[go: up one dir, main page]

JP5563803B2 - 回折構造体、広帯域、偏光、エリプソメトリおよび下地構造の測定 - Google Patents

回折構造体、広帯域、偏光、エリプソメトリおよび下地構造の測定 Download PDF

Info

Publication number
JP5563803B2
JP5563803B2 JP2009244175A JP2009244175A JP5563803B2 JP 5563803 B2 JP5563803 B2 JP 5563803B2 JP 2009244175 A JP2009244175 A JP 2009244175A JP 2009244175 A JP2009244175 A JP 2009244175A JP 5563803 B2 JP5563803 B2 JP 5563803B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
scatterometer
radiation
diffractive structure
parameters
polarizer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2009244175A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010133941A (ja
Inventor
ジュー，イーピン
アブドウルハリム，イブラヒム
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KLA Corp
Original Assignee
KLA Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by KLA Corp filed Critical KLA Corp
Publication of JP2010133941A publication Critical patent/JP2010133941A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5563803B2 publication Critical patent/JP5563803B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0641—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of polarization
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/21—Polarisation-affecting properties
    • G01N21/211—Ellipsometry
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
    • G01N21/4788—Diffraction
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/55—Specular reflectivity
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/21—Polarisation-affecting properties
    • G01N21/211—Ellipsometry
    • G01N2021/213—Spectrometric ellipsometry
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/55—Specular reflectivity
    • G01N2021/556—Measuring separately scattering and specular
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N21/95607—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method
    • G01N2021/95615—Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method with stored comparision signal
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

