JP5527104B2 - 成膜用インク、成膜方法および発光素子の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、成膜用インク、成膜方法および発光素子の製造方法に関するものである。

有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）は、陽極と陰極との間に少なくとも１層の発光性有機層（発光層）を介挿した構造を有する発光素子である。このような発光素子では、陰極と陽極との間に電界を印加することにより、発光層に陰極側から電子が注入されるとともに陽極側から正孔が注入され、発光層中で電子と正孔が再結合することにより励起子が生成し、この励起子が基底状態に戻る際に、そのエネルギー分が光として放出される。

一般に、有機ＥＬ素子では、陽極上に正孔注入層が設けられ、その正孔注入層上に正孔輸送層または発光層が設けられている。
これらの層を形成する方法（成膜方法）として、成膜材料を溶解または分散した成膜用インクを用いる方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
このような成膜方法は、フォトリソグラフィー法を用いずにパターンニングが可能であるため、製造プロセスが簡単なものとなるとともに、原材料の使用量も少なくて済むという利点がある。

一般に、有機ＥＬ素子の各層の構成材料にはπ共役系化合物が用いられる。
しかし、従来の成膜用インクでは、得られる膜のキャリア（正孔や電子）の輸送能が高くなりすぎてしまうという問題があった。かかる問題は、溶媒または分散媒中でπ共役系化合物同士がπ−πスタッキングの影響により凝集しやすいことによるものであると考えられる。また、有機ＥＬ素子を構成する層のキャリアの輸送能が高すぎると、正孔と電子の輸送バランスが崩れ、発光効率が低下してしまう。
したがって、このような成膜用インク用いて液滴吐出法により成膜すると、スピンコート法と異なり、π共役系化合物同士の凝集を防止する力が作用しないので、π共役系化合物同士が凝集しやすく、前述したような問題が顕著となる。

特開２００８−７７９５８号公報

本発明の目的は、成膜材料としてπ共役系化合物を用いる場合において、π共役系化合物同士の凝集を防止して、優れた膜質を有する膜を形成することができる成膜用インク、成膜方法および発光素子の製造方法を提供することにある。

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の成膜用インクは、π共役系化合物を含む成膜材料と、
前記成膜材料を溶解または分散させる液性媒体とを含み、
前記液性媒体は、１，４−ジブチルベンゼンを含むことを特徴とする成膜用インク。

かかる化合物は、アルキル基の炭素数が多いので、アルキル基がπ共役系化合物同士の間に介在し、π共役系化合物のπ−πスタッキングの距離を大きくすることができる。そのため、このような化合物を溶媒または分散媒として含む成膜用インクは、液滴吐出法により基材上に付与しても、π共役系化合物同士の凝集を防止することができる。その結果、得られる膜のキャリア（正孔や電子）の輸送能を適度に抑えることができる。
また、かかる化合物は、Ｒ^２〜Ｒ^６の炭素数を抑えつつ、Ｒ^１の炭素数を多くしているので、アルキル基の炭素数を多くしながらも、粘度を抑えることができる。そのため、本発明の成膜用インクは、高精度に成膜を行うことができる。

本発明の成膜用インクでは、前記成膜材料は、有機エレクトロルミネッセンス素子の有機層を構成する材料またはその前駆体であることが好ましい。
一般に、有機ＥＬ素子の有機層の構成材料には、π共役系化合物が用いられる。したがって、本発明の成膜用インクを用いることにより、有機ＥＬ素子の有機層のキャリアの輸送能を適度に抑えることができる。これにより、有機ＥＬ素子の発光効率を優れたものとすることができる。

本発明の成膜用インクでは、基材に付与し、前記液性媒体を除去することにより、前記成膜材料を主材料として構成された膜を形成するのに用いることが好ましい。
これにより、成膜の目的とする膜またはその前駆体膜を形成することができる。
本発明の成膜用インクでは、液滴吐出法による成膜に用いることが好ましい。
これにより、微細な領域に対しても、所望の位置および領域に成膜用インクを付与することができる。また、液滴吐出法は、気相成膜法に比し、成膜プロセスが簡単なものとなるとともに、原材料（成膜材料）の使用量が少なくて済むという利点がある。
また、液滴吐出法では、成膜材料としてπ共役系化合物を用いた場合に、π共役系化合物同士がπ−πスタッキングにより凝集しやすいので、本発明を適用することによる効果が顕著となる。

本発明の成膜方法は、本発明の成膜用インクを基材上に付与する工程と、
前記成膜用インクから前記液性媒体を除去して、膜を形成する工程とを有することを特徴とする。
これにより、成膜材料としてπ共役系化合物を用いる場合において、π共役系化合物同士の凝集を防止して、優れた膜質を有する膜を形成することができる。

本発明の発光素子の製造方法は、本発明の成膜用インクを基材上に付与する工程と、
前記成膜用インクから前記液性媒体を除去して、膜を形成する工程とを有することを特徴とする。
これにより、π共役系化合物同士の凝集を防止して、優れた膜質を有する有機層（正孔輸送層、発光層等）を形成することができる。

本発明の発光素子の縦断面を模式的に示す図である。 本発明の液滴吐出装置の概略構成を示す斜視図である。 図２の液滴吐出装置に備えられた液滴吐出ヘッドの概略構成を示す模式図である。 本発明の発光装置を備えるディスプレイ装置の実施形態を示す縦断面図である。 本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。

以下、本発明の成膜用インク、成膜方法、液滴吐出装置、発光素子の製造方法、発光素子、発光装置および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて説明する。
（発光素子）
図１は、本発明の発光素子の縦断面を模式的に示す図である。なお、以下では、説明の都合上、図１中の上側を「上」、下側を「下」として説明を行う。

図１に示す発光素子（エレクトロルミネッセンス素子）１は、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）を発光させて、白色発光するものである。
このような発光素子１は、陽極３と陰極１２との間に、正孔注入層４と正孔輸送層５と赤色発光層（第１の発光層）６と第１の中間層７Ａと青色発光層（第２の発光層）８と第２の中間層７Ｂと緑色発光層（第３の発光層）９と電子輸送層１０と電子注入層１１と陰極１２とがこの順に積層されてなるものである。

言い換えすれば、発光素子１は、正孔注入層４と正孔輸送層５と赤色発光層６と第１の中間層７Ａと青色発光層８と第２の中間層７Ｂと緑色発光層９と電子輸送層１０と電子注入層１１とがこの順に積層で積層された積層体１５が２つの電極間（陽極３と陰極１２との間）に介挿されて構成されている。
なお、積層体１５を構成する層（有機層）のうちの少なくとも１層は、後述する本発明の成膜用インクおよび成膜方法を用いて形成されている。
そして、発光素子１は、その全体が基板２上に設けられるとともに、封止部材１３で封止されている。

このような発光素子１にあっては、赤色発光層６、青色発光層８、および緑色発光層９の各発光層に対し、陰極１２側から電子が供給（注入）されるとともに、陽極３側から正孔が供給（注入）される。そして、各発光層では、正孔と電子とが再結合し、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、エキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出するため、赤色発光層６、青色発光層８、および緑色発光層９がそれぞれ赤色、青色、および緑色に発光する。これにより、発光素子１は、白色発光する。

基板２は、陽極３を支持するものである。本実施形態の発光素子１は、基板２側から光を取り出す構成（ボトムエミッション型）であるため、基板２および陽極３は、それぞれ、実質的に透明（無色透明、着色透明または半透明）とされている。
基板２の構成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料や、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
このような基板２の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。

なお、発光素子１が基板２と反対側から光を取り出す構成（トップエミッション型）の場合、基板２には、透明基板および不透明基板のいずれも用いることができる。
不透明基板としては、例えば、アルミナのようなセラミックス材料で構成された基板、ステンレス鋼のような金属基板の表面に酸化膜（絶縁膜）を形成したもの、樹脂材料で構成された基板等が挙げられる。

以下、発光素子１を構成する各部を順次説明する。
（陽極）
陽極３は、後述する正孔注入層４を介して正孔輸送層５に正孔を注入する電極である。この陽極３の構成材料としては、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料を用いるのが好ましい。

陽極３の構成材料としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ_３Ｏ_３、ＳｎＯ_２、Ｓｂ含有ＳｎＯ_２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
このような陽極３の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。

（陰極）
一方、陰極１２は、後述する電子注入層１１を介して電子輸送層１０に電子を注入する電極である。この陰極１２の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。
陰極１２の構成材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体等）用いることができる。

