 20190025943 A KR20190025943 A KR 20190025943A KR 102348675 B1 KR102348675 B1 KR 102348675B1
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권순형
배신효
백재열
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Abstract

화학식 1로 표시되는 구조 단위를 포함하는 중합체; 및 용매를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물, 그리고 상기 레지스트 하층막용 조성물을 이용하는 패턴형성방법에 관한 것이다.
화학식 1의 정의는 명세서 내에 기재한 바와 같다.

Description

레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 {RESIST UNDERLAYER COMPOSITION, AND METHOD OF FORMING PATTERNS USING THE COMPOSITION}
본 발명은 레지스트 하층막용 조성물, 및 이를 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다. 상세하게는 반도체 기판과 포토레지스트 층 사이에 형성되는 포토레지스트 하층막용 조성물, 그리고 이러한 하층막을 사용한 포토레지스트 패턴의 형성 방법에 관한 것이다.
최근 반도체 산업은 수백 나노미터 크기의 패턴에서 수 내지 수십 나노미터 크기의 패턴을 가지는 초미세 기술로 발전하고 있다. 이러한 초미세 기술을 실현하기 위해서는 효과적인 리쏘그래픽 기법이 필수적이다.
리쏘그래픽 기법은 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 기판 상에 포토레지스트 막을 코팅하고 노광 및 현상을 하여 박막을 형성하고, 그 위에 디바이스의 패턴이 그려진 마스크 패턴을 개재하여 자외선 등의 활성화 조사선을 조사하고, 현상하여, 얻어진 포토레지스트 패턴을 보호막으로 하여 기판을 에칭 처리함으로써 기판 표면에 상기 패턴에 대응하는 미세 패턴을 형성하는 가공법이다.
초 미세 패턴 제조 기술이 요구됨에 따라, 포토레지스트의 노광에 사용되는 활성화 조사선도 i-line(365nm), KrF 엑시머 레이저(파장 248nm), ArF 엑시머 레이저(파장 193nm) 등의 단파장이 이용되고 있으며. 이에 따라, 활성화 조사선의 반도체 기판으로부터의 난반사나 정재파 등으로 인한 문제점을 해결하기 위해 레지스트와 반도체 기판 사이에 최적화된 반사율을 갖는 레지스트 하층막(Resist Underlayer)을 개재하여 해결하고자 하는 많은 검토가 이루어지고 있다.
한편, 상기 활성화 조사선 외에 미세 패턴 제조를 위한 광원으로써, EUV(Extreme ultraviolet; 파장 13.5nm), E-Beam(전자빔) 등의 고에너지선을 이용하는 방법도 이루어지고 있으며, 해당 광원의 경우 기판으로부터의 반사는 없으나, 패턴 미세화에 따라 형성된 패턴의 무너짐 현상을 개선하기 위해 레지스트와 하부막질의 접착성을 개선하는 연구도 널리 검토되고 있다. 또한, 상기와 같이 광원으로부터 야기되는 문제를 감소시키기 위한 검토와 더불어 에치(etch) 선택비와 내화학성을 개선하려는 연구도 널리 검토되고 있다.
일 구현예는 소정 파장에 대해 최적화된 반사율을 가지면서 동시에 우수한 코팅성, 포토레지스트와의 접착성 및 빠른 식각 속도(etch rate)를 가지는 레지스트 하층막용 조성물을 제공한다.
다른 구현예는 상기 레지스트 하층막용 조성물을 이용한 패턴 형성 방법을 제공한다.
일 구현예에 따르면, 하기 화학식 1로 표시되는 구조 단위를 포함하는 중합체; 및 용매를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112019023143940-pat00001
상기 화학식 1에서,
L1 내지 L5는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐렌기 또는 이들의 조합이고,
L6 및 L7은 각각 독립적으로 O, S, S(O), S(O2), C(O), C(O)O, O(CO)O, 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐렌기 또는 이들의 조합이고,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 하이드록시기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 에폭시기, 비닐기, (메트)아크릴레이트기, 옥세탄기, 티올기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 티오알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 티오아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이고,
n은 1 내지 1,000의 정수 중 하나이고,
D는 O, S, S(O2), C(O), C(O)O, 또는 이들의 조합이고,
m은 0 또는 1의 정수이고,
*은 연결 지점이고,
A1 및 A2는 각각 독립적으로 O, S, S(O), S(O2), C(O), C(O)O, O(CO)O, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 또는 이들의 조합이고,
A1 및 A2 중 적어도 하나는 하기 화학식 A로 표현되는 기이며:
[화학식 A]
Figure 112019075739139-pat00032
상기 화학식 A에서,
La는 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐렌기 또는 이들의 조합이고,
*는 연결지점이다.
