JP5392526B2 - 表示装置および表示装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は表示装置および表示装置の製造方法に関し、特には容易にリペア可能であって製造プロセスに対するマージンの高い表示装置および表示装置の製造方法に関する。

有機材料のエレクトロルミネッセンス(electroluminescence：以下ＥＬと記す）を利用した有機電界発光素子（いわゆる有機ＥＬ素子）は、２枚の電極間に有機正孔輸送層や有機発光層を積層させた有機層を設けてなり、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。ところが、有機ＥＬ素子を用いた表示装置（すなわち有機ＥＬ表示装置）は、吸湿によって有機ＥＬ素子の有機層の劣化が生じ、各有機ＥＬ素子における発光輝度が低下したり、発光が不安定になる等、経時的な安定性が低くかつ寿命が短いと言った課題がある。

そこで、このような表示装置（有機ＥＬ表示装置）においては、有機ＥＬ素子の下地となる平坦化絶縁膜に、表示領域を囲む分離溝を設けることにより、表示領域内への水分の浸入を防止している。また分離溝の底部に配線材料からなるパターンを設けけることにより、分離溝の段差ストレスを緩和すると共にし、このパターンを補助配線として有機ＥＬ素子の上部電極を接続させる構成も提案されている（下記特許文献１参照）。

特開２００６−５４１１１［特に、図１および図３（Ｂ’）参照］

ところで、分離溝の底部に補助配線をパターン形成する場合、この補助配線は、分離溝と同様に表示領域を囲む環状の補助配線（環状補助配線）として設けることができる。これにより、上部電極と環状補助配線との接続面積を広くすることが可能になる。しかしながら、補助配線を環状補助配線として形成した場合、この環状補助配線の下層には、環状補助配線を横切る状態で、表示領域がからその周辺領域へ、走査線、信号線、さらには電源制御線などの引出配線が配置されることになる。このような構成においては、環状補助配線と引出配線とが交差する位置において、異物やパターン異常によるショートが発生し易い。

これにより、例えば信号線の引出配線と、環状補助配線とがショートすると、その信号線に接続される全ての画素が滅点化し、その１ラインが滅線となってしまう。これは、走査線、電源制御線も同様である。

そこで本発明は、引出配線とその上部に設けられた環状配線とのショート部分を容易にリペア可能であって、製造プロセスに対するマージンの高い表示装置および表示装置の製造方法を提供することを目的とする。

このような目的を達成するための本発明の表示装置は、表示領域から当該表示領域の周辺領域に引き出された引出配線と、この引出配線が設けられた基板上を覆う第１絶縁膜と、この第１絶縁膜上における表示領域と周辺領域との間に当該表示領域を多重に囲む状態で配置された複数の環状配線とを備えている。また、引出配線には、環状配線と交差する部分に当該引出配線と平行なバイパスが設けられている。そして、環状配線が設けられた基板上を覆うと共に、当該各環状配線を底面とした溝パターンを有する第２絶縁膜が設けられ、表示領域内における前記第２絶縁膜上に発光素子が設けられている。

また本発明は、表示装置の製造方法でもあり、次の工程を行う。第１工程では、表示領域から当該表示領域の周辺領域に引き出された引出配線を形成する。第２工程では、引出配線が設けられた基板上を第１絶縁膜で覆う。第３工程では、第１絶縁膜上における表示領域と周辺領域との間に当該表示領域を多重に囲む状態で複数の環状配線を形成する。第４工程では、引出配線と環状配線とを検査する。そして第５工程では、第４工程の検査で不具合箇所があった場合に、環状配線の不具合個所をリペアする。また第４工程の後には、環状配線が設けられた基板上を覆うと共に前記各環状配線を底面とした複数の溝パターンを有する第２絶縁膜を形成する。次の第７工程では、表示領域内における第２絶縁膜上に発光素子を形成する。

以上のような表示装置および表示装置の製造方法では、複数の環状配線を多重に配置したことにより、１本の環状配線と引出配線との間でショートが発生した場合に、環状配線のショート部分を切断(リペア）して引出配線とのショートを回避しつつも、残りの環状配線によって正常な配線機能が維持される。

以上説明したように本発明によれば、環状配線を多重に設けたことにより、引出配線とその上部に設けられた環状配線とのショート部分を環状配線部分の切断によって容易にリペア可能としつつも、残りの環状配線によって正常な配線機能を維持することが可能である。この結果、表示装置の製造プロセスに対するマージンを高めることが可能になる。