本発明は、概して散乱計に関し、特に、分光散乱計装置に関する。
超小型電子装置の内蔵が増え、その速度が上昇するにしたがって、回路の構造は、寸法が縮小され、プロファイル・エッジの鋭さが改善されつづけている。現時点の技術的水準の装置は、かなりの処理工程を必要とする。各処理工程において、極微線幅の正確な測定やパターンウェハ上のエッチング構造のプロファイルに関する定量的説明の重要性がますます高まってきている。さらに、工程監視やフォトリソグラフィにおける焦点露出制御のような閉ループ制御がますます必要になってきている。
散乱計測定法のような回折を基礎とした分析技術は、特に、非破壊的であり、適度な正確性を有し、反復可能であり、高速であり、単純であり、重要な寸法走査電子顕微鏡検査（ＣＤ−ＳＥＭ）に比べて安価であるため、マイクロエレクトロニクス計測学に適用するのに適している。
散乱計測定法は、構造体から散乱した光の角度分解測定であり特徴付けである。断続的な構造体の場合、入射光は、散乱または異なる次数に回折する。入射角θｉの角度に対するｍ次回折の角度位置θｒは、次に示す格子式で求める。
Figure 0005563803
ここで、λは、入射光の波長であり、ｄは、回折構造体の周期である。
構造体から回折した光のパターンは構造体自体の寸法を識別するための“指紋”または“署名”として使用することができる。周期に加え、幅、段の高さ、線の形状、基礎をなしている膜の層の厚み、および側壁角などのような、後に構造体のパラメータと呼ぶ、さらに詳しい寸法も、分散パターンを分析することによって測定することができる。
現時点の技術的水準の装置における格子の周期は、一般的に１μｍ未満で、実際の角度範囲において０次±１次の次数しか存在しない。回折包絡線全体を測定する伝統的な散乱計では、正確な分析に必要とされるデータを得ることができない。極微周期の地形構造を特徴付ける従来の光学技術は、２−Θ散乱計測定法と呼ばれる。
２−Θ散乱計は、照射光の入射角の関数で一つの回折次数の強度を監視する。サンプルから０次の強度変化は、より高い回折次数とともに、照射されているサンプルの特性を判定するのに有効な情報を提供する。なぜならば、サンプルの特性は、サンプルを製造する際に使用した工程によって決定し、この情報は、工程の間接的な監視としても有効だからである。
２−Θ散乱計測定法では、単一の波長の干渉光線、例えば、ヘリウム−ネオンレーザを、ステージ上に取り付けたサンプル上に照射する。サンプルステージまたは照射光線のいずれかを回転させることにより、サンプルへの入射角が変化する。入射角の関数である（０次または１次などのような）特定の回折次数の強度は、２−Θプロットまたは分散“署名”と呼ばれ、コンピュータにダウンロードされる。線幅、段の高さ、線の形状、または側壁の角度（側壁とその基礎をなしている面との間の角度であって、“側壁角”としても知られている）などのような異なるパラメータを判別するため、回折モデルを用いている。前に概述した異なる格子パラメータはパラメータ化され、パラメータの空間は各格子形状のパラメータをある一定の範囲にわたって変化させることによって求められる。
厳密な回折モデルを使ってパラメータ空間の各格子から理論上の解析光の指紋を計算し、統計的予測アルゴリズムをこの理論上の較正データに合わせる。次に、この予測アルゴリズムを使って、対象となるサンプルの構造体から測定した２−Θプロットまたは分散“署名”に対応するパラメータを求める。
２−Θ散乱計測定法は、一部の環境において有効である一方、多くの欠点を有する。周期的な回折構造体は、光を伝達する一枚以上の膜の上に位置していることがしばしばある。したがって、使用した回折モデルは、回折構造体の基礎をなしている膜の厚みおよび光学指数をすべて明らかにしなければならない。ある方法では、すべての層の厚みおよび光学指数を予め知っておかなければならない。こうした数値が予めわかっていないことが多いため、この方法は好ましくない。特に、半導体製造に使用する材料の膜厚と光学指数は、工程によって変化することが多い。
前述した問題を解決するもう一つの方法として、基礎をなしている膜材料の膜厚および光学指数を含む、未知のパラメータすべてをモデルに含む方法がある。このように、モデルの変数の数を増やすことによって、計算しなければならない署名の数が急激に増えるので、それに関わる計算時間により、この方法は、実時間測定には適さなくなる。
さらに、サンプリング光線の入射角の関数である特定の回折次数の強度は、入射角の変化に伴って順次獲得するので、２−Θプロットまたは分散“署名”のデータ獲得は遅く、検出された強度は、入射角の変化に応じて徐々に変化する装置の振動や不規則な電子ノイズのような様々な騒音源に曝され続けることになる。
もう一つの方法は、米国特許第５，６０７，８００号（特許文献１）でザイガーが提案している。この方法では、特定のパターンの膜を測定したい場合に、まず、例えば、第１のウェハ上に線と空間のパターンを形成することによって、測定するパターン化された膜の特性に近い、予め決められた周知の格子特性を有する第１のパターン化された配置を作る。そして、分光反射率計を使ってこの第１の配置から反射した信号の振幅を測定して署名を得る。次に、第２のウェハ上でもう一つの線と空間のパターンのような、測定するパターン化された膜の特性に近い周知の格子特性を有する第２のパターン化された配置を求め、分光反射率計を使って、この配置から反射した信号の振幅を測定する。別のウェハに対してもこの工程を繰り返し、形成した署名をデータベースとしてまとめる。そして、対象となるサンプルのパターンの膜を、分光反射率計を使って測定し、その署名をデータベースの中のものと比較する。そして、対象となるフィルムの署名と適合するデータベースの中の署名を使って、対象となる膜の格子特性またはパラメータを求めるのである。
ザイガーの方法は、対象となるパターンと類似した複数の参照パターンを複製し、それらの参照パターンを測定してデータベースを構築し、対象となるパターンから測定できるようにする必要があるため、限度があり、実際的ではない。また、ザイガーの方法は、膜の反射率と基板の反射率との間に対照的な差がなければならない。あるいは、ザイガーの方法は、基礎をなしている基板の反射率と類似した反射率を有する材料からなる線形パターンの格子特性を測定する際には使用することができない。
前述した方法のいずれも、完全に満足のいくものではない。したがって、より高性能の改良された散乱計を提供することが望まれる。
米国特許第５，６０７，８００号 米国特許第５，６０８，５２６号 米国特許出願第０８／２２７，４８２号 米国特許第４，９０５，１７０号
"Optical Characterization of Amorphous and Polycrystalline Silicon Films," by Ibok et al., reprinted from August 1995 edition of Solid State Technology published by PennWell Publishing Company "Optical Dispersion Relations for Amorphous Semiconduc tors and Amorphous Dielectrics," by Forouhi et al., Phsical Review B, vol. 34, no. 10, pp 7018-7026, Nov. 15, 1986 "Optical Properties of Crystalline Semiconductors and Dielectrics," by Forouhi, et al., Phsical Review B, vol. 38, no. 3, pp 1865-1874 "Convergence of the Coupled-wave Method for Metallic Lamellar Diffraction Gratings," by Li et al., Journal of the Optical Society of America A, vol. 10, No. 6, pp. 1184-1189, June 1993 "Multilayer Modal Method for Diffraction Gratings of Arbitrary Profile, Depth, and Permittivity," by Li et al., Journal of the Opticla Society of America A, vol. 10, no. 12, pp. 2582-2591, Dec. 1993 "Rigorous coupled-wave analysis of planar-grating diffraction," by M. Moharam et al., J. Opt. Soc. Am., Vol. 71, No. 7, July 1981, pp. 811-818 "Stable implementation of the rigorous coupled-wave analysis for surface-relief gratings: enhanced transmittance matrix approach," by M. Moharam et al., J. Opt. Soc. Am. A, Vol. 12, No. 5, May 1995, pp. 1077-1086 "Analysis and Applications of Optical Diffraction by Gratings," T. Gaylord et al., Proceedings of the IEEE, Vol. 73, No.5, May 1985, pp. 894-937
本発明の一つの態様は、光学指数および膜厚を有する下地構造上に位置する回折構造体の一つ以上のパラメータを測定する方法であって、下地構造の光学指数および膜厚を求める工程と、下地構造の光学指数および膜厚を用いて前記回折構造体に対する一つ以上のパラメータの参照データベースを構築する工程と、前記回折構造体に複数の波長の電磁放射線を方向付ける工程とを含む。さらに、この方法は、前記構造体から前記複数の波長における回折の強度またはエリプソメトリックなパラメータを検出する工程と、前記検出した強度またはエリプソメトリックなパラメータを前記データベースと比較して前記一つ以上のパラメータを判定する工程とを含む。
本発明のもう一つの態様は、光学指数および膜厚を有する下地構造上に位置する回折構造体の一つ以上のパラメータを測定するための装置であって、下地構造の光学指数および膜厚を用いて前記回折構造体に対する一つ以上のパラメータの参照データベースを構築する手段と、複数の波長のエネルギーを含む電磁放射線を前記回折構造体に方向付ける手段とを備えている。さらに、この装置は、前記構造体から前記複数の波長における回折の強度またはエリプソメトリックなパラメータを検出する手段と、前記検出した強度またはエリプソメトリックなパラメータを前記データベースと比較して一つ以上のパラメータを決定する手段とを備えている。
本発明のもう一つの態様は、サンプルの回折構造体のパラメータを測定する散乱計であって、広帯域放射線を出す放射線源と、広帯域放射線を偏光して構造体をサンプリングするサンプリング光線を生成する偏光器と、一定の範囲の波長にわたる構造体から回折の強度またはエリプソメトリックなパラメータを検出する手段とを含む。
本発明のもう一つの態様は、サンプルの回折構造体の一つ以上のパラメータを測定する方法であって、広帯域放射線を出す工程と、広帯域放射線を偏光してサンプリング光線を生成する工程と、サンプリング光線を構造体に方向付ける工程とを含む。さらに、この方法は、一定の範囲の波長における構造体から回折したサンプリング光線の放射線を検出する工程と、検出した放射線を参照と比較して前記一つ以上のパラメータを判定する工程とを含む。
本発明のもう一つの態様は、サンプルの下地構造上に位置する回折構造体の一つ以上のパラメータを測定するための計器であって、広帯域放射線源と、前記放射線を偏光してサンプリング光線をサンプルに向けて供給する偏光器と、構造体から回折した放射線を受け取って出力光線を出す検光器とを含む。さらに、この計器は、出力光線を検出する分光計を備えている。
本発明のもう一つの態様は、サンプルの下地構造上に位置する回折構造体の一つ以上のパラメータを測定する方法であって、前記下地構造上で分光測定を行ってその特性を判定する工程と、前記下地構造の前記特性を用いて前記回折構造体に対する一つ以上のパラメータの参照データベースを構築する工程と、回折構造体上で散乱計測定を行って強度またはエリプソメトリックなデータを得る工程と、前記強度またはエリプソメトリックなデータを参照データベースと比較して前記一つ以上のパラメータを導き出す工程とを含む。
本発明のもう一つの態様は、サンプルを測定する計器であって、スペクトルに対してサンプルの膜厚データおよび屈折率のデータを測定する分光装置と、前記スペクトルに対して前記サンプルの回折構造体から回折データを測定する散乱計と、膜厚データ、屈折率データ、および回折データから構造体に対する物理的なパラメータを導き出す手段とを備えている。
説明を簡潔にするため、本適用方法において、同じ構成要素に対しては同じ番号を付してある。
本発明の好ましい実施形態を例示するための分光散乱計の略図である。 本発明の好ましい実施形態を例示するための図１Ａの分光散乱計の一部分の略図である。 本発明を説明するのに有効なベヤシリコン基板上のフォトレジストの線形パターンを含む半導体ウェハの断面図である。 ゼロ次回折の強度を、公称線幅が２５０ｎｍであると仮定した場合の２−Θ散乱計における照射光線の入射角の５１個の異なる関数で表したグラフであって、５１個の関数は、本発明の予測結果と比較するため、線幅を２２５〜２７５ｎｍであると仮定して１ｎｍごとに求めたものである。 ゼロ次回折の強度を、公称線幅が２５０ｎｍであると仮定した場合の本発明による照射光線の波長の５１個の異なる関数で表したグラフであって、５１個の関数は、本発明の予測結果と比較するため、線幅を２２５〜２７５ｎｍであると仮定して１ｎｍごとに求めたものである。 ２５０ｎｍの公称線幅を有する格子に対して生成された署名と、他の線幅で得られた他の署名との間の平均二乗誤差測定を線幅の関数で表したグラフであって、本発明を例示するのに役立つ２−Θ散乱計測定法と、全スペクトルの紫外線（ＵＶ）と可視波長帯域だけでなく、スペクトルの全領域に本発明の好ましい実施形態とを使用している。 エリプソメトリックなパラメータｔａｎ（ｐｓｉ）の強度を、公称線幅が１８０ｎｍであると仮定した場合の本発明による照射光線の波長の５個の異なる関数で表したグラフであって、５個の関数は、本発明の予測結果と比較するため、線幅を１７８、１７９、１８０、１８１、１８２ｎｍであると仮定して求めたものである。 エリプソメトリックなパラメータｃｏｓ（ｄｅｌｔａ）の強度を、公称線幅が１８０ｎｍであると仮定した場合の本発明による照射光線の波長の５個の異なる関数で表したグラフであって、５個の関数は、本発明の予測結果と比較するため、１７８、１７９、１８０、１８１、１８２ｎｍであると仮定して求めたものである。 公称線幅が１８０ｎｍである格子用の署名と他の線幅の格子用の他の署名との間のｔａｎ（ｐｓｉ）とｃｏｓ（ｄｅｌｔａ）を使った二組の相関関係の関数のグラフである。
本発明は、回折構造体の下に位置する膜の膜厚と光学指数などのような特性を測定するか、または求めることによって、その後のデータベースの構築や回折構造体の署名をデータベースに適合させるなどのタスクが非常に簡素化される。さらに、分光エリプソメトリを使って回折構造体の下の膜の膜厚と光学指数を測定する場合、両機能を実行するために分光エリプソメトリと分光散乱計測法に使用できる計器を提供することができる。好ましい実施形態では、計器の中の分光エリプソメータとそれに付随する分光散乱計が共通の光学要素を共有することにより、それを組み合わせた計器のコストを低減し、その操作を簡素化している。
まず、基礎をなしている膜の膜厚および光の屈折率を測定することによって、モデルやデータベースの演算、またその後の演算タスクをより簡素化するために行う署名の適合にそれらのパラメータを含む必要がなくなる。
図１Ａは、本発明の好ましい実施形態を例示するための分光散乱計装置の略図である。図１Ａに示すように、装置１０は、分光散乱計と分光エリプソメータと分光器による反射率計の特性を有利に組み合わせている。分光器による反射率計または分光エリプソメータを用いて回折構造体の下に位置する下地構造の膜厚および屈折率を測定することができる。図１Ａに示すように、半導体ウェハは、シリコン基板１２ａと、基板上の膜１２ｂと、膜上のフォトレジストパターンのような回折構造体１２ｃを含んでいてもよく、膜は少なくとも部分的に光透過性であって、一定の膜厚および屈折率を有する（ｎとｋ、指数の真の成分と想像上の成分）。
回折構造体１２ｃを測定する前に、ＸＹＺステージ１４を使って、ウェハを水平ＸＹ方向に移動させてフォトレジストパターン１２の下の下地構造の膜厚および屈折率を測定する。ステージ１４は、後に説明するようにウェハ１２の高さｚを調整するのに使用することもできる。ステージ１４はウェハを図１Ｂに示す位置に移動させて放射線のサンプリング光線が膜１２ｂの、構造体１２ｃから離れた位置を照射する。図１Ａ、１Ｂを参照すると、下地構造（１２ｂおよび１２ａ）の膜厚および屈折率を測定する目的で、白光源などの広帯域放射線源２２が、偏光をばらばらにして、均一な光源を生成し、ウェハを照射する光ファイバケーブル２４を介して光を供給する。放射線源２２は、少なくとも２３０〜８００ｎｍの範囲の波長を有する電磁放射線を供給するのが好ましい。ファイバ２４から出ると、放射線は、スリットアパーチャおよび焦点合わせレンズ（図示せず）を含むことができる照明器を通過する。スリットアパーチャにより、放射された光を層１２ｂの小さな領域に結像する。照明器２６から出てくる光は、偏光器２８によって偏光されて、層１２ｂを照する偏光したサンプリング光線３０が生成される。
層１２ｂによって反射したサンプリング光線３０から発せられた放射線は検光器３２を通り、分光計３４を通って反射した放射線の異なるスペクトルの成分を検出する。装置１０の、膜厚および屈折率を測定する分光エリプソメトリモードでは、分光計３４が放射線源２２のスペクトルの中の波長のような、複数の波長の反射光を検出しているときに、偏光器２８または検光器３０が回転し（偏光器と検光器の間の相対的回転動作を引き起こし）、回転は、当業者にとっては明らかである方法によって制御される。検出された、異なる波長における反射強度は、コンピュータ４０に供給され、そこで層１２ｂの膜厚および屈折率のｎとｋ値を当業者にとって周知の方法で計算する。分光エリプソメータの説明については、１９９７年３月４日に登録された米国特許第５，６０８，５２６号（特許文献２）を参照されたい。
分光エリプソメトリは、膜厚および屈折率を測定するのに好まれ、回折構造体の下に比較的厚い膜が１層または２層しかない場合には、膜厚および屈折率を測定する際には分光器による反射率計（分光反射率計、分光側光器としても知られている）が適している。この目的を達成するため、レンズ２３が放射線源２２からの放射線を集束してビームスプリッタ５２に送り、そこで入射された光線の一部を焦点合せレンズ５４に送り、そこで放射線が層１２ｂに集束される。層１２ｂが反射した光は、レンズ５４で集束され、ビームスプリッタ５２を通って分光反射率計６０の中の分光計に送られる。測定された、異なる波長の分光成分が検出され、それら成分を表す信号がコンピュータ４０に供給されて、例えば、１９９４年４月１４日に出願された米国特許出願第０８／２２７，４８２号（特許文献３）で説明している方法で膜厚および屈折率を決定する。分光器による反射率計および分光エリプソメータ以外の分光装置を使用して層１２ｂの膜厚および屈折率を測定することも可能であり、本発明の範囲に含まれる。このような分光装置の例として、論文「"Optical Characterization of Amorphous and Polycrystalline Silicon Films," by Ibok et al., reprinted from August 1995 edition of Solid State Technology published by PennWell Publishing Company」（非特許文献１）、論文「"Optical Dispersion Relations for Amorphous Semiconduc tors and Amorphous Dielectrics," by Forouhi et al., Phsical Review B, vol. 34, no. 10, pp 7018-7026, Nov. 15, 1986 」（非特許文献２）、論文「"Optical Properties of Crystalline Semiconductors and Dielectrics," by Forouhi, et al., Phsical Review B, vol. 38, no. 3, pp 1865-1874」（非特許文献３）や、米国特許第４，９０５，１７０号（特許文献４）などで説明しているカリフォルニア州、サンタクララのｎ＆ｋテクノロジー社のｎ＆ｋ検光器がある。
ウェハ１２の偏光器２８と検光器３２に対する高さを調節して分光エリプソメトリ測定において適した焦点を得るため、または、分光反射率計測定における焦点合せレンズ５４と分光反射率計６０に対する高さを調整するため、ウェハの高さは、測定前にステージ１４によって調整する必要がある。このため、層１２ｂ（続く説明では層１２ｃ）によって反射し、レンズ５４によって集められた放射線の一部は、ビームスプリッタ６２によって焦点合わせおよびパターン認識ブロック６４に向けられ、反射した像をパターンと比較する。するとブロック６４は、比較に関する情報をコンピュータ４０に送り、そこでステージ１４を制御する。また、ステージ１４は、ウェハ１２を垂直またはｚ方向に上下させ、ウェハ１２を装置１０の光学成分に対して適切な高さに移動する。
回折構造体１２ｃの下の一つ以上の膜の膜厚および屈折率を測定すると、参照データベースがコンピュータ４０によって構築される。回折構造体１２ｃの下の一つ以上の膜の膜厚および屈折率がわかっているかまたは予測できる場合には、これらの量を測定する工程は省略することができる。参照データベースを構築するため、回折構造体１２ｃに関する特性をパラメータ化して、パラメータデータベースをその構造体の線幅、高さおよび側壁角などの未知の格子パラメータをある一定の範囲で変化させることにより、形成することができる。これについては、図２に基づいて説明する。
図２は、半導体ウェハの断面図であって、図２に示すように、シリコン基板１２ａおよび線幅ＣＤ，ピッチｐ，高さｈ，側壁角αである回折構造体１２ｃ' を備えている。よって、パラメータ化でき、ある一定の範囲にわたって変化する格子型パラメータは、ＣＤ，ｈ，およびαを含む。モード拡張によるモデル法（ＭＭＭＥ）のような厳密な回折モデルを使ってパラメータ空間におけるそれぞれの格子から論理的な回折光指紋を計算し、部分最小自乗（ＰＬＳ）または最小平均二乗誤差（ＭＭＳＥ）などの統計的予測アルゴリズムをこの論理的較正データに合わせる。ＭＭＭＥの説明については、論文「"Convergence of the Coupled-wave Method for Metallic Lamellar Diffraction Gratings," by Li et al., Journal of the Optical Society of America A, vol. 10, No. 6, pp. 1184-1189, June 1993」（非特許文献４）、論文「"Multilayer Modal Method for Diffraction Gratings of Arbitrary Profile, Depth, and Permittivity," by Li et al., Journal of the Opticla Society of America A, vol. 10, no. 12, pp. 2582-2591, Dec. 1993」（非特許文献５）を参照されたい。
ＭＭＭＥを使用する代わりに、格子型パラメータを厳密結合導波管分析（“ＲＣＷＡ”）を用いてパラメータ化してもよい。この方法は、例えば、論文「"Rigorous coupled-wave analysis of planar-grating diffraction," by M. Moharam et al., J. Opt. Soc. Am., Vol. 71, No. 7, July 1981, pp. 811-818」（非特許文献６）、論文「"Stable implementation of the rigorous coupled-wave analysis for surface-relief gratings: enhanced transmittance matrix approach," by M. Moharam et al., J. Opt. Soc. Am. A, Vol. 12, No. 5, May 1995, pp. 1077-1086 」（非特許文献７）、論文「"Analysis and Applications of Optical Diffraction by Gratings," T. Gaylord et al., Proceedings of the IEEE, Vol. 73, No.5, May 1985, pp. 894-937」（非特許文献８）などで説明している。
複数の格子型パラメータが変化する場合、指紋の計算は、他のパラメータを選択した範囲内の選択した定数値に維持しながら、一度に一つのパラメータのみを変化させることによって行うことができる。そして、もう一つのパラメータを変化させるという作業を続ける。その後、予測アルゴリズムを使って、層１２ｃ' から測定した指紋に対応するパラメータの値を決定する。
回折構造体１２ｃまたは１２ｃ' の下の膜の膜厚および光学指数は、分光エリプソメトリまたは分光反射光測定からわかるか、あるいは他の方法からわかっているため、膜厚および屈折率がデータベース内のパラメータでなくてもよいように、これらの値を参照データベースの構築に使用してもよい。これにより、パラメータ空間内の変数の数をかなり減らすことができ、また、参照データベースのために計算しなければならない署名の数をかなり減らすことができる。よって、これらの変数をパラメータ空間と署名の計算に考慮しなければならない２−Θ散乱計測定法と比較すると、本発明により、ソリューションの検索を行う場合にも使用するデータベースは小さくてすむ。さらに、この２−Θ散乱計測定法において、パラメータ化した変数が複数あるため、正しいソリューションを得るのが困難となる。この発明により、データベースのサイズを小さくすることによって、ほとんどの場合、独自のソリューションを見つけることができる。このように、本発明は、２−Θ散乱計測定法と比較すると、演算時間を大幅に減らすことができる。
層１２ｃおよび１２ｃ' から署名を測定する工程について、図１Ａに基づいて説明する。前述したように、ステージ１４は、サンプリング光線３０が膜１２ｂの下の領域を照らし、回折構造体１２ｃのいかなる部分をも照らさないようにウェハ１２を移動させる。ここで、構造体１２ｃを測定するため、コンピュータ４０により、ステージ１４がウェハをＸＹ面の方向に沿って移動させるので、サンプリング光線３０が層１２ｃ（あるいは、図２の１２ｃ' ）上に当たるようになる。放射線源２２からの広帯域放射線は、偏光器２８によって偏光されて、偏光したブロードビームのサンプリング光線３０になる。光線３０の回折が分光計３４に送られ、そこで放射線源２２のスペクトルにわたる波長のような構造体１２ｃからの回折の異なる波長で放射線強度を実質的に同時に測定する。構造によっては、より高い回折次数の強度の測定も可能であるが、好ましい実施形態では、ゼロ次回折の強度を測定する。ここで説明した工程は、装置１０の散乱計測定モードである。
分光計３４によって検出した異なる波長でのゼロ次以上の次数の回折の強度は、コンピュータ４０に送られて、構造体１２ｃまたは１２ｃ' の署名の分析と判定とを行う。前述したように、この署名は参照データベースで予め計算されたものと比較される。構造体１２ｃまたは１２ｃ' の測定した署名に適合する参照データベースにおけるこの署名の格子型パラメータは、構造の格子型パラメータとなる。
散乱計測定モードでは、検光器３２を構造体１２ｃから分光計３４までの光学経路から単に取り外せばよい。あるいは、偏光器２８と検光器３２をコンピュータ４０で制御して偏光器２８がある偏光の放射を送り、偏光器２８によって送られたのものと同じ偏光の放射線を検光器が送るように方向付ける。本発明は、光線３０の入射面が実質的に格子１２ｃと直角であるという発見に基づいたものであり、散乱計測定の感度は、偏光器２８がＴＥモード（Ｓ偏光化）に偏光されたサンプリング光線３０を出すように方向付けられ、検光器３２がＴＥモードで光を出すように方向付けられていれば改善される。あるいは、ビーム３０の入射面が格子１２ｃに実質的に平行である場合、散乱計測定の感度は、偏光器２８がＴＭモード（Ｐ偏光化）に偏光されたサンプリング光線３０を出すように方向付けられ、検光器３２がＴＭモードで光を出すように方向付けられていれば改善される。
異なる形状のパラメータを有する回折構造体がウェハ１２上に１つ以上ある場合、ステージ１４をコンピュータ４０で制御してウェハ１２を移動するので、サンプリング光線３０が一度にそのような回折構造体のそれぞれに対して方向付けられる。すると、装置１０を散乱計測定モードで操作してそのような回折構造体のそれぞれから署名を得る。そして、そのような構造体の格子型パラメータを得るため、回折構造体のそれぞれの署名を参照データベース内の署名と適合させることができる。下地構造（１２ａ、１２ｂ）の特性の測定が必要な場合、これを各ウェハに対して一度だけ行い、また参照データベースはそのウェハに対して一度だけ構築されるようにすればよいことに留意されたい。これら作業を行ったら、ウェハ１３上の異なる回折構造体の散乱計測定を迅速に行い、回折構造体のそれぞれの署名を参照データベースに迅速に適合させることができる。前述したように、参照データベース内の署名の数が少ないので、ウェハ上の異なる回折構造体の格子型パラメータの適合率もしくは予測速度は大幅に上がる。これにより、回折構造体の実時間またはインライン測定が可能となる。適用方法によっては、同じ工程により作られた多数の半導体ウェハは、回折構造体の下に同じ下地構造を有し、異なるウェハのこれら下地構造は、実質的に同じ膜厚および屈折率を有する。この場合、膜厚、屈折率、および参照データベースの構築を測定する前述した工程は、工程の許容差がわかっていれば、同じ工程により作られたウェハのバッチ全体に対して一度だけ行えばよい。これにより、測定と演算工程の速度がさらに上がる。
２−Θ散乱計測定法と比較すると、本発明の分光散乱計は、回折と多数の波長を同時に測定する。これは、ユーザが一度に一つの入射角で回折を測定する２−Θ散乱計測定法とは対象的である。このような特性により、測定工程がさらに高速となる。前述した参照データベースが参照サンプルを使用せずに構築されていることにも留意されたい。よって、ユーザは、測定するものと類似した回折構造体を有するウェハ、またはデータベースを構築する前にそのような参照サンプルから測定値をとらなければならないウェハを参照する必要はない。さらに、ＭＭＭＥのような非常に基本的なモデルを使用して正確な結果を出している。
分光エリプソメトリモードと散乱計測定モードでは、サンプリング光線３０が傾斜角でウェハ１２に向かって層１２ｂおよび１２ｃに当たるのが好ましい。シリコンウェハを測定するには、サンプリング光線３０が、ウェハ１２上の層に対して直角な角度から４０°〜８０°の範囲にある傾斜角であるのが好ましく、６０°〜８０°の範囲にあるのがさらに好ましい。直角からの入射角で特に好ましいのは、実質的にシリコンのブルースター角である約７６°である。有利なことに、装置１０では、分光エリプソメータと分光散乱計は、広帯域放射線源２２、ファイバ２４、照明器２６、偏光器２８、および検光器３４などの多くの共通の光学要素を用いている。これにより、装置１０の設計が簡素化され、コストが下がり、操作も簡単になる。
分光反射光測定と分光エリプソメトリの光学要素に対するウェハ１２の高さを調整する工程についてこれまで説明してきた。しかし、ビームスプリッタ５２から反射した光が１２ｃのような回折構造に方向付けられる場合には、光が偏光されて、ウェハ１２の高さを調整したときにサンプリング光線３０と同じ偏光を有するように反射されるのが好ましい。そのため、放射線源２２によって供給された放射線は、ビームスプリッタ５２に方向付けられる前に偏光器７２を通る。偏光器７２の光軸は、コンピュータ４０によって制御されるので、集束およびパターン認識ブロック６４を使って構造体１２ｃから反射した放射線を検出し、ステージ１４がコンピュータ４０によって制御されてサンプリング光線３０に対して適切な高さとなるまでウェハの高さを調整する場合に偏光器２８の光軸と同じ方向となる。偏光器７２は、分光反射光測定および分光エリプソメトリモードまたは分光分析反射光測定中の高さ調整工程に影響を与えない。また、放射線源２２の強度のばらつきの影響を低減するために、分光反射率計６０によって検出される偏光された放射線を使って、前述した散乱計モードにおける傾斜角に強度測定を標準化することもできる。
図３Ａは、公称線幅が２５０ｎｍであると仮定した場合の、ゼロ次回折の強度を、図２の構造体１２ｃ' を測定する２−Θ散乱計における照射光線の入射角の５１個の異なる関数で表したグラフであって、５１個の関数は、２２５〜２７５ｎｍの線幅を１ｎｍごとに求めたものである。図３Ａのグラフの計算に使用した入射角は、１°ずつの均一な増分で０〜６０°まで変化し、よって、１つの署名曲線に対して６１個のデータポイントがある。光線は、ＴＥ偏光であって、波長は０．６３２８ミクロンであると仮定する。
図３Ｂは、ゼロ次回折の強度を、公称線幅が２５０ｎｍであると仮定した場合の図２の構造体１２ｃ' を測定するのに使用した本発明による照射光線の波長の５１個の異なる関数で表したグラフであって、５１個の関数は、２２５〜２７５ｎｍの線幅を１ｎｍごとに求めたものである。これら５１個の関数は、周知あるいは測定した屈折率や膜厚情報を用いて、前述したような厳密な回折法である、ＭＭＭＥモデル法により得られる。これら曲線を使って、本発明の測定した結果と比較し、測定した構造の線幅を予測する。ゼロ次の強度は、照射光線の波長の関数で算出し、計算に使用する波長は、０．０１ミクロンずつの均等な増分で０．２３〜０．８５０ミクロンまで変化するので、一つの署名曲線に対して６３個のデータポイントがある。光線は、ＴＥ偏光であって、直角から７６°の傾斜角で照射するものと仮定する。図３Ｃは、２５０ｎｍの線幅を有する格子に対して生成された署名と、２−Θ散乱計測定法を用いて他の線幅で得られた他の署名との間の平均二乗誤差測定を線幅の関数で表したグラフである。また、図３Ｃは、２５０ｎｍの線幅を有する格子に対して生成した署名と、他の線幅で得られた他の署名との間の平均二乗誤差測定を線幅の関数で表したグラフであって、全スペクトルの紫外線（ＵＶ）と可視波長帯域だけでなく、スペクトルの全領域に本発明の好ましい実施形態を使用している。図３Ｃから明らかなように、本発明の分光散乱計は、２−Θ散乱計より感度が高い。１ｎｍの線幅（ＣＤ）の感度に対する平均二乗面積差を下の表１、表２に示す。
Figure 0005563803
Figure 0005563803
また、図３Ｃから、全スペクトルの副バンドで放射を使って収集したデータのみを署名の適合に使用すれば、感度が上がることも明らかである。このように、分光計３４がスペクトルの全範囲の波長に対する回折を記録するとしても、感度は、紫外線（ＵＶ）帯域の波長の回折のみを用いて１２ｃおよび１２ｃ' の回折構造から測定した署名を構築する場合でも改善することができる。そして、そのような署名を、紫外線（ＵＶ）帯域に対して計算したデータベース内の署名と適合させる。図３Ｂから、それぞれの曲線が格子の特定の署名を特徴付ける関数であることがわかる。図３Ｃでは、紫外線（ＵＶ）帯域の情報は、可視帯域または全帯域と比較してより感度が高く、スペクトルの異なる部分の情報は、他の形状および寸法の格子に対してより感度がよい。このような違いはすべて本発明の範囲内にある。
本発明のもう一つの態様は、構造体１２ｃまたは１２ｃ' からゼロ次、１次または他の次数の回折の強度を検出する代わりに、図１Ａの装置１０を使って、その構造体からそのような次数の回折のエリプソメトリックなパラメータを検出して、回折構造体の一つ以上のパラメータを判定することもできる。すなわち、散乱計モード中、コンピュータ４０が偏光器２８および検光器３２を制御してそれらの間に相対的回転と動作を起こし、装置１０がｔａｎ（ｐｓｉ）のようなエリプソメトリックなパラメータを測定するために用いられ、ｃｏｓ（ｄｅｌｔａ）が放射線源２２の波長のスペクトルのような複数の波長を加える。構造体１２ｃまたは１２ｃ' の下の基礎をなしている一つ以上の膜の周知あるいは測定した指数または屈折率および膜厚情報を用いて、図４Ａおよび４Ｂに例示するように、構造体１２ｃまたは１２ｃ' のパラメータの異なる値に対応して、前述したＭＭＭＥモデル法を用いてｔａｎ（ｐｓｉ）およびｃｏｓ（ｄｅｌｔａ）のデータベースを波長の関数で構築することもできる。このように、図４Ａに示すように、モデルを使って５つの異なる線幅における波長の関数でｔａｎ（ｐｓｉ）に対する５個の関数を構築することができる。図４Ｂは、エリプソメトリックなパラメータｃｏｓ（ｄｅｌｔａ）に対する同様なグラフである。公称線幅は１８０ｎｍである。装置１０によって構造体１２ｃまたは１２ｃ' の二つのエリプソメトリックなパラメータを測定することによって、測定した関数を図４Ａおよび４Ｂの関数と比較して、最も適合するものを求める。エリプソメトリックなパラメータを使う際の感度を図５に示す。図５は、公称１８０ｎｍの値に対応するエリプソメトリックなパラメータと、残りの４つの線幅値に対応するものとの間の相関関係を表したグラフである。前述した違い以外では、構造体１２ｃ、１２ｃ' の特性を決定するのにエリプソメトリックなパラメータを使用する本発明の態様において、装置１０は、前述した構造体１２ｃ、１２ｃ' の特性を決定する際の回折の強度を測定する場合と同様に動作し、またその利点と本質的に同じ利点を共有する。適用方法によっては、エリプソメトリックなパラメータを測定することにより、感度が高くなる。
データベースの構造に関し、異なる線幅に対応する関数を参照しながら説明してきたが、同様の関数を、構造体１２ｃまたは１２ｃ' の、例えば構造の高さや側壁角などの他のパラメータのモデルを使って構築することもできることが理解できる。このような改変例およびその他の改変例は、本発明の範囲内にある。
本発明を様々な実施形態を参照しながら説明してきたが、添付の特許請求の範囲およびそれと同等のものによってのみ定義された本発明の範囲にもとることなく、その他の変更や修正を行うことが可能であることが理解できよう。

