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JP5446631B2 - レーザ加工方法及びレーザ加工装置 - Google Patents

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Description

本発明は、レーザ光を被割断部材の割断予定ラインに沿って集光照射して割断の起点となる改質領域を被割断部材の内部に形成するレーザ加工方法及びレーザ加工装置に関する。
従来、半導体基板、圧電セラミック基板、サファイア基板、ガラス基板等の硬脆材料板体を割断するにあたり、被割断板体の内部に割断予定ラインに沿って板体に透明な波長を有する短パルスレーザ光を集光照射し、内部に微小クラックが群生した微細溶融痕(改質領域)を生成させ、その後応力を加えて、その微細溶融痕を起点に板体の厚さ方向に向かって生じるクラックを利用して割断していた(例えば、特許文献1参照。)。
また、一つのパルスレーザ光を三つに分割して時間差を付け(一つより二つ、二つより三つと遅延させ)、その後位置をずらして集光照射する加工法も知られている。(例えば、特許文献2参照。)。
特開2005−271563号公報 特開2006−167804号公報
しかし、この従来のレーザ加工方法では、レーザ光が円形スポットに集光されるため、クラックを発生させて成長させる内部応力が等方的に働く。そのため、クラックが割断予定ラインに沿う方向以外にも発生、成長してしまい、クラックの発生、成長を割断予定ライン方向に集中させることができない。その結果、割断面の平坦度が損なわれる。また、円形スポットを割断予定ラインに沿って照射する際、単位長さ当たりの照射スポットの数が多くなり、加工速度が低いという問題もある。さらに、被割断板体が厚い場合、焦点位置を厚み方向にずらして加工を繰り返す必要があるが、厚み方向にずらす量を少なくしなければならず、加工速度が益々低くなってしまう。
一つのパルスレーザ光を三つに分割して時間差を付け、その後位置をずらして集光照射する加工方法は、割断予定ライン方向に三つのスポットを繋げて形成することで、割断予定ライン方向の加工速度(集光レンズの光軸の相対移動速度)を高くできることが期待される。また、三つのスポットを厚み方向に繋げて形成することで焦点位置を厚み方向にずらす量を大きくでき、厚み方向の加工速度(集光レンズの厚み方向の相対移動速度)を高くできることが期待される。
しかしながら、時間差を付けて連続して照射される三つのパルス光のうち、最初に照射される一つ目のパルス光を除いて、後続のパルス光は、それより前に照射されたパルス光によって引き起こされる熱の影響を受けてしまう。すなわち、被割断部材である脆性材料はアモルファス転移が起こるような温度に熱せられると、延性材化するため、前のパルス光によって熱せられた領域付近に後続のパルス光を照射しても、温度差に伴う応力発生が生じにくくなると共に、材料物性の変化(例えば、溶解)が影響してクラックが成長し難くなる。その結果、期待される程加工速度は高くならない。
また、被割断部材である脆性材料のレーザ光に対する屈折率や吸収係数も温度によって変化するため、前のパルス光によって熱せられた領域付近に後続のパルス光を照射しても、レーザ光が集光点に至るまでに吸収されてしまい、集光点に十分なエネルギーが到達しない問題や、集光点の位置がずれてしまう問題も有している。集光点の位置がずれると、三つのスポットが厚み方向に繋がらず、焦点位置を厚み方向にずらす量を大きくできない。その結果、厚み方向の加工速度(集光レンズの厚み方向の相対移動速度)の低下をもたらす。
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、加工速度が高く、エネルギー効率の高いレーザ加工方法及びレーザ加工装置を提供することを課題とする。
上記の課題を解決するためになされた本発明のレーザ加工方法は、集光レンズと被割断部材とを相対的に移動させながらレーザ光を被割断部材に集光照射することにより、割断予定ラインに沿うように前記被割断部材の内部に割断の起点となる内部改質領域を形成するレーザ加工方法であって、前記内部改質領域を形成しようとする領域に対して複数の前記レーザ光を照射することによって同時に複数の集光スポットを形成するステップであって、前記複数のレーザ光の照射によって前記被割断部材の温度が上昇する領域が互いに融合するように前記複数の集光スポットを形成するステップを備えることを特徴とする。
上記のレーザ加工方法において、前記複数の集光スポットは、前記被割断部材の表面から所定の深さ位置で前記集光レンズの光軸と直交し前記表面と平行な断面の上に形成され、前記複数の集光スポットのうち少なくとも一つは、前記割断予定ラインの前記表面と平行な前記断面への射影線上に形成されるとよい。
上記のレーザ加工方法において、前記複数の集光スポットは、前記割断予定ラインの位置で前記表面と垂直な断面の上に形成され、前記複数の集光スポットのうち少なくとも一つは、前記集光レンズの光軸上に形成されるとよい。
上記のレーザ加工方法において、前記レーザ光は、超短パルスレーザ光が好ましい。
また、上記のレーザ加工方法において、前記複数の断面集光スポットを結ぶ図形が三角形であるとよい。
また、前記複数の深さ集光スポットを結ぶ図形が三角形であるとよい。