以下本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、実施形態においては、表示装置の全体構成、基板に近い下層側の画素回路、画素回路上に設けられる発光素子の構成、さらに表示装置の製造方法の順に説明を行う。

＜表示装置の全体構成＞
図１は、実施形態の表示装置１の概略構成を示すレイアウト図であり、構成要素を一部切り欠いた平面図である。この図に示す表示装置１は、有機電界発光素子ＥＬを配列してなる有機ＥＬ表示装置であって、各有機電界発光素子ＥＬに駆動回路が接続されたアクティブマトリックス駆動の表示装置である。

この図に示すように、表示装置１を構成する基板３上には、平面形状が略矩形の表示領域３ａが設定されている。そして、この表示領域３ａ内に複数の画素ａが配列されている。各画素ａは、平面形状が略矩形であり、例えばその長辺方向が表示領域３ａの短辺方向に一致して配置されている。この表示領域３ａから外周側には、引出配線５が引き出されている。

一方、表示領域３ａよりも外側の周辺領域３ｂには、各種の駆動回路が配置された周辺回路部７が設けられている。そして、表示領域３ａから引き出された引出配線５は、この周辺回路部７にまで配線されており、表示領域３ａ−周辺領域３ｂの周辺回路部７に渡って引出配線５が配線された状態となっている。さらに周辺領域３ｂにおける周辺回路部７の外側には、周辺回路部７から引き出された複数の端子が配置されたパッド部９が設けられている。

また、表示領域３ａと周辺領域３ｂとの間には、表示領域３ａを多重に囲む状態で複数の環状配線１１が配置されているところが特徴的である。これらの各環状配線１１は、＜有機電界発光素子ＥＬ＞(後で詳細に説明）の上部電極に対する補助配線として設けられた、いわゆる環状補助配線１１である。そしてこれらの環状補助配線１１は、引出配線５を覆う第１絶縁膜(ここでの図示は省略）上に配線され、これによって引出配線５との間の絶縁性が確保されている。

尚、表示領域３ａの各画素ａには、以上の引出配線５および環状補助配線１１と同一の配線層を用い構成された＜画素回路＞（後で詳細に説明）が設けられている。また、周辺領域３ｂにおける周辺回路部７には、以上の引出配線５および環状補助配線１１と同一の配線層を用い構成された駆動回路が設けられ、パッド部９には端子が設けられている。

以上のような引出配線５および環状補助配線１１、さらには画素回路、駆動回路、および端子が形成された基板３上は、第２絶縁膜１３で覆われている。そして、この第２絶縁膜１３には、多重の環状補助配線１１のそれぞれを底面とする溝パターン１３ａがリング状に設けられているところが特徴的である。図面においては２つのリング状の溝パターン１３が、表示領域３ａを囲んで２重に配置されている状態を示している。これにより、第２絶縁膜１３は、表示領域３ａを覆う部分と、その外側の部分とに分離され、表示領域３ａの外側の部分は溝パターン１３ａの本数に対応する複数部分に分離されている。尚、パッド部９は、第１絶縁および第２絶縁膜１３から露出する状態で設けられていることとする。

また、この第２絶縁膜１３は、表示領域３ａ内の各画素ａに配置される有機電界発光素子ＥＬの下地となる膜であり、表面平坦な平坦化絶縁膜として構成されていることとする。このような第２絶縁膜１３は、有機材料を用いて構成されるか、または下層の無機材料膜をと上層の有機材料膜との積層構造であっても良い。

そして、この第２絶縁膜１３上には、以降に詳細に説明する有機電界発光素子ＥＬの上部電極１５が、各画素ａに共通の電極としてベタ膜状に設けられている。この上部電極１５は、溝パターン１３ａの底部において、環状補助配線１１と接続されているところが特徴的である。つまり、上部電極１５は、表示領域３ａを囲む複数の環状補助配線１１のそれぞれに接続されているのである。

また、上部電極１５には、表示領域３ａの外側の四隅において上部電極１５に対して接続させた電源供給ＴＣＰ（Tape Carrier Packag）１７から電源電圧が供給されることは従来と同様である。尚、この電源供給ＴＣＰ１７は、表示領域３ａの四隅において上部電極１５に接続させた構成に限定されることはなく、適宜の位置で上部電極１５に接続させた構成であっても良い。

