JP5510830B2 - 電荷中和装置 - Google Patents
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 53
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 33
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 26
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 14
- 230000005591 charge neutralization Effects 0.000 claims description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 5
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
電極自体に銅やモリブデンなどの通常使用される電極材料を使用しても、適切なエネルギー(電極材料によるが、おおむね100eV程度以上)を持つ入射電子に対する二次電子放出係数は1を超えるので、原理的には引き出されたイオンビーム電流と同程度の電子ビーム電流で、二次電子による電荷の中和が可能である。実際には、電極面のイオンビーム引き出し孔の存在、電極以外を照射してしまうことなどの原因により、必要な電子ビームの電流値は増大すると予想されるが、300eV以上のエネルギーを持つ、アンペア級の電子ビームの発生は容易であり、通常使用されるイオンビームの中和を行うために必要な、二次電子発生用の電子ビームの製作は現有の技術で問題なく行うことができる。
また、二次電子発生用の電子ビームとして大電流のものを用いることができない場合には、電極背面に二次電子放出係数の大きな材料を使用、もしくはコーティングすることにより、効率的な二次電子の放出を行なうことも可能である。
さらに、二次電子発生の必要のない面に関しては、不要な二次電子の発生が電極間の放電破壊の原因となる可能性がある等、装置の正常な運転の妨げとなる恐れがあるので、その場合には、二次電子放出係数の小さい材料のコーティングを行なうことにより、無用な二次電子の放出を極小化する。
一方、電極背面以外の面で二次電子放出が必用な場合には、適切な二次電子放出係数を持つ材料を使用、もしくはコーティングすることにより、必用な量の二次電子を発生させることも可能である。
(1)本発明によりイオンビームの電荷の中和を、銅やモリブデンといった通常用いられている材料で製作された電極背面への、電子ビームの照射という簡単な手法で実現することが可能となる。
(2)イオンビームの空間電荷の中和をイオンビーム発生・引き出し後即座に、しかもビームの全行程の間で行なうことが可能となり、空間電荷によるイオンビームの発散を、効率的、しかも容易に抑えることが可能となる。
(3)不純物の発生源となるフィラメントを必要としないので、純度の高いビームの発生が可能となる。
(4)フィラメントを用いないので、フィラメントの加熱による周辺機器の温度上昇を考える必用が無く、安定な動作を行うことが可能となる。
(5)フィラメントなどの消耗部品を用いないで、イオン電荷の中和ができるので、装置の保守・管理が容易となる。
(6)上記の結果、これまで難しかった、100eV以下の低エネルギー領域で、高い電流密度を持った純度の高いイオンビームの発生が可能となる。
(7)純度の高い高電流密度低エネルギーイオンビームの利用により、これまで高いビームエネルギーのため行なうことのできなかった、様々な材料の合成、表面改質が可能となる。
(8)電子ビームをイオンビームの射出方向と反対方向に入射するので、イオンビームを照射するターゲットへの直接的な電子ビームの入射が無く、高いエネルギーを持つ電子のターゲットへの入射を防ぐことが可能となる。これにより、電子温度を低く保つ必要のあるイオンビーム照射装置(例えば、プラズマプロセス装置など)への応用が可能となる。
まず、本発明では、イオン電荷を中和する二次電子の放出はイオンビームが引き出される電極の背面で行なわれるので、イオンの電荷はイオンが電極から引き出された直後に中和され、空間電荷の発生を即座に抑えることが可能である。また、フィラメントをイオンビーム中に挿入する必要がないので、イオンのフィラメントへの衝突によるビームの減衰、フィラメントの損傷、イオンビームの汚染は本質的にあり得ない。また、フィラメントによる放熱の問題も発生しない。さらに、放出された二次電子の初速度は小さく、放出後はイオンの電荷に引かれて、イオンとともに運動するので、イオンビームの全行程でのイオン電荷の中和が可能である。これらのことから、電子ビームを電極背面に照射するという簡単な手法で、高いビームの集束性を保つことが可能である。
ここに示したイオンビーム源装置の場合には、このプラズマから、図1に示された三枚のビーム引き出し電極(加速電極、減速電極、接地電極)によりイオンビームが引き出されるが、このままの状態ではこのイオンビームは、イオンの持つ電荷による自己電場の効果で自己発散してしまい、集束性の良いビームを得ることができない。
本件の発明では、一番外側の接地電極の背面に、図1に示されるように、電子ビームを照射して二次電子を発生させ、この二次電子による負電荷でイオンの正電荷をビーム引き出し直後に中和して電場の発生を抑え、ビームの発散をなくして集束性の良いビームを実現する。放出された大部分の二次電子の初速度は大きくないので、イオンビームの正電荷による静電力により引っ張られ、ビームイオンに追随して運動するため、ターゲットに照射されるまでイオンビームの全行程において、一様な電荷の中和を行なうことができる。
