JP5538671B2 - Light emitting device and LED lamp - Google Patents
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Description
本発明は、発光ダイオード(以下、LEDと記す。)などの発光素子を複数個実装するための発光素子実装用基板を備える発光装置に関する。さらに、本発明は、照明などに発光装置を利用する目的で、高密度に発光素子を実装した発光装置において、放熱性を確保し、複数の発光素子に給電が可能な発光素子実装基板を備える発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device including a light emitting element mounting substrate for mounting a plurality of light emitting elements such as light emitting diodes (hereinafter referred to as LEDs). Furthermore, the present invention provides a light-emitting device in which light-emitting elements are mounted at a high density for the purpose of using the light-emitting device for lighting or the like, and includes a light-emitting element mounting substrate that ensures heat dissipation and can supply power to a plurality of light-emitting elements. The present invention relates to a light emitting device.
現在、発光ダイオードなどの半導体の発光素子を備える発光素子モジュール等は、様々な用途に利用されている。したがって、該用途を広げるために、より高出力の発光素子モジュール等について研究が進められている。 Currently, light-emitting element modules including semiconductor light-emitting elements such as light-emitting diodes are used in various applications. Therefore, in order to broaden the application, research is being conducted on light-emitting element modules with higher output.
図16は、従来の発光素子モジュールの一実施形態の平面図であり、図17は、従来の発光素子モジュールの別の一実施形態の平面図である。 FIG. 16 is a plan view of an embodiment of a conventional light emitting element module, and FIG. 17 is a plan view of another embodiment of a conventional light emitting element module.
まず、図16に基づいて、従来の発光素子モジュールについて説明する。
発光素子モジュール550は、実装用ホーロー基板540の上面側に、複数の発光素子500を格子状に配置して、実装した構成になっている。略長方形型の実装用ホーロー基板540の一辺には、段付き部530が形成されている。該段付き部530は、実装用ホーロー基板540を折り曲げることによって、ほぼ実装用ホーロー基板540の厚み分だけ実装用ホーロー基板540における他の部分よりも、厚み方向の高さが低い。そして、該段付き部530を除いた実装用ホーロー基板540のいわゆる本体部分は、正方形をなしている。図16において、実装用ホーロー基板540の段付き部530には、複数の突起520が厚み方向に突出形成されている。また、実装用ホーロー基板540における段付き部530が形成された辺と対向する辺には、突起520と相対する位置に複数の貫通穴510が穿設されている。
First, a conventional light emitting element module will be described with reference to FIG.
The light emitting element module 550 has a configuration in which a plurality of
ここで、図16における発光素子モジュール550は、実装用ホーロー基板540上に複数の発光素子500を搭載している。図16に示すように複数の発光素子500を搭載した発光素子モジュール550は、放熱性が悪くなり、それに伴なって色度バラツキが生じ、信頼性が低下することが想定される。また、発光素子モジュール550は、段付き部530を備え、かつ、発光素子モジュール550の突起520を別の発光素子モジュール550の貫通穴510に差し込むことで複数の発光素子モジュール550を接続する構造となっている。しかし、接続箇所によって、該発光素子モジュール550どうしの固定にバラツキが発生し、それに伴なって、放熱性の低下を招き、ひいては信頼性の低下を招くことが予想される。
Here, the light emitting element module 550 in FIG. 16 has a plurality of
次に、図17に基づいて、従来の別の発光措置モジュールについて説明する。
発光素子モジュール590は、実装用ホーロー基板560上に導電層600が形成され、該導電層600上に発光素子570が配置されている。また、他の実装用ホーロー基板560との接続部としての接続用端子580が形成されている。
Next, another conventional light emission measure module will be described with reference to FIG.
In the light emitting element module 590, the
ここで、図17における発光素子モジュール590は、実装用ホーロー基板560上の長手方向に複数の発光素子570を搭載している。図17に示すように複数の発光素子570を搭載した発光素子モジュール590は、放熱性が悪くなり、それに伴なって色度バラツキが生じ、信頼性が低下することが想定される。また、発光素子モジュール590の端部に接続用端子580を設けて発光素子モジュール590を接続させる構造となっているが、発光素子モジュール590を連続して接続する際に、発光素子モジュール550どうしの固定にバラツキが発生し、放熱性の低下を招き、ひいては信頼性の低下を招くことが予想される。
上述のように、現状において、基板上に発光素子を複数配置してなる発光素子モジュールは、放熱性がよいとはいえない。 As described above, at present, it cannot be said that a light emitting element module in which a plurality of light emitting elements are arranged on a substrate has good heat dissipation.
また、基板上に発光強度の高い発光素子を一つ配置してなる発光装置の場合には、輝点状の発光となり、このために人の目には眩しく感じられ、用途が限定されるという問題が生じている。また、発光強度の高い発光素子は、発熱が集中し、放熱が悪いという問題がある。 In addition, in the case of a light emitting device in which one light emitting element with high light emission intensity is arranged on a substrate, the light emission is bright spot-like, which makes it feel dazzling to the human eye and its use is limited. There is a problem. In addition, a light-emitting element with high emission intensity has a problem that heat generation is concentrated and heat dissipation is poor.
本発明は、上記のような問題点を鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、放熱性が高く、実装性に富む実装用ホーロー基板に複数の発光素子を配置してなる発光装置を提供することである。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a light-emitting device in which a plurality of light-emitting elements are arranged on a mounting enamel substrate having high heat dissipation and high mountability. Is to provide.
本発明は、コア金属の表面に絶縁性を有する層が形成された基板上に、複数の配線パターンが配置され、配線パターンにおける長手方向に沿って、複数の発光素子が複数列となるように配置され、複数列の複数の発光素子のうち各配線パターンにおける長手方向に沿って配置された各列の複数の発光素子が並列接続されるように、各列の複数の発光素子が、それらの一方のボンディングワイヤで各配線パターンに接続されるとともに、それらの他方のボンディングワイヤで各配線パターンの一方側の隣に位置する配線パターンに接続され、複数の発光素子と、それらの一方のボンディングワイヤおよび他方のボンディングワイヤとの全体を覆うように封止樹脂で封止され、極性が異なる2つの電極外部接続ランドを備え、電極外部接続ランドの正の電極外部接続ランドおよび負の電極外部接続ランドが、両端にある配線パターンにそれぞれ接続され、配線パターンの端部に、並列接続された各列の複数の発光素子の点灯の有無をテストすることにより、複数の発光素子の良否およびボンディングワイヤの良否を認識するための、封止樹脂に覆われないテストパターン接続ランドをさらに備えた発光装置である。 In the present invention, a plurality of wiring patterns are arranged on a substrate having an insulating layer formed on the surface of a core metal, and a plurality of light emitting elements are arranged in a plurality of rows along the longitudinal direction of the wiring pattern. The plurality of light emitting elements in each column are connected in parallel so that the plurality of light emitting elements in each column arranged along the longitudinal direction in each wiring pattern among the plurality of light emitting elements in the plurality of columns are connected in parallel . One bonding wire is connected to each wiring pattern, and the other bonding wire is connected to a wiring pattern located next to one side of each wiring pattern, and a plurality of light emitting elements and one of these bonding wires and sealed with a sealing resin so as to cover the entire the other bonding wire, provided with two electrodes external connection lands different polarity, electrode external connection land Positive electrode external connection land and the negative electrode external connection land, are connected to the wiring pattern at each end, the end of the wiring pattern, test whether the lighting of the plurality of light emitting elements of each column paralleled Thus, the light emitting device further includes a test pattern connection land which is not covered with the sealing resin for recognizing the quality of the plurality of light emitting elements and the quality of the bonding wire.
