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JP5315028B2 - 電子装置および電子装置の製造方法 - Google Patents

電子装置および電子装置の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、電子装置および電子装置の製造方法に関する。
光信号を電気信号に変換させる光素子を用いた電子装置は、外部から入力した光信号を直接光素子の受光部に入力している。このような電子装置において、光信号の減衰を抑制すること、また、黒色樹脂を使用することにより電子装置の耐湿性を向上させ鉛フリー実装時のリフロー条件に適合させること、等の要請がある。
特に、光信号に青色光を使用する光記録技術において、その光信号を電気信号に変換する受光装置ではエポキシ樹脂が使用されている。そのため、光素子受光部への光路上にエポキシ樹脂を用いると、エポキシ樹脂が青色光により劣化し、光透過特性が低下し使用できなくなるという問題があった。
そこで、光素子の受光部の光信号の減衰を抑制するため、受光部の周囲に枠材を設け、枠材の周囲を樹脂封止した電子装置が用いられている。
特許文献１には、受光部のみに穴空き部３をもったエポキシ系樹脂シート４が接着剤５により固体撮像素子チップ１に接着され、エポキシ系樹脂シート４上には接着剤５により透明部材６が接着された、固体撮像装置が記載されている（図９）。そして、固体撮像素子チップ１を基板１０にダイボンドし、ボンディングワイヤ１１を用いて固体撮像素子チップ１のパッド部１ａと基板１０との所定の接続を行うことが記載されている。また、図９に示すように、気密封止部以外のボンディングワイヤ接続部を含む周辺部が、封止樹脂１２により樹脂封止されている。ここでエポキシ系樹脂シート４は、受光部を囲う枠材に相当する。
特開２００１−２５７３３４
しかしながら、特許文献１に開示された技術を適用した電子装置を長期期間使用すると、枠材と素子との密着面に剥離が発生するという問題があった。
本発明者らにより、前述のような枠材と素子との密着面に剥離が発生する原因が明らかになった。以下この原因について説明する。
通常、電子装置は使用により、高温状態と低温状態が繰り返されるため、素子と、枠材と封止樹脂が、熱膨張と熱収縮を繰り返すことになる。その際、枠材の線膨張係数と封止樹脂の線膨張係数が互いに異なるため、枠材は周囲に密着している封止樹脂により自由な熱膨張及び熱収縮を行えず、また封止樹脂からの応力も受ける。そのため、枠材の内部に応力が蓄積される。この応力により、枠材と封止樹脂の密着面よりも面積が小さい枠材と素子との密着面が剥離すると考えられた。
本発明による電子装置は、ウエハに形成された素子と、前記ウエハ上に、前記素子の機能部を囲むように立設する第１樹脂からなる枠材と、前記枠材の周囲を埋め、前記枠材との間に空隙が存在するように設けられた第２樹脂からなる樹脂層と、を備えることを特徴とする。
本発明による電子装置の製造方法は、複数の素子が形成されたウエハ上に、前記素子の機能部を囲むように立設する第１樹脂からなる枠材を形成する工程と、前記枠材の上面に封止用金型の成型面を圧接し、前記枠材の幅を広げるように前記枠材を変形する工程と、前記枠材が変形された状態で、前記封止用金型の内側に第２樹脂を注入する工程と、前記封止用金型を取り外し、広げられた前記枠材の幅をもとに戻す工程と、を含むことを特徴とする。
本発明において、枠材と樹脂層との間には空隙が存在する。この空隙により、枠材と樹脂層とがそれぞれ熱膨張及び熱収縮することができる。そのため、樹脂層から枠材への応力が緩和され、枠材の内部に応力が蓄積されにくくなる。これにより、電子装置の温度変化が繰り返されても、枠材と素子とが剥離することを抑制できる。
本発明によれば、温度変化が繰り返された場合においても、枠材と素子との剥離が抑制された電子装置および電子装置の製造方法が実現される。
以下、図面を参照しつつ、本発明による電子装置およびその製造方法の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
