JP5372697B2

JP5372697B2 - 投影型静電容量タッチパネルの製造方法

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Publication number: JP5372697B2
Application number: JP2009242311A
Authority: JP
Inventors: 正雄尾関; 時人澤田; 喬之湯地; 聖渡邊
Original assignee: Kyocera Display Corp
Current assignee: Kyocera Display Corp
Priority date: 2009-10-21
Filing date: 2009-10-21
Publication date: 2013-12-18
Anticipated expiration: 2029-10-21
Also published as: JP2011090443A

Description

本発明は、表示装置等に重ねられて配設される投影型静電容量タッチパネルの製造方法に関する。

図１５は、携帯電話機等の投影型静電容量タッチパネルを含む電子機器の構成例を示す説明図である。携帯電話機等に採用されている投影型静電容量タッチパネルその他の装置は、例えば、図１５に示すように積層されている。

図１５に示す例では、液晶表示装置７０と、その上に配設される投影型静電容量タッチパネル７１と、その上に配設されるカバーガラス７２の例を示している。図１５において、表示装置７０を構成する一対の透明基板８１，８２は、シール材８４により封止された空間に、液晶８３を挟持している。この他、透明基板８１，８２には、液晶表示用電極８５が形成され、偏光板８６が配設されている。なお、８７は駆動用ＩＣであり、この駆動用ＩＣ８７は、フレキシブル基板８８を介して画像データの送信元となる制御基板等（図示せず。）に接続される。

このような液晶表示装置７０の上（視認側）に、センサ用電極９２が設けられた透明基板９１を備える投影型静電容量タッチパネル７１が重なるように配置されている。投影型静電容量タッチパネル７１では、この透明基板９１に設けられたセンサ電極９２に、人間の指などの導電体が近づくことで発生する静電容量の変化を捉えてタッチ位置を検出する。より具体的には、センサ用電極９２に指が近づくことにより、指とセンサ用電極９２との間に容量が形成され、その変化をフレキシブル基板９５を介して接続される投影型静電容量センサ用ＩＣ（図示せず。）が検知する。なお、図１５では、センサ用電極９２を互いに交差する２方向に伸びる列電極として形成する例を示している。このため、ある一方向に伸びる列電極と他方向に伸びる列電極との間に、電気的に非接触状態とするための絶縁層９３が設けられている。また、投影型静電容量タッチパネル７１には、センサ用電極９２を保護するための保護層９６が設けられている。

なお、図１５に示す例では、投影型静電容量タッチパネル７１の上に、さらに光学接着層９９を介してカバーガラス７２が配設されている例が示されている。カバーガラス７２は、例えば、透明ガラス基板９８に黒色印刷９７が施されてなる。

図１６は、カバーガラス７２の装飾例を示す上面図である。図１６に示すように、カバーガラス７２には、周辺部に黒色印刷９７が施されたり、穴が開けられたりといった装飾が施されることが多い。なお、カバーガラス７２の装飾の多くは、意匠性の向上を目的とするものではあるが、その下に配設されるタッチパネルや表示装置の配線部分を遮蔽するためであったり、マイクロフォンやスピーカフォンとの間の遮音を防ぐためといった機能面からの要望によるものも含まれる。

図１５に示すような構成によって投影型静電容量タッチパネル等の入力装置を含む電子機器の意匠性を確保する場合、投影型静電容量タッチパネル７１とカバーガラス７２の２つの部品を必要としたり、また反射光等を減らす為に光学接着層９９を必要とするなどにより、コストが高くなるという問題があった。また、電子機器全体としての厚みが厚くなるという問題があった。

このような入力装置を筐体に組み込む際の意匠性の問題や、入力装置の積層による厚みの問題に関し、例えば、特許文献１には、入力パネルを収容する収容部が設けられたカバー部材の一主面と、該収容部に収容された入力パネルの一主面との境界部に形成された段差に沿って入力パネル及びカバー部材に密着するフィルム部材を有する入力装置が記載されている。