本発明の発光装置において、基板の周縁部または隅部に、複数の固定用貫通穴および/または固定用切り欠け部が設けられていることが好ましい。また、基板上にワイヤボンディングおよびダイボンディングのための自動認識用パターンが設けられていることが好ましい。 In the light emitting device of the present invention, it is preferable that a plurality of fixing through holes and / or fixing notches are provided at the peripheral edge or corner of the substrate. Moreover, it is preferable that an automatic recognition pattern for wire bonding and die bonding is provided on the substrate.
また、本発明の発光装置において、基板上に、センサが搭載されるとともに、センサ搭載用外部接続ランドが設けられていることが好ましい。 In the light emitting device of the present invention, it is preferable that a sensor is mounted on the substrate and an external connection land for mounting the sensor is provided.
上記センサは、温度センサであることが好ましい。 The sensor is preferably a temperature sensor.
また、本発明の発光装置において、基板は、コア金属の表面にホーロー層を被覆したホーロー基板であることが好ましい。 In the light-emitting device of the present invention, board is preferably a enameled substrate coated with enamel layer on the surface of the core metal.
また、本発明の発光装置において、コア金属は、極低炭素鋼、低炭素鋼、中炭素鋼および高炭素鋼から選ばれる少なくとも一つからなることが好ましい。 In the light emitting device of the present invention, the core metal is preferably made of at least one selected from ultra-low carbon steel, low carbon steel, medium carbon steel, and high carbon steel.
また、本発明の発光装置において、基板における固定用冶具が、基板と同じ材質からなることが好ましい。このとき発光装置からの熱による基板と固定用治具の収縮による影響が低減できる。 In the light-emitting device of the present invention, a fixing jig in the board is preferably made of the same material as the base plate. At this time, the influence of contraction of the substrate and the fixing jig due to heat from the light emitting device can be reduced.
また、本発明の発光装置において、隣接する発光素子どうしは、配線パターン上で、側面が対向しないように、ちどり状に配置されていることが好ましい。このとき、大きな寸法の発光装置を搭載するのに好ましい。また、このとき、多数の発光装置が実装できるのに好ましい。 In the light-emitting device of the present invention, it is preferable that adjacent light-emitting elements are arranged in a dust shape so that the side surfaces do not face each other on the wiring pattern. At this time, it is preferable to mount a light emitting device having a large size. At this time, it is preferable that a large number of light emitting devices can be mounted.
また、本発明の発光装置において、封止樹脂の形状は、略六角形状、八角形状、円形状または長方形状のいずれかであることが好ましい。 In the light emitting device of the present invention, the shape of the sealing resin is preferably approximately hexagonal, octagonal, circular or rectangular.
また、本発明の発光装置において、基板の形状は、略多角形状、略円形状および略正方形状のいずれかであることが好ましい。 In the light-emitting device of the present invention, the shape of the base plate is substantially polygonal shape, and are preferably substantially either circular and substantially square shape.
また、本発明の発光装置において、封止樹脂は、蛍光体を含有していることが好ましい。 In the light-emitting device of the present invention, the sealing resin preferably contains a phosphor.
また、本発明の発光装置において、配線パターンは、基板の平面視において凹凸状であり、配線パターン上で隣接する発光素子どうしがそれらの側面が対向しないようにちどり状に配置されることが好ましい。また、本発明は、上記の発光装置と、搭載面と、ソケットとを備えたLEDランプでもある。また、本発明のLEDランプは、上記の発光装置と、搭載面とを備え、発光装置は、固定用貫通穴および/または固定用切り欠け部を通る取り付けネジによって搭載面に固定されていることが好ましい。 In the light-emitting device of the present invention, the wiring pattern, Ri uneven der in a plan view of the substrate, is Rukoto emitting element to each other are arranged in NiChidori shape such that their sides are not opposite adjacent on the wiring pattern preferable. Moreover, this invention is also an LED lamp provided with said light-emitting device, a mounting surface, and a socket. The LED lamp of the present invention includes the light emitting device described above and a mounting surface, and the light emitting device is fixed to the mounting surface by a mounting screw that passes through the fixing through hole and / or the fixing notch. Is preferred.
また、本発明は、上述の発光装置を用いた液晶ディスプレイのバックライト光源、照明用光源、照明用器具光源、表示装置または信号機に関する。 The present invention also relates to a backlight light source, an illumination light source, an illumination fixture light source, a display device, or a traffic light for a liquid crystal display using the above-described light emitting device.
本発明の発光装置は、基板上に複数の発光素子を搭載している構成であって、隣接する発光素子どうしは、側面が対向しないように、ちどり状に配置されているため、大きな寸法の発光装置を搭載するのに好ましい。LEDチップは、所定の距離を保った配置となるため、発光装置の放熱対策が容易にできる。さらに、基板上の凹凸形状配線パターンを発光素子の搭載面および給電面として用いると、多数の発光素子を実装でき、かつ、放熱性が良く、しかも大面積の発光装置を簡単に実現することができる。 Light emitting device of the present invention, there is provided a structure in which are mounted a plurality of light emitting elements on the base plate, each other adjacent light-emitting element, the side surfaces are arranged so as not to face, in a zigzag pattern, large size It is preferable to mount the light emitting device. Since the LED chip is arranged at a predetermined distance, it is easy to take measures against heat dissipation of the light emitting device. Furthermore, when the uneven wiring pattern on the substrate is used as a light emitting element mounting surface and a power feeding surface , a large number of light emitting elements can be mounted, heat dissipation is good, and a large area light emitting device can be easily realized. it can.
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一
または相当する部分には、同一の参照符号を付し、その説明は繰り返さない。また、図面における長さ、大きさ、幅などの寸法関係は、図面の明瞭化と簡略化のために適宜に変更されており、実際の寸法を表してはいない。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated. In addition, dimensional relationships such as length, size, and width in the drawings are changed as appropriate for clarity and simplification of the drawings, and do not represent actual dimensions.
