JP5422878B2 - 半導体用接着組成物、それを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウェハ上に半導体用接着組成物を形成した後、半導体用接着組成物付きウェハをダイシングにより個片化したＩＣ、ＬＳＩ等半導体チップをフレキシブル基板、ガラスエポキシ基板、ガラス基板、セラミックス基板などの回路基板に直接電気的接合する際の半導体用接着組成物、これを用いた半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。

近年、半導体装置の小型化と高密度化に伴い、半導体チップを回路基板に実装する方法としてフリップチップ実装（ダイレクトチップアタッチ実装）が注目され急速に広まってきている。フリップチップ実装においては、接合部分の接続信頼性を確保するための方法として、半導体チップ上に形成されたバンプ電極と回路基板のパッド電極を接合した後に、半導体チップと回路基板との隙間に液状封止接着剤を注入し硬化させることが一般的な方法として採られている。しかし、半導体装置の軽薄短小化のために、半導体チップに形成されるバンプ電極の数の増大とバンプ電極の低背化が進んできたため、液状封止接着剤を半導体チップと回路基板との隙間に接合部分の接続信頼性を確保できる十分な量を注入するという従来の方法を用いることができないものが現れた。これに対し、回路基板あるいはバンプ電極付き半導体チップにアンダーフィル材とよばれる液状接着剤を、ディスペンサーやスクリーン印刷等の方法により塗布した後に半導体チップと回路基板を接合する方法が用いられるようになった。しかし、微小面積に均一に液状接着剤を塗布することは困難であるため、液状接着剤のはみ出しによる回路基板や半導体チップの汚染、実装面積の増大や未封止部分が存在するといった問題を有していた（特許文献１参照）。

この問題を解決するために、バンプ電極付き半導体ウェハに一定厚さの半導体用接着組成物をラミネートした後、ダイシングにより半導体ウェハを個別半導体チップとし、次に、半導体チップを回路基板にフリップチップ接続し、電気的接合と樹脂封止を同時に行う方法（特許文献２参照）およびそれに使用する接着フィルムが提案されている。この方法によれば、半導体用接着組成物と半導体チップの接着面積をほぼ同じにすることができ、液状封止接着剤を用いた場合に比べ、半導体チップに対する接着組成物のはみ出しが非常に少ない（特許文献３、４参照）。ところが、特許文献３、４で用いられている半導体用接着組成物は、フルオレン骨格を有するフェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、マイクロカプセル化イミダゾール誘導体エポキシ化合物、フィラーから構成されたもの、あるいは有機溶剤可溶性ポリイミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、無機フィラーから構成されたものである。

さらに特許文献１に記載の液状封止接着剤を半導体ウェハのバンプ電極面側にコーティングした後にダイシングを行うと、切削粉が液状封止接着剤に付着しやすいという問題、液状封止接着剤の流動性が大きいためにおこる切削したウェハ端面への液状封止接着剤の付着や切削ブレードの目詰まりという問題、切削時の水の噴射圧力による膜表面の乱れの問題など複数の問題が生じやすい。このため、特許文献１に記載の液状封止接着剤を半導体ウェハのバンプ電極面側にコーティングした後にダイシングを行うという工程を工業的に利用することは困難である。また、特許文献３、４記載の半導体用接着組成物を半導体ウェハのバンプ電極付き面にラミネートした後にダイシングを行うと、切削粉が液状封止接着剤に付着しやすいという問題、ウェハからの液状封止接着剤の剥がれ、液状封止接着剤の欠け、割れが生じるという問題がある。液状封止接着剤の欠け、割れは切削時の速度を遅くすることによりある程度は改善されるが、近年のウェハの大口径化が進む状況を考慮すると、切削速度の低下はコストアップの要因となる。さらに特許文献３に記載された半導体用接着組成物は耐熱性を付与するためにフルオレン骨格を有するフェノキシ樹脂や、有機溶剤可溶性ポリイミドを使用しているが、バンプ電極付き半導体ウェハにコーティングするような接着組成物として十分な耐熱性、絶縁性を有していない。

一方、特許文献５には有機溶剤可溶性ポリイミドに、ポリイミドと相溶性に優れるエポキシ樹脂を組み合わせる方法が開示されている。この方法を用いることにより光線透過率が高い接着シートが得られる。しかし、エポキシ樹脂に固形エポキシ樹脂を用いているため、非常にもろいという性質を有しており、バンプ電極付き半導体ウェハにラミネートした後、ダイシングを行うと、ウェハからの剥がれ、接着層自身の欠け、割れが生じる。

また、常温で固形である固形エポキシ樹脂と常温で液状であるエポキシ樹脂を混合して可撓性を持たせる技術が知られている（特許文献６参照）。しかしながら、このような樹脂からなる接着剤層をバンプ電極付き半導体ウェハに形成した後にダイシングを行うと、ウェハから半導体用接着組成物の剥がれ、半導体用接着組成物の欠け、割れが生じるという問題がある。

さらにはポリイミドと、３官能以上のエポキシ樹脂と液状エポキシ樹脂を含有する接着シートも開示されている（特許文献７参照）。しかしながら、特許文献７に記載されたポリイミドを含有する接着シートを用いてフリップチップ実装を行うと、このポリイミドの吸水性が高いために、実装時の加熱のために接着シート中に吸水により蓄えられた水分が急激に蒸発し、それにより接着シートが発泡し、半導体チップと回路基板間の接着力が十分に得られないという問題、接続信頼性が低いなどの問題が起きる。

また、有機溶剤可溶性ポリイミドとしては、ポリマーの主鎖末端にフェノール性水酸基等の反応基を有するポリイミド（特許文献８参照）が知られている。

前記のいずれの接着剤も硬化させて用いられるものであるため、接続不良部の再生が困難、すなわち、リペア性能が低いという問題を有している。これは、接続部の硬化後の樹脂が強固に接着することに加え、これら樹脂が網目状に架橋していることから、加熱による温度変化があっても接着力の低下が少ないこと、溶剤類にも溶け難いことから剥離することが極めて困難である。このため、接続不良部を再生するには、接続不良部を溶剤類や酸、アルカリ等の薬液に浸漬、膨潤させて剥離する方法や、ナイフ等で削りとるといった手段を採らざるを得ない状況であった。しかしながら、これらの手段を使用した場合には、接続不良部周辺の正常な接続部や配線等も損傷を受けたり、除去面に接着剤の一部が残留してしまうことなどにより、信頼性の高い再接続が得られず、再生使用（リペア）が極めて困難であるという問題があった。

またチッピングや欠けがない半導体チップを得る技術として特許文献９には以下のようなものが開示されている。半導体ウェハの回路形成面上に、ＵＶ硬化アクリル樹脂からなる接着剤層、光吸収剤を含むアクリル樹脂からなる光熱変換層、ガラス基板をこの順に形成した積層体を作製する。そしてこの積層体を用いて半導体ウェハの回路形成面とは逆の面を砥石で研削し半導体ウェハを薄くし、続いて研削面からダイシングを行いチップ単位に切断する。さらにガラス基板側からレーザー光を照射し、光吸収剤を含むアクリル樹脂からなる光熱変換層を熱分解することで、ガラス基板を剥離し、接着剤層を有する半導体チップを得る。そして接着剤層に粘着テープを付着させ、次に粘着剤と一緒に接着剤層を引き剥がして損傷のないチップを得る。しかしながら、特許文献９の方法では、半導体チップを得た後、半導体チップの回路基板への実装の際に、別途別の接着剤を用いることが必要となる。また光吸収剤を含むアクリル樹脂からなる光熱変換層を半導体チップの回路基板への実装用の接着剤として用いようとしても、耐熱性が低くその後の工程や半導体チップと回路基板の高い接続信頼性を得ることが困難である。また、特許文献９の方法のようにガラス基板と半導体ウェハという固いものに挟まれた状態では、一般にはガラス基板と半導体ウェハの間に存在する層に割れや欠けは生じにくい。しかし、樹脂材料を最上面としてダイシングを行う場合には、その層の割れや欠けの抑制には特定の材料を用いることが必要であり、特許文献９に記載の光吸収剤を含むアクリル樹脂からなる光熱変換層では、割れや欠けが生じやすいという問題がある。
特開２００４−２１１０６４号公報（特許請求の範囲） 特開２００１−２３７２６８号公報（請求項１） 特開２００４−３１５６８８号公報（特許請求の範囲） 特開２００４−３１９８２３号公報（特許請求の範囲） 特開２００３−１９２８９４号公報（請求項１） 特開２００４−１４６４９５号公報（請求項１１、３９段落） 特開２００４−２９２８２１号公報（特許請求の範囲、７３段落） 国際公開第０４／１０９４０３号パンフレット 特開２００５−１５９１５５号公報（特許請求の範囲）

本発明は、上記課題を解決すべく、屈曲させても割れや剥がれの発生がなく、バンプ電極付きの半導体ウェハなどのバンプ電極側面にラミネートすることができ、ダイシング時に切削粉の汚染や欠損がなく高速切断可能で、フリップチップ実装することができ、実装後のリペアを容易に行うことが可能な半導体用接着組成物を提供する。

すなわち本発明は、（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドと（ｂ）エポキシ化合物、（ｃ）硬化促進剤、（ｄ）光吸収剤とを含有し、（ｂ）エポキシ化合物を１００重量部に対し、（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドを１５〜９０重量部、（ｃ）硬化促進剤を０．１〜１０重量部含有し、（ｂ）エポキシ化合物が２５℃、１．０１３×１０^５Ｎ／ｍ^２において液状である化合物と２５℃、１．０１３×１０^５Ｎ／ｍ^２において固形である化合物を含有し、液状であるエポキシ化合物の含有量が全エポキシ化合物に対し２０重量％以上６０重量％以下であり、（ｄ）光吸収剤がカーボンブラックであって、カーボンブラックの含有量が（ｂ）エポキシ化合物１００重量部に対し０．１〜１０重量部である半導体用接着組成物である。

本発明の組成物によれば、バンプ電極付きの半導体ウェハなどのバンプ電極側面に空隙なくラミネートすることができ、ダイシング時に切削粉の汚染や接着層の欠損がなく高速で切断することができる。また、本発明の製造方法によれば、半導体チップと基板間でこれらの接続のために用いる接着剤のはみ出し量が小さく実装面積を極小化でき、さらにはウェハの裏面研磨による薄型化と回路基板への実装工程を簡略化できる。また、接続不良が生じた場合、光吸収剤を配合した半導体用接着組成物であるために紫外線、可視光線、近赤外線などの光電磁波を照射することにより、半導体用接着組成物が分解し、半導体チップと回路基板を分離することができるため、接続部のリペアが可能となる。

本発明の半導体用接着組成物は、（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドと（ｂ）エポキシ化合物、（ｃ）硬化促進剤、（ｄ）光吸収剤とを含有し、（ｂ）エポキシ化合物を１００重量部に対し、（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドを１５〜９０重量部、（ｃ）硬化促進剤を０．１〜１０重量部含有し、（ｂ）エポキシ化合物が２５℃、１．０１３×１０^５Ｎ／ｍ^２において液状である化合物と２５℃、１．０１３×１０^５Ｎ／ｍ^２において固形である化合物を含有し、液状であるエポキシ化合物の含有量が全エポキシ化合物に対し２０重量％以上６０重量％以下であり、（ｄ）光吸収剤がカーボンブラックであって、カーボンブラックの含有量が（ｂ）エポキシ化合物１００重量部に対し０．１〜１０重量部である半導体用接着組成物である。

本発明の半導体用接着組成物は、実装基板に半導体素子を実装するために好適に用いられる。実装基板には、フレキシブル基板、ガラスエポキシ基板、ガラス基板、セラミックス基板、各種の回路基板が含まれる。また、半導体素子には、半導体チップ、半導体パッケージ、モジュールなどの電気的な能動機能を有する素子が含まれる。

本発明に用いられる（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドは有機溶剤に可溶であればよく、構造等は特に限定されない。可溶性とは、以下より選ばれる溶剤に２３℃で２０重量％以上溶解することを意味する。ケトン系溶剤のアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、エーテル系溶剤の１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジグライム、グリコールエーテル系溶剤のメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、その他ベンジルアルコール、Ｎ−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン、酢酸エチル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドである。