（第１実施形態）
図１（ａ）は、第１実施形態に係る電子装置を示す斜視図、図１（ｂ）は、図１（ａ）中のＩ−Ｉ'で切断した断面図である。図２〜図４は、第１実施形態に係る電子装置の製造工程を示す断面図である。
電子装置１０８は、ウエハ１０１ａに形成された受光素子１０１と、ウエハ１０１ａ上に、機能部１０１ｂを囲むように立設する枠材１０２と、枠材１０２の周囲を埋める封止樹脂層１０６と、を備えている（図１，２）。
枠材１０２の側面と、封止樹脂層１０６の枠材１０２と相対する面には空隙１０７が形成されている。
また、受光素子１０１は、金属細線１０５を介してリードフレーム１０４と電気的に接続されている。
ウエハ１０１ａ上には、複数の機能部１０１ｂを有する受光素子１０１が形成されている（図２（ａ））。機能部１０１ｂは受光素子１０１の表面に露出している。
枠材１０２は、機能部１０１ｂを内側に囲うような空洞を有している。平面視における枠材１０２の形状は、例えば円筒であるが、中心に空洞を有する多角形であってもよい。
枠材１０２は、第１樹脂から形成される。第１樹脂とは、光および／または熱により完全に硬化可能な樹脂である。また、枠材１０２は、第１樹脂がフィルム状に形成された樹脂膜１０２ａをパターニングすることにより形成される。
枠材１０２の高さは、例えば、０．１２ｍｍとなっている。枠材１０２の高さとしては、０．０５ｍｍ以上が好ましく、０．１ｍｍ以上がより好ましい。枠材１０２の高さを金属細線１０５より高くできるため、受光素子１０１の所定の位置からリードフレーム１０４に接続された金属細線１０５が、電子装置１０８の製造過程において用いられる封止用金型１１１と接触するのを防ぐことができる（図４（ｂ）参照）。そのため、封止用金型１１１ａと枠材１０２の上面とを密着でき、封止樹脂層１０６を形成する樹脂（第２樹脂）が枠材１０２の表面へ浸入することを抑制できる。
また、枠材１０２の高さとは、ウエハ１０１ａの表面から枠材１０２の上面までの垂直方向の長さであって、枠材１０２を形成する樹脂の厚さをいう。
枠材１０２は上面が、封止樹脂層１０６の上面以上の高さとなっており、封止樹脂層１０６から上方に突き出た構造となっている。枠材１０２の上面の高さは封止樹脂層１０６上面の高さから、０．０１ｍｍ〜０．０５ｍｍ上方へ突き出てもよい。０．０５ｍｍ以下とすることにより、封止用金型１１１ａの挟圧による外力が強まり、枠材１０２の変形が塑性変形に至ることによって破断する事を抑制できる。一方、０ｍｍ以上とすることにより、封止樹脂層１０６が枠材１０２の内部に流入することを防止する。
枠材１０２の弾性率は、２０℃で１ＧＰａ以上６ＧＰａ以下、かつ２００℃で１０ＭＰａ以上３ＧＰａ以下が好ましい。２０℃で１ＧＰａ以上６ＧＰａとすることにより、電子装置１０８の受光素子１０１を保護する機能を得られる。また、２００℃で１０ＭＰａ以上３ＧＰａ以下とすることにより、電子装置１０８の製造過程における封止用金型１１１による圧接時に、枠材１０２がわずかに弾性変形して緩衝材として機能するため、受光素子１０１を応圧から保護できる。
さらに、この弾性変形は枠材１０２を封止用金型１１１ａに密着させる反力を生むことが出来る。これにより、封止樹脂層１０６は枠材１０２の内側、すなわち機能部１０１ｂの上方に形成された閉空間に流れ込めない。
なお、枠材１０２の弾性率とは、枠材１０２を形成する樹脂を光および熱により完全に硬化した状態の弾性率をいう。
枠材１０２の弾性率は、光および熱で硬化可能な樹脂の種類や硬化剤など含有物の組成比の変更、または硬化光量や硬化温度などの製造条件を適宜設定すること等により、適宜調整できる。
枠材１０２は、光および／または熱により完全に硬化可能な樹脂（第１樹脂）から形成される。光および／または熱により硬化可能な樹脂とは、例えば、アクリル系樹脂などの光反応性樹脂と、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂とを含む樹脂である。また、枠材１０２は、フィルム状に形成された樹脂膜１０２ａをパターニングすることにより形成してもよい。