<実施の形態1>
≪発光装置≫
図1は、実施の形態1の発光装置における発光素子がホーロー基板に搭載される前の状態を模式的に示す平面図である。図2は、実施の形態1の発光装置における発光素子がホーロー基板に搭載され、かつ封止樹脂で封止される前の状態を模式的に示す平面図である。図3は、実施の形態1の発光装置を模式的に示す平面図である。図4は、実施の形態1の発光装置を模式的に示す斜視図である。以下、図1〜図4に基づいて説明する。
<
≪Light emitting device≫
FIG. 1 is a plan view schematically showing a state before the light emitting element in the light emitting device of
まず、本実施の形態における発光装置120の構造について説明する。
本実施の形態における発光装置120は、コア金属の表面に絶縁性を有するホーロー層2を被覆して形成されたホーロー基板1上に、長手方向に凹凸状の配線パターン3が複数平行に配置されている。ホーロー基板1の形状は略八角形状である。そして、複数の発光素子としてのLEDチップ12が凹凸状の配線パターン3における長手方向の一方側に搭載されている。このとき、隣接するLEDチップ12どうしは、配線パターン3上で、側面が対向しないように、ちどり状に配置されている。具体的には、凹凸状の配線パターン3における凹状の部分の端部と凸状の部分の端部とにLEDチップ12を配置している。なお、全ての凹状の部分の端部と凸状の部分の端部とにLEDチップ12を配置する必要はない。
First, the structure of the
In the
また、LEDチップ12と配線パターン3とはボンディングワイヤWによって接続されている。また、それぞれ極性が異なる正の電極外部接続ランド4と負の電極外部接続ランド5と極性が異なる2つのセンサ搭載用外部接続ランド6とがホーロー基板1における同じ一辺側に沿って設けられている。このとき正の電極外部接続ランド4と負の電極外部接続ランド5に、2つのセンサ搭載用外部接続ランド6が挟まれるかたちで設けられている。なお、本明細書において「ランド」というときは、所定の面積を有し、電気的に接続可能な領域をいうこととする。
The LED chip 12 and the
そして、LEDチップ12とボンディングワイヤ(図示せず)は、封止樹脂13に覆われ封止されている。本実施の形態において、封止樹脂13は1種類以上蛍光体を含有しており、適宜調整することができる。発光装置120において、該封止樹脂13が形成されている箇所を発光部200とする。本実施の形態においては、発光部200の形状はほぼ正方形状とする。
Then, LED chip 12 and the bonding wires (not shown) is sealed covered
また、発光装置120には、取り付け緩衝部9、取り付け部11、電極外部接続ランドおよびセンサ搭載用外部接続ランドに接続された外部配線(図示せず)を備える。取り付け部11は、ホーロー基板1の周縁部または隅部に設けられた複数の固定用貫通穴および/または固定用切り欠け部である。そして、センサ搭載用外部接続ランド6には、センサ14としての抵抗温度センサが取り付けられている(接続されている)。ボンディングワイヤまたはLEDチップ12の搭載位置を認識するための自動認識用パターン8、および極性認識貫通穴7が備えられている。また、配線パターン3の端部にワイヤーの短絡、絶縁用およびLEDチップ12の点灯確認用としてのテストパターン接続ランド10が設けられている。
The
また、図4に示すように、発光装置120の裏面側にコネクタ300、およびコネクタ300に形成された凸部15が備えられている。コネクタ300に形成されている凸部15と電流を供給するための正または負のいずれか一方の配線パターン3に形成された極性認識貫通穴7が合うときに限り、外部より発光装置に電流が給電されるよう設計されている。
Further, as shown in FIG. 4, a
また、テストパターン接続ランド10を設けることによって、LEDチップ12の不良(点灯不良など)、ボンディングワイヤの不良(短絡、断線など)を認識できるため、製造工程において、良品のLEDチップ12との置き換えあるいは再度ボンディングワイヤを取り付ける等行なうことにより発光装置120の不良低減を行なうことができる。テストパターン接続ランド10は、配線パターン3の端部または隅部に備えることができる。
In addition, since the test
また、自動認識用パターン8が設けられていることによって、製造工程でダイボンディングワイヤボンディングを行なう際にチップ搭載精度およびワイヤボンディング精度が良くなる。
Further, since the
ここで、ホーロー基板1におけるコア金属の材質は、熱伝導率がよく、ホーロー層2を強固に焼き付けることができる金属材料が好ましく、極低炭素鋼、低炭素鋼、中炭素鋼および高炭素鋼から選ばれる少なくとも一つからなるものが好ましく、特に、低炭素鋼板が好ましい。ここで、C含有量が0.01質量%未満のものを極低炭素鋼、〜0.3質量%未満のものを低炭素鋼、0.3質量%以上0.7質量%未満のものを中炭素鋼、0.7質量%以上のものを高炭素鋼と呼ぶ。これは、極低炭素鋼、低炭素鋼、中炭素鋼および高炭素鋼からなるコア金属が、セラミックスなどと比較して、機械加工が容易であり、傾斜面を持つ凹部を簡単に形成できるためである。またさらに、発光装置120により高い放熱性と耐熱性を要求される場合においては、該コア金属は、熱伝導性に優れているために、駆動電流として大電流が供給できる。さらにまた、該コア金属を用いることによって、LEDチップ12の信頼性の向上ができ、LEDチップ12からの熱による蛍光体の劣化を抑えることができる。
Here, the material of the core metal in the
また、ホーロー層2の材質は、コア金属の表面に薄く焼き付けることができ、十分な電気絶縁性が得られる材料が好ましく、たとえばガラスを主体とした材料の中から選択して使用できる。コア金属表面にホーロー層2を形成するために用いられるなかでもアルカリフリーのガラス材料が好ましく、該ガラス材料の熱伝導率は約1W/mKである。該ホーロー層2の厚さは、20μm以上200μm以下の範囲内とすることが好ましく、30μm以上100μm以下の範囲内とすることが特に好ましい。ホーロー層2の厚さが20μm未満であると、放熱性が良好となる反面、薄すぎるために部分的にコア金属が露出してしまい、電気絶縁性が保てない。ホーロー層2の厚さが200μmより厚すぎると、電気絶縁性は十分に保てるが、放熱性は低下するという問題がある。
The material of the
また、発光装置120を照明器具等に固定するための固定用治具(図示せず)は、ホーロー基板1と同じ材質からなることが好ましい。つまり、ホーロー基板1におけるコア金属をホーロー層2で被覆してなる固定用治具を用いることが好ましい。固定用冶具は、ホーロー基板1と同じ材質からなる発光装置120とすると、ホーロー基板1と熱膨張の同じ材料で固定用冶具を作製すると発光装置120を製造する際または発光装置120の動作中に発生する熱による反り等でホーロー基板1の割れやヒビが入ることを低減できる。このため、発光装置120の歩留まりを低下させることはない。具体的には、ホーロー層が被覆された低炭素鋼板を基板として使用する場合は、固定用冶具としてのホーロー層が被覆された低炭素鋼のネジを用いることが好ましい。
Further, a fixing jig (not shown) for fixing the
また、センサ搭載用外部接続ランド6には、センサ14として抵抗温度センサ(サーミスタ、リニア抵抗器、白金測温抵抗器)のほか、チップ電流ヒューズ(薄膜チップ)、フォトセンサ(フォト・ダイオード等)および湿度センサ(抵抗可変型湿度センサ等)などを搭載してもよい。さらに、センサ14には、該抵抗温度センサ以外にも、温度を測定できる機能を備える温度センサであれば特に限定はされない。たとえば、センサ14としてチップ電流ヒューズ(薄膜チップ)を搭載することによって、過電流が発光装置120に流れた場合に発光装置120を保護する。
In addition, the sensor-mounted
次に、本実施の形態の発光装置120の動作について説明する。
まず、正の電極外部接続ランド4および負の電極外部接続ランド5に接続された外部配線によって配線パターン3に印加される。このとき、図4に示すように、発光装置120の裏面側にコネクタ300およびコネクタ300に形成された凸部15が備えられている。コネクタ300に形成されている凸部15と電流を供給するための正または負のいずれか一方の配線パターン3に形成された極性認識貫通穴7とが図4に示すように合うときに限り、外部より発光装置に電流が給電されることになる。そして、本実施の形態の発光装置120においては、複数のLEDチップ12を搭載しているため、発光部200の全体から均一な発光を得ることができる。
Next, the operation of the
First, an external wiring connected to the positive electrode
また、発光装置120におけるセンサ搭載用外部接続ランド6には、センサ14として抵抗温度センサを発光装置120に搭載されており、発光装置120の温度をみることができるため、発光装置120の固定バラツキがわかるため、発光装置120の信頼性が推定される。また、コア金属に熱伝導のよい材質を用いているため、発光装置120の端部あるいは隅部にセンサ14を搭載していても、発光装置120中心の温度を測定していることになる。ここで、発光装置120を消灯した状態で、正常に発光装置の裏面と発光装置の固定用治具とが密着性よく固定された場合は、たとえばセンサ14として抵抗温度センサ(リニア抵抗器)の抵抗値は、1000Ωを示し、推定される温度は、25℃と見積もられる。発光装置の裏面と発光装置固定用治具の密着性が不十分な場合は、たとえば該抵抗温度センサの抵抗値は1018Ωを示す。密着性が不十分とは、取り付けネジが均一に締まっていないため、発光装置の裏面にゴミ等を挟んでいるなどが考えられる。該密着性が不十分の場合には、取り付けネジの締め直し、発光装置の裏面確認、発光装置固定用治具側の表面確認をし、抵抗温度センサで推定温度が25℃付近になるようにする。なお、センサ14としては、該抵抗温度センサに限定されず、温度を測定する機能を有する温度センサであれば同様の動作、効果を提供できる。
In addition, a resistance temperature sensor is mounted on the
さらにまた、ホーロー基板1は、コア金属にホーロー層2を被覆したもので、発光素子12の信頼性を確保するための高放熱性と、高密度実装を可能にする形状任意性、高い電気絶縁性を有する。また、基板上の金属配線パターンに直接発光素子を実装できるため、効率的に発光装置120の外部に熱を逃がすことが可能である。さらに、一般的な金属基板で行なわれている絶縁層の形成を行なっていないため、湿度や熱による絶縁層の変質や剥がれなどが発生する心配がない。
Furthermore, the
従来では横一列あるいは縦一列にLEDチップが基板に搭載されており、隣接するLEDチップ間の距離が近く、さまざまな問題が生じていた。該問題としては、たとえば、該距離が近いことによるLEDチップどうしの接触、あるいはボンディングワイヤどうしの接触などが挙げられる。本実施の形態によると、LEDチップ12は、所定の距離を保った配置となるため、上述のような問題を生じにくくなる。つまり、LEDチップ12の載置領域を該配置のようにすることにより、発光装置120の放熱対策が容易にできる。
Conventionally, LED chips are mounted on a substrate in one horizontal row or one vertical row, and the distance between adjacent LED chips is close, causing various problems. Examples of the problem include contact between LED chips due to the close distance, contact between bonding wires, and the like. According to the present embodiment, since the LED chip 12 is arranged at a predetermined distance, the above-described problems are less likely to occur. That is, measures for dissipating heat of the
また、本実施の形態における正の電極外部接続ランド4、負の電極外部接続ランド5およびセンサ搭載用外部接続ランド6の配置によると、配線パターン3および外部配線の引き回しが容易となる。
Further, according to the arrangement of the positive electrode
≪製造方法≫
図5〜図9は、本実施の形態における製造方法の各工程を模式的に示した断面図である。以下、図1および図5〜図9に基づいて本実施の形態における発光装置の製造方法について説明する。
≪Manufacturing method≫
5-9 is sectional drawing which showed typically each process of the manufacturing method in this Embodiment. Hereinafter, a method for manufacturing the light emitting device in the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 5 to 9.