また、特許文献２には、入力パネルを収容する収容部が設けられているカバー部材の一主面と、該収容部に配設されている入力パネルの一主面とにわたって接着されている可撓性部材を有する入力装置が記載されている。

特開２００８−２５７４９４号公報特開２００８−２７６７２９号公報

しかし、特許文献１や特許文献２に記載されている技術では、カバーガラスの代わりにフィルム部材や可撓性部材を用いていることになり、部品点数および光学接着層を必要とする点は変わらず、依然として電子機器全体としての厚みが増すという問題やコストが高くなるという問題がある。なお、特許文献１に記載されている技術には、カバー部材と入力パネルとの間に必ず段差が生じてしまうため意匠性に劣るという問題もある。

そこで、本発明は、投影型静電容量タッチパネルを具備する装置において、意匠性の確保または更なる向上を図りつつ、製造にかかるコストを低減することを目的とする。なお、意匠性の確保または更なる向上として、より具体的には、少なくともカバーガラスが担っていた配線部分の遮蔽機能を具備することおよび電子機器全体としての厚みの低減を行うことを目的とする。さらには、筐体との段差を生じさせないことを目的とする。

また、本発明による投影型静電容量タッチパネルの製造方法は、透明基板の片側の面に、透明電導膜のパターニングにより、第１の方向に伸びる列電極と、第１の方向と交差する方向である第２の方向に伸びる列電極とを含む透明電極パターンであって、第１の方向に伸びる列電極と第２の方向に伸びる列電極の交差領域でいずれか一方の列電極が分断された形状となる透明電極パターンを形成し、透明電極パターンが形成された透明基板の同一面の周辺部と、第１の方向に伸びる列電極と第２の方向に伸びる列電極の交差領域とに、遮蔽性および絶縁性を有する材料による絶縁遮蔽層を設けることにより、周辺部に形成される電極の引き廻し配線および／または信号処理用の接続部を視認側に対して覆い隠すためのブラックマスク部と、交差領域で分断されずに形成された第１の方向に伸びる列電極または第２の方向に伸びる列電極を覆う電気的絶縁層とを形成し、絶縁遮蔽層が形成された透明基板の同一面に、金属製の導電物質を成膜した金属膜によるパターニングにより、各列電極の引き廻し配線と、交差領域で分断されて形成されている他方の列電極を接続状態とするためのブリッジ配線とを形成することを特徴とする。

また、本発明による投影型静電容量タッチパネルの製造方法は、ブラックマスク部と電気的絶縁層が、同じ材料からなるとともに、同一工程にて形成されてもよい。

本発明によれば、投影型静電容量タッチパネルを具備する装置において、意匠性の確保または更なる向上を図りつつ、製造にかかるコストを低減することが可能である。

第１の実施形態の投影型静電容量タッチパネルの例を示す模式的断面図。第１の実施形態の投影型静電容量タッチパネル１１と表示装置７０とが積層される様子を示す説明図。筐体内で、表示装置と投影型静電容量タッチパネルとが積層される様子を示す説明図。第２の実施形態の投影型静電容量タッチパネルの例を示す模式的断面図。第２の実施形態の投影型静電容量タッチパネル１１と表示装置７０とが積層される様子を示す説明図。第２の実施形態のセンサ用電極２のパターニングの例を示す説明図。透明基板１にセンサ用電極２と絶縁層９（ＢＭ絶縁層９）とブリッジ配線４とが形成された状態を拡大して示す説明図。センサ用電極２の配置例を示す説明図。ＢＭ部７が形成された状態の投影型静電容量タッチパネル１１の例を示す説明図。金属材料によるブリッジ配線４および引き廻し配線４が形成された状態の投影型静電容量タッチパネル１１の例を示す説明図。保護層６が形成された状態の投影型静電容量タッチパネル１１の例を示す説明図。フレキシブル基板５を接続させた状態の投影型静電容量タッチパネル１１の例を示す説明図。投影型静電容量タッチパネル１１において各部材の配置例を示す平面透視図およびＡ−Ａ’断面図。投影型静電容量タッチパネル１１において各部材の配置例を示す平面透視図およびＢ−Ｂ’断面図。投影型静電容量タッチパネルを含む電子機器の構成例を示す説明図。カバーガラス７２の装飾例を示す上面図。

