JP5359750B2 - Optical waveguide device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光導波路素子に関し、特に、低損失かつ単一モードの光導波路を有する光導波路素子に関する。 The present invention relates to an optical waveguide device, and more particularly to an optical waveguide device having a low-loss and single-mode optical waveguide.
ニオブ酸リチウム(LiNbO3。以下、「LN」という。)に形成した光導波路を用いた光変調器は、高速、低損失、制御光波形の歪みが少ないなどの長所があるが、半導体光変調器と比較すると、駆動電圧が大きい、サイズが大きいなどの短所がある。 An optical modulator using an optical waveguide formed in lithium niobate (LiNbO 3, hereinafter referred to as “LN”) has advantages such as high speed, low loss, and less distortion of the control light waveform. Compared with a device, there are disadvantages such as a large driving voltage and a large size.
この短所を克服するためには、光導波路の閉じ込めを強くし、断面積を小さくして、光と電気の相互作用を高める必要がある。ところが、従来の強誘電体の光デバイスでは、光導波路として、ニオブ酸リチウムの基板にTiなどの不純物を熱拡散したものが用いられている。このため、このような光導波路はグレーテッド型の屈折率分布を持つため、これ以上光の閉じ込めを小さくすることは難しい。 In order to overcome this disadvantage, it is necessary to increase the confinement of the optical waveguide, reduce the cross-sectional area, and increase the interaction between light and electricity. However, in a conventional ferroelectric optical device, an optical waveguide obtained by thermally diffusing impurities such as Ti on a lithium niobate substrate is used. For this reason, since such an optical waveguide has a graded refractive index profile, it is difficult to further reduce light confinement.
他方、半導体などで用いられている基板上にエピタキシャル成長した高屈折率の薄膜上に、ドライエッチング等を利用して凸状の畝を形成したリブ(リッジ)型導波路(図1参照)は、導波路材料2(屈折率nf)とクラッド3(屈折率nc)、基板1(屈折率ns)の屈折率差を利用して光を閉じ込めるため、拡散導波路と比べて強閉じ込めの導波路を作製することができる。なお、リブ導波路を符号20で示す。
On the other hand, a rib (ridge) type waveguide (see FIG. 1) in which convex ridges are formed on a high refractive index thin film epitaxially grown on a substrate used in a semiconductor or the like using dry etching or the like. Since light is confined using the difference in refractive index between the waveguide material 2 (refractive index nf), the clad 3 (refractive index nc), and the substrate 1 (refractive index ns), a waveguide with stronger confinement than a diffusion waveguide is used. Can be produced. The rib waveguide is denoted by
LN等の強誘電体では、薄膜をエピタキシャル成長させることが困難なため、リブ構造を適用することができなかったが、近年、薄板研磨技術の向上により10μm以下の薄板を作製することが可能となっており、薄板研磨とパターニング技術およびドライエッチング技術を用いることでリブ導波路の作製が可能となっている。 In a ferroelectric such as LN, it is difficult to epitaxially grow a thin film, so that the rib structure cannot be applied. However, in recent years, it has become possible to produce a thin plate of 10 μm or less by improving the thin plate polishing technique. In addition, a rib waveguide can be manufactured by using thin plate polishing, patterning technology, and dry etching technology.
実際に、リブ構造を用いて、非特許文献に示す波長変換デバイスや、特許文献1に示す光変調器が実現されており、従来構造のデバイスより高効率化や小型化ができることが示されている。
Actually, the wavelength conversion device shown in the non-patent literature and the optical modulator shown in
しかしながら、リブ導波路構造の場合、閉じ込めが強くなる分、マルチモードになりやすいため、シングルモード動作させるために構造上の工夫が必要である。リブ導波路の特性は、基本的にリブ部分の高さを含めた基板厚さH、リブ部分の幅W、リブ部分の高さD(エッチング深さ)の3つのパラメータにより決まる。 However, in the case of the rib waveguide structure, since the confinement is strong, the mode is likely to be a multimode. Therefore, a structural device is required to operate the single mode. The characteristics of the rib waveguide are basically determined by three parameters: the substrate thickness H including the height of the rib portion, the width W of the rib portion, and the height D (etching depth) of the rib portion.