本発明の半導体用接着組成物は、イミド環を有する（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドを含有しているので、耐熱性および耐薬品性に優れている。特に、有機溶剤可溶性ポリイミドに側鎖および末端に、エポキシ基と反応可能な官能基を各々少なくとも一つ有するものを用いることで、熱処理時にエポキシ化合物の開環、芳香族ポリイミドへの付加反応が促進され、より一層密度の高い網目構造を有する組成物得ることができる。エポキシ基と反応可能な官能基としては、フェノール性水酸基、スルホン酸基、チオール基が挙げられる。このような芳香族ポリイミドの合成方法としては、例えば、まず、エポキシ基と反応可能な基を有する酸二無水物とジアミンを反応させてポリイミド前駆体を合成し、次に、末端封止剤としてエポキシ基と反応可能な基を有する一級モノアミンやカルボン酸誘導体を用いて、このポリイミド前駆体の末端修飾を行い、続いて、１５０℃以上の熱処理を行い、ポリイミド閉環を行う方法が挙げられる。または、先に酸二無水物と末端封止剤として一級モノアミンを反応させた後、ジアミンを添加して末端修飾されたポリイミド前駆体を合成し、さらに１５０℃以上の高温でポリイミド閉環を行って得ることができる。あるいは、先にジアミンと末端封止剤としてカルボン酸誘導体を反応させた後、酸二無水物を添加して末端修飾されたポリイミド前駆体を合成し、さらに１５０℃以上の高温でポリイミド閉環を行って得ることができる。

本発明に用いられる（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドを、前述した溶剤に対し可溶性とするには、脂肪族構造、脂肪族環構造を含むポリイミドまたは芳香族ポリイミドの主鎖を１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロピル基、イソプロピル基、エーテル基、チオエーテル基およびＳＯ_２基からなる群より選ばれる基を少なくとも一つ有するものとすることが好ましい。このような芳香族ポリイミドは、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロピル基、イソプロピル基、エーテル基、チオエーテル基またはＳＯ_２基を有するジアミン成分または酸二無水物成分を用いることにより得られる。これらの基を有するポリイミドを、ポリイミド全量に対し８０重量％以上とすることが可溶性を大きくできる点で好ましい。また、芳香族ポリイミドの末端が、モノアミンおよび／またはカルボン酸誘導体からなる末端封止剤で末端封止されていることが好ましい。

本発明では、（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドの中でも、一般式（２）〜（７）のいずれかで表される構造を有し、かつエポキシ基と反応可能な官能基を側鎖および末端に各々少なくとも一つ有するポリマーであり、一般式（１）で表される構造を一般式（２）〜（７）中のＲ^４としてポリマー全量に対し２〜１５重量％有するものが好ましく用いられる。なお、ここでの有機溶剤可溶性ポリイミドの合成により得られるポリマー（ポリイミド）の全量とは、１級アミン化合物と酸二無水物および末端封止剤からなる構成成分の重合により得られた重量のことであり、合成時に過剰に仕込んだ１級アミン化合物、酸二無水物および末端封止剤はポリイミドの重量に含まない。

式中、Ｒ^１は２価の炭化水素基を示し、Ｒ^２は１価の炭化水素基を示し、同じでも異なっていてもよい。ｎは１〜１０の整数を示す。複数のＲ^２が同一の構造である必要はない。

式中、Ｒ^３は４〜１４価の有機基であり、Ｒ^４は２〜１２価の有機基であって、Ｒ^３、Ｒ^４の少なくとも一つは１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロピル基、イソプロピル基、エーテル基、チオエーテル基およびＳＯ_２基からなる群より選ばれる基を少なくとも一つ含有する。Ｒ^５およびＲ^６は、フェノール性水酸基、スルホン酸基およびチオール基からなる群より選ばれる基を少なくとも一つ有する有機基を示し、同じでも異なっていてもよい。Ｘは１価の有機基、Ｙは２価の有機基、Ｚは１価の有機基を示す。ｍは８〜２００の範囲を示す。αおよびβはそれぞれ０〜１０の整数を示し、α＋βは１〜１０の整数である。

本発明に用いられる（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドは、一般式（１）で表される構造を有することにより、上記の溶剤に対する溶解性が向上し、かつ硬化時の収縮を抑えることができる。

一般式（１）中、Ｒ^１は２価の炭化水素基を示し、好ましくは炭素数１〜５のアルキレン基、フェニレン基である。ｎは１〜１０の整数を示し、好ましくは１〜２である。ｎを１以上とすることで硬化時の収縮を抑えることができ、１０以下とすることでポリイミド骨格中のイミド基含有率を低減させず、絶縁性、耐熱性を向上することができる。Ｒ^２は１価の炭化水素基を示し、好ましくは炭素数１〜５のアルキル基、フェニル基である。また、複数のＲ^２が同一の構造である必要はない。

一般式（１）で表される構造を含む化合物の含有量は芳香族ポリイミド中に２〜１５重量％である。２重量％以上とすることで上記の効果を得ることができ、１５重量％以下とすることで、ポリイミド骨格の剛直性を維持し、耐熱性、絶縁性を保つことができる。

一般式（１）で表される構造を含む化合物はビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、ビス（ｐ−アミノ−フェニル）オクタメチルペンタシロキサンなどのジアミン成分が挙げられる。

本発明に用いられる（ａ）エポキシ基と反応可能な官能基を側鎖および末端に各々少なくとも一つ有する有機溶剤可溶性ポリイミドは、上記一般式（２）〜（７）で表される構造を有することが好ましい。

上記一般式（２）〜（７）において、Ｒ^３は酸二無水物の構造成分を表しており、４〜１４価の有機基であり、なかでも炭素原子数５〜４０の有機基であることが好ましい。また、Ｒ^４はジアミンの構造成分を表しており、２〜１２価の有機基であり、なかでも炭素原子数５〜４０の有機基であることが好ましい。Ｒ^３、Ｒ^４の少なくとも一方は、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロピル基、イソプロピル基、エーテル基、チオエーテル基、ＳＯ_２基からなる群より選ばれる基を少なくとも一つ含有するが、Ｒ^３、Ｒ^４の両方が含有することが好ましい。Ｒ^５およびＲ^６は、フェノール性水酸基、スルホン酸基およびチオール基からなる群より選ばれる基を少なくとも一つ有する有機基を示し、同じでも異なっていてもよい。Ｘは１価の有機基、Ｙは２価の有機基、Ｚは１価の有機基を示す。ｍは８〜２００の範囲を示す。αおよびβはそれぞれ０〜１０の整数を示し、α＋βは１〜１０の整数である。

Ｒ^５は酸二無水物の置換基であり、フェノール性水酸基、スルホン酸基およびチオール基からなる群より選ばれる。前記置換基を少なくとも一つ有する酸二無水物としては、具体的には、下記に示した構造の芳香族酸二無水物を挙げることができる。

Ｒ^１１、Ｒ^１２は水素原子、水酸基、チオール基またはスルホン酸基を示す。ただし、Ｒ^１１およびＲ^１２が同時に水素原子となることはない。

Ｒ^３は酸二無水物の構成成分を表しており、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロピル基、イソプロピル基、エーテル基、チオエーテル基およびＳＯ_２基からなる群より選ばれる。前記有機基を少なくとも一つ有する酸二無水物としては、具体的には、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物あるいはこれらの芳香族環にアルキル基やハロゲン原子で置換した化合物等が挙げられる。

１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロピル基、イソプロピル基、エーテル基、チオエーテル基およびＳＯ_２基からなる群より選ばれる基を少なくとも一つ有し、かつ、フェノール性水酸基、スルホン酸基およびチオール基からなる群より選ばれる基を少なくとも一つ有する酸二無水物としては、具体的には、下記に示した構造の芳香族酸二無水物が挙げられる。

Ｒ^１０はＣ（ＣＦ_３）_２、Ｃ（ＣＨ_３）_２、ＳＯ_２、ＳまたはＯを示す。Ｒ^１１およびＲ^１２は水素原子、水酸基、チオール基またはスルホン酸基を示す。ただし、Ｒ^１１およびＲ^１２が同時に水素原子となることはない。

Ｒ^３が１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロピル基、イソプロピル基、エーテル基、チオエーテル基およびＳＯ_２基以外の有機基であり、Ｒ^５がフェノール性水酸基、スルホン酸基、チオール基以外の有機基である場合の酸二無水物としては、具体的には、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，５，６−ピリジンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物などの芳香族テトラカルボン酸二無水物あるいはこれらの芳香族環にアルキル基やハロゲン原子で置換した化合物が挙げられる。本発明で用いる酸二無水物は単独で又は２種以上を組み合わせて使用される。

Ｒ^６はジアミンの置換基であり、フェノール性水酸基、スルホン酸基およびチオール基からなる群より選ばれる。前記置換基を少なくとも一つ有するジアミンとしては、具体的には、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシビフェニル、２，４−ジアミノ−フェノール、２，５−ジアミノフェノール、１，４−ジアミノ−２，５−ジヒドロキシベンゼン、ジアミノジヒドロキシピリミジン、ジアミノジヒドロキシピリジン、ヒドロキシジアミノピリミジン、９，９−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、あるいはこれらの芳香族環にアルキル基やハロゲン原子で置換した化合物等や、下記に示した構造のジアミンなどが挙げられる。

Ｒ^１１〜Ｒ^１４は水素原子、水酸基、チオール基またはスルホン酸基を示す。ただし、Ｒ^１１およびＲ^１２が同時に水素原子となることはない。

Ｒ^４はジアミンの構成成分を表しており、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロピル基、イソプロピル基、エーテル基、チオエーテル基およびＳＯ_２基からなる群より選ばれる。前記有機基を少なくとも一つ有するジアミンとしては、具体的には、３，４’−ジアミノジフェニルスルヒド、４，４’−ジアミノジフェニルスルヒド、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、ビス（４−アミノフェノキシフェニル）スルホン、ビス（３−アミノフェノキシフェニル）スルホン、ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス｛４−（４−アミノフェノキシ）フェニル｝エーテル、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、あるいはこれらの芳香族環にアルキル基やハロゲン原子で置換した化合物等が挙げられる。

１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロピル基、イソプロピル基、エーテル基、チオエーテル基およびＳＯ_２基からなる群より選ばれる基を少なくとも一つ有し、かつ、フェノール性水酸基、スルホン酸基およびチオール基からなる群より選ばれる基を少なくとも一つ有するジアミンとしては、具体的には、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−ヒドロキシ−４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ヒドロキシ−４−アミノフェニル）プロパン、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルヒドあるいはこれらの芳香族環にアルキル基やハロゲン原子で置換した化合物等や、下記に示した構造のジアミンなどが挙げられる。

Ｒ^１０はＣ（ＣＦ_３）_２、Ｃ（ＣＨ_３）_２、ＳＯ_２、ＳまたはＯを示す。Ｒ^１１〜Ｒ^１２は水素原子、水酸基、チオール基またはスルホン酸基を示す。ただし、Ｒ^１１およびＲ^１２が同時に水素原子となることはない。

Ｒ^４が１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロピル基、イソプロピル基、エーテル基、チオエーテル基およびＳＯ_２基以外の有機基であり、Ｒ^６がフェノール性水酸基、スルホン酸基、チオール基以外の有機基である場合のジアミンとしては、具体的には、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、ベンジジン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、１，５−ナフタレンジアミン、２，６−ナフタレンジアミン、２，２’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジエチル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジエチル−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’，３，３’−テトラメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’，４，４’−テトラメチル−４，４’−ジアミノビフェニル、２，２’−ジ（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニル、あるいはこれらの芳香族環にアルキル基やハロゲン原子で置換した化合物、テレフタル酸ヒドラジド、イソフタル酸ヒドラジド、フタロ酸ヒドラジド、２，６−ナフタレンジカルボン酸ジヒドラジド、４，４’−ビスフェニルジカルボノヒドラジン、４，４’−シクロヘキサンジカルボノヒドラジン、あるいはこれらの芳香族環にアルキル基やハロゲン原子で置換したヒドラジド化合物等が挙げられる。本発明で用いるジアミンは単独で又は２種以上を組み合わせて使用される。

上記一般式（２）〜（７）におけるＲ^５、Ｒ^６を選択することにより、熱処理時に芳香族ポリイミドとエポキシ化合物との反応率調整を行うことで半導体用接着組成物の架橋密度を調整できる。これにより必要とする耐熱性、耐薬品性を半導体用接着組成物に付与することが可能となる。Ｒ^５、Ｒ^６の合計の２０〜９０％が水酸基、チオール基またはスルホン酸基であることが好ましい。これらの基をＲ^５、Ｒ^６の２０％以上とすることで、耐薬品性、耐熱性を向上することができ、９０％以下とすることで、架橋密度を適度な範囲に抑制し、フィルムの伸度、靱性を保持することができる。

一般式（２）、一般式（３）の構造成分であるＸは、エポキシ基と反応可能な官能基を少なくとも一つ有することが好ましい。このような官能基としては、例えばフェノール性水酸基、スルホン酸基、チオール基などが挙げられる。Ｘは、下記一般式（８）で示される構造であることが好ましく、これらは、末端封止剤である１級モノアミンに由来する成分である。また一般式（２）、一般式（３）を構成するＸは、一般式（８）で表される末端封止基単独で、またはその他の末端封止基との２種以上の組み合わせのいずれであってもよい。

