JP5545106B2 - Amplifier circuit and radio receiving apparatus having the same - Google Patents
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Description
本発明は,増幅回路とそれを有する無線受信装置に関する。 The present invention relates to an amplifier circuit and a wireless receiver having the amplifier circuit.
増幅回路は,例えば無線受信装置のRF回路ユニット内に設けられ,RF受信信号を所望の振幅に増幅する。そのために,RFゲイン制御回路が増幅回路の出力レベルを検出し,所望の振幅になるように増幅回路のゲインを自動的に制御する。 The amplifier circuit is provided, for example, in the RF circuit unit of the wireless receiver, and amplifies the RF reception signal to a desired amplitude. For this purpose, the RF gain control circuit detects the output level of the amplifier circuit and automatically controls the gain of the amplifier circuit so as to obtain a desired amplitude.
つまり,RFゲイン制御回路は,受信信号の入力レベルが小さいときは増幅回路のゲインを大きくし,入力レベルが大きいときは増幅回路のゲインを小さく制御する。 That is, the RF gain control circuit increases the gain of the amplifier circuit when the input level of the received signal is small, and controls the gain of the amplifier circuit small when the input level is high.
このような可変ゲイン増幅回路については,特許文献1−3,非特許文献1に記載されている。
Such a variable gain amplifier circuit is described in Patent Documents 1-3 and
しかしながら,RF受信信号には,希望波に加えて希望波の帯域近傍に妨害波が含まれることがある。希望波に比較して妨害波の入力レベルが大きい場合は,むしろ妨害波の入力レベルに応じて増幅回路のゲインを制御する必要がある。それと共に,妨害波の入力レベルが大きい場合は,増幅回路が線形性を失わずに入力信号を増幅できる最大入力振幅(ダイナミックレンジ)を大きくすることが望ましく,妨害波の入力レベルが小さい場合は,逆に最大入力振幅を小さくすることが望ましい。 However, the RF reception signal may include an interference wave in the vicinity of the desired wave band in addition to the desired wave. If the input level of the disturbing wave is larger than the desired wave, it is necessary to control the gain of the amplifier circuit according to the input level of the disturbing wave. At the same time, if the input level of the interference wave is large, it is desirable to increase the maximum input amplitude (dynamic range) at which the amplifier circuit can amplify the input signal without losing the linearity. Conversely, it is desirable to reduce the maximum input amplitude.
ただし,増幅回路の最大入力振幅を制御したときに同時にゲインが変化してしまうと,ゲインが戻るまでに一時的に受信不能状態になる。 However, if the gain changes at the same time when the maximum input amplitude of the amplifier circuit is controlled, reception is temporarily disabled before the gain returns.
そこで,本発明の目的は,ゲインと最大入力振幅とを独立して制御可能な増幅回路と,それを使用した無線受信装置を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide an amplifier circuit capable of independently controlling the gain and the maximum input amplitude, and a wireless receiver using the amplifier circuit.
増幅回路の第1の側面は,入力信号がゲートに入力され可変ゲート幅を有するソース接地トランジスタと,前記ソース接地トランジスタのドレインと電源との間に設けられた可変電流源と,前記ドレインと可変電流源との接続ノードに接続された出力端子と,前記出力端子と基準直流電源との間に設けられた可変抵抗負荷とを有する増幅器と,
ゲイン制御信号と最大入力振幅制御信号に基づいて,前記ソース接地トランジスタのゲート幅と,前記可変電流源の電流値と,前記可変抵抗負荷の抵抗値とを制御する増幅器制御回路とを有し,
前記増幅器制御回路は,前記ゲイン制御信号と最大入力振幅制御信号とにそれぞれ比例して前記電流値を制御し,前記ゲイン制御信号に比例して且つ前記最大入力振幅制御信号に反比例して前記ゲート幅を制御し,前記ゲイン制御信号と最大入力振幅制御信号にかかわらず前記抵抗値を一定にする第1の制御を行う。
A first aspect of the amplifier circuit includes a common source transistor having an input signal input to a gate and a variable gate width, a variable current source provided between a drain of the common source transistor and a power source, An amplifier having an output terminal connected to a connection node with a current source, and a variable resistance load provided between the output terminal and a reference DC power source;
An amplifier control circuit for controlling a gate width of the common source transistor, a current value of the variable current source, and a resistance value of the variable resistance load based on a gain control signal and a maximum input amplitude control signal;
The amplifier control circuit controls the current value in proportion to the gain control signal and the maximum input amplitude control signal, and is proportional to the gain control signal and in inverse proportion to the maximum input amplitude control signal. A first control is performed to control the width and keep the resistance value constant regardless of the gain control signal and the maximum input amplitude control signal.
第1の側面によれば,ゲインと最大入力振幅とを独立して制御することができる。 According to the first aspect, the gain and the maximum input amplitude can be controlled independently.
図1は,第1の本実施の形態における増幅回路を有する無線受信装置の構成図である。アンテナで受信された高周波入力信号RFinは,RF増幅回路10の増幅器12に入力され増幅される。増幅器12の出力S12は,ミキサ16でローカルクロックLOと乗算されダウンコンバートされる。ミキサ出力S16は,例えば低周波数を通過させるLPFからなるチャネル選択フィルタ18により所望の周波数帯のみ抽出される。フィルタの出力S18は,IF増幅回路20により増幅され,AD変換回路22によりデジタル信号S20dに変換される。このデジタル信号S20dは,後段の復調回路24により復調,復号化される。
FIG. 1 is a configuration diagram of a radio reception apparatus having an amplifier circuit according to the first embodiment. The high frequency input signal RFin received by the antenna is input to the
RF増幅回路10は,後述するソース接地トランジスタからなる増幅器12と,増幅器12に抵抗制御信号R_CN,電流制御信号IB_CN,ゲート幅制御信号β_CNを供給する増幅器制御回路14とを有する。増幅器制御回路14は,ゲイン制御信号G1と最大入力振幅制御信号V1dBとに基づいて,後述するアルゴリズムで抵抗制御信号R_CN,電流制御信号IB_CN,ゲート幅制御信号β_CNを生成する。これにより,増幅器12のゲインと最大入力振幅とを独立して制御することができる。
The
RFレベル検出回路26は,ミキサ16の出力信号S16の振幅を検出し,検出したRFレベルをRFゲイン制御回路28に供給する。RFゲイン制御回路28は,ミキサの出力信号S16の信号レベルが所望のRFターゲットレベルRFTになるようにゲイン制御信号G1,G2を生成し,増幅器制御回路14とミキサ16にそれぞれ出力する。増幅器12は,増幅器制御回路14からのゲイン制御信号G1に対応するゲインに制御され,同様に,ミキサ16もゲイン制御信号G2に対応するゲインに制御される。
The RF
IF増幅回路22の出力信号S20は,デジタル化され,そのデジタル化された信号S20dからIFレベル検出回路30は出力信号S20の信号レベルを検出する。そして,IFゲイン制御回路32は,この検出された信号レベルに応じて,信号レベルが所望のターゲットレベルになるように,第2のゲイン制御信号G3,G4を生成し,フィルタ18とIF増幅回路20に出力する。
The output signal S20 of the
最大入力振幅増減制御回路34は,RFレベル検出回路26が検出する出力信号S16の信号レベルと,IFレベル検出回路30が検出する出力信号S20の信号レベルと,IFゲイン制御回路32が生成する第2のゲイン制御信号G3,G4に基づいて,妨害波の希望波に対する比UDRを求め,その比UDRに応じて最大入力振幅増減制御信号KV1dBを生成する。後述するとおり,妨害波が大きく比UDRが大きい場合は最大入力振幅増減制御信号KV1dBを大きくし,妨害波が小さく比UDRが小さい場合はKV1dBを小さく制御する。
The maximum input amplitude increase /
また,最大入力振幅増減制御回路34は,最大入力振幅増減制御信号KV1dBの制御に合わせて,RFターゲットレベルRFTを制御する。つまり,KV1dBを小さくする場合はRFターゲットレベルRFTも小さくし,KV1dBを大きくする場合はRFTも大きくする。
The maximum input amplitude increase /
そして,最大入力振幅算出回路36は,ゲイン制御信号G1と最大入力振幅増減制御信号KV1dBとに基づいて,最大入力振幅制御信号V1dBを算出し,増幅器制御回路14に出力する。
The maximum input amplitude calculation circuit 36 calculates the maximum input amplitude control signal V1dB based on the gain control signal G1 and the maximum input amplitude increase / decrease control signal KV1dB, and outputs the maximum input amplitude control signal V1dB to the
図2は,入力信号の電波状況を示す図である。図2には4つの電波状況が示されている。また,図3は,電波状況に応じた好ましい増幅器の特性例を示す図である。図3中には,図2の電波状況(1)〜(4)が示されている。図3の横軸はゲインG1,縦軸は最大入力振幅V1dBである。 FIG. 2 is a diagram illustrating a radio wave condition of the input signal. FIG. 2 shows four radio wave conditions. FIG. 3 is a diagram showing an example of a preferable amplifier characteristic corresponding to the radio wave condition. In FIG. 3, the radio wave conditions (1) to (4) of FIG. 2 are shown. In FIG. 3, the horizontal axis represents the gain G1, and the vertical axis represents the maximum input amplitude V1dB.