다른 구현예에 따르면, 기판 위에 식각 대상 막을 형성하는 단계, 상기 식각 대상 막 위에 상술한 레지스트 하층막용 조성물을 적용하여 레지스트 하층막을 형성하는 단계, 상기 레지스트 하층막 위에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 그리고 상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 레지스트 하층막 및 상기 식각 대상막을 순차적으로 식각하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법을 제공한다.
우수한 코팅성, 포토레지스트와의 접착성 및 빠른 식각 속도(etch rate)를 가지는 레지스트 하층막용 조성물을 제공할 수 있다.
이하, 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '치환된'이란, 화합물 중의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Br, Cl, 또는 I), 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, 비닐기, C1 내지 C20 알킬기, C2 내지 C20 알케닐기, C2 내지 C20 알키닐기, C6 내지 C30 아릴기, C7 내지 C30 아릴알킬기, C6 내지 C30 알릴기, C1 내지 C30 알콕시기, C1 내지 C20 헤테로알킬기, C3 내지 C20 헤테로아릴알킬기, C3 내지 C30 사이클로알킬기, C3 내지 C15의 사이클로알케닐기, C6 내지 C15 사이클로알키닐기, C3 내지 C30 헤테로사이클로알킬기 및 이들의 조합에서 선택된 치환기로 치환된 것을 의미한다.
또한, 본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '헤테로'란, N, O, S 및 P에서 선택된 헤테로 원자를 각각 독립적으로 1개 내지 10개 함유한 것을 의미한다.
또한, 본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '*'는 화합물 또는 화합물 부분(moiety)의 연결 지점을 가리킨다.
이하 일 구현예에 따른 레지스트 하층막용 조성물에 관하여 설명한다.
일 구현예에 따른 레지스트 하층막용 조성물은 하기 화학식 1로 표시되는 구조 단위를 포함하는 중합체; 및 용매를 포함한다.
[화학식 1]
Figure 112019023143940-pat00003
상기 화학식 1에서,
L1 내지 L5는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐렌기 또는 이들의 조합이고,
L6 및 L7은 각각 독립적으로 O, S, S(O), S(O2), C(O), C(O)O, O(CO)O, 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐렌기 또는 이들의 조합이고,
R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 하이드록시기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 에폭시기, 비닐기, (메트)아크릴레이트기, 옥세탄기, 티올기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 티오알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 티오아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이고,
n은 1 내지 1,000의 정수 중 하나이고,
D는 O, S, S(O2), C(O), C(O)O, 또는 이들의 조합이고,
m은 0 또는 1의 정수이고,
*은 연결 지점이고,
A1 및 A2는 각각 독립적으로 O, S, S(O), S(O2), C(O), C(O)O, O(CO)O, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 또는 이들의 조합이고,
A1 및 A2 중 적어도 하나는 하기 화학식 A로 표현되는 기이며:
[화학식 A]
Figure 112019075739139-pat00033
상기 화학식 A에서,
La는 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐렌기 또는 이들의 조합이고,
*는 연결지점이다.
상기 중합체는 주쇄 및 측쇄를 포함하고,
상기 주쇄는 코어에 헤테로사이클로알킬렌 골격이 위치하며, 상기 헤테로사이클로알킬렌에 3개의 산소 원자가 연결되어 있는 구조의 이소시아누르산 모이어티를 적어도 하나 포함한다. 이와 같은 구조를 가짐으로써 구조적으로 높은 막 밀도를 가지게 되어 높은 코팅 균일성, 향상된 접착성을 가질 수 있다. 또한, 식각 공정에서 포토레지스트 층과의 높은 에치 선택비를 가질 수 있으며, 우수한 평탄성을 가질 수 있다.
상기 이소시아누르산 모이어티는 또한 적어도 하나의 히드록시기로 치환되어 있으며, 이와 같은 구조를 가짐으로써 코팅의 균일성을 더욱 확보할 수 있다.
또한, 상기 주쇄는 적어도 하나의 황(S)으로 연결되는 구조이다. 이러한 구조를 포함할 경우 보다 빠른 식각 속도를 가질 수 있다.
상기 측쇄는 주쇄에서 분지되는 형태로 포함되며, 주쇄에서 연결되는 측쇄를 더욱 포함함으로써 막 밀도를 높일 수 있게 되어 코팅 균일성, 향상된 접착성 등 우수한 표면 특성을 구현할 수 있다.
예컨대 상기 A1 및 A2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 또는 이들의 조합일 수 있다.
예컨대 상기 A1 및 A2는 각각 독립적으로 하기 그룹 Ⅰ에 나열된 모이어티에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.
[그룹 Ⅰ]
Figure 112019075739139-pat00034
상기 그룹 Ⅰ에서,
X1 내지 X24는 각각 독립적으로 N, C, NRa, 또는 CRb이고,
Z1 내지 Z6은 각각 독립적으로 O, S, C(O), 또는 CRcRd이고,
Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 및 Rh는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 수소, 히드록시기, 티올기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 비닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 또는 이들의 조합이고,