Claims (19)

  1. サンプルの回折構造体の複数のパラメータを測定する散乱計であって、
    複数の署名曲線を含む参照データベースであって、前記署名曲線のそれぞれが前記複数のパラメータのそれぞれの異なる値のセットに対応し、前記値が周期的な回折構造体の線幅、高さ、および側壁角の値を少なくとも含む、参照データベースと、
    広帯域放射線を出す放射線源と、
    広帯域放射線を偏光して構造体をサンプリングするサンプリング光線を生成する偏光器と、
    一定の範囲の波長にわたる前記広帯域放射線の構造体から回折の強度を検出する手段と、
    前記検出した強度を前記参照データベース内の前記複数の署名曲線と比較して前記周期的な回折構造体の線幅、高さ、および側壁角を判定するプロセッサであって、前記プロセッサが前記周期的な回折構造体の少なくとも線幅、高さ、および側壁角を判定する、プロセッサと、
    を備える散乱計。
  2. 請求項１記載の散乱計において、
    前記偏光器が、前記サンプリング光線を回折構造体に対して傾斜角をなして方向付ける散乱計。
  3. 請求項１記載の散乱計において、
    前記検出する手段が、前記回折構造体から前記光線のゼロ次回折を検出する散乱計。
  4. 請求項１記載の散乱計において、
    前記回折構造体によって回折されたサンプリング光線の放射を受光して出力光線を生成する検光器をさらに含み、前記検出する手段が出力光線を検出する散乱計。
  5. 請求項４記載の散乱計において、
    前記偏光器および検光器は、回折の強度が前記構造体から検出される場合にはそれぞれが実質的に同じ偏光の放射線を供給して出すように方向付けられる散乱計。
  6. 請求項１記載の散乱計において、
    前記偏光器が、ＴＥモードでサンプリング光線を生成する散乱計。
  7. 請求項１記載の散乱計において、
    偏光放射線を回折構造体に供給して、前記偏光器および検出する手段に対するサンプル上の回折構造体の高さをステージによって調整する集束手段をさらに備える散乱計。
  8. 請求項７記載の散乱計において、
    前記集束手段によって供給された偏光放射線が、サンプリング光線と実質的に同じ偏光を有する散乱計。
  9. サンプルの回折構造体の複数のパラメータを測定する方法であって、
    複数の署名曲線を含む参照データベースを求めるステップであって、前記署名曲線のそれぞれが前記複数のパラメータのそれぞれの異なる値のセットに対応し、前記値が周期的な回折構造体の線幅、高さ、および側壁角の値を少なくとも含む、求めるステップと、
    広帯域放射線を出す工程と、
    サンプリング光線を生成するために、広帯域放射線を偏光する工程と、
    サンプリング光線を構造体に方向付ける工程と、
    一定の範囲の波長にわたる構造体から回折したサンプリング光線の放射線の強度を検出する工程と、
    前記周期的な回折構造体の線幅、高さ、および側壁角を判定するために、前記検出した放射線の強度を前記参照データベース内の前記複数の署名曲線と比較する工程と、
    を含む方法。
  10. 請求項９記載の方法において、
    前記サンプルが隣接構造を有し、前記回折構造体が前記サンプルの隣接構造上に載置され、前記方法が、
    前記隣接構造の光学指数および膜厚を求める工程と、
    前記隣接構造の光学指数および膜厚を用いて前記回折構造体に対する前記一つ以上のパラメータの参照データベースを構築する工程と、
    をさらに含む方法。
  11. 請求項１０記載の方法において、
    前記構築する工程が波長のスペクトルに対して前記複数のパラメータの参照データベースを構築し、前記方向付ける工程が前記スペクトルを含む波長を有する放射線の光線を方向付け、前記検出する工程が前記波長のスペクトルに対して複数の波長における強度データを検出する方法。
  12. 請求項１１記載の方法において、
    前記比較する工程が前記スペクトルの選択した部分の波長における強度データをデータベースの一部のみと比較し、前記スペクトルが紫外線波長を含み、前記部分が紫外線領域の波長からなる方法。
  13. 請求項９記載の方法において、
    前記サンプリング光線を回折構造体に対して傾斜角をなして方向付ける工程をさらに含む方法。
  14. 請求項９記載の方法において、
    前記検出する工程が、前記回折構造体から前記光線のゼロ次回折を検出する方法。
  15. 請求項９記載の方法において、
    前記偏光する工程が、ＴＥモードのサンプリング光線を生成する方法。
  16. サンプルの回折構造体の複数のパラメータを測定する散乱計であって、
    複数のエリプソメトリックな関数を含む参照データベースであって、前記エリプソメトリックな関数のそれぞれが前記複数のパラメータのそれぞれの異なる値のセットに対応し、前記値が周期的な回折構造体の線幅、高さ、および側壁角の値を少なくとも含む、参照データベースと、
    広帯域放射線を発する放射源と、
    広帯域放射線を偏光して構造体をサンプリングするサンプリング光線を生成する偏光器と、
    構造体によって回折または反射されたサンプリング光線から放射線を受け取って出力光線を出す検光器と、
    複数の波長で実質的に同時に前記出力光線を検出する手段と、
    エリプソメトリックな関数を測定するように前記偏光器および検光器を制御し、前記測定したエリプソメトリックな関数を前記参照データベース内の前記エリプソメトリックな関数と比較することによって前記複数のパラメータを判定する手段と、
    を備える散乱計。
  17. 請求項１６記載の散乱計において、
    前記複数の波長が、紫外線波長を含む散乱計。
  18. 請求項１６記載の散乱計において、
    偏光放射線を回折構造体に供給して、偏光器および前記検出する手段に対するサンプル上の回折構造体の高さをステージによって調整する集束手段をさらに備える散乱計。
  19. 請求項１８記載の散乱計において、
    前記集束手段によって供給された偏光放射線が、実質的にサンプリング光線と同じ偏光を有する散乱計。
JP2009244175A 1998-03-06 2009-10-23 回折構造体、広帯域、偏光、エリプソメトリおよび下地構造の測定 Expired - Lifetime JP5563803B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/036,557 1998-03-06
US09/036,557 US6483580B1 (en) 1998-03-06 1998-03-06 Spectroscopic scatterometer system