実施形態１．
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施形態の投影型静電容量タッチパネルの例を示す模式的断面図である。図１に示す投影型静電容量タッチパネル１１は、１枚の透明基板１と、該透明基板１上に形成されるセンサ用電極２とを備える。この透明基板１に設けられたセンサ電極２に、人間の指などの導電体が近づくことで発生する静電容量の変化を捉えてタッチ位置を検出する。容量変化によって指の近づきを検知するため、指が直接にセンサ用電極２に触れる必要はない。

より具体的には、センサ用電極２に指が近づくことにより、指とセンサ用電極２との間に容量が形成され、その変化をフレキシブル基板５を介して接続される投影型静電容量センサ用ＩＣ（図示せず。）が検知することによって、タッチ位置を検出する。センサ用電極２とフレキシブル基板５とは、引き廻し配線４によって接続されている。なお、投影型静電容量センサ用ＩＣをフレキシブル基板５上に搭載させてもよいし、透明基板１上に搭載させてもよい。

図１に示す例において、センサ用電極２は、透明基板１の片側の面に、互いに交差する２方向に伸びる列電極として形成されている。このため、本投影型静電容量タッチパネル１１では、第１の方向に伸びる列電極と、第１の方向と交差する方向である第２の方向に伸びる列電極との間に、電気的に非接触状態とするための絶縁層３を設けている。また、本投影型静電容量タッチパネル１１には、センサ用電極２を保護するための保護層６を設けている。

透明基板１は、電気絶縁性の基板であって、例えば、ガラス基板や、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム／シート、ＰＣ（ポリカードネート）フィルム／シートなどでよい。例えば、透明基板１がガラス基板である場合、０．３ｍｍ〜３．０ｍｍの厚みであればよい。

また、センサ用電極２は、透明電導膜、例えばＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）により形成される透明電極パターンである。また、引き廻し配線４は、透明電導膜、例えばＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）により形成してもよいが、密着力が高く、ＩＴＯより導電性が高く、耐久性、耐摩耗性にも優れた、Ｍｏ、Ｍｏ合金、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｕ、Ａｕ合金などの金属材料が望ましく使用される。より耐食性を高めた合金としては、例えば、Ｍｏ−Ｎｂ系合金、Ａｌ−Ｎｄ系合金などが好ましい例として挙げられる。上記のようなブリッジ配線は２層、３層などの多層構造としてもよい。例えば、Ｍｏ層／Ａｌ層／Ｍｏ層の３層構造が挙げられる。

また、絶縁層３を構成する透明性の電気絶縁性物質として、例えば、ＳｉＯ_２などの無機材料やフォトリソ樹脂などの有機樹脂材料を用いることが可能である。

本実施形態では、さらに、透明基板１の周辺部８の最下位層（透明基板１上に形成される層のうち最も視認側に近い層）にブラックマスク部（以下、ＢＭ部という場合がある。）７が形成されている。ＢＭ部７は、例えば、遮蔽性を有する材料を用いた固定表示の印刷部である。本実施形態におけるＢＭ部７は、表示領域（ここでは、当該投影型静電容量タッチパネル１１の下に配設される表示装置の表示領域をいう。）以外の領域に配設される引き廻し配線部やその引き廻し配線とフレキシブル基板との接続部等、観察者の目に触れると美観を損ねることになる部分を隠すために設けられる。

なお、観察者の目に触れると美観を損ねることになる部分には、当該投影型静電容量タッチパネル１１の引き廻し配線部や接続部だけでなく、図２に示すように、その下に配設される全ての部品（表示装置７０等）の配線部や接続部等も含まれる。図２は、本発明による投影型静電容量タッチパネル１１と表示装置７０とが積層される様子を示す説明図である。例えば、当該投影型静電容量タッチパネル１１の背後に表示装置を配設した際の位置関係において該表示装置の表示領域以外の部分を覆うように、ＢＭ部７を設けてもよい。