また、前記複数の断面集光スポットを結ぶ図形が平行四辺形であり、前記平行四辺形の鋭角をなす二つの頂点を前記割断予定ラインの前記断面への射影線上に位置するようにするとよい。
また、前記複数の深さ集光スポットを結ぶ図形が平行四辺形であり、前記平行四辺形の鋭角をなす二つの頂点を前記集光レンズの光軸上に位置するようにするとよい。
また、前記複数の断面集光スポットの前記断面の上での空間位置と該集光スポットのエネルギー密度との組み合わせを用いることで前記所望の形状の前記内部改質領域を形成するようにするとよい。
また、前記複数の深さ集光スポットの前記割断予定ラインを含む面内の空間位置と該集光スポットのエネルギー密度との組み合わせを用いることで前記所望の形状の前記内部改質領域を形成するようにするとよい。
上記の課題を解決するためになされた本発明のレーザ加工装置は、集光レンズと被割断部材とを相対的に移動させながらレーザ光を被割断部材に集光照射することにより、割断予定ラインに沿うように前記被割断部材の内部に割断の起点となる内部改質領域を形成するレーザ加工装置であって、前記内部改質領域を形成しようとする領域に対して複数の前記レーザ光を照射することによって同時に複数の集光スポットを形成する光学系であって、前記複数のレーザ光の照射によって前記被割断部材の温度が上昇する領域が互いに融合するように前記複数の集光スポットを形成する光学系を備えることを特徴とする。
上記のレーザ加工装置において、前記光学系は、前記複数の集光スポットを、前記被割断部材の表面から所定の深さ位置で前記集光レンズの光軸と直交し前記表面と平行な断面の上に形成し、前記複数の集光スポットのうち少なくとも一つを、前記割断予定ラインの前記表面と平行な前記断面への射影線上に形成するように適合されているとよい。
上記のレーザ加工装置において、前記光学系は、前記複数の集光スポットを、前記割断予定ラインの位置で前記表面と垂直な断面の上に形成し、前記複数の集光スポットのうち少なくとも一つを、前記集光レンズの光軸上に形成するように適合されているとよい。
被割断部材の表面から所定の深さ位置で前記集光レンズの光軸と直交し前記表面と平行する断面の上に複数の断面集光スポットを同時に形成するので、延性材化による応力発生の抑制や物性変化によるクラック伸展の抑制がなく、割断予定ライン方向の加工速度が高くなる。
被割断部材の表面から所定の深さ位置で深さ方向に複数の深さ集光スポットを同時に形成するので、延性材化による応力発生の抑制や物性変化によるクラック伸展の抑制がなく、厚み方向の加工速度が高くなる。
被割断部材の表面から所定の深さ位置で前記集光レンズの光軸と直交し前記表面と平行する断面の上に複数の断面集光スポットを同時に形成し、所定の深さ位置で深さ方向にも複数の深さ集光スポットを同時に形成するので、割断予定ライン方向の加工速度及び厚み方向の加工速度を共に高くすることができる。
レーザ光が超短パルスレーザ光であると、一つのレーザ光を複数に分岐しても各レーザ光のパルスのピーク尖頭値は、アモルファスの相転移に必要な一定の閾値に対して十分余裕がある。また、熱源が生成するまでにパルス照射が完了し、パルス自身が熱の影響を受けずに安定的に所望の熱源によるクラック制御ができる。
複数の断面集光スポットを結ぶ図形が三角形であるので、割断予定ライン方向の一方向に楔効果が働き、割断予定ライン方向の加工速度を一層高めることができる。
複数の深さ集光スポットを結ぶ図形が三角形であるので、厚み方向の一方向に楔効果が働き、厚み方向の加工速度を一層高めることができる。
複数の断面集光スポットを結ぶ図形が平行四辺形であり、前記平行四辺形の鋭角をなす二つの頂点を前記割断予定ラインの前記断面への射影線上に位置させるので、割断予定ライン方向の両方向に楔効果が働き、割断予定ライン方向の加工速度をより一層高めることができる。
複数の深さ集光スポットを結ぶ図形が平行四辺形であり、前記平行四辺形の鋭角をなす二つの頂点を前記集光レンズの光軸上に位置させるので、厚み方向の両方向に楔効果が働き、厚み方向の加工速度をより一層高めることができる。
複数の断面集光スポットの前記断面の上での空間位置と該集光スポットのエネルギー密度との組み合わせを用いることで前記所望の形状の前記内部改質領域を形成するので、割断予定ライン方向の楔効果の働きを自由に制御することができる。
複数の深さ集光スポットの前記割断予定ラインを含む面内の空間位置と該集光スポットのエネルギー密度との組み合わせを用いることで前記所望の形状の前記内部改質領域を形成するので、厚み方向の楔効果の働きを自由に制御することができる。