＜画素回路＞
次に、表示装置１の各画素ａに設けられる画素回路の構成を説明する。図２は図１における表示領域３ａ内の６画素分の画素回路を示す回路図であり、図３は図２のうちの３画素分とその周辺を拡大した平面レイアウト図である。

これらの図に示すように、表示装置１における基板３上の表示領域３ａ内には、表示領域３ａの長辺に沿って複数の走査線２１が配線され、短辺方向に沿って複数の信号線２３が配線されている。そして、各走査線２１と信号線２３との交差部に対応して１つの画素ａが設けられた構成となっている。

各画素に設けられる画素回路は、例えばスイッチング用の薄膜トランジスタＴｒ１、駆動用の薄膜トランジスタＴｒ２、保持容量Ｃｓとで構成されている。そして、保持容量Ｃｓと駆動用の薄膜トランジスタＴｒ２とに、有機電界発光素子ＥＬの下部電極が接続された構成となっている。また、駆動用の薄膜トランジスタＴｒ２と保持容量Ｃｓとは、共通の電源供給線（Ｖｃｃ）２５に接続されている。

このような構成の画素回路は、図３に示されるように、基板３上に設けられた第１導電層３１と、ここでの図示は省略した半導体層と、これらを覆うゲート絶縁膜としての第１絶縁膜（図示省略）と、この上部に設けた第２導電層３２とで構成されている。このうち第１導電層３１は、最も下層に設けられる導電層であるため、熱プロセスに対する耐性を備えたタングステン（Ｗ）のような高融点金属で構成される。一方、第２導電層３２は、アルミニウム（Ａｌ）のような導電性の良好な金属材料で構成される。

また、容量素子Ｃｓと駆動用の薄膜トランジスタＴｒ２とに対する有機電界発光素子ＥＬのコンタクト部３３が、容量素子Ｃｓの上部電極を構成する第２導電層３２部分に設けられている。

表示領域３ａから、その周囲の周辺領域３ｂには、走査線２１、信号線２３、および電源供給線２５が、引出配線５として引き出されている。これらの引出配線５は、先に図１を用いて説明したように、周辺領域３ｂにおける周辺回路部７に配置された駆動回路に接続された状態となっている。

そして、駆動回路による走査線２１の駆動により、スイッチング用の薄膜トランジスタＴｒ１を介して信号線２３から書き込まれた映像信号が保持容量Ｃｓに保持され、保持された信号量に応じた電流が駆動用の薄膜トランジスタＴｒ２から有機電界発光素子ＥＬに供給され、この電流値に応じた輝度で有機電界発光素子ＥＬが発光する構成となっている。

尚、以上のような画素回路の構成は、あくまでも一例であり、必要に応じて画素回路内に容量素子を設けたり、さらに複数の薄膜トランジスタを設けて画素回路を構成しても良い。

また特に図３に示したように、本実施形態においては、表示領域３ａを多重に囲む状態で、アルミニウム（Ａｌ）のような導電性の良好な金属材料で構成された第２導電層３２からなる環状補助配線１１が設けられた構成となる。この環状補助配線１１は、ここでの図示を省略した第２絶縁膜（ゲート絶縁膜）を介して引出配線５上を横切る状態で配置される。このため、環状補助配線１１と交差する引出配線５は、第１導電層３１で構成されることになる。尚、図面においては、信号線２３の引出配線５上を環状補助配線１１が横切る部分を示しているが、走査線２１および電源供給線２５も同様である。

尚、図１に示した周辺領域３ｂの周辺回路部には、上述した画素回路と同様の層を用い手構成された駆動回路が設けられた構成となっている。

そして、以上のような画素回路や、引出配線５および環状補助配線１１、さらには画素回路、駆動回路、および端子が形成された基板３上が、平坦化絶縁膜として構成された第２絶縁膜１３で覆われており、この第２絶縁膜１３に多重の環状補助配線１１のそれぞれを底面とする溝パターン１３ａがリング状に設けられていることは、上述した通りである。この第２絶縁膜１３上に、第２絶縁膜１３に設けられたコンタクト部３３（接続孔)を介して画素回路に接続された下記構成の有機電界発光素子ＥＬが設けられている。