ここで,最大入力振幅V1dBとは,以下の通りである。増幅器14に入力する入力レベルを大きくした場合,出力レベルはゲインに応じて増幅されたレベルになる。入力レベルと出力レベルの関係はゲインを傾きとするリニアな関係である。しかし,入力レベルがある値を超えると出力レベルは飽和し始める。そこで,出力レベルの飽和特性に起因してリニアな出力レベルから1dBだけ出力レベルが低下する入力レベルが,入力P1dBと称され,この入力P1dBが最大入力振幅V1dBである。つまり,最大入力振幅V1dBとは,リニア特性が得られる入力信号のダイナミックレンジに対応する。
Here, the maximum input amplitude V1dB is as follows. When the input level inputted to the
図2(1)は,希望波のレベルが小さく,妨害波がない電波状況である。この場合は,増幅器12のゲインを高くすることが必要であるが,増幅器12の最大入力振幅V1dBは小さくても良い。入力レベルが低いので最大入力振幅V1dBを下げても増幅器は歪まないからである。
FIG. 2 (1) shows a radio wave situation where the level of the desired wave is small and there is no interference wave. In this case, it is necessary to increase the gain of the
図2(2)は,希望波のレベルが大きく,妨害波がない電波状況である。この場合は,増幅器12のゲインを低くすることができるが,最大入力振幅V1dBは大きくする必要がある。
FIG. 2 (2) shows a radio wave situation where the level of the desired wave is large and there is no interfering wave. In this case, the gain of the
一方,図2(3)(4)は,大きな妨害波が存在する場合である。この場合は,両方とも,入力レベルが高いため最大入力振幅V1dBを大きくする必要がある。ただし,ゲインはいずれも小さくても良い。この場合,図2(3)の希望波のレベルは,(1)の希望波のレベルより高いことが前提である。 On the other hand, FIGS. 2 (3) and 2 (4) are cases where a large disturbance wave exists. In this case, since both input levels are high, it is necessary to increase the maximum input amplitude V1dB. However, any gain may be small. In this case, it is assumed that the level of the desired wave in FIG. 2 (3) is higher than the level of the desired wave in (1).
そこで,図3に示した特性Aのように,図2の4つの電波状況(1)〜(4)に応じて,増幅器のゲインG1と最大入力振幅V1dBを制御することが好ましい。さらに,電波状況(3)(4)の状態から妨害波がなくなり電波状況(1)(2)になった場合は,可能なかぎり最大入力振幅V1dBを下げて,図3中に特性Bで(1A)(2A)のように制御することが望ましい。逆に,電波状況(1)(2)から電波状況(3)(4)に変化した場合は,妨害波の高いレベルに対応して最大入力振幅V1dBを上げることが望ましい。 Therefore, it is preferable to control the gain G1 and the maximum input amplitude V1dB of the amplifier according to the four radio wave conditions (1) to (4) in FIG. 2 as in the characteristic A shown in FIG. Furthermore, when the interference wave disappears from the state of the radio wave condition (3) and (4) and the radio wave condition becomes (1) and (2), the maximum input amplitude V1dB is lowered as much as possible, and the characteristic B ( It is desirable to control as in 1A) and 2A. Conversely, when the radio wave condition (1) (2) changes to the radio wave condition (3) (4), it is desirable to increase the maximum input amplitude V1dB corresponding to the high level of the interference wave.
このように様々な電波状況に応じて増幅器のゲインG1と最大入力振幅V1dBとを変更するためには,増幅器のゲインG1と最大入力振幅V1dBとが独立して制御可能であることが望ましい。 Thus, in order to change the gain G1 and the maximum input amplitude V1dB of the amplifier according to various radio wave conditions, it is desirable that the gain G1 and the maximum input amplitude V1dB of the amplifier can be controlled independently.
図4は,本実施の形態における増幅回路の構成図である。増幅回路14は,ソース接地トランジスタからなる増幅器12と,増幅器12に抵抗制御信号R_CN,電流制御信号IB_CN,ゲート幅制御信号β_CNを供給する増幅器制御回路14とを有する。増幅器12は,ゲートに高周波の入力信号RFinが入力されるソース接地トランジスタNMOSと,スイッチSWと,トランジスタNMOSのドレイン側のノードNdと電源VDDとの間に設けられた可変電流源IBと,ドレイン側のノードNdに接続された出力端子OUTと所定の直流電圧V1との間に設けられた可変抵抗Rとを有する。トランジスタNMOSは,複数の並列のNチャネルMOSトランジスタ群からなり,それぞれのドレインに設けられたスイッチ群SWを制御することで,トランジスタNMOSのトータルのゲート幅を可変制御することができる。
FIG. 4 is a configuration diagram of the amplifier circuit in the present embodiment. The
なお,トランジスタNMOSのゲートには,図示しないインピーダンス整合回路と,ゲートバイアス回路が設けられる。 Note that an impedance matching circuit (not shown) and a gate bias circuit are provided at the gate of the transistor NMOS.
増幅器制御回路14は,最大入力振幅制御信号V1dBとゲイン制御信号G1に基づいて電流制御信号IB_CNを生成する電流制御回路14Aと,ゲイン制御信号G1に基づいて抵抗制御信号R_CNを生成する抵抗制御回路14Bと,最大入力振幅制御信号V1dBとゲイン制御信号G1に基づいてゲート幅制御信号β_CNを生成するゲート幅制御回路14Cとを有する。これら制御回路の制御方法について以下説明する。
The
図5は,ソース接地トランジスタのゲート電圧に対するドレイン電流の関係図である。横軸がゲート・ソース間電圧Vgsであり,縦軸がドレイン・ソース間電流Idsである。ソース接地であるので,ゲート・ソース間電圧Vgsはゲート電圧Vgになる。また,ソース接地であるのでドレイン/ソース間電流Idsはドレイン電流Idsになる。 FIG. 5 is a relationship diagram of the drain current with respect to the gate voltage of the common source transistor. The horizontal axis is the gate-source voltage Vgs, and the vertical axis is the drain-source current Ids. Since the source is grounded, the gate-source voltage Vgs becomes the gate voltage Vg. Since the source is grounded, the drain-source current Ids becomes the drain current Ids.
ゲート・ソース間電圧Vgsを0Vから上昇させ,閾値電圧Vthを超えるとドレイン電流Idsが流れ始める。さらに,ゲート・ソース間電圧Vgsを上昇させるとドレイン電流Idsが急激に上昇する。 When the gate-source voltage Vgs is increased from 0 V and exceeds the threshold voltage Vth, the drain current Ids begins to flow. Furthermore, when the gate-source voltage Vgs is increased, the drain current Ids increases rapidly.
図4のソース接地トランジスタによる増幅器12では,ゲート・ソース間電圧Vgsとドレイン電流Idsとの間には,以下の関係があることが知られている。
In the
ここで,Wはゲート幅,Lはゲート長,μは移動度,Coxは単位面積当たりのゲート酸化膜容量である。数1は,二乗則として知られ,図5のVgs−Ids特性において,ドレイン電流Idsはゲートのオーバードライブ電圧(Vgs−Vth)の二乗に比例し,比例定数βはトランジスタのゲート幅に依存する。図5(1)はトランジスタのゲート幅が狭くβが小さい場合であり,図5(2)はトランジスタのゲート幅が広くβが大きい場合である。したがって,図5(2)のほうが,ドレイン電流Idsは大きく,その二次曲線の傾きは大きい。
Here, W is the gate width, L is the gate length, μ is the mobility, and Cox is the gate oxide film capacitance per unit area.
高周波の入力信号RFinはゲート・ソース間電圧の変化として入力され,それに対して出力端子OUTの出力信号RFoutは,Vgs−Ids特性の動作点での傾きであるゲインG1に応じて増幅される。 The high-frequency input signal RFin is input as a change in the gate-source voltage, while the output signal RFout at the output terminal OUT is amplified according to the gain G1, which is the slope at the operating point of the Vgs-Ids characteristic.