本発明に係る実施形態1のレーザ加工装置の概略構成図である。 図1の被割断部材3の斜視図である。 図1のA−A線断面図である。 実施形態1の変形態様を説明するための図1のA−A線断面図である。 実施形態1の別の変形態様を説明するための図1のA−A線断面図である。 実施形態1のレーザ加工装置における光学系の一例を示す図である。 図6の光学系の変形態様を示す図である。 実施形態2のレーザ加工装置の概略構成図である。 図8の被割断部材3の斜視図である。 図9のB−B線断面図である。 実施形態2の変形態様を説明するための図9のB−B線断面図である。 実施形態2の別の変形態様を説明するための図9のB−B線断面図である。 実施形態2のレーザ加工装置における光学系の一例を示す図である。 図13の光学系の変形態様を示す図である。 実施形態3のレーザ加工装置の概略構成図である。 図15の被割断部材3の斜視図である。 図16のA−A線断面図及びB−B線断面図である。 実施形態3のレーザ加工装置における光学系の一例を示す図である。 図18の光学系の変形態様を示す図である。 図18の光学系の別の変形態様を示す図である。 図18の光学系の別の変形態様を示す図である。 二つの集光スポット形成直後の熱源温度分布パターンである。 三つの集光スポットを時間差τを変えて形成した場合の10nsec後の熱源温度分布パターンである。 二つの集光スポット(スポット径:2μm)間隔が2μmの場合の熱源温度分布パターンと応力分布パターンである。 二つの集光スポット(スポット径:2μm)間隔が4μmの場合の熱源温度分布パターンと応力分布パターンである。 集光スポット間隔と応力の関係を示すグラフである。 応力の時間変化を示すグラフである。 実施例における集光スポットの空間配置を説明する図と、レーザ加工後のサファイアの透過写真である。 比較例における集光スポットの空間配置を説明する図と、レーザ加工後のサファイアの透過写真である。
(実施形態1)
本発明を実施するための形態を図面に基づいて以下に詳しく説明する。
図1は、実施形態1のレーザ加工装置の概略構成図である。図2は、図1の被割断部材3の斜視図、図3は、図1のA−A線断面図である。
本実施形態のレーザ加工装置は、図1〜図3に示すように、被割断部材3の表面3aから所定の深さ位置Z0で集光レンズ21の光軸Oと直交し表面3aと平行する断面3bの上に複数の断面集光スポットP0、P1を同時に形成し、その際、複数の断面集光スポットP0、P1のうち少なくとも一つの断面集光スポットを割断予定ラインS0の断面3bへの射影線S1上に形成する光学系2を備えている。
1は、被割断部材3に対し透明な波長を有する繰り返し超短パルスレーザ光を発生する光源である。光源1として、波長が1〜2μm、パルス幅が10fs〜20ps、繰り返し周波数が100kHz〜10MHzのレーザ光を発生するErまたはYbをドープしたモードロックファイバーレーザを用いることで、ガラス、サファイア、水晶、シリコン等の被割断部材3の集光スポット位置でレーザ光が多光子吸収され内部改質領域が形成される。
本実施形態では、二つの集光スポットP0、P1が割断予定ラインS0の断面3bへの射影線S1上に形成される。図示しない移動ステージをX方向に移動させることで、二つの集光スポットP0、P1ペアがS1上に順次形成される。
二つの集光スポットP0、P1は、互いに接触あるいは近接しているので、図3(a)に示すように短時間内で融合して楕円状熱源温度分布パターンeになる。二つの集光スポットP0、P1が射影線S1上にあるので、楕円状熱源温度分布パターンeの長軸も射影線S1上にある。その結果、応力の異方性、すなわち、長軸方向にクラックを成長させる応力が発生され、次の二つのスポットP0、P1を形成する間隔を大きくすることができる。すなわち、移動ステージのX軸方向への送り速度(割断方向の加工速度)を高くすることができる。
また、二つの集光スポットP0、P1は同時に形成されるので、集光点に十分なエネルギーが到達しない問題や、集光点の位置がずれてしまうといった問題がない。
次に、実施形態1の変形態様を説明する。図3(b)に示すように、二つの集光スポットP0、P1の間隔を広げて所定の間隔になるように形成してもよい。すると、もはや二つの集光スポットP0、P1は融合せず、独立した円形状熱源温度分布パターンr0、r1になる。独立した円形状熱源温度分布パターンr0、r1間には、引張応力が働き、射影線S1方向(割断方向)へのクラックの伸展が助長される。
また、図4に示すように、三つの集光スポットP0、P1、P2を同時に形成してもよい。このとき、P0、P1、P2に注入されるエネルギー密度をE0、E1、E2として、E0>E1、E0>E2を満たすようにすることで、応力の異方性(楔効果)が高まり、一層加工速度を高くすることができる。
また、図5(a)に示すように、三つの集光スポットP0、P1、P2を結ぶ図形が三角形を描くようにするとよい。三つの集光スポットP0、P1、P2が融合して三角形状熱源温度分布パターンfとなり、楔効果を左方向に作用させることができる。
また、図5(b)に示すように、四つの集光スポットP0、P1、P2、P3を結ぶ図形が平行四辺形を描くようにし、平行四辺形の鋭角をなす二つの頂点P0、P3を射影線S1上に位置させてもよい。四つの集光スポットP0、P1、P2、P3が融合して平行四辺形状熱源温度分布パターンgとなり、楔効果が左右に作用し、割断方向の加工速度を一層高くすることができる。
ここで、本発明における複数の集光スポットを同時に形成する事項における「同時」について説明する。複数の集光スポットを空間的に異なる位置に全く同時に形成することは不可能であり、自ずと時間幅(時間差)τがある。そこで、時間差τがどこまで許容されるかをシミュレーション実験で調べてみた(後述のシミュレーション2参照。)。その結果、被割断部材が典型的なサファイアの場合、τ=0.3nsecを得た。そこで、本発明では、0〜サブnsecの範囲を「同時」と定義する。
本実施形態のように、超短パルスレーザ光を用いることで、熱の発生を極めて局所的に且つ非常に高温にできるため次の二つのメリットがある。