ここで、第１樹脂は、電子装置を製造する過程で熱履歴を受ける。そのため外気に暴露された面が酸化されて、第２樹脂と密着しにくくなる。
封止樹脂層１０６は、封止用樹脂（第２樹脂）から形成される。封止用樹脂は、無機フィラー、より具体的には、ガラスフィラー等を混入してもよい。これにより、封止樹脂層１０６の強度を高くできる。
次に、図２〜図４を参照しつつ、第１実施形態に係る電子装置の製造方法について説明する。図２〜図４は、第１実施形態に係る電子装置の製造工程を示す断面図である。
電子装置１０８の製造方法は、複数の受光素子１０１が形成されたウエハ１０１ａ上に、第１樹脂からなる樹脂膜１０２ａを形成する工程と、枠材１０２の上面に封止用金型１１１の成型面を圧接し、枠材１０２の幅を広げるように枠材１０２を変形する工程と、枠材１０２が変形された状態で、封止用金型１１１の内側に封止用樹脂（第２樹脂）を注入する工程と、封止用金型１１１を取り外し、広げられた枠材１０２の幅をもとに戻す工程と、を有する。
まず、図２（ａ）に示すように、複数の受光素子１０１が形成されたウエハ１０１ａを準備する。このウエハ１０１ａに配置された夫々の受光素子１０１の表面には、機能部１０１ｂが露出している。なお図２（ａ）では、ウエハ１０１ａに配置された複数の受光素子１０１のうち、２つのみを示している。
次に、図２（ｂ）に示すように、ウエハ１０１ａ上に、樹脂膜１０２ａ（第１樹脂）を形成する。樹脂膜１０２ａとして、均一な厚みを持つフィルムをウエハ１０１ａ全体に被覆する。樹脂膜１０２ａの厚さは、０．１２ｍｍである。これにより、高さが０．１２ｍｍの枠材１０２が得られる。
続いて、図２（ｃ）に示すように、機能部１０１ｂが露光用マスク１０３の上面に形成された所定の位置に収まるように位置合せをして、露光を行う。
さらに、図２（ｄ）に示すように、現像処理を行う。これにより、機能部１０１ｂの周囲を被覆して立設した枠材１０２が形成される。
なお、この現像処理後の時点では、枠材１０２となる樹脂膜１０２ａ（第１樹脂）は完全に硬化していないため、枠材１０２とウエハ１０１ａ、すなわち枠材１０２と受光素子１０１とは、弱い接合力で接着しているが、強固に接着はしていない。
続いて、図２（ｄ）に示すようにして枠材１０２が形成されたウエハ１０１ａを熱処理し、樹脂膜１０２ａ（第１樹脂）を完全硬化させ、枠材１０２とウエハ１０１ａ、すなわち枠材１０２と受光素子１０１の間を強固に接着させる。この熱処理による枠材１０２の形状的な変化はほとんどないため、枠材１０２の形状は図２（ｄ）に示された枠材１０２の形状と同様である。
次いで、図３（ａ）に示すように、ウエハ１０１ａから個々の受光素子１０１を切り出して、枠材１０２を有する受光素子１０１を得る。枠材１０２は、円筒状に形成されている。
本実施形態において、枠材１０２の弾性率は、常温で約２．４ＧＰａ、２００℃で約１５ＭＰａに調整されている。これにより、枠材１０２が弾性変形でき、圧接時の緩衝材として機能できる。
次いで、図３（ｂ）に示すように、受光素子１０１をリードフレーム１０４上の所定の位置に接着剤を介して接着させる。続いて、図３（ｃ）に示すように、受光素子１０１とリードフレーム１０４のそれぞれの所定の位置を、金属細線１０５を介して、電気的に接続させる。なお、このリードフレーム１０４上には、所定の距離を保ちながら密集させて受光素子１０１が配置されている。
次に、図４（ａ）に示すように、平坦な面を成型面とする封止用金型１１１（１１１ａ，１１１ｂ）を用意し、図３（ｃ）に示されたリードフレーム１０４上の受光素子１０１を、封止用金型１１１ａ，１１１ｂの所定の位置に固定する。
続いて、枠材１０２の上面に封止用金型１１１の成型面を圧接し、枠材１０２の幅を広げるように枠材１０２を変形する。図４（ｂ）に示すように、枠材１０２の上面に封止用金型１１１ａの成型面を、リードフレーム１０４の下面に封止用金型１１１ｂの成型面を、それぞれ圧接し、枠材１０２の上面と封止用金型１１１ａの成型面とのすき間、およびリードフレーム１０４の下面と封止用金型１１１ｂの成型面とのすき間を最小限におさえ、両者をそれぞれ密着する。これにより、機能部１０１ｂの上方には、枠材１０２と封止用金型１１１ａとで囲まれた閉空間が形成される。