まず、図1に基づいて説明する。
厚さ1〜3mmで、所望の面積を有するコア金属を切り出す。そして、該コア金属の辺には、必要に応じて取り付け部11となる切欠部を設ける。
First, it demonstrates based on FIG.
A core metal having a desired area with a thickness of 1 to 3 mm is cut out. And the notch part used as the
次に、適当な分散媒にガラス粉末を分散させた液中に該コア金属を吊るし、さらにその該コア金属と対向する位置に電極を配し、ガラスをコア金属に電着させる。次に、取り出したコア金属を高温で焼成してガラスをコア金属の表面に焼き付ける。薄く均一なホーロー層2を形成することで、ホーロー基板1が得られる。該ホーロー層2の膜厚はコア金属の表面と裏面における双方とも20〜200μmとなるように制御を行なう。次に、スクリーン印刷法などの方法によってホーロー層2上に凹凸状の配線パターン3を形成する。配線パターン3の厚みは15〜20μmとすることができる。また、ホーロー基板上の隅部に自動認識用パターン8を形成する。各配線パターン3の端部にテストパターン接続ランド10を設ける。以上の工程により配線パターン3を備えるホーロー基板1が形成される。
Next, the core metal is suspended in a liquid in which glass powder is dispersed in an appropriate dispersion medium, and an electrode is disposed at a position facing the core metal, and the glass is electrodeposited on the core metal. Next, the taken-out core metal is baked at high temperature, and glass is baked on the surface of the core metal. By forming a thin and
以下、図5〜図9に基づいて説明する。
図5に示すように、配線パターン3を備えたホーロー層2を有するホーロー基板1を準備する。
Hereinafter, description will be given with reference to FIGS.
As shown in FIG. 5, a
次に図6に示すように、配線パターン3におけるLEDチップ12の所定の搭載位置にLEDチップ12を樹脂等で固定する。
Next, as shown in FIG. 6, the LED chip 12 is fixed to a predetermined mounting position of the LED chip 12 in the
次に図7に示すように、LEDチップ12と配線パターン3とをボンディングワイヤWを用いて電気的に接続する。
Next, as shown in FIG. 7, the LED chip 12 and the
次に図8に示すように、ホーロー基板1上にほぼ長方形状のシリコーンゴムシート16を密着させる。そして、シリコーンゴムシート16内に蛍光体を含む封止樹脂13を注入し、この蛍光体を含む封止樹脂13を熱硬化させる。
Next, as shown in FIG. 8, a substantially rectangular
次に図9に示すように、シリコーンゴムシート16を取り除き、発光部200が形成される。ここで、シリコーンゴムシート16は蛍光体を含有した封止樹脂13を注入する際のダム(樹脂漏れを防ぐ)のような機能を有している。したがって、シリコーンゴムシート16はダムシートと呼べるような特徴を有している。また、シリコーンゴムシート16は、何度も使用することが可能である。また、シリコーンゴムシート16の形状を変えることにより発光部200の形状を容易にいろいろと変えることができる。
Next, as shown in FIG. 9, the
≪その他部材について≫
封止樹脂13を形成する具体的樹脂材料としては、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹脂などの耐候性に優れた透明樹脂や、耐光性に優れたシリカゾル、ガラスなどの透光性無機材料が好適に用いられる。また、封止樹脂13には、上述のように蛍光体のほか、拡散剤を含有させても良い。具体的な拡散剤の材料としては、チタン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素、炭酸カルシウム、二酸化珪素等が好適に用いられる。
≪Other parts≫
As a specific resin material for forming the sealing
該蛍光体としては、Eu(ユーロピウム)を賦活したα-サイアロン、Eu(ユーロピウム)を賦活したβ-サイアロン、Eu(ユーロピウム)を賦活した純窒化物であるカズン(CaAlSiN3)、Y2O2S:Eu、ZnS:Cu,Al、(Ba,Mg)Al10O17:Eu,Mn、(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6C12:Eu、(Ba,Mg)Al10O17:Eu、BOSE:Eu(ユーロピウム賦活バリウム・ストロンチウム・オルソシリケート)、SOSE:Eu(ユーロピウム賦活スロトンチウム・バリウム・オルソシリケート)、(Si・Al)6(O・N)8:Eu、(Ba・Sr)2SiO4:Eu、BaMgAl10O17:Eu、SrAl2O4:Eu、3.5MgO・0.5MgF2・GeO2:Mn、Ba1.5Sr0.5SiO4:Eu、Sr2Ba1SiO5:Eu、Ca3(Sc・Mg)2Si3O12:Ce、CaSc2O4:Ce、(Y・Gd)3Al5O12:Ce、(Sr・Ca)AlSiN3:Eu、CaAlSiN3:Eu、La2O2S:Eu、(Ba・Sr)2SiO4:Eu、BaMgAl10O17:Eu、BaMgAl10O17:Eu,Mn、Ca(Si・Al)12(O・N)16:Eu、(Si・Al)6(O・N)8:Eu、(Y,Gd)3Al5O12:Ce、Tb3Al5O12:Ce、Lu3Al5O12:Ce、(Y,Gd)3Al5O12:Ceの少なくとも一つ以上から成る蛍光体を好適に用いることができる。 Examples of the phosphor include α-sialon activated Eu (europium), β-sialon activated Eu (europium), pure nitride activated Eu (europium) (CaAlSiN 3 ), Y 2 O 2. S: Eu, ZnS: Cu, Al, (Ba, Mg) Al 10 O 17 : Eu, Mn, (Sr, Ca, Ba, Mg) 10 (PO 4 ) 6 C 12 : Eu, (Ba, Mg) Al 10 O 17 : Eu, BOSE: Eu (Europium activated barium strontium orthosilicate), SOSE: Eu (Europium activated strontium barium orthosilicate), (Si · Al) 6 (O · N) 8 : Eu, ( Ba · Sr) 2 SiO 4 : Eu, BaMgAl 10 O 17 : Eu, SrAl 2 O 4 : Eu, 3.5 MgO · 0.5 MgF 2 · GeO 2 : Mn, Ba 1. 5 Sr 0.5 SiO 4 : Eu, Sr 2 Ba 1 SiO 5 : Eu, Ca 3 (Sc · Mg) 2 Si 3 O 12 : Ce, CaSc 2 O 4 : Ce, (Y · Gd) 3 Al 5 O 12 : Ce, (Sr · Ca) AlSiN 3 : Eu, CaAlSiN 3 : Eu, La 2 O 2 S: Eu, (Ba · Sr) 2 SiO 4 : Eu, BaMgAl 10 O 17 : Eu, BaMgAl 10 O 17 : Eu, Mn, Ca (Si · Al) 12 (O · N) 16 : Eu, (Si · Al) 6 (O · N) 8 : Eu, (Y, Gd) 3 Al 5 O 12 : Ce, Tb 3 Al 5 O 12: Ce, Lu 3 Al 5 O 12: Ce, (Y, Gd) 3 Al 5 O 12: a phosphor composed of at least one Ce can be suitably used.
