JP5326913B2 - Power converter - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、複数のスイッチング素子を有するインバータ回路と、該スイッチング素子の駆動を制御するスイッチング制御部と、を備えた電力変換装置に関するものである。 The present invention relates to a power conversion device including an inverter circuit having a plurality of switching elements and a switching control unit that controls driving of the switching elements.
従来より、複数のスイッチング素子を有するインバータ回路と、該スイッチング素子の駆動を制御するスイッチング制御部と、を備えた電力変換装置が知られている。このような電力変換装置は、例えば、モータの回転数やトルクを制御する必要がある家電機器や産業機器などに広く用いられている。 2. Description of the Related Art Conventionally, there is known a power conversion device including an inverter circuit having a plurality of switching elements and a switching control unit that controls driving of the switching elements. Such a power conversion device is widely used for home appliances and industrial devices that need to control the rotational speed and torque of a motor, for example.
ところで、上記インバータ回路は、一般的に、一対のスイッチング素子によって上下アームが構成されていて、該一対のスイッチング素子のいずれか一方がオンになるようにスイッチング制御することで、モータなどの負荷側に所定の電力を供給するように構成されている。このような構成の場合、上下アームを構成する一対のスイッチング素子が両方ともオン状態になると、アーム短絡を生じることになる。そのため、従来より、該一対のスイッチング素子のオン・オフを切り換えるときに、両方のスイッチング素子をオフ状態にするデッドタイムが設けられている。 By the way, in the inverter circuit, generally, the upper and lower arms are constituted by a pair of switching elements, and switching control is performed so that either one of the pair of switching elements is turned on. Is configured to supply predetermined power. In such a configuration, when both of the pair of switching elements constituting the upper and lower arms are turned on, an arm short circuit occurs. For this reason, conventionally, when switching on / off of the pair of switching elements, a dead time for turning off both of the switching elements is provided.
しかしながら、上記デッドタイムを設けると、その分、出力電圧の指令信号に対する誤差が生じることになるため、出力電流やトルクに歪みが生じてしまう。これに対し、例えば特許文献1に開示されるように、デッドタイムによって生じる電圧成分を考慮して、インバータ回路への電圧指令に補正を加える構成が考えられている。 However, if the dead time is provided, an error with respect to the command signal of the output voltage is generated accordingly, and thus the output current and torque are distorted. On the other hand, as disclosed in Patent Document 1, for example, a configuration is considered in which a voltage command to the inverter circuit is corrected in consideration of a voltage component caused by dead time.
ところが、実際のデッドタイムは、スイッチング素子のスイッチング時間等の影響を受けるため、一定時間ではなく、該スイッチング時間に影響を及ぼすスイッチング素子の個体差や温度などの運転環境等によって変化する。そのため、上記特許文献1のようなデッドタイム補償を行う際に最も重要となるデッドタイムの長さを、精度良く把握するのは困難であった。 However, since the actual dead time is affected by the switching time of the switching element and the like, the actual dead time varies depending on the operating environment such as the individual difference of the switching element that affects the switching time and the temperature, not the fixed time. Therefore, it has been difficult to accurately grasp the length of the dead time that is most important when performing dead time compensation as described in Patent Document 1.
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、デッドタイム補償を行う際に必要となる実際のデッドタイムの長さを精度良く検出できるような構成を得ることにある。 The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to obtain a configuration capable of accurately detecting the length of an actual dead time necessary for performing dead time compensation. It is in.
上記目的を達成するために、本発明に係る電力変換装置(1)では、デッドタイム中に、インバータ回路(4)内にスイッチング素子(Sp,Sn)の逆方向への電流が流れた場合、オン電圧降下が生じる点に着目し、該オン電圧降下に基づいて上記デッドタイムの長さを検出するようにした。 In order to achieve the above object, in the power converter (1) according to the present invention, when a current in the reverse direction of the switching element (Sp, Sn) flows in the inverter circuit (4) during the dead time, Focusing on the point at which the on-voltage drop occurs, the length of the dead time is detected based on the on-voltage drop.
具体的には、第1の発明は、逆導通可能なスイッチング素子(Sp,Sn)を含むスイッチング部(4a)を複数、有するインバータ回路(4)と、該インバータ回路(4)にデッドタイムを設けるように上記複数のスイッチング部(4a)のスイッチング素子(Sp,Sn)をOFFにした後、該インバータ回路(4)内にスイッチング素子(Sp,Sn)の逆方向への電流が流れる所定タイミングで、該スイッチング素子(Sp,Sn)に対してオン信号を出力する制御部(10)と、上記デッドタイムの期間中に上記逆方向に電流が流れた際に上記スイッチング部(4a)で発生するオン電圧降下に基づいて、該デッドタイムの長さを検出するデッドタイム検出部(20)と、を備えているものとする。 Specifically, the first invention provides an inverter circuit (4) having a plurality of switching units (4a) including switching elements (Sp, Sn) capable of reverse conduction, and dead time in the inverter circuit (4). After turning off the switching elements (Sp, Sn) of the plurality of switching sections (4a) so as to be provided, a predetermined timing at which current in the reverse direction of the switching elements (Sp, Sn) flows in the inverter circuit (4) In the control unit (10) that outputs an ON signal to the switching element (Sp, Sn), and when the current flows in the reverse direction during the dead time, the switching unit (4a) generates And a dead time detector (20) for detecting the length of the dead time based on the ON voltage drop.
この構成により、インバータ回路(4)内で実際に生じている現象に基づいてデッドタイムを検出するため、該デッドタイムの長さを精度良く検出することができる。すなわち、デッドタイムの期間中は、インバータ回路(4)内にスイッチング素子(Sp,Sn)の逆方向への電流が流れるため、スイッチング部(4a)内でオン電圧降下が発生する。このオン電圧降下を検出することにより、スイッチング素子(Sp,Sn)がオフになっているデッドタイムを検出することが可能になる。 With this configuration, since the dead time is detected based on a phenomenon actually occurring in the inverter circuit (4), the length of the dead time can be detected with high accuracy. That is, during the dead time, a current in the reverse direction of the switching element (Sp, Sn) flows in the inverter circuit (4), so that an on-voltage drop occurs in the switching unit (4a). By detecting this on-voltage drop, it becomes possible to detect the dead time when the switching element (Sp, Sn) is off.
しかも、上記スイッチング素子として逆導通可能なスイッチング素子(Sp,Sn)を用いることで、インバータ回路(4)内に逆方向電流が流れるタイミングでスイッチング素子(Sp,Sn)を逆方向にもオンさせることが可能になり、スイッチング部(4a)での導通損失の低減を図れるとともに、スイッチング素子(Sp,Sn)がオンの場合及びオフの場合での電位差を容易に検出できる。 Moreover, by using a switching element (Sp, Sn) capable of reverse conduction as the switching element, the switching element (Sp, Sn) is turned on in the reverse direction at the timing when the reverse current flows in the inverter circuit (4). Thus, the conduction loss in the switching unit (4a) can be reduced, and the potential difference between when the switching element (Sp, Sn) is on and when it is off can be easily detected.
上記第1の発明において、上記デッドタイム検出部(20)は、上記スイッチング素子(Sp,Sn)の被制御端子間の電圧を所定の比較電圧と比較して、上記オン電圧降下の出現する期間を抽出することにより、上記デッドタイムの長さを検出するように構成されているものとする(第2の発明)。 In the first invention, the dead time detection unit (20) compares the voltage between the controlled terminals of the switching element (Sp, Sn) with a predetermined comparison voltage, and the period during which the on-voltage drop appears. It is assumed that the length of the dead time is detected by extracting (second invention).
これにより、デッドタイム中にスイッチング部(4a)でオン電圧降下が生じる期間を容易に検出することができる。したがって、上記第1の発明の構成を容易に実現することができる。ここで、スイッチング素子(Sp,Sn)の被制御端子間とは、制御端子(例えばゲート端子)によって電流の導通及び非導通が切り換えられるスイッチング素子(Sp,Sn)の両端子間(例えば、MOSFETではドレイン−ソース間)を意味する。 Thereby, it is possible to easily detect a period in which the on-voltage drop occurs in the switching unit (4a) during the dead time. Therefore, the configuration of the first invention can be easily realized. Here, between the controlled terminals of the switching element (Sp, Sn) means between the two terminals of the switching element (Sp, Sn) whose current conduction and non-conduction are switched by the control terminal (eg, gate terminal) (eg, MOSFET) Means between drain and source.
上記第1または第2の発明において、上記制御部(10)は、上記インバータ回路(4)の出力電圧が所望の値になるように、上記デッドタイム検出部(20)によって検出されたデッドタイムの長さに基づいて、上記オン信号の出力期間を変更可能に構成されているものとする(第3の発明)。 In the first or second aspect of the invention, the control unit (10) is configured so that the dead time detected by the dead time detection unit (20) so that the output voltage of the inverter circuit (4) becomes a desired value. It is assumed that the output period of the ON signal can be changed based on the length of the signal (third invention).