また、一般式（４）、一般式（５）の構造成分であるＹは、エポキシ基と反応可能な官能基を少なくとも一つ有することが好ましい。Ｙは、一般式（９）または一般式（１０）で示される構造であることが好ましく、これらは、末端封止剤であるカルボン酸誘導体のうち、酸無水物に由来する成分である。また一般式（４）、一般式（５）を構成するＹは、一般式（９）、一般式（１０）のいずれかで表される末端封止基単独、またはその他の末端封止基との２種以上の組み合わせのいずれであってもよい。

一般式（６）、一般式（７）の構造成分であるＺは、エポキシ基と反応可能な官能基を少なくとも一つ有することが好ましい。Ｚは一般式（１１）または一般式（１２）で示される構造であることが好ましく、これらは、末端封止剤であるカルボン酸誘導体のうち、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物、モノ活性エステル化合物から選ばれるものに由来する成分である。また一般式（６）、一般式（７）を構成するＺは、一般式（１１）、一般式（１２）のいずれかで表される末端封止基単独で、またはその他の末端封止基との２種以上の組み合わせのいずれであってもよい。

一般式（８）、一般式（１１）、一般式（１２）のＲ^１７は−ＣＲ^２１Ｒ^２２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＣＨ_２ＳＯ_２−より選ばれる２価の基を示し、Ｒ^２１およびＲ^２２は水素原子、水酸基、炭素数１〜１０の炭化水素基より選ばれる１価の基を示す。一般式（１１）、一般式（１２）のＲ^２０は、炭素数１〜１０の炭化水素基より選ばれる１価の基を示す。なかでも、炭素数１〜４の炭化水素基が好ましく、特に好ましくは、メチル基、ｔ−ブチル基である。一般式（１０）、一般式（１２）のＲ^１８およびＲ^１９は、水素原子、水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基、チオール基、炭素数１〜４の炭化水素基より選ばれる１価の基を示すが、少なくとも１つは水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基またはチオール基である。また、一般式（８）、一般式（９）、一般式（１１）のＲ^１５およびＲ^１６は、水素原子、水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基、チオール基、炭素数１〜１０の炭化水素基より選ばれる１価の基を示すが、少なくとも１つは水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基またはチオール基である。一般式（８）、一般式（９）、一般式（１１）のＡ、Ｅ、Ｇは、炭素原子または窒素原子であり、各々同じでも異なっていてもよい。ｏは０〜１０の整数であり、好ましくは０〜４の整数である。ｌは０または１であり、好ましくは０である。ｐは０または１であり、好ましくは０である。ｑは１〜３の整数であり、好ましくは１または２である。ｒ、ｓ、ｔは０または１である。

一般式（８）で表される構造を有する１級モノアミンとは、具体的には、５−アミノ−８−ヒドロキシキノリン、４−アミノ−８−ヒドロキシキノリン、１−ヒドロキシ−８−アミノナフタレン、１−ヒドロキシ−７−アミノナフタレン、１−ヒドロキシ−６−アミノナフタレン、１−ヒドロキシ−５−アミノナフタレン、１−ヒドロキシ−４−アミノナフタレン、１−ヒドロキシ−３−アミノナフタレン、１−ヒドロキシ−２−アミノナフタレン、１−アミノ−７−ヒドロキシナフタレン、２−ヒドロキシ−７−アミノナフタレン、２−ヒドロキシ−６−アミノナフタレン、２−ヒドロキシ−５−アミノナフタレン、２−ヒドロキシ−４−アミノナフタレン、２−ヒドロキシ−３−アミノナフタレン、１−アミノ−２−ヒドロキシナフタレン、１−カルボキシ−８−アミノナフタレン、１−カルボキシ−７−アミノナフタレン、１−カルボキシ−６−アミノナフタレン、１−カルボキシ−５−アミノナフタレン、１−カルボキシ−４−アミノナフタレン、１−カルボキシ−３−アミノナフタレン、１−カルボキシ−２−アミノナフタレン、１−アミノ−７−カルボキシナフタレン、２−カルボキシ−７−アミノナフタレン、２−カルボキシ−６−アミノナフタレン、２−カルボキシ−５−アミノナフタレン、２−カルボキシ−４−アミノナフタレン、２−カルボキシ−３−アミノナフタレン、１−アミノ−２−カルボキシナフタレン、２−アミノニコチン酸、４−アミノニコチン酸、５−アミノニコチン酸、６−アミノニコチン酸、４−アミノサリチル酸、５−アミノサリチル酸、６−アミノサリチル酸、３−アミノ−ｏ−トルイック酸、アメライド、２−アミノ安息香酸、３−アミノ安息香酸、４−アミノ安息香酸、２−アミノベンゼンスルホン酸、３−アミノベンゼンスルホン酸、４−アミノベンゼンスルホン酸、３−アミノ−４，６−ジヒドロキシピリミジン、２−アミノフェノール、３−アミノフェノール、４−アミノフェノール、５−アミノ−８−メルカプトキノリン、４−アミノ−８−メルカプトキノリン、１−メルカプト−８−アミノナフタレン、１−メルカプト−７−アミノナフタレン、１−メルカプト−６−アミノナフタレン、１−メルカプト−５−アミノナフタレン、１−メルカプト−４−アミノナフタレン、１−メルカプト−３−アミノナフタレン、１−メルカプト−２−アミノナフタレン、１−アミノ−７−メルカプトナフタレン、２−メルカプト−７−アミノナフタレン、２−メルカプト−６−アミノナフタレン、２−メルカプト−５−アミノナフタレン、２−メルカプト−４−アミノナフタレン、２−メルカプト−３−アミノナフタレン、１−アミノ−２−メルカプトナフタレン、３−アミノ−４，６−ジメルカプトピリミジン、２−アミノチオフェノール、３−アミノチオフェノール、４−アミノチオフェノール等が挙げられる。

これらのうち、５−アミノ−８−ヒドロキシキノリン、１−ヒドロキシ−７−アミノナフタレン、１−ヒドロキシ−６−アミノナフタレン、１−ヒドロキシ−５−アミノナフタレン、１−ヒドロキシ−４−アミノナフタレン、２−ヒドロキシ−７−アミノナフタレン、２−ヒドロキシ−６−アミノナフタレン、２−ヒドロキシ−５−アミノナフタレン、１−カルボキシ−７−アミノナフタレン、１−カルボキシ−６−アミノナフタレン、１−カルボキシ−５−アミノナフタレン、２−カルボキシ−７−アミノナフタレン、２−カルボキシ−６−アミノナフタレン、２−カルボキシ−５−アミノナフタレン、２−アミノ安息香酸、３−アミノ安息香酸、４−アミノ安息香酸、４−アミノサリチル酸、５−アミノサリチル酸、６−アミノサリチル酸、２−アミノベンゼンスルホン酸、３−アミノベンゼンスルホン酸、４−アミノベンゼンスルホン酸、３−アミノ−４，６−ジヒドロキシピリミジン、２−アミノフェノール、３−アミノフェノール、４−アミノフェノール、２−アミノチオフェノール、３−アミノチオフェノール、４−アミノチオフェノール等が好ましい。

特に５−アミノ−８−ヒドロキシキノリン、１−ヒドロキシ−７−アミノナフタレン、１−ヒドロキシ−６−アミノナフタレン、１−ヒドロキシ−５−アミノナフタレン、１−ヒドロキシ−４−アミノナフタレン、２−ヒドロキシ−７−アミノナフタレン、２−ヒドロキシ−６−アミノナフタレン、２−ヒドロキシ−５−アミノナフタレン、３−アミノ−４，６−ジヒドロキシピリミジン、２−アミノフェノール、３−アミノフェノール、４−アミノフェノール、２−アミノチオフェノール、３−アミノチオフェノール、４−アミノチオフェノール等が好ましく、これらは単独で又は２種以上を組み合わせて使用される。

一般式（９）または一般式（１０）で表される構造を有する酸無水物の具体例としては、無水フタル酸、無水マレイン酸、ナジック酸、シクロヘキサンジカルボン酸無水物などがあり、より好ましくは、３−ヒドロキシフタル酸無水物、４−ヒドロキシフタル酸無水物、トリメリット酸無水物の酸無水物等が挙げられる。

一般式（１１）または一般式（１２）で表される構造を有するカルボン酸誘導体、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物、モノ活性エステル化合物の具体例としては、２−カルボキシフェノール、３−カルボキシフェノール、４−カルボキシフェノール、２−カルボキシチオフェノール、３−カルボキシチオフェノール、４−カルボキシチオフェノール、１−ヒドロキシ−８−カルボキシナフタレン、１−ヒドロキシ−７−カルボキシナフタレン、１−ヒドロキシ−６−カルボキシナフタレン、１−ヒドロキシ−５−カルボキシナフタレン、１−ヒドロキシ−４−カルボキシナフタレン、１−ヒドロキシ−３−カルボキシナフタレン、１−ヒドロキシ−２−カルボキシナフタレン、１−メルカプト−８−カルボキシナフタレン、１−メルカプト−７−カルボキシナフタレン、１−メルカプト−６−カルボキシナフタレン、１−メルカプト−５−カルボキシナフタレン、１−メルカプト−４−カルボキシナフタレン、１−メルカプト−３−カルボキシナフタレン、１−メルカプト−２−カルボキシナフタレン、２−カルボキシベンゼンスルホン酸、３−カルボキシベンゼンスルホン酸、４−カルボキシベンゼンスルホン酸等のモノカルボン酸類及びこれらのカルボキシル基が酸クロリド化したモノ酸クロリド化合物及び、テレフタル酸、フタル酸、マレイン酸、シクロヘキサンジカルボン酸、３−ヒドロキシフタル酸、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸、１，２−ジカルボキシナフタレン、１，３−ジカルボキシナフタレン、１，４−ジカルボキシナフタレン、１，５−ジカルボキシナフタレン、１，６−ジカルボキシナフタレン、１，７−ジカルボキシナフタレン、１，８−ジカルボキシナフタレン、２，３−ジカルボキシナフタレン、２，６−ジカルボキシナフタレン、２，７−ジカルボキシナフタレン等のジカルボン酸類のモノカルボキシル基だけが酸クロリド化したモノ酸クロリド化合物、モノ酸クロリド化合物とＮ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、ｐ−ニトロフェノール、Ｎ−ヒドロキシコハクイミド、Ｎ−ヒドロキシフタルイミド、Ｎ−ヒドロキシベンゾトリアゾールなどとの反応により得られる活性エステル化合物等が挙げられる。

これらのうち、ポリマーへの導入の容易さなどから、無水フタル酸、無水マレイン酸、ナジック酸、シクロヘキサンジカルボン酸無水物、３−ヒドロキシフタル酸無水物等の酸無水物や、３−カルボキシフェノール、４−カルボキシフェノール、３−カルボキシチオフェノール、４−カルボキシチオフェノール、１−ヒドロキシ−７−カルボキシナフタレン、１−ヒドロキシ−６−カルボキシナフタレン、１−ヒドロキシ−５−カルボキシナフタレン、１−メルカプト−７−カルボキシナフタレン、１−メルカプト−６−カルボキシナフタレン、１−メルカプト−５−カルボキシナフタレン、３−カルボキシベンゼンスルホン酸、４−カルボキシベンゼンスルホン酸等のモノカルボン酸類が好ましく利用される。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて使用される。

一般式（８）で表される成分（一般式（３）のＸ成分）の導入割合は、その元成分である末端封止剤の１級モノアミン成分で換算すると、全ジアミン成分に対して、０．１〜６０モル％の範囲が好ましく、特に好ましくは５〜５０モル％である。一般式（９）や一般式（１０）で表される成分（一般式（２）、一般式（５）のＹ成分）や、一般式（１１）や一般式（１２）で表される成分（一般式（４）、一般式（６）、一般式（７）のＺ成分）の導入割合は、その元成分である末端封止剤の酸無水物、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物、モノ活性エステル化合物成分で換算すると、全ジアミン成分に対して、０．１〜６０モル％の範囲が好ましく、特に好ましくは５〜５５モル％である。

一般式（２）〜（７）のｍはポリマーの繰り返し数を示しており、８〜２００の範囲を示す。好ましくは１０〜１５０である。重量平均分子量で言うと、ゲルろ過クロマトグラフィーによるポリスチレン換算で４０００〜８００００であることが好ましく、特に好ましくは、８０００〜６００００である。ｍを８以上とすることで、組成粘度を大きくして厚膜塗布を可能とし、ｍを２００以下とすることで、溶剤への溶解性を向上することができる。

本発明の（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドは一般式（２）〜（７）で表される構造からなるものであっても良いし、他の構造も有する共重合体あるいは混合体であっても良い。その際、一般式（２）〜（７）で表される構造を５０モル％以上含有していることが好ましい。共重合あるいは混合に用いられる構造の種類および量は、加熱処理によって得られる耐熱性樹脂皮膜の耐熱性を損なわない範囲で選択することが好ましい。