ＢＭ部７は、観察者に対して遮蔽性を有していればよく、黒色に限らずその他の色であってもよい。また、設置条件において反射等により遮蔽性が確保できる場合には、材料自体に透過性があってもよい。ＢＭ部７の材料としては、例えば、顔料タイプのカラーフィルタ材料を用いることができる。また、黒色材料の場合には、黒セラミック塗料を利用することも可能である。また、ＢＭ部７の材料は、絶縁性が高いことがより望ましい。黒色のカラーフィルタ材料は、一般にカーボン系材料が用いられることが多いが、カーボン系材料は導電性があるため、そのような場合には絶縁性処理を施すか、カーボン系以外の材料を用いることがより望ましい。例えば、チタンブラック顔料は絶縁性が高く好適に利用可能である。なお、ＢＭ部７の上に直接引き廻し配線４を配設しない場合（例えば、間に絶縁層を設ける場合）には、絶縁性はなくてもよい。

さらに、ＢＭ部７の形成方法は、部分的塗工法として、フレキソ印刷法、オフセット印刷法があり、全面的塗工法としてスピンコート法等がある。全面的塗工法を用いる場合には、基板全体にＢＭ部材料を塗布したあと、不要部分を、例えばフォトリソグラフィ技術を用いて除去すればよい。

ＢＭ部７の上に直接引き回し配線４等の電極配線を形成する場合には、現像液やエッチング液に耐えられる材料を用いる。なお、上記に挙げた材料はいずれも現像液やエッチング液に耐えられる材料の例である。

次に、本実施形態の投影型静電容量タッチパネル１１の製造方法の一例について説明する。まず、透明基板１の片側の面の周辺部８にＢＭ部７を形成する。例えば、透明基板１の片側の面に、スピンコート法などを用いてＢＭ部７の材料（例えば、カラーフィルタ材料）を成膜させ、成膜させたカラーフィルタ材料膜をフォトリソグラフィ技術などを利用して所定のパターン形状に加工することにより、周辺部８を覆う固定表示であるＢＭ部７を形成する。

次に、第１の方向（例えば、Ｘ軸方向）に伸びる列電極となるセンサ用電極２を形成する。例えば、透明基板１の片側の面に、スパッタリング法などを用いてＩＴＯを成膜させ、成膜させたＩＴＯ膜をフォトリソグラフィ技術などを利用して所定のパターン形状に加工することにより、Ｘ軸方向に伸びる列電極となるセンサ用電極２を形成する。

次に、ある一方向のセンサ用電極２が形成された基板上に、絶縁層３を形成する。この絶縁層３を形成するにあたっては、フォトリソ樹脂をコーティングし、所定パターンのマスクを用いて露光し、必要に応じてエッチングするというフォトリソグラフィー・プロセス法を採用する。

次に、絶縁層３が形成された基板上に、第２の方向（例えば、Ｙ軸方向）に伸びる列電極となるセンサ用電極２を形成する。Ｙ軸方向に並ぶ列電極となるセンサ用電極２の形成方法は、上述した第１の方向に伸びる列電極となるセンサ用電極２と同様である。

次に、各列のセンサ用電極２の引き廻し配線４を形成する。例えば、各列のセンサ用電極２が形成されている透明基板１の同面（センサ用電極２が形成されている面）に対してスパッタリング法などを用いて金属製の導電物質を成膜して金属膜を形成し、この金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、引き廻し配線４を形成する。なお、引き廻し配線４をＩＴＯにより形成する場合には、スパッタリング法などを用いてＩＴＯを成膜させ、成膜させたＩＴＯ膜をフォトリソグラフィ技術などを利用して所定のパターン形状に加工すればよい。

最後に、保護層６を形成する。例えば、マスクを使用してスパッタリング法によりＳｉＯ_２材料の膜を形成すればよい。ＳｉＯ_２膜は、例えば、引き廻し配線７とフレキシブル基板５とが接続される接続部を除いた全面に形成する。

