JP5408508B2 - 位置検出装置 - Google Patents
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Description
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、磁界発生手段と磁気検出手段との位置ずれに対するロバスト性に優れた位置検出装置を提供することを目的とする。
被検出体が移動するストローク方向に平行かつ被検出体に垂直な仮想平面を挟んで向き合うように被検出体に設けられた第1磁界発生手段と第2磁界発生手段とは、前記仮想平面に平行、かつ、ストローク方向に垂直、かつ、互いに同一方向に着磁される。
第1磁界発生手段および第2磁界発生手段よりも被検出体から離れた位置で被検出体に対して相対移動可能に設けられた磁気検出手段は、ストローク方向に直交する感磁面を有し、感磁面を通過する磁束密度に応じた信号を出力する。
これにより、第1磁界発生手段の磁界と第2磁界発生手段の磁界とが互いに反発しあい、被検出体に垂直な方向から見て、磁界の向きがストローク方向に平行となる領域が形成される。この領域に磁気検出手段を設けることで、製造上の公差などにより磁気検出手段がストローク方向に垂直な方向へずれた場合、磁気検出素子の出力特性の変化が抑制される。したがって、磁界発生手段と磁気検出手段との位置ずれに対する位置検出装置のロバスト性を高めることができる。
さらに、第1磁界発生手段および第2磁界発生手段は共に、一方の磁極が被検出体から離れた位置に形成される。しかも、磁気検出手段は、第1磁界発生手段および第2磁界発生手段よりも被検出体から離れた位置に設けられる。このため、被検出体を磁性体から形成した場合、第1磁界発生手段および第2磁界発生手段の磁界が被検出体に吸引されることが抑制され、その分、磁気検出手段の周囲の領域の磁界強度が大きくなる。したがって、磁気検出手段の感磁面を通過する磁束密度が大きくなり、SN比が高くなることで、外乱に対する位置検出装置のロバスト性を高め、検出精度を向上することができる。
この仮想平面上の領域では、磁界の向きが最も均一にストローク方向と平行になる。このため、製造上の公差などにより磁気検出手段がストローク方向に垂直な方向へずれた場合、磁気検出素子の出力特性の変化を抑制することができる。
なお、「同一」とは、製造上の公差などによる僅かな違いを含む実質的同一をいう。
これにより、磁気検出手段の設けられる領域において、磁界の向きが均一にストローク方向と平行になる。また、部品管理および組立工程における製造効率が向上する。
第1および第2磁界発生手段の両端部分の体積を大きくすることで、その部分の磁力が大きくなり、第1および第2磁界発生手段の両端からの漏れ磁束分を補うことが可能である。このため、磁気検出手段の出力信号のストローク両端の感度を高め、位置検出装置の検出精度を向上することができる。
これにより、第1磁界発生手段と第2磁界発生手段とを正確に位置決めすることが可能になる。したがって、磁気検出手段の設けられる領域において、磁界の向きを均一にストローク方向と平行にすることができる。
これにより、第1磁界発生手段および第2磁界発生手段の一方の磁極の磁界がベース板に吸引されることがない。したがって、仮に位置決め部材を磁性体から形成した場合と比較して、磁気検出手段の周囲の磁界強度を大きくし、位置検出装置の検出精度を向上することができる。
請求項10に記載の発明によると、磁気検出手段はホール素子である。
被検出体が移動するストローク方向に平行かつ被検出体に垂直な仮想平面を挟んで向き合うように被検出体に設けられた第1磁界発生手段と第2磁界発生手段とは、前記仮想平面に平行、かつ、ストローク方向に垂直、かつ、互いに同一方向に着磁される。
第1磁界発生手段および第2磁界発生手段からストローク方向の一方に所定距離離れて設けられた第3磁界発生手段および第4磁界発生手段は、第1磁界発生手段および第2磁界発生手段と同一方向に着磁される。所定距離とは、例えば概ねストローク検出範囲を示す。