Lb는 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐렌기 또는 이들의 조합이고,
*은 연결 지점이다.
더욱 구체적인 예로 상기 A1 및 A2는 각각 독립적으로 하기 그룹 Ⅰ-1에 나열된 모이어티에서 선택되는 어느 하나일 수 있다.
[그룹 Ⅰ-1]
Figure 112019075739139-pat00035
상기 그룹 Ⅰ-1에서, *은 연결 지점이다.
예컨대 상기 A1 및 A2 중 어느 하나는 상기 화학식 A로 표시되는 이소시아누르산 골격에서 유도된 모이어티이고, 나머지는 상기 그룹 Ⅰ-1에서 선택되는 모이어티일 수 있다.
예컨대 상기 A1 및 A2 중 어느 하나는 상기 화학식 A로 표시되는 이소시아누르산 골격에서 유도된 모이어티이고, 나머지는 상기 그룹 Ⅰ-1에 나열된 모이어티 중 이소시아누르산 골격을 포함하는 것일 수 있다.
예컨대 상기 중합체는 하기 화학식 2 내지 화학식 5로 표시되는 구조 단위 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
[화학식 2]
Figure 112019075739139-pat00036
[화학식 3]
Figure 112019075739139-pat00037
[화학식 4]
Figure 112019075739139-pat00038
[화학식 5]
Figure 112019023143940-pat00010
상기 화학식 2 내지 화학식 5에서,
R1, R2, n 및 L6 및 L7은 전술한 바와 같고,
L8 내지 L26은 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐렌기 또는 이들의 조합이며,
*은 연결 지점이다.
일 실시예에서 상기 중합체는 하기 화학식 6 내지 화학식 8로 표시되는 구조 단위 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
[화학식 6]
Figure 112019075739139-pat00039
[화학식 7]
Figure 112019075739139-pat00040
[화학식 8]
Figure 112019023143940-pat00013
상기 화학식 6 내지 화학식 8에서,
R1, R2, n 및 L6 및 L7은 전술한 바와 같고, *은 연결 지점이다.
상기 L1 내지 L26으로 표시되는 연결기는 비치환되거나 연결기를 구성하는 수소 원자 중 적어도 하나가 C1 내지 C5 알킬기, 할로겐기, 히드록시기(-OH), 아미노기(-NH2), 카르복실기(-COOH), 아미드기(-CONH2), 티올기(-SH)를 포함하는 그룹에서 선택되는 하나 이상으로 치환된 형태일 수 있다.
예를 들어, 상기 중합체는 1개 이상의 비닐기를 함유하는 단분자, 그리고 1개 이상의 티올기를 함유하는 단분자의 화학반응을 통해 얻어질 수 있다.
상기 1개 이상의 비닐기를 함유하는 단분자는 예컨대 하기 그룹 1에 나열된 단위구조를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[그룹 1]
Figure 112019023143940-pat00014
또한, 1개 이상의 티올기를 함유하는 단분자는 예컨대 하기 그룹 2에 나열된 단위구조를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[그룹 2]
Figure 112019023143940-pat00015
상기 그룹 2에서, k는 1 내지 10의 정수 중 하나이다.
예컨대 상기 n은 1 내지 100의 정수 중 하나이고, 더욱 구체적으로 상기 n은 1 내지 20의 정수 중 하나일 수 있다.
상기 중합체는 용해성이 우수하여 코팅 균일성(coating uniformity)이 우수한 레지스트 하층막을 형성할 수 있고, 상기 중합체를 레지스트 하층막용 재료로서 사용할 경우, 베이크 공정 중 핀-홀 및 보이드의 형성이나 두께 산포의 열화 없이 균일한 박막을 형성할 수 있을 뿐만 아니라 하부 기판(혹은 막)에 단차가 존재하는 경우 혹은 패턴을 형성하는 경우 우수한 갭-필 및 평탄화 특성을 제공할 수 있다.
상기 중합체는 1,000 내지 100,000의 중량평균분자량을 가질 수 있다. 구체적으로는 1,000 내지 50,000이며, 보다 구체적으로는 1,000 내지 20,000의 중량평균분자량을 가질 수 있다. 상기 범위의 중량평균분자량을 가짐으로써 상기 중합체를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물의 탄소 함량 및 용매에 대한 용해도를 조절하여 최적화할 수 있다.
상기 중합체는 상기 레지스트 하층막용 조성물의 총 함량에 대하여 0.1 내지 50 중량%, 0.1 내지 30 중량%, 또는 0.1 내지 15 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위로 포함됨으로써 레지스트 하층막의 두께, 표면 거칠기 및 평탄화 정도를 조절할 수 있다.
상기 용매는 상기 중합체에 대한 충분한 용해성 또는 분산성을 가지는 것이면 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜 디아세테이트, 메톡시 프로판디올, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜 부틸에테르, 트리(에틸렌글리콜)모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 사이클로헥사논, 에틸락테이트, 감마-부티로락톤, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 메틸피롤리돈, 메틸피롤리디논, 아세틸아세톤 및 에틸 3-에톡시프로피오네이트에서 선택되는 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 레지스트 하층막용 조성물은 전술한 중합체 외에도 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 노볼락계 수지, 글루코우릴계 수지 및 멜라민계 수지로부터 선택되는 적어도 하나의 다른 중합체를 더 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 레지스트 하층막용 조성물은 추가적으로 계면활성제, 열산발생제, 가소제 및 이들의 조합 중 적어도 하나의 첨가제를 포함할 수 있다.