先ず、溶融領域が局所のため、延性材化する範囲が狭く、その周りの脆性が保たれる。その結果、熱応力が作用したときに良好にクラックが伸展する。パルス幅が長いと、溶融範囲が広がるため、延性材化によるクラック伸展の抑制がある。
次に、ピークパワーが高いため、温度勾配が急峻になる。したがって、大きな熱応力が発生する。パルス幅が長いと、ピークパワーが小さいため、温度勾配がなだらかになる上、熱拡散しながら入熱が続く状態となり、温度勾配はますますなだらかになり、熱応力が発生しにくくなる。
なお、複数のビームが同時に照射され且つ各スポットの間隔が波長の5倍程度以下と狭い場合、お互いのビームが干渉し合い、その程度に応じて強度分布が変動する可能性があるため、その影響を加味した加工を行う必要がある。したがって、意図した強度分布を維持し、より効率的に所望の熱源温度分布パターンを得るためには、各ビームをパルス幅程度の時間差を設けて照射するのが望ましい。本実施形態のように、超短パルスレーザ光を用いることで、本発明で定義する「同時」の範囲の中でパルス幅程度の時間差を付けて照射することが可能になるため、時間的に前に照射されたパルスによって生じる熱の影響を回避できるメリットがある。
本実施形態のレーザ加工方法における光学系2としては、例えば、図6に示すものがある。図中22と23は、ビームスプリッタ、24と25はミラーである。
光源1から射出されたレーザ光は、ビームスプリッタ22で二つに分割される。ビームスプリッタ22で反射されたレーザ光は、ミラー24で反射されて集光レンズ21に光軸Oとθ0をなして入射される。ビームスプリッタ22を透過したレーザ光は、次のビームスプリッタ23でさらに二つに分割される。ビームスプリッタ23で反射されたレーザ光は、ミラー25で反射されて集光レンズ21に光軸Oとθ1をなして入射される。ビームスプリッタ22を透過したレーザ光は、光軸O上を進み集光レンズ21に入射される。
光軸O上を進んで入射されたレーザ光は、射影線S1と光軸Oの交点に集光され、集光スポットP0となる。光軸Oとθ0をなして入射されたレーザ光は、射影線S1上で集光スポットP0からX0離れた位置に集光され、集光スポットP2となる。光軸Oとθ1をなして入射されたレーザ光は、射影線S1上で集光スポットP0からX1離れた位置に集光され、集光スポットP1となる。
集光レンズ21の焦点距離をFとすると、
X0=Ftanθ0
X1=Ftanθ1
の関係があるので、θを変えることで三つの集光スポットP0、P1、P2の間隔を変えることができる。
なお、図6の光学系2では、三つの集光スポットP0、P1、P2を形成するレーザ光の光路が異なるが、上記の同時を満たすように光路差を小さくする必要がある。光遅延媒質を用いることで光路差を調整することができる。
次に、光学系2の変形態様を説明する。光学系2として、図7に示す光学系20を用いることができる。AOM(音響光学変調器)202によって波長シフトを起こしたビーム(1次光)と波長シフトを起こさないビーム(0次光)を生成し、グレーティングペア203に挿入する。グレーティングペア203によって同時を満たすように二つのビームの光路差が調整される。AOM202の音波振動数を変えることでθを変化させるか、またはグレーティングペア203の格子の本数(ピッチ)、次数を調整することによって集光レンズ201に入射する角度を変化させ、集光スポットのX方向の位置を変化させる。
外部から電気信号によって、AOM202の音波振動数を変化させることで、集光スポットの位置が制御される。
(実施形態2)
図8は、実施形態2のレーザ加工装置の概略構成図である。図9は、図8の被割断部材3の斜視図、図10は、図9のB−B線断面図である。
本実施形態のレーザ加工装置は、図8〜10に示すように、被割断部材3の表面3aから所定の深さZ0位置で深さ方向に複数の深さ集光スポットQ0、Q1を同時に形成し、その際、複数の深さ集光スポットQ0、Q1のうち少なくとも一つの深さ集光スポットを集光レンズ2A1の光軸O上に形成する光学系2Aを備えている。
本実施形態では、集光スポットQ0が光軸O上の表面3aからZ0の深さに形成され、集光スポットQ1が光軸O上で集光スポットQ0より深さ方向(Z方向)に深い位置に形成される。図示しない移動ステージをX方向に移動させることで、二つの集光スポットQ0、Q1がX方向に順次形成される。
二つの集光スポットQ0、Q1は、一部重なる、接する或いは近接しているので、図10(a)に示すように融合して楕円状スポットeになる。二つの集光スポットQ0、Q1が光軸O上にあるので、楕円状スポットeの長軸も光軸O上にある。その結果、応力の異方性、すなわち、長軸方向(深さ方向)にクラックを成長させる応力が発生され、深さ方向に別のスポットQ0、Q1を同時に形成する深さ方向の間隔を大きくすることができる。すなわち、移動ステージのZ軸方向への送り速度(厚み方向の加工速度)を高くすることができる。
また、二つの集光スポットQ0、Q1は同時に形成されるので、集光点に十分なエネルギーが到達しない問題や、集光点の位置がずれてしまうといった問題がない。