第1〜第4磁界発生手段よりも被検出体から離れた位置で被検出体に対して相対移動可能に設けられた磁気検出手段は、ストローク方向に直交する感磁面を有し、感磁面を通過する磁束密度に応じた信号を出力する。
これにより、請求項1に記載の発明と同様の作用効果を奏することができる。
また、請求項1に対して、ストローク検出範囲の両側に磁石を配置することができ、位置検出装置に使用する磁界発生手段の総体積を小さくすることが可能である。したがって、位置検出装置の製造上のコストを低減することができる。
(第1実施形態)
本発明の第1実施形態による位置検出装置を図1〜図7に示す。位置検出装置1は、例えば、自動車のトランスミッション、アクセル、ブレーキ等のストローク部に用いられ、被検出体の位置を検出するものである。その一例を図3に示す。被検出体としての可動部2は、アクチュエータ3のストローク部4に接続され、図3の矢印に示すストローク方向に直線移動可能である。可動部2には、第1磁界発生手段としての第1磁石11と、第2磁界発生手段としての第2磁石12とが設けられている。
位置検出装置1には、磁気検出手段としてのホールIC5が、可動部2に対して相対移動可能に設置されている。ホールIC5は、感磁面を通過する磁束密度に応じた信号を出力する。ホールIC5の信号は、ECU(電子制御ユニット)6へ出力される。ECU6は、その信号に基づいて、リニアアクチュエータ3をフィードバック制御する。
ストローク方向に直線移動可能な可動部2は、磁性体から形成される。
第1磁石11および第2磁石12は、同一の磁気的特性を有し、同一の直方体形状に形成されている。ここで、可動部2が移動するストローク方向に平行、かつ、可動部2の磁石取付面20に垂直な仮想平面αを定義する。第1磁石11と第2磁石12とは、その仮想平面αを挟んで向き合い、直方体の長手方向がストローク方向と平行に設けられている。
ここで、第1磁石11と第2磁石12とが向き合う方向に平行な軸をX軸とし、ストローク方向に平行な軸をY軸とし、X軸とY軸に垂直な軸をZ軸とする。
第1磁石11と第2磁石12とは、仮想平面を挟んで向き合う磁極が同磁極になるようにZ軸方向に着磁されている。本実施形態では、第1磁石11および第2磁石12は共に、N極が可動部2の反対側に形成され、S極が可動部側に形成されている。
図4(A)、(B)に示すように、第1磁石11のN極の磁界と第2磁石12のN極の磁界とは互いに反発しあう。第1磁石11および第2磁石12よりも可動部2から離れた空間で、Z軸方向から見て、磁界の向きがY軸に平行な領域が形成される。
第1磁石11のN極および第2磁石12のN極は、可動部2からZ軸方向に離れた位置に設けられているので、図4(C)に示すように、第1磁石11と第2磁石12の磁界が可動部2に吸引されることが抑制される。その分、第1磁石11および第2磁石12よりも可動部2から離れた領域における磁界強度が大きくなる。
図4、図6および図7に示すように、Y軸において第1磁石11の中心または第2磁石12の中心となる位置P1では、ホール素子51の感磁面511を通過する磁束密度(T)が最も小さい。そして、図4のY方向の磁束ベクトルを+方向とすると、第1磁石11及び第2磁石の右側端部である位置P2にホール素子51が相対移動した場合、磁束密度が(+)側に大きくなる。一方、第1磁石11及び第2磁石12の左側端部である位置P3にホール素子51が相対移動した場合、磁束密度が(−)側に絶対値として大きくなる。
なお、図4のY方向の磁束ベクトルを−方向とした場合には、図6および図7のグラフとは傾きが逆の特性を示すグラフとなる。つまり、第1磁石11及び第2磁石の右側端部である位置P2にホール素子51が相対移動した場合、磁束密度が(−)側に絶対値として大きくなる。一方、第1磁石11及び第2磁石12の左側端部である位置P3にホール素子51が相対移動した場合、磁束密度が(+)側に大きくなる。
