JP5410940B2 - 研削装置 - Google Patents
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Description
(1)半導体ウェーハ
はじめに、図1を参照して、一実施形態の研削装置で裏面研削される円板状の半導体ウェーハ(ワーク、以下ウェーハと略称)Wを説明する。ウェーハWはシリコンウェーハ等であって、裏面研削前の厚さは例えば700μm程度である。このウェーハWの表面(図1では表面は下側、したがって裏面が上方に露出している)全面には格子状の分割予定ライン2によって区画された多数の矩形状のデバイス(チップ領域)3が形成されている。これらデバイス3の表面には、ICやLSI等の図示せぬ電子回路が形成されている。ウェーハWの周面の所定箇所には、半導体の結晶方位を示すV字状の切欠き(ノッチ)4が形成されている。
(2−1)研削装置の構成
次に、図2に示す研削装置10の構成を説明する。図2で符号11はX軸方向に長い直方体状の装置基台である。この装置基台11のY軸方向の奥側(Y2側)の端部には、Z軸方向に沿って立設された装置壁部12が固定されている。装置基台11の上面は、ウェーハWの搬入/搬出ステージ11Aとされ、また、装置壁部12の装置基台11側の前面は、加工ステージ12Aとされている。
以上が研削装置10の構成であり、続いてこの研削装置10によってウェーハWを裏面研削して所定の厚さに薄化する動作を説明する。
上記一実施形態の研削装置10によれば、ウェーハWを保持するチャックテーブル70が、四角柱状の回転保持体60の各側面62に配設されているため、ウェーハWが立体的に位置付けられて保持される。したがって従来のターンテーブル式のようにウェーハWが平面的に配列されるものと比べると、複数のウェーハWを保持する部材(上記実施形態では回転保持体60)の小型化・軽量化が達成され、このため、装置全体の大幅な省スペース化が図られる。その結果、ウェーハWが大型であっても省スペースで研削(研磨)加工を行うことができる。また、回転保持体60はターンテーブルよりも小型となるため、該回転保持体60を回転駆動するための稼働エネルギーを抑えることができるといった利点も備える。
10…研削装置
50…回転軸
60…回転保持体
61a,61b…回転保持体の端面
62…回転保持体の側面
70…チャックテーブル(保持テーブル)
71…枠体(保持面支持部)
73…保持面
75…自転軸
80A…粗研削用研削手段
80B…仕上げ研削用研削手段
80C…研磨用研削手段
84a…粗研削用砥石(研削工具)
84b…仕上げ研削用砥石(研削工具)
84c…研磨工具(研削工具)
Claims (1)
- 両端面の間に複数の側面を有し、該両端面間にわたる軸心方向に延びる回転軸を中心として回転可能に支持される多角柱状の回転保持体と、
該回転保持体を間欠的に回転させる回転駆動手段と、
板状のワークを保持する保持面と該保持面に直交する方向を自転軸として該保持面を回転可能に支持する保持面支持部とを有し、該保持面が前記側面と平行に配設されて前記回転保持体に支持される保持テーブルと、
前記回転保持体の回転停止時における前記保持テーブルの前記保持面に対向配置され、該保持面に保持されたワークに作用する研削工具を含む研削手段と、
を備えることを特徴とする研削装置。
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