以上のように、本実施形態によれば、投影型静電容量タッチパネル１１単体で、接続部や引き廻し配線部を含む周辺部８を覆い隠すことができるので、積層による厚みを防ぎつつ意匠性に優れた電子機器を提供することができる。また、本投影型静電容量タッチパネル１１が、カバーガラス７０の担っていた役割を提供することで、例えば図３（ａ）に示すように、カバーガラス７０なしで筐体７２にフラットに組み込むことも可能であり、この点に関しても意匠性に優れた電子機器を提供することができる。

図３は、筐体内で、表示装置と投影型静電容量タッチパネルとが積層される様子を示す説明図である。図３（ａ）は、本発明の投影型静電容量タッチパネル１１が表示装置７０とが筐体内で積層される様子を示す説明図である。また、図３（ｂ）および図３（ｃ）は、従来の投影型静電容量タッチパネル７１と表示装置７０とが筐体内で積層される様子を示す説明図である。なお、図３（ｂ）に示す例は、カバーガラス７２を利用することにより、投影型静電容量タッチパネルや表示装置の周辺部にある配線等を隠している。本例では、カバーガラス７２を利用することで筐体６０との間に段差を設けないフラットな組み込みを実現しているが、その分筐体内で積層による厚みが増してしまっている。また、図３（ｃ）に示す例は、カバーガラス７０は利用せず、筐体６０の縁部を利用することにより、投影型静電容量タッチパネルや表示装置の周辺部にある配線等を隠している。本例では、筐体６０の縁部を利用することで、筐体内で積層による厚みが増すことを防いでいるが、投影型静電容量タッチパネルと筐体６０との間の段差のせいで意匠性が劣ってしまっている。なお、図３において、１２は接着層を示している。

実施形態２．
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図４は、第２の実施形態の投影型静電容量タッチパネルの例を示す模式的断面図である。また、図５は、本実施形態の投影型静電容量タッチパネル１１と表示装置７０とが積層される様子を示す説明図である。本実施形態の投影型静電容量タッチパネル１１は、ＢＭ部７を周辺部だけでなく、さらにセンサ用電極２の交差領域に設けられる絶縁層として設ける。本例では、交差する方向に伸びる列電極として形成されるセンサ用電極２に対して、その交差領域において各列電極を導通させるために金属材料のブリッジ配線４を、交差領域に形成された片方の列電極の上を覆うように形成された絶縁層を跨ぐように設ける場合において、この金属材料のブリッジ配線４とセンサ用電極２との間に設けられる絶縁層をＢＭ部７と同一材料によって形成する。以下、この金属材料のブリッジ配線４とセンサ用電極２との間に設けられる絶縁層を、ＢＭ絶縁層９と呼ぶ場合がある。

図６は、本実施形態のセンサ用電極２のパターニングの例を示す説明図である。本実施形態のセンサ用電極２は、例えば、Ｘ軸方向に伸びる列電極とＹ軸方向に伸びる列電極とが、後に（ブリッジ配線４によって）交差するようにパターニングされている。すなわち、図６に局所的に示すように、交差する２軸をＸ軸とＹ軸とした場合に、少なくともＸ軸方向に沿って列をなす２以上の電極単位２０１（例えば、電極単位２０１_ａ，２０１_ｂ）とＹ軸方向に沿って列をなす２以上の電極単位２０１（例えば、電極単位２０１_ｃ，２０１_ｄ）とを含む電極単位集合と、Ｘ軸方向とＹ軸方向とで交差する位置関係で配置されている各電極単位（図６に示す例では、電極単位２０１_ａ，２０１_ｂと電極単位２０１_ｃ，２０１_ｄ）をいずれか一方の軸方向でのみ接続させる接続配線２０２とにより構成されている。なお、図６に示す例では、各列をなす電極集合への引き廻し配線２０３（例えば、引き廻し配線２０３_ａ，２０３_ｂ）も示している。引き廻し配線２０３は、各列電極を構成する電極単位２０１のいずれか１つに接続されていればよい。