尚、画素回路を覆う第２絶縁膜１３は、下層の無機材料膜をと上層の有機材料膜との積層構造とすることにより、無機材料膜によって画素回路を保護しつつ、上層の有機材料膜によって表面平坦性を維持することが好ましい。

＜有機電界発光素子＞
図４は、第２絶縁膜１３上に配置された有機電界発光素子ＥＬの構成を説明するための要部を拡大した平面図である。この図に示すように、第２絶縁膜１３上における表示領域（３ａ）内には、各画素ａに対応する画素電極としてパターニングされた複数の下部電極４１が設けられている。この下部電極４１は、有機電界発光素子ＥＬの陽極（または陰極)として用いられる。この下部電極４１が、第２絶縁膜１３に設けられたコンタクト部３３（接続孔)を介して画素回路に接続されている。

またこの下部電極４１の周囲には、下部電極４１と同一層で構成された補助配線４１ａが配線されていることとする。この補助配線４１ａは、下部電極４１に対して絶縁性を保った状態で下部電極４１間に格子状に配線されている。この補助配線４１ａは、第２絶縁膜１３に設けた溝パターン（１３ａ）を介して環状補助配線（１１）に接続されていても良い。

また、各下部電極４１の周縁は第３絶縁膜４３で覆われ、この第３絶縁膜４３から下部電極４１を露出させた部分が画素開口となる。このため、下部電極４１は、画素開口よりも一回り大きな略矩形にパターニングされることになる。そして、第３絶縁膜４３から露出している下部電極４１上には、画素開口ａを完全に覆う発光機能層４５がパターン形成されている。これらの発光機能層４５は、少なくとも有機発光層を含み、必要に応じて電荷輸送層や電荷注入層を積層させた構成となっており、有機電界発光素子ＥＬの発光色毎に異なる積層構成であっても良い。

そして、以上の発光機能層４５を覆う状態で、各画素開口に共通したベタ膜状の上部電極１５が設けられている。この上部電極１５は、有機電界発光素子ＥＬの陰極（または陽極)として用いられる。そしてこれらの下部電極４１と上部電極１５とで発光機能層４５を挟持した部分が有機電界発光素子ＥＬとなる。

ここで、この上部電極１５は、第３絶縁膜４３に設けた接続孔４３ａを介して補助配線４１ａに接続されていることとする。また特に、この上部電極１５は、第２絶縁膜１３に設けた溝パターン（１３ａ）を介して環状補助配線（１１）に接続されていることとする。尚、補助配線４１ａが第２絶縁膜１３の溝パターン１３ａにおいて環状補助配線１１に接続されている場合であれば、上部電極１５は、補助配線４１ａを介して環状補助配線１１に接続されている構成となる。

尚、有機電界発光素子ＥＬの下層に駆動回路が設けられたアクティブマトリックス駆動の表示装置１においては、有機電界発光素子ＥＬの開口率を確保するために、基板３と反対側に設けられた上部電極１５側から光を取り出す、いわゆる上面光取り出し構造（以下、上面発光型と記す）として構成することが有効になる。このため、下部電極４１は金属材料のような光反射性材料で構成され、上部電極１５は光透過性材料で構成されていることとする。また有機電界発光素子ＥＬが共振構造として構成される場合、上部電極１５は半透過半反射性材料で構成されることとする。

このような光透過性を有する上部電極１５は、全ての画素の共通電極としてベタ膜状で設けられるため、電圧降下が発生し易い。このため、金属材料のような光反射性材料からなる下部電極４１と同一層で構成された補助配線４１ａや、さらにはその下層のアルミニウム（Ａｌ）のような導電性の良好な金属材料で構成された環状補助配線１１に対して、ベタ膜状の上部電極１５を接続させることにより、上部電極１５における電圧降下を防止する構成となっている。

図５には、図４におけるＡ−Ａ’断面に対応する断面図を示す。尚この図５は、図３のＡ−Ａ’断面にも対応する図である。この図に示すように、基板３上における表示領域３ａ内の各画素ａには、薄膜トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２および容量素子Ｃｓを備えた画素回路が設けられている。表示領域３ａ内の各画素回路からは、周辺領域３ｂに引出配線５が引き出されている。また、表示領域３ａと周辺領域３ｂとの間には、表示領域３ａを囲む多重（２重）の環状補助配線１１が設けられている。