本発明に用いられる（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドは、ジアミンの一部をモノアミンである末端封止剤に置き換えて、または、酸二無水物の一部をモノカルボン酸、酸無水物、モノ酸クロリド化合物、モノ活性エステル化合物である末端封止剤に置き換えて、公知の方法を利用して合成される。例えば、低温中でテトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物（一部をモノアミンである末端封止剤に置換）を反応させる方法、低温中でテトラカルボン酸二無水物（一部を酸無水物またはモノ酸クロリド化合物あるいはモノ活性エステル化合物である末端封止剤に置換）とジアミン化合物を反応させる方法、テトラカルボン酸二無水物とアルコールとの反応によりジエステルを得、その後ジアミン（一部をモノアミンである末端封止剤に置換）と縮合剤の存在下で反応させる方法、テトラカルボン酸二無水物とアルコールとの反応によりジエステルを得、その後残りのジカルボン酸を酸クロリド化し、ジアミン（一部をモノアミンである末端封止剤に置換）と反応させる方法などを利用して、ポリイミド前駆体を得、続いてこれを公知のイミド化反応させる方法を利用して有機溶剤可溶性ポリイミドを合成することができる。

また、ポリマー中に導入された一般式（１）の構造および本発明で使用される末端封止剤は、以下の方法で容易に検出、定量できる。例えば、一般式（１）の構造および末端封止剤が導入されたポリマーを、酸性溶液あるいは塩基性溶液に溶解し、ポリマーの構成単位であるジアミン成分と酸無水物成分に分解し、これをガスクロマトグラフィー（ＧＣ）や、ＮＭＲ測定することにより、一般式（１）の構造および使用されている末端封止剤を容易に検出、定量することができる。これとは別に、末端封止剤が導入されたポリイミドを直接、熱分解ガスクロクロマトグラフ（ＰＧＣ）や赤外スペクトル及び^１３ＣＮＭＲスペクトル測定することによっても、一般式（１）の構造および使用されている末端封止剤を容易に検出、定量することが可能である。

（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドの含有量は、後述する（ｂ）エポキシ化合物１００重量部に対し、１５〜９０重量部であり、好ましくは３０〜６５重量部である。（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドの含有量が１５重量部未満であると、ダイシング時に半導体用接着組成物が半導体ウェハから剥離したり、割れや欠けが発生しやすくなる。このようなダイシング時の欠陥は切削速度が速いほど顕著になる。また（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドの含有量が９０重量部を越えた場合は、シート化した半導体用接着組成物（接着シート）をバンプ電極付き半導体ウェハにラミネートする際に、半導体用接着組成物がバンプ電極間に十分に入り込まず、気泡が残存し、フリップチップ実装後の半導体チップと回路基板間の接着力が低下する。また、前記以外にも半導体用接着組成物が吸水しやすくなるために、ダイシング後の半導体用接着組成物層付き半導体チップを回路基板にフリップチップ実装を行うと、フリップチップ実装時の加熱により半導体用接着組成物中の水分が急激に蒸発し半導体用接着組成物層が発泡する。この接着力の低下や発泡は半導体チップと回路基板の接続信頼性の低下につながる。

本発明の半導体用接着組成物は、さらに（ｂ）エポキシ化合物を含有する。（ｂ）エポキシ化合物はポリイミド側鎖および末端のフェノール性水酸基、スルホン酸基、チオール基と反応し、密度の高い網目構造を構成するため、得られる半導体用接着組成物は各種薬品に耐性を発現する。各種溶剤、特にＮ−メチルピロリドンに対して完全不溶とすることができる。また、エポキシ化合物は、一般に収縮を伴わない開環反応によって硬化するため、（ｂ）エポキシ化合物を含む本発明の半導体用接着組成物は、硬化時の収縮を低減することが可能となる。このために（ｂ）エポキシ化合物としては、エポキシ基を２個以上有するものを用いることが好ましく、エポキシ当量は１００〜５００であることが好ましい。エポキシ当量を１００以上とすることで、耐熱性樹脂皮膜の靱性を向上することができ、５００以下とすることで熱硬化後に密度の高い網目構造とすることができるため、半導体用接着組成物を高絶縁性にすることができる。

また、（ｂ）エポキシ化合物は液状と固形の２種類を有し、エポキシ化合物全量に対し、液状エポキシ化合物の含有比率が２０重量％以上６０重量％以下であることが必要である。好ましくは３０重量％以上５０重量％以下である。この範囲で液状エポキシ化合物を使用することで半導体用接着組成物に適度な可塑性、可撓性を付与することができ、半導体用接着組成物をシート化した場合にフレキシブルなシート（接着シート）を得ることができる。さらにダイシング時の半導体用接着組成物の割れや欠けが抑制される。液状のエポキシ化合物が２０重量％未満であると、プラスチックフィルム上に半導体用接着組成物を形成しロール状にすると割れやプラスチックフィルムから剥がれるという問題、ダイシング時に接着シートに割れや欠けが発生する問題、半導体ウェハから半導体用接着組成物が剥がれるという問題などが生じる。エポキシ化合物全量に対し、液状エポキシ化合物の含有量が６０重量％を越えるとダイシング時の切削粉が付着しやすくなり、後のフリップチップ実装後の半導体チップと回路基板との接着性や電気導通信頼性が低下する。ここで液状エポキシ化合物とは２５℃、１．０１３×１０^５Ｎ／ｍ^２で１５０Ｐａ・ｓ以下の粘度を示すものであり、２５℃で１５０Ｐａ・ｓを越える粘度を示すものは固形エポキシ化合物を示す。このようなエポキシ化合物であれば特に限定されず、液状エポキシ化合物としては、例えば“エピコート”（登録商標）８２８、エピコート１００２、エピコート１７５０、エピコート１５２、エピコート６３０、（以上商品名、ジャパンエポキシレジン（株）製）、“エピクロン”（登録商標）ＨＰ−４０３２（以上商品名、大日本インキ化学工業（株）製）などが挙げられる。これらを２種以上組み合わせてもよい。また、固形エポキシ化合物としては、エピコート１００２、エピコート１００１、ＹＸ４０００Ｈ、エピコート４００４Ｐ、エピコート５０５０、エピコート１５４、エピコート１５７Ｓ７０、エピコート１８０Ｓ７０、ＹＸ４０００Ｈ（以上商品名、ジャパンエポキシレジン（株）製）、“テピック”（登録商標）Ｓ、テピックＧ、テピックＰ（以上商品名、日産化学工業（株）製）、“エポトート”（登録商標）ＹＨ−４３４Ｌ（商品名、東都化成（株）製）、ＥＰＰＮ５０２Ｈ、ＮＣ３０００（以上商品名、日本化薬（株）製）、エピクロンＮ６９５、エピクロンＨＰ−７２００（以上商品名、大日本インキ化学工業（株）製）などが挙げられる。これらのうち２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

本発明の半導体用接着組成物には、さらに（ｃ）硬化促進剤を用いる。エポキシ化合物と硬化促進剤を組み合わせることで、固形エポキシ化合物および液状のエポキシ化合物の硬化を促進し、短時間で硬化させることができる。硬化促進剤としては、各種イミダゾール、イミダゾールシラン、イミダゾリン、酸無水物などが挙げられる。各種イミダゾールとしては、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイトなどが挙げられる。イミダゾールシランとしては、ＩＳ−１０００、ＩＳ−１０００Ｄ、ＩＭ−１０００、ＳＰ−１０００、ＩＡ−１００Ａ、ＩＡ−１００Ｐ、ＩＡ−１００Ｆ（以上商品名、日鉱マテリアルズ（株）製）などが挙げられる。酸無水物としては、ヘキサハイドロフタル酸無水物、メチルテトラハイドロフタル酸無水物、アデカハードナーＥＨ−３３２６、アデカハードナーＥＨ−７０３、アデカハードナーＥＨ−７０５Ａ（以上商品名、旭電化工業（株）製）、エピクロンＢ−５７０、エピクロンＢ−６５０（以上商品名、大日本インキ化学（株）製）などが挙げられる。（ｃ）硬化促進剤の含有量は、（ｂ）エポキシ化合物の合計１００重量部に対し、０．１〜１０重量部の範囲である必要がある。（ｃ）硬化促進剤の含有量を０．１重量部以上とすることでエポキシ化合物の硬化を効果的に促進し、１０重量部以下とすることで硬化物の絶縁性、耐熱性を向上させることができる。また、（ｃ）硬化促進剤は、水に不溶のものが好ましく用いられる。ここで、水に不溶とは、２５℃、１．０１３×１０^５Ｎ／ｍ^２下の純水への溶解量が５重量％以下のものをいう。水溶性の硬化促進剤はダイシング時に用いる切削水に溶解し、半導体用接着組成物シートの膜面が粗くなったり、硬化性や接着性の低下を引き起こすことがある。

本発明における（ｄ）光吸収剤としては、光源波長が１００ｎｍの紫外線から１１００ｎｍの近赤外線の範囲内で吸収を有するものである。

本発明における（ｄ）光吸収剤として、広範囲の光源波長で吸収を行わせるため、幅広い光吸収波長領域を有しているカーボンブラックが使用される。

（ｄ）光吸収剤であるカーボンブラックの含有量は、（ｂ）エポキシ化合物の合計１００重量部に対し、０．１〜１０重量部の範囲である。カーボンブラックの含有量を０．１重量部以上とすることで光吸収性が高まり、リペア性を付与することができ、１０重量部以下とすることで、硬化物の絶縁性、耐熱性を向上させることができる。

本発明の半導体用接着組成物は高効率の光吸収能を有しているため、半導体用接着組成物の背面に存在する絶縁層や導電層が光照射による分解および分解によって生じる影響を少なくすることができる。

本発明の半導体用接着組成物には、熱可塑性樹脂として、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリプロピレン、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体（ＮＢＲ）、スチレン−ブタジエン共重合体、（ＳＢＲ）、アクリロニトリル−ブタジエン−メタクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体などを、硬化後の膜に対する低応力化剤として添加することができる。また、公知のエポキシ化合物用硬化剤や光透過性を損なわない程度にフィラーを添加することができる。

本発明の半導体用接着組成物は、バンプ電極付き半導体ウェハにコーティングしてもよい。本発明の半導体用接着組成物をシート状に加工するには、均一に混合した半導体用接着組成物をプラスチックフィルム等で挟みプレス圧延、あるいはロール圧延して作製することができる。また、半導体用接着組成物を溶媒中で混合してワニス状としたものをプラスチックフィルム上に塗布、脱溶媒させてシート状に加工することもできる。本発明ではプラスチックフィルムとそのプラスチックフィルム上に形成された半導体用接着組成物を半導体用接着シート材料という。

ここで用いる溶媒としては前記成分を溶解するものを適宜選択すればよく、たとえばケトン系溶剤のアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、エーテル系溶剤の１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジグライム、グリコールエーテル系溶剤のメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、その他ベンジルアルコール、プロパノール、Ｎ−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン、酢酸エチル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等が挙げられる。特に大気圧下沸点が１２０℃以下であるものを用いると、低温、短時間で脱溶媒化できるためシート化加工が容易となる。

塗工機としては、ロールコーター、コンマロールコーター、グラビアコーター、スクリーンコーター、スリットダイコーターなどを用いることができるが、スリットダイコーターがコーティング時の溶媒の揮発が少なく塗布性が安定するため好ましく使用される。

シート化した半導体用接着組成物の厚さは特に限定されないが、例えばシート化した半導体用接着組成物をバンプ電極付き半導体ウェハに貼り合わせる場合には、バンプ電極の平均高さ以上であることが好ましく、より好ましくはバンプ電極の平均高さ以上かつバンプ電極の平均高さと回路基板上のパッド電極平均高さを足し合わせた厚さの１．５倍以下であり、さらにより好ましくは、バンプ電極の平均高さ以上かつバンプ電極の平均高さと回路基板上のパッド電極平均高さを足し合わせた厚さ以下である。なお、バンプ電極の高さは、バンプ電極が形成されていないウェハ面を基準（０μｍ）として計測する。また、回路基板上のパッド電極高さは、パッド電極が形成されている回路基板（ポリイミド、ガラスエポキシ、ガラス、セラミックスなど）の絶縁面を基準（０μｍ）として、全ての電極パッドの高さを計測し、その平均値とする。シート化した半導体用接着組成物の厚さがバンプ電極の平均高さ未満であるとフリップチップボンディング後の半導体チップ、半導体用接着組成物と回路基板との間に空隙ができ、接着力が低下する。また、シート化した半導体用接着組成物の厚さがバンプ電極の平均高さと回路基板上のパッド電極平均高さを足し合わせた厚さの１．５倍を越えると不経済であるだけでなく、半導体チップ下の半導体用接着組成物のはみ出し量が多くなり実装面積が大きくなってしまう問題や、はみ出した半導体用接着組成物が半導体チップ上部にまで回り込みフリップチップボンディング装置の加熱ホーンを汚染しホーンと半導体チップが接着してしまうなどの問題が起きやすい。また、加熱ホーンを汚染した場合は、ホーンの平坦性が損なわれ、フリップチップボンディング時の半導体チップの加熱状態が不均一となり、ボンディング不良が発生し易くなるという問題が発生することがある。