次に、実施形態2の変形態様を説明する。図10(b)に示すように、二つの集光スポットQ0、Q1を所定の間隔以上あけて形成してもよい。すると、もはや二つの集光スポットQ0、Q1は融合せず、独立した円形状熱源温度分布パターンr0、r1になる。独立した円形状熱源温度分布パターンr0、r1間には、引張応力が働き、光軸O方向(厚さ方向)へのクラックの伸展が助長される。
また、図11に示すように、三つの集光スポットQ0、Q1、Q2を同時に形成してもよい。このとき、Q0、Q1、Q2に注入されるエネルギー密度をE0、E1、E2として、E0>E1、E0>E2を満たすようにすることで、応力の異方性(楔効果)が高まり、一層加工速度を高くすることができる。
また、図12(a)に示すように、三つの集光スポットQ0、Q1、Q2を結ぶ図形が三角形を描くようにするとよい。三つの集光スポットQ0、Q1、Q2が融合して三角形状熱源温度分布パターンfとなり、楔効果を上方向に作用させることができる。
また、図12(b)に示すように、四つの集光スポットQ0、Q1、Q2、Q3を結ぶ図形が平行四辺形を描くようにし、平行四辺形の鋭角をなす二つの頂点Q0、Q3を光軸O上に位置させてもよい。四つの集光スポットQ0、Q1、Q2、Q3が融合して平行四辺形状熱源温度分布パターンgとなり、楔効果が上下に作用し、厚み方向の加工速度を一層高くすることができる。
本実施形態のレーザ加工装置における光学系2Aとしては、例えば、図13に示すものがある。図中2A2と2A3はビームスプリッタ、2A4と2A5はミラーである。2A6は、リレーレンズである。
光源1から射出されたレーザ光は、ビームスプリッタ2A2で二つに分割される。ビームスプリッタ2A2を透過したレーザ光は、ビームスプリッタ2A3を透過して集光レンズ2A1に入射される。ビームスプリッタ2A2で反射されたレーザ光は、リレー光学系2A6で拡がり角αのレーザ光に変換され、その後ビームスプリッタ2A3で反射されて集光レンズ2A1に入射される。
ビームスプリッタ2A3を透過したレーザ光は、図13(b)に示すように集光レンズ2A1の焦点位置に集光され、集光スポットQ0となる。ビームスプリッタ2A3で反射されたレーザ光は、集光スポットQ0よりZ1下方に集光され、集光スポットQ1となる。
ビームスプリッタ2A3で反射されたレーザ光の集光レンズ2A1でのビーム半径をRとすると、
Z1={RF/(R−Ftanα)}−F
の関係があるので、拡がり角αを変えることで、集光スポットQ0、Q1の間隔を変えることできる。
なお、図13の光学系2Aでは、二つの集光スポットQ0、Q1を形成するレーザ光の光路が異なるが、上記の同時を満たすように光遅延媒質等を用いて光路差を小さくする必要がある。
次に、光学系2Aの変形態様を説明する。光学系2Aとして、図14に示す光学系20A、20Bを用いることができる。
図14(a)に示すように、中心部と周辺部で曲率の異なる多焦点レンズ20A1を用いることで、集光スポットを分離することができる。図ではZ方向の集光スポットを分離する方法を例示しているが、X方向の集光スポットを分離することもできる。
また、図14(b)に示すように、回折レンズ(フレネルレンズ)20B1を用いることで、Z方向の集光スポットを分離できる。回折レンズ20B1の溝形状を調整することで各々の回折光による集光スポットの強度を調整できる。
(実施形態3)
図15は、実施形態3のレーザ加工装置の概略構成図である。図16は、図15の被割断部材3の斜視図、図17(a)は、図16のA−A線断面図、図17(b)は、図16のB−B線断面図である。
本実施形態のレーザ加工装置は、図15〜17に示すように、被割断部材3の表面3aから所定の深さ位置Z0で集光レンズ2B1の光軸Oと直交し表面3aと平行する断面3bの上に複数の断面集光スポットP0、P1を同時に形成し、その際、複数の断面集光スポットP0、P1のうち少なくとも一つの断面集光スポットを割断予定ラインS0の断面3bへの射影線S1上に形成し、所定の深さ位置Z0で深さ方向にも複数の深さ集光スポットQ0、Q1を同時に形成し、その際、複数の深さ集光スポットQ0、Q1のうち少なくとも一つの深さ集光スポットを集光レンズ2B1の光軸O上に形成する光学系2Bを備えている。
本実施形態では、二つの集光スポットP0、P1が割断予定ラインS0の断面(XY平面)3bへの射影線S1上に形成され、集光スポットQ0が光軸O上の表面3aからZ0の深さに形成され、集光スポットQ1が光軸O上で集光スポットQ0より深い位置(表面3aから(Z0+Z1))に形成される。
二つの集光スポットP0、P1は、互いに接触あるいは近接しているので、図17(a)に示すように、短時間内に融合して楕円スポットe1になる。二つの集光スポットP0、P1が射影線S1上にあるので、楕円状熱源温度分布パターンe1の長軸も射影線S1上にある。その結果、応力の異方性、すなわち、長軸方向にクラックを成長させる応力が発生され、次の二つのスポットP0、P1を形成する間隔を大きくすることができる。したがって、移動ステージのX軸方向への送り速度(割断方向の加工速度)を高くすることができる。
また、二つの集光スポットQ0、Q1は、一部重なる、接する或いは近接しているので、図17(b)に示すように、短時間内に融合して楕円状スポットe2になる。二つの集光スポットQ0、Q1が光軸O上にあるので、楕円状熱源温度分布パターンe2の長軸も光軸O上にある。その結果、応力の異方性、すなわち、長軸方向(深さ方向)にクラックを成長させる応力が発生され、深さ方向に別のスポットQ0、Q1を同時に形成する深さ方向の間隔を大きくすることができる。すなわち、焦点位置を厚み方向にずらす量を大きくでき、厚み方向の加工速度(集光レンズの厚み方向の相対移動速度)を高くすることができる。