そして,ソース接地増幅器のゲインGは,二次曲線であるVgs−Ids特性の傾きであるから,
G=R×(dIds/dVgs)
となり,数1に従えば,ゲインGは,
And since the gain G of the common source amplifier is the slope of the Vgs-Ids characteristic that is a quadratic curve,
G = R × (dIds / dVgs)
According to
となる。ここで,Rは負荷抵抗であり,電流IBは,高周波入力信号が無信号状態でのドレイン・ソース間電流Idsである。つまり,電流IBは,ゲートバイアス電圧Vgbにおけるドレイン・ソース間電流Idsであり,IBとVgbの交点が動作点になり,動作点の傾きがゲインGになる。 It becomes. Here, R is the load resistance, and the current IB is the drain-source current Ids when the high-frequency input signal is in the no-signal state. That is, the current IB is the drain-source current Ids at the gate bias voltage Vgb, and the intersection of IB and Vgb is the operating point, and the slope of the operating point is the gain G.
数3のゲインGの式によれば,電流IBを大きくすれば図5中の動作点がより高くなりゲインGが増加することが理解できる。また,ゲート幅に比例するβを大きくすれば,図5(2)のようにVgs−Ids特性が変化し,同様にゲインGが増加することが理解できる。さらに,可変抵抗値Rを大きくすれば,入力信号の変化に起因するドレイン電流の変化と可変抵抗値Rとの積が大きくなり,出力信号RFoutの振幅が大きくなり,結果的にゲインが増大する。
According to the equation of gain G in
次に,最大入力振幅V1dBは,図5中のゲートバイアス電圧Vgbからリニアな増幅が可能なゲート・ソース間電圧Vgsの範囲であり,一般的には(Vgb-Vth)の1/2程度である。そして,この最大入力振幅V1dBは以下の式の通りである。 Next, the maximum input amplitude V1dB is the range of the gate-source voltage Vgs that can be linearly amplified from the gate bias voltage Vgb in FIG. 5, and is generally about 1/2 of (Vgb-Vth). is there. The maximum input amplitude V1dB is as follows.
ここで定数αは一般的には1/2である。 Here, the constant α is generally ½.
この数4と図5から明らかなとおり,電流IBを大きくすれば動作点のゲートバイアス電圧Vgbが大きくなり,最大入力振幅V1dBは大きくなる。逆に,ゲート幅に比例するβを大きくすれば,図5(2)のようなVgs−Ids特性になるので,ゲートバイアス電圧Vgsは小さくなり,最大入力振幅V1dBは小さくなる。
As is apparent from
図4に戻り,可変電流IBを所定の値に設定した場合,入力無信号状態では電流IBがトランジスタNMOSに流れる。そして,入力信号RFinが入力されるとそれに応じてトランジスタNMOSのドレイン電流Idsが増減するが,その増減するドレイン電流Idsは負荷抵抗Rに流れ,出力信号RFoutが生成される。したがって,電流IBを小さく設定することが増幅器12の消費電流の低減につながることが理解できる。
Returning to FIG. 4, when the variable current IB is set to a predetermined value, the current IB flows through the transistor NMOS in the no-signal input state. When the input signal RFin is input, the drain current Ids of the transistor NMOS increases or decreases accordingly, and the increased or decreased drain current Ids flows through the load resistor R, and the output signal RFout is generated. Therefore, it can be understood that setting the current IB small leads to a reduction in the current consumption of the
以上の説明に基づき,増幅器制御回路14内の各制御回路14A,14B,14Cの制御方法について説明する。
Based on the above description, a control method of each
第1に,最大入力振幅V1dBを変更せずにゲインG1のみk倍にするためには,数3,数4より,ゲート長に比例するβと電流IBをk倍にすればよい。つまり,ゲート長をk倍(トランジスタNMOSの数をk倍)にしてβをk倍にし,それに対応して電流IBもk倍にする。その結果,図5の動作点は変更されないが,入力信号RFinの変化に対応して生じるドレイン電流Idsの変化が増大し,負荷抵抗Rで生成される出力信号RFoutの変化も増大し,最大入力振幅V1dBは変化せずにゲインG1だけが増大する。 First, in order to increase only the gain G1 by k without changing the maximum input amplitude V1dB, from equations (3) and (4), β and current IB proportional to the gate length may be increased by k. That is, the gate length is increased by k (the number of transistor NMOSs is increased by k), β is increased by k, and the current IB is correspondingly increased by k. As a result, although the operating point in FIG. 5 is not changed, the change in the drain current Ids generated in response to the change in the input signal RFin increases, the change in the output signal RFout generated by the load resistance R also increases, and the maximum input The amplitude V1dB does not change and only the gain G1 increases.
最大入力振幅V1dBを変更せずにゲインG1のみk倍にすることは,図3の特性図において横軸方向に制御することを意味する。 Making the gain G1 only k times without changing the maximum input amplitude V1dB means that the control is performed in the horizontal axis direction in the characteristic diagram of FIG.
別の方法として,最大入力振幅V1dBを変更せずにゲインG1のみk倍にするためには,数3,数4より,抵抗Rだけをk倍にすればよい。つまり,k>1の場合,図4の増幅器12において負荷抵抗Rを増大すれば出力RFoutの振幅が増大して結果的にゲインG1が増大する。
As another method, in order to increase only the gain G1 by k without changing the maximum input amplitude V1dB, it is only necessary to increase only the resistance R by k from Equations (3) and (4). That is, in the case of k> 1, if the load resistance R is increased in the
第2に,ゲインG1を変更せずに最大入力振幅V1dBのみk倍にするためには,数3,数4より,電流IBをk倍にし,ゲート長を1/k倍(トランジスタNMOSの数を1/k倍)にしてβを1/k倍にすればよい。つまり,電流IBをk倍にすればk>1の場合図5の動作点が高くなってゲインが増大するものの,βを1/k倍にするため図5(2)から(1)に変更されゲインの増大は相殺される。ただし,動作点が高くなったことで最大入力振幅V1dBは大きくなることが理解できる。
Secondly, in order to increase only the maximum input amplitude V1dB k times without changing the gain G1, the current IB is increased k times and the gate length is 1 / k times (number of transistors NMOS) from
ゲインG1を変更せずに最大入力振幅V1dBのみk倍にすることは,図3の特性図において縦軸方向に制御することを意味する。たとえば,(2)と(2A)間の制御である。 To increase only the maximum input amplitude V1dB by k without changing the gain G1 means to control in the vertical axis direction in the characteristic diagram of FIG. For example, control between (2) and (2A).
第3に,ゲインG1をk倍にし最大入力振幅V1dBを1/k倍にするためには,つまり,G1*V1dB(=KV1dB)を変更せずにゲインG1のみk倍にするためには,数3,数4より,電流IBを変更せずにβをk2倍にすればよい。つまり,k>1とすれば,図5(1)から(2)のように電流IBを変更せずにβを増加することであり,ゲインG1が増大し最大入力振幅V1dBが減少することがわかる。 Third, in order to increase the gain G1 by k times and the maximum input amplitude V1dB by 1 / k times, that is, to increase only the gain G1 by k times without changing G1 * V1dB (= KV1dB), From equations (3) and (4), β may be multiplied by k 2 without changing the current IB. That is, if k> 1, β is increased without changing the current IB as shown in FIGS. 5 (1) to (2), and the gain G1 increases and the maximum input amplitude V1dB decreases. Recognize.
ゲインG1をk倍にし最大入力振幅V1dBを1/k倍にすること,つまり,G1*V1dB(=KV1dB)を変更せずにゲインG1のみk倍にすることは,図3の特性図において特性AまたはB上でゲインを制御することを意味する。 The gain G1 is multiplied by k and the maximum input amplitude V1dB is increased by 1 / k. In other words, the gain G1 only is multiplied by k without changing G1 * V1dB (= KV1dB). Means controlling gain on A or B.
図6は,増幅器におけるゲインと消費電流の関係を示す図である。横軸にゲイン,縦軸に消費電流を示す。ゲインを増減する方法は,上記の通り,IBとβの両方を増減する方法と,抵抗Rを増減する方法とがある。したがって,高いゲインから低いゲインに減少する場合を考えると,まずIBとβの両方を減少させてゲインを減少させ,IBとβが限界に達した後に抵抗Rを減少させる第1の方法と,まず抵抗Rを減少させ,抵抗Rが限界に達した後にIBとβの両方を減少させてゲインを減少させる第2の方法とがある。低いゲインから高いゲインに増大する場合は上記と逆になる。 FIG. 6 is a diagram showing the relationship between gain and current consumption in the amplifier. The horizontal axis shows gain and the vertical axis shows current consumption. As described above, there are a method for increasing and decreasing the gain, a method for increasing and decreasing both IB and β, and a method for increasing and decreasing the resistance R. Therefore, considering the case of decreasing from a high gain to a low gain, first reducing both IB and β to reduce the gain, and then reducing the resistance R after IB and β reach the limits; There is a second method in which the resistance R is first decreased, and after the resistance R reaches the limit, both IB and β are decreased to decrease the gain. When increasing from a low gain to a high gain, the reverse is true.