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000534831A Division JP4633254B2 (ja) 1998-03-06 1999-02-25 回折構造体、広帯域、偏光、エリプソメトリおよび下地構造の測定

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010133941A JP2010133941A (ja) 2010-06-17
JP5563803B2 true JP5563803B2 (ja) 2014-07-30

Family

ID=21889260

Family Applications (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000534831A Expired - Lifetime JP4633254B2 (ja) 1998-03-06 1999-02-25 回折構造体、広帯域、偏光、エリプソメトリおよび下地構造の測定
JP2009244176A Expired - Lifetime JP5249169B2 (ja) 1998-03-06 2009-10-23 回折構造体、広帯域、偏光、エリプソメトリおよび下地構造の測定
JP2009244069A Expired - Lifetime JP4643737B2 (ja) 1998-03-06 2009-10-23 回折構造体、広帯域、偏光、エリプソメトリおよび下地構造の測定
JP2009244175A Expired - Lifetime JP5563803B2 (ja) 1998-03-06 2009-10-23 回折構造体、広帯域、偏光、エリプソメトリおよび下地構造の測定
JP2010131079A Expired - Lifetime JP5102329B2 (ja) 1998-03-06 2010-06-08 回折構造体、広帯域、偏光、エリプソメトリおよび下地構造の測定
JP2012267965A Pending JP2013083659A (ja) 1998-03-06 2012-12-07 回折構造体、広帯域、偏光、エリプソメトリおよび下地構造の測定

Family Applications Before (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000534831A Expired - Lifetime JP4633254B2 (ja) 1998-03-06 1999-02-25 回折構造体、広帯域、偏光、エリプソメトリおよび下地構造の測定
JP2009244176A Expired - Lifetime JP5249169B2 (ja) 1998-03-06 2009-10-23 回折構造体、広帯域、偏光、エリプソメトリおよび下地構造の測定
JP2009244069A Expired - Lifetime JP4643737B2 (ja) 1998-03-06 2009-10-23 回折構造体、広帯域、偏光、エリプソメトリおよび下地構造の測定

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010131079A Expired - Lifetime JP5102329B2 (ja) 1998-03-06 2010-06-08 回折構造体、広帯域、偏光、エリプソメトリおよび下地構造の測定
JP2012267965A Pending JP2013083659A (ja) 1998-03-06 2012-12-07 回折構造体、広帯域、偏光、エリプソメトリおよび下地構造の測定

Country Status (6)

Country Link
US (6) US6483580B1 (ja)
EP (2) EP1508772B1 (ja)
JP (6) JP4633254B2 (ja)
AU (1) AU3310999A (ja)
DE (1) DE69922942T2 (ja)
WO (1) WO1999045340A1 (ja)