상기 계면활성제는 예컨대 알킬벤젠설폰산 염, 알킬피리디늄 염, 폴리에틸렌글리콜, 제4 암모늄 염 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 열산발생제는 예컨대 p-톨루엔술폰산, 트리플루오로메탄술폰산, 피리디늄p-톨루엔술폰산, 살리실산, 술포살리실산, 구연산, 안식향산, 하이드록시안식향산, 나프탈렌카르본산 등의 산성 화합물 또는/및 2,4,4,6-테트라브로모시클로헥사디에논, 벤조인토실레이트, 2-니트로벤질토실레이트, 그 밖에 유기술폰산알킬에스테르 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 첨가제는 상기 레지스트 하층막용 조성물 100 중량부에 대하여 0.001 내지 40 중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위로 포함함으로써 레지스트 하층막용 조성물의 광학적 특성을 변경시키지 않으면서 용해도를 향상시킬 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상술한 레지스트 하층막용 조성물을 사용하여 제조된 레지스트 하층막을 제공한다. 상기 레지스트 하층막은 상술한 레지스트 하층막 용 조성물을 예컨대 기판 위에 코팅한 후 열처리 과정을 통해 경화된 형태일 수 있으며, 예컨대 평탄화막, 반사방지막, 희생막, 충진제 등 전자 디바이스에 사용되는 유기 박막을 포함할 수 있다.
이하, 상술한 중합체의 합성 및 이를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물의 제조에 관한 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하도록 한다. 그러나 하기 실시예들에 의하여 본 발명이 기술적으로 한정되는 것은 아니다.
중합체의 합성
합성예 1:
500 ml 2구 둥근 플라스크에 DAC-EC(1,3-Diallyl-5-(2-hydroxyethyl) isocyanurate) 17.7g, 벤젠-1,4-디티올(Benzene-1,4-Dithiol) 2.2g, AIBN(azobisisobutyronitrile) 2.3g, 및 N,N-디메틸포름아미드(DMF) 15.9g을 투입하고 콘덴서를 연결한다. 온도를 80℃에서 16시간 동안 반응을 진행시킨 뒤 반응액을 상온으로 냉각시킨다. 반응액을 1L 광구병으로 옮긴 후, 물 800g으로 2회 씻어준다. 얻어진 검(gum) 상태의 레진을 테트라하이드로퓨란(THF) 80g을 이용하여 완전히 용해시킨 다음, 800g의 톨루엔을 부어서 침전물을 얻는다. 용매를 따라버린 후, 진공펌프를 이용하여 레진에 남아있는 잔여 용매를 제거했다.
최종적으로 하기 화학식 9로 표현되는 구조 단위를 포함하는 중합체(Mw=8,500)를 얻었다.
[화학식 9]
Figure 112019023143940-pat00016
화학식 9에서 n은 10, m은 8이다.
합성예 2:
500 ml 2구 둥근 플라스크에 DAC-EC(1,3-Diallyl-5-(2-hydroxyethyl) isocyanurate) 17.7g, 1,3-비스(3-머캅토프로필)-5-(2,2,3,3,3-플루오로프로필)-1,3,5-트리아진-2,4,6(1H,3H,5H)트리온(1,3-Bis(3-mercaptopropyl)-5-(2,2,3,3,3-fluoropropyl)-1,3,5-triazine-2,4,6(1H,3H,5H)trione) 1.1g, AIBN(azobisisobutyronitrile) 2.3g, 및 N,N-디메틸포름아미드(DMF) 15.9g을 투입하고 콘덴서를 연결한다. 온도를 80℃에서 16시간 동안 반응을 진행시킨 뒤 반응액을 상온으로 냉각시킨다. 반응액을 1L 광구병으로 옮긴 후, 물 800g으로 2회 씻어준다. 얻어진 검(gum) 상태의 레진을 테트라하이드로퓨란(THF) 80g을 이용하여 완전히 용해시킨 다음, 800g의 톨루엔을 부어서 침전물을 얻는다. 용매를 따라버린 후, 진공펌프를 이용하여 레진에 남아있는 잔여 용매를 제거했다.
최종적으로 하기 화학식 10으로 표현되는 구조 단위를 포함하는 중합체(Mw=10,500)를 얻었다.
[화학식 10]
Figure 112019023143940-pat00017
화학식 10에서 n은 8, m은 5이다.
합성예 3:
500 ml 2구 둥근 플라스크에 1,3-디-2-프로페닐-2,4-이미다졸리딘디온(1,3-Di-2-propen-1-yl-2,4-imidazolidinedione) 15.4g, 1,3-비스(3-머캅토프로필)-5-(2-히드록시에틸)-1,3,5-트리아진-2,4,6(1H,3H,5H)트리온(1,3-Bis(3-mercaptopropyl)-5-(2-hydroxyethyl)-1,3,5-triazine-2,4,6(1H,3H,5H)trione) 4.7g, AIBN(azobisisobutyronitrile) 2.1g, 및 N,N-디메틸포름아미드(DMF) 15.9g을 투입하고 콘덴서를 연결한다. 온도를 80℃에서 16시간 동안 반응을 진행시킨 뒤 반응액을 상온으로 냉각시킨다. 반응액을 1L 광구병으로 옮긴 후, 물 800g으로 2회 씻어준다. 얻어진 검(gum) 상태의 레진을 테트라하이드로퓨란(THF) 80g을 이용하여 완전히 용해시킨 다음, 800g의 톨루엔을 부어서 침전물을 얻는다. 용매를 따라버린 후, 진공펌프를 이용하여 레진에 남아있는 잔여 용매를 제거했다.
최종적으로 하기 화학식 11로 표현되는 구조 단위를 포함하는 중합체(Mw=9,600)를 얻었다.
[화학식 11]
Figure 112019023143940-pat00018