本実施の形態では,上記の第1の方法または第2の方法により,ゲインG1と最大入力振幅V1dBを独立して制御する。 In the present embodiment, the gain G1 and the maximum input amplitude V1dB are independently controlled by the first method or the second method.
ただし,図6に示した第1の方法と第2の方法とを比較すると,増幅器12の消費電流を節約するためには,第2の方法が有利であることは明らかである。つまり,まず電流IBを減少させることが省電力化につながるからである。
However, if the first method and the second method shown in FIG. 6 are compared, it is clear that the second method is advantageous in order to save the current consumption of the
そこで,より好ましい実施の形態では,基準ゲインG0を境界にして,G1<G0でゲインG1を制御する場合は抵抗Rを可変し,G1≧G0でゲインG1を制御する場合はIBとβの両方を可変する。このように制御することで,特にゲイン低下制御時の省電力化をはかることができる。 Therefore, in a more preferred embodiment, the resistance R is varied when the gain G1 is controlled with G1 <G0 with the reference gain G0 as a boundary, and both IB and β are controlled when the gain G1 is controlled with G1 ≧ G0. Is variable. By controlling in this way, power saving can be achieved particularly during gain reduction control.
図7は,第1の実施の形態における増幅器制御回路の各制御回路14A,14B,14Cの制御式を示す図である。各制御回路14A,14B,14Cには,ゲインGが基準値G0より大きい場合と小さい場合それぞれの制御式が示されている。R0,β0,V0はそれぞれの基準値である。また,増幅器制御回路14にはゲイン制御信号G1が供給されるが,制御回路内の制御式ではゲインGで記載されている。
FIG. 7 is a diagram illustrating control expressions of the
数3,4の連立方程式を解くと,以下のとおりである。
IB=G*V1dB/2Rα
β=αRG/V1dB
したがって,図6のようにG≧G0においてR=一定に制御すると,電流IBは,ゲインGに比例し最大入力振幅V1dBに比例して制御し,βに対応するゲート幅は,ゲインGに比例し最大入力振幅V1dBに反比例して制御すればよいことがわかる。その場合,抵抗Rは一定値R0に制御される。
Solving the simultaneous equations of
IB = G * V1dB / 2Rα
β = αRG / V1dB
Therefore, as shown in FIG. 6, when G = G0 and R = constant control, the current IB is controlled in proportion to the gain G and in proportion to the maximum input amplitude V1dB, and the gate width corresponding to β is proportional to the gain G. However, it is understood that the control should be performed in inverse proportion to the maximum input amplitude V1dB. In that case, the resistance R is controlled to a constant value R0.
図6のようにG<G0においてIB*βを一定に保ってRを制御するためには,抵抗RはゲインGに比例して制御し,電流IBはV1dBに比例し,βはV1dBに反比例して制御すればよい。 To control R while maintaining IB * β constant at G <G0 as shown in Fig. 6, the resistance R is controlled in proportion to the gain G, the current IB is proportional to V1dB, and β is inversely proportional to V1dB. And control.
前述したとおり,図7に示したG≧G0での制御だけで,ゲインG1と最大入力振幅V1dBとを独立して制御するようにしてもよい。または図7に示したG<G0での制御だけで,ゲインG1と最大入力振幅V1dBとを独立して制御するようにしてもよい。むろん,図7のようにG0の上限で両制御方法を切り替えるとより好ましい。 As described above, the gain G1 and the maximum input amplitude V1dB may be controlled independently only by the control with G ≧ G0 shown in FIG. Alternatively, the gain G1 and the maximum input amplitude V1dB may be controlled independently only by the control with G <G0 shown in FIG. Of course, it is more preferable to switch both control methods at the upper limit of G0 as shown in FIG.
図8は,第1の実施の形態におけるゲインと最大入力振幅V1dBとの特性を示す図である。図3と同様に横軸がゲインG1,縦軸が最大入力振幅V1dBである。図7に示したとおり,増幅回路12は,ゲインG1と最大入力振幅V1dBとを独立して制御することができる。したがって,図8に示した特性A,Bにおいて任意のゲインと最大入力振幅とに制御可能である。
FIG. 8 is a diagram showing the characteristics of the gain and the maximum input amplitude V1 dB in the first embodiment. As in FIG. 3, the horizontal axis represents the gain G1, and the vertical axis represents the maximum input amplitude V1dB. As shown in FIG. 7, the
図1の受信装置内の最大入力振幅算出回路36は,最大入力振幅増減制御信号KV1dBとゲイン制御信号G1とから,最大入力振幅制御信号V1dBを算出する。その算出式は,
V1dB=V1dB0*(G0/G1)*(KV1dB/KV1dB0) (数5)
V1dB=V1dB0+(G0/G1)+(KV1dB/KV1dB0) (但しdB表記の場合)
である。ここで,V1dB0,G0,KV1dB0はそれぞれの基準値である。
The maximum input amplitude calculation circuit 36 in the receiver of FIG. 1 calculates the maximum input amplitude control signal V1dB from the maximum input amplitude increase / decrease control signal KV1dB and the gain control signal G1. The calculation formula is
V1dB = V1dB0 * (G0 / G1) * (KV1dB / KV1dB0) (Equation 5)
V1dB = V1dB0 + (G0 / G1) + (KV1dB / KV1dB0) (in dB notation)
It is. Here, V1dB0, G0, and KV1dB0 are respective reference values.
次に,図1の受信装置内の最大入力振幅増減制御回路34は,信号S16のRFレベル(VRF)と,信号S20(S20d)のIFレベル(VIF)と,ゲインG3,G4のトータルゲインGIFとから,希望波Dに対する妨害波Uの割合UDR(Undesired Desired Ratio)を求める。チャネル選択フィルタ18は信号S16から妨害波を除去し,さらに信号S20のIFレベル(VIF)はIF増幅器20とフィルタ18によりGIF倍に増幅されているので,信号S16での希望波のみの信号レベルはVIF/GIFになる。よって,希望波に対する妨害波の割合UDRは,以下のとおりとなる。
UDR=VRF/(VIF/GIF)=VRF*GIF/VIF
UDR=VRF+GIF−VIF (但しdB表記の場合)
そして,最大入力振幅増減制御回路34は,上記の割合UDRの増加,減少に対応して最大入力振幅増減制御信号KV1dBを増加,減少させると共に,KV1dBの増加,減少に合わせてRFターゲット信号RFTもそれぞれ増加,減少する。例えば,KV1dBの最大値をKV1dBmaxとすると,割合UDRの許容できる最大値をUDRmaxとすると,KV1dBを3段階で制御する場合は,以下のとおりUDRに基づいてKV1dBが制御される。
KV1dB=KV1dBmax (UDRmax>UDR>UDRmax/2の場合)
KV1dB=KV1dBmax/2 (UDRmax/2>UDR>UDRmax/4の場合)
KV1dB=KV1dBmax/4 (UDRmax/4>UDRの場合)
上記をdB表記すれば,以下のとおりである。
KV1dB=KV1dBmax (UDRmax>UDR>UDRmax-6dBの場合)
KV1dB=KV1dBmax-6dB (UDRmax-6dB >UDR>UDRmax-12dBの場合)
KV1dB=KV1dBmax-12dB (UDRmax-12dB>UDRの場合)
また,RFターゲットレベルRFTの最大値をRFTmaxとすると,最大入力振幅増減制御回路34は,RFターゲットレベルRFTを,KV1dBの増減に合わせて以下のように増減する。
RFT=RFTmax*(KV1dB/KV1dBmax)
RFT=RFTmax+(KV1dB−KV1dBmax) (dB表記の場合)
つまり,最大入力振幅増減制御回路34は,KV1dBの増減に対応してRFターゲットレベルRFTも同様に増減させる。
Next, the maximum input amplitude increase /
UDR = V RF / (V IF / G IF ) = V RF * G IF / V IF
UDR = V RF + G IF −V IF (in dB notation)
The maximum input amplitude increase /
KV1dB = KV1dBmax (when UDRmax>UDR> UDRmax / 2)
KV1dB = KV1dBmax / 2 (when UDRmax / 2>UDR> UDRmax / 4)
KV1dB = KV1dBmax / 4 (when UDRmax / 4> UDR)
The above is expressed in dB as follows.