これらの画素回路、引出配線５、および環状補助配線１１は、上述したように第１導電層３１と第２導電層３２とを用いて構成されている。そして、これらの画素回路を覆う状態で表面平坦な第２絶縁膜１３が設けられ、この第２絶縁膜１３上に有機電界発光素子ＥＬが設けられている。この有機電界発光素子ＥＬは、平坦化絶縁膜３４に設けた接続孔内にコンタクト部３３を設け、このコンタクト部３３を介して１つの画素回路に接続されている。

この有機電界発光素子ＥＬは、先に説明したように、第３絶縁膜４３で周縁が覆われた下部電極４１の露出面上に発光機能層４３と上部電極１５とをこの順に積層させた構成であり、第３絶縁膜４３に設けた開口部分が画素開口となり、有機電界発光素子ＥＬの表面形状に一致している。また下部電極４１と同一層で構成された補助配線４１ａが、下部電極４１の脇に配置されている。この補助配線４１ａは、第２絶縁膜１３に設けた溝パターン１３ａを介して環状補助配線１１に接続されている。また、第３絶縁膜４３にはこの補助配線４１ａに達する接続孔４３ａが設けられ、各有機電界発光素子ＥＬに共通の上部電極１５が、接続孔４３ａを介して補助配線４１ａに接続されると共に、第２絶縁膜１３に設けた溝パターン１３ａ内において補助配線４１ａを介して環状補助配線１１に接続されていることは、上述したとおりである。

図６は、以上の駆動回路に設けられる薄膜トランジスタＴｒ１,Ｔｒ２の構成例を示す図であり、（１）は平面図、（２）は平面図のＡ−Ａ’断面図である。これらの図に示すように、薄膜トランジスタＴｒ１,Ｔｒ２は、基板３上に設けられた第１導電層３１からなるゲート電極３１ｇを備えている。このゲート電極３１ｇはゲート絶縁膜３０１（断面図のみに図示）で覆われている。このゲート絶縁膜３０１上にチャネル部半導体層３０２が設けられている。またチャネル部半導体層３０２上には、ゲート電極３１ｇに積層される位置に絶縁性のストッパ層３０３が設けられており、さらにこのストッパ層３０３上で分離されたｎ型半導体層からなるソース／ドレイン３０４（断面図のみに図示）が設けられている。そしてさらに、これらのソース／ドレイン３０４に接続された状態で、第２導電層３２からなるソース／ドレイン電極３２ｓｄが設けられた構成となっている。このような構成の薄膜トランジスタＴｒ１,Ｔｒ２は、パッシベーション膜３０５（断面図のみに図示）で覆われている。

尚、上述したゲート絶縁膜３０１が、図５に示したように第１導電層３１からなる引出配線５分部と第２導電層３２からなる環状補助配線１１との間を絶縁する第１絶縁膜３０１となる。

以上説明した構成の表示装置１では、複数の環状補助配線１１を多重（図面上においては２重）に配置したことにより、１本の環状補助配線１１とその下層の引出配線５との間でショートが発生した場合に、環状補助配線１１のショート部分を切断(リペア）して引出配線５とのショートを回避することができる。例えば、図７に示すように、引出配線５と環状補助配線１１との間に異物Ａｓが挟み込まれると、この異物Ａｓに起因して引出配線５−環状補助配線１１間がショートする場合がある。この場合、２重の環状補助配線１１のうちの一方を、引出配線５との間に異物Ａｓが付着した部分を切り離すように２ヶ所で切断する。これにより、環状補助配線１１と引出配線５とのショートを回避することができる。

以上説明したように本発明によれば、環状補助配線１１を多重に設けたことにより、引出配線５とその上部に設けられた環状補助配線１１とのショート部分を、環状補助配線１１部分の切断によって容易にリペア可能としつつも、残りの環状補助配線１１によって正常な配線機能を維持することが可能である。この結果、表示装置の製造プロセスに対するマージンを高めることが可能になる。

また、この環状補助配線１１を覆うと共に有機電界発光素子ＥＬの下地となる第２絶縁膜１３には、環状補助配線１１を底面とした多重の溝パターン１３ａが設けられ、第２絶縁膜１３が表示領域３ａの外側で多重に分断された状態となっている。これにより、有機材料を用いて構成された第２絶縁膜１３を介して表示領域３ａ内への水分浸入を確実に防止することができる。したがって、表示領域３ａに設けた有機電界発光素子ＥＬの水分による劣化を防止することが可能である。