(1)ホールIC5は、第1磁石11および第2磁石12よりも可動部2から離れた位置で、第1磁石11および第2磁石12の磁界の向きが、Z軸方向から見て、Y軸と平行となる領域に設けられる。このため、製造上の公差などによりホールIC5がY軸と垂直なX方向へ位置ずれした場合、ホールIC5の出力特性の変化が抑制される。したがって、第1磁石11および第2磁石12とホールIC5との位置ずれに対し、位置検出装置1のロバスト性を高めることができる。
(2)しかも、第1磁石11と第2磁石12とは、共にN極が可動部2から離れた位置に形成されている。このため、N極の磁界が可動部2に吸引されることが抑制され、その分、ホールIC5の周囲の領域の磁界強度が大きくなる。したがって、ホールIC5の有するホール素子51の感磁面511を通過する磁束密度が大きくなり、SN比が高くなるので、外乱に対する位置検出装置1のロバスト性を高め、検出精度を向上することができる。
(3)磁気検出手段は、第1磁石11からの距離と第2磁石12からの距離とが同一の仮想平面α上を可動部2に対して相対移動する。この仮想平面α上の領域では、磁界の向きが最も均一にY軸と平行になる。このため、製造上の公差などによりホールIC5がY軸と垂直なX方向へ位置ずれた場合、ホールIC5の出力特性の変化を抑制することができる。
(4)第1磁石11および第2磁石12は、同一の直方体形状であり、同一の磁気的特性を有する。このため、ホールIC5の設けられる領域において、磁界の向きがより均一にY軸と平行になる。また、部品管理および組立工程における製造効率が向上する。
また、第1磁石11および第2磁石12が単純形状であることで、加工および組立工程でのばらつきを抑制することができる。また、単純形状であるため製造コストを低減できる。
(5)ホールIC5は、リニア補正によりホール素子51の出力を直線化するように補正するので、ホール素子51の検出する磁束密度に高い直線性を求める必要がなくなり、第1磁石11及び第2磁石12の形状、配置を簡素な構成にすることができる。
比較例では、第1磁石110および第2磁石120はX軸に平行に着磁され、互いにN極同士が向き合うように設けられている。磁性体からなる可動部200は、図30の紙面垂直方向なストローク方向(Y軸に平行)に直線移動可能である。ホールIC500は、第1磁石110と第2磁石120との間で可動部200に対して相対移動可能に設けられている。ホールIC500の感磁面511は、Y軸に対して直交するように設けられている。
比較例では、第1磁石110および第2磁石120のN極とS極とが共に可動部200に当接している。このため、図30の破線に示すように、第1磁石110および第2磁石120の磁界が可動部200に吸引される。このため、ホールIC500周囲の磁界強度が弱まる。したがって、図31の実線βに示す比較例の位置検出装置のホールIC500の検出する磁束密度は、図31の破線γに示す第1実施形態の位置検出装置のホールIC5の検出する磁束密度に対し、感度が大幅に低下している。
本発明の第2実施形態を図8〜図11に示す。以下、複数の実施形態において、上述した第1実施形態と実質的に同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
第2実施形態では、第1磁石11および第2磁石12は共に、N極が可動部側に形成され、S極が可動部2の反対側に形成されている。
図10(A)、(B)に示すように、第1磁石11のS極の磁界と第2磁石12のS極の磁界とは互いに反発しあい、第1磁石11および第2磁石12よりも可動部2から離れた空間で、Z軸方向から見て、磁界の向きがY軸に平行な領域が形成される。
しかも、第1磁石11のS極および第2磁石12のS極は、可動部2からZ軸方向に離れた位置に設けられているので、図10(C)に示すように、第1磁石11と第2磁石12の磁界が可動部2に吸引されることが抑制される。その分、第1磁石11および第2磁石12よりも可動部2から離れた領域における磁界強度が大きくなる。