화학식 11에서 n은 11, m은 6이다.
비교합성예 1:
500 ml 2구 둥근 플라스크에 DAC-EC(1,3-Diallyl-5-(2-hydroxyethyl) isocyanurate) 15.4g, 1,2-에탄디티올(1,2-Ethanedithiol) 9g, AIBN(azobisisobutyronitrile) 1.8g, 및 N,N-디메틸포름아미드(DMF) 40g을 투입하고 콘덴서를 연결한다. 온도를 80℃에서 16시간 동안 반응을 진행시킨 뒤 반응액을 상온으로 냉각시킨다. 반응액을 1L 광구병으로 옮긴 후, 물 800g으로 2회 씻어준다. 얻어진 검(gum) 상태의 레진을 테트라하이드로퓨란(THF) 80g을 이용하여 완전히 용해시킨 다음, 800g의 톨루엔을 부어서 침전물을 얻는다. 용매를 따라버린 후, 진공펌프를 이용하여 레진에 남아있는 잔여 용매를 제거했다.
최종적으로 하기 화학식 12로 표현되는 구조 단위를 포함하는 중합체(Mw=5,000)를 얻었다.
[화학식 12]
Figure 112019023143940-pat00019
화학식 12에서 n은 12 이다.
비교합성예 2:
500 ml 2구 둥근 플라스크에 메틸 메타크릴레이트(Methyl methacrylate) 8g, 2-히드록시에틸 메타크릴레이트(2-Hydroxyethyl Methacrylate) 10.5g, AIBN(azobisisobutyronitrile) 1.8g, 및 N,N-디메틸포름아미드(DMF) 30g을 투입하고 콘덴서를 연결한다. 온도를 80℃에서 16시간 동안 반응을 진행시킨 뒤 반응액을 상온으로 냉각시킨다. 반응액을 1L 광구병으로 옮긴 후, 물 800g으로 2회 씻어준다. 얻어진 검(gum) 상태의 레진을 테트라하이드로퓨란(THF) 80g을 이용하여 완전히 용해시킨 다음, 800g의 톨루엔을 부어서 침전물을 얻는다. 용매를 따라버린 후, 진공펌프를 이용하여 레진에 남아있는 잔여 용매를 제거했다.
최종적으로 하기 화학식 13으로 표현되는 구조 단위를 포함하는 중합체(Mw=6,000)를 얻었다.
[화학식 13]
Figure 112019023143940-pat00020
화학식 13에서 n은 8, m은 8이다.
레지스트 하층막용 조성물의 제조
실시예 1
합성예 1로부터 제조된 중합체 100 중량부에 대해 PD1174(TCI社; 경화제) 10 중량부) 및 Pyridinium p-toluenesulfonate 0.6 중량부를 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 및 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트의 혼합 용매(혼합 중량비 = 1:1)에 녹인 후, 6시간 동안 교반하여 레지스트 하층막용 조성물을 제조하였다.
상기 혼합 용매 사용량은 상기 중합체 고형분 함량이 제조되는 레지스트 하층막용 조성물 전체 함량에 대하여 2 중량%가 되도록 하였다.
실시예 2 및 실시예 3
합성예 2 및 3으로부터 제조된 중합체를 각각 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하여 레지스트 하층막용 조성물을 제조하였다.
비교예 1 및 비교예 2
비교합성예 1 및 2로부터 제조된 중합체를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 하여 레지스트 하층막용 조성물을 제조하였다.
평가 1: 코팅 균일성 (Coating uniformity)
실시예 1 내지 3 및 비교예 1 또는 2로부터 제조된 조성물을 각각 2㎖씩 취하여 8인치 웨이퍼 위에 각각 도포한 후 auto track(TEL社 ACT-8)을 이용하여 main spin 속도 1,500rpm으로 20초 동안 스핀 코팅을 진행한 후 230℃에서 90초 동안 경화를 함으로써 5nm 두께의 박막을 형성하였다. 횡축으로 51point의 두께를 측정하여 uniformity를 비교하였다.
그 결과를 표 1에 나타낸다.
표 1에서 Coating uniformity(%) 값이 작을수록 코팅 균일성이 우수한 것이다.
Coating uniformity(%)
실시예 1 5.2
실시예 2 7.6
실시예 3 7.7
비교예 1 9.2
비교예 2 10.5
표 1을 참고하면, 실시예 1 내지 3에 따른 레지스트 하층막용 조성물은 비교예 1 또는 2에 따른 레지스트 하층막용 조성물과 비교하여 코팅 균일성이 우수함을 알 수 있다.
평가 2: 접촉각 (Contact angle)
실시예 1 내지 3 및 비교예 1 또는 2로부터 제조된 조성물을 각각 2㎖씩 취하여 8인치 웨이퍼 위에 각각 도포한 후 스핀 코터(Mikasa社)를 이용하여 1,500rpm으로 20초 동안 스핀 코팅을 진행하였다. 이후 210℃에서 90초 동안 경화를 실시하여 박막을 형성한 후 증류수(DIW)를 표면에 떨어뜨렸을 때의 접촉각을 측정하였다. 측정된 접촉각은 하기 표 2에 기재된 것과 같다.
접촉각이 클수록 레지스트와의 접착력이 우수한 것을 의미한다고 볼 수 있다.
접촉각(°)
실시예 1 65
실시예 2 64
실시예 3 61
비교예 1 60
비교예 2 52
평가 3: Dry Etch test
실시예 1 내지 3 및 비교예 1 또는 2로부터 제조된 조성물을 각각 2㎖씩 취하여 12인치 웨이퍼 위에 각각 도포한 후 SVS-MX3000 오토트랙을 이용하여 1,500rpm으로 20초 동안 스핀코팅을 진행하였다. 이 후 205℃에서 60초 동안 경화하여 레지스트 하층막을 형성하였다. 형성된 레지스트 하층막 각각에 대하여 CF4, CHF3, O2 가스 하에서 20초 동안 식각을 진행하고 식각된 두께를 측정하여 식각속도를 확인하였으며, 그 결과를 하기 표 3에 기입하였다.
표 3에서 식각속도의 결과값은 비교예 2의 값을 기준(1.0)으로 설정하고, 상기 비교예 2 대비 실시예들의 식각속도를 상대적인 비율로 표기하였다.
식각속도
실시예 1 1.42
실시예 2 1.55
실시예 3 1.52
비교예 1 1.44
비교예 2 1.0
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.