さらに、外側の環状補助配線１１上に設けた溝パターン１３ａにおいて水分の浸入が防止されることで、内側に設けた環状補助配線１１への水分の浸入が防止され、内側の環状補助配線１１の腐蝕が防止される。

＜変形例＞
図８（ａ）〜（ｂ）には、上述した実施形態の表示装置１の変形例として、表示領域から周辺領域に引き出された引出配線５と、表示領域を多重に囲む状態で配置された環状補助配線１１と積層部分の構成を示す。

図８（ａ）に示すように、多重に配置された複数の環状補助配線１１−１１間は、接続配線１１ａによって接続された状態であっても良い。これにより、環状補助配線１１の導電性がさらに良好に保たれ、これに接続された上部電極１５の電圧降下を防止する効果を高めことが可能になる。このような構成であっても、引出配線５と環状補助配線１１との間に異物Ａｓが挟み込まれた場合、引出配線５との間に異物Ａｓが付着した環状補助配線１１部分を切り離すように２ヶ所で切断する。これにより、環状補助配線１１と引出配線５とのショートを回避することができる。

図８（ｂ）に示すように、引出配線５には、環状補助配線１１と交差する部分に引出配線５と平行なバイパス５ａが設けられていても良い。このような構成において引出配線５（またはバイパス５ａ）と環状補助配線１１との間に異物Ａｓが挟み込まれた場合、引出配線５（またはバイパス５ａ）との間に異物Ａｓが付着した環状補助配線１１部分を切り離すように環状補助配線１１の２ヶ所を切断する。これにより、環状補助配線１１と引出配線５とのショートを回避することができる。この場合、環状補助配線１１との間に異物が付着した引出配線５（またはバイパス５ａ）部分を切り離すように、引出配線５（またはバイパス５ａ）の２ヶ所を切断しても良い。

図８（ｃ）に示すように、多重に配置された複数の環状補助配線１１−１１間が接続配線１１ａによって接続された状態であって、かつ環状補助配線１１と交差する引出配線５部分に引出配線５と平行なバイパス５ａが設けられていても良い。これにより、環状補助配線１１の導電性がさらに良好に保たれ、これに接続された上部電極１５の電圧降下を防止する効果を高めことが可能になる。このような構成において引出配線５（またはバイパス５ａ）と環状補助配線１１との間に異物Ａｓが挟み込まれた場合、引出配線５（またはバイパス５ａ）との間に異物Ａｓが付着した環状補助配線１１部分を切り離すように環状補助配線１１の２ヶ所を切断する。これにより、環状補助配線１１と引出配線５とのショートを回避することができる。この場合、環状補助配線１１との間に異物が付着した引出配線５（またはバイパス５ａ）部分を切り離すように、引出配線５（またはバイパス５ａ）の２ヶ所を切断しても良い。

＜表示装置の製造方法＞
図９、上述した構成の表示装置の製造方法を説明するフローチャートである。以下、この図に基づいて、表示装置の製造手順を説明する。尚ここでは、図９のフローチャートと共に、図５の断面図を参照しつつ製造手順を説明する。

先ず、ステップＳ１では、基板３上に、第１導電層３１からなる引出配線５、薄膜トランジスタＴｒ１,Ｔｒ２のゲート電極、および容量素子Ｃｓの下部電極などを形成する。次に、これらを覆う第１絶縁膜としてゲート絶縁膜３０１を成膜する。その後、薄膜トランジスタＴｒ１,Ｔｒ２の半導体層を形成し、さらに第２導電層３２からなる多重の環状補助配線１１、薄膜トランジスタＴｒ１,Ｔｒ２のソース電極およびドレイン電極、および容量素子Ｃｓの上部電極などを形成する。そして、表示領域３ａ内の各画素に画素回路を形成すると共に、周辺領域３ｂに駆動回路などを形成する。

次いで、ステップＳ２では、ステップＳ１で形成した回路の検査を行う。ここでは例えば回路動作を検査し、動作に異常があれば画像検出によって異常部を特定する。

そして、ステップＳ３では、ステップＳ２の回路検査において異常なしか否かを判断する。そして、異常あり（ｎｏ）の場合にはステップＳ４に進み、異常なし（ｙｅｓ）の場合いはステップＳ５に進む。

