JP5391318B2 - パルス幅変調制御回路及びその制御方法 - Google Patents
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Description
また、該位相ノードが出力インダクタンス、出力コンデンサに接続し、出力インダクタンスの電流を出力コンデンサに充電するよう制御して出力電圧を生成する。
本発明のパルス幅変調制御回路は、仮想電流リップルのパルス幅変調回路を備える。
該仮想電流リップルのパルス幅変調回路は、前記位相ノード電圧信号を入力すると共に出力電圧信号に反応し、また、直流基準電圧レベルにある仮想電流リップルのパラメータ信号を生成する積分と直流バイアス除去ユニットと、該仮想電流リップルのパラメータ信号と出力電圧信号のスルーレートとがパルス幅変調のパラメータ信号をベクトル合成させる位相合成ユニットと、アップ、ダウン直流基準電圧レベルを生成し、該パルス幅変調のパラメータ信号とアップ、ダウン直流基準電圧レベルを比較してパルス幅変調信号を生成して前記ドライバーに入力するデュアル基準電圧レベル生成ユニットとを含む。
位相ノードの方形波電圧信号を取り、直流基準電圧レベルを設定し、該信号が積分及び直流バイアス除去処理を経て直流基準電圧レベルにある仮想電流リップルのパラメータ信号を生成するaステップと、
反応した出力電圧信号と仮想電流リップルのパラメータ信号を重畳して近似三角波を有するパルス幅変調パラメータ信号を合成するbステップと、
パルス幅変調のパラメータ信号を測定すると共にパルス幅変調信号を生成してアップ、ダウンブリッジエレメントの動作を制御するcステップと、
を含む。
前記cステップの測定方法は、直流基準電圧レベルの正負の同じ電圧差に対応するアップ、ダウン直流基準電圧レベルを設定し、また、該パルス幅変調のパラメータ信号の上昇波、下降波は各々アップ、ダウン直流基準電圧レベル信号のレベルにある時、パルス幅変調信号を生成できる。
本発明の一実施形態によるコンバータ回路構成について、図1を参照しながら説明する。本発明のコンバータは、アップブリッジエレメントQ1とダウンブリッジエレメントQ2とを含み、また、アップ、ダウンブリッジエレメントQ1、Q2が入力電源VINに電気的に接続され、位相ノードAを通じて該アップ、ダウンブリッジエレメントQ1、Q2を接続し、位相ノードAがドライバー91により駆動されてアップ、ダウンブリッジエレメントQ1、Q2にスイッチング動作を行わせる。また、前記ダウンブリッジエレメントQ2はダイオード(図示略)とすることができる。該位相ノードAが出力インダクタンス92、出力コンデンサ93に接続し、また、出力インダクタンス92の電流を出力コンデンサ93に充電するよう制御して出力電圧VOUTを生成する。本実施形態では、分圧抵抗94、95の分圧電圧を取って出力電圧VOUTの変化を検出する。また、本発明は、仮想電流リップルのパルス幅変調回路1を備え、また、該仮想電流リップルのパルス幅変調回路1が前記位相ノードAの電圧信号を入力すると共に出力電圧VOUT信号に反応し、且つドライバー91に出力してアップ、ダウンブリッジエレメントQ1、Q2にスイッチング動作を行わせるよう制御する。
2 ・・・・直流基準電圧レベルユニット
3 ・・・・積分及び直流バイアス除去ユニット
31 ・・・積分部分
32 ・・・直流バイアス除去部分
33 ・・・直流バイアス除去部分
4 ・・・・位相合成ユニット
5 ・・・・デュアル基準電圧レベル生成ユニット
6 ・・・・パルス幅変調生成ユニット
61 ・・・ソフトスタート回路
91 ・・・ドライバー
92 ・・・出力インダクタンス
93 ・・・出力コンデンサ
94 ・・・抵抗
95 ・・・抵抗
A ・・・・位相ノード
Q1 ・・・アップブリッジエレメント
Q2 ・・・ダウンブリッジエレメント
Claims (10)
- 少なくとも1個のアップブリッジエレメントと1個のダウンブリッジエレメントとを含むコンバータと、
仮想電流リップルのパルス幅変調回路と、を備え、