リブ構造でシングルモード導波路とするには、以下のように、大きく3つの方法がある。
(1)導波路構造を極端に小さくする。
(2)リブ部分の高さDを低く、リブ部分の幅Wを狭くして、シングルモード条件を満たすようにする。(非特許文献2参照)
(3)2つ目以降のモードをリーキー(leaky)なモードとして有効な長さを伝搬しないようにすることで、実効的にシングルモードとする。
There are roughly three methods for making a single mode waveguide with a rib structure as follows.
(1) The waveguide structure is made extremely small.
(2) The height D of the rib portion is made low and the width W of the rib portion is made narrow so as to satisfy the single mode condition. (See Non-Patent Document 2)
(3) The second and subsequent modes are set as leaky modes so that the effective length is not propagated, thereby effectively setting the single mode.
上記(1)の方法は、Si細線光導波路で適用されているが、加工精度を向上させる必要があり、少なくともLNのような強誘電体では実用レベルには至っていない。また、上記(2)の方法は、図2に示すようにシングルモードとなる条件が光の閉じ込めを弱くする方向であり、例えば光変調器への適用を考えたときに、半波長電圧Vπの減少や曲がり導波路における曲がり部での損失低減(より小さな曲率半径でも損失が少ないこと)など、良好な特性が得られる方向は、マルチモードとなる条件であり、シングルモード条件とは逆方向となる。このため、リブ構造にするメリットが余り得られない。 The method (1) is applied to a Si fine wire optical waveguide, but it is necessary to improve the processing accuracy, and at least a ferroelectric such as LN has not reached a practical level. In the method (2), the condition for single mode is the direction of weakening the light confinement as shown in FIG. 2. For example, when considering application to an optical modulator, the half-wave voltage Vπ The direction in which good characteristics such as reduction and loss reduction at the bend in the waveguide (the loss is small even with a smaller radius of curvature) is a multimode condition, which is the opposite of the single mode condition. Become. For this reason, the merit which makes it a rib structure cannot be acquired so much.
上記(3)の方法として、特許文献2では、図3に示すように、リブ導波路21の両側の2つの溝部を挟んで外側に、リブ導波路と同じ高さのスラブ導波路22を配置した構造を、リブ導波路の全長もしくは一部に設けて、高次モードをスラブ導波モードへ結合させて減衰させる方法が提案されている(特許文献2参照)。この方法は、基本モードよりも高次モードの方が電磁界プロファイルの広がりが大きいことを利用したものであり、リブ導波路の基本モード及び高次モード屈折率より高い導波モード屈折率をもったスラブ導波路を、基本モードが充分減衰し、高次モードが減衰しきれていない領域に近づけて配置することで、スラブ導波路と高次モードとの結合は大きく、スラブ導波路と基本モードとの結合は小さくでき、結果として高次モードのみを減衰させることができる。
As a method of the above (3), in
つまり、特許文献2に示す方法では、リブ導波路の高次モードを両側のスラブ導波路のモード(放射モード)に結合させることにより高次モードを減衰させるものであり、以下のような原理に基づいている。
(a)スラブ導波路のモード(実効)屈折率は、リブ導波路の基本モードおよび高次モード屈折率よりも高いため、光は、リブ導波路からスラブ導波路へ漏れやすい構造となっている。
(b)リブ導波路の基本モードと高次モードでは電磁界プロファイルの広がりは高次モードの方が大きい。
(c)従って、基本モード/放射モードの結合と高次モード/放射モードの結合では後者の方が大きく、その差を利用して、高次モードを減衰させることができる。
That is, in the method shown in
(A) Since the mode (effective) refractive index of the slab waveguide is higher than the fundamental mode and higher-order mode refractive index of the rib waveguide, the light easily leaks from the rib waveguide to the slab waveguide. .
(B) In the fundamental mode and higher-order mode of the rib waveguide, the spread of the electromagnetic field profile is larger in the higher-order mode.
(C) Therefore, in the fundamental mode / radiation mode coupling and the higher order mode / radiation mode coupling, the latter is larger, and the difference can be utilized to attenuate the higher order mode.
ところが、特許文献2に示す方法では、基本モードに対する高次モード抑圧比が構造で原理的に決まってしまい、それ以上の値が得られない。従って、基本モードの損失が大きくなったり、逆に高次モードが十分抑圧されないという問題がある。
However, in the method shown in
本発明が解決しようとする課題は、上述したような問題を解決し、基本モードの損失を抑制しながら、効率的に高次モードを減衰させることが可能な光導波路、所謂、低損失かつ単一モードの光導波路を有する光導波路素子を提供することである。 The problem to be solved by the present invention is an optical waveguide capable of solving the above-described problems and efficiently attenuating higher-order modes while suppressing loss of the fundamental mode, so-called low-loss and simpler. To provide an optical waveguide device having an optical waveguide of one mode.