LEDチップ12としては、たとえば、SiC基板上に窒化ガリウム系の発光部を形成した青色LEDチップ、サファイア基板上に窒化ガリウム系の発光部を形成した青色LEDチップ、ZnO(酸化亜鉛)系化合物半導体より成る青色系のLEDチップ、InGaAlP系LEDチップおよびAlGaAs系化合物半導体のLEDチップを用いることができる。 Examples of the LED chip 12 include a blue LED chip in which a gallium nitride-based light emitting part is formed on a SiC substrate, a blue LED chip in which a gallium nitride-based light emitting part is formed on a sapphire substrate, and a ZnO (zinc oxide) compound semiconductor. A blue LED chip, an InGaAlP LED chip, and an AlGaAs compound semiconductor LED chip can be used.
なお、封止樹脂13を形成する際に滴下して形成してもよい。また、金型を用いて封止樹脂体を形成してもよく、この封止樹脂体の形状として、封止樹脂体を例えば上方に凸となる半球状の形状に形成して封止樹脂体にレンズとしての機能を持たせることも可能になる。
The sealing
なお、LEDチップの一方の面にP側電極およびN側電極が形成され、その面を上面として2本のワイヤボンディングを行なった状態を示した。また、LEDチップ12の発光色は、青色発光、紫外線発光のものや緑色発光のものを用いてもよい。また、LEDチップから発する光を蛍光体によって変換して白色を得てもよいし、蛍光体を用いずにたとえば赤、緑、青の3色のLEDチップをそれぞれ用いて白色、電球色など照明に必要な色を得ても良い。 In addition, the P side electrode and the N side electrode were formed on one surface of the LED chip, and the state where two wires were bonded with the surfaces as the upper surface was shown. Further, the LED chip 12 may have a light emission color of blue light emission, ultraviolet light emission, or green light emission. Further, white light may be obtained by converting light emitted from the LED chip with a phosphor, and illumination using white, light bulb color, or the like using, for example, three red, green, and blue LED chips without using the phosphor. You may get the color you need.
また、LEDチップ12と配線パターン3との接着は熱硬化性樹脂などによって行なうことができる。具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂やシリコーン樹脂などが挙げられる。
Further, the adhesion between the LED chip 12 and the
以下に説明する別の実施の形態においては、上述した材料を適宜選択することができる。 In another embodiment described below, the above-described materials can be appropriately selected.
<実施の形態2,3>
図10は、実施の形態2の発光装置を模式的に示す平面図である。図11は、実施の形態3の発光装置を模式的に示す平面図である。
<Embodiments 2 and 3>
FIG. 10 is a plan view schematically showing the light emitting device of the second embodiment. FIG. 11 is a plan view schematically showing the light emitting device of the third embodiment.
まず、図10に基づいて実施の形態2について説明する。発光装置130は、発光部210の形状が八角形であること以外は、実施の形態1と同様の構造である。つまり、製造工程において、封止樹脂の上面から見た形状を八角形としたものである。
First, the second embodiment will be described with reference to FIG. The light emitting device 130 has the same structure as that of
次に、図11に基づいて実施の形態3について説明する。発光装置140は、発光部220の形状が円形であること以外は、実施の形態1と同様の構造である。つまり、製造工程において、封止樹脂の上面から見た形状を円形としたものである。
Next,
図10および図11に示す実施の形態のほか、該封止樹脂の上面から見た形状は、多角形状、長方形状をなしていても良い。そして、輝点発光が問題となる場合は、該封止樹脂は、略正多角形状あるいは円形状であることが好ましい。 In addition to the embodiment shown in FIGS. 10 and 11, the shape seen from the top surface of the sealing resin may be a polygonal shape or a rectangular shape. And when bright spot light emission becomes a problem, it is preferable that this sealing resin is a substantially regular polygon shape or circular shape.
また、発光装置の形状、つまり、ホーロー基板の形状も略多角形状、略円形状および略正方形状または、その他適宜選択することができる。たとえば、ホーロー基板の形状が、長方形状、略正方形状の場合、発光素子を密着して並べることができ、後述する蛍光灯型LEDランプに好適に用いることができる。また、発光装置を電球型LEDランプに用いるときには、該ホーロー基板の形状は、略円形状あるいは略多角形状であることが好ましい。また、発光装置の輝点発光が問題となる場合は、ホーロー基板の形状は角形状、六角形状が好ましい。 In addition, the shape of the light emitting device, that is, the shape of the enamel substrate can also be selected from a substantially polygonal shape, a substantially circular shape, a substantially square shape, or any other appropriate manner. For example, when the hollow substrate has a rectangular shape or a substantially square shape, the light emitting elements can be arranged in close contact with each other, and can be suitably used for a fluorescent lamp type LED lamp described later. When the light-emitting device is used for a light bulb-type LED lamp, the enamel substrate preferably has a substantially circular shape or a substantially polygonal shape. Moreover, when the bright spot light emission of a light-emitting device becomes a problem, the enamel substrate preferably has a square shape or a hexagonal shape.
<実施の形態4>
図12は、実施の形態4の発光装置を模式的に示す平面図である。以下、図12に基づいて説明する。
<
FIG. 12 is a plan view schematically showing the light emitting device of the fourth embodiment. Hereinafter, a description will be given with reference to FIG.
発光装置150は、センサ搭載用外部接続ランド6、正の電極外部接続ランド4および負の電極外部接続ランド5にそれぞれリード線320を接続し、その端にコネクタ300が取り付けられている、そして、コネクタ300の受け側としてソケットとしてのソケットインサートコネクタ310が取り付けられている。そのほかは、実施の形態1と同様の形態である。
The
本実施の形態によると、発光装置150の外部に、センサ搭載用外部接続ランド6、正の電極外部接続ランド4および負の電極外部接続ランド5からリード線320を出すことにより、発光装置150の動作時における発光部230の発熱からコネクタ300を保護することができる。
According to the present embodiment, the lead wire 320 is taken out from the sensor mounting
該ソケットは、裏面側の周縁部または隅部に設置され、電極およびセンサに電流供給を行なうためのものである。 The socket is installed at the peripheral edge or corner on the back side, and is used to supply current to the electrode and the sensor.