特に、陰極１２の構成材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極１２の構成材料として用いることにより、陰極１２の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
このような陰極１２の平均厚さは、特に限定されないが、１００〜１００００ｎｍ程度であるのが好ましく、２００〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、本実施形態の発光素子１は、ボトムエミッション型であるため、陰極１２に、光透過性は、特に要求されない。

（正孔注入層）
正孔注入層４は、陽極３からの正孔注入効率を向上させる機能を有するものである。
また、この正孔注入層４は、π共役系化合物を含んで構成される場合、後に詳述するような本発明の成膜用インクおよび成膜方法を用いて形成することができる。
この正孔注入層４の構成材料（正孔注入材料）としては、特に限定されないが、例えば、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ／Ｎａｆｉｏｎ（登録商標）、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−ｐ−ジアミノベンゼンおよびその誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
このような正孔注入層４の平均厚さは、特に限定されないが、５〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。

（正孔輸送層）
正孔輸送層５は、陽極３から正孔注入層４を介して注入された正孔を赤色発光層６まで輸送する機能を有するものである。
また、この正孔輸送層５は、π共役系化合物を含んで構成される場合、後に詳述するような本発明の成膜用インクおよび成膜方法を用いて形成することができる。

この正孔輸送層５の構成材料には、各種ｐ型の高分子材料や、各種ｐ型の低分子材料を単独または組み合わせて用いることができる。
ｐ型の高分子材料（有機ポリマー）としては、例えば、ポリ（２，７−（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン）−（１，４−フェニレン−（（４−sec−ブチルフェニル）イミノ）−１，４−フェニレン（ＴＦＢ）等のポリアリールアミンのようなアリールアミン骨格を有するもの、フルオレン−ビチオフェン共重合体のようなフルオレン骨格を有するもの、フルオレン−アリールアミン共重合体のようなアリールアミン骨格およびフルオレン骨格の双方を有するもの、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂またはその誘導体等が挙げられる。
このようなｐ型の高分子材料は、他の化合物との混合物として用いることもできる。一例として、ポリチオフェンを含有する混合物としては、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等が挙げられる。

一方、ｐ型の低分子材料としては、例えば、１，１−ビス（４−ジ−パラ−トリアミノフェニル）シクロへキサン、１，１’−ビス（４−ジ−パラ−トリルアミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサンのようなアリールシクロアルカン系化合物、４，４’，４’’−トリメチルトリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ１）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メトキシフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メトキシフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ３）、Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）、ＴＰＴＥのようなアリールアミン系化合物、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−パラ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（パラ−トリル）−パラ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（メタ−トリル）−メタ−フェニレンジアミン（ＰＤＡ）のようなフェニレンジアミン系化合物、カルバゾール、Ｎ−イソプロピルカルバゾール、Ｎ−フェニルカルバゾールのようなカルバゾール系化合物、スチルベン、４−ジ−パラ−トリルアミノスチルベンのようなスチルベン系化合物、Ｏ_ｘＺのようなオキサゾール系化合物、トリフェニルメタン、ｍ−ＭＴＤＡＴＡのようなトリフェニルメタン系化合物、１−フェニル−３−（パラ−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリンのようなピラゾリン系化合物、ベンジン（シクロヘキサジエン）系化合物、トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、イミダゾールのようなイミダゾール系化合物、１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ジ（４−ジメチルアミノフェニル）−１，３，４，−オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物、アントラセン、９−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセンのようなアントラセン系化合物、フルオレノン、２，４，７，−トリニトロ−９−フルオレノン、２，７−ビス（２−ヒドロキシ−３−（２−クロロフェニルカルバモイル）−１−ナフチルアゾ）フルオレノンのようなフルオレノン系化合物、ポリアニリンのようなアニリン系化合物、シラン系化合物、１，４−ジチオケト−３，６−ジフェニル−ピロロ−（３，４−ｃ）ピロロピロールのようなピロール系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリンのようなポルフィリン系化合物、キナクリドンのようなキナクリドン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン、テトラ（ｔ−ブチル）銅フタロシアニン、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、銅ナフタロシアニン、バナジルナフタロシアニン、モノクロロガリウムナフタロシアニンのような金属または無金属のナフタロシアニン系化合物、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルベンジジンのようなベンジジン系化合物等が挙げられる。
このような正孔輸送層５の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、この正孔輸送層５は、省略することができる。

（赤色発光層）
この赤色発光層（第１の発光層）６は、赤色（第１の色）に発光する赤色発光材料を含んで構成されている。
また、この赤色発光層６は、π共役系化合物を含んで構成される場合、後に詳述するような本発明の成膜用インクおよび成膜方法を用いて形成することができる。
このような赤色発光材料としては、特に限定されず、各種赤色蛍光材料、赤色燐光材料を１種または２種以上組み合わせて用いることができる。

赤色蛍光材料としては、赤色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、ペリレン誘導体、ユーロピウム錯体、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、ポルフィリン誘導体、ナイルレッド、２−（１，１−ジメチルエチル）−６−（２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ（ｉｊ）キノリジン−９−イル）エテニル）−４Ｈ−ピラン−４Ｈ−イリデン）プロパンジニトリル（ＤＣＪＴＢ）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）、ポリ[２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシロキシ）−１，４−（１−シアノビニレンフェニレン）]、ポリ[｛９，９−ジヘキシル−２，７−ビス（１−シアノビニレン）フルオレニレン｝オルト- コ- ｛２，５−ビス（N,N’-ジフェニルアミノ）−１，４−フェニレン｝]、ポリ[{２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシロキシ）−１，４−（１−シアノビニレンフェニレン）}−コ- {２，５−ビス（N,N’-ジフェニルアミノ）−１，４−フェニレン}]等を挙げられる。

赤色燐光材料としては、赤色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられ、これら金属錯体の配位子の内の少なくとも１つがフェニルピリジン骨格、ビピリジル骨格、ポルフィリン骨格等を持つものも挙げられる。より具体的には、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ^３’］イリジウム（アセチルアセトネート）（ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−１２Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン−白金（ＩＩ）、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ^３’］イリジウム、ビス（２−フェニルピリジン）イリジウム（アセチルアセトネート）が挙げられる。

また、赤色発光層６中には、前述した赤色発光材料の他に、赤色発光材料がゲスト材料として添加されるホスト材料を含んでいてもよい。
ホスト材料は、正孔と電子とを再結合して励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを赤色発光材料に移動（フェルスター移動またはデクスター移動）させて、赤色発光材料を励起する機能を有する。このようなホスト材料を用いる場合、例えば、ゲスト材料である赤色発光材料をドーパントとしてホスト材料にドープして用いることができる。

このようなホスト材料としては、用いる赤色発光材料に対して前述したような機能を発揮するものであれば、特に限定されないが、赤色発光材料が赤色蛍光材料を含む場合、例えば、ナフタセン誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体のようなアセン誘導体（アセン系材料）、ジスチリルアリーレン誘導体、ペリレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアミン誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ_３）等のキノリノラト系金属錯体、トリフェニルアミンの４量体等のトリアリールアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、シロール誘導体、ジカルバゾール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ベンゾピラン誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、キノリン誘導体、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。

前述したような赤色発光材料（ゲスト材料）およびホスト材料を用いる場合、赤色発光層６中における赤色発光材料の含有量（ドープ量）は、０．０１〜１０ｗｔ％であるのが好ましく、０．１〜５ｗｔ％であるのがより好ましい。赤色発光材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができる。
このような赤色発光層６の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。

（第１の中間層）
この第１の中間層７Ａは、前述した赤色発光層６と後述する青色発光層８との層間にこれらに接するように設けられている。そして、第１の中間層７Ａは、発光性を有する材料を実質的に含まずに構成され、赤色発光層（第１の発光層）６と青色発光層（第２の発光層）８との間でキャリア（正孔および電子）の移動を調整する機能を有する。この機能により、赤色発光層６および青色発光層８をそれぞれ効率よく発光させることができる。
また、この第１の中間層７Ａは、π共役系化合物を含んで構成される場合、後に詳述するような本発明の成膜用インクおよび成膜方法を用いて形成することができる。

このような第１の中間層７Ａの構成材料としては、前述したようなキャリア調整機能を発揮することができるものであれば、特に限定されないが、アセン系材料、アミン系材料等が好適に用いられる。
アセン系材料としては、アセン骨格を有し、かつ、前述したような効果を発揮するものであれば、特に限定されず、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、テトラセン（ナフタセン）誘導体、ペンタセン誘導体、ヘキサセン誘導体、ヘプタセン誘導体等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
このような第１の中間層７Ａに用いられるアミン系材料としては、アミン骨格を有し、かつ、前述したような効果を発揮するものであれば、特に限定されず、例えば、前述した正孔輸送材料のうちのアミン骨格を有する材料を用いることができるが、ベンジジン系アミン誘導体を用いるのが好ましい。