前記方法により作製した半導体用接着シート材においては、プラスチックフィルムと半導体用接着組成物の接着力は２Ｎ／ｍ以上４９Ｎ／ｍ以下にすることが好ましい。２Ｎ／ｍ以上とすることで、プラスチックフィルムと半導体用接着組成物間での意図しない剥離が起きない取り扱いに優れた半導体用接着シート材料を得ることができる。プラスチックフィルムと半導体用接着組成物の接着力を４９Ｎ／ｍ以下とすることで、プラスチックフィルムを剥離した際にプラスチックフィルム表面に半導体用接着組成物が残存しにくくなる。

また、必要に応じ、半導体用接着組成物の上にさらに別のプラスチックフィルムをラミネートして、プラスチックフィルムで上下を挟まれた半導体用接着シート材料を得ることができる。このとき各面の各々の接着力の大きさは特に限定されず、各面が２Ｎ／ｍ以上４９Ｎ／ｍ以下の接着力であることが好ましい。また一方のプラスチックフィルムを（ｅ）プラスチックフィルムとし、他方のプラスチックフィルムを（ｆ）プラスチックフィルムとすると、（ｆ）プラスチックフィルムと半導体用接着組成物間の接着力と（ｅ）プラスチックフィルムと半導体用接着組成物間の接着力の差が５Ｎ／ｍ以上であることが好ましい。ここで、（ｆ）プラスチックフィルムと半導体用接着組成物間の接着力は、（ｅ）プラスチックフィルムと半導体用接着組成物間の接着力より大きい。また前記接着力の差は４７Ｎ／ｍ以下が好ましい。接着力の差を５Ｎ／ｍ以上とすることで、プラスチックフィルムを剥離する際に、半導体用接着組成物の剥がれや浮きを発生させないようにすることができ、接着力の差を４７Ｎ／ｍ以下とすることで、フィルムを剥離した際にプラスチックフィルム表面に半導体用接着組成物が残存しにくくなる。

（ｅ）プラスチックフィルムと半導体用接着組成物の接着力は以下のように測定することができる。まず半導体用接着シート材料を幅２５ｍｍ、長さ３００ｍｍに切り取り、これを厚さ２ｍｍのステンレス板に両面粘着テープを用いて固定する。この際、両面粘着テープの粘着面に（ｅ）プラスチックフィルム面を粘着させるようにする。次に、（ｅ）プラスチックフィルムを半導体用接着組成物から角度９０度の方向に２００ｍｍ／分の速度で引き剥がし、（ｅ）プラスチックフィルムと半導体用接着層の間の接着力（Ｎ／ｍ）を測定する。

（ｆ）プラスチックフィルムと半導体用接着組成物の接着力は以下のように測定することができる。まず、半導体用接着シート材料を幅２５ｍｍ、長さ３００ｍｍに切り取り、（ｆ）プラスチックフィルムを除去した後、両面粘着テープを貼り付けた厚さ２ｍｍのステンレス板上に、両面粘着テープを用いて固定する。この際、両面粘着テープの粘着面に半導体用接着組成物面を粘着させるようにする。（ｆ）プラスチックフィルムを半導体用接着組成物から角度９０度の方向に２００ｍｍ／分の速度で剥がし（ｆ）プラスチックフィルムと半導体用接着組成物の間の接着力（Ｎ／ｍ）を測定する。

ここで使用されるプラスチックフィルムとして、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム等が挙げられる。また、ポリテトラフルオロエチレンフィルム等のフッ素樹脂フィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム等が挙げられる。プラスチックフィルムは離型処理が施されていてもよく、たとえばシリコーン系、長鎖アルキル系、フッ素系、脂肪族アミド系等で離型処理してもよい。プラスチックフィルムと半導体用接着組成物との接着力は、プラスチックフィルムの種類や厚さの選択、液状エポキシ樹脂の量や室温でゴム状態であるタック成分の添加等の半導体用接着組成物の組成、溶媒の種類、半導体用接着シート材料の加熱エージングなどにより制御することができる。

また、（ｆ）プラスチックフィルムの表面に粘着剤層が形成されていてもよい。（ｆ）プラスチックフィルムの表面の粘着剤層が形成されている場合は、この粘着材層面が、半導体用接着組成物と粘着するように（ｆ）プラスチックフィルムと半導体用接着組成物を積層する。この場合、（ｆ）プラスチックフィルムを半導体用接着組成物から剥離する際に、粘着剤が半導体用接着組成物上に残ることがないように、（ｆ）プラスチックフィルムと粘着剤層間の粘着力は、粘着材層と半導体用接着組成物の間の接着力より大きくしておくことが重要である。粘着剤の材料としてはアクリル系、ビニル系、ウレタン系、シリコーン系、ポリエステル系、スチレン−ブタジエン系、イソプレン系、天然ゴム等を用いることができる。粘着・剥離の方式が、感圧粘着型、熱硬化剥離型、光硬化剥離型である粘着剤を用いることができる。粘着剤層の厚みは粘着剤の種類や使用法によって最適なものが決定され、通常１〜５０μｍの範囲のものをもちいることができる。このような粘着剤層を具備したプラスチックフィルムとしては、市販されているバックグラインドテープ、ダイシングテープなどの粘着テープを用いることも可能である。その他、あらかじめ粘着剤層が形成された（ｆ）プラスチックフィルムを用いるのでなく、粘着剤層コーティング等により半導体用接着組成物層上に形成した後に（ｆ）プラスチックフィルムをラミネートなどの方法で粘着剤層が積層された半導体用接着組成物層に形成してもよい。

本発明の半導体装置は、本発明の半導体用接着組成物を硬化させて得られた耐熱性樹脂を搭載したものであれは、その製造方法については特に限定されない。好ましくは次のような方法が挙げられる。電極が形成された半導体素子を複数個形成したウェハの上に、本発明の半導体用接着組成物を半導体素子の電極側に設け、その後ダイシングにより個片化を行い、個片化した半導体用接着組成物付き半導体素子を実装基板に搭載し、半導体用接着組成物を硬化させ、半導体素子上に形成された電極と実装基板上の電極を直接接触させ電気的接続を行う。また、半導体用接着組成物を電極が形成された半導体素子を複数個形成したウェハの上に設けた後、続いてウェハの半導体素子が形成されていない面を研磨加工し、その後ダイシングによる個片化工程を実施してもよい。各工程について以下に説明する。

本発明の半導体装置は、前記半導体用接着組成物の両面にプラスチックフィルムを有している場合、（ｅ）プラスチックフィルムを除去した後、剥き出しになった半導体用接着組成物面をバンプ電極付き半導体ウェハに４０〜１００℃で加熱ラミネートまたは真空加熱ラミネートし仮接着を行う。この温度範囲において半導体用接着組成物の動的粘度は１０〜１０００００Ｐａ・ｓであるのが好ましく、より好ましくは１０００〜１００００Ｐａ・ｓである。半導体用接着組成物の動的粘度が１０Ｐａ・ｓ未満であると取り扱いが困難となり、１０００００Ｐａ・ｓを越えるとバンプ電極が半導体用接着組成物中に埋まらないことや、高圧力でのラミネートが必要となり、ウェハが破損するなどの問題が起きやすい。また、高圧力でラミネートを行うと、ラミネート後に反りが発生しやすいために好ましくない。

次に、必要に応じて下記のようにしてウェハを薄くするためのウェハ裏面の研磨加工（バックグラインド加工）を行っても良い。即ち、前記工程により得られた（ｆ）プラスチックフィルムと半導体用接着組成物付半導体ウェハの（ｆ）プラスチックフィルム面をバックグラインド加工機固定面に設置し、半導体が形成されていないウェハ面（裏面）の研削・研磨加工を行ってもよい。このような加工を行うことで薄型の半導体用接着組成物付半導体ウェハ得ることができる。この加工工程によれば、バックグラインド工程と半導体チップ実装の接着剤塗布を別々に行う通常の方法に比べ工程が簡略化できる。

次に、前記工程により得られた（ｆ）プラスチックフィルムと半導体用接着組成物付半導体ウェハとテープフレームをダイシングテープに貼り付ける。この際、（ｆ）プラスチックフィルムと半導体用接着組成物付半導体ウェハは、バンプ電極と反対側の面をダイシングテープの粘着面に粘着させるようにする。その後、ダイシングを行う。

ダイシング工程では、まずカットテーブル上に、前記方法により作製した（ｆ）プラスチックフィルムと半導体用接着組成物が付いたバンプ電極付き半導体ウェハをダイシングテープで貼り付けたテープフレームをセットし、次に（ｆ）プラスチックフィルムを剥離する。カットサイズ、切削速度、深さ、ブレード回転数、切削水量など各ダイシング条件を所定の値に設定しダイシングを行う。ダイシング後のウェハの乾燥は２５〜１００℃、１０秒〜４時間で処理することが望ましい。ダイシングして得られる半導体用接着組成物付き半導体素子の、ダイシングによる半導体用接着剤組成物の割れ、欠けおよび半導体ウェハからの剥がれは、切削端部を基準位置０μｍとして最大長さが２５μｍ以内であることが好ましい。半導体用接着剤組成物の割れ、欠け、または半導体ウェハからの剥がれが、２５μｍを越えた場合、ダイシング時およびダイシング後の半導体用接着組成物に水が吸着、付着しやすくなる。吸着した水は、後に行われるフリップチップ実装時に接着剤組成物層に空隙、ボイドが生じる原因となり、接着力の低下および電気的信頼性の低下を引き起こす。この半導体用接着組成物の割れ、欠けおよび半導体ウェハからの剥がれはクロスカット部分（半導体チップの角に当たる部分）で発生しやすい。

次にダイシングにより得られた半導体用接着組成物付き半導体チップは、通常のフリップチップボンダーを用いて半導体チップの電極と回路基板の電極が直接接触するように回路基板に実装される。実装条件は半導体チップと回路基板の電気的接続が良好に得られる範囲であれば特に限定されるものではなく、バンプや回路基板の電極の材質に応じて適宜に決定される。また、半導体用接着組成物の硬化が不十分な場合は、実装後に半導体チップ実装回路基板を加熱し、半導体用接着組成物の硬化をさらに進めてもよい。この半導体チップ実装回路基板に電気的な接続不良や半導体用接着組成物の空隙、ボイドの発生等の接続不良が生じていた場合、これらの他、フリップチップボンダーの操作ミスなど人為的なミスが生じた場合、半導体チップと回路基板に分離させるといったリペアを行う。リペアは半導体用接着組成物に光を照射し、半導体用接着組成物中の光吸収剤で光を吸収しエネルギーを熱に変換し発熱させ有機成分を分解させることで半導体用接着組成物を分解させる。これにより基板間の接着力の低下、剥離用溶剤への溶解性向上が起こり、半導体チップと回路基板を分離することができる。半導体用接着組成物に使用した光吸収剤の吸収波長域に合わせて、光照射に使用する光源を適宜選択することができる。光源として紫外線の場合は、水銀灯、メタルハライドランプ、紫外レーザー等を用いることができる。可視光線としてはハロゲンランプを用いることができる。近赤外光線としては、ＹＡＧレーザー、ガラスレーザー等の固体レーザー、Ｈｅ−Ｎｅレーザー、ＣＯ_２レーザー、ＣＯレーザー、その他の放電励起分子レーザー、エキシマーレーザーなどの気体レーザー、化学レーザー、色素レーザー、半導体レーザー等を使用することができる。半導体レーザーの組成とその発振波長範囲を例示すると、ＩｎＧａＰレーザー（０．６５〜１．０μｍ）、ＡｌＧａＡｓレーザー（０．７〜１．０μｍ）、ＧａＡｓＰレーザー（０．７〜１．０μｍ）、ＩｎＧａＡｓレーザー（１．０〜３．５μｍ）、ＩｎＡｓＰレーザー（１．０〜３．５μｍ）、ＣｄＳｎＰ_２レーザー（１．０１μｍ）、ＧａＳｂレーザー（１．５３μｍ）等である。これらレーザーの２倍波、３倍波、４倍波などの高調波を照射しても良い。照射方法としては、パルス照射もしくは連続光照射で使用できる。

また、本発明の半導体用接着組成物は光の照射により被接着体との分離が容易となる特徴を利用し、例えば、次のような方法により薄型の多層配線基板を作製することができる。寸法安定性に優れ、光線を透過するガラスなどの基板上に本発明の半導体用接着組成物を積層する。次に電子部品接着組成物上に公知の方法により多層配線層を形成する。次に光を半導体用接着組成物に照射し基板と多層配線層部分を分離し、この多層配線層部分を多層配線基板として用いることができる。

本発明の半導体用接着組成物は、ダイシングにより個片化したＩＣ、ＬＳＩ等半導体チップをフレキシブル基板、ガラスエポキシ基板、ガラス基板、セラミックス基板などの回路基板に直接電気的接合する接着剤として好適に利用可能である。