KV1dB = KV1dBmax (when UDRmax>UDR> UDRmax-6dB)
KV1dB = KV1dBmax-6dB (when UDRmax-6dB>UDR> UDRmax-12dB)
KV1dB = KV1dBmax-12dB (when UDRmax-12dB> UDR)
Further, assuming that the maximum value of the RF target level RFT is RFTmax, the maximum input amplitude increase /
RFT = RFTmax * (KV1dB / KV1dBmax)
RFT = RFTmax + (KV1dB-KV1dBmax) (in dB notation)
That is, the maximum input amplitude increase /
上記の数5から,最大入力振幅V1dBと最大入力振幅増減KV1dBとの間には,以下の関係がある。
(KV1dB/KV1dB0)=(V1dB/V1dB0)*(G1/G0) (数6)
よって,最大入力振幅増減制御回路34は,希望波に対する妨害波の比UDR(妨害波の有無)に基づいて,最大入力振幅増減KV1dBを制御し特性A,B上での制御を行う。その時,最大入力振幅増減制御回路34は,KV1dBの増減に合わせてRFターゲットレベルRFTも増減する。このRFターゲットレベルRFTに基づいて,RFゲイン制御回路28はゲインG1を制御して増幅器制御回路14に出力する。そして,最大入力振幅算出回路36は,ゲインG1とKV1dBとに基づいて数5により最大入力振幅V1dBを算出し,増幅器制御回路14に出力する。
From the above equation (5), the following relationship exists between the maximum input amplitude V1dB and the maximum input amplitude increase / decrease KV1dB.
(KV1dB / KV1dB0) = (V1dB / V1dB0) * (G1 / G0) (Equation 6)
Therefore, the maximum input amplitude increase /
図9は,ある電波状態の変化と,それに対応して行われるKV1dBの制御による変化を示す図である。図9は,初期状態(a)において強い妨害波が存在する状態から,妨害波だけが1/2になり6dB低下した状態(b)になり,それに伴って最大入力振幅増減制御回路34がKV1dBを1/2にして6dB低下させる制御を示している。
FIG. 9 is a diagram showing a change in a certain radio wave state and a change due to control of KV1 dB performed correspondingly. FIG. 9 shows a state (b) in which only the disturbing wave is halved and reduced by 6 dB from the state in which a strong disturbing wave exists in the initial state (a), and the maximum input amplitude increase /
図8には3つの状態(a)(b)(c)でのゲインG1と最大入力振幅V1dBの遷移が示されている。これも参照しながら3つの状態について以下説明する。 FIG. 8 shows transitions of the gain G1 and the maximum input amplitude V1dB in three states (a), (b), and (c). The three states will be described below with reference to this as well.
初期状態(a)では,強い妨害波の存在でミキサ出力S16の妨害波レベルはRFターゲットレベルに制御されている。一方,IF出力S20の希望波レベルはIFターゲットレベルに制御されている。そこで,(b)のように妨害波だけが6dB低下すると,RFゲイン制御回路28がRFゲインG1,G2を増加させてRFターゲットレベルを維持する。それを補うために,IFゲイン制御回路32がIFゲインG3,G4を減少させる。最大入力振幅算出回路36は,状態(a)から(b)に変更した時のゲインG1の上昇に応じて最大入力振幅V1dBを低下させる。図8に示されるとおり,(a)から(b)に変化したことで,ゲインG1が増加し最大入力振幅V1dBが低下している。
In the initial state (a), the interference wave level of the mixer output S16 is controlled to the RF target level due to the presence of a strong interference wave. On the other hand, the desired wave level of the IF output S20 is controlled to the IF target level. Therefore, when only the interference wave is reduced by 6 dB as shown in (b), the RF
状態(b)になると,最大入力振幅増減制御回路34は,比UDRの低下に応答して,KV1dBを-6dBと低下させる。それと共にRFターゲットレベルRFTも-6dB低下させる。これで状態(c)になる。その結果,RFゲイン制御回路28はRFTの低下に応答してRFゲインG1,G2を低下させ,ミキサ出力S16のレベルが-6dB低下する。さらに,最大入力振幅算出回路36は,上記のKV1dBの-6dBの低下と,ゲインG1の低下に応答して,数5により最大入力振幅V1dBを制御する。すなわち,最大入力振幅算出回路36は,状態(a)から(b)に変更した時のゲインG1の上昇に応じて最大入力振幅V1dBを低下させたが,状態(c)でのKV1dBの低下とゲインG1の低下に応じて,その低下させた最大入力振幅V1dBを維持する。図8に示されるとおり,(b)から(c)への変化によりゲインG1のみが増加している。
In the state (b), the maximum input amplitude increase /
図8に示されるとおり,結局,妨害波が減少したことで,状態(a)から(c)に変化し,ゲインG1は一定に保たれながら,最大入力振幅V1dBのみが減少し,増幅器14の消費電力を小さくすることができた。 As shown in FIG. 8, after the interference wave is reduced, the state (a) is changed to (c), the gain G1 is kept constant, and only the maximum input amplitude V1dB is reduced. The power consumption can be reduced.
[第2の実施の形態]
図10は,第2の実施の形態における受信装置の構成図である。図1の第1の実施の形態と異なる構成は,最大入力振幅増減制御回路34が最大入力振幅増減制御信号KV1dBを直接増幅器制御回路15に出力することと,増幅器制御回路15がゲインG1とKV1dBとに基づいて,抵抗制御信号R_CN,電流制御信号I_CN,ゲート幅制御信号β_CNを生成することである。それ以外の構成は図1と同じである。
[Second Embodiment]
FIG. 10 is a configuration diagram of a receiving device according to the second embodiment. 1 differs from the first embodiment in that the maximum input amplitude increase /
図11は,第2の実施の形態における増幅器の制御回路15の各制御回路15A,15B,15Cの制御式を示す図である。図7と同様に,各制御回路15A,15B,15Cには,ゲインGが基準値G0より大きい場合と小さい場合それぞれの制御式が示されている。
FIG. 11 is a diagram illustrating control expressions of the
図7と異なり,第2の実施の形態では,最大入力振幅増減制御信号KV1dBが直接増幅器制御回路14に供給され,各制御回路15A,15B,15Cは,KV1dBとゲインGとに基づいてそれぞれの電流IB,抵抗R,ゲート幅βを生成し,増幅器14に与える。
Unlike FIG. 7, in the second embodiment, the maximum input amplitude increase / decrease control signal KV1dB is directly supplied to the
図11の制御式は,数6の(KV1dB/KV1dB0)=(V1dB/V1dB0)*(G1/G0)に基づいて,図7の各制御回路14A,14B,14Cの制御式をKV1dBとGとによる制御式に変換している。つまり,図1の第1の実施の形態における最大入力振幅算出回路36と増幅器制御回路14とを一体化したものが,図7の増幅器制御回路15である。
The control equation of FIG. 11 is based on the equation (KV1dB / KV1dB0) = (V1dB / V1dB0) * (G1 / G0). It has been converted to a control expression. That is, the
図11に示されるとおり,図6のようにG≧G0においてR=一定に制御すると,電流IBは,最大入力振幅増減KV1dBに比例して制御し,βに対応するゲート幅は,ゲインGの2乗に比例し最大入力振幅増幅KV1dBに反比例して制御すればよいことがわかる。その場合,抵抗Rは一定値R0に制御される。 As shown in FIG. 11, when G = G0 and R = constant control as shown in FIG. 6, the current IB is controlled in proportion to the maximum input amplitude increase / decrease KV1dB, and the gate width corresponding to β is the gain G It can be seen that the control should be performed in proportion to the square and in inverse proportion to the maximum input amplitude amplification KV1 dB. In that case, the resistance R is controlled to a constant value R0.
また,図6のようにG1<G0においてIB*βを一定に保ってRを制御するためには,抵抗RはゲインGに比例して制御し,電流IBはKV1dBに比例しゲインGに反比例して制御し,βはKV1dBに反比例しゲインGに比例して制御すればよい。 In addition, as shown in FIG. 6, in order to control R while maintaining IB * β constant at G1 <G0, resistance R is controlled in proportion to gain G, and current IB is proportional to KV1dB and inversely proportional to gain G. Β may be controlled in inverse proportion to KV1dB and in proportion to gain G.
第1の実施の形態と同様に,図11に示したG≧G0での制御だけで,ゲインG1と最大入力振幅V1dBとを独立して制御するようにしてもよい。または図11に示したG<G0での制御だけで,ゲインG1と最大入力振幅V1dBとを独立して制御するようにしてもよい。むろん,図11のようにG0の上限で両制御方法を切り替えるとより好ましい。 Similarly to the first embodiment, the gain G1 and the maximum input amplitude V1dB may be controlled independently only by the control with G ≧ G0 shown in FIG. Alternatively, the gain G1 and the maximum input amplitude V1dB may be controlled independently only by the control with G <G0 shown in FIG. Of course, it is more preferable to switch both control methods at the upper limit of G0 as shown in FIG.