Families Citing this family (267)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6483580B1 (en) * 1998-03-06 2002-11-19 Kla-Tencor Technologies Corporation Spectroscopic scatterometer system
US20020030813A1 (en) * 1999-03-29 2002-03-14 Norton Adam E. Spectroscopic measurement system using an off-axis spherical mirror and refractive elements
US6690473B1 (en) * 1999-02-01 2004-02-10 Sensys Instruments Corporation Integrated surface metrology
US6184984B1 (en) 1999-02-09 2001-02-06 Kla-Tencor Corporation System for measuring polarimetric spectrum and other properties of a sample
US8531678B2 (en) 1999-07-09 2013-09-10 Nova Measuring Instruments, Ltd. Method and system for measuring patterned structures
IL130874A (en) * 1999-07-09 2002-12-01 Nova Measuring Instr Ltd System and method for measuring pattern structures
US6432729B1 (en) * 1999-09-29 2002-08-13 Lam Research Corporation Method for characterization of microelectronic feature quality
DE19950559B4 (de) * 1999-10-20 2006-08-17 Steag Eta-Optik Gmbh Verfahren zum Bestimmen von geometrischen Strukturen auf oder in einem Substrat sowie von Materialparametern
EP1257781A4 (en) * 2000-01-26 2006-12-13 Timbre Tech Inc USE OF A MEMORY IN IN-LINE LAYER CALCULATIONS FOR QUICK RIGOROUS ANALYSIS OF COUPLED WAVES
US7230699B1 (en) * 2002-10-15 2007-06-12 J.A. Woollam Co., Inc. Sample orientation system and method
US6429943B1 (en) 2000-03-29 2002-08-06 Therma-Wave, Inc. Critical dimension analysis with simultaneous multiple angle of incidence measurements
WO2001084382A1 (en) 2000-05-04 2001-11-08 Kla-Tencor, Inc. Methods and systems for lithography process control
US6462817B1 (en) 2000-05-12 2002-10-08 Carlos Strocchia-Rivera Method of monitoring ion implants by examination of an overlying masking material
AU2001279247A1 (en) 2000-08-10 2002-02-25 Sensys Instruments Corporation Database interpolation method for optical measurement of diffractive microstructures
US7317531B2 (en) 2002-12-05 2008-01-08 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry
US7541201B2 (en) 2000-08-30 2009-06-02 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for determining overlay of structures having rotational or mirror symmetry
IL138552A (en) * 2000-09-19 2006-08-01 Nova Measuring Instr Ltd Lateral shift measurement using an optical technique
US7130029B2 (en) 2000-09-20 2006-10-31 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining an adhesion characteristic and a thickness of a specimen
US6891627B1 (en) 2000-09-20 2005-05-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen
US6919957B2 (en) 2000-09-20 2005-07-19 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension, a presence of defects, and a thin film characteristic of a specimen
US7349090B2 (en) 2000-09-20 2008-03-25 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a property of a specimen prior to, during, or subsequent to lithography
US7106425B1 (en) 2000-09-20 2006-09-12 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a presence of defects and a thin film characteristic of a specimen
US6946394B2 (en) 2000-09-20 2005-09-20 Kla-Tencor Technologies Methods and systems for determining a characteristic of a layer formed on a specimen by a deposition process
US7115858B1 (en) * 2000-09-25 2006-10-03 Nanometrics Incorporated Apparatus and method for the measurement of diffracting structures
US7099005B1 (en) * 2000-09-27 2006-08-29 Kla-Tencor Technologies Corporation System for scatterometric measurements and applications
US6831742B1 (en) 2000-10-23 2004-12-14 Applied Materials, Inc Monitoring substrate processing using reflected radiation
JP4098621B2 (ja) * 2000-10-23 2008-06-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板を処理する装置及び方法
US6768983B1 (en) * 2000-11-28 2004-07-27 Timbre Technologies, Inc. System and method for real-time library generation of grating profiles
US6900892B2 (en) * 2000-12-19 2005-05-31 Kla-Tencor Technologies Corporation Parametric profiling using optical spectroscopic systems
WO2002065545A2 (en) * 2001-02-12 2002-08-22 Sensys Instruments Corporation Overlay alignment metrology using diffraction gratings
US6864971B2 (en) * 2001-03-27 2005-03-08 Isoa, Inc. System and method for performing optical inspection utilizing diffracted light
US20020177245A1 (en) * 2001-03-29 2002-11-28 Sonderman Thomas J. Method and apparatus for controlling feature critical dimensions based on scatterometry derived profile
US20030002043A1 (en) * 2001-04-10 2003-01-02 Kla-Tencor Corporation Periodic patterns and technique to control misalignment
US6898537B1 (en) 2001-04-27 2005-05-24 Nanometrics Incorporated Measurement of diffracting structures using one-half of the non-zero diffracted orders
US7052575B1 (en) * 2001-04-30 2006-05-30 Advanced Micro Devices, Inc. System and method for active control of etch process
EP1406080A4 (en) * 2001-05-22 2006-03-15 Horiba Ltd METHOD FOR MEASURING THIN FILM CHARACTERISTICS USING A SPECTROELLIPSOMETER
US7382447B2 (en) * 2001-06-26 2008-06-03 Kla-Tencor Technologies Corporation Method for determining lithographic focus and exposure
US6773939B1 (en) * 2001-07-02 2004-08-10 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for determining critical dimension variation in a line structure
US6713753B1 (en) * 2001-07-03 2004-03-30 Nanometrics Incorporated Combination of normal and oblique incidence polarimetry for the characterization of gratings
US6704661B1 (en) * 2001-07-16 2004-03-09 Therma-Wave, Inc. Real time analysis of periodic structures on semiconductors
US6678046B2 (en) * 2001-08-28 2004-01-13 Therma-Wave, Inc. Detector configurations for optical metrology
US7127098B2 (en) * 2001-09-13 2006-10-24 Hitachi, Ltd. Image detection method and its apparatus and defect detection method and its apparatus
US7061615B1 (en) 2001-09-20 2006-06-13 Nanometrics Incorporated Spectroscopically measured overlay target
KR20050035153A (ko) * 2001-10-10 2005-04-15 액센트 옵티칼 테크놀로지스 인코포레이티드 단면 분석법에 의한 초점 중심의 결정
US6898596B2 (en) 2001-10-23 2005-05-24 Therma-Wave, Inc. Evolution of library data sets
JP3839306B2 (ja) * 2001-11-08 2006-11-01 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法および製造システム
US6746566B1 (en) 2001-12-11 2004-06-08 Kla-Tencor Technologies Corporation Transverse magnetic field voltage isolator
US6982791B2 (en) * 2001-12-19 2006-01-03 Therma-Wave, Inc. Scatterometry to simultaneously measure critical dimensions and film properties
WO2003054475A2 (en) * 2001-12-19 2003-07-03 Kla-Tencor Technologies Corporation Parametric profiling using optical spectroscopic systems
US7030018B2 (en) 2002-02-04 2006-04-18 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for monitoring a parameter of a measurement device during polishing, damage to a specimen during polishing, or a characteristic of a polishing pad or tool
US6609086B1 (en) * 2002-02-12 2003-08-19 Timbre Technologies, Inc. Profile refinement for integrated circuit metrology
JP3878027B2 (ja) * 2002-02-18 2007-02-07 東京エレクトロン株式会社 偏光解析方法及び光学的膜厚測定装置
US6643008B1 (en) * 2002-02-26 2003-11-04 Advanced Micro Devices, Inc. Method of detecting degradation in photolithography processes based upon scatterometric measurements of grating structures, and a device comprising such structures
US6785009B1 (en) * 2002-02-28 2004-08-31 Advanced Micro Devices, Inc. Method of using high yielding spectra scatterometry measurements to control semiconductor manufacturing processes, and systems for accomplishing same
US7136796B2 (en) * 2002-02-28 2006-11-14 Timbre Technologies, Inc. Generation and use of integrated circuit profile-based simulation information
IL148484A (en) * 2002-03-04 2008-11-26 Nova Measuring Instr Ltd Optical measurements of patterned structures
US6791697B1 (en) * 2002-03-21 2004-09-14 Advanced Micro Devices, Inc. Scatterometry structure with embedded ring oscillator, and methods of using same
US6982793B1 (en) 2002-04-04 2006-01-03 Nanometrics Incorporated Method and apparatus for using an alignment target with designed in offset
US6949462B1 (en) 2002-04-04 2005-09-27 Nanometrics Incorporated Measuring an alignment target with multiple polarization states
US7322250B1 (en) * 2002-04-09 2008-01-29 Rockwell Automation Technologies, Inc. System and method for sensing torque on a rotating shaft
US20030197872A1 (en) * 2002-04-17 2003-10-23 Littau Michael E. Scatterometric measurement of undercut multi-layer diffracting signatures
US6985229B2 (en) * 2002-05-30 2006-01-10 Agere Systems, Inc. Overlay metrology using scatterometry profiling
US7216045B2 (en) * 2002-06-03 2007-05-08 Timbre Technologies, Inc. Selection of wavelengths for integrated circuit optical metrology
US6819844B2 (en) * 2002-06-20 2004-11-16 The Boeing Company Fiber-optic based surface spectroscopy
US6947135B2 (en) * 2002-07-01 2005-09-20 Therma-Wave, Inc. Reduced multicubic database interpolation method for optical measurement of diffractive microstructures
US6919964B2 (en) * 2002-07-09 2005-07-19 Therma-Wave, Inc. CD metrology analysis using a finite difference method
WO2004008069A1 (en) * 2002-07-12 2004-01-22 Luka Optoscope Aps Method and apparatus for optically measuring the topography of nearly planar periodic structures
US7046363B2 (en) * 2002-09-06 2006-05-16 Infineon Technologies Ag Optical measurement system and method
US7139081B2 (en) 2002-09-09 2006-11-21 Zygo Corporation Interferometry method for ellipsometry, reflectometry, and scatterometry measurements, including characterization of thin film structures
US7869057B2 (en) 2002-09-09 2011-01-11 Zygo Corporation Multiple-angle multiple-wavelength interferometer using high-NA imaging and spectral analysis
US6992764B1 (en) 2002-09-30 2006-01-31 Nanometrics Incorporated Measuring an alignment target with a single polarization state
US7136162B1 (en) * 2002-10-15 2006-11-14 J.A. Woollam Co., Inc. Alignment of ellipsometer beam to sample surface
US20040090629A1 (en) * 2002-11-08 2004-05-13 Emmanuel Drege Diffraction order selection for optical metrology simulation
US7193715B2 (en) * 2002-11-14 2007-03-20 Tokyo Electron Limited Measurement of overlay using diffraction gratings when overlay exceeds the grating period
US6867862B2 (en) * 2002-11-20 2005-03-15 Mehrdad Nikoonahad System and method for characterizing three-dimensional structures
US7369233B2 (en) 2002-11-26 2008-05-06 Kla-Tencor Technologies Corporation Optical system for measuring samples using short wavelength radiation
WO2004053426A1 (en) 2002-12-05 2004-06-24 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry
US7440105B2 (en) 2002-12-05 2008-10-21 Kla-Tencor Technologies Corporation Continuously varying offset mark and methods of determining overlay
FR2849181B1 (fr) * 2002-12-23 2005-12-23 Commissariat Energie Atomique Procede d'etude des reliefs d'une structure par voie optique
US7126131B2 (en) * 2003-01-16 2006-10-24 Metrosol, Inc. Broad band referencing reflectometer
US20080246951A1 (en) * 2007-04-09 2008-10-09 Phillip Walsh Method and system for using reflectometry below deep ultra-violet (DUV) wavelengths for measuring properties of diffracting or scattering structures on substrate work-pieces
US8564780B2 (en) * 2003-01-16 2013-10-22 Jordan Valley Semiconductors Ltd. Method and system for using reflectometry below deep ultra-violet (DUV) wavelengths for measuring properties of diffracting or scattering structures on substrate work pieces
US7352453B2 (en) * 2003-01-17 2008-04-01 Kla-Tencor Technologies Corporation Method for process optimization and control by comparison between 2 or more measured scatterometry signals
DE10302868B4 (de) * 2003-01-25 2008-07-03 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Bestimmung von Strukturparametern einer Oberfläche mit einem lernfähigen System
US7069153B2 (en) * 2003-01-28 2006-06-27 Therma-Wave, Inc. CD metrology method
US7072049B2 (en) * 2003-02-03 2006-07-04 Timbre Technologies, Inc. Model optimization for structures with additional materials
US7324214B2 (en) 2003-03-06 2008-01-29 Zygo Corporation Interferometer and method for measuring characteristics of optically unresolved surface features
US7106454B2 (en) 2003-03-06 2006-09-12 Zygo Corporation Profiling complex surface structures using scanning interferometry
US7233390B2 (en) * 2003-03-31 2007-06-19 Therma-Wave, Inc. Scatterometry for samples with non-uniform edges
US7145664B2 (en) * 2003-04-18 2006-12-05 Therma-Wave, Inc. Global shape definition method for scatterometry
US7068363B2 (en) 2003-06-06 2006-06-27 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems for inspection of patterned or unpatterned wafers and other specimen
US7463355B1 (en) * 2003-06-12 2008-12-09 Scientific Computing International Nondestructive optical technique for simultaneously measuring optical constants and thickness of thin films
US6891628B2 (en) 2003-06-25 2005-05-10 N & K Technology, Inc. Method and apparatus for examining features on semi-transparent and transparent substrates
US7085676B2 (en) * 2003-06-27 2006-08-01 Tokyo Electron Limited Feed forward critical dimension control
DE10333119B3 (de) * 2003-07-21 2005-05-25 Infineon Technologies Ag Nichtinvasives Verfahren zur Charakterisierung und Identifizierung eingebetteter Mikrostrukturen
US7271921B2 (en) * 2003-07-23 2007-09-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Method and apparatus for determining surface layer thickness using continuous multi-wavelength surface scanning
US7430898B1 (en) 2003-09-04 2008-10-07 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for analyzing a specimen using atomic force microscopy profiling in combination with an optical technique
DE602004019231D1 (de) * 2003-09-15 2009-03-12 Zygo Corp Oberflächen-triangulation und -profilierung
SE526617C2 (sv) * 2003-10-01 2005-10-18 Sick Ivp Ab System och metod för att avbilda ett objekts egenskaper
US7145654B2 (en) * 2003-10-01 2006-12-05 Tokyo Electron Limited Method and apparatus to reduce spotsize in an optical metrology instrument
JP3892843B2 (ja) * 2003-11-04 2007-03-14 株式会社東芝 寸法測定方法、寸法測定装置および測定マーク
US7256879B2 (en) * 2003-12-11 2007-08-14 Corning Incorporated Semiconductor array tester
US7327457B2 (en) * 2003-12-19 2008-02-05 N&K Technology, Inc. Apparatus and method for optical characterization of a sample over a broadband of wavelengths while minimizing polarization changes
CN100442144C (zh) * 2003-12-19 2008-12-10 国际商业机器公司 微分临界尺寸和覆盖计量装置以及测量方法
US7248364B2 (en) * 2003-12-19 2007-07-24 N&K Technology, Inc. Apparatus and method for optical characterization of a sample over a broadband of wavelengths with a small spot size
JP2010286493A (ja) * 2004-01-23 2010-12-24 Horiba Ltd 基板検査装置
US7355709B1 (en) 2004-02-23 2008-04-08 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for optical and non-optical measurements of a substrate
US7067819B2 (en) 2004-05-14 2006-06-27 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for measurement or analysis of a specimen using separated spectral peaks in light
US7359052B2 (en) 2004-05-14 2008-04-15 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for measurement of a specimen with vacuum ultraviolet light
WO2005114148A2 (en) * 2004-05-14 2005-12-01 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for measurement or analysis of a specimen
US7564552B2 (en) 2004-05-14 2009-07-21 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for measurement of a specimen with vacuum ultraviolet light
US7349079B2 (en) 2004-05-14 2008-03-25 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods for measurement or analysis of a nitrogen concentration of a specimen
IL162199A (en) * 2004-05-27 2008-04-13 Nova Measuring Instr Ltd Optical measurements of articles with periodic patterns
US7202958B1 (en) * 2004-06-01 2007-04-10 Nanometrics Incorporated Modeling a sample with an underlying complicated structure
US7212293B1 (en) 2004-06-01 2007-05-01 N&K Technology, Inc. Optical determination of pattern feature parameters using a scalar model having effective optical properties
US7804059B2 (en) * 2004-08-11 2010-09-28 Jordan Valley Semiconductors Ltd. Method and apparatus for accurate calibration of VUV reflectometer
US20060043291A1 (en) * 2004-08-26 2006-03-02 Peng Gang G Electron spectroscopic metrology system
US7274440B1 (en) * 2004-09-08 2007-09-25 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for measuring stress in a specimen
US7391524B1 (en) 2004-09-13 2008-06-24 N&K Technology, Inc. System and method for efficient characterization of diffracting structures with incident plane parallel to grating lines
US7206070B2 (en) * 2004-11-15 2007-04-17 Therma-Wave, Inc. Beam profile ellipsometer with rotating compensator
US7483133B2 (en) * 2004-12-09 2009-01-27 Kla-Tencor Technologies Corporation. Multiple angle of incidence spectroscopic scatterometer system
WO2006069255A2 (en) * 2004-12-22 2006-06-29 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for controlling variation in dimensions of patterned features across a wafer