本実施形態のレーザ加工装置における光学系2Bとしては、例えば、図18に示すものがある。図中2B2、2B3、2B4、2B5はビームスプリッタ、2B6、2B7、2B8、2B9はミラー、2B10と2B11はリレーレンズである。
光源1から射出されたレーザ光は、ビームスプリッタ2B2で二つに分割され、一方のレーザ光はビームスプリッタ2B3でさらに分割される。
ビームスプリッタ2B2を透過したレーザ光は、ビームスプリッタ2B3、2B4、2B5を透過して集光レンズ2B1に入射され、集光スポットP0(Qo)を形成する。
ビームスプリッタ2B2で反射されたレーザ光は、リレーレンズ2B10で拡がり角αのレーザ光に変換さる。その後、ビームスプリッタ2B4で反射されて集光レンズ2B1に入射され、集光スポットQ1を形成する。なお、リレーレンズ2B10のレンズ間隔(Z方向の距離)を変えることで拡がり角を変えることができる。
ビームスプリッタ2B3で反射されたレーザ光は、リレーレンズ2B11で伝搬方向が変えられる。その後、ビームスプリッタ2B5で反射されて集光レンズ2B1に光軸Oとθをなす方向から入射され、集光スポットP1を形成する。なお、リレーレンズ2B11の倍率が高い場合は、リレーレンズ2B11の煽り角を変えることで伝搬方向をかえることができる。
なお、図18の光学系2Bでは、三つの集光スポットP0(Q0)、P1、Q1を形成するレーザ光の光路が異なるが、上記の同時を満たすように光路差を小さくする必要がある。
次に、光学系2Bの変形態様を説明する。光学系2Bを図19に示すような光学系2Cとしてもよい。回折格子2C2によって得られる複数次の回折光に対して独立にミラー2C3〜2C7で反射させ、戻り光を集光レンズ2C1で集光する。
各n次光を独立に反射するミラー2C3〜2C7を配置し、各ミラーの入射ビームに対する角度を調節することで、戻り光の集光レンズ2C1への入射角を各々変化させることが可能になり、集光スポットP0、P1が被割断部材3の割断予定ラインS0の断面(XY平面)への射影線S1上に形成される。
ミラー2C7の調節角αと集光レンズ2C1への入射角βとの間には
β=2αcosθt/cosθi
の関係があるので、αを調節することで入射角βを変えることができる。ここで、θiは回折格子2C2への入射角、θtは回折格子2C2からの射出角である。
また、各ミラー2C3〜2C7の反射面の曲率を調整することで、戻り光の集光レンズ2C1に入射する際の拡がり角(または、窄まり角)を各々変化させることが可能になり、Z方向に対して所望の空間的に分離された集光スポットを形成することができる。
回折格子2C2の格子形状を調節することで、各n次光の強度を所望の強度に最適化することができる。
また、光学系2Bを図20に示すような光学系2Dとしてもよい。光源1から射出される一つのビームがビームエキスパンダ2D2で拡げられ、多数のアパーチャ2D3〜2D5に取り付けられたガラス棒2D6〜2D8に入射される。ガラス棒2D6〜2D8の射出側の端面角度を変えることで、集光レンズ2D1に入射するビームの角度を変化させることができ、集光スポットのX方向の位置を変化させる。
また、ガラス棒2D6〜2D8の射出側端面の曲率を調整することで、集光レンズ2D1に入射する際の拡がり角(または、窄まり角)を各々変化させることができ、Z方向の位置を変化させる。あるいは、単なるガラス棒の代わりにセルフォックレンズ(径の外側に行くほど屈折率が小さくなるように屈折率分布が施されているレンズ)を用いることによって集光レンズ2D1に入射する際の拡がり角(または、窄まり角)を各々変化させることができ、Z方向の位置を変化させることもできる。
アパーチャ2D3〜2D5にガラス棒2D6〜2D8を取り付ける代わりに、6角形のガラスをスタックさせてフライアイレンズのようにすればケラレ部分が無くなるため、ロスが抑えられてさらに望ましい。
通常のガウシアンビームでは、分離後の各焦点間の強度分布もガウシアンに準じたものになってしまう。各集光スポットの強度分布を均一にするためには、アパーチャ2D3〜2D5の上流に、トップハット分布変換光学系を置いて各アパーチャに入射するビームの強度を等しくする方法が考えられる。
さらに、光学系2Bを図21に示すような光学系2Eとしてもよい。穴あきアキシコンミラーペア2E2を用いて中心の小さなビームとドーナツ型のビームに分離して、集光レンズ2E1で集光する。アキシコンミラーペア2E2内で折り返されたレーザ光と中心の穴から抜けるレーザ光の集光レンズ2E1への到達時間をそろえるために、遅延媒質2E3の長さは、アキシコンミラーペア2E2内での折り返しの光路長と、遅延媒質2E3内の実効光路長が揃うように調整されている。遅延媒質2E3の射出側端面角度を変えることで、集光レンズ2E1に入射するビームの角度を変化させることができ、集光スポットのX方向の位置を変化させる。また、遅延媒質2E3の射出側端面の曲率を調整することで、集光レンズに入射する際の拡がり角(または、窄まり角)を各々変化させることができ、Z方向の位置を変化させる。あるいは、遅延媒質2E3として単なる均一媒質の代わりにセルフォックレンズを用いることによって、集光レンズ2E1に入射する際の拡がり角(または、窄まり角)を各々変化させることができ、Z方向の位置を変化させることもできる。