前記アップブリッジエレメントおよび前記ダウンブリッジエレメントが入力電源に電気的に接続され、位相ノードを通じて前記アップブリッジエレメントと前記ダウンブリッジエレメントを接続し、前記位相ノードがパルス幅変調信号で制御するドライバーにより駆動されて前記位相ノード電圧信号を生成することで、前記アップブリッジエレメントおよび前記ダウンブリッジエレメントにスイッチング動作を行わせ、
前記位相ノードが出力インダクタンス、出力コンデンサに接続し、前記出力インダクタンスの電流を前記出力コンデンサに充電するよう制御して出力電圧を生成し、
前記仮想電流リップルのパルス幅変調回路は、前記位相ノード電圧信号を入力すると共に出力電圧信号に反応し、
直流基準電圧レベルにある仮想電流リップルのパラメータ信号を生成する積分及び直流バイアス除去ユニットと、
前記仮想電流リップルのパラメータ信号と出力電圧信号のスルーレートとがパルス幅変調のパラメータ信号をベクトル合成する位相合成ユニットと、
アップ直流基準電圧レベルおよびダウン直流基準電圧レベルを生成し、前記パルス幅変調のパラメータ信号と前記アップ直流基準電圧レベルおよび前記ダウン直流基準電圧レベルを比較してパルス幅変調信号を生成して前記ドライバーに入力するデュアル基準電圧レベル生成ユニットとを含むことを特徴とするパルス幅変調制御回路。 - 前記仮想電流リップルのパルス幅変調回路は、直流基準電圧レベルユニットとパルス幅変調生成ユニットを更に含み、
前記直流基準電圧レベルユニットが直流基準電圧レベルを提供し、前記積分及び直流バイアス除去ユニットの入力側が前記位相ノード電圧信号に接続し、且つ、直流基準電圧レベルユニットに接続して位相ノード電圧信号の方形波が積分、及び、直流バイアス除去を経ることで直流基準電圧レベルにある三角波を形成し、前記三角波のスルーレートが前記位相ノード電圧信号の変化に反応でき、
前記位相合成ユニットは、前記積分及び直流バイアス除去ユニットが出力した積分波形電圧と前記コンバータが出力した電圧を受信し、割合による重畳を行って近似三角波の合成電圧を生成し、前記電圧を前記パルス幅変調のパラメータ信号とし、
デュアル基準電圧レベル生成ユニットの入力側が前記直流基準電圧レベルユニットに接続し、前記パルス幅変調生成ユニットまで出力し、且つ、前記デュアル基準電圧レベル生成ユニットが直流基準電圧レベルの正負の同じ電圧差に対応する前記アップ直流基準電圧レベルおよび前記ダウン直流基準電圧レベルを生成し、
前記パルス幅変調生成ユニットの入力側が前記位相合成ユニットの出力側及び前記デュアル基準電圧レベル生成ユニットの出力側に接続し、前記位相合成ユニットから入力された前記パルス幅変調のパラメータ信号と前記デュアル基準電圧レベル生成ユニットの前記アップ直流基準電圧レベル、前記ダウン直流基準電圧レベルとを比較させて、前記パルス幅変調信号を生成することを特徴とする請求項1に記載のパルス幅変調制御回路。 - 前記積分及び直流バイアス除去ユニットは、積分部分と直流バイアス除去部分とを備え、
前記積分部分が前記アップブリッジエレメントおよび前記ダウンブリッジエレメントの前記位相ノードの方形波信号を積分して三角波信号を形成し、
前記直流バイアス除去部分が積分回路と誤差増幅回路とを有し、
前記積分回路の入力側が前記積分部分の出力側に接続し、
前記誤差増幅回路が前記積分回路の出力側、及び、前記直流基準電圧レベルユニットの出力に接続し、
前記積分部分が出力した前記アップブリッジエレメントおよび前記ダウンブリッジエレメントに対応する前記位相ノード信号は、前記積分回路を経由して直流レベルに対応する波形を形成してから前記誤差増幅回路により前記直流レベル波形と前記直流基準電圧レベルユニットの前記直流基準電圧レベルを比較させることができ、その直流誤差量を増幅してから前記積分部分に入力し、前記積分部分が出力した異なる前記直流レベルの三角波電圧を前記直流基準電圧レベルにある三角波として調整させることができることを特徴とする請求項2に記載のパルス幅変調制御回路。 - 前記積分及び直流バイアス除去ユニットは、積分部分と直流バイアス除去部分とを備え、
前記積分部分が前記アップブリッジエレメントおよび前記ダウンブリッジエレメントの前記位相ノードの方形波信号を積分して三角波信号を形成し、