上記課題を解決するため、請求項1に係る発明は、高屈折率のコアと、該コアより低屈折率のクラッドからなり、少なくとも複数の導波モードを有する光導波路を備えた光導波路素子において該光導波路はリブ導波路構造であり、該光導波路の長手方向の一部もしくは全長に渡り、該光導波路の外側の片側もしくは両側に、該光導波路における基本モードと2番目のモードとの間の実効屈折率に設定された導波手段が配置され、該導波手段は該リブ導波路のコア部の高さより低いスラブ導波路構造であり、該導波手段によって高次モード光を除去し、該光導波路にシングルモード光を残すことを特徴とする。
In order to solve the above problems, an invention according to
請求項2に係る発明は、請求項1に記載の光導波路素子において、該リブ導波路構造と該スラブ導波路構造との間には、幅が1〜10μmのトレンチが形成されていることを特徴とする。
The invention according to
請求項3に係る発明は、請求項1に記載の光導波路素子において、該リブ導波路構造を構成する媒質の屈折率が2以上であることを特徴とする。
The invention according to
請求項4に係る発明は、請求項3に記載の光導波路素子において、該リブ導波路構造を構成する媒質がニオブ酸リチウムであることを特徴とする。
The invention according to
請求項5に係る発明は、請求項1乃至4のいずれかに記載の光導波路素子において、該光導波路の長手方向に渡り、複数の該導波手段が離散して配置されていることを特徴とする。 According to a fifth aspect of the present invention, in the optical waveguide device according to any one of the first to fourth aspects, the plurality of waveguide means are discretely arranged in the longitudinal direction of the optical waveguide. And
請求項1に係る発明により、高屈折率のコアと、該コアより低屈折率のクラッドからなり、少なくとも複数の導波モードを有する光導波路を備えた光導波路素子において、該光導波路の長手方向の一部もしくは全長に渡り、該光導波路の外側の片側もしくは両側に、該光導波路における基本モードと2番目のモードとの間の実効屈折率に設定された導波手段が配置され、該導波手段で高次モード光を除去し、該光導波路にシングルモード光を残すため、低損失かつ単一モードの光導波路を有する光導波路素子を提供することが可能となる。 According to the first aspect of the present invention, in an optical waveguide element comprising an optical waveguide having a high refractive index core and a clad having a lower refractive index than the core and having at least a plurality of waveguide modes, the longitudinal direction of the optical waveguide A waveguide means set to an effective refractive index between the fundamental mode and the second mode in the optical waveguide is arranged on one side or both sides outside the optical waveguide over a part or the entire length of the optical waveguide. Since the high-order mode light is removed by the wave means and the single-mode light is left in the optical waveguide, it is possible to provide an optical waveguide device having a low-loss and single-mode optical waveguide.
さらに請求項1に係る発明により、光導波路はリブ導波路構造であり、導波手段は該リブ導波路構造のコア部の高さより低いスラブ導波路構造であるため、光の閉じ込めを強くしながらシングルモードの光導波路素子を提供することが可能となる。
Further, according to the invention of
請求項2に係る発明により、リブ導波路構造とスラブ導波路構造との間には、幅が1〜10μmのトレンチが形成されているため、リブ導波路構造とスラブ導波路構造とを明確に区別でき、トレンチの幅を調整することで、高次モード光を効率的に除去することが可能となる。しかも、トレンチの幅を1〜10μmとすることで、高次モード光の除去効率を維持しながら、安定したトレンチを加工形成することが可能となる。
According to the invention of
請求項3に係る発明により、リブ導波路構造を構成する媒質の屈折率が2以上であるため、光の閉じ込めが強くマルチモードとなる光導波路素子についても、シングルモードに改善することが可能となる。 According to the third aspect of the present invention, since the refractive index of the medium constituting the rib waveguide structure is 2 or more, it is possible to improve the optical waveguide element in which light confinement is strong and becomes multimode to single mode. Become.
請求項4に係る発明により、リブ導波路構造を構成する媒質がニオブ酸リチウムであるため、本発明の光導波路素子を光変調器などに適用することも可能となる。 According to the fourth aspect of the present invention, since the medium constituting the rib waveguide structure is lithium niobate, the optical waveguide element of the present invention can be applied to an optical modulator or the like.