さらに、二次電子の放出係数は、入射電子のエネルギーに対して、材質により異なったエネルギー依存性を持つので、特定の電子ビームエネルギーを選択することにより、そのエネルギーに対して、二次電子放出が必要な面には高い値を持つ材料を、不必要な面には放出係数ができるだけゼロに近い材料をコーティングすることにより、効率的な二次電子の放出と不必要な放出の抑制を同時に実現することが可能である。
更により多くの電子を供給する必要がある場合には、接地電極と接地電極近傍に設置された材料の両方の面に電子ビームを照射して2次電子を放出させることで、イオン電荷の中和を行なうことが可能である。
Claims (8)
- メッシュ構造、あるいは1個ないし多数の孔を持った電極を用いて、プラズマ源容器内のプラズマ源からイオンを引き出すイオンビーム源装置において、プラズマ源とは反対のビーム引き出し方向から、一様で制御された電子ビームを照射することにより、照射された電極面から二次電子を放出させて、電極孔から引き出されたイオンの空間電荷を中和して、イオンビームの発散を抑制するようにしたことを特徴とする電荷中和装置。
- 前記電子ビームの強度を変えて発生する二次電子の量を調整し、電荷の中和の程度を制御することにより、空間電荷による電場の大きさを変化させ、イオンの引き出しエネルギー、及び引き出し電流の大きさを可変とすることを特徴とした請求項1記載の電荷中和装置。
- 前記電極の二次電子を放出する必要のある面に二次電子放出係数の大きな材料を使用、もしくは表面にコーティングを行なうことにより、効率的な二次電子放出をするようにしたことを特徴とする請求項1または2記載の電荷中和装置。
- 前記電極及び前記容器の二次電子を放出する必要のない面に対しては、二次電子放出係数の小さい材料を使用、もしくは表面にコーティングを行なうことにより、無用な二次電子の放出を極小化するようにしたことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の電荷中和装置。
- 二次電子放出係数の入射電子ビームのエネルギーへの存性が材料により異なることを利用して、特定のエネルギーを持つ電子ビームを選択することにより、そのエネルギーに対して、前記電極及び前記容器の二次電子放出が必要な面には高い値を持つ材料を、不必要な面には放出係数ができるだけゼロに近い材料を使用、もしくは表面にコーティングすることにより、効率的な二次電子の放出と不必要な放出の抑制を同時に実現するようにしたことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載の電荷中和装置。
- メッシュ構造、あるいは1個ないし多数の孔を持った電極を用いて、プラズマ源容器内のプラズマ源からイオンを引き出すイオンビーム源装置において、電極近傍の周りに設置された二次電子放出を行う材料に対して、プラズマ源とは反対のビーム引き出し方向から一様で制御された電子ビームを照射することにより、照射された材料面から二次電子を放出させて、電極孔から引き出されたイオンの空間電荷を中和して、イオンビームの発散を抑制するための電荷中和装置。
- メッシュ構造、あるいは1個ないし多数の孔を持った電極を用いて、プラズマ源容器内のプラズマ源からイオンを引き出すイオンビーム源装置において、二次電子放出を行う材料からなる電極、及び電極近傍の周りに設置された二次電子放出を行う材料に対して、プラズマ源とは反対のビーム引き出し方向から一様で制御された電子ビームを照射することにより、照射された両材料面から二次電子を放出させて、電極孔から引き出されたイオンの空間電荷を中和して、イオンビームの発散を抑制するための電荷中和装置。
- 請求項1〜7のいずれか1項記載の電荷中和装置において、電子ビームによって生成された2次電子と、イオン源から電極孔を通して流れ出てきたガス、もしくは電子ビームライン付近に導入されたガスが当該電子ビームによって電離され生成された低エネルギーの電子との両者により、電極孔から引き出されたイオンの空間電荷を中和して、イオンビームの発散を抑制するための電荷中和装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010261930A JP5510830B2 (ja) | 2010-11-25 | 2010-11-25 | 電荷中和装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010261930A JP5510830B2 (ja) | 2010-11-25 | 2010-11-25 | 電荷中和装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012113967A JP2012113967A (ja) | 2012-06-14 |
JP5510830B2 true JP5510830B2 (ja) | 2014-06-04 |
Family
ID=46497949
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010261930A Active JP5510830B2 (ja) | 2010-11-25 | 2010-11-25 | 電荷中和装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5510830B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103713001B (zh) * | 2013-12-03 | 2016-04-27 | 西安交通大学 | 介质薄膜的二次电子发射系数的测量系统及其测量方法 |
-
2010
- 2010-11-25 JP JP2010261930A patent/JP5510830B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012113967A (ja) | 2012-06-14 |
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