以下実施例等をあげて本発明を説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。

合成例１ 有機溶剤可溶性ポリイミドＡの合成
乾燥窒素気流下、２，２−ビス（３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン（以下、ＢＡＨＦとする）２４．５４ｇ（０．０６７モル）、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン（以下、ＳｉＤＡとする）４．９７ｇ（０．０２モル）、末端封止剤として、３−アミノフェノール（以下、３−Ａｐｈとする）２．１８ｇ（０．０２モル）をＮＭＰ８０ｇに溶解させた。ここにビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物（以下、ＯＤＰＡとする）３１．０２ｇ（０．１モル）をＮＭＰ２０ｇとともに加えて、２０℃で１時間反応させ、次いで５０℃で４時間撹拌した。その後、キシレンを１５ｇ添加し、水をキシレンとともに共沸させながら、１８０℃で５時間攪拌した。攪拌終了後、溶液を水３Ｌに投入して白色沈殿したポリマーを得た。この沈殿をろ過して回収し、水で３回洗浄した後、真空乾燥機を用いて８０℃、２０時間乾燥した。得られたポリマー固体の赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７８０ｃｍ^−１付近、１３７７ｃｍ^−１付近にポリイミドに起因するイミド構造の吸収ピークが検出された。このようにしてエポキシ基と反応可能な官能基を有し、一般式（１）で表される構造が７．４重量％含まれる有機溶剤可溶性ポリイミドＡを得た。得られたポリマー４ｇにテトラヒドロフラン６ｇを加え、２３℃で撹拌したところ溶解した。

合成例２ 有機溶剤可溶性ポリイミドＢの合成
乾燥窒素気流下、ＢＡＨＦ１８．３１ｇ（０．０５モル）、ＳｉＤＡ７．４６ｇ（０．０３モル）、末端封止剤として、３−Ａｐｈ４．３７ｇ（０．０４モル）をＮＭＰ１５０ｇに溶解させた。ここに２，２−ビス（４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル）プロパン二無水物（以下、ＢＳＡＡとする）５２ｇ（０．１モル）をＮＭＰ３０ｇとともに加えて、２０℃で１時間反応させ、次いで５０℃で４時間撹拌した。その後、１８０℃で５時間攪拌した。攪拌終了後、溶液を水３Ｌに投入して白色沈殿したポリマーを得た。この沈殿をろ過して回収し、水で３回洗浄した後、真空乾燥機を用いて８０℃、２０時間乾燥した。得られたポリマー固体の赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７８０ｃｍ^−１付近、１３７７ｃｍ^−１付近にポリイミドに起因するイミド構造の吸収ピークが検出された。このようにしてエポキシ基と反応可能な官能基を有し、一般式（１）で表される構造が８．３重量％含まれる有機溶剤可溶性ポリイミドＢを得た。得られたポリマー４ｇにテトラヒドロフラン６ｇを加え、２３℃で撹拌したところ溶解した。

合成例３ 有機溶剤可溶性ポリイミドＣの合成
乾燥窒素気流下、ＢＡＨＦ１４．６５ｇ（０．０４モル）、ＳｉＤＡ９．９６ｇ（０．０４モル）をＮＭＰ１３０ｇに溶解させた。ここに２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（以下、６ＦＤＡとする）４４．４２ｇ（０．１モル）をＮＭＰ２０ｇとともに加えて、２０℃で１時間撹拌し、次いで５０℃で２時間撹拌した。ここに末端封止剤として３−Ａｐｈ３．２７ｇ（０．０４モル）を加え、５０℃で２時間攪拌後、１８０℃で５時間攪拌した。攪拌終了後、溶液を水３Ｌに投入して白色沈殿したポリマーを得た。この沈殿をろ過して回収し、水で３回洗浄した後、真空乾燥機を用いて８０℃、２０時間乾燥した。得られたポリマー固体の赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７８０ｃｍ^−１付近、１３７７ｃｍ^−１付近にポリイミドに起因するイミド構造の吸収ピークが検出された。このようにしてエポキシ基と反応可能な官能基を有し、一般式（１）で表される構造が１２．４重量％含まれる有機溶剤可溶性ポリイミドＣを得た。得られたポリマー４ｇにテトラヒドロフラン６ｇを加え、２３℃で撹拌したところ溶解した。

合成例４ 有機溶剤可溶性ポリイミドＤの合成
乾燥窒素気流下、ＢＡＨＦ２９．３ｇ（０．０８モル）、ＳｉＤＡ４．９７ｇ（０．０２モル）をＮＭＰ１３０ｇに溶解させた。ここにＯＤＰＡ２８．５４ｇ（０．０９２モル）をＮＭＰ２０ｇとともに加えて、２０℃で１時間撹拌し、次いで５０℃で２時間撹拌した。ここに末端封止剤として４−ヒドロキシフタル酸無水物３．２８ｇ（０．０２モル）を加え、５０℃で２時間攪拌した。その後、キシレンを１５ｇ添加し、水をキシレンとともに共沸させながら、１８０℃で５時間攪拌した。攪拌終了後、溶液を水３Ｌに投入して白色沈殿したポリマーを得た。この沈殿をろ過して回収し、水で３回洗浄した後、真空乾燥機を用いて８０℃、２０時間乾燥した。得られたポリマー固体の赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７８０ｃｍ^−１付近、１３７７ｃｍ^−１付近にポリイミドに起因するイミド構造の吸収ピークが検出された。このようにしてエポキシ基と反応可能な官能基を有し、一般式（１）で表される構造が１４重量％含まれる有機溶剤可溶性ポリイミドＤを得た。得られたポリマー４ｇにテトラヒドロフラン６ｇを加え、２３℃で撹拌したところ溶解した。

合成例５ 有機溶剤可溶性ポリイミドＥの合成
乾燥窒素気流下、ＢＡＨＦ２９．３ｇ（０．０８モル）、ＳｉＤＡ４．９７ｇ（０．０２モル）をＮＭＰ１３０ｇに溶解させた。ここにＯＤＰＡ２８．５４ｇ（０．０９２モル）をＮＭＰ２０ｇとともに加えて、２０℃で１時間撹拌し、次いで５０℃で２時間撹拌した。ここに末端封止剤として４−ニトロフェニルサリチル酸５．１８ｇ（０．０２モル）を加え、５０℃で２時間攪拌した。その後、キシレンを１５ｇ添加し、水をキシレンとともに共沸させながら、１８０℃で５時間攪拌した。攪拌終了後、溶液を水３Ｌに投入して白色沈殿したポリマーを得た。この沈殿をろ過して回収し、水で３回洗浄した後、真空乾燥機を用いて８０℃、２０時間乾燥した。得られたポリマー固体の赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７８０ｃｍ^−１付近、１３７７ｃｍ^−１付近にポリイミドに起因するイミド構造の吸収ピークが検出された。このようにしてエポキシ基と反応可能な官能基を有し、一般式（１）で表される構造が１４．２重量％含まれる有機溶剤可溶性ポリイミドＥを得た。得られたポリマー４ｇにテトラヒドロフラン６ｇを加え、２３℃で撹拌したところ溶解した。

合成例６ 有機溶剤可溶性ポリイミドＦの合成
ＢＡＨＦ１８．３ｇ（０．０５モル）をアセトン１００ｍｌ、プロピレンオキシド１７．４ｇ（０．３モル）に溶解させ、−１５℃に冷却した。ここに４−ニトロベンゾイルクロリド２０．４ｇ（０．１１モル）をアセトン１００ｍｌに溶解させた溶液を滴下した。滴下終了後、−１５℃で４時間撹拌し、その後室温に戻した。析出した白色固体をろ別し、５０℃で真空乾燥した。

固体３０ｇを３００ｍｌのステンレスオートクレーブに入れ、メチルセルソルブ２５０ｍｌに分散させ、５％パラジウム−炭素を２ｇ加えた。ここに水素を風船で導入して、還元反応を室温で行った。約２時間後、風船がこれ以上しぼまないことを確認して反応を終了させた。反応終了後、ろ過して触媒であるパラジウム化合物を除き、ロータリーエバポレーターで濃縮し、ヒドロキシル基含有ジアミン化合物（II）を得た。得られた固体をそのまま反応に使用した。

乾燥窒素気流下、ＢＡＨＦ２４．５４ｇ（０．０６７モル）、ヒドロキシル基含有ジアミン化合物（II）６．０４ｇ（０．０１モル）、ＳｉＤＡ２．４９ｇ（０．０１モル）をＮＭＰ２５０ｇに溶解させた。ここに２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エチレン二無水物（以下、ＴＭＥＧ−１００とする）４１．０３ｇ（０．１モル）、末端封止剤として４−アミノチオフェノール（東京化成工業（株）製）４．４５ｇ（０．０３モル）を加えて、６０℃で６時間撹拌した。その後、キシレンを１５ｇ添加し、キシレンとともに反応水を共沸させながら、１５０℃で５時間攪拌した。攪拌終了後、溶液を水２Ｌに投入して白色沈殿したポリマーを得た。この沈殿をろ過して回収し、水で３回洗浄した後、真空乾燥機を用いて８０℃、２０時間乾燥した。得られたポリマー固体の赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７８０ｃｍ^−１付近、１３７７ｃｍ^−１付近にポリイミドに起因するイミド構造の吸収ピークが検出された。このようにしてエポキシ基と反応可能な官能基を有し、一般式（１）で表される構造が２．９重量％含まれる有機溶剤可溶性ポリイミドＦを得た。得られたポリマー４ｇにテトラヒドロフラン６ｇを加え、２３℃で撹拌したところ溶解した。

合成例７ 有機溶剤可溶性ポリイミドＧの合成
乾燥窒素気流下、ＢＡＨＦ１８．３ｇ（０．０５モル）とアリルグリシジルエーテル３４．２ｇ（０．３モル）をガンマブチロラクトン（ＧＢＬ）１００ｇに溶解させ、−１５℃に冷却した。ここにＧＢＬ５０ｇに溶解させた無水トリメリット酸クロリド２２．１ｇ（０．１１モル）を反応液の温度が０℃を越えないように滴下した。滴下終了後、０℃で４時間撹拌した。この溶液をロータリーエバポレーターで濃縮して、トルエン１ｌに投入してヒドロキシル基含有酸無水物（Ｉ）を得た。

乾燥窒素気流下、ＢＡＨＦ３０．０３ｇ（０．０８２モル）、ＳｉＤＡ３．７３ｇ（０．０１５モル）、末端封止剤として、４−アミノチオフェノール（東京化成工業（株）製）４．４５ｇ（０．０３モル）をＮＭＰ１００ｇに溶解させた。ここにヒドロキシル基含有酸無水物（Ｉ）７１．４５ｇ（０．１モル）をＮＭＰ３０ｇとともに加えて、２０℃で１時間反応させ、次いで５０℃で４時間反応させた。その後、１８０℃で５時間攪拌した。攪拌終了後、溶液を水３ｌに投入して白色沈殿したポリマーを得た。この沈殿をろ過して回収し、水で３回洗浄した後、真空乾燥機を用いて２００℃、５時間乾燥した。得られたポリマー固体の赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７８０ｃｍ^−１付近、１３７７ｃｍ^−１付近にポリイミドに起因するイミド構造の吸収ピークが検出された。このようにしてエポキシ基と反応可能な官能基を有し、一般式（１）で表される構造が３重量％含まれる有機溶剤可溶性ポリイミドＧを得た。得られたポリマー４ｇにテトラヒドロフラン６ｇを加え、２３℃で撹拌したところ溶解した。

合成例８ 有機溶剤可溶性ポリイミドＨの合成
乾燥窒素気流下、ＢＡＨＦ２５．６４ｇ（０．０７モル）、ＳｉＤＡ４．９７ｇ（０．０２モル）、末端封止剤として、３−Ａｐｈ２．１８ｇ（０．０２モル）をＮＭＰ１５０ｇに溶解させた。ここにＯＤＰＡ１５．５１ｇ（０．０５モル）、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）１４．７１ｇ（０．０５モル）をＮＭＰ３０ｇとともに加えて、２０℃で１時間反応させ、次いで５０℃で４時間反応させた。その後、１８０℃で５時間攪拌した。攪拌終了後、溶液を水３Ｌに投入して白色沈殿したポリマーを得た。この沈殿をろ過して回収し、水で３回洗浄した後、真空乾燥機を用いて８０℃、２０時間乾燥した。得られたポリマー固体の赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７８０ｃｍ^−１付近、１３７７ｃｍ^−１付近にポリイミドに起因するイミド構造の吸収ピークが検出された。このようにしてエポキシ基と反応可能な官能基を有し、一般式（１）で表される構造が７．３重量％含まれる有機溶剤可溶性ポリイミドＨを得た。得られたポリマー４ｇにテトラヒドロフラン６ｇを加え、２３℃で撹拌したところ溶解した。