また、第１の中間層７Ａの平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００ｎｍであるのが好ましく、３〜５０ｎｍであるのがより好ましく、５〜３０ｎｍであるのがさらに好ましい。これにより、駆動電圧を抑えつつ、第１の中間層７Ａが赤色発光層６と青色発光層８との間での正孔および電子の移動を確実に調整することができる。
なお、この第１の中間層７Ａは、省略することができる。

（青色発光層）
青色発光層（第２の発光層）８は、青色（第２の色）に発光する青色発光材料を含んで構成されている。
また、この青色発光層８は、π共役系化合物を含んで構成される場合、後に詳述するような本発明の成膜用インクおよび成膜方法を用いて形成することができる。

このような青色発光材料としては、例えば、各種青色蛍光材料および青色燐光材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上組み合わせて用いることができる。
青色蛍光材料としては、青色の蛍光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、ジスチリルジアミン系化合物等のジスチリルアミン誘導体、フルオランテン誘導体、ピレン誘導体、ペリレンおよびペリレン誘導体、アントラセン誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、クリセン誘導体、フェナントレン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、テトラフェニルブタジエン、４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニル（ＢＣｚＶＢｉ）、ポリ［（９．９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（２，５−ジメトキシベンゼン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジヘキシルオキシフルオレン−２，７−ジイル）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−｛２−エトキシヘキシルオキシ｝フェニレン−１，４−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（エチルニルベンゼン）］等が挙げられる。

青色燐光材料としては、青色の燐光を発するものであれば、特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられ、具体的には、ビス［４，６−ジフルオロフェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ^２’］−ピコリネート−イリジウム、トリス［２−（２，４−ジフルオロフェニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム、ビス［２−（３，５−トリフルオロメチル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ^２’］−ピコリネート−イリジウム、ビス（４，６−ジフルオロフェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（アセチルアセトネート）等が挙げられる。
また、青色発光層８中には、前述した青色発光材料の他に、青色発光材料がゲスト材料として添加されるホスト材料が含まれていてもよい。
このようなホスト材料としては、前述した赤色発光層（第１の発光層）６で説明したホスト材料と同様のものを用いることができる。

（第２の中間層）
この第２の中間層７Ｂは、前述した青色発光層８と後述する緑色発光層９との層間にこれらに接するように設けられている。そして、第２の中間層７Ｂは、発光性を有する材料を実質的に含まずに構成され、青色発光層（第２の発光層）８と緑色発光層（第３の発光層）９との間でキャリア（正孔および電子）の移動を調整する機能を有する。この機能により、青色発光層８と緑色発光層９との間での励起子のエネルギー移動を阻止することができることから、青色発光層８から緑色発光層９へのエネルギー移動を抑制して、青色発光層８および緑色発光層９をそれぞれ効率よく発光させることができる。
また、この第２の中間層７Ｂは、π共役系化合物を含んで構成される場合、後に詳述するような本発明の成膜用インクおよび成膜方法を用いて形成することができる。

このような第２の中間層７Ｂの構成材料としては、第２の中間層７Ｂが、青色発光層８のホスト材料および緑色発光層９のホスト材料のうちの少なくとも一方のホスト材料と同一または同種の材料を含み、かつ、発光性を有する材料を実質的に含まずに構成され、前述したようなキャリア調整機能を発揮することができるものであれば、特に限定されないが、前記ホスト材料と同種または同一の材料として、アセン系材料を含むものが好適に用いられる。
アセン系材料としては、前述した第１の中間層７Ａで説明したのと同様のものを用いることができる。

また、第２の中間層７Ｂの厚さは、特に限定されないが、２ｎｍ以上、１０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、３ｎｍ以上、７ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。第２の中間層７Ｂの厚さをかかる範囲内に設定することにより、励起子（正孔および電子）の拡散を抑制または防止して、励起子の移動を確実に調整することができる。
なお、この第２の中間層７Ｂは、省略することができる。

（緑色発光層）
緑色発光層（第３の発光層）９は、緑色（第３の色）に発光する緑色発光材料を含んで構成されている。
また、この緑色発光層９は、π共役系化合物を含んで構成される場合、後に詳述するような本発明の成膜用インクおよび成膜方法を用いて形成することができる。

このような緑色発光材料としては、特に限定されず、例えば、各種緑色蛍光材料および緑色燐光材料が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
緑色蛍光材料としては、緑色の蛍光を発するものであれば特に限定されず、例えば、クマリン誘導体、キナクリドンおよびその誘導体、９，１０−ビス［（９−エチル−３−カルバゾール）−ビニレニル］−アントラセン、ポリ（９，９−ジヘキシル−２，７−ビニレンフルオレニレン）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−コ−（１，４−ジフェニレン−ビニレン−２−メトキシ−５−｛２−エチルヘキシルオキシ｝ベンゼン）］、ポリ［（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニレン）−オルト−コ−（２−メトキシ−５−（２−エトキシルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン）］、ポリ(９，９−ジオクチルフルオレン−ｃｏ−ベンゾチアジアゾール（Ｆ８ＢＴ）等が挙げられる。

緑色燐光材料としては、緑色の燐光を発するものであれば特に限定されず、例えば、イリジウム、ルテニウム、白金、オスミウム、レニウム、パラジウム等の金属錯体が挙げられ、具体的には、ファク−トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（アセチルアセトネート）、ファク−トリス［５−フルオロ−２−（５−トリフルオロメチル−２−ピリジン）フェニル−Ｃ，Ｎ］イリジウム等が挙げられる。
また、緑色発光層９中には、前述した緑色発光材料の他に、緑色発光材料がゲスト材料として添加されるホスト材料が含まれていてもよい。
このようなホスト材料としては、前述した赤色発光層（第１の発光層）６で説明したホスト材料と同様のものを用いることができる。

（電子輸送層）
電子輸送層１０は、陰極１２から電子注入層１１を介して注入された電子を緑色発光層９に輸送する機能を有するものである。
電子輸送層１０の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ_３）等の８−キノリノールなしいその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、この電子輸送層１０は、π共役系化合物を含んで構成される場合、後に詳述するような本発明の成膜用インクおよび成膜方法を用いて形成することができる。
電子輸送層１０の平均厚さは、特に限定されないが、０．５〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
なお、この電子輸送層１０は、省略することができる。

（電子注入層）
電子注入層１１は、陰極１２からの電子注入効率を向上させる機能を有するものである。
この電子注入層１１の構成材料（電子注入材料）としては、例えば、各種の無機絶縁材料、各種の無機半導体材料が挙げられる。

このような無機絶縁材料としては、例えば、アルカリ金属カルコゲナイド（酸化物、硫化物、セレン化物、テルル化物）、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物およびアルカリ土類金属のハロゲン化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらを主材料として電子注入層を構成することにより、電子注入性をより向上させることができる。特にアルカリ金属化合物（アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物等）は仕事関数が非常に小さく、これを用いて電子注入層１１を構成することにより、発光素子１は、高い輝度が得られるものとなる。

アルカリ金属カルコゲナイドとしては、例えば、Ｌｉ_２Ｏ、ＬｉＯ、Ｎａ_２Ｓ、Ｎａ_２Ｓｅ、ＮａＯ等が挙げられる。
アルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、例えば、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＭｇＯ、ＣａＳｅ等が挙げられる。
アルカリ金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣｓＦ、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＫＣｌ、ＮａＣｌ等が挙げられる。
アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、例えば、ＣａＦ_２、ＢａＦ_２、ＳｒＦ_２、ＭｇＦ_２、ＢｅＦ_２等が挙げられる。

また、無機半導体材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、ＳｂおよびＺｎのうちの少なくとも１つの元素を含む酸化物、窒化物または酸化窒化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
電子注入層１１の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、０．２〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましく、０．２〜５０ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
なお、この電子注入層１１は、省略することができる。

（封止部材）
封止部材１３は、陰極１２を覆うように設けられ、陽極３、積層体１５、および陰極１２を気密的に封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する。封止部材１３を設けることにより、発光素子１の信頼性の向上や、変質・劣化の防止（耐久性向上）等の効果が得られる。

封止部材１３の構成材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉまたはこれらを含む合金、酸化シリコン、各種樹脂材料等を挙げることができる。なお、封止部材１３の構成材料として導電性を有する材料を用いる場合には、短絡を防止するために、封止部材１３と陰極１２との間には、必要に応じて、絶縁膜を設けるのが好ましい。
また、封止部材１３は、平板状として、基板２と対向させ、これらの間を、例えば熱硬化性樹脂等のシール材で封止するようにしてもよい。