こうすることで、出力電圧が所望の値になるように、検出されたデッドタイムの長さに基づいてオン信号の出力期間が変更されるため、デッドタイムの影響による出力電圧の誤差を小さくすることが可能となる。すなわち、上述の構成により、出力電圧におけるデッドタイムの影響を小さくすることができる。 By doing this, the output period of the ON signal is changed based on the detected dead time length so that the output voltage becomes a desired value, so that the error of the output voltage due to the influence of the dead time is reduced. It becomes possible. That is, the above-described configuration can reduce the influence of the dead time on the output voltage.
上記第1または第2の発明において、上記制御部(10)における出力電圧の指令信号から決まるオン信号の出力設定時間と、上記デッドタイム検出部(20)によって検出されたデッドタイムの長さとに基づいて、出力電圧を演算する出力電圧演算部(16)をさらに備えているものとする(第4の発明)。 In the first or second aspect of the invention, the ON signal output setting time determined from the output voltage command signal in the control unit (10) and the dead time length detected by the dead time detection unit (20) Based on this, it is assumed that an output voltage calculation unit (16) for calculating the output voltage is further provided (fourth invention).
これにより、デッドタイムによる電圧の誤差分を考慮して出力電圧の演算を行うため、指令信号から決まるオン信号の出力設定時間に基づいて演算を行う従来の出力電圧の演算方法に比べて、精度良く出力電圧を求めることができる。したがって、例えばモータの回転子の位置をセンサを用いることなく検出してモータ制御を行う、いわゆるセンサレス制御において、回転子の位置を算出する際の基本データとなる電圧の値として、精度の良い値を用いることができるため、モータを精度良く制御することが可能となる。 As a result, the output voltage is calculated in consideration of the voltage error due to the dead time, so it is more accurate than the conventional output voltage calculation method that calculates based on the ON signal output setting time determined from the command signal. The output voltage can be obtained well. Therefore, for example, in so-called sensorless control in which the position of the rotor of the motor is detected without using a sensor and the motor is controlled, an accurate value is used as the voltage value as basic data for calculating the position of the rotor. Therefore, the motor can be controlled with high accuracy.
上記第1または第2の発明において、上記制御部(10)は、上記デッドタイム検出部(20)によって検出されるデッドタイムの長さが短くなるように、上記複数のスイッチング素子(Sp,Sn)に対してオン信号を出力する間隔としてのデッドタイム設定時間を変更可能に構成されているものとする(第5の発明)。 In the first or second aspect of the invention, the control unit (10) includes the switching elements (Sp, Sn) so that the length of the dead time detected by the dead time detection unit (20) is shortened. ), The dead time setting time as an interval for outputting the ON signal can be changed (fifth invention).
こうすることで、デッドタイムの長さそのものをできるだけ短くすることができるため、その分、出力電圧の誤差を小さくすることができる。 By doing so, the length of the dead time itself can be shortened as much as possible, so that the error of the output voltage can be reduced accordingly.
上記第1から第5の発明のいずれか一つの発明において、上記スイッチング素子(Sp,Sn)は、ユニポーラ素子からなるものとする(第6の発明)。こうすることで、MOSFETやJFETなどにより、逆導通可能なスイッチング素子(Sp,Sn)を容易に構成することが可能になる。これにより、上記第1から第5の発明の構成を容易に実現することができる。 In any one of the first to fifth inventions, the switching element (Sp, Sn) is a unipolar element (sixth invention). By doing so, switching elements (Sp, Sn) capable of reverse conduction can be easily configured by MOSFETs, JFETs, or the like. Thereby, the configurations of the first to fifth aspects of the invention can be easily realized.
上記第1から第6の発明のいずれか一つの発明において、上記スイッチング素子(Sp,Sn)は、ワイドバンドギャップ半導体からなるものとする(第7の発明)。これにより、例えば、ワイドバンドギャップ半導体からなるスイッチング素子の内部に寄生ダイオードが形成される構成の場合、デッドタイム中に寄生ダイオードに電流が流れた場合のオン電圧降下は、Siからなるスイッチング素子内の寄生ダイオードのオン電圧降下に比べて大きいため、デッドタイム中のオン電圧降下をより精度良く検出することができる。したがって、上述の構成により、デッドタイムをより精度良く検出することが可能になる。 In any one of the first to sixth inventions, the switching element (Sp, Sn) is made of a wide band gap semiconductor (seventh invention). Thereby, for example, in the case of a configuration in which a parasitic diode is formed inside a switching element made of a wide band gap semiconductor, the on-voltage drop when a current flows through the parasitic diode during the dead time is reduced in the switching element made of Si. Therefore, the on-voltage drop during the dead time can be detected with higher accuracy. Therefore, with the above-described configuration, the dead time can be detected with higher accuracy.
以上より、第1の発明によれば、デッドタイム中にスイッチング部(4a)に逆方向に電流が流れることにより生じるオン電圧降下に基づいて、該デッドタイムの長さを検出するため、実際のデッドタイムの長さを精度良く検出することができる。 As described above, according to the first invention, since the length of the dead time is detected based on the on-voltage drop caused by the current flowing in the reverse direction in the switching unit (4a) during the dead time, The length of the dead time can be detected with high accuracy.
また、第2の発明によれば、スイッチング素子(Sp,Sn)の被制御端子間の電圧を比較電圧と比較することにより、オン電圧降下を求めるため、簡単な構成によって上記第1の発明の構成を実現できる。 In addition, according to the second invention, the voltage between the controlled terminals of the switching element (Sp, Sn) is compared with the comparison voltage to obtain the on-voltage drop. The configuration can be realized.
また、第3の発明によれば、インバータ回路(4)の出力電圧が所望の値になるように、検出されたデッドタイムの長さに基づいてオン信号の出力期間が変更されるため、デッドタイムによる出力電圧への影響を低減することができる。 According to the third invention, since the output period of the ON signal is changed based on the detected dead time length so that the output voltage of the inverter circuit (4) becomes a desired value, The influence on the output voltage due to time can be reduced.
また、第4の発明によれば、検出されたデッドタイムの長さを考慮して出力電圧の演算を行うため、実際の出力電圧を精度良く求めることができ、モータを精度良く制御することができる。 Further, according to the fourth invention, since the output voltage is calculated in consideration of the length of the detected dead time, the actual output voltage can be obtained with high accuracy, and the motor can be controlled with high accuracy. it can.
また、第5の発明によれば、検出されたデッドタイムが小さくなるように、複数のスイッチング素子(Sp,Sn)に対してオン信号を出力する間隔としてのデッドタイム設定時間を変更するため、出力電圧に対するデッドタイムの影響を極力小さくすることができる。 Further, according to the fifth invention, in order to change the dead time setting time as an interval for outputting the ON signal to the plurality of switching elements (Sp, Sn) so that the detected dead time is reduced, The influence of dead time on the output voltage can be minimized.
また、第6の発明によれば、上記スイッチング素子(Sp,Sn)は、ユニポーラ素子からなるため、上記第1から第5の発明の構成を容易に実現できる。 According to the sixth invention, since the switching element (Sp, Sn) is a unipolar element, the configurations of the first to fifth inventions can be easily realized.
さらに、第7の発明によれば、上記スイッチング素子(Sp,Sn)は、ワイドバンドギャップ半導体からなるため、デッドタイムをより精度良く検出することが可能になる。 Furthermore, according to the seventh invention, since the switching element (Sp, Sn) is made of a wide band gap semiconductor, the dead time can be detected with higher accuracy.
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の好ましい実施形態の説明は、本質的に例示に過ぎず、本発明、その適用物或いはその用途を制限することを意図するものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. It should be noted that the following description of the preferred embodiment is merely illustrative in nature and is not intended to limit the present invention, its application, or its use.
《実施形態1》
−電力変換装置の全体構成−
図1に本発明の実施形態1に係る電力変換装置(1)を示す。この電力変換装置(1)は、コンバータ回路(2)とコンデンサ回路(3)とインバータ回路(4)とを備えている。なお、上記電力変換装置(1)は、例えば空気調和装置の冷媒回路に設けられた圧縮機の電動機(5)(以下、モータともいう)を駆動するために用いられる。ここで、空気調和装置の冷媒回路は、特に図示しないが、圧縮機と凝縮器と膨張機構と蒸発器とが閉回路を構成するように接続されてなり、冷媒が循環して蒸気圧縮式冷凍サイクルを行うように構成されている。この冷媒回路によって、冷房運転では、蒸発器で冷却された空気が室内へ供給され、暖房運転では、凝縮器で加熱された空気が室内へ供給される。
Embodiment 1
-Overall configuration of power converter-
FIG. 1 shows a power conversion apparatus (1) according to Embodiment 1 of the present invention. The power converter (1) includes a converter circuit (2), a capacitor circuit (3), and an inverter circuit (4). In addition, the said power converter device (1) is used, for example in order to drive the electric motor (5) (henceforth a motor) of the compressor provided in the refrigerant circuit of the air conditioning apparatus. Here, the refrigerant circuit of the air conditioner is not particularly shown, but the compressor, the condenser, the expansion mechanism, and the evaporator are connected to form a closed circuit, and the refrigerant circulates to form a vapor compression refrigeration. It is configured to perform a cycle. By this refrigerant circuit, in the cooling operation, air cooled by the evaporator is supplied into the room, and in the heating operation, air heated by the condenser is supplied into the room.