合成例９ 有機溶剤可溶性ポリイミドＩの合成
乾燥窒素気流下、ＢＡＨＦ１４．６５ｇ（０．０４モル）、ＳｉＤＡ１２．４２ｇ（０．０５モル）、末端封止剤として、３−Ａｐｈ２．１８ｇ（０．０２モル）をＮＭＰ８０ｇに溶解させた。ここにＯＤＰＡ３１．０２ｇ（０．１モル）をＮＭＰ２０ｇとともに加えて、２０℃で１時間反応させ、次いで５０℃で４時間撹拌した。その後、キシレンを１５ｇ添加し、水をキシレンとともに共沸させながら、１８０℃で５時間攪拌した。攪拌終了後、溶液を水３Ｌに投入して白色沈殿したポリマーを得た。この沈殿をろ過して回収し、水で３回洗浄した後、真空乾燥機を用いて８０℃、２０時間乾燥した。得られたポリマー固体の赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７８０ｃｍ^−１付近、１３７７ｃｍ^−１付近にポリイミドに起因するイミド構造の吸収ピークが検出された。このようにしてエポキシ基と反応可能な官能基を有し、一般式（１）で表される構造が１９．１重量％含まれる有機溶剤可溶性ポリイミドＩを得た。得られたポリマー４ｇにテトラヒドロフラン６ｇを加え、２３℃で撹拌したところ溶解した。

合成例１０ 有機溶剤可溶性ポリイミドＪの合成
乾燥窒素気流下、ＢＡＨＦ２８．２ｇ（０．０７７モル）、ＳｉＤＡ０．７５ｇ（０．００３モル）、末端封止剤として、３−Ａｐｈ４．３７ｇ（０．０４モル）をＮＭＰ８０ｇに溶解させた。ここにＯＤＰＡ３１．０２ｇ（０．１モル）をＮＭＰ２０ｇとともに加えて、２０℃で１時間反応させ、次いで５０℃で４時間撹拌した。その後、キシレンを１５ｇ添加し、水をキシレンとともに共沸させながら、１８０℃で５時間攪拌した。攪拌終了後、溶液を水３Ｌに投入して白色沈殿したポリマーを得た。この沈殿をろ過して回収し、水で３回洗浄した後、真空乾燥機を用いて８０℃、で、２０時間乾燥した。得られたポリマー固体の赤外吸収スペクトルを測定したところ、１７８０ｃｍ^−１付近、１３７７ｃｍ^−１付近にポリイミドに起因するイミド構造の吸収ピークが検出された。このようにしてエポキシ基と反応可能な官能基を有し、一般式（１）で表される構造が１．１重量％含まれる有機溶剤可溶性ポリイミドＪを得た。得られたポリマー２ｇにテトラヒドロフラン６ｇを加え、２３℃で撹拌したところ溶解した。

その他に実施例、比較例で用いた各材料は以下のとおりである。

固形エポキシ化合物
エピコート１５７Ｓ７０（商品名、エポキシ当量：２１０ｇ／ｅｑ、ジャパンエポキシレジン（株）製）
エピコート１５４（商品名、エポキシ当量：１８０ｇ／ｅｑ、ジャパンエポキシレジン（株）製）
エポトートＹＨ−４３４Ｌ（商品名、エポキシ当量：１３０ｇ／ｅｑ、東都化成（株）製）
エピコート１００１（商品名、エポキシ当量：４６０ｇ／ｅｑ、ジャパンエポキシレジン（株）製）。

液状エポキシ化合物
エピコート８２８（商品名、エポキシ当量１８７ｇ／ｅｑ、ジャパンエポキシレジン（株）製）
エピコート１７５０（商品名、エポキシ当量１５８ｇ／ｅｑ、ジャパンエポキシレジン（株）製）
エピクロンＨＰ−４０３２（商品名、エポキシ当量１５２ｇ／ｅｑ、大日本インキ化学工業（株）製）
エピコート１５２（商品名、エポキシ当量１７５ｇ／ｅｑ、ジャパンエポキシレジン（株）製）。

硬化促進剤
２−フェニルイミダゾール（商品名２ＰＺ、四国化成工業（株）製、非水溶性）
２−エチル−４−メチルイミダゾール（商品名２Ｅ４ＭＺ、四国化成工業（株）製、水溶性）
光吸収剤
カーボンブラック（商品名ＭＡ１００Ｒ、三菱化学（株）製）
ベンゾオキサジン（商品名Ｐ−ｂ型ベンゾオキサジン、四国化成工業（株）製）
球状シリカフィラー
ＳＯ−Ｅ５（商品名、アドマテックス（株）製）
カルボキシル化ＮＢＲ
ＰＮＲ−１ＨＣ（商品名、ＪＳＲ（株）製）
溶剤：メチルエチルケトン、ｎ−プロピルアルコール、テトラヒドロフラン。

実施例中の半導体用接着組成物の評価は以下の方法により行った。

１．ラミネート工程および評価
ロール状に巻き取られた半導体用接着シート材料のバンプ電極への埋め込みは、貼り合わせ装置（テクノビジョン（株）製、モデル９００Ｓ）を用いた。

まず、半導体用接着シート材料から軽剥離側プラスチックフィルム（例えば実施例１においてはポリプロピレンフィルム）を除去し、半導体用接着組成物面を露出させた。この時、半導体用接着組成物面の剥離痕の有無、さらには半導体用接着組成物の重剥離側プラスチックフィルム（例えば実施例１においてはポリエチレンテレフタレートフィルム）からの剥離、脱落の有無を観察し、それぞれについて、有りの場合を×、無しの場合を○とし、剥離性を評価した。さらに半導体用接着組成物面が外向きになるように曲率半径５ｍｍで曲げたときに、半導体用接着組成物の割れの有無、または重剥離側プラスチックフィルムからの剥がれの有無を観察し、有りの場合を×、無しの場合を○として半導体用接着組成物の可撓性を評価した。

次いで、貼り合わせ装置ステージ上に固定された平均高さ２０μｍのバンプ電極付き（１０８バンプ／チップ、ピッチ１３０μｍ、金メッキバンプ）シリコンウェハ（直径１５０ｍｍ、厚さ５５０μｍ）のバンプ電極に軽剥離側プラスチックフィルムを剥離した後の半導体用接着シート材料の半導体用接着組成物面を温度６０℃、貼り合わせ速度５０ｃｍ／分でラミネートした。この時、ボイドまたは空隙の有無を半導体用接着組成物面および断面を顕微鏡観察（２０倍率）し、バンプ電極周辺および半導体用接着組成物とシリコンウェハ界面のボイドまたは空隙の有無を観察し、ボイド、空隙がある場合は×、それ以外は○とした。半導体ウェハ周囲の余分な半導体用接着組成物はカッター刃にて切断し、プラスチックフィルム（例えば実施例１においてはポリエチレンテレフタレートフィルム）を具備したバンプ電極が半導体用接着剤で埋め込まれた半導体ウェハを得た。

２．ダイシング工程および評価
前記１．で得られた半導体ウェハのテープフレーム、およびダイシングテープへの固定は、ウェハマウンター装置（テクノビジョン（株）製、ＦＭ−１１４６−ＤＦ）を用い、バンプ電極とは反対側のウェハ基板面にダイシングテープ（リンテック（株）製、Ｄ−６５０）を貼り合わせることによって行った。次いで残りのプラスチックフィルムを除去した。ダイシング装置（ＤＩＳＣＯ（株）製、ＤＦＤ−６２４０）の切削ステージ上に、半導体用接着組成物面が上になるようテープフレームを固定して、以下のような切削条件でダイシングを行った。
ダイシング装置：ＤＦＤ−６２４０（ＤＩＳＣＯ（株）製）
半導体チップサイズ：５×５ｍｍ
ブレード：ＮＢＣ−ＺＨ １２７Ｆ−ＳＥ ２７ＨＣＣＣ
スピンドル回転数：２５０００ｒｐｍ
切削速度：５０ｍｍ／ｓ
切削深さ：ダイシングテープの深さ２０μｍまで切り込む
カット：ワンパスフルカット
カットモード：ダウンカット
切削水量：３．７Ｌ／分
切削水および冷却水：温度２３℃、電気伝導度０．５ＭΩ・ｃｍ（超純水に炭酸ガスを注入）
バンプ電極が半導体用接着剤組成物で埋め込まれた半導体ウェハをダイシングにより個片チップ化したもの（半導体チップ）について、半導体用接着組成物表面の切削粉の付着の有無、半導体用接着組成物表面の割れ、欠けの有無、ウェハから接着剤層の剥がれの有無を顕微鏡により観察した。切削粉の付着については半導体用接着組成物表面に切削粉の付着のないものを○、付着があるものを×として耐汚染性を評価した。また、割れ、欠け、ウェハから半導体用接着組成物の剥がれについては、半導体用接着組成物の切削端部から半導体用接着組成物の割れ、欠けおよびウェハからの剥がれの長さが２５μｍ以下の場合を○、２５μｍを越えるものを×とし、耐傷性を評価した。この割れ、欠けおよびウェハからの剥がれの模式図を図１に示した。符号１は組成物が塗布された半導体ウェハの一部であり、発生した接着組成物の割れ・欠け部を符号２、クラックを符号３で示した。また、接着組成物の割れ、欠けの大きさを測定するために、割れ・欠け２やクラック３の大きさは符号４で示した欠損部長さとして表される。また符号５は切削端部を示し、符号６は欠損部の長さでも最大のものを表している。

３．フリップチップボンディングおよび評価
前記２．で作製したバンプ電極が半導体用接着組成物で埋め込まれた半導体チップの回路基板への接続は、フリップチップボンディング装置（トライテック（株）製、ＤＢ−１００）を用いた。また、錫メッキを施した厚さ９μｍのパッド電極が付いている、厚さ０．７ｍｍのガラスを回路基板とした。前記２．で作製した半導体チップのバンプ電極とパッド電極付きガラス回路基板上のパッド電極が重なるようにして、温度２００℃、時間２０ｓ、圧力０．４ＭＰａの条件でフリップチップボンディングを行った。これによりガラス回路基板上に半導体チップを搭載した半導体付き回路基板を得た。ボンディング終了後、ガラス回路基板の半導体チップが実装されていない側から透して、実装した半導体チップの空隙またはボイドの有無を、半導体用接着組成物面および断面を顕微鏡（２０倍率）により観察し、接続性を評価した。空隙またはボイドがある場合は×、それ以外は○とした。

４．リペア性評価
前記３．で作製した半導体チップを搭載した半導体付き回路基板のリペア性を評価した。ガラス回路基板の半導体チップが実装されていない側から半導体レーザーを照射した。照射後、実装した半導体チップがガラス回路基板からバキュームピンセットを用いて剥離可能であった場合を○、剥離が不可であった場合を×と評価した。レーザーには波長１０６４ｎｍのＹＡＧレーザーを用い、出力２Ｗの光を照射した。バキュームピンセットには、白光（株）製の真空吸着式ピンセット３９２と同社製のパッドＡ１１６６を用いた。

実施例１〜６および比較例１〜６
表１に示す各成分を表１に示す配合比になるように調合しボールミルを用いて分散処理を行い、半導体用接着組成物を作製した。

作製した半導体用接着組成物を、スリットダイコーター（塗工機）を用いて、シリコーン系の離型処理を行った厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、１００℃で４分間乾燥を行った。乾燥後の半導体用接着組成物上にプラスチックフィルムとして厚さ１５μｍのポリプロピレンフィルムを加熱ロール温度４０℃でラミネートし、直径７．６ｃｍの紙管にロール状に巻き取り、半導体用接着組成物層の厚さが３０μｍである半導体用接着シート材料（ポリプロピレンフィルム、半導体用接着組成物層、ポリエチレンテレフタレートフィルムの３層構造）を得た。

得られた半導体用接着シート材料を用いて次のようにして、前述の方法で半導体装置を作製し、評価を行った。評価結果を表１に示す。

実施例７
表１の組成比に基づいて作製した半導体用接着組成物を用い、プラスチックフィルムとして、ポリプロピレンフィルムをシリコーン系の離型処理を行った厚さ３８μｍポリエチレンテレフタレートフィルムに換えた以外は実施例１と同様にして半導体用接着シート材料を得た。これを用いて実施例１と同様にして半導体装置を作製し、評価を行った。

実施例８
表１の組成比に基づいて作製した半導体用接着組成物を用い、塗布用のプラスチックフィルムとして、離型処理をしていない厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用いた以外は実施例１と同様にして半導体用接着シート材料を得た。これを用いて実施例１と同様にして半導体装置を作製し、評価を行った。

実施例１〜８および比較例１〜６のワニス組成および評価結果を表１に示した。実施例１〜８のフリップチップボンディング後の試料を半導体と回路基板の界面に垂直な方向から顕微鏡観察を行い、半導体チップに対する接着剤のはみ出しを評価したところ、はみ出しが最も大きいところでも０．２ｍｍと非常に小さいものであった。