図10および図11に示すように、Y軸において第1磁石11の中心または第2磁石12の中心となる位置P1では、ホール素子51の感磁面511を通過する磁束密度が最も小さい。そして、図10のY方向の磁束ベクトルを+方向とすると、第1磁石11及び第2磁石12の右側端部である位置P2にホール素子51が相対移動した場合、磁束密度が(−)側に絶対値として大きくなる。一方、第1磁石11及び第2磁石12の左側端部である位置P3にホール素子51が相対移動した場合、磁束密度が(+)側に大きくなる。
なお、図10のY方向の磁束ベクトルを−方向とした場合には、図11のグラフとは傾きが逆の特性を示すグラフとなる。つまり、第1磁石11及び第2磁石の右側端部である位置P2にホール素子51が相対移動した場合、磁束密度が(+)側に大きくなる。一方、第1磁石11及び第2磁石12の左側端部である位置P3にホール素子51が相対移動した場合、磁束密度が(−)側に絶対値として大きくなる。
第2実施形態は、第1実施形態と同様の作用効果を奏する。
本発明の第3実施形態を図12〜図14に示す。第3実施形態では、第1磁石11と第2磁石12との間にベース板21が設けられている。ベース板21は、例えば金属、樹脂などの非磁性体から形成され、板厚方向に通じる孔22を有する。また、可動部2には、ベース板21の孔22に対応する位置に図示しないねじ穴が設けられている。2本のねじ24をベース板21の孔22に通し、そのねじ24を可動部2のねじ穴に螺合することでベース板21と可動部2とが固定される。
ベース板21のX軸方向の一方の端面に第1磁石11が固定され、他方の端面に第2磁石12が固定されている。第1磁石11および第2磁石12は共に、N極が可動部2の反対側に形成され、S極が可動部側に形成されている。
しかも第3実施形態では、ベース板21を非磁性体から形成しているので、第1磁石11および第2磁石12の磁界がベース板21に吸引されることがない。このため、仮に磁性体からなる位置決め部材に第1磁石11および第2磁石12を取り付けた場合と比較して、ホールIC5の周囲の磁界強度が大きくなる。したがって、外乱に対する位置検出装置のロバスト性を高め、検出精度を向上することができる。
本発明の第4実施形態を図15に示す。
第4実施形態では、第1磁石11および第2磁石12は共に、N極が可動部側に形成され、S極が可動部2の反対側に形成されている。そして第1磁石11と第2磁石12とは、金属、樹脂などの非磁性体からなるベース板21により位置決めされている。
第4実施形態は、第3実施形態と同様の作用効果を奏する。
本発明の第5実施形態を図16に示す。
第5実施形態では、樹脂からなるベース板21が可動部2から離れた位置で、第1磁石11および第2磁石12を固定している。この構成においても、第1磁石11と第2磁石12とは、ベース板21によって位置決めされている。
第5実施形態では、可動部2の磁石取付面20に凹凸などがある場合でも、第1磁石11と第2磁石12とを可動部2に正確に位置決めすることが可能である。
本発明の第6実施形態を図17に示す。
第6実施形態では、第1磁石11および第2磁石12と可動部2との間に金属、樹脂などの非磁性体からなるベース板21が設けられている。第1磁石11と第2磁石12とは、ベース板21によって位置決めされ、固定されている。
第6実施形態では、第1磁石11および第2磁石12と可動部2との距離が遠くなる。このため、位置検出装置のZ軸方向の大型化が許容される場合、第1磁石11および第2磁石12の磁界が可動部2に吸引されることを抑制し、ホールIC5の周囲の領域の磁界強度を大きくすることができる。
本発明の第7実施形態を図18および図19に示す。
第7実施形態では、第1磁石11と第2磁石12は、Y軸方向における両端部分13、14の体積が中央部分15の体積よりも大きい。具体的に、第1磁石11と第2磁石12の両端部分13、14は、中央部分15よりもZ軸方向に大きく形成されている。そして第1磁石11と第2磁石12の両端部分13、14は、中央部分15よりも可動部2の反対側に突出している。
第1磁石11および第2磁石12の両端部分13、14の体積を大きくするとその部分の磁力が大きくなり、両端から外側へ漏れる漏れ磁束分を補うことが可能である。これにより、図19に示すように、第7実施形態のホール素子51の検出する磁束密度の変化δは、第1実施形態の位置検出装置のホール素子51の検出する磁束密度の変化γに対し、両端側で感度を向上することができる。