前記直流バイアス除去部分が比較回路と積分回路からなり、
前記比較回路の入力側が前記積分部分の出力信号、及び、前記直流基準電圧レベルユニットの出力信号に接続し、
前記積分回路の入力側が前記比較回路、及び、前記直流基準電圧レベルユニットの出力信号に接続し、
前記積分部分が受信した積分波形は、前記直流基準電圧レベルを基準とし、前記比較回路と前記直流基準電圧レベルを比較し、前記積分回路を通じて積分した後前記直流基準電圧レベルに対応する直流誤差の出力電圧を生成し、前記電圧を前記積分部分に入力して前記積分部分の出力直流レベルを調整し、前記直流基準電圧レベルに対応する三角波を形成することを特徴とする請求項2に記載のパルス幅変調制御回路。 - 前記位相合成ユニットは、誤差増幅器を備え、入力側に前記積分、及び、直流バイアス除去ユニットの出力電圧及び前記コンバータの出力及び帰還電圧を入力し、重畳を経て出力パルス幅変調のパラメータ信号を合成することを特徴とする請求項2に記載のパルス幅変調制御回路。
- 前記デュアル基準電圧レベル生成ユニットは、2つの比較回路を備え、前記2つの比較回路のいずれか入力側が前記直流基準レベルに接続し、前記2つの比較回路が抵抗に接続し、前記抵抗の抵抗値の設定を介して前記直流基準電圧レベルの正負の同じ電圧差に対応する前記アップ直流基準電圧レベルおよび前記ダウン直流基準電圧レベルを各々出力することを特徴とする請求項2に記載のパルス幅変調制御回路。
- 前記パルス幅変調生成ユニットは、2つの比較回路を備え、前記比較回路のいずれかの入力側が前記パルス幅変調のパラメータ信号、及び、前記アップ直流基準電圧レベルに接続し、別の前記比較回路の入力側が前記パルス幅変調のパラメータ信号、及び、前記ダウン直流基準電圧レベルに接続し、2つの前記比較回路の出力が前記パルス幅変調のパラメータ信号のスルーレート変化に反応する方形波信号を形成することを特徴とする請求項2に記載のパルス幅変調制御回路。
- 前記仮想電流リップルのパルス幅変調回路と前記ドライバーと前記アップブリッジエレメントおよび前記ダウンブリッジエレメントとを有するパルス幅変調アーキテクチャが並列接続され、前記出力インダクタンスと同一前記出力コンデンサに各々接続して多相配置を行うことができることを特徴とする請求項2に記載のパルス幅変調制御回路。
- 少なくとも1個のアップブリッジエレメントと1個のダウンブリッジエレメントとを含むコンバータと、を備え、
前記アップブリッジエレメントおよび前記ダウンブリッジエレメントが入力電源に電気的に接続され、位相ノードを通じて前記アップブリッジエレメントと前記ダウンブリッジエレメントを接続し、前記位相ノードがパルス幅変調信号で制御するドライバーにより駆動されて前記アップブリッジエレメントおよび前記ダウンブリッジエレメントにスイッチング動作を行わせ、
前記位相ノードが出力インダクタンス、出力コンデンサに接続し、前記出力インダクタンスの電流を前記出力コンデンサに充電するよう制御して出力電圧を生成し、
前記位相ノードの方形波電圧信号を取り、直流基準電圧レベルを設定し、前記信号が積分及び直流バイアス除去処理を経て前記直流基準電圧レベルにある仮想電流リップルのパラメータ信号を生成するaステップと、
反応した出力電圧信号と前記仮想電流リップルのパラメータ信号を重畳して近似三角波を有するパルス幅変調パラメータ信号を合成するbステップと、
前記パルス幅変調のパラメータ信号を測定すると共に前記パルス幅変調信号を生成して前記アップ、ダウンブリッジエレメントの動作を制御するcステップと、
を含むことを特徴とするパルス幅変調制御方法。 - 前記cステップの測定方法は、前記直流基準電圧レベルの正負の同じ電圧差に対応するアップ直流基準電圧レベルおよびダウン直流基準電圧レベルを設定し、前記パルス幅変調のパラメータ信号の上昇波、下降波は各々前記アップ直流基準電圧レベル信号および前記ダウン直流基準電圧レベル信号のレベルにある時、前記パルス幅変調信号を生成できることを特徴とする請求項9に記載のパルス幅変調制御方法。
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