Claims (13)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 구조 단위를 포함하는 중합체; 및
    용매
    를 포함하는, 레지스트 하층막용 조성물:
    [화학식 1]
    Figure 112019075739139-pat00021

    상기 화학식 1에서,
    L1 내지 L5는 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐렌기 또는 이들의 조합이고,
    L6 및 L7은 각각 독립적으로 O, S, S(O), S(O2), C(O), C(O)O, O(CO)O, 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐렌기 또는 이들의 조합이고,
    R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 하이드록시기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 에폭시기, 비닐기, (메트)아크릴레이트기, 옥세탄기, 티올기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 티오알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 티오아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이고,
    n은 1 내지 1,000의 정수 중 하나이고,
    D는 O, S, S(O2), C(O), C(O)O, 또는 이들의 조합이고,
    m은 0 또는 1의 정수이고,
    *은 연결 지점이고,
    A1 및 A2는 각각 독립적으로 O, S, S(O), S(O2), C(O), C(O)O, O(CO)O, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 또는 이들의 조합이고,
    A1 및 A2 중 적어도 하나는 하기 화학식 A로 표현되는 기이며:
    [화학식 A]
    Figure 112019075739139-pat00041

    상기 화학식 A에서,
    La는 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐렌기 또는 이들의 조합이고,
    *는 연결지점이다.
  2. 제1항에서,
    상기 A1 및 A2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C3 내지 C10 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 또는 이들의 조합인, 레지스트 하층막용 조성물.
  3. 제2항에서,
    상기 A1 및 A2는 각각 독립적으로 하기 그룹 Ⅰ에 나열된 모이어티에서 선택되는 어느 하나인, 레지스트 하층막용 조성물:
    [그룹 Ⅰ]
    Figure 112019075739139-pat00042

    상기 그룹 Ⅰ에서,
    X1 내지 X24는 각각 독립적으로 N, C, NRa, 또는 CRb이고,
    Z1 내지 Z6은 각각 독립적으로 O, S, C(O), 또는 CRcRd이고,
    Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 및 Rh는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 수소, 히드록시기, 티올기, 할로겐기, 치환 또는 비치환된 비닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 또는 이들의 조합이고,
    Lb는 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐렌기 또는 이들의 조합이고,
    *은 연결 지점이다.
  4. 제3항에서,
    상기 A1 및 A2는 각각 독립적으로 하기 그룹 Ⅰ-1에 나열된 모이어티에서 선택되는 어느 하나인, 레지스트 하층막용 조성물:
    [그룹 Ⅰ-1]
    Figure 112019075739139-pat00043

    상기 그룹 Ⅰ-1에서, *은 연결 지점이다.
  5. 제1항에서,
    상기 중합체는 하기 화학식 2 내지 화학식 5로 표시되는 구조 단위 중 적어도 하나를 포함하는, 레지스트 하층막용 조성물:
    [화학식 2]
    Figure 112019075739139-pat00044