<実施の形態5>
図13は、実施の形態5の発光装置を模式的に示す平面図である。以下、図13に基づいて説明する。
<
FIG. 13 is a plan view schematically showing the light emitting device of the fifth embodiment. Hereinafter, a description will be given based on FIG.
発光装置160は、発光素子(図示せず)およびボンディングワイヤ(図示せず)を、設置した発光素子の数に応じて円形状の封止樹脂で被覆して、複数の発光部240を形成している。その他の構造については、実施の形態1における発光装置と同様である。
The light emitting device 160 forms a plurality of light emitting
本実施の形態において、発光部240であると一つ一つの光源が小さく見えるため、照明器具にした場合、光が拡散して均一に見え、大きな照明器具として用いる場合に非常に都合がよい。
In this embodiment, since each light source looks small when it is the
<実施の形態6>
図14は、発光装置を用いた照明用光源を備える電球型LEDランプの一実施形態を示す模式的な正面図である。また、図15は、発光装置を用いた照明用光源を備える電球型LEDランプの一実施形態を示す模式的な上面図である。以下、図14または図15に基づいて説明する。
<
FIG. 14 is a schematic front view showing an embodiment of a light bulb-type LED lamp including an illumination light source using a light emitting device. FIG. 15 is a schematic top view showing an embodiment of a light bulb-type LED lamp including an illumination light source using a light emitting device. Hereinafter, description will be given based on FIG. 14 or FIG.
電球型LEDランプ1000は、実施の形態1における発光装置120を照明用光源として備えている。また、電球型LEDランプ1000は、電球ソケット1010、反射面1020、搭載面1030および取り付けネジ111を備える。本実施の形態において、実施の形態1〜実施の形態5のいずれかの発光装置を適宜選択して利用することができる。
The light bulb
本実施の形態の電球型LEDランプ1000は、白色を含め電球色など任意の色調を提供することができる。該電球型LEDランプ1000に利用された発光装置は、製造方法が容易で、色ズレが発生しにくいためである。
The light bulb
また、実施の形態1〜実施の形態5における発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、照明用光源、照明用器具光源、表示装置または信号機に用いることも可能である。
In addition, the light-emitting device in
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example is given and this invention is demonstrated in detail, this invention is not limited to these.
[実施例]
<実施例1>
図1〜図9に基づいて本実施例を以下説明する。
[Example]
<Example 1>
The present embodiment will be described below with reference to FIGS.
ホーロー基板1を準備するため以下のような操作を行なった。まず、厚さ1.4mm、幅40mmの八角形で、4つの辺が19mm、他の4つの辺が14mmの低炭素鋼板を切り出した。鋼板の長辺に2つの切欠部を設けた。この切欠は、長辺の真ん中で幅4mm、切り込み深さ4mmとした。次に、分散媒にガラス粉末を分散させた分散液にコア金属を吊るし、さらにそのコア金属と対向する位置に電極を配し、ガラスをコア金属に電着させる。そして、取り出したコア金属を高温で焼成してガラスをコア金属の表面に焼き付けて、ホーロー層2を形成した。該ホーロー層2は、コア金属の表裏面双方において膜厚が100μmであった。
In order to prepare the
次に、スクリーン印刷法によってAuからなる配線パターン3をホーロー層2上に形成した。このとき、配線パターン3の厚みは15μmとした。
また、ホーロー基板1上の隅部に自動機認識用パターンとして1mm角の自動認識用パターン8を形成した。そして、配線パターン3の端部にテストパターン接続ランド10を設けた。以上の工程によって、図5に示すような配線パターン3が形成されたホーロー基板1が作製された。
Next, a
Further, a 1 mm square
次に、図2および図6に示すように、配線パターン3の凹凸状の端部にLEDチップ12(短辺幅0.24mm、長辺0.48mm、厚み0.14mm)をエポキシ樹脂で9列×15個=135個固定した。配線パターン上にLEDチップ12を搭載した状態を図2に示す。
Next, as shown in FIG. 2 and FIG. 6, an LED chip 12 (short side width 0.24 mm, long side 0.48 mm, thickness 0.14 mm) is formed with
次に、図7に示すように、LEDチップ12と配線パターン3とをボンディングワイヤWを用いて電気的接続した。
Next, as shown in FIG. 7, the LED chip 12 and the
次に、図8に示すように、ホーロー基板1上にほぼ長方形状のシリコーンゴムシート16を密着させた。そして、作製される発光装置の発光がCIEの色度表でほぼx、y=(0.345、0.35)となるように蛍光体と透光性樹脂であるシリコーン樹脂とが重量比が1:4となるように混合したものを封止樹脂13とした。そして、シリコーンゴムシート16内に蛍光体を含む封止樹脂13を注入し、封止樹脂13を150℃の温度で60分硬化させ蛍光体を含む封止樹脂13を形成した。なお、本実施例では、蛍光体として(Ba・Sr)2SiO4:Euを用いた。
Next, as shown in FIG. 8, a substantially rectangular
そして、図9に示すように、シリコーンゴムシート16を取り除き、発光部200が形成された。
And as shown in FIG. 9, the
なお、本発明の発光装置の色度特性評価は、JISZ8722の条件C,DIN5033teil7,ISOk772411に準拠のd・8(拡散照明・8°受光方式)光学系を採用した測定装置を用いて測定した。 In addition, the chromaticity characteristic evaluation of the light emitting device of the present invention was measured using a measuring device employing a d · 8 (diffuse illumination · 8 ° light receiving method) optical system in accordance with JISZ8722 Condition C, DIN5033tail7, ISOk772411.
最後に、発光部200、正の電極外部接続ランド4、負の電極外部接続ランド5、センサ搭載用外部接続ランド6、取り付け部11の切りかけ、外部接続ランドに接続された外部配線(図示せず)、取り付け緩衝部9および極性認識貫通穴7を公知の方法で作製した。そして、センサ搭載用外部接続ランド6にセンサ14として、抵抗温度センサであるKOA製角形チップ厚膜リニア正温度係数抵抗器LA73を設置した。
Finally, the
また、図4に示すように、発光装置120の裏面側には、トップ型ボス有りプリント基板用のコネクタ300、コネクタの凸部15を形成した。
As shown in FIG. 4, the
ここで、発光装置120を消灯した状態で、正常に発光装置の裏面と発光装置の固定用治具とが密着性よく固定された場合は、センサ14としての抵抗温度センサ(リニア抵抗器)の抵抗値は、1000Ωを示し、推定される温度は、25℃と見積もられた。発光装置の裏面と発光装置の固定用治具との密着性が不十分な場合は、該抵抗値は、1018Ωを示した。密着性が不十分とは、取り付けネジが均一に締まっていないため、発光装置の裏面にゴミ等を挟んでいるなどが考えられた。密着性が不十分のときは、取り付けネジの締め直し、発光装置の裏面確認、発光装置固定用治具側の表面確認をし、該抵抗温度センサで推定温度が25℃付近になるようにした。
Here, when the back surface of the light emitting device and the fixing jig for the light emitting device are normally fixed with good adhesion with the
<実施例2>
図10に基づいて本実施例を以下説明する。
<Example 2>
This embodiment will be described below with reference to FIG.
本実施例においては、発光装置130の発光部210からの発光を電球色とするために蛍光体(Ba・Sr)2SiO4:Eu、CaAlSiN3:Euを含有する封止樹脂を用いた。
In this example, a sealing resin containing phosphor (Ba · Sr) 2 SiO 4 : Eu, CaAlSiN 3 : Eu was used to make the light emitted from the
より具体的には、CIEの色度表でx、y=(0.447、0.406)となる光が得られるように蛍光体と透光性樹脂であるシリコーン樹脂とが重量比が1:2.782となるように混合された封止樹脂をシリコーンゴムシート内に注入した後、120℃の温度で30分硬化させ蛍光体を含む封止樹脂を形成した。 More specifically, the weight ratio between the phosphor and the silicone resin, which is a translucent resin, is 1 so that light with x, y = (0.447, 0.406) is obtained in the CIE chromaticity table. : The sealing resin mixed so as to be 2.782 was poured into the silicone rubber sheet, and then cured at a temperature of 120 ° C. for 30 minutes to form a sealing resin containing a phosphor.