上記コンバータ回路(2)は、複数のダイオード(2a)を備えていて、商用電源(6)から出力される交流電力を整流するように構成されている。特に図示しないが、上記コンバータ回路(2)は、複数(例えば三相交流であれば6個)のダイオード(2a)がブリッジ状に接続されており、これにより整流回路を構成している。なお、本実施形態では、上記コンバータ回路(2)を複数のダイオード(2a)によって構成しているが、この限りではなく、スイッチング素子によって構成し、交流電力を直流電力に整流するように該スイッチング素子を駆動制御してもよい。 The converter circuit (2) includes a plurality of diodes (2a) and is configured to rectify AC power output from the commercial power supply (6). Although not particularly illustrated, the converter circuit (2) includes a plurality of (for example, six in the case of three-phase alternating current) diodes (2a) connected in a bridge shape, thereby constituting a rectifier circuit. In the present embodiment, the converter circuit (2) is configured by a plurality of diodes (2a). However, the present invention is not limited to this, and the switching circuit is configured by a switching element so that the AC power is rectified to DC power. The element may be driven and controlled.
上記コンデンサ回路(3)は、上記コンバータ回路(2)の出力側に並列に接続されるコンデンサ(3a)を備えている。このコンデンサ回路(3)を設けることによって、上記コンバータ回路(2)で整流された電圧を平滑化することができる。これにより、上記インバータ回路(4)側に直流電力を安定して供給することができる。 The capacitor circuit (3) includes a capacitor (3a) connected in parallel to the output side of the converter circuit (2). By providing this capacitor circuit (3), the voltage rectified by the converter circuit (2) can be smoothed. Thereby, DC power can be stably supplied to the inverter circuit (4) side.
上記インバータ回路(4)は、上記コンバータ回路(2)に対して上記コンデンサ回路(3)とともに並列に接続されている。このインバータ回路(4)は、複数(例えば三相交流であれば6個)のスイッチング素子(S)がブリッジ結線されてなる。すなわち、特に図示しないが、上記インバータ回路(4)は、2つのスイッチング素子(S,S)を互いに直列接続してなる3つのスイッチングレグが並列に接続されたもので、これらのスイッチング素子(S)のオンオフ動作によって、直流電圧を交流電圧に変換し、モータ(5)へ供給するように構成されている。 The inverter circuit (4) is connected in parallel to the converter circuit (2) together with the capacitor circuit (3). This inverter circuit (4) is formed by bridge-connecting a plurality of switching elements (S, for example, six in the case of three-phase alternating current). That is, although not particularly illustrated, the inverter circuit (4) is composed of three switching legs in which two switching elements (S, S) are connected in series to each other, and these switching elements (S ) To convert the DC voltage into an AC voltage and supply it to the motor (5).
上記スイッチング素子(S)は、MOSFETやJFETなどのユニポーラ素子であり、SiCやGaNなどのワイドバンドギャップ半導体からなる。また、上記スイッチング素子(S)は、逆方向にも導通可能に構成されている。 The switching element (S) is a unipolar element such as a MOSFET or JFET, and is made of a wide band gap semiconductor such as SiC or GaN. The switching element (S) is configured to be conductive in the reverse direction.
ここで、本実施形態では、上記各スイッチング素子(S)に対して、ダイオード(D)が逆並列に接続されていて、該スイッチング素子(S)とダイオード(D)とによって、本発明におけるスイッチング部(4a)が構成されている。また、本実施形態では、上記ダイオード(D)は、該スイッチング素子(S)を構成するチップ内に形成される寄生ダイオードによって構成される。 Here, in the present embodiment, a diode (D) is connected in antiparallel to each of the switching elements (S), and the switching element (S) and the diode (D) are used for switching in the present invention. Part (4a) is configured. In the present embodiment, the diode (D) is constituted by a parasitic diode formed in a chip constituting the switching element (S).
また、上記電力変換装置(1)は、上記インバータ回路(4)の各スイッチング素子(S)に対して所定のタイミングでオン信号Gp、Gn(ゲート駆動信号)を出力するスイッチング制御部(11)と、該スイッチング制御部(11)に対して電圧指令Vo*(指令信号)を出力するインバータ制御部(15)とを備えている。すなわち、上記インバータ回路(4)の各スイッチング素子(S)は、インバータ制御部(15)から出力される電圧指令Vo*に基づいてオンオフ動作を行うように構成されている。なお、この電圧指令は、図3に示すように、キャリア周期の単位時間Tに対して所定の出力期間Tonでオンとなるような信号波形を有している(図3の場合、特に図示しないが、キャリア周期の単位時間T当たりの平均電圧はV*となる。以下、このV*を単に電圧指令Vo*における平均電圧と呼ぶ。)。 The power conversion device (1) includes a switching control unit (11) that outputs ON signals Gp and Gn (gate drive signals) to the switching elements (S) of the inverter circuit (4) at a predetermined timing. And an inverter control unit (15) for outputting a voltage command Vo * (command signal) to the switching control unit (11). That is, each switching element (S) of the inverter circuit (4) is configured to perform an on / off operation based on the voltage command Vo * output from the inverter control unit (15). As shown in FIG. 3, the voltage command has a signal waveform that turns on in a predetermined output period Ton with respect to the unit time T of the carrier cycle (not particularly shown in the case of FIG. 3). However, the average voltage per unit time T of the carrier period is V * . Hereinafter, this V * is simply referred to as the average voltage in the voltage command Vo * .
ここで、上記スイッチング制御部(11)とインバータ制御部(15)とによって、本発明の制御部(10)が構成される。 Here, the switching control unit (11) and the inverter control unit (15) constitute the control unit (10) of the present invention.
上記スイッチング制御部(11)は、上記インバータ制御部(15)から出力される電圧指令Vo*に基づいて、各スイッチング素子(S)に対してオン信号Gp、Gnを出力するタイミングを決めるように構成されている。このスイッチング制御部(11)は、直列に接続された2つのスイッチング素子(S,S)のいずれか一方のみがオンになるように、該2つのスイッチング素子(S,S)に対してオン信号Gp、Gnを出力する。すなわち、上記スイッチング制御部(11)は、2つのスイッチング素子(S,S)に対し、上記電圧指令Vo*に応じたオン設定時間Tp*を設定する。そして、詳しくは後述するように、上記スイッチング制御部(11)は、上記2つのスイッチング素子(S,S)のいずれもがオフ状態になるようなデッドタイムTdを設けるようにオン信号Gp、Gnを出力する。 The switching control unit (11) determines the timing of outputting the ON signals Gp and Gn to each switching element (S) based on the voltage command Vo * output from the inverter control unit (15). It is configured. The switching control unit (11) is configured to turn on the two switching elements (S, S) so that only one of the two switching elements (S, S) connected in series is turned on. Gp and Gn are output. That is, the switching control unit (11) sets the ON set time Tp * corresponding to the voltage command Vo * for the two switching elements (S, S). As will be described in detail later, the switching control section (11) is configured to turn on signals Gp, Gn so as to provide a dead time Td in which both of the two switching elements (S, S) are turned off. Is output.
上記インバータ制御部(15)は、インバータ回路(4)によって駆動される電動機(5)に対する負荷の要求や、上記電動機(5)の回転子の回転位置をセンサレスで検出するために必要な情報(インバータ回路(4)の出力電流iや直流電圧Vdc、オン設定時間Tp*)などを信号として受信し、これらの信号に基づいて上記スイッチング制御部(11)へ電圧指令Vo*を出力するように構成されている。また、このインバータ制御部(15)は、後述するデッドタイム検出部(20)で検出されたデッドタイムTdの検出信号も入力されると、該デッドタイムTdを考慮して上記電圧指令Vo*を補正するように構成されている。 The inverter control unit (15) is a sensorless sensor that detects the load demand on the electric motor (5) driven by the inverter circuit (4) and the rotational position of the rotor of the electric motor (5) ( The output current i, DC voltage Vdc, ON set time Tp * ) of the inverter circuit (4) is received as a signal, and the voltage command Vo * is output to the switching control unit (11) based on these signals. It is configured. In addition, when the detection signal of the dead time Td detected by the dead time detection unit (20) described later is input to the inverter control unit (15), the voltage command Vo * is set in consideration of the dead time Td. It is configured to correct.