このとき、枠材１０２をわずかにつぶし、枠材１０２の幅を広げるように変形した状態で封止用金型１１１ａと１１１ｂの型締めが完了する。
ここで、図４（ｂ）に示すように、封止用金型１１１ａ，１１１ｂによる上下方向からの応力によりつぶれた枠材１０２は、図４（ｃ）に示すように、封止用金型１１１ａ，１１１ｂが取り外されることによりその応力から解放され、元の形状に戻ることができる。このとき、上下方向からの応力によりつぶれた枠材１０２は、図４（ｂ）に示すように、平面方向すなわち応力がかけられた方向以外の方向に膨らむようにして変形する。
次いで枠材１０２が変形された状態で、封止用金型１１１の内側に第２樹脂を注入する。すなわち、図４（ｂ）に示すように、封止用金型１１１を用いて圧接した状態のまま、熱によって溶融した封止用樹脂（第２樹脂）を、封止用金型１１１ａ，１１１ｂのそれぞれの成型面に囲まれた空間部分に注入し、枠材１０２の周囲を埋める封止樹脂層１０６を形成する。封止樹脂層１０６は、変形した枠材１０２の形状の周囲に充填され、そのまま硬化収縮する。
次いで、封止用金型１１１を取り外し、広げられた枠材１０２の幅をもとに戻す。図４（ｃ）に示すように、封止用金型１１１ａ，１１１ｂを取り外すと、枠材１０２が元の形状に戻り、封止樹脂層１０６は変形した枠材１０２の形状を保つ。そのため、枠材１０２が変形した部分に相当する空隙１０７が、枠材１０２と封止樹脂層１０６と間に形成できる。また、枠材１０２の上面が封止樹脂層１０６の上面よりわずかに突き出る。これにより、リードフレーム１０４上の複数の受光素子１０１が一括して封止される。
続いて、受光素子１０１ごとに分割し、所望の形状の電子装置１０８を得る（図１）。なお、電子装置１０８とは、半導体基板やガラス基板の表面に、受動素子または能動素子の一方または両方が形成されたものをいう。
本実施形態の効果を説明する。
従来の電子装置では温度変化により枠材の内部に応力が溜まり、枠材と受光素子との密着面が剥離することがあった。これに対し、本実施形態の電子装置１０８は、枠材１０２と封止樹脂層１０６との間には空隙１０７が存在する。この空隙１０７により、枠材１０２と封止樹脂層１０６とがそれぞれ熱膨張及び熱収縮することができる。そのため、封止樹脂層１０６から枠材１０２への応力が緩和され、枠材１０２の内部に応力が蓄積されにくくなる。これにより、枠材１０２と受光素子１０１との密着面が剥離することを抑制できる。
（第２実施形態）
図５は、第２実施形態に係る電子装置２０８を示す断面図である。図６は、第２実施形態に係る電子装置の製造方法の一部を示す工程断面図である。第２実施形態における枠材１０２の表層に、第２樹脂への密着性が、第１樹脂よりも低い酸化膜１０２ｂ（低密着層）を有する。本実施形態において、低密着層は枠材１０２の表層を酸化した酸化膜１０２ｂである。その他の構成は、第１実施形態と同じである。
酸化膜１０２ｂは、枠材１０２の少なくとも側面に形成されている。また、酸化膜１０２ｂの材料としては、封止樹脂層１０６を形成する材料（第２樹脂）への密着性が、枠材１０２を形成する材料（第１樹脂）よりも低い材料であることが好ましい。これにより、枠材１０２と封止樹脂層１０６との間に空隙１０７を形成しやすくなる。
酸化膜１０２ｂは、以下のようにして形成される。
まず、図２に示すように、機能部１０１ｂの周囲を被覆して立設した枠材１０２を形成する。
次に、図６（ａ）に示すように、枠材１０２に対し、酸素プラズマ処理を施して枠材１０２の一部を酸化する。これにより、枠材１０２の表層に酸化膜１０２ｂが形成される（図６（ｂ））。また、酸化膜１０２ｂは、封止樹脂層１０６への密着性が枠材１０２よりも低い。