また、ホーロー基板1と発光部210の形状を八角形状にした。そして、センサ搭載用外部接続ランドには、センサ14としてチップ電流ヒューズ(薄膜チップ)を搭載することにより、過電流が発光装置130に流れた場合に発光装置130を保護できるように設計した。
Moreover, the shape of the
<実施例3>
図11に基づいて本実施例を以下説明する。
<Example 3>
The present embodiment will be described below with reference to FIG.
本実施例においては、発光装置140の発光部220からの発光を高演色とするために蛍光体CaAlSiN3:Eu、Ca3(Sc・Mg)2Si3O12:Ceを含有する封止樹脂を用いた。
In this embodiment, a sealing resin containing the phosphors CaAlSiN 3 : Eu, Ca 3 (Sc · Mg) 2 Si 3 O 12 : Ce in order to increase the color rendering of the light emitted from the
より具体的には、CIEの色度表でx、y=(0.447、0.406)となる光が得られるように蛍光体と透光性樹脂であるシリコーン樹脂とが重量比が1:6.78となるように混合された封止樹脂をシリコーンゴムシート内に注入した後、120℃の温度で30分硬化させ蛍光体を含む封止樹脂を形成した。 More specifically, the weight ratio between the phosphor and the silicone resin, which is a translucent resin, is 1 so that light with x, y = (0.447, 0.406) is obtained in the CIE chromaticity table. : The sealing resin mixed to be 6.78 was poured into the silicone rubber sheet, and then cured at a temperature of 120 ° C. for 30 minutes to form a sealing resin containing a phosphor.
また、ホーロー基板1の形状を八角形状とし、発光部220の形状をほぼ円形状にした。
In addition, the
<実施例4>
図12に基づいて本実施例を以下説明する。
<Example 4>
This embodiment will be described below with reference to FIG.
本実施例においては、発光装置150の発光部230からの発光を高演色とするために蛍光体CaAlSiN3:Eu、Ca3(Sc・Mg)2Si3O12:Ceを含有する封止樹脂を用いた。
In this embodiment, a sealing resin containing phosphors CaAlSiN 3 : Eu, Ca 3 (Sc · Mg) 2 Si 3 O 12 : Ce in order to make the light emission from the
より具体的には、CIEの色度表でx、y=(0.447、0.406)となる光が得られるように蛍光体と透光性樹脂であるシリコーン樹脂とが重量比が1:6.78となるように混合された封止樹脂をシリコーンゴムシート内に注入した後、120℃の温度で30分硬化させ蛍光体を含む封止樹脂を形成した。 More specifically, the weight ratio between the phosphor and the silicone resin, which is a translucent resin, is 1 so that light with x, y = (0.447, 0.406) is obtained in the CIE chromaticity table. : The sealing resin mixed to be 6.78 was poured into the silicone rubber sheet, and then cured at a temperature of 120 ° C. for 30 minutes to form a sealing resin containing a phosphor.
また、発光装置150は、センサ搭載用外部接続ランド6、正の電極外部接続ランド4および負の電極外部接続ランド5にそれぞれリード線320を接続し、その端にコネクタ300が取り付けられている構成とした。そして、コネクタ300の受け側としてソケットインサートコネクタ310を取り付けた。また、ホーロー基板1の形状を正方形状とし、発光部230の形状はほぼ正方形状とした。そのほかは、実施例1と同様とした。
The
<実施例5>
図13に基づいて本実施例を以下説明する。
<Example 5>
This embodiment will be described below based on FIG.
本実施例においては、発光装置160の発光部240からの発光を高演色とするために蛍光体CaAlSiN3:Eu、Ca3(Sc・Mg)2Si3O12:Ceを含有する封止樹脂を用いた。
In this embodiment, a sealing resin containing the phosphors CaAlSiN 3 : Eu, Ca 3 (Sc · Mg) 2 Si 3 O 12 : Ce in order to make the light emission from the
より具体的には、CIEの色度表でx、y=(0.447、0.406)となる光が得られるように蛍光体と透光性樹脂であるシリコーン樹脂とが重量比が1:6.78となるように混合されたものをシリコーンゴムシート内に注入した後、120℃の温度で30分硬化させ蛍光体を含む封止樹脂を形成した。 More specifically, the weight ratio between the phosphor and the silicone resin, which is a translucent resin, is 1 so that light with x, y = (0.447, 0.406) is obtained in the CIE chromaticity table. : The mixture mixed to be 6.78 was poured into the silicone rubber sheet, and then cured at a temperature of 120 ° C. for 30 minutes to form a sealing resin containing a phosphor.
また、発光部240の形状は、外径が1.6mmのほぼ円形状で、9列×15個=135個を形成した。そのほかは、実施例1と同様にした。
Moreover, the shape of the
ここで、実施例1〜実施例5において、発光素子としてのLEDチップ12には、窒化ガリウム系化合物半導体よりなる青色系LEDチップを使用した。 Here, in Examples 1 to 5, a blue LED chip made of a gallium nitride compound semiconductor was used as the LED chip 12 as the light emitting element.
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 It should be understood that the embodiments and examples disclosed herein are illustrative and non-restrictive in every respect. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.
1 ホーロー基板、2 ホーロー層、3 配線パターン、4 正の電極外部接続ランド、5 負の電極外部接続ランド、6 センサ搭載用外部接続ランド、7 極性認識貫通穴、8 自動認識用パターン、9 取り付け緩衝部、10 テストパターン接続ランド、11 取り付け部、12 LEDチップ、13 封止樹脂、14 センサ、15 凸部、16 シリコーンゴムシート、111 取り付けネジ、120,130,140,150,160 発光装置、200,210,220,230 発光部、300 コネクタ、310 ソケットインサートコネクタ、320 リード線、500,570 発光素子、510 貫通穴、520 突起、530 段付き部、540,560 実装用ホーロー基板、550,590 発光素子モジュール、580 接続用端子、600 導電層、1000 電球型LEDランプ、1010 電球ソケット、1020 反射面、1030 搭載面、W ボンディングワイヤ。 1 enamel board, 2 enamel layer, 3 wiring pattern, 4 positive electrode external connection land, 5 negative electrode external connection land, 6 sensor mounting external connection land, 7 polarity recognition through hole, 8 automatic recognition pattern, 9 mounting Buffer section, 10 Test pattern connection land, 11 Mounting section, 12 LED chip, 13 Sealing resin, 14 Sensor, 15 Convex section, 16 Silicone rubber sheet, 111 Mounting screw, 120, 130, 140, 150, 160 Light emitting device, 200, 210, 220, 230 Light emitting part, 300 connector, 310 socket insert connector, 320 lead wire, 500,570 light emitting element, 510 through hole, 520 protrusion, 530 stepped part, 540, 560 mounting enamel substrate, 550, 590 Light emitting device module, 580 connection Terminal, 600 conductive layer, 1000 bulb type LED lamp, 1010 bulb socket, 1020 reflective surface, 1030 mounting surface, W bonding wire.