ここで、上記インバータ制御部(15)は、上記電動機(5)の回転子の回転位置をセンサレスで検出するために必要な出力電圧演算値V’を計算する出力電圧演算部(16)を備えている。この出力電圧演算部(16)では、電圧指令Vo*におけるオン信号の出力期間Tonによって設定されるオン出力設定時間Tp*と、キャリア周期の単位時間Tとを用いて、Tp*/T×Vdcによって出力電圧演算値V’を算出するように構成されている。なお、この出力電圧演算値V’は、キャリア周期の単位時間当たりの平均電圧であり、検出値且つ瞬時値である出力電圧Voとは異なる。 Here, the inverter control unit (15) includes an output voltage calculation unit (16) for calculating an output voltage calculation value V ′ necessary for detecting the rotational position of the rotor of the electric motor (5) without a sensor. ing. In the output voltage computing section (16), and on the output set time Tp * that is set by the output period Ton of the on-signal in the voltage command Vo *, by using the unit of carrier cycle time T, Tp * / T × Vdc Is used to calculate the output voltage calculation value V ′. The output voltage calculation value V ′ is an average voltage per unit time of the carrier cycle, and is different from the output voltage Vo that is a detected value and an instantaneous value.
さらに、上記インバータ制御部(15)は、直列に接続された2つのスイッチング素子(S,S)の一方のスイッチング素子(S)に逆並列に接続されたダイオード(D)に電流が流れる場合に、該スイッチング素子(S)に対してオン信号を出力してオン状態にするように構成されている。このようなスイッチング制御を行うことにより、スイッチング素子(S)側に逆方向電流を流すことができるため、ダイオード(D)側に逆方向電流を流す場合に比べて、損失の低減を図ることができる。 Further, the inverter control unit (15) is configured such that a current flows through a diode (D) connected in antiparallel to one switching element (S) of two switching elements (S, S) connected in series. The switching element (S) is configured to output an on signal to turn it on. By performing such switching control, it is possible to flow a reverse current to the switching element (S) side, so that loss can be reduced compared to the case of flowing a reverse current to the diode (D) side. it can.
ここで、上記所定のタイミングが、本発明における、インバータ回路(4)にデッドタイムを設けるように複数のスイッチング部(4a)のスイッチング素子(Sp,Sn)をOFFにした後、該インバータ回路(4)内にスイッチング素子(Sp,Sn)の逆方向への電流が流れる所定タイミング、に対応する。 Here, after the predetermined timing is OFF in the switching circuit (Sp, Sn) of the plurality of switching units (4a) so as to provide a dead time for the inverter circuit (4) in the present invention, the inverter circuit ( 4) Corresponds to the predetermined timing in which the current in the reverse direction of the switching element (Sp, Sn) flows.
上記デッドタイム検出部(20)は、上記インバータ回路(4)内の電圧に基づいて上記デッドタイムTdを検出するように構成されている。詳しくは後述するが、上記デッドタイム検出部(20)は、インバータ回路(4)内の電圧Voを検出する電圧検出部(21)と、検出した電圧Voを比較電圧Vrと比較する電圧比較部(22)と、その比較結果のパルス幅を信号として出力するパルス幅演算部(23)と、この信号に基づいてデッドタイムTdを算出するデッドタイム算出部(24)と、を備えている。 The dead time detector (20) is configured to detect the dead time Td based on the voltage in the inverter circuit (4). As will be described in detail later, the dead time detection unit (20) includes a voltage detection unit (21) that detects the voltage Vo in the inverter circuit (4), and a voltage comparison unit that compares the detected voltage Vo with the comparison voltage Vr. (22), a pulse width calculation unit (23) that outputs the pulse width of the comparison result as a signal, and a dead time calculation unit (24) that calculates the dead time Td based on this signal.
−デッドタイム検出−
次に、上記スイッチング制御部(11)から各スイッチング素子(S)へオン信号が出力された場合のインバータ回路(4)の動作について説明する。なお、以下の説明では、説明簡略化のために、図2に示すように、直流電源としてのコンデンサ(3a)と、直列に接続された2つのスイッチング素子(両者を区別するために、以下の説明において、各スイッチング素子の符号はSp,Snとする)と、からなる回路を用いて説明する。
-Dead time detection-
Next, the operation of the inverter circuit (4) when an ON signal is output from the switching control unit (11) to each switching element (S) will be described. In the following description, for the sake of simplification, as shown in FIG. 2, a capacitor (3a) serving as a DC power source and two switching elements connected in series ( In the description, the switching elements will be described using a circuit consisting of: Sp and Sn.
ここで、上記図2に示す回路では、直列に接続されたスイッチング素子(Sp,Sn)に対して、それぞれ、逆並列にダイオード(Dp,Dn)が接続されている。これにより、スイッチング素子(Sp,Sn)とダイオード(Dp,Dn)とによって、それぞれ、スイッチング部(4a,4a)が構成されている。そして、これらのスイッチング部(4a,4a)の中点が、図示しない負荷に接続されている。なお、上記図2中における符号gp,gnは、それぞれ、スイッチング素子(Sp,Sn)のゲート端子を示している。 Here, in the circuit shown in FIG. 2, diodes (Dp, Dn) are connected in antiparallel to the switching elements (Sp, Sn) connected in series. Thereby, the switching elements (Sp, Sn) and the diodes (Dp, Dn) constitute the switching units (4a, 4a), respectively. And the midpoint of these switching parts (4a, 4a) is connected to the load which is not illustrated. Note that the symbols gp and gn in FIG. 2 indicate the gate terminals of the switching elements (Sp and Sn), respectively.
上記図2の回路において、上記インバータ制御部(15)から図3に示すような電圧指令Vo*が上記スイッチング制御部(11)に入力されると、該スイッチング制御部(11)では、スイッチング素子(Sp)に対して該電圧指令Vo*に応じたオン信号Gp、Gn(ゲート駆動信号)を出力する。このようなオン信号Gpをスイッチング素子(Sp)に対して入力して該スイッチング素子(Sp)をオンにすると、例えば上記図2の回路で出力電流iが負荷側へ流れる場合(この場合をi>0とする)には、該スイッチング素子(Sp)に電流が流れるため、出力電圧Vo(下アームのスイッチング素子(Sn)の被制御端子間(例えば、MOSFETの場合にはドレイン−ソース間)の電圧に相当)は、コンデンサ(3a)の電圧Vdcから該スイッチング素子(Sp)のオン電圧降下分Vsを引いたVdc−Vsとなる。一方、上記スイッチング素子(Sp)をオフにすると、下アームのスイッチング素子(Sn)をオンにしない限り、該スイッチング素子(Sn)に逆並列に接続されたダイオード(Dn)に電流が流れるため、上記出力電圧Voは、該ダイオード(Dn)のオン電圧降下分に相当する−Vdとなる。 In the circuit of FIG. 2, when a voltage command Vo * as shown in FIG. 3 is input from the inverter control unit (15) to the switching control unit (11), the switching control unit (11) On signals Gp and Gn (gate drive signals) corresponding to the voltage command Vo * are output to (Sp). When such an ON signal Gp is input to the switching element (Sp) and the switching element (Sp) is turned on, for example, when the output current i flows to the load side in the circuit of FIG. > 0), since current flows through the switching element (Sp), the output voltage Vo (between controlled terminals of the lower arm switching element (Sn) (for example, between drain and source in the case of MOSFET)) Is equivalent to Vdc-Vs obtained by subtracting the on-voltage drop Vs of the switching element (Sp) from the voltage Vdc of the capacitor (3a). On the other hand, when the switching element (Sp) is turned off, unless the lower arm switching element (Sn) is turned on, a current flows through the diode (Dn) connected in reverse parallel to the switching element (Sn). The output voltage Vo becomes −Vd corresponding to the ON voltage drop of the diode (Dn).
ここで、上記ダイオード(Dn)に電流が流れるタイミングで下アームのスイッチング素子(Sn)をオンにすると、該ダイオード(Dn)よりも導通時の損失が少ないスイッチング素子(Sn)側に電流を流すことができ、インバータ回路(4)の損失低減を図れる。 Here, when the switching element (Sn) of the lower arm is turned on at the timing when the current flows to the diode (Dn), the current flows to the switching element (Sn) side with less loss during conduction than the diode (Dn). And loss of the inverter circuit (4) can be reduced.