US20070091325A1 (en) * 2005-01-07 2007-04-26 Mehrdad Nikoonahad Multi-channel optical metrology
US7515253B2 (en) * 2005-01-12 2009-04-07 Kla-Tencor Technologies Corporation System for measuring a sample with a layer containing a periodic diffracting structure
US7884947B2 (en) 2005-01-20 2011-02-08 Zygo Corporation Interferometry for determining characteristics of an object surface, with spatially coherent illumination
US7446882B2 (en) 2005-01-20 2008-11-04 Zygo Corporation Interferometer for determining characteristics of an object surface
US7408641B1 (en) 2005-02-14 2008-08-05 Kla-Tencor Technologies Corp. Measurement systems configured to perform measurements of a specimen and illumination subsystems configured to provide illumination for a measurement system
US7315384B2 (en) * 2005-05-10 2008-01-01 Asml Netherlands B.V. Inspection apparatus and method of inspection
US7330256B1 (en) 2005-05-16 2008-02-12 N&K Technology, Inc. Spectrophotometric system with reduced angle of incidence
DE102005023736B4 (de) 2005-05-23 2019-08-22 Vistec Semiconductor Systems Jena Gmbh Verfahren zum Bestimmen von Strukturparametern
US7277172B2 (en) * 2005-06-06 2007-10-02 Kla-Tencor Technologies, Corporation Measuring overlay and profile asymmetry using symmetric and anti-symmetric scatterometry signals
US7369235B1 (en) 2005-06-24 2008-05-06 Kla-Tencor Corporation Method and system for measuring deep trenches in silicon
US7636168B2 (en) 2005-10-11 2009-12-22 Zygo Corporation Interferometry method and system including spectral decomposition
US7430051B2 (en) * 2005-10-12 2008-09-30 Sematech Inc. Methods for characterizing semiconductor material using optical metrology
JP4807659B2 (ja) * 2006-01-31 2011-11-02 凸版印刷株式会社 セル内膜厚測定装置
US7747424B2 (en) * 2006-03-17 2010-06-29 Kla-Tencor Corporation Scatterometry multi-structure shape definition with multi-periodicity
US7561282B1 (en) 2006-03-27 2009-07-14 Kla-Tencor Technologies Corporation Techniques for determining overlay and critical dimension using a single metrology tool
JP4990548B2 (ja) * 2006-04-07 2012-08-01 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
WO2007133755A2 (en) * 2006-05-15 2007-11-22 Rudolph Technologies, Inc. Structure model description and use for scatterometry-based semiconductor manufacturing process metrology
US7623238B1 (en) 2006-06-07 2009-11-24 J.A. Woollam Co., Inc. System for and method of reducing change caused by motor vibrations in ellipsometers, polarimeters or the like
US7469164B2 (en) * 2006-06-26 2008-12-23 Nanometrics Incorporated Method and apparatus for process control with in-die metrology
US7515283B2 (en) * 2006-07-11 2009-04-07 Tokyo Electron, Ltd. Parallel profile determination in optical metrology
US7469192B2 (en) * 2006-07-11 2008-12-23 Tokyo Electron Ltd. Parallel profile determination for an optical metrology system
TWI428559B (zh) 2006-07-21 2014-03-01 Zygo Corp 在低同調干涉下系統性效應之補償方法和系統
TWI429896B (zh) 2006-07-27 2014-03-11 Rudolph Technologies Inc 橢圓偏光測定儀器及監控製程之方法
JP5186129B2 (ja) * 2006-08-25 2013-04-17 大日本スクリーン製造株式会社 溝パターンの深さの測定方法および測定装置
JP5145673B2 (ja) * 2006-08-30 2013-02-20 住友電気工業株式会社 レーザ加工方法およびレーザ加工装置
US7630087B2 (en) * 2006-11-22 2009-12-08 Asml Netherlands B.V. Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
US20080129986A1 (en) * 2006-11-30 2008-06-05 Phillip Walsh Method and apparatus for optically measuring periodic structures using orthogonal azimuthal sample orientations
KR101519932B1 (ko) 2006-12-22 2015-05-13 지고 코포레이션 표면 특징물의 특성을 측정하기 위한 장치 및 방법
DE102006062036B4 (de) * 2006-12-29 2017-10-05 Globalfoundries Inc. Bewertung von mechanischen Spannungen in Mikrostrukturbauelementen in der Prozesslinie
US8798966B1 (en) * 2007-01-03 2014-08-05 Kla-Tencor Corporation Measuring critical dimensions of a semiconductor structure
US7596422B2 (en) * 2007-01-12 2009-09-29 Tokyo Electron Limited Determining one or more profile parameters of a structure using optical metrology and a correlation between profile models and key profile shape variables
US7889355B2 (en) 2007-01-31 2011-02-15 Zygo Corporation Interferometry for lateral metrology
TWI416096B (zh) 2007-07-11 2013-11-21 Nova Measuring Instr Ltd 用於監控圖案化結構的性質之方法及系統
US7716003B1 (en) * 2007-07-16 2010-05-11 Kla-Tencor Technologies Corporation Model-based measurement of semiconductor device features with feed forward use of data for dimensionality reduction
US7619746B2 (en) 2007-07-19 2009-11-17 Zygo Corporation Generating model signals for interferometry
US8699027B2 (en) * 2007-07-27 2014-04-15 Rudolph Technologies, Inc. Multiple measurement techniques including focused beam scatterometry for characterization of samples
US7826072B1 (en) 2007-08-16 2010-11-02 Kla-Tencor Technologies Corporation Method for optimizing the configuration of a scatterometry measurement system
JP4950813B2 (ja) * 2007-08-30 2012-06-13 大日本スクリーン製造株式会社 分光エリプソメータ、膜厚測定装置および分光エリプソメータのフォーカス調整方法
US7838309B1 (en) * 2007-09-07 2010-11-23 Kla-Tencor Corporation Measurement and control of strained devices
NL1036018A1 (nl) * 2007-10-09 2009-04-15 Asml Netherlands Bv A method of optimizing a model, a method of measuring a property, a device manufacturing method, a spectrometer and a lithographic apparatus.
US8072611B2 (en) 2007-10-12 2011-12-06 Zygo Corporation Interferometric analysis of under-resolved features
WO2009064670A2 (en) 2007-11-13 2009-05-22 Zygo Corporation Interferometer utilizing polarization scanning
EP2232195B1 (en) 2007-12-14 2015-03-18 Zygo Corporation Analyzing surface structure using scanning interferometry
DE102007063415B4 (de) * 2007-12-18 2014-12-04 BAM Bundesanstalt für Materialforschung und -prüfung Verfahren und Vorrichtung zum Erkennen eines Erzeugnisses
US9006001B2 (en) * 2007-12-24 2015-04-14 Texas Instruments Incorporated Simple scatterometry structure for Si recess etch control
JP2009162494A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Nec Electronics Corp 計測方法
US20090219537A1 (en) * 2008-02-28 2009-09-03 Phillip Walsh Method and apparatus for using multiple relative reflectance measurements to determine properties of a sample using vacuum ultra violet wavelengths
US8126694B2 (en) 2008-05-02 2012-02-28 Nanometrics Incorporated Modeling conductive patterns using an effective model
US20090279172A1 (en) * 2008-05-12 2009-11-12 Higashi Robert E Microelectromechanical lamellar grating
US8090558B1 (en) 2008-06-09 2012-01-03 Kla-Tencor Corporation Optical parametric model optimization
US20100059657A1 (en) * 2008-09-05 2010-03-11 Nikon Corporation System and Method Producing Data For Correcting Autofocus Error in An Imaging Optical System
US8120781B2 (en) 2008-11-26 2012-02-21 Zygo Corporation Interferometric systems and methods featuring spectral analysis of unevenly sampled data
US8195435B2 (en) * 2008-12-19 2012-06-05 Tokyo Electron Limited Hybrid diffraction modeling of diffracting structures
US8125641B2 (en) * 2009-03-27 2012-02-28 N&K Technology, Inc. Method and apparatus for phase-compensated sensitivity-enhanced spectroscopy (PCSES)
US8153987B2 (en) 2009-05-22 2012-04-10 Jordan Valley Semiconductors Ltd. Automated calibration methodology for VUV metrology system
NL2004545A (en) * 2009-06-09 2010-12-13 Asml Netherlands Bv Lithographic method and arrangement
US8441639B2 (en) * 2009-09-03 2013-05-14 Kla-Tencor Corp. Metrology systems and methods
WO2011045132A1 (en) * 2009-10-12 2011-04-21 Asml Netherlands B.V. Method, inspection apparatus and substrate for determining an approximate structure of an object on the substrate
US8467056B1 (en) * 2009-11-09 2013-06-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Variable angle, fiber optic coupled, light scattering apparatus
US20110276319A1 (en) * 2010-05-06 2011-11-10 Jonathan Michael Madsen Determination of material optical properties for optical metrology of structures
CN103052895B (zh) * 2010-08-02 2015-10-14 大日本印刷株式会社 光学层叠体、偏振片和图像显示装置
US8867041B2 (en) 2011-01-18 2014-10-21 Jordan Valley Semiconductor Ltd Optical vacuum ultra-violet wavelength nanoimprint metrology
US8565379B2 (en) 2011-03-14 2013-10-22 Jordan Valley Semiconductors Ltd. Combining X-ray and VUV analysis of thin film layers
US9442063B2 (en) 2011-06-27 2016-09-13 Kla-Tencor Corporation Measurement of composition for thin films
JP2013032981A (ja) * 2011-08-02 2013-02-14 Otsuka Denshi Co Ltd 膜厚測定装置
US8468471B2 (en) 2011-09-23 2013-06-18 Kla-Tencor Corp. Process aware metrology
US10346962B2 (en) * 2012-02-10 2019-07-09 Corning Incorporated Nondestructive method to predict isostatic strength in ceramic substrates
WO2013124131A2 (en) * 2012-02-21 2013-08-29 Asml Netherlands B.V. Inspection apparatus and method
US9158383B2 (en) 2012-03-02 2015-10-13 Microsoft Technology Licensing, Llc Force concentrator
US9075566B2 (en) 2012-03-02 2015-07-07 Microsoft Technoogy Licensing, LLC Flexible hinge spine
US20130242303A1 (en) * 2012-03-13 2013-09-19 Nanometrics Incorporated Dual angles of incidence and azimuth angles optical metrology
WO2013143814A1 (en) 2012-03-27 2013-10-03 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, lithographic system and device manufacturing method
US10354929B2 (en) * 2012-05-08 2019-07-16 Kla-Tencor Corporation Measurement recipe optimization based on spectral sensitivity and process variation
US20130300590A1 (en) 2012-05-14 2013-11-14 Paul Henry Dietz Audio Feedback
US9952140B2 (en) * 2012-05-29 2018-04-24 Kla-Tencor Corporation Small spot size spectroscopic ellipsometer
WO2013188602A1 (en) * 2012-06-13 2013-12-19 Kla-Tencor Corporation Optical surface scanning systems and methods
CN103575662B (zh) * 2012-08-09 2016-05-04 北京智朗芯光科技有限公司 光学测量系统
EP2901115A4 (en) * 2012-09-24 2016-07-20 Tornado Spectral Systems Inc MULTIFUNCTION SPECTROMETER ON A CHIP WITH SINGLE DETECTOR ARRAY
US8860937B1 (en) 2012-10-24 2014-10-14 Kla-Tencor Corp. Metrology systems and methods for high aspect ratio and large lateral dimension structures
US8912495B2 (en) 2012-11-21 2014-12-16 Kla-Tencor Corp. Multi-spectral defect inspection for 3D wafers
US8994943B2 (en) * 2012-11-30 2015-03-31 Infineon Technologies Ag Selectivity by polarization
NL2011816A (en) * 2012-11-30 2014-06-04 Asml Netherlands Bv Method of determining dose and focus, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method.
CN103323403B (zh) * 2013-05-27 2015-04-15 浙江大学 一种低辐射镀膜玻璃的光学参数检测方法
US10481088B2 (en) 2013-06-04 2019-11-19 Kla-Tencor Corporation Automatic determination of fourier harmonic order for computation of spectral information for diffraction structures
US10079183B2 (en) * 2013-06-26 2018-09-18 Kla-Tenor Corporation Calculated electrical performance metrics for process monitoring and yield management
KR101830850B1 (ko) * 2013-07-03 2018-02-21 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 검사 장치 및 방법, 리소그래피 장치, 리소그래피 처리 셀 및 디바이스 제조 방법
KR20150085956A (ko) 2014-01-17 2015-07-27 삼성전자주식회사 반도체 소자의 계측 방법, 반도체 계측 시스템, 및 이들을 이용한 반도체 소자의 제조방법
US9546962B2 (en) * 2014-02-12 2017-01-17 Kla-Tencor Corporation Multi-spot scanning collection optics
JP6267550B2 (ja) * 2014-03-12 2018-01-24 キヤノン株式会社 測定装置および測定方法
EP3132467A4 (en) 2014-04-17 2017-11-01 Femtometrix, Inc. Wafer metrology technologies
US9494535B2 (en) * 2014-04-21 2016-11-15 Kla-Tencor Corporation Scatterometry-based imaging and critical dimension metrology
JP6035279B2 (ja) 2014-05-08 2016-11-30 東京エレクトロン株式会社 膜厚測定装置、膜厚測定方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6393397B2 (ja) 2014-06-30 2018-09-19 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置の照射線量決定方法、検査装置およびデバイス製造方法
US10151986B2 (en) * 2014-07-07 2018-12-11 Kla-Tencor Corporation Signal response metrology based on measurements of proxy structures
US9304235B2 (en) 2014-07-30 2016-04-05 Microsoft Technology Licensing, Llc Microfabrication
US10324733B2 (en) 2014-07-30 2019-06-18 Microsoft Technology Licensing, Llc Shutdown notifications
US10254942B2 (en) 2014-07-31 2019-04-09 Microsoft Technology Licensing, Llc Adaptive sizing and positioning of application windows
US10678412B2 (en) 2014-07-31 2020-06-09 Microsoft Technology Licensing, Llc Dynamic joint dividers for application windows
US10592080B2 (en) 2014-07-31 2020-03-17 Microsoft Technology Licensing, Llc Assisted presentation of application windows
US9787576B2 (en) 2014-07-31 2017-10-10 Microsoft Technology Licensing, Llc Propagating routing awareness for autonomous networks
EP3218924B1 (en) 2014-11-12 2020-02-12 Femtometrix, Inc. Systems for parsing material properties from within shg signals
EP3218669B1 (en) 2014-11-16 2024-02-28 ABDULHALIM, Ibrahim Multi-spectral polarimetric variable optical device and imager
KR20160066448A (ko) 2014-12-02 2016-06-10 삼성전자주식회사 표면 검사 방법
US9827209B2 (en) 2015-02-09 2017-11-28 Microsoft Technology Licensing, Llc Display system
US9513480B2 (en) 2015-02-09 2016-12-06 Microsoft Technology Licensing, Llc Waveguide
US9372347B1 (en) 2015-02-09 2016-06-21 Microsoft Technology Licensing, Llc Display system
US10018844B2 (en) 2015-02-09 2018-07-10 Microsoft Technology Licensing, Llc Wearable image display system
US9423360B1 (en) 2015-02-09 2016-08-23 Microsoft Technology Licensing, Llc Optical components
US11086216B2 (en) 2015-02-09 2021-08-10 Microsoft Technology Licensing, Llc Generating electronic components
US9429692B1 (en) 2015-02-09 2016-08-30 Microsoft Technology Licensing, Llc Optical components
US10317677B2 (en) 2015-02-09 2019-06-11 Microsoft Technology Licensing, Llc Display system
US9535253B2 (en) 2015-02-09 2017-01-03 Microsoft Technology Licensing, Llc Display system
US9970863B2 (en) * 2015-02-22 2018-05-15 Kla-Tencor Corporation Optical metrology with reduced focus error sensitivity
US20170045355A1 (en) * 2015-08-12 2017-02-16 Industrial Technology Research Institute Scattering measurement system and method
US10094774B2 (en) * 2015-08-12 2018-10-09 Industrial Technology Research Institute Scattering measurement system and method
EP3344972B1 (en) 2015-09-03 2022-12-14 California Institute of Technology Optical systems and methods of characterizing high-k dielectrics
CN105277500B (zh) * 2015-12-08 2018-05-25 上海老盛昌配送有限公司 一种苏丹红紫外固化检测装置与方法
US10451412B2 (en) 2016-04-22 2019-10-22 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry
US9728470B1 (en) * 2016-05-10 2017-08-08 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor structure and methods
KR20180028787A (ko) * 2016-09-09 2018-03-19 삼성전자주식회사 디펙 검사 시스템과 방법, 및 그 검사 방법을 이용한 반도체 소자 제조방법
JP7447016B2 (ja) 2018-04-27 2024-03-11 フェムトメトリクス， インク． 半導体装置の特性決定のためのシステムおよび方法
TWI716684B (zh) * 2018-05-09 2021-01-21 華邦電子股份有限公司 臨界尺寸量測方法及用於量測臨界尺寸的影像處理裝置
CN113167741A (zh) 2018-05-15 2021-07-23 菲拓梅里克斯公司 二次谐波产生(shg)光学检查系统设计
JP7404336B2 (ja) * 2018-07-25 2023-12-25 ノヴァ リミテッド 材料特性評価のための光学技術
CN108965735B (zh) * 2018-09-27 2023-11-03 武汉华星光电技术有限公司 对焦补偿的方法及其设备
KR102139995B1 (ko) * 2018-10-24 2020-07-31 한국표준과학연구원 수직입사 및 경사입사 결합형 타원계측기 및 이를 이용한 시편의 광물성 측정 방법
CN109405815B (zh) * 2018-12-05 2024-03-19 长安大学 一种用于隧道内测量周边收敛的快速固定装置及方法
US10804167B2 (en) 2019-01-24 2020-10-13 Kla-Tencor Corporation Methods and systems for co-located metrology
US11060982B2 (en) 2019-03-17 2021-07-13 Kla Corporation Multi-dimensional model of optical dispersion
KR102745394B1 (ko) * 2019-04-04 2024-12-20 한국전자통신연구원 펄스 압축기 모니터링 장치 및 방법
US10921721B1 (en) * 2019-09-13 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Measurement system and grating pattern array
KR102689649B1 (ko) 2019-09-17 2024-07-30 삼성전자주식회사 웨이퍼 검사 장치
US20220390356A1 (en) 2019-11-28 2022-12-08 Ev Group E. Thallner Gmbh Device and method for measuring a substrate
JP7083856B2 (ja) * 2020-01-07 2022-06-13 日本電子株式会社 高さ測定装置、荷電粒子線装置、および高さ測定方法
US11939665B2 (en) * 2020-03-10 2024-03-26 Tokyo Electron Limted Film thickness measuring apparatus and film thickness measuring method, and film forming system and film forming method
US20220028716A1 (en) * 2020-07-22 2022-01-27 Applied Materials, Inc. Substrate measurement subsystem
US11688616B2 (en) 2020-07-22 2023-06-27 Applied Materials, Inc. Integrated substrate measurement system to improve manufacturing process performance
KR20220050664A (ko) * 2020-10-16 2022-04-25 삼성전자주식회사 패턴 특성의 예측을 위한 딥 러닝 모델의 학습 방법 및 반도체 소자 제조 방법
US12062583B2 (en) 2021-03-11 2024-08-13 Applied Materials Israel Ltd. Optical metrology models for in-line film thickness measurements
US12218015B2 (en) * 2021-04-16 2025-02-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Interferometer systems and methods for real time etch process compensation control
US12013350B2 (en) 2021-05-05 2024-06-18 Onto Innovation Inc. Effective cell approximation model for logic structures
CN113310907B (zh) * 2021-06-09 2022-07-05 华中科技大学 一种磁性椭偏测量装置
EP4202409A1 (en) * 2021-12-22 2023-06-28 Munster Technological University Resonant scattering spectroscopy based wafer scale testing
US20240418501A1 (en) * 2023-06-19 2024-12-19 Tokyo Electron Limited Optical sensor for film thickness measurement
US12203850B1 (en) 2024-09-19 2025-01-21 Florida Polytechnic University Polar-azimuth spectral imaging and analysis device with modular sample stage