（発光素子の製造方法）
次に、本発明の成膜用インクおよび成膜方法について、前述した発光素子１の製造に適用した場合を例に説明する。なお、以下では、正孔輸送層５を本発明の成膜用インクおよび成膜方法を用いて形成する場合を例に説明する。
以上のような発光素子１は、例えば、次のようにして製造することができる。

［１］ まず、基板２を用意し、この基板２上に陽極３を形成する。
陽極３は、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着等の乾式メッキ法、電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。

［２］ 次に、陽極３上に正孔注入層４を形成する。
正孔注入層４は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
この正孔注入層４は、正孔注入材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔注入層形成用材料（インク）を、陽極３上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することにより形成することができる。

正孔注入層形成用材料の供給方法としては、例えば、スピンコート法、ロールコート法、インクジェット印刷法（液滴吐出法）等の各種塗布法を用いることもできる。かかる塗布法を用いることにより、正孔注入層４を比較的容易に形成することができる。
正孔注入層形成用材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、各種無機溶媒や、各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
なお、乾燥は、例えば、大気圧または減圧雰囲気中での放置、加熱処理、不活性ガスの吹付け等により行うことができる。

また、本工程に先立って、陽極３の上面には、酸素プラズマ処理を施すようにしてもよい。これにより、陽極３の上面を親液性を付与すること、陽極３の上面に付着する有機物を除去（洗浄）すること、陽極３の上面付近の仕事関数を調整すること等を行うことができる。
ここで、酸素プラズマ処理の条件としては、例えば、プラズマパワー１００〜８００Ｗ程度、酸素ガス流量５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ程度、被処理部材（陽極３）の搬送速度０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ程度、被処理部材を支持する支持体の温度７０〜９０℃程度とするのが好ましい。

［３］ 次に、正孔注入層４上に正孔輸送層５を形成する。
この正孔輸送層５は、前述した正孔輸送材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる正孔輸送層形成用材料（本発明の成膜用インク）を、正孔注入層４上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することにより形成される。
特に、正孔注入層形成用材料（成膜用インク）の供給方法としては、例えば、後述するような液滴吐出装置によるインクジェット印刷法（液滴吐出法）を用いる。

（液滴吐出装置）
ここで、正孔輸送層５の成膜に用いる液滴吐出装置について説明する。
図２は、液滴吐出装置（インクジェット装置）の好適な実施形態の一例を示す斜視図、図３は、図２の液滴吐出装置に備えられた液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）の概略構成を説明するための模式図である。

図２に示すように、液滴吐出装置２００は、液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド。以下、単にヘッドと呼ぶ）１１０と、ベース１３０と、テーブル１４０と、インク貯留部（図示せず）と、テーブル位置決め手段１７０と、ヘッド位置決め手段１８０と、制御装置１９０とを有している。
ベース１３０は、テーブル１４０、テーブル位置決め手段１７０、およびヘッド位置決め手段１８０等の液滴吐出装置２００の各構成部材を支持する台である。

テーブル１４０は、テーブル位置決め手段１７０を介してベース１３０に設置されている。また、テーブル１４０は、基材Ｓ（本実施形態では、基板２０と陽極３と正孔注入層４からなる積層体）を載置するものである。
また、テーブル１４０の裏面には、ラバーヒータ（図示せず）が配設されている。テーブル１４０上に載置された基材Ｓは、その上面全体がラバーヒータにて所定の温度に加熱されるようになっている。

テーブル位置決め手段１７０は、第１移動手段１７１と、モータ１７２とを有している。テーブル位置決め手段１７０は、ベース１３０におけるテーブル１４０の位置を決定し、これにより、ベース１３０における基材Ｓの位置を決定する。
第１移動手段１７１は、Ｙ方向と略平行に設けられた２本のレールと、当該レール上を移動する支持台とを有している。第１移動手段１７１の支持台は、モータ１７２を介してテーブル１４０を支持している。そして、支持台がレール上を移動することにより、基材Ｓを載置するテーブル１４０は、Ｙ方向に移動および位置決めされる。

モータ１７２は、テーブル１４０を支持しており、θｚ方向にテーブル１４０を揺動および位置決めする。
ヘッド位置決め手段１８０は、第２移動手段１８１と、リニアモータ１８２と、モータ１８３、１８４、１８５とを有している。ヘッド位置決め手段１８０は、ヘッド１１０の位置を決定する。

第２移動手段１８１は、ベース１３０から立設する２本の支持柱と、当該支持柱同士の間に当該支持柱に支持されて設けられ、２本のレールを有するレール台と、レールに沿って移動可能でヘッド１１０を支持する支持部材（図示せず）とを有している。そして、支持部材がレールに沿って移動することにより、ヘッド１１０は、Ｘ方向に移動および位置決めされる。

リニアモータ１８２は、支持部材付近に設けられており、ヘッド１１０のＺ方向の移動および位置決めをすることができる。
モータ１８３、１８４、１８５は、ヘッド１１０を、それぞれα，β，γ方向に揺動および位置決めする。
以上のようなテーブル位置決め手段１７０およびヘッド位置決め手段１８０とにより、液滴吐出装置２００は、ヘッド１１０のインク吐出面１１５Ｐと、テーブル１４０上の基材Ｓとの相対的な位置および姿勢を、正確にコントロールできるようになっている。

図３に示すように、ヘッド１１０は、インクジェット方式（液滴吐出方式）によって成膜用インク３００をノズル（突出部）１１８から吐出するものである。本実施形態では、ヘッド１１０は、圧電体素子としてのピエゾ素子１１３を用いてインクを吐出させるピエゾ方式を用いている。ピエゾ方式は、成膜用インク３００に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えないなどの利点を有する。

ヘッド１１０は、ヘッド本体１１１と、振動板１１２と、ピエゾ素子１１３とを有している。
ヘッド本体１１１は、本体１１４と、その下端面にノズルプレート１１５とを有している。そして、本体１１４を板状のノズルプレート１１５と振動板１１２とが挟み込むことにより、空間としてのリザーバ１１６およびリザーバ１１６から分岐した複数のインク室１１７が形成されている。

リザーバ１１６には、図示しないインク貯留部から成膜用インク３００が供給される。リザーバ１１６は、各インク室１１７に成膜用インク３００を供給するための流路を形成している。
また、ノズルプレート１１５は、本体１１４の下端面に装着されており、インク吐出面１１５Ｐを構成している。このノズルプレート１１５には、成膜用インク３００を吐出する複数のノズル１１８が、各インク室１１７に対応して開口されている。そして、各インク室１１７から対応するノズル（吐出部）１１８に向かって、インク流路が形成されている。

振動板１１２は、ヘッド本体１１１の上端面に装着されており、各インク室１１７の壁面を構成している。振動板１１２は、ピエゾ素子１１３の振動に応じて振動可能となっている。
ピエゾ素子１１３は、その振動板１１２のヘッド本体１１１と反対側に、各インク室１１７に対応して設けられている。ピエゾ素子１１３は、水晶等の圧電材料を一対の電極（不図示）で挟持したものである。その一対の電極は、駆動回路１９１に接続されている。

そして、駆動回路１９１からピエゾ素子１１３に電気信号を入力すると、ピエゾ素子１１３が膨張変形または収縮変形する。ピエゾ素子１１３が収縮変形すると、インク室１１７の圧力が低下して、リザーバ１１６からインク室１１７に成膜用インク３００が流入する。また、ピエゾ素子１１３が膨張変形すると、インク室１１７の圧力が増加して、ノズル１１８から成膜用インク３００が吐出される。なお、印加電圧を変化させることにより、ピエゾ素子１１３の変形量を制御することができる。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子１１３の変形速度を制御することができる。すなわち、ピエゾ素子１１３への印加電圧を制御することにより、成膜用インク３００の吐出条件を制御し得るようになっている。
制御装置１９０は、液滴吐出装置２００の各部位を制御する。例えば、駆動回路１９１で生成する印加電圧の波形を調節して成膜用インク３００の吐出条件を制御したり、ヘッド位置決め手段１８０およびテーブル位置決め手段１７０を制御したりすることにより基材Ｓへの成膜用インク３００の吐出位置を制御する。

（成膜用インク）
本発明の成膜用インク３００は、成膜材料と、その成膜材料が溶解または分散される液性媒体とを有する。
この成膜用インク３００は、基材Ｓ（本実施形態では正孔注入層４）に付与し、前記液性媒体を除去することにより、前記成膜材料を主材料として構成された膜（本実施形態では正孔輸送層５）を形成するのに用いるものである。これにより、成膜の目的とする膜（本実施形態では正孔輸送層５）またはその前駆体膜を形成することができる。