しかしながら、このような制御方法において、直列に接続された2つのスイッチング素子(Sp,Sn)のゲート端子(gp,gn)に対して上記図3に破線で示すような信号を入力すると、該2つのスイッチング素子(Sp,Sn)が両方ともオンになって短絡する可能性がある。そのため、通常、直列に接続された2つのスイッチング素子(Sp,Sn)に対して入力するオン信号にデッドタイムを設けるようにしている。具体的には、上記スイッチング制御部(11)は、デッドタイムを設けるように、デッドタイム設定時間Td*の分だけ、オン信号を遅らせるようなゲート駆動信号(図3におけるGp、Gnの実線)を生成する。 However, in such a control method, when a signal as indicated by a broken line in FIG. 3 is input to the gate terminals (gp, gn) of two switching elements (Sp, Sn) connected in series, the 2 Two switching elements (Sp, Sn) may both be turned on and short-circuited. Therefore, normally, a dead time is provided for an ON signal input to two switching elements (Sp, Sn) connected in series. Specifically, the switching control unit (11) has a gate drive signal that delays the ON signal by the dead time setting time Td * so as to provide a dead time (solid lines of Gp and Gn in FIG. 3). Is generated.
こうすることで、上記デッドタイム中は、下アームのスイッチング素子(Sn)に逆並列に接続されたダイオード(Dn)に電流が流れて、出力電圧Voは、該ダイオード(Dn)に電流が流れたときのオン電圧降下分である−Vdとなる。そして、所定のタイミングで、上記下アームのスイッチング素子(Sn)をオンにすると、該スイッチング素子(Sn)に電流が流れるため、上記出力電圧Voは、該スイッチング素子(Sn)のオン電圧降下分に相当する−Vsとなる。 By doing so, during the dead time, current flows through the diode (Dn) connected in reverse parallel to the lower arm switching element (Sn), and the output voltage Vo flows through the diode (Dn). -Vd, which is the on-voltage drop at that time. When the lower arm switching element (Sn) is turned on at a predetermined timing, a current flows through the switching element (Sn). Therefore, the output voltage Vo is equal to the on-voltage drop of the switching element (Sn). -Vs corresponding to.
一方、上記出力電流iがi<0の場合(出力電流iが上記図2の回路内へ流れ込む場合)には、上記デッドタイム中は、上アームのスイッチング素子(Sp)に逆並列に接続されたダイオード(Dp)に電流が流れるため、上記出力電圧Voは、該ダイオード(Dp)のオン電圧降下分であるVdをコンデンサ(3a)の直流電圧Vdcに足したVdc+Vdとなる。また、上記上アームのスイッチング素子(Sp)がオンのときには、該スイッチング素子(Sp)に電流が流れるため、上記出力電圧Voは、上記電圧Vdcに該スイッチング素子(Sp)のオン電圧降下分であるVsを足したVdc+Vsとなる。なお、上記下アームのスイッチング素子(Sn)がオンのときには、該スイッチング素子(Sn)を電流が流れるため、上記出力電圧Voは、該スイッチング素子(Sn)のオン電圧降下分に相当するVsとなる。 On the other hand, when the output current i is i <0 (when the output current i flows into the circuit of FIG. 2), it is connected in reverse parallel to the switching element (Sp) of the upper arm during the dead time. Since the current flows through the diode (Dp), the output voltage Vo becomes Vdc + Vd obtained by adding Vd, which is the on-voltage drop of the diode (Dp), to the DC voltage Vdc of the capacitor (3a). When the upper arm switching element (Sp) is on, a current flows through the switching element (Sp). Therefore, the output voltage Vo is equal to the voltage Vdc corresponding to the on-voltage drop of the switching element (Sp). Vdc + Vs obtained by adding a certain Vs. Since the current flows through the switching element (Sn) when the lower arm switching element (Sn) is on, the output voltage Vo is equal to Vs corresponding to the on-voltage drop of the switching element (Sn). Become.
ところで、上述のようなデッドタイムを設けると、上下アーム間での短絡を確実に防止できる一方、図3に示すように、出力電流i>0であれば、電圧指令Vo*に対して出力電圧Voが出力される期間が短くなり、出力電流i<0であれば、電圧指令Vo*に対して出力電圧Voが出力される期間が長くなる。そうすると、要求されている出力電圧に対し、実際の出力電圧に誤差が生じる。これに対し、従来より、デッドタイムに応じて出力電圧の補正を行う、いわゆるデッドタイムイム補償が行われている。 Incidentally, when providing the dead time as described above, a short circuit while can be prevented reliably between the upper and lower arms, as shown in FIG. 3, if the output current i> 0, the output voltage relative to the voltage command Vo * When the output period Vo is shortened and the output current i <0, the output voltage Vo is output with respect to the voltage command Vo * . Then, an error occurs in the actual output voltage with respect to the required output voltage. On the other hand, so-called dead time immobilization, in which output voltage is corrected according to dead time, has been conventionally performed.
しかしながら、上記デッドタイムは、上記スイッチング素子(Sp,Sn)の個体差や温度などの運転環境等によって変化するため、上記スイッチング制御部(11)によるデッドタイム設定時間(Td*)と同じ長さになるとは限らない。そのため、精度の良いデッドタイム補償を行うためには、実際のデッドタイムTdの長さを精度良く検出する必要がある。 However, since the dead time varies depending on the operating environment such as the individual difference of the switching elements (Sp, Sn) and the temperature, the same length as the dead time setting time (Td * ) by the switching control unit (11). It does not always become. Therefore, in order to perform accurate dead time compensation, it is necessary to accurately detect the length of the actual dead time Td.
これに対し、本発明の発明者らは、鋭意努力の結果、上述のように、上下アームのスイッチング素子(Sp,Sn)がオフであるデッドタイムTdの期間中は、上記ダイオード(Dn)のオン電圧降下Vdが出現する点を見出して、該オン電圧降下Vdに基づいてデッドタイムTdの長さを検出する構成を考案した。これにより、実際のデッドタイムTdの長さを精度良く検出して、デッドタイムTdに起因する出力電圧の誤差を低減できるようにした。以下、そのデッドタイムTdの長さの検出について説明する。 On the other hand, the inventors of the present invention, as a result of diligent efforts, as described above, during the dead time Td during which the switching elements (Sp, Sn) of the upper and lower arms are off, the diode (Dn) The point where the on-voltage drop Vd appears was found, and a configuration for detecting the length of the dead time Td based on the on-voltage drop Vd was devised. As a result, the actual length of the dead time Td can be accurately detected, and the output voltage error due to the dead time Td can be reduced. Hereinafter, detection of the length of the dead time Td will be described.
本発明では、上記図1に示すように、デッドタイム検出部(20)によってデッドタイムTdの長さの検出を行う。このデッドタイム検出部(20)は、既述のとおり、上記出力電圧Voを検出するための電圧検出部(21)と、該電圧検出部(21)で検出された出力電圧Voと予め設定された所定の比較電圧Vrとを比較する電圧比較部(22)と、その比較結果のパルス幅を信号の振幅に換算するパルス幅演算部(23)と、該振幅に基づいてデッドタイムTdの長さを求めるデッドタイム算出部(24)と、を備えている。 In the present invention, as shown in FIG. 1, the dead time Td is detected by the dead time detector (20). As described above, the dead time detection unit (20) is preset with the voltage detection unit (21) for detecting the output voltage Vo and the output voltage Vo detected by the voltage detection unit (21). A voltage comparison unit (22) for comparing the predetermined comparison voltage Vr, a pulse width calculation unit (23) for converting the pulse width of the comparison result into the amplitude of the signal, and the length of the dead time Td based on the amplitude And a dead time calculation unit (24) for obtaining the height.
上記電圧検出部(21)は、上記図2の回路の出力電圧Vo、すなわち、下アームのスイッチング素子(Sn)の被制御端子間の電圧、を検出するように構成されている。 The voltage detector (21) is configured to detect the output voltage Vo of the circuit of FIG. 2, that is, the voltage between the controlled terminals of the lower arm switching element (Sn).
上記電圧比較部(22)は、上記出力電圧Voからダイオード(Dp,Dn)のオン電圧降下分を抽出して、該オン電圧降下をその継続時間に応じたパルス幅を有する信号w1に変換するように構成されている。具体的には、例えば出力電圧Voが図4に示すような波形の場合(出力電流i>0の場合)には、上記電圧比較部(22)は、出力電圧Voが負の比較電圧Vr以下のときにのみ、Highの信号を出力するように構成されている。なお、出力電流i<0の場合には、上記図3に示すように、ダイオード(Dp,Dn)のオン電圧降下によって、上アームのスイッチング素子(Sp)がオンのときの出力電圧(Vdc+Vs)よりも大きい出力電圧(Vdc+Vd)となるため、上記電圧比較部(22)は、出力電圧Voが正の比較電圧Vr以上の場合にのみ、Highの信号を出力する。 The voltage comparison unit (22) extracts the on-voltage drop of the diode (Dp, Dn) from the output voltage Vo, and converts the on-voltage drop into a signal w1 having a pulse width corresponding to its duration. It is configured as follows. Specifically, for example, when the output voltage Vo has a waveform as shown in FIG. 4 (when the output current i> 0), the voltage comparison unit (22) causes the output voltage Vo to be equal to or less than the negative comparison voltage Vr. Only when the signal is high, a high signal is output. When the output current i <0, as shown in FIG. 3, the output voltage (Vdc + Vs) when the upper arm switching element (Sp) is on due to the on-voltage drop of the diode (Dp, Dn). Therefore, the voltage comparator (22) outputs a high signal only when the output voltage Vo is equal to or higher than the positive comparison voltage Vr.