    [화학식 3]
    Figure 112019075739139-pat00045

    [화학식 4]
    Figure 112019075739139-pat00046

    [화학식 5]
    Figure 112019075739139-pat00028

    상기 화학식 2 내지 화학식 5에서,
    R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 하이드록시기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 에폭시기, 비닐기, (메트)아크릴레이트기, 옥세탄기, 티올기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 티오알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 티오아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이고,
    n은 1 내지 1,000의 정수 중 하나이고,
    L6 및 L7은 각각 독립적으로 O, S, S(O), S(O2), C(O), C(O)O, O(CO)O, 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐렌기 또는 이들의 조합이고,
    L8 내지 L26은 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐렌기 또는 이들의 조합이며,
    *은 연결 지점이다.
  6. 제1항에서,
    상기 중합체는 하기 화학식 6 내지 화학식 8로 표시되는 구조 단위 중 적어도 하나를 포함하는, 레지스트 하층막용 조성물:
    [화학식 6]
    Figure 112019075739139-pat00047

    [화학식 7]
    Figure 112019075739139-pat00048

    [화학식 8]
    Figure 112019075739139-pat00031

    상기 화학식 6 내지 화학식 8에서,
    R1 및 R2는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 하이드록시기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 에폭시기, 비닐기, (메트)아크릴레이트기, 옥세탄기, 티올기, 카르복실기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 티오알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 티오아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이고,
    n은 1 내지 1,000의 정수 중 하나이고,
    L6 및 L7은 각각 독립적으로 O, S, S(O), S(O2), C(O), C(O)O, O(CO)O, 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알키닐렌기 또는 이들의 조합이고,
    *은 연결 지점이다.
  7. 제1항에서,
    상기 중합체의 중량평균분자량이 1,000 내지 100,000인 레지스트 하층막용 조성물.
  8. 제1항에서,
    상기 중합체는 상기 조성물의 총 함량에 대하여 0.1 중량% 내지 50 중량% 포함되는, 레지스트 하층막용 조성물.
  9. 제1항에서,
    아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 노볼락계 수지, 글루코우릴계 수지 및 멜라민계 수지로부터 선택되는 적어도 하나의 중합체를 더 포함하는 레지스트 하층막용 조성물.
  10. 제1항에서,
    계면활성제, 열산 발생제, 가소제 또는 이들의 조합 중 적어도 하나의 첨가제를 더 포함하는 레지스트 하층막용 조성물.
  11. 기판 위에 식각 대상 막을 형성하는 단계,
    상기 식각 대상 막 위에 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 레지스트 하층막용 조성물을 적용하여 레지스트 하층막을 형성하는 단계,
    상기 레지스트 하층막 위에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 그리고
    상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 레지스트 하층막 및 상기 식각 대상막을 순차적으로 식각하는 단계
    를 포함하는 패턴 형성 방법.
  12. 제11항에서,
    상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는
    상기 레지스트 하층막 위에 포토레지스트 막을 형성하는 단계,
    상기 포토레지스트 막을 노광하는 단계, 그리고
    상기 포토레지스트 막을 현상하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법.
  13. 제11항에서,
    상기 레지스트 하층막을 형성하는 단계는 상기 레지스트 하층막용 조성물의 코팅 후 100 ℃ 내지 500 ℃의 온도로 열처리하는 단계를 더 포함하는 패턴 형성 방법.
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US16/789,233 US11249396B2 (en) 2019-03-06 2020-02-12 Resist underlayer composition, and method of forming patterns using the composition
JP2020023469A JP6963049B2 (ja) 2019-03-06 2020-02-14 レジスト下層膜用組成物およびこれを利用したパターン形成方法
TW109105331A TWI745870B (zh) 2019-03-06 2020-02-19 抗蝕劑底層組成物和使用所述組成物形成圖案的方法
CN202010116537.XA CN111665683B (zh) 2019-03-06 2020-02-25 抗蚀剂底层组合物和使用所述组合物形成图案的方法