ステップＳ４では、ステップＳ２で特定された異常部のリペアを行う。ここでは、例えば先の図７および図８を用いて説明したように、引出配線５と環状補助配線１１との間のショート部分を切断するようにリペアを行う。そして、リペア終了後には、ステップＳ５に進む。

ステップＳ５では、基板３上に形成された第１配線層３１および第２配線層３２を用いた回路を覆うと共に、環状補助配線１１を底面にしたリング状の溝パターン１３ａを多重に設けた第２絶縁膜１３を形成する。この第２絶縁膜１３の形成は、例えば、感光性の有機絶縁膜の塗布性膜とリソグラフィー処理によって行われ、表面平坦に形成される。また、第２絶縁膜１３には、溝パターン１３ａと共に、各画素ａに設けられた容量素子Ｃｓの上部電極に達する接続孔も形成する。

次に、ステップＳ６では、第２絶縁膜１３上に有機電界発光素子ＥＬを形成する工程を行う。この際先ず、第２絶縁膜１３上の各画素ａに、容量素子Ｃｓの上部電極に接続された下部電極４１をパターン形成する。また同時に、第２絶縁膜１３の溝パターン１３ａを介して環状補助配線１１に接続された補助配線４１ａを、下部電極４１に対して絶縁性を保って形成する。次に、下部電極４１の周縁を覆う第３絶縁膜４３をパターン形成する。その後、例えばマスク蒸着法によって、各画素ａの下部電極４１上に積層構造の発光機能層４５をパターン形成する。しかる後、表示領域３ａの全画素ａを覆うと共に、補助配線４１ａに接続され、また補助配線４１ａを介して溝パターン１３ａ底部の環状補助配線１１に接続された上部電極１５を形成する。

これにより、表示領域３ａ内の各画素ａに、下部電極４１と上部電極１５との間に発光機能層４５を狭持してなる有機電界発光素子ＥＬを形成する。また、全画素ａに共通の上部電極１５を、補助配線４１ａおよび環状補助配線１１に接続させる。

次のステップＳ７では、有機電界発光素子ＥＬを封止する工程を行う。断面図での図示は省略したが、ここでは有機電界発光素子ＥＬを覆う状態で無機絶縁膜を成膜し、無機絶縁膜上に接着剤層を介して封止基板を貼り合わせることにより、有機電界発光素子ＥＬを封止する。

以上の後のステップＳ８では、有機電界発光素子ＥＬの検査を行う。ここでは有機電界発光素子ＥＬを発光させて検査を行い、発光状態に異常があれば画像検出によって異常部を特定する。

そして、ステップＳ９では、ステップＳ８の検査において異常なしか否かを判断する。そして、異常あり（ｎｏ）の場合にはステップＳ１０に進み、異常なし（ｙｅｓ）の場合には処理を終了する。

ステップＳ１０では、ステップＳ８で特定された異常部のリペアを行う。そして、リペア終了後には、表示装置の製造工程を終了する。

尚、ステップＳ３とステップＳ４は、ステップＳ７の後に行われても良い。

以上説明したように、環状補助配線１１を多重に設けたことにより、引出配線５とその上部に設けられた環状補助配線１１とのショート部分を、環状補助配線１１部分の切断によって容易にリペア可能としつつも、残りの環状補助配線１１によって正常な配線機能を維持することが可能である。この結果、表示装置の製造プロセスに対するマージンを高めることが可能になる。

＜適用例＞
以上説明した本発明に係る製造方法によって得られる表示装置は、図１０〜図１４に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなど、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。以下に、本発明が適用される電子機器の一例について説明する。

図１０は、本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。本適用例に係るテレビは、フロントパネル１０２やフィルターガラス１０３等から構成される映像表示画面部１０１を含み、その映像表示画面部１０１として本発明に係る表示装置を用いることにより作成される。

図１１は、本発明が適用されるデジタルカメラを示す図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。本適用例に係るデジタルカメラは、フラッシュ用の発光部１１１、表示部１１２、メニュースイッチ１１３、シャッターボタン１１４等を含み、その表示部１１２として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。

図１２は、本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。本適用例に係るノート型パーソナルコンピュータは、本体１２１に、文字等を入力するとき操作されるキーボード１２２、画像を表示する表示部１２３等を含み、その表示部１２３として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。