Family Cites Families (172)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3426201A (en) 1965-10-12 1969-02-04 Texas Instruments Inc Method and apparatus for measuring the thickness of films by means of elliptical polarization of reflected infrared radiation
US3547074A (en) 1967-04-13 1970-12-15 Block Engineering Apparatus for forming microelements
US3667846A (en) 1969-07-28 1972-06-06 Charles Nater Optical surface inspection apparatus
US3671126A (en) 1970-02-19 1972-06-20 Ati Inc Noncontacting optical probe
US4171917A (en) 1974-07-02 1979-10-23 Centre De Recherches Metallurgiques-Centrum Voor Research In De Metallurgie Determining the profile of a surface of an object
US4039370A (en) 1975-06-23 1977-08-02 Rca Corporation Optically monitoring the undercutting of a layer being etched
CA1043463A (en) 1975-12-05 1978-11-28 Paul A. Mueller Lumber inspection and optimization system
JPS5335567A (en) 1976-09-13 1978-04-03 Shinetsu Chem Ind Co Apparatus for measuring thickness of semiconductor wafer
US4173788A (en) 1976-09-27 1979-11-06 Atmospheric Sciences, Inc. Method and apparatus for measuring dimensions
US4146327A (en) 1976-12-27 1979-03-27 Autech Optical triangulation gauging system
US4141780A (en) 1977-12-19 1979-02-27 Rca Corporation Optically monitoring the thickness of a depositing layer
US4303341A (en) 1977-12-19 1981-12-01 Rca Corporation Optically testing the lateral dimensions of a pattern
US4200396A (en) 1977-12-19 1980-04-29 Rca Corporation Optically testing the lateral dimensions of a pattern
US5280179A (en) 1979-04-30 1994-01-18 Sensor Adaptive Machines Incorporated Method and apparatus utilizing an orientation code for automatically guiding a robot
US5164579A (en) 1979-04-30 1992-11-17 Diffracto Ltd. Method and apparatus for electro-optically determining the dimension, location and attitude of objects including light spot centroid determination
US4373804A (en) 1979-04-30 1983-02-15 Diffracto Ltd. Method and apparatus for electro-optically determining the dimension, location and attitude of objects
HU186726B (en) 1979-06-08 1985-09-30 Energiagazdalkodasi Intezet Hybrid heat pump
US4330213A (en) 1980-02-14 1982-05-18 Rca Corporation Optical line width measuring apparatus and method
US5112131A (en) 1981-02-27 1992-05-12 Diffracto, Ltd. Controlled machining of combustion chambers, gears and other surfaces
DE3270551D1 (en) 1981-03-16 1986-05-22 Energy Conversion Devices Inc Optical methods for controlling layer thickness
US4516855A (en) 1981-04-03 1985-05-14 International Business Machines Corporation Method and apparatus for determining the polarization state of a light wave field
JPS57187604A (en) 1981-05-14 1982-11-18 Toshiba Corp Measurement device of profile
US4408884A (en) 1981-06-29 1983-10-11 Rca Corporation Optical measurements of fine line parameters in integrated circuit processes
JPS58206120A (ja) 1982-05-26 1983-12-01 Hitachi Ltd 半導体形成プロセス制御方式
JPS5999304A (ja) 1982-11-30 1984-06-08 Asahi Optical Co Ltd 顕微鏡系のレーザ光による比較測長装置
JPS59140420A (ja) 1983-02-01 1984-08-11 Canon Inc 半導体レ−ザ−を用いた光源装置
SU1146549A1 (ru) 1983-04-08 1985-03-23 Предприятие П/Я В-2892 Способ измерени линейного размера элементов топологического рисунка микросхем
JPH0750664B2 (ja) 1983-06-23 1995-05-31 富士通株式会社 レチクルの検査方法
JPS6033003A (ja) 1983-08-03 1985-02-20 Hitachi Ltd 形状測定装置
JPS6074528A (ja) 1983-09-30 1985-04-26 Fujitsu Ltd レジストパタ−ン検査装置
JPS6086843A (ja) 1983-10-19 1985-05-16 Hitachi Ltd 偏光解析装置を有する加工装置
JPS60128602A (ja) 1983-12-16 1985-07-09 株式会社日立製作所 多連多回転ボリウム
US4615620A (en) 1983-12-26 1986-10-07 Hitachi, Ltd. Apparatus for measuring the depth of fine engraved patterns
USRE33424E (en) 1983-12-26 1990-11-06 Hitachi, Ltd. Apparatus and method for measuring the depth of fine engraved patterns
US4672196A (en) 1984-02-02 1987-06-09 Canino Lawrence S Method and apparatus for measuring properties of thin materials using polarized light
JPS60166808A (ja) 1984-02-10 1985-08-30 Toshiba Corp 形状測定装置
JPS60236005A (ja) 1984-05-09 1985-11-22 Nec Corp 線巾測定方法
US4695162A (en) 1984-05-24 1987-09-22 Victor Company Of Japan, Ltd. Film thickness measuring apparatus
US4653924A (en) 1984-06-12 1987-03-31 Victor Company Of Japan, Ltd. Rotating analyzer type ellipsometer
JPS614906A (ja) 1984-06-19 1986-01-10 Nec Corp 線幅測定方法
JPS614905A (ja) 1984-06-19 1986-01-10 Nec Corp 線幅測定方法
JPS6139852A (ja) 1984-07-31 1986-02-26 Toshiba Electric Equip Corp 位相制御回路の保護回路
SU1226042A1 (ru) 1984-08-18 1986-04-23 Предприятие П/Я В-2892 Способ измерени толщины пленок на подложках
DE3434575C1 (de) 1984-09-20 1986-03-13 Sagax Instrument AB, Sundbyberg Ellipsometrische Vorrichtung zur Untersuchung der physikalischen Eigenschaften der Oberflaeche einer Probe
US4687325A (en) 1985-03-28 1987-08-18 General Electric Company Three-dimensional range camera
US4689491A (en) 1985-04-19 1987-08-25 Datasonics Corp. Semiconductor wafer scanning system
US4710642A (en) 1985-08-20 1987-12-01 Mcneil John R Optical scatterometer having improved sensitivity and bandwidth
US4668860A (en) 1985-10-09 1987-05-26 Optical Coating Laboratory, Inc. Scattermeter using polarized light to distinguish between bulk and surface scatter
JPS62150251A (ja) 1985-12-24 1987-07-04 Nec Corp デ−タベ−ス型フオトマスク検査装置
US5329357A (en) 1986-03-06 1994-07-12 Sopra-Societe De Production Et De Recherches Appliquees Spectroscopic ellipsometry apparatus including an optical fiber
FR2597976B1 (fr) 1986-04-24 1990-11-09 Tissier Annie Procede de mesure de parametres caracteristiques d'une couche mince et appareil pour la mise en oeuvre de ce procede
FR2605100B1 (fr) 1986-10-10 1988-12-09 Labo Electronique Physique Dispositif optique d'eclairement d'un echantillon pour un ellipsometre spectroscopique a haute resolution laterale
JPH0769154B2 (ja) 1987-06-10 1995-07-26 富士写真フイルム株式会社 レジストパタ−ンの形状計測方法
JPS6428509A (en) 1987-07-23 1989-01-31 Nippon Kokan Kk Apparatus for measuring thickness of film
US4905170A (en) 1987-11-12 1990-02-27 Forouhi Abdul R Method and apparatus of determining optical constants of amorphous semiconductors and dielectrics
US5087121A (en) 1987-12-01 1992-02-11 Canon Kabushiki Kaisha Depth/height measuring device
JPH0663745B2 (ja) 1988-01-13 1994-08-22 日本電気株式会社 格子周期測定装置
FR2628211B1 (fr) 1988-03-04 1993-05-14 Vareille Aime Analyseur par ellipsometrie, procede d'analyse ellipsometrique d'un echantillon et application a la mesure de variation d'epaisseur des couches minces
US5007708A (en) 1988-07-26 1991-04-16 Georgia Tech Research Corporation Technique for producing antireflection grating surfaces on dielectrics, semiconductors and metals
US5393624A (en) 1988-07-29 1995-02-28 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device
SU1695145A1 (ru) 1988-08-03 1991-11-30 Институт Радиотехники И Электроники Ан Ссср Эллипсометр
US4964726A (en) 1988-09-27 1990-10-23 General Electric Company Apparatus and method for optical dimension measurement using interference of scattered electromagnetic energy
NL8802920A (nl) 1988-11-28 1990-06-18 Hoogovens Groep Bv Laagdiktemeter.
US4991971A (en) 1989-02-13 1991-02-12 United Technologies Corporation Fiber optic scatterometer for measuring optical surface roughness
US5076696A (en) 1989-03-16 1991-12-31 The Johns Hopkins University Dynamic imaging microellipsometry
DE3914631A1 (de) 1989-05-03 1990-11-08 Basf Ag Verfahren zur untersuchung der physikalischen eigenschaften duenner schichten
US5042951A (en) 1989-09-19 1991-08-27 Therma-Wave, Inc. High resolution ellipsometric apparatus
US4999014A (en) 1989-05-04 1991-03-12 Therma-Wave, Inc. Method and apparatus for measuring thickness of thin films
DD289541A5 (de) 1989-08-04 1991-05-02 ��@�K@�������������@�K@��������������@��������k�� Verfahren zur herstellung von 11beta-aryl-16 alpha, 17 alph-cyclohexanoestra-4,9-dienen
JP3187827B2 (ja) 1989-12-20 2001-07-16 株式会社日立製作所 パターン検査方法および装置
US5166752A (en) 1990-01-11 1992-11-24 Rudolph Research Corporation Simultaneous multiple angle/multiple wavelength ellipsometer and method
DE4105192C2 (de) 1990-02-26 1996-07-04 Stefan Oelckers Verfahren zum Bestimmen von Oberflächenrauhigkeiten und dergleichen
JPH0424541A (ja) 1990-05-21 1992-01-28 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 内部欠陥測定方法および装置
US5091320A (en) 1990-06-15 1992-02-25 Bell Communications Research, Inc. Ellipsometric control of material growth
US5241369A (en) 1990-10-01 1993-08-31 Mcneil John R Two-dimensional optical scatterometer apparatus and process
US5114233A (en) 1990-10-09 1992-05-19 At&T Bell Laboratories Method for inspecting etched workpieces
US5032734A (en) 1990-10-15 1991-07-16 Vti, Inc. Method and apparatus for nondestructively measuring micro defects in materials
JP2927934B2 (ja) 1990-11-16 1999-07-28 株式会社リコー 薄膜測定方法および装置
US5411760A (en) * 1990-11-16 1995-05-02 Cal-West Equipment Company, Inc. Protective coating and method of using such coating
IL96483A (en) 1990-11-27 1995-07-31 Orbotech Ltd Optical inspection method and apparatus
WO1992014119A1 (en) 1991-01-30 1992-08-20 Nkk Corporation Ellipsometer and method of controlling coating thickness by use of ellipsometer
US5164790A (en) 1991-02-27 1992-11-17 Mcneil John R Simple CD measurement of periodic structures on photomasks
US5674652A (en) 1991-02-28 1997-10-07 University Of New Mexico Diffracted light from latent images in photoresist for exposure control
DE4108329C2 (de) 1991-03-14 1993-10-14 Plasmos Gmbh Prozesstechnik Verfahren zum Bestimmen von Materialparametern, nämlich Dicke, Brechungsindex und Absorptionskoeffizient, einzelner Schichten
JP3323537B2 (ja) 1991-07-09 2002-09-09 キヤノン株式会社 微細構造評価装置及び微細構造評価法
US5337146A (en) * 1992-03-30 1994-08-09 University Of New Orleans Diffraction-grating photopolarimeters and spectrophotopolarimeters
US5486919A (en) 1992-04-27 1996-01-23 Canon Kabushiki Kaisha Inspection method and apparatus for inspecting a particle, if any, on a substrate having a pattern
US5313044A (en) 1992-04-28 1994-05-17 Duke University Method and apparatus for real-time wafer temperature and thin film growth measurement and control in a lamp-heated rapid thermal processor
US5386317A (en) 1992-05-13 1995-01-31 Prometrix Corporation Method and apparatus for imaging dense linewidth features using an optical microscope
US5747813A (en) 1992-06-16 1998-05-05 Kla-Tencop. Corporation Broadband microspectro-reflectometer
US5494829A (en) 1992-07-31 1996-02-27 Biostar, Inc. Devices and methods for detection of an analyte based upon light interference
US5337150A (en) 1992-08-04 1994-08-09 Hughes Aircraft Company Apparatus and method for performing thin film layer thickness metrology using a correlation reflectometer
US5361137A (en) 1992-08-31 1994-11-01 Texas Instruments Incorporated Process control for submicron linewidth measurement
US5666201A (en) 1992-09-18 1997-09-09 J.A. Woollam Co. Inc. Multiple order dispersive optics system and method of use
US5521706A (en) 1992-09-18 1996-05-28 J. A. Woollam Co. Inc. System and method for compensating polarization-dependent sensitivity of dispersive optics in a rotating analyzer ellipsometer system
US5504582A (en) 1992-09-18 1996-04-02 J. A. Woollam Co. Inc. System and method for compensating polarization-dependent sensitivity of dispersive optics in a rotating analyzer ellipsometer system
US5519793A (en) 1992-11-05 1996-05-21 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Interior Apparatus and method for computer vision measurements
US5365340A (en) 1992-12-10 1994-11-15 Hughes Aircraft Company Apparatus and method for measuring the thickness of thin films
DE4301889A1 (de) 1993-01-14 1994-07-21 Sentech Instr Gmbh Verfahren zum Bestimmen charakteristischer Größen transparenter Schichten mit Hilfe der Ellipsometrie
IL104708A (en) 1993-02-12 1995-12-31 Orbotech Ltd Device and method for optical inspection of items
US5432607A (en) * 1993-02-22 1995-07-11 International Business Machines Corporation Method and apparatus for inspecting patterned thin films using diffracted beam ellipsometry
US5381233A (en) 1993-03-03 1995-01-10 National Tsing Hua University Polarized-light scatterometer for measuring the thickness of a film coated on the partial of a substrate
EP0622624B1 (en) 1993-04-23 1999-12-01 Research Development Corporation Of Japan A method for observing film thickness and/or refractive index
US5408322A (en) * 1993-04-26 1995-04-18 Materials Research Corporation Self aligning in-situ ellipsometer and method of using for process monitoring
US5399229A (en) 1993-05-13 1995-03-21 Texas Instruments Incorporated System and method for monitoring and evaluating semiconductor wafer fabrication
US5412473A (en) 1993-07-16 1995-05-02 Therma-Wave, Inc. Multiple angle spectroscopic analyzer utilizing interferometric and ellipsometric devices
US5355212A (en) 1993-07-19 1994-10-11 Tencor Instruments Process for inspecting patterned wafers
US5416594A (en) 1993-07-20 1995-05-16 Tencor Instruments Surface scanner with thin film gauge
US5363171A (en) 1993-07-29 1994-11-08 The United States Of America As Represented By The Director, National Security Agency Photolithography exposure tool and method for in situ photoresist measurments and exposure control
US5503707A (en) 1993-09-22 1996-04-02 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for process endpoint prediction based on actual thickness measurements
US5625453A (en) 1993-10-26 1997-04-29 Canon Kabushiki Kaisha System and method for detecting the relative positional deviation between diffraction gratings and for measuring the width of a line constituting a diffraction grating
IL107549A (en) 1993-11-09 1996-01-31 Nova Measuring Instr Ltd Device for measuring the thickness of thin films
US5494697A (en) 1993-11-15 1996-02-27 At&T Corp. Process for fabricating a device using an ellipsometric technique
US5555472A (en) 1993-12-22 1996-09-10 Integrated Process Equipment Corp. Method and apparatus for measuring film thickness in multilayer thin film stack by comparison to a reference library of theoretical signatures
GB9326247D0 (en) 1993-12-23 1994-02-23 British Petroleum Co Plc Method of determining thickness of coating
JPH07181438A (ja) 1993-12-24 1995-07-21 Sharp Corp 液晶表示装置及びその欠陥修正方法
US5666199A (en) * 1994-07-11 1997-09-09 Phillips Petroleum Company Apparatus and process for detecting the presence of gel defects in oriented sheets or films based on polarization detection
US5604581A (en) 1994-10-07 1997-02-18 On-Line Technologies, Inc. Film thickness and free carrier concentration analysis method and apparatus
KR960015001A (ko) 1994-10-07 1996-05-22 가나이 쓰토무 반도체 기판의 제조방법과 피검사체상의 패턴결함을 검사하기 위한 방법 및 장치
WO1996012941A1 (en) 1994-10-21 1996-05-02 Therma-Wave, Inc. Spectroscopic ellipsometer
US5555474A (en) * 1994-12-21 1996-09-10 Integrated Process Equipment Corp. Automatic rejection of diffraction effects in thin film metrology
US5608526A (en) 1995-01-19 1997-03-04 Tencor Instruments Focused beam spectroscopic ellipsometry method and system
US5607800A (en) 1995-02-15 1997-03-04 Lucent Technologies Inc. Method and arrangement for characterizing micro-size patterns
FR2731074B1 (fr) 1995-02-27 1997-05-16 Instruments Sa Procede de mesure ellipsometrique, ellipsometre et dispositif de controle d'elaboration de couches les mettant en oeuvre
US6118525A (en) 1995-03-06 2000-09-12 Ade Optical Systems Corporation Wafer inspection system for distinguishing pits and particles
JPH10501072A (ja) 1995-03-20 1998-01-27 カンサス ステイト ユニバーシティ リサーチ フアウンデーション エリプソメトリー顕微鏡
US5777744A (en) 1995-05-16 1998-07-07 Canon Kabushiki Kaisha Exposure state detecting system and exposure apparatus using the same
US5625455A (en) 1995-06-06 1997-04-29 Board Of Regents, The University Of Texas System Rotating analyzer ellipsometer and ellipsometry technique
US5703692A (en) 1995-08-03 1997-12-30 Bio-Rad Laboratories, Inc. Lens scatterometer system employing source light beam scanning means
FR2737572B1 (fr) * 1995-08-03 1997-10-24 Centre Nat Rech Scient Ellipsometre multi-detecteurs et procede de mesure ellipsometrique multi-detecteurs
US5638178A (en) 1995-09-01 1997-06-10 Phase Metrics Imaging polarimeter detector for measurement of small spacings
US5739909A (en) 1995-10-10 1998-04-14 Lucent Technologies Inc. Measurement and control of linewidths in periodic structures using spectroscopic ellipsometry
US5835221A (en) * 1995-10-16 1998-11-10 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating a device using polarized light to determine film thickness
US5835220A (en) 1995-10-27 1998-11-10 Nkk Corporation Method and apparatus for detecting surface flaws
US5654903A (en) 1995-11-07 1997-08-05 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for real time monitoring of wafer attributes in a plasma etch process
US6104486A (en) * 1995-12-28 2000-08-15 Fujitsu Limited Fabrication process of a semiconductor device using ellipsometry
JP3712481B2 (ja) * 1995-12-28 2005-11-02 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
US5825498A (en) 1996-02-05 1998-10-20 Micron Technology, Inc. Ultraviolet light reflectance method for evaluating the surface characteristics of opaque materials
US5982496A (en) 1996-03-11 1999-11-09 Vlsi Technology, Inc. Thin film thickness and optimal focus measuring using reflectivity
US5805290A (en) 1996-05-02 1998-09-08 International Business Machines Corporation Method of optical metrology of unresolved pattern arrays
JP3602646B2 (ja) 1996-05-21 2004-12-15 株式会社日立製作所 試料の寸法測定装置
US5880838A (en) * 1996-06-05 1999-03-09 California Institute Of California System and method for optically measuring a structure
US6594012B2 (en) 1996-07-05 2003-07-15 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
US5923423A (en) 1996-09-12 1999-07-13 Sentec Corporation Heterodyne scatterometer for detecting and analyzing wafer surface defects
US5956148A (en) * 1996-12-20 1999-09-21 Texas Instruments Incorporated Semiconductor surface measurement system and method
US5867276A (en) 1997-03-07 1999-02-02 Bio-Rad Laboratories, Inc. Method for broad wavelength scatterometry
US6278519B1 (en) * 1998-01-29 2001-08-21 Therma-Wave, Inc. Apparatus for analyzing multi-layer thin film stacks on semiconductors
US6031615A (en) * 1997-09-22 2000-02-29 Candela Instruments System and method for simultaneously measuring lubricant thickness and degradation, thin film thickness and wear, and surface roughness
US5963329A (en) 1997-10-31 1999-10-05 International Business Machines Corporation Method and apparatus for measuring the profile of small repeating lines
US6483580B1 (en) 1998-03-06 2002-11-19 Kla-Tencor Technologies Corporation Spectroscopic scatterometer system
US6836324B2 (en) 1998-03-18 2004-12-28 Nova Measuring Instruments Ltd. Method and apparatus for measurements of patterned structures
US6476920B1 (en) 1998-03-18 2002-11-05 Nova Measuring Instruments, Ltd. Method and apparatus for measurements of patterned structures
IL123727A (en) 1998-03-18 2002-05-23 Nova Measuring Instr Ltd Method and apparatus for measurement of patterned structures
US5917594A (en) 1998-04-08 1999-06-29 Kla-Tencor Corporation Spectroscopic measurement system using an off-axis spherical mirror and refractive elements
US6271047B1 (en) 1998-05-21 2001-08-07 Nikon Corporation Layer-thickness detection methods and apparatus for wafers and the like, and polishing apparatus comprising same
WO2000035002A1 (de) 1998-12-04 2000-06-15 Semiconductor 300 Gmbh & Co. Kg Verfahren und vorrichtung zur optischen kontrolle von fertigungsprozessen feinstrukturierter oberflächen in der halbleiterfertigung
IL130874A (en) 1999-07-09 2002-12-01 Nova Measuring Instr Ltd System and method for measuring pattern structures
US6525818B1 (en) 2000-02-08 2003-02-25 Infineon Technologies Ag Overlay alignment system using polarization schemes
US6982792B1 (en) 2000-03-21 2006-01-03 J.A. Woollam Co. Inc Spectrophotometer, ellipsometer, polarimeter and the like systems
US6429943B1 (en) 2000-03-29 2002-08-06 Therma-Wave, Inc. Critical dimension analysis with simultaneous multiple angle of incidence measurements
US6603542B1 (en) 2000-06-14 2003-08-05 Qc Optics, Inc. High sensitivity optical inspection system and method for detecting flaws on a diffractive surface
US7317531B2 (en) 2002-12-05 2008-01-08 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry
US6728663B2 (en) 2000-09-13 2004-04-27 Accent Optical Technologies, Inc. Structure identification using scattering signatures
US7099005B1 (en) 2000-09-27 2006-08-29 Kla-Tencor Technologies Corporation System for scatterometric measurements and applications
US6678043B1 (en) 2000-10-31 2004-01-13 Gerard H. Vurens Methods and apparatus for surface analysis
US6900892B2 (en) 2000-12-19 2005-05-31 Kla-Tencor Technologies Corporation Parametric profiling using optical spectroscopic systems
WO2002065545A2 (en) 2001-02-12 2002-08-22 Sensys Instruments Corporation Overlay alignment metrology using diffraction gratings
US6614540B1 (en) 2001-06-28 2003-09-02 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for determining feature characteristics using scatterometry
WO2003054475A2 (en) * 2001-12-19 2003-07-03 Kla-Tencor Technologies Corporation Parametric profiling using optical spectroscopic systems
KR100689743B1 (ko) 2004-10-01 2007-03-08 삼성전자주식회사 저잡음 증폭기의 정전기 보호 및 입력 임피던스 정합 회로및 저잡음 증폭기
US7515253B2 (en) 2005-01-12 2009-04-07 Kla-Tencor Technologies Corporation System for measuring a sample with a layer containing a periodic diffracting structure
US7372579B2 (en) 2006-04-20 2008-05-13 Infineon Technologies, Ag Apparatus and method for monitoring trench profiles and for spectrometrologic analysis