Claims (12)
前記配線パターンにおける長手方向に沿って、複数の発光素子が複数列となるように配置され、
前記複数列の複数の発光素子のうち各前記配線パターンにおける長手方向に沿って配置された各列の複数の発光素子が並列接続されるように、前記各列の複数の発光素子が、それらの一方のボンディングワイヤで各前記配線パターンに接続されるとともに、それらの他方のボンディングワイヤで各前記配線パターンの一方側の隣に位置する配線パターンに接続され、
前記複数の発光素子と、それらの前記一方のボンディングワイヤおよび前記他方のボンディングワイヤとの全体を覆うように封止樹脂で封止され、
極性が異なる2つの電極外部接続ランドを備え、
前記電極外部接続ランドの正の電極外部接続ランドおよび負の電極外部接続ランドが、両端にある前記配線パターンにそれぞれ接続され、
前記配線パターンの端部に、並列接続された前記各列の複数の発光素子の点灯の有無をテストすることにより、前記複数の発光素子の良否および前記ボンディングワイヤの良否を認識するための、前記封止樹脂に覆われないテストパターン接続ランドをさらに備えた発光装置。 A plurality of wiring patterns are arranged on a substrate on which an insulating layer is formed on the surface of the core metal,
A plurality of light emitting elements are arranged in a plurality of rows along the longitudinal direction of the wiring pattern,
The plurality of light emitting elements in each column are connected in parallel so that the plurality of light emitting elements in each column arranged along the longitudinal direction in each wiring pattern among the plurality of light emitting elements in the plurality of columns are connected in parallel . Connected to each wiring pattern with one bonding wire and connected to the wiring pattern located next to one side of each wiring pattern with the other bonding wire ,
Wherein a plurality of light emitting elements are sealed with a sealing resin so as to cover the entire of their said one bonding wire and the other bonding wires,
It has two electrode external connection lands with different polarities,
The positive electrode external connection land and the negative electrode external connection land of the electrode external connection land are respectively connected to the wiring patterns at both ends,
The end portion of the wiring pattern, by testing the presence or absence of lighting of a plurality of light emitting elements of the parallel connected each column, for recognizing the quality and acceptability of the bonding wire of said plurality of light emitting elements, A light emitting device further comprising a test pattern connection land not covered with the sealing resin.
前記配線パターン上で隣接する前記発光素子どうしがそれらの側面が対向しないようにちどり状に配置される、請求項1〜9のいずれかに記載の発光装置。 The wiring pattern, Ri uneven der in a plan view of the substrate,
Wherein said light emitting element adjacent to each other is their side Ru disposed NiChidori shape so as not to face on the wiring pattern, the light-emitting device according to any one of claims 1 to 9.
前記発光装置は、前記固定用貫通穴および/または前記固定用切り欠け部を通る取り付けネジによって前記搭載面に固定されているLEDランプ。 A light emitting device according to claim 2 and a mounting surface.
The light emitting device is an LED lamp fixed to the mounting surface by a mounting screw passing through the fixing through hole and / or the fixing notch.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007242505A JP5538671B2 (en) | 2007-09-19 | 2007-09-19 | Light emitting device and LED lamp |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007242505A JP5538671B2 (en) | 2007-09-19 | 2007-09-19 | Light emitting device and LED lamp |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009076576A JP2009076576A (en) | 2009-04-09 |
JP2009076576A5 JP2009076576A5 (en) | 2009-09-17 |
JP5538671B2 true JP5538671B2 (en) | 2014-07-02 |
Family
ID=40611300
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007242505A Expired - Fee Related JP5538671B2 (en) | 2007-09-19 | 2007-09-19 | Light emitting device and LED lamp |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5538671B2 (en) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7893445B2 (en) * | 2009-11-09 | 2011-02-22 | Cree, Inc. | Solid state emitter package including red and blue emitters |
JP5623062B2 (en) | 2009-11-13 | 2014-11-12 | シャープ株式会社 | Light emitting device and manufacturing method thereof |
US8342733B2 (en) * | 2009-12-14 | 2013-01-01 | Tyco Electronics Corporation | LED lighting assemblies |
JP5710126B2 (en) * | 2010-01-14 | 2015-04-30 | ザイ&エス株式会社 | LED lighting device |
JP2011151268A (en) | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Sharp Corp | Light emitting device |
JP2011249737A (en) * | 2010-04-26 | 2011-12-08 | Panasonic Electric Works Co Ltd | Lead frame, wiring board, and led unit using the same |
EP2565951B1 (en) * | 2010-04-26 | 2019-07-31 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light emitting unit and illuminating apparatus |
JP5612991B2 (en) | 2010-09-30 | 2014-10-22 | シャープ株式会社 | LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHTING DEVICE HAVING THE SAME |
JP5836780B2 (en) * | 2011-12-02 | 2015-12-24 | 日立アプライアンス株式会社 | Light emitting diode module and lighting apparatus using the same |
WO2014065068A1 (en) * | 2012-10-24 | 2014-05-01 | シャープ株式会社 | Light emitting apparatus |
JP6539035B2 (en) * | 2014-01-08 | 2019-07-03 | ローム株式会社 | Chip parts |
TWI613391B (en) * | 2014-04-01 | 2018-02-01 | 晶元光電股份有限公司 | Light-emitting diode assembly and light-emitting diode bulb using the same |
JP2014187392A (en) * | 2014-06-23 | 2014-10-02 | Sharp Corp | Light-emitting device and luminaire having the same |
KR102426711B1 (en) | 2015-11-18 | 2022-07-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | Flexible display apparatus |
CN206610054U (en) * | 2016-09-30 | 2017-11-03 | 深圳市玲涛光电科技有限公司 | Light source assembly and its display device |
JP6881874B2 (en) * | 2018-03-29 | 2021-06-02 | Hoya株式会社 | Wiring board for light irradiation module and LED element |
CN110323323A (en) * | 2018-03-29 | 2019-10-11 | 豪雅冠得股份有限公司 | Light irradiation module and LED element wiring substrate |
JP2023138199A (en) * | 2022-03-19 | 2023-10-02 | Hoya株式会社 | Light irradiation module, light irradiation device |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4412787B2 (en) * | 1999-06-09 | 2010-02-10 | 三洋電機株式会社 | Irradiation device and irradiation module using metal substrate |
JP3989794B2 (en) * | 2001-08-09 | 2007-10-10 | 松下電器産業株式会社 | LED illumination device and LED illumination light source |
JP2004282004A (en) * | 2002-09-17 | 2004-10-07 | Daiwa Kogyo:Kk | Substrate for mounting light emitting element and fabrication method thereof |
JP4198498B2 (en) * | 2003-03-24 | 2008-12-17 | 株式会社モリテックス | Manufacturing method of annular oblique illumination device and flexible wiring board |
JP4356383B2 (en) * | 2003-07-03 | 2009-11-04 | パナソニック電工株式会社 | Method for manufacturing light emitting device |
JP2005223216A (en) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Light emitting light source, illuminator, and display unit |
JP4555026B2 (en) * | 2004-08-27 | 2010-09-29 | 日本特殊陶業株式会社 | Photoelectric conversion module, laminated substrate assembly |
JP4557613B2 (en) * | 2004-06-28 | 2010-10-06 | 京セラ株式会社 | Light emitting element storage package, light emitting device, and lighting device |
JP4628877B2 (en) * | 2005-06-07 | 2011-02-09 | 株式会社フジクラ | Light-emitting element mounting enamel substrate, light-emitting element module, lighting device, display device, and traffic signal device |
JP2007012288A (en) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Toshiba Lighting & Technology Corp | Lighting device and lighting fixture |
JP2007043024A (en) * | 2005-07-29 | 2007-02-15 | Tomojiro Sakurai | Circuit for electrical inspection of printed board circuit and its forming method |
DE102005061204A1 (en) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Perkinelmer Elcos Gmbh | Lighting device, lighting control device and lighting system |
-
2007
- 2007-09-19 JP JP2007242505A patent/JP5538671B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009076576A (en) | 2009-04-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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|
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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