上記パルス幅演算部(23)は、上記信号w1を、上記電圧比較部(22)によって出力されたHigh信号のパルス幅に比例した振幅を有する信号w2に変換して出力するように構成されている。これにより、上記ダイオード(Dp,Dn)のオン電圧降下が出現している期間を振幅に変換して、該期間で三角波状となる信号を得ることができる。 The pulse width calculation unit (23) is configured to convert the signal w1 into a signal w2 having an amplitude proportional to the pulse width of the High signal output by the voltage comparison unit (22) and output the signal w2. Yes. As a result, a period in which the on-voltage drop of the diode (Dp, Dn) appears can be converted into an amplitude, and a signal having a triangular wave shape in the period can be obtained.
上記デッドタイム算出部(24)は、上記信号w2の振幅のピークをホールドするように構成されている。これにより、上記信号w2の振幅の最大値、すなわち、デッドタイムTdの最大値を求めることができる。なお、上記デッドタイム算出部(24)は、所定期間内でのデッドタイムTdの平均値や各デッドタイムTdを出力するように構成されていてもよい。デッドタイムTdの平均値を算出する場合、上記デッドタイム算出部(24)は、例えば、時定数を有するフィルター回路などによって構成される。 The dead time calculation unit (24) is configured to hold the peak of the amplitude of the signal w2. As a result, the maximum value of the amplitude of the signal w2, that is, the maximum value of the dead time Td can be obtained. The dead time calculation unit (24) may be configured to output an average value of dead times Td within a predetermined period and each dead time Td. When calculating the average value of the dead times Td, the dead time calculation unit (24) is constituted by, for example, a filter circuit having a time constant.
上述のような構成において、上記デッドタイムTdの長さは以下のようにして検出される。 In the configuration as described above, the length of the dead time Td is detected as follows.
上記電圧検出部(21)で上記図4に示すような出力電圧Voを検出すると、該出力電圧Voを上記電圧比較部(22)で比較電圧Vrと比較して、該出力電圧Voからダイオード(Dp,Dn)のオン電圧降下分のみを抽出する。このとき、上記電圧比較部(22)では、出力電圧Voが負の比較電圧Vrを下回った(i<0の場合は正の比較電圧Vrを上回った)期間にHigh信号を出力することで、上記オン電圧降下が継続して出現している期間に応じたパルス幅を有する信号w1を生成する。 When the output voltage Vo as shown in FIG. 4 is detected by the voltage detector (21), the output voltage Vo is compared with the comparison voltage Vr by the voltage comparator (22), and a diode ( Only the on-voltage drop of Dp, Dn) is extracted. At this time, the voltage comparison unit (22) outputs a high signal during a period in which the output voltage Vo is lower than the negative comparison voltage Vr (when i <0, it is higher than the positive comparison voltage Vr). A signal w1 having a pulse width corresponding to a period in which the on-voltage drop continuously appears is generated.
その後、上記信号w1は、上記パルス幅演算部(23)に入力されて、該パルス幅演算部(23)で信号w1のパルス幅に応じて振幅が変化する信号w2が生成される。これにより、矩形波状にHigh信号が出力される信号w1が、三角波部分を有する信号w2に変換される。この信号w2が上記デッドタイム算出部(24)に入力されると、該デッドタイム算出部(24)で信号w2の振幅の最大値が算出される。このようにして、上記デッドタイムTdの最大値を得ることができる。 Thereafter, the signal w1 is input to the pulse width calculator (23), and the pulse width calculator (23) generates a signal w2 whose amplitude changes according to the pulse width of the signal w1. Thereby, the signal w1 from which the High signal is output in a rectangular wave shape is converted into a signal w2 having a triangular wave portion. When the signal w2 is input to the dead time calculation unit (24), the maximum value of the amplitude of the signal w2 is calculated by the dead time calculation unit (24). In this way, the maximum value of the dead time Td can be obtained.
以上の構成により、実際のデッドタイムTdの長さを、ダイオード(Dp,Dn)のオン電圧降下Vdに基づいて精度良く検出することができる。ここで、本実施形態のように、上記スイッチング素子(Sp,Sn)をSiCやGaNなどのワイドバンドギャップ半導体によって構成し、且つ、上記ダイオード(Dp,Dn)として、上記スイッチング素子(Sp,Sn)を構成するチップ内に形成された寄生ダイオードを用いることで、該ダイオード(Dp,Dn)のオン電圧は、約3Vになる。よって、一般的なSiを用いたチップの寄生ダイオード(オン電圧は約1V)に比べて、ダイオード(Dp,Dn)のオン電圧を大きくすることができ、上述のような構成によるデッドタイムTdの長さの検出が容易になる。 With the above configuration, the actual length of the dead time Td can be accurately detected based on the on-voltage drop Vd of the diode (Dp, Dn). Here, as in this embodiment, the switching element (Sp, Sn) is composed of a wide band gap semiconductor such as SiC or GaN, and the switching element (Sp, Sn) is used as the diode (Dp, Dn). ) Is used, the on-voltage of the diodes (Dp, Dn) is about 3V. Therefore, the on-voltage of the diode (Dp, Dn) can be increased as compared with the parasitic diode (on-voltage is about 1 V) of a chip using general Si, and the dead time Td of the above-described configuration can be reduced. The length can be easily detected.
−デッドタイム補償−
上述のようにして求めたデッドタイムTdの長さを考慮して、上記インバータ制御部(15)では以下のようなデッドタイム補償を行う。
−Dead time compensation−
In consideration of the length of the dead time Td obtained as described above, the inverter control unit (15) performs the following dead time compensation.
すなわち、上記インバータ制御部(15)は、上記デッドタイム検出部(20)からデッドタイムTdの検出値が入力されると、該デッドタイムTdの分だけ上アームのスイッチング素子(Sp)へのオン信号の出力期間を変更するような電圧指令Vo*を出力する。より詳しくは、上記図3に示すように、デッドタイムTdの影響によって出力電圧Voの出力期間が短くなるi>0の場合には、デッドタイム補償前の電圧指令Vo*に基づくオン信号の出力期間Tonに対して、上記デッドタイムTdを足した分をオン信号の出力期間とする一方、デッドタイムTdの影響によって出力電圧Voの出力期間が長くなるi<0の場合には、上記出力期間Tonに対して上記デッドタイムTdを引いた分をオン信号の出力期間とするような電圧指令Vo*がインバータ制御部(15)から出力される。 That is, when the detected value of the dead time Td is input from the dead time detection unit (20), the inverter control unit (15) turns on the switching element (Sp) of the upper arm by the dead time Td. A voltage command Vo * that changes the signal output period is output. More specifically, as shown in FIG. 3, when i> 0 in which the output period of the output voltage Vo is shortened due to the influence of the dead time Td, an ON signal is output based on the voltage command Vo * before the dead time compensation. When the output period of the output voltage Vo becomes longer due to the influence of the dead time Td while the output period of the ON signal is the sum of the dead time Td and the period Ton, the output period A voltage command Vo * is output from the inverter control section (15) so as to set the output period of the ON signal by subtracting the dead time Td from Ton.
これにより、デッドタイムを含まない理想的なオン信号の出力期間であるオン出力設定期間Tp*も、i>0の場合にはTon+Td、i<0の場合にはTon−Tdとなり、下式のように実際の出力電圧におけるキャリア周期の単位時間T当たりの電圧V(以下、単に平均出力電圧Vという。)を電圧指令Vo*における平均電圧V*(本発明における所望の値)に合わせることができる。 As a result, an on-output setting period Tp * that is an ideal on-signal output period not including dead time is also Ton + Td when i> 0, and Ton−Td when i <0. Thus, the voltage V per unit time T of the carrier cycle in the actual output voltage (hereinafter simply referred to as the average output voltage V) can be matched with the average voltage V * (desired value in the present invention) in the voltage command Vo * . it can.
i>0の場合 When i> 0
i<0の場合 When i <0
以上より、精度良く検出された実際のデッドタイムTdを用いて、電圧指令Vo*に基づくオン信号の出力期間Tonを変更することにより、電圧指令Vo*における平均電圧V*と同じ平均出力電圧Vを出力することができる。すなわち、上記デッドタイムTdを考慮してオン信号の出力期間Tonを変更することで、該デッドタイムTdによる平均出力電圧Vの誤差を低減することができる。 As described above, the average output voltage V * equal to the average voltage V * in the voltage command Vo * is changed by changing the output period Ton of the ON signal based on the voltage command Vo * using the actual dead time Td detected with high accuracy. Can be output. That is, by changing the ON signal output period Ton in consideration of the dead time Td, an error in the average output voltage V due to the dead time Td can be reduced.