特に、かかる成膜用インク３００は、前述したような液滴吐出装置２００を用いた成膜、すなわち液滴吐出法による成膜に用いるものである。これにより、微細な領域に対しても、所望の位置および領域に成膜用インク３００を付与することができる。また、液滴吐出法は、気相成膜法に比し、成膜プロセスが簡単なものとなるとともに、原材料（成膜材料）の使用量が少なくて済むという利点がある。
また、液滴吐出法では、成膜材料としてπ共役系化合物を用いた場合に、π共役系化合物同士がπ−πスタッキングにより凝集しやすいので、本発明を適用することによる効果が顕著となる。

以下、本発明の成膜用インク３００の各成分を詳細に説明する。
（成膜材料）
本発明の成膜用インク３００に含まれる成膜材料は、成膜の目的とする膜（本実施形態では正孔輸送層５）の構成材料またはその前駆体である。
成膜用インク３００中において、成膜材料は、後述する液性媒体に溶解しているものであってもよいし、分散しているものであってもよいが、成膜材料が液性媒体中に分散しているものである場合、成膜材料の平均粒径は、２０〜２００ｎｍであるのが好ましく、５〜９０ｎｍであるのがより好ましい。これにより、成膜用インク３００中における成膜材料の分散安定性を優れたものとすることができる。

成膜材料は、非水系溶媒に可溶なものであるのが好ましい。このような成膜材料は、液性媒体に溶解させることができる。そのため、高分子材料を成膜材料として用いた場合においても、均質な膜を形成することができる。

本実施形態では、成膜材料は、有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送層を構成する材料またはその前駆体である。
前述した発光素子１では、陽極３上に正孔注入層４が設けられ、その正孔注入層４上に正孔輸送層５が設けられている。そして、正孔輸送層５を形成する際には、水系の溶媒または分散媒を用いて形成された正孔注入層４上に、正孔輸送層５の構成材料またはその前駆体を非水系の溶媒または分散媒に溶解または分散させた成膜用インク３００を塗布することとなる。このような場合、正孔輸送層５の形成に本発明の成膜用インク３００を用いると、成膜用インク３００を正孔注入層４上に濡れ拡がらせることができる。

なお、発光素子１においては、前述したように正孔輸送層５を省略することができる。したがって、その場合には、その正孔注入層４上に発光層（赤色発光層６）が設けられることになる。そして、この場合、赤色発光層６を形成する際には、正孔注入層４上に、赤色発光層６の構成材料またはその前駆体を非水系の溶媒または分散媒に溶解または分散させた成膜用インクを塗布することとなる。

成膜用インク３００中における成膜材料の含有率は、成膜用インク３００の用途に応じて決められるものであり、特に限定されないが、例えば、０．０１〜２０ｗｔ％であるのが好ましく、０．０５〜１５ｗｔ％であるのがより好ましい。成膜材料の含有率が前記範囲内の値であると、成膜用の液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）からの吐出性（吐出安定性）を特に優れたものとすることができる。

（液性媒体）
本発明の成膜用インク３００に含まれる液性媒体は、前述した成膜材料を溶解または分散させるもの、すなわち、溶媒または分散媒である。この液性媒体は、後述する成膜過程において、その大部分が除去されるものである。
特に、かかる液性媒体は、下記式（Ｉ）で表わされる化合物を含んでいる。

［上記式（Ｉ）において、Ｒ^１は、炭素数３以上１０以下の直鎖または枝分かれのアルキル基であり、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５、Ｒ^６は、それぞれ独立して、水素または炭素数１のアルキル基であり、Ｒ^４は、水素または炭素数１以上５以下の直鎖または枝分かれのアルキル基である。］

かかる化合物（アルキルベンゼン）は、アルキル基の炭素数が多いので、アルキル基が成膜材料であるπ共役系化合物同士の間に介在し、そのπ共役系化合物のπ−πスタッキングの距離を大きくすることができる。そのため、このような化合物を溶媒または分散媒として含む成膜用インクは、液滴吐出法により基材Ｓ上に付与しても、π共役系化合物同士の凝集を防止することができる。その結果、得られる膜のキャリア（正孔や電子）の輸送能を適度に抑えることができる。

また、かかる化合物は、Ｒ^２〜Ｒ^６の炭素数を抑えつつ、Ｒ^１の炭素数を多くしているので、アルキル基の炭素数を多くしながらも、粘度を抑えることができる。そのため、本発明の成膜用インク３００は、高精度に成膜を行うことができる。
また、かかる化合物は、極性基を含まないので、得られる正孔輸送層５中に残留したとしても、正孔輸送層５の電気的特性に与える悪影響を少なくすることができる。さらに、かかる化合物は、成膜材料に対する攻撃性が低く、この点でも、得られる正孔輸送層５の特性悪化を防止することができる。

また、上記式（Ｉ）において、Ｒ^１が炭素数６以上である場合には、Ｒ^１が炭素数６以上１０以下の直鎖アルキル基であり、かつ、Ｒ^４が水素または炭素数１のアルキル基であるのが好ましく、Ｒ^１が炭素数８以上１０以下の直鎖アルキル基であり、かつ、Ｒ^４が水素であるのがより好ましい。これにより、効果的に、アルキル基の炭素数を多くしながらも、液性媒体および成膜用インク３００の粘度を抑えることができる。
また、上記式（Ｉ）において、Ｒ^１が炭素数５以下である場合には、Ｒ^１およびＲ^４は、それぞれ独立して、炭素数３以上５以下の直鎖アルキル基であるのが好ましい。
これにより、効果的に、アルキル基の炭素数を多くしながらも、液性媒体および成膜用インク３００の粘度を抑えることができる。

また、上記式（Ｉ）において、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５、Ｒ^６は、これらの少なくとも２つがそれぞれ水素であるのが好ましく、これらの少なくとも３つがそれぞれ水素であるのがより好ましい。これにより、アルキル基の数を抑え、成膜用インク３００の脱溶媒性または脱分散媒性を良好なものとすることができる。
また、上記式（Ｉ）に示す化合物は、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、液性媒体中における上記式（Ｉ）に示す化合物の含有量は、５０ｗｔ％以上１００ｗｔ％以下であればよいが、７０ｗｔ％以上１００ｗｔ％以下であるのが好ましい。