請求項5に係る発明により、光導波路の長手方向に渡り、複数の導波手段が離散して配置されているため、この不連続性により、接続損失を生じ、より多くの高次モード光を効率的に除去すること可能となる。 According to the fifth aspect of the present invention, since the plurality of waveguide means are discretely arranged in the longitudinal direction of the optical waveguide, this discontinuity causes connection loss, and more high-order mode light is generated. It becomes possible to remove efficiently.
以下、本発明の光受信器の制御方法について、好適例を用いて詳細に説明する。
本発明は、高屈折率のコアと、該コアより低屈折率のクラッドからなり、少なくとも複数の導波モードを有する光導波路を備えた光導波路素子において、該光導波路の長手方向の一部もしくは全長に渡り、該光導波路の外側の片側もしくは両側に、該光導波路における基本モードと2番目のモードとの間の実効屈折率に設定された導波手段が配置され、該導波手段で高次モード光を除去し、該光導波路にシングルモード光を残すことを特徴とする。
Hereinafter, the control method of the optical receiver of the present invention will be described in detail with reference to preferred examples.
The present invention provides an optical waveguide element comprising an optical waveguide having a high refractive index core and a clad having a lower refractive index than the core, and having at least a plurality of waveguide modes. Over the entire length, waveguide means set to an effective refractive index between the fundamental mode and the second mode in the optical waveguide is disposed on one side or both sides outside the optical waveguide. Next mode light is removed, and single mode light is left in the optical waveguide.
本発明における「光導波路における基本モードと2番目のモードとの間の実効屈折率に設定された導波手段」とは、着目する光導波路の外側の片側又は両側に配置される導波手段の実効屈折率が、当該光導波路における基本モードの実効屈折率と2番目の高次モードの実効屈折率との間の値になるよう設定されていることを意味している。そして、実効屈折率の調整方法としては、後述するような、スラブ導波路などの導波路の高さを調整する方法だけでなく、当該光導波路に高屈折材料をドープする、あるいは、スラブ導波路にMgOなどをドープして屈折率を低減する方法や、当該光導波路をリッジ型導波路で形成し、該光導波路を構成する基板より低い低屈折率材料で構成した部材を、該光導波路を挟むように配置する方法など、種々の方法が採用可能である。 In the present invention, the “waveguide means set to the effective refractive index between the fundamental mode and the second mode in the optical waveguide” means the waveguide means arranged on one side or both sides outside the optical waveguide of interest. This means that the effective refractive index is set to a value between the effective refractive index of the fundamental mode and the effective refractive index of the second higher-order mode in the optical waveguide. As an effective refractive index adjustment method, not only a method of adjusting the height of a waveguide such as a slab waveguide, which will be described later, but also the optical waveguide is doped with a high refractive material, or a slab waveguide. A method of reducing the refractive index by doping MgO or the like into a member, or forming a member made of a low refractive index material lower than the substrate constituting the optical waveguide by forming the optical waveguide with a ridge-type waveguide, Various methods such as a method of arranging them so as to be sandwiched can be adopted.