次に、本発明のシミュレーション結果と実験結果を説明する。
〔シミュレーション1〕実施形態1のレーザ加工装置によって同時且つ複数形成される集光スポットが短時間内に融合して一つの楕円状熱源温度分布パターンになる様子を「内部円筒熱源列による熱伝導数値解析モデル」を使用してシミュレーションした。
主なシミュレーション条件は、以下の通り。
被割断部材:サファイア
集光スポット形成深さZ0:20μm
集光スポット径:2μm
集光スポット中心間隔:2μm
集光スポット数:3
集光スポット当たりのレーザパルスエネルギー:0.25μJ
シミュレーション結果を図22に示す。レーザパルスを照射後約10ps経過すると、図22(a)に示す楕円状熱源温度分布パターンが形成された。図22(b)は、図22(a)から10ns経過した楕円状熱源温度分布パターンを示している。中心の最も黒い領域は約4000°K、外側の白っぽい領域は約1500°K、中間領域は2500〜3000°Kであった。
このシミュレーションから、レーザパルスが複数同時に集光照射されると、ほとんど瞬時(約10ps後)に融合して楕円状熱源温度分布パターンが発現することがわかる。
〔シミュレーション2〕三つの集光スポットを時間差ゼロ(τ=0)で形成した場合の熱源温度分布パターンの形状寸法と、時間差0.003nsec、0.03nsec、0.3nsecで形成した場合の熱源温度分布パターンの形状寸法とを、「内部円筒熱源列による熱伝導数値解析モデル」を使用してシミュレーションした。
主なシミュレーション条件は、以下の通り。
被割断部材:サファイア
集光スポット形成深さZ0:5μm
集光スポット径:2μm
集光スポット中心間隔:2μm
集光スポット数:3
集光スポットの時間差:0sec、0.003nsec、0.03nsec、0.3nsec
集光スポット当たりのレーザパルスエネルギー:1μJ
シミュレーション結果を図23に示す。図23は、三つの集光スポットを形成してから10nsec後の熱源の温度分布パターンであり、(a)は三つの集光スポットを時間差ゼロで形成した場合の熱源の温度分布パターン、(b)は真ん中の集光スポットを両側の集光スポットより0.003nsec遅らせて形成した場合の熱源の温度分布パターン、(c)は両側の集光スポットを真ん中の集光スポットより0.003nsec遅らせて形成した場合の熱源の温度分布パターン、(d)は真ん中の集光スポットを両側の集光スポットより0.03nsec遅らせて形成した場合の熱源の温度分布パターン、(e)は両側の集光スポットを真ん中の集光スポットより0.03nsec遅らせて形成した場合の熱源の温度分布パターン、(f)は真ん中の集光スポットを両側の集光スポットより0.3nsec遅らせて形成した場合の熱源の温度分布パターン、(g)は両側の集光スポットを真ん中の集光スポットより0.3nsec遅らせて形成した場合の熱源の温度分布パターン、である。
図23より、本シミュレーションで最も大きく遅らせたτ=0.3nsecの場合の温度分布パターン(f)、(g)でもτ=0の場合の温度分布パターン(a)と形状及び寸法が同じであることがわかる。従って、複数の集光スポットをサファイアに形成する場合、複数の集光スポットの時間差が少なくとも0.3nsecの以内であれば、同時に(時間差ゼロで)形成した場合と同じ形状寸法の熱源温度分布パターンが得られる。
〔シミュレーション3〕二つの集光スポット間隔を変化させた場合の熱源の温度分布パターンを「内部円筒熱源列による熱伝導数値解析モデル」を使用してシミュレーションした。次に、その時の応力分布を「有限要素法による応力解析モデル」を使用して求めた。
主なシミュレーション条件は、以下の通り。
被割断部材:サファイア
集光スポット形成深さZ0:20μm
集光スポット径:2μm
集光スポット中心間隔:2μm、4μm、6μm
集光スポット数:2
集光スポット当たりのレーザパルスエネルギー:1μJ
解析領域:5μm×10μm
要素:2次元4節点線形要素
要素数:5000
節点数:5151
初期温度:0℃
シミュレーション結果を図24〜図26に示す。図24及び図25は、集光スポット中心間隔が2μm及び4μmの場合の熱源温度分布パターン及び応力分布パターンをそれぞれ示している(集光スポット中心間隔が6μmの場合は割愛)。図26は、図24等の応力分布パターンの最大応力を縦軸にとり、横軸に集光スポット間隔をとってグラフ化したものである。
図24及び図25からスポット間隔が2μmの場合は、熱源が発現してから20ns後には融合して楕円状熱源温度分布パターンになるが、スポット間隔が少なくとも4μm以上になると、もはや融合しなくなることがわかる。
また、スポット間隔が2μmの場合は、熱源の外側にのみ引張応力が発生するのに対し、スポット間隔が少なくとも4μm以上になると、二つの円形熱源の間に引張応力が働くことがわかる。
〔シミュレーション4〕実施形態1のレーザ加工装置によって発現した楕円状熱源温度分布パターンにより発生する応力を「有限要素法による応力解析モデル」を使用して求めた。
主なシミュレーション条件は、以下の通り。
被割断部材:サファイア
楕円状熱源の長径×短径:2μm×0.5μm