また、液性媒体中には、上記式（Ｉ）に示す化合物以外の化合物が含まれていてもよい。液性媒体に含有可能な化合物としては、例えば、ベンゼン（Benzene、沸点80.1℃、融点5.5℃）、トルエン（Toluene、沸点110.6℃、融点-93℃）、ｏ−キシレン（o-Xylene (p-,m-)、沸点144℃、融点-25℃）、トリメチルベンゼン（Trimethylbenzene、沸点165℃、融点-45℃）、テトラリン（テトラヒドロナフタレン：Tetralin、沸点208℃、融点-35.8℃）、シクロヘキシルベンゼン（cyclohexylbenzene、沸点237.5℃、融点5℃）、１，４−ジクロロベンゼン（1,4-dchlorobenzene、沸点174℃、融点53.5℃）、１，２，３−トリクロロベンゼン（1,2,3-Trichlorobenzene、沸点221℃、融点52.6℃）、テトラヒドロフラン（Tetrahydrofuran、沸点66℃、融点-108.5℃）、ジエチルエーテル（diethyl ether、沸点35℃、融点-116℃）、ジイソプロピルエーテル（Diisopropyl ether、沸点69℃、融点-85.6℃）、エチレングリコール（ethylene glycol、沸点197.3℃、融点-12.9℃）、エチレングリコールジエチルエーテル（Ethylene glycol diethyl ether、沸点190℃、融点-44.3℃）、ジオキサン（Dioxane、沸点101.1℃、融点11.8℃）、アニソール（メトキシベンゼン：Anisole、沸点154℃、融点-37℃）、ジクロロメタン（dichloromethane、沸点40℃、融点-96.7℃）、トリクロロメタン（trichloromethane、沸点61.2℃、融点-64℃）、塩化炭素四塩化炭素（tetrachloromethane、沸点76.7℃、融点-28.6℃）、ペンタン（pentane、沸点36℃、融点-131℃）、ヘキサン（Hexane、沸点69℃、融点-95℃）、シクロヘキサン（cyclohexane、沸点81℃、融点7℃）、アセトン（Acetone、沸点56.5℃、融点-94℃）、１−メチル−２−ピロリジノン（ＮＭＰ：1-Methyl-2-pyrrolidinone、沸点204℃、融点-24℃）、メチルエチルケトン（methylethylketone、沸点79.6℃、融点-86℃）、アルファ−テトラロン（Alpha-tetralone、沸点257℃、融点7℃）、シクロヘキサノン（Cyclohexanone、沸点157℃、融点-45℃）、酢酸エチル（ethyl acetate、沸点77.1℃、融点-83.6℃）、酢酸ブチル（butyl acetate、沸点126℃、融点-74℃）、メタノール（methanol、沸点67℃、融点-97℃）、エタノール（ethanol、沸点78.4℃、融点-114.3℃）、イソプロピルアルコール（Isopropyl alcohol、沸点82.4℃、融点-89.5℃）、１−プロパノール（1-Propanol、沸点97.15℃、融点-126.5℃）、アセトニトリル（acetonitrile、沸点82℃、融点-45℃）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ：N,N-dimethylformamide、沸点153℃、融点-61℃）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ：N,N-Dimethylacetamide、沸点165℃、融点-20℃）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（1,3-dimethyl-2-imidazolidinone、沸点220℃、融点8℃）、ジメチルスルホキシド（dimethyl sulfoxide、沸点189℃、融点18.5℃）、４−tert-ブチルアニソール（4-tert-Butylanisole、沸点222℃、融点18℃）、Trans−アネトール（Trans-Anethole、沸点235℃、融点20℃）、１，２−ジメトキシベンゼン（1,2-Dimethoxybenzene、沸点206.7℃、融点22.5℃）、２−メトキシビフェニル（2-Methoxybiphenyl、沸点274℃、融点28℃）、フェニルエーテル（Phenyl Ether、沸点258.3℃、融点28℃）、２−エトキシナフタレン（2-Ethoxynaphthalene、沸点282℃、融点35℃）、ベンジルフェニルエーテル（Benzyl Phenyl Ether、沸点288℃、融点39℃）、２，６−ジメトキシトルエン（2,6-Dimethoxytoluene、沸点222℃、融点39℃）、２−プロポキシナフタレン（2-Propoxynaphthalene、沸点305℃、融点40℃）、１，２，３−トリメトキシベンゼン（1,2,3-Trimethoxybenzene、沸点235℃、融点45℃）、１，４−ジクロロベンゼン（1,4-dichlorobenzene、沸点174℃、融点53.5℃）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、液性媒体には、高沸点溶媒が含まれていてもよく、かかる高沸点溶媒としては、例えば、芳香族炭化水素、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ヘキサメチルホスソルアミド（ＨＭＰＡ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）およびその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類を挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

液性媒体の常温（２０℃）における粘度（以下、単に「粘度」とも言う）は、特に限定されないが、６ｃＰ以下であるのが好ましく、４ｃＰ以下であるのがより好ましい。これにより、水系の溶媒または分散媒を用いて形成された層（本実施形態では正孔注入層４）上に対する成膜用インク３００の濡れ性を効果的に高めることできる。
また、液性媒体の常圧での沸点は、２００℃以上であるのが好ましい。これにより、成膜用インク３００の液性媒体の揮発性を抑え、成膜用インク３００を液滴吐出法を用いて安定的に吐出することができる。
このような液性媒体の成膜用インク３００中の含有量は、８０〜９９．９９ｗｔ％であるのが好ましく、８５〜９９．９５ｗｔ％であるのがより好ましい。

以上説明したような成膜用インクは、後述するようなインクジェット法（液滴吐出法）を用いた成膜に用いるものである。インクジェット法によれば、比較的簡単かつ確実に、微細なパターンニングを行うことができる。
また、液滴吐出法では、成膜材料としてπ共役系化合物を用いた場合に、π共役系化合物同士がπ−πスタッキングにより凝集しやすいので、本発明を適用することによる効果が顕著となる。
このような成膜用インクは、後述するインク付与工程［１］において液状をなすものである。

また、このような成膜用インクの粘度は、特に限定されないが、１ｃＰ以上７ｃＰ以下程度であるのが好ましい。かかる範囲内に成膜用インクの粘度を調製することにより、前述したような液性媒体の低粘度化による効果が顕著となる。
以上説明したような液滴吐出装置２００および成膜用インク３００を用いて正孔輸送層５を形成する。

（成膜方法）
具体的には、正孔輸送層５の形成方法（成膜方法）は、［３−１］前述した成膜用インク３００を基材Ｓ（具体的には正孔注入層４）上に付与する工程と、［３−２］成膜用インク３００から液状媒体を除去して、正孔輸送層５を形成する工程とを有する。
これにより、成膜材料としてπ共役系化合物を用いる場合において、π共役系化合物同士の凝集を防止して、優れた膜質を有する膜を形成することができる。

［３−１］
具体的には、前述した液滴吐出装置２００を用いて、正孔注入層４上に所望の量の成膜用インク３００を付与する。
この工程［３−１］における雰囲気の温度および圧力は、それぞれ、成膜用インク３００の組成に応じて決められるものであり、基材Ｓ上に成膜用インク３００を付与することができれば、特に限定されないが、常温常圧であるのが好ましい。これにより、成膜用インク３００の付与を簡単に行える。

［３−２］
そして、基材Ｓ上（本実施形態では、基板２０、陽極３および正孔注入層４からなる積層体であって、具体的には正孔注入層４上）に形成された成膜用インク３００から液性媒体を除去することにより、成膜材料を主成分とする膜（すなわち正孔輸送層５またはその前駆体膜）を得る。

この工程［３−２］における雰囲気の温度および圧力は、それぞれ、成膜用インク３００の組成に応じて決められるものであり、基材Ｓ上の成膜用インク３００から液性媒体を除去することができれば、特に限定されないが、液性媒体の除去は、加熱・減圧下で行うのが好ましい。これにより、成膜用インク３００から液性媒体を効率的に除去することができる。

この加熱は、特に限定されないが、ホットプレートや赤外線などで行うことができる。また、この加熱は、前述した液滴吐出装置２００のテーブル１４０に設けられたラバーヒータにより行ってもよい。
この加熱温度は、特に限定されないが、６０〜１００℃程度であるのが好ましい。
また、加熱時間は、特に限定されないが、１分以上３０分以下程度である。
前述したように減圧するに際し、その圧力は、特に限定されないが、１０^−７Ｐａ以上１０Ｐａ以下程度であるのが好ましい。

このようにして液性媒体が除去されて形成された膜は、成膜の目的とする正孔輸送層５の構成材料またはその前駆体で構成されたものとなる。
そして、成膜材料として正孔輸送層５の構成材料の前駆体を用いた場合、液性媒体を除去して得られた膜は、必要に応じて、所定の処理が施される。例えば、不活性ガス雰囲気下で熱処理（焼成処理）を施す。
この加熱温度は、特に限定されないが、１００〜２００℃程度であるのが好ましい。
また、加熱時間は、特に限定されないが、１０分以上２時間以下程度である。
以上のようにして、正孔輸送層５が形成される。

［４］ 次に、正孔輸送層５上に、赤色発光層６を形成する。
赤色発光層６は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、赤色発光層６は、例えば、その構成材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる赤色発光層形成用材料を、正孔輸送層５上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することによっても形成することができる。

［５］ 次に、赤色発光層６上に、第１の中間層７Ａを形成する。
第１の中間層７Ａは、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、第１の中間層７Ａは、例えば、その構成材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる第１の中間層形成用材料を、赤色発光層６上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することによっても形成することができる。

［６］ 次に、第１の中間層７Ａ上に、青色発光層８を形成する。
青色発光層８は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
［７］ 次に、青色発光層８上に、第２の中間層７Ｂを形成する。
第２の中間層７Ｂは、前記工程［５］で説明した、第１の中間層７Ａの形成方法と同様の方法を用いて形成される。
［８］ 次に、第２の中間層７Ｂ上に、緑色発光層９を形成する。
緑色発光層９は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。

［９］ 次に、緑色発光層９上に、電子輸送層１０を形成する。
電子輸送層１０は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセスにより形成することができる。
また、電子輸送層１０は、例えば、電子輸送材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる電子輸送層形成用材料を、緑色発光層９上に供給した後、乾燥（脱溶媒または脱分散媒）することによっても形成することができる。

［１０］ 次に、電子輸送層１０上に、電子注入層１１を形成する。
電子注入層１１の構成材料として無機材料を用いる場合、電子注入層１１は、例えば、ＣＶＤ法や、真空蒸着、スパッタリング等の乾式メッキ法等を用いた気相プロセス、無機微粒子インクの塗布および焼成等を用いて形成することができる。
［１１］ 次に、電子注入層１１上に、陰極１２を形成する。
陰極１２は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、金属箔の接合、金属微粒子インクの塗布および焼成等を用いて形成することができる。
以上のような工程を経て、発光素子１が得られる。
最後に、得られた発光素子１を覆うように封止部材１３を形成する。