その後、上記実施形態と同様にして、図３に示すように、ウエハ１０１ａから個々の受光素子１０１を切り出し、リードフレーム１０４上に設置する。つづけて、図４に示すように、封止用金型１１１を用いて、リードフレーム１０４上の受光素子１０１を一括封止する。続いて、これを受光素子１０１ごとに分割して、所望の電子装置を得る。
本実施形態の効果を説明する。本実施形態において、枠材１０２は表層に酸化膜１０２ｂを有するため、封止樹脂層１０６の枠材１０２への密着性が低下している。すなわち、酸化膜１０２ｂと封止樹脂層１０６との間の濡れ性が低くなっている。そのため、封止用金型１１１ａ，１１１ｂによって弾性変形した枠材１０２が、もとの形状に戻る際に、周囲の封止樹脂層１０６と離別しやすくなる。これにより、枠材１０２と封止樹脂層１０６との間に空隙１０７をより形成しやすくなる。
その他の効果は、上記実施形態と同様である。
（第３実施形態）
図７（ａ）は、第３実施形態に係る電子装置を示す斜視図、図７（ｂ）は、図７（ａ）中のＡ−Ａ’で切断した断面図である。第１実施形態では枠材１０２が円筒である場合について説明したが、第３実施形態の枠材３０２は、枠材３０２の断面形状は下方ほど幅狭の逆台形である。その他の構成は、第１実施形態と同じである。
枠材３０２は、上面の面積が下面の面積よりも大きい。また、枠材３０２の断面形状は、図７（ｂ）に示すように、下方ほど幅狭の逆台形である。また、断面視において、内側の空間を挟んで、２つの逆テーパ形状が並んだ形状となっている。
枠材３０２は、以下のようにして形成される。
まず、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、第１実施形態と同様にして、ウエハ１０１ａ上に、樹脂膜１０２ａを形成する。
続いて、図２（ｃ）に示すように、機能部１０１ｂが露光用マスク１０３の上面に形成された所定の位置に収まるように位置合せをする。樹脂膜１０２ａ上に枠材３０２のパターンを有するマスクを設け、散乱光を用いて、樹脂膜１０２ａを露光及び現像して、枠材３０２を形成する。
このとき、散乱光を用いているため、露光用マスク１０３の遮蔽部周辺の樹脂膜１０２ａ上部に、入射角が大きい光は照射される。一方、樹脂膜１０２ａの下方に向かうにしたがい、入射角が大きい散乱光は照射されにくくなる。また、入射角が小さい光は、樹脂膜１０２ａの下方まで露光用マスク１０３の開口部に合わせて照射できる。
すなわち、樹脂膜１０２ａの上部は、露光用マスク１０３の開口領域よりも広い領域が照射され、下方に向かうにしたがい、露光用マスク１０３の開口領域と同じ領域が照射されるようになる。その結果、枠材１０２の上面の面積が、枠材１０２の下面の面積よりも大きい枠材３０２が形成できる。本実施形態において、枠材３０２の断面形状は下方ほど幅狭の逆台形である。
以上のようにして、枠材３０２をウエハ１０１ａ上に形成後、上記実施形態と同様にウエハ１０１ａから個々の受光素子１０１を切り出し、リードフレーム１０４上に設置する（図３）。つづけて、図４に示すように、封止用金型１１１を用いて、リードフレーム１０４上の受光素子１０１を一括封止する。続いて、これを受光素子１０１ごとに分割して、所望の電子装置を得る。
本実施形態の効果を説明する。本実施形態において、枠材３０２の上面の面積が下面の面積よりも大きい。これにより、枠材の上面の面積を第１実施形態の枠材１０２と同じとした場合に比べ、枠材３０２と受光素子１０１との密着面が小さいため、受光素子１０１のサイズがより小さくできる。
その他の効果は、上記実施形態と同様である。
（第４実施形態）
図８（ａ）は、第４実施形態に係る電子装置を示す斜視図、図８（ｂ）は、図８（ａ）中のＡ−Ａ'で切断した断面図である。第４実施形態では、第３実施形態の枠材３０２ｂの側面に酸化膜が形成されている例について説明する。その他の構成は、第３実施形態と同じである。
上記第３実施形態と同様にして、枠材３０２をウエハ１０１ａ上に形成する。つづけて、形成された枠材３０２に対し、酸素プラズマ処理を施す。これにより、枠材３０２の表層に、酸化膜３０２ｂが形成される。その後、ウエハ１０１ａから個々の受光素子１０１を切り出して、枠材３０２を有する受光素子１０１を得る。