なお、列電極の構成要素として、電極単位２０１と接続配線２０２とを区別せずに、ひとつなぎの電極として形成することも可能である。

また、図７は、透明基板１にセンサ用電極２と絶縁層９（ＢＭ絶縁層９）とブリッジ配線４とが形成された状態を拡大して示す説明図である。なお、図７は、図６に示した電極単位２０１_ａ，２０１_ｂによって構成される列電極（以下、列電極２−Ａという。）と、電極単位２０１_ｃ，２０１_ｄによって構成される列電極（以下、列電極２−Ｂという。）とが交差する領域を、Ｘ軸方向で切断した場合の断面図を示している。図７に示す例では、列電極２−Ａと列電極パターン２−Ｂとが交差する領域において、列電極２−Ａが分断された形（分断形状）で形成され、代わりに列電極パターン２−Ｂが分断させれない形（接続形状）で形成されている。なお、列電極のパターニングとしてはある交差領域ではＸ軸方向に伸びる列電極が分断形状で形成され、ある交差領域ではＹ軸方向に伸びる列電極が分断形成で形成されるなど、各交差領域においていずれか一方の列電極が分断された形状で形成されていればよい。

図７に示す例では、列電極２−Ｂの接続配線２０２部分、すなわち交差領域において分断されずに形成された部分を覆うように絶縁層９が形成され、さらにその絶縁層９を跨ぐ形で、分断されている列電極パターン２−Ａ（より具体的には、列電極パターン２−Ａを構成する一列に並んだ２つの電極単位２０１_ａ，２０１_ｂ）を接続させるブリッジ配線４が形成されている。本実施形態では、この絶縁層９を、周辺部８に形成するＢＭ部７と同一材料および同一工程により作製する。従って、本実施形態のＢＭ部７の材料としては、遮蔽性および絶縁性を有する塗工材料を用いる。

次に、本実施形態の投影型静電容量タッチパネル１１の製造方法の一例について説明する。まず、透明基板１の片側の面に、スパッタリング法などを用いてＩＴＯを成膜させ、成膜させたＩＴＯ膜をフォトリソグラフィ技術などを利用してパターニングし、図８に示すようなｘ方向に伸びる接続形状を有する列電極とｙ方向に伸びる分断形状を有する列電極に加工することにより、センサ用電極２を形成する。

次に、センサ用電極２が形成されている透明基板１の同面（センサ用電極２が形成されている面）に対してスピンコート法などを用いて絶縁性材料を形成し、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることにより、図９に示すようなＢＭ部７およびＢＭ絶縁層９を形成する。すなわち、センサ用電極２の周辺部にＢＭ部７と、センサ用電極２のＸ軸方向に沿って列をなす列電極とＹ軸方向に沿って列をなす列電極とが交差することになる領域である特定部位にＢＭ絶縁層９を同時にパターニングして形成する。図９では、センサ用電極２に重ねてＢＭ部７とＢＭ絶縁層９とが形成された状態のタッチパネル１１の例を示している。

次に、ＢＭ部７およびＢＭ絶縁層９が形成されている透明基板１の同面（ＢＭ部７およびＢＭ絶縁層９が形成されている面）に対してスパッタリング法などを用いて全体的に金属材料の導電物質を成膜し、フォトリソグラフィ技術を用いて所定のパターン形状を形成する。すなわち、各ＢＭ絶縁層９の上を跨ぐようにしてセンサ用電極２の列電極において分断されて形成された電極単位間の特定部位を接続させる各ブリッジ配線４と引き廻し配線４とを同時に形成する。これにより、図１０に示す状態が完成する。

最後に、保護層６を形成する。例えば、マスクを使用してスパッタリング法によりＳｉＯ_２材料の膜を形成すればよい。ＳｉＯ_２膜は、例えば、引き廻し配線７とフレキシブル基板５とが接続される接続部を除いた全面に形成する。これにより、図１１に示す状態が完成する。