以上説明したような発光素子１の製造方法によれば、上述したような工程［３−１］および［３−２］を有するので、成膜材料であるπ共役系化合物同士の凝集を防止することができる。その結果、得られる膜のキャリア（正孔や電子）の輸送能を適度に抑えることができる。そのため、得られる発光素子１は、正孔と電子の輸送バランス（キャリアバランス）が整えられ、優れた発光効率を有する。また、発光素子１を安価に製造することができる。

以上説明したような発光素子１は、例えば光源等として使用することができる。また、複数の発光素子１をマトリックス状に配置することにより、ディスプレイ装置（表示装置）を構成することができる。
なお、ディスプレイ装置の駆動方式としては、特に限定されず、アクティブマトリックス方式、パッシブマトリックス方式のいずれであってもよい。

（表示装置）
次に、本発明の発光装置を備えるディスプレイ装置の一例について説明する。
図４は、本発明の発光装置を備えるディスプレイ装置の実施形態を示す縦断面図である。
図４に示すディスプレイ装置１００は、基板２１と、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに対応して設けられた複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂおよびカラーフィルタ１９Ｒ、１９Ｇ、１０Ｂと、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂをそれぞれ駆動するための複数の駆動用トランジスタ２４とを有している。ここで、ディスプレイ装置１００は、トップエミッション構造のディスプレイパネルである。

基板２１上には、複数の駆動用トランジスタ２４が設けられ、これらの駆動用トランジスタ２４を覆うように、絶縁材料で構成された平坦化層２２が形成されている。
各駆動用トランジスタ２４は、シリコンからなる半導体層２４１と、半導体層２４１上に形成されたゲート絶縁層２４２と、ゲート絶縁層２４２上に形成されたゲート電極２４３と、ソース電極２４４と、ドレイン電極２４５とを有している。
平坦化層上には、各駆動用トランジスタ２４に対応して発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが設けられている。

発光素子１Ｒは、平坦化層２２上に、反射膜３２、腐食防止膜３３、陽極３、積層体（有機ＥＬ発光部）１５、陰極１２、陰極カバー３４がこの順に積層されている。本実施形態では、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの陽極３は、画素電極を構成し、各駆動用トランジスタ２４のドレイン電極２４５に導電部（配線）２７により電気的に接続されている。また、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの陰極１２は、共通電極とされている。
なお、発光素子１Ｇ、１Ｂの構成は、発光素子１Ｒの構成と同様である。また、図４では、図１と同様の構成に関しては、同一符号を付してある。また、反射膜３２の構成（特性）は、光の波長に応じて、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ間で異なっていてもよい。

隣接する発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ同士の間には、隔壁３１が設けられている。また、これらの発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ上には、これらを覆うように、エポキシ樹脂で構成されたエポキシ層３５が形成されている。
このような発光装置１０１によれば、前述した発光素子１と同様の構成を有する発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを備えているので、安価で、優れた発光特性（特に発光効率）を有するものとなる。

カラーフィルタ１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂは、前述したエポキシ層３５上に、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに対応して設けられている。
カラーフィルタ１９Ｒは、発光素子１Ｒからの白色光Ｗを赤色に変換するものである。また、カラーフィルタ１９Ｇは、発光素子１Ｇからの白色光Ｗを緑色に変換するものである。また、カラーフィルタ１９Ｂは、発光素子１Ｂからの白色光Ｗを青色に変換するものである。このようなカラーフィルタ１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂを発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂと組み合わせて用いることで、フルカラー画像を表示することができる。

また、隣接するカラーフィルタ１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂ同士の間には、遮光層３６が形成されている。これにより、意図しないサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが発光するのを防止することができる。
そして、カラーフィルタ１９Ｒ、１９Ｇ、１９Ｂおよび遮光層３６上には、これらを覆うように基板２０が設けられている。
以上説明したようなディスプレイ装置１００は、単色表示であってもよく、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに用いる発光材料を選択することにより、カラー表示も可能である。
このようなディスプレイ装置１００（表示装置）は、各種の電子機器に組み込むことができる。

図５は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述のディスプレイ装置１００で構成されている。

図６は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述のディスプレイ装置１００で構成されている。

図７は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。

ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述のディスプレイ装置１００で構成されている。

ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。

また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。

以上説明したような電子機器によれば、それぞれ、前述したようなディスプレイ装置１００（発光装置１０１）を有しているので、安価で、優れた信頼性を有する。
なお、本発明の電子機器は、図５のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図６の携帯電話機、図７のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。

以上、本発明の成膜用インク、成膜方法、液滴吐出装置、発光素子の製造方法、発光素子、発光装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、前述した実施形態では、発光素子が３層の発光層を有するものについて説明したが、発光層が１層または２層であってもよいし４層以上であってもよい。例えば、前述した実施形態において、発光素子の発光層の１層または２層を省略してもよいし、他の１層以上の発光層を追加してもよい。また、発光層の発光色としては、前述した実施形態のＲ、Ｇ、Ｂに限定されない。

また、前述した実施形態では、発光装置をディスプレイ装置に組み込んだ例を説明したが、本発明の発光装置は、これに限定されず、例えば、エレクトロクロミック調光ガラス、電子ペーパー、照明装置、電子写真方式のプリンターの露光装置の光源として用いることも可能である。
また、前述した実施形態では、本発明の成膜用インクおよび成膜方法を有機ＥＬ素子の製造に適用した場合を例に説明したが、本発明の成膜用インクおよび成膜方法は、これに限定されず、π共役系加工物を含む成膜材料を用いる各種成膜に適用可能である。

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．発光素子の製造
（参考例１）
＜１＞ まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板を用意した。次に、この基板上に、スパッタ法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
そして、基板をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。

＜２＞ 次に、ＩＴＯ電極上に、平均厚さ５０ｎｍの正孔注入層を形成した。
この正孔注入層は、正孔注入層形成用の成膜用インクを液滴吐出法によりＩＴＯ電極上に付与し、真空乾燥後に、窒素雰囲気下で１５０℃、３０分で加熱処理（焼成処理）することにより形成した。
正孔注入層形成用の成膜用インクは、成膜材料としてＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを用い、液性媒体（分散媒）として水およびイソプロピルアルコールを用いた。

＜３＞ 次に、正孔注入層上に、平均厚さ５０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
この正孔輸送層は、正孔輸送層形成用の成膜用インクを図２に示すような液滴吐出装置を用いた液滴吐出法により正孔注入層上に付与し、真空乾燥後に、窒素雰囲気下で１８０℃、１時間で加熱処理（焼成処理）することにより形成した。得られた層（正孔輸送層）は、有機媒体に不要なものとなった。

正孔輸送層形成用の成膜用インクは、成膜材料としてＴＦＢ（０．４ｗｔ％）を用い、液性媒体（溶媒）として前記式（Ｉ）に示す化合物である直鎖ペンチルベンゼンを用いた。また、かかる成膜用インクの粘度は、２．０ｃＰであった。
なお、上記直鎖ペンチルベンゼンは、前記式（Ｉ）において、Ｒ^１の炭素数が５であり、Ｒ^２〜Ｒ^６の炭素数がそれぞれ０である。
このような成膜用インクは、正孔注入層上に付与したところ、均一に濡れ拡がらせることができた。

＜４＞ 次に、正孔輸送層上に、平均厚さ６０ｎｍの緑色発光層（第１の発光層）を形成した。
この緑色発光層は、緑色発光層形成用の成膜用インクを液滴吐出法により正孔輸送層上に付与し、真空乾燥後に、１３０℃、３０分で加熱処理（焼成処理）することにより形成した。
緑色発光層形成用の成膜用インクは、成膜材料として緑色発光材料であるＦ８ＢＴ（１．５ｗｔ％）を用い、液性媒体（溶媒）としてシクロヘキシルベンゼンを用いた。
＜５＞ 次に、緑色発光層上に、真空蒸着法（真空度１．３３×１０^−４Ｐａ）を用いて、平均厚さ１０ｎｍのＢａ層および平均厚さ２００ｎｍのＡｌ層を順次積層して、これらの積層体で構成された陰極を形成した。
以上の工程により、発光素子を製造した。

（参考例２）
正孔輸送層の形成に際し、液性媒体（溶媒）として、直鎖ペンチルベンゼンに代えて、前記式（Ｉ）に示す化合物であるヘキシルベンゼンを用いた以外は、前述した参考例１と同様にして発光素子を製造した。
なお、上記ヘキシルベンゼンは、前記式（Ｉ）において、Ｒ^１の炭素数が６であり、Ｒ^２〜Ｒ^６の炭素数がそれぞれ０である。