次いで、図３（ｂ）に示すように、受光素子１０１をリードフレーム１０４上の所定の位置に接着剤を介して接着させる。
次に、ウエハ１０１ａの表面および枠材３０２の上面をプラズマを用いてクリーニングする。すなわち、図３（ｃ）に示すワイヤボンディングの前処理として、アルゴンプラズマ処理を施す。アルゴンプラズマ処理は、枠材３０２をクリーニングするための処理であり、枠材３０２の上面に形成された酸化膜３０２ｂなどを除去できる（図８（ｂ）参照）。また、アルゴンプラズマ処理は、異方性を有している。
ここで、枠材３０２は下方ほど幅狭の逆台形であるため、枠材３０２の側面は下方に向かって内側へ傾斜している。そのため、枠材３０２の側面には、異方性のアルゴンプラズマ処理が施されないことになる。したがって、異方性のアルゴンプラズマ処理によっても、枠材３０２の側面に形成された酸化膜３０２ｂが除去されない（図８（ｂ）参照）。
その後、上記実施形態と同様にして、受光素子１０１とリードフレーム１０４のそれぞれの所定の位置を、金属細線１０５を介して、電気的に接続させ、ウエハ１０１ａから個々の受光素子１０１を切り出し、リードフレーム１０４上に設置する（図３）。つづけて、図４に示すように、封止用金型１１１を用いて、リードフレーム１０４上の受光素子１０１を一括封止する。続いて、これを受光素子１０１ごとに分割して、所望の電子装置を得る。
本実施形態の効果を説明する。本実施形態において、ワイヤボンディングの前処理として、アルゴンプラズマ処理を施しても、枠材３０２が下方ほど幅狭の逆台形であるため、枠材３０２の側面に形成された酸化膜３０２ｂが除去されない。そのため、その後枠材３０２の周囲に封止樹脂層１０６を充填しても、酸化膜３０２ｂと封止樹脂層１０６との濡れ性が低いため、枠材３０２の側面と封止樹脂層１０６とが密着しにくい。これにより、枠材３０２と封止樹脂層１０６との間に空隙を形成しやすくなる。
本発明による電子装置の形態は、上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
上記実施形態では、酸化膜１０２ｂを、枠材１０２，３０２への酸素プラズマ処理により形成したが、枠材１０２，３０２への酸素雰囲気でのベーク処理によって形成してもよい。また、枠材１０２，３０２の表面に、封止樹脂と非密着性を有する材料を塗布または蒸着してもよい。
上記実施形態では、散乱光を用いて枠材３０２を形成する例について説明したが、他の方法を用いてもよい。例えば、図２（ｄ）の現像、ベーク処理において、樹脂膜１０２ａに化学増幅タイプを用い、現像処理時間を長くすることにより、オーバーエッチングを起こし、上述したような逆テーパ形状の枠材を形成してもよい。
さらに、他の方法として、露光後のベーク処理の温度を低温化または、ベーク時間を短くすることにより、樹脂膜１０２ａの受光素子１０１と密着部となる底面側に未反応部を残し、その後の現像処理により逆テーパ形状の枠材３０２を容易に形成することが可能である。
さらに、枠材１０２または枠材３０２の上面および封止樹脂層１０６の上面を覆う保護テープを形成してもよい。保護テープは、露出している機能部１０１ｂを保護できる。保護テープとしては、特に限定されないが、リフロー温度以上の耐熱性のある剥離可能な樹脂を用いることができる。
また、保護テープに限らず、枠材１０２または枠材３０２の上面および封止樹脂層１０６の上面に、透明なガラス板を設けることもできる。ガラス板を用いる場合は、除去する必要がなくなる。
本実施形態においては、樹脂膜１０２ａの厚さが０．１２ｍｍである例を示したが、樹脂膜１０２ａの厚さは適宜調整でき、枠材１０２，３０２の高さを０．１２ｍｍ以上とする場合には、樹脂膜１０２ａの厚さをさらに厚くしてもよい。
また、上記各実施形態においては、素子としてＤＶＤなどに用いる受光素子１０１を用いた例を示したが、例えば、デジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラに用いる撮像素子でもよい。