特許文献2のような従来のリブ構造の問題点は、スラブ導波路の最低次の実効屈折率がリブ導波路の基本モードの実効屈折率よりも高いところにある。このため、本発明では、スラブ導波路構造の最低次モードの実効屈折率が、リブ導波路構造の基本モードの実効屈折率より小さく、高次モードの屈折率より大きくなるように調整すれば、高次モードのみをリブ導波路構造からスラブ導波路構造へ移動結合させることが可能となる。
The problem with the conventional rib structure as in
スラブ導波路構造の実効屈折率を下げるには、厚さを薄くして、スラブ導波路の閉じ込めを弱くすることで対応可能である。すなわち、図4に示すように、リブ導波路構造23の両脇の凹部のさらに外側にリブ導波路よりも低いスラブ導波路部24を持つような構造である。基本的に、リブ導波路構造を含めた基板厚みHより、スラブ導波路構造を含めた厚みhの方が小さくなっている。
The effective refractive index of the slab waveguide structure can be lowered by reducing the thickness and weakening the confinement of the slab waveguide. That is, as shown in FIG. 4, the
この構造により、リブ導波路23は、スラブ導波路24に対して、導波構造が保てているため、リブ導波路の基本モード光は減衰せず、他方、高次モード光は、リブ導波路23の実効屈折率よりも実効屈折率が高いスラブ導波路24へ漏洩し易くなる。結果として、リブ導波路において基本モード光は減衰せず、高次モード光のみを減衰させることが可能となり、低損失かつ単一モードの光導波路を形成することが可能となる。
With this structure, the
次に、本発明の光導波路素子の効果を確認するため、以下のような条件でシミュレーションを行った。なお、本発明との比較対象として、図1に示すような単峰のリブ部分を有するリブ導波路(リブ基本構造)を用いた。
(シミュレーションの条件(その1))
使用波長:1.55μm
導波路部分の屈折率(nf):2.13(LiNbO3の異常光線に対する屈折率。今回のモデルではZ板とし、光の偏向方向は基板に垂直方向(TMモード)とした。)
上部クラッド(nc)及び下部クラッド屈折率(ns):1.45(上部クラッドとしてSiO2を、下部クラッドとして接着剤を想定)
リブ上部幅(W):4μm
リブ部高さ(D):2μm
リブ導波路を含む基板厚み(H):4μm
リブ側面の傾斜角度:70°
Next, in order to confirm the effect of the optical waveguide device of the present invention, a simulation was performed under the following conditions. As a comparison object with the present invention, a rib waveguide (rib basic structure) having a single-peak rib portion as shown in FIG. 1 was used.
(Simulation conditions (1))
Working wavelength: 1.55 μm
Refractive index of waveguide portion (nf): 2.13 (refractive index for extraordinary rays of LiNbO 3. In this model, a Z plate was used, and the direction of light deflection was perpendicular to the substrate (TM mode).)
Upper clad (nc) and lower clad refractive index (ns): 1.45 (assuming SiO 2 as upper clad and adhesive as lower clad)
Rib top width (W): 4 μm
Rib height (D): 2 μm
Substrate thickness including rib waveguide (H): 4 μm
Rib side angle of inclination: 70 °
上記シミュレーションの条件において、図1のリブ基本構造では、マルチモードとなり、モード解析により、各モードの実効屈折率は以下のようになる。
・基本モード実効屈折率:2.11775674
・2つめのモード実効屈折率:2.10682458
図5は、図1に相当するシミュレーションモデルを図示したものである。
Under the above simulation conditions, the rib basic structure of FIG. 1 is multimode, and the effective refractive index of each mode is as follows by mode analysis.
-Basic mode effective refractive index: 2.11775674
-Second mode effective refractive index: 2.10682458
FIG. 5 illustrates a simulation model corresponding to FIG.
一方、スラブ導波路の実効屈折率をモード解析により求めた結果を、図6に示す。図6の結果から、基板厚み(図4のスラブ導波路を含む基板の厚みhに相当する)が2.1〜3.0μmの範囲においては、スラブ導波路の最低次の実効屈折率が、リブ導波路(厚さ4μm)の基本モード(2.11775674)と高次モード(2.10682458)の間に設定されることが分かる。
On the other hand, the result of obtaining the effective refractive index of the slab waveguide by mode analysis is shown in FIG. From the result of FIG. 6, when the substrate thickness (corresponding to the thickness h of the substrate including the slab waveguide of FIG. 4) is in the range of 2.1 to 3.0 μm, the lowest effective refractive index of the slab waveguide is It can be seen that the rib waveguide (
次に、図4のリブ導波路23とスラブ導波路24との間の溝であるトレンチの幅について検討する。基本的には、リブ導波路23とスラブ導波路24とは互いに近接させた方が、結合係数が大きくなるため、リブ導波路内の高次モード光が早く減衰する。しかしながら、両者を近づけすぎると、トレンチを加工形成することが困難となり、例えば、トレンチの深さが浅くなり、基本モード光の閉じ込め効率も悪くなるなどの弊害が出る。したがって、実際の作製が可能であり、かつ実用に十分な高次モード光の減衰を得るためには、トレンチ幅を1μm以上、10μm以下の範囲に設定することが好ましい。
Next, the width of a trench that is a groove between the
図7は、図4に示す本発明の光導波路素子について、シミュレーションを行うための境界条件(シミュレーションモデル)を示したものである。屈折率等の各種条件は、以下の条件を付加した以外は、上記「シミュレーションの条件(その1)」で説明したとおりである。
(シミュレーションの条件(その2))
スラブ導波路を含む基板厚み(h):2.5μm
トレンチ幅:2μm
FIG. 7 shows a boundary condition (simulation model) for performing simulation on the optical waveguide device of the present invention shown in FIG. Various conditions such as the refractive index are the same as described in the above “Simulation Conditions (Part 1)” except that the following conditions are added.