図12は,第2の実施の形態におけるゲインG1と最大入力振幅増減KV1dBとの特性を示す図である。図3,図8と同様に横軸がゲインG1,縦軸が最大入力振幅V1dBである。さらに,図12には,最大入力振幅増減KV1dBの斜めの軸も示されている。第2の実施の形態においても,図12に示されるように,増幅回路12は,ゲインG1と最大入力振幅増減KV1dBとを独立して制御することができ,その結果,最大入力振幅V1dBを独立して制御することができる。したがって,図12に示した特性A,Bにおいて任意のゲインと最大入力振幅とに制御可能である。
FIG. 12 is a diagram illustrating the characteristics of the gain G1 and the maximum input amplitude increase / decrease KV1dB in the second embodiment. 3 and 8, the horizontal axis represents the gain G1, and the vertical axis represents the maximum input amplitude V1dB. Further, FIG. 12 also shows an oblique axis of the maximum input amplitude increase /
図12には,図9の初期状態(a),妨害波だけ-6dB低下した状態(b),KV1dBを-6dB低下させ同時にRFターゲットレベルRFTも-6dB低下させる制御した状態(c)とが示されている。 FIG. 12 shows the initial state (a) in FIG. 9, a state (b) in which only the interference wave is reduced by −6 dB, and a controlled state (c) in which the KV1dB is reduced by −6 dB and the RF target level RFT is also reduced by −6 dB. It is shown.
図10の受信装置において,初期状態(a)から妨害波だけ-6dBした状態(b)に推移すると,RFゲイン制御回路28は,ミキサ16の出力信号S16のレベルをRFターゲットレベルRFTに維持しようとしてゲインG1を上昇させる。それに応答して,IFゲイン制御回路32は,IFゲインG3,G4を低下させる。状態(b)では,KV1dBはまだ変更されていないので,ゲインG1の上昇に伴い最大入力振幅V1dBを低下させるように増幅器制御回路15が電流IB,ゲート幅βを制御する。
In the receiving apparatus of FIG. 10, when the transition is made from the initial state (a) to the state (b) in which only the interference wave is −6 dB, the RF
そして,最大入力振幅増減制御回路34は,状態(b)に応答して,妨害波の希望波に対する比UDRの低下に伴い,KV1dBを-6dB低下させると共にRFターゲットレベルRFTも-6dB低下させる。これが状態(c)である。状態(c)では,RFTの-6dBの低下により,RFゲイン制御回路28がゲインG1,G2を低下させる。ただし,増幅器制御回路15は,ゲインG1の低下とKV1dBの-6dBの低下により,最大入力振幅V1dBは変化しないように電流IB,ゲート幅βを制御する。
Then, in response to the state (b), the maximum input amplitude increase /
その結果,図12に示されるとおり,状態(a)から状態(c)へは,最大入力振幅V1dBのみ低下させ,ゲインG1は維持されることになる。つまり,V1dBとG1とが独立して制御されたことになる。 As a result, as shown in FIG. 12, from state (a) to state (c), only the maximum input amplitude V1dB is reduced, and gain G1 is maintained. In other words, V1dB and G1 are controlled independently.
以上の通り,従来ゲインしか制御できずゲイン制御時に同時に最大入力振幅も変動していたが,本実施の形態の増幅回路によれば,ゲインと最大入力振幅とを独立して制御することができる。よって,かかる増幅回路を受信装置に利用することで,電波状況に最適なゲインと最大入力振幅に制御することができる。 As described above, only the conventional gain can be controlled, and the maximum input amplitude also fluctuates at the same time during gain control. However, according to the amplifier circuit of this embodiment, the gain and the maximum input amplitude can be controlled independently. . Therefore, by using such an amplifier circuit for the receiving device, it is possible to control the gain and the maximum input amplitude that are optimal for the radio wave condition.
以上の実施の形態をまとめると,次の付記のとおりである。 The above embodiment is summarized as follows.
(付記1)
入力信号がゲートに入力され可変ゲート幅を有するソース接地トランジスタと,前記ソース接地トランジスタのドレインと電源との間に設けられた可変電流源と,前記ドレインと可変電流源との接続ノードに接続された出力端子と,前記出力端子と基準直流電源との間に設けられた可変抵抗負荷とを有する増幅器と,
ゲイン制御信号と最大入力振幅制御信号に基づいて,前記ソース接地トランジスタのゲート幅と,前記可変電流源の電流値と,前記可変抵抗負荷の抵抗値とを制御する増幅器制御回路とを有し,
前記増幅器制御回路は,
前記ゲイン制御信号と最大入力振幅制御信号とにそれぞれ比例して前記電流値を制御し,前記ゲイン制御信号に比例して且つ前記最大入力振幅制御信号に反比例して前記ゲート幅を制御し,前記ゲイン制御信号と最大入力振幅制御信号にかかわらず前記抵抗値を一定にする第1の制御を行う増幅回路。
(Appendix 1)
An input signal is input to the gate and connected to a common source transistor having a variable gate width, a variable current source provided between a drain and a power source of the common source transistor, and a connection node between the drain and the variable current source. And an amplifier having a variable resistance load provided between the output terminal and a reference DC power source,
An amplifier control circuit for controlling a gate width of the common source transistor, a current value of the variable current source, and a resistance value of the variable resistance load based on a gain control signal and a maximum input amplitude control signal;
The amplifier control circuit includes:
Controlling the current value in proportion to the gain control signal and the maximum input amplitude control signal, controlling the gate width in proportion to the gain control signal and inversely proportional to the maximum input amplitude control signal, An amplifier circuit that performs a first control to keep the resistance value constant regardless of a gain control signal and a maximum input amplitude control signal.
(付記2)
付記1において,
前記増幅制御回路は,前記ゲイン制御信号が基準ゲイン以上の場合は,前記第1の制御を行い,
前記ゲイン制御信号が前記基準ゲイン未満の場合は,前記最大入力振幅制御信号に比例して前記電流値を制御し,前記最大入力振幅制御信号に反比例して前記ゲート幅を制御し,前記ゲイン制御信号に比例して前記抵抗値を制御する第2の制御を行う増幅回路。
(Appendix 2)
In
The amplification control circuit performs the first control when the gain control signal is greater than or equal to a reference gain,
When the gain control signal is less than the reference gain, the current value is controlled in proportion to the maximum input amplitude control signal, the gate width is controlled in inverse proportion to the maximum input amplitude control signal, and the gain control is performed. An amplifier circuit that performs a second control for controlling the resistance value in proportion to a signal.
(付記3)
入力信号がゲートに入力され可変ゲート幅を有するソース接地トランジスタと,前記ソース接地トランジスタのドレインと電源との間に設けられた可変電流源と,前記ドレインと可変電流源との接続ノードに接続された出力端子と,前記出力端子と基準直流電源との間に設けられた可変抵抗負荷とを有する増幅器と,
ゲイン制御信号と最大入力振幅制御信号に基づいて,前記ソース接地トランジスタのゲート幅と,前記可変電流源の電流値と,前記可変抵抗負荷の抵抗値とを制御する増幅器制御回路とを有し,
前記増幅器制御回路は,
前記最大入力振幅制御信号に比例して前記電流値を制御し,前記最大入力振幅制御信号に反比例して前記ゲート幅を制御し,前記ゲイン制御信号に比例して前記抵抗値を制御する増幅回路。
(Appendix 3)
An input signal is input to the gate and connected to a common source transistor having a variable gate width, a variable current source provided between a drain and a power source of the common source transistor, and a connection node between the drain and the variable current source. And an amplifier having a variable resistance load provided between the output terminal and a reference DC power source,
An amplifier control circuit for controlling a gate width of the common source transistor, a current value of the variable current source, and a resistance value of the variable resistance load based on a gain control signal and a maximum input amplitude control signal;
The amplifier control circuit includes:
An amplifier circuit that controls the current value in proportion to the maximum input amplitude control signal, controls the gate width in inverse proportion to the maximum input amplitude control signal, and controls the resistance value in proportion to the gain control signal .
(付記4)
付記1,2または3において,更に,
前記出力端子に生成される第1の出力信号の信号レベルを所望のターゲットレベルに保つように前記ゲイン制御信号を生成し,当該ゲイン制御信号を前記増幅器制御回路に出力する第1のゲイン制御回路を有する増幅回路。
(Appendix 4)
In
A first gain control circuit that generates the gain control signal so as to keep the signal level of the first output signal generated at the output terminal at a desired target level, and outputs the gain control signal to the amplifier control circuit. An amplifier circuit.