−実施形態1の効果−
以上より、この実施形態によれば、上下アームのスイッチング素子(Sp,Sn)がオフになるデッドタイムTdの期間中では、該スイッチング素子(Sp,Sn)に逆並列に接続されたダイオード(Dp,Dn)に電流が流れ、その際のオン電圧降下Vdが出力電圧Voに出現する点を見出し、該オン電圧降下Vdに基づいて上記デッドタイムTdを検出するようにしたため、実際のデッドタイムTdを精度良く検出することができる。
-Effect of Embodiment 1-
As described above, according to this embodiment, the diode (Dp) connected in antiparallel to the switching element (Sp, Sn) during the dead time Td when the switching element (Sp, Sn) of the upper and lower arms is turned off. , Dn), the point at which the on-voltage drop Vd appears in the output voltage Vo is detected, and the dead time Td is detected based on the on-voltage drop Vd. Can be detected with high accuracy.
また、上記デッドタイムTdを検出する際に、出力電圧Voと比較電圧Vrとを比較して上記オン電圧降下Vdが継続している間はHigh信号を出力するようにしたため、該オン電圧降下Vdの継続期間を信号のパルス幅に容易に変換することができ、該オン電圧降下Vdの継続期間、すなわち上記デッドタイムTdの長さを容易に検出することができる。 In addition, when the dead time Td is detected, the output voltage Vo and the comparison voltage Vr are compared and the High voltage is output while the on-voltage drop Vd continues, so the on-voltage drop Vd Can be easily converted into the pulse width of the signal, and the duration of the on-voltage drop Vd, that is, the length of the dead time Td can be easily detected.
そして、上記検出されたデッドタイムTdの分だけ、電圧指令Vo*に基づくオン信号の出力期間を変更することにより、該電圧指令Vo*における平均電圧V*に対する平均出力電圧Vの誤差を低減することができる。 Then, by changing the ON signal output period based on the voltage command Vo * by the detected dead time Td, the error of the average output voltage V with respect to the average voltage V * in the voltage command Vo * is reduced. be able to.
《実施形態2》
以下で、本発明の実施形態2について説明する。この実施形態は、インバータ制御部(15)の出力電圧演算部(16)の構成及びデッドタイム補償の方法が上記実施形態1とは異なる。以下の説明において、実施形態1と同一の部分には同一の符号を付して、異なる部分についてのみ説明する。
<<
The second embodiment of the present invention will be described below. This embodiment is different from the first embodiment in the configuration of the output voltage calculation unit (16) of the inverter control unit (15) and the dead time compensation method. In the following description, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and only different parts will be described.
具体的には、本実施形態における出力電圧演算部(16)では、電圧指令におけるオン信号の出力期間Tonによって設定されるオン出力設定時間Tp*と、キャリア周期の単位時間Tとを用いて、Tp*/T×Vdcによって算出される出力電圧演算値に、上記実施形態1で検出されたデッドタイムTdを考慮するように構成されている。すなわち、上記出力電圧演算部(16)では、下式のように、i>0の場合にはTp*から検出された実際のデッドタイムTdを引いて、i<0の場合にはTp*に検出された実際のデッドタイムTdを足すことにより、実際の平均出力電圧Vと同じ出力電圧演算値V’を算出する。 Specifically, the output voltage calculation unit (16) in the present embodiment uses the ON output setting time Tp * set by the output period Ton of the ON signal in the voltage command and the unit time T of the carrier cycle, The output voltage calculation value calculated by Tp * / T × Vdc is configured to take into account the dead time Td detected in the first embodiment. That is, the output voltage calculation unit (16) subtracts the actual dead time Td detected from Tp * when i> 0 and subtracts Tp * when i <0, as shown in the following equation. By adding the detected actual dead time Td, the same output voltage calculation value V ′ as the actual average output voltage V is calculated.
i>0の場合 When i> 0
i<0の場合 When i <0
このようにして求められた出力電圧演算値V’は、例えば位置センサを用いずにモータの回転制御を行うセンサレス制御などに用いられる。したがって、上述のように、実際の出力電圧Vと同じ値を算出できるような精度の高い計算方法を用いることにより、モータを精度良く制御することが可能となる。 The output voltage calculation value V ′ obtained in this way is used for sensorless control for controlling the rotation of the motor without using a position sensor, for example. Therefore, as described above, the motor can be controlled with high accuracy by using a highly accurate calculation method that can calculate the same value as the actual output voltage V.
−実施形態2の効果−
以上より、この実施形態によれば、出力電圧を計算によって求める際に、上記実施形態1で検出された実際のデッドタイムTdを考慮することにより、実際の平均出力電圧Vと同じ出力電圧演算値V’を求めることができ、出力電圧の計算精度の向上を図れる。
-Effect of Embodiment 2-
As described above, according to this embodiment, when the output voltage is obtained by calculation, the output voltage calculation value that is the same as the actual average output voltage V is obtained by taking into account the actual dead time Td detected in the first embodiment. V ′ can be obtained, and the calculation accuracy of the output voltage can be improved.
したがって、デッドタイムTdの影響によって電圧指令Vo*における平均電圧V*に対して実際の平均出力電圧Vに誤差が生じても、出力電圧演算値V’を精度良く求めることができるため、該出力電圧演算値V’を用いてモータを精度良く制御することができる。 Therefore, even if an error occurs in the actual average output voltage V with respect to the average voltage V * of the voltage command Vo * the influence of the dead time Td, since the output voltage calculation value V 'can be determined accurately, the output The motor can be accurately controlled using the voltage calculation value V ′.
《実施形態3》
以下で、本発明の実施形態3について説明する。この実施形態も、上記実施形態2と同様、デッドタイムの補償の方法が上記実施形態1とは異なるだけなので、以下の説明において、実施形態1と同一の部分には同一の符号を付して、異なる部分についてのみ説明する。
<<
Hereinafter,
まず、デッドタイムTdによる実際の平均出力電圧V及び出力電圧演算値V’への影響について説明する。 First, the influence of the dead time Td on the actual average output voltage V and the output voltage calculation value V ′ will be described.
上アームのスイッチング素子(Sp)に対するオン設定時間Tp*をTp*=Tonとすると、下式のように、実際の平均出力電圧Vは、電圧指令V*における平均電圧V*に対して上記デッドタイムTdに応じた誤差を生じることになる。すなわち、オン設定時間Tp*に対して、デッドタイムTdの分だけ、電圧の出力時間が短くなる(i<0の場合には長くなる)ため、その分が、電圧指令Vo*における平均電圧V*に対する平均出力電圧Vの誤差となる。なお、下式では、オン電圧降下Vs,Vdは無視している。 Assuming that the on-set time Tp * for the switching element (Sp) of the upper arm is Tp * = Ton, the actual average output voltage V is the above dead with respect to the average voltage V * in the voltage command V * as shown in the following equation. An error corresponding to the time Td is generated. That is, the output time of the voltage is shortened by the dead time Td with respect to the on-set time Tp * (in the case of i <0, it becomes long), and thus the average voltage V in the voltage command Vo * . It becomes an error of average output voltage V with respect to * . In the following expression, the on-voltage drops Vs and Vd are ignored.
i>0の場合 When i> 0
i<0の場合 When i <0
また、上記オン設定時間Tp*と電圧Vdcとを用いて演算される出力電圧演算値V’も、下式のように、上記デッドタイムTdの分だけ、実際の平均出力電圧Vに対して誤差を有する。 Further, the output voltage calculation value V ′ calculated using the on-set time Tp * and the voltage Vdc is also an error with respect to the actual average output voltage V by the dead time Td as shown in the following equation. Have
i>0の場合 When i> 0
i<0の場合 When i <0
上記デッドタイムTdによって、上述のような誤差を生じるため、この実施形態では、該デッドタイムTdができるだけ小さくなるようにする。具体的には、スイッチング制御部(11)において、デッドタイムTdが上下アームのスイッチング素子(Sp,Sn)が短絡しない程度に小さくなるように、該デッドタイムTdに直接、関係のあるデッドタイム設定時間Td*が調整される。つまり、上記スイッチング制御部(11)は、上記実施形態1で検出されたデッドタイムTdに基づいて、該デッドタイムTdが小さくなるように、上記デッドタイム設定時間Td*を小さくするように構成されている。 Since the above-described error is caused by the dead time Td, in this embodiment, the dead time Td is made as small as possible. Specifically, in the switching control unit (11), the dead time setting directly related to the dead time Td is set so that the dead time Td is reduced to such an extent that the switching elements (Sp, Sn) of the upper and lower arms are not short-circuited. Time Td * is adjusted. That is, the switching control unit (11) is configured to reduce the dead time setting time Td * based on the dead time Td detected in the first embodiment so that the dead time Td is reduced. ing.