第7実施形態では、ホールIC5の出力信号のストローク両端側の感度を高めることで、位置検出装置の検出精度を高めることができる。
本発明の第8実施形態を図20に示す。
第8実施形態では、第1磁石11と第2磁石12の両端部分13、14は、中央部分15よりもX軸方向に大きく形成されている。そして第1磁石11と第2磁石12の両端部分13、14は、中央部分15よりもホールIC5の反対側に突出している。
第8実施形態は、第7実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
また、位置検出装置のZ軸方向の体格の制限またはX軸方向の体格の制限に応じて、第7実施形態の構成と第8実施形態の構成とを選択または組み合わせることが可能である。
本発明の第9実施形態を図21に示す。
第9実施形態は、第3実施形態と第7実施形態とを組み合わせたものである。
第9実施形態では、第1磁石11と第2磁石12とをベース板21によって位置決めすることで、ホールIC5の設けられる領域において、磁界の向きがより均一にY軸と平行になる。このため、ホールIC5の位置ずれに対する位置検出装置のロバスト性を高めることができる。さらに、ホール素子51の検出する磁束密度の変化の直線性を高めることができる。
本発明の第10実施形態を図22に示す。
第10実施形態は、第3実施形態と第8実施形態とを組み合わせたものである。
第10実施形態では、第1磁石11と第2磁石12とをベース板21によって位置決めすることで、ホールIC5の設けられる領域において、磁界の向きがより均一にY軸と平行になる。このため、ホールIC5の位置ずれに対する位置検出装置のロバスト性を高めることができる。さらに、ホール素子51の検出する磁束密度の変化の直線性を高めることができる。
本発明の第11実施形態を図23および図24に示す。
第11実施形態では、第1磁石31のY軸方向の一方に所定距離離れて第3磁石33が設けられている。また、第2磁石32のY軸方向の一方に所定距離離れて第4磁石34が設けられている。所定距離とは、例えば概ねストローク検出範囲を示す。第1〜第4磁石31,32,33,34は、同一の直方体形状であり、同一の磁気的特性を有する。第1〜第4磁石31,32,33,34は共に、N極が可動部2の反対側に形成され、S極が可動部側に形成されている。
ホールIC5は、第1〜第4磁石31,32,33,34からの距離が同一の仮想平面α上を可動部2に対して相対移動可能に設けられている。
図23(A)、(B)、(C)に示すように、第1〜第4磁石31,32,33,34のN極の磁界同士は互いに反発しあう。このため、第1〜第4磁石31,32,33,34よりも可動部2から離れた空間で、Z軸方向から見て、磁界の向きがY軸に平行な領域が形成される。
第1〜第4磁石31,32,33,34のN極は、可動部2からZ軸方向に離れた位置に設けられているので、図23(C)に示すように、第1〜第4磁石31,32,33,34の磁界が可動部2に吸引されることが抑制される。その分、第1〜第4磁石31,32,33,34よりも可動部2から離れた領域における磁界強度が大きくなる。
なお、図23のY方向の磁束ベクトルを−方向とした場合には、図24のグラフとは傾きが逆の特性を示すグラフとなる。つまり、第1磁石11及び第2磁石の右側端部である位置P2にホール素子51が相対移動した場合、磁束密度が(+)側に大きくなる。一方、第1磁石11及び第2磁石12の左側端部である位置P3にホール素子51が相対移動した場合、磁束密度が(−)側に絶対値として大きくなる。
また、第1〜第4磁石31,32,33,34の配置を調節することで、ホール素子51の検出する磁束密度の変化の直線性を高めることができる。
本発明の第12実施形態を図25に示す。