(付記5)
入力信号がゲートに入力され可変ゲート幅を有するソース接地トランジスタと,前記ソース接地トランジスタのドレインと電源との間に設けられた可変電流源と,前記ドレインと可変電流源との接続ノードに接続された出力端子と,前記出力端子と基準直流電源との間に設けられた可変抵抗負荷とを有する増幅器と,
ゲイン制御信号と,当該ゲイン制御信号と最大入力振幅制御信号の積に比例する最大入力振幅増減制御信号とに基づいて,前記ソース接地トランジスタのゲート幅と,前記可変電流源の電流値と,前記可変抵抗負荷の抵抗値とを制御する増幅器制御回路とを有し,
前記増幅器制御回路は,
前記最大入力振幅増減制御信号に比例して前記電流値を制御し,前記ゲイン制御信号の2乗に比例して且つ前記最大入力振幅増減制御信号に反比例して前記ゲート幅を制御し,前記ゲイン制御信号と最大入力振幅増減制御信号にかかわらず前記抵抗値を一定にする第1の制御を行う増幅回路。
(Appendix 5)
An input signal is input to the gate and connected to a common source transistor having a variable gate width, a variable current source provided between a drain and a power source of the common source transistor, and a connection node between the drain and the variable current source. And an amplifier having a variable resistance load provided between the output terminal and a reference DC power source,
Based on the gain control signal and the maximum input amplitude increase / decrease control signal proportional to the product of the gain control signal and the maximum input amplitude control signal, the gate width of the common source transistor, the current value of the variable current source, An amplifier control circuit for controlling the resistance value of the variable resistance load;
The amplifier control circuit includes:
Controlling the current value in proportion to the maximum input amplitude increase / decrease control signal, controlling the gate width in proportion to the square of the gain control signal and inversely proportional to the maximum input amplitude increase / decrease control signal, and An amplifier circuit that performs a first control to make the resistance value constant regardless of a control signal and a maximum input amplitude increase / decrease control signal.
(付記6)
付記5において,
前記増幅制御回路は,前記ゲイン制御信号が基準ゲイン以上の場合は,前記第1の制御を行い,
前記ゲイン制御信号が前記基準ゲイン未満の場合は,前記最大入力振幅増減制御信号に比例し前記ゲイン制御信号に反比例して前記電流値を制御し,前記最大入力振幅増減制御信号に反比例し前記ゲイン制御信号に比例して前記ゲート幅を制御し,前記ゲイン制御信号に比例して前記抵抗値を制御する第2の制御とを行う増幅回路。
(Appendix 6)
In Appendix 5,
The amplification control circuit performs the first control when the gain control signal is greater than or equal to a reference gain,
When the gain control signal is less than the reference gain, the current value is controlled in proportion to the maximum input amplitude increase / decrease control signal and inversely proportional to the gain control signal, and inversely proportional to the maximum input amplitude increase / decrease control signal. An amplifier circuit that controls the gate width in proportion to a control signal and performs second control to control the resistance value in proportion to the gain control signal.
(付記7)
入力信号がゲートに入力され可変ゲート幅を有するソース接地トランジスタと,前記ソース接地トランジスタのドレインと電源との間に設けられた可変電流源と,前記ドレインと可変電流源との接続ノードに接続された出力端子と,前記出力端子と基準直流電源との間に設けられた可変抵抗負荷とを有する増幅器と,
ゲイン制御信号と,当該ゲイン制御信号と最大入力振幅制御信号の積に比例する最大入力振幅増減制御信号とに基づいて,前記ソース接地トランジスタのゲート幅と,前記可変電流源の電流値と,前記可変抵抗負荷の抵抗値とを制御する増幅器制御回路とを有し,
前記増幅器制御回路は,
前記最大入力振幅増減制御信号に比例し前記ゲイン制御信号に反比例して前記電流値を制御し,前記最大入力振幅増減制御信号に反比例し前記ゲイン制御信号に比例して前記ゲート幅を制御し,前記ゲイン制御信号に比例して前記抵抗値を制御する増幅回路。
(Appendix 7)
An input signal is input to the gate and connected to a common source transistor having a variable gate width, a variable current source provided between a drain and a power source of the common source transistor, and a connection node between the drain and the variable current source. And an amplifier having a variable resistance load provided between the output terminal and a reference DC power source,
Based on the gain control signal and the maximum input amplitude increase / decrease control signal proportional to the product of the gain control signal and the maximum input amplitude control signal, the gate width of the common source transistor, the current value of the variable current source, An amplifier control circuit for controlling the resistance value of the variable resistance load;
The amplifier control circuit includes:
Controlling the current value in proportion to the maximum input amplitude increase / decrease control signal and inversely proportional to the gain control signal; controlling the gate width inversely proportional to the maximum input amplitude increase / decrease control signal; An amplifier circuit that controls the resistance value in proportion to the gain control signal.
(付記8)
付記5,6または7において,更に,
前記出力端子に生成される第1の出力信号の信号レベルを所望のターゲットレベルに保つように前記ゲイン制御信号を生成し,当該ゲイン制御信号を前記増幅器制御回路に出力する第1のゲイン制御回路を有する増幅回路。
(Appendix 8)
In Appendix 5, 6 or 7,
A first gain control circuit that generates the gain control signal so as to keep the signal level of the first output signal generated at the output terminal at a desired target level, and outputs the gain control signal to the amplifier control circuit. An amplifier circuit.
(付記9)
付記1〜4のいずれかに記載の増幅回路と,
前記増幅回路の第1の出力信号にローカルクロックを乗算するミキサと,
前記ミキサの第2の出力信号の低周波成分を通過させるチャネル選択フィルタと,
前記ミキサの第2の出力信号の信号レベルと前記チャネル選択フィルタを通過した第3の出力信号の信号レベルとに基づいて求められる妨害波の希望波に対する比が低くなるに従い最大入力振幅増減制御信号を低くすると共に前記ターゲットレベルを低くし,前記比が高くなるに従い前記最大入力振幅増減制御信号を高くすると共に前記ターゲットレベルを高くする最大入力振幅増減制御回路と,
前記最大入力振幅増減制御信号に比例し前記ゲイン制御信号に反比例する前記最大入力振幅制御信号を生成する最大入力振幅生成回路とを有する受信装置。
(Appendix 9)
An amplifier circuit according to any one of appendices 1-4;
A mixer for multiplying a first output signal of the amplifier circuit by a local clock;
A channel selection filter that passes low frequency components of the second output signal of the mixer;
The maximum input amplitude increase / decrease control signal as the ratio of the disturbing wave to the desired wave obtained based on the signal level of the second output signal of the mixer and the signal level of the third output signal that has passed through the channel selection filter decreases. A maximum input amplitude increase / decrease control circuit which increases the maximum input amplitude increase / decrease control signal and increases the target level as the ratio increases,
And a maximum input amplitude generation circuit that generates the maximum input amplitude control signal proportional to the maximum input amplitude increase / decrease control signal and inversely proportional to the gain control signal.
(付記10)
付記9において,
更に,前記チャネル選択フィルタの第3の出力信号を増幅する第2の増幅器と,
前記第2の増幅器の第4の出力信号を所望のレベルにするよう第2のゲイン制御信号を生成し前記第2の増幅器に供給する第2のゲイン制御回路と,
前記最大入力振幅増減制御回路は,前記第2の出力信号の信号レベルと前記第3の出力信号の信号レベルに加えて前記第2のゲイン制御信号とに基づいて,前記妨害波の希望波に対する比を求める受信装置。
(Appendix 10)
In Appendix 9,
A second amplifier for amplifying a third output signal of the channel selection filter;
A second gain control circuit that generates a second gain control signal and supplies the second gain control signal to the second amplifier so as to bring the fourth output signal of the second amplifier to a desired level;
The maximum input amplitude increase / decrease control circuit controls the desired wave of the interference wave based on the second gain control signal in addition to the signal level of the second output signal and the signal level of the third output signal. Receiving device for determining the ratio.
(付記11)
付記5〜8のいずれかに記載の増幅回路と,
前記増幅回路の第1の出力信号にローカルクロックを乗算するミキサと,
前記ミキサの第2の出力信号の低周波成分を通過させるチャネル選択フィルタと,
前記ミキサの第2の出力信号の信号レベルと前記チャネル選択フィルタを通過した第3の出力信号の信号レベルとに基づいて求められる妨害波の希望波に対する比が低くなるに従い最大入力振幅増減制御信号を低くすると共に前記ターゲットレベルを低くし,前記比が高くなるに従い前記最大入力振幅増減制御信号を高くすると共に前記ターゲットレベルを高くする最大入力振幅増減制御回路とを有する受信装置。
(Appendix 11)
An amplifier circuit according to any one of appendices 5 to 8,
A mixer for multiplying a first output signal of the amplifier circuit by a local clock;
A channel selection filter that passes low frequency components of the second output signal of the mixer;
The maximum input amplitude increase / decrease control signal as the ratio of the disturbing wave to the desired wave obtained based on the signal level of the second output signal of the mixer and the signal level of the third output signal that has passed through the channel selection filter decreases. And a maximum input amplitude increase / decrease control circuit for increasing the maximum input amplitude increase / decrease control signal and increasing the target level as the ratio increases.