実施例９
表２に記載された組成比で、実施例１と同様に半導体用接着組成物を作製した。この半導体用接着組成物ワニスを、スリットダイコーター（塗工機）を用いて、厚さ８０μｍの未延伸ポリプロピレンフィルム（商品名、トレファンＮＯ型番ＺＫ−９９、東レ（株）製）の親水化処理を行っていない面上に塗布し、その後７５℃で４分間乾燥を行った。乾燥後の半導体用接着組成物上にプラスチックフィルムとして厚さ１５μｍの２軸延伸ポリプロピレンフィルム（商品名、トレファンＢＯ型番ＹＫ５７）の未処理面を重ね、加熱ロール温度４０℃でラミネートし、直径７．６ｃｍの紙管にロール状に巻き取り、半導体用接着層の厚さが３０μｍの半導体用接着シート材料を得た。

得られた半導体用接着シート材料を用いた以外は実施例１と同様にして評価した。結果を表２に示す。

実施例１０〜１２１、比較例７〜６４
表２〜１３に記載された組成比で、実施例１と同様に半導体用接着組成物を作製した。得られた各半導体用接着組成物を、実施例９と同様にしてフィルムに塗布し、半導体用接着シート材料を得た。実施例９と同様にして評価し、得られた結果を表２〜１３に示す。

実施例９〜１２１、比較例７〜６４について、各例で使用した原材料を以下に示す。

有機溶剤可溶性ポリイミド
有機溶剤可溶性ポリイミドＡ（前記の合成物）
有機溶剤可溶性ポリイミドＢ（前記の合成物）
有機溶剤可溶性ポリイミドＣ（前記の合成物）
ＰＩ−１０１（商品名、丸善石油化学（株）製）、なお、４ｇのＰＩ−１０１にテトラヒドロフラン６ｇを加え、２３℃で撹拌したところ溶解した。

固形エポキシ化合物
エピコート１５７Ｓ７０（商品名、エポキシ当量：２１０ｇ／ｅｑ、ジャパンエポキシレジン（株）製）
エピクロンＨＰ−７２００Ｈ（商品名、エポキシ当量：２８０ｇ／ｅｑ、大日本インキ化学工業（株）製）
液状エポキシ化合物
エピコート８２８（商品名、エポキシ当量１８７ｇ／ｅｑ、ジャパンエポキシレジン（株）製）
エピコートＹＸ８０００（商品名、エポキシ当量２０５ｇ／ｅｑ、ジャパンエポキシレジン（株）製）
硬化促進剤
２ＰＺ（商品名、四国化成工業（株）製、非水溶性）
２Ｅ４ＭＺ（商品名、四国化成工業（株）製、水溶性）
光吸収剤
カーボンブラック（商品名ＭＡ１００Ｒ、三菱化学（株）製）
溶剤：メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、ｎ−プロピルアルコール。

実施例１２２〜１４１、比較例６５〜８４
表１５〜１６の組成比に基づいて作製した半導体用接着組成物を用い、前記３．フリップチップボンディング時間を６０ｓにした以外は実施例９と同様にして評価した。実施例１２２〜１４１、比較例６５〜８４の半導体用接着組成物の組成および評価結果を表１４〜１５に示した。

実施例３９〜５９、１０２〜１２１、１２２〜１４１および比較例２７〜３２、４５〜６４、６５〜８４で使用したポリイミドＡを有機溶剤可溶性ポリイミドＤに換えた以外は同様にして、サンプル作製、評価を行ったところ、実施例３９〜５９、１０２〜１２１、１２２〜１４１および比較例２７〜３２、４５〜６４、６５〜８４と同様の結果を得た。

実施例３９〜５９、１０２〜１２１、１２２〜１４１および比較例２７〜３２、４５〜６４、６５〜８４で使用したポリイミドＡを有機溶剤可溶性ポリイミドＥに換えた以外は同様にして、サンプル作製、評価を行ったところ、実施例３９〜５９、１０２〜１２１、１２２〜１４１および比較例２７〜３２、４５〜６４、６５〜８４と同様の結果を得た。

実施例３９〜５９、１０２〜１２１、１２２〜１４１および比較例２７〜３２、４５〜６４、６５〜８４で使用したポリイミドＡを有機溶剤可溶性ポリイミドＦに換えた以外は同様にして、サンプル作製、評価を行ったところ、実施例３９〜５９、１０２〜１２１、１２２〜１４１および比較例２７〜３２、４５〜６４、６５〜８４と同様の結果を得た。

実施例３９〜５９、１０２〜１２１、１２２〜１４１および比較例２７〜３２、４５〜６４、６５〜８４で使用したポリイミドＡを有機溶剤可溶性ポリイミドＧに換えた以外は同様にして、サンプル作製、評価を行ったところ、実施例３９〜５９、１０２〜１２１、１２２〜１４１および比較例２７〜３２、４５〜６４、６５〜８４と同様の結果を得た。

実施例３９〜５９、１０２〜１２１、１２２〜１４１および比較例２７〜３２、４５〜６４、６５〜８４で使用したポリイミドＡを有機溶剤可溶性ポリイミドＨに換えた以外は同様にして、サンプル作製、評価を行ったところ、実施例３９〜５９、１０２〜１２１、１２２〜１４１および比較例２７〜３２、４５〜６４、６５〜８４と同様の結果を得た。

実施例１４２、１４３
表１６に記載された組成比で、実施例１と同様に半導体用接着組成物を作製した。得られた各半導体用接着組成物を、実施例９と同様にしてフィルムに塗布し、半導体用接着シート材料を得た。実施例９と同様にして評価し、得た結果を表１６に示す。

実施例１４４
表６の実施例４０に記載された組成比で実施例１と同様にして半導体用接着組成物ワニスを作製した。この半導体用接着組成物を、スリットダイコーター（塗工機）を用いて、厚さ８０μｍの未延伸ポリプロピレンフィルム（商品名、トレファンＮＯ型番ＺＫ−９９、東レ（株）製）の親水化処理を行っていない面上に塗布し、その後７５℃で４分間乾燥を行った。乾燥後の半導体用接着組成物上に、厚さ１６０μｍの粘着剤層が形成されたプラスチック製ベースフィルム（商品名、ＢＧＥ−１２４Ｓ、トーヨーアドテック（株）製）を、粘着剤層面が半導体用接着組成物に粘着するように、加熱ロール温度２５℃でラミネートし、直径７．６ｃｍの紙管にロール状に巻き取った。これにより、ポリプロピレンフィルム、半導体用接着組成物層、粘着剤層、プラスチックフィルムがこの順に４層積層されたバックグラインドテープ機能と電子部品接着機能を併せ持つ半導体用接着シート材料を得た。

ロール状に巻き取られたバックグラインドテープ機能と電子部品接着機能を併せ持つ半導体用接着シート材料のバンプ電極への埋め込みは、貼り合わせ装置（テクノビジョン（株）製、モデル９００Ｓ）を用いた。

貼り合わせ装置ステージ上に固定された平均高さ２０μｍのバンプ電極付き（１０８バンプ／チップ、ピッチ１３０μｍ、金メッキバンプ）シリコンウェハ（直径１５０ｍｍ、厚さ５５０μｍ）のバンプ電極に軽剥離側プラスチックフィルムであるポリプロピレンフィルムを剥離した後の半導体用接着シート材料の半導体用接着組成物面を温度６０℃、貼り合わせ速度５０ｃｍ／分でラミネートした。半導体ウェハ周囲の余分な半導体用接着組成物はカッター刃にて切断した。これにより、半導体用接着剤上に粘着剤層、ベースフィルムがこの順に積層されている電極が半導体用接着剤で埋め込まれた半導体ウェハを得た。

次いで、この半導体ウェハのバンプ電極とは反対側の面を、研削・研磨装置（ＤＩＳＣＯ（株）製、ＤＧＰ−８７６０）を用いて半導体ウェハの厚みが１００μｍになるよう研削・研磨を行った。続いて、半導体用接着剤から粘着剤層付きベースフィルムを剥がした。

この後、実施例１の２．ダイシング工程、３．フリップチップボンディング、４．リペア評価を行ったところ、実施例４０と同様の結果を得た。

参考例１〜４、比較例８５
表１７に記載された重量比で実施例１と同様に半導体用接着組成物を作製し、実施例１と同様にしてラミネート工程、ダイシング工程、ボンディング工程の評価を行った。

さらに、表１７に記載された重量比で、半導体用接着組成物層の厚さが６μｍである以外は実施例１と同様に半導体用接着シート材料を作製した。この半導体用接着組成物層をガラス板に転写し、剥離することで半導体用接着シート単膜を得た。半導体用接着シート単膜について、分光光度計（（株）日立製作所製、Ｖ３２００）を用いて波長４５０ｎｍにおける光透過率を測定し可視光透過率とし、波長３６０ｎｍにおける吸収率を測定し紫外線吸収率とした。

光吸収剤としてベンゾオキサジンを用いることにより、紫外線を選択的に吸収し、可視光領域で透明性を持つ半導体用接着剤を得ることができた。

ダイシング後の半導体用接着組成物付き半導体ウェハの概略図

符号の説明

１ 組成物が塗布された半導体ウェハの一部
２ 組成物の割れ・欠け部
３ クラック
４ 欠損部長さ
５ 切削端部
６ 最大欠損部長さ

Claims (7)

1. （ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドと（ｂ）エポキシ化合物、（ｃ）硬化促進剤、（ｄ）光吸収剤とを含有し、（ｂ）エポキシ化合物を１００重量部に対し、（ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドを３０〜６５重量部、（ｃ）硬化促進剤を０．１〜１０重量部含有し、（ｂ）エポキシ化合物が２５℃、１．０１３×１０^５Ｎ／ｍ^２において液状である化合物と２５℃、１．０１３×１０^５Ｎ／ｍ^２において固形である化合物を含有し、液状であるエポキシ化合物の含有量が全エポキシ化合物に対し３０重量％以上５０重量％以下であり、（ｄ）光吸収剤がカーボンブラックであって、カーボンブラックの含有量が（ｂ）エポキシ化合物１００重量部に対し０．１〜１０重量部である半導体用接着組成物。
2. （ａ）有機溶剤可溶性ポリイミドが、一般式（２）〜（７）のいずれかで表される構造を有し、かつエポキシ基と反応可能な官能基を側鎖および末端に各々少なくとも一つ有するポリマーであり、一般式（１）で表される構造を一般式（２）〜（７）中のＲ^４としてポリマー全量に対し２〜１５重量％有する請求項１記載の半導体用接着組成物。
   

   

   （式中、Ｒ^１は２価の炭化水素基を示し、Ｒ^２は１価の炭化水素基を示し、同じでも異なっていてもよい。ｎは１〜１０の整数を示す。）
   

   

   （式中、Ｒ^３は４〜１４価の有機基であり、Ｒ^４は２〜１２価の有機基であって、Ｒ^３、Ｒ^４の少なくとも一つは１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロピル基、イソプロピル基、エーテル基、チオエーテル基およびＳＯ_２基からなる群より選ばれる基を少なくとも一つ含有する。Ｒ^５およびＲ^６は、フェノール性水酸基、スルホン酸基およびチオール基からなる群より選ばれる基を少なくとも一つ有する有機基を示し、同じでも異なっていてもよい。Ｘは１価の有機基、Ｙは２価の有機基、Ｚは１価の有機基を示す。ｍは８〜２００の範囲を示す。αおよびβはそれぞれ０〜１０の整数を示し、α＋βは１〜１０の整数である。）
3. 半導体ウェハ上に請求項１記載の半導体用接着組成物を形成し、ダイシングして得られる半導体用接着組成物付き半導体素子であって、ダイシング後の切削状態が、半導体用接着組成物の切削端部を基準位置０μｍとして半導体用接着組成物の欠損部分の最大長さが２５μｍ以下である半導体用接着組成物付き半導体素子。
4. 請求項１記載の半導体用接着組成物を硬化させて得られた耐熱性樹脂を有する半導体装置。
5. 電極が形成された半導体素子を複数個形成したウェハの上に、請求項１または２記載の半導体用接着組成物を半導体素子の電極側に設け、その後ダイシングにより個片化を行い、個片化した半導体用接着組成物付き半導体素子を実装基板に搭載し、半導体用接着組成物を硬化させ、半導体素子上に形成された電極と実装基板上の電極を直接接触させ電気的接続を行う半導体装置の製造方法。
6. 電極が形成された半導体素子を複数個形成したウェハの上に、請求項１または２記載の半導体用接着組成物を半導体素子の電極側に設け、続いてウェハの半導体素子が形成されていない面を研磨加工し、その後ダイシングにより個片化を行い、個片化した半導体用接着組成物付き半導体素子を実装基板に搭載し、半導体用接着組成物を硬化させ、半導体素子上に形成された電極と実装基板上の電極を直接接触させ電気的接続を行う半導体装置の製造方法。
7. 請求項５または６記載の半導体装置の製造方法によって得られた半導体装置の半導体用接着組成物を硬化させて得られた耐熱性樹脂に、波長１００〜１１００ｎｍの光を照射し、耐熱性樹脂と実装基板を分離する半導体装置の製造方法。

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