第12実施形態では、第1〜第4磁石31,32,33,34と樹脂からなる第2ベース板25が固定している。これにより、第1〜第4磁石31,32,33,34が可動部2に正確に位置決めされる。これにより、ホールIC5の設けられる領域において、磁界の向きをより均一にY軸と平行にすることができる。したがって、位置検出装置のロバスト性を高め、検出精度を向上することができる。
本発明の第13実施形態を図26および図27に示す。
第13実施形態では、第1〜第4磁石31,32,33,34は共に、N極が可動部側に形成され、S極が可動部2の反対側に形成されている。
図26(A)、(B)、(C)に示すように、第1〜第4磁石31,32,33,34のS極の磁界同士は互いに反発しあう。このため、第1〜第4磁石31,32,33,34よりも可動部2から離れた空間で、Z軸方向から見て、磁界の向きがY軸に平行な領域が形成される。
第1〜第4磁石31,32,33,34のS極は、可動部2からZ軸方向に離れた位置に設けられているので、図26(C)に示すように、第1〜第4磁石31,32,33,34の磁界が可動部2に吸引されることが抑制される。その分、第1〜第4磁石31,32,33,34よりも可動部2から離れた領域における磁界強度が大きくなる。
なお、図26のY方向の磁束ベクトルを−方向とした場合には、図27のグラフとは傾きが逆の特性を示すグラフとなる。つまり、第1磁石11及び第2磁石の右側端部である位置P2にホール素子51が相対移動した場合、磁束密度が(−)側に絶対値として大きくなる。一方、第1磁石11及び第2磁石12の左側端部である位置P3にホール素子51が相対移動した場合、磁束密度が(+)側に大きくなる。
第13実施形態は、第11実施形態と同様の作用効果を奏する。
本発明の第14実施形態を図28に示す。
第14実施形態では、第1〜第4磁石31,32,33,34と金属、樹脂などの非磁性体からなる第2ベース板25が固定している。第2ベース板25は、板厚方向に通じる孔22を有する。2本のねじを第2ベース板25の孔22に通し、そのねじを可動部2のねじ穴に螺合することで第2ベース板25と可動部2とが固定される。これにより、第1〜第4磁石31,32,33,34が可動部2に正確に位置決めされる。これにより、ホールIC5の設けられる領域において、磁界の向きをより均一にY軸と平行にすることができる。したがって、位置検出装置のロバスト性を高め、検出精度を向上することができる。
上述した複数の実施形態では、磁界発生手段として直方体形状の単一磁石を使用した。これに対し、他の実施形態では、同種の磁極を隣接させた分割磁石群により磁界発生手段を構成してもよい。また、磁界発生手段の形状は直方体に限定されない。
上述した複数の実施形態では、磁気検出手段としてのホールICを使用した。これに対し、他の実施形態では、磁気検出手段として磁気抵抗効果素子などを使用してもよい。
このように、本発明は、上記実施形態に限定されることなく、複数の実施形態を組み合わせることに加え、発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の形態で実施することができる。
2 ・・・可動部(被検出体)
5 ・・・ホールIC(磁気検出手段)
11、31・・・第1磁石(第1磁界発生手段)
12、32・・・第2磁石(第2磁界発生手段)
13、14・・・両端部分
15 ・・・中央部分
21 ・・・ベース板
25 ・・・第2ベース板
33 ・・・第3磁石(第3磁界発生手段)
34 ・・・第4磁石(第4磁界発生手段)
511・・・感磁面
Claims (19)
- 直線移動可能な被検出体の位置を検出する位置検出装置であって、
前記被検出体が移動するストローク方向に平行かつ前記被検出体に垂直な仮想平面を挟んで向き合うように前記被検出体に設けられ、前記仮想平面に平行、かつ、前記ストローク方向に垂直、かつ、互いに同一方向に着磁された第1磁界発生手段および第2磁界発生手段と、