また、図１２は、さらに、フレキシブル基板５を接続させた状態のタッチパネル１１の例を示す説明図である。なお、図１２に示す例では、フレキシブル基板５上に投影型静電容量センサ用ＩＣを搭載する例を示している。タッチパネル１１の周辺部にＢＭ部７が形成されているため、観察者からフレキシブル基板は視認されることはない。

また、図１３は、上記方法により作成された投影型静電容量タッチパネル１１において各部材の配置例を示す平面透視図およびＡ−Ａ’断面図である。また、図１４は、上記方法により作成された投影型静電容量タッチパネル１１において各部材の配置例を示す平面透視図およびＢ−Ｂ’断面図である。

以上のように、本実施形態によれば、透明基板の片側の面に、センサ用電極２を、交差する２方向の列電極を有する１つの透明電極パターンとして形成し、かつその交差領域において各列電極を電気的に非導通に交差させるためのブリッジ配線４を金属材料により形成する場合において、センサ用電極２とブリッジ配線４との間に設ける絶縁層を、周辺部に設けるＢＭ部７と同一材料でかつ同一工程で形成することにより、金属材料のブリッジ配線４の反射による視認性の劣化を抑えることができる。なお、ブリッジ配線４を金属材料により形成することは、周辺配線である引き廻し配線４と同一工程により形成できるという点で、フォトリソ工程を減らすメリットがある。本実施形態では、ＢＭ部７の形成工程において絶縁層９も一緒に形成するため、フォトリソ工程を減らすというメリットを活かしつつ、金属材料のブリッジ配線４の反射による視認性の劣化を抑えるという効果を得ることができる。

なお、上記実施形態では、カバーガラスが有していた機能のうち周辺部を隠すという機能を投影型静電容量タッチパネル１１によって実現する例を示しているが、その他にも意匠性を向上させる例として、透明基板１に対して、異型形状（例えば、角を丸くする等）への加工や、穴を開けるといった加工を施すことも、引き回し配線部を避けて行われる範囲内においては当然に可能である。

本発明は、投影型静電容量タッチパネル付表示装置に限らず、筐体内に表示装置と投影型静電容量タッチパネルとが重ねられて配設される電子機器であれば、どのような装置にも好適に適用可能である。

１１投影型静電容量タッチパネル
１透明基板
２センサ用電極
３絶縁層
４引き廻し配線
５フレキシブル基板
６保護層
７ＢＭ部
８周辺部
９ＢＭ絶縁層

Claims

透明基板の片側の面に、透明電導膜のパターニングにより、第１の方向に伸びる列電極と、前記第１の方向と交差する方向である第２の方向に伸びる列電極とを含む透明電極パターンであって、前記第１の方向に伸びる列電極と前記第２の方向に伸びる列電極の交差領域でいずれか一方の列電極が分断された形状となる透明電極パターンを形成し、
前記透明電極パターンが形成された透明基板の同一面の周辺部と、前記第１の方向に伸びる列電極と前記第２の方向に伸びる列電極の交差領域とに、遮蔽性および絶縁性を有する材料による絶縁遮蔽層を設けることにより、周辺部に形成される電極の引き廻し配線および／または信号処理用の接続部を視認側に対して覆い隠すためのブラックマスク部と、交差領域で分断されずに形成された前記第１の方向に伸びる列電極または前記第２の方向に伸びる列電極を覆う電気的絶縁層とを形成し、
前記絶縁遮蔽層が形成された透明基板の同一面に、金属製の導電物質を成膜した金属膜によるパターニングにより、各列電極の引き廻し配線と、前記交差領域で分断されて形成されている他方の列電極を接続状態とするためのブリッジ配線とを形成する
ことを特徴とする投影型静電容量タッチパネルの製造方法。
前記ブラックマスク部と前記電気的絶縁層が、同じ材料からなるとともに、同一工程にて形成される
請求項１に記載の投影型静電容量タッチパネルの製造方法。