(Simulation conditions (2))
Substrate thickness including slab waveguide (h): 2.5 μm
Trench width: 2 μm
図8は、シミュレーションの結果を図示したものであり、図5のリブ基本構造と図7の本発明の構造における、基本モード光と高次モード光の分布状態を示したものである。特に、(a)はリブ基本構造における基本モード光の分布状態、(b)は本発明の構造における基本モード光の分布状態、(c)はリブ基本構造における高次モード光の分布状態、(d)は本発明の構造における高次モード光の分布状態を各々示している。 FIG. 8 shows the result of the simulation, and shows the distribution of the fundamental mode light and the higher order mode light in the rib basic structure of FIG. 5 and the structure of the present invention of FIG. In particular, (a) is a distribution state of fundamental mode light in the rib basic structure, (b) is a distribution state of fundamental mode light in the structure of the present invention, (c) is a distribution state of higher-order mode light in the rib basic structure, ( d) shows the distribution state of higher-order mode light in the structure of the present invention.
シミュレーションの結果が示すように、本発明に係るスラブ導波路構造によりリブ導波路構造の基本モード光は影響を受けていないが、高次モード光は、モードの分布形状が変形され、スラブ導波路構造への移動結合が発生していることがわかる。 As the simulation results show, the fundamental mode light of the rib waveguide structure is not affected by the slab waveguide structure according to the present invention, but the mode distribution shape of the high-order mode light is deformed and the slab waveguide is deformed. It can be seen that mobile coupling to the structure has occurred.
さらに、リブ導波路構造に沿って、複数のスラブ導波路構造を離散して配置することにより、高次モード光はその不連続性により、接続損失を生じる。これにより、スラブ導波路構造のありとなしを、複数箇所設けることで、より早く高次モード光を減衰させることができる。 Furthermore, by disposing a plurality of slab waveguide structures discretely along the rib waveguide structure, the higher-order mode light causes connection loss due to its discontinuity. Accordingly, by providing a plurality of locations with and without a slab waveguide structure, higher-order mode light can be attenuated more quickly.
図9は、本発明の光導波路素子の一実施例を示す断面図である。図9の光導波路素子を形成するには、従来のプロセス技術を用いることが可能であり、以下に作製手順の一例を示す。 FIG. 9 is a sectional view showing an embodiment of the optical waveguide device of the present invention. In order to form the optical waveguide device of FIG. 9, a conventional process technique can be used, and an example of a manufacturing procedure is shown below.
(光導波路素子の作成手順)
(1)基板の薄板化
Z−cut型のLiNbO3基板(LN基板)を研磨により薄板化する。基板厚みHは、4μm程度とする。
(2)補強基板等の接合
LN基板(薄板)40を補強基板60への接着剤50で貼り合せる。補強基板には、LN基板が利用可能である。
(3)リブ導波路の作製
トレンチ部80をエッチング(エッチングの深さはD)もしくは機械加工により形成する。リブ導波路の幅Wは4μm、リブ側面の傾斜角度は70°に設定できる。リッジ部の高さDは2μm程度である。
(Procedure for creating an optical waveguide device)
(1) Thinning of substrate A Z-cut type LiNbO 3 substrate (LN substrate) is thinned by polishing. The substrate thickness H is about 4 μm.