前記第1磁界発生手段および前記第2磁界発生手段よりも前記被検出体から離れた位置で前記被検出体に対して相対移動可能に設けられ、前記ストローク方向に直交する感磁面を有し、前記感磁面を通過する磁束密度に応じた信号を出力する磁気検出手段と、を備えることを特徴とする位置検出装置。 - 前記磁気検出手段は、前記第1磁気発生手段からの距離と前記第2磁気発生手段からの距離とが同一の前記仮想平面上を前記被検出体に対して相対移動可能であることを特徴とする請求項1に記載の位置検出装置。
- 前記第1磁界発生手段および前記第2磁界発生手段は、同一の直方体形状であり、同一の磁気的特性を有することを特徴とする請求項1または2に記載の位置検出装置。
- 前記第1磁界発生手段および前記第2磁界発生手段は、前記ストローク方向における両端部分の体積が、その両端部分の間に位置する中央部分の体積よりも大きいことを特徴とする請求項1または2に記載の位置検出装置。
- 前記第1磁界発生手段と前記第2磁界発生手段とを固定するベース板を備えることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の位置検出装置。
- 前記ベース板は、非磁性体から形成されることを特徴とする請求項5に記載の位置検出装置。
- 前記ベース板は、板厚方向に通じる孔を有することを特徴とする請求項5または6に記載の位置検出装置。
- 前記磁気検出手段が検出した磁束密度が前記被検出体のストローク量に対して線形に変化するように補正するリニア補正手段を備えることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の位置検出装置。
- 前記磁気検出手段および前記リニア補正手段は、1つの半導体チップとして構成されることを特徴とする請求項8に記載の位置検出装置。
- 前記磁気検出手段はホール素子であることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載の位置検出装置。
- 直線移動可能な被検出体の位置を検出する位置検出装置であって、
前記被検出体が移動するストローク方向に平行かつ前記被検出体に垂直な仮想平面を挟んで向き合うように前記被検出体に設けられ、前記仮想平面に平行、かつ、前記ストローク方向に垂直、かつ、互いに同一方向に着磁された第1磁界発生手段および第2磁界発生手段と、
前記第1磁界発生手段および前記第2磁界発生手段から前記ストローク方向の一方に所定距離離れて設けられ、前記第1磁界発生手段および前記第2磁界発生手段と同一方向に着磁された第3磁界発生手段および第4磁界発生手段と、
前記第1〜第4磁界発生手段よりも前記被検出体から離れた位置で前記被検出体に対して相対移動可能に設けられ、前記ストローク方向に直交する感磁面を有し、前記感磁面を通過する磁束密度に応じた信号を出力する磁気検出手段と、を備えることを特徴とする位置検出装置。 - 前記磁気検出手段は、前記第1〜第4磁気発生手段からの距離が同一の前記仮想平面上を前記被検出体に対して相対移動可能であることを特徴とする請求項11に記載の位置検出装置。
- 前記第1〜第4磁界発生手段は、同一の直方体形状であり、同一の磁気的特性を有することを特徴とする11または12に記載の位置検出装置。
- 前記第1〜第4磁界発生手段を固定する第2ベース板を備えることを特徴とする請求項11〜13のいずれか一項に記載の位置検出装置。
- 前記第2ベース板は、非磁性体から形成されることを特徴とする請求項14に記載の位置検出装置。
- 前記第2ベース板は、板厚方向に通じる孔を有することを特徴とする請求項14または15に記載の位置検出装置。
- 前記磁気検出手段が検出した磁束密度が前記検出対象のストローク量に対して線形に変化するように補正するリニア補正手段を備えることを特徴とする請求項11〜16のいずれか一項に記載の位置検出装置。
- 前記磁気検出手段および前記リニア補正手段は、1つの半導体チップとして構成されることを特徴とする請求項17に記載の位置検出装置。
- 前記磁気検出手段はホール素子であることを特徴とする請求項11〜18のいずれか一項に記載の位置検出装置。
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