−実施形態3の効果−
以上より、この実施形態によれば、検出したデッドタイムTdに基づいて、該デッドタイムTdが小さくなるようにデッドタイム設定時間Td*を小さくするため、該デッドタイムTdによる平均出力電圧Vや出力電圧演算値V’の誤差を低減することができる。
-Effect of Embodiment 3-
As described above, according to this embodiment, the dead time setting time Td * is reduced based on the detected dead time Td so that the dead time Td is reduced. The error of the voltage calculation value V ′ can be reduced.
《その他の実施形態》
上記実施形態については、以下のような構成としてもよい。
<< Other Embodiments >>
About the said embodiment, it is good also as the following structures.
上記各実施形態では、ダイオード(Dp,Dn)としてスイッチング素子(Sp,Sn)を構成するチップ内に形成される寄生ダイオードを用いているが、この限りではなく、スイッチング素子(Sp,Sn)のチップとは別に形成されたダイオードであってもよい。また、上記スイッチング素子(Sp,Sn)を、逆方向にも導通可能なJFETによって構成してもよい。この場合には、スイッチング素子(Sp,Sn)に逆並列に接続するダイオードが不要になる。ここで、このように、ダイオードがない場合のスイッチング制御は、スイッチング素子(S)に逆方向の電流が流れる所定のタイミングで、該スイッチング素子(S)をオン状態にすることになる。この場合には、上記所定のタイミングが、本発明における、インバータ回路(4)にデッドタイムを設けるように複数のスイッチング部(4a)のスイッチング素子(Sp,Sn)をOFFにした後、該インバータ回路(4)内にスイッチング素子(Sp,Sn)の逆方向への電流が流れる所定タイミング、に対応する。 In each of the above embodiments, a parasitic diode formed in a chip constituting the switching element (Sp, Sn) is used as the diode (Dp, Dn). However, the present invention is not limited to this, and the switching element (Sp, Sn) It may be a diode formed separately from the chip. Further, the switching element (Sp, Sn) may be constituted by a JFET that can conduct in the reverse direction. In this case, a diode connected in antiparallel to the switching element (Sp, Sn) is not necessary. Here, in the switching control when there is no diode as described above, the switching element (S) is turned on at a predetermined timing when a current in the reverse direction flows through the switching element (S). In this case, the predetermined timing is OFF after switching elements (Sp, Sn) of the plurality of switching units (4a) are turned off so as to provide a dead time for the inverter circuit (4) in the present invention. This corresponds to a predetermined timing at which a current in the reverse direction of the switching element (Sp, Sn) flows in the circuit (4).
また、上記各実施形態では、デッドタイム検出部(20)は、出力電圧Voを比較電圧Vrと比較して該出力電圧Voのうちオン電圧降下分を抽出した後、信号処理を行って該オン電圧降下の発生している期間を求めるようにしているが、この限りではなく、上記出力電圧Voの値に応じてタイマを起動させることにより、オン電圧降下が発生している期間を直接、求めるなど、該オン電圧降下の発生している期間を検出できるような構成であれば、どのような構成であってもよい。 In each of the above embodiments, the dead time detection unit (20) compares the output voltage Vo with the comparison voltage Vr, extracts the on-voltage drop from the output voltage Vo, performs signal processing, and then performs the on-state. The period in which the voltage drop occurs is obtained. However, the present invention is not limited to this, and the period in which the on-voltage drop occurs is directly obtained by starting a timer according to the value of the output voltage Vo. Any configuration may be used as long as the period during which the on-voltage drop occurs can be detected.
また、上記実施形態1では、デッドタイム検出部(20)で検出されたデッドタイムTdを考慮してインバータ制御部(15)で電圧指令Vo*を出力するようにしているが、この限りではなく、スイッチング制御部(11)で電圧指令Vo*に基づいてオン信号の出力期間を決める際に、上記デッドタイムTdを考慮してもよい。 In the first embodiment, the inverter controller (15) outputs the voltage command Vo * in consideration of the dead time Td detected by the dead time detector (20). However, the present invention is not limited to this. The dead time Td may be taken into account when the switching control unit (11) determines the ON signal output period based on the voltage command Vo * .
以上説明したように、本発明は、インバータ回路内にスイッチング素子の逆方向への電流が流れる所定のタイミングで該スイッチング素子をオンさせるようにスイッチング制御を行う電力変換装置について有用である。 As described above, the present invention is useful for a power conversion device that performs switching control to turn on a switching element at a predetermined timing when a current in the reverse direction of the switching element flows in the inverter circuit.
1 電力変換装置
3 コンデンサ回路
3a コンデンサ
4 インバータ回路
4a スイッチング部
5 電動機
10 制御部
11 スイッチング制御部
15 インバータ制御部
16 出力電圧演算部
20 デッドタイム検出部
21 電圧検出部
22 電圧比較部
23 パルス幅演算部
24 デッドタイム算出部
S、Sp、Sn スイッチング素子
D、Dp、Dn ダイオード
gp、gn ゲート端子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (7)
上記インバータ回路(4)にデッドタイムを設けるように上記複数のスイッチング部(4a)のスイッチング素子(Sp,Sn)をOFFにした後、該インバータ回路(4)内にスイッチング素子(Sp,Sn)の逆方向への電流が流れる所定タイミングで、該スイッチング素子(Sp,Sn)に対してオン信号を出力する制御部(10)と、
上記デッドタイムの期間中に上記逆方向に電流が流れた際に上記スイッチング部(4a)で発生するオン電圧降下に基づいて、該デッドタイムの長さを検出するデッドタイム検出部(20)と、を備えていることを特徴とする電力変換装置。 An inverter circuit (4) having a plurality of switching units (4a) including switching elements (Sp, Sn) capable of reverse conduction;
After the switching elements (Sp, Sn) of the plurality of switching units (4a) are turned off so as to provide a dead time in the inverter circuit (4), the switching elements (Sp, Sn) in the inverter circuit (4) A control unit (10) for outputting an ON signal to the switching element (Sp, Sn) at a predetermined timing when a current in the reverse direction of
A dead time detection unit (20) for detecting a length of the dead time based on an on-voltage drop generated in the switching unit (4a) when a current flows in the reverse direction during the dead time period; A power conversion device comprising:
上記デッドタイム検出部(20)は、上記スイッチング素子(Sp,Sn)の被制御端子間の電圧を所定の比較電圧と比較して、上記オン電圧降下の出現する期間を抽出することにより、上記デッドタイムの長さを検出するように構成されていることを特徴とする電力変換装置。 The power conversion device according to claim 1,
The dead time detection unit (20) compares the voltage between the controlled terminals of the switching element (Sp, Sn) with a predetermined comparison voltage, and extracts the period in which the on-voltage drop appears, thereby A power converter configured to detect a length of dead time.
上記制御部(10)は、上記インバータ回路(4)の出力電圧が所望の値になるように、上記デッドタイム検出部(20)によって検出されたデッドタイムの長さに基づいて、上記オン信号の出力期間を変更可能に構成されていることを特徴とする電力変換装置。 In the power converter device according to claim 1 or 2,
The control unit (10) is configured to output the on signal based on the length of the dead time detected by the dead time detection unit (20) so that the output voltage of the inverter circuit (4) becomes a desired value. The power conversion device is configured to be capable of changing the output period.
上記制御部(10)における出力電圧の指令信号から決まるオン信号の出力設定時間と、上記デッドタイム検出部(20)によって検出されたデッドタイムの長さとに基づいて、出力電圧を演算する出力電圧演算部(16)をさらに備えていることを特徴とする電力変換装置。 In the power converter device according to claim 1 or 2,
Output voltage for calculating the output voltage based on the ON signal output setting time determined from the output voltage command signal in the control unit (10) and the dead time length detected by the dead time detection unit (20) A power converter, further comprising a calculation unit (16).
上記制御部(10)は、上記デッドタイム検出部(20)によって検出されるデッドタイムの長さが短くなるように、上記複数のスイッチング素子(Sp,Sn)に対してオン信号を出力する間隔としてのデッドタイム設定時間を変更可能に構成されていることを特徴とする電力変換装置。 In the power converter device according to claim 1 or 2,
The control unit (10) outputs an ON signal to the plurality of switching elements (Sp, Sn) so that the length of the dead time detected by the dead time detection unit (20) is shortened. A power conversion device configured to be able to change a dead time setting time.
上記スイッチング素子(Sp,Sn)は、ユニポーラ素子からなることを特徴とする電力変換装置。 In the power converter according to any one of claims 1 to 5,
The switching element (Sp, Sn) comprises a unipolar element.
上記スイッチング素子(Sp,Sn)は、ワイドバンドギャップ半導体からなることを特徴とする電力変換装置。 In the power converter according to any one of claims 1 to 6,
The switching element (Sp, Sn) is made of a wide band gap semiconductor, and is a power conversion device.
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