楕円状熱源当たりのレーザパルスエネルギー:1μJ
シミュレーション結果を図27に示す。レーザパルスを照射後約100ps後に熱源の中心温度が9843°Kに達し、その時(図27の横軸0ns時点)、最大応力を示した。曲線アがY方向の応力、曲線イがX方向の応力を示しているが、図27から楕円状熱源温度分布パターンの長軸と直交する方向(Y方向)の引張応力が長軸方向(X方向)の引張応力より大きいことがわかる。
図27には円熱源の応力曲線ウも示してある。これから楕円熱源温度分布パターン発生直後は、円熱源よりも大きな引張応力が作用するが、円熱源より冷却スピードが速いため、所定時間経過後は円熱源より引張応力が小さくなることもわかる。
これらのことから、最大応力が作用するタイミングで長軸と直交する方向の応力が被割断部材の破壊閾値を超え、一方、長軸方向の応力が被割断部材の破壊閾値以下であるような熱源温度分布パターンが生じるようにパルスレーザを集光照射することで、楕円の長軸方向にのみクラックを生じさせることが可能になる。
また、時間の経過とともに応力は減っていき、初期の、温度が高い状態のとき最も大きな応力が作用するので、クラックを生じうる破壊応力が作用し得る限界時間までに楕円プロファイルを有する熱源を形成させておく必要があることが判る。
実施形態1のレーザ加工装置で加工実験を行った。加工条件は以下の通りである。
光源1:下記仕様・性能のモードロックファイバレーザ(米国イムラ社、モデルD10
00)
中心波長 :1045nm
ビーム径 :4mm
モード :シングル(ガウシアン)
パルス幅 :700fs
パルスエネルギ:10μJ(最大)
繰り返し周波数:100kHz(最大)
平均パワー :1000mW(最大)
集光レンズ21:顕微鏡用対物レンズ(焦点距離:4mm、開口数:0.65)
集光スポット径:2μm
被割断部材3:サファイア
同時集光スポット数:2
集光スポット中心間隔:2μm
ステージ走査速度:1000mm/s(隣り合う二つの集光スポットの間隔が10μm、
図28(a)参照。)
図28(b)は、サファイアを内部加工した透過像である。二つの同時集光スポットから割断方向にきれいにクラックが延びているのがわかる。
比較例
上記実施例の加工条件において、同時集光スポット数を1にしたこととステージ走査速度を500mm/s(スポット間隔が5μm、図29(a)参照。)にしたこと以外は、上記実施例と同じ加工条件である。
図29(b)は、サファイアを内部加工した透過像である。集光スポットを繋ぐ方向とは異なる方向(結晶方位)に割断に寄与しない余分なクラックが発生していることがわかる。
21、201、2A1、20A1、20B1、2B1、2C1、2D1、2E1:集光レンズ、
O:光軸、
S0:割断予定ライン、
3:被割断部材
3a:表面
3b:断面
P0、P1、P2、P3:断面集光スポット
Q0、Q1、Q2、Q3:深さ集光スポット
2、20、2A、20A、20B、2B、2C、2D、2E:光学系

Claims (4)

  1. 集光レンズと被割断部材とを相対的に移動させながらレーザ光を被割断部材に集光照射することにより、割断予定ラインに沿うように前記被割断部材の内部に割断の起点となる内部改質領域を形成するレーザ加工方法であって、
    前記内部改質領域を形成しようとする領域に対して複数の前記レーザ光を照射することによって同時に複数の集光スポットを形成するステップであって、前記複数のレーザ光の照射によって前記被割断部材の温度が上昇する領域が互いに融合するように前記複数の集光スポットを形成するステップを備え、
    前記複数の集光スポットは、前記被割断部材の表面から所定の深さ位置で前記集光レンズの光軸と直交し前記表面と平行な断面の上に形成され、
    前記複数の集光スポットのうち少なくとも一つは、前記割断予定ラインの前記表面と平行な前記断面への射影線上に形成され、
    前記複数の集光スポットを結ぶ図形が、前記表面と平行な前記断面の上で、三角形または平行四辺形であり、
    前記複数の集光スポットを結ぶ図形が前記平行四辺形である場合には、前記平行四辺形の鋭角をなす二つの頂点を、前記割断予定ラインの前記表面と平行な前記断面への射影線上に位置させる
    ことを特徴とするレーザ加工方法。
  2. 前記複数の集光スポットを形成する前記ステップは、前記複数のレーザ光の照射によって前記被割断部材の温度が上昇する領域が互いに融合するように、前記割断予定ラインの位置で前記表面と垂直な断面の上に複数の深さ集光スポットを形成することをさらに含み
    前記複数の深さ集光スポットのうち少なくとも一つは、前記集光レンズの光軸上に形成される
    ことを特徴とする請求項1に記載のレーザ加工方法。
  3. 前記内部改質領域は、前記表面と平行な前記断面の上で、前記複数の集光スポットの空間位置と該集光スポットのエネルギー密度との組み合わせを用いることで所望の形状に形成されることを特徴とする請求項1または2に記載のレーザ加工方法。
  4. 前記被割断部材の温度が上昇する前記領域は、前記レーザ光の照射後に温度が1500°K以上に上昇する領域であることを特徴とする請求項1乃至のいずれか1項に記載のレーザ加工方法。
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