（参考例３）
正孔輸送層の形成に際し、液性媒体（溶媒）として、直鎖ペンチルベンゼンに代えて、前記式（Ｉ）に示す化合物であるヘプチルベンゼンを用いた以外は、前述した参考例１と同様にして発光素子を製造した。
なお、上記ヘプチルベンゼンは、前記式（Ｉ）において、Ｒ^１の炭素数が７であり、Ｒ^２〜Ｒ^６の炭素数がそれぞれ０である。

（参考例４）
正孔輸送層の形成に際し、液性媒体（溶媒）として、直鎖ペンチルベンゼンに代えて、前記式（Ｉ）に示す化合物であるオクチルベンゼンを用いた以外は、前述した参考例１と同様にして発光素子を製造した。
なお、上記オクチルベンゼンは、前記式（Ｉ）において、Ｒ^１の炭素数が８であり、Ｒ^２〜Ｒ^６の炭素数がそれぞれ０である。

（参考例５）
正孔輸送層の形成に際し、液性媒体（溶媒）として、直鎖ペンチルベンゼンに代えて、前記式（Ｉ）に示す化合物であるノニルベンゼンを用いた以外は、前述した参考例１と同様にして発光素子を製造した。
なお、上記ノニルベンゼンは、前記式（Ｉ）において、Ｒ^１の炭素数が９であり、Ｒ^２〜Ｒ^６の炭素数がそれぞれ０である。

（参考例６）
正孔輸送層の形成に際し、液性媒体（溶媒）として、直鎖ペンチルベンゼンに代えて、前記式（Ｉ）に示す化合物である１，２−ジプロピルベンゼンを用いた以外は、前述した参考例１と同様にして発光素子を製造した。
なお、上記１，２−ジプロピルベンゼンは、前記式（Ｉ）において、Ｒ^１およびＲ^２の炭素数がそれぞれ３であり、Ｒ^３〜Ｒ^６の炭素数それぞれ０である。

（参考例７）
正孔輸送層の形成に際し、液性媒体（溶媒）として、直鎖ペンチルベンゼンに代えて、前記式（Ｉ）に示す化合物である１，２−ジブチルベンゼンを用いた以外は、前述した参考例１と同様にして発光素子を製造した。
なお、上記１，２−ジブチルベンゼンは、前記式（Ｉ）において、Ｒ^１およびＲ^２の炭素数がそれぞれ４であり、Ｒ^３〜Ｒ^６の炭素数がそれぞれ０である。

（参考例８）
正孔輸送層の形成に際し、液性媒体（溶媒）として、直鎖ペンチルベンゼンに代えて、前記式（Ｉ）に示す化合物である１，４−ジプロピルベンゼンを用いた以外は、前述した参考例１と同様にして発光素子を製造した。
なお、上記１，４−ジプロピルベンゼンは、前記式（Ｉ）において、Ｒ^１およびＲ^４の炭素数がそれぞれ３であり、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５、Ｒ^６の炭素数がそれぞれ０である。

（実施例）
正孔輸送層の形成に際し、液性媒体（溶媒）として、直鎖ペンチルベンゼンに代えて、前記式（Ｉ）に示す化合物である１，４−ジブチルベンゼンを用いた以外は、前述した参考例１と同様にして発光素子を製造した。
なお、上記１，４−ジブチルベンゼンは、前記式（Ｉ）において、Ｒ^１およびＲ^４の炭素数がそれぞれ４であり、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^５、Ｒ^６の炭素数がそれぞれ０である。

（参考例９）
正孔輸送層の形成に際し、液性媒体（溶媒）として、直鎖ペンチルベンゼンに代えて、前記式（Ｉ）に示す化合物である１，２，４−トリメチルベンゼンを用いた以外は、前述した参考例１と同様にして発光素子を製造した。
なお、上記１，２，４−トリメチルベンゼンは、前記式（Ｉ）において、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^４の炭素数がそれぞれ３であり、Ｒ^３、Ｒ^５、Ｒ^６の炭素数がそれぞれ０である。

（比較例）
正孔輸送層の形成に際し、液性媒体（溶媒）として、直鎖ペンチルベンゼンに代えて、シクロヘキシルベンゼンを用いた以外は、前述した参考例１と同様にして発光素子を製造した。

２．評価
各参考例、実施例および比較例の発光素子に対して、それぞれ、陽極と陰極との間に直流電源により電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^２の電流を流し、発光層中を流れる正孔および電子の量、および、電流効率を測定した。
その結果を表１に示す。なお、表１では、比較例の測定結果を基準（１）として規格化して、各参考例および実施例の測定結果を示している。

表１から明らかなように、各参考例および実施例の発光素子は、いずれも、比較例の発光素子に比し、正孔の輸送能が抑えられ、電流効率が向上していることがわかる。

１‥‥発光素子 １Ｂ‥‥発光素子 １Ｇ‥‥発光素子 １Ｒ‥‥発光素子 ２‥‥基板 ３‥‥陽極 ４‥‥正孔注入層 ５‥‥正孔輸送層 ６‥‥赤色発光層 ７Ａ‥‥第１の中間層 ７Ｂ‥‥第２の中間層 ８‥‥青色発光層 ９‥‥緑色発光層 １０‥‥電子輸送層 １１‥‥電子注入層 １２‥‥陰極 １３‥‥封止部材 １５‥‥積層体 １９Ｂ‥‥カラーフィルタ １９Ｇ‥‥カラーフィルタ １９Ｒ‥‥カラーフィルタ ２０‥‥基板 ２１‥‥基板 ２２‥‥平坦化層 ２４‥‥駆動用トランジスタ ２７‥‥導電部 ３１‥‥隔壁 ３２‥‥反射膜 ３３‥‥腐食防止膜 ３４‥‥陰極カバー ３５‥‥エポキシ層 ３６‥‥遮光層 １００‥‥ディスプレイ装置 １００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ‥‥サブ画素 １０１‥‥発光装置 １１０‥‥ヘッド １１１‥‥ヘッド本体 １１２‥‥振動板 １１３‥‥ピエゾ素子 １１４‥‥本体 １１５‥‥ノズルプレート １１５Ｐ‥‥インク吐出面 １１６‥‥リザーバ １１７‥‥インク室 １１８‥‥ノズル １３０‥‥ベース １４０‥‥テーブル １７０‥‥テーブル位置決め手段 １７１‥‥第１移動手段 １７２‥‥モータ １８０‥‥ヘッド位置決め手段 １８１‥‥第２移動手段 １８２‥‥リニアモータ １８３、１８４、１８５‥‥モータ １９０‥‥制御装置 １９１‥‥駆動回路 ２００‥‥液滴吐出装置 ２４１‥‥半導体層 ２４２‥‥ゲート絶縁層 ２４３‥‥ゲート電極 ２４４‥‥ソース電極 ２４５‥‥ドレイン電極 ３００‥‥成膜用インク １１００‥‥パーソナルコンピュータ １１０２‥‥キーボード １１０４‥‥本体部 １１０６‥‥表示ユニット １２００‥‥携帯電話機 １２０２‥‥操作ボタン １２０４‥‥受話口 １２０６‥‥送話口 １３００‥‥ディジタルスチルカメラ １３０２‥‥ケース １３０４‥‥受光ユニット １３０６‥‥シャッタボタン １３０８‥‥回路基板 １３１２‥‥ビデオ信号出力端子 １３１４‥‥入出力端子 １４３０‥‥テレビモニタ １４４０‥‥パーソナルコンピュータ

Claims (6)

1. π共役系化合物を含む成膜材料と、
   前記成膜材料を溶解または分散させる液性媒体とを含み、
   前記液性媒体は、１，４−ジブチルベンゼンを含むことを特徴とする成膜用インク。
2. 前記成膜材料は、有機エレクトロルミネッセンス素子の有機層を構成する材料またはその前駆体である請求項１に記載の成膜用インク。
3. 基材に付与し、前記液性媒体を除去することにより、前記成膜材料を主材料として構成された膜を形成するのに用いる請求項１または２に記載の成膜用インク。
4. 液滴吐出法による成膜に用いる請求項１ないし３のいずれかに記載の成膜用インク。
5. 請求項１ないし４のいずれかに記載の成膜用インクを基材上に付与する工程と、
   前記成膜用インクから前記液性媒体を除去して、膜を形成する工程とを有することを特徴とする成膜方法。
6. 請求項１ないし４のいずれかに記載の成膜用インクを基材上に付与する工程と、
   前記成膜用インクから前記液性媒体を除去して、膜を形成する工程とを有することを特徴とする発光素子の製造方法。

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