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102487404B1 (ko) * 2017-07-26 2023-01-12 에스케이이노베이션 주식회사 바닥반사 방지막 형성용 중합체 및 이를 포함하는 바닥반사 방지막 형성용 조성물
KR102400603B1 (ko) * 2019-03-29 2022-05-19 삼성에스디아이 주식회사 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR102675074B1 (ko) * 2020-11-20 2024-06-12 삼성에스디아이 주식회사 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법
KR102758734B1 (ko) * 2021-07-30 2025-01-21 삼성에스디아이 주식회사 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015163195A1 (ja) 2014-04-25 2015-10-29 日産化学工業株式会社 レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7332266B2 (en) 2001-04-10 2008-02-19 Nissan Chemical Industries, Ltd. Composition for forming anti-reflective coating for use in lithography
JP4247643B2 (ja) 2004-03-16 2009-04-02 日産化学工業株式会社 硫黄原子を含有する反射防止膜
JP5302688B2 (ja) * 2006-11-21 2013-10-02 昭和電工株式会社 ヒドロキシル基含有チオール化合物を含む硬化性組成物およびその硬化物
US8329387B2 (en) * 2008-07-08 2012-12-11 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating compositions
KR101766796B1 (ko) 2008-11-27 2017-08-09 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 아웃가스 발생이 저감된 레지스트 하층막 형성 조성물
JP5477593B2 (ja) 2008-12-26 2014-04-23 日産化学工業株式会社 レジスト下層膜形成組成物用添加剤及びそれを含むレジスト下層膜形成用組成物
US9217921B2 (en) 2009-06-02 2015-12-22 Nissan Chemical Industries, Ltd. Resist underlayer film forming composition containing silicon having sulfide bond
KR101414278B1 (ko) * 2009-11-13 2014-07-02 제일모직 주식회사 레지스트 하층막용 고분자, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 소자의 패턴 형성 방법
WO2011102470A1 (ja) 2010-02-19 2011-08-25 日産化学工業株式会社 窒素含有環を有するシリコン含有レジスト下層膜形成組成物
KR101682919B1 (ko) 2010-11-17 2016-12-06 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 레지스트 하층막 형성 조성물 및 이를 이용한 레지스트 패턴의 형성방법
WO2013018802A1 (ja) 2011-08-04 2013-02-07 日産化学工業株式会社 縮合系ポリマーを有するｅｕｖリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物
WO2013062255A2 (ko) * 2011-10-27 2013-05-02 제일모직 주식회사 열산발생제 결합 모노머, 상기 열산발생제 결합 모노머로부터 얻어진 중합체, 상기 중합체를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 상기 레지스트 하층막용 조성물을 사용한 패턴 형성 방법
WO2013100411A1 (ko) * 2011-12-30 2013-07-04 제일모직 주식회사 시아누릭산 유도체, 상기 시아누릭산 유도체를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 상기 레지스트 하층막용 조성물을 사용한 패턴 형성 방법
JP5942859B2 (ja) * 2012-01-27 2016-06-29 信越化学工業株式会社 シリコーン骨格含有高分子化合物、樹脂組成物、光硬化性ドライフィルム
TWI585537B (zh) 2012-02-09 2017-06-01 日產化學工業股份有限公司 膜形成組成物及離子注入方法
JP2014014034A (ja) 2012-07-05 2014-01-23 Toshiba Corp 視差画像生成装置及び視差画像生成方法
KR101556279B1 (ko) * 2012-12-26 2015-09-30 제일모직 주식회사 레지스트 하층막용 조성물 및 패턴 형성 방법
KR102161960B1 (ko) 2013-06-03 2020-10-07 에이제트 일렉트로닉 머티어리얼스 (룩셈부르크) 에스.에이.알.엘. 레지스트 하층막 형성용 조성물
CN105431780B (zh) 2013-08-08 2020-01-03 日产化学工业株式会社 含有包含含氮环化合物的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物
KR102008161B1 (ko) 2013-09-27 2019-08-07 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 레지스트 하층막 형성 조성물 및 이를 이용한 레지스트 패턴의 형성방법
JP6458954B2 (ja) 2013-12-27 2019-01-30 日産化学株式会社 トリアジン環及び硫黄原子を主鎖に有する共重合体を含むレジスト下層膜形成組成物
JP2015145944A (ja) 2014-02-03 2015-08-13 日産化学工業株式会社 レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法
WO2015146443A1 (ja) 2014-03-26 2015-10-01 日産化学工業株式会社 添加剤及び該添加剤を含むレジスト下層膜形成組成物
KR101771543B1 (ko) 2014-08-14 2017-08-25 삼성에스디아이 주식회사 모노머, 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법
EP3267256A4 (en) 2015-03-03 2018-12-12 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Underlayer film-forming material for lithography, underlayer film-forming composition for lithography, underlayer film for lithography, resist pattern-forming method, and circuit pattern-forming method
KR101821735B1 (ko) * 2015-03-20 2018-01-24 삼성에스디아이 주식회사 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법
KR101798935B1 (ko) * 2015-04-10 2017-11-17 삼성에스디아이 주식회사 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법
JP2016222761A (ja) 2015-05-27 2016-12-28 大日本印刷株式会社 樹脂組成物、リフレクター、リフレクター付きリードフレーム、半導体発光装置、架橋剤用イソシアヌレート化合物、及び架橋剤用グリコールウリル化合物
KR102441290B1 (ko) 2015-07-29 2022-09-07 주식회사 동진쎄미켐 유기 반사방지막 형성용 조성물
KR101848344B1 (ko) * 2015-10-23 2018-04-12 삼성에스디아이 주식회사 중합체, 유기막 조성물, 및 패턴형성방법
KR102653125B1 (ko) 2016-01-13 2024-04-01 삼성전자주식회사 포토레지스트의 하부막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR102047538B1 (ko) 2017-02-03 2019-11-21 삼성에스디아이 주식회사 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법
KR102003345B1 (ko) * 2017-04-28 2019-07-24 삼성에스디아이 주식회사 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015163195A1 (ja) 2014-04-25 2015-10-29 日産化学工業株式会社 レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法

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