図１３は、本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。本適用例に係るビデオカメラは、本体部１３１、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ１３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ１３３、表示部１３４等を含み、その表示部１３４として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。

図１４は、本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。本適用例に係る携帯電話機は、上側筐体１４１、下側筐体１４２、連結部（ここではヒンジ部）１４３、ディスプレイ１４４、サブディスプレイ１４５、ピクチャーライト１４６、カメラ１４７等を含み、そのディスプレイ１４４やサブディスプレイ１４５として本発明に係る表示装置を用いることにより作製される。

実施形態の表示装置の全体構成の概略を示すレイアウト図である。 実施形態の表示装置の画素回路の構成を示す図である。 実施形態の表示装置における画素回路のレイアウト図である。 実施形態の表示装置に設ける有機電界発光素子の構成を説明する要部拡大平面図である。 図３および図４のＡ−Ａ’断面に対応する断面図である。 駆動回路に設けられる薄膜トランジスタの構成例を示す図である。 異物による引出配線−環状補助配線間がショートのリペアを説明する図である。 実施形態の変形例を示す要部のレイアウト図である。 表示装置の製造方法を示すフローチャートである。 本発明が適用されるテレビを示す斜視図である。 本発明が適用されるデジタルカメラを示す図であり、（Ａ）は表側から見た斜視図、（Ｂ）は裏側から見た斜視図である。 本発明が適用されるノート型パーソナルコンピュータを示す斜視図である。 本発明が適用されるビデオカメラを示す斜視図である。 本発明が適用される携帯端末装置、例えば携帯電話機を示す図であり、（Ａ）は開いた状態での正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態での正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。

符号の説明

１…表示装置、３ａ…表示領域、３…基板、３ｂ…周辺領域、５…引出配線、５ａ…バイパス、１１…環状補助配線（環状配線）、１３…第２絶縁膜、１３ａ…溝パターン、１５…上部電極、４１…下部電極、４５…発光機能層、３０１…第１絶縁膜（ゲート絶縁膜）、ａ１…画素回路、ＥＬ…有機電界発光素子（発光素子）

Claims (8)

1. 表示領域から当該表示領域の周辺領域に引き出された引出配線と、
   前記引出配線が設けられた基板上を覆う第１絶縁膜と、
   前記第１絶縁膜上における前記表示領域と周辺領域との間に当該表示領域を多重に囲む状態で配置された複数の環状配線と、
   前記環状配線が設けられた前記基板上を覆うと共に、当該各環状配線を底面とした溝パターンを有する第２絶縁膜と、
   前記表示領域内における前記第２絶縁膜上に設けられた発光素子とを備え、
   前記引出配線には、前記環状配線と交差する部分に当該引出配線と平行なバイパスが設けられている
   表示装置。
2. 前記発光素子は、上部電極と下部電極との間に発光機能層を挟持してなる
   請求項１記載の表示装置。
3. 前記表示領域内には、前記引出配線に接続された画素回路が設けられており、
   前記下部電極は、前記画素回路に接続されている
   請求項２記載の表示装置。
4. 前記上部電極は、前記溝パターンを介して前記環状配線に接続されている
   請求項２記載の表示装置。
5. 前記多重に配置された環状配線間は接続されている
   請求項１記載の表示装置。
6. 前記複数の溝パターンは、前記表示領域を多重に囲む状態で配置されている
   請求項１記載の表示装置。
7. 表示領域から当該表示領域の周辺領域に引き出された引出配線を形成する第１工程と、
   前記引出配線が設けられた基板上を第１絶縁膜で覆う第２工程と、
   前記第１絶縁膜上における前記表示領域と周辺領域との間に当該表示領域を多重に囲む状態で複数の環状配線を形成する第３工程と、
   前記引出配線と環状配線とを検査する第４工程と、
   前記第４工程での検査で不具合箇所があった場合に、前記環状配線の不具合個所をリペアする第５工程と、
   前記第４工程の後に、前記環状配線が設けられた前記基板上を覆うと共に前記各環状配線を底面とした複数の溝パターンを有する第２絶縁膜を形成する第６工程と、
   前記表示領域内における前記第２絶縁膜上に発光素子を形成する第７工程と
   を有する表示装置の製造方法。
8. 前記引出配線の前記環状配線と交差する部分に当該引出配線と平行なバイパスを形成する
   請求項７記載の表示装置の製造方法。

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