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010066268A (ja) 2010-03-25
DE69922942T2 (de) 2006-03-30
WO1999045340A1 (en) 1999-09-10
DE69922942D1 (de) 2005-02-03
JP2010133941A (ja) 2010-06-17
US20030058443A1 (en) 2003-03-27
EP1073876B1 (en) 2004-12-29
JP2013083659A (ja) 2013-05-09
US6590656B2 (en) 2003-07-08
US7859659B2 (en) 2010-12-28
EP1073876A1 (en) 2001-02-07
JP2010133942A (ja) 2010-06-17
JP4633254B2 (ja) 2011-02-16
JP5102329B2 (ja) 2012-12-19
US7173699B2 (en) 2007-02-06
EP1508772A1 (en) 2005-02-23
US20020033945A1 (en) 2002-03-21
US6483580B1 (en) 2002-11-19
JP4643737B2 (ja) 2011-03-02
EP1508772B1 (en) 2013-08-21
JP5249169B2 (ja) 2013-07-31
US20110125458A1 (en) 2011-05-26
US20100165340A1 (en) 2010-07-01
US20070091327A1 (en) 2007-04-26
JP2002506198A (ja) 2002-02-26
US7898661B2 (en) 2011-03-01
JP2010281822A (ja) 2010-12-16
AU3310999A (en) 1999-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5563803B2 (ja) 回折構造体、広帯域、偏光、エリプソメトリおよび下地構造の測定
US7301649B2 (en) System for scatterometric measurements and applications
US7826071B2 (en) Parametric profiling using optical spectroscopic systems
KR101342410B1 (ko) 주기적인 회절 구조를 포함하는 층을 갖는 샘플을 측정하는시스템
US7312881B2 (en) Parametric profiling using optical spectroscopic systems to adjust processing parameter
US6940592B2 (en) Calibration as well as measurement on the same workpiece during fabrication

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130305

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20130603

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20130606

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20130702

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20130705

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20130731

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20130805

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130830

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140520

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140613

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5563803

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term