また、上記実施形態では、ウエハ１０１ａをリードフレームで説明したが、リードフレームに限定するものではなく、例えば樹脂基板やフィルム状基板などでも適用できる。
（ａ）は、第１実施形態に係る電子装置を示す斜視図、（ｂ）は、（ａ）中のＩ−Ｉ'で切断した断面図である。 第１実施形態に係る電子装置の製造工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る電子装置の製造工程を示す断面図である。 第１実施形態に係る電子装置の製造工程を示す断面図である。 第２実施形態に係る電子装置を示す斜視図である。 第２実施形態に係る電子装置の製造方法の一部を示す工程断面図である。 （ａ）は、第３実施形態に係る電子装置を示す斜視図、（ｂ）は、（ａ）中のＡ−Ａ'で切断した断面図である。 （ａ）は、第４実施形態に係る電子装置を示す斜視図、（ｂ）は、（ａ）中のＡ−Ａ'で切断した断面図である。 従来の電子装置を示す断面図である。
符号の説明
１０１ 受光素子
１０１ａ ウエハ
１０１ｂ 機能部
１０２ 枠材
１０２ａ 樹脂膜
１０２ｂ 酸化膜
１０３ 露光用マスク
１０４ リードフレーム
１０５ 金属細線
１０６ 封止樹脂層
１０７ 空隙
１０８ 電子装置
１１１ 封止用金型
１１１ａ 封止用金型
１１１ｂ 封止用金型
２０８ 電子装置
３０２ 枠材
３０２ｂ 酸化膜

Claims (6)

  1. ウエハに形成された素子と、
    前記ウエハ上に、前記素子の機能部を囲むように立設する第１樹脂からなる枠材と、
    前記枠材の周囲を埋め、前記枠材との間に空隙が存在するように設けられた第２樹脂からなる樹脂層と、を備え、
    前記枠材の少なくとも側面に、前記第２樹脂への密着性が、前記第１樹脂よりも低い低密着層を有し、
    前記低密着層は、前記枠材の表層を酸化した酸化膜であり、
    前記酸化膜は、前記枠材に対して酸素プラズマ処理を施して形成されている電子装置。
  2. 請求項１に記載の電子装置において、
    前記枠材の上面の面積が、前記枠材の下面の面積よりも大きいことを特徴とする電子装置。
  3. 請求項２に記載の電子装置において、
    前記枠材の断面形状は下方ほど幅狭であることを特徴とする電子装置。
  4. 複数の素子が形成されたウエハ上に、前記素子の機能部を囲むように立設する第１樹脂からなる枠材を形成する工程と、
    前記枠材の上面に封止用金型の成型面を圧接し、前記枠材の幅を広げるように前記枠材を変形する工程と、
    前記枠材が変形された状態で、前記封止用金型の内側に第２樹脂を注入する工程と、
    前記封止用金型を取り外し、広げられた前記枠材の幅をもとに戻す工程と、
    を含み、
    前記枠材を形成する工程の後、前記枠材の幅を広げるように前記枠材を変形する工程の前に、
    前記枠材に酸化処理を施す工程、
    を含み、
    前記酸化処理は酸素プラズマ処理であり、
    前記枠材の幅をもとに戻す前記工程の際に、前記枠材と前記第２樹脂との間に空隙が形成される電子装置の製造方法。
  5. 請求項４に記載の電子装置の製造方法において、
    前記枠材を形成する工程は、
    前記ウエハ上に前記第１樹脂からなる樹脂膜を形成する工程と、
    前記樹脂膜上に前記枠材のパターンを有するマスクを設け、散乱光を用いて、前記樹脂膜を露光及び現像して、前記枠材を形成する工程と、
    を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
  6. 請求項５に記載の電子装置の製造方法において、
    前記枠材に酸化処理を施す工程の後に、
    前記ウエハの表面および前記枠材の上面をプラズマを用いてクリーニングする工程、
    を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
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