(2) Joining of Reinforcing Substrate etc. The LN substrate (thin plate) 40 is bonded to the reinforcing
(3) Fabrication of rib waveguide The
(4)スラブ導波路のエッチング
スラブ導波路42の実効屈折率を調整するため、スラブ導波路の高さをリブ導波路に比較して差分fだけ、エッチングにより低くする。エッチング方法は、従来のフォトリソ技術により、リブ導波路およびトレンチ部等、エッチングさせたくない部分をレジストで覆い、基板全体を所望の厚さになるまでエッチング処理する。エッチングはドライエッチングでも、ウェットエッチングでも可能である。エッチングする厚みfは、1.5μm程度以下である。
(4) Etching the slab waveguide In order to adjust the effective refractive index of the
(5)SiO2成膜
リブ導波路41、スラブ導波路42及びトレンチ部80を被覆するように、SiO2膜を形成する。このSiO2膜は、クラッドとして機能する。
(5) SiO 2 Film Formation An SiO 2 film is formed so as to cover the
以上の説明では、リブ導波路を構成する媒体として、LiNbO3基板を例示しているが、本発明の光導波路素子は、これに限られるものでは無く、PLZT,LiTa3などの誘電体、またInPやSiなどの半導体などにも適用可能である。リブ導波路などの光導波路やそれを形成する基板として、これらの各種材料を使用する場合には、LNと同様に、スラブ導波路の高さや、光導波路又はスラブ導波路の屈折率を調整する材料のドープなどにより、着目する光導波路の外側の片側又は両側に配置される導波手段の実効屈折率を、当該光導波路における基本モードと2番目の高次モードのとの間の実効屈折率値に設定することが可能である。しかも、上述したように、トレンチ部の幅も考慮することで、高次モード光をより効率的に除去することができる。 In the above description, a LiNbO 3 substrate is exemplified as a medium constituting the rib waveguide. However, the optical waveguide element of the present invention is not limited to this, and a dielectric such as PLZT and LiTa 3 , It can also be applied to semiconductors such as InP and Si. When these various materials are used as an optical waveguide such as a rib waveguide or a substrate for forming the optical waveguide, the height of the slab waveguide and the refractive index of the optical waveguide or the slab waveguide are adjusted as in the case of LN. The effective refractive index of the waveguide means arranged on one or both sides of the outside of the optical waveguide of interest due to doping of the material, etc., is determined between the fundamental mode and the second higher-order mode in the optical waveguide. It can be set to a value. In addition, as described above, high-order mode light can be more efficiently removed by considering the width of the trench portion.
また、本発明の光導波路素子では、リブ導波路のコアを構成する媒体の屈折率は、2.0以上の導波路材料を用いることが好ましい。このような屈折率を有するリブ型導波路では、特に、低損失かつ高い高次モード抑圧比を有する導波条件、すなわちシングルモード動作が困難であったが、本発明を用いることにより、モードの閉じ込めを十分に保ったまま、シングルモード動作可能なリブ型光導波路を得ることができる。 In the optical waveguide device of the present invention, it is preferable to use a waveguide material having a refractive index of 2.0 or more for the medium constituting the core of the rib waveguide. In the rib-type waveguide having such a refractive index, a waveguide condition having a low loss and a high-order mode suppression ratio, that is, a single-mode operation is difficult. A rib-type optical waveguide capable of single mode operation can be obtained with sufficient confinement.
以上説明したように、本発明によれば、基本モードの損失を抑制しながら、効率的に高次モードを減衰させることが可能な光導波路、所謂、低損失かつ単一モードの光導波路を有する光導波路素子を提供することが可能となる。 As described above, according to the present invention, an optical waveguide capable of efficiently attenuating higher-order modes while suppressing fundamental mode loss, that is, a so-called low-loss single-mode optical waveguide is provided. An optical waveguide element can be provided.
1,3 クラッドとなる媒体
2 コアとなる媒体
40 LN基板
50 接着剤
60 補強基板
20,21,23,41 リブ導波路
22,24,42 スラブ導波路
70 SiO2膜
80 トレンチ部
1, 3 Medium serving as
Claims (5)
該光導波路はリブ導波路構造であり、
該光導波路の長手方向の一部もしくは全長に渡り、該光導波路の外側の片側もしくは両側に、該光導波路における基本モードと2番目のモードとの間の実効屈折率に設定された導波手段が配置され、
該導波手段は該リブ導波路のコア部の高さより低いスラブ導波路構造であり、
該導波手段によって高次モード光を除去し、該光導波路にシングルモード光を残すことを特徴とする光導波路素子。 In an optical waveguide device comprising an optical waveguide having a high refractive index core and a cladding having a lower refractive index than the core and having at least a plurality of waveguide modes,
The optical waveguide has a rib waveguide structure,
Waveguide means set to an effective refractive index between the fundamental mode and the second mode in the optical waveguide on one side or both sides outside the optical waveguide over a part or the entire length of the optical waveguide. Is placed ,
The waveguide means is a slab waveguide structure lower than the height of the core of the rib waveguide;
Removing the high-order mode light by conductor splitting means, the optical waveguide device characterized by leaving the single mode light to the optical waveguide.
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