(付記12)
付記11において,
更に,前記チャネル選択フィルタの第3の出力信号を増幅する第2の増幅器と,
前記第2の増幅器の第4の出力信号を所望のレベルにするよう第2のゲイン制御信号を生成し前記第2の増幅器に供給する第2のゲイン制御回路と,
前記最大入力振幅増減制御回路は,前記第2の出力信号の信号レベルと前記第3の出力信号の信号レベルに加えて前記第2のゲイン制御信号とに基づいて,前記妨害波の希望波に対する比を求める受信装置。
(Appendix 12)
In Appendix 11,
A second amplifier for amplifying a third output signal of the channel selection filter;
A second gain control circuit that generates a second gain control signal and supplies the second gain control signal to the second amplifier so as to bring the fourth output signal of the second amplifier to a desired level;
The maximum input amplitude increase / decrease control circuit controls the desired wave of the interference wave based on the second gain control signal in addition to the signal level of the second output signal and the signal level of the third output signal. Receiving device for determining the ratio.
10:RF増幅回路 12:増幅器
14:増幅器制御回路 28:RFゲイン制御回路
34:最大入力振幅増減制御回路 36:最大入力振幅算出回路
G1:ゲイン V1dB:最大入力振幅
KV1dB:最大入力振幅増減 RFT:ターゲットレベル
10: RF amplifier circuit 12: Amplifier 14: Amplifier control circuit 28: RF gain control circuit 34: Maximum input amplitude increase / decrease control circuit 36: Maximum input amplitude calculation circuit
G1: Gain V1dB: Maximum input amplitude
KV1dB: Maximum input amplitude increase / decrease RFT: Target level
Claims (6)
ゲイン制御信号と最大入力振幅制御信号に基づいて,前記ソース接地トランジスタのゲート幅と,前記可変電流源の電流値と,前記可変抵抗負荷の抵抗値とを制御する増幅器制御回路とを有し,
前記増幅器制御回路は,
前記ゲイン制御信号と最大入力振幅制御信号とにそれぞれ比例して前記電流値を制御し,前記ゲイン制御信号に比例して且つ前記最大入力振幅制御信号に反比例して前記ゲート幅を制御し,前記ゲイン制御信号と最大入力振幅制御信号にかかわらず前記抵抗値を一定にする第1の制御を行う増幅回路。 An input signal is input to the gate and connected to a common source transistor having a variable gate width, a variable current source provided between a drain and a power source of the common source transistor, and a connection node between the drain and the variable current source. And an amplifier having a variable resistance load provided between the output terminal and a reference DC power source,
An amplifier control circuit for controlling a gate width of the common source transistor, a current value of the variable current source, and a resistance value of the variable resistance load based on a gain control signal and a maximum input amplitude control signal;
The amplifier control circuit includes:
Controlling the current value in proportion to the gain control signal and the maximum input amplitude control signal, controlling the gate width in proportion to the gain control signal and inversely proportional to the maximum input amplitude control signal, An amplifier circuit that performs a first control to keep the resistance value constant regardless of a gain control signal and a maximum input amplitude control signal.
ゲイン制御信号と最大入力振幅制御信号に基づいて,前記ソース接地トランジスタのゲート幅と,前記可変電流源の電流値と,前記可変抵抗負荷の抵抗値とを制御する増幅器制御回路とを有し,
前記増幅器制御回路は,
前記最大入力振幅制御信号に比例して前記電流値を制御し,前記最大入力振幅制御信号に反比例して前記ゲート幅を制御し,前記ゲイン制御信号に比例して前記抵抗値を制御する増幅回路。 An input signal is input to the gate and connected to a common source transistor having a variable gate width, a variable current source provided between a drain and a power source of the common source transistor, and a connection node between the drain and the variable current source. And an amplifier having a variable resistance load provided between the output terminal and a reference DC power source,
An amplifier control circuit for controlling a gate width of the common source transistor, a current value of the variable current source, and a resistance value of the variable resistance load based on a gain control signal and a maximum input amplitude control signal;
The amplifier control circuit includes:
An amplifier circuit that controls the current value in proportion to the maximum input amplitude control signal, controls the gate width in inverse proportion to the maximum input amplitude control signal, and controls the resistance value in proportion to the gain control signal .
ゲイン制御信号と,当該ゲイン制御信号と最大入力振幅制御信号の積に比例する最大入力振幅増減制御信号とに基づいて,前記ソース接地トランジスタのゲート幅と,前記可変電流源の電流値と,前記可変抵抗負荷の抵抗値とを制御する増幅器制御回路とを有し,
前記増幅器制御回路は,
前記最大入力振幅増減制御信号に比例して前記電流値を制御し,前記ゲイン制御信号の2乗に比例して且つ前記最大入力振幅増減制御信号に反比例して前記ゲート幅を制御し,前記ゲイン制御信号と最大入力振幅増減制御信号にかかわらず前記抵抗値を一定にする第1の制御を行う増幅回路。 An input signal is input to the gate and connected to a common source transistor having a variable gate width, a variable current source provided between a drain and a power source of the common source transistor, and a connection node between the drain and the variable current source. And an amplifier having a variable resistance load provided between the output terminal and a reference DC power source,
Based on the gain control signal and the maximum input amplitude increase / decrease control signal proportional to the product of the gain control signal and the maximum input amplitude control signal, the gate width of the common source transistor, the current value of the variable current source, An amplifier control circuit for controlling the resistance value of the variable resistance load;
The amplifier control circuit includes:
Controlling the current value in proportion to the maximum input amplitude increase / decrease control signal, controlling the gate width in proportion to the square of the gain control signal and inversely proportional to the maximum input amplitude increase / decrease control signal, and An amplifier circuit that performs a first control to make the resistance value constant regardless of a control signal and a maximum input amplitude increase / decrease control signal.
ゲイン制御信号と,当該ゲイン制御信号と最大入力振幅制御信号の積に比例する最大入力振幅増減制御信号とに基づいて,前記ソース接地トランジスタのゲート幅と,前記可変電流源の電流値と,前記可変抵抗負荷の抵抗値とを制御する増幅器制御回路とを有し,
前記増幅器制御回路は,
前記最大入力振幅増減制御信号に比例し前記ゲイン制御信号に反比例して前記電流値を制御し,前記最大入力振幅増減制御信号に反比例し前記ゲイン制御信号に比例して前記ゲート幅を制御し,前記ゲイン制御信号に比例して前記抵抗値を制御する増幅回路。 An input signal is input to the gate and connected to a common source transistor having a variable gate width, a variable current source provided between a drain and a power source of the common source transistor, and a connection node between the drain and the variable current source. And an amplifier having a variable resistance load provided between the output terminal and a reference DC power source,
Based on the gain control signal and the maximum input amplitude increase / decrease control signal proportional to the product of the gain control signal and the maximum input amplitude control signal, the gate width of the common source transistor, the current value of the variable current source, An amplifier control circuit for controlling the resistance value of the variable resistance load;
The amplifier control circuit includes:
Controlling the current value in proportion to the maximum input amplitude increase / decrease control signal and inversely proportional to the gain control signal; controlling the gate width inversely proportional to the maximum input amplitude increase / decrease control signal; An amplifier circuit that controls the resistance value in proportion to the gain control signal.
前記出力端子に生成される第1の出力信号の信号レベルを所望のターゲットレベルに保つように前記ゲイン制御信号を生成し,当該ゲイン制御信号を前記増幅器制御回路に出力する第1のゲイン制御回路を有する増幅回路。 A first gain control circuit that generates the gain control signal so as to keep the signal level of the first output signal generated at the output terminal at a desired target level, and outputs the gain control signal to the amplifier control circuit. An amplifier circuit.
前記増幅回路の第1の出力信号にローカルクロックを乗算するミキサと,
前記ミキサの第2の出力信号の低周波成分を通過させるチャネル選択フィルタと,
前記ミキサの第2の出力信号の信号レベルと前記チャネル選択フィルタを通過した第3の出力信号の信号レベルとに基づいて求められる妨害波の希望波に対する比が低くなるに従い最大入力振幅増減制御信号を低くすると共に前記ターゲットレベルを低くし,前記比が高くなるに従い前記最大入力振幅増減制御信号を高くすると共に前記ターゲットレベルを高くする最大入力振幅増減制御回路と,
前記最大入力振幅増減制御信号に比例し前記ゲイン制御信号に反比例する前記最大入力振幅制御信号を生成する最大入力振幅生成回路とを有する受信装置。 An amplifier circuit according to claim 5 ;
A mixer for multiplying a first output signal of the amplifier circuit by a local clock;
A channel selection filter that passes low frequency components of the second output signal of the mixer;
The maximum input amplitude increase / decrease control signal as the ratio of the disturbing wave to the desired wave obtained based on the signal level of the second output signal of the mixer and the signal level of the third output signal that has passed through the channel selection filter decreases. A maximum input amplitude increase / decrease control circuit which increases the maximum input amplitude increase / decrease control signal and increases the target level as the ratio increases,
And a maximum input amplitude generation circuit that generates the maximum input amplitude control signal proportional to the maximum input amplitude increase / decrease control signal and inversely proportional to the gain control signal.
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